JPH05315686A - Circuit for driving laser diode - Google Patents
Circuit for driving laser diodeInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光ディスク装置
における光ヘッドに用いて好適なレーザダイオード駆動
回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode drive circuit suitable for use in, for example, an optical head in an optical disk device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６は、レーザダイオードの基本的取付
構造を示している。レーザダイオード５０は、導電性の
材料よりなるベース５１に取付けられている。レーザダ
イオード５０のアノードまたはカソードは、このベース
５１に電気的に接続されており、ベース５１はさらにピ
ン５２を介して外部に電気的に接続可能となっている。
また、レーザダイオード５０のカソードまたはアノード
は、リード５５を介してピン５４に電気的に接続されて
いる。ピン５４は、絶縁部材５３によりベース５１に対
して絶縁して支持されるようになされている。キャップ
５６は、レーザダイオード５０を囲むようにベース５１
に取付けられており、その先端にはガラス５７が設けら
れ、レーザダイオード５０より発生されたレーザ光が外
部に出射できるようになされている。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a basic mounting structure of a laser diode. The laser diode 50 is attached to a base 51 made of a conductive material. The anode or cathode of the laser diode 50 is electrically connected to the base 51, and the base 51 can be electrically connected to the outside via a pin 52.
The cathode or anode of the laser diode 50 is electrically connected to the pin 54 via the lead 55. The pin 54 is configured to be supported by the insulating member 53 while being insulated from the base 51. The cap 56 covers the base 51 so as to surround the laser diode 50.
Glass 57 is provided at the tip thereof so that the laser light generated by the laser diode 50 can be emitted to the outside.
【０００３】図７は、図６に示したレーザダイオード５
０の電気的接続関係を示している。同図（ａ）は、アノ
ードコモンの接続状態を示しており、同図（ｂ）は、カ
ソードコモンの接続状態を示している。即ち、図７
（ａ）の例においては、レーザダイオード５０のアノー
ドがベース５１に電気的に接続されており、同図（ｂ）
の例においては、レーザダイオード５０のカソードがベ
ース５１に接続されている。FIG. 7 shows a laser diode 5 shown in FIG.
The electrical connection relationship of 0 is shown. The figure (a) has shown the connection state of the anode common, and the figure (b) has shown the connection state of the cathode common. That is, FIG.
In the example of (a), the anode of the laser diode 50 is electrically connected to the base 51, and FIG.
In the example, the cathode of the laser diode 50 is connected to the base 51.
【０００４】さらに図８乃至図１１は、レーザダイオー
ド５０の駆動回路の構成例を示している。図８および図
９は、アノードコモンの駆動例を示している。図８の例
においては、ＮＰＮトランジスタ６１，６２が差動接続
され、そのエミッタの共通接続点には定電流源６４が接
続されている。また、ＮＰＮトランジスタ６１のコレク
タは抵抗６３を介して接地され、ＮＰＮトランジスタ６
２のコレクタは、レーザダイオード５０のカソードに接
続されている。レーザダイオード５０のアノードは接地
されている。そして、この場合、定電流源６４は負電源
−ＶCCに接続されている。Further, FIGS. 8 to 11 show an example of the configuration of a drive circuit for the laser diode 50. 8 and 9 show examples of driving the common anode. In the example of FIG. 8, NPN transistors 61 and 62 are differentially connected, and a constant current source 64 is connected to a common connection point of the emitters thereof. The collector of the NPN transistor 61 is grounded via the resistor 63, and the NPN transistor 6
The second collector is connected to the cathode of the laser diode 50. The anode of the laser diode 50 is grounded. In this case, the constant current source 64 is connected to a negative power supply -V CC.
【０００５】図９の例においては、抵抗６３の一端とレ
ーザダイオード５０のアノードが正の電圧源ＶCCにそれ
ぞれ接続されており、定電流源６４の一端が接地されて
いる。その他の構成は、図８における場合と同様であ
る。即ち、この例においては、片電源で使用することが
できるようになされている。In the example of FIG. 9, one end of the resistor 63 and the anode of the laser diode 50 are connected to a positive voltage source V CC , respectively, and one end of a constant current source 64 is grounded. Other configurations are similar to those in FIG. That is, in this example, it can be used with one power source.
【０００６】図１０および図１１は、カソードコモンの
駆動例を示している。図１０の例においては、ＰＮＰト
ランジスタ７１と７２が差動接続され、その共通エミッ
タ接続点には定電流源７４が接続されており、定電流源
７４の一端は正の電源ＶCCに接続されている。また、Ｐ
ＮＰトランジスタ７１のコレクタは抵抗７３を介して接
地されており、ＰＮＰトランジスタ７２のコレクタはダ
イオード５０のアノードに接続されている。ダイオード
５０のカソードは接地されている。10 and 11 show an example of driving the cathode common. In the example of FIG. 10, PNP transistors 71 and 72 are differentially connected, a constant current source 74 is connected to the common emitter connection point, and one end of the constant current source 74 is connected to the positive power supply V CC. ing. Also, P
The collector of the NP transistor 71 is grounded via the resistor 73, and the collector of the PNP transistor 72 is connected to the anode of the diode 50. The cathode of the diode 50 is grounded.
【０００７】図１１の例においては、一端が正の電源Ｖ
CCに接続された定電流源８５の他端に、カソードが接地
されたレーザダイオード５０のアノードが接続されてい
る。ＮＰＮトランジスタ８１と８２が差動接続され、そ
のエミッタの共通接続点は定電流源８４を介して接地さ
れている。ＮＰＮトランジスタ８１のコレクタは、抵抗
８３を介して所定の電圧源ＶCCに接続されている。ま
た、ＮＰＮトランジスタ８２のコレクタは、レーザダイ
オード５０のアノードに接続されている。In the example of FIG. 11, one end has a positive power source V.
The anode of the laser diode 50 whose cathode is grounded is connected to the other end of the constant current source 85 connected to CC . NPN transistors 81 and 82 are differentially connected, and the common connection point of their emitters is grounded via a constant current source 84. The collector of the NPN transistor 81 is connected to a predetermined voltage source V CC via the resistor 83. The collector of the NPN transistor 82 is connected to the anode of the laser diode 50.
【０００８】図８乃至図１０の例においては、それぞれ
差動接続されたＮＰＮトランジスタ６１，６２またはＰ
ＮＰトランジスタ７１，７２のベースに駆動信号を供給
することにより、レーザダイオード５０をオンまたはオ
フすることができる。レーザダイオード５０は、ＮＰＮ
トランジスタ６２またはＰＮＰトランジスタ７２がオン
したときオンし、それらがオフしたときオフする。In the example of FIGS. 8 to 10, differentially connected NPN transistors 61, 62 or P are used.
The laser diode 50 can be turned on or off by supplying a drive signal to the bases of the NP transistors 71 and 72. The laser diode 50 is an NPN
It turns on when transistor 62 or PNP transistor 72 turns on, and turns off when they turn off.
【０００９】これに対して、図１１の例においては、Ｎ
ＰＮトランジスタ８１と８２のベースに駆動信号が供給
されることにより、レーザダイオード５０が駆動される
のであるが、レーザダイオード５０はＮＰＮトランジス
タ８２がオフしたときオンし、レーザダイオード８２が
オンしたときオフする。On the other hand, in the example of FIG.
The laser diode 50 is driven by supplying a drive signal to the bases of the PN transistors 81 and 82. The laser diode 50 turns on when the NPN transistor 82 turns off and turns off when the laser diode 82 turns on. To do.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】図８の例においては、
負電源を必要とするため、通常、＋５Ｖまたは＋１２Ｖ
の正電源のみを用いているコンピュータなどに、それに
付随する機器として用いる場合においては、負電源生成
用の電源回路を特別に付加しなければならず、コスト高
となるばかりでなく、装置が大型化する課題がある。In the example of FIG. 8,
Usually requires + 5V or + 12V because it requires a negative power supply
When it is used as a device associated with a computer that uses only the positive power supply, the power supply circuit for generating the negative power supply must be specially added, which not only increases the cost but also increases the size of the device. There are issues to be solved.
【００１１】また、図９に示す例においては、負電源は
必要としないが、レーザダイオード５０のアノードを正
の電圧源ＶCCに接続しているため、図６に示したベース
５１を所定の基板に対してフローティング（絶縁）する
必要が生じ、取付構造が複雑となり、コスト高となる課
題があった。Further, in the example shown in FIG. 9, a negative power source is not required, but since the anode of the laser diode 50 is connected to the positive voltage source V CC , the base 51 shown in FIG. Since it is necessary to float (insulate) with respect to the board, the mounting structure becomes complicated and the cost increases.
【００１２】また、図１０と図１１に示す例において
は、カソードコモンとされているため、ベース５１をフ
ローティングする必要はないが、図１０の例において
は、ＰＮＰトランジスタ７１，７２によりレーザダイオ
ード５０を駆動するようにしているため、高速の駆動が
困難であり、高周波信号を記録することが困難である課
題があった。In the examples shown in FIGS. 10 and 11, the cathode 51 is common, so it is not necessary to float the base 51. However, in the example of FIG. 10, the PNP transistors 71 and 72 are used to form the laser diode 50. However, there is a problem that it is difficult to drive at high speed and it is difficult to record a high frequency signal.
【００１３】また、図１１に示す例においては、ＮＰＮ
トランジスタ８１，８２で駆動しているため、レーザダ
イオード５０を高速で駆動することが可能であるが、レ
ーザダイオード５０がオンしているとき、定電流源８５
より供給される定電流がレーザダイオード５０に供給さ
れるばかりでなく、レーザダイオード５０がオフしてい
る場合においても、ＮＰＮトランジスタ８１を定電流源
８４により供給される定電流が流れることになる。その
結果、消費電力が大きくなる課題があった。In the example shown in FIG. 11, the NPN is used.
Since it is driven by the transistors 81 and 82, the laser diode 50 can be driven at high speed, but when the laser diode 50 is on, the constant current source 85
Not only the constant current supplied by the laser diode 50 is supplied to the laser diode 50, but also when the laser diode 50 is off, the constant current supplied by the constant current source 84 flows through the NPN transistor 81. As a result, there is a problem that power consumption increases.
【００１４】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、消費電力を少なくし、高速駆動を可能とす
るとともに、高周波駆動が可能となるようにするもので
ある。また、コストも抑制することができるようにする
ものである。The present invention has been made in view of such a situation, and is to reduce power consumption, enable high speed driving, and enable high frequency driving. Further, the cost can be suppressed.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明のレーザダイオー
ド駆動回路は、レーザ光を発生するレーザダイオード１
と、レーザダイオード１のアノードに接続された定電流
回路３０と、レーザダイオード１のアノードとカソード
間に並列に接続されたＮＰＮトランジスタ２７と、ＮＰ
Ｎトランジスタ２７を駆動する差動接続されたＰＮＰト
ランジスタ２１，２２とを備えることを特徴とする。A laser diode drive circuit of the present invention is a laser diode 1 for generating a laser beam.
A constant current circuit 30 connected to the anode of the laser diode 1, an NPN transistor 27 connected in parallel between the anode and cathode of the laser diode 1, and an NP
And differentially connected PNP transistors 21 and 22 for driving the N transistor 27.
【００１６】[0016]
【作用】上記構成のレーザダイオード駆動回路において
は、レーザダイオード１に並列接続されたＮＰＮトラン
ジスタ２７がＰＮＰトランジスタ２１，２２により駆動
される。従って、ＰＮＰトランジスタ２１，２２として
小電力タイプのものを用いることができ、高速駆動が可
能になるばかりでなく、消費電力を小さくすることがで
きる。また、レーザダイオードをカソードコモンとする
ことができるため、フローティングの必要がなくなり、
取付構造が簡略化され、低コスト化が可能となる。In the laser diode drive circuit having the above structure, the NPN transistor 27 connected in parallel with the laser diode 1 is driven by the PNP transistors 21 and 22. Therefore, as the PNP transistors 21 and 22, low power type transistors can be used, so that not only high speed driving is possible but also power consumption can be reduced. Also, since the laser diode can be used as the cathode common, there is no need for floating,
The mounting structure is simplified and the cost can be reduced.
【００１７】[0017]
【実施例】図１は、本発明のレーザダイオード駆動回路
が応用される光ディスクシステムの一実施例の構成を示
すブロック図である。レーザダイオード１は、駆動回路
１０により駆動され、レーザ光を発生するようになされ
ている。このレーザ光は、グレーティング２により複数
のレーザ光に分割され、コリメータレンズ３により平行
光とされる。コリメータレンズ３より出射されたレーザ
光は、ビームスプリッタ４を介して対物レンズ５に入射
され、対物レンズ５により光ディスク６に集束照射され
る。従って、駆動回路１０により駆動信号に対応してレ
ーザダイオード１を駆動することにより、光ディスク６
に所定のデータを記録することができる。1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of an optical disk system to which a laser diode driving circuit of the present invention is applied. The laser diode 1 is driven by a drive circuit 10 to generate laser light. This laser light is split into a plurality of laser lights by the grating 2 and collimated by the collimator lens 3. The laser light emitted from the collimator lens 3 is incident on the objective lens 5 via the beam splitter 4, and is focused and irradiated onto the optical disc 6 by the objective lens 5. Therefore, by driving the laser diode 1 in response to the drive signal by the drive circuit 10, the optical disk 6
Predetermined data can be recorded in.
【００１８】光ディスク６により反射されたレーザ光
は、対物レンズ５を介してビームスプリッタ４に入射さ
れ、そこで反射されてコンデンサレンズ７、シリンドリ
カルレンズ８を介してフォトディテクタ９に入射され
る。フォトディテクタ９の出力より、フォーカスエラー
信号を生成したり、光ディスク６に記録されている信号
を再生することができる。The laser light reflected by the optical disk 6 is incident on the beam splitter 4 via the objective lens 5, is reflected there, and is incident on the photodetector 9 via the condenser lens 7 and the cylindrical lens 8. From the output of the photo detector 9, it is possible to generate a focus error signal and reproduce a signal recorded on the optical disc 6.
【００１９】図２は、駆動回路１０の構成例を示してい
る。この実施例においては、レーザダイオード１のカソ
ードが接地され、そのアノードには、抵抗２９とＰＮＰ
トランジスタ２８よりなる定電流回路３０が接続されて
いる。定電流回路３０の一端は、正の電圧源ＶCCに接続
されている。ＰＮＰトランジスタ２８のベースには、Ｐ
ＮＰトランジスタ３１のベースが接続されており、この
ＰＮＰトランジスタ３１のエミッタは抵抗３２を介して
電圧源ＶCCに接続され、そのコレクタはそのベースに接
続されるとともに、ＡＰＣ端子に接続されている。即
ち、ＰＮＰトランジスタ２８は、ＰＮＰトランジスタ３
１とカレントミラーを構成するようになされている。FIG. 2 shows a configuration example of the drive circuit 10. In this embodiment, the cathode of the laser diode 1 is grounded, and its anode has a resistor 29 and a PNP.
A constant current circuit 30 including a transistor 28 is connected. One end of the constant current circuit 30 is connected to the positive voltage source V CC . At the base of the PNP transistor 28, P
The base of the NP transistor 31 is connected, the emitter of the PNP transistor 31 is connected to the voltage source V CC through the resistor 32, and the collector is connected to the base and the APC terminal. That is, the PNP transistor 28 is the PNP transistor 3
1 and a current mirror.
【００２０】レーザダイオード１のアノードとカソード
には、ＮＰＮトランジスタ２７が並列に接続されてい
る。そして、このＮＰＮトランジスタ２７を駆動するた
めに、差動増幅器２０が接続されている。差動増幅器２
０は、差動接続されたＰＮＰトランジスタ２１，２２
と、ＰＮＰトランジスタ２１と２２のコレクタをそれぞ
れ接地する抵抗２３，２４と、ＰＮＰトランジスタ２
１，２２のエミッタの共通接続点を電圧源ＶCCに接続す
る定電流回路２６としての抵抗２５により構成されてい
る。An NPN transistor 27 is connected in parallel to the anode and cathode of the laser diode 1. A differential amplifier 20 is connected to drive the NPN transistor 27. Differential amplifier 2
0 is differentially connected PNP transistors 21 and 22
And resistors 23 and 24 for grounding the collectors of the PNP transistors 21 and 22 respectively, and the PNP transistor 2
A resistor 25 as a constant current circuit 26 connects the common connection point of the emitters of 1 and 22 to the voltage source V CC .
【００２１】次に、図３のタイミングチャートを参照し
て、その動作について説明する。ＰＮＰトランジスタ２
２のベースには、記録データに対応する信号が印加さ
れ、ＰＮＰトランジスタ２１のベースには、この記録デ
ータに対応する信号を反転した信号が印加される（図
３）。これにより、ＰＮＰトランジスタ２１と２２は、
相補的に動作する。即ち、ＰＮＰトランジスタ２２はそ
のベースに印加される記録信号に対応した信号（図３）
が高レベルであるときオフし、低レベルであるときオン
する。逆に、ＰＮＰトランジスタ２１は、ＰＮＰトラン
ジスタ２２がオンするときオフし、オフするときオンす
る。Next, the operation will be described with reference to the timing chart of FIG. PNP transistor 2
A signal corresponding to the recording data is applied to the base of No. 2, and a signal obtained by inverting the signal corresponding to the recording data is applied to the base of the PNP transistor 21 (FIG. 3). As a result, the PNP transistors 21 and 22 are
Operates complementarily. That is, the PNP transistor 22 is a signal corresponding to the recording signal applied to its base (FIG. 3).
Is off when it is high and on when it is low. Conversely, the PNP transistor 21 turns off when the PNP transistor 22 turns on, and turns on when the PNP transistor 22 turns off.
【００２２】ＰＮＰトランジスタ２２がオンすると、抵
抗２５、ＰＮＰトランジスタ２２、抵抗２４の経路で電
流が流れ、抵抗２４の端子電圧が高レベルとなるため、
ＮＰＮトランジスタ２７がオンする。このため、レーザ
ダイオード１は、そのアノードとカソードが短絡され、
オフする。これにより、定電流回路３０より出力された
定電流はＮＰＮトランジスタ２７を流れ、レーザダイオ
ード１はレーザ光を発生しない（図３）。When the PNP transistor 22 is turned on, a current flows through the path of the resistor 25, the PNP transistor 22 and the resistor 24, and the terminal voltage of the resistor 24 becomes high level.
The NPN transistor 27 turns on. Therefore, the laser diode 1 has its anode and cathode short-circuited,
Turn off. As a result, the constant current output from the constant current circuit 30 flows through the NPN transistor 27, and the laser diode 1 does not generate laser light (FIG. 3).
【００２３】これに対して、ＰＮＰトランジスタ２２が
オフすると（ＰＮＰトランジスタ２１がオンすると）、
ＮＰＮトランジスタ２７のベースは抵抗２４を介して接
地されるため、ＮＰＮトランジスタ２７はオフする。そ
の結果、抵抗２９、ＰＮＰトランジスタ２８、レーザダ
イオード１の経路で定電流が流れ、レーザダイオード１
はレーザ光を発生する（図３）。On the other hand, when the PNP transistor 22 is turned off (when the PNP transistor 21 is turned on),
Since the base of the NPN transistor 27 is grounded via the resistor 24, the NPN transistor 27 is turned off. As a result, a constant current flows through the path of the resistor 29, the PNP transistor 28, and the laser diode 1, and the laser diode 1
Generates laser light (FIG. 3).
【００２４】ＰＮＰトランジスタ２８のベースには、Ａ
ＰＣ電圧（オートパワーコントロール電圧）が供給され
ている。従って、ＰＮＰトランジスタ２８のコレクタよ
り出力される定電流の値が、このＡＰＣ電圧により所定
の値に制御されることになる。At the base of the PNP transistor 28, A
PC voltage (auto power control voltage) is supplied. Therefore, the value of the constant current output from the collector of the PNP transistor 28 is controlled to a predetermined value by this APC voltage.
【００２５】図４は、レーザダイオード１のオン、オフ
の原理を示している。図４（ａ）に示す状態において
は、ＮＰＮトランジスタ２７がそのベースに低レベルの
信号が印加されているため、オフする。その結果、レー
ザダイオード１に定電流回路３０が出力する定電流が流
れ、レーザダイオード１がレーザ光を発生する。FIG. 4 shows the principle of turning on and off the laser diode 1. In the state shown in FIG. 4A, the NPN transistor 27 is turned off because a low level signal is applied to its base. As a result, the constant current output from the constant current circuit 30 flows through the laser diode 1, and the laser diode 1 emits laser light.
【００２６】これに対して、図４（ｂ）に示す状態にお
いては、ＮＰＮトランジスタ２７のベースに高レベルの
信号が印加されるため、このトランジスタがオンする。
その結果、定電流回路３０より出力される定電流はＮＰ
Ｎトランジスタ２７を流れ、レーザダイオード１はオフ
する。On the other hand, in the state shown in FIG. 4B, since a high level signal is applied to the base of the NPN transistor 27, this transistor is turned on.
As a result, the constant current output from the constant current circuit 30 is NP
It flows through the N-transistor 27, and the laser diode 1 is turned off.
【００２７】ＮＰＮトランジスタ２７を駆動する回路
は、差動増幅回路でなくとも構成することが可能であ
る。しかしながら、差動増幅回路で構成した方がノイズ
が発生したとしても、差動増幅器を構成するＰＮＰトラ
ンジスタ２１と２２の両方に、そのノイズが現れるた
め、出力するパルス幅がノイズにより影響を受けない効
果がある。The circuit for driving the NPN transistor 27 can be configured without being a differential amplifier circuit. However, even if noise is generated in the differential amplifier circuit, the noise appears in both PNP transistors 21 and 22 forming the differential amplifier, so that the output pulse width is not affected by the noise. effective.
【００２８】また、この実施例においては、ＮＰＮトラ
ンジスタ２７はレーザダイオード１に流れる電流と同じ
値の電流を流す必要があるため、大電力のものを用いる
必要がある。しかしながら、ＮＰＮトランジスタである
から、高速のスイッチングが可能である。これに対し
て、ＰＮＰトランジスタ２１，２２は、これを中電力あ
るいは大電力タイプのものとすると、高速のスイッチン
グが不可能になるが、このＰＮＰトランジスタ２１，２
２はＮＰＮトランジスタ２７を駆動するだけなので、低
電力用のものを用いることができる。従って、ＰＮＰト
ランジスタであっても、高速のスイッチングが可能とな
る。その結果、高周波信号を記録することができ、しか
も消費電力を少なくすることができる。Further, in this embodiment, since the NPN transistor 27 needs to flow a current having the same value as the current flowing through the laser diode 1, it is necessary to use a high power one. However, since it is an NPN transistor, high-speed switching is possible. On the other hand, if the PNP transistors 21 and 22 are of medium power or high power type, high-speed switching becomes impossible.
Since 2 only drives the NPN transistor 27, a low power one can be used. Therefore, even a PNP transistor can perform high-speed switching. As a result, a high frequency signal can be recorded, and power consumption can be reduced.
【００２９】また、レーザダイオード１はカソードコモ
ン構造とされているため、図７（ｂ）に示すような接続
状態となり、上述した図６のベース５１を基板からフロ
ーティングする構造とする必要がなく、その取付構造を
簡略化することができる。従って、低コスト化が可能で
ある。Further, since the laser diode 1 has a cathode common structure, the laser diode 1 is connected as shown in FIG. 7B, and it is not necessary to make the base 51 shown in FIG. 6 floating above the substrate. The mounting structure can be simplified. Therefore, the cost can be reduced.
【００３０】図５は、本発明のレーザダイオード駆動回
路の他の実施例を示している。この実施例においては、
定電流回路２６がＰＮＰトランジスタ４１と抵抗４２に
より構成されており、ＰＮＰトランジスタ４１のベース
がＰＮＰトランジスタ２８，３１のベースと共通に接続
されている。その他の構成は、図２における場合と同様
である。FIG. 5 shows another embodiment of the laser diode drive circuit of the present invention. In this example,
The constant current circuit 26 includes a PNP transistor 41 and a resistor 42, and the base of the PNP transistor 41 is commonly connected to the bases of the PNP transistors 28 and 31. Other configurations are the same as those in FIG.
【００３１】即ち、この実施例においては、ＰＮＰトラ
ンジスタ４１とＰＮＰトランジスタ２８がカレントミラ
ー構成とされている。その結果、ＰＮＰトランジスタ２
８，３１，４１には、常に同一の電流が流れるようにな
り、例えばレーザダイオード１に流れる電流が大きくな
った場合（または小さくなった場合）、ＮＰＮトランジ
スタ２７のベースに供給するベース電流も大きくする
（または小さくする）必要があるが、ＰＮＰトランジス
タ４１のコレクタに流れる電流は、ＰＮＰトランジスタ
２８のコレクタに流れる電流と同じ値となるため、レー
ザダイオード１（ＮＰＮトランジスタ２７）を流れる電
流の増減に対応して、ＰＮＰトランジスタ２２を流れる
電流も（従って、ＮＰＮトランジスタ２７のベース電流
も）自動的に増減する。従って、安定した動作が可能と
なる。That is, in this embodiment, the PNP transistor 41 and the PNP transistor 28 have a current mirror configuration. As a result, PNP transistor 2
The same current always flows through 8, 31, and 41. For example, when the current flowing through the laser diode 1 increases (or decreases), the base current supplied to the base of the NPN transistor 27 also increases. However, since the current flowing through the collector of the PNP transistor 41 has the same value as the current flowing through the collector of the PNP transistor 28, it is possible to increase or decrease the current flowing through the laser diode 1 (NPN transistor 27). Correspondingly, the current through PNP transistor 22 (and therefore the base current of NPN transistor 27) will also automatically increase or decrease. Therefore, stable operation is possible.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上の如く本発明のレーザダイオード駆
動回路によれば、レーザダイオードのアノードとカソー
ド間に並列に接続したＮＰＮトランジスタを、差動接続
されたＰＮＰトランジスタで駆動するようにしたので、
消費電力を少なくするとともに、高速の駆動が可能とな
る。また、カソードコモンとすることができるため、取
付構造が簡略化され、低コスト化が可能になる。さら
に、電源は片電源でよく、コンピュータの周辺機器とし
て用いる場合においても余計な電源回路が不要となり、
低コスト化、小型化が可能になる。As described above, according to the laser diode drive circuit of the present invention, the NPN transistor connected in parallel between the anode and the cathode of the laser diode is driven by the differentially connected PNP transistor.
It is possible to reduce power consumption and drive at high speed. Further, since the cathode can be used as a common cathode, the mounting structure can be simplified and the cost can be reduced. Furthermore, the power supply may be a single power supply, and even when used as a peripheral device for a computer, an unnecessary power supply circuit is unnecessary,
Cost reduction and miniaturization are possible.
【図１】本発明のレーザダイオード駆動回路が用いられ
る光ディスクシステムの構成例を示すブロック図であ
る。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of an optical disc system in which a laser diode drive circuit of the present invention is used.
【図２】本発明のレーザダイオード駆動回路の一実施例
の構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of a laser diode drive circuit of the present invention.
【図３】図２の実施例の動作を説明するタイミングチャ
ートである。FIG. 3 is a timing chart explaining the operation of the embodiment of FIG.
【図４】図２の実施例の動作原理を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating the operating principle of the embodiment of FIG.
【図５】本発明のレーザダイオード駆動回路の他の実施
例の構成を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of another embodiment of the laser diode drive circuit of the present invention.
【図６】レーザダイオードの取付け構造を説明する断面
図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a laser diode mounting structure.
【図７】図６の取付構造における電気的接続関係を説明
する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an electrical connection relationship in the mounting structure of FIG.
【図８】従来のアノードコモンのレーザダイオード駆動
回路の構成例を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional anode common laser diode drive circuit.
【図９】従来のアノードコモンの他のレーザダイオード
駆動回路の構成例を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration example of another conventional anode common laser diode drive circuit.
【図１０】従来のカソードコモンのレーザダイオード駆
動回路の構成例を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional cathode common laser diode drive circuit.
【図１１】従来のカソードコモンの他のレーザダイオー
ド駆動回路の構成例を示す回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration example of another conventional laser diode drive circuit having a common cathode.
１ レーザダイオード ６ 光ディスク １０ 駆動回路 ２０ 差動増幅器 ２１，２２ ＰＮＰトランジスタ ２６ 定電流回路 ２７ ＮＰＮトランジスタ ３０ 定電流回路 1 laser diode 6 optical disk 10 drive circuit 20 differential amplifier 21,22 PNP transistor 26 constant current circuit 27 NPN transistor 30 constant current circuit
Claims (1)
と、 前記レーザダイオードのアノードに接続された定電流回
路と、 前記レーザダイオードのアノードとカソード間に並列に
接続されたＮＰＮトランジスタと、 前記ＮＰＮトランジスタを駆動する差動接続されたＰＮ
Ｐトランジスタとを備えることを特徴とするレーザダイ
オード駆動回路。1. A laser diode for generating laser light, a constant current circuit connected to an anode of the laser diode, an NPN transistor connected in parallel between an anode and a cathode of the laser diode, and the NPN transistor. Differentially connected PN to drive
A laser diode drive circuit comprising a P-transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120164A JPH05315686A (en) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | Circuit for driving laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120164A JPH05315686A (en) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | Circuit for driving laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315686A true JPH05315686A (en) | 1993-11-26 |
Family
ID=14779535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4120164A Withdrawn JPH05315686A (en) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | Circuit for driving laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315686A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0779688A1 (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser diode driving circuit |
| US6031855A (en) * | 1996-03-29 | 2000-02-29 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| JP2000183447A (en) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Canon Inc | Semiconductor laser drive circuit |
| US6970487B2 (en) | 2002-04-18 | 2005-11-29 | Tdk Corporation | Semiconductor laser driving circuit and optical head |
| JP2008135665A (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Optical receiver |
| JP2010066303A (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Funai Electric Co Ltd | Laser drive circuit and laser display |
| US7978741B2 (en) | 2006-06-14 | 2011-07-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter with a shunt driving configuration and a load transistor operated in common gate mode |
| JP2016507167A (en) * | 2013-02-22 | 2016-03-07 | レイセオン カンパニー | Multi-current source, laser diode, drive system |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP4120164A patent/JPH05315686A/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0779688A1 (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser diode driving circuit |
| US5793786A (en) * | 1995-12-12 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser diode driving circuit |
| US6031855A (en) * | 1996-03-29 | 2000-02-29 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| JP2000183447A (en) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Canon Inc | Semiconductor laser drive circuit |
| US6970487B2 (en) | 2002-04-18 | 2005-11-29 | Tdk Corporation | Semiconductor laser driving circuit and optical head |
| US7978741B2 (en) | 2006-06-14 | 2011-07-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter with a shunt driving configuration and a load transistor operated in common gate mode |
| JP2008135665A (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Optical receiver |
| JP2010066303A (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Funai Electric Co Ltd | Laser drive circuit and laser display |
| JP2016507167A (en) * | 2013-02-22 | 2016-03-07 | レイセオン カンパニー | Multi-current source, laser diode, drive system |
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