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JPH07202075A - Semiconductor module - Google Patents

Semiconductor module

Info

Publication number
JPH07202075A
JPH07202075A JP34953093A JP34953093A JPH07202075A JP H07202075 A JPH07202075 A JP H07202075A JP 34953093 A JP34953093 A JP 34953093A JP 34953093 A JP34953093 A JP 34953093A JP H07202075 A JPH07202075 A JP H07202075A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
semiconductor module
metal case
conductor layer
unnecessary radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34953093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Izeki
裕二 井関
Naoko Ono
直子 小野
Eiji Takagi
映児 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP34953093A priority Critical patent/JPH07202075A/en
Publication of JPH07202075A publication Critical patent/JPH07202075A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0284Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】不要輻射の放射を防止した半導体モジュールに
おいて、その製造工程数の削減、モジュールの小型化を
図ること。 【構成】半導体素子を含む電子部品41a〜41dを表
面が導体層で被覆された配線基板30に実装および配線
し、そして、配線基板30から切り出された配線基板4
3を折り曲げ、この配線基板43から、不要輻射の放射
を遮断する金属ケースとして機能する筐体を形成するこ
とにより、配線基板43と金属ケースとが一体となった
半導体モジュール44を構成する。
(57) [Abstract] [Purpose] To reduce the number of manufacturing steps and miniaturize a semiconductor module in which unnecessary radiation is prevented. An electronic component 41a to 41d including a semiconductor element is mounted and wired on a wiring board 30 whose surface is covered with a conductor layer, and the wiring board 4 is cut out from the wiring board 30.
The semiconductor module 44 in which the wiring board 43 and the metal case are integrated is configured by bending 3 and forming a case that functions as a metal case that shields radiation of unnecessary radiation from the wiring board 43.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体モジュールに係
り、特に不要輻射の低減を考慮した半導体モジュールの
改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor module, and more particularly to improvement of a semiconductor module in consideration of reduction of unnecessary radiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報通信機器等の電子機器から放
射される電磁波により、他の電子機器が悪影響を受けな
いように、不要幅射の低減について規制(例えばVCC
I)がひかれている。このため、不要幅射のレベルを規
制値以下にするために種々の技術が研究・開発されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, electromagnetic waves emitted from electronic equipment such as information and communication equipment have been regulated to reduce unnecessary radiation so that other electronic equipment is not adversely affected.
I) is drawn. For this reason, various techniques have been researched and developed in order to reduce the level of unnecessary radiation to the regulation value or less.

【0003】例えば、情報通信機器用の半導体モジュー
ルの場合には、次のようにして不要幅射の低減を図って
いる。
For example, in the case of a semiconductor module for information communication equipment, the unnecessary radiation is reduced as follows.

【0004】図11,図12は、従来の情報通信機器用
の半導体モジュールの構成を示す斜視図であり、図11
は配線基板82に筐体としての金属ケース81が被さっ
た状態を示し、図12は配線基板82に金属ケース81
を被せる前の状態を示している。
11 and 12 are perspective views showing the structure of a conventional semiconductor module for information communication equipment.
Shows a state where the wiring board 82 is covered with a metal case 81 as a housing. FIG. 12 shows the wiring board 82 with the metal case 81.
The state before covering is shown.

【0005】配線基板82上には能動電子部品85aや
受動電子部品85b〜85fの電子部品が搭載されてお
り、この配線基板82は外部接続用端子83a〜83d
を介して他の配線基板等に接続されるようになってい
る。
Electronic components such as active electronic components 85a and passive electronic components 85b to 85f are mounted on the wiring board 82. The wiring board 82 has external connection terminals 83a to 83d.
It is adapted to be connected to another wiring board or the like via.

【0006】金属ケース81は電波の不要幅射を低減す
るための遮断部材であり、この金属ケース81は電子部
品85a〜85fを実装した配線基板82に保持部84
a,84bにおいてはんだ付けされ、機械的な保持と接
地電極面に電気的な導通をとっている。
The metal case 81 is a blocking member for reducing unnecessary radiation of radio waves, and the metal case 81 is a holding portion 84 on a wiring board 82 on which electronic components 85a to 85f are mounted.
Soldered at a and 84b, they are mechanically held and electrically connected to the ground electrode surface.

【0007】このように構成された半導体モジュールに
よれば、電子部品85a〜85fおよび配線基板から放
射される電磁波は、金属ケース81によって吸収された
り、減衰されたりして、半導体モジュールの外部に漏れ
る電磁波を低減できるようになる。
According to the semiconductor module thus constructed, the electromagnetic waves radiated from the electronic components 85a to 85f and the wiring board are absorbed or attenuated by the metal case 81 and leak to the outside of the semiconductor module. It becomes possible to reduce electromagnetic waves.

【0008】しかしながら、従来の半導体モジュールに
は以下のような問題があった。
However, the conventional semiconductor module has the following problems.

【0009】すなわち、電波の不要幅射を低減するため
に配線基板82と別個の金属ケース81が必要になる結
果、金属ケース81となる金属板の加工、金属ケース8
1の取り付けという工数の増加や、価格の上昇や、金属
ケース81の機械的強度を確保するために厚い配線基板
82を使用しなければならず、モジュールの小型化が困
難になるなどの種々の問題があった。
That is, as a result of requiring the metal case 81 separate from the wiring board 82 in order to reduce unnecessary radiation of radio waves, processing of the metal plate to be the metal case 81, metal case 8
The number of man-hours required for mounting 1 is increased, the price is increased, and a thick wiring board 82 must be used to secure the mechanical strength of the metal case 81, which makes it difficult to downsize the module. There was a problem.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、半導体モ
ジュールからの不要輻射を低減するために、筐体として
配線基板と別個の金属ケースを用いていたので、製造工
程数の増加や、モジュールの小型化が困難であるなどの
種々の問題があった。
As described above, in order to reduce unnecessary radiation from the semiconductor module, a metal case separate from the wiring board is used as the housing, so that the number of manufacturing steps is increased and the module There are various problems such as difficulty in downsizing.

【0011】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、従来よりも問題が少な
い不要輻射を低減できる半導体モジュールを提供するこ
とにある。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor module which can reduce unnecessary radiation, which is less problematic than conventional ones.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体モジュールは、半導体素子を含む
複数の電子部品を配線基板に実装および配線してなる半
導体モジュールにおいて、前記配線基板を導体層で被覆
し、且つ前記配線基板を折り曲げて前記半導体モジュー
ルの筐体とした構成になっている。
To achieve the above object, the semiconductor module of the present invention is a semiconductor module in which a plurality of electronic components including semiconductor elements are mounted and wired on a wiring board. Is covered with a conductor layer, and the wiring board is bent to form a housing of the semiconductor module.

【0013】[0013]

【作用】本発明の半導体モジュールによれば、半導体モ
ジュールの筐体が導体層で被覆された配線基板を折り曲
げて形成され、配線基板と金属ケースとが一体になった
構成になっているので、配線基板と金属ケースとが別個
である従来の半導体モジュールの場合のように、製造工
程数が増加したり、モジュールの小型化が困難になると
いう問題がない。
According to the semiconductor module of the present invention, since the housing of the semiconductor module is formed by bending the wiring board covered with the conductor layer, the wiring board and the metal case are integrated. Unlike the conventional semiconductor module in which the wiring board and the metal case are separate from each other, there is no problem that the number of manufacturing steps is increased or the miniaturization of the module becomes difficult.

【0014】すなわち、本発明の場合、金属ケースの役
割を果たす筐体は配線基板から形成されることになる
が、配線基板は金属ケースに比べて一般に薄く、配線基
板を折り曲げた後、はんだ等を用いなくても機械的に接
着でき、従来のように配線基板を金属ケースを取り付け
るための特別の接着工程が無くなり、製造工程数の削減
が図れるようになる。
In other words, in the case of the present invention, the casing that plays the role of the metal case is formed from the wiring board, but the wiring board is generally thinner than the metal case, and after the wiring board is bent, solder or the like is used. It can be mechanically adhered without using, and a special adhesion step for attaching a metal case to a wiring board unlike the conventional case is eliminated, and the number of manufacturing steps can be reduced.

【0015】また、上述したように、金属ケースの役割
を果たす筐体が配線基板から形成されることにより、従
来のように金属ケースの機械的強度を確保するために、
厚い配線基板を使用する必要が無くなり、モジュールの
小型化が図れる。
Further, as described above, since the casing that functions as the metal case is formed of the wiring board, in order to secure the mechanical strength of the metal case as in the conventional case,
Since it is not necessary to use a thick wiring board, the module can be downsized.

【0016】[0016]

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
Embodiments will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は本発明の第1の実施例に係る情報通
信機器用の半導体モジュールの斜視上面図、図2は同半
導体モジュールの斜視下面図、図3は図2のA−A´に
沿う断面斜視図である。
FIG. 1 is a perspective top view of a semiconductor module for information communication equipment according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective bottom view of the same semiconductor module, and FIG. 3 is AA ′ of FIG. FIG.

【0018】半導体モジュールは、大きく分けて、配線
基板11と、この配線基板11の裏面に形成された外部
接続用端子12a〜12fと、配線基板11の主面側に
実装された電子部品13a〜13dと、これら電子部品
13a〜13dをモールドする樹脂14とから構成され
ている。本実施例では、半導体チップをパッケージに収
めたものを電子部品13bとしている。
The semiconductor module is roughly classified into a wiring board 11, external connection terminals 12a to 12f formed on the back surface of the wiring board 11, and electronic components 13a to 13a mounted on the main surface side of the wiring board 11. 13d and a resin 14 for molding these electronic components 13a to 13d. In this embodiment, the electronic component 13b is a semiconductor chip housed in a package.

【0019】配線基板11は箱型の形状をしており、こ
の配線基板11は、筐体として使用されるとともに、不
要輻射を低減するための従来の金属ケースの役割も果た
している。
The wiring board 11 is in the shape of a box, and the wiring board 11 is used as a housing and also serves as a conventional metal case for reducing unnecessary radiation.

【0020】すなわち、従来の場合、配線基板と金属ケ
ースとは別個のものであったが、本実施例の半導体モジ
ュールは、後述するように、配線基板となる基板を切っ
たり、折り曲げたりして、箱型に組み立てることによ
り、配線基板と金属ケースとが一体的な構造になってい
る。
That is, in the conventional case, the wiring board and the metal case were separate, but in the semiconductor module of the present embodiment, as will be described later, the wiring board is cut or bent. By assembling in a box shape, the wiring board and the metal case have an integrated structure.

【0021】外部接続用端子12a〜12fは、半導体
モジュールと外部との電気的な接続を取るためのもので
ある。電子部品13a〜13dは配線基板11の主面上
に実装され、モールド樹脂14で覆われることで機械的
な保護がなされている。
The external connection terminals 12a to 12f are for establishing electrical connection between the semiconductor module and the outside. The electronic components 13a to 13d are mounted on the main surface of the wiring board 11 and covered with the mold resin 14 to be mechanically protected.

【0022】図4は、配線基板11の具体的な構成を示
す断面図である。図中、21a,21bはアラミドエポ
キシ、ポリイミド等の絶縁材料で形成された絶縁基板を
示している。
FIG. 4 is a sectional view showing a specific structure of the wiring board 11. In the figure, 21a and 21b indicate insulating substrates made of an insulating material such as aramid epoxy or polyimide.

【0023】これら絶縁基板21a,21b上には、電
子部品を実装したり、電子部品間の電気的な接続を取る
ための導体層22a,22bが設けられている。これら
導体層22a,22bは、銅、ニッケル、金等の金属材
料で形成されている。
Conductor layers 22a and 22b are provided on the insulating substrates 21a and 21b for mounting electronic components and for making electrical connection between the electronic components. These conductor layers 22a and 22b are formed of a metal material such as copper, nickel, or gold.

【0024】導体層22bは、絶縁基板21aに開孔さ
れたスルーホール23a,23cを介して導体層22a
に接続している。また、導体層22aは、スルーホール
23b,23dを介して、導体層24,パッド25に接
続している。配線基板11の表面および裏面は、外部と
の電気的な接続を取るための領域を除いて、ソルダーレ
ジスト膜26a、26bにより被覆されている。
The conductor layer 22b is formed through the through holes 23a and 23c formed in the insulating substrate 21a.
Connected to. The conductor layer 22a is connected to the conductor layer 24 and the pad 25 via the through holes 23b and 23d. The front surface and the back surface of the wiring board 11 are covered with solder resist films 26a and 26b except for a region for making an electrical connection with the outside.

【0025】図5および図6は、本実施例の半導体モジ
ュールの製造方法を示す工程図である。
5 and 6 are process drawings showing the method for manufacturing the semiconductor module of this embodiment.

【0026】まず、図5(a)に示すように、アラミド
エポキシなどよりなる絶縁基板32の両面に、銅などよ
りなる導体層31a、31bを固着する。絶縁基板32
の厚みは、例えば、アラミドエポキシの場合で60μm
程度以上である。また、導体層31a,31bの厚み
は、10〜80μm程度である。
First, as shown in FIG. 5A, conductor layers 31a and 31b made of copper or the like are fixed to both surfaces of an insulating substrate 32 made of aramid epoxy or the like. Insulating substrate 32
The thickness is 60 μm for aramid epoxy, for example.
It is more than a degree. The conductor layers 31a and 31b have a thickness of about 10 to 80 μm.

【0027】すなわち、本実施例では、絶縁基板32の
主面側に微細な配線層を形成するために導体層31bを
薄く、一方、裏面側には機械的強度の保持のため、導体
層31aを厚く形成する。
That is, in this embodiment, the conductor layer 31b is thin in order to form a fine wiring layer on the main surface side of the insulating substrate 32, while the conductor layer 31a is formed on the back surface side in order to maintain mechanical strength. To be thick.

【0028】例えば、裏面には300〜500μm程度
の大きな外部接続用端子のパターンを形成する場合であ
れば、導体層31aの厚さは80μm程度まで厚くして
もかまわない。
For example, when a large pattern of external connection terminals of about 300 to 500 μm is formed on the back surface, the conductor layer 31a may be as thick as about 80 μm.

【0029】次に図5(b)に示すように、導体層31
a,31b上にドライフィルムや液状レジスト等のエッ
チングレジスト膜(不図示)を塗布、硬化、パターニン
グして、レジストパターンを形成した後、導体層31a
をエッチングし、開口パターン33a,33bを形成す
る。この後、上記エッチングレジスト膜を除去する。
Next, as shown in FIG. 5B, the conductor layer 31
An etching resist film (not shown) such as a dry film or a liquid resist is applied, cured and patterned on a and 31b to form a resist pattern, and then the conductor layer 31a
Are etched to form opening patterns 33a and 33b. After that, the etching resist film is removed.

【0030】上記エッチングは、例えば、過硫酸アンモ
ニウムなどの溶液を用いて行ない、そして、エッチング
レジスト膜の除去は、例えば、アセトンなどの溶液を用
いて行なう。
The above etching is performed using a solution such as ammonium persulfate, and the etching resist film is removed using a solution such as acetone.

【0031】また、開口パターン33a,33bの径
は、後工程に形成されるスルーホールのそれに等しく、
通常、絶縁基板32の厚みと同等以上にとる。
Further, the diameters of the opening patterns 33a and 33b are equal to those of through holes formed in a later process,
Usually, the thickness is equal to or more than the thickness of the insulating substrate 32.

【0032】次に図5(c)に示すように、開口パター
ン33a,33bをマスクとして、エキシマレーザなど
のレーザ照射を行ない、開口パターン33a,33bの
開孔内の絶縁基板32を除去して、スルーホール34
a、34bを形成する。
Next, as shown in FIG. 5C, laser irradiation such as excimer laser is performed using the opening patterns 33a and 33b as masks to remove the insulating substrate 32 in the openings of the opening patterns 33a and 33b. , Through hole 34
a and 34b are formed.

【0033】次に図5(d)に示すように、スルーホー
ル34a,34b内の側壁にそれぞれ導体層35a,3
5bを形成し、絶縁基板32上の導体層31aをパター
ニングすることにより、導体パターンを形成する。導体
層35a,35bは、例えば、多層基板の製造に用いら
れている、無電解銅メッキと電解銅メッキとを併用する
方法で形成する。
Next, as shown in FIG. 5D, the conductor layers 35a, 3 are formed on the side walls of the through holes 34a, 34b, respectively.
5b is formed and the conductor layer 31a on the insulating substrate 32 is patterned to form a conductor pattern. The conductor layers 35a and 35b are formed by, for example, a method of using electroless copper plating and electrolytic copper plating in combination, which is used for manufacturing a multilayer substrate.

【0034】次に図5(e)図に示すように、全面に絶
縁層36を形成してプリプレグした後、この絶縁層36
上に銅箔でラミネートされた導体層31cを形成する。
通常、絶縁層36の厚さは60μm程度以上、そして、
導体層31cの厚さは10〜80μm程度である。
Next, as shown in FIG. 5E, an insulating layer 36 is formed on the entire surface and prepreg is performed, and then the insulating layer 36 is formed.
A conductor layer 31c laminated with a copper foil is formed on the top.
Generally, the thickness of the insulating layer 36 is about 60 μm or more, and
The conductor layer 31c has a thickness of about 10 to 80 μm.

【0035】次に図5(f)に示すように、絶縁層36
にスルーホール34cおよび導体層35cを形成し、導
体パターンを作成する。これらの形成方法は、図5
(b)〜(d)で示した方法と同様な方法でなされる。
Next, as shown in FIG. 5F, the insulating layer 36
A through hole 34c and a conductor layer 35c are formed on the substrate to form a conductor pattern. These forming methods are shown in FIG.
The method is similar to the method shown in (b) to (d).

【0036】なお、絶縁基板32の主面上に形成した導
体層は2層であるが、1層のみ、若しくは3層以上と多
層化することも可能である。
Although the conductor layer formed on the main surface of the insulating substrate 32 is two layers, it may be formed of only one layer or three or more layers.

【0037】次に図5(g)に示すように、導体層31
cをパターニングして導体パターンを形成し、そして、
導体層31aをパターニングして絶縁基板32の裏面に
外部接続用端子パターン37a,37bを形成する。更
に、導体層31a,31cのうち、電子部品が実装され
るパターンや、外部接続用端子パターン37a、37b
以外の表面を覆うソルダーレジスト膜38a,38bを
形成する。ここで、導体層31cからなる導体パターン
の形成は図5(b)で示した方法と同様な方法でなされ
る。
Next, as shown in FIG. 5G, the conductor layer 31
pattern c to form a conductor pattern, and
The conductor layer 31a is patterned to form external connection terminal patterns 37a and 37b on the back surface of the insulating substrate 32. Further, among the conductor layers 31a and 31c, patterns on which electronic components are mounted and external connection terminal patterns 37a and 37b are provided.
Solder resist films 38a and 38b are formed to cover surfaces other than the above. Here, the formation of the conductor pattern including the conductor layer 31c is performed by the same method as that shown in FIG.

【0038】以上の工程により形成された配線基板30
の平面図を図6(a)に示す。同図中、40は配線パタ
ーンを示し、図5(g)は図6(a)のB−B´に沿う
断面図に相当する。
The wiring board 30 formed by the above steps
A plan view of is shown in FIG. In the figure, reference numeral 40 denotes a wiring pattern, and FIG. 5G corresponds to a sectional view taken along the line BB ′ of FIG.

【0039】次に第6(b)に示すように、電子部品4
1a〜41dをはんだや導電性の樹脂を用いて配線基板
30上に実装する。同図には、半導体チップとして表面
実装用のパッケージに収められているものが示されてい
るが、パッケージに収められていない半導体チップ、い
わゆるベアチップをフェースアップ実装、フェースダウ
ン実装することも可能である。
Next, as shown in the sixth (b), the electronic component 4
1a to 41d are mounted on the wiring board 30 by using solder or conductive resin. The figure shows a semiconductor chip housed in a surface mount package, but it is also possible to face-up mount or face-down mount a semiconductor chip that is not housed in the package, a so-called bare chip. is there.

【0040】次に図6(c)に示すように、電子部品上
にモールド樹脂42を塗布・硬化する。通常、モールド
樹脂はエポキシ系の樹脂が使用されるが、シリコーン樹
脂を使用しても良い。
Next, as shown in FIG. 6C, a mold resin 42 is applied and cured on the electronic component. Usually, an epoxy resin is used as the mold resin, but a silicone resin may be used.

【0041】次に図6(d)に示すように、金型とプレ
スなどを用いて、配線基板30から実際のモジュールと
なる配線基板43が切り出される。通常、モジュールと
なる配線基板43は元の配線基板30に比較して小さい
ため、同一配線基板30上に複数の配線基板43を形成
することにより、生産性を向上できる。なお、同図には
切り出された複数個のうちの1つの配線基板43が示さ
れている。
Next, as shown in FIG. 6D, a wiring board 43, which is an actual module, is cut out from the wiring board 30 by using a die and a press. Normally, the wiring board 43 that becomes a module is smaller than the original wiring board 30, so that productivity can be improved by forming a plurality of wiring boards 43 on the same wiring board 30. It should be noted that one wiring board 43 out of the plurality of cut-outs is shown in the figure.

【0042】最後に、図6(e)に示すように、配線基
板43を折曲げて箱型にすることにより、半導体モジュ
ール44が完成する。
Finally, as shown in FIG. 6E, the semiconductor module 44 is completed by bending the wiring board 43 into a box shape.

【0043】ここで、はんだ等を用いなくても配線基板
43は薄いため、72は機械的に接着されるので、はん
だ付け等の接着工程が省け、工程数の削減が図れる。こ
のような機械的な接着は配線基板43の裏面がCuで形
成されている場合でその厚さが35μmで可能である。
Here, since the wiring substrate 43 is thin without using solder or the like, and the 72 is mechanically bonded, the bonding process such as soldering can be omitted and the number of processes can be reduced. Such mechanical adhesion is possible when the back surface of the wiring board 43 is made of Cu and the thickness thereof is 35 μm.

【0044】かくして本実施例によれば、筐体が導体層
で被覆された配線基板を折り曲げて形成され、配線基板
と金属ケースとが一体になった構成になっているので、
配線基板と金属ケースとが別個である従来の半導体モジ
ュールの場合のように、工程数が増加したり、モジュー
ルの小型化が困難になるという問題がない。
Thus, according to the present embodiment, the housing is formed by bending the wiring board covered with the conductor layer, and the wiring board and the metal case are integrated.
Unlike the conventional semiconductor module in which the wiring board and the metal case are separate from each other, there is no problem that the number of steps is increased and it is difficult to reduce the size of the module.

【0045】すなわち、本実施例の場合、筐体(金属ケ
ース)は配線基板から形成されることになるが、配線基
板は金属ケースに比べて一般に薄く、配線基板を折り曲
げた後、はんだ等を用いなくても機械的に接着でき、従
来のように配線基板を金属ケースを取り付けるための特
別の接着工程が無くなり、工程数が低減する。
That is, in the case of the present embodiment, the housing (metal case) is formed from the wiring board, but the wiring board is generally thinner than the metal case, and after the wiring board is bent, solder or the like is used. It can be mechanically bonded without using it, and the special bonding process for mounting the wiring board to the metal case is eliminated as in the prior art, and the number of processes is reduced.

【0046】また、筐体(金属ケース)が配線基板から
形成されることにより、従来のように金属ケースの機械
的強度を確保するために、厚い配線基板を使用する必要
が無くなり、半導体モジュールの小型化が図れる。
Further, since the housing (metal case) is formed of the wiring board, it is not necessary to use a thick wiring board in order to secure the mechanical strength of the metal case as in the conventional case. Can be miniaturized.

【0047】図7は、本発明の第2の実施例に係る情報
通信機器用の半導体モジュールの断面斜視図である。
FIG. 7 is a sectional perspective view of a semiconductor module for information communication equipment according to a second embodiment of the present invention.

【0048】本実施例が先の実施例と異なる点は、モジ
ュール内の底部の他に、上部にもモールド樹脂14aで
封止された電子部品13e〜13hが設けられ、配線
(不図示)が配線基板11の側面にも形成されているこ
とにある。このような構成を採用することで実装密度を
より高くできる。
This embodiment is different from the previous embodiments in that, in addition to the bottom of the module, electronic parts 13e to 13h sealed with the molding resin 14a are provided on the top and wiring (not shown) is provided. It is also formed on the side surface of the wiring board 11. By adopting such a configuration, the packaging density can be further increased.

【0049】図8は、本発明の第3の実施例に係る情報
通信機器用の半導体モジュールの斜視下面図、図9は図
8の半導体モジュールをマザーボードに実装したものの
断面図、図10は図8の半導体モジュールの配線基板の
断面図である。
FIG. 8 is a perspective bottom view of a semiconductor module for information communication equipment according to a third embodiment of the present invention, FIG. 9 is a sectional view of the semiconductor module of FIG. 8 mounted on a motherboard, and FIG. 8 is a cross-sectional view of the wiring board of the semiconductor module of FIG.

【0050】本実施例が第1および第2の実施例と異な
る点は、図8に示すように、半導体モジュールの裏面に
外部接続用端子51を囲むように不要輻射防止用の電極
55aが設けられていることにある。
This embodiment is different from the first and second embodiments in that, as shown in FIG. 8, an unnecessary radiation preventing electrode 55a is provided on the back surface of the semiconductor module so as to surround the external connection terminal 51. It is being done.

【0051】この電極55aは、図10に示すように、
半導体モジュールの筐体となる配線基板に形成された導
体層をパターニングにより形成し、更に導体層を覆うソ
ルダレジスト膜61を枠状にパターニングすることによ
り形成される。この導体層のパターニングより外部接続
用端子51も同時に形成される。なお、図中、62は絶
縁基板を示し、63,64は導体層を示している。
This electrode 55a is, as shown in FIG.
It is formed by patterning a conductor layer formed on a wiring board that will be the housing of the semiconductor module, and further patterning a solder resist film 61 covering the conductor layer into a frame shape. External connection terminals 51 are also formed at the same time by patterning the conductor layer. In the figure, 62 indicates an insulating substrate, and 63 and 64 indicate conductor layers.

【0052】半導体モジュール52は、図9に示すよう
に、マザーボード53に接続され、マザーボード側の接
地電極54と半導体モジュール側の不要輻射防止用の電
極55aとを接地用バンプ55で接続することにより、
外部接続用端子51や、外部接続用端子51とマザーボ
ード53とを接続する信号用バンプ55から放射される
不要輻射を低減できる。
As shown in FIG. 9, the semiconductor module 52 is connected to a mother board 53, and a ground electrode 54 on the mother board side and an electrode 55a for preventing unnecessary radiation on the semiconductor module side are connected by a grounding bump 55. ,
It is possible to reduce unnecessary radiation emitted from the external connection terminals 51 and the signal bumps 55 that connect the external connection terminals 51 and the motherboard 53.

【0053】本実施例では、不要輻射防止用の電極とし
て、切れ目のない枠形状の電極50を用いたが、不要輻
射を抑えるのに支障がなければ、切れ目の入った電極を
用いても良い。
In this embodiment, the electrode 50 for preventing unnecessary radiation is the frame-shaped electrode 50 without a break. However, if there is no problem in suppressing the unnecessary radiation, a broken electrode may be used. .

【0054】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、上記実施例では、情報通信機
器用の半導体モジュールについて説明したが、本発明は
他の電子機器の半導体モジュールにも適用できる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, although the semiconductor module for information communication equipment has been described in the above embodiments, the present invention can be applied to a semiconductor module for other electronic equipment.

【0055】また、上記実施例では、電子部品が全てモ
ールド樹脂で覆われている場合について説明したが、一
部の電子部品のみをモールド樹脂で覆うようにしても良
い。
In the above embodiment, the case where all the electronic components are covered with the molding resin has been described, but only some of the electronic components may be covered with the molding resin.

【0056】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施できる。
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、導
体層で被覆された配線基板を折曲げて形成された筐体を
金属ケースとして使用することにより、製造工程数の削
減、モジュールの小型化を達成しながら、電波障害の防
止に対して優れた半導体モジュールを実現できるように
なる。
As described in detail above, according to the present invention, the number of manufacturing steps can be reduced by using a case formed by bending a wiring board covered with a conductor layer as a metal case, and reducing the number of manufacturing steps. It is possible to realize a semiconductor module excellent in prevention of radio wave interference while achieving miniaturization.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係る情報通信機器用の
半導体モジュールの斜視上面図
FIG. 1 is a perspective top view of a semiconductor module for information communication equipment according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同半導体モジュールの斜視下面図FIG. 2 is a perspective bottom view of the same semiconductor module.

【図3】図2の半導体モジュールのA−A´に沿う断面
斜視図
3 is a sectional perspective view taken along the line AA ′ of the semiconductor module of FIG.

【図4】配線基板11の具体的な構成を示す断面図FIG. 4 is a cross-sectional view showing a specific configuration of the wiring board 11.

【図5】第1の実施例の半導体モジュールの前半の製造
方法を示す工程図
FIG. 5 is a process drawing showing the manufacturing method of the first half of the semiconductor module of the first embodiment.

【図6】第1の実施例の半導体モジュールの後半の製造
方法を示す工程図
FIG. 6 is a process drawing showing the manufacturing method of the latter half of the semiconductor module of the first embodiment.

【図7】本発明の第2の実施例に係る情報通信機器用の
半導体モジュールの断面斜視図
FIG. 7 is a sectional perspective view of a semiconductor module for information communication equipment according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第3の実施例に係る情報通信機器用の
半導体モジュールの斜視下面図
FIG. 8 is a perspective bottom view of a semiconductor module for information communication equipment according to a third embodiment of the present invention.

【図9】図8の半導体モジュールをマザーボードに実装
したものの断面図
9 is a sectional view of the semiconductor module of FIG. 8 mounted on a motherboard.

【図10】図8の半導体モジュールの配線基板の断面図10 is a cross-sectional view of the wiring board of the semiconductor module of FIG.

【図11】従来の情報通信機器用の半導体モジュールの
構成を示す斜視図
FIG. 11 is a perspective view showing a configuration of a conventional semiconductor module for information communication equipment.

【図12】従来の情報通信機器用の半導体モジュールの
構成を示す斜視図
FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of a conventional semiconductor module for information communication equipment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…配線基板 12a〜12f…外部接続用端子 13a〜13d…電子部品 14…樹脂 21a,21b…絶縁基板 22a,22b…導体層 23a〜23d…スルーホール 24…導体層 25…パッド 26a,26b…ソルダーレジスト膜 30…配線基板 31a〜31c…導体層 32…絶縁基板 33a,33b…開口パターン 34a,34b…スルーホール 35a,35b…導体層 36…絶縁層 37…外部接続用端子パターン 38a,38b…ソルダーレジスト膜 40…配線パターン 41a〜41d…電子部品 42…モールド樹脂 43…配線基板 44…半導体モジュール 50…不要輻射防止用の電極 51…外部接続用端子 52…半導体モジュール 53…マザーボード 54…接地電極 55…信号用バンプ 61…ソルダーレジスト膜 62…絶縁基板 63…導体層 64…導体層 11 ... Wiring board 12a-12f ... External connection terminal 13a-13d ... Electronic component 14 ... Resin 21a, 21b ... Insulating board 22a, 22b ... Conductor layer 23a-23d ... Through hole 24 ... Conductor layer 25 ... Pad 26a, 26b ... Solder resist film 30 ... Wiring boards 31a to 31c ... Conductor layer 32 ... Insulating boards 33a, 33b ... Opening patterns 34a, 34b ... Through holes 35a, 35b ... Conductor layer 36 ... Insulating layer 37 ... External connection terminal patterns 38a, 38b ... Solder resist film 40 ... Wiring patterns 41a to 41d ... Electronic parts 42 ... Mold resin 43 ... Wiring board 44 ... Semiconductor module 50 ... Electrodes for preventing unnecessary radiation 51 ... External connection terminals 52 ... Semiconductor module 53 ... Motherboard 54 ... Ground electrode 55 ... Signal bump 61 ... Solder Regis Film 62 ... insulating substrate 63 ... conductive layer 64 ... conductive layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体素子を含む複数の電子部品を配線基
板に実装および配線してなる半導体モジュールであっ
て、前記配線基板が導体層で被覆され、且つ前記配線基
板を折り曲げて前記半導体モジュールの筐体が形成され
ていることを特徴とする半導体モジュール。
1. A semiconductor module in which a plurality of electronic components including semiconductor elements are mounted and wired on a wiring board, wherein the wiring board is covered with a conductor layer, and the wiring board is bent to form the semiconductor module. A semiconductor module having a case formed therein.
JP34953093A 1993-12-28 1993-12-28 Semiconductor module Pending JPH07202075A (en)

Priority Applications (1)

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JP34953093A JPH07202075A (en) 1993-12-28 1993-12-28 Semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34953093A JPH07202075A (en) 1993-12-28 1993-12-28 Semiconductor module

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