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JPH0682765B2 - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPH0682765B2
JPH0682765B2 JP29055885A JP29055885A JPH0682765B2 JP H0682765 B2 JPH0682765 B2 JP H0682765B2 JP 29055885 A JP29055885 A JP 29055885A JP 29055885 A JP29055885 A JP 29055885A JP H0682765 B2 JPH0682765 B2 JP H0682765B2
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毅一郎 久保
幹雄 金崎
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Hitachi Ltd
Japan Display Inc
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Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子に係わり、特に液晶表示セルを
構成する一方の基板に液晶駆動用半導体チップを搭載し
た液晶表示素子に関する。
〔従来の技術〕
従来、液晶表示セルを構成する一方の基板上に金属膜配
線をパターン状に形成し、この金属膜配線上に液晶駆動
用半導体チップ（以下LSIチップと称す）を直接接続し
た液晶表示素子は、第２図に示すような構造よりなる。
ガラスからなる下電極基板２および上電極基板４の内面
には、透明電極9,10が形成され、これら上，下電極基板
2,4間には液晶11がサンドイッチされ、その周囲をシー
ル剤３で封止して液晶セル１を形成している。下電極基
板２上には、半田とぬれ性の良い金属を含む多層金属薄
膜配線12が形成され、LSIチップ６が半田５を介して多
層金属薄膜配線12上に固定接続されている。またLSIチ
ップ６および金属薄膜配線12を外部環境から保護するた
め、これを樹脂7,8で被覆していた（特願昭59-76480
号）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来例では、高湿度環境下において樹脂コート7,8
の吸湿及び下電極基板２と樹脂コート7,8との界面剥が
れにより、隣接する金属薄膜配線12間に水膜が発生し、
金属薄膜配線12の腐蝕及び通電時の電気化学反応による
断線、金属析出物による線間タッチ等が起り、表示不能
となることがあった。
これに対して、前記金属薄膜配線12上の保護膜として無
機膜を形成することが、前記特願昭59-76480号で提案さ
れており、これは耐環境信頼性の点では問題はないが、
その形成方法としてスパッタ法を採用すると、成膜に時
間がかかり、加工コスト増大の点で問題があった。
本発明は、信頼性を確保した上で加工コスト低減を目的
とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、液晶表示セルの基板上に搭載されたLSI
チップへの配線のために、液晶表示セルの基板上に形成
される金属薄膜配線を、先ずポリイミド系高耐熱樹脂で
被覆し、さらにその上を、硬化前低粘度である樹脂で被
覆することにより解決される。
〔作用〕
ポリイミド系高耐熱樹脂による金属薄膜配線の被覆は、
ロール・コータ法等で塗布が行えるので被覆工程が簡単
で短時間に行え、かつポリイミド系樹脂は耐熱特性に優
れているので、液晶表示素子製造プロセスの前工程でそ
の形成を行っても、後工程における液晶配向膜形成，液
晶セルの基板シールの為の熱処理による悪影響を受けな
い。さらに上記ポリイミド系樹脂による被覆の上を、硬
化前低粘度である樹脂で被覆することにより、ポリイミ
ド系樹脂被覆部に生じたピンホールを埋めることがで
き、液晶表示素子の前記金属薄膜配線の耐環境信頼性を
大幅に向上することができる。
〔実施例〕
以下図面を参照して、本発明の一実施例について説明す
る。
第１図は、本発明による液晶表示素子の一実施例の断面
図であり、第２図におけると同じまたは相当部分には同
一番号を付してある。
先ず、ガラスからなる下電極基板２および上電極基板４
の表面に酸化インジウムなどを用いて、表示の為のパタ
ーンの形状にそれぞれ透明電極９および10を形成する。
次に下電極基板２上に、先ずガラスと密着性の良いNiCr
膜、半田とのぬれ性の良いCu膜、さらにCuの酸化防止お
よび半田のぬれ防止のためのCr膜を重ねて蒸着すること
により、多層金属薄膜を形成する。次いで後の工程で、
LSIチップ６が搭載されるべき下電極基板２上の位置と
透明電極９との間を電気的に接続する配線の為のパター
ン状に前記多層金属薄膜をエッチングし、金属薄膜配線
12を形成する。次に熱分解開始温度が400℃以上の高耐
熱ポリイミド系樹脂、本実施例においてはエッチング加
工に便利なように感光性ポリイミド系高耐熱樹脂（例え
ば、日立化成製PL−1000あるいは東レ製UR3100）を下電
極基板２上に形成し、かつLSIチップ６と金属薄膜配線1
2とを半田５を介して電気的に接続を行う位置に、感光
性を利用し露光エッチングによりスルーホールを設けた
ポリイミド系配線保護膜13を形成する。次に下電極基板
２と上電極基板４の透明電極9,10が形成されている側
に、液晶分子配向膜としてポリイミド系樹脂膜を塗布，
加熱処理（200℃〜350℃）により形成する（詳細は特公
昭58-55488号公告公報に述べられている）。
上電極基板４の周辺に沿って、かつ液晶11注入のための
注入口（図示せず）を残して、シール剤３としてエポキ
シ樹脂を塗布した後、上電極基板４と下電極基板２とを
透明電極9,10が５〜10μの間隔を有して対向する様配置
して前記エポキシ樹脂を180℃で硬化し、液晶セル１を
形成する。
次に液晶11を前記注入口を介して液晶セル１内に注入
し、注入口を接着剤で封止する。金属薄膜配線12の最上
層であるCr層のチップボンディング用半田５相当位置に
スルーホールを形成後、LSIチップ６を、金属薄膜配線1
2上の所定位置に半田５を介してボンディングする。次
にLSIチップ６の保護の目的で、LSIチップ６全体をエポ
キシ樹脂からなるチップ保護樹脂17で被覆する。次にポ
リイミド系配線保護膜13に発生している可能性のあるピ
ンホールを埋める目的で、硬化前低粘度（例えば0.5ポ
アズ程度）である樹脂、例えばウレタン樹脂（日立化成
製TF−1154など）からなる保護樹脂膜18を形成する。
本実施例においては、ポリイミド系配線保護膜13として
ポリイミド系高耐熱樹脂膜を使用しているので、ポリイ
ミド系配線保護膜13形成後、液晶分子配向膜形成および
液晶セル形成の為のシール剤３の硬化の為の熱処理を行
ってもポリイミド系配線保護膜13の損傷は生じなかっ
た。
本実施例による液晶表示素子の信頼性試験として、80
℃,90％RH,9V通電の試験を1000時間行ったが、金属薄膜
配線12に電蝕などの腐食は発生しなかった。また−40℃
と80℃を交互に繰り返す熱ショック試験の500サイクル
経過後でも膜剥離などの不良は発生しなかった。
なお、上記実施例の金属薄膜配線12としてNi−Auの多層
金属薄膜を使用した場合でも同等以上の結果が得られ
た。
〔発明の効果〕
本発明によれば、液晶表示素子の耐環境信頼性を、SiO2
による保護膜使用時に匹敵するまでに向上でき、かつSi
O2保護膜形成時に比較し、形成プロセスが簡単化される
為低コスト化が実現出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明になる液晶表示素子の一実施例を示す
概略断面図、第２図は従来の液晶表示素子の概略断面図
である。 １……液晶セル、２……下電極基板、５……半田、６…
…液晶駆動用半導体チップ、９……透明電極、12……金
属薄膜配線、13……ポリイミド系配線保護膜、17……チ
ップ保護樹脂、18……保護樹脂膜。
フロントページの続き (72)発明者 当間 忍 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−220317（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−140270（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−181146（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】液晶セルを構成する基板の一方に液晶セル
    駆動用半導体チップを搭載した液晶表示素子において、
    液晶セルの透明電極と液晶セル駆動用半導体チップとを
    電気的に接続する金属薄膜配線を液晶セルを構成する基
    板の一方に形成し、該金属薄膜配線をポリイミド系高耐
    熱樹脂で被覆しさらに硬化前低粘度の樹脂で被覆するこ
    とを特徴とする液晶表示素子。
JP29055885A 1985-12-25 1985-12-25 液晶表示素子 Expired - Fee Related JPH0682765B2 (ja)

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EP19860117429 EP0226997B1 (en) 1985-12-25 1986-12-15 Liquid crystal display device
DE8686117429T DE3685642T2 (de) 1985-12-25 1986-12-15 Fluessigkristall-anzeigevorrichtung.
US06/943,747 US4826297A (en) 1985-12-25 1986-12-19 Liquid crystal display device having an extention metal film wiring which is covered by polyimide layer having low viscosity under 1.0 poise before curing

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