JPH05152452A - Method of forming air bridge wiring - Google Patents
Method of forming air bridge wiringInfo
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- JPH05152452A JPH05152452A JP31112691A JP31112691A JPH05152452A JP H05152452 A JPH05152452 A JP H05152452A JP 31112691 A JP31112691 A JP 31112691A JP 31112691 A JP31112691 A JP 31112691A JP H05152452 A JPH05152452 A JP H05152452A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特にエアブリッジ型の配線パターン体（以下、
エアブリッジ配線という）の形成方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to an air bridge type wiring pattern body (hereinafter
(Referred to as air bridge wiring).
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種のエアブリッジ配線に関し
ては、たとえば、特開昭６３−３７６３９号公報に記載
されるものがあった。図２はかかる従来のエアブリッジ
配線の形成工程断面図である。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、半導体基体１の
第１領域に第１レジストパターン体２を形成する。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of air bridge wiring has been disclosed in, for example, JP-A-63-37639. FIG. 2 is a cross-sectional view of such a conventional air bridge wiring forming process. (1) First, as shown in FIG. 2A, the first resist pattern body 2 is formed in the first region of the semiconductor substrate 1.
【０００３】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、そ
の半導体基体１の第２領域に第２レジストパターン体３
を形成する。 （３）次に、図２（ｃ）に示すように、その半導体基体
１上に配線金属層４を積層する。 （４）次に、図２（ｄ）に示すように、前記第２レジス
トパターン体３及び配線金属層４を除去（リフトオフ
法）すると共に、剥離液により前記第１レジストパター
ン体２を除去することにより、エアブリッジ配線が形成
されていた。(2) Next, as shown in FIG. 2B, the second resist pattern body 3 is formed on the second region of the semiconductor substrate 1.
To form. (3) Next, as shown in FIG. 2C, the wiring metal layer 4 is laminated on the semiconductor substrate 1. (4) Next, as shown in FIG. 2D, the second resist pattern body 3 and the wiring metal layer 4 are removed (lift-off method), and the first resist pattern body 2 is removed by a stripping solution. As a result, the air bridge wiring was formed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた方法で形成されたエアブリッジは、配線金属層自身
の重みと浮いている部分の長さ等の条件によっては配線
が撓んだり、この撓みに起因して、破損して断線した
り、亀裂が入って配線抵抗が増大するという問題があっ
た。この問題を解決するために、エアブリッジ配線を短
くして何箇所かで基板上に接触させる構造をとるように
しているが、このためにエアブリッジ配線の引き回し方
に制限が生じてしまうという問題点があった。However, in the air bridge formed by the above-mentioned method, the wiring may bend or may be bent depending on the weight of the wiring metal layer itself and the length of the floating portion. Due to the above, there was a problem that the wiring resistance was increased due to damage and disconnection or cracking. In order to solve this problem, the air bridge wiring is shortened so that it contacts the board at several points. However, this limits the way the air bridge wiring is routed. There was a point.
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、エアブリ
ッジ配線の下部に、該エアブリッジ配線を支えるための
支柱を形成することにより、エアブリッジの配線の撓み
を防ぐことができるとともに、エアブリッジ配線の引き
回し方に制限を受けることのないエアブリッジ配線の形
成方法を提供することを目的とする。The present invention eliminates the above-mentioned problems, and by forming a support column for supporting the air bridge wiring under the air bridge wiring, it is possible to prevent the wiring of the air bridge from bending and It is an object of the present invention to provide a method for forming an air bridge wiring that is not restricted by how to route the bridge wiring.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、エアブリッジ
配線の形成方法において、半導体基体の第１領域上に支
柱を形成する工程と、前記第１領域上に第１レジストパ
ターン体を形成する工程と、前記支柱と前記第１レジス
トパターン体の高さを揃えるためのエッチングを行なう
工程と、該半導体基体の第２領域上に第２レジストパタ
ーン体を形成する工程と、該半導体基体上に上方から配
線金属層を積層する工程と、前記第２レジストパターン
体及び配線金属層を除去すると共に、前記第１レジスト
パターン体を除去することにより前記支柱により支持さ
れるエアブリッジ配線金属パターン体を形成する工程と
を施すようにしたものである。According to the present invention, in a method for forming an air bridge wiring, a step of forming a pillar on a first region of a semiconductor substrate and a first resist pattern body on the first region are formed. A step of performing etching for making the heights of the pillar and the first resist pattern body uniform, a step of forming a second resist pattern body on a second region of the semiconductor substrate, and a step of forming a second resist pattern body on the semiconductor substrate. Stacking a wiring metal layer from above, removing the second resist pattern body and the wiring metal layer, and removing the first resist pattern body to form an air bridge wiring metal pattern body supported by the pillars. The step of forming is performed.
【０００７】[0007]
【作用】本発明によれば、上記したように、半導体基板
の第１領域上に支柱を形成し、その第１領域に第１レジ
ストパターン体を形成し、前記支柱と前記第１レジスト
パターン体の高さを揃えるためにドライエッチングで前
記支柱の面を出し、半導体基体の第２領域上に第２レジ
ストパターン体を形成し、その後、前記半導体基体上に
配線金属を積層して、リフトオフ法により、前記第２レ
ジストパターン体とそのレジストパターン体上の配線金
属を除去すると共に、前記第１レジストパターン体を除
去するようにしたものである。According to the present invention, as described above, the support pillar is formed on the first region of the semiconductor substrate, and the first resist pattern body is formed in the first area, and the support pillar and the first resist pattern body are formed. Of the pillars are exposed by dry etching in order to make the heights of the wirings uniform, a second resist pattern body is formed on the second region of the semiconductor substrate, and then a wiring metal is laminated on the semiconductor substrate, followed by a lift-off method. Thus, the second resist pattern body and the wiring metal on the resist pattern body are removed, and the first resist pattern body is removed.
【０００８】したがって、エアブリッジ配線の撓みが生
じることがなくなる。また、断線や亀裂による配線抵抗
の増加を招来することもない。また、配線の長さに対す
る制限がなくなるので、引き回し配線が長くなり、配線
抵抗が上がるようなこともなくなる。Therefore, the air bridge wiring is not bent. In addition, there is no increase in wiring resistance due to disconnection or cracks. Further, since there is no limitation on the length of the wiring, the length of the leading wiring becomes long and the wiring resistance does not increase.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を説明す
るためのエアブリッジ配線の形成工程断面図である。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、半導体基体１１
上に感光性ポリイミド（Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製 ネガ型レ
ジスト）を塗布し、通常のリソグラフィ法により露光及
び現像を行なって、更に概ね３５０℃（３２０℃〜４０
０℃）のベーク炉でキュア（硬化）を行なって、該半導
体基体１１上の第１領域内に、支柱２１を形成する。こ
こで、感光性ポリイミドを用いたが、これはパターニン
グが可能で、以下の工程で残存しうる物質なら、有機、
無機物質を問わず何でもよく、例えばＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ
Ｏ2 等の物質を用いるようにしてもよい。ここで形成し
た支柱２１は円柱状であり１箇所設けてあるが、支柱の
形状は問わず、更に用途に応じて複数の支柱の形成が可
能である。その場合、支柱は前後の方向に複数設けても
よいし、左右方向に複数設けるようにしてもよい。要
は、設計されるエアブリッジ配線の寸法に応じて適宜支
柱を配置することができる。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1A to 1D are cross-sectional views of an air bridge wiring forming process for explaining an embodiment of the present invention. (1) First, as shown in FIG.
A photosensitive polyimide (negative resist manufactured by Du Pont) is applied on the above, and exposed and developed by an ordinary lithographic method, and further exposed to about 350 ° C. (320 ° C. to 40 ° C.).
Curing (curing) is performed in a baking oven at 0 ° C. to form the pillars 21 in the first region on the semiconductor substrate 11. Here, a photosensitive polyimide was used, but if this is a substance that can be patterned and remains in the following steps, organic,
Any inorganic substance may be used, such as Si 3 N 4 , Si
A substance such as O 2 may be used. The column 21 formed here has a columnar shape and is provided at one location, but it is possible to form a plurality of columns regardless of the shape of the column, depending on the application. In that case, a plurality of columns may be provided in the front-rear direction, or a plurality of columns may be provided in the left-right direction. The point is that the columns can be appropriately arranged according to the dimensions of the designed air bridge wiring.
【００１０】（２）次に、図１（ｂ）に示すように、前
記第１領域にＯＤＵＲ（東京応化製商品名）で、エアブ
リッジ配線したい部分にテーパ形状の第１レジストパタ
ーン体１２を形成する。 （３）次に、図１（ｃ）に示すように、前記第１レジス
トパターン体１２の上部をＯ2 によるドライエッチング
法を用いて除去し、前記支柱２１の最上面を露出させ
る。(2) Next, as shown in FIG. 1 (b), ODUR (trade name of Tokyo Ohka Co., Ltd.) is formed in the first region, and a tapered first resist pattern body 12 is formed in a portion where air bridge wiring is desired. Form. (3) Next, as shown in FIG. 1C, the upper portion of the first resist pattern body 12 is removed by a dry etching method using O 2 to expose the uppermost surface of the pillar 21.
【００１１】（４）次に、図１（ｄ）に示すように、Ｌ
ＭＲ（冨士薬品製 商品名）を用いて、第２領域に配線
電極形成予定部を開口した第２レジストパターン体１３
を形成する。 （５）次に、図１（ｅ）に示すように、半導体基体１１
の垂直方向から半導体基体１１上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等
の配線金属層１４ａ，１４ｂを真空蒸着する。(4) Next, as shown in FIG.
A second resist pattern body 13 in which a wiring electrode formation planned portion is opened in the second region by using MR (trade name of Fuji Chemical Co., Ltd.)
To form. (5) Next, as shown in FIG.
Wiring metal layers 14a and 14b of Ti / Pt / Au or the like are vacuum-deposited on the semiconductor substrate 11 from the vertical direction.
【００１２】（６）その後、図１（ｆ）に示すように、
剥離液ジメチルホルムアシド（以下、ＤＭＦという）を
用いて、第２レジストパターン体１３及び配線金属層１
４ａを除去（リフトオフ）すると共に、同時に第１レジ
ストパターン体１２も除去する。したがって、前記配線
金属層１４ｂが残存して、エアブリッジ配線１５を形成
する。この時、支柱２１がエアブリッジ配線１５下に存
在するので、エアブリッジ配線１５は撓むことなく形成
される。(6) After that, as shown in FIG.
The second resist pattern body 13 and the wiring metal layer 1 are formed by using a stripping solution dimethylformacid (hereinafter referred to as DMF).
4a is removed (lifted off), and at the same time, the first resist pattern body 12 is also removed. Therefore, the wiring metal layer 14b remains to form the air bridge wiring 15. At this time, since the column 21 exists below the air bridge wiring 15, the air bridge wiring 15 is formed without bending.
【００１３】なお、この実施例では、第１レジストパタ
ーン体１２及び第２レジストパターン体１３のレジスト
材として、各々ＯＤＵＲとＬＭＲを用いたが、各々のレ
ジスト材はお互いに混ざらずにパターニングが可能なも
のであれば、それらに限定されるものではない。また、
多層からなるレジスト材でもよい。なお、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づ
き種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から
排除するものではない。In this embodiment, ODUR and LMR were used as the resist materials for the first resist pattern body 12 and the second resist pattern body 13, respectively, but the respective resist materials can be patterned without being mixed with each other. However, it is not limited thereto. Also,
A multi-layered resist material may be used. It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and they are not excluded from the scope of the present invention.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、エアブリッジ配線の下に支柱を形成するように
したので、エアブリッジ配線の撓みが生じることがなく
なる。また、断線や亀裂による配線抵抗の増加を招来す
ることもない。したがって、配線の長さに対する制限が
なくなるので、引き回して配線が長くなり、配線抵抗が
上がるようなこともなくなる。よって、設計上の制限が
なくなり、半導体素子の特性の向上を図ることができ
る。As described above in detail, according to the present invention, since the support pillar is formed under the air bridge wiring, the air bridge wiring is not bent. In addition, there is no increase in wiring resistance due to disconnection or cracks. Therefore, since there is no limitation on the length of the wiring, the wiring is not lengthened and the wiring resistance is not increased. Therefore, there is no limitation in design, and the characteristics of the semiconductor element can be improved.
【図１】本発明の実施例を説明するためのエアブリッジ
配線の形成工程断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a process of forming an air bridge wiring for explaining an embodiment of the present invention.
【図２】従来のエアブリッジ配線の形成工程断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view of a conventional air bridge wiring forming process.
１１ 半導体基体 １２ 第１レジストパターン体 １３ 第２レジストパターン体 １４ａ，１４ｂ 配線金属層 １５ エアブリッジ配線 ２１ 支柱 Reference Signs List 11 semiconductor substrate 12 first resist pattern body 13 second resist pattern body 14a, 14b wiring metal layer 15 air bridge wiring 21 column
Claims (3)
成する工程と、 （ｂ）前記第１領域上に第１レジストパターン体を形成
する工程と、 （ｃ）前記支柱と前記第１レジストパターン体の高さを
揃えるためのエッチングを行なう工程と、 （ｄ）該半導体基体の第２領域上に第２レジストパター
ン体を形成する工程と、 （ｅ）該半導体基体上に上方から配線金属層を積層する
工程と、 （ｆ）前記第２レジストパターン体及び配線金属層を除
去すると共に、前記第１レジストパターン体を除去する
ことにより前記支柱により支持されるエアブリッジ配線
金属パターン体を形成する工程とを施すことを特徴とす
るエアブリッジ配線の形成方法。1. A step of (a) forming a pillar on a first region of a semiconductor substrate, (b) a step of forming a first resist pattern body on the first area, and (c) a pillar and the above. Etching for adjusting the height of the first resist pattern body, (d) forming a second resist pattern body on the second region of the semiconductor substrate, and (e) upwardly on the semiconductor substrate. Stacking a wiring metal layer from (f) removing the second resist pattern body and the wiring metal layer, and removing the first resist pattern body, thereby supporting the air bridge wiring metal pattern by the pillars. And a step of forming a body.
る請求項１記載のエアブリッジ配線の形成方法。2. The method for forming an air bridge wiring according to claim 1, wherein a plurality of the columns are provided.
る請求項１又は２記載のエアブリッジ配線の形成方法。3. The method for forming an air bridge wiring according to claim 1, wherein the pillar is made of an insulator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31112691A JPH05152452A (en) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | Method of forming air bridge wiring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31112691A JPH05152452A (en) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | Method of forming air bridge wiring |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152452A true JPH05152452A (en) | 1993-06-18 |
Family
ID=18013453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31112691A Withdrawn JPH05152452A (en) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | Method of forming air bridge wiring |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152452A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980056154A (en) * | 1996-12-28 | 1998-09-25 | 김영환 | Compound Semiconductor Manufacturing Method |
| US6207548B1 (en) | 1996-03-07 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating a micromachined chip scale package |
| EP1986232A2 (en) | 2007-04-23 | 2008-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN111200237A (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 潍坊华光光电子有限公司 | Bridge electrode semiconductor laser and preparation method thereof |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP31112691A patent/JPH05152452A/en not_active Withdrawn
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