[go: up one dir, main page]

JPH0715087B2 - 粘接着テープおよびその使用方法 - Google Patents

粘接着テープおよびその使用方法

Info

Publication number
JPH0715087B2
JPH0715087B2 JP63183158A JP18315888A JPH0715087B2 JP H0715087 B2 JPH0715087 B2 JP H0715087B2 JP 63183158 A JP63183158 A JP 63183158A JP 18315888 A JP18315888 A JP 18315888A JP H0715087 B2 JPH0715087 B2 JP H0715087B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
adhesive layer
chip
molecular weight
epoxy resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63183158A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0232181A (ja
Inventor
幹夫 小宮山
靖直 宮沢
和義 江部
隆則 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP63183158A priority Critical patent/JPH0715087B2/ja
Priority to MYPI89000962A priority patent/MY105793A/en
Priority to US07/380,548 priority patent/US5118567A/en
Priority to KR1019890010452A priority patent/KR950009551B1/ko
Priority to DE68920807T priority patent/DE68920807T2/de
Priority to EP89307441A priority patent/EP0359373B1/en
Publication of JPH0232181A publication Critical patent/JPH0232181A/ja
Priority to US07/653,232 priority patent/US5110388A/en
Priority to US07/837,117 priority patent/US5356949A/en
Publication of JPH0715087B2 publication Critical patent/JPH0715087B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1062—Prior to assembly
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/287—Adhesive compositions including epoxy group or epoxy polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、新規な粘接着テープおよびその使用方法に関
する。さらに詳しくは、本発明は、特にシリコンウエハ
ー等をダイシングし、さらにリードフレームにダイボン
ディングする工程で使用するのに適した粘接着テープお
よびその使用方法に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 シリコン、ガリウムヒ素などのウエハー上に集積回路が
形成された半導体ウエハーは、大径の状態で製造され、
このウエハーはダイシングテープ上に貼着された状態で
素子小片（ICチップ）に分離切断され、次いでICチップ
はダイシングテープから剥離（ピックアップ）された
後、ICチップをリードフレームに、エポキシ樹脂などの
接着剤を用いて接着（マウント）されて、いわゆるICが
製造されている。
このような工程で使用されるダイシングテープは、ダイ
シングを行なう際には、シリコンウエハーとの接着力が
高いことが必要であり、逆にピックアップする際には、
ICチップに付着物を残すことなくICチップを容易に剥離
することができるように接着力が低下せしめられている
ことが必要である。このように従来のダイシングテープ
は、接着性と剥離性という相反する特性の両者を有する
ことが必要であり、接着性および剥離性のバランスが崩
れると、ダイシングを円滑に行なうことができなくなっ
たり、あるいはピックアップを円滑に行なうことができ
なくなる。ことに従来のダイシングテープを用いた場合
には、ピックアップしたICチップにダイシングテープの
接着剤成分が残留することがあり、このような接着剤成
分は得られるICの特性を低下させる原因となる。したが
ってリードフレームにICチップをマウントする前に、こ
のような残留接着剤成分は除去する必要があり、このよ
うな除去操作は、ICの製造工程を煩雑にすると共に、残
留している接着剤成分の完全な除去は困難であるととも
に、除去に際して使用される有機溶剤によって環境が汚
染されるという問題点があった。
さらに、上記のようなICチップをリードフレームに接着
する際には、たとえば特開昭60−198757号あるいは同60
−243114号などの公報に記載されているようなエポキシ
樹脂等が使用されているが、ICチップが非常に小さい場
合、適量の接着剤を塗布することが困難であり、ICチッ
プから接着剤がはみ出したり、あるいはICチップが大き
い場合、接着剤量が不足するなど、充分な接着力を有す
るように接着を行なうことができないなどという問題点
があった。
発明の目的 本発明は、前記のような従来技術における問題点を解決
しようとするものであって、エネルギー線硬化性と加熱
硬化性とを有し、ダイシングの際にはダイシングテープ
として使用することができ、マウントの際には接着剤と
して使用することができる粘接着テープおよびこの粘接
着テープを使用する方法を提供することを目的としてい
る。
発明の概要 本発明に係る粘接着テープは、 基材と、この上に形成された粘接着層とからなる粘接着
テープにおいて、 該基材が、40dyne/cm以下の表面張力を有する光透過性
支持体であり、 該粘接着層が、分子量30000以上の（メタ）アクリル酸
エステル共重合体、分子量100〜10000のエポキシ樹脂、
光重合性低分子化合物、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬
化剤および光重合開始剤よりなる組成物から形成されて
いることを特徴としている。
本発明に係る粘接着テープの使用方法は、 上記粘接着テープの粘接着層に、エネルギー線を照射し
て該粘接着にICチップを固着させた後、該ICチップをリ
ードフレーム上に該粘接着層を介して載置し、次いで加
熱することにより概粘接着層に接着力を発現させて該IC
チップとリードフレームとを接着することを特徴として
いる。
本発明に係る粘接着テープは、エネルギー線の照射によ
って粘着力を調整することができ、さらに加熱で接着力
が発現するので、シリコンウエハーをダイシングする際
には、粘着テープとして使用することができ、またこの
ようにしてダイシングして得られたICチップにはエネル
ギー線で硬化された粘接着剤が固着しておりダイボンデ
ィングの際にはICチップに固着された粘接着剤を加熱硬
化型接着剤として使用することができる。
発明の具体的説明 以下、本発明に係る粘接着テープおよびその使用方法に
ついて具体的に説明する。
本発明に係る粘接着テープは、基材と、この上に形成さ
れた特定の樹脂組成物から構成される粘接着層とからな
る。
本発明における粘接着層は、分子量30000以上の（メ
タ）アクリル酸エステル共重合体、分子量100〜10000の
エポキシ樹脂、光重合性低分子化合物、熱活性型潜在性
エポキシ樹脂硬化剤および光重合開始剤よりなる組成物
から形成されている。
本発明で使用することができる分子量30000以上の（メ
タ）アクリル酸エステル共重合体としては、（メタ）ア
クリル酸ならびに、たとえば（メタ）アクリル酸と炭素
数１〜14のアルコールとから誘導される（メタ）アクリ
ル酸アルキルエステル、および（メタ）アクリル酸グリ
シジルなどの単量体を共重合することにより得られる共
重合体を挙げることができる。ここで炭素数１〜14のア
ルコールとから誘導される（メタ）アクリル酸アルキル
エステルの具体例としては、（メタ）アクリル酸メチ
ル、（メタ）アクリル酸エチル、および（メタ）アクリ
ル酸ブチルを挙げることができる。
本発明において、（メタ）アクリル酸エステル共重合体
としては、（メタ）アクリル酸および／または（メタ）
アクリル酸グリシジルと、少なくとも１種類の（メタ）
アクリル酸アルキルエステルとの共重合体が好ましい。
なお、（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、
（メタ）アクリル酸および／または（メタ）アクリル酸
グリシジルから誘導される共重合体を用いる場合、共重
合体中における（メタ）アクリル酸グリシジルから誘導
される成分単位の含有率を通常は０〜80モル％、好まし
くは５〜50モル％にし、（メタ）アクリル酸から誘導さ
れる成分単位の含有率を通常は０〜40モル％、好ましく
は５〜20モル％にする。なお、この場合、（メタ）アク
リル酸エステル共重合体を形成する（メタ）アクリル酸
および（メタ）アクリル酸グリシジル以外のモノマー成
分としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アク
リル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル等を用いるこ
とが好ましい。
本発明で使用される分子量100〜10000のエポキシ樹脂と
しては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾル
シノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック
などのフェナール類のグリシジルエール； ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピ
レングリコールなどのアルコール類のグリシジルエーテ
ル； フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸などの
カルボン酸のグリシジルエーテル； アニリンイソシアヌレートなどの窒素原子に結合した活
性水素をグリシジル基で置換したグリシジル基、若しく
はアルキルグリシジル型エポキシ樹脂； ビニルシクロヘキセンジエポキシド、3,4−エポキシシ
クロヘキシルメチル−3,4−ジシクロヘキサンカルボキ
シレート、２−（3,4−エポキシ）シクロヘキシル−5,5
−スピロ（3,4−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオ
キサンなどのように分子内の炭素−炭素二重結合をたと
えば酸化することによりエポキシ基が導入された、いわ
ゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。
なお、本発明において使用されるエポキシ樹脂のエポキ
シ当量は通常50〜5000g/eqである。
上記のようなエポキシ樹脂は単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。これらのエポキシ樹脂の内
でも、本発明においてはビスフェノール系グリシジル型
エポキシ樹脂が好ましく使用される。
このようなビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂
としては、具体的には、エピコート828（分子量380）、
エピコート834（分子量470）、エピコート1001（分子量
900）、エピコート1002（分子量1060）、エピコート105
5（分子量1350）、エピコート1007（分子量2900）等を
使用することができる。
本発明の粘接着テープを製造するに際して、上記のエポ
キシ樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体100
重量部に対して、通常は、５〜2000重量部、好ましくは
100〜1000重量部の範囲の量で使用される。
本発明で使用される光重合性低分子化合物は、紫外線、
電子線などのエネルギー線を照射することにより、架橋
せしめることのできる化合物であり、このような化合物
としては、分子内に光重合性二重結合を１個以上有する
低分子化合物であり、このような化合物としては、通常
は、重量平均分子量（Mw）が100〜30000の範囲、好まし
くは300〜10000の範囲にあるオリゴマーを用いる。
すなわち、このような化合物の具体的な例としては、ウ
レタン変性アクリレート、エポキシ変性アクリレート；
ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレー
ト、（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコン酸オ
リゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの
官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。
これらの光重合性低分子化合物のうち、本発明において
は、エポキシ変性アクリレートおよびウレタン変性アク
リレートが好ましく使用される。
なお、このような化合物と上記の（メタ）アクリル酸エ
ステル共重合体あるいはエポキシ樹脂との相違点は、光
重合性低分子化合物の重量平均分子量の上限が30000で
あるのに対して、上記の（メタ）アクリル酸エステル共
重合体の重量平均分子量が30000以上である点および光
重合性低分子化合物が、分子内に光重合性二重結合を１
個以上必ず有しているのに対して、上記の（メタ）アク
リル酸エステル共重合体およびエポキシ樹脂は、光重合
性の二重結合を通常は有していない点にある。
本発明の粘接着テープを製造するに際して、上記の光重
合性低分子化合物は、（メタ）アクリル酸エステル共重
合体100重量部に対して、通常は、10〜1000重量部、好
ましくは50〜600重量部の範囲の量で使用される。
本発明において使用される熱活性型潜在性エポキシ樹脂
硬化剤としては、各種オニウム塩、高融点活性水素化合
物等を挙げることができる。これらの熱活性型潜在性エ
ポキシ樹脂硬化剤は単独で、あるいは組み合わせて使用
することができる。これらのうち、本発明においては、
脂肪族スルホニウム塩を使用することが好ましい。
本発明の粘接着テープを製造するに際して、上記の熱活
性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂100重
量部に対して、通常は、0.1〜10重量部、好ましくは１
〜５重量部の範囲の量で使用される。
なお、本発明においては、上記の熱活性型潜在性エポキ
シ樹脂硬化剤とは別に、粘接着層の接着性能を変えるた
めに、ポリイソシアネート化合物などの熱硬化剤を配合
することができる。この場合、熱硬化剤は、（メタ）ア
クリル酸エステル共重合体100重量部に対して、通常
は、0.1〜30重量部、好ましくは５〜20重量部の範囲の
量で使用される。
本発明において使用される光重合開始剤としてはベンゾ
フェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインア
ルキルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール
などを挙げることができる。これらの光重合開始剤は単
独で、あるいは組み合わせて使用することができる。こ
れらのうち、本発明においては、α−置換アセトフェノ
ンを使用することが好ましい。
本発明の粘接着テープを製造するに際して、上記の光重
合開始剤は、光重合性低分子化合物100重量部に対し
て、通常は、0.1〜10重量部、好ましくは１〜５重量部
の範囲の量で使用される。
また、本発明においては、上記の成分以外に、ロイコ染
料、光散乱性無機化合物、エキスパンディング剤、帯電
防止剤等を使用することができる。
本発明で使用することができるロイコ染料としては、３
−［Ｎ−（Ｐ−トリルアミノ］−７−アニリノフルオラ
ン、4,4′,4″−トリスジメチルアミノトリフェニルメ
タン等を挙げることができ、光散乱性無機化合物として
は、粒子径が１〜100μｍの無機化合物を挙げることが
でき、好ましくは１〜20μｍ、具体的には、シリカ粉
末、アルミナ粉末を挙げることができる。さらに本発明
において、エキスパンディング剤としては高級脂肪酸あ
るいはその誘導体、シリコーン化合物、ポリオール化合
物などを使用することができ、また帯電防止剤としては
カーボンブラック、アニオン系、カチオン系の界面活性
剤などを使用することができる。
本発明において、ロイコ染料、光散乱性無機化合物、エ
キスパンディング剤、帯電防止剤等を使用する場合、
（メタ）アクリル酸エステル共重合体100重量部に対し
て、ロイコ染料の配合量は、通常は、0.01〜10重量部で
あり、光散乱性無機化合物の配合量は、通常0.1〜10重
量部であり、エキスパンディング剤の配合量は、通常0.
1〜10重量部であり、帯電防止剤の配合量は、通常0.05
〜10重量部である。
また、本発明の粘接着テープに、金、銀、銅、ニッケ
ル、アルミニウム、ステンレス、カーボン等の導電性物
質を配合して導電性を賦与することができる。この場
合、これらの導電性物質は、（メタ）アクリル酸エステ
ル共重合体100重量部に対して、10〜400重量部の量で配
合される。
本発明の粘接着テープは、上記のような成分からなる粘
接着層を有しており、このような粘接着層を有する本発
明の粘接着テープは、支持体を用いずに、上記の成分か
らなる組成物の薄膜であっても良いし、また、透明支持
体とこの支持体上に上記の成分からなる組成物を用いて
形成された粘接着層とからなる多層構造であってもよ
く、殊に多層構造を有していることが好ましい。
このように多層構造にする場合、支持体としては、粘着
性を賦与するために照射されるエネルギー線を透過する
素材からなるフィルムを用いることができ、さらに、エ
ネルギー線の照射によって粘着性が向上した粘接着層と
の接着性の低い素材を用いることが望ましい。このよう
な素材として、たとえばエネルギー線として紫外線を使
用する場合には、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩化ビニルア
イオノマー、エチレン−メタクリル酸共重合体などの樹
脂フィルムおよびこれらの樹脂の架橋フィルム、さらに
これら樹脂フィルム表面にシリコーン樹脂等を塗布して
剥離処理したフィルムを挙げることができる。すなわ
ち、本発明では光透過性支持体として、たとえば特開昭
60−57642号公報に開示されているような剥離層を有す
ることによって、表面張力が40dyne/cm以下となってい
る支持体も使用することができる。また、エネルギー線
として電子線を使用する場合には、フッ素樹脂や着色不
透明フィルムあるいは剥離紙も使用することができる。
さらに本発明の目的から支持体としては、40dyne/cm以
下の表面張力をするフィルムを用いることが好ましい。
なお、これらのフィルム等は、単独で使用することもで
きるし、積層して使用することもできる。また、このよ
うな支持体の厚さは通常は25〜200μｍである。
さらに本発明では、光透過性支持体として、エネルギー
線の瀟洒などによって、表面張力が40dyne/cm以下とな
るような支持体も使用することができる。
上記のような支持体上に、上記の粘接着層を形成する組
成物を、たとえばグラビア、コンマ、バーコート法など
の塗布法を採用して塗布することにより粘接着層を形成
することができる。なお、上記の粘接着層を形成する組
成物は、必要により、溶剤に溶解し、若しくは分散させ
て塗布することができる。
このようにして形成される粘接着層の厚さは、通常は、
３〜100μｍ、好ましくは10〜60μｍである。
上記のようにして得られた粘接着テープは、次のように
して使用される。
シリコンウエハーの一方の面に本発明の粘接着テープを
貼着した後、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、
上記シリコンウエハーと粘着テープを一体として所望の
大きさに切断してICチップを得る。このようなシリコン
ウエハーと本発明の粘接着テープとの接着力は、通常50
〜2000g/25mm、好ましくは100〜1000g/25mmであり、他
方、粘接着テープの粘接着層と支持体との接着力は通常
500g/25mm以下である。
次いで、上記のようにして得られたICチップに貼着した
粘接着テープにエネルギー線を照射する。
本発明において使用することができるエネルギー線とし
ては、中心波長が約365nmの紫外線であり、その他に電
子線などを挙げることができる。エネルギー線として紫
外線を使用する場合、通常、照度は20〜500mW/cm2、さ
らに照射時間は0.1〜150秒の範囲内に設定される。ま
た、たとえば電子線を使用する場合にも、上記の紫外線
の照射に準じて諸条件を設定することができる。なお、
上記のようなエネルギー線の照射の際に補助的に加熱を
行ないながらエネルギー線の照射を行なうこともでき
る。
このようにエネルギー線の照射を行なうことにより、シ
リコンウエハーと粘接着層との接着力は、通常50〜4000
g/25mm、好ましくは100〜3000g/25mmに向上する。他
方、粘接着層と支持体との接着力は低下し、通常１〜50
0g/25mmとなり、好ましくは100g/25mm以下である。
したがって、上記のようにしてエネルギー線の照射を行
なうことにより、粘接着層をICチップの表面に固着残存
させて支持体から剥離することができる。
このようにして粘接着層が固着されているICチップを、
リードフレームに載置し、次いで加熱することにより粘
接着層を接着剤として作用させてICチップとリードフレ
ームとの接着を行なう。
この場合の加熱温度は、通常は100〜300℃、好ましくは
150〜250℃であり、加熱時間は、通常は、１〜120分
間、好ましくは５〜60分間である。
このようにして加熱を行なうことにより、粘接着層とシ
リコンウエハーとの接着力は、1000g/25mm以上に向上
し、さらにこの粘接着層とリードフレームとの接着力も
上記範囲内になり、リードフレームにICチップが強固に
接着される。
なお、本発明の粘接着テープは、上記のようにダイシン
グを行なった後、エネルギー線を照射して粘接着層に接
着力を賦与することもできるし、また、このような方法
とは別に、ダイシングを行なう前にエネルギー線を照射
してシリコンウエハーと粘接着層との接着力を向上さ
せ、次いでダイシングを行なうこともできる。
さらに、支持体を剥離し、所望のICチップ形状に裁断さ
れた粘接着層だけを、リードフレームに貼着し、ICチッ
プを粘接着層を介してリードフレームに載置し、次いで
加熱することによりICチップとリードフレームとを接着
する方法も採用できる。
このように本発明の粘接着テープを用いてICチップをリ
ードフレームに接着する方法は、従来の方法のようにダ
イシングテープをダイシングした後、剥離するのではな
く、エネルギー線による硬化と加熱による硬化とを利用
して、粘接着層の接着力を調整し、本発明の粘接着テー
プを、最初の段階では従来のダイシングテープと同様に
使用すると共に、最終的にはICチップとリードフレーム
との接着剤として使用する方法である。したがって、従
来のダイシングテープを用いた場合のように、ダイシン
グテープの粘着剤がICチップの表面に残存することに伴
う問題を引き起すことがなく、さらに従来のICチップと
リードフレームとの接着にエポキシ樹脂などの接着剤を
使用することに伴う問題も発生しない。
そして、本発明の粘接着テープを用いることにより、シ
リコンウエハーからICチップが接着されたリードフレー
ムを製造する工程が著しく簡素化される。
なお、本発明の粘接着テープは、上記のような使用方法
の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属など
の接着に使用することもできる。
発明の効果 本発明に係る粘接着テープは、エネルギー線を利用した
硬化法および加熱による硬化法の両者の硬化法を利用す
ることにより、従来のダイシングテープと同様にダイシ
ングの際に使用した後、剥離除去することなく、ICチッ
プをリードフレームに接着する際に接着剤として連続使
用することができる。したがって、シリコンウエハーを
ダイシングした後、さらにICチップを洗浄するなどの複
雑な操作およびICチップの大きさに対応する量の接着剤
を軽量使用するなどの複雑な動作を行なうことなく、IC
チップをリードフレームに接着することができる。
そして、このようにして本発明の粘接着テープを使用す
ることにより、ICチップをきわめて簡単にピックアップ
でき、かつICチップとリードフレームとの接着性も良好
である。
［実施例］ 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
らの実施例により限定されるものではない。
実施例１ アクリル酸メチルとメタクリル酸グリシジルとの共重合
体 （固形分含有率35重量％） ・・・100重量部（固形分重
量） ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂（数平均分
子量＝500） ・・・600重量部 光重合性エポキシアクリレート系オリゴマー二重結合を
２個有する化合物分子量730（GPC法で測定したポリスチ
レン換算分子量） ・・・100重量部 熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤脂肪族スルホニウム
塩 ・・・18重量部 光重合開始剤（2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノン） ・・５重量部 上記の成分を混合して得た組成物を、表面張力が32dyne
/cmであり、厚さが100μｍのポリエチレンフィルム支持
体上に塗布し、加熱乾燥して、厚さ30μｍの粘接着層を
形成し、粘接着テープを製造した。
この粘接着テープとシリコンウエハーとの接着力は、36
0g/25mmであった。なお、本発明において、接着力はJIS
Z 0237に規定される測定法により測定した値である。
次いで、この粘接着層に80W/cmの高圧水銀灯を用いて、
200mW/cm2で紫外線を２秒間照射することにより、粘接
着層とシリコンウエハーとの接着力は、900g/25mmに向
上したが、粘着剤層と支持体との接着力は60g/25mmであ
った。
このような特性を有する粘接着テープを５インチ径のシ
リコンウエハに貼着し、ダイシングソー（DISCO製）を
用い、50mm/秒の切断速度で5mm角にフルカットしてICチ
ップを得た。
この粘接着テープの粘接着層に、上記高圧水銀灯を用い
て２秒間紫外線を照射した。
次いで上記のICチップをダイボンダーを用いてリードフ
レーム上にダイレクトマウントした。
上記のようにしてダイレクトマウントする際に観察した
ところ、ICチップ上に粘接着層が固着されていることが
確認された。
このようにしてダイレクトマウントを行なった後、170
℃、30分間の条件で加熱を行ないリードフレームとICチ
ップとを強固に接着することができた。
実施例２ アクリル酸ブチルとアクリル酸との共重合体（35重量％
溶液） ・・・100重量部（固形分重量） ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂（30重量％
溶液） ・・・400重量部（固形分重量） 熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤脂肪族スルホニウム
塩の30重量％溶液 ・・・８重量部（固形分重量） 光重合性低分子化合物ウレタン系アクリレート・・・70
重量部 光重合開始剤（2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノン） ・・５重量部 熱硬化剤（芳香族系ポリイソシアナート）・・５重量部 導電性フィラー（ニッケル粉末）（平均粒子径５μｍ）
・・・750重量部 上記の成分を実施例１と同様に混合して粘接着組成物を
得、この組成物を用い、表面張力が35dyne/cmで厚さが6
0μｍのポリプロピレンフィルム上に、乾燥厚さが30μ
ｍになるよう塗布した以外は実施例１と同様にして粘接
着テープを製造した。
この粘接着テープの接着力を実施例と同様にして測定し
た結果、紫外線照射前の粘接着層とシリコンウエハーと
の接着力は150g/25mmであり、紫外線照射後の接着力は5
00g/25mmであった。支持体と粘接着層との接着力は40g/
25mmであった。
この粘接着テープを用いて、実施例１と同様にダイシン
グ、ダイレクトマウント、加熱を行なってICチップをリ
ードフレーム上に接着したところ、実施例１と同様に接
着することができ、良好な導電性が得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＫＡ ＪＫＥ ＪＫＦ ＪＬＥ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ 7376−4Ｍ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基材と、この上に形成された粘接着層とか
    らなる粘接着テープにおいて、 該基材が、40dyne/cm以下の表面張力を有する光透過性
    支持体であり、 該粘接着層が、分子量30000以上の（メタ）アクリル酸
    エステル共重合体、分子量100〜10000のエポキシ樹脂、
    光重合性低分子化合物、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬
    化剤および光重合開始剤よりなる組成物から形成されて
    いることを特徴とする粘接着テープ。
  2. 【請求項２】基材と、この上に形成された粘接着層とか
    らなり、 該基材が、40dyne/cm以下の表面張力を有する光透過性
    支持体であり、 該粘接着層が、分子量30000以上の（メタ）アクリル酸
    エステル共重合体、分子量100〜10000のエポキシ樹脂、
    光重合性低分子化合物、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬
    化剤および光重合開始剤よりなる組成物から形成されて
    いる粘接着テープの粘接着層に半導体ウエハーを貼付
    し、該半導体ウエハーをダイシングしてICチップとする
    際に、ダイシング前またはダイシング後のいずれかにお
    いて該粘接着層にエネルギー線を照射して該粘接着層を
    硬化させ、該粘接着層を該ICチップの表面に固着存残さ
    せて基材から剥離し、該ICチップをリードフレーム上に
    該粘接着層を介して載置し、次いで加熱することにより
    該粘接着層に接着力を発現させて該ICチップとリードフ
    レームを接着することを特徴とする粘接着テープの使用
    方法。
  3. 【請求項３】照射するエネルギー線が紫外線であること
    を特徴とする請求項第２項に記載の粘接着テープの使用
    方法。
JP63183158A 1988-07-21 1988-07-21 粘接着テープおよびその使用方法 Expired - Lifetime JPH0715087B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63183158A JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1988-07-21 粘接着テープおよびその使用方法
MYPI89000962A MY105793A (en) 1988-07-21 1989-07-14 Adhesive tape and use thereof.
US07/380,548 US5118567A (en) 1988-07-21 1989-07-14 Adhesive tape and use thereof
EP89307441A EP0359373B1 (en) 1988-07-21 1989-07-21 Adhesive tape and use thereof
DE68920807T DE68920807T2 (de) 1988-07-21 1989-07-21 Klebeband und seine Verwendung.
KR1019890010452A KR950009551B1 (ko) 1988-07-21 1989-07-21 접착 테이프 및 그 이용방법
US07/653,232 US5110388A (en) 1988-07-21 1991-02-08 Method of dicing and bonding semiconductor chips using a photocurable and heat curable adhesive tape
US07/837,117 US5356949A (en) 1988-07-21 1992-02-21 Adhesive composition comprising (meth)acrylate polymer and epoxy resin

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63183158A JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1988-07-21 粘接着テープおよびその使用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0232181A JPH0232181A (ja) 1990-02-01
JPH0715087B2 true JPH0715087B2 (ja) 1995-02-22

Family

ID=16130813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63183158A Expired - Lifetime JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1988-07-21 粘接着テープおよびその使用方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US5118567A (ja)
EP (1) EP0359373B1 (ja)
JP (1) JPH0715087B2 (ja)
KR (1) KR950009551B1 (ja)
DE (1) DE68920807T2 (ja)
MY (1) MY105793A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815383B1 (ko) * 2006-12-28 2008-03-20 제일모직주식회사 점착필름 형성용 광경화성 조성물 및 이를 포함하는 다이싱다이본딩 필름
DE19805146B4 (de) * 1997-02-10 2008-05-29 Lintec Corp. Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung
JP2008153230A (ja) * 2007-12-27 2008-07-03 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
US8043698B2 (en) 2004-08-03 2011-10-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device, and wafer-processing tape

Families Citing this family (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277972B1 (en) * 1988-09-29 1996-11-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive tapes
EP0361975B1 (en) * 1988-09-29 1995-05-24 Tomoegawa Paper Co. Ltd. Adhesive tapes
CA2009566A1 (en) * 1989-03-09 1990-09-09 Shinobu Sato Epoxy-acrylate blend pressure-sensitive thermosetting adhesives
DE3923023A1 (de) * 1989-07-12 1991-01-24 Siemens Ag Uv-haertbarer klebstoff fuer ein halbleiterchipmontageverfahren
JP2665062B2 (ja) * 1991-02-12 1997-10-22 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
EP0539973A3 (en) * 1991-11-01 1995-07-12 Furukawa Electric Co Ltd A surface-protection method during etching
US5762744A (en) * 1991-12-27 1998-06-09 Rohm Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device using an expand tape
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP2994510B2 (ja) * 1992-02-10 1999-12-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
CA2118017A1 (en) * 1992-05-05 1993-11-25 Michael A. Johnson Topographical method
US5283467A (en) * 1992-06-05 1994-02-01 Eaton Corporation Heat sink mounting system for semiconductor devices
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
US5435876A (en) * 1993-03-29 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Grid array masking tape process
US6485589B1 (en) 1993-04-15 2002-11-26 3M Innovative Properties Company Melt-flowable materials and method of sealing surfaces
JP3410202B2 (ja) * 1993-04-28 2003-05-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
US5466325A (en) * 1993-06-02 1995-11-14 Nitto Denko Corporation Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
CA2174734A1 (en) * 1993-11-10 1995-05-18 Michael A. Johnson Topographical method
US6870272B2 (en) * 1994-09-20 2005-03-22 Tessera, Inc. Methods of making microelectronic assemblies including compliant interfaces
US5659952A (en) * 1994-09-20 1997-08-26 Tessera, Inc. Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip
US5915170A (en) * 1994-09-20 1999-06-22 Tessera, Inc. Multiple part compliant interface for packaging of a semiconductor chip and method therefor
US6169328B1 (en) 1994-09-20 2001-01-02 Tessera, Inc Semiconductor chip assembly
JP3521099B2 (ja) * 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
JPH08236554A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置，及び半導体装置の製造方法，並びに半導体装置のダイボンディング方法
JPH08267668A (ja) * 1995-03-29 1996-10-15 Nitta Ind Corp 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法
US5670260A (en) * 1995-04-21 1997-09-23 Adhesives Research, Inc. Radiation-cured adhesive film having differential surface adhesion
KR100418322B1 (ko) * 1995-04-24 2005-05-18 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 캄파니 폴리올레핀표면용감압성접착제
US6017603A (en) * 1995-04-28 2000-01-25 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Ultraviolet-curing adhesive composition and article
JP3197788B2 (ja) 1995-05-18 2001-08-13 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
WO1997000534A1 (fr) * 1995-06-15 1997-01-03 Nitto Denko Corporation Procede d'elimination d'un agent photoresistant, et adhesif ou feuille adhesive utilises a cet effet
WO1997000923A1 (en) * 1995-06-21 1997-01-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Adhesive compositions, bonding films made therefrom and processes for making bonding films
JPH0917752A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp 偏平な被切削物の切断方法及びその装置
US7012320B2 (en) 1995-07-06 2006-03-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device and process for fabrication thereof
TW310481B (ja) * 1995-07-06 1997-07-11 Hitachi Chemical Co Ltd
AU6487996A (en) 1995-07-10 1997-02-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Screen printable adhesive compositions
KR19990036318A (ko) * 1995-08-11 1999-05-25 존 데이비드 홉스 접착제
JP3641033B2 (ja) * 1995-09-29 2005-04-20 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 熱硬化性組成物、熱硬化性組成物の調製用組成物、及び熱硬化性フィルム接着剤
US6211572B1 (en) * 1995-10-31 2001-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip package with fan-in leads
US6284563B1 (en) * 1995-10-31 2001-09-04 Tessera, Inc. Method of making compliant microelectronic assemblies
US6551845B1 (en) * 1996-01-02 2003-04-22 Micron Technology, Inc. Method of temporarily securing a die to a burn-in carrier
US6007920A (en) * 1996-01-22 1999-12-28 Texas Instruments Japan, Ltd. Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
DE69609047T2 (de) * 1996-03-29 2001-03-08 Minnesota Mining And Mfg. Co., St. Paul Wärmehärtbarer Klebstoff mit verbessertem Beschichtbarkeit
DE69736582T2 (de) * 1996-04-25 2006-12-28 Nippon Kayaku K.K. Uv-härtbare klebstoffzusammensetzung und gegenstand
FR2748350B1 (fr) * 1996-05-06 2000-07-13 Solaic Sa Composant electronique sous forme de circuit integre pour insertion a chaud dans un substrat et procedes pour sa fabrication
KR100483106B1 (ko) * 1996-05-16 2005-12-21 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 캄파니 접착제조성물및그의사용방법
DE69635929D1 (de) * 1996-05-16 2006-05-11 Minnesota Mining & Mfg Klebstoffzusammensetzungen und methoden zu ihrer verwendung
TW422874B (en) * 1996-10-08 2001-02-21 Hitachi Chemical Co Ltd Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film
US6686015B2 (en) 1996-12-13 2004-02-03 Tessera, Inc. Transferable resilient element for packaging of a semiconductor chip and method therefor
US6226452B1 (en) 1997-05-19 2001-05-01 Texas Instruments Incorporated Radiant chamber for simultaneous rapid die attach and lead frame embed for ceramic packaging
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
US6760086B2 (en) * 1998-03-26 2004-07-06 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Attachment film for electronic display device
US6235387B1 (en) * 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
JP3692935B2 (ja) * 1998-07-01 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP4275221B2 (ja) 1998-07-06 2009-06-10 リンテック株式会社 粘接着剤組成物および粘接着シート
KR100339183B1 (ko) 1998-07-13 2002-05-31 포만 제프리 엘 접착제 번짐이 감소된 다이 부착법
KR20000041299A (ko) * 1998-12-22 2000-07-15 윤종용 감광성 접착층을 이용한 반도체 칩 접착방법
JP2000349101A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Lintec Corp 転写用テープおよびその使用方法
KR100543428B1 (ko) 1999-06-18 2006-01-20 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제, 접착부재, 접착부재를 구비한 반도체탑재용배선기판 및 이것을 사용한 반도체장치
US6517656B1 (en) * 1999-10-05 2003-02-11 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package using a batch step for curing a die attachment film and a tool system for performing the method
US6723620B1 (en) * 1999-11-24 2004-04-20 International Rectifier Corporation Power semiconductor die attach process using conductive adhesive film
JP4409014B2 (ja) 1999-11-30 2010-02-03 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4911811B2 (ja) * 2000-02-28 2012-04-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 熱活性接着剤および光架橋性熱活性接着剤
US6383833B1 (en) 2000-05-23 2002-05-07 Silverbrook Research Pty Ltd. Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
AU2000247318B2 (en) 2000-05-24 2005-05-05 Memjet Technology Limited Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
US6938783B2 (en) 2000-07-26 2005-09-06 Amerasia International Technology, Inc. Carrier tape
JP3906962B2 (ja) 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
FR2815468B1 (fr) * 2000-10-12 2003-10-03 Gemplus Card Int Procede pour le report de microcircuit sur un support
US20020156144A1 (en) * 2001-02-09 2002-10-24 Williams Kevin Alan UV-curable, non-chlorinated adhesion promoters
US8058354B2 (en) * 2001-02-09 2011-11-15 Eastman Chemical Company Modified carboxylated polyolefins and their use as adhesion promoters
US7060352B2 (en) * 2001-03-14 2006-06-13 3M Innovative Properties Company Method of detackifying an edge face of a roll of tape using a radiation curable composition
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP2002299378A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Lintec Corp 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
DE10121556A1 (de) 2001-05-03 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Rückseitenschleifen von Wafern
JP4869517B2 (ja) 2001-08-21 2012-02-08 リンテック株式会社 粘接着テープ
JP2004043761A (ja) * 2001-08-27 2004-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP2003086538A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Hitachi Ltd 半導体チップの製造方法
WO2003031193A1 (en) * 2001-10-09 2003-04-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an electronic component and electronic component obtained by means of said method
US6709953B2 (en) * 2002-01-31 2004-03-23 Infineon Technologies Ag Method of applying a bottom surface protective coating to a wafer, and wafer dicing method
JP2003234359A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4115711B2 (ja) * 2002-02-14 2008-07-09 日東電工株式会社 フレキシブルプリント配線板固定用接着シート及びフレキシブルプリント配線板への電子部品の実装方法
JP2004175866A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Nippon Kayaku Co Ltd 光ディスク用接着剤組成物、硬化物および物品
WO2004069951A1 (ja) 2003-02-05 2004-08-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハ貼着用粘着テープ
JP2006518944A (ja) * 2003-02-25 2006-08-17 テッセラ，インコーポレイテッド バンプを有するボールグリッドアレー
DE10311433B4 (de) * 2003-03-15 2016-08-04 Lohmann Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von haftklebender Materialien und Dichtungsmaterialien mit dreidimensionaler Struktur
TWI401326B (zh) 2003-06-06 2013-07-11 Hitachi Chemical Co Ltd 切割背膠一體型黏著片
GB2404280B (en) 2003-07-03 2006-09-27 Xsil Technology Ltd Die bonding
DE10336375A1 (de) * 2003-08-06 2004-12-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestücken von Probenhaltern mit Biochips und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens
DE10349394A1 (de) * 2003-10-21 2005-05-25 Marabuwerke Gmbh & Co. Kg UV-härtendes Bindemittel für Farben oder Lacke zur Bedruckung von Glas und Verfahren zur Bedruckung von Glassubstraten
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
WO2005057644A1 (ja) 2003-12-15 2005-06-23 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウェハ加工用テープおよびその製造方法
MY138566A (en) 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4027332B2 (ja) * 2004-03-19 2007-12-26 リンテック株式会社 半導体用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR100590198B1 (ko) * 2004-03-25 2006-06-19 엘에스전선 주식회사 수축성 이형필름을 갖는 다이싱 필름 및 이를 이용한반도체 패키지 제조방법
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
US7106021B2 (en) * 2004-05-04 2006-09-12 International Business Machines Corporation Method, system, and program product for feedback control of a target system utilizing imposition of a periodic modulating signal onto a command signal
US20060252234A1 (en) * 2004-07-07 2006-11-09 Lintec Corporation Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
US8058355B2 (en) 2004-10-06 2011-11-15 Eastman Chemical Company Modified chlorinated carboxylated polyolefins and their use as adhesion promoters
TWI273662B (en) * 2004-12-06 2007-02-11 Advanced Semiconductor Eng Method for chip bonding
DE102004059599B3 (de) * 2004-12-09 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen einer Klebstoffschicht auf dünngeschliffene Halbleiterchips eines Halbleiterwafers
US20060131709A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Caron Michael R Semiconductor die positioning system and a method of bonding a semiconductor die to a substrate
KR101267651B1 (ko) * 2005-02-25 2013-05-23 테세라, 인코포레이티드 유연성을 갖는 마이크로 전자회로 조립체
JP4650024B2 (ja) * 2005-02-28 2011-03-16 住友ベークライト株式会社 ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。
DE102006000867A1 (de) * 2006-01-05 2007-07-12 Marabuwerke Gmbh & Co. Kg UV-härtende Glasdruckfarbe und UV-härtender Glasdrucklack sowie Verfahren zum Bedrucken von Glassubstraten
US7871899B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-18 Amkor Technology, Inc. Methods of forming back side layers for thinned wafers
US7932615B2 (en) 2006-02-08 2011-04-26 Amkor Technology, Inc. Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers
US7674701B2 (en) 2006-02-08 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns
JP5098361B2 (ja) * 2006-03-08 2012-12-12 日立化成工業株式会社 ダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4846406B2 (ja) * 2006-03-28 2011-12-28 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP5005258B2 (ja) * 2006-05-23 2012-08-22 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR101370245B1 (ko) 2006-05-23 2014-03-05 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
US7923488B2 (en) * 2006-10-16 2011-04-12 Trillion Science, Inc. Epoxy compositions
JP4879702B2 (ja) * 2006-10-20 2012-02-22 リンテック株式会社 ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法
KR101271225B1 (ko) * 2006-10-31 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법
JP5005324B2 (ja) * 2006-11-27 2012-08-22 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5005325B2 (ja) * 2006-11-27 2012-08-22 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR20080047990A (ko) 2006-11-27 2008-05-30 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법
JP5250202B2 (ja) * 2006-12-18 2013-07-31 電気化学工業株式会社 多層粘着シート、及び電子部品の製造方法。
US7749886B2 (en) 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
JP5101111B2 (ja) * 2007-01-05 2012-12-19 日東電工株式会社 半導体基板加工用粘着シート
JP2008235398A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP2008247936A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Lintec Corp 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR100828025B1 (ko) * 2007-06-13 2008-05-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 절단 방법
US7799612B2 (en) * 2007-06-25 2010-09-21 Spansion Llc Process applying die attach film to singulated die
TWI421319B (zh) 2007-06-28 2014-01-01 Lintec Corp 黏接著劑組成物、黏接著片及半導體裝置之製造方法
JP5126960B2 (ja) * 2007-11-28 2013-01-23 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
US20090146234A1 (en) * 2007-12-06 2009-06-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units having an infrared-absorbing layer and associated systems and methods
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
JP5467720B2 (ja) 2007-12-28 2014-04-09 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
TW200933866A (en) * 2008-01-16 2009-08-01 Lingsen Precision Ind Ltd Chip stacking method using light hardened glue
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
JP5237647B2 (ja) * 2008-01-25 2013-07-17 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
CN102015943A (zh) * 2008-03-07 2011-04-13 3M创新有限公司 具有图案化背衬的切割带和晶粒附连粘合剂
JP5314307B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-16 リンテック株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびチップ複合体の製造方法
JP5314308B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-16 リンテック株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびチップ複合体の製造方法
JP4806815B2 (ja) 2008-03-31 2011-11-02 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2009242605A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Lintec Corp 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5090241B2 (ja) * 2008-04-17 2012-12-05 リンテック株式会社 ダイソート用シート
JP5500787B2 (ja) * 2008-06-03 2014-05-21 リンテック株式会社 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
GB0904582D0 (en) * 2008-09-24 2009-04-29 Lumina Adhesives Switchable adhesives
JP5089560B2 (ja) 2008-11-28 2012-12-05 リンテック株式会社 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物
TWI390005B (zh) * 2008-12-31 2013-03-21 Eternal Chemical Co Ltd 無溶劑導電膠組成物及使用該組成物之太陽能電池元件
WO2010131616A1 (ja) * 2009-05-12 2010-11-18 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着シート及び電子部品の製造方法
JP5679696B2 (ja) * 2009-05-22 2015-03-04 日東電工株式会社 紫外線硬化型粘着剤組成物、粘着剤層、粘着シートおよびその製造方法
JP2011111474A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
EP2371920A1 (en) 2010-03-31 2011-10-05 Lumina Adhesives AB Switchable adhesives
WO2011122428A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP5833005B2 (ja) 2010-07-13 2015-12-16 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
US8883281B2 (en) * 2010-12-17 2014-11-11 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Multilayer film having pressure sensitive adhesive layer
KR101374365B1 (ko) * 2010-12-27 2014-03-17 제일모직주식회사 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름
JP5620834B2 (ja) * 2011-01-26 2014-11-05 リンテック株式会社 接着剤組成物および接着シート
JP6012602B2 (ja) 2011-07-25 2016-10-25 リンテック株式会社 半導体加工シート用基材フィルム、半導体加工シート及び半導体装置の製造方法
DE102012208597B4 (de) 2012-05-23 2018-05-30 Tesa Se Haftklebemasse für medizinische Zwecke, Verfahren zu ihrer Herstellung und die Haftklebmasse enthaltende Mischung
JP6001964B2 (ja) 2012-09-04 2016-10-05 リンテック株式会社 半導体加工シート及び半導体装置の製造方法
JP5696772B2 (ja) * 2013-12-10 2015-04-08 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
TWI546934B (zh) * 2014-10-20 2016-08-21 Playnitride Inc Led陣列擴張方法及led陣列單元
EP3056225A1 (en) 2015-02-16 2016-08-17 Nitto Denko Corporation Debondable adhesive system
US9882275B2 (en) 2015-10-30 2018-01-30 Essential Products, Inc. Antennas for handheld devices
US10158164B2 (en) 2015-10-30 2018-12-18 Essential Products, Inc. Handheld mobile device with hidden antenna formed of metal injection molded substrate
US9896777B2 (en) * 2015-10-30 2018-02-20 Essential Products, Inc. Methods of manufacturing structures having concealed components
WO2019053646A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 3M Innovative Properties Company ADHESIVE FILM COMPRISING A (METH) ACRYLATE MATRIX COMPRISING A CURABLE EPOXY / THIOL RESIN COMPOSITION, RIBBON AND METHOD
US10896840B2 (en) * 2018-09-19 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Tape heating methods
KR102536844B1 (ko) * 2018-10-15 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US12024654B2 (en) 2019-06-13 2024-07-02 Lg Chem, Ltd. Non-conductive film and manufacturing method of semiconductor laminate
KR102405907B1 (ko) * 2019-06-13 2022-06-07 주식회사 엘지화학 비전도성 필름 및 반도체 적층체의 제조 방법
EP4146762B1 (en) 2020-05-07 2024-05-08 Dow Silicones Corporation Silicone hybrid pressure sensitive adhesive and methods for its preparation and use on uneven surfaces
US11403694B2 (en) * 2020-07-17 2022-08-02 YUTYBAZAR Limited System and method for intelligent context-based personalized beauty product recommendation and matching
CN113784513A (zh) * 2021-08-10 2021-12-10 信维通信（江苏）有限公司 一种线路板成型方法
CN116135940B (zh) * 2023-02-20 2023-08-22 丹阳市沃德立电工材料有限公司 一种半导体封装胶带及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1587159A (en) * 1977-07-05 1981-04-01 Ciba Geigy Ag Film adhesives containing an epoxide resin
JPS5428356A (en) * 1977-08-05 1979-03-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Heat-curable precursor
US4230814A (en) * 1979-02-12 1980-10-28 General Electric Company Heat curable compositions
US4286047A (en) * 1979-07-25 1981-08-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive adhesive susceptible to ultraviolet light-induced detackification
DE3114931A1 (de) * 1981-04-13 1982-10-28 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Durch strahlung polymerisierbares gemisch und daraus hergestelltes photopolymerisierbares kopiermaterial
CA1194637A (en) * 1982-04-26 1985-10-01 Charles R. Morgan Uv and thermally curable, thermoplastic-containing compositions
DE3374413D1 (en) * 1982-06-24 1987-12-17 Ciba Geigy Ag Photopolymerisable coating, photopolymerisable material and its use
US4961804A (en) * 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US4698113A (en) * 1983-08-11 1987-10-06 Matsushita Electric Method of curing photocurable and heat-curable compositions and a method of adhering members to each other by using them
JPH0616524B2 (ja) * 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60221477A (ja) * 1984-04-18 1985-11-06 Nitto Electric Ind Co Ltd 制振補強用の接着性シ−ト
US5049434A (en) * 1984-04-30 1991-09-17 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system
US4959008A (en) * 1984-04-30 1990-09-25 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Pre-patterned circuit board device-attach adhesive transfer system
JPS6128572A (ja) * 1984-07-19 1986-02-08 F S K Kk 半導体ウエハー用粘着シートの使用法
EP0191534B1 (en) * 1985-02-14 1990-05-23 Bando Chemical Industries, Ltd. A method for dicing a semiconductor wafer
US4687693A (en) * 1985-06-13 1987-08-18 Stauffer Chemical Company Adhesively mountable die attach film
US4688053A (en) * 1985-07-13 1987-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Liquid jet recording head having a layer of a resin composition curable with an active energy ray
US4664239A (en) * 1985-08-08 1987-05-12 Applied Power Inc. System for disabling, enabling and otherwise controlling vehicle functions based upon continuous measurement of clutch wear and clutch position
DE3639266A1 (de) * 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
JPH0686505B2 (ja) * 1986-03-10 1994-11-02 キヤノン株式会社 活性エネルギ−線硬化型樹脂組成物
US4793883A (en) * 1986-07-14 1988-12-27 National Starch And Chemical Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
US5030308A (en) * 1986-07-14 1991-07-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
JPS6327580A (ja) * 1986-07-18 1988-02-05 Hitachi Ltd 粘着テ−プ
JP2604173B2 (ja) * 1987-02-25 1997-04-30 東京応化工業株式会社 耐熱性感光性樹脂組成物
JPS6428572A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Hitachi Ltd Burn-in board
US5068259A (en) * 1987-09-16 1991-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Resin composition curbable with an active energy ray containing epoxy resin and monomer with ethylenically unsaturated bond
FR2626377B1 (fr) * 1988-01-26 1990-06-01 Crouzet Sa Oscillateur nucleaire comprenant une sonde a resonance magnetique nucleaire
JPH0327580A (ja) * 1989-06-24 1991-02-05 Sony Corp 発光ダイオード駆動回路

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19805146B4 (de) * 1997-02-10 2008-05-29 Lintec Corp. Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung
US8043698B2 (en) 2004-08-03 2011-10-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device, and wafer-processing tape
KR100815383B1 (ko) * 2006-12-28 2008-03-20 제일모직주식회사 점착필름 형성용 광경화성 조성물 및 이를 포함하는 다이싱다이본딩 필름
JP2008153230A (ja) * 2007-12-27 2008-07-03 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料

Also Published As

Publication number Publication date
KR900001812A (ko) 1990-02-27
US5356949A (en) 1994-10-18
US5110388A (en) 1992-05-05
EP0359373B1 (en) 1995-01-25
JPH0232181A (ja) 1990-02-01
EP0359373A3 (en) 1992-01-02
KR950009551B1 (ko) 1995-08-24
DE68920807D1 (de) 1995-03-09
MY105793A (en) 1995-01-30
US5118567A (en) 1992-06-02
EP0359373A2 (en) 1990-03-21
DE68920807T2 (de) 1995-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0715087B2 (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JP3544362B2 (ja) 半導体チップの製造方法
JP3739488B2 (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JP4869517B2 (ja) 粘接着テープ
US7578891B2 (en) Adhesive bonding sheet, semiconductor device using the same, and method for manufacturing such semiconductor device
JP3483161B2 (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JP4762959B2 (ja) 半導体チップおよび半導体装置
JP4380684B2 (ja) 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置
TW200421552A (en) Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
JP2002299389A (ja) 半導体チップ担持用接着テープ・シート、半導体チップ担持体、半導体チップマウント方法および半導体チップ包装体
JP2001156027A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5774322B2 (ja) 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP3966808B2 (ja) 粘接着テープ
US20040147120A1 (en) Process for the back-surface grinding of wafers
JP4067308B2 (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
WO2005004216A1 (ja) ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP4271597B2 (ja) チップ用保護膜形成用シート
JP2008231366A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JPH09100450A (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JP2020098918A (ja) フィルム状接着剤、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP4309710B2 (ja) 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置
JP3909907B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シ―ト類と加工方法
JP2004095844A (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4025223B2 (ja) ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP3710457B2 (ja) ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080222

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 14