JPH07126827A - 金属表面の複合皮膜及びその形成方法 - Google Patents
金属表面の複合皮膜及びその形成方法Info
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- JPH07126827A JPH07126827A JP5294327A JP29432793A JPH07126827A JP H07126827 A JPH07126827 A JP H07126827A JP 5294327 A JP5294327 A JP 5294327A JP 29432793 A JP29432793 A JP 29432793A JP H07126827 A JPH07126827 A JP H07126827A
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 56
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000051 modifying effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック溶射皮膜のみに基づく性質を改善
し又は改質することのできる金属表面の複合皮膜を提供
することである。 【構成】 金属(基板1)表面に形成された下地溶射皮
膜2と下地溶射皮膜2上に形成されたセラミック溶射皮
膜3とからなる複合皮膜4において、下地溶射皮膜2が
窒化チタンを主成分とすることを特徴としている。
し又は改質することのできる金属表面の複合皮膜を提供
することである。 【構成】 金属(基板1)表面に形成された下地溶射皮
膜2と下地溶射皮膜2上に形成されたセラミック溶射皮
膜3とからなる複合皮膜4において、下地溶射皮膜2が
窒化チタンを主成分とすることを特徴としている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばアルミニウム等
の金属の表面に形成された下地溶射皮膜及びセラミック
溶射皮膜からなる複合皮膜、及びその形成方法に関する
ものである。
の金属の表面に形成された下地溶射皮膜及びセラミック
溶射皮膜からなる複合皮膜、及びその形成方法に関する
ものである。
【0002】
【従来技術及びその問題点】金属表面にセラミック溶射
皮膜を形成する場合には、金属とセラミックとの熱膨張
係数の差を緩和して両者の密着性を向上させるために、
両者の中間の熱膨張係数を有する材料からなる下地溶射
皮膜を両者間に形成することが、一般に行なわれてい
る。そして、従来、下地溶射皮膜は金属からなるもので
あった。
皮膜を形成する場合には、金属とセラミックとの熱膨張
係数の差を緩和して両者の密着性を向上させるために、
両者の中間の熱膨張係数を有する材料からなる下地溶射
皮膜を両者間に形成することが、一般に行なわれてい
る。そして、従来、下地溶射皮膜は金属からなるもので
あった。
【0003】ところで、金属表面にセラミック溶射皮膜
を形成する目的は、絶縁性の向上、耐熱性の向上等、種
々ある。例えば、絶縁性の向上を図る場合には、所望の
絶縁性を呈する厚さ及び材料のセラミック溶射皮膜を形
成する。しかし、形成できるセラミック溶射皮膜の厚さ
には上限があるため、絶縁性の向上にも限界があった。
このような限界は、絶縁性に限らず、セラミック溶射皮
膜に基づく他の性質の発現においても同様であった。
を形成する目的は、絶縁性の向上、耐熱性の向上等、種
々ある。例えば、絶縁性の向上を図る場合には、所望の
絶縁性を呈する厚さ及び材料のセラミック溶射皮膜を形
成する。しかし、形成できるセラミック溶射皮膜の厚さ
には上限があるため、絶縁性の向上にも限界があった。
このような限界は、絶縁性に限らず、セラミック溶射皮
膜に基づく他の性質の発現においても同様であった。
【0004】
【発明の目的】本発明者は、下地溶射皮膜の材質に着目
し、これを変えることにより、下地溶射皮膜の性質をセ
ラミック溶射皮膜に基づく性質に相加的又は相乗的に作
用させることを考えた。即ち、本発明は、セラミック溶
射皮膜のみに基づく性質を改善し又は改質することので
きる金属表面の複合皮膜を提供することを目的とし、ま
た、そのような複合皮膜を形成することのできる方法を
提供することを目的とする。
し、これを変えることにより、下地溶射皮膜の性質をセ
ラミック溶射皮膜に基づく性質に相加的又は相乗的に作
用させることを考えた。即ち、本発明は、セラミック溶
射皮膜のみに基づく性質を改善し又は改質することので
きる金属表面の複合皮膜を提供することを目的とし、ま
た、そのような複合皮膜を形成することのできる方法を
提供することを目的とする。
【0005】
【目的を達成するための手段】本発明の金属表面の複合
皮膜は、金属表面に形成された下地溶射皮膜と下地溶射
皮膜上に形成されたセラミック溶射皮膜とからなる複合
皮膜において、下地溶射皮膜が窒化チタンを主成分とす
ることを特徴としている。
皮膜は、金属表面に形成された下地溶射皮膜と下地溶射
皮膜上に形成されたセラミック溶射皮膜とからなる複合
皮膜において、下地溶射皮膜が窒化チタンを主成分とす
ることを特徴としている。
【0006】本発明の金属表面の複合皮膜の形成方法
は、金属表面に下地溶射皮膜を介してセラミック溶射皮
膜を形成して、両溶射皮膜からなる複合皮膜を形成する
方法において、チタンを大気中で溶射して下地溶射皮膜
を形成することを特徴としている。
は、金属表面に下地溶射皮膜を介してセラミック溶射皮
膜を形成して、両溶射皮膜からなる複合皮膜を形成する
方法において、チタンを大気中で溶射して下地溶射皮膜
を形成することを特徴としている。
【0007】
【作用】本発明の金属表面の複合皮膜においては、下地
溶射皮膜の大部分が窒化チタンからなっているので、下
地溶射皮膜はセラミックとしての性質を発現することと
なる。従って、複合皮膜の性質は、セラミック溶射皮膜
のセラミックとしての性質に、下地溶射皮膜のセラミッ
クとしての性質が作用したものとなる。
溶射皮膜の大部分が窒化チタンからなっているので、下
地溶射皮膜はセラミックとしての性質を発現することと
なる。従って、複合皮膜の性質は、セラミック溶射皮膜
のセラミックとしての性質に、下地溶射皮膜のセラミッ
クとしての性質が作用したものとなる。
【0008】チタンは大気中にて反応して窒化チタンに
なりやすいので、本発明の金属表面の複合皮膜の形成方
法によれば、下地溶射皮膜の大部分は窒化チタンからな
るものとなる。
なりやすいので、本発明の金属表面の複合皮膜の形成方
法によれば、下地溶射皮膜の大部分は窒化チタンからな
るものとなる。
【0009】
【実施例】図1は本発明の方法により形成された複合皮
膜を示す断面図である。図において、1はアルミニウム
部材からなる基板、2は下地溶射皮膜、3はセラミック
溶射皮膜である。複合皮膜4は、両溶射皮膜2、3から
なっている。基板1のアルミニウム部材としてはA50
52を用い、セラミック溶射皮膜3のセラミックとして
はホワイトアルミナを用いた。また、基板1の厚さは6
mm、下地溶射皮膜2の厚さは50〜100μm、セラ
ミック溶射皮膜3の厚さは200〜300μmとした。
膜を示す断面図である。図において、1はアルミニウム
部材からなる基板、2は下地溶射皮膜、3はセラミック
溶射皮膜である。複合皮膜4は、両溶射皮膜2、3から
なっている。基板1のアルミニウム部材としてはA50
52を用い、セラミック溶射皮膜3のセラミックとして
はホワイトアルミナを用いた。また、基板1の厚さは6
mm、下地溶射皮膜2の厚さは50〜100μm、セラ
ミック溶射皮膜3の厚さは200〜300μmとした。
【0010】次に、形成方法について説明する。基板1
表面に、ブラスト処理後、粒度が10〜44μmの純チ
タン粉末をプラズマ溶射して下地溶射皮膜2を形成し
た。ブラスト処理は、アルミナグリッドを用いて行なっ
た。アルミナグリッドとしては具体的には、「アランダ
ム#24」を用いた。
表面に、ブラスト処理後、粒度が10〜44μmの純チ
タン粉末をプラズマ溶射して下地溶射皮膜2を形成し
た。ブラスト処理は、アルミナグリッドを用いて行なっ
た。アルミナグリッドとしては具体的には、「アランダ
ム#24」を用いた。
【0011】次に、下地溶射皮膜2上に、粒度が10〜
45μmのホワイトアルミナをプラズマ溶射してホワイ
トアルミナからなるセラミック溶射皮膜3を形成した。
45μmのホワイトアルミナをプラズマ溶射してホワイ
トアルミナからなるセラミック溶射皮膜3を形成した。
【0012】なお、下地溶射皮膜2及びセラミック溶射
皮膜3を形成する際の各プラズマ溶射は、出力60kw
級の国産のプラズマ溶射装置を用いて、表1に示す条件
で行なった。
皮膜3を形成する際の各プラズマ溶射は、出力60kw
級の国産のプラズマ溶射装置を用いて、表1に示す条件
で行なった。
【0013】
【表1】
【0014】こうして、アルミニウム部材からなる基板
1表面に、下地溶射皮膜2を介してセラミック溶射皮膜
3が形成された。即ち、複合皮膜4が形成された。図2
は図1のA部の拡大写真である。
1表面に、下地溶射皮膜2を介してセラミック溶射皮膜
3が形成された。即ち、複合皮膜4が形成された。図2
は図1のA部の拡大写真である。
【0015】上記形成方法において、下地溶射皮膜2を
形成する際に、純チタンは大気中にて反応して殆んどが
窒化チタンに変わる。このため、下地溶射皮膜2は大部
分が窒化チタンからなっており、純チタンは少量であ
る。図3は下地溶射皮膜2の組成を示すX線回折図であ
る。図3からわかるように、窒化チタンと純チタンの含
有割合は約5:1である。
形成する際に、純チタンは大気中にて反応して殆んどが
窒化チタンに変わる。このため、下地溶射皮膜2は大部
分が窒化チタンからなっており、純チタンは少量であ
る。図3は下地溶射皮膜2の組成を示すX線回折図であ
る。図3からわかるように、窒化チタンと純チタンの含
有割合は約5:1である。
【0016】窒化チタン及び純チタンの熱膨張係数は、
アルミニウムとアルミナの間に位置している。このた
め、セラミック溶射皮膜3の基板1に対する密着性は、
下地溶射皮膜2を介することによって向上している。密
着強度は、具体的には5kg・f/mm2であった。特
に、チタンはアルミニウムと反応するので、下地溶射皮
膜2の基板1に対する密着性は向上している。
アルミニウムとアルミナの間に位置している。このた
め、セラミック溶射皮膜3の基板1に対する密着性は、
下地溶射皮膜2を介することによって向上している。密
着強度は、具体的には5kg・f/mm2であった。特
に、チタンはアルミニウムと反応するので、下地溶射皮
膜2の基板1に対する密着性は向上している。
【0017】セラミック溶射皮膜3は、セラミックであ
るホワイトアルミナからなっているため、絶縁性を有し
ている。下地溶射皮膜2も、大部分がセラミックである
窒化チタンからなっているため、絶縁性を有している。
従って、複合皮膜4は、セラミック溶射皮膜3のみに基
づく絶縁性よりも高い絶縁性を有することとなる。即
ち、セラミック溶射皮膜3のみに基づく絶縁性は改善さ
れたこととなる。
るホワイトアルミナからなっているため、絶縁性を有し
ている。下地溶射皮膜2も、大部分がセラミックである
窒化チタンからなっているため、絶縁性を有している。
従って、複合皮膜4は、セラミック溶射皮膜3のみに基
づく絶縁性よりも高い絶縁性を有することとなる。即
ち、セラミック溶射皮膜3のみに基づく絶縁性は改善さ
れたこととなる。
【0018】以下に、絶縁破壊試験の方法及びその結果
を示す。結果から、絶縁性が改善されていることがわか
る。絶縁破壊試験 ・種類:気中試験 試験方法:JIS−C2110(段階破壊試験)に準
じる。 印加周波数:800Hz(方形波) 平板−平板電極(φ25) なお、従来例は、下地溶射皮膜2としてNi・Al合金
を用いた。
を示す。結果から、絶縁性が改善されていることがわか
る。絶縁破壊試験 ・種類:気中試験 試験方法:JIS−C2110(段階破壊試験)に準
じる。 印加周波数:800Hz(方形波) 平板−平板電極(φ25) なお、従来例は、下地溶射皮膜2としてNi・Al合金
を用いた。
【0019】また、絶縁性以外に、耐熱性、耐高温腐食
等の特性を改善することができる。
等の特性を改善することができる。
【0020】なお、下地溶射皮膜2及びセラミック溶射
皮膜3を形成する際の各プラズマ溶射の条件を表2又は
表3に示すようにしても、上記実施例と略同じ複合皮膜
4が得られた。
皮膜3を形成する際の各プラズマ溶射の条件を表2又は
表3に示すようにしても、上記実施例と略同じ複合皮膜
4が得られた。
【0021】
【表2】
【0022】
【表3】
【0023】また、基板1の金属としては、例えば、種
々の鉄鋼材料、銅、銅合金、チタン、チタン合金、ニッ
ケル基合金、コバルト基合金等を用いてもよく、セラミ
ック溶射皮膜3のセラミックとしては、例えば、ジルコ
ニア、チタニア、スピネル、イットリア等を用いてもよ
い。
々の鉄鋼材料、銅、銅合金、チタン、チタン合金、ニッ
ケル基合金、コバルト基合金等を用いてもよく、セラミ
ック溶射皮膜3のセラミックとしては、例えば、ジルコ
ニア、チタニア、スピネル、イットリア等を用いてもよ
い。
【0024】
【発明の効果】以上のように本発明の金属表面の複合皮
膜によれば、下地溶射皮膜2の大部分が窒化チタンから
なっているので、下地溶射皮膜2にセラミックとしての
性質を持たせることができる。従って、複合皮膜4の性
質を、セラミック溶射皮膜3のセラミックとしての性質
に、下地溶射皮膜2のセラミックとしての性質を作用さ
せてなるものにでき、セラミック溶射皮膜3のみに基づ
く性質を改善し又は改質することができる。例えば、複
合皮膜4に、セラミック溶射皮膜3のみによる絶縁性よ
り高い絶縁性を持たせることができ、更には、耐熱性、
耐高温腐食等の特性を改善することができる。
膜によれば、下地溶射皮膜2の大部分が窒化チタンから
なっているので、下地溶射皮膜2にセラミックとしての
性質を持たせることができる。従って、複合皮膜4の性
質を、セラミック溶射皮膜3のセラミックとしての性質
に、下地溶射皮膜2のセラミックとしての性質を作用さ
せてなるものにでき、セラミック溶射皮膜3のみに基づ
く性質を改善し又は改質することができる。例えば、複
合皮膜4に、セラミック溶射皮膜3のみによる絶縁性よ
り高い絶縁性を持たせることができ、更には、耐熱性、
耐高温腐食等の特性を改善することができる。
【0025】また、本発明の金属表面の複合皮膜の形成
方法によれば、大部分が窒化チタンからなる下地溶射皮
膜2を容易且つ確実に形成できる。
方法によれば、大部分が窒化チタンからなる下地溶射皮
膜2を容易且つ確実に形成できる。
【図1】 本発明の方法により形成された複合皮膜を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】 結晶の構造を示す図面に代わる写真であっ
て、図1の一部を拡大して示す。
て、図1の一部を拡大して示す。
【図3】 下地溶射皮膜の組成を示すX線回折図であ
る。
る。
1 基板 2 下地溶射皮膜 3 セラミック溶射皮膜 4 複合皮膜
Claims (2)
- 【請求項1】 金属表面に形成された下地溶射皮膜と下
地溶射皮膜上に形成されたセラミック溶射皮膜とからな
る複合皮膜において、下地溶射皮膜が窒化チタンを主成
分とすることを特徴とする金属表面の複合皮膜。 - 【請求項2】 金属表面に下地溶射皮膜を介してセラミ
ック溶射皮膜を形成して、両溶射皮膜からなる複合皮膜
を形成する方法において、チタンを大気中で溶射して下
地溶射皮膜を形成することを特徴とする金属表面の複合
皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294327A JPH07126827A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 金属表面の複合皮膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294327A JPH07126827A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 金属表面の複合皮膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07126827A true JPH07126827A (ja) | 1995-05-16 |
Family
ID=17806270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294327A Pending JPH07126827A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 金属表面の複合皮膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07126827A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7166200B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
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