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JPH06258145A - Temperature monitor circuit - Google Patents

Temperature monitor circuit

Info

Publication number
JPH06258145A
JPH06258145A JP7527693A JP7527693A JPH06258145A JP H06258145 A JPH06258145 A JP H06258145A JP 7527693 A JP7527693 A JP 7527693A JP 7527693 A JP7527693 A JP 7527693A JP H06258145 A JPH06258145 A JP H06258145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature monitor
potential
temperature
transistor
monitor circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7527693A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noboru Shiozawa
昇 塩沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7527693A priority Critical patent/JPH06258145A/en
Publication of JPH06258145A publication Critical patent/JPH06258145A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プロセスバラツキにともなう温度モニタ回路
の温度識別点の変化を抑制し、温度モニタ回路を含む自
動電源切断機構等の動作を安定化する。 【構成】 トランジスタT1 及び抵抗R2 からなり抵抗
1 に電流I1 を流すことで所定の基準電位VR を形成
する第1の定電流源と、トランジスタT2 及び抵抗R3
からなり温度検出素子となるダイオードD1 〜D3 に電
流I2 を流すことで温度モニタ電位VD を形成する第2
の定電流源と、基準電位VR 及び温度モニタ電位VD
受ける差動増幅回路DAとを含む温度モニタ回路に、抵
抗R4 及びR5 を含む電流帰還径路を設ける。これによ
り、ダイオードの飽和電流の変化にともなう温度モニタ
電位VD の電位変化量の傾斜をなだらかにし、基準電位
R及び温度モニタ電位VD の差分つまりは温度モニタ
回路全体としての電位変化量をながらかにして、その温
度識別点の変化を抑制することができる。
(57) [Abstract] [Purpose] To suppress the change of the temperature identification point of the temperature monitor circuit due to the process variation and stabilize the operation of the automatic power-off mechanism including the temperature monitor circuit. [Structure] A first constant current source composed of a transistor T 1 and a resistor R 2, which forms a predetermined reference potential V R by flowing a current I 1 through the resistor R 1 , and a transistor T 2 and a resistor R 3.
Second , which forms the temperature monitor potential V D by flowing the current I 2 through the diodes D 1 to D 3 which are composed of
Of a constant current source, the temperature monitor circuit including a differential amplifier circuit DA for receiving a reference potential V R and the temperature monitor potential V D, providing a current feedback path comprising a resistor R 4 and R 5. As a result, the gradient of the amount of change in the temperature monitor potential V D due to the change in the saturation current of the diode is made gentle, and the difference between the reference potential V R and the temperature monitor potential V D , that is, the amount of change in the potential of the temperature monitor circuit as a whole. On the other hand, it is possible to suppress the change in the temperature identification point.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は温度モニタ回路に関
し、例えば、コンピュータシステムの自動電源切断機構
に含まれる温度モニタ回路に利用して特に有効な技術に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature monitor circuit, and more particularly to a technique which is particularly effective when used in a temperature monitor circuit included in an automatic power-off mechanism of a computer system.

【0002】[0002]

【従来の技術】ダイオード又はトランジスタ(この明細
書では、バイポーラトランジスタのことを単にトランジ
スタと略称する)の順方向電圧又はベースエミッタ電圧
がその接合温度に従って変化することを利用して、装置
内温度を監視する温度モニタ回路がある。また、温度モ
ニタ回路を含み、冷却装置等の故障によって装置内温度
が異常に上昇したことを識別して自動的に電源を切断す
る自動電源切断機構があり、自動電源切断機構を備える
コンピュータシステムがある。
2. Description of the Related Art The forward temperature or the base-emitter voltage of a diode or a transistor (in this specification, a bipolar transistor is simply referred to as a transistor) is changed according to its junction temperature to control the temperature inside the device. There is a temperature monitor circuit to monitor. In addition, there is an automatic power-off mechanism that includes a temperature monitoring circuit and automatically turns off the power by identifying that the temperature inside the device has abnormally increased due to a failure of the cooling device, etc. is there.

【0003】自動電源切断機構を備えるコンピュータシ
ステムならびにその統合運転管理について、例えば、1
991年、株式会社日立製作所発行の『HITAC M
880 プロセッサグループ カタログ』第15頁等に
記載されている。
Regarding a computer system having an automatic power-off mechanism and its integrated operation management, for example, 1
In 991, "HITAC M" issued by Hitachi, Ltd.
880 Processor Group Catalog ", page 15, etc.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本願発明者等は、この
発明に先立って、上記に記載されるコンピュータシステ
ムの自動電源切断機構に使用する温度モニタ回路とし
て、図5のような温度モニタ回路を開発した。同図にお
いて、温度モニタ回路は、そのベースに所定の定電圧V
CSを受けそのエミッタが抵抗R2 を介して電源電圧VEE
に結合されることで定電流源として作用するトランジス
タT1 と、そのベースに定電圧VCSを受けそのエミッタ
が抵抗R3 を介して電源電圧VEEに結合されることで同
様に定電流源として作用するトランジスタT2 とを含
む。トランジスタT1 及び抵抗R2 からなる定電流源
は、抵抗R1 に所定の電流I1 を流して所定の基準電位
R を形成する。また、トランジスタT2 及び抵抗R3
からなる定電流源は、直列形態とされる3個のダイオー
ドD1 〜D3 に所定の電流I2 を流して温度モニタ電位
Dを形成する。基準電位VR は、差動増幅回路DAの
反転入力端子−に供給され、温度モニタ電位VD はその
非反転入力端子+に供給される。
Prior to the present invention, the inventors of the present application implemented a temperature monitor circuit as shown in FIG. 5 as a temperature monitor circuit used in the automatic power-off mechanism of the computer system described above. developed. In the figure, the temperature monitor circuit has a base with a predetermined constant voltage V.
It receives CS and its emitter is supplied with a power supply voltage V EE via a resistor R 2.
Similarly, the transistor T 1 acting as a constant current source by being coupled to the constant current source and the base of which receives the constant voltage V CS and the emitter of which is coupled to the power source voltage V EE via the resistor R 3 are also the constant current source. And a transistor T 2 acting as. The constant current source composed of the transistor T 1 and the resistor R 2 supplies a predetermined current I 1 to the resistor R 1 to form a predetermined reference potential V R. Also, the transistor T 2 and the resistor R 3
The constant current source consisting of 3 supplies a predetermined current I 2 to the three diodes D 1 to D 3 in series to form the temperature monitor potential V D. The reference potential V R is supplied to the inverting input terminal − of the differential amplifier circuit DA, and the temperature monitor potential V D is supplied to its non-inverting input terminal +.

【0005】ここで、基準電位VR は、 VR =VCC−I1 1 として得られる。また、電流I1 は、トランジスタT1
のベースエミッタ電圧をVBE1 とするとき、 I1 =(Vcs−VBE1 −VEE)/R2 となることから、上記基準電位VR は、
Here, the reference potential V R is obtained as V R = V CC -I 1 R 1 . In addition, the current I 1 is applied to the transistor T 1
When the base-emitter voltage of V BE1 is V BE1 , I 1 = (Vcs−V BE1 −V EE ) / R 2 is satisfied. Therefore, the reference potential V R is

【数1】 VR =VCC−(R1 /R2 )(Vcs−VBE1 −VEE) となる。[Number 1] V R = V CC - the (R 1 / R 2) ( Vcs-V BE1 -V EE).

【0006】一方、温度モニタ電位VD は、ダイオード
1 〜D3 の順方向電圧をVF とするとき、 VD =VCC−3VF として得られる。また、ダイオードD1 〜D3 の順方向
電圧VF は、周知のように、その飽和電流をIS とする
とき、 VF =(kT/q)(lnI2 −lnIS ) となり、この数式の順方向電流I2 は、トランジスタT
2 のベースエミッタ電圧をVBE2 とするとき、 I2 =(Vcs−VBE2 −VEE)/R3 となることから、上記温度モニタ電位VD は、
On the other hand, the temperature monitor potential V D is obtained as V D = V CC -3V F when the forward voltage of the diodes D 1 to D 3 is V F. Further, as is well known, the forward voltage V F of the diodes D 1 to D 3 is V F = (kT / q) (lnI 2 −lnI S ) when its saturation current is I S , and this formula Forward current I 2 of transistor T
When the base-emitter voltage of 2 is V BE2 , I 2 = (Vcs−V BE2 −V EE ) / R 3 is obtained. Therefore, the temperature monitor potential V D is

【数2】 VD =VCC−3(kT/q)[ln{(Vcs−VBE2 −VEE)/R3 } −lnIS ] となる。なお、上式のkはボルツマン定数であり、qは
電子の電荷量であって、Tは、絶対温度表示によるダイ
オードD1 〜D3 の接合温度つまりはこの温度モニタ回
路が含まれるコンピュータシステムの装置内温度に相当
する。また、ISはダイオードD1 〜D3 の飽和電流で
あって、lnI2 及びlnIS は、それぞれダイオード
1 〜D3 の順方向電流I2 及び飽和電流IS の自然対
数を表す。以下、同様に、自然対数値にはlnが付され
る。
## EQU00002 ## V D = V CC -3 (kT / q) [ln {(Vcs-V BE2- V EE ) / R 3 } -lnI S ]. In the above equation, k is a Boltzmann's constant, q is an electron charge amount, and T is a junction temperature of the diodes D 1 to D 3 in absolute temperature display, that is, a computer system including this temperature monitor circuit. It corresponds to the temperature inside the device. I S is the saturation current of the diodes D 1 to D 3 , and lnI 2 and lnI S represent the natural logarithms of the forward current I 2 and the saturation current I S of the diodes D 1 to D 3 , respectively. Hereinafter, similarly, the natural logarithmic value is denoted by ln.

【0007】数式1及び数式2において、各電源電圧の
電位ならびに電流I1 及びI2 の電流値を一定とみなし
うるとき、接地電位VCC,定電圧VCS,電源電圧VEE
びトランジスタT1 のベースエミッタ電圧VBE1 は一定
値となる。したがって、基準電位VR は、図4に示され
るように、装置内温度Tにより変化されない一定の電位
をとり、温度モニタ電位VD の電位は、電流I2 及びI
S が1より小さなほぼ一定の値をとることから、装置内
温度Tに比例して高くなる。また、差動増幅回路DAの
出力信号TMOは、装置内温度Tが差動増幅回路DAつ
まりは温度モニタ回路の温度識別点PAより低く温度モ
ニタ電位VD が基準電位VR より低いときロウレベルと
され、装置内温度Tが温度モニタ回路の温度識別点PA
を超え温度モニタ電位VD が基準電位VR より高くなっ
たときハイレベルに反転する。つまり、図5の温度モニ
タ回路では、差動増幅回路DAの出力信号TMOのハイ
レベル変化によって、装置内温度が異常な高くなったこ
とを識別し、コンピュータシステムの電源を自動的に切
断できるものとなる。
In Equations 1 and 2, when the potential of each power supply voltage and the current values of the currents I 1 and I 2 can be regarded as constant, the ground potential V CC , the constant voltage V CS , the power supply voltage V EE, and the transistor T 1 Has a constant base-emitter voltage V BE1 . Therefore, as shown in FIG. 4, the reference potential V R is a constant potential that is not changed by the internal temperature T of the apparatus, and the potential of the temperature monitor potential V D is the currents I 2 and I 2.
Since S has a substantially constant value smaller than 1, it increases in proportion to the temperature T in the apparatus. The output signal TMO of the differential amplifier circuit DA is a low level when the device temperature T is the differential amplifier circuit DA that is, the temperature monitor potential V D lower than the temperature identification point PA of the temperature monitor circuit is lower than the reference potential V R Then, the temperature T inside the device is determined by the temperature identification point PA of the temperature monitor circuit.
When the temperature monitor potential V D becomes higher than the reference potential V R and exceeds the reference potential V R , it is inverted to a high level. That is, in the temperature monitor circuit of FIG. 5, it is possible to identify that the temperature inside the apparatus has become abnormally high due to the high level change of the output signal TMO of the differential amplifier circuit DA, and automatically turn off the power of the computer system. Becomes

【0008】ところが、コンピュータシステムの高性能
化が進むにしたがって、上記のような温度モニタ回路に
も次のような問題点が残されていることが本願発明者等
によって明らかとなった。すなわち、上記数式2におい
て、ダイオードD1 〜D3 の飽和電流IS はほぼ一定な
値とみなしたが、実際には、周知のように、 IS =q{(Dp no)/Lp +(Dn po)/Ln } となり、プロセスバラツキすなわちP型不純物の拡散定
数Dp 及び拡散長Lp ならびにN型不純物の拡散定数D
n 及び拡散長Ln の関数となる。また、数式1から明ら
かなように、基準電位VR は、図6に示されるように、
飽和電流IS の自然対数値lnIS によって電位変化量
ΔVR を生じない一定な値とされるが、温度モニタ電位
D は、数式2から、
However, as the performance of computer systems has advanced, it has become clear by the inventors of the present application that the above-mentioned temperature monitor circuit also has the following problems. That is, in Equation 2, the saturation current I S of the diodes D 1 to D 3 is considered to be a substantially constant value. However, as is well known, I S = q {(D p p no ) / L p + (D n n po ) / L n }, resulting in process variations, that is, the diffusion constant D p and diffusion length L p of the P-type impurity and the diffusion constant D of the N-type impurity.
It is a function of n and the diffusion length L n . Further, as is clear from the equation 1, the reference potential V R is as shown in FIG.
While being a constant value that does not cause potential variation [Delta] V R by the natural logarithm lnI S saturation current I S, the temperature monitor potential V D from Equation 2,

【数3】 VD =VCC−3(kT/q)ln{(Vcs−VBE2 −VEE)/R3 }+ 3(kT/q)lnIS となり、飽和電流IS の自然対数値lnIS に比例した
電位変化量ΔVD を生じる。なお、上式のpnoは、熱平
衡状態におけるP型半導体の少数キャリア密度であり、
poは、N型半導体の少数キャリア密度である。
## EQU00003 ## V D = V CC -3 (kT / q) ln {(Vcs-V BE2- V EE ) / R 3 } +3 (kT / q) lnI S , which is the natural logarithmic value of the saturation current I S. A potential change amount ΔV D proportional to lnI S is generated. Note that p no in the above equation is the minority carrier density of the P-type semiconductor in the thermal equilibrium state,
n po is the minority carrier density of the N-type semiconductor.

【0009】温度モニタ回路のバラツキについてモデル
化して考えると、図4によって明らかなように、温度モ
ニタ電位VD を一定とすると、基準電位VR の上昇つま
り電位変化量+ΔVR は、温度モニタ回路の温度識別点
を動作点PB側に高くし、その低下つまり電位変化量−
ΔVR は、これを動作点PC側に低くする。一方、基準
電位VR を一定とすると、温度モニタ電位VD の上昇つ
まり電位変化量+ΔVD は、逆に温度モニタ回路の温度
識別点を動作点PD側に低くし、その低下つまり電位変
化量−ΔVD は、これを動作点PE側に高くする。つま
り、温度モニタ回路全体としてみた温度識別点の変化
は、基準電位VR の電位変化量ΔVR と温度モニタ電位
D の電位変化量ΔVD との差分つまりΔVR −ΔVD
に比例するものとなるが、従来の温度モニタ回路の場
合、この差分ΔVR −ΔVD は、図6に示されるよう
に、飽和電流の自然対数値lnIS を軸に温度モニタ電
位VD の電位変化量ΔVD をミラー反転させた形とな
り、飽和電流の自然対数値lnISが大きくなるに従っ
て負の方向に大きくなる。以上の結果、温度モニタ回路
の温度識別点がダイオードD1 〜D3 の飽和電流IS
まりはプロセスバラツキによって変化し、温度モニタ回
路を含むコンピュータシステム等の高性能化が制約を受
けるものである。
Considering the variation of the temperature monitor circuit as a model, as is apparent from FIG. 4, when the temperature monitor potential V D is constant, the rise of the reference potential V R , that is, the potential change amount + ΔV R, is the temperature monitor circuit. Temperature discrimination point is increased to the operating point PB side, and its decrease, that is, the amount of potential change −
ΔV R lowers this to the operating point PC side. On the other hand, if the reference potential V R is constant, the rise of the temperature monitor potential V D , that is, the amount of potential change + ΔV D , on the contrary, lowers the temperature identification point of the temperature monitor circuit to the operating point PD side, and the decrease, that is, the amount of potential change. -ΔV D raises this to the operating point PE side. In other words, the change in temperature identification points viewed as a whole the temperature monitor circuit, the reference potential V difference clogging [Delta] V between the potential variation [Delta] V D of the potential variation [Delta] V R and the temperature monitor potential V D of R R - [Delta] V D
Although becomes proportional to, the conventional temperature monitoring circuits, the difference [Delta] V R - [Delta] V D, as shown in FIG. 6, the temperature monitor potential V D in the axial natural logarithm lnI S saturation current The potential change amount ΔV D is mirror-inverted, and increases in the negative direction as the natural logarithm lnI S of the saturation current increases. As a result, the temperature discrimination point of the temperature monitor circuit changes due to the saturation current I S of the diodes D 1 to D 3 , that is, the process variation, which limits the performance improvement of the computer system including the temperature monitor circuit. .

【0010】この発明の目的は、プロセスバラツキによ
る温度識別点の変化を抑制した温度モニタ回路を提供す
ることにある。この発明の他の目的は、温度モニタ回路
を含む自動電源切断機構等の動作を安定化し、自動電源
切断機構を含むコンピュータシステム等の高性能化を推
進することにある。
An object of the present invention is to provide a temperature monitor circuit which suppresses changes in temperature identification points due to process variations. Another object of the present invention is to stabilize the operation of an automatic power-off mechanism including a temperature monitor circuit, and to promote high performance of a computer system including an automatic power-off mechanism.

【0011】この発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、この明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。すなわち、そのベースに所定の定電圧を
受ける第1のトランジスタとその一方が第1のトランジ
スタのエミッタに結合される第2の抵抗手段とからなり
第1の抵抗手段に所定の電流を流すことで所定の基準電
位を形成する第1の定電流源と、そのベースに上記定電
圧を受ける第2のトランジスタとその一方が第2のトラ
ンジスタのエミッタに結合される第3の抵抗手段とから
なり温度検出素子となるダイオードに所定の電流を流す
ことで温度モニタ電位を形成する第2の定電流源と、そ
の一方の入力端子に上記基準電位を受けその他方の入力
端子に上記温度モニタ電位を受ける差動増幅回路とを含
む温度モニタ回路に、上記第1及び第2の抵抗手段の共
通結合された他方と第2の電源電圧との間に設けられる
第4の抵抗手段と、上記定電圧の供給点と第2のトラン
ジスタのベースとの間に設けられる第5の抵抗手段とを
含む電流帰還径路を追加する。
The outline of the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, a first transistor that receives a predetermined constant voltage at its base and a second resistance means, one of which is coupled to the emitter of the first transistor, is used to cause a predetermined current to flow through the first resistance means. A first constant current source for forming a predetermined reference potential; a second transistor for receiving the constant voltage at its base; and a third resistance means, one of which is coupled to the emitter of the second transistor. A second constant current source that forms a temperature monitor potential by causing a predetermined current to flow through a diode serving as a detection element, and one of its input terminals receives the reference potential and the other input terminal receives the temperature monitor potential. A temperature monitor circuit including a differential amplifier circuit; and a fourth resistance means provided between the other of the first and second resistance means connected in common and a second power supply voltage; Add current feedback path including a fifth resistor means provided between the base sheet point and the second transistor.

【0013】[0013]

【作用】上記手段によれば、温度検出素子となるダイオ
ードの飽和電流の変化にともなう温度モニタ回路の基準
電位の電位変化を抑えつつ、温度モニタ電位の電位変化
量の傾きをなだらかにし、基準電位及び温度モニタ電位
の電位変化量の差分つまりは温度モニタ回路全体として
みた電位変化量の傾きをなだらかにすることができる。
この結果、ダイオードの飽和電流の変化つまりはプロセ
スバラツキによる温度モニタ回路の温度識別点の変化を
抑制することができるため、温度モニタ回路を含む自動
電源切断機構等の動作を安定化し、自動電源切断機構を
含むコンピュータシステム等の高性能化を推進すること
ができる。
According to the above means, while suppressing the potential change of the reference potential of the temperature monitor circuit due to the change of the saturation current of the diode serving as the temperature detecting element, the slope of the amount of change in the potential of the temperature monitor potential is made gentle and the reference potential is reduced. Also, the difference in the potential change amount of the temperature monitor potential, that is, the slope of the potential change amount seen in the temperature monitor circuit as a whole can be made gentle.
As a result, changes in the saturation current of the diode, that is, changes in the temperature identification point of the temperature monitor circuit due to process variations, can be suppressed, so the operation of the automatic power-off mechanism including the temperature monitor circuit is stabilized, and automatic power-off is performed. It is possible to promote higher performance of a computer system including the mechanism.

【0014】[0014]

【実施例】図1には、この発明が適用された温度モニタ
回路の一実施例の回路図が示されている。また、図3に
は、図1の温度モニタ回路における基準電位及び温度モ
ニタ電位とダイオードの飽和電流の自然対数値との関係
を表す一実施例の特性図が示され、図4には、図1の温
度モニタ回路の温度識別点と装置内温度との関係を表す
一実施例の特性図が示されている。これらの図をもと
に、この実施例の温度モニタ回路の構成及び動作ならび
にその特徴について説明する。なお、この実施例の温度
モニタ回路は、特に制限されないが、コンピュータシス
テムの自動電源切断機構に含まれる。図1の各回路素子
は、自動電源切断機構の図示されない他の所定の回路素
子とともに、単結晶シリコンのような1個の半導体基板
上に形成される。以下の回路図において、図示されるバ
イポーラトランジスタはすべてNPN型トランジスタで
ある。
1 is a circuit diagram of an embodiment of a temperature monitor circuit to which the present invention is applied. Further, FIG. 3 shows a characteristic diagram of an embodiment showing the relationship between the reference potential and the temperature monitor potential in the temperature monitor circuit of FIG. 1 and the natural logarithm of the saturation current of the diode, and FIG. The characteristic view of one embodiment showing the relationship between the temperature discrimination point of the temperature monitor circuit of No. 1 and the temperature inside the apparatus is shown. Based on these figures, the configuration and operation of the temperature monitor circuit of this embodiment and its features will be described. The temperature monitor circuit of this embodiment is included in the automatic power-off mechanism of the computer system, although not particularly limited. Each circuit element of FIG. 1 is formed on one semiconductor substrate such as single crystal silicon together with other predetermined circuit elements (not shown) of the automatic power-off mechanism. In the following circuit diagrams, the bipolar transistors shown are all NPN type transistors.

【0015】図1において、この実施例の温度モニタ回
路は、そのベースに所定の定電圧VCSを受けるトランジ
スタT1 (第1のトランジスタ)を含む。トランジスタ
1のコレクタは、抵抗R1 (第1の抵抗手段)を介し
て接地電位VCC(第1の電源電圧)に結合され、そのエ
ミッタは、抵抗R2 (第2の抵抗手段)の一方に結合さ
れる。これにより、トランジスタT1 は、抵抗R2 とと
もに定電流源(第1の定電流源)を構成し、抵抗R1
所定の電流I1 を流して、所定の基準電位VRを形成す
る。トランジスタT1 のコレクタ電位つまり基準電位V
R は、差動増幅回路DAの一方の入力端子つまり反転入
力端子−に供給される。
In FIG. 1, the temperature monitor circuit of this embodiment includes a transistor T 1 (first transistor) which receives a predetermined constant voltage V CS at its base. The collector of the transistor T 1 is coupled to the ground potential V CC (first power supply voltage) via the resistor R 1 (first resistance means), and its emitter is connected to the resistor R 2 (second resistance means). Combined with one. As a result, the transistor T 1 constitutes a constant current source (first constant current source) together with the resistor R 2 , and a predetermined current I 1 is passed through the resistor R 1 to form a predetermined reference potential V R. The collector potential of the transistor T 1 , that is, the reference potential V
R is supplied to one input terminal of the differential amplifier circuit DA, that is, the inverting input terminal −.

【0016】温度モニタ回路は、さらに、そのベースが
抵抗R5 (第5の抵抗手段)を介して上記定電圧VCS
供給点に結合されるもう1個のトランジスタT2 (第2
のトランジスタ)を含む。トランジスタT2 のコレクタ
は、特に制限されないが、直列形態とされる3個のダイ
オードD1 〜D3 (温度検出素子)を介して接地電位V
CCに結合され、そのエミッタは、抵抗R3 (第3の抵抗
手段)の一方に結合される。これにより、トランジスタ
2 は、抵抗R3 とともに定電流源(第2の定電流源)
を構成し、ダイオードD1 〜D3 に所定の電流I2 を流
して、温度モニタ電位VD を形成する。トランジスタT
2 のコレクタ電位つまり温度モニタ電位VD は、上記差
動増幅回路DAの他方の入力端子つまり非反転入力端子
+に供給される。抵抗R2 及びR3 の他方は、電流帰還
径路を構成する抵抗R4 (第4の抵抗手段)を介して電
源電圧VEE(第2の電源電圧)に結合される。
The temperature monitoring circuit further comprises another transistor T 2 (second node) whose base is coupled to the supply point of the constant voltage V CS via a resistor R 5 (fifth resistor means).
Transistor). The collector of the transistor T 2 is not particularly limited, but is connected to the ground potential V via three diodes D 1 to D 3 (temperature detecting elements) in series.
It is coupled to CC and its emitter is coupled to one of the resistors R 3 (third resistance means). As a result, the transistor T 2 becomes constant current source (second constant current source) together with the resistor R 3.
And a predetermined current I 2 is passed through the diodes D 1 to D 3 to form the temperature monitor potential V D. Transistor T
The collector potential of 2 , that is, the temperature monitor potential V D is supplied to the other input terminal of the differential amplifier circuit DA, that is, the non-inverting input terminal +. The other of the resistors R 2 and R 3 is coupled to the power supply voltage V EE (second power supply voltage) via the resistor R 4 (fourth resistance means) forming the current feedback path.

【0017】これにより、差動増幅回路DAつまり温度
モニタ回路の出力信号TMOは、温度モニタ電位VD
基準電位VR より低いとき所定のロウレベルとされ、温
度モニタ電位VD が基準電位VR より高いとき接地電位
CCのようなハイレベルとされる。なお、温度モニタ回
路の出力信号TMOがハイレベルとされるとき、温度モ
ニタ回路を含む自動電源切断機構では所定の電源切断回
路が差動し、これによってコンピュータシステムの電源
が自動的に切断される。
Consequently, the output signal TMO of the differential amplifier circuit DA, that is, the temperature monitor circuit is set to a predetermined low level when the temperature monitor potential V D is lower than the reference potential V R , and the temperature monitor potential V D is the reference potential V R. When it is higher, it is set to a high level like the ground potential V CC . When the output signal TMO of the temperature monitor circuit is set to a high level, a predetermined power supply disconnection circuit is activated in the automatic power supply disconnection mechanism including the temperature monitor circuit, whereby the power supply of the computer system is automatically disconnected. .

【0018】この実施例において、温度モニタ回路のト
ランジスタT1 のコレクタ電位として得られる基準電位
R は、
In this embodiment, the reference potential V R obtained as the collector potential of the transistor T 1 of the temperature monitor circuit is

【数4】VR =VCC−I1 1 として求められる。また、トランジスタT2 のコレクタ
電位として得られる温度モニタ電位VD は、ダイオード
1 〜D3 の順方向電圧をVF とするとき、 VD =VCC−3VF として求められ、ダイオードD1 〜D3 の順方向電圧V
F が、 VF =(kT/q)(lnI2 −lnIS ) であることから、
## EQU4 ## V R = V CC -I 1 R 1 is obtained. Further, the temperature monitor potential V D obtained as the collector potential of the transistor T 2 is obtained as V D = V CC −3V F when the forward voltage of the diodes D 1 to D 3 is V F, and the diode D 1 is obtained. ~ D 3 forward voltage V
Since F is V F = (kT / q) (lnI 2 −lnI S ),

【数5】 VD =VCC−3(kT/q)(lnI2 −lnIS ) となる。## EQU5 ## V D = V CC -3 (kT / q) (lnI 2 -lnI S ).

【0019】接地電位VCC及び電源電圧VEEならびに定
電流源VCSの電位を一定とみなし、トランジスタT1
びT2 を含む二つの定電流源により得られる電流I1
びI2 の電流値を一定とみなしうるとき、基準電位VR
は、図4に示されるように、装置内温度Tにより変化さ
れない一定の電位をとり、温度モニタ電位VD の電位
は、電流I2 及びIS が1より小さなほぼ一定の値をと
ることから、装置内温度Tに比例して高くなる。したが
って、差動増幅回路DAつまり温度モニタ回路の出力信
号TMOは、装置内温度Tが差動増幅回路DAつまり温
度モニタ回路の温度識別点PAより低く温度モニタ電位
D が基準電位VR より低いときロウレベルとされ、装
置内温度Tが温度モニタ回路の温度識別点PAを超え温
度モニタ電位VD が基準電位VR より高くなったときハ
イレベルに反転する。温度モニタ回路を含む自動電源切
断機構では、差動増幅回路DAの出力信号TMOのハイ
レベル変化を受けて所定の電源切断回路が差動し、これ
によってコンピュータシステムの電源が自動的に切断さ
れる。
Current values of the currents I 1 and I 2 obtained by the two constant current sources including the transistors T 1 and T 2 with the ground potential V CC and the power supply voltage V EE and the potential of the constant current source V CS regarded as constant. when it can be considered a constant, reference voltage V R
4 has a constant potential that is not changed by the temperature T in the apparatus, and the potential of the temperature monitor potential V D has a substantially constant value in which the currents I 2 and I S are smaller than 1. , Increases in proportion to the temperature T in the apparatus. Therefore, the output signal TMO of the differential amplifier circuit DA, that the temperature monitoring circuit is less than the differential amplifier circuit DA clogging Temperature Temperature monitoring lower than the temperature discrimination point PA of the monitor circuit potential V D is the reference potential V R device temperature T At this time, it is set to the low level, and when the temperature T in the apparatus exceeds the temperature identification point PA of the temperature monitor circuit and the temperature monitor potential V D becomes higher than the reference potential V R , it is inverted to the high level. In the automatic power-off mechanism including the temperature monitor circuit, a predetermined power-off circuit differentially operates in response to a change in the output signal TMO of the differential amplifier circuit DA to a high level, whereby the power of the computer system is automatically turned off. .

【0020】ところで、トランジスタT1 及び抵抗R2
からなる定電流源では、トランジスタT1 のベースエミ
ッタ電圧をVBE1 とするとき、 VEE=VCS−VBE1 −I1 2 −(I1 +I2 )R4 なる関係が成立するため、電流I1 は、
By the way, the transistor T 1 and the resistor R 2
In the constant current source consisting of, when the base-emitter voltage of the transistor T 1 is V BE1 , the following relationship holds: V EE = V CS −V BE1 −I 1 R 2 − (I 1 + I 2 ) R 4 The current I 1 is

【数6】 I1 =(VCS−VBE1 −I2 4 −VEE)/(R2 +R4 ) となる。一方、トランジスタT2 及び抵抗R3 からなる
定電流源では、トランジスタT2 のベースエミッタ電圧
をVBE2 とし、抵抗R5 の抵抗値をゼロと仮定すると
き、 VEE=VCS−VBE2 −I2 3 −(I1 +I2 )R4 なる関係が成立するため、電流I2 は、
## EQU6 ## I 1 = (V CS −V BE1 −I 2 R 4 −V EE ) / (R 2 + R 4 ). On the other hand, in the constant current source composed of the transistor T 2 and the resistor R 3 , assuming that the base-emitter voltage of the transistor T 2 is V BE2 and the resistance value of the resistor R 5 is zero, V EE = V CS −V BE2 − Since the relationship of I 2 R 3 − (I 1 + I 2 ) R 4 is established, the current I 2 is

【数7】 I2 =(VCS−VBE2 −I1 4 −VEE)/(R3 +R4 ) となる。## EQU7 ## I 2 = (V CS −V BE2 −I 1 R 4 −V EE ) / (R 3 + R 4 ).

【0021】したがって、数式7を数式6に代入して、Therefore, by substituting equation 7 into equation 6,

【数8】 I1 ={R3 (VCS−VEE)−(R3 +R4 )VBE1 + R4 BE2 }/{(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } が得られ、逆に数式6を数式7に代入して、I 1 = {R 3 (V CS −V EE ) − (R 3 + R 4 ) V BE1 + R 4 V BE2 } / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) −R 4 2 } Is obtained, and on the contrary, Substituting Equation 6 into Equation 7,

【数9】 I2 ={R2 (VCS−VEE)+R4 BE1 − (R2 +R4 )VBE2 }/{(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 } が得られる。Equation 9] I 2 = {R 2 (V CS -V EE) + R 4 V BE1 - (R 2 + R 4) V BE2} / {(R 3 + R 4) (R 2 + R 4) -R 4 2} Is obtained.

【0022】これらのことから、上記数式4は、数式8
を代入して、
From these facts, the above-mentioned formula 4 becomes the formula 8
Substituting

【数10】 VR =VCC−R1 {R3 (VCS−VEE)−(R3 +R4 )VBE1 + R4 BE2 }/{(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } となり、上記数式5は、数式9を代入して、## EQU10 ## V R = V CC −R 1 {R 3 (V CS −V EE ) − (R 3 + R 4 ) V BE1 + R 4 V BE2 } / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) -R 4 2 }, and the above Equation 5 is substituted by Equation 9,

【数11】 VD =VCC−3(kT/q)ln[{R2 (VCS−VEE)+R4 BE1 − (R2 +R4 )VBE2 }/{(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 }] +3(kT/q)lnIS となる。Equation 11] V D = V CC -3 (kT / q) ln [{R 2 (V CS -V EE) + R 4 V BE1 - (R 2 + R 4) V BE2} / {(R 3 + R 4) (R 2 + R 4 ) −R 4 2 }] +3 (kT / q) lnI S.

【0023】ここで、回路の定電流性が保証されるとす
れば、トランジスタT1 及びT2 のベースエミッタ電圧
BE1 及びVBE2 は、 VBE1 =VBE2 =VBE であり、 VBE=(kT/q)(lnI1 −lnIS ) =(kT/q)(lnI2 −lnIS ) であることから、上記数式10は、
Here, if the constant current characteristic of the circuit is guaranteed, the base-emitter voltages V BE1 and V BE2 of the transistors T 1 and T 2 are V BE1 = V BE2 = V BE and V BE = Since (kT / q) (lnI 1 −lnI s ) = (kT / q) (lnI 2 −lnI s ), the above formula 10 is

【数12】 VR =VCC−R1 {R3 (VCS−VEE)−R3 BE}/ {(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } =VCC−R1 {R3 (VCS−VEE)− R3 (kT/q)(lnI1 −lnIS )}/ {(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } となる。この結果、基準電位VR は、 KA =R1 3 (kT/q)/{(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } なる比例係数KA をもって飽和電流IS の自然対数値l
nIS に反比例するものとなる。しかし、この実施例で
は、比例係数KA が無視できる程度に小さくなるように
抵抗R1 〜R4 の抵抗値が設定されるため、基準電位V
R の電位変化量ΔVR は、図3に示されるように、ダイ
オードD1 〜D3 の飽和電流IS の自然対数値lnIS
が大きくなるに従ってわずかに負方向に大きくなる。
## EQU12 ## V R = V CC -R 1 {R 3 (V CS -V EE ) -R 3 V BE } / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) -R 4 2 } = V CC -R 1 {R 3 (V CS −V EE ) − R 3 (kT / q) (lnI 1 −lnI S )} / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) −R 4 2 } . As a result, the reference potential V R has a saturation current I S with a proportional coefficient K A of K A = R 1 R 3 (kT / q) / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) −R 4 2 }. Natural logarithm of l
It is inversely proportional to nI S. However, in this embodiment, the resistance values of the resistors R 1 to R 4 are set so that the proportionality coefficient K A becomes so small that it can be ignored.
As shown in FIG. 3, the potential change amount ΔV R of R is the natural logarithmic value lnI S of the saturation current I S of the diodes D 1 to D 3.
As becomes larger, it increases slightly in the negative direction.

【0024】一方、回路の定電流性が保証される場合、
上記数式11は、
On the other hand, when the constant current characteristic of the circuit is guaranteed,
The above formula 11 is

【数13】 VD =VCC−3(kT/q)ln[{R2 (VCS−VEE)−R2 BE}/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 }]+3(kT/q)lnIS =VCC−3(kT/q)ln[{R2 (VCS−VEE)− R2 (kT/q)(lnI2 −lnIS )}/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 }]+3(kT/q)lnIS =VCC−3(kT/q)ln(KB +KC lnIS )+ 3(kT/q)lnIS となる。ここで、上式のKB は、 KB =R2 {VCS−VEE−(kT/q)lnI2 }/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 } なる定数であって、KC は、 KC =R2 (kT/q)/{(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 } なる自然対数値lnIS の比例係数である。V D = V CC -3 (kT / q) ln [{R 2 (V CS -V EE ) -R 2 V BE } / {(R 3 + R 4 ) (R 2 + R 4 ) -R 4 2}] + 3 (kT / q) lnI S = V CC -3 (kT / q) ln [{R 2 (V CS -V EE) - R 2 (kT / q) (lnI 2 -lnI S)} / {(R 3 + R 4 ) (R 2 + R 4) -R 4 2}] + 3 (kT / q) lnI S = V CC -3 (kT / q) ln (K B + K C lnI S) + 3 ( kT / q) lnI S. Here, K B in the above equation is K B = R 2 {V CS −V EE − (kT / q) lnI 2 } / {(R 3 + R 4 ) (R 2 + R 4 ) −R 4 2 }. K C is a constant and is a proportional coefficient of the natural logarithmic value lnI S such that K C = R 2 (kT / q) / {(R 3 + R 4 ) (R 2 + R 4 ) −R 4 2 }.

【0025】この数式13と前記数式3との比較から明
らかなように、数式13の第1項及び第3項は、数式3
そのもの、すなわち図3に点線で示される従来の温度モ
ニタ電位VD の電位変化量ΔVD に相当する。また、数
式13の第2項は、温度モニタ電位VD の電位変化量Δ
D を小さくすべく作用し、その値は、上記基準電位V
R の電位変化量ΔVR に比較して充分に大きなものとな
るように設計される。したがって、この実施例の温度モ
ニタ回路における温度モニタ電位VD の電位変化量ΔV
D は、飽和電流IS の自然対数値lnIS が比較的小さ
な値をとる部分では、数式13の第2項の作用により小
さくなって点線で示される従来の温度モニタ電位VD
電位変化量ΔVD の直線から徐々に離れるが、飽和電流
S の自然対数値lnIS が比較的大きな値となった後
は、点線で示される従来の温度モニタ電位VD の電位変
化量ΔVD の直線に沿って大きくなる。この結果、温度
モニタ電位VD の電位変化量ΔVD の傾斜は、飽和電流
S の自然対数値lnISが比較的小さな値をとる部分
において小さくされるものとなる。
As is clear from the comparison between this equation 13 and the above equation 3, the first term and the third term of equation 13 are
That is, that is, the potential change amount ΔV D of the conventional temperature monitor potential V D shown by the dotted line in FIG. Further, the second term of the mathematical expression 13 is the potential change amount Δ of the temperature monitor potential V D.
It acts to reduce V D , and its value is the reference potential V
It is designed to be sufficiently large compared to the potential variation [Delta] V R of R. Therefore, the potential change amount ΔV of the temperature monitor potential V D in the temperature monitor circuit of this embodiment.
D is the natural logarithm lnI S takes a relatively small value portion of the saturation current I S, the potential variation of the conventional temperature monitor potential V D shown by a dotted line is reduced by the action of the second term of Equation 13 While gradually away from a straight line [Delta] V D, the saturation current after the natural logarithm lnI S of I S is a relatively large value, the linear potential variation [Delta] V D of the conventional temperature monitor potential V D shown by a dotted line Grows along. As a result, the slope of the potential variation [Delta] V D of the temperature monitor potential V D becomes what is small in the natural logarithm lnI S takes a relatively small value portion of the saturation current I S.

【0026】図4に示されるように、温度モニタ電位V
D を一定とすると、基準電位VR の上昇つまり電位変化
量+ΔVR は、差動増幅回路DAつまり温度モニタ回路
の温度識別点を動作点PB側に高くし、その低下つまり
電位変化量−ΔVR は、これを動作点PC側に低くす
る。一方、基準電位VR を一定に保つと、温度モニタ電
位VD の上昇つまり電位変化量+ΔVD は、逆に温度モ
ニタ回路の温度識別点を動作点PD側に低くし、その低
下つまり電位変化量−ΔVD は、これを動作点PE側に
高くする。したがって、温度モニタ回路全体としてみた
温度識別点の変化は、基準電位VR の電位変化量ΔVR
と温度モニタ電位VD の電位変化量ΔVDとの差分つま
りΔVR −ΔVD に比例するものとなる。この実施例に
おいて、基準電位VR の電位変化量ΔVR と温度モニタ
電位VD の電位変化量ΔVD との差分ΔVR −ΔV
D は、図3に示されるように、飽和電流IS の自然対数
値lnIS が比較的小さな値をとる部分では、温度モニ
タ電位VD の電位変化量ΔVD が小さいために小さくな
り、点線で示される従来の差分ΔVR −ΔVD から離れ
るが、飽和電流IS の自然対数値lnIS が比較的大き
な値となった後は、点線で示される従来の差分ΔVR
ΔVD と同一傾斜で大きくなる。このため、差分ΔVR
−ΔVD の傾斜は、飽和電流IS の自然対数値lnIS
が比較的小さな値をとる部分においてなだらかなものと
なり、その大きさは平均的に小さな値とされる。この結
果、ダイオードの飽和電流IS の変化つまりはプロセス
バラツキによる温度モニタ回路の温度識別点の変化を抑
制できるため、温度モニタ回路を含む自動電源切断機構
の動作を安定化し、自動電源切断機構を含むコンピュー
タシステムの高性能化を推進することができるものであ
る。
As shown in FIG. 4, the temperature monitor potential V
When a constant D, increases i.e. the potential variation of the reference potential V R + [Delta] V R, the differential amplifier circuit DA, that the temperature discrimination point of the temperature monitor circuit is increased to the operating point PB side, the decrease i.e. potential change amount -ΔV R lowers this to the operating point PC side. On the other hand, if the reference potential V R is kept constant, the rise of the temperature monitor potential V D , that is, the amount of potential change + ΔV D , on the contrary, lowers the temperature identification point of the temperature monitor circuit to the operating point PD side, and the decrease, that is, the potential change. The amount −ΔV D makes this higher on the operating point PE side. Thus, changes in temperature identification points viewed as a whole the temperature monitor circuit, reference potential V potential variation of the R [Delta] V R
And the difference between the temperature monitor potential V D and the potential change amount ΔV D , that is, ΔV R −ΔV D. In this embodiment, the difference [Delta] V R - [Delta] V between the reference potential V potential variation of the R [Delta] V R and the temperature monitor potential V D of the potential variation [Delta] V D
D, as shown in FIG. 3, in the portion where the natural logarithm lnI S saturation current I S takes a relatively small value, decreases in the potential variation [Delta] V D of the temperature monitor potential V D is small, the dotted line in it away from the conventional differential [Delta] V R - [Delta] V D shown after natural logarithm lnI S saturation current I S is a relatively large value, the conventional differential [Delta] V R represented by a dotted line -
It increases with the same inclination as ΔV D. Therefore, the difference ΔV R
Slope of - [Delta] V D is a natural logarithm lnI S saturation current I S
Becomes smooth in the portion where takes a relatively small value, and its size is an average small value. As a result, a change in the saturation current I S of the diode, that is, a change in the temperature identification point of the temperature monitor circuit due to process variation can be suppressed, so that the operation of the automatic power-off mechanism including the temperature monitor circuit is stabilized, and the automatic power-off mechanism is activated. It is possible to promote high performance of the computer system including it.

【0027】ところで、これまでの説明では、回路の定
電流性が保証されているものとし、トランジスタT1
びT2 のベースエミッタ電圧VBE1 及びVBE2 は、 VBE1 =VBE2 =VBE なる関係にあるものと仮定してきたが、実際には、定電
流源によって得られる電流I1 及びI2 は変化し、これ
らの電流変化にともなってトランジスタT1 及びT2
ベースエミッタ電圧VBE1 及びVBE2 が変化する。
By the way, in the above description, it is assumed that the constant current characteristic of the circuit is guaranteed, and the base-emitter voltages V BE1 and V BE2 of the transistors T 1 and T 2 are V BE1 = V BE2 = V BE . It has been assumed that there is a relationship, but in reality the currents I 1 and I 2 obtained by the constant current source change, and with these current changes the base-emitter voltages V BE1 and V 2 of the transistors T 1 and T 2 V BE2 changes.

【0028】ここで、トランジスタT1 により得られる
電流I1 とトランジスタT1 のベースエミッタ電圧V
BE1 が一定であると仮定し、トランジスタT2 によって
得られる電流I2 が電流I1 に対して、 I2 =I1 +ΔI なる差分ΔIをもって変化し、トランジスタT2 のベー
スエミッタ電圧VBE2 がトランジスタT1 のベースエミ
ッタ電圧VBE1 に対して、 VBE2 =VBE1 +ΔVBE なる差分ΔVBEをもって変化するものとすると、前記数
式10は、
[0028] Here, the base-emitter voltage V of the current I 1 and the transistors T 1 obtained by transistors T 1
BE1 is assumed to be constant with respect to current I 2 current I 1 provided by transistor T 2, I 2 = I 1 + [Delta] I made changes with a difference [Delta] it, the base-emitter voltage V BE2 of the transistor T 2 is the transistor If the base emitter voltage V BE1 of T 1 is changed with a difference ΔV BE of V BE2 = V BE1 + ΔV BE , the formula 10 is

【数14】 VR =VCC−R1 {R3 (VCS−VEE)−(R3 +R4 )VBE1 + R4 (VBE1 +ΔVBE)}/{(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } =VCC−R1 {R3 (VCS−VEE)−R3 BE1 +R4 ΔVBE)}/ {(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } となり、数式11は、V R = V CC −R 1 {R 3 (V CS −V EE ) − (R 3 + R 4 ) V BE1 + R 4 (V BE1 + ΔV BE )} / {(R 2 + R 4 ) ( R 3 + R 4 ) −R 4 2 } = V CC −R 1 {R 3 (V CS −V EE ) −R 3 V BE1 + R 4 ΔV BE )} / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) -R 4 2 }, and Equation 11 is

【数15】 VD =VCC−3(kT/q)ln[{R2 (VCS−VEE)+R4 BE1 − (R2 +R4 )(VBE1 +ΔVBE)}/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 }]+3(kT/q)lnIS =VCC−3(kT/q)ln[{R2 (VCS−VEE)− R2 BE1 −(R2 +R4 )ΔVBE)}/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 }]+3(kT/q)lnIS となる。[Equation 15] V D = V CC -3 (kT / q) ln [{R 2 (V CS -V EE ) + R 4 V BE 1- (R 2 + R 4 ) (V BE 1 + ΔV BE )} / {(R 3 + R 4) (R 2 + R 4) -R 4 2}] + 3 (kT / q) lnI S = V CC -3 (kT / q) ln [{R 2 (V CS -V EE) - R 2 V BE1 - a (R 2 + R 4) ΔV bE)} / {(R 3 + R 4) (R 2 + R 4) -R 4 2}] + 3 (kT / q) lnI S.

【0029】一方、トランジスタT1 及びT2 のベース
エミッタ電圧VBE1 及びVBE2 は、 VBE1 =(kT/q)(lnI1 −lnIS ) VBE2 =(kT/q)(lnI2 −lnIS ) として得られ、また、 VBE2 =VBE1 +ΔVBE なる関係を仮定すると、トランジスタT2 のベースエミ
ッタ電圧VBE2 のトランジスタT1 のベースエミッタ電
圧VBE1 に対する差分ΔVBEは、 ΔVBE=VBE2 −VBE1 =(kT/q)(lnI2 −lnIS )− (kT/q)(lnI1 −lnIS ) =(kT/q)(lnI2 −lnI1 ) となる。
On the other hand, the base-emitter voltages V BE1 and V BE2 of the transistors T 1 and T 2 are as follows: V BE1 = (kT / q) (lnI 1 −lnI S ) V BE2 = (kT / q) (lnI 2 −lnI obtained as S), also assuming a V BE2 = V BE1 + ΔV bE the relationship, the difference [Delta] V bE with respect to the base-emitter voltage V BE1 of the transistor T 1 of the base-emitter voltage V BE2 of the transistor T 2 are, [Delta] V bE = V BE2 -V BE1 = (kT / q ) (lnI 2 -lnI S) - and comprising (kT / q) (lnI 1 -lnI S) = (kT / q) (lnI 2 -lnI 1).

【0030】このため、上記数式14は、Therefore, the above equation 14 is

【数16】 VR =VCC−R1 {R3 (VCS−VEE)− R3 (kT/q)(lnI1 −lnIS )+ R4 (kT/q)(lnI2 −lnI1 )}/ {(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } =VCC−R1 {R3 (VCS−VEE)− (R3 +R4 )(kT/q)lnI1 + R4 (kT/q)lnI2 −R3 (kT/q)lnIS }/ {(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } となり、上記数式15は、V R = V CC −R 1 {R 3 (V CS −V EE ) −R 3 (kT / q) (lnI 1 −lnI S ) + R 4 (kT / q) (lnI 2 −lnI 1 )} / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) −R 4 2 } = V CC −R 1 {R 3 (V CS −V EE ) − (R 3 + R 4 ) (kT / q) lnI 1 + R 4 (kT / q) lnI 2 −R 3 (kT / q) lnI S } / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) −R 4 2 }

【数17】 VD =VCC−3(kT/q)ln[{R2 (VCS−VEE)− R2 (kT/q)(lnI1 −lnIS )− (R2 +R4 )(kT/q)(lnI2 −lnI1 )}/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 }]+3(kT/q)lnIS =VCC−3(kT/q)ln[R2 {VCS−VEE+ (R4 /R2 )(kT/q)lnI1 }− (R2 +R4 )(kT/q)lnI2 + R2 (kT/q)lnIS }/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 }]+3(kT/q)lnIS となる。Equation 17] V D = V CC -3 (kT / q) ln [{R 2 (V CS -V EE) - R 2 (kT / q) (lnI 1 -lnI S) - (R 2 + R 4) (KT / q) (lnI 2 −lnI 1 )} / {(R 3 + R 4 ) (R 2 + R 4 ) −R 4 2 }] + 3 (kT / q) lnI S = V CC -3 (kT / q ) Ln [R 2 {V CS −V EE + (R 4 / R 2 ) (kT / q) lnI 1 } − (R 2 + R 4 ) (kT / q) lnI 2 + R 2 (kT / q) lnI S } / {(R 3 + R 4 ) (R 2 + R 4 ) −R 4 2 }] + 3 (kT / q) lnI S.

【0031】前述のように、電流I1 は一定とみなさ
れ、電流I2 は、 I2 =I1 +ΔI とされる。したがって、数式16の基準電位VR は、 KD =R1 4 (kT/q)/{(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } なる比例係数KD をもって電流I2 つまりは電流I1
ΔIの自然対数値ln(I1 +ΔI)に比例し、かつ、 KE =R1 3 (kT/q)/{(R2 +R4 )(R3 +R4 )−R4 2 } なる比例係数KE をもってダイオードD1 〜D3 の飽和
電流IS の自然対数lnIS に比例するものとなる。ま
た、数式17の温度モニタ電位VD は、 KF =R2 {VCS−VEE+(R4 /R2 )(kT/q)lnI1 }/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 } KG =(R2 +R4 )(kT/q)/ {(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 } KH =R2 (kT/q)/{(R3 +R4 )(R2 +R4 )−R4 2 } とするとき、
As previously mentioned, the current I 1 is considered constant and the current I 2 is I 2 = I 1 + ΔI. Therefore, the reference potential V R of the equation 16 has a proportional coefficient K D of K D = R 1 R 4 (kT / q) / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) −R 4 2 } 2 That is, current I 1 +
Proportional to the natural logarithmic value ln (I 1 + ΔI) of ΔI, and K E = R 1 R 3 (kT / q) / {(R 2 + R 4 ) (R 3 + R 4 ) −R 4 2 } The coefficient K E is proportional to the natural logarithm lnI S of the saturation current I S of the diodes D 1 to D 3 . The temperature monitor potential V D of the formula 17, K F = R 2 {V CS -V EE + (R 4 / R 2) (kT / q) lnI 1} / {(R 3 + R 4) (R 2 + R 4) -R 4 2} K G = (R 2 + R 4) (kT / q) / {(R 3 + R 4) (R 2 + R 4) -R 4 2} K H = R 2 (kT / q ) / {(R 3 + R 4 ) (R 2 + R 4 ) −R 4 2 },

【数18】 VD =VCC−3(kT/q)ln{KF −KG lnI2 +KH lnIS } =VCC−3(kT/q)ln{KF − KG ln(I1 +ΔI)+KH lnIS } となる。V D = V CC −3 (kT / q) ln {K F −K G lnI 2 + K H lnI S } = V CC −3 (kT / q) ln {K F −K G ln (I 1 + ΔI) + K H lnI S }.

【0032】関連分野に従事する技術者であれば推察で
きるように、電流I2 の電流I1 に対する差分ΔIは、
図1のトランジスタT1 のベースつまり定電圧VCSの供
給点とトランジスタT2 のベースとの間に設けられた帰
還抵抗R5 によって意図的に得ることができる。また、
この数式18と前記数式13との比較から明らかなよう
に、数式18の項KG ln(I1 +ΔI)は、電流I2
の差分ΔIが数式13による効果を助長する方向に作用
することを物語るものであり、これによって図3におけ
る飽和電流IS の自然対数値lnIS が比較的小さな値
をとる部分での温度モニタ電位VD の傾斜はさらになだ
らかなものとなる。この結果、帰還抵抗RS が設けられ
ることによってプロセスバラツキにともなう基準電位V
R 及び温度モニタ電位VD の差分ΔVR −ΔVD つまり
温度モニタ回路全体としての温度識別点の変化はさらに
小さくなり、相応して温度モニタ回路を含む自動電源切
断機構の動作が安定化されるものとなる。
As can be inferred by engineers engaged in related fields, the difference ΔI between the current I 2 and the current I 1 is
This can be intentionally obtained by the feedback resistor R 5 provided between the base of the transistor T 1 of FIG. 1, that is, the supply point of the constant voltage V CS and the base of the transistor T 2 . Also,
As is clear from the comparison between the equation 18 and the equation 13, the term K G ln (I 1 + ΔI) in the equation 18 is the current I 2
Of the temperature monitor potential at a portion where the natural logarithmic value lnI S of the saturation current I S in FIG. 3 has a relatively small value. The slope of V D becomes even gentler. As a result, by providing the feedback resistor R S , the reference potential V due to the process variation is obtained.
The difference between R and the temperature monitor potential V D ΔV R −ΔV D, that is, the change in the temperature discriminating point of the temperature monitor circuit as a whole is further reduced, and the operation of the automatic power-off mechanism including the temperature monitor circuit is accordingly stabilized. Will be things.

【0033】以上の本実施例に示されるように、この発
明をコンピュータシステムの自動電源切断機構等に含ま
れる温度モニタ回路に適用することで、次のような作用
効果が得られる。すなわち、 (1)そのベースに所定の定電圧を受ける第1のトラン
ジスタとその一方が第1のトランジスタのエミッタに結
合される第2の抵抗手段とからなり第1の抵抗手段に所
定の電流を流すことで所定の基準電位を形成する第1の
定電流源と、そのベースに上記定電圧を受ける第2のト
ランジスタとその一方が第2のトランジスタのエミッタ
に結合される第3の抵抗手段とからなり温度検出素子と
なるダイオードに所定の電流を流すことで温度モニタ電
位を形成する第2の定電流源と、その一方の入力端子に
上記基準電位を受けその他方の入力端子に上記温度モニ
タ電位を受ける差動増幅回路とを備える温度モニタ回路
に、第1及び第2の抵抗手段の共通結合された他方と第
2の電源電圧との間に設けられる第4の抵抗手段と、上
記定電圧の供給点と第2のトランジスタのベースとの間
に設けられる第5の抵抗手段とを含む電流帰還径路を追
加することで、ダイオードの飽和電流の変化にともなう
温度モニタ回路の基準電位の電位変化を抑えつつ、温度
モニタ電位の電位変化量の傾きをなだらかにすることが
できるという効果が得られる。
As shown in the above-described embodiment, by applying the present invention to the temperature monitor circuit included in the automatic power-off mechanism of the computer system, the following operational effects can be obtained. That is, (1) a first transistor which receives a predetermined constant voltage at its base and a second resistance means, one of which is coupled to the emitter of the first transistor, is provided with a predetermined current to the first resistance means. A first constant current source which forms a predetermined reference potential by flowing the second constant current source, a second transistor which receives the constant voltage at its base, and a third resistance means, one of which is coupled to the emitter of the second transistor. And a second constant current source for forming a temperature monitor potential by causing a predetermined current to flow in a diode serving as a temperature detecting element, and one of the input terminals receives the reference potential and the other input terminal receives the temperature monitor. A temperature monitor circuit having a differential amplifier circuit for receiving a potential; and a fourth resistance means provided between the second commonly connected first and second resistance means and the second power supply voltage; Electric By adding a current feedback path including a fifth resistance means provided between the voltage supply point and the base of the second transistor, the potential of the reference potential of the temperature monitor circuit according to the change of the saturation current of the diode is added. The effect that the slope of the amount of change in the potential of the temperature monitor potential can be made gentle while suppressing the change is obtained.

【0034】(2)上記(1)項により、基準電位の電
位変化量と温度モニタ電位の電位変化量との差分つまり
は温度モニタ回路全体としてみた電位変化量の傾きをな
だらかにすることができるという効果が得られる。 (3)上記(1)項及び(2)項により、ダイオードの
飽和電流の変化つまりはプロセスバラツキにともなう温
度モニタ回路の温度識別点の変化を抑制することができ
るという効果が得られる。 (4)上記(1)項〜(3)項により、温度モニタ回路
を含む自動電源切断機構等の動作を安定化し、自動電源
切断機構を含むコンピュータシステム等の高性能化を推
進することができるという効果が得られる。
(2) According to the above item (1), the difference between the potential change amount of the reference potential and the potential change amount of the temperature monitor potential, that is, the slope of the potential change amount viewed from the entire temperature monitor circuit can be made gentle. The effect is obtained. (3) According to the above items (1) and (2), it is possible to suppress the change in the saturation current of the diode, that is, the change in the temperature identification point of the temperature monitor circuit due to the process variation. (4) According to the above items (1) to (3), it is possible to stabilize the operation of the automatic power-off mechanism including the temperature monitor circuit and promote the high performance of the computer system including the automatic power-off mechanism. The effect is obtained.

【0035】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、この発明は、上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、図1において、温度検出素子として設けられるダイ
オードの数は任意に設定できるし、温度検出素子として
バイポーラトランジスタ等を用いることもできる。基準
電位VR 及び温度モニタ電位VD は、差動増幅回路DA
の逆の入力端子つまり非反転及び反転入力端子にそれぞ
れ入力してもよい。この場合、差動増幅回路DAつまり
温度モニタ回路の出力信号TMOの論理レベルが反転す
ることは言うまでもない。帰還抵抗R4により充分な効
果が得られる場合、帰還抵抗R5 を設ける必要はない。
図1の抵抗R4 は、図2に示されるように、所定の電流
を流す定電流源S1 に置き換えることができる。さら
に、温度モニタ回路は、PNP型のバイポーラトランジ
スタを基本に構成することができるし、その具体的な回
路構成や電源電圧の極性等は種々の実施形態を採りう
る。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. For example, in FIG. 1, the number of diodes provided as the temperature detection element can be set arbitrarily, and a bipolar transistor or the like can be used as the temperature detection element. The reference potential V R and the temperature monitor potential V D are the differential amplifier circuit DA.
May be input to the opposite input terminals, that is, the non-inverting and inverting input terminals, respectively. In this case, it goes without saying that the logic level of the output signal TMO of the differential amplifier circuit DA, that is, the temperature monitor circuit is inverted. If sufficient effect by the feedback resistor R 4 is obtained, it is not necessary to provide a feedback resistor R 5.
The resistor R 4 in FIG. 1 can be replaced with a constant current source S 1 that passes a predetermined current, as shown in FIG. Further, the temperature monitor circuit can be basically configured by a PNP type bipolar transistor, and various embodiments can be adopted for the specific circuit configuration, the polarity of the power supply voltage, and the like.

【0036】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野であるコン
ピュータシステムの自動電源切断機構に含まれる温度モ
ニタ回路に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、例えば、温度モニタ回路として
単体で形成されるものや他の各種システムの自動電源切
断機構ならびに同様な温度モニタ回路を含む各種装置に
も適用できる。この発明は、少なくとも基準電位及び温
度モニタ電位を形成する二つの定電流源とこれらの基準
電位及び温度モニタ電位を受ける差動増幅回路とを含む
温度モニタ回路ならびにこのような温度モニタ回路を含
む装置に広く適用できる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the temperature monitor circuit included in the automatic power-off mechanism of the computer system which is the background field of application has been described, but the invention is not limited thereto. However, the present invention is also applicable to, for example, a temperature monitor circuit formed as a single unit, an automatic power-off mechanism of other various systems, and various devices including a similar temperature monitor circuit. The present invention relates to a temperature monitor circuit including at least two constant current sources that form a reference potential and a temperature monitor potential and a differential amplifier circuit that receives these reference potential and temperature monitor potential, and an apparatus including such a temperature monitor circuit. Widely applicable to.

【0037】[0037]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、そのベースに所定の定電圧
を受ける第1のトランジスタとその一方が第1のトラン
ジスタのエミッタに結合される第2の抵抗手段とからな
り第1の抵抗手段に所定の電流を流すことで所定の基準
電位を形成する第1の定電流源と、そのベースに上記定
電圧を受ける第2のトランジスタとその一方が第2のト
ランジスタのエミッタに結合される第3の抵抗手段とか
らなり温度検出素子となるダイオードに所定の電流を流
すことで温度モニタ電位を形成する第2の定電流源と、
その一方の入力端子に上記基準電位を受けその他方の入
力端子に上記温度モニタ電位を受ける差動増幅回路とを
含む温度モニタ回路に、第1及び第2の抵抗手段の共通
結合された他方と第2の電源電圧との間に設けられる第
4の抵抗手段と、上記定電圧の供給点と第2のトランジ
スタのベースとの間に設けられる第5の抵抗手段とを含
む電流帰還径路を追加することで、ダイオードの飽和電
流に代表されるプロセスバラツキの変化にともなう温度
モニタ回路の基準電位の電位変化を抑えつつ温度モニタ
電位の電位変化量の傾きをなだらかにし、基準電位及び
温度モニタ電位の電位変化量の差分つまりは温度モニタ
回路全体としてみた電位変化量の傾きをなだらかにする
ことができる。この結果、プロセスバラツキにともなう
温度モニタ回路の温度識別点の変化を抑制できるため、
温度モニタ回路を含む自動電源切断機構等の動作を安定
化し、自動電源切断機構を含むコンピュータシステム等
の高性能化を推進できる。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, a first transistor that receives a predetermined constant voltage at its base and a second resistance means, one of which is coupled to the emitter of the first transistor, is used to cause a predetermined current to flow through the first resistance means. A first constant current source for forming a predetermined reference potential; a second transistor for receiving the constant voltage at its base; and a third resistance means, one of which is coupled to the emitter of the second transistor. A second constant current source that forms a temperature monitor potential by applying a predetermined current to a diode that serves as a detection element;
A temperature monitor circuit including a differential amplifier circuit that receives the reference potential at one input terminal thereof and the temperature monitor potential at the other input terminal thereof, and the other of the first and second resistance means commonly coupled to each other. A current feedback path including a fourth resistance means provided between the second power supply voltage and a fifth resistance means provided between the constant voltage supply point and the base of the second transistor is added. By suppressing the potential change of the reference potential of the temperature monitor circuit due to the change of the process variation represented by the saturation current of the diode, the slope of the amount of change in the potential of the temperature monitor potential is made gentle, and the reference potential and the temperature monitor potential are changed. The difference in the amount of change in potential, that is, the slope of the amount of change in potential seen as the entire temperature monitor circuit can be made gentle. As a result, it is possible to suppress changes in the temperature identification point of the temperature monitor circuit due to process variations.
It is possible to stabilize the operation of the automatic power-off mechanism including the temperature monitor circuit and promote the high performance of the computer system including the automatic power-off mechanism.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明が適用された温度モニタ回路の第1の
実施例を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a temperature monitor circuit to which the present invention is applied.

【図2】この発明が適用された温度モニタ回路の第2の
実施例を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of a temperature monitor circuit to which the present invention is applied.

【図3】図1の温度モニタ回路における基準電位及び温
度モニタ電位とダイオードの飽和電流との関係を説明す
るための一実施例を示す特性図である。
3 is a characteristic diagram showing an embodiment for explaining a relationship between a reference potential and a temperature monitor potential and a saturation current of a diode in the temperature monitor circuit of FIG.

【図4】図1の温度モニタ回路の温度識別点と装置内温
度との関係を説明するための一実施例を示す特性図であ
る。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing an embodiment for explaining a relationship between a temperature identification point of the temperature monitor circuit of FIG. 1 and an in-apparatus temperature.

【図5】この発明に先立って本願発明者等が開発した温
度モニタ回路の一例を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a temperature monitor circuit developed by the inventors of the present application prior to the present invention.

【図6】図5の温度モニタ回路における基準電位及び温
度モニタ電位とダイオードの飽和電流との関係を説明す
るための一例を示す特性図である。 T1 〜T2 ・・・NPN型バイポーラトランジスタ、D
1 〜D3 ・・・ダイオード、R1 〜R5 ・・・抵抗、D
A・・・差動増幅回路。 S1 ・・・定電流源。
6 is a characteristic diagram showing an example for explaining a relationship between a reference potential and a temperature monitor potential in the temperature monitor circuit of FIG. 5 and a saturation current of a diode. T 1 to T 2 ... NPN type bipolar transistor, D
1 to D 3 ... Diode, R 1 to R 5 ... Resistor, D
A ... Differential amplifier circuit. S 1 ... Constant current source.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の抵抗手段に所定の電流を流すこと
で所定の基準電位を形成する第1の定電流源と、所定の
温度検出素子に所定の電流を流すことで所定の温度モニ
タ電位を形成する第2の定電流源と、その一方の入力端
子に上記基準電位を受けその他方の入力端子に上記温度
モニタ電位を受ける差動増幅回路と、上記第1及び第2
の定電流源間に設けられる電流帰還径路とを含むことを
特徴とする温度モニタ回路。
1. A first constant current source for forming a predetermined reference potential by flowing a predetermined current through a first resistance means, and a predetermined temperature monitor for supplying a predetermined current through a predetermined temperature detecting element. A second constant current source that forms a potential, a differential amplifier circuit that receives the reference potential at one input terminal thereof and the temperature monitor potential at the other input terminal, and the first and second
And a current feedback path provided between the constant current sources of the temperature monitor circuit.
【請求項2】 上記第1の定電流源は、そのベースに所
定の定電圧を受けそのコレクタが上記第1の抵抗手段を
介して第1の電源電圧に結合される第1のトランジスタ
と、その一方が上記第1のトランジスタのエミッタに結
合される第2の抵抗手段とを含むものであり、上記第2
の定電流源は、そのベースに上記定電圧を受けそのコレ
クタが上記温度検出素子を介して第1の電源電圧に結合
される第2のトランジスタと、その一方が上記第2のト
ランジスタのエミッタに結合される第3の抵抗手段とを
含むものであって、上記電流帰還径路は、上記第2及び
第3の抵抗手段の他方と第2の電源電圧との間に設けら
れる第4の抵抗手段を含むものであることを特徴とする
請求項1の温度モニタ回路。
2. A first transistor, wherein said first constant current source receives a predetermined constant voltage at its base, and has its collector coupled to a first power supply voltage via said first resistance means, One of which includes a second resistance means coupled to the emitter of the first transistor,
Of the constant current source of the second transistor, the base of which receives the constant voltage, the collector of which is coupled to the first power supply voltage through the temperature detection element, and the one of which is an emitter of the second transistor. Third resistance means coupled to the fourth feedback means, wherein the current feedback path is provided between the other of the second and third resistance means and the second power supply voltage. The temperature monitor circuit according to claim 1, comprising:
【請求項3】 上記電流帰還径路は、上記定電圧の供給
点と上記第2のトランジスタのベースとの間に設けられ
る第5の抵抗手段を含むものであることを特徴とする請
求項1又は請求項2の温度モニタ回路。
3. The current feedback path comprises a fifth resistance means provided between the constant voltage supply point and the base of the second transistor. 2 temperature monitor circuit.
【請求項4】 上記温度検出素子は、直列形態とされる
所定数のダイオードからなるものであって、上記温度モ
ニタ回路は、コンピュータシステムの自動電源切断機構
に含まれるものであることを特徴とする請求項1,請求
項2又は請求項3の温度モニタ回路。
4. The temperature detecting element comprises a predetermined number of diodes arranged in series, and the temperature monitor circuit is included in an automatic power-off mechanism of a computer system. The temperature monitor circuit according to claim 1, claim 2, or claim 3.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010249817A (en) * 2009-04-14 2010-11-04 O2 Micro Inc Circuit and method for temperature detection

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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