JPH04204456A - Photoconductive material and its manufacturing method - Google Patents
Photoconductive material and its manufacturing methodInfo
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- JPH04204456A JPH04204456A JP2335910A JP33591090A JPH04204456A JP H04204456 A JPH04204456 A JP H04204456A JP 2335910 A JP2335910 A JP 2335910A JP 33591090 A JP33591090 A JP 33591090A JP H04204456 A JPH04204456 A JP H04204456A
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子写真方式の複写機や光プリンタなどにお
ける光導電体に好適な光導電材料及びその製造方法に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a photoconductive material suitable for a photoconductor in electrophotographic copying machines, optical printers, etc., and a method for manufacturing the same.
[従来の技術]
光導電性を持つ有機物質の開発は、電子写真方式の光導
電材料として近年盛んになった。本出願人は、キャリア
輸送能力の高い材料としてポリパラフェニレンスルフィ
ド(以下、PPSと称す)を提案した。このPPSは酸
素中で熱処理することでキャリア輸送能力が大幅に向上
する。しかしPPSの光吸収波長領域は可視光よりも短
波長に限られる。そこで可視光領域に光吸収帯を有する
官能基をPPS分子の骨格に組み込むことを提案した。[Prior Art] In recent years, the development of photoconductive organic materials has become active as photoconductive materials for electrophotography. The present applicant proposed polyparaphenylene sulfide (hereinafter referred to as PPS) as a material with high carrier transport ability. The carrier transport ability of this PPS is greatly improved by heat treatment in oxygen. However, the light absorption wavelength range of PPS is limited to wavelengths shorter than visible light. Therefore, we proposed incorporating a functional group with a light absorption band in the visible light region into the skeleton of the PPS molecule.
−例としてイミド環を有する場合、組み込んだ高分子は
ポリイミドとなる。感度波長領域は可視域57Qnmに
まで達する。- For example, if it has an imide ring, the incorporated polymer will be a polyimide. The sensitivity wavelength range extends to the visible range of 57 Qnm.
[発明が解決しようとする課題]
しかし前記従来技術は、光感度領域は600nm近傍よ
り長波長側で著しく減少するという課題があった。した
がって、光照射光源として発振波長70C1nm以上の
半導体レーザーを考えた場合、更に増感が必要である。[Problems to be Solved by the Invention] However, the conventional technology has a problem in that the photosensitivity region decreases significantly on the longer wavelength side than around 600 nm. Therefore, when a semiconductor laser with an oscillation wavelength of 70 C1 nm or more is considered as a light source, further sensitization is required.
本発明は、前記従来技術の課題を解決するため、赤外波
長領域にまで感度領域を有する光導電材料およびその製
造方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the problems of the prior art described above, an object of the present invention is to provide a photoconductive material having a sensitivity range even in the infrared wavelength region and a method for manufacturing the same.
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するため、本発明の光導電材料は、下記
一般式(A)で示される繰り返し単位を含む有機高分子
に、分解温度が前記有機高分子の結晶化のための熱処理
温度以上である他の有機材料を分散したという構成から
なる。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the photoconductive material of the present invention has an organic polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (A), which has a decomposition temperature higher than that of the organic polymer. It consists of a structure in which other organic materials whose temperature is higher than the heat treatment temperature for crystallization are dispersed.
−Z−(−X−Y−) −(A)
(ただし、n≧2、XはO,S、 Se、 Teのい
ずれかの元素、Yは芳香族または置換芳香族の基、Zは
イミド環を含む基である。)
また前記本発明の構成においては、有機材料がフタロシ
アニン顔料であることが好ましい。-Z-(-X-Y-) -(A) (where n≧2, X is any element of O, S, Se, Te, Y is an aromatic or substituted aromatic group, Z is an imide It is a group containing a ring.) Furthermore, in the structure of the present invention, it is preferable that the organic material is a phthalocyanine pigment.
次に本発明方法は、下記一般式(C)で示されるジアミ
ン化合物と、有機材料とを有機溶液中に混合し、次いで
、下記一般式(B)で示されるカルボン酸化合物を前記
混合溶液中に添加して縮合反応させ、下記一般式(D)
で示されるポリマまたはオリゴマを得、次いで前記分散
された有機材料と一般式(D)で示されるポリマまたは
オリゴマを含有する混合溶液を基板面に塗布し、しかる
後、縮重合することを特徴とする。Next, in the method of the present invention, a diamine compound represented by the following general formula (C) and an organic material are mixed in an organic solution, and then a carboxylic acid compound represented by the following general formula (B) is mixed in the mixed solution. is added to cause a condensation reaction, and the following general formula (D) is obtained.
A polymer or oligomer represented by is obtained, and then a mixed solution containing the dispersed organic material and a polymer or oligomer represented by general formula (D) is applied to a substrate surface, and then condensation polymerization is carried out. do.
0 (Co) −R−(CO)20 (B)H2N
−R2−NH2(C)
Eただし、R1は芳香族または置換芳香族の基、R2は
下記一般式(A)で示される繰り返し単位を含む基、
−Z−(−X−Y−) −(A)
(ただし、n≧2、XはO,S、 Se、 Teのい
ずれかの元素、Yは芳香族または置換芳香族の基、Zは
イミド環を含む基)である。]
なお本発明の製造方法においては、重縮合工程後、加熱
結晶化を施すことが好ましい。0 (Co) -R-(CO)20 (B)H2N
-R2-NH2(C) E However, R1 is an aromatic or substituted aromatic group, R2 is a group containing a repeating unit represented by the following general formula (A), -Z-(-X-Y-) -( A) (where n≧2, X is any element of O, S, Se, or Te, Y is an aromatic or substituted aromatic group, and Z is a group containing an imide ring). ] In the production method of the present invention, it is preferable to perform heating crystallization after the polycondensation step.
[作用]
前記本発明の構成によれば、一般式(A)で示される有
機高分子は、熱処理を施し結晶性を著しく向上させるこ
とか可能である。結晶性の向上は隣接する高分子の相互
作用を強め、膜中での光吸収、電荷発生能力、電荷輸送
能力を増加させる。[Function] According to the configuration of the present invention, the organic polymer represented by the general formula (A) can be heat-treated to significantly improve its crystallinity. Improved crystallinity strengthens the interaction between adjacent polymers, increasing light absorption, charge generation ability, and charge transport ability in the film.
この高分子中に長波長に光吸収帯を有する有機分子を埋
め込むことにより、増感か可能である。Sensitization is possible by embedding organic molecules having a light absorption band at long wavelengths into this polymer.
分散する有機分子の条件としては上記熱処理温度以上の
分解温度を有することである。またこれらの有機材料は
上記一般式(A)の有機高分子と相互作用し、電荷移動
錯体を形成する。The condition for the organic molecules to be dispersed is that they have a decomposition temperature equal to or higher than the above-mentioned heat treatment temperature. Further, these organic materials interact with the organic polymer of the above general formula (A) to form a charge transfer complex.
形成された電荷移動錯体が光導電性に与える作用・効果
は2つある。第1に新たな光吸収領域が高分子と分散有
機材料それぞれ固有の吸収帯の中間波長領域に出現する
。第2にこの吸収帯を介して分散有機材料で光吸収、発
生した電荷を母体である高分子に効率よく移動すること
か可能となる点である。以上の作用により赤外波長域を
含む広い範囲に感度領域を有する光導電材料が得られる
。The formed charge transfer complex has two effects on photoconductivity. First, a new light absorption region appears in the intermediate wavelength region of the absorption bands specific to the polymer and the dispersed organic material. Secondly, it is possible to efficiently transfer light absorbed and generated charges in the dispersed organic material to the host polymer through this absorption band. Due to the above-described effects, a photoconductive material having a sensitivity range in a wide range including the infrared wavelength region can be obtained.
また、有機材料としては、フタロシアニン化合物、ペリ
レン系顔料等を用いることができるが、フタロシアニン
顔料を用いることが好ましい。フタロシアニン顔料は長
波長に光吸収帯を持ち、キャリア発生能力も高くその分
解温度が400 ’C以上と高いからである。Further, as the organic material, phthalocyanine compounds, perylene pigments, etc. can be used, but it is preferable to use phthalocyanine pigments. This is because phthalocyanine pigments have a light absorption band at long wavelengths, have a high carrier generation ability, and have a high decomposition temperature of 400'C or higher.
また本発明の製造方法によれば、分散有機材料を高分子
の重合工程以前に高分子内に分散するので、分子レベル
に均一に分散することかできる。Furthermore, according to the manufacturing method of the present invention, since the dispersed organic material is dispersed within the polymer before the polymerization step, it is possible to uniformly disperse it at the molecular level.
[実施例]
前記一般式(A)の構造を有する基を含む高分子におい
て、Y:芳香族或は置換芳香族には以下のものが例とし
て上げられる。ベンゼン、アントラセン、ナフタレン、
ピレン、ペリレン、ナフタセン、ベンゾアントラセン、
ベンゾフェナントレン、クリセン、トリフェニレン、フ
ェナントレン等の縮合多環炭化水素及びその置換誘導体
、アントラキノン、ジベンゾピレンキノン、アントアン
トロン、イソビオラントロン、ピラントロン等の縮合多
環キノン及びその置換誘導体、無金属フタロシアニン、
銅、鉛、ニッケル、アルミニウム等の金属を含む金属フ
タロシアニン、インジゴ、チオインジゴ等、及びこれら
の誘導体である。ここで一般式(A)で表される基が高
分子の主鎖にあっても側鎖にあってもよい。[Example] In the polymer containing the group having the structure of general formula (A), examples of Y: aromatic or substituted aromatic include the following. benzene, anthracene, naphthalene,
Pyrene, perylene, naphthacene, benzanthracene,
Fused polycyclic hydrocarbons and substituted derivatives thereof such as benzophenanthrene, chrysene, triphenylene, and phenanthrene; Fused polycyclic quinones and substituted derivatives thereof such as anthraquinone, dibenzopyrenequinone, anthanthrone, isoviolanthrone, and pyranthrone; metal-free phthalocyanine;
Metal phthalocyanines containing metals such as copper, lead, nickel, and aluminum, indigo, thioindigo, etc., and derivatives thereof. Here, the group represented by the general formula (A) may be present in the main chain or in the side chain of the polymer.
下記のA1〜Allはポリイミドの場合の例である。A
1〜5はポリイミドの酸成分がピロメリット酸で、一般
式(A)において(XXY)が(S、ベンゼン環)のA
1、(Sa、ベンゼン環)のA2、(S、ナフタレン環
)のA3、(S、アントラセン環)のA4、(S、ペリ
レン環)のA5である。次に、A6〜11は(XXY)
か(S。A1 to All below are examples of polyimide. A
1 to 5, the acid component of the polyimide is pyromellitic acid, and in the general formula (A), (XXY) is A of (S, benzene ring)
1, A2 of (Sa, benzene ring), A3 of (S, naphthalene ring), A4 of (S, anthracene ring), and A5 of (S, perylene ring). Next, A6 to 11 are (XXY)
Or (S.
ベンゼン環)n=2に固定してポリイミドの酸成分とし
て、3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物のA 6.3.3’、 4.4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物のA7.1. i’
、 5.5’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の
A8、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸
二無水物のA9、ナフタレン−2,3,6,7−テトラ
カルボン酸二無水物のAIO、ペリレン−3,4,9,
10−テトラカルホン酸二無水物のAllである。A1
2は一般式(A)において(X、Y)か(S、2.5−
シ゛クロロベンセン)の場合である。Benzene ring) 3.3', 4.4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride A 6.3.3', 4.4'-biphenyltetracarboxylic acid component of polyimide with n=2 fixed Acid dianhydride A7.1. i'
, 5.5'-biphenyltetracarboxylic dianhydride A8, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride A9, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride AIO, perylene-3,4,9,
All of 10-tetracarphonic dianhydride. A1
2 is (X, Y) or (S, 2.5-
This is the case for dichlorobenzene).
OO A5:Ar= OO O。OO A5:Ar= OO O.
o O
これらのポリイミドの製造方法の代表例は、一般式(B
)で示される酸成分の各種テトラカルボン酸二無水物と
、一般式(C)で表されるジアミン化合物を有機極性溶
液中で反応させる方法である。反応は開環重付加による
ポリアミド酸、引き続いて脱水閉環させてポリイミドと
する。ここで脱水閉環は1)再沈法、2)化学的閉環法
、3)溶液熱閉環法のいずれであってもよい。o O A typical example of the method for producing these polyimides is the general formula (B
) is a method in which various tetracarboxylic dianhydrides as acid components are reacted with a diamine compound represented by general formula (C) in an organic polar solution. The reaction involves ring-opening polyaddition to form a polyamic acid, followed by dehydration and ring-closing to form a polyimide. Here, the dehydration ring closure may be carried out by any of 1) a reprecipitation method, 2) a chemical ring closure method, and 3) a solution thermal ring closure method.
本実施例の有機高分子を結晶化させるための加熱処理は
、その有機高分子融点以下で行なう。加熱雰囲気は酸素
、窒素、アルゴン等いずれの気体であってもよい。又減
圧下であってもよい。加熱時間は加熱温度での結晶化速
度に依存するが、本発明の高分子の場合は0.25〜3
0時間の範囲内である。The heat treatment for crystallizing the organic polymer in this example is carried out at a temperature below the melting point of the organic polymer. The heating atmosphere may be any gas such as oxygen, nitrogen, or argon. Alternatively, it may be carried out under reduced pressure. The heating time depends on the crystallization rate at the heating temperature, but in the case of the polymer of the present invention, it is 0.25 to 3
It is within the range of 0 hours.
一般式(A)の高分子に分散する有機材料の例としてフ
タロシアニン化合物(以下Pcと省略する)がある。例
えば無金属フタロシアニン、XPc (X=Cu、Ni
、Co、Tie、Mg、5i(OH) 、等)AIC
IPcCl、Ti0C1PcC1,InClPcC1,
InClPc、InBrPcBr等が有る。これらはい
ずれも400′C以上の分解温度を有する。またペリレ
ン骨格を有する化合物も効果がある。An example of an organic material dispersed in the polymer of general formula (A) is a phthalocyanine compound (hereinafter abbreviated as Pc). For example, metal-free phthalocyanine, XPc (X=Cu, Ni
, Co, Tie, Mg, 5i(OH), etc.) AIC
IPcCl, Ti0C1PcC1, InClPcC1,
Examples include InClPc and InBrPcBr. All of these have decomposition temperatures of 400'C or higher. Compounds having a perylene skeleton are also effective.
分散量は一般式(A)の高分子に対して0.01〜20
重量%が望ましい。The amount of dispersion is 0.01 to 20% for the polymer of general formula (A).
% by weight is preferred.
第1図に示す本実施例の光導電体は、支持体1上に、本
発明の有機高分子を含有する光導電層2からなり、この
光導電層2は自由表面3を有する。The photoconductor of this example shown in FIG. 1 consists of a support 1 and a photoconductive layer 2 containing the organic polymer of the present invention, and this photoconductive layer 2 has a free surface 3.
第2図に示す本実施例の光導電体は、支持体11上に本
発明の有機高分子を含有する光導電層12とその他の層
13(例えば、絶縁層、キャリア輸送層)とによって構
成され、一方で自由表面14を有する。層12と層13
は順序が逆転しても良い。ところで第2図に示す構成は
積層型感光体と同じであるが、本発明の光導電性材料は
この構成に於いても良好な特性をもたらす。The photoconductor of this example shown in FIG. 2 is composed of a photoconductive layer 12 containing the organic polymer of the present invention and other layers 13 (for example, an insulating layer, a carrier transport layer) on a support 11. and has a free surface 14 on the one hand. layer 12 and layer 13
The order may be reversed. By the way, although the configuration shown in FIG. 2 is the same as that of a laminated type photoreceptor, the photoconductive material of the present invention provides good characteristics even in this configuration.
光導電層の膜厚は1〜50μm、望ましくは5〜30μ
mとする。耐刷性の良好な電子写真感光体用光導電層に
は一般式(A)で表される基を含む有機高分子の中で、
そのビッカース硬度は10以上であり、望ましくは30
以上である。結晶性の良好な膜はど光キヤリア発生効率
か高く、又キャリア輸送能力も高い。結晶性をX線回折
強度曲線でみると、その隣接高分子の面間隔か3〜IO
A (Aはオングストローム)に特徴的な回折散乱ピー
クのあるものか望ましい。更にその結晶性を各散乱ピー
クの半値幅で評価した場合、5度以下望ましくは2度以
下である。このとき以下の5hetetの式より評価し
た結晶厚ではIOA以上、望ましくは25A以上である
。The thickness of the photoconductive layer is 1 to 50 μm, preferably 5 to 30 μm.
Let it be m. Among the organic polymers containing the group represented by the general formula (A), the photoconductive layer for electrophotographic photoreceptors with good printing durability includes:
Its Vickers hardness is 10 or more, preferably 30.
That's all. A film with good crystallinity has high optical carrier generation efficiency and high carrier transport ability. When looking at crystallinity using an X-ray diffraction intensity curve, the interplanar spacing between adjacent polymers is 3 to IO.
A (A is angstrom) characteristic diffraction scattering peak is desirable. Furthermore, when the crystallinity is evaluated by the half width of each scattering peak, it is 5 degrees or less, preferably 2 degrees or less. At this time, the crystal thickness evaluated from the following 5hetet formula is IOA or more, preferably 25A or more.
d=0.9Xλ/△θCO5θ
(d:結晶厚、λ:X線波長、△θ、散乱ピークの半値
幅、θ・散乱ピークの回折角) 結晶化度はX線回折強
度曲線での結晶領域の散乱寄与の全散乱に対する寄与の
割合で表す評価と、密度による評価において10%以上
望ましくは30%以上である。d = 0.9 It is 10% or more, preferably 30% or more, in the evaluation expressed by the ratio of the contribution of scattering to the total scattering and the evaluation by density.
本発明の高分子の赤外吸収スペクトルでみたイミド環カ
ルボニル基の伸縮振動に由来する吸収波数〜1725c
m 、〜1720cm−’、のベンゼン環の振動に由
来する吸収波数〜1500cm−1に対する吸収係数比
率で定義されるイミド化率か50%以上望ましくは80
%以上である。Absorption wave number derived from stretching vibration of imide ring carbonyl group seen in infrared absorption spectrum of the polymer of the present invention ~ 1725c
m, ~1720 cm-', the imidization rate defined by the absorption coefficient ratio to the absorption wave number ~1500 cm-1 derived from the vibration of the benzene ring is 50% or more, preferably 80
% or more.
本発明の光導電体において、支持体と光導電層との間に
支持体から光導電層に注入するキャリアを効果的に阻止
するため障壁層を設けてもよい。In the photoconductor of the present invention, a barrier layer may be provided between the support and the photoconductive layer in order to effectively prevent carriers from injecting into the photoconductive layer from the support.
たとえば障壁層を形成する材料としては、Al2O、B
aO、BaOXBed、Bi2O3、CaO1CeO2
、Ce2O3、La2o3、Dy2O3、Lu O、C
r2O3、CuO1Cu20、FeO,PbOlMgO
,5rO1Ta O、ThO1ZrO2、HfO2、T
i02 、Tie、S i02 、GeO2、S jO
。For example, materials for forming the barrier layer include Al2O, B
aO, BaOXBed, Bi2O3, CaO1CeO2
, Ce2O3, La2o3, Dy2O3, LuO, C
r2O3, CuO1Cu20, FeO, PbOlMgO
,5rO1TaO,ThO1ZrO2,HfO2,T
i02 , Tie, S i02 , GeO2, S jO
.
GeO等の金属酸化物またはTiN 、 AIN X5
nN 。Metal oxides such as GeO or TiN, AIN X5
nN.
NbN 、 TaN 、 GaN等の金属窒化物、また
はWClSnC、TiC、等の金属炭化物またはSiC
,SiN XGeC。Metal nitrides such as NbN, TaN, GaN, or metal carbides such as WClSnC, TiC, or SiC
, SiN XGeC.
GeN 、 BC,BN等の絶縁物、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリアクリルニトリル等の耐熱性を有す
る有機化合物が使用される。Insulators such as GeN, BC, and BN, and heat-resistant organic compounds such as polyimide, polyamideimide, and polyacrylonitrile are used.
また、第1図において自由表面上に表面被覆層を形成し
てもよい。例えば表面被覆層として好適な材料としては
、Si ○ 、5iXC1−1、1−X
Si N X Ge O,、Ge
C、Gx l−x X l−X
X 1−XeX N1−X−Bx N1−X−Bx
C1−X □A I N (0<!<1)、カ
ーボンおよびこれらに 1−x
水素あるいはハロゲンを含有する層等の無機物などが上
げられる。Furthermore, a surface coating layer may be formed on the free surface in FIG. For example, suitable materials for the surface coating layer include Si ○ , 5iXC1-1, 1-X Si N X Ge O, Ge
C, Gx l-x X l-X
X 1-XeX N1-X-Bx N1-X-Bx
C1-X □A I N (0<!<1), carbon, and inorganic substances such as layers containing 1-x hydrogen or halogen.
実施例1
一般式(A)の有機高分子を合成するのに、一般式(B
)で示されるシアミン化合物として4種類の重合度(n
=2.3.4)のパラフェニレンスルフィドジアミン(
以下、PSDA−nと省略する)を、一般式(C)で示
されるカルホン酸化合物として、無水ピロメリット酸(
以下、PMDAと称す)、3.3.4.4−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物(以下、BPDAと称す
)の2種類を用いた。Example 1 To synthesize an organic polymer of general formula (A), general formula (B
) There are four types of polymerization degrees (n
=2.3.4) paraphenylene sulfide diamine (
Hereinafter, abbreviated as PSDA-n), pyromellitic anhydride (abbreviated as PSDA-n) is used as the carbonic acid compound represented by general formula (C).
Two types were used: 3.3.4.4-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BPDA).
分散する有機材料として無金属フタロシアニン(N2
P c) 、銅フタロシアニン(CuPc)の2種類を
0.01〜10重量%混合した。Metal-free phthalocyanine (N2
Pc) and copper phthalocyanine (CuPc) were mixed at 0.01 to 10% by weight.
分散ポリイミドの合成は、予めPSDA−nと所定の重
量比のフタロシアニン化合物を溶液ジメチルアセトアミ
ド中に投入する。この混合溶液中にPMDA或はBPD
Aを投入し、およそ1時間撹拌する。重合されたポリア
ミック酸溶液をデイプ法て金属基板(アルミニウム)上
に5〜20μmの膜を塗布する。およそ100’Cで3
0分乾燥させて溶液を除去した後、イミド化反応と結晶
化を高分子の融点温度の加熱処理で行なう。加熱時間は
2時間一定とした。To synthesize the dispersed polyimide, PSDA-n and a phthalocyanine compound at a predetermined weight ratio are added in advance to a solution of dimethylacetamide. PMDA or BPD in this mixed solution
Add A and stir for approximately 1 hour. A film of 5 to 20 μm is coated on a metal substrate (aluminum) using a dipping method with the polymerized polyamic acid solution. 3 at approximately 100'C
After drying for 0 minutes and removing the solution, imidization reaction and crystallization are performed by heat treatment at the melting point temperature of the polymer. The heating time was kept constant for 2 hours.
光導電性を電子写真方式の感度特性として評価した。川
口電機社製の帯電露光試験機を用い、帯電電圧6KVで
初期表面電位+600■に設定し、ハロゲンランプ白色
光600ルツクス照射光量に、光フィルターを通して4
00〜900nmの範囲の単色光として当てる。この表
面電位を半分(+300V)にするのに必要な単色光の
露光量(以下E (μJ/cm2)と称する)で表
現する。Photoconductivity was evaluated as a sensitivity characteristic of electrophotography. Using a charging exposure tester manufactured by Kawaguchi Electric Co., Ltd., the charging voltage was set to 6KV and the initial surface potential was set to +600■, and the irradiation amount of white light from a halogen lamp was 600 lux, through an optical filter.
It is applied as monochromatic light in the range of 00 to 900 nm. It is expressed as the amount of monochromatic light exposure (hereinafter referred to as E (μJ/cm2)) required to halve this surface potential (+300V).
1/2
無金属フタロシアニンを5重量%一定とした時の高分子
母体の違いによる半減露光量E1/2の分光感度特性を
示す。第3図はPMDA−2,3゜4の結果を、第4図
はBPDA−2,3,4の結果を示す。いずれの場合も
母体高分子の感度域600nm以下の波長に対して90
0nmまで感度領域か長波長に延びたことを示す。なか
でもBPDA−2の場合は400〜850nmの範囲テ
E、、< 1μJ / c m・と良好な感度を有する
。1/2 Shows the spectral sensitivity characteristics of the half-decreased exposure amount E1/2 depending on the difference in the polymer matrix when the metal-free phthalocyanine is kept constant at 5% by weight. FIG. 3 shows the results for PMDA-2, 3°4, and FIG. 4 shows the results for BPDA-2, 3, 4. In either case, 90 nm for wavelengths below 600 nm in the sensitivity range of the host polymer
This shows that the sensitivity region extends to long wavelengths up to 0 nm. Among them, BPDA-2 has good sensitivity in the range of 400 to 850 nm, <1 μJ/cm.
ドラム形状アルミニウム基板面に15μmの上記無金属
フタロシアニン分散BPDA−2を成膜し、複写機およ
びレーサープリンターに搭載し、画像評価を行なった。A film of 15 μm of the metal-free phthalocyanine dispersed BPDA-2 was formed on the surface of a drum-shaped aluminum substrate, and the film was mounted on a copying machine and a racer printer for image evaluation.
複写機においては白色露光に対して〜l 1uxSec
の感度を有しA4版10万枚の画像出力後も良好な結果
を与えた。一方レーザープリンターにおいては更に20
万枚の出力後も良好な画像を得た。In a copy machine, for white exposure ~l 1uxSec
It has a sensitivity of 100,000, and gave good results even after outputting 100,000 A4 size images. On the other hand, laser printers have an additional 20
Good images were obtained even after printing 10,000 sheets.
分散量に対する感度変化を高分子BPDA−2において
評価した。第5図に結果を示す、)無金属、銅いずれの
フタロシアニン化合物の場合も5重量%前後で最小値を
与える7、5重量%以上の分散は高分子の結晶化を阻害
することと、分散したフタロシアニン化合物自信かキャ
リア輸送のトラップとして働くために感度低下ξなる。Sensitivity changes with respect to the amount of dispersion were evaluated in polymer BPDA-2. The results are shown in Figure 5.) In the case of both metal-free and copper phthalocyanine compounds, the minimum value is around 5% by weight7.Dispersion of more than 5% by weight inhibits the crystallization of polymers The phthalocyanine compounds may act as traps for carrier transport, resulting in decreased sensitivity.
実施例2
実施例1における無金嘱フタロシアニン分散BPDA−
2を合成、成膜するのに以下の手順で行なった。Example 2 Gold-free phthalocyanine dispersed BPDA in Example 1
The following procedure was used to synthesize and form a film.
母体高分子BPDA−2の前駆体ポリアミック酸を分散
材料を添加することなぐ合成する。次に所定(5重量%
)の無金属フタロシアニンをボリアミク酸に添加し、混
合する。この混合ポリアミック酸より高分子膜を形成す
る。A polyamic acid precursor of the base polymer BPDA-2 is synthesized without adding a dispersion material. Next, a prescribed amount (5% by weight)
) of metal-free phthalocyanine is added to the boriamic acid and mixed. A polymer film is formed from this mixed polyamic acid.
第6図に混合時間に対する高分子膜の感度変化を示す。FIG. 6 shows the change in sensitivity of the polymer membrane with respect to mixing time.
照射波長は800nmとした。20時間の混合後で実施
例1の混合方法に対して1/3の感度しか達成されない
。The irradiation wavelength was 800 nm. After 20 hours of mixing, only 1/3 of the sensitivity is achieved for the mixing method of Example 1.
実施例3
実施例1の無金属フタロシアニン分散BPDA−2を基
板面に1μm成膜後、分散のないBPDA−2を15μ
m積層し、負帯電特性を有する積層型感光体を構成した
。表面電位−600Vに対して650〜850nmの波
長領域でE I/2 < 2μJ/cm2と良好な感度
を有する。Example 3 After forming a 1 μm film of metal-free phthalocyanine-dispersed BPDA-2 of Example 1 on the substrate surface, 15 μm of non-dispersed BPDA-2 was deposited on the substrate surface.
m layers were laminated to form a laminated photoreceptor having negative charging characteristics. It has good sensitivity of E I/2 < 2 μJ/cm2 in the wavelength range of 650 to 850 nm with respect to a surface potential of -600V.
前記本実施例の分散有機高分子は、可視波長から赤外の
長波長に至る広範囲の波長領域で良好な光感度を有する
光導電材料とすることかできた。The dispersed organic polymer of this example could be made into a photoconductive material having good photosensitivity in a wide wavelength range from visible wavelengths to long wavelengths of infrared light.
この材料は白色光を光源とする電子写真方式の複写機に
も、赤外波長のレーザーを光源とするプリンターにも適
応できる。また、耐刷性に大幅な向上をもたらす。This material can be applied to both electrophotographic copying machines that use white light as a light source and printers that use infrared wavelength lasers as light sources. It also brings about a significant improvement in printing durability.
[発明の効果コ
以上説明した通り本発明によれば、一般式(A)で示さ
れる繰り返し単位を含む有機高分子に、分解温度が前記
有機高分子の結晶化のための熱処理温度以上である他の
有機材料を分散したことにより、可視波長から赤外の長
波長に至る広範囲の波長領域で良好な光感度を有する光
導電材料とすることができた。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, an organic polymer containing a repeating unit represented by the general formula (A) has a decomposition temperature equal to or higher than the heat treatment temperature for crystallizing the organic polymer. By dispersing other organic materials, a photoconductive material with good photosensitivity over a wide range of wavelengths from visible wavelengths to long infrared wavelengths could be obtained.
また、有機材料として、フタロシアニン顔料を用いるこ
とにより、キャリア発生能力が高くその分解温度も高い
ものとすることができる。Further, by using a phthalocyanine pigment as the organic material, it is possible to obtain a material having a high carrier generation ability and a high decomposition temperature.
また本発明の製造方法によれば、分散有機材料を高分子
の重合工程以前に高分子内に分散するので、分子レベル
に均一に分散することができる。Furthermore, according to the manufacturing method of the present invention, the dispersed organic material is dispersed within the polymer before the polymerization step, so that it can be uniformly dispersed at the molecular level.
第1図は本発明の実施例における光導電体の概略縦断面
図、第2図は本実施例における他の光導電体の概略縦断
面図、第3図は実施例1の光導電材料の分光感度特性図
、第4図は実施例1の他の光導電材料の分光感度特性図
、第5図は実施例1の分散量に対する分光感度特性図、
第6図は実施例2の光導電材料の混合時間に対する電子
写真感度特性の変化図である。
1・・・支持体、2・・光導電層、3・・・自由表面、
11・・・支持体、12・・・光導電層、13・・・そ
の他の層(例、絶縁層、キャリア輸送層)、14・・・
自由表面。
代理人の氏名 弁理士 池内寛幸 はか1名11・・・
支持体
12・・光導電層
第2図
分散量(重量%)
第5図
第。図 時間(h′)FIG. 1 is a schematic vertical cross-sectional view of a photoconductor in an example of the present invention, FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view of another photoconductor in this example, and FIG. A spectral sensitivity characteristic diagram, FIG. 4 is a spectral sensitivity characteristic diagram of another photoconductive material of Example 1, and FIG. 5 is a spectral sensitivity characteristic diagram for the amount of dispersion of Example 1.
FIG. 6 is a diagram showing changes in electrophotographic sensitivity characteristics with respect to mixing time of the photoconductive material of Example 2. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Support, 2...Photoconductive layer, 3...Free surface,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11...Support, 12...Photoconductive layer, 13...Other layers (eg, insulating layer, carrier transport layer), 14...
free surface. Name of agent: Patent attorney Hiroyuki Ikeuchi Haka 1 person 11...
Support 12: Photoconductive layer (Figure 2) Dispersion amount (% by weight) Figure 5. Figure Time (h')
Claims (3)
有機高分子に、分解温度が前記有機高分子の結晶化のた
めの熱処理温度以上である他の有機材料を分散した光導
電材料。 −Z−(−X−Y−)_n−(A) (ただし、n≧2、XはO、S、Se、Teのいずれか
の元素、Yは芳香族または置換芳香族の基、Zはイミド
環を含む基である。)(1) A photoconductive material in which another organic material having a decomposition temperature equal to or higher than the heat treatment temperature for crystallization of the organic polymer is dispersed in an organic polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (A). -Z-(-X-Y-)_n-(A) (where n≧2, X is any element of O, S, Se, Te, Y is an aromatic or substituted aromatic group, Z is (It is a group containing an imide ring.)
記載の光導電材料。(2) Claim 1 wherein the organic material is a phthalocyanine pigment.
Photoconductive materials as described.
有機材料とを有機溶液中に混合し、次いで、下記一般式
(B)で示されるカルボン酸化合物を前記混合溶液中に
添加して縮合反応させ、下記一般式(D)で示されるポ
リマまたはオリゴマを得、次いで前記分散された有機材
料と一般式(D)で示されるポリマまたはオリゴマを含
有する混合溶液を基板面に塗布し、しかる後、縮重合す
ることを特徴とする光導電材料の製造方法。 O(CO)_2−R_1−(CO)_2O(B) H_2N−R_2−NH_2(C) ▲数式、化学式、表等があります▼(D) [ただし、R_1は芳香族または置換芳香族の基、R_
2は下記一般式(A)で示される繰り返し単位を含む基
、 −Z−(−X−Y−)_n−(A) (ただし、n≧2、XはO、S、Se、Teのいずれか
の元素、Yは芳香族または置換芳香族の基、Zはイミド
環を含む基)である。](3) a diamine compound represented by the following general formula (C);
An organic material is mixed in an organic solution, and then a carboxylic acid compound represented by the following general formula (B) is added to the mixed solution to cause a condensation reaction, thereby producing a polymer or oligomer represented by the following general formula (D). and then applying a mixed solution containing the dispersed organic material and a polymer or oligomer represented by the general formula (D) to the substrate surface, followed by condensation polymerization. Method. O(CO)_2-R_1-(CO)_2O(B) H_2N-R_2-NH_2(C) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(D) [However, R_1 is an aromatic or substituted aromatic group, R_
2 is a group containing a repeating unit represented by the following general formula (A), -Z-(-X-Y-)_n-(A) (however, n≧2, X is any of O, S, Se, Te) (Y is an aromatic or substituted aromatic group, and Z is a group containing an imide ring). ]
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335910A JPH04204456A (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Photoconductive material and its manufacturing method |
| EP19910104437 EP0449117A3 (en) | 1990-03-23 | 1991-03-21 | Organic polymer and preparation and use thereof |
| US08/090,638 US5486442A (en) | 1990-03-23 | 1993-07-13 | Organic polymer and preparation and use in crystal spatial light modulator |
| US08/450,909 US5876891A (en) | 1990-03-23 | 1995-05-26 | Photosensitive material and process for the preparation thereof |
| US08/453,061 US5654367A (en) | 1990-03-23 | 1995-05-26 | Organic polymer and preparation and use thereof |
| US08/451,727 US5597889A (en) | 1990-03-23 | 1995-05-26 | Organic polymer and preparation and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2335910A JPH04204456A (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Photoconductive material and its manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204456A true JPH04204456A (en) | 1992-07-24 |
Family
ID=18293737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2335910A Pending JPH04204456A (en) | 1990-03-23 | 1990-11-29 | Photoconductive material and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204456A (en) |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2335910A patent/JPH04204456A/en active Pending
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