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JPH06164365A - Single-phase input level converting circuit - Google Patents

Single-phase input level converting circuit

Info

Publication number
JPH06164365A
JPH06164365A JP4338122A JP33812292A JPH06164365A JP H06164365 A JPH06164365 A JP H06164365A JP 4338122 A JP4338122 A JP 4338122A JP 33812292 A JP33812292 A JP 33812292A JP H06164365 A JPH06164365 A JP H06164365A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phase input
level conversion
conversion circuit
load
input level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4338122A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiichi Maekawa
敏一 前川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP4338122A priority Critical patent/JPH06164365A/en
Publication of JPH06164365A publication Critical patent/JPH06164365A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a single-phase level converting circuit which is stable and fast. CONSTITUTION:A 1st driving transistor(TR) mn1 and a 1st load TR mp1 are connected to each other through a mid-point node A, a 2nd driving TR mn2 and a 2nd load TR mp2 are connected in series with each other through an output node B, and an auxiliary TR mp3 is connected to the mid point node A. Then the 1st driving TR mn1 operates in response to a single-phase input clock pulse phi with a low amplitude (VCC) to turn on the 2nd load TR mp2 while suppressing the 2nd driving TR mn2 through the mid-point node A. The auxiliary TR mp3 performs auxiliary operation as the single-phase input clock pulse phi is reset to turn off the 2nd load TR mp2 while resetting the 2nd driving TR mn2 through the mid-point node A, thereby lowering an output clock pulse Q.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はレベル変換回路に関す
る。より詳しくは、アクティブマトリクス型液晶表示装
置等により代表される薄膜トランジスタ集積回路装置に
内蔵されクロックインターフェースとして用いられる単
相入力のレベル変換回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a level conversion circuit. More specifically, the present invention relates to a single-phase input level conversion circuit incorporated in a thin film transistor integrated circuit device typified by an active matrix liquid crystal display device and used as a clock interface.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来のレベル変換回路の一例を示
す回路図である。図示する様に、レベル変換回路101
は薄膜トランジスタ集積回路装置102に内蔵されてお
り、クロックインターフェースとして機能する。即ち、
外部のタイミングジェネレータ103から供給される入
力クロック信号φ及びその反転入力クロック信号(図に
おいては反転信号である事を示す為φの上にバーを付し
ておく。以下同様)をパルス増幅して出力クロック信号
Q及びその反転出力クロック信号を作成し、薄膜トラン
ジスタ集積回路装置102の内部クロックに供するもの
である。一般に、タイミングジェネレータ103は例え
ばCMOSゲートアレイから構成されており、その電源
電圧VCCは例えば5V程度である。一方、薄膜トラン
ジスタ集積回路装置102の電源電圧VDDは例えば1
1V〜14Vである。この様な電源電圧の差を調整する
為、図示する様なレベル変換回路101が用いられてい
る。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional level conversion circuit. As shown, the level conversion circuit 101
Is incorporated in the thin film transistor integrated circuit device 102 and functions as a clock interface. That is,
The input clock signal φ supplied from the external timing generator 103 and its inverted input clock signal (in the figure, a bar is attached on φ to indicate that it is an inverted signal. The same applies hereinafter) are pulse-amplified. The output clock signal Q and its inverted output clock signal are generated and used as the internal clock of the thin film transistor integrated circuit device 102. Generally, the timing generator 103 is composed of, for example, a CMOS gate array, and its power supply voltage VCC is, for example, about 5V. On the other hand, the power supply voltage VDD of the thin film transistor integrated circuit device 102 is, for example, 1
It is 1V-14V. In order to adjust such a difference in power supply voltage, a level conversion circuit 101 as shown is used.

【0003】この従来例は、一対のNチャネル電界効果
型薄膜トランジスタmn1,mn2と、一対のPチャネ
ル電界効果型薄膜トランジスタmp1,mp2とを結線
したフリップフロップ構造を有している。一方のNチャ
ネルトランジスタmn1のゲートに入力クロック信号φ
が印加され、他方のNチャネルトランジスタmn2のゲ
ートには反転入力クロック信号が印加される。互いに直
列接続されたPチャネルトランジスタmp2とNチャネ
ルトランジスタmn2の中点ノードにパルス増幅された
出力クロック信号Qが現われ、同じく直列接続されたP
チャネルトランジスタmp1とNチャネルトランジスタ
mn1の中点ノードに、反転出力クロック信号が得られ
る。
This conventional example has a flip-flop structure in which a pair of N-channel field effect type thin film transistors mn1 and mn2 and a pair of P channel field effect type thin film transistors mp1 and mp2 are connected. The input clock signal φ is applied to the gate of one N-channel transistor mn1.
Is applied, and the inverted input clock signal is applied to the gate of the other N-channel transistor mn2. The pulse-amplified output clock signal Q appears at the midpoint node of the P-channel transistor mp2 and the N-channel transistor mn2, which are connected in series, and the P-channel transistor mp2 and the P-channel transistor mn2 are also connected in series.
An inverted output clock signal is obtained at the midpoint node of the channel transistor mp1 and the N-channel transistor mn1.

【0004】図6は、図5に示したレベル変換回路の動
作を示す波形図である。レベル変換回路101の一対の
入力端子にはピーク電圧VCCを有し互いに逆相の入力
クロック信号が供給される。一方の入力クロック信号φ
がハイレベルになると、Nチャネルトランジスタmn1
及びPチャネルトランジスタmp2がオン状態となり、
ピーク電圧VDDを有する出力クロック信号Qが得られ
る。同様に、反転入力クロック信号に応答して、Nチャ
ネルトランジスタmn2及びPチャネルトランジスタm
p1がオン状態となり、反転出力クロック信号が得られ
る。
FIG. 6 is a waveform diagram showing the operation of the level conversion circuit shown in FIG. Input clock signals having a peak voltage VCC and having opposite phases are supplied to a pair of input terminals of the level conversion circuit 101. One input clock signal φ
Goes high, the N-channel transistor mn1
And the P-channel transistor mp2 is turned on,
An output clock signal Q having a peak voltage VDD is obtained. Similarly, in response to the inverted input clock signal, N-channel transistor mn2 and P-channel transistor m
p1 is turned on and an inverted output clock signal is obtained.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図5に示した従来例で
は互いに反対極性の二相入力クロック信号を用いてレベ
ル変換回路を動作させている。従って、クロックインタ
ーフェースとして一対の接続端子が必要になる。必要な
クロックの数が増加するにつれて、クロックインターフ
ェースの接続端子数が増大し、結線作業が煩雑になると
ともに、デバイスのコンパクトな実装を阻害するという
課題がある。
In the conventional example shown in FIG. 5, the level conversion circuit is operated by using two-phase input clock signals having polarities opposite to each other. Therefore, a pair of connection terminals is required as the clock interface. As the number of required clocks increases, the number of connection terminals of the clock interface increases, which complicates the wiring work and hinders the compact mounting of the device.

【0006】この点に鑑み、単相入力クロック信号によ
り動作するレベル変換回路が提案されており、その例を
図7に示す。基本的には、図5に示した二相入力レベル
変換回路と同様の構成を有しており、対応する部分には
対応する参照符号を付して理解を容易にしている。異な
る点は、駆動トランジスタmn2のゲートに対して反転
入力クロック信号に代え、固定の直流バイアスVGを印
加した事である。
In view of this point, a level conversion circuit which operates by a single-phase input clock signal has been proposed, an example of which is shown in FIG. Basically, it has the same configuration as the two-phase input level conversion circuit shown in FIG. 5, and corresponding parts are designated by corresponding reference numerals to facilitate understanding. The difference is that a fixed DC bias VG is applied to the gate of the drive transistor mn2 instead of the inverted input clock signal.

【0007】図8を参照して、図7に示した単相入力レ
ベル変換回路の動作を簡潔に説明する。入力クロック信
号φがハイレベルになると、駆動トランジスタmn1及
び負荷トランジスタmp2がオン状態となり、パルス増
幅された出力クロック信号Qが立ち上がる。次に入力ク
ロック信号φがローレベルになると、負荷トランジスタ
mp2がオフ状態になるとともに、固定バイアスVGの
印加された駆動トランジスタmn2の動作により、出力
クロック信号Qが立ち下がる。かかる動作を安定して行
なう為、入力クロック信号のピーク電位や駆動トランジ
スタmn2の閾値電圧等に基き、固定バイアスVGを適
切に設定する必要がある。しかしながら、固定バイアス
VGを内部回路的に設定する事は実際上極めて困難であ
る。又、固定バイアスVGを外部入力としても、微妙な
調整を要し実用的ではない。
The operation of the single-phase input level conversion circuit shown in FIG. 7 will be briefly described with reference to FIG. When the input clock signal φ becomes high level, the drive transistor mn1 and the load transistor mp2 are turned on, and the pulse-amplified output clock signal Q rises. Next, when the input clock signal φ becomes low level, the load transistor mp2 is turned off, and the output clock signal Q falls due to the operation of the drive transistor mn2 to which the fixed bias VG is applied. In order to perform such an operation stably, it is necessary to appropriately set the fixed bias VG based on the peak potential of the input clock signal, the threshold voltage of the drive transistor mn2, and the like. However, it is actually extremely difficult to set the fixed bias VG as an internal circuit. Further, even if the fixed bias VG is used as an external input, delicate adjustment is required, which is not practical.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明は実用的で且つ安定動作が可能な単相
入力レベル変換回路を提供する事を目的とする。この目
的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる単相入力レベル変換回路は、基本的な構成要素と
して、第1及び第2駆動素子、第1及び第2負荷素子及
び補助素子を含んでいる。第1駆動素子及び第1負荷素
子は接地ラインと電源ラインとの間で中点ノードを介し
互いに直列接続されている。又、第2駆動素子及び第2
負荷素子は接地ラインと電源ラインとの間で出力ノード
を介し互いに直列接続されている。補助素子は電源ライ
ンと中点ノードとの間に介在している。かかる構成にお
いて、第1駆動素子は低振幅の単相入力クロックパルス
に応答して動作し該中点ノードを介して第2駆動素子を
抑制する一方第2負荷素子を導通させる事により、該出
力ノードに高振幅の出力クロックパルスを立ち上げる。
一方、前記補助素子は、該単相入力クロックパルスの解
除に伴ない補助動作し該中点ノードを介して第2駆動素
子を復帰させる一方第2負荷素子を遮断する事により出
力クロックパルスを立ち下げる。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, it is an object of the present invention to provide a single-phase input level conversion circuit which is practical and capable of stable operation. The following measures were taken to achieve this purpose. That is, the single-phase input level conversion circuit according to the present invention includes the first and second drive elements, the first and second load elements, and the auxiliary element as basic constituent elements. The first drive element and the first load element are connected in series with each other between the ground line and the power supply line via the midpoint node. The second drive element and the second
The load elements are connected in series with each other via the output node between the ground line and the power supply line. The auxiliary element is interposed between the power supply line and the midpoint node. In such a configuration, the first drive element operates in response to a low-amplitude single-phase input clock pulse, suppresses the second drive element via the midpoint node, and turns on the second load element to output the output. Raise a high amplitude output clock pulse to the node.
On the other hand, the auxiliary element performs an auxiliary operation accompanying the release of the single-phase input clock pulse, restores the second drive element via the midpoint node, and cuts off the second load element to raise the output clock pulse. Lower.

【0009】本発明の態様によれば、上記の各素子は絶
縁ゲート電界効果型の薄膜トランジスタからなる。この
場合、第1及び第2負荷素子と補助素子は正電源ライン
側に接続されたPチャネルトランジスタからなり、第1
及び第2駆動素子は接地ライン側に接続されたNチャネ
ルトランジスタからなる。あるいは、第1及び第2負荷
素子と補助素子は負電源ライン側に接続されたNチャネ
ルトランジスタからなり、第1及び第2駆動素子は接地
ライン側に接続されたPチャネルトランジスタからなる
ものであっても良い。かかる構成を有する単相入力レベ
ル変換回路は、例えばアクティブマトリクス型液晶表示
装置等により代表される薄膜トランジスタ集積回路装置
に内蔵され、そのクロックインターフェースとして機能
する。なお、本発明にかかる単相入力レベル変換回路を
構成する素子は、薄膜トランジスタに限られるものでは
なく、バルクのシリコンウェハに形成された通常の絶縁
ゲート電界効果型トランジスタであっても良い。又、補
助素子として用いられるトランジスタのサイズは他の素
子に用いられるトランジスタに比べ十分小さなもので良
い。
According to an aspect of the present invention, each of the above elements is an insulated gate field effect thin film transistor. In this case, the first and second load elements and the auxiliary element are P-channel transistors connected to the positive power supply line side.
The second driving element is composed of an N-channel transistor connected to the ground line side. Alternatively, the first and second load elements and the auxiliary element are N-channel transistors connected to the negative power supply line side, and the first and second driving elements are P-channel transistors connected to the ground line side. May be. The single-phase input level conversion circuit having such a configuration is built in a thin film transistor integrated circuit device represented by, for example, an active matrix type liquid crystal display device, and functions as a clock interface thereof. The element constituting the single-phase input level conversion circuit according to the present invention is not limited to the thin film transistor, and may be a normal insulated gate field effect transistor formed on a bulk silicon wafer. Further, the size of the transistor used as the auxiliary element may be sufficiently smaller than the transistors used in other elements.

【0010】[0010]

【作用】本発明によれば、単相入力クロックパルスを用
いて第1駆動素子をスイッチング動作させている。この
第1駆動素子の出力端に接続されている中点ノードに現
われる電位を利用して内部で実効的な反転入力クロック
パルスを形成し、第2駆動素子を抑制制御する事により
増幅された出力クロックパルスを立ち上げている。又、
補助素子を用いて中点ノードを介し第2駆動素子を復帰
制御して出力クロックパルスを立ち下げている。従っ
て、本発明にかかるレベル変換回路は単相入力クロック
パルスに応答して安定且つ高速に出力クロックパルスを
増幅する事ができる。
According to the present invention, the first driving element is switched using the single-phase input clock pulse. An output amplified by controlling the second drive element by forming an effective inverted input clock pulse internally by using the potential appearing at the midpoint node connected to the output terminal of the first drive element. The clock pulse is rising. or,
The auxiliary element is used to control the return of the second drive element via the midpoint node to cause the output clock pulse to fall. Therefore, the level conversion circuit according to the present invention can stably and rapidly amplify the output clock pulse in response to the single-phase input clock pulse.

【0011】[0011]

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図1は本発明にかかる単相入力レベル
変換回路の第1実施例を示す回路図であり、正電源を用
いた場合である。図示する様に、接地ラインと中点ノー
ドAとの間にNチャネル型の第1駆動トランジスタmn
1が接続されている。この第1駆動トランジスタmn1
のゲートには所定のパルス電位VCC(例えば5V)を
有する単相入力クロックパルスφが印加される。正電源
ラインと中点ノードAの間にPチャネル型の第1負荷ト
ランジスタmp1が接続されている。なお正電源電圧V
DDは例えば12Vに設定されている。接地ラインと出
力ノードBとの間にNチャネル型の第2駆動トランジス
タmn2が接続されている。そのゲートは中点ノードA
に接続している。正電源ラインと出力ノードBとの間に
Pチャネル型の第2負荷トランジスタmp2が接続され
ている。この第2負荷トランジスタのゲートも中点ノー
ドAに接続されている。出力ノードBから増幅された出
力クロックパルスQが得られる。最後に、正電源ライン
と中点ノードAとの間にPチャネル型の補助トランジス
タmp3が接続されている。この補助トランジスタのゲ
ートには前述した単相入力クロックパルスφが印加され
る。上述した5個のトランジスタは全て絶縁ゲート電界
効果型の薄膜トランジスタからなる。第1駆動トランジ
スタmn1は、低振幅の単相入力クロックパルスφに応
答して動作し、中点ノードAを介して第2駆動トランジ
スタmn2を抑制する一方、第2負荷トランジスタmp
2を導通させる事により、出力ノードBに高振幅の出力
クロックパルスQを立ち上げる。補助トランジスタmp
3は、単相入力クロックパルスφの解除に伴ない補助動
作し、中点ノードAを介して第2駆動トランジスタmn
2を復帰させる一方、第2負荷トランジスタmp2を遮
断する事により、出力クロックパルスQを立ち下げるも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a single-phase input level conversion circuit according to the present invention, which is a case where a positive power supply is used. As shown, an N-channel first driving transistor mn is provided between the ground line and the midpoint node A.
1 is connected. This first drive transistor mn1
A single-phase input clock pulse φ having a predetermined pulse potential VCC (for example, 5 V) is applied to the gate of the. A P-channel first load transistor mp1 is connected between the positive power supply line and the midpoint node A. Positive power supply voltage V
DD is set to, for example, 12V. An N-channel type second drive transistor mn2 is connected between the ground line and the output node B. The gate is the midpoint node A
Connected to. A P-channel type second load transistor mp2 is connected between the positive power supply line and the output node B. The gate of this second load transistor is also connected to the midpoint node A. The amplified output clock pulse Q is obtained from the output node B. Finally, a P-channel type auxiliary transistor mp3 is connected between the positive power supply line and the midpoint node A. The aforementioned single-phase input clock pulse φ is applied to the gate of this auxiliary transistor. All of the above-mentioned five transistors are thin film transistors of the insulated gate field effect type. The first driving transistor mn1 operates in response to the low-amplitude single-phase input clock pulse φ and suppresses the second driving transistor mn2 via the midpoint node A, while the second load transistor mp1
By making 2 conductive, a high-amplitude output clock pulse Q is raised at the output node B. Auxiliary transistor mp
3 performs an auxiliary operation with the release of the single-phase input clock pulse φ, and the second drive transistor mn via the midpoint node A.
2 is restored, while the second load transistor mp2 is cut off, the output clock pulse Q falls.

【0012】図2は、図1に示した単相入力レベル変換
回路のシュミレーション結果を示す波形図である。この
波形図を参照して、単相入力レベル変換回路の動作を詳
細に説明する。波形図の縦軸は電圧を示し、横軸は時間
を示す。このシュミレーションでは、入力クロックパル
スφの振幅(ピーク電位VCC)を5Vに設定してお
り、パルス幅を約1μsに設定している。又、増幅され
た出力クロックパルスQの振幅VDDは12Vに設定さ
れている。入力クロックパルスφがハイレベルに移行す
るとNチャネル型の第1駆動トランジスタmn1がオン
状態となり、中点ノードAの電位が接地ライン側に降下
する。この時、Pチャネル型の補助トランジスタmp3
には、VDD−VCC=12V−5V=7V程度の電圧
が印加され、閾値レベルを上回るので、若干の電流が流
れる。しかしながら、補助トランジスタmp3のサイズ
は第1駆動トランジスタmn1に比べ十分小さいので、
中点ノードAの電位は接地レベル近くまで降下する。中
点ノードAの電位が接地レベルまで降下すると、Nチャ
ネル型の第2駆動トランジスタmn2がカットオフする
一方、Pチャネル型の第2負荷トランジスタmp2が導
通し、出力ノードBを電源ライン側に持ち上げるので、
出力クロックパルスQが立ち上がる。なおこの時、Pチ
ャネル型の第1負荷トランジスタmp1は非導通状態と
なる。次に、入力クロックパルスφがローレベルに戻る
と、Nチャネル型の第1駆動トランジスタmn1がカッ
トオフする一方、Pチャネル型の補助トランジスタmp
3が導通する。この結果、中点ノードAに所定の電流が
流れ込み、その電位が速やかに電源電圧レベルまで持ち
上がる。従って、第2駆動トランジスタmn2がオン状
態に切り換わる一方、第2負荷トランジスタmp2がカ
ットオフされ、出力ノードBの電位が接地側に降下し、
出力クロックパルスQが立ち下がる。この場合、入力ク
ロックパルスφと出力クロックパルスQとの間に若干の
遅延時間が発生するが、実用上問題のないレベルであ
る。
FIG. 2 is a waveform diagram showing a simulation result of the single-phase input level conversion circuit shown in FIG. The operation of the single-phase input level conversion circuit will be described in detail with reference to this waveform diagram. The vertical axis of the waveform chart shows voltage, and the horizontal axis shows time. In this simulation, the amplitude (peak potential VCC) of the input clock pulse φ is set to 5V and the pulse width is set to about 1 μs. The amplitude VDD of the amplified output clock pulse Q is set to 12V. When the input clock pulse φ shifts to the high level, the N-channel first drive transistor mn1 is turned on, and the potential of the midpoint node A drops to the ground line side. At this time, a P-channel type auxiliary transistor mp3
Is applied with a voltage of about VDD-VCC = 12V-5V = 7V, which exceeds the threshold level, so that a small amount of current flows. However, since the size of the auxiliary transistor mp3 is sufficiently smaller than that of the first driving transistor mn1,
The potential of the midpoint node A drops near the ground level. When the potential of the midpoint node A drops to the ground level, the N-channel type second drive transistor mn2 is cut off, while the P-channel type second load transistor mp2 becomes conductive, and the output node B is raised to the power supply line side. So
The output clock pulse Q rises. At this time, the P-channel first load transistor mp1 is turned off. Next, when the input clock pulse φ returns to the low level, the N-channel first drive transistor mn1 is cut off, while the P-channel auxiliary transistor mp1 is cut off.
3 becomes conductive. As a result, a predetermined current flows into the midpoint node A, and its potential quickly rises to the power supply voltage level. Therefore, while the second drive transistor mn2 is switched to the ON state, the second load transistor mp2 is cut off, and the potential of the output node B drops to the ground side,
The output clock pulse Q falls. In this case, a slight delay time occurs between the input clock pulse φ and the output clock pulse Q, but this is a level that causes no practical problems.

【0013】図3は、本発明にかかる単相入力レベル変
換回路の第2実施例を示す回路図であり、負電源を利用
したものである。接地ラインと中点ノードAとの間にP
チャネル型の第1駆動トランジスタmp1が接続されて
いる。又中点ノードAと負電源ライン(−VSS)との
間にNチャネル型の第1負荷トランジスタmn1とNチ
ャネル型の補助トランジスタmn3が接続されている。
第1駆動トランジスタmp1と補助トランジスタmn3
のゲートには入力クロックパルスφが印加されている。
さらに、接地ラインと出力ノードBとの間にPチャネル
型の第2駆動トランジスタmp2が接続されている。こ
のトランジスタのゲートは第1負荷トランジスタmn1
のゲートに接続されている。出力ノードBと負電源ライ
ンとの間にNチャネル型の第2負荷トランジスタmn2
が接続されている。このトランジスタのゲートは中点ノ
ードAに接続されている。そして、出力端子Bには増幅
された出力クロックパルスQが得られる。本実施例の動
作は、図1に示した実施例と同様であるので容易に理解
されるであろう。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the single-phase input level conversion circuit according to the present invention, which uses a negative power supply. P between the ground line and the midpoint node A
The channel-type first drive transistor mp1 is connected. An N-channel first load transistor mn1 and an N-channel auxiliary transistor mn3 are connected between the midpoint node A and the negative power supply line (-VSS).
First drive transistor mp1 and auxiliary transistor mn3
An input clock pulse φ is applied to the gate of the.
Further, a P-channel type second drive transistor mp2 is connected between the ground line and the output node B. The gate of this transistor is the first load transistor mn1.
Is connected to the gate. An N-channel second load transistor mn2 is provided between the output node B and the negative power supply line.
Are connected. The gate of this transistor is connected to the midpoint node A. Then, the amplified output clock pulse Q is obtained at the output terminal B. The operation of this embodiment is similar to that of the embodiment shown in FIG. 1 and will be easily understood.

【0014】図4は、本発明にかかる単相入力レベル変
換回路の応用例を示すブロック図であり、アクティブマ
トリクス型液晶表示装置のクロックインターフェースと
して利用したものである。図示する様に、アクティブマ
トリクス型液晶表示装置10は、マトリクス状に配列さ
れた液晶画素LCと、個々の液晶画素LCを駆動する為
の薄膜トランジスタTFTとを備えている。なお、液晶
画素LCの両端には付加容量CSが並列接続されてい
る。TFTのゲートはゲートライン11に接続されてお
り、ソースは信号ライン12に接続されており、ドレイ
ンは対応する液晶画素LCの一端に位置する画素電極に
接続されている。液晶画素LCの他端は共通のコモン電
極COMに接続されている。複数のゲートライン11に
は垂直シフトレジスタ13が接続している。又、複数の
信号ライン12には夫々スイッチング素子SWを介して
共通のデータライン14が接続している。このデータラ
イン14には画像信号Vsigが供給される。各スイッ
チング素子SWはゲート回路15を介して水平シフトレ
ジスタ16に接続している。
FIG. 4 is a block diagram showing an application example of the single-phase input level conversion circuit according to the present invention, which is used as a clock interface of an active matrix type liquid crystal display device. As shown in the figure, the active matrix type liquid crystal display device 10 includes liquid crystal pixels LC arranged in a matrix and thin film transistors TFT for driving the individual liquid crystal pixels LC. An additional capacitance CS is connected in parallel to both ends of the liquid crystal pixel LC. The gate of the TFT is connected to the gate line 11, the source is connected to the signal line 12, and the drain is connected to the pixel electrode located at one end of the corresponding liquid crystal pixel LC. The other end of the liquid crystal pixel LC is connected to the common electrode COM in common. A vertical shift register 13 is connected to the plurality of gate lines 11. A common data line 14 is connected to each of the plurality of signal lines 12 via a switching element SW. The image signal Vsig is supplied to the data line 14. Each switching element SW is connected to the horizontal shift register 16 via the gate circuit 15.

【0015】垂直シフトレジスタ13は線順次でゲート
ライン11を選択する。選択されたゲートライン11に
沿ってTFTが導通する。一方水平シフトレジスタ16
はゲート回路15を介して順次スイッチング素子SWを
導通させ、データライン14を介して画像信号Vsig
を各信号ライン12にサンプリング分配する。サンプリ
ングされた画像信号Vsigは導通状態にあるTFTを
介して対応する液晶画素LCに書き込まれ、画像表示が
行なわれる。ゲートライン11の選択が解除されると、
TFTは非導通状態となり、液晶画素LCに書き込まれ
た画像信号は次の選択タイミングまで保持される。
The vertical shift register 13 selects the gate line 11 line by line. The TFT becomes conductive along the selected gate line 11. On the other hand, the horizontal shift register 16
Sequentially turns on the switching element SW through the gate circuit 15, and the image signal Vsig through the data line 14.
Are sampled and distributed to each signal line 12. The sampled image signal Vsig is written in the corresponding liquid crystal pixel LC via the TFT in the conductive state, and image display is performed. When the gate line 11 is deselected,
The TFT becomes non-conductive, and the image signal written in the liquid crystal pixel LC is held until the next selection timing.

【0016】垂直シフトレジスタ13は垂直スタートパ
ルスVSTに応答して起動し、一対の互いに逆相な垂直
クロックパルスVCK1,VCK2に同期して垂直スタ
ートパルスVSTを順次転送し、ゲートライン12を線
順次で選択する。同様に、水平シフトレジスタ16は水
平スタートパルスHSTに応じて起動し、一対の互いに
逆相な水平クロックパルスHCK1,HCK2に同期し
て水平スタートパルスHSTを順次転送し、スイッチン
グ素子SWを駆動する。上述した、垂直スタートパルス
VST、一対の垂直クロックパルスVCK1,VCK
2、水平スタートパルスHST、一対の水平クロックパ
ルスHCK1,HCK2は、夫々対応する単相入力レベ
ル変換回路21〜24により内部的に生成される。本発
明によれば、クロックインターフェースとして単相入力
レベル変換回路21〜24を利用しているので、接続端
子数は4個で済み、従来に比し半減できる。なお、単相
入力レベル変換回路22及び24で互いに逆相のクロッ
クパルスを形成する場合には、内部的にインバータを挿
入すれば良い。これら4個の単相入力レベル変換回路2
1〜24に、タイミングジェネレータ30から夫々適当
な入力クロックパルスφ1〜φ4が供給される。タイミ
ングジェネレータ30もその出力端子数を従来に比し半
減する事ができる。
The vertical shift register 13 is activated in response to the vertical start pulse VST, sequentially transfers the vertical start pulse VST in synchronization with a pair of vertical clock pulses VCK1 and VCK2 having opposite phases, and the gate line 12 is line-sequentially. Select with. Similarly, the horizontal shift register 16 is activated in response to the horizontal start pulse HST, sequentially transfers the horizontal start pulse HST in synchronization with a pair of mutually opposite-phase horizontal clock pulses HCK1 and HCK2, and drives the switching element SW. The vertical start pulse VST and the pair of vertical clock pulses VCK1 and VCK described above.
2. The horizontal start pulse HST and the pair of horizontal clock pulses HCK1 and HCK2 are internally generated by the corresponding single-phase input level conversion circuits 21 to 24, respectively. According to the present invention, since the single-phase input level conversion circuits 21 to 24 are used as the clock interface, the number of connection terminals is only 4, which is half that of the conventional one. When the single-phase input level conversion circuits 22 and 24 form clock pulses having mutually opposite phases, an inverter may be inserted internally. These four single-phase input level conversion circuits 2
1 to 24 are supplied with appropriate input clock pulses φ1 to φ4 from the timing generator 30, respectively. The number of output terminals of the timing generator 30 can be halved compared to the conventional one.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、従
来の二相入力レベル変換回路に補助素子を追加するとい
う単純な構成により単相入力化が可能となり、安定且つ
高速のパルス増幅が行なえるという効果がある。かかる
構成を有する単相入力レベル変換回路を用いる事によ
り、シフトレジスタのスタートパルスの様な単相信号の
レベル変換が容易に実現可能になるという効果がある。
加えて、単相入力レベル変換回路をクロックインターフ
ェースとして用いる事により、従来に比し接続端子数を
削減する事が可能になるという効果がある。
As described above, according to the present invention, single-phase input can be realized by a simple structure in which an auxiliary element is added to the conventional two-phase input level conversion circuit, and stable and high-speed pulse amplification is possible. Is effective. By using the single-phase input level conversion circuit having such a configuration, it is possible to easily realize level conversion of a single-phase signal such as a start pulse of a shift register.
In addition, by using the single-phase input level conversion circuit as the clock interface, it is possible to reduce the number of connection terminals as compared with the conventional case.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかる単相入力レベル変換回路の第1
実施例を示す回路図である。
FIG. 1 is a first single-phase input level conversion circuit according to the present invention.
It is a circuit diagram which shows an Example.

【図2】図1に示した第1実施例のシュミレーション結
果を示す波形図である。
FIG. 2 is a waveform diagram showing a simulation result of the first embodiment shown in FIG.

【図3】本発明にかかる単相入力レベル変換回路の第2
実施例を示す回路図である。
FIG. 3 is a second single-phase input level conversion circuit according to the present invention.
It is a circuit diagram which shows an Example.

【図4】本発明にかかる単相入力レベル変換回路の応用
例を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing an application example of a single-phase input level conversion circuit according to the present invention.

【図5】従来の二相入力レベル変換回路を示す回路図で
ある。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional two-phase input level conversion circuit.

【図6】図5に示した従来例の動作波形図である。6 is an operation waveform diagram of the conventional example shown in FIG.

【図7】従来の単相入力レベル変換回路を示す回路図で
ある。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional single-phase input level conversion circuit.

【図8】図7に示した従来例の動作波形図である。8 is an operation waveform diagram of the conventional example shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

mn1 第1駆動トランジスタ mn2 第2駆動トランジスタ mp1 第1負荷トランジスタ mp2 第2負荷トランジスタ mp3 補助トランジスタ φ 入力クロックパルス Q 出力クロックパルス A 中点ノード B 出力ノード mn1 first drive transistor mn2 second drive transistor mp1 first load transistor mp2 second load transistor mp3 auxiliary transistor φ input clock pulse Q output clock pulse A midpoint node B output node

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 中点ノードを介して互いに直列接続され
た第1駆動素子及び第1負荷素子と、出力ノードを介し
て互いに直列接続された第2駆動素子及び第2負荷素子
と、該中点ノードに接続された補助素子とを有する単相
入力レベル変換回路であって、 前記第1駆動素子は、低振幅の単相入力クロックパルス
に応答して動作し該中点ノードを介して第2駆動素子を
抑制する一方第2負荷素子を導通させる事により該出力
ノードに高振幅の出力クロックパルスを立ち上げ、 前記補助素子は、該単相入力クロックパルスの解除に伴
ない補助動作し該中点ノードを介して第2駆動素子を復
帰させる一方第2負荷素子を遮断する事により該出力ク
ロックパルスを立ち下げるものである単相入力レベル変
換回路。
1. A first drive element and a first load element connected in series with each other through a midpoint node, a second drive element and a second load element connected in series with each other through an output node, and A single-phase input level conversion circuit having an auxiliary element connected to a point node, wherein the first driving element operates in response to a low-amplitude single-phase input clock pulse, By suppressing the second driving element and turning on the second load element, a high-amplitude output clock pulse is raised to the output node, and the auxiliary element performs an auxiliary operation accompanying release of the single-phase input clock pulse. A single-phase input level conversion circuit that causes the output clock pulse to fall by shutting off the second load element while restoring the second drive element via the midpoint node.
【請求項2】 前記の各素子は絶縁ゲート電界効果型の
薄膜トランジスタである請求項1記載の単相入力レベル
変換回路。
2. The single-phase input level conversion circuit according to claim 1, wherein each of the elements is an insulated gate field effect thin film transistor.
【請求項3】 第1及び第2負荷素子と補助素子は正電
源ライン側に接続されたPチャネルトランジスタからな
り、第1及び第2駆動素子は接地ライン側に接続された
Nチャネルトランジスタからなる請求項2記載の単相入
力レベル変換回路。
3. The first and second load elements and the auxiliary element are P-channel transistors connected to the positive power supply line side, and the first and second driving elements are N-channel transistors connected to the ground line side. The single-phase input level conversion circuit according to claim 2.
【請求項4】 第1及び第2負荷素子と補助素子は負電
源ライン側に接続されたNチャネルトランジスタからな
り、第1及び第2駆動素子は接地ライン側に接続された
Pチャネルトランジスタからなる請求項2記載の単相入
力レベル変換回路。
4. The first and second load elements and the auxiliary element are N-channel transistors connected to the negative power supply line side, and the first and second driving elements are P-channel transistors connected to the ground line side. The single-phase input level conversion circuit according to claim 2.
【請求項5】 薄膜トランジスタ集積回路装置に内蔵さ
れ、そのクロックインターフェースとして機能する請求
項2記載の単相入力レベル変換回路。
5. The single-phase input level conversion circuit according to claim 2, which is built in a thin film transistor integrated circuit device and functions as a clock interface thereof.
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