JPH06342172A - Optical device having transparent electrode and its production - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】本発明は、液晶ディスプレイ装置やイメー
ジセンサ等の透明電極を備えた光学装置に関する。The present invention relates to an optical device having a transparent electrode such as a liquid crystal display device or an image sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶ディスプレイ装置は、図５乃至図６
に示すように、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略記
する）から成る各スイッチング素子２１をＯＮ，ＯＦＦ
することにより、各スイッチング素子２１に接続された
画素電極２２と共通電極（図示せず）との間に電界の付
与及び非付与を行うことで液晶の配向を制御し、画素ご
とに光の透過・遮断を行わせて画像を表示するようにし
たものである。そして、従来の液晶ディスプレイ装置で
は、前記画素電極２２としてＩＴＯ（酸化インジウム
錫）が用いられている。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is shown in FIGS.
As shown in, each switching element 21 including a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) is turned on and off.
By doing so, the alignment of the liquid crystal is controlled by applying or not applying an electric field between the pixel electrode 22 connected to each switching element 21 and the common electrode (not shown), and the light transmission is performed for each pixel. -The image is displayed by blocking. In the conventional liquid crystal display device, ITO (indium tin oxide) is used as the pixel electrode 22.
【０００３】尚、図５に示す液晶ディスプレイ装置のＴ
ＦＴはコプラナ構造のものを、図６に示すＴＦＴはスタ
ガー構造のものを示し、また、図７は上記液晶ディスプ
レイ装置の一画素部分の平面図である。The T of the liquid crystal display device shown in FIG.
FT shows a coplanar structure, TFT shown in FIG. 6 shows a stagger structure, and FIG. 7 is a plan view of one pixel portion of the liquid crystal display device.
【０００４】また、その製造プロセスにおいては、スイ
ッチング素子２１を形成した後に前記ＩＴＯを形成し、
パターニングすることが行われている。Further, in the manufacturing process, the ITO is formed after the switching element 21 is formed,
Patterning is performed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記ＩＴＯ
の形成には、主にスパッタ法が用いられるが、この方法
では、ＩＴＯ形成の際に発生するプラズマによってＴＦ
Ｔにダメージを与える。更に、ＩＴＯのエッチングに際
してもＴＦＴがダメージを受け、歩留まりが低下し、低
コスト化を阻害するという欠点があった。また、ＩＴＯ
を後工程で形成する場合は、層間絶縁膜２３を下地にし
て形成されるため、ステップカバレッヂが悪いという欠
点も有している。By the way, the above-mentioned ITO
The sputtering method is mainly used to form the TF, but in this method, TF is generated by the plasma generated during the ITO formation.
Damage T. Further, there is a drawback that the TFT is damaged during the etching of ITO, the yield is reduced, and the cost reduction is hindered. Also, ITO
When formed in a later step, since it is formed using the interlayer insulating film 23 as a base, it also has a drawback that the step coverage is poor.
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑み、画素電極と
してＩＴＯを用いる場合の製造上の欠点を解消し、製造
工程の簡素化及び歩留りの向上を図ることができる光学
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。In view of the above circumstances, the present invention provides an optical device and a method of manufacturing the same which can eliminate the manufacturing defects when ITO is used as a pixel electrode, simplify the manufacturing process, and improve the yield. The purpose is to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の透明電極を備え
た光学装置は、上記の課題を解決するために、透明電極
がドープド低抵抗多結晶半導体薄膜から成ることを特徴
としている。In order to solve the above problems, an optical device provided with a transparent electrode of the present invention is characterized in that the transparent electrode is made of a doped low resistance polycrystalline semiconductor thin film.
【０００８】また、本発明の透明電極を備えた光学装置
の製造方法は、同一基板上に薄膜トランジスタ及び透明
電極を備えた光学装置の製造方法において、上記薄膜ト
ランジスタのコンタクト部を形成するときに同材料で同
時に上記の透明電極を形成することを特徴としている。The method of manufacturing an optical device having a transparent electrode according to the present invention is the same as the method of manufacturing an optical device having a thin film transistor and a transparent electrode on the same substrate when the contact portion of the thin film transistor is formed. Is characterized in that the transparent electrode is formed at the same time.
【０００９】[0009]
【作用】上記の構成によれば、ドープド低抵抗多結晶半
導体薄膜はＩＴＯと同程度の抵抗率を保有し得るもので
あり、十分に電極として機能し、また、多結晶の薄膜で
あるため透明電極として十分な透過率を保有し得る。According to the above structure, the doped low-resistance polycrystalline semiconductor thin film can have a resistivity similar to that of ITO, functions sufficiently as an electrode, and is a polycrystalline thin film, so that it is transparent. It can have sufficient transmittance as an electrode.
【００１０】また、上記の製造方法によれば、薄膜トラ
ンジスタのコンタクト部形成時に同材料で同時に形成す
るため、ＩＴＯを別工程で作成する従来法に比べ、工程
数の削減が図れる。また、ＩＴＯを成膜する場合のよう
に薄膜トランジスタに対するプラズマダメージは生じな
い。また、透明電極のパターニングは、薄膜トランジス
タの半導体薄膜のアイランド化に際して同時に行えるた
め、薄膜トランジスタ形成後のＩＴＯエッチングにより
生ずる薄膜トランジスタのダメージも回避することがで
きる。更に、薄膜トランジスタ形成後の後工程で透明電
極を形成する場合のステップカバレッヂの悪化といった
問題も生じない。Further, according to the above manufacturing method, since the same material is formed at the same time when the contact portion of the thin film transistor is formed, the number of steps can be reduced as compared with the conventional method in which ITO is formed in a separate step. Further, plasma damage to the thin film transistor does not occur unlike the case of forming the ITO film. Further, since the patterning of the transparent electrode can be performed at the same time when the semiconductor thin film of the thin film transistor is formed into an island, damage to the thin film transistor caused by ITO etching after forming the thin film transistor can be avoided. Further, there is no problem that step coverage is deteriorated when the transparent electrode is formed in a later step after forming the thin film transistor.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図に基づい
て説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings showing its embodiments.
【００１２】図１及び図２は、それぞれ本発明の液晶デ
ィスプレイ装置における一画素部分の構造を示す縦断面
図であり、前者はＴＦＴ１０がコプラナ構造であるもの
を、後者はＴＦＴ１０がスタガー構造であるものをそれ
ぞれ示している。また、図３は上記液晶ディスプレイ装
置の一画素部分の平面図である。1 and 2 are vertical sectional views showing the structure of one pixel portion in the liquid crystal display device of the present invention. In the former, the TFT 10 has a coplanar structure, and in the latter, the TFT 10 has a staggered structure. Each one is shown. 3 is a plan view of one pixel portion of the liquid crystal display device.
【００１３】図１に示すＴＦＴ１０のｐｏｌｙ−Ｓｉ薄
膜２の膜厚は約５００Åであり、薄膜の多結晶膜である
ため、ａ−Ｓｉ膜に比べて約１桁高い透過率を有する。
上記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２上にはゲート絶縁膜３及びゲー
ト電極４が形成されており、これをマスクとした不純物
注入処理によって上記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２にはソース部
２ａ及びドレイン部２ｃが形成され、また、上記ゲート
絶縁膜３下のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２には不純物注入は行わ
れず、ｉ層のチャネル部２ｂが形成される。電極６は、
コンタクトホールを介してソース部２ａに接続されたも
のである。また、層間絶縁膜５は隣接するＴＦＴとの絶
縁を確保するために形成される。The film thickness of the poly-Si thin film 2 of the TFT 10 shown in FIG. 1 is about 500 Å, and since it is a thin polycrystalline film, it has a transmittance higher by about an order of magnitude than that of the a-Si film.
A gate insulating film 3 and a gate electrode 4 are formed on the poly-Si film 2, and a source portion 2a and a drain portion 2c are formed on the poly-Si film 2 by an impurity implantation process using the poly-Si film 2 as a mask. Further, no impurity is implanted into the poly-Si film 2 below the gate insulating film 3 and the channel portion 2b of the i layer is formed. The electrode 6 is
It is connected to the source portion 2a through a contact hole. Further, the interlayer insulating film 5 is formed in order to ensure insulation between the adjacent TFTs.
【００１４】また、図２に示すＴＦＴ１０のｐｏｌｙ−
Ｓｉ薄膜２（２ａ，２ｂ，２ｃ）の膜厚も約５００Åに
形成され、図１と同様に薄膜の多結晶膜であり、ａ−Ｓ
ｉ膜に比べて約１桁高い透過率を有する。この図２に示
すＴＦＴにおいては、不純物がドープされたソース部２
ａ及びドレイン部２ｃが形成され、このソース部２ａ、
ドレイン部２ｃを跨ぐようにこの間にｉ層のチャネル部
２ｂが形成される。このチャネル部２ｂ上にゲート絶縁
膜３を介してゲート電極４が形成されている。Further, the poly- of the TFT 10 shown in FIG.
The Si thin film 2 (2a, 2b, 2c) is also formed to a film thickness of about 500Å, and is a thin polycrystalline film similar to FIG.
It has a transmittance higher than that of the i-membrane by about an order of magnitude. In the TFT shown in FIG. 2, the source portion 2 doped with impurities is used.
a and a drain portion 2c are formed, and the source portion 2a,
An i-layer channel portion 2b is formed between the drain portion 2c and the drain portion 2c. A gate electrode 4 is formed on the channel portion 2b via a gate insulating film 3.
【００１５】これら、両ＴＦＴにおいて、画素電極７
は、ドープド低抵抗ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜（５００Å，８
０Ω／□，ρ＝４×１０-4Ω・ｃｍ）から成っている。
即ち、この画素電極７は、前記のドレイン部２ｃを形成
する前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２にて形成されたものであ
り、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２に対しソース・ドレイン部を形
成するときに同時に導電化することにより形成される。In both of these TFTs, the pixel electrode 7
Is a doped low resistance poly-Si thin film (500 Å, 8
0Ω / □, ρ = 4 × 10 −4 Ω · cm).
That is, the pixel electrode 7 is formed by the poly-Si film 2 forming the drain portion 2c, and is made conductive at the same time when the source / drain portions are formed on the poly-Si film 2. It is formed by
【００１６】このように、上記の画素電極７は、ドープ
ド低抵抗ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜からなり、この薄膜はＩＴ
Ｏと同程度の抵抗率を保有するため、電極として十分に
機能する。また、５００Åの多結晶薄膜であるため、透
明電極として十分な透過率を保有する。As described above, the pixel electrode 7 is made of a doped low resistance poly-Si thin film, and this thin film is made of IT.
Since it has the same resistivity as O, it functions sufficiently as an electrode. Moreover, since it is a 500 Å polycrystalline thin film, it has a sufficient transmittance as a transparent electrode.
【００１７】次に、上記ドープド低抵抗ｐｏｌｙ−Ｓｉ
薄膜からなる画素電極を備える液晶ディスプレイ装置の
製造方法について説明する。Next, the doped low resistance poly-Si described above is used.
A method of manufacturing a liquid crystal display device including a pixel electrode made of a thin film will be described.
【００１８】図４は、上記の液晶ディスプレイ装置の製
造方法におけるＴＦＴ（コプラナ構造）及び画素電極の
形成までを工程順に示した断面図である。FIGS. 4A to 4C are sectional views showing the steps up to the formation of the TFT (coplanar structure) and the pixel electrode in the manufacturing method of the above liquid crystal display device in the order of steps.
【００１９】まず、同図（ａ）に示すように、絶縁性透
明基板１の上にＳｉ薄膜２′を成膜し、ＴＦＴにおける
半導体膜および画素電極の形状にパターニングする。Ｓ
ｉ薄膜２′は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜或いはａ−Ｓｉ薄膜
のどちらでもよく、ａ−Ｓｉ薄膜を形成する場合は、後
に再結晶化によってｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜とすることがで
きる。First, as shown in FIG. 1A, a Si thin film 2'is formed on the insulating transparent substrate 1 and patterned into the shapes of the semiconductor film and the pixel electrode in the TFT. S
The i thin film 2'may be either a poly-Si thin film or an a-Si thin film, and when an a-Si thin film is formed, it can be made into a poly-Si thin film by recrystallization later.
【００２０】上記ａ−Ｓｉ薄膜の形成は、プラズマＣＶ
Ｄ法、ＬＰＣＶＤ法、或いはスパッタ法等により行うこ
とができる。また、上記プラズマＣＶＤ法においては、
例えば、ＲＦパワー密度２７．７ｍＷ／ｃｍ2 ，チャン
バー内圧力２６．６Ｐａ，基板温度１６０〜５５０℃の
成膜条件で行い、成膜後には５５０℃の温度で１時間の
脱水素化処理を行う。The formation of the a-Si thin film is performed by plasma CV.
It can be performed by the D method, the LPCVD method, the sputtering method, or the like. In the plasma CVD method,
For example, RF power density is 27.7 mW / cm 2 , chamber pressure is 26.6 Pa, substrate temperature is 160 to 550 ° C., and dehydrogenation treatment is performed at a temperature of 550 ° C. for 1 hour. .
【００２１】次に、同図（ｂ）に示すように、Ｓｉ薄膜
２’上にＳｉＯ2等からなる絶縁膜及びｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜或いはａ−Ｓｉ膜を形成して、パターニングすること
により、ゲート絶縁膜３及びゲート電極４を形成する。
ゲート電極４は、この段階では導電化されていない。
又、ゲート電極４として高融点金属膜を形成してもよい
のである。Next, as shown in FIG. 2B, an insulating film made of SiO 2 or the like and poly-Si are formed on the Si thin film 2 '.
A gate insulating film 3 and a gate electrode 4 are formed by forming a film or an a-Si film and patterning it.
The gate electrode 4 has not been made conductive at this stage.
Further, a refractory metal film may be formed as the gate electrode 4.
【００２２】次に、同図（ｃ）に示すように、上記のゲ
ート絶縁膜３及びゲート電極４をマスクとし、ソース部
２ａ・ドレイン部２ｃとなるべき領域及び画素電極７と
なるべき領域に不純物のドーピングを行う。不純物のド
ーピングは、例えば、イオンシャワードーピング法或い
はイオン注入法（例えば、２０ＫｅＶ，ドーズ量５×１
０15／ｃｍ2 ）、ａｓ−ｄｅｐｏドープ（ＰＨ3 ／Ｓｉ
Ｈ4 ：１％の条件でドープ膜を堆積）により行うことが
できる。Next, as shown in FIG. 3C, the gate insulating film 3 and the gate electrode 4 are used as a mask to form a region to be the source portion 2a / drain portion 2c and a region to be the pixel electrode 7. Doping impurities. Doping of impurities is performed by, for example, an ion shower doping method or an ion implantation method (for example, 20 KeV, dose amount 5 × 1).
0 15 / cm 2 ), as-depo doping (PH 3 / Si
H 4 : 1% can be used to deposit a doped film.
【００２３】次に、同図（ｄ）に示すように、活性化処
理を行う。この活性化処理により、ソース部２ａ、ドレ
イン部２ｃ、及び画素電極７は、シート抵抗が５０〜８
０Ω／□（抵抗率：３〜４×１０-4Ω・ｃｍ）のドープ
ド低抵抗ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜となる。Next, as shown in FIG. 3D, activation processing is performed. By this activation process, the source portion 2a, the drain portion 2c, and the pixel electrode 7 have sheet resistances of 50 to 8 respectively.
It becomes a doped low resistance poly-Si thin film of 0 Ω / □ (resistivity: 3 to 4 × 10 −4 Ω · cm).
【００２４】活性化処理としては、例えば、レーザーア
ニール法、或いは熱アニール法が用いられる。レーザー
アニール法においては、エキシマレーザーを用い、例え
ば、出力２００〜３５０ｍＪ／ｃｍ2 ，基板温度常温〜
４００℃，パルス数１〜１２８ｓｈｏｔｓの条件で行
う。なお、出発膜としてａ−Ｓｉ膜を形成した場合、上
記エキシマレーザーで活性化することにより、同時にａ
−Ｓｉ膜を再結晶化してｐｏｌｙ−Ｓｉ膜とすることが
できる。As the activation treatment, for example, a laser annealing method or a thermal annealing method is used. In the laser annealing method, an excimer laser is used, for example, an output of 200 to 350 mJ / cm 2 , a substrate temperature of room temperature to
It is performed under the conditions of 400 ° C. and the pulse number of 1-128 shots. When an a-Si film is formed as a starting film, the a-Si film is activated at the same time by activating with the excimer laser.
The -Si film can be recrystallized to form a poly-Si film.
【００２５】なお、ＴＦＴをスタガー構造とする場合
は、チャネル部２ｂより先にソース部２ａ、ドレイン部
２ｃ及び画素電極７となる膜を形成するので、この膜形
成において直接にドープド低抵抗ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を
形成することができる。When the TFT has a staggered structure, the source portion 2a, the drain portion 2c, and the film to be the pixel electrode 7 are formed before the channel portion 2b. Therefore, in this film formation, the doped low resistance poly- A Si thin film can be formed.
【００２６】次に、同図（ｅ）に示すように、層間絶縁
膜５を形成し、パターニングする。Next, as shown in FIG. 3E, an interlayer insulating film 5 is formed and patterned.
【００２７】そして、同図（ｆ）に示すように、前記層
間絶縁膜５にコンタクトホールを形成し、ソース部２ａ
に接続する電極８を形成する。Then, as shown in FIG. 3F, a contact hole is formed in the interlayer insulating film 5, and the source portion 2a is formed.
An electrode 8 connected to the electrode is formed.
【００２８】以後は、公知の手法を用いることにより、
液晶ディスプレイ装置を製造することができる。After that, by using a known method,
A liquid crystal display device can be manufactured.
【００２９】上記の製造方法によれば、ＴＦＴにおける
コンタクト部２ａ・２ｃの形成時に同材料で同時に形成
するため、ＩＴＯを別工程で作成する従来法に比べ、工
程数の削減が図れる。また、ＩＴＯを成膜する場合に生
じるＴＦＴへのプラズマダメージは本方法では生じな
い。また、画素電極（透明電極）７のパターニングは、
ＴＦＴのＳｉ薄膜２′のアイランド化に際して同時に行
えるため、ＴＦＴ形成後のＩＴＯエッチングにより生ず
るＴＦＴのダメージも回避することができる。更に、Ｔ
ＦＴ形成後の後工程で画素電極７を形成する場合のステ
ップカバレッヂの悪化といった問題も生じない。According to the above-mentioned manufacturing method, since the contact portions 2a and 2c in the TFT are formed simultaneously with the same material, the number of steps can be reduced as compared with the conventional method in which ITO is formed in a separate step. Further, plasma damage to the TFT, which occurs when the ITO film is formed, does not occur in this method. The patterning of the pixel electrode (transparent electrode) 7 is
Since it can be performed at the same time when the Si thin film 2'of the TFT is formed into an island, damage to the TFT caused by the ITO etching after the formation of the TFT can be avoided. Furthermore, T
There is no problem such as deterioration of step coverage when the pixel electrode 7 is formed in a post process after the formation of FT.
【００３０】なお、本実施例では、透明電極を備えた光
学装置として液晶ディスプレイ装置を示したが、駆動回
路一体型イメージセンサ等においても光センサ部の透明
電極がドープド低抵抗ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を持つ構造と
してもよいものである。In this embodiment, a liquid crystal display device is shown as an optical device having a transparent electrode. However, in an image sensor integrated with a driving circuit, the transparent electrode of the optical sensor portion is a doped low resistance poly-Si thin film. It is a good structure to have.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、画素電
極としてＩＴＯを用いる場合の製造上の欠点を解消し、
製造工程の簡素化及び歩留りの向上を図り、透明電極を
備えた光学装置のコストを低減できるという効果を奏す
る。As described above, according to the present invention, it is possible to solve the manufacturing defects when ITO is used as the pixel electrode,
It is possible to simplify the manufacturing process, improve the yield, and reduce the cost of the optical device including the transparent electrode.
【図１】本発明のＴＦＴがコプラナ型である液晶ディス
プレイ装置の要部を示す縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing a main part of a liquid crystal display device in which a TFT of the present invention is a coplanar type.
【図２】本発明のＴＦＴがスタガー型である液晶ディス
プレイ装置の要部を示す縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing a main part of a liquid crystal display device in which a TFT of the present invention is a stagger type.
【図３】本発明の透明電極を備えた液晶ディスプレイ装
置の要部の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a main part of a liquid crystal display device including a transparent electrode of the present invention.
【図４】本発明のＴＦＴコプラナ型である液晶ディスプ
レイ装置の製造方法を工程順に示した縦断面図である。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view showing a method of manufacturing a TFT coplanar type liquid crystal display device of the present invention in the order of steps.
【図５】従来のＴＦＴがコプラナ型である液晶ディスプ
レイ装置の要部を示す縦断面図である。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing a main part of a conventional liquid crystal display device in which a TFT is a coplanar type.
【図６】従来のＴＦＴがスタガー型である液晶ディスプ
レイ装置の要部を示す縦断面図である。FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing a main part of a liquid crystal display device in which a conventional TFT has a stagger type.
【図７】従来の透明電極を備えた液晶ディスプレイ装置
の要部の平面図である。FIG. 7 is a plan view of an essential part of a liquid crystal display device including a conventional transparent electrode.
１ 絶縁性基板 ２ Ｓｉ薄膜 ２ａ ソース部 ２ｂ チャネル部 ２ｃ ドレイン部 ３ ゲート絶縁膜 ４ ゲート電極 １０ ＴＦＴ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Si thin film 2a Source part 2b Channel part 2c Drain part 3 Gate insulating film 4 Gate electrode 10 TFT
Claims (2)
ジスタに接続された透明電極とを備えた光学装置におい
て、前記透明電極がドープド低抵抗多結晶半導体膜から
なることを特徴とする透明電極を備えた光学装置。1. An optical device comprising a thin film transistor on a substrate and a transparent electrode connected to the transistor, wherein the transparent electrode comprises a doped low resistance polycrystalline semiconductor film. apparatus.
電極を備えた光学装置の製造方法において、上記薄膜ト
ランジスタのコンタクト部を形成するときに同材料で同
時に上記の透明電極を形成することを特徴とする透明電
極を備えた光学装置の製造方法。2. A method of manufacturing an optical device comprising a thin film transistor and a transparent electrode on the same substrate, wherein the transparent electrode is simultaneously formed of the same material when forming a contact portion of the thin film transistor. A method for manufacturing an optical device including an electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15413093A JPH06342172A (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Optical device having transparent electrode and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15413093A JPH06342172A (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Optical device having transparent electrode and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342172A true JPH06342172A (en) | 1994-12-13 |
Family
ID=15577561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15413093A Pending JPH06342172A (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Optical device having transparent electrode and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342172A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555393B2 (en) | 1999-03-16 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a field-effect transistor with a buried Mott material oxide channel |
| WO2006126968A1 (en) * | 2005-05-21 | 2006-11-30 | The Hong Kong University Of Science And Technology | A transflective liquid crystal device and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP15413093A patent/JPH06342172A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555393B2 (en) | 1999-03-16 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a field-effect transistor with a buried Mott material oxide channel |
| WO2006126968A1 (en) * | 2005-05-21 | 2006-11-30 | The Hong Kong University Of Science And Technology | A transflective liquid crystal device and method of manufacturing the same |
| US8013957B2 (en) | 2005-05-21 | 2011-09-06 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Transflective liquid crystal device and method of manufacturing the same |
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