JPH07307278A - Projection exposure device - Google Patents
Projection exposure deviceInfo
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- JPH07307278A JPH07307278A JP6114686A JP11468694A JPH07307278A JP H07307278 A JPH07307278 A JP H07307278A JP 6114686 A JP6114686 A JP 6114686A JP 11468694 A JP11468694 A JP 11468694A JP H07307278 A JPH07307278 A JP H07307278A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】電子デバイスの集積度は年々高ま
り、より高解像度の半導体露光装置が必要とされてい
る。本発明は、半導体デバイスのウエハプロセスにおけ
る露光工程で使用される光投影露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The degree of integration of electronic devices is increasing year by year, and a semiconductor exposure apparatus with higher resolution is required. The present invention relates to an optical projection exposure apparatus used in an exposure process in a semiconductor device wafer process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子デバイスを量産するための露光装置
として、光投影露光装置が広く用いられいる。年々高ま
る解像度の向上のために、変形照明による露光法や位相
シフトマスクを用いた露光法など、様々な手法が開発さ
れている。2. Description of the Related Art An optical projection exposure apparatus is widely used as an exposure apparatus for mass-producing electronic devices. In order to improve the resolution, which is increasing year by year, various methods such as an exposure method using modified illumination and an exposure method using a phase shift mask have been developed.
【０００３】これらの方法に加えて、特開平３−２２７
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを取り出すレチクル２、直線偏光板３、縮小
投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されている。In addition to these methods, JP-A-3-227
Research on high-resolution technology using linearly polarized light as introduced in Japanese Patent No. 512 is under way. This device
For example, as illustrated in FIG. 6, a light source 1 such as a mercury lamp, a reticle 2 for extracting only a specific wavelength of light rays emitted from the light source 1, for example, an i-line, a linear polarizing plate 3, a reduction projection lens 4, and a wafer 5. They are arranged in order.
【０００４】この構成において、いま紙面に垂直な方向
にラインとスペースの長辺が並んでいるレチクル２の場
合、図６（ａ）のように紙面に垂直な方向に電場ベクト
ルが振動しているｓ偏光波と、図６（ｂ）のように、そ
れと垂直な方向に振動しているｐ偏光波の場合を比較す
ると、図７に示すように、ｓ偏光波を用いた場合の方が
コントラストが高く、解像度が高いことが分かってい
る。In this configuration, in the case of the reticle 2 in which the long sides of lines and spaces are lined up in the direction perpendicular to the paper surface, the electric field vector vibrates in the direction perpendicular to the paper surface as shown in FIG. 6 (a). Comparing the s-polarized wave and the p-polarized wave vibrating in a direction perpendicular to the s-polarized wave as shown in FIG. 6B, the s-polarized wave has a higher contrast as shown in FIG. Is known to be high and the resolution is high.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
技術を実現しようとした場合、従来の偏光子たとえばヨ
ウ化物の微小針状結晶をアセチルセルローズの酢酸アミ
ル中に分散させて板状に延ばした商品面ｐｏｌａｌｏｉ
ｄや、ヨウ素微結晶をセルローズ等の鎖状分子の膜に吸
着させた商品名ｄｉｃｈｒｏｍ等は、耐熱性が悪く、非
常に光照射強度の強い投影露光系で使用した場合は、ウ
エハ露光を数回行っただけで劣化してしまう、という問
題があった。本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、耐熱性にすぐれた投影露光装置を実現すること
にある。However, when attempting to realize such a technique, conventional polarizers, for example, fine needle-shaped crystals of iodide were dispersed in amyl acetate of acetyl cellulose and spread into a plate shape. Product side polaroi
d and the product name dichrom, which is made by adsorbing iodine microcrystals on a chain molecule film such as cellulose, has poor heat resistance and, when used in a projection exposure system with extremely high light irradiation intensity, wafer exposure There was a problem that it deteriorated just by going there. The technical problem of the present invention is to realize a projection exposure apparatus having excellent heat resistance, paying attention to such a problem.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１は、直線偏光し
た光で縮小投影露光を行う装置において、前記の直線偏
光を行う装置が、スリット幅Ｄが露光波長よりも小さい
スリット７を一定のピッチＷで配置してなるフィルター
Ｆで構成されてなる投影露光装置である。According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for performing reduction projection exposure with linearly polarized light, wherein the apparatus for linearly polarizing has a slit 7 having a slit width D smaller than an exposure wavelength. The projection exposure apparatus is composed of filters F arranged at a pitch W.
【０００７】請求項２の投影露光装置は、請求項１記載
のフィルターＦが、光を透過する基板８上に堆積された
光を透過しない導電体９に、前記のスリット７を形成し
てなる構成である。A projection exposure apparatus according to a second aspect of the present invention is such that the filter F according to the first aspect has the slit 7 formed in a light-transmitting conductor 9 deposited on a light-transmitting substrate 8. It is a composition.
【０００８】請求項３の投影露光装置は、請求項２記載
のフィルターＦが、基板８に反射防止膜１０が積層さ
れ、この反射防止膜１０に、前記の導電体のストライプ
９ｓが積層されている構成である。A projection exposure apparatus according to a third aspect of the present invention is the filter F according to the second aspect, wherein an antireflection film 10 is laminated on a substrate 8, and the antireflection film 10 is laminated with the stripes 9s of the conductor. It has a structure.
【０００９】請求項４は、請求項２または請求項３記載
のフィルターＦにおける光を透過する基板８が、石英で
ある投影露光装置である。A fourth aspect of the present invention is a projection exposure apparatus in which the substrate 8 that transmits light in the filter F of the second or third aspect is made of quartz.
【００１０】請求項５は、請求項１から請求項４中のい
ずれかの項に記載のフィルターＦにおいて、隣接するス
リット７間における光を透過させないストライプ部分９
ｓが、クロム１層のみ或いはクロムと酸化クロムとの２
層構造になっている投影露光装置である。A fifth aspect of the present invention is, in the filter F according to any one of the first to fourth aspects, a stripe portion 9 which does not transmit light between the adjacent slits 7.
s is only one layer of chromium or 2 of chromium and chromium oxide
The projection exposure apparatus has a layered structure.
【００１１】請求項６は、請求項１から請求項５中のい
ずれかの項に記載のフィルターＦが、フライアイレンズ
６の直後に配置されている投影露光装置である。A sixth aspect of the present invention is a projection exposure apparatus in which the filter F according to any one of the first to fifth aspects is arranged immediately after the fly-eye lens 6.
【００１２】[0012]
【作用】請求項１のように、直線偏光で縮小投影露光を
行う装置において、幅が露光波長よりも小さいスリット
７を一定のピッチＷで配置してなるフィルターＦで直線
偏光を行う構成とすることにより、フィルターの耐熱性
が向上するため、繰り返し長期間にわたって解像度の高
い直線偏光露光を行うことができる。According to the first aspect of the present invention, in the apparatus for performing the reduction projection exposure with the linearly polarized light, the linear polarization is performed with the filter F in which the slits 7 each having a width smaller than the exposure wavelength are arranged at a constant pitch W. As a result, the heat resistance of the filter is improved, so that linearly polarized light exposure with high resolution can be repeatedly performed over a long period of time.
【００１３】請求項２のように、光を透過する基板８上
に、光を透過しない導電体９を堆積し、この導電体９に
前記スリット７を形成することにより、ストライプ９ｓ
とスリット７を交互にかつ高精度に形成できる。According to a second aspect of the present invention, a conductor 9 that does not transmit light is deposited on a substrate 8 that transmits light, and the slit 7 is formed in the conductor 9 to form stripes 9s.
And the slits 7 can be formed alternately and with high precision.
【００１４】請求項３のように、透明基板８に反射防止
膜１０を積層し、その上に前記の導電ストライプ９ｓを
積層形成した構成とすることにより、スリット７を光が
透過する際の反射が抑制され、パワー損失を低減でき
る。According to a third aspect of the present invention, the antireflection film 10 is laminated on the transparent substrate 8 and the conductive stripes 9s are laminated on the antireflection film 10 so that the light reflected by the slit 7 is reflected. Is suppressed and power loss can be reduced.
【００１５】請求項４のように、フィルターＦにおける
光を透過する基板８として、光の透過性にすぐれた石英
を用いることにより、光のパワー損失をより低減でき
る。As described in claim 4, by using quartz, which is excellent in light transmittance, as the substrate 8 which transmits light in the filter F, the power loss of light can be further reduced.
【００１６】請求項５のように、光を透過させないスト
ライプ部分９ｓをクロム薄膜で構成しても良いが、クロ
ム薄膜の上に低反射膜となる酸化クロム膜を積層した構
造にすると、迷光を防止することで、光のパワー損失を
さらに低減できる。Although the stripe portion 9s which does not transmit light may be formed of a chromium thin film as in claim 5, stray light is generated when the chromium oxide film serving as a low reflection film is laminated on the chromium thin film. By preventing it, the power loss of light can be further reduced.
【００１７】請求項６のように、本発明のフィルターＦ
を、フライアイレンズ６の直後に配置することで、高解
像度の投影露光が可能となる。According to a sixth aspect, the filter F of the present invention is
Is arranged immediately after the fly-eye lens 6 to enable high-resolution projection exposure.
【００１８】[0018]
【実施例】次に本発明による投影露光装置が実際上どの
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを取り出すレチクル２、縮小投
影レンズ４およびウエハ５の順に配置されている。EXAMPLES Next, examples of practical implementation of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a front view illustrating the whole of a projection exposure apparatus according to the present invention,
A light source 1 such as a mercury lamp, a fly-eye lens 6, a filter F according to the present invention, a reticle 2 for extracting only a specific wavelength of light rays emitted from the light source 1, for example, i-line, a reduction projection lens 4, and a wafer 5 are arranged in this order. There is.
【００１９】図２は本発明による投影露光装置に用いら
れるフィルターの実施例を示す正面図と底面図である。
８は透明基板、９ｓはストライプ状の導電体（金属）、
７は各導電体９ｓ間のスリットである。FIG. 2 is a front view and a bottom view showing an embodiment of a filter used in the projection exposure apparatus according to the present invention.
8 is a transparent substrate, 9s is a striped conductor (metal),
7 is a slit between each conductor 9s.
【００２０】このフィルターＦは、露光用のレチクルを
作製する技術によって実現できる。すなわち、図３
（１）に例示するように、露光光を透過する基板８に、
導電体９を堆積して膜を形成し、（２）のように導電体
膜９の上にレジスト１１を塗布する。The filter F can be realized by a technique for producing a reticle for exposure. That is, FIG.
As illustrated in (1), the substrate 8 that transmits the exposure light,
A conductor 9 is deposited to form a film, and a resist 11 is applied on the conductor film 9 as in (2).
【００２１】そして、露光波長よりも短いストライプ９
ｓとスリット７が描画できる装置を用いてパターンを描
画し、ドライエッチングすることにより、一定ピッチの
スリット７が形成される。このようにして作製されたフ
ィルターＦは、図１に例示するように、レチクル２と光
源１との間の光路に挿入される。The stripe 9 shorter than the exposure wavelength
s and slits 7 can be drawn by using a device, and dry etching is performed to form slits 7 having a constant pitch. The filter F manufactured in this way is inserted in the optical path between the reticle 2 and the light source 1, as illustrated in FIG.
【００２２】このフィルターＦは、従来の樹脂製の偏光
子と違って耐熱性が高いため、非常にパワー強度の強い
露光光が長時間にわたって照射されても、損傷劣化を受
けることはない。しかも、フィルターＦによって、直線
偏光特に解像度の高いｓ偏光が得られるので、コントラ
ストが高くなり、高品質のデバイスが得られる。Since the filter F has high heat resistance unlike a conventional resin polarizer, it is not damaged or deteriorated even when exposed to exposure light having a very high power intensity for a long time. Moreover, since the filter F can obtain linearly polarized light, especially s-polarized light with high resolution, the contrast is increased and a high quality device can be obtained.
【００２３】次に本発明の具体的な実施例を説明する。 〔第１実施例〕図３の製造方法において、レチクル基板
の場合と同様に、ガラス基板８とクロム薄膜からなる導
電体９を形成し、電子線描画装置によりｉ線の波長より
も短いスリット幅Ｄをもつストライプを描画し、ドライ
エッチングを行うことで、クロムからなるストライプ９
ｓが形成され、間にスリット７を形成される。このフィ
ルターＦを、図１におけるフライアイレンズ６の後に挿
入すると、レチクル２に入射する光はｓ偏光となり、高
い解像度が得られる。Next, specific examples of the present invention will be described. [First Embodiment] In the manufacturing method of FIG. 3, as in the case of the reticle substrate, the glass substrate 8 and the conductor 9 made of a chromium thin film are formed, and the slit width shorter than the wavelength of the i-line is measured by an electron beam drawing apparatus. By drawing a stripe with D and performing dry etching, the stripe 9 made of chrome 9
s is formed, and the slit 7 is formed therebetween. When this filter F is inserted after the fly-eye lens 6 in FIG. 1, the light incident on the reticle 2 becomes s-polarized light and high resolution is obtained.
【００２４】なお、クロム薄膜からなる導電体ストライ
プ９ｓの上に、低反射膜となる酸化クロム膜を積層して
２層構造にすると、迷光を低減でき、反射防止がより確
実となる。If a chromium oxide film, which is a low reflection film, is laminated on the conductor stripe 9s made of a chromium thin film to form a two-layer structure, stray light can be reduced and reflection can be prevented more reliably.
【００２５】〔第２実施例〕図４（１）に例示するよう
に、透明のガラス基板８上に、反射防止膜１０として例
えば酸化シリコンやアモルファスカーボンなどを積層
し、その上にクロムなどの導電体膜９を積層する。そし
て、図４（２）のように、さらにレジスト１１を積層
し、かつ電子線描画による露光と現像を行うことで、図
４（３）のようにストライプ９ｓとスリット７を形成す
る。[Second Embodiment] As illustrated in FIG. 4A, a transparent glass substrate 8 is laminated with, for example, silicon oxide or amorphous carbon as an antireflection film 10, and chromium or the like is deposited thereon. The conductor film 9 is laminated. Then, as shown in FIG. 4B, a resist 11 is further laminated, and exposure and development by electron beam drawing are performed to form stripes 9s and slits 7 as shown in FIG. 4C.
【００２６】ガラスは光をよく透過させる物質である
が、それでも数％の吸収があるため、反射防止膜１０を
形成することで、吸収によるパワーの損失を防止でき
る。ここで、基板８として、ガラスに代えて石英を用い
ると、光のパワー損失をガラスよりも更に抑制すること
ができる。Although glass is a substance that transmits light well, it still absorbs a few percent, so by forming the antireflection film 10, it is possible to prevent power loss due to absorption. Here, if quartz is used as the substrate 8 instead of glass, the power loss of light can be further suppressed as compared with glass.
【００２７】以上の実施例では、露光装置として、現在
広く使用されているｉ線ステッパー（露光波長λ＝０．
３６５μｍ）を例示したが、ｉ線ばかりでなく、今後主
流になると思われるエキシマステッパーに対しても全く
同じ効果が得られる。また、フィルターＦとして直線偏
光子を用いたが、さらに１枚のフィルターの上に複数の
領域を設け、各領域が異なる方向の直線偏光をもつよう
にすることも可能である。In the above embodiment, the i-line stepper (exposure wavelength λ = 0.
Although 365 μm) is illustrated, the same effect can be obtained not only for i-line but also for excimer stepper which is expected to become the mainstream in the future. Further, although the linear polarizer is used as the filter F, it is also possible to further provide a plurality of regions on one filter so that each region has linearly polarized light in different directions.
【００２８】なお、フィルターＦのスリット７の方向と
ウエハ５上に形成されるパターン（またはレチクル２の
パターン）との関係は、より多くの製品パターンが、高
解像度でパターニングされるような向きを選択すること
は言うまでもない。The relationship between the direction of the slit 7 of the filter F and the pattern formed on the wafer 5 (or the pattern of the reticle 2) is such that more product patterns can be patterned with high resolution. It goes without saying that you choose.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように、本発明によると、従来の
偏光子のように耐熱性が悪く投影露光装置に搭載できな
かったフィルターを、十分な耐熱性をもったものにでき
るので、たとえば直線偏光による露光のような解像度の
限界に近い露光装置の実用化が可能となる。As described above, according to the present invention, a filter having a sufficient heat resistance, such as a conventional polarizer, which has a poor heat resistance and cannot be mounted on a projection exposure apparatus, can be used. It becomes possible to put an exposure apparatus into practical use close to the limit of resolution, such as exposure using linearly polarized light.
【図１】本発明投影露光装置の実施例を示す側面図であ
る。FIG. 1 is a side view showing an embodiment of a projection exposure apparatus of the present invention.
【図２】フィルターの正面図と底面図である。FIG. 2 is a front view and a bottom view of a filter.
【図３】図２のフィルターの製造方法を例示する断面図
である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the filter shown in FIG.
【図４】反射防止膜を有するフィルターの製造方法を例
示する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a filter having an antireflection film.
【図５】従来の投影露光装置を例示する正面図である。FIG. 5 is a front view illustrating a conventional projection exposure apparatus.
【図６】従来の直線偏光による露光作用を説明する正面
図である。FIG. 6 is a front view illustrating an exposure action by conventional linearly polarized light.
【図７】ｓ偏光とｐ偏光との解像度を比較する特性図で
ある。FIG. 7 is a characteristic diagram comparing resolutions of s-polarized light and p-polarized light.
１ 光源 ２ レチクル ３ 従来の直線偏光板 ４ 縮小投影レンズ ５ ウエハ ６ フライアイレンズ ７ スリット Ｄ スリット幅 Ｗ スリットのピッチ Ｆ 本発明のフィルター ８ 透明な基板 ９ 導電体 ９ｓ 導電体からなるストライプ １０ 反射防止膜 1 Light Source 2 Reticle 3 Conventional Linear Polarizing Plate 4 Reduction Projection Lens 5 Wafer 6 Fly Eye Lens 7 Slit D Slit Width W Slit Pitch F Filter of the Invention 8 Transparent Substrate 9 Conductor 9s Stripe Consisting of Conductor 10 Antireflection film
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年５月１６日[Submission date] May 16, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００３[Name of item to be corrected] 0003
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００３】これらの方法に加えて、特開平３−２２７
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、直線偏光板
３、縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されて
いる。In addition to these methods, JP-A-3-227
Research on high-resolution technology using linearly polarized light as introduced in Japanese Patent No. 512 is under way. This device
For example, as illustrated in FIG. 6, a light source 1 such as a mercury lamp, a reticle 2 having an exposure wavelength of only a specific wavelength of light rays emitted from the light source 1, for example, a linear polarizing plate 3, a reduction projection lens 4, and The wafers 5 are arranged in this order.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１８[Correction target item name] 0018
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１８】[0018]
【実施例】次に本発明による投影露光装置が実際上どの
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、
縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されてい
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
EXAMPLES Next, examples of practical implementation of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a front view illustrating the whole of a projection exposure apparatus according to the present invention,
A light source 1 such as a mercury lamp, a fly-eye lens 6, a filter F according to the present invention, a reticle 2 having an exposure wavelength of only a specific wavelength of light rays emitted from the light source 1, for example, i-line,
The reduction projection lens 4 and the wafer 5 are arranged in this order. ─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年５月２９日[Submission date] May 29, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００３[Name of item to be corrected] 0003
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００３】これらの方法に加えて、特開平３−２２７
５１２号公報で紹介されているような直線偏光を利用し
た高解像度技術の研究が進められている。この装置は、
たとえば図６に例示するように、水銀ランプなどの光源
１、この光源１から発した光線のうち特定の波長たとえ
ばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、直線偏光板
３、縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されて
いる。In addition to these methods, JP-A-3-227
Research on high-resolution technology using linearly polarized light as introduced in Japanese Patent No. 512 is under way. This device
For example, as illustrated in FIG. 6, a light source 1 such as a mercury lamp, a reticle 2 having an exposure wavelength of only a specific wavelength of light rays emitted from the light source 1, for example, a linear polarizing plate 3, a reduction projection lens 4, and The wafers 5 are arranged in this order.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１８[Correction target item name] 0018
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１８】[0018]
【実施例】次に本発明による投影露光装置が実際上どの
ように具体化されるかを実施例で説明する。図１は本発
明による投影露光装置の全容を例示する正面図であり、
水銀ランプなどの光源１、フライアイレンズ６、本発明
によるフィルターＦ、光源１から発した光線のうち特定
の波長たとえばｉ線のみを露光波長とするレチクル２、
縮小投影レンズ４およびウエハ５の順に配置されてい
る。EXAMPLES Next, examples of practical implementation of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a front view illustrating the whole of a projection exposure apparatus according to the present invention,
A light source 1 such as a mercury lamp, a fly-eye lens 6, a filter F according to the present invention, a reticle 2 having an exposure wavelength of only a specific wavelength of light rays emitted from the light source 1, for example, i-line,
The reduction projection lens 4 and the wafer 5 are arranged in this order.
Claims (6)
置において、 前記の直線偏光を行う装置が、スリット幅Ｄが露光波長
よりも小さいスリット７を一定のピッチＷで配置してな
るフィルターＦで構成されていることを特徴とする投影
露光装置。1. An apparatus for performing reduced projection exposure with linearly polarized light, wherein the apparatus for linearly polarized light has a filter F in which slits 7 each having a slit width D smaller than an exposure wavelength are arranged at a constant pitch W. A projection exposure apparatus comprising:
板８上に堆積された光を透過しない導電体９に、前記の
スリット７を形成してなるものであることを特徴とする
請求項１記載の投影露光装置。2. The filter F is characterized in that the slit 7 is formed in a light-transmitting conductor 9 deposited on a light-transmitting substrate 8. 1. The projection exposure apparatus according to 1.
止膜１０が積層され、この反射防止膜１０に、前記の導
電体９ｓが積層されている構成であることを特徴とする
請求項２に記載の投影露光装置。3. The filter F is characterized in that an antireflection film 10 is laminated on a substrate 8, and the conductor 9s is laminated on the antireflection film 10. The projection exposure apparatus according to.
る基板８が、石英であることを特徴とする請求項２また
は請求項３に記載の投影露光装置。4. The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein the substrate 8 that transmits light in the filter F is made of quartz.
スリット７間における光を透過させないストライプ部分
９ｓが、クロム１層のみ或いはクロムと酸化クロムとの
２層構造になっていることを特徴とする請求項１から請
求項４中のいずれかの項に記載の投影露光装置。5. In the filter F, the stripe portion 9s which does not transmit light between the adjacent slits 7 has only one layer of chromium or a two-layer structure of chromium and chromium oxide. The projection exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4.
ズ６の直後に配置されていることを特徴とする請求項１
から請求項５中のいずれかの項に記載の投影露光装置。6. The filter F is arranged immediately after the fly-eye lens 6.
To the projection exposure apparatus according to claim 5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114686A JPH07307278A (en) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | Projection exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114686A JPH07307278A (en) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | Projection exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307278A true JPH07307278A (en) | 1995-11-21 |
Family
ID=14644107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6114686A Pending JPH07307278A (en) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | Projection exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307278A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014160274A (en) * | 2014-04-21 | 2014-09-04 | Nikon Corp | Projection optical system, exposure device, exposure method, and method of manufacturing the device |
| US9081295B2 (en) | 2003-05-06 | 2015-07-14 | Nikon Corporation | Catadioptric projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9500943B2 (en) | 2003-05-06 | 2016-11-22 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
-
1994
- 1994-04-30 JP JP6114686A patent/JPH07307278A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9081295B2 (en) | 2003-05-06 | 2015-07-14 | Nikon Corporation | Catadioptric projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9086635B2 (en) | 2003-05-06 | 2015-07-21 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9500943B2 (en) | 2003-05-06 | 2016-11-22 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9606443B2 (en) | 2003-05-06 | 2017-03-28 | Nikon Corporation | Reducing immersion projection optical system |
| US9846366B2 (en) | 2003-05-06 | 2017-12-19 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9933705B2 (en) | 2003-05-06 | 2018-04-03 | Nikon Corporation | Reduction projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10156792B2 (en) | 2003-05-06 | 2018-12-18 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2014160274A (en) * | 2014-04-21 | 2014-09-04 | Nikon Corp | Projection optical system, exposure device, exposure method, and method of manufacturing the device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030930 |