JPH07245287A - Wet etching apparatus - Google Patents
Wet etching apparatusInfo
- Publication number
- JPH07245287A JPH07245287A JP5836094A JP5836094A JPH07245287A JP H07245287 A JPH07245287 A JP H07245287A JP 5836094 A JP5836094 A JP 5836094A JP 5836094 A JP5836094 A JP 5836094A JP H07245287 A JPH07245287 A JP H07245287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- etching
- substrate
- etching solution
- wet etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 171
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 76
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はウエットエッチング装
置、特に半導体装置の製造工程において微細なパターン
の形成に使用されるエッチング液噴射式のウエットエッ
チング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet etching apparatus, and more particularly to an etching liquid jet type wet etching apparatus used for forming a fine pattern in a semiconductor device manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハにおいてのウエットエッチ
ング装置として、特開平４−３０６８３６号公報には半
導体ウェハを保持した状態でこれを所定速度で回転させ
ることのできるウェハ保持部と、この保持部にて保持さ
れた半導体ウェハに対しエッチング液を噴射するノズル
とを有する構成例が示されている。そして、これに加え
てエッチング廃液の飛沫等が処理室内に浮遊し、これが
処理したウェハの表面にバーティクルとして付着するこ
とを防止するための機構が保持部の下部に設置された構
成が開示されている。2. Description of the Related Art As a wet etching apparatus for a semiconductor wafer, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-306836 discloses a wafer holding section capable of rotating a semiconductor wafer at a predetermined speed while holding the semiconductor wafer. A configuration example having a nozzle for injecting an etching solution onto a held semiconductor wafer is shown. In addition, in addition to this, a configuration is disclosed in which a mechanism for preventing splashes of etching waste liquid and the like floating in the processing chamber and adhering to the surface of the processed wafer as verticles is provided in the lower portion of the holding unit. There is.
【０００３】また、特開平２−７３６３３号公報では、
同様に処理すべき基板を回転可能に保持する保持部にて
保持し、これに対し２個のノズルからエッチング液を噴
射する構成が開示されている。また、特開平４−２９８
０１７号公報では、レジストの現像装置を兼ねたウエッ
トエッチング装置が開示されており、ウェハを回転可能
に保持し、その保持されたウェハに対しエッチング液を
噴射するノズル並びにリンス液を供給するリンス液供給
ノズルが設置された構成が開示されている。Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 2-73333,
Similarly, a configuration is disclosed in which a substrate to be processed is held by a holding unit that holds it rotatably, and an etching solution is ejected from two nozzles to the holding unit. In addition, JP-A-4-298
In Japanese Patent Laid-Open No. 017, a wet etching apparatus which also serves as a resist developing apparatus is disclosed, in which a wafer is rotatably held, a nozzle for injecting an etching solution onto the held wafer, and a rinse solution for supplying a rinse solution. A configuration in which a supply nozzle is installed is disclosed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記各従来のエッチン
グ装置は、半導体ウェハがその処理の対象物であり、そ
の半導体ウェハのサイズは約８インチ程度であことか
ら、更に大型の基板を処理する場合については特に考慮
されていない。従って、上記各従来装置ではエッチング
液を噴射するためのノズルは固定されたままの状態で噴
射動作を行っている。これは、半導体ウェハの表面サイ
ズが比較的小さいので、１箇所にノズルを固定した状態
でもエッチング液を十分に全体に噴射させることが可能
であったことによる。In each of the conventional etching apparatuses described above, a semiconductor wafer is an object to be processed, and since the size of the semiconductor wafer is about 8 inches, a larger substrate is processed. No special consideration has been given to the case. Therefore, in each of the above-mentioned conventional apparatuses, the jetting operation is performed with the nozzle for jetting the etching liquid being fixed. This is because the surface size of the semiconductor wafer is relatively small, so that the etching liquid can be sufficiently sprayed over the entire surface even when the nozzle is fixed at one position.
【０００５】しかしながら、近年有用性の生じている大
型の基板（例えば３００×３００ｍｍ）について、これ
らの装置によるエッチングを行う場合、ノズルが固定的
に取り付けられているためエッチング液が基板全面に均
一に噴射されないという事態が生じる。このため、エッ
チングが不均一に進み、形成された金属膜のパターンに
は、パターン変換差の大きなばらつきが生じてしまう。
さらに顕著な場合には、基板のエッチングが部分的には
終了しているにも拘らず他の部分ではほとんど進んでい
ないという状況も発生する。However, when a large-sized substrate (for example, 300 × 300 mm), which is becoming more and more useful in recent years, is etched by these devices, the nozzle is fixedly mounted so that the etching solution is evenly distributed over the entire surface of the substrate. A situation occurs in which it is not jetted. Therefore, the etching progresses nonuniformly, and the pattern of the formed metal film has a large variation in the pattern conversion difference.
In a more prominent case, a situation occurs in which the etching of the substrate is partially completed, but is hardly progressed in other parts.
【０００６】本発明は上記実情に鑑みなされたもので、
大型の基板に対して、エッチング液の噴射によるエッチ
ングを行う際に、エッチング速度分布が均一化された精
度の良いエッチングを行うことのできるウエットエッチ
ング装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances,
An object of the present invention is to provide a wet etching apparatus capable of performing highly accurate etching with a uniform etching rate distribution when etching a large-sized substrate by jetting an etching solution.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係るウエットエッチング装置は、被エッ
チング物である金属薄膜が表面に形成された基板を保持
しかつこれを所定速度で回転させる回転保持機構と、前
記保持された基板の前記金属薄膜表面に対しエッチング
液を吹き付けるエッチング液噴射機構と、を備えたウエ
ットエッチング装置において、次の構成を特徴としてい
る。前記エッチング液噴射機構が、エッチング液を噴射
するノズルと、該ノズルがその噴射口を前記金属側に向
けて取り付けられかつ該ノズルを前記基板の少なくとも
前記回転中心部領域及び前記回転状態での外縁部の上方
を通過する経路で連続移動させるノズル移動機構と、を
有している。In order to achieve the above object, a wet etching apparatus according to a first aspect of the present invention holds a substrate having a metal thin film, which is an object to be etched, formed on its surface and rotates the substrate at a predetermined speed. A wet etching apparatus provided with a rotating and holding mechanism for causing and an etching solution spraying mechanism for spraying an etching solution onto the surface of the metal thin film of the held substrate is characterized by the following configuration. The etching liquid jetting mechanism is provided with a nozzle for jetting the etching liquid, and the nozzle is attached such that its jet port faces the metal side, and the nozzle is at least the rotation center region of the substrate and the outer edge in the rotation state. A nozzle moving mechanism for continuously moving along a path passing above the section.
【０００８】請求項２に係るウエットエッチング装置
は、請求項１において、前記ノズル移動機構は、ノズル
の取り付けられたアームが一定の角度往復する移動手段
を有することを特徴としている。A wet etching apparatus according to a second aspect of the present invention is the wet etching apparatus according to the first aspect, wherein the nozzle moving mechanism has a moving means for reciprocating an arm to which the nozzle is attached at a predetermined angle.
【０００９】請求項３に記載のウエットエッチング装置
は、請求項１において、前記ノズル移動機構は、ノズル
が直線的に移動するスライド移動手段を有することを特
徴としている。According to a third aspect of the present invention, there is provided the wet etching apparatus according to the first aspect, wherein the nozzle moving mechanism has a slide moving means for linearly moving the nozzle.
【００１０】請求項４に記載のウエットエッチング装置
は、請求項１、請求項２又は請求項３において、前記エ
ッチング液噴射機構は、前記エッチング液の前記回転す
る基板への表面の単位面積当りの噴射量がほぼ均等とな
るように調整するエッチング液噴射手段として、エッチ
ング液を噴射するノズルの移動速度を調整する機構を有
することを特徴としている。A wet etching apparatus according to a fourth aspect is the wet etching apparatus according to the first aspect, the second aspect or the third aspect, wherein the etching solution injection mechanism is a unit area of the surface of the etching solution on the rotating substrate. The etching liquid ejecting means for adjusting the ejection amount to be substantially equal is characterized by having a mechanism for adjusting the moving speed of the nozzle for ejecting the etching liquid.
【００１１】請求項５に記載のウエットエッチング装置
は、請求項１、請求項２又は請求項３において、前記エ
ッチング液噴射機構は、前記エッチング液の前記回転す
る基板への表面の単位面積当りの噴射量がほぼ均等とな
るように調整するエッチング液噴射手段として、エッチ
ング液を噴射するノズルの吐出圧を調整する機構を有す
ることを特徴としている。A wet etching apparatus according to a fifth aspect is the wet etching apparatus according to any one of the first, second or third aspects, wherein the etching solution jetting mechanism has a unit surface area of the etching solution on the rotating substrate. The etching liquid ejecting means for adjusting the ejection amount to be substantially equal is characterized by having a mechanism for adjusting the ejection pressure of a nozzle for ejecting the etching liquid.
【００１２】請求項６に記載のウエットエッチング装置
は、請求項１、請求項２又は請求項３において、前記エ
ッチング液噴射機構は、前記エッチング液の前記回転す
る基板への表面のエッチング速度がほぼ均等となるよう
に調整するエッチング液噴射手段として、噴射するエッ
チング液の温度を調整する機構を有することを特徴とし
ている。According to a sixth aspect of the present invention, in the wet etching apparatus according to the first aspect, the second aspect or the third aspect, the etching solution jetting mechanism has an etching rate of the surface of the etching solution on the rotating substrate which is substantially the same. As an etching solution ejecting means for adjusting so as to be even, a feature is provided that has a mechanism for adjusting the temperature of the ejecting etching solution.
【００１３】請求項７に記載のウエットエッチング装置
は、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項
５又は請求項６において、前記エッチング液噴射機構の
ノズルは、前記基板の回転中心部領域上方を通る経路で
移動される中央ノズルと、該回転中心部領域上方を通ら
ず前記外縁部寄り領域上方のみを通る経路を移動する外
側ノズルと、を含むことを特徴としている。A wet etching apparatus according to a seventh aspect is the wet etching apparatus according to the first, second, third, fourth, fifth or sixth aspect, wherein the nozzle of the etching solution jetting mechanism is the substrate. A central nozzle that is moved along a path that passes above the rotation center area, and an outer nozzle that moves on a path that does not pass above the rotation center area and only passes above the outer edge portion near area. .
【００１４】請求項８に記載のウエットエッチング装置
は、請求項７において、前記中央ノズル及び外側ノズル
からのエッチング液噴射状態をそれぞれ異なった状態と
する噴射状態調整手段として、エッチング液を噴射する
ノズルの吐出圧を調整する機構を有することを特徴とし
ている。A wet etching apparatus according to an eighth aspect of the present invention is the wet etching apparatus according to the seventh aspect, in which the etching liquid is jetted from the central nozzle and the outer nozzle as different jetting state adjusting means for jetting the etching liquid. It is characterized by having a mechanism for adjusting the discharge pressure of.
【００１５】請求項９に記載のウエットエッチング装置
は、請求項７において、前記中央ノズル及び外側ノズル
からのエッチング液噴射状態をそれぞれ異なった状態と
する噴射状態調整手段として、エッチング液を噴射する
ノズルの出口径を調整する機構を有することを特徴とし
ている。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a wet etching apparatus according to the seventh aspect, wherein a nozzle for ejecting an etching solution is used as an ejecting state adjusting means for setting different states of ejecting the etching solution from the central nozzle and the outer nozzle. It is characterized by having a mechanism for adjusting the outlet diameter of the.
【００１６】請求項１０に記載のウエットエッチング装
置は、請求項７において、前記中央ノズル及び外側ノズ
ルからのエッチング液噴射状態をそれぞれ異なった状態
とする噴射状態調整手段として、噴射するエッチング液
の温度を調整する機構を有することを特徴としている。According to a tenth aspect of the present invention, in the wet etching apparatus according to the seventh aspect, the temperature of the etching liquid to be jetted is used as the jetting state adjusting means for making the jetting state of the etching liquid from the central nozzle and the outside nozzle different from each other. It is characterized by having a mechanism for adjusting.
【００１７】請求項１１に記載のウエットエッチング装
置は、請求項７、請求項８、請求項９又は請求項１０に
おいて、前記中央ノズルと外側ノズルのうち、少なくと
も一方は移動し位置調整が可能であることを特徴として
いる。A wet etching apparatus according to an eleventh aspect of the present invention is the wet etching apparatus according to any one of the seventh, eighth, ninth or tenth aspects, wherein at least one of the central nozzle and the outer nozzle is moved and position adjustment is possible. It is characterized by being.
【００１８】請求項１２に記載のウエットエッチング装
置は、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求
項５又は請求項６において、前記エッチング液噴射機構
のノズルは、前記基板の回転中心部領域上方を通る経路
で移動される中央ノズルと、該回転中心部領域上方をよ
り外側を移動する複数個の外側ノズルと、を含むことを
特徴としている。A wet etching apparatus according to a twelfth aspect of the present invention is the wet etching apparatus according to any one of the first, second, third, fourth, fifth and sixth aspects, wherein the nozzle of the etching solution injection mechanism is the substrate. And a plurality of outer nozzles that move further outside the rotation center region, and a central nozzle that moves along a path that passes above the rotation center region.
【００１９】請求項１３に記載のウエットエッチング装
置は、請求項１２において、前記中央ノズルと複数個の
外側ノズルのうち、少なくとも１個からのエッチング液
噴射状態が異なった状態とする噴射状態調整手段とし
て、エッチング液を噴射するノズルの吐出圧を調整する
機構を有することを特徴としている。A wet etching apparatus according to a thirteenth aspect is the wet etching apparatus according to the twelfth aspect, in which at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles is in a different ejection state adjusting means. As a feature, it has a mechanism for adjusting a discharge pressure of a nozzle for spraying an etching liquid.
【００２０】請求項１４に記載のウエットエッチング装
置は、請求項１２において、前記中央ノズルと複数個の
外側ノズルのうち、少なくとも１個からのエッチング液
噴射状態が異なった状態とする噴射状態調整手段とし
て、エッチング液を噴射するノズルの出口径を調整する
機構を有することを特徴としている。A wet etching apparatus according to a fourteenth aspect is the wet etching apparatus according to the twelfth aspect, wherein the state of injection of the etching liquid from at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles is different. As a feature, it has a mechanism for adjusting the outlet diameter of the nozzle for ejecting the etching liquid.
【００２１】請求項１５に記載のウエットエッチング装
置は、請求項１２において、前記中央ノズルと複数個の
外側ノズルのうち、少なくとも１個からのエッチング液
噴射状態が異なった状態とする噴射状態調整手段とし
て、噴射するエッチング液の温度を調整する機構を有す
ることを特徴としている。A wet etching apparatus according to a fifteenth aspect is the wet etching apparatus according to the twelfth aspect, in which at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles has a different ejection state of the etching solution. As a feature, it has a mechanism for adjusting the temperature of the sprayed etching solution.
【００２２】請求項１６に記載のウエットエッチング装
置は、請求項１２、請求項１３、請求項１４又は請求項
１５において、前記中央ノズルと複数個の外側ノズルの
うち、少なくとも１個は移動し位置調整が可能であるこ
とを特徴としている。A wet etching apparatus according to a sixteenth aspect is the wet etching apparatus according to the twelfth aspect, the thirteenth aspect, the fifteenth aspect, or the fifteenth aspect, in which at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles is moved and positioned. The feature is that it can be adjusted.
【００２３】[0023]
【作用】請求項１ないし請求項３に係るウエットエッチ
ング装置によれば、基板の金属薄膜に対するエッチング
液噴射を行うノズルは、ノズル移動機構に取り付けられ
ており、そのノズル移動機構は、ノズルを噴射対象であ
る基板の回転中心部領域及び回転状態での外縁部の上方
を通過する経路で連続移動させる。この経路は、例え
ば、ノズルが取り付けられたアームが一定の角度を往復
する移動手段や、ノズルが直線的に移動するスライド移
動手段により実現される。従って、基板の回転動作とノ
ズルの上記経路での連続移動によりエッチング液は確実
に基板全体に噴射される。従って、基板が大型化して
も、表面全体にエッチング液を噴射できるようにノズル
が移動するので、エッチング液が吹き付けられず、ある
いは吹付けが不十分でエッチング速度に大きなばらつき
が生ずるという事態を有効に解消することができる。According to the wet etching apparatus of the first to third aspects, the nozzle for ejecting the etching solution to the metal thin film on the substrate is attached to the nozzle moving mechanism, and the nozzle moving mechanism ejects the nozzle. The substrate is continuously moved along a path passing over the rotation center area of the target substrate and the outer edge portion in the rotated state. This path is realized by, for example, a moving unit in which an arm to which the nozzle is attached reciprocates at a certain angle and a slide moving unit in which the nozzle linearly moves. Therefore, the etching liquid is surely sprayed over the entire substrate by the rotation operation of the substrate and the continuous movement of the nozzle in the above path. Therefore, even if the size of the substrate is increased, the nozzle moves so that the etching liquid can be sprayed over the entire surface, so that the etching liquid is not sprayed or the spraying is insufficient, which causes a large variation in the etching rate. Can be resolved.
【００２４】また、請求項４ないし請求項５に係るウエ
ットエッチング装置によれば、請求項１ないし請求項３
に係る装置の基板全体へのエッチング液の噴射という機
能に加えて、ノズルの移動速度やノズルの吐出圧を調整
する機構を有することにより、回転している基板上の金
属薄膜の表面の単位面積当りのエッチング液噴射量をほ
ぼ均等に調整することができる。これは、基板の回転中
心部領域と外縁部分とでは全体の面積並びに回転状態に
おける移動速度が異なる。すなわち、回転の中心部領域
よりも外縁部分はその移動速度が早く、かつ全体の面積
も広い。従って、外縁部分に対するエッチング液噴射量
を中心部分に対する噴射量よりも多くすることにより、
エッチング液の単位面積当りの噴射量を均等なものに近
付けることができる。これにより、回転している基板全
体にエッチング液を噴射するだけでなくその噴射量を全
面均一に近づけることができ、各部のエッチング速度分
布を極めて精度の高いものとすることができる。According to the wet etching apparatus of any one of claims 4 to 5, claims 1 to 3 are also provided.
In addition to the function of spraying the etching liquid to the entire substrate of the device according to the above, by having a mechanism for adjusting the moving speed of the nozzle and the discharge pressure of the nozzle, the unit area of the surface of the metal thin film on the rotating substrate The amount of the etching solution sprayed per hit can be adjusted substantially evenly. This is because the rotation center region of the substrate and the outer edge portion differ in the entire area and the moving speed in the rotated state. That is, the moving speed of the outer edge portion is faster than that of the central area of rotation, and the entire area is wider. Therefore, by making the amount of the etching solution jetted to the outer edge portion larger than that to the central portion,
It is possible to make the injection amount of the etching liquid per unit area close to a uniform amount. As a result, not only the etching liquid can be jetted onto the entire rotating substrate, but also the jetting amount can be made uniform over the entire surface, and the etching rate distribution of each part can be made extremely accurate.
【００２５】また、請求項６に係るウエットエッチング
装置によれば、請求項１ないし請求項３に係る装置の基
板全体へのエッチング液の噴射という機能に加えて、エ
ッチング液の温度を調整する機構を有することにより、
回転している基板上の金属薄膜の表面の単位面積当りの
エッチング速度をほぼ均等に調整することができる。According to the wet etching apparatus of the sixth aspect, in addition to the function of spraying the etching solution onto the entire substrate of the apparatus of the first to third aspects, a mechanism for adjusting the temperature of the etching solution is provided. By having
The etching rate per unit area of the surface of the metal thin film on the rotating substrate can be adjusted substantially evenly.
【００２６】さらに、請求項７に係るウエットエッチン
グ装置によれば、基板の回転中心部領域上方を通る経路
を移動する中央ノズルと、基板の外縁部寄り上方の経路
のみを移動する外側ノズルとを有することにより、面積
が狭くかつ移動速度の遅い中心部と面積が広くかつ移動
速度の早い外縁部に対するエッチング作用をより均等な
ものに近付けることができる。Further, according to the wet etching apparatus of the seventh aspect, the central nozzle that moves along the path passing over the rotation center region of the substrate and the outer nozzle that moves only the path above the outer edge portion of the substrate. By having it, it is possible to make the etching effect on the central portion having a small area and slow moving speed and the etching action on the outer edge portion having a large area and fast moving speed more close to each other.
【００２７】請求項８ないし請求項１０に係るウエット
エッチング装置によれば、請求項７において、中央ノズ
ルと外側ノズルとのエッチング液噴射状態を異なったも
のにする噴射状態調整手段を設けることにより、基板に
おける前記エッチング作用を更に均等なものに近付ける
ことができる。According to the wet etching apparatus of the eighth to tenth aspects, in the seventh aspect, by providing the spray condition adjusting means for making the spray conditions of the central nozzle and the outer nozzle different from each other, The etching action on the substrate can be made more uniform.
【００２８】上記噴射状態調整手段としては、例えば、
ノズルの吐出圧やノズルの出口径を調整する機構により
外縁部側へのエッチング液噴射圧を高くしたり、エッチ
ング液の温度を調整する機構により外縁部側へのエッチ
ング液の温度を高くすることなどがあり、これによりエ
ッチング速度を高めることができ、基板の中心部領域と
外縁部とのエッチング速度の均等化を図ることが可能と
なる。As the injection state adjusting means, for example,
A mechanism for adjusting the discharge pressure of the nozzle and the outlet diameter of the nozzle to increase the injection pressure of the etching solution to the outer edge side, and a mechanism for adjusting the temperature of the etching solution to increase the temperature of the etching solution to the outer edge side. As a result, the etching rate can be increased, and the etching rate can be made uniform between the central region and the outer edge of the substrate.
【００２９】また、中央ノズルと外側ノズルの少なくと
も一方のノズルの位置を調整可能にすれば、さらに均一
化を図ることができる。Further, if the positions of at least one of the central nozzle and the outer nozzle can be adjusted, further uniformization can be achieved.
【００３０】請求項１２に係るウエットエッチング装置
によれば、基板の回転中心部領域上方を通る経路を移動
する中央ノズルと、中心部領域上方をより外側を移動す
る複数の外側ノズルとを含むることにより、面積が狭く
かつ移動速度の遅い中心部と面積が広くかつ移動速度の
早い外縁部に対するエッチング作用をより均等なものに
近付けることができる。According to the twelfth aspect of the present invention, there is provided a wet etching apparatus including a central nozzle that moves along a path that passes above the rotation center area of the substrate, and a plurality of outer nozzles that move outside the center area above the center area. As a result, the etching action on the central portion having a small area and a low moving speed and the outer edge portion having a large area and a high moving speed can be made closer to being even.
【００３１】請求項１３ないし請求項１５に係るウエッ
トエッチング装置によれば、請求項１２において、中央
ノズル及び複数個の外側ノズルの少なくとも１個からの
エッチング液噴射状態を異なったものにする噴射状態調
整手段を設けることにより、基板における前記エッチン
グ作用を更に均等なものに近付けることができる。According to the wet etching apparatus of the thirteenth to fifteenth aspects, in the twelfth aspect, the jetting state for differentiating the jetting state of the etching liquid from at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles. By providing the adjusting means, the etching action on the substrate can be made more uniform.
【００３２】上記噴射状態調整手段としては、例えば、
ノズルの吐出圧やノズルの出口径を調整する機構により
外縁部側へのエッチング液噴射圧を高くしたり、エッチ
ング液の温度を調整する機構により外縁部側へのエッチ
ング液の温度を高くすることなどがあり、これによりエ
ッチング速度を高めることができ、基板の中心部領域と
外縁部とのエッチング速度の均等化を図ることが可能と
なる。As the above-mentioned injection state adjusting means, for example,
A mechanism for adjusting the discharge pressure of the nozzle and the outlet diameter of the nozzle to increase the injection pressure of the etching solution to the outer edge side, and a mechanism for adjusting the temperature of the etching solution to increase the temperature of the etching solution to the outer edge side. As a result, the etching rate can be increased, and the etching rate can be made uniform between the central region and the outer edge of the substrate.
【００３３】また、中央ノズルと複数個の外側ノズルの
うち、少なくとも１個のノズルの位置を調整可能にすれ
ば、さらに均一化を図ることができる。Further, if the positions of at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles can be adjusted, the uniformity can be further improved.
【００３４】[0034]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例につい
て詳細に説明する。図１は、実施例に係るウエットエッ
チング装置の全体構成を示す説明図である。 被エッチ
ンク物である基板１０は、基板保持部１２上に固定設置
されている。この基板保持部１２にはチャック１４が設
けられ、このチャック１４によって基板が挟持されてい
る。また基板保持部１２は、回転軸１６上に固定設置さ
れており、回転軸１２は図示されていない回転駆動機構
により所定速度で回転動作する。保持された基板１０の
表面上方位置には、ノズル１８が設置されている。この
ノズル１８は、エッチング液を基板１０表面に噴射する
ものであり、ノズル移動機構である回動アーム２０の先
端寄り位置に設置されている。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram showing the overall configuration of the wet etching apparatus according to the embodiment. The substrate 10, which is the object to be etched, is fixedly installed on the substrate holder 12. A chuck 14 is provided on the substrate holding portion 12, and the substrate is held by the chuck 14. The substrate holding unit 12 is fixedly installed on the rotary shaft 16, and the rotary shaft 12 is rotated at a predetermined speed by a rotary drive mechanism (not shown). A nozzle 18 is installed above the surface of the held substrate 10. The nozzle 18 sprays the etching liquid onto the surface of the substrate 10, and is installed at a position near the tip of the rotating arm 20 which is a nozzle moving mechanism.
【００３５】図２（ａ）及び（ｂ）は、この回動アーム
２０の正面図及び側面図をそれぞれ示している。図示の
ように、回動アーム２０にはエッチング液噴射用のノズ
ル１８の他に純水を噴射するリンス供給用ノズル２１が
並設されている。回動アームの回動動作は、アームの軸
部２０ａの部分を図示していない回動駆動機構により所
定角度範囲内で往復回動運動させることにより行われ
る。その動作範囲は、少なくとも基板１０の回転動作中
における中心部領域上方から同じく回転動作中の外縁部
上方をノズルが移動することのできる移動経路となるよ
うに設定される。2 (a) and 2 (b) show a front view and a side view of the rotating arm 20, respectively. As shown in the figure, in addition to the nozzle 18 for spraying the etching solution, the rotary arm 20 is provided with a rinse supply nozzle 21 for spraying pure water. The rotating operation of the rotating arm is performed by reciprocally rotating the shaft portion 20a of the arm within a predetermined angle range by a rotating drive mechanism (not shown). The operation range is set so that the nozzle can move at least above the central region of the substrate 10 during the rotation operation and above the outer edge portion of the substrate 10 during the rotation operation.
【００３６】図３（ａ）及び（ｂ）は、そのような回動
アーム２０の動作を示す説明図である。同図（ａ）は約
９０度の回動動作、同図（ｂ）は約１８０度の回動動作
を行う例が示されている。回転軸１６により、基板１０
が回転動作を行っているので、必しも１８０度の回動動
作を行う必要はなく、またエッチング液の噴射はある程
度広がりをもって行われるので、ノズル１８の噴射口の
中心位置が、基板１０の回転中心点に来るような移動と
する必要もない。すなわち、９０度弱の回動範囲でも足
りる。回動アーム２０には、往復運動を行う際に折返し
動作位置で一定の停止時間が生じるので、これにより中
心部領域Ｘに対するエッチング液の噴射量が増加するこ
ととなるので、図示の２０−１の位置を動作起点とした
場合においては、９０度よりもやや狭い範囲の回動範囲
とするのがむしろ好適である。なお図において、３５は
保持された基板１０並びにノズル１８全体を覆うケーシ
ングであり、３６はその内部に設置された内槽である。FIGS. 3A and 3B are explanatory views showing the operation of such a rotating arm 20. The figure (a) shows the example which rotates about 90 degrees, and the figure (b) shows the example which rotates about 180 degrees. The rotation shaft 16 allows the substrate 10
Since it is rotating, it is not necessary to rotate 180 degrees, and the etching solution is sprayed with a certain spread. It is not necessary to move so as to reach the center of rotation. That is, a rotation range of less than 90 degrees is sufficient. A fixed stop time is generated in the turning arm 20 at the folding operation position when the reciprocating motion is performed, which increases the injection amount of the etching liquid to the central region X, and thus the illustrated 20-1 is shown. When the position is set as the operation starting point, it is rather preferable to set the rotation range to be a narrower range than 90 degrees. In the figure, reference numeral 35 denotes a casing that covers the held substrate 10 and the entire nozzle 18, and 36 denotes an inner tank installed therein.
【００３７】次に、上記ノズル１８を含むエッチング液
噴射機構は、エッチング液２２を内部に貯留したタンク
２４、このタンクのエッチング液を上記ノズル１８へ送
るためのチューブ２６、さらにそのチューブ２６の途中
位置に設置され、チューブ内のエッチング液の圧力を調
整する圧力調整器２８及びエッチング液の昇温温度の調
整を行う熱交換器３０から構成されている。圧力調整器
２８によるチューブ２６内の圧力を調整することによ
り、ノズル１８からの吐出圧力を調整して噴射量を調整
することができる。また、タンク２４には、タンク内を
加圧するためＮ2を供給する加圧Ｎ2 供給装置３２が連
結されている。Next, the etching solution injection mechanism including the nozzle 18 has a tank 24 which stores the etching solution 22 therein, a tube 26 for sending the etching solution in the tank to the nozzle 18, and a middle of the tube 26. The pressure adjuster 28, which is installed at a position and adjusts the pressure of the etching liquid in the tube, and the heat exchanger 30, which adjusts the temperature rise of the etching liquid, are configured. By adjusting the pressure in the tube 26 by the pressure adjuster 28, the discharge pressure from the nozzle 18 can be adjusted to adjust the injection amount. Further, a pressurized N 2 supply device 32 that supplies N 2 to pressurize the inside of the tank 24 is connected to the tank 24.
【００３８】次に、上記構成からなる第１の実施例の動
作について説明する。まず、基板１０を保持部１２にセ
ッティングするが、この基板１０には半導体装置の製造
工程において２００ｎｍ程度の膜圧でスパッタ法などに
より金属膜（Ｔｉ膜）が着膜されている。そして、これ
にフォトリソ法によりフォトレジストパターンが形成さ
れた状態となっている。次に、回転軸１６を回転させる
ことにより基板１０が回転動作される。この回転動作を
しながら、ノズル１８から熱交換器３０によって４５℃
に加熱されたエッチング液を噴射する。この時のエッチ
ング液噴射量は、圧力調整器２８を所望の減圧値に設定
することにより調整されている。Next, the operation of the first embodiment having the above structure will be described. First, the substrate 10 is set on the holding portion 12, and a metal film (Ti film) is deposited on the substrate 10 by a sputtering method or the like at a film pressure of about 200 nm in the manufacturing process of a semiconductor device. Then, a photoresist pattern is formed on this by a photolithography method. Next, the substrate 10 is rotated by rotating the rotating shaft 16. While performing this rotation operation, the nozzle 18 is used to heat the heat exchanger 30 at 45 ° C.
The heated etching solution is sprayed. The amount of the etching solution sprayed at this time is adjusted by setting the pressure adjuster 28 to a desired reduced pressure value.
【００３９】そして、このエッチング液の噴射は、本発
明の特徴的事項である回動アーム２０の回動動作と共に
行われる。回動アーム２０は、例えば約９０度の回動範
囲で基板１０の回転中心部領域から回転状態での外縁部
に渡ってノズル１８が移動するように往復動作でスキャ
ンされる。このときの動作速度は、図示していないアー
ム駆動装置を制御することにより所定速度に調整され
る。The jetting of the etching solution is carried out together with the turning operation of the turning arm 20, which is a feature of the present invention. The rotating arm 20 is reciprocally scanned so that the nozzle 18 moves from the rotation center area of the substrate 10 to the outer edge portion in the rotating state within a rotation range of about 90 degrees, for example. The operation speed at this time is adjusted to a predetermined speed by controlling an arm driving device (not shown).
【００４０】なお、本実施例では、エッチング液として
ＮＨ4ＯＨ、Ｈ2Ｏ2 系のエッチング液が使用されてい
る。そして、このエッチング液噴射によるエッチング終
了後、リンス供給用ノズル２０から基板１０上に純水が
供給され、３０秒間の洗浄が行われる。このリンス動作
中も基板１０は回転動作されている。また、上記噴射さ
れたエッチング液２２及びリンス液（純水）の廃液は、
内槽３６の底部に形成された排出孔３８から排出され
る。次に、基板１０を乾燥させる工程として回転軸１６
を３０００ｒｐｍ程度で回転させる動作が行われる。In this embodiment, an NH 4 OH / H 2 O 2 type etching solution is used as the etching solution. Then, after the completion of the etching by spraying the etching solution, pure water is supplied onto the substrate 10 from the rinse supply nozzle 20 and cleaning is performed for 30 seconds. The substrate 10 is rotated during this rinsing operation. In addition, the waste liquid of the sprayed etching liquid 22 and rinse liquid (pure water) is
It is discharged from a discharge hole 38 formed at the bottom of the inner tank 36. Next, as a step of drying the substrate 10, the rotary shaft 16
Is rotated at about 3000 rpm.
【００４１】上記実施例によれば、エッチング液の噴射
時にノズル１８が基板１０の回転中心部領域からその外
縁部に渡る移動動作を繰り返すので、基板１０が大型の
ものであってもその表面全域にエッチング液を十分に供
給することができる。従って、従来の固定的に設置され
たノズルからのエッチング液噴射により大型基板をエッ
チングする際に生じていたエッチングの不均一という事
態を解消することができる。According to the above-described embodiment, since the nozzle 18 repeats the moving operation from the rotation center region of the substrate 10 to the outer edge portion thereof when the etching liquid is jetted, even if the substrate 10 is large, the entire surface thereof is covered. It is possible to sufficiently supply the etching solution. Therefore, it is possible to solve the problem of non-uniformity of etching that occurs when etching a large-sized substrate by spraying an etching solution from a nozzle that is fixedly installed.
【００４２】更に、圧力調整器２８による設定圧力を回
動アーム２０の動作に対応させてノズル１８が基板１０
の中心部を通過する際に吐出圧力が小さくなるように、
例えば制御部３４により調整可能なように構成すれば、
基板１０の回転中心部領域の部分よりも外縁部の領域へ
のエッチング液噴射量を増加させるようにすることが可
能となる。すなわち、制御部３４及び圧力調整器２８を
エッチング液噴射量調整手段として機能させるものであ
る。Further, the nozzle 18 is connected to the substrate 10 by making the set pressure by the pressure regulator 28 correspond to the operation of the rotating arm 20.
To reduce the discharge pressure when passing through the center of
For example, if it is configured to be adjustable by the control unit 34,
It is possible to increase the amount of the etching solution sprayed to the outer edge region of the substrate 10 as compared to the rotation center region. That is, the control unit 34 and the pressure adjuster 28 are caused to function as the etching liquid injection amount adjusting means.
【００４３】また、回動アーム２０の回動速度を、ノズ
ル１８が基板１０の中心部を近付くにしたがい低速とな
るように調整すれば、基板１０の回転中心部領域の部分
よりも外縁部の領域でのエッチング速度を早くさせ、均
一なエッチングを得ることが可能となる。If the rotating speed of the rotating arm 20 is adjusted so that it becomes slower as the nozzle 18 approaches the central portion of the substrate 10, the rotational edge of the substrate 10 is located closer to the outer edge portion than the central portion of the rotational center portion. It is possible to increase the etching rate in the region and obtain uniform etching.
【００４４】また、熱交換器３０による昇温温度を回動
アーム２０の動作に対応させてノズル１８が基板１０の
中心部を通過する際に低温となるように、制御部３４に
より調整可能なように構成すれば、基板１０の回転中心
部領域の部分よりも外縁部の領域でのエッチング速度を
早くさせ、均一なエッチングを得ることが可能となる。Further, the temperature rise by the heat exchanger 30 can be adjusted by the controller 34 so as to be low when the nozzle 18 passes through the central portion of the substrate 10 in correspondence with the operation of the rotating arm 20. According to this structure, the etching rate in the outer edge region is faster than that in the rotation center region of the substrate 10, and uniform etching can be obtained.
【００４５】次に、図４には第２の実施例が示されてい
る。なお、図１に示した実施例と同様の要素には同一の
符号を付しその説明を省略する。本実施例において特徴
的なことは、回動アーム２０に２つのエッチング液噴射
用のノズル１８−１及び１８−２が設けられていること
である。なお、上記図２で示した場合と同様にノズル１
８−１の横にはリンス供給用ノズル２１が設置されてい
る。２つのノズルの配置は、一方のノズル１８−１が回
動アーム２０の回動動作によって基板１０の中央部領域
上方から基板１０の外縁部に渡って移動動作するような
位置とされ、他方のノズル１８−２は、回動アーム２０
の動作中に基板１０の外縁部領域のみをスキャンするよ
うな位置に設置されている。Next, FIG. 4 shows a second embodiment. The same elements as those in the embodiment shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. A feature of this embodiment is that the rotary arm 20 is provided with two nozzles 18-1 and 18-2 for ejecting the etching liquid. It should be noted that, as in the case shown in FIG.
A rinse supply nozzle 21 is installed beside 8-1. The two nozzles are arranged such that one of the nozzles 18-1 moves by moving the rotating arm 20 from above the central region of the substrate 10 to the outer edge of the substrate 10, and the other nozzle 18-1 moves. The nozzle 18-2 has a rotating arm 20.
It is installed at a position where only the outer edge region of the substrate 10 is scanned during the operation of.
【００４６】このような構成とすることにより、基板１
０表面全体領域へのエッチング液の供給が可能なだけで
なく表面全域へのより均等なエッチング液供給を達成す
ることができる。すなわち、基板１０の回転状態におい
ては、中央部領域よりもその外縁部領域の方が面積的に
広く、また回転動作中における移動速度も早いので、中
央部領域と外縁部領域に同様のエッチング液量を噴射す
ると外縁部領域に対する単位面積当りの供給量が少なく
なる。従って、上記実施例のように外縁部領域には回動
アーム２０が回動することにより双方のノズル１８−
１、１８−２にてエッチング液が供給されることとな
り、エッチング液の不足が生ずる恐れがなく、エッチン
グの均一化を図ることができる。With such a structure, the substrate 1
It is possible not only to supply the etching solution to the entire 0 surface area, but also to achieve a more uniform supply of the etching solution to the entire surface area. That is, in the rotating state of the substrate 10, the outer edge region is larger in area than the central region, and the moving speed during the rotating operation is faster, so that the same etching solution is applied to the central region and the outer edge region. When the amount is injected, the amount supplied per unit area to the outer edge region is reduced. Therefore, as in the above-described embodiment, both the nozzles 18-
Since the etching solution is supplied at Nos. 1 and 18-2, there is no fear that the etching solution will run short, and the etching can be made uniform.
【００４７】第２の実施例においても、第１の実施例と
同様に、圧力調整器２８による設定圧力を回動アーム２
０の動作に対応させてノズル１８が基板１０の中心部を
通過する際に吐出圧力が小さくなるようにしたり、回動
アーム２０の回動速度をノズル１８が基板１０の中心部
を近付くにしたがい低速となるようにしたり、熱交換器
３０による昇温温度を回動アーム２０の動作に対応させ
てノズル１８が基板１０の中心部を通過する際に低温と
なるようする構成を併用することにより、更に均一なエ
ッチング効果を得ることが可能となる。In the second embodiment as well, as in the first embodiment, the set pressure by the pressure regulator 28 is set to the rotary arm 2.
Corresponding to the operation of 0, the discharge pressure is reduced when the nozzle 18 passes through the center of the substrate 10, and the rotation speed of the rotating arm 20 is set so that the nozzle 18 approaches the center of the substrate 10. By using a low speed, or by using a configuration in which the temperature rise by the heat exchanger 30 is made to correspond to the operation of the rotating arm 20 and the nozzle 18 becomes low temperature when passing through the central portion of the substrate 10, Further, it becomes possible to obtain a more uniform etching effect.
【００４８】図５は、第３の実施例を示している。な
お、図１に示した実施例と同様の要素には同一の符号を
付しその説明を省略する。本実施例において特徴的なこ
とは、上記図４の実施例と同様にエッチング液供給用の
ノズルを２個設置したこと、並びに各ノズルについてそ
れぞれ別個のエッチング液噴射機構を構成したことであ
る。すなわち、２つのノズル１８−１、１８−２にはそ
れぞれ別個のチューブ２６−１、２６−２が設けられ、
そのチューブ経路途中位置には、それぞれ別個の熱交換
器３０−１、３０−２並びに圧力調整器２８−１、２８
−２及びタンク２４−１、２４−２が設けられている。
従って、これらの熱交換器３０及び圧力調整器２８は、
それぞれ別個に所望の設定値に設定することができる。
また、各制御部３４を設けることにより、それぞれ別個
に制御するように構成してもよい。FIG. 5 shows a third embodiment. The same elements as those in the embodiment shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. What is characteristic of this embodiment is that two nozzles for supplying an etching liquid are installed as in the embodiment shown in FIG. 4 and that each nozzle has a separate etching liquid ejecting mechanism. That is, the two nozzles 18-1 and 18-2 are provided with separate tubes 26-1 and 26-2,
Separate heat exchangers 30-1 and 30-2 and pressure regulators 28-1 and 28 are provided at intermediate positions in the tube path.
-2 and tanks 24-1 and 24-2 are provided.
Therefore, the heat exchanger 30 and the pressure regulator 28 are
Each can be set to a desired set value separately.
In addition, each control unit 34 may be provided so as to be controlled separately.
【００４９】このような構成としたことにより、２つの
ノズル１８−１、１８−２からのエッチング液の噴射状
態をそれぞれ別個にかつ簡単に調整することが可能とな
る。例えば、ノズル１８−２の噴射するエッチング液噴
射量をノズル１８−１側よりも多くすることにより、基
板１０の外縁部側への供給量をより増加させることがで
き、均一なエッチングの確保に貢献することができる。
或いは、熱交換器３０−１による温度設定を熱交換器３
０−２による温度より高くすることにより前者のエッチ
ング作用（基板外側）を高めることも可能であり、同様
に均一なエッチングの確保に貢献することができる。こ
の実施例によれば、大型の基板１０に対して、より正確
にエッチング液の均等供給を行うことが可能となり、エ
ッチング速度の分布はより均一なものとなる。With such a structure, it becomes possible to easily and separately adjust the spraying state of the etching liquid from the two nozzles 18-1 and 18-2. For example, by increasing the injection amount of the etching liquid ejected from the nozzle 18-2 from that on the nozzle 18-1 side, the supply amount to the outer edge side of the substrate 10 can be further increased, and uniform etching can be ensured. You can contribute.
Alternatively, the temperature setting by the heat exchanger 30-1 is performed by the heat exchanger 3
It is also possible to enhance the former etching action (outside the substrate) by increasing the temperature from 0-2, which can similarly contribute to ensuring uniform etching. According to this embodiment, the etching liquid can be more uniformly supplied to the large-sized substrate 10 more accurately, and the etching rate distribution becomes more uniform.
【００５０】また、第３の実施例においても、第１及び
第２の実施例と同様に、圧力調整器２８による設定圧力
を回動アーム２０の動作に対応させてノズル１８が基板
１０の中心部を通過する際に吐出圧力が小さくなるよう
にしたり、回動アーム２０の回動速度をノズル１８が基
板１０の中心部を近付くにしたがい低速となるようにし
たり、熱交換器３０による昇温温度を回動アーム２０の
動作に対応させてノズル１８が基板１０の中心部を通過
する際に低温となるようする構成を併用することによ
り、更に均一なエッチング効果を得ることが可能とな
る。Also in the third embodiment, as in the first and second embodiments, the nozzle 18 is positioned at the center of the substrate 10 by making the set pressure by the pressure regulator 28 correspond to the operation of the rotating arm 20. The discharge pressure is reduced when passing through the section, the rotation speed of the rotation arm 20 is reduced as the nozzle 18 approaches the central portion of the substrate 10, and the temperature is raised by the heat exchanger 30. A more uniform etching effect can be obtained by additionally using a configuration in which the temperature is made low when the nozzle 18 passes through the central portion of the substrate 10 in correspondence with the temperature of the rotating arm 20.
【００５１】次に、図６は、回動アーム２０に設けられ
た２つのノズル１８−１、１８−２のうちの一方のノズ
ル１８−２をスライドして固定可能な構成とした実施例
が示されている。同図（ａ）及び（ｂ）は、回動アーム
２０に溝部４０を形成し、この溝部４０内にスライド移
動可能な移動部材４２を設け、この移動部材４２にノズ
ル１８−２を取り付けている。この移動部材４２は、任
意の位置で固定することが可能となる。また、同図
（ｃ）には他の移動機構として、回動アーム２０の側面
を移動体４２が摺動移動して固定するように設置し、こ
の移動体４２にノズル１８−２を取り付けたものであ
る。Next, FIG. 6 shows an embodiment in which one of the two nozzles 18-1 and 18-2 provided on the rotating arm 20 can be slid and fixed. It is shown. 19A and 19B, a groove 40 is formed in the rotary arm 20, a movable member 42 that can slide is provided in the groove 40, and the nozzle 18-2 is attached to the movable member 42. . The moving member 42 can be fixed at any position. Further, in FIG. 7C, another moving mechanism is installed such that the moving body 42 slides and fixes the side surface of the rotating arm 20, and the nozzle 18-2 is attached to the moving body 42. It is a thing.
【００５２】このように一方のノズル１８−２を回動ア
ーム２０の伸長方向に沿って任意の位置に固定動可能と
したことにより、ノズル１８−１を基板１０の回転中心
部分に設置し、ノズル１８−２を基板の大きさに対応さ
せてその外縁部の適切な位置に設置することができる。
これによって、種々異なる基板１０の大きさに適切に対
応した２つのノズルの配置を行うことができ、基板全域
へのエッチング液供給がより確実なものとなり、本発明
に係るウエットエッチング装置の半導体基板製造におけ
る汎用性をより向上させることができる。As described above, since the one nozzle 18-2 can be fixedly moved to an arbitrary position along the extension direction of the rotating arm 20, the nozzle 18-1 is installed at the center of rotation of the substrate 10, The nozzle 18-2 can be installed at an appropriate position on the outer edge of the nozzle 18-2 according to the size of the substrate.
As a result, the two nozzles can be arranged appropriately corresponding to different sizes of the substrate 10, and the etching liquid can be more reliably supplied to the entire area of the substrate, and the semiconductor substrate of the wet etching apparatus according to the present invention. The versatility in manufacturing can be further improved.
【００５３】本発明は、上記各実施例の構成の他に種々
の変形が考えられる。例えば、エッチング液を供給する
ためのノズル１８の数は、１または２個に限定する必要
はなく、それ以上の数を設置することも可能であり、数
を増やすことにより更にきめ細かい制御が可能となる。
また、回転基板１０の回転速度や回動アーム２０の回動
動作速度は、基板１０の種類や大きさに応じて種々変更
調整することにより、最適な制御を行なうことができ
る。また、回動アーム２０の回動動作速度を基板１０の
中心に近づくほど高速でスキャンするように構成すれ
ば、基板１０への単位面積当りのエッチング液量の均一
化することができる。また、上記各実施例においては、
回動アーム２０の回動動作により基板１０に対してノズ
ル１８が動くように構成したが、ノズルが直線的に移動
するスライド移動手段等を設けることにより、ノズルが
基板中心部を通過して移動するようにしてもよい。Various modifications of the present invention are conceivable in addition to the configurations of the above-described embodiments. For example, the number of nozzles 18 for supplying the etching liquid does not need to be limited to one or two, and it is possible to install more nozzles, and by increasing the number, finer control is possible. Become.
Further, the rotation speed of the rotating substrate 10 and the rotation operation speed of the rotating arm 20 can be variously adjusted and adjusted according to the type and size of the substrate 10 to perform optimum control. Further, if the rotational movement speed of the rotary arm 20 is configured to scan faster as it approaches the center of the substrate 10, the amount of etching liquid per unit area of the substrate 10 can be made uniform. In each of the above embodiments,
Although the nozzle 18 is configured to move with respect to the substrate 10 by the rotating operation of the rotating arm 20, the nozzle moves by passing through the central portion of the substrate by providing slide moving means or the like for linearly moving the nozzle. You may do it.
【００５４】さらに、基板１０の回転中心部領域とその
外縁部領域に対するエッチング液供給量の均一化のため
のエッチング液噴射状態の調整手段としては、上述した
ように、ノズル１８からの吐出圧力の調整によるエッチ
ング液の量，エッチング液の温度を変化させればよい
が、エッチング液の量を変化させる構成としては、上記
実施例で述べた構造の他に、ノズル径を変化させて噴射
量を調整することも可能である。Further, as described above, the means for adjusting the state of jetting of the etching liquid for equalizing the amount of the etching liquid supplied to the rotation center region of the substrate 10 and the outer peripheral region thereof is, as described above, the discharge pressure of the nozzle 18. The amount of the etching liquid and the temperature of the etching liquid may be changed by adjustment. As a configuration for changing the amount of the etching liquid, in addition to the structure described in the above embodiment, the nozzle diameter is changed to change the injection amount. It is also possible to adjust.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウエ
ットエッチング装置によれば、被エッチング液を噴射す
るノズルをその噴射中に移動させるようにしたことによ
り、保持された基板の回転動作と相まってその基板の大
きさ如何に拘らず表面全領域にエッチング液の供給を確
実に行うことが可能となる。これにより、基板上での部
分的なエッチング残りやエッチングの不均一を解消する
ことができ、半導体基板のパターン形成の信頼性をより
向上させることができる。As described above, according to the wet etching apparatus of the present invention, the nozzle for jetting the liquid to be etched is moved during the jetting, so that the rotating operation of the held substrate can be achieved. Together, it is possible to reliably supply the etching liquid to the entire surface area regardless of the size of the substrate. As a result, partial etching residue on the substrate and uneven etching can be eliminated, and the reliability of pattern formation on the semiconductor substrate can be further improved.
【図１】 ウエットエッチング装置の第１の実施例の全
体構成を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an overall configuration of a first embodiment of a wet etching apparatus.
【図２】 第１の実施例のノズルの設置状態を示す説明
図であり、（ａ）は回動アームの正面図、（ｂ）はその
側面図である。2A and 2B are explanatory views showing an installation state of a nozzle of the first embodiment, FIG. 2A is a front view of a rotating arm, and FIG. 2B is a side view thereof.
【図３】 （ａ）及び（ｂ）は実施例に係る回動アーム
の回動動作説明図である。FIG. 3A and FIG. 3B are explanatory views of the rotating operation of the rotating arm according to the embodiment.
【図４】 ウエットエッチング装置の第２の実施例の全
体構成を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an overall configuration of a second embodiment of a wet etching apparatus.
【図５】 ウエットエッチング装置の第３の実施例の全
体構成を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the overall structure of a third embodiment of a wet etching apparatus.
【図６】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）はノズルの移動機構
の構成例をそれぞれ示している。6A, 6B, and 6C respectively show configuration examples of a nozzle moving mechanism.
１０…基板、 １２…保持部、 １６…回転軸、 １８
…ノズル、 ２２…エッチング液、 ２４…タンク、
２６…チューブ、 ２８…圧力調整器、 ３０…熱交換
器、 ３４…制御部10 ... Substrate, 12 ... Holding part, 16 ... Rotating shaft, 18
… Nozzle, 22… Etching solution, 24… Tank,
26 ... Tube, 28 ... Pressure regulator, 30 ... Heat exchanger, 34 ... Control part
Claims (16)
形成された基板を保持しかつこれを所定速度で回転させ
る回転保持機構と、前記保持された基板の前記金属薄膜
表面に対しエッチング液を吹き付けるエッチング液噴射
機構と、を備えたウエットエッチング装置において、 前記エッチング液噴射機構は、 エッチング液を噴射するノズルと、 該ノズルがその噴射口を前記金属側に向けて取り付けら
れ、かつ該ノズルを前記基板の少なくとも前記回転中心
部領域及び前記回転状態での外縁部の上方を通過する経
路で連続移動させるノズル移動機構と、を有することを
特徴とするウエットエッチング装置。1. A rotation holding mechanism for holding a substrate on which a metal thin film, which is an object to be etched, is formed, and rotating the substrate at a predetermined speed, and an etching solution for the metal thin film surface of the held substrate. In a wet etching apparatus provided with an etching solution spraying mechanism for spraying, the etching solution spraying mechanism is provided with a nozzle for spraying an etching solution, and the nozzle is attached with its spray port facing the metal side. A wet etching apparatus comprising: a nozzle moving mechanism that continuously moves along a path that passes through at least the rotation center area of the substrate and an outer edge portion in the rotation state.
けられたアームが一定の角度往復する移動手段を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のウエットエッチング
装置。2. The wet etching apparatus according to claim 1, wherein the nozzle moving mechanism has a moving means in which an arm to which the nozzle is attached reciprocates at a predetermined angle.
に移動するスライド移動手段を有することを特徴とする
請求項１に記載のウエットエッチング装置。3. The wet etching apparatus according to claim 1, wherein the nozzle moving mechanism includes a slide moving unit that linearly moves the nozzle.
チング液の前記回転する基板への表面の単位面積当りの
噴射量がほぼ均等となるように調整するエッチング液噴
射手段として、エッチング液を噴射するノズルの移動速
度を調整する機構を有することを特徴とする請求項１、
請求項２又は請求項３に記載のウエットエッチング装
置。4. The etching solution ejecting mechanism ejects the etching solution as an etching solution ejecting means for adjusting the amount of the etching solution ejected onto the rotating substrate per unit area of the surface to be substantially equal. 2. A mechanism for adjusting the moving speed of the nozzle is provided.
The wet etching apparatus according to claim 2 or 3.
チング液の前記回転する基板への表面の単位面積当りの
噴射量がほぼ均等となるように調整するエッチング液噴
射手段として、エッチング液を噴射するノズルの吐出圧
を調整する機構を有することを特徴とする請求項１、請
求項２又は請求項３に記載のウエットエッチング装置。5. The etching solution jetting mechanism jets an etching solution as an etching solution jetting means for adjusting the jetting amount of the etching solution onto the rotating substrate per unit area of the surface to be substantially equal. The wet etching apparatus according to claim 1, further comprising a mechanism for adjusting a discharge pressure of the nozzle.
チング液の前記回転する基板への表面のエッチング速度
がほぼ均等となるように調整するエッチング液噴射手段
として、噴射するエッチング液の温度を調整する機構を
有することを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項
３に記載のウエットエッチング装置。6. The etching solution jetting mechanism adjusts the temperature of the jetting etching solution as an etching solution jetting means for adjusting the etching rate of the surface of the etching solution onto the rotating substrate to be substantially equal. The wet etching apparatus according to claim 1, 2 or 3, further comprising a mechanism.
前記基板の回転中心部領域上方を通る経路で移動される
中央ノズルと、該回転中心部領域上方を通らず前記外縁
部寄り領域上方のみを通る経路を移動する外側ノズル
と、を含むことを特徴とする請求項１、請求項２、請求
項３、請求項４、請求項５又は請求項６に記載のウエッ
トエッチング装置。7. The nozzle of the etching solution jetting mechanism comprises:
A central nozzle that is moved along a path that passes above the rotation center area of the substrate; and an outer nozzle that moves on a path that does not pass above the rotation center area and only passes above the outer edge portion near area. The wet etching apparatus according to claim 1, claim 2, claim 3, claim 4, claim 5, or claim 6.
ッチング液噴射状態をそれぞれ異なった状態とする噴射
状態調整手段として、エッチング液を噴射するノズルの
吐出圧を調整する機構を有することを特徴とする請求項
７に記載のウエットエッチング装置。8. A mechanism for adjusting a discharge pressure of a nozzle for spraying an etching liquid is provided as a spraying state adjusting means for making the spraying conditions of the etching liquid from the central nozzle and the outer nozzle different from each other. The wet etching apparatus according to claim 7.
ッチング液噴射状態をそれぞれ異なった状態とする噴射
状態調整手段として、エッチング液を噴射するノズルの
出口径を調整する機構を有することを特徴とする請求項
７に記載のウエットエッチング装置。9. A mechanism for adjusting the outlet diameter of the nozzle for injecting the etching solution is provided as an injection state adjusting means for making the states of the etching solution ejected from the central nozzle and the outer nozzle different from each other. The wet etching apparatus according to claim 7.
ッチング液噴射状態をそれぞれ異なった状態とする噴射
状態調整手段として、噴射するエッチング液の温度を調
整する機構を有することを特徴とする請求項７に記載の
ウエットエッチング装置。10. A mechanism for adjusting the temperature of the etching liquid to be sprayed is provided as a spraying state adjusting means for making the spraying conditions of the etching liquid from the central nozzle and the outside nozzle different from each other. The wet etching apparatus according to 1.
なくとも一方は移動し位置調整が可能であることを特徴
とする請求項７、請求項８、請求項９又は請求項１０に
記載のウエットエッチング装置。11. The wet etching according to claim 7, wherein at least one of the central nozzle and the outer nozzle is movable and position adjustment is possible. apparatus.
前記基板の回転中心部領域上方を通る経路で移動される
中央ノズルと、該回転中心部領域上方をより外側を移動
する複数個の外側ノズルと、を含むことを特徴とする請
求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５又は
請求項６に記載のウエットエッチング装置。12. The nozzle of the etching solution jetting mechanism comprises:
2. A central nozzle that is moved along a path that passes above the rotation center area of the substrate, and a plurality of outer nozzles that move outside the rotation center area above the rotation center area. The wet etching apparatus according to claim 2, claim 3, claim 4, claim 5, or claim 6.
うち、少なくとも１個からのエッチング液噴射状態が異
なった状態とする噴射状態調整手段として、エッチング
液を噴射するノズルの吐出圧を調整する機構を有するこ
とを特徴とする請求項１２に記載のウエットエッチング
装置。13. A discharge pressure of a nozzle for spraying an etching liquid is adjusted as a spraying state adjusting means for setting a state in which the etching liquid is jetted from at least one of the central nozzle and a plurality of outer nozzles. The wet etching apparatus according to claim 12, further comprising a mechanism.
うち、少なくとも１個からのエッチング液噴射状態が異
なった状態とする噴射状態調整手段として、エッチング
液を噴射するノズルの出口径を調整する機構を有するこ
とを特徴とする請求項１２に記載のウエットエッチング
装置。14. An outlet diameter of a nozzle for injecting an etching solution is adjusted as an injection state adjusting means for making the etching solution injecting state different from at least one of the central nozzle and a plurality of outer nozzles. The wet etching apparatus according to claim 12, further comprising a mechanism.
うち、少なくとも１個からのエッチング液噴射状態が異
なった状態とする噴射状態調整手段として、噴射するエ
ッチング液の温度を調整する機構を有することを特徴と
する請求項１２に記載のウエットエッチング装置。15. A mechanism for adjusting the temperature of the etching liquid to be sprayed is provided as a spraying state adjusting means for making the spraying state of the etching liquid different from at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles. The wet etching apparatus according to claim 12, wherein the wet etching apparatus is a wet etching apparatus.
うち、少なくとも１個は移動し位置調整が可能であるこ
とを特徴とする請求項１２、請求項１３、請求項１４又
は請求項１５に記載のウエットエッチング装置。16. The method according to claim 12, wherein at least one of the central nozzle and the plurality of outer nozzles is movable and position adjustment is possible. The wet etching apparatus described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5836094A JPH07245287A (en) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | Wet etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5836094A JPH07245287A (en) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | Wet etching apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245287A true JPH07245287A (en) | 1995-09-19 |
Family
ID=13082161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5836094A Pending JPH07245287A (en) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | Wet etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245287A (en) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0993953A2 (en) | 1998-10-14 | 2000-04-19 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| KR100397390B1 (en) * | 2000-03-08 | 2003-09-13 | 아이엠에스 주식회사 | Wet etching apparatus for semiconductor circuit and manufacturing method for minute tip used in its apparatus |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| US7396483B2 (en) * | 2005-05-19 | 2008-07-08 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Uniform chemical etching method |
| CN103219232A (en) * | 2013-03-15 | 2013-07-24 | 上海华力微电子有限公司 | Wet etching machine table device |
| JP2014022678A (en) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer etching method |
| JP2015092523A (en) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus |
| JP2016157853A (en) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing equipment |
| JP2016157854A (en) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing device |
| JP2016162923A (en) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus |
| CN108962788A (en) * | 2017-05-18 | 2018-12-07 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing equipment |
| US10236192B2 (en) | 2013-11-25 | 2019-03-19 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
| US10332761B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-06-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US10403517B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-09-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR102123898B1 (en) * | 2020-02-25 | 2020-06-17 | 최종이 | Eaching apparatus with improved emission efficiency of eaching liquid |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP5836094A patent/JPH07245287A/en active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| EP0993953A2 (en) | 1998-10-14 | 2000-04-19 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6599757B1 (en) | 1998-10-14 | 2003-07-29 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6730524B2 (en) | 1998-10-14 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6767085B2 (en) | 1998-10-14 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6767086B2 (en) | 1998-10-14 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6880920B2 (en) | 1998-10-14 | 2005-04-19 | Seiko Epson Corporation | Electromechanical transducer with an adhesive layer and an anti-diffusion layer |
| US6955927B2 (en) | 1998-10-14 | 2005-10-18 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head and ink jet printer |
| KR100397390B1 (en) * | 2000-03-08 | 2003-09-13 | 아이엠에스 주식회사 | Wet etching apparatus for semiconductor circuit and manufacturing method for minute tip used in its apparatus |
| US7396483B2 (en) * | 2005-05-19 | 2008-07-08 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Uniform chemical etching method |
| JP2014022678A (en) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer etching method |
| CN103219232A (en) * | 2013-03-15 | 2013-07-24 | 上海华力微电子有限公司 | Wet etching machine table device |
| JP2015092523A (en) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus |
| US10236192B2 (en) | 2013-11-25 | 2019-03-19 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
| US10332761B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-06-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US10403517B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-09-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US11075095B2 (en) | 2015-02-18 | 2021-07-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US11610790B2 (en) | 2015-02-18 | 2023-03-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2016157853A (en) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing equipment |
| JP2016157854A (en) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing device |
| JP2016162923A (en) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus |
| CN108962788A (en) * | 2017-05-18 | 2018-12-07 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing equipment |
| CN108962788B (en) * | 2017-05-18 | 2022-03-01 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing equipment |
| US11670523B2 (en) | 2017-05-18 | 2023-06-06 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR102123898B1 (en) * | 2020-02-25 | 2020-06-17 | 최종이 | Eaching apparatus with improved emission efficiency of eaching liquid |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07245287A (en) | Wet etching apparatus | |
| US4564280A (en) | Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm | |
| JP4005326B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| CN100530534C (en) | Apparatus and method for treating substrate, and injection head used in the apparatus | |
| KR101242989B1 (en) | Film-forming apparatus, film-forming method and semiconductor device | |
| JPH1074691A (en) | Coating film forming method and device | |
| JP2006093497A (en) | Substrate cleaning device | |
| KR100283443B1 (en) | Developing apparatus and developing method | |
| TWI745830B (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
| JPH10106918A (en) | Treatment liquid jetting nozzle and substrate treatment equipment | |
| JP2007021760A (en) | Forming apparatus of thin film | |
| KR20110085388A (en) | Nozzle unit, substrate processing apparatus having same and method | |
| JPH0835078A (en) | Wet etching device | |
| JP3686011B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2004152849A (en) | Liquid processing device and method therefor | |
| US11817330B2 (en) | Method for processing substrate | |
| JP4147721B2 (en) | Cleaning apparatus, etching apparatus, cleaning method, and etching method | |
| JP3996032B2 (en) | Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method for supplying developer to substrate using the same | |
| JP2000109986A (en) | Liquid spraying method and liquid spraying device | |
| JP3800291B2 (en) | Coating method and coating apparatus | |
| JPH09199410A (en) | Method and apparatus for rotary development of substrate | |
| JP3490283B2 (en) | Thick film forming apparatus and thick film forming method | |
| JP4484861B2 (en) | Substrate cleaning device | |
| KR100577911B1 (en) | Developer injection device | |
| KR20070102030A (en) | Substrate cleaning device and cleaning method |