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JPH0575264A - Manufacture of glass ceramic multilayer circuit board - Google Patents

Manufacture of glass ceramic multilayer circuit board

Info

Publication number
JPH0575264A
JPH0575264A JP23426891A JP23426891A JPH0575264A JP H0575264 A JPH0575264 A JP H0575264A JP 23426891 A JP23426891 A JP 23426891A JP 23426891 A JP23426891 A JP 23426891A JP H0575264 A JPH0575264 A JP H0575264A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
multilayer wiring
glass
wiring board
ceramic multilayer
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23426891A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuru Ota
満 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP23426891A priority Critical patent/JPH0575264A/en
Publication of JPH0575264A publication Critical patent/JPH0575264A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the generation of the recess of a through-hole by simultaneously grinding a glass ceramic multilayer circuit board, an external shape of which is cut completely, and the dresser of a grinding wheel in the quantity of notch in a trace quantity and to a specified thickness and lapping both sides through a free abrasive grain system. CONSTITUTION:The surface of a glass ceramic multilayer circuit board 1, an external shape of which is cut completely, is ground in a grinding process. When the glass ceramic multilayer circuit board 1 is set to a grinding table 2, green carbon 3 as a dresser for the dressing of a grinding wheel 4 is disposed on the side of the multilayer circuit board 1, and the grinding wheel 4 is rotated in the direction C while moving the grinding table 2 in the direction B. The quantity of notch of the grinding wheel 4 to the green carbon 3 and the multilayer circuit board 1 at that time is represented by 4mum per one stroke. Both sides of the glass ceramic multilayer circuit board 1 the surface of which is grounded completely are lapped through a free abrasive grain system.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はガラスセラミックス多層
配線基板の製造方法に関し、特に銀系の導体を内層の導
体として使用してグリーンシート法によって製造される
ガラスセラミックス多層配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board manufactured by a green sheet method using a silver-based conductor as an inner layer conductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は従来のガラスセラミックス多層配
線基板の製造方法の一例における熱処理後のスルーホー
ルの近傍の近傍の状態を示す斜視図である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a perspective view showing a state in the vicinity of a through hole after heat treatment in an example of a conventional method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board.

【0003】グリーンシート法によって製造されるガラ
スセラミックス多層配線基板の従来の製造方法は、基板
の焼成後に行われる表面の研削において、マイクロクラ
ックが発生するのを防止して表面の変質層を改善するた
め、ガラスセラミックスよりも溶融点の高いアルミナ製
の基板をセッターとして用い、このアルミナ製の基板上
に研削したガラスセラミックス多層配線基板を載せ、大
気中で約800〜900℃で熱処理することによってガ
ラスセラミックス中のガラス成分を浮き出させてガラス
層を基板の表面に再度形成するという作業を行ってい
る。
A conventional method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board manufactured by the green sheet method is to improve the deteriorated layer on the surface by preventing the generation of microcracks in the grinding of the surface after firing the substrate. Therefore, an alumina substrate having a melting point higher than that of glass ceramics is used as a setter, and the ground glass ceramic multilayer wiring substrate is placed on this alumina substrate and heat-treated at about 800 to 900 ° C. in the atmosphere to obtain glass. Work is carried out in which the glass component in the ceramic is raised to form a glass layer again on the surface of the substrate.

【0004】すなわち、ガラスセラミックス多層配線基
板は、その厚さが所定の厚さとなるように、基板の表裏
両面を平面研削盤のダイヤモンドホイールによって研削
する。このとき、ガラスセラミックス多層配線基板の表
面に形成されているガラス層に、研削のときのストレス
によるマイクロクラックが発生する。このマイクロクラ
ックは、一般に、研削後の表面粗さの4〜5倍の深さま
で形成され、ガラスセラミックス多層配線基板そのもの
の機械的強度を低下させるのみならず、基板の裏面に蝋
付けするI/Oピンの密着強度も低下させる。このた
め、マイクロクラックの発生状態を改善する必要があ
り、このための手段として、上述のような熱処理を行っ
てガラス層を再形成している。
That is, in the glass-ceramic multilayer wiring board, both the front and back surfaces of the board are ground by a diamond wheel of a surface grinder so that the board has a predetermined thickness. At this time, microcracks are generated in the glass layer formed on the surface of the glass-ceramic multilayer wiring board due to stress during grinding. The microcracks are generally formed to a depth of 4 to 5 times the surface roughness after grinding, not only lowering the mechanical strength of the glass ceramic multilayer wiring substrate itself, but also I / It also reduces the adhesion strength of the O pin. Therefore, it is necessary to improve the generation state of microcracks, and as a means for this, the heat treatment as described above is performed to re-form the glass layer.

【0005】しかしながら、銀系の導体を内層の導体と
して使用するガラスセラミックス多層配線基板の場合
は、図4に示すように、上述の熱処理における約750
℃以上の温度帯において、基板の表面に露出したスルー
ホール19の中の銀が蒸発する現象が起る。このため、
スルーホール19のガラスセラミックス10の表面と連
続する部分に、10数μmの深さの凹み11が発生す
る。すなわち、銀系の導体を内層の導体として使用する
セラミックス多層配線基板の製造方法においては、研削
によってマイクロクラックが発生した表面を改善するた
めに熱処理を行うと、マイクロクラックは改善される
が、スルーホール19に凹み11が発生し、これが原因
で、後の工程で有機絶縁層を形成するとき等に種々の問
題が発生する。
However, in the case of a glass-ceramic multilayer wiring board using a silver-based conductor as the conductor of the inner layer, as shown in FIG.
In a temperature range of ℃ or more, a phenomenon occurs in which silver in the through holes 19 exposed on the surface of the substrate evaporates. For this reason,
A recess 11 having a depth of 10 and several μm is generated in a portion of the through hole 19 which is continuous with the surface of the glass ceramic 10. That is, in the method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board using a silver-based conductor as the inner layer conductor, if heat treatment is performed to improve the surface where microcracks are generated by grinding, microcracks are improved, but The recesses 11 are formed in the holes 19, which causes various problems when an organic insulating layer is formed in a later step.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のガラスセラミックス多層配線基板の製造方法は、銀系
の導体を内層の導体として使用するセラミックス多層配
線基板に対して適用すると、スルーホールに凹みが発生
して後の工程において有機絶縁層を形成するときにピン
ホールが発生したり、裏面にI/Oピンを蝋付けしたと
きに密着強度が低下するという欠点を有している。
As described above, when the conventional method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board is applied to a ceramic multilayer wiring board in which a silver-based conductor is used as the inner-layer conductor, through-holes are not formed. It has a defect that a dent is generated and a pinhole is generated when an organic insulating layer is formed in a later step, or the adhesion strength is lowered when an I / O pin is brazed to the back surface.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のガラスセラミッ
クス多層配線基板の製造方法は、銀系の導体を内層の導
体として使用してグリーンシート法によってガラスセラ
ミックス多層配線基板を形成するガラスセラミックス多
層配線基板の製造方法において、成膜してスルーホール
を形成してメタライズを行ったグリーンシートを積層し
て熱圧着を行って焼成したのち外形の切断を行って形成
したガラスセラミックス多層配線基板と研削砥石のドレ
ッサとを同時に微小量の切込み量で研削して所定の厚さ
とし、次に前記ガラスセラミックス多層配線基板の表裏
両面に対してラッピング加工を行って表面変質層を除去
することを含んでいる。
A method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board according to the present invention is a glass-ceramic multilayer wiring board in which a silver-based conductor is used as an inner layer conductor to form a glass-ceramic multilayer wiring board by a green sheet method. In the method of manufacturing a substrate, a glass ceramic multilayer wiring substrate and a grinding wheel formed by laminating green sheets that have been formed into a through-hole and metallized, thermocompression-bonded and fired, and then cut the outer shape Of the glass ceramic multilayer wiring board to remove the surface-altered layer by lapping the front and back surfaces of the glass-ceramic multilayer wiring board.

【0008】[0008]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0009】図1は本発明の一実施例を示す工程図、図
2は図1の実施例における多層配線基板の研削状態を示
す断面図、図3は図1の実施例における多層配線基板の
ラッピング状態を示す断面図、図5は図1の実施例にお
けるスルーホールの形成状態を示す斜視図、図6は図1
の実施例におけるヴィァフィルの形成状態を示す斜視
図、図7は図1の実施例においてグリーンシートを積層
した状態を示す斜視図である。
FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a ground state of the multilayer wiring board in the embodiment of FIG. 1, and FIG. 3 is a multilayer wiring board in the embodiment of FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a lapping state, FIG. 5 is a perspective view showing a through hole formation state in the embodiment of FIG. 1, and FIG.
FIG. 7 is a perspective view showing a state of forming via fill in the embodiment of FIG. 7, and FIG. 7 is a perspective view showing a state of stacking green sheets in the embodiment of FIG.

【0010】本実施例のガラスセラミックス多層配線基
板の製造方法は、図1に示すように、グリーンシートを
形成する成膜工程21と、形成したグリーンシートにス
ルーホールを形成するスルーホール形成工程22と、ス
ルーホールを形成したグリーンシートにヴィァフィルお
よび配線パターンを形成するメタライズ工程23と、ヴ
ィァフィルおよび配線パターンを形成したグリーンシー
トを積層する積層工程24と、積層したグリーンシート
を熱圧着する熱圧着工程25と、熱圧着したグリーンシ
ートを焼成する焼成工程26と、焼成したグリーンシー
トの外形を切断してガラスセラミックス多層配線基板と
する切断工程27と、外形を切断したガラスセラミック
ス多層配線基板の表面を研削する研削工程28と、表面
を研削したガラスセラミックス多層配線基板をラッピン
グするラッピング工程29とを含んでいる。
As shown in FIG. 1, the method for manufacturing the glass-ceramic multilayer wiring board of this embodiment comprises a film forming step 21 for forming a green sheet and a through hole forming step 22 for forming a through hole in the formed green sheet. A metallizing step 23 for forming a via-fill and a wiring pattern on the green sheet having the through holes, a laminating step 24 for laminating the green sheet on which the via-fill and wiring patterns are formed, and a thermocompression-bonding step for thermocompression-bonding the laminated green sheets. 25, a firing step 26 for firing the thermocompression-bonded green sheet, a cutting step 27 for cutting the outer shape of the fired green sheet into a glass-ceramic multilayer wiring board, and a surface of the glass-ceramic multilayer wiring board for which the outer shape is cut. Grinding process 28 for grinding and glass whose surface is ground And a lapping step 29 of wrapping La mix multilayer wiring board.

【0011】成膜工程21は、ドクターブレード法によ
ってキャリアフィルム上に所定の膜厚のグリーンシート
を生成する工程である。スルーホール形成工程22は、
図5に示すように、パンチ12を用いてグリーンシート
13に所定のピッチで穴明けしてスルーホール9を形成
する工程である。メタライズ工程23は、図6に示すよ
うに、グリーンシート13上にスクリーン14を載せ、
さらにこのスクリーン14上に導体ペーストとして銀ペ
ースト15を載せ、スキージ16に適当な圧力を加えな
がら矢印A方向にスクリーン14上を平行移動させるこ
とにより、スルーホール9(図5参照)に銀ペースト1
5を充填してヴィアフィルされたスルーホール17とす
る。同様にして、配線パターン18(図7参照)も、ス
クリーン印刷によってメタライズして形成する。積層工
程24は、図7に示すように、上述のように形成した複
数のグリーンシート13を金型中で積層する工程であ
る。積層したグリーンシートは、熱圧着工程25におい
て熱圧着し、焼成工程26において焼成し、切断工程2
7において外形を切断して所定の形状に仕上げてガラス
セラミックス多層配線基板とする。
The film forming step 21 is a step of forming a green sheet having a predetermined thickness on a carrier film by a doctor blade method. The through hole forming step 22 is
As shown in FIG. 5, this is a step of forming holes through the green sheet 13 using the punch 12 at a predetermined pitch to form the through holes 9. In the metallizing step 23, as shown in FIG. 6, the screen 14 is placed on the green sheet 13,
Further, a silver paste 15 is placed on the screen 14 as a conductive paste, and the squeegee 16 is moved in parallel in the direction of arrow A while applying an appropriate pressure to the silver paste 1 in the through hole 9 (see FIG. 5).
5 is filled to form a through-hole 17 that is via-filled. Similarly, the wiring pattern 18 (see FIG. 7) is also metalized and formed by screen printing. The laminating step 24 is a step of laminating the plurality of green sheets 13 formed as described above in a mold, as shown in FIG. 7. The laminated green sheets are thermocompression bonded in a thermocompression bonding step 25, baked in a baking step 26, and cut in a cutting step 2.
At 7, the outer shape is cut and finished into a predetermined shape to obtain a glass-ceramic multilayer wiring board.

【0012】外形の切断を完了したガラスセラミックス
多層配線基板は、研削工程28において表面を研削する
が、この表面研削加工によって、焼成時に基板の表面に
形成されたガラス層が破壊されて多数のマイクロクラッ
クが発生した状態となっている。しかも、銀系の導体を
内層の導体として使用しているため、この表面研削加工
のときに研削砥石の目詰りが発生し易く、研削砥石に目
詰りがあると、研削のときに基板にストレスがかかって
基板の表面が深くまで変質する。
The surface of the glass-ceramic multilayer wiring board whose outer shape has been cut is ground in a grinding step 28. This surface grinding process destroys the glass layer formed on the surface of the board during firing, and thus a large number of micro-chips are formed. It is in a state where cracks have occurred. Moreover, since the silver-based conductor is used as the conductor of the inner layer, the grinding wheel is easily clogged during this surface grinding process.If the grinding wheel is clogged, stress will be applied to the substrate during grinding. As a result, the surface of the substrate is deeply altered.

【0013】研削工程28において基板の表面を研削す
るとき、研削後の基板の表面粗さを0.3μm以下に抑
えることが必要である。これによって研削による表面変
質層の深さをできるだけ浅い状態にとどめておくことが
できる。このため、図2に示すように、ガラスセラミッ
クス多層配線基板(多層配線基板)1を研削テーブル2
にセットするとき、研削砥石4のドレシング用のドレッ
サであるグリーンカーボン3を多層配線基板1の横に配
設し、研削テーブル2を矢印B方向に移動させながら研
削砥石4を矢印C方向に回転させる。このときの研削砥
石4のグリーンカーボン3および多層配線基板1に対す
る切込み量は、1ストローク当り4μm程度とする。こ
れによって研削砥石4の目詰りが防止でき、多層配線基
板1に対する負荷を軽減した状態で多層配線基板1を所
定の厚さまで研削することができる。
When the surface of the substrate is ground in the grinding step 28, it is necessary to suppress the surface roughness of the substrate after grinding to 0.3 μm or less. This makes it possible to keep the depth of the surface-altered layer due to grinding as shallow as possible. Therefore, as shown in FIG. 2, the glass ceramic multilayer wiring board (multilayer wiring board) 1 is attached to the grinding table 2
When set to, the green carbon 3 which is the dressing dresser for the grinding wheel 4 is arranged beside the multilayer wiring board 1, and the grinding table 4 is rotated in the direction of arrow C while moving the grinding table 2 in the direction of arrow B. Let At this time, the cutting amount of the grinding wheel 4 with respect to the green carbon 3 and the multilayer wiring board 1 is about 4 μm per stroke. As a result, clogging of the grinding wheel 4 can be prevented, and the multilayer wiring board 1 can be ground to a predetermined thickness while reducing the load on the multilayer wiring board 1.

【0014】表面研削加工を完了したガラスセラミック
ス多層配線基板は、ラッピング工程29において、その
表裏両面に対して遊離砥粒方式によるラッピング加工を
行ってその表面変質層を除去する。ラッピング加工は、
図3に示すように行う。すなわち、樹脂系定盤5の上に
表面研削加工を完了した多層配線基板1を載置し、ノズ
ル6からダイヤモンドペースト7および潤滑材8を間欠
的に噴射する。このとき、樹脂系定盤5を回転させて多
層配線基板1と樹脂系定盤5との間にダイヤモンドペー
スト7および潤滑材8を拡散させる。また、多層配線基
板1を上方から(矢印D)から加圧する。このようにし
てラッピング加工を行うことにより、多層配線基板1
は、アルミナ粒子間をつなぐガラス部にマイクロクラッ
クが入るのを抑制した状態で表面変質層を除去すること
ができ、従来のような熱ストレスをかけないちめ、クラ
ックや導体ペーストの蒸発がなく、従って信頼性が高い
多層配線基板を完成させることができる。
In the lapping step 29, the glass ceramic multilayer wiring substrate which has been subjected to the surface grinding is subjected to lapping by the free abrasive grain method on both front and back surfaces thereof to remove the surface-altered layer. The wrapping process is
This is performed as shown in FIG. That is, the multilayer wiring board 1 whose surface has been ground is placed on the resin-based surface plate 5, and the diamond paste 7 and the lubricant 8 are intermittently sprayed from the nozzle 6. At this time, the resin-based surface plate 5 is rotated to diffuse the diamond paste 7 and the lubricant 8 between the multilayer wiring board 1 and the resin-based surface plate 5. Further, the multilayer wiring board 1 is pressed from above (arrow D). By performing the lapping process in this manner, the multilayer wiring board 1
Is capable of removing the surface-altered layer while suppressing the formation of microcracks in the glass part that connects the alumina particles, avoiding thermal stress as in the past, and eliminating cracks and evaporation of the conductor paste. Therefore, a highly reliable multilayer wiring board can be completed.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のガラスセ
ラミックス多層配線基板の製造方法は、外形の切断を完
了したガラスセラミックス多層配線基板と研削砥石のド
レッサとを同時に微小量の切込み量で研削して所定の厚
さとし、次にその表裏両面に対して遊離砥粒方式による
ラッピング加工を行ってその表面変質層を除去すること
により、熱処理を行わずに表面のマイクロクラックを改
善できるため、スルーホールに凹みが発生するのを防止
でき、従って後の工程において有機絶縁層を形成すると
きにピンホールが発生したり、裏面にI/Oピンを蝋付
けしたときに密着強度が低下するのを防止できるという
効果があり、信頼性の高い多層配線基板が得られる。
As described above, according to the method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board of the present invention, the glass-ceramic multilayer wiring board whose outer shape has been cut and the dresser of the grinding wheel are ground simultaneously with a very small amount of cut. To a predetermined thickness, and then, by lapping the front and back surfaces by the loose abrasive grain method to remove the surface-altered layer, microcracks on the surface can be improved without heat treatment. It is possible to prevent the occurrence of dents in the holes, and thus to prevent pin holes from being formed when the organic insulating layer is formed in the subsequent process, and to reduce the adhesion strength when I / O pins are brazed to the back surface. There is an effect that it can be prevented, and a highly reliable multilayer wiring board can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す工程図である。FIG. 1 is a process chart showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例における多層配線基板の研削状態
を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a ground state of a multilayer wiring board in the embodiment of FIG.

【図3】図1の実施例における多層配線基板のラッピン
グ状態を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a lapping state of the multilayer wiring board in the embodiment of FIG.

【図4】従来のガラスセラミックス多層配線基板の製造
方法の一例における熱処理後のスルーホールの近傍の近
傍の状態を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a state near a through hole after heat treatment in an example of a conventional method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board.

【図5】図1の実施例におけるスルーホールの形成状態
を示す斜視図である。
5 is a perspective view showing a through hole formation state in the embodiment of FIG. 1. FIG.

【図6】図1の実施例におけるヴィァフィルの形成状態
を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a via fill formation state in the embodiment of FIG. 1;

【図7】図1の実施例においてグリーンシートを積層し
た状態を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a state in which green sheets are laminated in the embodiment of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラスセラミックス多層配線基板(多層配線基
板) 2 研削テーブル 3 グリーンカーボン 4 研削砥石 5 樹脂系定盤 6 ノズル 7 ダイヤモンドペースト 8 潤滑材 9 スルーホール 10 ガラスセラミックス 11 凹み 12 パンチ 13 グリーンシート 14 スクリーン 15 銀ペースト 16 スキージ 17 ヴィアフィルされたスルーホール 18 配線パターン 19 スルーホール 21 成膜工程 22 スルーホール形成工程 23 メタライズ工程 24 積層工程 25 熱圧着工程 26 焼成工程 27 切断工程 28 研削工程 29 ラッピング工程
1 Glass Ceramics Multilayer Wiring Board (Multilayer Wiring Board) 2 Grinding Table 3 Green Carbon 4 Grinding Wheel 5 Resin Surface Plate 6 Nozzle 7 Diamond Paste 8 Lubricant 9 Through Hole 10 Glass Ceramics 11 Recess 12 Punch 13 Green Sheet 14 Screen 15 Silver Paste 16 Squeegee 17 Via-filled through hole 18 Wiring pattern 19 Through hole 21 Film forming step 22 Through hole forming step 23 Metallizing step 24 Laminating step 25 Thermocompression bonding step 26 Firing step 27 Cutting step 28 Grinding step 29 Lapping step

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 銀系の導体を内層の導体として使用して
グリーンシート法によってガラスセラミックス多層配線
基板を形成するガラスセラミックス多層配線基板の製造
方法において、成膜してスルーホールを形成してメタラ
イズを行ったグリーンシートを積層して熱圧着を行って
焼成したのち外形の切断を行って形成したガラスセラミ
ックス多層配線基板と研削砥石のドレッサとを同時に微
小量の切込み量で研削して所定の厚さとし、次に前記ガ
ラスセラミックス多層配線基板の表裏両面に対してラッ
ピング加工を行って表面変質層を除去することを含むこ
とを特徴とするガラスセラミックス多層配線基板の製造
方法。
1. A method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board, which comprises forming a glass-ceramic multilayer wiring board by a green sheet method using a silver-based conductor as an inner-layer conductor, and forming a through hole to form a through hole for metallization. After laminating the green sheets that have been subjected to the above procedure, thermocompression-bonding and firing, and then cutting the outer shape, the glass-ceramic multilayer wiring substrate and the dresser of the grinding wheel are ground at the same time with a minute amount of cut, and the predetermined thickness is obtained. A method of manufacturing a glass-ceramics multilayer wiring board, comprising lapping the front and back surfaces of the glass-ceramics multilayer wiring board to remove the surface-altered layer.
【請求項2】 銀系の導体を内層の導体として使用して
グリーンシート法によってガラスセラミックス多層配線
基板を形成するガラスセラミックス多層配線基板の製造
方法において、成膜してスルーホールを形成してメタラ
イズを行ったグリーンシートを積層して熱圧着を行って
焼成したのち外形の切断を行って形成したガラスセラミ
ックス多層配線基板と研削砥石のドレッサとを同時に1
ストローク当り4μm程度の微小量の切込み量で研削し
て所定の厚さとし、次に前記ガラスセラミックス多層配
線基板の表裏両面に対して遊離砥粒方式によるラッピン
グ加工を行って表面変質層を除去することを含むことを
特徴とするガラスセラミックス多層配線基板の製造方
法。
2. A method for manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board, which comprises forming a glass-ceramic multilayer wiring board by a green sheet method using a silver-based conductor as an inner-layer conductor, and forming a through-hole to form a through hole for metallization. The glass ceramic multilayer wiring substrate and the dresser of the grinding wheel which are formed by laminating the green sheets subjected to
Grinding with a minute amount of cut of about 4 μm per stroke to a predetermined thickness, and then lapping the front and back surfaces of the glass-ceramic multilayer wiring board by a loose abrasive grain method to remove the surface-altered layer. A method of manufacturing a glass-ceramic multilayer wiring board, comprising:
JP23426891A 1991-09-13 1991-09-13 Manufacture of glass ceramic multilayer circuit board Pending JPH0575264A (en)

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JP23426891A JPH0575264A (en) 1991-09-13 1991-09-13 Manufacture of glass ceramic multilayer circuit board

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8564321B2 (en) 2008-05-16 2013-10-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic substrate, functional ceramic substrate, probe card and method for manufacturing ceramic substrate

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US8564321B2 (en) 2008-05-16 2013-10-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic substrate, functional ceramic substrate, probe card and method for manufacturing ceramic substrate

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