JPH05275570A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05275570A JPH05275570A JP10223092A JP10223092A JPH05275570A JP H05275570 A JPH05275570 A JP H05275570A JP 10223092 A JP10223092 A JP 10223092A JP 10223092 A JP10223092 A JP 10223092A JP H05275570 A JPH05275570 A JP H05275570A
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- Japan
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- chip
- resin
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣチップが発する熱を効率よく外部に放出
することができる半導体装置を提供する。 【構成】 金属部材２２にＩＣチップ１２を嵌合できる
凹部を形成し、導電性接着剤２４を介してＩＣチップ１
２を金属部材２２の凹部に接着している。ＩＣチップ１
２を樹脂封止する際に、エポキシ樹脂２６を金属部材２
２の下面側、すなわち凹部が形成された側だけに形成
し、金属部材２２の上面及び側面を露出させる。
することができる半導体装置を提供する。 【構成】 金属部材２２にＩＣチップ１２を嵌合できる
凹部を形成し、導電性接着剤２４を介してＩＣチップ１
２を金属部材２２の凹部に接着している。ＩＣチップ１
２を樹脂封止する際に、エポキシ樹脂２６を金属部材２
２の下面側、すなわち凹部が形成された側だけに形成
し、金属部材２２の上面及び側面を露出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子たとえばＩ
ＣチップをＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式で実
装し、樹脂封止した半導体装置に関するものである。
ＣチップをＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式で実
装し、樹脂封止した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウエハから切り出された半導体素子、た
とえばＩＣチップの実装技術のひとつとしてＴＡＢ方式
が知られている。この方式は、ポリイミド等で作られた
可撓性のテープ状フィルムに複数のリードを形成し、そ
のリードとＩＣチップに形成された複数の電極とを一括
して接合するボンディング方式である。ＴＡＢ方式は、
テープの段階で電気的特性の検査が可能であり、またテ
ープの可撓性を利用し、折り曲げて立体的な実装ができ
る等の特徴がある。
とえばＩＣチップの実装技術のひとつとしてＴＡＢ方式
が知られている。この方式は、ポリイミド等で作られた
可撓性のテープ状フィルムに複数のリードを形成し、そ
のリードとＩＣチップに形成された複数の電極とを一括
して接合するボンディング方式である。ＴＡＢ方式は、
テープの段階で電気的特性の検査が可能であり、またテ
ープの可撓性を利用し、折り曲げて立体的な実装ができ
る等の特徴がある。
【０００３】図１０は従来のＴＡＢパッケージの概略断
面図である。図１０に示すＴＡＢパッケージは、ＩＣチ
ップ１１２と、フィルム１１４と、フィルム１１４に形
成されたリード１１６と、バンプ１１８と、平坦な金属
プレート１２２と、導電性接着剤１２４と、保護樹脂
（エポキシ樹脂）１２６と、放熱用フィン１２８とを備
えるものである。
面図である。図１０に示すＴＡＢパッケージは、ＩＣチ
ップ１１２と、フィルム１１４と、フィルム１１４に形
成されたリード１１６と、バンプ１１８と、平坦な金属
プレート１２２と、導電性接着剤１２４と、保護樹脂
（エポキシ樹脂）１２６と、放熱用フィン１２８とを備
えるものである。
【０００４】このＴＡＢパッケージを形成するには、ま
ず、インナーリードボンディング工程において、リード
１１６の先端部にバンプ１１８を介してＩＣチップ１１
２の電極を接合した後、ＩＣチップ１１２の裏面に導電
性接着剤１２４を塗布し、金属プレート１２２を接着す
る。一般に金属プレート１２２はグランドを取るために
使用されるが、ここでは、金属プレート１２２を放熱用
に用いる。そして、このフィルム１１４を上金型と下金
型で挟み、エポキシ樹脂１２６を注入してＩＣチップ１
１２を樹脂封止する。ただし、金属プレート１２２の上
面は露出させるようにする。最後に、金属プレート１２
２の露出面上に導電性接着剤１２４を介してフィン１２
８を取り付けることにより、ＴＡＢパッケージが形成さ
れる。
ず、インナーリードボンディング工程において、リード
１１６の先端部にバンプ１１８を介してＩＣチップ１１
２の電極を接合した後、ＩＣチップ１１２の裏面に導電
性接着剤１２４を塗布し、金属プレート１２２を接着す
る。一般に金属プレート１２２はグランドを取るために
使用されるが、ここでは、金属プレート１２２を放熱用
に用いる。そして、このフィルム１１４を上金型と下金
型で挟み、エポキシ樹脂１２６を注入してＩＣチップ１
１２を樹脂封止する。ただし、金属プレート１２２の上
面は露出させるようにする。最後に、金属プレート１２
２の露出面上に導電性接着剤１２４を介してフィン１２
８を取り付けることにより、ＴＡＢパッケージが形成さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般にＩＣ
チップの保護樹脂として使用しているエポキシ樹脂は放
熱性がよくない。しかも、成形樹脂は表面が平坦で、か
なり厚く形成されているため、ＩＣチップが発する熱を
効率よく外部に放出することができない。したがって、
樹脂封止後の樹脂成形品に放熱フィンを設けた場合で
も、高い放熱効果は期待できなかった。
チップの保護樹脂として使用しているエポキシ樹脂は放
熱性がよくない。しかも、成形樹脂は表面が平坦で、か
なり厚く形成されているため、ＩＣチップが発する熱を
効率よく外部に放出することができない。したがって、
樹脂封止後の樹脂成形品に放熱フィンを設けた場合で
も、高い放熱効果は期待できなかった。
【０００６】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、ＩＣチップが発する熱を効率よく外部に放出す
ることができる半導体装置を提供することを目的とする
ものである。
であり、ＩＣチップが発する熱を効率よく外部に放出す
ることができる半導体装置を提供することを目的とする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、フィルムキャリア上に搭載された半導体
素子を樹脂で封止した半導体装置において、前記半導体
素子の裏面に放熱用の金属部材を取り付け、該金属部材
の下面側を前記樹脂で封止し、前記金属部材の上面及び
側面を露出させたことを特徴とするものである。
めの本発明は、フィルムキャリア上に搭載された半導体
素子を樹脂で封止した半導体装置において、前記半導体
素子の裏面に放熱用の金属部材を取り付け、該金属部材
の下面側を前記樹脂で封止し、前記金属部材の上面及び
側面を露出させたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明は前記の構成によって、半導体素子の裏
面に放熱用の金属部材を取り付け、半導体素子を樹脂封
止する際に金属部材の下面側にだけ樹脂を形成したこと
により、金属部材の上面及び側面を露出させる。パッケ
ージの表面は、略上半分に金属部材が露出しているの
で、従来の半導体装置よりも広い範囲から、半導体素子
が発する熱を効率よく外部に放出することができる。
面に放熱用の金属部材を取り付け、半導体素子を樹脂封
止する際に金属部材の下面側にだけ樹脂を形成したこと
により、金属部材の上面及び側面を露出させる。パッケ
ージの表面は、略上半分に金属部材が露出しているの
で、従来の半導体装置よりも広い範囲から、半導体素子
が発する熱を効率よく外部に放出することができる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の第一実施例について図面を参
照して説明する。図１は本発明の第一実施例である半導
体装置（ＴＡＢパッケージ）の概略断面図、図２はその
ＴＡＢパッケージの製造方法を説明するための図であ
る。
照して説明する。図１は本発明の第一実施例である半導
体装置（ＴＡＢパッケージ）の概略断面図、図２はその
ＴＡＢパッケージの製造方法を説明するための図であ
る。
【００１０】図１に示すＴＡＢパッケージは、ＴＡＢテ
ープと、金属部材２２と、導電性接着剤２４と、保護樹
脂（エポキシ樹脂）２６と、ポリイミド系の接着剤２８
とを備えるものである。また、本実施例においてＴＡＢ
テープは、ＩＣチップ１２と、テープ状のフィルム１４
上にリード１６が形成されたフィルムキャリアと、バン
プ１８とを有するものである。尚、フィルムキャリアの
表面とはリード１６が形成された面をいう。
ープと、金属部材２２と、導電性接着剤２４と、保護樹
脂（エポキシ樹脂）２６と、ポリイミド系の接着剤２８
とを備えるものである。また、本実施例においてＴＡＢ
テープは、ＩＣチップ１２と、テープ状のフィルム１４
上にリード１６が形成されたフィルムキャリアと、バン
プ１８とを有するものである。尚、フィルムキャリアの
表面とはリード１６が形成された面をいう。
【００１１】ＩＣチップ１２とリード１６との接続に
は、いわゆる転写バンプ方式を用いており、ＩＣチップ
１２の表面に形成した電極とリード１６の先端部とをバ
ンプ１８を介して接合する。尚、ＩＣチップ１２はフィ
ルムキャリアの表面に搭載される。
は、いわゆる転写バンプ方式を用いており、ＩＣチップ
１２の表面に形成した電極とリード１６の先端部とをバ
ンプ１８を介して接合する。尚、ＩＣチップ１２はフィ
ルムキャリアの表面に搭載される。
【００１２】金属部材２２は、金属製のプレートに凹部
を形成したものである。凹部の形状はＩＣチップ１２の
裏面側が嵌合できるように形成している。ＩＣチップ１
２と金属部材２２とは、ポリイミド系の導電性接着剤２
８を介して固定される。金属部材２２の材質としては、
アルミニウムなどの熱伝導性の高い金属を用いる。ここ
では、金属部材２２を放熱用に使用する。
を形成したものである。凹部の形状はＩＣチップ１２の
裏面側が嵌合できるように形成している。ＩＣチップ１
２と金属部材２２とは、ポリイミド系の導電性接着剤２
８を介して固定される。金属部材２２の材質としては、
アルミニウムなどの熱伝導性の高い金属を用いる。ここ
では、金属部材２２を放熱用に使用する。
【００１３】保護樹脂２６は、金属部材２２の全体を覆
うように形成されるのではなく、金属部材２２の下面
側、すなわち凹部を形成した側だけに形成され、金属部
材２２の上面及び側面は露出されている。また、ポリイ
ミド系の接着剤２８を金属部材２２に塗布して、金属部
材２２とエポキシ樹脂２６との接着性をよくしている。
うように形成されるのではなく、金属部材２２の下面
側、すなわち凹部を形成した側だけに形成され、金属部
材２２の上面及び側面は露出されている。また、ポリイ
ミド系の接着剤２８を金属部材２２に塗布して、金属部
材２２とエポキシ樹脂２６との接着性をよくしている。
【００１４】次に、第一実施例のＴＡＢパッケージの製
造方法を説明する。まず、フィルムキャリアから、いわ
ゆる転写バンプ方式を用いて、リード１６の先端部とＩ
Ｃチップ１２の表面に形成した電極とをバンプ１８を介
して接合することにより、ＴＡＢテープを形成する。金
属部材２２の凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチ
ップ１２を金属部材２２の凹部に嵌め込んで接着する。
ここで、金属部材２２に形成された凹部の周囲の面に
は、ポリイミド系の接着剤２８を塗布しておく。
造方法を説明する。まず、フィルムキャリアから、いわ
ゆる転写バンプ方式を用いて、リード１６の先端部とＩ
Ｃチップ１２の表面に形成した電極とをバンプ１８を介
して接合することにより、ＴＡＢテープを形成する。金
属部材２２の凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチ
ップ１２を金属部材２２の凹部に嵌め込んで接着する。
ここで、金属部材２２に形成された凹部の周囲の面に
は、ポリイミド系の接着剤２８を塗布しておく。
【００１５】続いて、ＩＣチップ１２の樹脂封止を行
う。ここで使用する成形金型としては、フィルムキャリ
アの表面に当接させる上金型の樹脂注入室の形状を金属
部材の形状に合致するように形成したものを使用する。
図２に示すように、上金型３２の樹脂注入室に金属部材
２２を嵌め込むようにして、上金型３２と下金型３４と
でＴＡＢテープを挟持する。溶融した熱硬化性樹脂（エ
ポキシ樹脂）２６を下金型３４に設けた樹脂供給口（不
図示）から流し込み、樹脂注入室に圧入する。樹脂の硬
化を進行させるために数分間加圧したまま保持した後、
樹脂成形したＴＡＢテープを金型から取り出す。
う。ここで使用する成形金型としては、フィルムキャリ
アの表面に当接させる上金型の樹脂注入室の形状を金属
部材の形状に合致するように形成したものを使用する。
図２に示すように、上金型３２の樹脂注入室に金属部材
２２を嵌め込むようにして、上金型３２と下金型３４と
でＴＡＢテープを挟持する。溶融した熱硬化性樹脂（エ
ポキシ樹脂）２６を下金型３４に設けた樹脂供給口（不
図示）から流し込み、樹脂注入室に圧入する。樹脂の硬
化を進行させるために数分間加圧したまま保持した後、
樹脂成形したＴＡＢテープを金型から取り出す。
【００１６】その後、パンチング工程において各コマ毎
にフィルム１４及びリード１６を切断することにより、
樹脂封止を行ったＩＣチップ１２を個々に打ち抜く。最
後に、リード１６のフォーミングを行い、図１に示すＴ
ＡＢパッケージの完成品を得る。
にフィルム１４及びリード１６を切断することにより、
樹脂封止を行ったＩＣチップ１２を個々に打ち抜く。最
後に、リード１６のフォーミングを行い、図１に示すＴ
ＡＢパッケージの完成品を得る。
【００１７】第一実施例のＴＡＢパッケージでは、ＩＣ
チップの裏面に金属部材を取り付け、ＩＣチップを樹脂
封止する際に金属部材の下面側にだけ保護樹脂を形成し
たことにより、金属部材の上面及び側面を露出させるこ
とができる。このように、パッケージの表面は約上半分
に金属部材が露出しているので、従来のＴＡＢパッケー
ジよりも広い範囲から、ＩＣチップが発する熱を効率よ
く外部に放出することができる。
チップの裏面に金属部材を取り付け、ＩＣチップを樹脂
封止する際に金属部材の下面側にだけ保護樹脂を形成し
たことにより、金属部材の上面及び側面を露出させるこ
とができる。このように、パッケージの表面は約上半分
に金属部材が露出しているので、従来のＴＡＢパッケー
ジよりも広い範囲から、ＩＣチップが発する熱を効率よ
く外部に放出することができる。
【００１８】また、第一実施例のＴＡＢパッケージで
は、ＩＣチップを金属部材の凹部に嵌め込み、上金型と
して樹脂注入室の形状が金属部剤の形状に合うように形
成されたものを使用しているため、樹脂封止する際に、
ＩＣチップが金属部材を介して上金型に固定されるの
で、注入する樹脂の流れや樹脂圧によりＩＣチップが所
定の位置からずれたり傾いたりするのを防止することが
できる。このため、薄型のＩＣチップを使用した場合で
も、ＩＣチップの電極とリードとの接合が剥がれること
はなく、不良品の発生率を減少させることができるの
で、製品の歩留りの向上を図ることができる。
は、ＩＣチップを金属部材の凹部に嵌め込み、上金型と
して樹脂注入室の形状が金属部剤の形状に合うように形
成されたものを使用しているため、樹脂封止する際に、
ＩＣチップが金属部材を介して上金型に固定されるの
で、注入する樹脂の流れや樹脂圧によりＩＣチップが所
定の位置からずれたり傾いたりするのを防止することが
できる。このため、薄型のＩＣチップを使用した場合で
も、ＩＣチップの電極とリードとの接合が剥がれること
はなく、不良品の発生率を減少させることができるの
で、製品の歩留りの向上を図ることができる。
【００１９】次に、本発明の第二実施例について図３を
参照して説明する。図３は本発明の第二実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第二実施例におい
て上記第一実施例と同一の機能を有するものには同一の
符号を付すことにより、その詳細な説明を省略する。
参照して説明する。図３は本発明の第二実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第二実施例におい
て上記第一実施例と同一の機能を有するものには同一の
符号を付すことにより、その詳細な説明を省略する。
【００２０】第二実施例が第一実施例と異なる点は、金
属部材２２ａの上面にフィン２３ａを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ａを有するＴＡＢパッケージ
は、たとえばフィン２３ａと嵌合する溝を形成した上金
型を用いることにより、上記第一実施例と同様の方法で
容易に形成できる。その他の構成は第一実施例と同様で
ある。第二実施例のＴＡＢパッケージも、上記第一実施
例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを設けた分だ
け熱を外部に放出することができ、放熱性を向上させる
ことができる。
属部材２２ａの上面にフィン２３ａを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ａを有するＴＡＢパッケージ
は、たとえばフィン２３ａと嵌合する溝を形成した上金
型を用いることにより、上記第一実施例と同様の方法で
容易に形成できる。その他の構成は第一実施例と同様で
ある。第二実施例のＴＡＢパッケージも、上記第一実施
例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを設けた分だ
け熱を外部に放出することができ、放熱性を向上させる
ことができる。
【００２１】次に、本発明の第三実施例について図４を
参照して説明する。図４は本発明の第三実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第三実施例におい
て第一及び第二実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略す
る。
参照して説明する。図４は本発明の第三実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第三実施例におい
て第一及び第二実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略す
る。
【００２２】第三実施例が第二実施例と異なる点は、金
属部材２２ｂの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｂ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｂを有する
ＴＡＢパッケージは、上記第二実施例と同様の方法によ
り形成できる。その他の構成は第一及び第二実施例と同
様である。第三実施例のＴＡＢパッケージも、第一及び
第二実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを金
属部材の側面にも設けたため、第二実施例で形成したＴ
ＡＢパッケージよりも、一層、放熱性を向上させること
ができる。
属部材２２ｂの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｂ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｂを有する
ＴＡＢパッケージは、上記第二実施例と同様の方法によ
り形成できる。その他の構成は第一及び第二実施例と同
様である。第三実施例のＴＡＢパッケージも、第一及び
第二実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを金
属部材の側面にも設けたため、第二実施例で形成したＴ
ＡＢパッケージよりも、一層、放熱性を向上させること
ができる。
【００２３】次に、本発明の第四実施例について図５及
び図６を参照して説明する。図５は本発明の第四実施例
であるＴＡＢパッケージの概略断面図、図６はそのＴＡ
Ｂパッケージの製造方法を説明するための図である。第
四実施例において第一実施例と同一の機能を有するもの
には同一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省
略する。
び図６を参照して説明する。図５は本発明の第四実施例
であるＴＡＢパッケージの概略断面図、図６はそのＴＡ
Ｂパッケージの製造方法を説明するための図である。第
四実施例において第一実施例と同一の機能を有するもの
には同一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省
略する。
【００２４】第四実施例が第一実施例と異なる点は、同
一パッケージ内に二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂを設
けた点である。第四実施例のＴＡＢパッケージを製造す
るには、まず、フィルム１４ｃ上に形成したリード１６
ｃと二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの表面に形成した
電極とをバンプ１８を介して接合する。また、配線設計
上、二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの電極間をボンデ
ィングワイヤ１７で接続している。金属部材２２ｃの二
つの凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを金属部材２２ｃの各凹部に嵌め込んで接着
する。ここで、ボンディングワイヤ１７の流れや曲がり
を防止するため、図６に示すように、ボンディングワイ
ヤ１７をポッティングで樹脂封止する。そして、第一実
施例と同様に金属部材２２ｃを介してＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを上金型で固定して樹脂封止を行うことによ
り、図５に示すＴＡＢパッケージが得られる。尚、２７
はポッティング樹脂である。
一パッケージ内に二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂを設
けた点である。第四実施例のＴＡＢパッケージを製造す
るには、まず、フィルム１４ｃ上に形成したリード１６
ｃと二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの表面に形成した
電極とをバンプ１８を介して接合する。また、配線設計
上、二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの電極間をボンデ
ィングワイヤ１７で接続している。金属部材２２ｃの二
つの凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを金属部材２２ｃの各凹部に嵌め込んで接着
する。ここで、ボンディングワイヤ１７の流れや曲がり
を防止するため、図６に示すように、ボンディングワイ
ヤ１７をポッティングで樹脂封止する。そして、第一実
施例と同様に金属部材２２ｃを介してＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを上金型で固定して樹脂封止を行うことによ
り、図５に示すＴＡＢパッケージが得られる。尚、２７
はポッティング樹脂である。
【００２５】第四実施例のＴＡＢパッケージも、上記第
一実施例と同様の作用・効果を奏する。また、二つのＩ
Ｃチップを同一パッケージ内に形成することにより、半
導体装置の省スペース化を図ることができる。
一実施例と同様の作用・効果を奏する。また、二つのＩ
Ｃチップを同一パッケージ内に形成することにより、半
導体装置の省スペース化を図ることができる。
【００２６】次に、本発明の第五実施例について図７を
参照して説明する。図７は本発明の第五実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第五実施例におい
て第四実施例と同一の機能を有するものには同一の符号
を付すことにより、その詳細な説明を省略する。
参照して説明する。図７は本発明の第五実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第五実施例におい
て第四実施例と同一の機能を有するものには同一の符号
を付すことにより、その詳細な説明を省略する。
【００２７】第五実施例が第四実施例と異なる点は、金
属部材２２ｄの上面にフィン２３ｄを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ｄを有するＴＡＢパッケージ
は、上記第二実施例と同様の方法で容易に形成できる。
その他の構成は第四実施例と同様である。第五実施例の
ＴＡＢパッケージも、第四実施例と同様の作用・効果を
奏するが、フィンを設けた分だけ熱を外部に放出するこ
とができ、放熱性を向上させることができる。
属部材２２ｄの上面にフィン２３ｄを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ｄを有するＴＡＢパッケージ
は、上記第二実施例と同様の方法で容易に形成できる。
その他の構成は第四実施例と同様である。第五実施例の
ＴＡＢパッケージも、第四実施例と同様の作用・効果を
奏するが、フィンを設けた分だけ熱を外部に放出するこ
とができ、放熱性を向上させることができる。
【００２８】次に、本発明の第六実施例について図８を
参照して説明する。図８は本発明の第六実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第六実施例におい
て第四及び第五実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略す
る。
参照して説明する。図８は本発明の第六実施例であるＴ
ＡＢパッケージの概略断面図である。第六実施例におい
て第四及び第五実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略す
る。
【００２９】第六実施例が第五実施例と異なる点は、金
属部材２２ｅの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｅ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｅを有する
ＴＡＢパッケージは、第五実施例と同様の方法により形
成できる。その他の構成は第四及び第五実施例と同様で
ある。第六実施例のＴＡＢパッケージも、第四及び第五
実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを金属部
材の側面にも設けたため、第五実施例で形成したＴＡＢ
パッケージよりも、一層、放熱性を向上させることがで
きる。
属部材２２ｅの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｅ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｅを有する
ＴＡＢパッケージは、第五実施例と同様の方法により形
成できる。その他の構成は第四及び第五実施例と同様で
ある。第六実施例のＴＡＢパッケージも、第四及び第五
実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを金属部
材の側面にも設けたため、第五実施例で形成したＴＡＢ
パッケージよりも、一層、放熱性を向上させることがで
きる。
【００３０】本発明は、上記の各実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が可
能である。たとえば、上記の各実施例では、転写バンプ
方式でリードとＩＣチップの電極とを接合したＴＡＢテ
ープを用いてＴＡＢパッケージを形成した場合について
説明したが、ＩＣバンプ方式で形成したＴＡＢテープを
用いてＴＡＢパッケージを形成することも可能である。
ＩＣバンプ方式では、フィルムキャリアの表裏面のどち
らにもＩＣチップを搭載することができる。このため、
フィルムキャリアの裏面にＩＣチップを搭載したＴＡＢ
テープを用いて、ＴＡＢパッケージを形成することによ
り、図９に示すように、半導体装置の薄型化を図ること
ができる。尚、図９において、図１に示すものと同一の
機能を有するものには同一の符号を付することにより、
その詳細な説明を省略する。
のではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が可
能である。たとえば、上記の各実施例では、転写バンプ
方式でリードとＩＣチップの電極とを接合したＴＡＢテ
ープを用いてＴＡＢパッケージを形成した場合について
説明したが、ＩＣバンプ方式で形成したＴＡＢテープを
用いてＴＡＢパッケージを形成することも可能である。
ＩＣバンプ方式では、フィルムキャリアの表裏面のどち
らにもＩＣチップを搭載することができる。このため、
フィルムキャリアの裏面にＩＣチップを搭載したＴＡＢ
テープを用いて、ＴＡＢパッケージを形成することによ
り、図９に示すように、半導体装置の薄型化を図ること
ができる。尚、図９において、図１に示すものと同一の
機能を有するものには同一の符号を付することにより、
その詳細な説明を省略する。
【００３１】また、上記の各実施例では、金属部材に凹
部を形成し、導電性接着剤を介してＩＣチップを凹部に
嵌め込んで固定する場合について説明したが、必ずしも
金属部材に凹部を形成する必要はなく、導電性接着剤で
介して金属部材とＩＣチップとを接着してもよい。この
場合も、ＩＣチップが発する熱を効率よく外部に放出す
ることができる。
部を形成し、導電性接着剤を介してＩＣチップを凹部に
嵌め込んで固定する場合について説明したが、必ずしも
金属部材に凹部を形成する必要はなく、導電性接着剤で
介して金属部材とＩＣチップとを接着してもよい。この
場合も、ＩＣチップが発する熱を効率よく外部に放出す
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子の裏面に放熱用の金属部材を取り付け、金属部
材の下面側を樹脂で封止し、金属部材の上面及び側面を
露出させたことにより、パッケージの表面は約上半分に
金属部材が露出しているので、半導体素子が発する熱を
広い範囲から効率よく外部に放出することができる半導
体装置を提供することができる。
導体素子の裏面に放熱用の金属部材を取り付け、金属部
材の下面側を樹脂で封止し、金属部材の上面及び側面を
露出させたことにより、パッケージの表面は約上半分に
金属部材が露出しているので、半導体素子が発する熱を
広い範囲から効率よく外部に放出することができる半導
体装置を提供することができる。
【図１】本発明の第一実施例である半導体装置の概略断
面図である。
面図である。
【図２】第一実施例である半導体装置の製造方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】本発明の第二実施例である半導体装置の概略断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第三実施例である半導体装置の概略断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の第四実施例である半導体装置の概略断
面図である。
面図である。
【図６】第四実施例である半導体装置の製造方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図７】本発明の第五実施例である半導体装置の概略断
面図である。
面図である。
【図８】本発明の第六実施例である半導体装置の概略断
面図である。
面図である。
【図９】本発明の他の実施例である半導体装置の概略断
面図である。
面図である。
【図１０】従来の半導体装置の概略断面図である。
１２，１２ａ，１２ｂ ＩＣチップ １４，１４ｃ フィルム １６，１６ｃ リード １７ ボンディングワイヤ １８ バンプ ２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ 金
属部材 ２３ａ，２３ｂ，２３ｄ，２３ｅ フィン ２４ 導電性接着剤 ２６ エポキシ樹脂 ２７ ポッティング樹脂 ２８ ポリイミド系の接着剤 ３２ 上金型 ３４ 下金型
属部材 ２３ａ，２３ｂ，２３ｄ，２３ｅ フィン ２４ 導電性接着剤 ２６ エポキシ樹脂 ２７ ポッティング樹脂 ２８ ポリイミド系の接着剤 ３２ 上金型 ３４ 下金型
Claims (1)
- 【請求項１】 フィルムキャリア上に搭載された半導体
素子を樹脂で封止した半導体装置において、前記半導体
素子の裏面に放熱用の金属部材を取り付け、該金属部材
の下面側を前記樹脂で封止し、前記金属部材の上面及び
側面を露出させたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223092A JPH05275570A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223092A JPH05275570A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275570A true JPH05275570A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14321851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10223092A Withdrawn JPH05275570A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157876A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Sony Corp | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
| JP2011044557A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | マルチチップモジュールの製造方法及びマルチチップモジュール |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP10223092A patent/JPH05275570A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157876A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Sony Corp | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
| JP2011044557A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | マルチチップモジュールの製造方法及びマルチチップモジュール |
| US8546187B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-10-01 | Fujitsu Limited | Electronic part and method of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |