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JPH07244822A - Magnetoresistance effect type magnetic head - Google Patents

Magnetoresistance effect type magnetic head

Info

Publication number
JPH07244822A
JPH07244822A JP3693694A JP3693694A JPH07244822A JP H07244822 A JPH07244822 A JP H07244822A JP 3693694 A JP3693694 A JP 3693694A JP 3693694 A JP3693694 A JP 3693694A JP H07244822 A JPH07244822 A JP H07244822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
magnetoresistive effect
rear end
head
magnetic body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3693694A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shuichi Haga
秀一 芳賀
Mineo Yorizumi
美根生 頼住
Nobuhiro Sugawara
伸浩 菅原
Junichi Sugawara
淳一 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP3693694A priority Critical patent/JPH07244822A/en
Publication of JPH07244822A publication Critical patent/JPH07244822A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve reproduction output sensitivity when using Giant-MR film as an MR element. CONSTITUTION:An MR element 8 and a bias magnetic field application member 9 for applying a bias magnetic field to the MR element 8 are laid out between a pair of shield magnetic bodies 4 and 5. In the title MR head, a groove part 12 is formed at a lower shield magnetic body 4 and at the same time a flux guide 11 with a high permeability is provided at either the tip or rear edge side or both of the MR element 8.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
駆動装置等の如き高密度記憶装置に用いられる磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect magnetic head used in a high-density storage device such as a hard disk drive.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピュータの高性能化に伴いハ
ードディスクの小型化、高容量化が要求されている。特
に、小型化に伴い磁気記録媒体の速度が低下してくる
と、該磁気記録媒体との速度に依存しない磁気抵抗効果
型磁気ヘッド(以下、MRヘッドという)の必要性が高
くなってきた。
2. Description of the Related Art In recent years, along with the high performance of computers, there has been a demand for miniaturization and high capacity of hard disks. In particular, as the speed of the magnetic recording medium decreases with the downsizing, the need for a magnetoresistive effect magnetic head (hereinafter referred to as MR head) that does not depend on the speed of the magnetic recording medium has increased.

【0003】MRヘッドは、パーマロイ等の磁気抵抗効
果素子(以下、MR素子という)の電気抵抗が磁気記録
媒体から漏れ出る信号磁化の方向によって変化する現象
を利用して、該磁気記録媒体上の磁気的信号を電気的信
号に変換するものである。このMRヘッドでは、MR素
子を読出し専用ヘッドとして使用しているため、読出し
出力が磁気記録媒体との相対速度に依存せず、原理的に
は磁気記録媒体が回転しなくともデータを読み取ること
ができる。
The MR head utilizes a phenomenon in which the electric resistance of a magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as an MR element) such as permalloy changes depending on the direction of signal magnetization leaking from the magnetic recording medium, and the MR element on the magnetic recording medium. It converts a magnetic signal into an electrical signal. In this MR head, since the MR element is used as a read-only head, the read output does not depend on the relative speed with the magnetic recording medium, and in principle data can be read even if the magnetic recording medium does not rotate. it can.

【0004】一般に、ハードディスク用の磁気ヘッド構
成としては、同一のスライダー上に記録専用ヘッドとし
ての電磁誘導型の薄膜磁気ヘッド(以下、インダクティ
ブヘッドという)と、再生専用ヘッドとしてのMRヘッ
ドを真空薄膜形成技術によって積層形成した構成とされ
る。
Generally, as a magnetic head structure for a hard disk, an electromagnetic induction type thin film magnetic head (hereinafter referred to as an inductive head) as a recording-only head and an MR head as a reproduction-only head are vacuum thin films on the same slider. The laminated structure is formed by the forming technique.

【0005】例えばMRヘッドは、図11に示すよう
に、下部シールド磁性体101と上部シールド磁性体1
02によって挟み込まれたMR素子103を有し、その
MR素子103にバイアス磁界を印加するバイアス導体
104を当該MR素子103上に設けた構造とされるの
が一般的である。また、このMRヘッドにおいては、M
R素子103にセンス電流を通電し出力信号を取り出す
ための先端電極105と後端電極106がそれぞれMR
素子103の先端部と後端部に設けられている。
For example, an MR head has a lower shield magnetic body 101 and an upper shield magnetic body 1 as shown in FIG.
In general, the MR element 103 is sandwiched by 02, and a bias conductor 104 for applying a bias magnetic field to the MR element 103 is provided on the MR element 103. Further, in this MR head, M
The front electrode 105 and the rear electrode 106 for passing a sense current to the R element 103 and extracting an output signal are MR
It is provided at the front end and the rear end of the element 103.

【0006】ところで、上記構成のMRヘッドのシール
ド磁性体101,102には、ヘッドが読み取るべきト
ラック部分からの磁気信号の磁束以外のノイズとなる磁
束を吸収し、該MR素子103にノイズとなる磁束が侵
入するのを防止するために高い飽和磁束密度と高い透磁
率を有するシールド磁性材料が求められている。
By the way, the shield magnetic bodies 101 and 102 of the MR head having the above-mentioned structure absorb the magnetic flux other than the magnetic flux of the magnetic signal from the track portion to be read by the head, and the MR element 103 becomes noise. There is a demand for a shield magnetic material having a high saturation magnetic flux density and a high magnetic permeability in order to prevent the magnetic flux from entering.

【0007】しかしながら、このような高い飽和磁束密
度と高い透磁率を有するシールド材料を用いた場合に
は、本来MR素子103に取り込まれるべき磁束をもシ
ールド磁性体101,102が吸収してしまい、結果と
して再生出力が低下することになる。
However, when a shield material having such a high saturation magnetic flux density and a high magnetic permeability is used, the shield magnetic bodies 101 and 102 also absorb the magnetic flux that should be taken in by the MR element 103, As a result, the reproduction output is reduced.

【0008】一方、MR素子103には、磁気記録の高
密度化に伴い磁気抵抗効果材料に高い磁気抵抗効果を示
す材料が求められている。現在使用されているパーマロ
イ(Fe−Ni)の磁気抵抗変化率(磁場を印加したと
きの抵抗が変化する割合)は約3%であり、新材料はこ
れを上回る磁気抵抗変化率を持つことが必要である。そ
の新材料の一つとして、膜厚の薄い磁性金属層と非磁性
層を交互に積層した多層構造を持つ磁性膜、例えばFe
とCrの多層膜においては約50%の磁気抵抗変化率が
観測されている。
On the other hand, for the MR element 103, a material exhibiting a high magnetoresistive effect is required as the magnetoresistive effect material with the increase in density of magnetic recording. The magnetic resistance change rate of the currently used permalloy (Fe-Ni) (rate of change in resistance when a magnetic field is applied) is about 3%, and new materials may have a magnetoresistance change rate higher than this. is necessary. As one of the new materials, a magnetic film having a multi-layer structure in which thin magnetic metal layers and non-magnetic layers are alternately laminated, such as Fe, is used.
A magnetoresistance change rate of about 50% is observed in the multilayer film of Cr and Cr.

【0009】しかし多層構造を持つ磁性膜をMR素子に
用いる場合には、外部磁界の変化する範囲での抵抗変化
量の大きいことが要求され、約50%の磁気抵抗変化率
を示す膜は10KOe程度の高い磁界を印加しなければ
十分な磁気抵抗効果が得られないという問題がある。こ
れは、磁性層間の交換相互作用が強く、外部磁界によっ
て磁性層の磁化の向きが変化し難いためである。
However, when a magnetic film having a multi-layer structure is used for an MR element, it is required that the resistance change amount is large in the range where the external magnetic field changes, and a film showing a magnetoresistance change rate of about 50% is 10 KOe. There is a problem that a sufficient magnetoresistive effect cannot be obtained unless a high magnetic field is applied. This is because the exchange interaction between the magnetic layers is strong and the direction of magnetization of the magnetic layers is unlikely to change due to an external magnetic field.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】最近は、このような問
題を改良した膜構成が開発されており、このような膜は
外部磁界が弱くても磁化の向きが変化し、低い磁界で高
い磁気抵抗変化率を示す。しかしながら、このような状
況下において低い磁界で高い磁気抵抗変化率を示す金属
人工格子多層膜(ソフトGiant−MR膜)は、数原
子層とされる磁性層の占める割合が非常に小さく、大き
いものでもその体積比率は30%程度である。
Recently, a film structure that has improved such a problem has been developed, and such a film changes the direction of magnetization even when the external magnetic field is weak, and has a high magnetic field at a low magnetic field. The resistance change rate is shown. However, in such a situation, the metal artificial lattice multilayer film (soft Giant-MR film) that exhibits a high magnetoresistance change rate in a low magnetic field has a very small and large proportion of the magnetic layer, which is a few atomic layers. However, the volume ratio is about 30%.

【0011】ヘッド構造はいわゆる磁気回路で構成され
ているため、信号磁界はMR素子を挟み込むシールド磁
性体との透磁率の配分で決まる。したがって、ただでさ
えシールド磁性体に比べ薄いMR素子は透磁率が低く、
さらにこのMR素子として金属人工多層膜を用いること
になれば磁性層の割合が減少した分透磁率が落ちる。そ
の結果、MR素子に信号磁界が入らなくなり、磁気抵抗
変化率が例え大きくとも出力感度の増加にはつながらな
い。
Since the head structure is composed of a so-called magnetic circuit, the signal magnetic field is determined by the distribution of the magnetic permeability with the shield magnetic body that sandwiches the MR element. Therefore, the MR element, which is thinner than the shield magnetic body, has a low magnetic permeability.
Further, if an artificial metal multilayer film is used as the MR element, the magnetic permeability is reduced due to the reduction of the ratio of the magnetic layer. As a result, the signal magnetic field does not enter the MR element, and even if the magnetoresistance change rate is large, the output sensitivity does not increase.

【0012】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、金属人工多
層膜をMR素子として使用した時に再生出力感度が大き
く向上するようなMRヘッドを提供することを目的とす
る。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned technical problems of the related art, and an MR head which greatly improves the reproduction output sensitivity when a metal artificial multilayer film is used as an MR element. The purpose is to provide.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明に係るMRヘッド
は、磁性金属層と非磁性層を交互に積層した金属人工多
層膜をMR素子とし、そのMR素子を磁気記録媒体との
対接面に対して長手方向が垂直となるように配し、その
先端側と後端側にそれぞれ電極を積層させ、これら電極
とMR素子を一対のシールド磁性体によって挟み込ん
だ,いわゆる縦型シールド構造である。
In an MR head according to the present invention, an artificial metal multilayer film in which magnetic metal layers and non-magnetic layers are alternately laminated is used as an MR element, and the MR element is used as a contact surface with a magnetic recording medium. A longitudinal shield structure in which the longitudinal direction is perpendicular to the above, electrodes are laminated on the front end side and the rear end side thereof, and these electrodes and the MR element are sandwiched by a pair of shield magnetic bodies. .

【0014】このMRヘッドでは、金属人工多層膜が持
つ透磁率の低さを補いMR素子に入った信号磁束を該M
R素子の後端側へと効率良く引き込むべく、高透磁率を
有する磁性材料よりなるフラックスガイドを設ける。フ
ラックスガイドは、MR素子の先端側又は後端側或いは
その両方に設けることが望ましい。かかるフラックスガ
イドとしては、例えばパーマロイが好適である。
In this MR head, the signal magnetic flux entering the MR element is compensated for by the low magnetic permeability of the artificial metal multilayer film.
A flux guide made of a magnetic material having a high magnetic permeability is provided in order to efficiently draw the R element to the rear end side. It is desirable to provide the flux guide on the front end side or the rear end side of the MR element or on both sides. Permalloy, for example, is suitable as the flux guide.

【0015】さらに、MR素子を挟んでその上下に設け
られるシールド磁性体に信号磁束が落ちないようにする
ため、これらMR素子とシールド磁性体の対向間距離を
大きくする。その手段として、例えば下部シールド磁性
体に溝を設ける、或いは上部シールド磁性体とMR素子
間に非磁性の空間を設ける。
Further, the distance between the MR element and the shield magnetic body facing each other is increased in order to prevent the signal magnetic flux from falling on the shield magnetic bodies provided above and below the MR element. As a means thereof, for example, a groove is provided in the lower shield magnetic body, or a nonmagnetic space is provided between the upper shield magnetic body and the MR element.

【0016】さらにこれらに加え、MR素子に流入した
信号磁束の多くを隣接したシールド磁性体に漏らすこと
を防ぐべく、当該MR素子にバイアス磁界を印加するバ
イアス磁界印加部材を、下部シールド磁性体に形成した
溝部又は上部シールド磁性体とMR素子間或いはその両
方に配する。
In addition to these, in order to prevent most of the signal magnetic flux flowing into the MR element from leaking to the adjacent shield magnetic body, a bias magnetic field applying member for applying a bias magnetic field to the MR element is attached to the lower shield magnetic body. It is arranged between the formed groove or the upper shield magnetic body and the MR element or both.

【0017】また、フラックスガイドは、バイアス効率
を考慮して下部シールド磁性体に設けられた溝部の後端
部よりその先端部が磁気記録媒体との対接面に対して前
方に位置するように設けることが望ましい。つまり、溝
部の後端部より前にフラックスガイドを設ける。例え
ば、MR素子の感磁部の略中央部分にかかる位置に設け
るようにする。
Further, in consideration of the bias efficiency, the flux guide is arranged such that the front end of the groove is formed in front of the rear end of the groove provided in the lower shield magnetic body with respect to the contact surface with the magnetic recording medium. It is desirable to provide it. That is, the flux guide is provided before the rear end of the groove. For example, the MR element may be provided at a position approximately in the center of the magnetic sensitive section.

【0018】[0018]

【作用】本発明においては、MR素子として金属人工多
層膜を用いるが、単に金属人工多層膜を用いたのでは、
磁性層の占める割合が少ないために透磁率が低くなる。
しかし、MR素子の先端側又は後端側或いはその両方
に、金属人工多層膜の持つ透磁率の低さを補う高透磁率
を有するパーマロイ等の如きフラックスガイドを設ける
ことにより、該MR素子の先端側より入り込んだ信号磁
束が後端部まで効率良く入り込むようになる。
In the present invention, the metal artificial multilayer film is used as the MR element, but if the metal artificial multilayer film is simply used,
Since the ratio of the magnetic layer is small, the magnetic permeability is low.
However, by providing a flux guide such as a permalloy having a high magnetic permeability that compensates for the low magnetic permeability of the artificial metal multilayer film on the front end side and / or the rear end side of the MR element, the front end of the MR element The signal magnetic flux entering from the side efficiently enters the rear end.

【0019】さらに、上記フラックスガイドに加え、下
部シールド磁性体に溝部を設けることにより、下部シー
ルド磁性体とMR素子間の対向間距離が大きくなること
から、MR素子に入り込んだ信号磁束が下部シールド磁
性体に漏れ難くなる。
Furthermore, in addition to the above-mentioned flux guide, by providing a groove portion in the lower shield magnetic body, the distance between the lower shield magnetic body and the MR element facing each other becomes larger, so that the signal magnetic flux entering the MR element is shielded. Hard to leak to the magnetic body.

【0020】また、本発明のMRヘッドにおいては、下
部シールド磁性体に設けた溝部と、上部シールド磁性体
とMR素子間の両方にそれぞれバイアス磁界印加部材を
配することにより、当該MR素子へのバイアスがより効
率良くかかることになる。
Further, in the MR head of the present invention, a bias magnetic field applying member is provided both in the groove portion provided in the lower shield magnetic body and between the upper shield magnetic body and the MR element, so that the MR element is exposed to the MR element. The bias will be applied more efficiently.

【0021】さらに、フラックスガイドを溝部の後端部
よりも媒体摺接面側である前方に設けることにより、バ
イアス磁路となってバイアス効率が向上する。
Furthermore, by providing the flux guide in front of the rear end of the groove on the medium sliding contact side, a bias magnetic path is formed and the bias efficiency is improved.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
コンピュータ等に使用されるハードディスク駆動装置に
搭載される複合型磁気ヘッド(MRヘッドとインダクテ
ィブヘッドを複合化したもの)に適用した例である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings. In this example,
This is an example applied to a composite magnetic head (composite MR head and inductive head) mounted in a hard disk drive used in a computer or the like.

【0023】複合型磁気ヘッド1は、図1に示すよう
に、再生専用の磁気ヘッドとしてMRヘッドを使用し、
書き込み専用の磁気ヘッドとしてインダクティブヘッド
を使用するもので、通常はスライダー2の一側面2a
に、真空薄膜形成技術によってMRヘッドを形成した
後、この上にインダクティブヘッドを積層形成した構成
とされる。
The composite magnetic head 1 uses an MR head as a read-only magnetic head as shown in FIG.
An inductive head is used as a write-only magnetic head, and normally one side surface 2a of the slider 2 is used.
In addition, after the MR head is formed by the vacuum thin film forming technique, the inductive head is laminated on the MR head.

【0024】これらMRヘッドとインダクティブヘッド
の再生用磁気ギャップと記録用磁気ギャップは、いずれ
もハードディスクとの対向面3であるエア・ベアリング
・サーフエス面(以下、ABS面3という)に臨むよう
になっている。
The reproducing magnetic gap and the recording magnetic gap of the MR head and the inductive head both face the air bearing surface (hereinafter referred to as ABS 3) which is the surface 3 facing the hard disk. ing.

【0025】MRヘッドは、図2の拡大断面図に示すよ
うに、スライダー2の一側面2a上に形成される一対の
シールド磁性体4,5と、これらシールド磁性体4,5
間に先端電極6と後端電極7が積層されてなるMR素子
8と、このMR素子8にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材9とを有して構成されている。
As shown in the enlarged cross-sectional view of FIG. 2, the MR head has a pair of shield magnetic bodies 4, 5 formed on one side surface 2a of the slider 2 and these shield magnetic bodies 4, 5.
An MR element 8 having a front end electrode 6 and a rear end electrode 7 laminated in between, and a bias magnetic field applying member 9 for applying a bias magnetic field to the MR element 8 are configured.

【0026】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体4を下部シールド磁性体4、上層に形成されるシール
ド磁性体5を上部シールド磁性体5と称する。
Hereinafter, the shield magnetic body 4 formed in the lower layer will be referred to as the lower shield magnetic body 4, and the shield magnetic body 5 formed in the upper layer will be referred to as the upper shield magnetic body 5.

【0027】MR素子8は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向がABS面3に
対して垂直となるように設けられている。また、このM
R素子8の先端側の一側縁は、上記ABS面3に臨むよ
うになされている。
The MR element 8 is formed, for example, in a substantially rectangular pattern in plan view, and is provided so that its longitudinal direction is perpendicular to the ABS surface 3. Also, this M
One side edge of the R element 8 on the leading end side faces the ABS surface 3.

【0028】かかるMR素子8には、低い磁界で高い磁
気抵抗変化率を示す金属人工多層膜(Giant−MR
膜)が用いられている。金属人工多層膜は、図3に示す
ように、膜厚の薄い磁性金属層8aと非磁性層8bをス
パッタリング等の手段によって、交互に何層にも積層す
ることにより形成される。
The MR element 8 has a metal artificial multilayer film (Giant-MR) which exhibits a high magnetoresistance change rate in a low magnetic field.
Membrane) is used. As shown in FIG. 3, the artificial metal multilayer film is formed by alternately stacking a thin magnetic metal layer 8a and a non-magnetic layer 8b in multiple layers by means such as sputtering.

【0029】上記の要件を満たす金属人工多層膜として
は、例えばFe−NiとCuとの組み合わせ、Fe−C
rとCuとの組み合わせ、CoとCuの組み合わせ、F
e−Ni−CoとCuの組み合わせのものが挙げられ
る。本実施例では、磁性金属層8aとしてFe−Ni−
Co、非磁性層8bとしてCuを用い、磁性金属層8a
の膜厚を1.2nm、非磁性層8bの膜厚を2.2nm
としてこれらを交互にスパッタリングし、Fe−Ni−
Co層とCu層の1組を1層としてそのトータル層数が
10層となるようにした。
Examples of the metal artificial multilayer film satisfying the above requirements are, for example, a combination of Fe-Ni and Cu, and Fe-C.
Combination of r and Cu, Combination of Co and Cu, F
An example is a combination of e-Ni-Co and Cu. In this embodiment, Fe-Ni- is used as the magnetic metal layer 8a.
Co, Cu is used as the non-magnetic layer 8b, and the magnetic metal layer 8a is used.
Has a thickness of 1.2 nm and the non-magnetic layer 8b has a thickness of 2.2 nm.
These are alternately sputtered as Fe-Ni-
One set of the Co layer and the Cu layer was set as one layer so that the total number of layers was 10.

【0030】なお、磁性金属層8aと非磁性層8bを成
膜する手法としては、高周波スパッタリング法又はイオ
ンビームスパッタリング法が使用できる。
As a method for forming the magnetic metal layer 8a and the nonmagnetic layer 8b, a high frequency sputtering method or an ion beam sputtering method can be used.

【0031】上記MR素子8と下部シールド磁性体4間
に設けられる絶縁層10は、再生用磁気ギャップgの下
層ギャップ膜として機能することから、これらの間の絶
縁性を充分確保し得るAl2 3 やSiO又はSiO2
等よりなる膜からなる。かかる絶縁層10は、例えばス
パッタリング等によって成膜されている。
Since the insulating layer 10 provided between the MR element 8 and the lower shield magnetic body 4 functions as the lower gap film of the reproducing magnetic gap g, Al 2 which can sufficiently secure the insulating property between them. O 3 or SiO or SiO 2
And the like. The insulating layer 10 is formed by sputtering or the like.

【0032】先端電極6は、その一側縁がABS面3に
臨むようにしてMR素子8の先端部に直接積層され、こ
のMR素子8と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極6は、MR素子8にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップg
の上層ギャップ膜としても機能するようになっている。
したがって、先端電極6には、Ta、Ti、W、Cr、
Cu等の如き導電性を有し且つ非磁性の金属材料を用い
ることが望ましい。本実施例では、TiとCuの積層膜
構造とした。
The tip electrode 6 is directly laminated on the tip of the MR element 8 so that one side edge thereof faces the ABS 3 and is electrically connected to the MR element 8.
The tip electrode 6 has a function as an electrode for supplying a sense current to the MR element 8 and also has a reproducing magnetic gap g.
It also functions as an upper gap film.
Therefore, the tip electrode 6 has Ta, Ti, W, Cr,
It is desirable to use a non-magnetic metal material having conductivity such as Cu. In this embodiment, a laminated film structure of Ti and Cu is used.

【0033】一方、後端電極7は、信号磁束の引き込み
の向上を図ることを目的とするフラックスガイド11上
にその一部が積層されるようにして、MR素子8の後端
部に積層されている。かかる後端電極7は、先端電極6
とは異なりギャップ膜として機能しないことから、その
膜厚は先端電極6よりも厚くされ、電極として充分機能
できる膜厚とされている。なお、この後端電極7に使用
される材料は、先端電極6と同じくTa、Ti、W、C
r、Cu等の非磁性金属材料が用いられる。本実施例で
は、後端電極7を先端電極6と同様にTiとCuの積層
膜構造とした。
On the other hand, the rear end electrode 7 is laminated on the rear end portion of the MR element 8 so that a part thereof is laminated on the flux guide 11 for the purpose of improving the pulling in of the signal magnetic flux. ing. The rear end electrode 7 is the front end electrode 6
Unlike the above, since it does not function as a gap film, its film thickness is made thicker than that of the tip electrode 6, and is set to a film thickness that can sufficiently function as an electrode. The material used for this rear end electrode 7 is Ta, Ti, W, C as in the case of the front end electrode 6.
A nonmagnetic metal material such as r or Cu is used. In the present embodiment, the rear end electrode 7 has a laminated film structure of Ti and Cu similarly to the front end electrode 6.

【0034】フラックスガイド11は、金属人工多層膜
の持つ透磁率の低さを補うために設けられるもので、透
磁率の高い軟磁性材料からなる膜から形成れている。例
えば、このフラックスガイド11には、透磁率μが10
00以上のパーマロイ、センダスト、Fe−Co系のア
モルファス材等よりなる軟磁性材料が用いられる。かか
るフラックスガイド11を形成するには、例えばスパッ
タリングや蒸着法或いはメッキ法等の如き真空薄膜形成
手段がいずれも適用できる。本実施例では、パーマロイ
をその膜厚が0.3μmとなるように成膜した。
The flux guide 11 is provided to compensate for the low magnetic permeability of the artificial metal multilayer film, and is made of a film made of a soft magnetic material having a high magnetic permeability. For example, this flux guide 11 has a magnetic permeability μ of 10
A soft magnetic material such as a permalloy of 00 or more, sendust, an Fe—Co-based amorphous material, or the like is used. In order to form the flux guide 11, any vacuum thin film forming means such as sputtering, vapor deposition or plating can be applied. In this example, permalloy was deposited to a thickness of 0.3 μm.

【0035】上記バイアス磁界印加部材9は、MR素子
8にバイアス磁界を印加するためのもので、先端電極6
と後端電極7の間であって、該MR素子8を挟んでこれ
ら電極6,7が設けられる側とは反対側の下部シールド
磁性体4に形成される溝部12に配され、絶縁層13に
よって埋め込まれる形で設けられている。
The bias magnetic field applying member 9 is for applying a bias magnetic field to the MR element 8, and is the tip electrode 6.
Between the rear end electrode 7 and the rear electrode 7, and the insulating layer 13 is provided in the groove 12 formed in the lower shield magnetic body 4 on the side opposite to the side where the electrodes 6 and 7 are provided with the MR element 8 interposed therebetween. It is provided in the form of being embedded by.

【0036】かかるバイアス磁界印加部材9は、上記M
R素子8の長手方向(ABS面3に対して垂直方向)に
亘ってバイアス磁界を印加する役目をするもので、該M
R素子8の長手方向に対して直交する方向に設けられて
いる。このバイアス磁界印加部材9は、例えば導電性を
有する導体、またはハード膜(高保磁力且つ高飽和磁束
密度を有する永久磁石)のいずれであっても構わない。
バイアス磁界印加部材9が導体である場合には、その導
体パターンの両端子部に直流電源からのバイアス電流を
その配線パターンの長手方向であるトラック幅方向に通
電する。
The bias magnetic field applying member 9 has the above M
It serves to apply a bias magnetic field along the longitudinal direction of the R element 8 (perpendicular to the ABS 3).
It is provided in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the R element 8. The bias magnetic field applying member 9 may be, for example, a conductive conductor or a hard film (a permanent magnet having a high coercive force and a high saturation magnetic flux density).
When the bias magnetic field applying member 9 is a conductor, a bias current from a DC power source is applied to both terminals of the conductor pattern in the track width direction which is the longitudinal direction of the wiring pattern.

【0037】本実施例では、上記バイアス磁界印加部材
9として、導電性に優れたCuをその膜厚が0.3μm
となるように成膜した。なお、絶縁層10,13との密
着性を考慮して、Cuの上下にそれぞれTiを形成する
ようにしてもよい。
In this embodiment, Cu having excellent conductivity is used as the bias magnetic field applying member 9 and its film thickness is 0.3 μm.
The film was formed so that Note that Ti may be formed above and below Cu in consideration of the adhesion to the insulating layers 10 and 13.

【0038】上記MR素子8を上下方向から挟み込む形
で設けられる一対のシールド磁性体4,5は、MR素子
8によって読み取るべき磁気信号の磁束以外のノイズと
なる磁束を吸収するシールドとして機能するもので、例
えばパーマロイやセンダスト等によって形成されてい
る。これらシールド磁性体4,5の膜厚としては、再生
トラック以外のトラックからの再生用磁気ギャップgへ
の信号磁界の侵入を防止すべく、2.0μm程度とする
ことが望ましい。
The pair of shield magnetic bodies 4 and 5 provided so as to sandwich the MR element 8 from above and below functions as a shield for absorbing magnetic flux that becomes noise other than the magnetic flux of the magnetic signal to be read by the MR element 8. And is made of, for example, permalloy or sendust. It is desirable that the film thickness of these shield magnetic bodies 4 and 5 be about 2.0 μm in order to prevent the signal magnetic field from entering the reproducing magnetic gap g from a track other than the reproducing track.

【0039】そして、これらシールド磁性体4,5のう
ち下部シールド磁性体4は、上記ABS面3にその一側
縁を臨ませるようにして、このABS面3に対して垂直
方向に延在して設けられている。特に、この下部シール
ド磁性体4には、先端電極6と後端電極7で挟まれる領
域に対応した位置に先のバイアス磁界印加部材9を絶縁
層13によって埋め込むための溝部12を有している。
The lower shield magnetic body 4 of the shield magnetic bodies 4 and 5 extends in the direction perpendicular to the ABS surface 3 so that one side edge of the shield magnetic body 4 faces the ABS surface 3. Is provided. In particular, this lower shield magnetic body 4 has a groove portion 12 for embedding the above bias magnetic field applying member 9 with an insulating layer 13 at a position corresponding to a region sandwiched by the front electrode 6 and the rear electrode 7. .

【0040】かかる溝部12は、バイアス磁界印加部材
9と平行な底面12aとこの底面12aの両側に溝の開
口幅を広げるようにして形成される傾斜面12b,12
cとを有した断面略コ字状をなす溝として、上記下部シ
ールド磁性体4の短辺方向(トラック幅方向)に形成さ
れている。
The groove 12 has a bottom surface 12a parallel to the bias magnetic field applying member 9 and inclined surfaces 12b, 12 formed on both sides of the bottom surface 12a so as to widen the opening width of the groove.
As a groove having a substantially U-shaped cross section, the groove is formed in the short side direction (track width direction) of the lower shield magnetic body 4.

【0041】上記傾斜面12b,12cのうち、ABS
面3側に設けられる傾斜面12bのMR素子8に近接す
る溝先端部D1 は、上記先端電極6の後端部(再生磁気
ギャップgのデプス零位置)E1 と略同一の位置とされ
ている。これに対して他方の傾斜面12cのMR素子8
に近接する溝後端部D2 は、フラックスガイド11の先
端部E2 に対して後方とされている。
Of the inclined surfaces 12b and 12c, the ABS
The groove tip portion D 1 of the inclined surface 12b provided on the surface 3 side which is close to the MR element 8 is located at substantially the same position as the rear end portion (position of the depth zero of the reproducing magnetic gap g) E 1 of the tip electrode 6. ing. On the other hand, the MR element 8 of the other inclined surface 12c
Groove rear end D 2 adjacent to is the rear with respect to the distal end portion E 2 of the flux guide 11.

【0042】逆の見かたをすると、フラックスガイド1
1の先端部E2 が、傾斜面12cの溝後端部D2 に対し
てABS面3寄りに設けられていることになる。つま
り、フラックスガイド11を、上記溝部12の溝後端部
2 よりABS面3寄りに設ければ、バイアス磁路とな
りMR素子8に対してバイアスがより一層かかり易くな
る。
When viewed in reverse, the flux guide 1
The tip end portion E 2 of No. 1 is provided closer to the ABS surface 3 with respect to the groove rear end portion D 2 of the inclined surface 12c. That is, if the flux guide 11 is provided closer to the ABS 3 than the groove rear end portion D 2 of the groove portion 12, a bias magnetic path is formed, and the MR element 8 is more easily biased.

【0043】一方、これに対向して設けられる上部シー
ルド磁性体5は、先の下部シールド磁性体4と同様に上
記ABS面3にその一側縁を臨ませるようにしてこのA
BS面3に対して垂直にバック側へ延在して設けられて
いる。また、この上部シールド磁性体5は、ABS面3
側で先端電極6に対して直接積層されると共に、その後
方側において絶縁層14を介してMR素子8との対向距
離を充分に有するように積層されている。上記絶縁層1
3,14は、下層ギャップ膜として機能する絶縁層10
と同じく、Al2 3 、SiO、SiO2 等の如き絶縁
材料からなる。
On the other hand, like the lower shield magnetic body 4, the upper shield magnetic body 5 provided so as to face the upper shield magnetic body 5 faces the ABS surface 3 at one side edge thereof.
It is provided so as to extend perpendicularly to the BS surface 3 toward the back side. Further, the upper shield magnetic body 5 has an ABS surface 3
Is laminated directly to the tip electrode 6 on the side, and is laminated on the rear side so as to have a sufficient facing distance to the MR element 8 via the insulating layer 14. The insulating layer 1
3, 14 are insulating layers 10 functioning as lower gap films.
Similarly, it is made of an insulating material such as Al 2 O 3 , SiO, and SiO 2 .

【0044】本実施例では、下部シールド磁性体4及び
上部シールド磁性体5共にパーマロイをメッキ法によっ
て形成し、その膜厚を2.0μmとした。
In this embodiment, both the lower shield magnetic body 4 and the upper shield magnetic body 5 are made of permalloy by the plating method, and the thickness thereof is set to 2.0 μm.

【0045】上述のように構成されたMRヘッドにおい
ては、MR素子8としてGiant−MR膜を用いた場
合の透磁率の低さをフラックスガイド11で補っている
ため、当該Giant−MR膜が持つ本来の機能を充分
に発揮させることができる。これに加え、下部シールド
磁性体4に溝部12を形成することで、ABS面3より
MR素子8に入り込んだ信号磁束を下部シールド磁性体
4へ漏洩させることなく該MR素子8の奥行き方向であ
る後端部まで引き込むことができる。また、MR素子8
と上部シールド磁性体5との対向間距離を充分にとるこ
とで、同様に信号磁束をMR素子8の後端部へと引き込
むことができる。
In the MR head constructed as described above, since the flux guide 11 compensates for the low magnetic permeability when the Giant-MR film is used as the MR element 8, the Giant-MR film has the same. The original function can be fully exerted. In addition to this, by forming the groove portion 12 in the lower shield magnetic body 4, the signal magnetic flux entering the MR element 8 from the ABS 3 is prevented from leaking to the lower shield magnetic body 4 in the depth direction of the MR element 8. Can be retracted to the rear end. In addition, the MR element 8
With a sufficient distance between the upper shield magnetic body 5 and the upper shield magnetic body 5, the signal magnetic flux can be similarly drawn into the rear end portion of the MR element 8.

【0046】一方、インダクティブヘッドは、図示は省
略するが一般の薄膜磁気ヘッドと同じ構成とされ、例え
ばパーマロイ等の軟磁性材料からなる一対の薄膜磁気コ
アを有し、これら薄膜磁気コアが所定の間隔を持って積
層されると共に、これら薄膜磁気コア間に絶縁層を介し
て導体コイルがスパイラル状に形成されてなる。このイ
ンダクティブヘッドは、MRヘッドの上に絶縁層を介し
て真空薄膜形成技術によって積層形成される。
On the other hand, although not shown, the inductive head has the same structure as a general thin film magnetic head, and has a pair of thin film magnetic cores made of a soft magnetic material such as permalloy, and these thin film magnetic cores have a predetermined structure. In addition to being stacked with a space, a conductor coil is spirally formed between these thin film magnetic cores with an insulating layer interposed. This inductive head is laminated and formed on the MR head via an insulating layer by a vacuum thin film forming technique.

【0047】ここで、実際に上述した構成の本発明磁気
ヘッドと図11に示す従来ヘッドの記録密度特性を測定
してみた。これらヘッドは、共にギャップ長を0.2μ
m、トラック幅を3μmとした。その結果を図4に示
す。図4中波形Aは本発明ヘッド、波形Bは従来ヘッド
を示す。
The recording density characteristics of the magnetic head of the present invention having the above-mentioned structure and the conventional head shown in FIG. 11 were actually measured. Both heads have a gap length of 0.2μ.
m, and the track width was 3 μm. The result is shown in FIG. In FIG. 4, a waveform A shows the head of the present invention, and a waveform B shows the conventional head.

【0048】この結果からわかるように、本発明ヘッド
では従来ヘッドに比べて記録密度特性が約2倍高いこと
がわかる。これは、金属人工多層膜であるが故の透磁率
の低さを、フラックスガイドと溝部を設けることで補う
ことにより、媒体からの信号がシールド磁性体に落ちず
にMR素子の奥まで入り込み、その結果MR素子膜の持
つ高い磁気抵抗変化率により出力が大幅に改善されたも
のである。
As can be seen from these results, the head of the present invention has a recording density characteristic about twice as high as that of the conventional head. This is because the low magnetic permeability due to the metal artificial multilayer film is compensated by providing a flux guide and a groove, so that the signal from the medium does not fall into the shield magnetic body and penetrates deep into the MR element, As a result, the output is greatly improved due to the high magnetoresistance change rate of the MR element film.

【0049】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例では、バイアス磁界印加部材9を下部シールド磁性体
4に形成した溝部12に絶縁層13を介して設けたが、
図5に示すように、上部シールド磁性体5とMR素子8
との間に絶縁層14を介して設けるようにしても同様の
効果が得られる。
The specific embodiments to which the present invention is applied have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the bias magnetic field applying member 9 is provided in the groove portion 12 formed in the lower shield magnetic body 4 via the insulating layer 13.
As shown in FIG. 5, the upper shield magnetic body 5 and the MR element 8
The same effect can be obtained by providing the insulating layer 14 between and.

【0050】または、図6に示すように、下部シールド
磁性体4の溝部12と、上部シールド磁性体5とMR素
子8間にそれぞれバイアス磁界印加部材9を設けるよう
にしてもよい。MR素子8を挟んで上下にバイアス磁界
印加部材9を設けた場合には、該MR素子8に対してよ
り多くのバイアス磁界を印加することができる。
Alternatively, as shown in FIG. 6, a bias magnetic field applying member 9 may be provided between the groove portion 12 of the lower shield magnetic body 4 and between the upper shield magnetic body 5 and the MR element 8. When the bias magnetic field applying members 9 are provided above and below with the MR element 8 in between, a larger bias magnetic field can be applied to the MR element 8.

【0051】また、フラックスガイド11については、
前述の実施例ではMR素子8の後端部に設けたが、先端
側に設けるようにしてもよい。或いは、図7に示すよう
に、先端側と後端側の両方にフラックスガイド11を設
けるようにしても同様の作用効果が得られる。フラック
スガイド11を設ける位置は、出力に寄与しない先端電
極6と後端電極7が設けられる部分とする。これら電極
6,7が設けられる部分は、MR素子8に対して等電位
とされることから出力に寄与しない部分である。したが
って、これらの部分にフラックスガイド11を設けても
悪影響は生じない。また、フラックスガイド11はMR
素子8上に直接積層され、その上に先端電極6と後端電
極7が積層される形となる。
Regarding the flux guide 11,
Although the MR element 8 is provided at the rear end portion in the above-described embodiment, it may be provided at the front end side. Alternatively, as shown in FIG. 7, the same effect can be obtained by providing the flux guides 11 on both the front end side and the rear end side. The position where the flux guide 11 is provided is a portion where the front electrode 6 and the rear electrode 7 that do not contribute to the output are provided. The portions where these electrodes 6 and 7 are provided are portions that do not contribute to output because they are equipotential to the MR element 8. Therefore, even if the flux guides 11 are provided in these portions, no adverse effect occurs. The flux guide 11 is MR
The element 8 is directly laminated on the element 8, and the front electrode 6 and the rear electrode 7 are laminated on the element 8.

【0052】MR素子8の先端部と後端部のいずれにも
フラックスガイド11を設けなかった場合のMR素子8
に入り込む信号磁界は、図8に示すように、ABS面側
で最も大きくABS面より離れた後方部に行くと急激に
減少する。特に、透磁率の小さいGiant−MR膜の
場合には顕著である。しかしながら、図9に示すよう
に、MR素子8の先端部と後端部にそれぞれフラックス
ガイド11を設けた場合には、信号磁界をMR素子8の
後端部まで引き込むことができる。
The MR element 8 in the case where the flux guide 11 is not provided at either the front end portion or the rear end portion of the MR element 8.
As shown in FIG. 8, the signal magnetic field entering the area is the largest on the ABS surface side, and sharply decreases toward the rear part away from the ABS surface. In particular, it is remarkable in the case of Giant-MR film having small magnetic permeability. However, as shown in FIG. 9, when the flux guides 11 are provided at the front end and the rear end of the MR element 8, respectively, the signal magnetic field can be drawn to the rear end of the MR element 8.

【0053】MR素子8の先端部と後端部にフラックス
ガイドを形成するには、例えば図10(a)に示すよう
に、フラックスガイドを形成すべき部分を除いてレジス
ト15を塗りパターンニングする。次に、同図(b)に
示すように、パーマロイをMR素子8上に全面スパッタ
リングする。そして、レジストを除去する。その結果、
同図(c)に示すように、MR素子8の先端部と後端部
にフラックスガイド11が形成される。
In order to form the flux guides at the front and rear ends of the MR element 8, for example, as shown in FIG. 10A, the resist 15 is applied and patterned except the portion where the flux guide is to be formed. . Next, as shown in FIG. 3B, permalloy is entirely sputtered on the MR element 8. Then, the resist is removed. as a result,
As shown in FIG. 3C, the flux guides 11 are formed on the front and rear ends of the MR element 8.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のMRヘッドにおいては、Giant−MR膜である
金属人工多層膜をMR素子に用いた場合に、該金属人工
多層膜の持つ透磁率の低さを、MR素子の先端側又は後
端側或いはその両方に設けたフラックスガイドで補うこ
とができ、MR素子の先端側より入り込んだ信号磁束の
後端部への引き込み効果を高めることができる。これに
加え、下部シールド磁性体に溝部を形成することによ
り、MR素子に入った信号磁束の下部シールド磁性体へ
の漏洩を防止できる。また、フラックスガイドを溝部に
かかる位置に設けることにより、バイアス磁路となりバ
イアス効率を高めることができる。
As is apparent from the above description, in the MR head of the present invention, when a metal artificial multilayer film which is a Giant-MR film is used for an MR element, the transparency of the metal artificial multilayer film is increased. The low magnetic susceptibility can be compensated by the flux guides provided on the front end side and / or the rear end side of the MR element, and the effect of drawing the signal magnetic flux entering from the front end side of the MR element to the rear end part is enhanced. You can In addition to this, by forming a groove in the lower shield magnetic body, it is possible to prevent the signal magnetic flux entering the MR element from leaking to the lower shield magnetic body. In addition, by providing the flux guide at a position that is in contact with the groove portion, it becomes a bias magnetic path and the bias efficiency can be improved.

【0055】したがって、本発明のMRヘッドによれ
ば、Giant−MR膜が持つ本来の低磁界で高出力が
得られるという機能を充分に発揮させることができ、狭
ギャップ長にも拘わらず再生出力の大幅な向上を達成す
ることができ、その結果コンピュータ等の高性能化に伴
うハードディスク駆動装置の小型化、高容量化に対応可
能となる。
Therefore, according to the MR head of the present invention, it is possible to fully exert the function of the Giant-MR film, that is, the high output is obtained in the original low magnetic field, and the reproduction output is achieved despite the narrow gap length. Can be achieved, and as a result, it becomes possible to cope with the miniaturization and high capacity of the hard disk drive device accompanying the high performance of computers and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ハードディスク駆動装置に搭載される複合型磁
気ヘッドの斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a composite type magnetic head mounted in a hard disk drive.

【図2】MRヘッドの拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of an MR head.

【図3】金属人工多層膜を用いたMR素子の拡大断面図
である。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of an MR element using a metal artificial multilayer film.

【図4】記録密度特性を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing recording density characteristics.

【図5】MRヘッドの他の例を示す拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing another example of the MR head.

【図6】MR素子を挟んでその上下にバイアス磁界印加
部材を設けたMRヘッドの拡大断面図である。
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of an MR head in which a bias magnetic field applying member is provided above and below the MR element with the MR element interposed therebetween.

【図7】MR素子の先端部と後端部にフラックスガイド
を設けたMRヘッドの拡大断面図である。
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of an MR head in which a flux guide is provided at a front end portion and a rear end portion of the MR element.

【図8】MR素子にフラックスガイドを設けなかった場
合のMR素子に入る信号磁束量変化を示す特性図であ
る。
FIG. 8 is a characteristic diagram showing changes in the amount of signal magnetic flux entering the MR element when the MR element is not provided with a flux guide.

【図9】MR素子にフラックスガイドを設けた場合のM
R素子に入る信号磁束量変化を示す特性図である。
FIG. 9 shows M when a flux guide is provided on the MR element.
It is a characteristic view which shows the signal magnetic flux amount change which enters into an R element.

【図10】フラックスガイドの形成工程を示す断面図で
ある。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a step of forming a flux guide.

【図11】従来のMRヘッドの拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged sectional view of a conventional MR head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 複合型磁気ヘッド 2 スライダー 3 ABS面 4 下部シールド磁性体 5 上部シールド磁性体 6 先端電極 7 後端電極 8 MR素子 8a 磁性金属層 8b 非磁性層 9 バイアス磁界印加部材 11 フラックスガイド 12 溝部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Composite type magnetic head 2 Slider 3 ABS surface 4 Lower shield magnetic body 5 Upper shield magnetic body 6 Front electrode 7 Rear end electrode 8 MR element 8a Magnetic metal layer 8b Nonmagnetic layer 9 Bias magnetic field applying member 11 Flux guide 12 Groove part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 淳一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Junichi Sugawara 6-735 Kitashinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気記録媒体との対接面に対して長手方
向が垂直となるように配され、磁性金属層と非磁性層が
交互に積層されてなる磁気抵抗効果素子と、 上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記磁気抵抗効果素子に対して先端電極と後端電極が形
成される側に設けられる上部シールド磁性体と、 上記磁気抵抗効果素子に対して先端電極と後端電極が形
成される側とは反対側に設けられ、該磁気抵抗効果素子
と対向する面の一部に溝部が形成された下部シールド磁
性体と、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側及び後端側又はいずれか
一方に設けられる高透磁率を有する磁性材料よりなるフ
ラックスガイドとを備えてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
1. A magnetoresistive effect element comprising a magnetic metal layer and a non-magnetic layer, which are arranged so that the longitudinal direction is perpendicular to a surface contacting with a magnetic recording medium and are alternately laminated, and the magnetic recording. With respect to the magnetoresistive effect element, a front end electrode laminated on the front end side of the magnetoresistive effect element facing the contact surface with the medium, a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element, An upper shield magnetic body provided on the side where the front electrode and the rear electrode are formed, and a magnetic shield provided on the opposite side of the magnetoresistive element from the side where the front electrode and the rear electrode are formed. A lower shield magnetic body having a groove formed in a part of the surface facing the effect element, a bias magnetic field applying member for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element, and a front end side and a rear end side of the magnetoresistive effect element. Or high transparency provided on either side A magnetoresistive effect magnetic head comprising: a flux guide made of a magnetic material having magnetic susceptibility.
【請求項2】 バイアス磁界印加部材は、下部シールド
磁性体の溝部に絶縁層を介して設けられていることを特
徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. The magnetoresistive head according to claim 1, wherein the bias magnetic field applying member is provided in the groove of the lower shield magnetic body with an insulating layer interposed therebetween.
【請求項3】 バイアス磁界印加部材は、磁気抵抗効果
素子と上部シールド磁性体間に絶縁層を介して設けられ
ていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
3. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein the bias magnetic field applying member is provided between the magnetoresistive effect element and the upper shield magnetic body via an insulating layer.
【請求項4】 バイアス磁界印加部材は、下部シールド
磁性体の溝部に絶縁層を介して設けられると共に、磁気
抵抗効果素子と上部シールド磁性体間に絶縁層を介して
設けられていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。
4. The bias magnetic field applying member is provided in the groove portion of the lower shield magnetic body via an insulating layer, and is provided between the magnetoresistive element and the upper shield magnetic body via an insulating layer. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1.
【請求項5】 磁気抵抗効果素子の後端側に設けられる
フラックスガイドの先端部が下部シールド磁性体に設け
られる溝部の後端部より磁気記録媒体との対接面寄りに
設けられていることを特徴とする請求項1、2、3又は
4記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
5. A tip end portion of a flux guide provided on the rear end side of the magnetoresistive effect element is provided closer to a contact surface with a magnetic recording medium than a rear end portion of a groove portion provided on the lower shield magnetic body. The magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 1, 2, 3, or 4.
【請求項6】 フラックスガイドはパーマロイであるこ
とを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。
6. The magnetoresistive head according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the flux guide is permalloy.
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