JPH07122530A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07122530A JPH07122530A JP26726693A JP26726693A JPH07122530A JP H07122530 A JPH07122530 A JP H07122530A JP 26726693 A JP26726693 A JP 26726693A JP 26726693 A JP26726693 A JP 26726693A JP H07122530 A JPH07122530 A JP H07122530A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの表面の汚染を防止して、歩留
まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を
得る。 【構成】 半導体ウエハ３の酸化膜をＨ2Ｏ：ＨＦ＝５
０〜１００：１にて成るフッ酸処理液５にてエッチング
して、この半導体ウエハ３をＨ2Ｏ：ＨＦ＝４００〜１
０００：１にて成る第２のフッ酸処理液１３に浸し、こ
の半導体ウエハ３を純水７にて洗浄する。
まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を
得る。 【構成】 半導体ウエハ３の酸化膜をＨ2Ｏ：ＨＦ＝５
０〜１００：１にて成るフッ酸処理液５にてエッチング
して、この半導体ウエハ３をＨ2Ｏ：ＨＦ＝４００〜１
０００：１にて成る第２のフッ酸処理液１３に浸し、こ
の半導体ウエハ３を純水７にて洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に係り、特に半導体ウエハの酸化膜のウェットエッチン
グ後の洗浄に関するものである。
に係り、特に半導体ウエハの酸化膜のウェットエッチン
グ後の洗浄に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体ウエハの構成を示す
断面図で、図４は図３における半導体ウエハの製造工程
を示す図である。図において、１はＳｉから成る半導体
基板、２はこの半導体基板１上に積層されたＳｉＯ2か
ら成る酸化膜、３は半導体基板１及び酸化膜２から成る
半導体ウエハ、４は酸化膜除去槽、５はこの酸化膜除去
槽４内に貯留されたＨ2Ｏ：ＨＦ＝５０〜１００：１に
て成るフッ酸処理液、６は純水７が貯留された純水槽で
ある。
断面図で、図４は図３における半導体ウエハの製造工程
を示す図である。図において、１はＳｉから成る半導体
基板、２はこの半導体基板１上に積層されたＳｉＯ2か
ら成る酸化膜、３は半導体基板１及び酸化膜２から成る
半導体ウエハ、４は酸化膜除去槽、５はこの酸化膜除去
槽４内に貯留されたＨ2Ｏ：ＨＦ＝５０〜１００：１に
て成るフッ酸処理液、６は純水７が貯留された純水槽で
ある。
【０００３】次に、図４に基づいて半導体装置の製造方
法について説明する。まず、図４（ａ）に示すように酸
化膜除去槽４内のフッ酸処理液５に、図３に示すような
半導体ウエハ３を所望の時間浸して、酸化膜２をエッチ
ングする。この時、図５に示すように半導体基板１上の
酸化膜２は、その表面でフッ酸処理液５と下記式（１）
で示すような反応８を起している。 ＳｉＯ2＋６ＨＦ→Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ・・・・・・・
・・・（１） そして、半導体ウエハ３上に形成される境界層１０で
は、この酸化膜２をエッチングする際に反応８が多く生
じるため多量のＨ2ＳｉＦ6９が発生し高濃度となってい
る。
法について説明する。まず、図４（ａ）に示すように酸
化膜除去槽４内のフッ酸処理液５に、図３に示すような
半導体ウエハ３を所望の時間浸して、酸化膜２をエッチ
ングする。この時、図５に示すように半導体基板１上の
酸化膜２は、その表面でフッ酸処理液５と下記式（１）
で示すような反応８を起している。 ＳｉＯ2＋６ＨＦ→Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ・・・・・・・
・・・（１） そして、半導体ウエハ３上に形成される境界層１０で
は、この酸化膜２をエッチングする際に反応８が多く生
じるため多量のＨ2ＳｉＦ6９が発生し高濃度となってい
る。
【０００４】次に、エッチングにより酸化膜２のエッチ
ングされた半導体ウエハ３を取り出し、図４（ｂ）に示
すように純水槽６内の純水７に浸して、半導体ウエハ３
に付着しているフッ酸処理液５や異物を洗浄する。この
時、図６に示すように半導体ウエハ３上の境界層１０で
は多量に水が供給されるため、酸化膜２をエッチングし
ているにもかかわらず下記式（２）で示すような反応１
１がわずかながら起こって、半導体ウエハ３上に微量の
シリカＳｉＯ2が発生している。 Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ→ＳｉＯ2＋６ＨＦ・・・・・・・
・・・（２） そして、最後に洗浄された半導体ウエハ３を取り出して
乾燥処理する。
ングされた半導体ウエハ３を取り出し、図４（ｂ）に示
すように純水槽６内の純水７に浸して、半導体ウエハ３
に付着しているフッ酸処理液５や異物を洗浄する。この
時、図６に示すように半導体ウエハ３上の境界層１０で
は多量に水が供給されるため、酸化膜２をエッチングし
ているにもかかわらず下記式（２）で示すような反応１
１がわずかながら起こって、半導体ウエハ３上に微量の
シリカＳｉＯ2が発生している。 Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ→ＳｉＯ2＋６ＨＦ・・・・・・・
・・・（２） そして、最後に洗浄された半導体ウエハ３を取り出して
乾燥処理する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法は以上のように酸化膜２が除去された半導体ウエ
ハ３を純水７に浸して洗浄しているので、反応１１にて
発生した微量のシリカＳｉＯ2が半導体ウエハ３上に化
学的に付着したまま乾燥されるため、半導体ウエハ３の
表面が汚染され歩留まりを低下させるという問題点があ
った。
造方法は以上のように酸化膜２が除去された半導体ウエ
ハ３を純水７に浸して洗浄しているので、反応１１にて
発生した微量のシリカＳｉＯ2が半導体ウエハ３上に化
学的に付着したまま乾燥されるため、半導体ウエハ３の
表面が汚染され歩留まりを低下させるという問題点があ
った。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体ウエハの表面の汚染を防
止して、歩留まりを向上させることができる半導体装置
の製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、半導体ウエハの表面の汚染を防
止して、歩留まりを向上させることができる半導体装置
の製造方法を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの酸化膜をＨ
2Ｏ：ＨＦ＝５０〜１００：１にて成る第１のフッ酸系
処理液にてエッチングして、この半導体ウエハをＨ
2Ｏ：ＨＦ＝４００〜１０００：１にて成る第２のフッ
酸系処理液にて洗浄し、そして、この半導体ウエハを純
水にて洗浄するものである。
の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの酸化膜をＨ
2Ｏ：ＨＦ＝５０〜１００：１にて成る第１のフッ酸系
処理液にてエッチングして、この半導体ウエハをＨ
2Ｏ：ＨＦ＝４００〜１０００：１にて成る第２のフッ
酸系処理液にて洗浄し、そして、この半導体ウエハを純
水にて洗浄するものである。
【０００８】
【作用】この発明の請求項１における半導体装置の製造
方法は、第１のフッ酸系処理液にて酸化膜がエッチング
された半導体ウエハを、第１のフッ酸系処理液よりＨＦ
の濃度の低い第２のフッ酸系処理液にて洗浄した後、こ
の半導体ウエハを純水にて洗浄することにより、半導体
ウエハ上に形成された境界層中のＨ2ＳｉＦ6の濃度を減
少させ、純水中での半導体ウエハ上のシリカＳｉＯ2の
発生を防止する。
方法は、第１のフッ酸系処理液にて酸化膜がエッチング
された半導体ウエハを、第１のフッ酸系処理液よりＨＦ
の濃度の低い第２のフッ酸系処理液にて洗浄した後、こ
の半導体ウエハを純水にて洗浄することにより、半導体
ウエハ上に形成された境界層中のＨ2ＳｉＦ6の濃度を減
少させ、純水中での半導体ウエハ上のシリカＳｉＯ2の
発生を防止する。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図に基
づいて説明する。図１はこの発明の実施例１における半
導体装置の製造工程を示す図である。図において、従来
の場合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略す
る。１２は中間洗浄槽、１３はこの中間洗浄槽１２内に
貯留されフッ酸処理液５よりＨＦの濃度の低いＨ2Ｏ：
ＨＦ＝４００〜１０００：１にて成る第２のフッ酸処理
液である。
づいて説明する。図１はこの発明の実施例１における半
導体装置の製造工程を示す図である。図において、従来
の場合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略す
る。１２は中間洗浄槽、１３はこの中間洗浄槽１２内に
貯留されフッ酸処理液５よりＨＦの濃度の低いＨ2Ｏ：
ＨＦ＝４００〜１０００：１にて成る第２のフッ酸処理
液である。
【００１０】次に、図１に基づいて実施例１の半導体装
置の製造方法について説明する。まず、従来の場合と同
様に図１（ａ）に示すように酸化膜除去槽４内のフッ酸
処理液５に、半導体ウエハ３を所望の時間浸して、酸化
膜２をエッチングする。この時、図５に示すように半導
体基板１上の酸化膜２は、その表面でフッ酸処理液５と
上記式（１）で示すような反応８を起している。そし
て、半導体ウエハ３上に形成される境界層１０では、こ
の酸化膜２をエッチングする際に反応８が多く生じるた
め多量のＨ2ＳｉＦ6９が発生し高濃度となっている。
置の製造方法について説明する。まず、従来の場合と同
様に図１（ａ）に示すように酸化膜除去槽４内のフッ酸
処理液５に、半導体ウエハ３を所望の時間浸して、酸化
膜２をエッチングする。この時、図５に示すように半導
体基板１上の酸化膜２は、その表面でフッ酸処理液５と
上記式（１）で示すような反応８を起している。そし
て、半導体ウエハ３上に形成される境界層１０では、こ
の酸化膜２をエッチングする際に反応８が多く生じるた
め多量のＨ2ＳｉＦ6９が発生し高濃度となっている。
【００１１】次に、エッチングにより酸化膜２の除去さ
れた半導体ウエハ３を取り出し、図１（ｂ）に示すよう
に中間洗浄槽１２内の第２のフッ酸処理液１３に浸して
中間洗浄を行う。この時、第２のフッ酸処理液１３中に
はＨＦが含まれているため、半導体ウエハ３上の境界層
１０では反応１１を起こすことなく（シリカＳｉＯ２を
発生することなく）、第２のフッ酸処理液１３中のＨ２
Ｏにより境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の濃度は薄められ
る。
れた半導体ウエハ３を取り出し、図１（ｂ）に示すよう
に中間洗浄槽１２内の第２のフッ酸処理液１３に浸して
中間洗浄を行う。この時、第２のフッ酸処理液１３中に
はＨＦが含まれているため、半導体ウエハ３上の境界層
１０では反応１１を起こすことなく（シリカＳｉＯ２を
発生することなく）、第２のフッ酸処理液１３中のＨ２
Ｏにより境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の濃度は薄められ
る。
【００１２】そして、半導体ウエハ３を取り出し、図１
（ｃ）に示すように純水槽６内の純水７に浸す。この
時、境界層１０には微量のＨ2ＳｉＦ6９しか残留してい
ないため反応１１が起こることなく、半導体ウエハ３に
付着している第２のフッ酸処理液１３や異物は純水７に
て洗浄される。最後に、洗浄された半導体ウエハ３を取
り出し乾燥処理する。
（ｃ）に示すように純水槽６内の純水７に浸す。この
時、境界層１０には微量のＨ2ＳｉＦ6９しか残留してい
ないため反応１１が起こることなく、半導体ウエハ３に
付着している第２のフッ酸処理液１３や異物は純水７に
て洗浄される。最後に、洗浄された半導体ウエハ３を取
り出し乾燥処理する。
【００１３】上記のような方法で製造された実施例１の
半導体装置は、酸化膜２の除去された半導体ウエハ３を
第２のフッ酸処理液１３に浸して洗浄し、半導体ウエハ
３上の境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の濃度が低下させてい
るので、純水７中における半導体ウエハ３上の反応１１
は抑制され、シリカＳｉＯ2が発生しないため、半導体
ウエハ３の表面が汚染されることもない。
半導体装置は、酸化膜２の除去された半導体ウエハ３を
第２のフッ酸処理液１３に浸して洗浄し、半導体ウエハ
３上の境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の濃度が低下させてい
るので、純水７中における半導体ウエハ３上の反応１１
は抑制され、シリカＳｉＯ2が発生しないため、半導体
ウエハ３の表面が汚染されることもない。
【００１４】実施例２．図２はこの発明の実施例２にお
ける半導体装置の製造工程を示す図である。図におい
て、実施例１と同様の部分は同一符号を付して省略す
る。１４は酸化膜２が除去された半導体ウエハ３を洗浄
するための第２のフッ酸処理液１３を吐出させるシャワ
ーである。
ける半導体装置の製造工程を示す図である。図におい
て、実施例１と同様の部分は同一符号を付して省略す
る。１４は酸化膜２が除去された半導体ウエハ３を洗浄
するための第２のフッ酸処理液１３を吐出させるシャワ
ーである。
【００１５】次に、図２に基づいて実施例２の半導体装
置の製造方法について説明する。まず、実施例１と同様
に図２（ａ）に示すよう酸化膜除去槽２内のフッ酸処理
液５に半導体ウエハ３を所望の時間浸して、酸化膜２を
エッチングする。この時、半導体ウエハ３上に形成され
る境界層１０では実施例１の場合と同様にＨ2ＳｉＦ6９
が高濃度となっている。
置の製造方法について説明する。まず、実施例１と同様
に図２（ａ）に示すよう酸化膜除去槽２内のフッ酸処理
液５に半導体ウエハ３を所望の時間浸して、酸化膜２を
エッチングする。この時、半導体ウエハ３上に形成され
る境界層１０では実施例１の場合と同様にＨ2ＳｉＦ6９
が高濃度となっている。
【００１６】次に、酸化膜２の除去された半導体ウエハ
３を取り出し、図２（ｂ）に示すように、シャワー１４
から第２のフッ酸処理液１３を半導体ウエハ３に吹きつ
け中間洗浄を行う。この時、第２のフッ酸処理液１３中
にはＨＦが含まれているため、半導体ウエハ３上の境界
層１０では反応１１を起こすことなく（シリカＳｉＯ2
を発生することなく）、第２のフッ酸処理液１３中のＨ
2Ｏにより境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の濃度は薄められ
る。
３を取り出し、図２（ｂ）に示すように、シャワー１４
から第２のフッ酸処理液１３を半導体ウエハ３に吹きつ
け中間洗浄を行う。この時、第２のフッ酸処理液１３中
にはＨＦが含まれているため、半導体ウエハ３上の境界
層１０では反応１１を起こすことなく（シリカＳｉＯ2
を発生することなく）、第２のフッ酸処理液１３中のＨ
2Ｏにより境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の濃度は薄められ
る。
【００１７】そして、半導体ウエハ３を、図２（ｃ）に
示すように純水槽６内の純水７に浸す。この時、境界層
１０には微量のＨ2ＳｉＦ6９しか残留していないため反
応１１が起こることなく、半導体ウエハ３に付着してい
る第２のフッ酸処理液１３や異物は洗浄される。最後
に、洗浄された半導体ウエハ３を取り出し乾燥処理す
る。
示すように純水槽６内の純水７に浸す。この時、境界層
１０には微量のＨ2ＳｉＦ6９しか残留していないため反
応１１が起こることなく、半導体ウエハ３に付着してい
る第２のフッ酸処理液１３や異物は洗浄される。最後
に、洗浄された半導体ウエハ３を取り出し乾燥処理す
る。
【００１８】上記のような方法で製造された実施例２の
半導体装置は酸化膜２の除去された半導体ウエハ３に第
２のフッ酸処理液１３をシャワー１４から吹きつけて洗
浄し、半導体ウエハ３上の境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の
濃度を低下させるので、上記実施例１と同様の効果を奏
するのはもちろんのこと、常に新しい第２のフッ酸処理
液１３にて半導体ウエハ３を洗浄しているので、より一
層半導体ウエハ３の表面が汚染されることもない。
半導体装置は酸化膜２の除去された半導体ウエハ３に第
２のフッ酸処理液１３をシャワー１４から吹きつけて洗
浄し、半導体ウエハ３上の境界層１０のＨ2ＳｉＦ6９の
濃度を低下させるので、上記実施例１と同様の効果を奏
するのはもちろんのこと、常に新しい第２のフッ酸処理
液１３にて半導体ウエハ３を洗浄しているので、より一
層半導体ウエハ３の表面が汚染されることもない。
【００１９】実施例３．上記各実施例では半導体ウエハ
３の酸化膜２を除去するのにＨ2ＯとＨＦとから成るフ
ッ酸処理液５を用いる例を説明したが、これに限られる
ことはなく例えばＨ2ＯとＨＦとＮＨ4Ｆとから成るフッ
酸系処理液を用いるようにしても、上記各実施例と同様
の効果を奏する。
３の酸化膜２を除去するのにＨ2ＯとＨＦとから成るフ
ッ酸処理液５を用いる例を説明したが、これに限られる
ことはなく例えばＨ2ＯとＨＦとＮＨ4Ｆとから成るフッ
酸系処理液を用いるようにしても、上記各実施例と同様
の効果を奏する。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば半導体ウエハの酸化膜をＨ2Ｏ：ＨＦ＝５０〜１０
０：１にて成る第１のフッ酸系処理液にてエッチングし
て、この半導体ウエハをＨ2Ｏ：ＨＦ＝４００〜１００
０：１にて成る第２のフッ酸系処理液にて洗浄し、そし
て、この半導体ウエハを純水にて洗浄するので、半導体
ウエハの表面の汚染を防止して、歩留まりを向上させる
ことができる半導体装置の製造方法を得ることができる
という効果がある。
れば半導体ウエハの酸化膜をＨ2Ｏ：ＨＦ＝５０〜１０
０：１にて成る第１のフッ酸系処理液にてエッチングし
て、この半導体ウエハをＨ2Ｏ：ＨＦ＝４００〜１００
０：１にて成る第２のフッ酸系処理液にて洗浄し、そし
て、この半導体ウエハを純水にて洗浄するので、半導体
ウエハの表面の汚染を防止して、歩留まりを向上させる
ことができる半導体装置の製造方法を得ることができる
という効果がある。
【図１】この発明の実施例１における半導体装置の製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図２】この発明の実施例２における半導体装置の製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図３】従来の半導体ウエハの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図４】図３における半導体ウエハの製造工程を示す図
である。
である。
【図５】半導体ウエハの酸化膜のエッチング時における
半導体ウエハ表面上の反応を示す図である。
半導体ウエハ表面上の反応を示す図である。
【図６】半導体ウエハの純水での洗浄時における半導体
ウエハ表面上の反応を示す図である。
ウエハ表面上の反応を示す図である。
２ 酸化膜 ３ 半導体ウエハ ５ フッ酸処理液 ７ 純水 １３ 第２のフッ酸処理液 １４ シャワー
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハの酸化膜をＨ2Ｏ：ＨＦ＝
５０〜１００：１にて成る第１のフッ酸系処理液にてエ
ッチングする工程と、上記工程に次いで上記半導体ウエ
ハをＨ2Ｏ：ＨＦ＝４００〜１０００：１にて成る第２
のフッ酸系処理液にて洗浄する工程と、上記半導体ウエ
ハを純水にて洗浄する工程とを含有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26726693A JPH07122530A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26726693A JPH07122530A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122530A true JPH07122530A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17442458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26726693A Pending JPH07122530A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024045A1 (en) * | 1998-10-21 | 2000-04-27 | Fsi International | Low haze wafer treatment process |
| CN113145578A (zh) * | 2020-01-23 | 2021-07-23 | 信越石英株式会社 | 反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP26726693A patent/JPH07122530A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024045A1 (en) * | 1998-10-21 | 2000-04-27 | Fsi International | Low haze wafer treatment process |
| CN113145578A (zh) * | 2020-01-23 | 2021-07-23 | 信越石英株式会社 | 反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
| CN113145578B (zh) * | 2020-01-23 | 2023-09-26 | 信越石英株式会社 | 反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
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