[go: up one dir, main page]

JPH0621003A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH0621003A
JPH0621003A JP20044892A JP20044892A JPH0621003A JP H0621003 A JPH0621003 A JP H0621003A JP 20044892 A JP20044892 A JP 20044892A JP 20044892 A JP20044892 A JP 20044892A JP H0621003 A JPH0621003 A JP H0621003A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
electromagnetic wave
window portion
monitor window
monitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20044892A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Deguchi
洋一 出口
Shiro Koyama
士郎 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP20044892A priority Critical patent/JPH0621003A/ja
Publication of JPH0621003A publication Critical patent/JPH0621003A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 モニター用窓部からの電磁波の漏洩を効果的
に防止することができるプラズマ処理装置を提供するこ
と。 【構成】 プロセスチャンバー10の側面部にはモニタ
ー用窓孔38が形成され、プラズマ発光モニター用のモ
ニター用窓部40が設けられる。モニター用窓部40は
プラズマ発光を透過できる透光性部材42及び電磁波シ
ールド50より構成される。電磁波シールド50は導電
性材料により多孔状又はメッシュ状に形成され、接続端
子52、圧着端子54により、接地されたプロセスチャ
ンバー10に接続される。従って、プラズマ発光を透過
させるとともに、プロセスチャンバー10内で発生した
電磁波が外部に漏洩することを有効に防止できる。ま
た、電磁波シールド50の接続端子56には、DC電源
58が接続され、これにより通電可能となっているた
め、ヒーターとして兼用することができ、これにより、
透光性部材42の内側面41への膜付着を有効に防止で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ発光のモニタ
ー用窓に、電磁波シールドを設けたプラズマ処理装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体素子製造装置の1つであ
る平行平板形プラズマエッチング装置では、平行電極間
に高周波のRF電源を付加することによりプラズマを形
成し、このプラズマにより、ウエハのエッチング処理を
行っている。
【0003】ところで、この種の装置では、プラズマ処
理終点の検出及びプラズマ処理の進行状況のモニターを
行うことが、その後の動作を行う上で不可欠となってい
る。そこで、プラズマが生成されるプロセスチャンバー
に透光性のモニター用窓部を設け、このモニター用窓部
に臨んでプラズマ処理終点検出装置(EPD)を設けて
いる。そして、このEPDによりプラズマ発光強度を検
出し、例えばプラズマ定常状態における発光強度を10
0%とした場合に、これが60%に低下したポイントを
プラズマ処理終点として検出している。
【0004】また、このモニター用窓部を用いて、例え
ば装置内のプラズマの発光スペクトル強度を検出して、
この発光スペクトル強度に基づいてプラズマを生成する
パラメータ群を制御し、プラズマ状態を制御できるプラ
ズマ処理装置も提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
モニター用窓部は石英ガラス等で形成されるため、プラ
ズマの発光スペクトルを透過させると共に、処理装置内
で生じた電磁波をも透過させてしまう。従って、例えば
平行平板形プラズマ処理装置では、平行平板間に付加さ
れるRF電源により生じた13.56MHz、40MH
zといった高周波及びそれらの高周波の高調波等の電磁
波が、このモニター用窓部から大量に漏洩することとな
る。そしてこの漏洩した電磁波は、プロセスチャンバー
の外部にある各種の機器に、誤動作等の各種の悪影響を
与えていることが判明した。
【0006】図5にこの様子が示される。図5は、プラ
ズマ処理装置の一例を示す概略説明図である。同図にお
いて、ウエハのエッチング等の処理を行うプロセスチャ
ンバー10が設けられ、このプロセスチャンバー10の
両側には、処理されるウエハをこのプロセスチャンバー
10に真空状態にて搬入、搬出するためのロードロック
室72、アンロードロック室74がゲートバルブを介し
て配置される。また、プロセスチャンバー10には前記
したモニター用窓部40が設けられ、このモニター用窓
部40より透過されたプラズマの発光スペクトルを検出
する検出系82が配置されている。なお、符号84、8
6は装置の電源系であり、符号88、90は装置のセン
サー系である。そして、符号92はこの装置の操作系で
あり、装置の操作用、制御用の各種の基板を内蔵してい
る。
【0007】このようなプラズマ処理装置にて、前記し
たようにモニター用窓部40より漏洩した高周波の電磁
波は、センサー系88、90、また、操作系92に内蔵
される操作用、制御用の基板にノイズとして伝搬し、装
置の誤動作等の大きな原因となっていた。また、この電
磁波は、例えば操作系92と、電源系84、86間の信
号配線上にもノイズとして伝搬して、誤動作等を引き起
こしていた。
【0008】更に、この漏洩した高周波の電磁波は、検
出系82により検出されるプラズマの発光スペクトルの
上にもノイズとしてのってしまう。この様子が図5に模
式的に示される。図5は、EPDに入力される発光スペ
クトルにおける特定波長の、プラズマ発光強度の時間的
変化を示す特性図である。プラズマ処理の終点検出は前
記したように、プラズマ定常状態における発光強度を1
00%とした場合に(時間t1)、これが60%に低下
したポイント(時間t2)をプラズマ処理終点として検
出する。ところが、このプラズマの発光スペクトルに
は、同図に示されるように、モニター用窓部40より漏
洩した高周波の電磁波がノイズとしてのってしまう。従
って、発光強度が60%に低下する前に、プラズマ処理
の終点位置を誤って検出してしまうことがあり、これに
より、被処理体の処理のバラツキが生じていた。
【0009】また、モニター用窓部40のプロセスチャ
ンバー10側の内側面には、プラズマ処理をするごとに
プラズマより生成された物質が膜付着してしまう。これ
により、検出されるプラズマの発光スペクトル強度の絶
対値が、処理をするごとに相対的に低下してしまい、更
には、EPDのプラズマ発光をモニターすることができ
なくなるといった事態が頻繁に生じた。
【0010】そこで、本発明の目的とするところは、モ
ニター用窓部からの電磁波の漏洩を効果的に防止するこ
とができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に係るプラズマ処理装置は、処理室に処理
ガスを導入し、プラズマを生成して被処理体を処理する
プラズマ処理装置において、前記処理室に設けられ、前
記プラズマ発光を外部に透過させてモニターするモニタ
ー用窓部と、前記モニター用窓部に設けられた、導電性
材料により多孔状又はメッシュ状に形成することにより
モニター用窓部より漏洩する電磁波をシールドする電磁
波シールドと、を備えたことを特徴とする。
【0012】また、請求項2の発明は、処理室に処理ガ
スを導入し、プラズマを生成して被処理体を処理するプ
ラズマ処理装置において、前記処理室に設けられ、前記
プラズマ発光を外部に透過させてモニターするモニター
用窓部と、前記モニター用窓部に設けられた、発熱体で
あるとともに導電性材料であり、かつ多孔状又はメッシ
ュ状に形成することによりモニター用窓部より漏洩する
電磁波をシールドする電磁波シールドと、前記電磁波シ
ールドに通電する通電手段と、を備えたことを特徴とす
る。
【0013】また、請求項3の発明は、処理室に処理ガ
スを導入し、プラズマを生成して被処理体を処理するプ
ラズマ処理装置において、前記処理室に設けられ、前記
プラズマ発光を外部に透過させてモニターするモニター
用窓部と、前記モニター用窓部に設けられた電磁シール
ドガラスと、を備えたことを特徴とする。
【0014】
【作用】請求項1から請求項3の発明によれば、処理室
内にて生成されたプラズマのプラズマ発光を、プラズマ
処理終点の検出、プラズマ状態の制御のために、処理室
に設けられたモニター用窓部より透過させることができ
る。
【0015】また、請求項1の発明ではこのモニター用
窓部に多孔状又はメッシュ状の電磁波シールドが設けら
れている。従って、モニター用窓部を透過するプラズマ
発光は、そのまま電磁波シールドの多孔状又はメッシュ
状の穴より透過することができる。そして、このように
電磁波シールドはプラズマ発光を透過できるにもかかわ
らず、その材質が導電性材料により形成されるため、処
理室内で生成される電磁波が、処理室の外部へ漏洩する
ことを有効に防止することができる。
【0016】また、請求項2においては、前記電磁波シ
ールドを通電手段により通電することができる。これに
より、電磁波シールドを加熱することができ、電磁波シ
ールドが設けられているモニター用窓部を加熱すること
ができる。その結果、モニター用窓部に膜付着した物質
を有効に除去することができる。
【0017】また、請求項3の発明によれば、高い透光
性と高い電磁波シールド効果をプラズマ発光のモニター
用窓部にもたせている。従って、処理室内で発生した電
磁波が、外部に漏洩するのを有効に防止できる。
【0018】
【実施例】以下、本発明を平行平板型プラズマエッチン
グ装置に適用した一実施例について図面を参照して具体
的に説明する。
【0019】まず、平行平板型プラズマエッチング装置
の概略について、図2を参照して説明する。
【0020】同図において、ガス排気孔14により真空
引きが可能であり、かつ、ガス導入孔12によりエッチ
ングガスの導入が可能なプロセスチャンバー10内部に
は、ウエハ20を載置しかつ昇降可能な下部載置電極2
2が設けられている。ここで、プロセスチャンバー10
は例えば導電性の高いアルミ製材料により形成され、そ
の内側上部には、同じく導電性の高い例えばアルミ製材
料により形成された上部電極16が設けられている。
【0021】下部載置電極22の下部には、ベローズ2
4が設けられ、これにより電極間距離を所定に設定する
ために下部載置電極22を昇降させても、プロセスチャ
ンバー10内は外部の大気から気密状態に維持できる。
また、この下部載置電極22には周波数例えば13.5
6MHz、または40MHzの高周波電力を出力するR
F電源26が接続され、一方前記プロセスチャンバー1
0に設けられた上部電極16は接地されることで、カソ
ードカップリング(RIE)方式の平行平板電極を構成
している。従って、RF電源26をONし、かつプロセ
スガスを導入することで、この平行平板電極間で前記ウ
エハ20に臨んでプラズマを生成することができる。
【0022】なお、本実施例では、上部電極16には複
数のガス噴出孔18が設けられている。従って、ガス導
入孔12より導入されたプラズマ生成ガスは、この複数
のガス噴出孔18より均等に噴出されることとなり、上
部電極16の下方において均一なプラズマを安定して生
成することができる。
【0023】図2に示すように、モニター用窓穴38
は、プロセスチャンバー10の側面部であり、プラズマ
が生成される高さ位置付近に例えば円形形状に形成され
る。そして、モニター用窓部40は、このモニター用窓
穴38の位置に図1に示すように設けられる。
【0024】モニター用窓部40は、プロセスチャンバ
ー10内で生成されたプラズマのプラズマ発光を透過さ
せるためのものであり、透光性部材42、ホルダー部材
44、電磁波シールド50を備える。
【0025】透光性部材42は、プラズマ発光の波長を
透過させることができる部材例えば石英ガラスなどによ
り形成される。特に透光性部材42の内側面41は、高
温でプラズマ処理を行っているプロセスチャンバー10
の内側面側に露出しているため、耐熱性がありコンタミ
ネーションが発生しにくい材質で形成することが望まし
い。この透光性部材42は例えば段差面42aを有する
円柱状に形成され、その先端部の側面がモニター用窓穴
38に嵌合するように加工され、モニター用窓穴38に
はめ込まれる。この時、プロセスチャンバー10又は透
光性部材42の段差面42aのいずれか一方に0リング
用溝を設け、0リング47を介在させて機密シール性を
確保する。さらにこの場合、透光性部材42の内側面4
1は、プロセスチャンバー10の内側面と面一となるよ
うに形成することが望ましい。プロセスチャンバー10
の内側面に凹凸があると、異常放電が生じてプラズマの
安定した生成を妨害するおそれがあるからである。
【0026】透光性部材42の外側面43には、例えば
円盤状に形成された電磁波シールド50が当接される。
そして、この電磁波シールド50の外側には、モニター
用窓穴38に対応して窓穴45が形成された絶縁性のホ
ルダー部材44が設けられており、このホルダー部材4
4は、例えばネジ46によりプロセスチャンバー10の
外壁に固定される。従って、電磁波シールド50は、そ
の周辺部を、透光性部材42と絶縁部材44とにより圧
接されることにより、固定されることとなる。
【0027】電磁波シールド50は、例えばニクロム線
(NiーCu)、または、鉄(Fe)とクロム(Cr)
とアルミニウム(Al)の合金線であるカンタル(商品
名)などにより例えば5〜10mm程度の透過孔を多孔
状又はメッシュ状に形成して構成されている。そして、
この電磁波シールド50の一端には接続端子52が設け
られ、接地したプロセスチャンバー10に設けられた圧
着端子54に接続される。この結果、電磁波シールド5
0は接地されることになる。また、電磁波シールド50
の他端には、接続端子56が更に設けられており、この
接続端子56は、DC電源58に接続される。これによ
り、電磁波シールド50に通電可能としている。
【0028】電磁波シールド50には、多孔状又はメッ
シュ状に形成されることでプラズマ発生の透過孔が確保
される。このように電磁波シールドは、プラズマ発光を
透過できるにもかかわらず、その材質が接地された導電
性材料例えば前記したようなニクロム線、カンタル等に
より形成されるため、処理室内で生成された電磁波が、
処理室の外部へ漏洩することを有効に防止することがで
きる。特に、FeやNiは強磁性体であるため、電磁波
シールドの材料として好適のものである。
【0029】本実施例では、この電磁波シールド50
を、電磁波の漏洩防止手段として使用するのみならず、
モニター用窓部40の加熱手段として兼用している。こ
のような加熱手段を設けるのは、プラズマの生成により
生じたガス例えばフッソ系のガスであるCF4 が、透光
性部材42の内側面41に膜付着するのを防止するため
である。このような物質が膜付着すると、透光性部材4
2の透過率が下がり、このモニター用窓部40の外部に
ある検出系に入力されるプラズマ発光強度の絶対値が減
少してしまう。そして検出されるプラズマ発光強度の絶
対値が減少すれば、検出値に対する雑音余裕度が下が
り、これにより検出系が誤動作する確率も大きくなって
しまう。特に、このようなモニター用窓部のあるプラズ
マ処理装置を何度も使用していると、膜付着される物質
の量が経時的に増加してゆき、最終的には、検出系によ
る検出が不可能となるといった事態も生じていた。
【0030】このように膜付着した物質の除去を、従来
は、プロセスチューブ10内のメインテナンス時に行っ
ていた。これを、本実施例では、モニター用窓部40に
加熱手段を設けて、透光性部材42を加熱することで、
このような物質が膜付着することを防止している。特
に、本実施例では、電磁波シールド50を加熱手段とし
て兼用しているため、あらたに、加熱するための機器を
設ける必要がない。つまり、本実施例では、前述したよ
うに、DC電源58により、電磁波シールド50が接地
されたプロセスチューブ10に向かって通電可能となる
ように構成されている。しかも、電磁波シールド50を
形成する材質として、抵抗率が高く、電熱線とし最適な
材質例えばニクロム線、カンタル等を使用している。従
って、電磁波シールド50を、電磁波の漏洩防止に用い
るとともに、DC電源58による通電により、透光性部
材42のヒータとしても有効に用いることができること
となる。
【0031】なお、この場合の透光性部材42の加熱温
度としては、フッソ系のガス例えばCF4 による膜付着
を有効に防止するためには、140〜160℃の温度が
最適となる。
【0032】以上のように、本実施例によれば、プロセ
スチャンバー10内で生じた電磁波の漏洩を有効に防止
できると共に、透光性部材42の内側面41への膜付着
を有効に防止できる。これにより、図6に示す装置に本
実施例を適用すると、モニター用窓部40より漏洩した
電磁波がセンサー系88、90、操作系92に内蔵され
る基板、配線などにノイズとして伝搬することを有効に
防止することができ、装置の誤動作を防止できる。更
に、例えば検出系82がプラズマ処理終点検出装置(E
PD)である場合、漏洩した電磁波がノイズとして図5
に示すようにプラズマ発光スペクトル上に伝搬すること
も有効に防止できる。従って、例えば図5のt2 に至る
前に、プラズマ処理終点を検出して、装置が誤動作する
といった事態も有効に防止できる。この点、本実施例で
は、電磁波シールド50を膜付着防止用のヒーターと兼
用しているため、膜付着により発光スペクトル強度の絶
対値が減少し、これにより雑音余裕度がなくなるといっ
た事態も有効に防止できる。従って、更に効果的に装置
の誤動作を防ぐことが可能となる。
【0033】図3に、本実施例の第2の実施例について
示す。この変形例では、電磁波シールド50の中央部
に、多孔状、メッシュ状の透過孔とともに、これらの透
過孔の径よりも大きい径の透過用中央孔60を設けたも
のである。これにより、検出系30、集光レンズ32に
よるプラズマ発光の検出を、更に確実に行うことができ
る。
【0034】図4に第3の実施例について示す。図2お
よび図3と同一部分については同一番号を付して説明を
省略する。
【0035】電磁波シールドガラスは、導電性金属例え
ばニッケル、アルミニウムをめっきしたポリエステルネ
ット100を2枚の無色透明の高分子樹脂よりなる中間
膜102,102ではさみ込む構造となっている。また
モニター用窓部は上記電磁波シールドガラスを両面より
石英ガラス42,104によりはさみ込まれた構造とな
っている。
【0036】この電磁波シールドガラスの機能として
は、高い透視性と高い電磁波シールド効果とを合わせ持
っている。この透視性については、モニター窓40を通
してプロセスチャンバー10内のプラズマ発光が十分可
視光領域で視認できると共に、さらに十分なプラズマ発
光を前記可視光領域の外側の領域も含めてモニターする
透過光量が得られる。電磁波シールドについては、電界
・平面波におけるMHZ帯の全領域において40dB以
上のシールド効果がある。特に半導体製造装置で用いる
RF電源26より出力される13.56MHZおよび4
0MHZの高周波およびこれらの高周波の高調波につい
て高いシールド効果がある。
【0037】また、前記電磁波シールドガラスによれ
ば、導電性ネットを2枚の無色透明の中間膜ではさみ込
んだ構造となっているので、酸化による金属ネットの経
年変化を引き起こすおそれがない。
【0038】その他の実施例としては、モニター用窓部
の40に用いられる石英ガラスの窓に、CVD法により
酸化すず(SnO2 )をコーティングして電磁波シール
ドガラスを構成することができる。
【0039】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。
【0040】本発明が適用されるプラズマ処理装置とし
ては、上述した平行平板型プラズマエッチング装置に限
らず、他の方式のプラズマエッチング装置であってもよ
い。従って、例えばECRエッチング装置、反応性イオ
ンエッチング装置、直交する電界及び磁界を形成してプ
ラズマを生成する、磁場アシストのマグネトロンエッチ
ング装置でもよい。さらに処理の種類としてもエッチン
グに限らず、例えばCVDなどの成膜装置やスパッタ装
置、アッシング装置等の他のプラズマ処理装置にも同様
に適用することも可能である。
【0041】また、本実施例において、電磁波シールド
50をヒーターとして兼用する場合には、ホルダー部材
44を絶縁部材で形成したが、電磁波シールド50をヒ
ーターとして兼用しない場合には、ホルダー部材44を
必ずしも絶縁部材とする必要はない。さらに、電磁波シ
ールド50をヒーターとして兼用しない場合には、ホル
ダー部材の材質としては、通電による発熱効果が低い金
属でもよく、少なくとも電磁波シールドできる材質であ
ればよい。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように請求項1の発明によ
れば、モニター用窓部及び電磁波シールドは、処理室内
にて生成されたプラズマのプラズマ発光を、多孔状又は
メッシュ状の透過孔より透過させることができるので、
処理室内で発生した電磁波が、外部に漏洩するのを有効
に防止できる。従って、この電磁波により外部に設けら
れた機器等が誤動作したり、また、プラズマ発光の検出
を誤ったりすることを有効に防止できる。
【0043】また、請求項2の発明においては、前記電
磁波シールドをヒーターとして兼用しているため、モニ
ター用窓部に膜付着した物質を有効に除去できる。従っ
て、経時的な膜付着により検出が不可能となるといった
事態を有効に防止できる。
【0044】また、請求項3の発明によれば、高い透光
性と高い電磁波シールド効果をプラズマ発光のモニター
用窓部にもたせることができるので、処理室内で発生し
た電磁波が、外部に漏洩するのを有効に防止できる。従
って、この電磁波により外部に設けられた機器等が誤動
作したり、また、プラズマ発光の検出を誤ったりするこ
とを有効に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である平行平板型プラズマ処
理装置のモニター用窓部について説明するための概略説
明図である。
【図2】本発明の一実施例である平行平板型プラズマ処
理装置の概略説明図である。
【図3】本発明の第2の実施例について示す概略説明図
である。
【図4】本発明の第3の実施例について示す概略説明図
である。
【図5】プラズマ処理終点検出装置に入力されるプラズ
マの発光強度の時間的変化を示す特性図である。
【図6】プロセスチャンバーの外側にある機器の配置の
一例について示す概略説明図である。
【符号の説明】
10 プロセスチャンバー 16 上部電極 20 ウエハ 22 下部載置電極 26 RF電源 40 モニター用窓部 42 透光性部材 50 電磁波シールド 58 DC電源 60 透過用中央孔 100 ポリエステルネット 102 中間膜 104 石英ガラス

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理室に処理ガスを導入し、プラズマを
    生成して被処理体を処理するプラズマ処理装置におい
    て、 前記処理室に設けられ、前記プラズマ発光を外部に透過
    させてモニターするモニター用窓部と、 前記モニター用窓部に設けられた、導電性材料により多
    孔状又はメッシュ状に形成することによりモニター用窓
    部より漏洩する電磁波をシールドする電磁波シールド
    と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項2】 処理室に処理ガスを導入し、プラズマを
    生成して被処理体を処理するプラズマ処理装置におい
    て、 前記処理室に設けられ、前記プラズマ発光を外部に透過
    させてモニターするモニター用窓部と、 前記モニター用窓部に設けられ、発熱体であるとともに
    導電性材料であり、かつ多孔状又はメッシュ状に形成す
    ることによりモニター用窓部より漏洩する電磁波をシー
    ルドする電磁波シールドと、 前記電磁波シールドに通電する通電手段と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 【請求項3】 処理室に処理ガスを導入し、プラズマを
    生成して被処理体を処理するプラズマ処理装置におい
    て、 前記処理室に設けられ、前記プラズマ発光を外部に透過
    させてモニターするモニター用窓部と、 前記モニター用窓部に設けられた電磁シールドガラス
    と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
JP20044892A 1992-07-03 1992-07-03 プラズマ処理装置 Pending JPH0621003A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20044892A JPH0621003A (ja) 1992-07-03 1992-07-03 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20044892A JPH0621003A (ja) 1992-07-03 1992-07-03 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0621003A true JPH0621003A (ja) 1994-01-28

Family

ID=16424475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20044892A Pending JPH0621003A (ja) 1992-07-03 1992-07-03 プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0621003A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08327919A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Anelva Corp ビューイングポート及びビューイングポート用補助透光体
US6758941B1 (en) * 1999-06-02 2004-07-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing unit, window member for plasma processing unit and electrode plate for plasma processing unit
KR100596324B1 (ko) * 2004-08-27 2006-07-06 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR101682197B1 (ko) * 2015-05-23 2016-12-01 주식회사 리드텍 방탄형 전자기파 차폐창
WO2018191704A1 (en) * 2017-04-14 2018-10-18 Ioneer, Llc Method and system for measuring plasma emissions in a plasma processing reactor
CN111096080A (zh) * 2017-08-14 2020-05-01 株式会社国际电气 等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置
KR20220137250A (ko) * 2021-04-02 2022-10-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08327919A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Anelva Corp ビューイングポート及びビューイングポート用補助透光体
US6758941B1 (en) * 1999-06-02 2004-07-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing unit, window member for plasma processing unit and electrode plate for plasma processing unit
KR100596324B1 (ko) * 2004-08-27 2006-07-06 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR101682197B1 (ko) * 2015-05-23 2016-12-01 주식회사 리드텍 방탄형 전자기파 차폐창
WO2018191704A1 (en) * 2017-04-14 2018-10-18 Ioneer, Llc Method and system for measuring plasma emissions in a plasma processing reactor
CN110520959A (zh) * 2017-04-14 2019-11-29 艾尼尔有限公司 测量等离子体处理反应器中的等离子体辐射的方法和系统
CN111096080A (zh) * 2017-08-14 2020-05-01 株式会社国际电气 等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置
KR20220137250A (ko) * 2021-04-02 2022-10-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100545034B1 (ko) 플라즈마처리장치 및 시료의 처리방법
JP3773189B2 (ja) 窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置
US6796269B2 (en) Apparatus and method for monitoring plasma processing apparatus
US20160372933A1 (en) Method of Detecting Plasma Discharge in a Plasma Processing System
WO2011013702A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2007004576A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11164730B2 (en) Plasma probe device and plasma processing apparatus
CN110770880B (zh) 等离子处理装置
JPH0621003A (ja) プラズマ処理装置
JP3643540B2 (ja) プラズマ処理装置
US20090050052A1 (en) Plasma processing apparatus
TW202109666A (zh) 電漿處理裝置
KR101020075B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
JP2003273088A (ja) プラズマリーク検出装置及び処理システム
TWI837393B (zh) 第一導電性構件與第二導電性構件之接合構造與接合方法及基板處理裝置
JP4109020B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2000164392A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
US6228210B1 (en) Surface wave coupled plasma etching apparatus
JP3727620B2 (ja) 計測用窓部を備えたプラズマ処理装置
US12334319B2 (en) Physical vapor deposition (PVD) with target erosion profile monitoring
JP4018959B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2623827B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP4098711B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2008018295A1 (fr) Procédé de traitement d'un substrat et appareil de traitement d'un substrat
JP2025113774A (ja) 基板処理装置及び電磁波漏洩防止方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000208