JP7726408B1 - Semiconductor inspection equipment - Google Patents
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Abstract
コレット（５）が半導体素子（１）の上面を吸着する。検査治具（１１）は、半導体素子（１）の下面の電極に接続される検査端子（１２）と、半導体素子（１）の下面に接触するＧＮＤブロック（１３）とを有する。第１の放熱機構（１４）が検査治具（１１）の熱を放熱する。第２の放熱機構（１６）がコレット（５）の熱を放熱する。The collet (5) adheres to the upper surface of the semiconductor element (1). The inspection jig (11) has an inspection terminal (12) connected to an electrode on the underside of the semiconductor element (1) and a GND block (13) in contact with the underside of the semiconductor element (1). A first heat dissipation mechanism (14) dissipates heat from the inspection jig (11). A second heat dissipation mechanism (16) dissipates heat from the collet (5).
Description
本開示は、半導体素子の特性検査に使用される半導体検査装置に関する。 This disclosure relates to a semiconductor inspection device used to inspect the characteristics of semiconductor elements.
従来の半導体検査装置では、半導体素子の下面のＧＮＤパターンをＧＮＤブロックにコンタクトさせることで検査時に発生する熱を放熱させていた（例えば、特許文献１参照）。 In conventional semiconductor inspection equipment, heat generated during inspection was dissipated by contacting the GND pattern on the underside of the semiconductor element with a GND block (see, for example, Patent Document 1).
従来の半導体検査装置は、ＧＮＤパターンなどの放熱板が素子下面に設けられた裏面放熱構造の半導体素子の放熱は可能である。しかし、素子上面に放熱板が設けられたトップサイドクーリング構造の半導体素子の放熱性を確保することはできなかった。 Conventional semiconductor inspection equipment is capable of dissipating heat from semiconductor elements with a backside cooling structure, in which a heat sink such as a GND pattern is installed on the underside of the element. However, it is not possible to ensure heat dissipation from semiconductor elements with a topside cooling structure, in which a heat sink is installed on the top side of the element.
本開示は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は半導体素子の放熱面が上面と下面のどちらでも特性検査時の放熱性を確保することができる半導体検査装置を得るものである。 This disclosure has been made to solve the problems described above, and its purpose is to obtain a semiconductor inspection device that can ensure heat dissipation during characteristic inspection regardless of whether the heat dissipation surface of the semiconductor element is the top or bottom surface.
本開示に係る半導体検査装置は、半導体素子の上面を吸着するコレットと、前記半導体素子の下面の電極に接続される検査端子と、前記半導体素子の下面に接触するＧＮＤブロックとを有する検査治具と、前記検査治具の熱を放熱する第１の放熱機構と、前記コレットの熱を放熱する第２の放熱機構と、前記コレットを押し下げる押圧治具とを備え、前記第２の放熱機構は、前記検査治具に設けられた傾斜部と、横方向に移動可能に前記押圧治具の下面に設けられ、前記半導体素子を位置決めする位置決め板とを有し、前記押圧治具が下がって前記位置決め板が前記傾斜部に押し付けられると前記位置決め板は横方向に移動して前記半導体素子及び前記コレットの側面に接触することを特徴とする。
The semiconductor inspection device according to the present disclosure comprises an inspection jig having a collet that adsorbs the top surface of a semiconductor element, inspection terminals that are connected to electrodes on the bottom surface of the semiconductor element, and a GND block that contacts the bottom surface of the semiconductor element, a first heat dissipation mechanism that dissipates heat from the inspection jig, a second heat dissipation mechanism that dissipates heat from the collet, and a pressing jig that presses down the collet, wherein the second heat dissipation mechanism has an inclined portion provided on the inspection jig and a positioning plate that is provided on the bottom surface of the pressing jig so as to be movable laterally and positions the semiconductor element, and when the pressing jig is lowered and the positioning plate is pressed against the inclined portion, the positioning plate moves laterally to come into contact with the side surfaces of the semiconductor element and the collet .
本開示では、半導体素子の下面に接触する検査治具に第１の放熱機構を設けるだけでなく、半導体素子の上面を吸着するコレットにも第２の放熱機構を設けている。これにより、半導体素子の放熱面が上面と下面のどちらでも特性検査時の放熱性を確保することができる。 In this disclosure, not only is a first heat dissipation mechanism provided on the inspection jig that contacts the underside of the semiconductor element, but a second heat dissipation mechanism is also provided on the collet that adsorbs the top surface of the semiconductor element. This ensures heat dissipation during characteristic testing regardless of whether the semiconductor element's heat dissipation surface is the top or bottom.
実施の形態に係る半導体検査装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。 The semiconductor inspection device relating to the embodiment will be described with reference to the drawings. The same or corresponding components will be given the same symbols, and repeated descriptions may be omitted.
実施の形態１
図１は、裏面放熱構造の半導体素子を示す断面図である。半導体素子１は例えばＧａＮ高周波デバイスである。半導体素子１の下面には電極２とＧＮＤパターン３が設けられている。電極２は半導体素子１の入力端子、出力端子、電源端子などである。ＧＮＤパターン３は、ＧＮＤ電位に接続されるだけでなく、半導体素子１の熱を放熱する放熱板として機能する。
First Embodiment
1 is a cross-sectional view showing a semiconductor element with a backside heat dissipation structure. The semiconductor element 1 is, for example, a GaN high-frequency device. Electrodes 2 and a GND pattern 3 are provided on the bottom surface of the semiconductor element 1. The electrodes 2 are input terminals, output terminals, power supply terminals, etc. of the semiconductor element 1. The GND pattern 3 is not only connected to the GND potential but also functions as a heat sink that dissipates heat from the semiconductor element 1.
図２は、トップサイドクーリング構造の半導体素子を示す断面図である。トップサイドクーリング構造の半導体素子では、半導体素子１の上面に放熱板４が設けられている。半導体素子１の上面の放熱板４には製品番号などが印字されているため、素子上面を表面、素子下面を裏面と呼ぶこともある。半導体素子１の下面には電極２が設けられているが、ＧＮＤパターン３は設けられていない。 Figure 2 is a cross-sectional view showing a semiconductor element with a top-side cooling structure. In a semiconductor element with a top-side cooling structure, a heat sink 4 is provided on the top surface of the semiconductor element 1. Because the product number and other information are printed on the heat sink 4 on the top surface of the semiconductor element 1, the top surface of the element is sometimes called the front surface and the bottom surface of the element is sometimes called the back surface. An electrode 2 is provided on the bottom surface of the semiconductor element 1, but a GND pattern 3 is not provided.
図３，５～７は、実施の形態１に係る半導体検査装置を示す断面図である。図３は裏面放熱構造の半導体素子１をピックアップした状態を示す。図４は、コレットの吸着部を示す下面図である。コレット５は、半導体素子１を吸着する吸着部６を有する。コレット５の吸着部６の下面の中央部に吸着穴７が設けられている。外部の真空ポンプが真空パイプ８を介して吸着穴７から吸引する。これにより、コレット５が半導体素子１の上面を吸着する。コレット５の上端部はバネ９を介して押圧治具１０に取り付けられている。押圧治具１０がコレット５を押し下げる。従来のコレットは樹脂製であり熱伝導率が低かったが、本実施の形態のコレット５は熱伝導率の高いＣｕ等からなる金属コレットである。 Figures 3, 5 to 7 are cross-sectional views showing a semiconductor inspection device according to embodiment 1. Figure 3 shows the state in which a semiconductor element 1 with a backside heat dissipation structure has been picked up. Figure 4 is a bottom view showing the suction portion of the collet. Collet 5 has a suction portion 6 that suctions the semiconductor element 1. A suction hole 7 is provided in the center of the underside of suction portion 6 of collet 5. An external vacuum pump applies suction through suction hole 7 via vacuum pipe 8. This causes collet 5 to suction the top surface of semiconductor element 1. The upper end of collet 5 is attached to pressing jig 10 via spring 9. Pressing jig 10 presses down on collet 5. Conventional collets are made of resin and have low thermal conductivity, but the collet 5 of this embodiment is a metal collet made of a material such as Cu, which has high thermal conductivity.
検査治具１１は検査端子１２とＧＮＤブロック１３を有する。第１の放熱機構１４としてヒートシンク１５がＧＮＤブロック１３に熱的に接続されている。第１の放熱機構１４は検査治具１１の熱を放熱する。第２の放熱機構１６として複数の放熱フィン１７が平板状の吸着部６の上面に設けられている。第２の放熱機構１６がコレット５の熱を放熱する。 The inspection jig 11 has an inspection terminal 12 and a GND block 13. A heat sink 15 is thermally connected to the GND block 13 as a first heat dissipation mechanism 14. The first heat dissipation mechanism 14 dissipates heat from the inspection jig 11. A plurality of heat dissipation fins 17 are provided on the upper surface of the flat suction portion 6 as a second heat dissipation mechanism 16. The second heat dissipation mechanism 16 dissipates heat from the collet 5.
図５は裏面放熱構造の半導体素子１を検査治具１１に押し付けている状態を示す。検査治具１１の検査端子１２が半導体素子１の電極２に電気的に接続されることで半導体素子１の特性検査が行われる。ＧＮＤブロック１３が半導体素子１の下面のＧＮＤパターン３に接触する。ＧＮＤブロック１３が半導体素子１の下面から吸熱した熱はヒートシンク１５により放熱される。 Figure 5 shows a semiconductor element 1 with a backside heat dissipation structure being pressed against an inspection jig 11. The inspection terminals 12 of the inspection jig 11 are electrically connected to the electrodes 2 of the semiconductor element 1, thereby inspecting the characteristics of the semiconductor element 1. The GND block 13 contacts the GND pattern 3 on the underside of the semiconductor element 1. The heat absorbed by the GND block 13 from the underside of the semiconductor element 1 is dissipated by the heat sink 15.
図６はトップサイドクーリング構造の半導体素子１をピックアップした状態を示す。図７はトップサイドクーリング構造の半導体素子１を検査治具１１に押し付けている状態を示す。コレット５が半導体素子１の上面の放熱板４に接触する。コレット５が半導体素子１の上面から吸熱した熱は放熱フィン１７により放熱される。 Figure 6 shows the state in which a semiconductor element 1 with a top-side cooling structure has been picked up. Figure 7 shows the state in which a semiconductor element 1 with a top-side cooling structure is pressed against an inspection jig 11. The collet 5 comes into contact with the heat sink 4 on the top surface of the semiconductor element 1. The heat absorbed by the collet 5 from the top surface of the semiconductor element 1 is dissipated by the heat dissipation fins 17.
以上説明したように、本実施の形態では、半導体素子１の下面に接触する検査治具１１に第１の放熱機構１４を設けるだけでなく、半導体素子１の上面を吸着するコレット５にも第２の放熱機構１６を設けている。これにより、半導体素子１の放熱面が上面と下面のどちらでも特性検査時の放熱性を確保することができる。よって、半導体素子１が裏面放熱構造でもトップサイドクーリング構造でも１つの半導体検査装置により一定温度で検査することができる。 As explained above, in this embodiment, not only is a first heat dissipation mechanism 14 provided on the inspection jig 11 that contacts the underside of the semiconductor element 1, but a second heat dissipation mechanism 16 is also provided on the collet 5 that adsorbs the top surface of the semiconductor element 1. This ensures heat dissipation during characteristic inspection regardless of whether the heat dissipation surface of the semiconductor element 1 is the top or bottom surface. Therefore, whether the semiconductor element 1 has a backside heat dissipation structure or a topside cooling structure, it can be inspected at a constant temperature using a single semiconductor inspection device.
図８，１０は、実施の形態１に係る半導体検査装置の変形例を示す断面図である。図８は半導体素子１をピックアップした状態を示す。図１０は半導体素子１を検査治具１１に押し付けている状態を示す。 Figures 8 and 10 are cross-sectional views showing modified examples of the semiconductor inspection device according to embodiment 1. Figure 8 shows the state in which the semiconductor element 1 has been picked up. Figure 10 shows the state in which the semiconductor element 1 has been pressed against the inspection jig 11.
コレット５は、半導体素子１を吸着する吸着部６と、吸着部６のサイドに張り出した張り出し部１８とを有する。下方に凸状に突き出した吸着部６の横幅は半導体素子１の横幅と同程度である。第２の放熱機構１６として、張り出し部１８に放熱フィン１７が設けられている。張り出し部１８を設けることでコレット５の熱容量が大きくなり、かつ放熱フィン１７を設ける領域を確保できる。コレット５が半導体素子１の上面から吸熱した熱は張り出し部１８を介して放熱フィン１７により放熱される。 The collet 5 has a suction portion 6 that suctions the semiconductor element 1, and a protruding portion 18 that protrudes from the side of the suction portion 6. The width of the suction portion 6, which protrudes downward in a convex shape, is approximately the same as the width of the semiconductor element 1. Heat dissipation fins 17 are provided on the protruding portion 18 as a second heat dissipation mechanism 16. Providing the protruding portion 18 increases the thermal capacity of the collet 5 and ensures an area for providing the heat dissipation fins 17. Heat absorbed by the collet 5 from the top surface of the semiconductor element 1 is dissipated by the heat dissipation fins 17 via the protruding portion 18.
図９は、コレットの吸着部の変形例を示す下面図である。半導体素子１の上面に接触するコレット５の吸着部６の下面に熱伝導性ゴム１９が設けられている。熱伝導性ゴム１９により、検査治具に対する半導体素子１の傾きを吸収することができる。なお、熱伝導性ゴム１９は他の実施の形態のコレット５に設けてもよい。 Figure 9 is a bottom view showing a modified example of the suction portion of the collet. Heat-conductive rubber 19 is provided on the underside of the suction portion 6 of the collet 5, which contacts the upper surface of the semiconductor element 1. The heat-conductive rubber 19 can absorb the tilt of the semiconductor element 1 relative to the inspection jig. Note that the heat-conductive rubber 19 may also be provided on collets 5 of other embodiments.
実施の形態２
図１１は、実施の形態２に係る半導体検査装置を示す断面図である。第２の放熱機構１６として、コレット５の内部に乾空又は冷却水を循環させる循環機構２０が設けられている。循環機構２０は柔軟性を有するホースであり、コレット５が上下移動するのに合わせて循環機構２０も動く。
Embodiment 2
11 is a cross-sectional view showing a semiconductor inspection device according to embodiment 2. A circulation mechanism 20 is provided as the second heat dissipation mechanism 16, which circulates dry air or cooling water inside the collet 5. The circulation mechanism 20 is a flexible hose, and moves in accordance with the up and down movement of the collet 5.
ＧＮＤブロック１３が半導体素子１の下面から吸熱した熱はヒートシンク１５により放熱される。コレット５が半導体素子１の上面から吸熱した熱は循環機構２０により放熱される。これにより、半導体素子１の放熱面が上面と下面のどちらでも特性検査時の放熱性を確保することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。 The heat absorbed by the GND block 13 from the underside of the semiconductor element 1 is dissipated by the heat sink 15. The heat absorbed by the collet 5 from the top surface of the semiconductor element 1 is dissipated by the circulation mechanism 20. This ensures heat dissipation during characteristic testing regardless of whether the heat dissipation surface of the semiconductor element 1 is the top or bottom surface. Other configurations and effects are the same as those of embodiment 1.
実施の形態３
図１２～１４は、実施の形態３に係る半導体検査装置を示す断面図である。図１２，１３は半導体素子１が裏面放熱構造の場合であり、図１４は半導体素子１がトップサイドクーリング構造の場合である。図１２は半導体素子１をピックアップした状態を示す。図１３，１４は半導体素子１を検査治具１１に押し付けている状態を示す。
Embodiment 3
12 to 14 are cross-sectional views showing a semiconductor inspection device according to embodiment 3. Figures 12 and 13 show the case where the semiconductor element 1 has a backside heat dissipation structure, and Figure 14 shows the case where the semiconductor element 1 has a topside cooling structure. Figure 12 shows the state where the semiconductor element 1 has been picked up. Figures 13 and 14 show the state where the semiconductor element 1 is pressed against the inspection jig 11.
第１の放熱機構１４は、ヒートシンク１５と、ＧＮＤブロック１３とヒートシンク１５を熱的に接続するベイパーチャンバー２１とを有する。第２の放熱機構１６は、ヒートシンク２２と、コレット５とヒートシンク２２を熱的に接続するベイパーチャンバー２３とを有する。 The first heat dissipation mechanism 14 has a heat sink 15 and a vapor chamber 21 that thermally connects the GND block 13 and the heat sink 15. The second heat dissipation mechanism 16 has a heat sink 22 and a vapor chamber 23 that thermally connects the collet 5 and the heat sink 22.
ＧＮＤブロック１３が半導体素子１の下面から吸熱した熱はベイパーチャンバー２１を介してヒートシンク１５から放熱される。コレット５が半導体素子１の上面から吸熱した熱はベイパーチャンバー２３を介してヒートシンク２２から放熱される。これにより、半導体素子１の放熱面が上面と下面のどちらでも特性検査時の放熱性を確保することができる。また、ベイパーチャンバー２１，２３を用いることでヒートシンク１５，２２の配置の設計自由度が増す。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。 The heat absorbed by the GND block 13 from the underside of the semiconductor element 1 is dissipated from the heat sink 15 via the vapor chamber 21. The heat absorbed by the collet 5 from the top surface of the semiconductor element 1 is dissipated from the heat sink 22 via the vapor chamber 23. This ensures heat dissipation during characteristic testing regardless of whether the heat dissipation surface of the semiconductor element 1 is the top or bottom surface. Furthermore, the use of vapor chambers 21 and 23 increases the design freedom for the placement of the heat sinks 15 and 22. Other configurations and effects are the same as those of embodiment 1.
実施の形態４
図１５，１６は、実施の形態４に係る半導体検査装置を示す断面図である。図１５は半導体素子１が裏面放熱構造の場合であり、図１６は半導体素子１がトップサイドクーリング構造の場合である。何れの図も半導体素子１を検査治具１１に押し付けている状態を示す。
Embodiment 4
15 and 16 are cross-sectional views showing a semiconductor inspection device according to embodiment 4. Fig. 15 shows a semiconductor element 1 having a backside heat dissipation structure, and Fig. 16 shows a semiconductor element 1 having a topside cooling structure. Both figures show a state in which the semiconductor element 1 is pressed against an inspection jig 11.
第１の放熱機構１４は、ＧＮＤブロック１３とヒートシンク１５の間に設けられたペルチェクーラー２４を更に有する。ペルチェクーラー２４がＧＮＤブロック１３からヒートシンク１５への伝熱を促進するため、第１の放熱機構１４の放熱能力が更に向上する。 The first heat dissipation mechanism 14 further includes a Peltier cooler 24 disposed between the GND block 13 and the heat sink 15. The Peltier cooler 24 promotes heat transfer from the GND block 13 to the heat sink 15, further improving the heat dissipation capacity of the first heat dissipation mechanism 14.
第２の放熱機構１６としてペルチェクーラー２５がコレット５とバネ９の間に設けられている。ペルチェクーラー２５の下面がコレット５に接触し、ペルチェクーラー２５の上面に放熱フィン１７が設けられている。ペルチェクーラー２５がコレット５からペルチェクーラー２５の上面側への伝熱を促進し、放熱フィン１７が放熱する。これにより、半導体素子１の放熱面が上面と下面のどちらでも特性検査時の放熱性を確保することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。 A Peltier cooler 25 is provided between the collet 5 and the spring 9 as the second heat dissipation mechanism 16. The underside of the Peltier cooler 25 contacts the collet 5, and heat dissipation fins 17 are provided on the upper surface of the Peltier cooler 25. The Peltier cooler 25 promotes heat transfer from the collet 5 to the upper surface of the Peltier cooler 25, and the heat dissipation fins 17 dissipate the heat. This ensures heat dissipation during characteristic testing regardless of whether the heat dissipation surface of the semiconductor element 1 is the top or bottom surface. Other configurations and effects are the same as those of embodiment 1.
実施の形態５
図１７，１８は、実施の形態５に係る半導体検査装置を示す断面図である。図１７は半導体素子１をピックアップした状態を示す。図１８は半導体素子１を検査治具１１に押し付けている状態を示す。
Fifth embodiment
17 and 18 are cross-sectional views showing a semiconductor inspection device according to embodiment 5. Fig. 17 shows a state in which a semiconductor element 1 has been picked up, and Fig. 18 shows a state in which the semiconductor element 1 is being pressed against an inspection jig 11.
第２の放熱機構１６は、検査治具１１に設けられた傾斜部２６と、押圧治具１０の下面にレール２７を介して設けられた位置決め板２８とを有する。位置決め板２８はレール２７に沿って横方向に移動可能である。押圧治具１０が下がって位置決め板２８の傾斜面が傾斜部２６の傾斜面に押し付けられると位置決め板２８は横方向に移動して半導体素子１及びコレット５の側面に接触する。これにより、位置決め板２８は半導体素子１を位置決めする。コレット５が半導体素子１の上面から吸熱した熱は、熱的に接続された位置決め板２８、傾斜部２６及び検査治具１１を介してヒートシンク１５から放熱される。これにより、半導体素子１の放熱面が上面と下面のどちらでも特性検査時の放熱性を確保することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。 The second heat dissipation mechanism 16 has an inclined portion 26 provided on the inspection jig 11 and a positioning plate 28 provided via rails 27 on the underside of the pressing jig 10. The positioning plate 28 is movable laterally along the rails 27. When the pressing jig 10 is lowered and the inclined surface of the positioning plate 28 is pressed against the inclined surface of the inclined portion 26, the positioning plate 28 moves laterally and comes into contact with the sides of the semiconductor element 1 and the collet 5. This allows the positioning plate 28 to position the semiconductor element 1. Heat absorbed by the collet 5 from the top surface of the semiconductor element 1 is dissipated from the heat sink 15 via the thermally connected positioning plate 28, inclined portion 26, and inspection jig 11. This ensures heat dissipation during characteristic testing regardless of whether the heat dissipation surface of the semiconductor element 1 is the top or bottom surface. Other configurations and effects are the same as those of embodiment 1.
実施の形態６
図１９，２０は、実施の形態６に係る半導体検査装置を示す断面図である。図１９は半導体素子１をピックアップした状態を示す。図２０は半導体素子１を検査治具１１に押し付けている状態を示す。
Sixth Embodiment
19 and 20 are cross-sectional views showing a semiconductor inspection device according to embodiment 6. Fig. 19 shows a state in which a semiconductor element 1 has been picked up, and Fig. 20 shows a state in which the semiconductor element 1 is being pressed against an inspection jig 11.
コレット５の下面に凹部２９が設けられている。コレット５の下面において凹部２９よりも外側に吸着穴７が設けられている。第２の放熱機構１６として、コレット５の凹部２９に放熱ブロック３０が設けられている。放熱ブロック３０は、コレット５が半導体素子１を吸着した際にコレット５と半導体素子１の両方に接触する。接触した放熱ブロック３０及びコレット５を介して半導体素子１の上面から放熱される。 A recess 29 is provided on the underside of the collet 5. Suction holes 7 are provided on the underside of the collet 5 outside the recess 29. A heat dissipation block 30 is provided in the recess 29 of the collet 5 as a second heat dissipation mechanism 16. The heat dissipation block 30 comes into contact with both the collet 5 and the semiconductor element 1 when the collet 5 adsorbs the semiconductor element 1. Heat is dissipated from the top surface of the semiconductor element 1 via the heat dissipation block 30 and collet 5 that are in contact with each other.
放熱ブロック３０はコレット５の吸着機能から独立しているため、放熱ブロック３０の材質として熱伝導率の高いものを選択できる。放熱ブロック３０はコレット５の真空用配管と干渉しないため、加工が容易である。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。 Because the heat dissipation block 30 is independent of the suction function of the collet 5, a material with high thermal conductivity can be selected for the heat dissipation block 30. The heat dissipation block 30 does not interfere with the vacuum piping of the collet 5, making it easy to process. Other configurations and effects are the same as those of embodiment 1.
実施の形態７
図２１は、実施の形態７に係る半導体検査装置を示す断面図である。放熱ブロック３０は水冷式である。水管３１が放熱ブロック３０の内部に冷水を循環させる。水管３１は柔軟性を有するホースであり、放熱ブロック３０がコレット５に対して上下移動するのに合わせて水管３１も動く。これにより放熱ブロック３０の放熱能力が更に向上する。その他の構成及び効果は実施の形態６と同様である。
Seventh embodiment
21 is a cross-sectional view showing a semiconductor inspection device according to the seventh embodiment. The heat dissipation block 30 is water-cooled. A water pipe 31 circulates cold water inside the heat dissipation block 30. The water pipe 31 is a flexible hose, and moves in accordance with the vertical movement of the heat dissipation block 30 relative to the collet 5. This further improves the heat dissipation capacity of the heat dissipation block 30. The other configurations and effects are the same as those of the sixth embodiment.
１ 半導体素子、４ 放熱板、５ コレット、６ 吸着部、１０ 押圧治具、１１ 検査治具、１２ 検査端子、１３ ＧＮＤブロック、１４ 第１の放熱機構、１５ ヒートシンク、１６ 第２の放熱機構、１７ 放熱フィン、１８ 張り出し部、２０ 循環機構、２３ ベイパーチャンバー、２５ ペルチェクーラー、２６ 傾斜部、２８ 位置決め板、２９ 凹部、３０ 放熱ブロック1 Semiconductor element, 4 Heat sink, 5 Collet, 6 Suction portion, 10 Pressing jig, 11 Inspection jig, 12 Inspection terminal, 13 GND block, 14 First heat dissipation mechanism, 15 Heat sink, 16 Second heat dissipation mechanism, 17 Heat dissipation fin, 18 Protruding portion, 20 Circulation mechanism, 23 Vapor chamber, 25 Peltier cooler, 26 Inclined portion, 28 Positioning plate, 29 Recessed portion, 30 Heat dissipation block
Claims (3)
前記半導体素子の下面の電極に接続される検査端子と、前記半導体素子の下面に接触するＧＮＤブロックとを有する検査治具と、
前記検査治具の熱を放熱する第１の放熱機構と、
前記コレットの熱を放熱する第２の放熱機構と、
前記コレットを押し下げる押圧治具とを備え、
前記第２の放熱機構は、前記検査治具に設けられた傾斜部と、横方向に移動可能に前記押圧治具の下面に設けられ、前記半導体素子を位置決めする位置決め板とを有し、
前記押圧治具が下がって前記位置決め板が前記傾斜部に押し付けられると前記位置決め板は横方向に移動して前記半導体素子及び前記コレットの側面に接触することを特徴とする半導体検査装置。 a collet that adsorbs the top surface of the semiconductor element;
an inspection jig having an inspection terminal connected to an electrode on the bottom surface of the semiconductor element and a GND block in contact with the bottom surface of the semiconductor element;
a first heat dissipation mechanism that dissipates heat from the inspection jig;
a second heat dissipation mechanism that dissipates heat from the collet ;
a pressing jig that presses down the collet ,
the second heat dissipation mechanism has an inclined portion provided on the inspection jig, and a positioning plate provided on a lower surface of the pressing jig so as to be movable laterally and for positioning the semiconductor element,
When the pressing jig is lowered and the positioning plate is pressed against the inclined portion, the positioning plate moves laterally and comes into contact with the semiconductor element and the side surface of the collet .
前記半導体素子の上面に前記放熱板が設けられている場合は前記コレットが前記放熱板に接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。 When a heat sink is provided on the underside of the semiconductor element, the GND block contacts the heat sink,
2. The semiconductor inspection device according to claim 1, wherein when the heat sink is provided on the upper surface of the semiconductor element, the collet comes into contact with the heat sink.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6019166A (en) * | 1997-12-30 | 2000-02-01 | Intel Corporation | Pickup chuck with an integral heatsink |
| US20050146343A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Wright Nathan W. | Heat transfer apparatus for burn-in board |
| JP2007141611A (en) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Renesas Technology Corp | Socket for measurement and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2009168471A (en) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Tamagawa Electronics Co Ltd | Semiconductor device testing equipment |
| JP2013242228A (en) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor inspection jig |
| JP2016095141A (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 合同会社Ｐｌｅｓｏｎ | Inspection unit for semiconductor device |
| US20190064247A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-02-28 | Global Unichip Corporation | Testing equipment for semiconductor element and its carrying device |
-
2024
- 2024-04-25 JP JP2024552439A patent/JP7726408B1/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6019166A (en) * | 1997-12-30 | 2000-02-01 | Intel Corporation | Pickup chuck with an integral heatsink |
| US20050146343A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Wright Nathan W. | Heat transfer apparatus for burn-in board |
| JP2007141611A (en) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Renesas Technology Corp | Socket for measurement and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2009168471A (en) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Tamagawa Electronics Co Ltd | Semiconductor device testing equipment |
| JP2013242228A (en) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor inspection jig |
| JP2016095141A (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 合同会社Ｐｌｅｓｏｎ | Inspection unit for semiconductor device |
| US20190064247A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-02-28 | Global Unichip Corporation | Testing equipment for semiconductor element and its carrying device |
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