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JPH05299561A - 複合リードフレームの製造方法 - Google Patents

複合リードフレームの製造方法

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Publication number
JPH05299561A
JPH05299561A JP4096539A JP9653992A JPH05299561A JP H05299561 A JPH05299561 A JP H05299561A JP 4096539 A JP4096539 A JP 4096539A JP 9653992 A JP9653992 A JP 9653992A JP H05299561 A JPH05299561 A JP H05299561A
Authority
JP
Japan
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lead frame
tab tape
fpc
copper foil
composite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4096539A
Other languages
English (en)
Inventor
Mamoru Onda
田 護 御
Masaharu Takagi
城 正 治 高
Tomio Murakami
上 富 雄 村
Kenji Yamaguchi
口 健 司 山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP4096539A priority Critical patent/JPH05299561A/ja
Publication of JPH05299561A publication Critical patent/JPH05299561A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/79Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
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    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】複合リードフレームのFPCまたはTABテー
プとリードフレームのインナーリードとの接合精度を向
上させ、高い歩留まりで、信頼性の高い製品を製造する
ことができる複合リードフレームの製造方法を提供す
る。 【構成】リードフレームとFPCまたはTABテープと
を連結するに際し、リードフレームとFPCまたはTA
Bテープの銅箔パターンの被接合部とを接合した後に、
好ましくは、被接合部の近傍にノッチを形成してFPC
またはTABテープの外枠とリードフレームとを引き離
して、FPCまたはTABテープの外枠を除去すること
により前記目的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は複合リードフレームの製造工程に
おいて、FPCまたはTABテープの被接合部(突出
部)とリードフレームとの接合を、確実にかつ高精度で
行うことができる複合リードフレームの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来技術とその問題点】図1に複合リードフレーム1
0の平面図を示す。複合リードフレーム10は基本的
に、LSI搭載部12を有するFPCまたはTABテー
プ14と、インナーリード16を有するリードフレーム
18との接合体によって構成される。FPCまたはTA
Bテープ14には、LSI搭載部12とインナーリード
16とを接合するための銅箔パターン20がエッチング
加工によって形成されており、銅箔パターン20の外側
末端である被接合部分としての突出部22とインナーリ
ード16とが接合され、他方、銅箔パターン20内側の
先端部分でLSI搭載部12に搭載されるLSIと接続
される。また、リードフレーム18は、前述のインナー
リード16を支持するタイバー24や26を、クッショ
ンリード28や30等によって外枠部31に支持してな
る構成を有する。
【0003】前述のように、複合リードフレーム10に
おいては、LSIを銅箔パターン20内側の先端部分
に、インナーリード16を突出部22に接続することに
よりLSIとリードフレーム18とを接続する。LSI
と銅箔パターン20との接続は、FPCであればワイヤ
ボンディング法によって行われ、TABテープの場合に
はギャングボンディング法によって行われる。他方、イ
ンナーリード16と突出部22との接合は、加熱ツール
法や超音波ヘッド当接法等によって行われるのが通常で
ある。
【0004】このような複合リードフレーム10の製造
において歩留りを低下させる要因として、FPCまたは
TABテープ14の銅箔パターン20の突出部22の変
形による、インナーリード16と突出部22との接続不
良やミスが挙げられる。
【0005】図2に示されるように、TABテープ14
はポリイミド等の絶縁体層32と接着材層34(図3参
照)とを有する積層体上に銅箔パターン20を形成して
なる構成を有するものであり、前記積層体の突出部22
に対応する部分はインナーリード16との接続のため
に、あらかじめ打ち抜かれている。
【0006】このようなTABテープ14は、通常、銅
箔パターン20の形成後に突出部22を精密金型打ち抜
き等によって1.5mm程度の長さに切断した後、突出部
22とインナーリード16とが接続される。ここで、銅
箔パターン20となる銅箔の厚さは通常0.025〜
0.035mm程度である上に、前述のように前記積層体
の突出部22に対応する部分は前記積層体が打ち抜かれ
ている。従って、突出部22とインナーリード16との
接続時には、厚さ0.025〜0.035mm程度の突出
部22は何ら支えのない状態となっており、極めて変形
し易い状態となっている。
【0007】そのため、リードフレーム18のインナー
リード16の先端部分(突出部22との被接合部分)
は、通常、0.15mm程度の厚さの銅合金や42%Ni−
Fe合金等であるので変形しにくいが、精密金型打ち抜き
等による切断後の突出部22はその後の取り扱いで容易
に変形してしまい、複合リードフレーム(TABテープ
とリードフレーム)の接合位置精度が低下し、製品の信
頼性や歩留まりが低下してしまうという問題点がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の問題点を解決することにあり、複合リードフ
レームのFPCまたはTABテープとリードフレームの
インナーリードとの接合精度を向上させ、高い歩留まり
で、信頼性の高い製品を製造することができる複合リー
ドフレームの製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、複合リードフレームの製造工程におい
て、リードフレームとFPCまたはTABテープとを連
結するに際し、リードフレームのインナーリードとFP
CまたはTABテープの銅箔パターンの被接合部とを接
合した後に、前記被接合部付近の銅箔パターンを切断し
てFPCまたはTABテープの外枠を除去することを特
徴とする複合リードフレームの製造方法を提供する。
【0010】また、前記被接合部付近の銅箔パターンの
切断、およびFPCまたはTABテープの外枠の除去
を、前記被接合部付近の銅箔パターンにノッチを形成し
た後に、リードフレームからFPCまたはTABテープ
キャリアの外枠を引き離して行うのが好ましい。
【0011】また、前記リードフレームと銅箔パターン
の突出部との接合を、Au−Sn共晶接合、あるいはAuめっ
きによる熱拡散超音波振動加熱によって行うのが好まし
い。
【0012】以下、本発明の複合リードフレームの製造
方法について、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【0013】本発明は、図1に示されるような複合リー
ドフレーム10を製造するに際し、図2に示されるよう
なFPCまたはTABテープ14のインナーリード16
との被接合部である突出部22と、リードフレーム18
のインナーリード16とを接合した後、突出部22を所
定長に切断してFPCあるいはTABテープ14の外枠
であるTABテープ(FPC)キャリア36を除去する
ことをその基本構成とする。
【0014】図3にFPCあるいはTABテープ14
(以下、TABテープ14とする)とリードフレーム1
8のインナーリード16の接合部分の概略断面図を示
す。TABテープ14は図2および図3に示されるよう
に、絶縁体層32上に接着材層34を形成した積層体
に、厚さ0.025〜0.035mm程度の銅箔によって
銅箔パターン20を形成してなるものである。TABテ
ープ14のインナーリード16との接合に供される突出
部22に対応する部分は、絶縁体層32および接着材層
34が打ち抜かれており、図3に示されるようにこの打
ち抜かれた部分でインナーリード16と突出部22とが
接合される。なお、インナーリード16先端部には接合
の為の錫めっき16a等が施されている。また、TAB
テープ14のLSI搭載部12にはLSI38が配さ
れ、ギャングボンディング法等の通常の方法によってL
SI38と銅箔パターン20とが接合される。
【0015】本発明の複合リードフレームの製造方法に
おいては、先ず、図4に示されるようにインナーリード
16と突出部22とが加熱ツール等によって接合され
る。TABテープ14が送り穴40を利用して所定位置
に高精度で搬送されると、インナーリード16の位置決
め穴42と送り穴40とを合わせてTABテープ14と
インナーリード16とが略位置合わせされる。ここで、
位置決め穴42と送り穴40とは同一径を有するので、
次いで丸ピン等を位置決め穴42および送り穴40に装
入することによって両者が高精度に位置合わせされる。
TABテープ14とインナーリード16とが正確に位置
合わせされると、加熱ツール等によってインナーリード
16と突出部22とが、あらかじめインナーリード16
に設けられたSnめっきと突出部22に設けられたAuめっ
きとの共晶等により接合される。
【0016】インナーリード16と突出部22との接合
方法には特に限定はなく、公知の各種の方法によればよ
いが、低温接合を容易に行うことができる等の点で、Au
−Sn共晶接合、あるいはAuめっきによる熱拡散超音波振
動加熱が好ましく利用される。接合の加工方法にも特に
限定はなく、加熱ツール法や超音波ヘッド当接法等の通
常の方法によればよい。
【0017】なお、本発明においては、突出部22はT
ABテープ14に端部を支持された状態で接合を行うの
で、図示例においては、接合をより確実かつ容易にする
ために、突出部22をTABテープ14の厚さ分、押し
下げ加工した後に接合を行うのが好ましい。また、図7
に示される例のように、リードフレームのインナーリー
ド50先端先部分を上方向に曲げ加工したものとしても
よく、この場合には突出部22の曲げ加工は不要とな
る。
【0018】次いで、突出部22を所定の長さに切断し
て、TABテープ14をTABテープキャリア36から
切り出す(TABテープキャリア36を除去する)。従
来の複合リードフレームの製造においては、前述のイン
ナーリード16と突出部22との接合は、突出部を所定
の長さに切断する、いわゆる個片抜き作業の後に行われ
ている。ところが、TABテープ14の突出部22に対
応する部分は絶縁体層32および接着材層34が打ち抜
かれており、また銅箔リード20は極めて薄いので、突
出部22は個片抜き作業の後の取り扱いで容易に変形し
てしまい、インナーリード16と突出部22との接合精
度が低下しているのは前述のとおりである。
【0019】これに対し、本発明の複合リードフレーム
の製造方法においては、個片打ち抜き作業の前、つま
り、図2および図3に示されるように突出部22の端部
がTABテープ14に支持された状態でインナーリード
16と突出部22とを接合し、その後に個片打ち抜き作
業を行う。そのため、突出部22が変形することなく、
高い精度で両者の接合を行うことができ、信頼性の高い
製品を高い歩留まりで製造することが可能である。
【0020】個片抜き作業の方法としては、超硬の精密
金型等を用いる通常の方法でもよいが、突出部22の被
切断部分にノッチを形成した後に、TABテープキャリ
ア36とリードフレーム18(TABテープ14)とを
引き離すことにより、ノッチ部分を切断する方法が好ま
しく利用される。
【0021】前述のようにしてインナーリード16と突
出部22との接合が終了すると、図5に示されるように
超硬刃46によって突出部22の末端(被切断部)にノ
ッチが形成される。超硬刃46は通常の幅広の刃であ
り、1辺づつ4辺に連続的にノッチを入れる。次いで、
TABテープキャリア36を持ち上げる(インナーリー
ド16およびTABテープ14を引き下げる)。これに
より図6に示されるようにノッチを形成された部分が切
断され、リードフレーム18とTABテープ14との接
合、つまりインナーリード16と突出部22との接合が
終了する。
【0022】なお、超硬刃46によって突出部22にノ
ッチを形成する際に、TABテープ14のサポータ44
にも同時にノッチを形成するのが好ましい。TABテー
プ14の絶縁層32として通常用いられるポリイミドは
硬質であり、また接着材層34も硬質である。そのた
め、突出部22と同時にサポータ44にもノッチを形成
することにより、TABテープキャリア36を持ち上げ
た際に、突出部22と同時にサポータ44を切断して、
容易にTABテープキャリア36とリードフレーム18
とを引き離すことができる。
【0023】なお、形成するノッチの深さは、突出部2
2およびサポータ44共に厚さの1/3程度でよい。
【0024】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をより詳細に説明する。
【0025】[実施例1]まず、300ピンの図2に示
されるようなTABテープ14を作製した。絶縁体層3
2(ポリイミド)の厚さ75μm、接着材層34の厚さ
は19μmで、また銅箔パターン20は下層に1μmの
金めっき層を有する35μmの銅箔である。このような
TABテープキャリア36の幅は35mmであって、送り
穴40のピッチは4.75mmである。他方、リードフレ
ーム18は 0.15%Zr入りの無酸素銅製で、インナーリー
ド16の先端部分に7μm厚の錫めっき16aを有する
ものとした。
【0026】このようなTABテープ14の突出部22
を94μm(絶縁体層32および接着材層34の厚さ)
押し下げ加工した後、加熱ツールによってリードフレー
ム18とTABテープ14とを接合した。突出部22と
インナーリード16との接合は、インナーリード16の
先端部分に7μm厚の錫めっき16aと銅箔パターン2
0下層の金めっき層とのAu−Sn共晶接合によって行われ
た。
【0027】接合が終了した後、超硬刃46で突出部2
2の先端部分に突出部22(銅箔パターン20)の1/
3程度の深さのノッチを形成(同時にサポート44に
も)し、次いで、TABテープキャリア36を持ち上げ
たところ、突出部22(およびサポート44)が切断さ
れて、容易にリードフレーム18(TABテープ14)
とTABテープキャリア36とを引き離すことができ
た。
【0028】得られた複合リードフレーム10は、突出
部22とインナーリード16との接合精度の高い、信頼
性に優れたものであった。
【0029】[実施例2]リードフレーム18を、図7
に示されるようにインナーリード50の先端部が上方向
に持ち上げ加工されたものに変更し、突出部22の押し
下げ加工を行わなかった以外は、前記実施例1と全く同
様にして複合リードフレーム10を作製した。その結
果、同様に突出部22とインナーリード16との接合精
度の高い、信頼性に優れた複合リードフレーム10を得
ることができた。
【0030】[実施例3]TABキャリア14の銅箔パ
ターン20下層の1μmの金めっき層、およびインナー
リード16の先端部分の7μm厚の錫めっき16aを、
共に0.5μmのAuめっきとし、接合を超音波振動加圧
加熱法に変更した以外は、前記実施例1と同様にして複
合リードフレーム10を作製した。その結果、同様に突
出部22とインナーリード16との接合精度の高い、信
頼性に優れた複合リードフレーム10を得ることができ
た。
【0031】[実施例4]リードフレーム18の材料を
Fe-42%Ni合金に変更した以外は、前記実施例1と同様に
して複合リードフレーム10を作製した。その結果、同
様に突出部22とインナーリード16との接合精度の高
い、信頼性に優れた複合リードフレーム10を得ること
ができた。
【0032】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の複
合リードフレームの製造方法によれば、FPCまたはT
ABテープの突出部とリードフレームのインナーリード
との接合精度を高くすることができ、高い歩留まりで、
信頼性の高い製品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 複合リードフレームの概略平面図である。
【図2】 TABテープの概略平面図である。
【図3】 本発明の複合リードフレームの製造方法を説
明するためのTABテープとリードフレームとの概略断
面図である。
【図4】 本発明の複合リードフレームの製造方法を説
明するためのTABテープとリードフレームとの概略断
面図である。
【図5】 本発明の複合リードフレームの製造方法を説
明するためのTABテープとリードフレームとの接合部
分の概略断面図である。
【図6】 本発明の複合リードフレームの製造方法を説
明するためのTABテープとリードフレームとの接合部
分の概略断面図である。
【図7】 本発明の複合リードフレームの製造方法の別
の例のTABテープとリードフレームとの接合部分の概
略断面図である。
【符号の説明】
10 複合リードフレーム 12 LSI搭載部 14 TABテープ 16,50 インナーリード 18 リードフレーム 20 銅箔パターン 22 突出部 24,26 タイバー 28,30 クッションリード 31 外枠部 32 絶縁体層 34 接着材層 36 TABテープキャリア 38 LSI 40 送り孔 42 位置決め孔 44 サポータ 46 超硬刃
フロントページの続き (72)発明者 山 口 健 司 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複合リードフレームの製造工程において、
    リードフレームとFPCまたはTABテープとを連結す
    るに際し、リードフレームのインナーリードとFPCま
    たはTABテープの銅箔パターンの被接合部とを接合し
    た後に、前記被接合部付近の銅箔パターンを切断してF
    PCまたはTABテープの外枠を除去することを特徴と
    する複合リードフレームの製造方法。
  2. 【請求項2】前記被接合部付近の銅箔パターンの切断、
    およびFPCまたはTABテープの外枠の除去を、前記
    被接合部付近の銅箔パターンにノッチを形成した後に、
    リードフレームからFPCまたはTABテープキャリア
    の外枠を引き離して行う請求項1に記載の複合リードフ
    レームの製造方法。
  3. 【請求項3】前記リードフレームと銅箔パターンの突出
    部との接合を、Au−Sn共晶接合、あるいはAuめっきによ
    る熱拡散超音波振動加熱によって行う請求項1または2
    に記載の複合リードフレームの製造方法。
JP4096539A 1992-04-16 1992-04-16 複合リードフレームの製造方法 Withdrawn JPH05299561A (ja)

Priority Applications (1)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997008925A1 (de) * 1995-08-30 1997-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer verbindung zwischen zumindest zwei elektrischen leitern, von denen einer auf einem trägersubstrat angeordnet ist

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997008925A1 (de) * 1995-08-30 1997-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer verbindung zwischen zumindest zwei elektrischen leitern, von denen einer auf einem trägersubstrat angeordnet ist

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Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990706