JPH05127369A - レジスト材料 - Google Patents
レジスト材料Info
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- JPH05127369A JPH05127369A JP3285775A JP28577591A JPH05127369A JP H05127369 A JPH05127369 A JP H05127369A JP 3285775 A JP3285775 A JP 3285775A JP 28577591 A JP28577591 A JP 28577591A JP H05127369 A JPH05127369 A JP H05127369A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】化学増幅系レジストの解像限界付近での寸法制
御性の低下、レジストスカムの発生を防止できるレジス
ト材料を提供する。 【構成】従来の化学増幅系レジストに酸発生剤より生成
した酸に対して塩基として働く有機材料、例えばアニリ
ン，ピリジン，イミダゾールあるいはアンモニア誘導体
をμモル／グラム程度微量添加することを特徴として構
成される。すなわち従来のレジストではマスクパターン
を通してレジストを光照射すると図１（ａ）のような酸
濃度分布であるが、図１（ｂ）に示すように微量の塩基
性有機物を加えると図１（ｃ）に示す酸濃度と塩基濃度
の差の分布となる。 【効果】解像限界付近でマスクパターンの光コントラス
トが低下してもマスクエッヂ部の酸濃度分布を急峻にで
きるので、寸法制御性が向上する。さらにマスク遮光部
に光干渉によって生成した酸は塩基物によって完全に中
和されるので、レジストスカムの問題も解消される。
御性の低下、レジストスカムの発生を防止できるレジス
ト材料を提供する。 【構成】従来の化学増幅系レジストに酸発生剤より生成
した酸に対して塩基として働く有機材料、例えばアニリ
ン，ピリジン，イミダゾールあるいはアンモニア誘導体
をμモル／グラム程度微量添加することを特徴として構
成される。すなわち従来のレジストではマスクパターン
を通してレジストを光照射すると図１（ａ）のような酸
濃度分布であるが、図１（ｂ）に示すように微量の塩基
性有機物を加えると図１（ｃ）に示す酸濃度と塩基濃度
の差の分布となる。 【効果】解像限界付近でマスクパターンの光コントラス
トが低下してもマスクエッヂ部の酸濃度分布を急峻にで
きるので、寸法制御性が向上する。さらにマスク遮光部
に光干渉によって生成した酸は塩基物によって完全に中
和されるので、レジストスカムの問題も解消される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造時のリソ
グラフィー工程において使用されるレジスト材料に関
し、特にパターン解像性の優れた化学増幅系レジスト材
料に関する。
グラフィー工程において使用されるレジスト材料に関
し、特にパターン解像性の優れた化学増幅系レジスト材
料に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、微細パ
ターン形成に対する要求が高まっている。従来、この微
細パターン形成技術（リソグラフィー技術）の主力は水
銀ランプのｇあるいはｉ線を用いる露光装置，ステッパ
ーとノボラック系レジストを組み合わせた紫外線露光技
術であり、ステッパーの性能向上（レンズ高ＮＡ化，重
ね合わせ精度の改善等）と合わせ、ノボラック系レジス
トの高解像度化が図られてきた。しかしながら、さらに
解像力を向上させるため露光波長を短波長化すると（例
えばＫｒＦエキシマレーザー光，２５０ｎｍ付近の水銀
アークランプ光等の深紫外光）、ノボラック系レジスト
は樹脂およびナフトキノジアジド感光剤の吸収が大きく
矩形のレジスト形状が得られない。さらに現状では光源
の光強度が弱く（１／１０程度）露光時間が長くかか
る。
ターン形成に対する要求が高まっている。従来、この微
細パターン形成技術（リソグラフィー技術）の主力は水
銀ランプのｇあるいはｉ線を用いる露光装置，ステッパ
ーとノボラック系レジストを組み合わせた紫外線露光技
術であり、ステッパーの性能向上（レンズ高ＮＡ化，重
ね合わせ精度の改善等）と合わせ、ノボラック系レジス
トの高解像度化が図られてきた。しかしながら、さらに
解像力を向上させるため露光波長を短波長化すると（例
えばＫｒＦエキシマレーザー光，２５０ｎｍ付近の水銀
アークランプ光等の深紫外光）、ノボラック系レジスト
は樹脂およびナフトキノジアジド感光剤の吸収が大きく
矩形のレジスト形状が得られない。さらに現状では光源
の光強度が弱く（１／１０程度）露光時間が長くかか
る。
【０００３】この状況を克服するために提案されたのが
化学増幅系レジストである。〔参考文献 Ｈ．Ｉｔｏ
ａｎｄ Ｃ．Ｗ．Ｗｉｌｓｏｎ，ＡＣＳ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ Ｓｅｒｉｅｓ，２４２，ｐｐ．１１（１９８
４）．〕このレジストは感光性の酸発生剤から生成する
酸の触媒反応を利用するため必要な酸濃度は少量ですみ
（μｍｏｌｅ／ｇｒａｍのオーダー）、従って高感度の
レジスト設計が可能となる。また低濃度の酸発生剤と透
明性の高い樹脂を選択することによりレジスト形状も大
幅に改善出来る。
化学増幅系レジストである。〔参考文献 Ｈ．Ｉｔｏ
ａｎｄ Ｃ．Ｗ．Ｗｉｌｓｏｎ，ＡＣＳ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ Ｓｅｒｉｅｓ，２４２，ｐｐ．１１（１９８
４）．〕このレジストは感光性の酸発生剤から生成する
酸の触媒反応を利用するため必要な酸濃度は少量ですみ
（μｍｏｌｅ／ｇｒａｍのオーダー）、従って高感度の
レジスト設計が可能となる。また低濃度の酸発生剤と透
明性の高い樹脂を選択することによりレジスト形状も大
幅に改善出来る。
【０００４】図４はネガ型レジスト，図５はポジ型レジ
ストにおける酸触媒反応の一例を示したものである。
〔参考文献 Ｊ．Ｗ．Ｔｈａｃｋｅｒａｙ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，１０８６，ｐｐ．３４（１
９８９），Ｃ．Ｇ．Ｗｉｌｓｏｎｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１３３，ｐｐ．１８
１（１９８６）．〕ネガ型レジストはポリビニルフェノ
ール樹脂，メラミン架橋剤，酸発生剤の３成分からな
り、酸により架橋反応が促進し露光部が不溶化する。一
方、ポジ型の場合は現像液に可溶なポリビニルフェノー
ルをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂と
酸発生剤の２成分からなり、酸により保護基が除去され
露光部がアルカリ現像液に可溶となる。
ストにおける酸触媒反応の一例を示したものである。
〔参考文献 Ｊ．Ｗ．Ｔｈａｃｋｅｒａｙ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，１０８６，ｐｐ．３４（１
９８９），Ｃ．Ｇ．Ｗｉｌｓｏｎｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１３３，ｐｐ．１８
１（１９８６）．〕ネガ型レジストはポリビニルフェノ
ール樹脂，メラミン架橋剤，酸発生剤の３成分からな
り、酸により架橋反応が促進し露光部が不溶化する。一
方、ポジ型の場合は現像液に可溶なポリビニルフェノー
ルをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂と
酸発生剤の２成分からなり、酸により保護基が除去され
露光部がアルカリ現像液に可溶となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の化学増
幅系レジストでは感度、解像力が大幅に改善されたもの
の、解像限界付近で光コントラストが小さくなると、寸
法均一性が低下しさらにレジストスカムが生じやすいと
いう欠点があった。すなわちネガ型の場合、微量の酸で
も後のポスト露光ベークで架橋反応が進行し急激に不溶
化する。従って、露光時の光コントラストが低下すると
レジストスカムが残りやすい。一方、ポジ型の場合は樹
脂に付加されている保護基の脱離がほぼ完全に起こらな
いと溶解しにくいという傾向がある。そのためネガ型と
同様、光コントラスト低下とともにレジストスカムが生
じやすい。
幅系レジストでは感度、解像力が大幅に改善されたもの
の、解像限界付近で光コントラストが小さくなると、寸
法均一性が低下しさらにレジストスカムが生じやすいと
いう欠点があった。すなわちネガ型の場合、微量の酸で
も後のポスト露光ベークで架橋反応が進行し急激に不溶
化する。従って、露光時の光コントラストが低下すると
レジストスカムが残りやすい。一方、ポジ型の場合は樹
脂に付加されている保護基の脱離がほぼ完全に起こらな
いと溶解しにくいという傾向がある。そのためネガ型と
同様、光コントラスト低下とともにレジストスカムが生
じやすい。
【０００６】本発明の目的は、化学増幅系レジストを微
細パターン形成に使用したとき、スカムのないレジスト
パターンが形成でき、さらにレジスト寸法変動も小さく
抑えることができるレジスト材料を提供することにあ
る。
細パターン形成に使用したとき、スカムのないレジスト
パターンが形成でき、さらにレジスト寸法変動も小さく
抑えることができるレジスト材料を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の化学増幅系レジ
スト材料はレジスト中に発生した酸に対して塩基として
働く有機材料、例えばアニリン，ピリジン，イミダゾー
ルあるいはアンモニア系の誘導体を微量添加したもので
ある。次にその原理について述べる。
スト材料はレジスト中に発生した酸に対して塩基として
働く有機材料、例えばアニリン，ピリジン，イミダゾー
ルあるいはアンモニア系の誘導体を微量添加したもので
ある。次にその原理について述べる。
【０００８】図１はマスクパターンを通してレジストを
光照射した際に発生する酸濃度を示す。図１（ａ）は塩
基性有機物を含まないレジスト，図１（ｂ）は塩基性有
機物を含むレジスト中の酸および塩基濃度を、図１
（ｃ）は酸濃度と塩基濃度の差を表す。図より以下のこ
とが言える。未露光部の酸濃度は塩基物により完全に中
和され架橋あるいは保護基の脱離は起こらない。従っ
て、レジストスカムの問題が解消される。さらに触媒反
応に寄与する酸の濃度勾配はパターンエッジで急峻とな
るため寸法制御が容易になる。
光照射した際に発生する酸濃度を示す。図１（ａ）は塩
基性有機物を含まないレジスト，図１（ｂ）は塩基性有
機物を含むレジスト中の酸および塩基濃度を、図１
（ｃ）は酸濃度と塩基濃度の差を表す。図より以下のこ
とが言える。未露光部の酸濃度は塩基物により完全に中
和され架橋あるいは保護基の脱離は起こらない。従っ
て、レジストスカムの問題が解消される。さらに触媒反
応に寄与する酸の濃度勾配はパターンエッジで急峻とな
るため寸法制御が容易になる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。使用するレジストは酸発生剤−架橋剤−樹脂の３成
分にμｍｏｌｅ／ｇｒａｍオーダーの塩基性有機物を添
加した場合について述べる。添加する塩基濃度は微量で
ありレジスト吸光度に大きな変動はみられない。図２は
ＭＯＳトランジスタの微細多結晶シリコンゲートパター
ンの形成に本発明のレジスト材料を適用した結果を示す
が、基本的なプロセスは通常の酸触媒レジストと変わら
ない。図２（ａ）はシリコン基板２０１にゲート酸化膜
２０２を熱酸化により形成し、さらにその上に多結晶シ
リコン膜２０３を化学気相成長した後、本発明の酸触媒
系ネガ型レジスト２０４を塗布した姿態を示す。その後
ゲート多結晶シリコン電極を形成するためレジスト２０
４にエキシマレーザー光２０５を照射する（図２
（ｂ））。その際、マスクエッジ部の酸濃度勾配が急峻
となるよう露光量を最適化する（１０〜５０ｍＪ／ｃｍ
2 程度）。次に熱ベーク処理を１３０〜１６０℃，３０
秒〜３分程度実施し、酸触媒による架橋反応をマスク開
口部のみに生じさせる（図２（ｃ））。次にテトラメチ
ルアンモニウムハイドライド等のアルカリ水溶液で現像
すると図２（ｄ）に示す寸法制御性の優れ、かつレジス
トスカムのないレジストパターン２０８が得られる。
る。使用するレジストは酸発生剤−架橋剤−樹脂の３成
分にμｍｏｌｅ／ｇｒａｍオーダーの塩基性有機物を添
加した場合について述べる。添加する塩基濃度は微量で
ありレジスト吸光度に大きな変動はみられない。図２は
ＭＯＳトランジスタの微細多結晶シリコンゲートパター
ンの形成に本発明のレジスト材料を適用した結果を示す
が、基本的なプロセスは通常の酸触媒レジストと変わら
ない。図２（ａ）はシリコン基板２０１にゲート酸化膜
２０２を熱酸化により形成し、さらにその上に多結晶シ
リコン膜２０３を化学気相成長した後、本発明の酸触媒
系ネガ型レジスト２０４を塗布した姿態を示す。その後
ゲート多結晶シリコン電極を形成するためレジスト２０
４にエキシマレーザー光２０５を照射する（図２
（ｂ））。その際、マスクエッジ部の酸濃度勾配が急峻
となるよう露光量を最適化する（１０〜５０ｍＪ／ｃｍ
2 程度）。次に熱ベーク処理を１３０〜１６０℃，３０
秒〜３分程度実施し、酸触媒による架橋反応をマスク開
口部のみに生じさせる（図２（ｃ））。次にテトラメチ
ルアンモニウムハイドライド等のアルカリ水溶液で現像
すると図２（ｄ）に示す寸法制御性の優れ、かつレジス
トスカムのないレジストパターン２０８が得られる。
【００１０】最期に上記レジストパターン２０８をマス
クとして多結晶シリコン膜２０３をＣＦ3 ，ＣＣｌ2 Ｆ
2 等の反応ガスプラズマにより異方性エッチングし、さ
らにレジスト除去することによりゲート電極が形成され
る。
クとして多結晶シリコン膜２０３をＣＦ3 ，ＣＣｌ2 Ｆ
2 等の反応ガスプラズマにより異方性エッチングし、さ
らにレジスト除去することによりゲート電極が形成され
る。
【００１１】次にポジ型レジストに本発明を適用した結
果について述べる（図３）。図３（ａ）は図２（ａ）と
同様である。次にエキシマレーザー光を照射する（図３
（ｂ））。この場合もネガ型と同様、光干渉によりマス
ク遮光部に多少の酸が生成しても塩基性有機物により中
和される。一方、マスク開口部では添加した塩基濃度を
越える酸が生成する。従って、露光後ベーク処理を１３
０〜１６０℃，１〜３分程度で充分に行うことにより保
護基を完全に脱離することが可能である（図３
（ｃ））。次に、アルカリ現像液でレジスト現像すると
図３（ｄ）に示す様にスカムのないレジストパターン３
０８が得られる。最期にレジストをマスクとして多結晶
シリコン膜をエッチングしてゲート電極を形成する。
果について述べる（図３）。図３（ａ）は図２（ａ）と
同様である。次にエキシマレーザー光を照射する（図３
（ｂ））。この場合もネガ型と同様、光干渉によりマス
ク遮光部に多少の酸が生成しても塩基性有機物により中
和される。一方、マスク開口部では添加した塩基濃度を
越える酸が生成する。従って、露光後ベーク処理を１３
０〜１６０℃，１〜３分程度で充分に行うことにより保
護基を完全に脱離することが可能である（図３
（ｃ））。次に、アルカリ現像液でレジスト現像すると
図３（ｄ）に示す様にスカムのないレジストパターン３
０８が得られる。最期にレジストをマスクとして多結晶
シリコン膜をエッチングしてゲート電極を形成する。
【００１２】以上、微細ゲート電極形成に関してのみ述
べたが本発明は配線パターン，コンタクトホールパター
ン等、その他の微細レジストパターン形成にも適用可能
である。
べたが本発明は配線パターン，コンタクトホールパター
ン等、その他の微細レジストパターン形成にも適用可能
である。
【００１３】
【発明の効果】斯くのごとく本発明の塩基性有機物を添
加した化学増幅系レジストを微細パターン形成に適用す
るとスカムのないレジストパターンが形成でき、さらに
レジスト寸法変動も小さく抑えることができるという効
果がある。
加した化学増幅系レジストを微細パターン形成に適用す
るとスカムのないレジストパターンが形成でき、さらに
レジスト寸法変動も小さく抑えることができるという効
果がある。
【図１】本発明の原理を説明するための酸，塩基濃度分
布を示す図であり、（ａ）が酸濃度，（ｂ）が塩基（ア
ニリン，ピリジン，イミダゾール，アンモニア系）濃
度，（ｃ）は（ａ）と（ｂ）の差を示す。
布を示す図であり、（ａ）が酸濃度，（ｂ）が塩基（ア
ニリン，ピリジン，イミダゾール，アンモニア系）濃
度，（ｃ）は（ａ）と（ｂ）の差を示す。
【図２】本発明の他の実施例のレジスト材料を使用し、
ＭＯＳトランジスタの微細多結晶シリコンゲートパター
ンを形成する工程を示す断面図である。
ＭＯＳトランジスタの微細多結晶シリコンゲートパター
ンを形成する工程を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例のレジスト材料を使用し、
ＭＯＳトランジスタの微細多結晶シリコンゲートパター
ンを形成する工程を示す断面図である。
ＭＯＳトランジスタの微細多結晶シリコンゲートパター
ンを形成する工程を示す断面図である。
【図４】従来の増幅系ネガ型レジストの酸触媒反応の例
を示す図である。
を示す図である。
【図５】従来の増幅系ポジ型レジストの酸触媒反応の例
を示す図である。
を示す図である。
２０１，３０１ シリコン基板 ２０２，３０２ ゲート酸化膜 ２０３，３０３ 多結晶シリコン膜 ２０４ 塩基性有機物を添加した化学増幅系ネガ型レ
ジスト ３０４ 塩基性有機物を添加した化学増幅系ポジ型レ
ジスト ２０５，３０５ エキシマレーザー光 ２０６，３０６ 露光領域 ２０７ ネガ型レジストの架橋領域 ３０７ ポジ型レジストの保護基脱離 ２０８，３０８ 現像後のレジストパターン
ジスト ３０４ 塩基性有機物を添加した化学増幅系ポジ型レ
ジスト ２０５，３０５ エキシマレーザー光 ２０６，３０６ 露光領域 ２０７ ネガ型レジストの架橋領域 ３０７ ポジ型レジストの保護基脱離 ２０８，３０８ 現像後のレジストパターン
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/039 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 感光性酸発生剤より生成した酸の触媒反
応を利用してレジストの溶解性を変化させる化学増幅系
レジストにおいて、レジスト中に発生した酸に対して塩
基として働く有機材料を添加することを特徴とするレジ
スト材料。 - 【請求項２】 塩基性材料としてアニリン系，イミダゾ
ール系，ピリジン系，アンモニア系の各誘電体を用いる
ことを特徴とする請求項１記載のレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285775A JPH05127369A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285775A JPH05127369A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | レジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05127369A true JPH05127369A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17695907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3285775A Pending JPH05127369A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05127369A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232706A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP0611998A3 (en) * | 1993-02-15 | 1995-11-29 | Hoechst Japan | Positive-working radiation-sensitive mixture. |
| EP0735422A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-02 | Hoechst Industry Limited | Radiation-sensitive composition containing plasticizer |
| US5658706A (en) * | 1993-09-14 | 1997-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist composition for forming a pattern comprising a pyridinium compound as an additive |
| US5744281A (en) * | 1993-09-14 | 1998-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist composition for forming a pattern and method of forming a pattern wherein the composition 4-phenylpyridine as an additive |
| WO1998037458A1 (fr) * | 1997-02-20 | 1998-08-27 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Composition d'un agent de reserve |
| US5876900A (en) * | 1996-04-02 | 1999-03-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| US5882844A (en) * | 1996-04-02 | 1999-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| JPH11223951A (ja) * | 1998-11-27 | 1999-08-17 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| US5948589A (en) * | 1995-06-15 | 1999-09-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive-working photoresist composition |
| WO1999053377A1 (fr) * | 1998-04-08 | 1999-10-21 | Clariant International Ltd. | Composition d'agent de protection amplifiee chimiquement |
| US5985512A (en) * | 1996-04-08 | 1999-11-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist compositions |
| US6042988A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition |
| US6703181B1 (en) | 1993-03-12 | 2004-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition having uniform concentration distribution of components and pattern formation method using the same |
| EP1522891A1 (en) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
| JP2006045523A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Canon Inc | 光カチオン重合性エポキシ樹脂組成物、これを用いた微細構造体、および該微細構造体の製造方法 |
| EP1628159A2 (en) | 2004-08-18 | 2006-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same |
| US7314701B2 (en) | 2002-10-08 | 2008-01-01 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
| US7575851B2 (en) | 2004-06-28 | 2009-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Cationic photopolymerizable epoxy resin composition, minute structural member using the same and method for manufacturing minute structural member |
| US7824836B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-11-02 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition and pattern forming method using the same |
| EP2296040A1 (en) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition |
| US8741549B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a liquid ejection head and liquid ejection head |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149640A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Konica Corp | 感光性組成物および感光性平版印刷版 |
| JPS63237053A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 集積回路作製用ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPH01300250A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-04 | Tosoh Corp | フォトレジスト組成物 |
| JPH02118651A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料 |
| JPH02296250A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Sony Corp | 高感度レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
| JPH0451243A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-19 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
| JPH0475062A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Sony Corp | 化学増幅型レジスト |
| JPH0480758A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3285775A patent/JPH05127369A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149640A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Konica Corp | 感光性組成物および感光性平版印刷版 |
| JPS63237053A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 集積回路作製用ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPH01300250A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-04 | Tosoh Corp | フォトレジスト組成物 |
| JPH02118651A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料 |
| JPH02296250A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Sony Corp | 高感度レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
| JPH0451243A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-19 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
| JPH0475062A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Sony Corp | 化学増幅型レジスト |
| JPH0480758A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232706A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP0611998A3 (en) * | 1993-02-15 | 1995-11-29 | Hoechst Japan | Positive-working radiation-sensitive mixture. |
| US6703181B1 (en) | 1993-03-12 | 2004-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition having uniform concentration distribution of components and pattern formation method using the same |
| US5658706A (en) * | 1993-09-14 | 1997-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist composition for forming a pattern comprising a pyridinium compound as an additive |
| US5744281A (en) * | 1993-09-14 | 1998-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist composition for forming a pattern and method of forming a pattern wherein the composition 4-phenylpyridine as an additive |
| EP0735422A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-02 | Hoechst Industry Limited | Radiation-sensitive composition containing plasticizer |
| US5846690A (en) * | 1995-03-28 | 1998-12-08 | Hoechst Japan Limited | Radiation-sensitive composition containing plasticizer |
| US5948589A (en) * | 1995-06-15 | 1999-09-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive-working photoresist composition |
| US5876900A (en) * | 1996-04-02 | 1999-03-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| US5882844A (en) * | 1996-04-02 | 1999-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| US5985512A (en) * | 1996-04-08 | 1999-11-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist compositions |
| US6042988A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition |
| WO1998037458A1 (fr) * | 1997-02-20 | 1998-08-27 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Composition d'un agent de reserve |
| WO1999053377A1 (fr) * | 1998-04-08 | 1999-10-21 | Clariant International Ltd. | Composition d'agent de protection amplifiee chimiquement |
| JPH11223951A (ja) * | 1998-11-27 | 1999-08-17 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| EP2296039A1 (en) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition |
| EP2296040A1 (en) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition |
| US7314701B2 (en) | 2002-10-08 | 2008-01-01 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
| EP1522891A1 (en) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
| US7575851B2 (en) | 2004-06-28 | 2009-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Cationic photopolymerizable epoxy resin composition, minute structural member using the same and method for manufacturing minute structural member |
| JP2006045523A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Canon Inc | 光カチオン重合性エポキシ樹脂組成物、これを用いた微細構造体、および該微細構造体の製造方法 |
| EP2031445A2 (en) | 2004-08-18 | 2009-03-04 | FUJIFILM Corporation | Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same |
| EP1628159A2 (en) | 2004-08-18 | 2006-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same |
| US7824836B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-11-02 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition and pattern forming method using the same |
| US8741549B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a liquid ejection head and liquid ejection head |
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