JPH04181226A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH04181226A JPH04181226A JP31046690A JP31046690A JPH04181226A JP H04181226 A JPH04181226 A JP H04181226A JP 31046690 A JP31046690 A JP 31046690A JP 31046690 A JP31046690 A JP 31046690A JP H04181226 A JPH04181226 A JP H04181226A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、液晶表示装置に関する。
［従来の技術］
従来より、液晶層と光導電体層を有してなる液晶表示体
に光導電体層側から２次元画像を投射し液晶層に像を形
成する装置があり、日経エレクトロニクス １９９０．
４．２（ｎｏ、４９６） ｐ、９１のように知られてい
る。従来の液晶表示装置では、入力画像をＣＲＴ（陰極
線管）やレーザビーム等を用いて光導電体層に投射して
いた。
に光導電体層側から２次元画像を投射し液晶層に像を形
成する装置があり、日経エレクトロニクス １９９０．
４．２（ｎｏ、４９６） ｐ、９１のように知られてい
る。従来の液晶表示装置では、入力画像をＣＲＴ（陰極
線管）やレーザビーム等を用いて光導電体層に投射して
いた。
［発明が解決しようとする課題］
液晶層に精細な像を形成するためには、入力画像をその
各画素単位において光導電体層上の正確な位置にアドレ
スしなければならない。しかしながらＣＲＴやレーザビ
ームでは、このアドレスに関し各々課題を有していた。
各画素単位において光導電体層上の正確な位置にアドレ
スしなければならない。しかしながらＣＲＴやレーザビ
ームでは、このアドレスに関し各々課題を有していた。
まず、ＣＲＴでは走査される電子ビームの位置をμｍ単
位で制御することは困難であり、液晶層に形成される像
は厳密には歪んだものとなっている。特に３台のＣＲＴ
を用いて液晶表示装置に像を形成し合成する場合はそれ
ぞれのＣＲＴの位置歪みを考慮しなければならないため
非常な手間を要していた。一方、レーザビームを用いた
場合はＣＲＴよりも正確にアドレスを行なうことができ
るものの、レーザビームを２次元像に走査する光学系が
煩雑になり、実際の装置の構成を困難にしていた。ＣＲ
Ｔやレーザビームを用いること起因するこれらの問題は
、位置補正のための回路の負担増や装置の大型化を招き
、製品化にあたり大きな妨げとなっていた。
位で制御することは困難であり、液晶層に形成される像
は厳密には歪んだものとなっている。特に３台のＣＲＴ
を用いて液晶表示装置に像を形成し合成する場合はそれ
ぞれのＣＲＴの位置歪みを考慮しなければならないため
非常な手間を要していた。一方、レーザビームを用いた
場合はＣＲＴよりも正確にアドレスを行なうことができ
るものの、レーザビームを２次元像に走査する光学系が
煩雑になり、実際の装置の構成を困難にしていた。ＣＲ
Ｔやレーザビームを用いること起因するこれらの問題は
、位置補正のための回路の負担増や装置の大型化を招き
、製品化にあたり大きな妨げとなっていた。
本発明はこのような課題を解決するもので、その目的と
するところは、Ｘ−Ｙマトリクスを用いることにより入
力の画像を光導電体層上に正確にアドレスし、歪のない
像の得られる液晶表示装置を提供するものである。
するところは、Ｘ−Ｙマトリクスを用いることにより入
力の画像を光導電体層上に正確にアドレスし、歪のない
像の得られる液晶表示装置を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の液晶表示装置は、液晶層と光導電体層を有して
なる液晶表示体に前記光導電体層側から２次元画像を投
射して前記液晶層に像を形成する液晶表示装置において
、前記２次元画像の制御にＸ−Ｙマトリクスを用いたこ
とを特徴とする。
なる液晶表示体に前記光導電体層側から２次元画像を投
射して前記液晶層に像を形成する液晶表示装置において
、前記２次元画像の制御にＸ−Ｙマトリクスを用いたこ
とを特徴とする。
［実施例コ
以下、本発明の一実施例について図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
（実施例１）
第１図は、本発明の液晶表示装置の構成図である。
図中、１００はガラス基板、１０１はＸ−Ｙマトリクス
である。本実施例ではＸ−Ｙマトリクスとしてアクティ
ブ素子であるＴＰＴ （薄膜トランジスタ）を用いた。
である。本実施例ではＸ−Ｙマトリクスとしてアクティ
ブ素子であるＴＰＴ （薄膜トランジスタ）を用いた。
ＴＰＴは日経エレクトロニクス１９８２年１２月２０日
号１３５頁図４に示されたものと同様で、表示すイズ２
５．６Ｘ １９．８順、画素数３２０ｘ２２０、画素ピ
ッチ８０ｘ９０μｍである。図中、１０２はＴＰＴによ
って駆動される液晶体である。以上の素子によって構成
される部分を、ＴＰＴを設置した２次元画像制御板と呼
ぶ。
号１３５頁図４に示されたものと同様で、表示すイズ２
５．６Ｘ １９．８順、画素数３２０ｘ２２０、画素ピ
ッチ８０ｘ９０μｍである。図中、１０２はＴＰＴによ
って駆動される液晶体である。以上の素子によって構成
される部分を、ＴＰＴを設置した２次元画像制御板と呼
ぶ。
さらに、図中、３００は光導電体層、３０１は像を形成
する液晶層、３０２は透明電極である。以上、いわゆる
光書込み型の液晶ライトバルブの構成をなす部分を液晶
表示体と呼ぶ。第１図では、説明の都合上、ガラス基板
を介して２次元画像制御板と液晶表示体を離して示した
。
する液晶層、３０２は透明電極である。以上、いわゆる
光書込み型の液晶ライトバルブの構成をなす部分を液晶
表示体と呼ぶ。第１図では、説明の都合上、ガラス基板
を介して２次元画像制御板と液晶表示体を離して示した
。
書込み用の光源から出射された光は、ＴＰＴを設置した
制御板２００を通過する際に、入力された駆動信号に基
づいて各画素単位で変調を受ける。ここで形成される２
次元画像は各画素の位置関係を保持したままアドレスさ
れ、液晶表示体４００の光導電体層上の正確な位置に２
次元画像を形成する。
制御板２００を通過する際に、入力された駆動信号に基
づいて各画素単位で変調を受ける。ここで形成される２
次元画像は各画素の位置関係を保持したままアドレスさ
れ、液晶表示体４００の光導電体層上の正確な位置に２
次元画像を形成する。
この２次元画像は液晶表示体の液晶層３０１において所
望の像を形成する。
望の像を形成する。
ＴＰＴを入力２次元画像の制御に用いることにより、液
晶層におけるマトリクスの位置は厳密に固定される。ま
た、書込み光のための複雑な光学系は不要になる。従っ
て、光導電体層へのアドレスは正確かつ簡単に行うこと
ができる。
晶層におけるマトリクスの位置は厳密に固定される。ま
た、書込み光のための複雑な光学系は不要になる。従っ
て、光導電体層へのアドレスは正確かつ簡単に行うこと
ができる。
用いるＴＰＴによってはそのＴＦＴ自体の構造に起因す
る問題が発生する。ＴＰＴ内部の配線箇所であるブラッ
クマトリクスの面積が大きい場合、液晶表示装置全体の
解像度は低下してしまう、このような場合は、光導電体
層に投射する２次元画像の像の焦点をぼかしてやると、
実質的に画素間のブラックマトリクス部分はなくなり光
導電体層を有効に使うことができ、液晶層に形成される
像の解像度は向上する。
る問題が発生する。ＴＰＴ内部の配線箇所であるブラッ
クマトリクスの面積が大きい場合、液晶表示装置全体の
解像度は低下してしまう、このような場合は、光導電体
層に投射する２次元画像の像の焦点をぼかしてやると、
実質的に画素間のブラックマトリクス部分はなくなり光
導電体層を有効に使うことができ、液晶層に形成される
像の解像度は向上する。
書込み用の光源は光導電体層で吸収感度を有するもので
あればよい、レーザ光を用いれば光の拡散がなくなり、
より正確にアドレスできる。白色光を用いれば装置の設
計上の制約は少なくなる。
あればよい、レーザ光を用いれば光の拡散がなくなり、
より正確にアドレスできる。白色光を用いれば装置の設
計上の制約は少なくなる。
以上のようにして作成した液晶表示装置は、小型軽量で
、得られた像は歪のない鮮明なものであった。
、得られた像は歪のない鮮明なものであった。
（実施例２）
本実施例では、アクティブ素子を１枚あるいは複数枚用
い、２次元画像を光導電体層へ縮小して投射した。
い、２次元画像を光導電体層へ縮小して投射した。
第２図に本発明の液晶表示素子の構成図を示す。
本実施例ではｘ−Ｙマトリクスに実施例１と同様のＴＰ
Ｔを用いた。図中、１００はガラス基板、１０１はＴＦ
Ｔ、１０２はＴＦＴによって駆動される液晶体である。
Ｔを用いた。図中、１００はガラス基板、１０１はＴＦ
Ｔ、１０２はＴＦＴによって駆動される液晶体である。
以上の素子によって構成される部分を、ＴＰＴを設置し
た２次元画像制御板と呼ぶ。
た２次元画像制御板と呼ぶ。
一方、図中、３００は光導電体層、３０１は像を形成す
る液晶層、３０２は透明電極である０以上の部分を液晶
表示体と呼ぶ。本実施例では２＄元画像制御板と液晶表
示体の間に縮小の光学系５００を設置した。
る液晶層、３０２は透明電極である０以上の部分を液晶
表示体と呼ぶ。本実施例では２＄元画像制御板と液晶表
示体の間に縮小の光学系５００を設置した。
書込み用の光源から出射された光は、ＴＰＴを設置した
制御板２００を通過する際に、入力された駆動信号に基
づいて各画素単位で変調を受ける。ここで形成される２
次元画像は、縮小の光学系としてレンズ５００を通過し
、液晶表示体４００の光導電体層上に各画素の位置関係
を保持したまま縮小された画像を形成する。この２次元
画像は液晶表示体の液晶層３０１において所望の像を形
成する。
制御板２００を通過する際に、入力された駆動信号に基
づいて各画素単位で変調を受ける。ここで形成される２
次元画像は、縮小の光学系としてレンズ５００を通過し
、液晶表示体４００の光導電体層上に各画素の位置関係
を保持したまま縮小された画像を形成する。この２次元
画像は液晶表示体の液晶層３０１において所望の像を形
成する。
このような構成とすることによって、ＴＰＴのブラック
マトリクスおよび開口率に起因した解像度の低下を防ぐ
ことができる。縮小の倍率は任意であるが、例えば実施
例１と同様なＴＰＴを使用し２次元画像を半分に縮小し
て投射した場合、光導電体層上では画素の大きさは４０
Ｘ４５μｍになりブラックマトリクスの面積も同様に縮
小される。
マトリクスおよび開口率に起因した解像度の低下を防ぐ
ことができる。縮小の倍率は任意であるが、例えば実施
例１と同様なＴＰＴを使用し２次元画像を半分に縮小し
て投射した場合、光導電体層上では画素の大きさは４０
Ｘ４５μｍになりブラックマトリクスの面積も同様に縮
小される。
従って実施例１のように像の焦点をぼかすことなく解像
度を向上させることができる。
度を向上させることができる。
本実施例では縮小の光学系にレンズを用いたが、マトリ
クスを保持したまま縮小投影できるものであればよい。
クスを保持したまま縮小投影できるものであればよい。
光ファイバ、し〕／ズアレイ等を用いることもできる。
さらにＴＰＴを複数枚用いることによって、より鮮明な
像が得られる。第３図にその概念図を示す。本実施例で
は４枚のＴＰＴを使用し、２次元画像を４分割して各々
のＴＰＴによって変調をがけ、それらが１つの画像とな
るように光導電体層へ投射する。この構成では光導電体
層を有効に使うことができるので、高密度・高解像度で
かつ表示領域の広い液晶表示装置を実現できる。
像が得られる。第３図にその概念図を示す。本実施例で
は４枚のＴＰＴを使用し、２次元画像を４分割して各々
のＴＰＴによって変調をがけ、それらが１つの画像とな
るように光導電体層へ投射する。この構成では光導電体
層を有効に使うことができるので、高密度・高解像度で
かつ表示領域の広い液晶表示装置を実現できる。
以上のようにして作成した液晶表示装置は、小型軽量で
、得られた像は歪のない鮮明なものであった。
、得られた像は歪のない鮮明なものであった。
（実施例３）
本実施例では、アクティブ素子を２枚重ね合わせて２次
元画像の制御に用いることにより、アクティブ素子のブ
ラックマトリクスと開口率の問題を解決し、液晶表示装
置の解像度を向上した。
元画像の制御に用いることにより、アクティブ素子のブ
ラックマトリクスと開口率の問題を解決し、液晶表示装
置の解像度を向上した。
第４図は、本発明の液晶表示装置の構成図である。図中
、図中、１００はガラス基板、１０１は実施例１と同様
のＴＰＴ、１０２はＴＰＴによって駆動される液晶体で
ある。以上の素子によって構成される部分を、ＴＰＴを
設置した２次元画像制御板と呼ぶ。本実施例では、この
２次元画像制御板を２つ重ねて用いた。
、図中、１００はガラス基板、１０１は実施例１と同様
のＴＰＴ、１０２はＴＰＴによって駆動される液晶体で
ある。以上の素子によって構成される部分を、ＴＰＴを
設置した２次元画像制御板と呼ぶ。本実施例では、この
２次元画像制御板を２つ重ねて用いた。
一方、図中、３００は光導電体層、３０１は像を形成す
る液晶層、３０２は透明電極である。以上の部分を液晶
表示体と呼ぶ。
る液晶層、３０２は透明電極である。以上の部分を液晶
表示体と呼ぶ。
アクティブ素子は互いに画素をずらして重ね合わせる。
すなわち、１方のブラックマトリクス部に他方の画素部
が重なるようにする。第５図に２枚のアクティブ素子の
画素の位置関係を示す０画素は、光導電体層に投射した
ときに互いに重なることなくできるだけ近接して配置す
るようにする。
が重なるようにする。第５図に２枚のアクティブ素子の
画素の位置関係を示す０画素は、光導電体層に投射した
ときに互いに重なることなくできるだけ近接して配置す
るようにする。
また、ブラックマトリクス部は光を透過することが必要
なので、配線は透明な電極で行い遮光層は形成しない。
なので、配線は透明な電極で行い遮光層は形成しない。
アクティブ素子を２枚用いることにより、２次元画像の
制御は各々分担して行われ、ブラックマトリクス部が補
償される。また、各々の素子は画素を小さくでき、かつ
配線の面積を確保できるので作成上の制約が少なくなる
。
制御は各々分担して行われ、ブラックマトリクス部が補
償される。また、各々の素子は画素を小さくでき、かつ
配線の面積を確保できるので作成上の制約が少なくなる
。
以上のようにして作成した液晶表示装置は、小型軽量で
、得られた像は歪のない鮮明なものであった。
、得られた像は歪のない鮮明なものであった。
［発明の効果コ
以上述べてきたように本発明によれば、Ｘ−Ｙマトリク
スを入力２次元画像の制御に用いることにより、光導電
体層へのアドレスを簡単かつ正確に行なうことができる
。装置は小型軽量であり一体化して作成することができ
る。書込み用の光源に特別な走査系や光学系を必要とし
ないので、本発明の液晶表示装置に光源と駆動回路を備
えたシステムを構成する場合にも小型にすることができ
る。
スを入力２次元画像の制御に用いることにより、光導電
体層へのアドレスを簡単かつ正確に行なうことができる
。装置は小型軽量であり一体化して作成することができ
る。書込み用の光源に特別な走査系や光学系を必要とし
ないので、本発明の液晶表示装置に光源と駆動回路を備
えたシステムを構成する場合にも小型にすることができ
る。
また、本発明の液晶表示装置を２つ以上用いて像を合成
する場合、各画素単位での重ね合わせが可能である。そ
の際、複雑な位置補正回路は必要とせず、光学的な位置
合わせたけでよい。従って、カラー等の合成が簡単にで
き、高精細な合成像が得られる。
する場合、各画素単位での重ね合わせが可能である。そ
の際、複雑な位置補正回路は必要とせず、光学的な位置
合わせたけでよい。従って、カラー等の合成が簡単にで
き、高精細な合成像が得られる。
本発明によればアクティブ素子のブラックマトリクスを
補償し、高密度・高解像度な像を得ることができる。解
像度を上げるには、ｔｗｉｇを小さくし画素密度を高め
なければならないが、１枚のアクティブ素子でこの要件
を満たすことは素子の作成上困難であった０本発明では
作成の容易なアクティブ素子を用いて先の要件を両立し
た。さらに、書込み光の強度は光導電体層が感度を持つ
程度に小さくできるので、アクティブ素子を通過する光
による発熱等の影響を回避できる。
補償し、高密度・高解像度な像を得ることができる。解
像度を上げるには、ｔｗｉｇを小さくし画素密度を高め
なければならないが、１枚のアクティブ素子でこの要件
を満たすことは素子の作成上困難であった０本発明では
作成の容易なアクティブ素子を用いて先の要件を両立し
た。さらに、書込み光の強度は光導電体層が感度を持つ
程度に小さくできるので、アクティブ素子を通過する光
による発熱等の影響を回避できる。
４、 Ｉ！１面の簡単な説明
第１図は、本発明の実施例１における液晶表示装置の構
成図である。
成図である。
第２図は、本発明の実施例２における液晶表示装置の構
成図である。
成図である。
第３図は、本発明の実施例２における２次元画像の縮小
投影の概念図である。
投影の概念図である。
ｊｌｉ４ｒＸｊは、本発明の実施例３における液晶表示
装置の構成図である。
装置の構成図である。
第５図は、本発明の実施例３におけるアクティブ素子の
画素の位置関係を示す概念図である。
画素の位置関係を示す概念図である。
１００ ・・・ 基板
１０１ ・・・ ＴＰＴ
１０２ ・・・ 液晶体
２００ ・・・ ＴＰＴを設置した２次元画像制御板
３００ ・・・ 光導電体層 ３０１ ・・・ 液晶層 ３０２ ・・・ 透明電極 ４００ ・・・ 液晶表示体 ５００ ・・・ レンズ ６００ ・・・ 光導電体層面 ７００ ・・・ ２？）ｌ：元画像制御板の画素以
上 出願人 セイコーエプソン株式会社
３００ ・・・ 光導電体層 ３０１ ・・・ 液晶層 ３０２ ・・・ 透明電極 ４００ ・・・ 液晶表示体 ５００ ・・・ レンズ ６００ ・・・ 光導電体層面 ７００ ・・・ ２？）ｌ：元画像制御板の画素以
上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 液晶層と光導電体層を有してなる液晶表示体に前記光
導電体層側から２次元画像を投射して前記液晶層に像を
形成する液晶表示装置において、前記２次元画像の制御
にＸ−Ｙマトリクスを用いたことを特徴とする液晶表示
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31046690A JP3179472B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 液晶表示装置 |
| EP91105263A EP0451681B1 (en) | 1990-04-05 | 1991-04-03 | Optical apparatus |
| DE69128103T DE69128103T2 (de) | 1990-04-05 | 1991-04-03 | Optische Vorrichtung |
| US08/359,713 US5497254A (en) | 1990-04-05 | 1994-12-20 | Optical apparatus including a liquid crystal modulator |
| US08/571,417 US5682214A (en) | 1990-04-05 | 1995-12-13 | Optical apparatus for controlling the wavefront of a coherent light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31046690A JP3179472B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181226A true JPH04181226A (ja) | 1992-06-29 |
| JP3179472B2 JP3179472B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=18005589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31046690A Expired - Lifetime JP3179472B2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-11-16 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3179472B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5475513A (en) * | 1993-06-02 | 1995-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Projection type image display device maintaining resolution of an image unaffected by parallax |
| WO1997015862A1 (fr) * | 1995-10-27 | 1997-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de presentation d'images projetees |
| WO1999066368A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Modulateur de lumiere spatiale et procede de modulation de lumiere spatiale |
| WO2001023946A1 (fr) * | 1999-09-28 | 2001-04-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif de modulation optique spatiale |
| JP2002277851A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31046690A patent/JP3179472B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5475513A (en) * | 1993-06-02 | 1995-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Projection type image display device maintaining resolution of an image unaffected by parallax |
| WO1997015862A1 (fr) * | 1995-10-27 | 1997-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de presentation d'images projetees |
| US5990853A (en) * | 1995-10-27 | 1999-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Projection type image displaying apparatus |
| WO1999066368A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Modulateur de lumiere spatiale et procede de modulation de lumiere spatiale |
| US6348990B1 (en) | 1998-06-18 | 2002-02-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spatial light modulator and spatial light modulating method |
| EP1089117A4 (en) * | 1998-06-18 | 2007-05-09 | Hamamatsu Photonics Kk | SPATIAL LIGHT MODULATOR AND SPATIAL LIGHT MODULATION METHOD |
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| US6560001B1 (en) | 1999-09-28 | 2003-05-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spatial optical modulating device |
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