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JPH07320534A - Thick film conductor, its forming method and method of using this conductor - Google Patents

Thick film conductor, its forming method and method of using this conductor

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Publication number
JPH07320534A
JPH07320534A JP13647494A JP13647494A JPH07320534A JP H07320534 A JPH07320534 A JP H07320534A JP 13647494 A JP13647494 A JP 13647494A JP 13647494 A JP13647494 A JP 13647494A JP H07320534 A JPH07320534 A JP H07320534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thick film
conductor
migration
silver
alloy
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP13647494A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
宏美 ▼おおて▲木
Hiromi Ootegi
Toshiyuki Nagase
敏之 長瀬
Yoshio Kanda
義雄 神田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP13647494A priority Critical patent/JPH07320534A/en
Publication of JPH07320534A publication Critical patent/JPH07320534A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide an Ag thick film, improving a characteristic in the Ag rich thick film, migration and resistance against solder biting, and to provide a method of manufacturing this Ag thick film. CONSTITUTION:An Ag rich thick film 12 is printed to be formed in a ceramics substrate 11, to print a Pd film to coat a part required for migration resistance on this film 12. When burned at 500 deg.C, by alloying a boundary layer between Ag and Pd, a thick film conductor is formed on the substrate. That is, after the Ag thick film is formed, by coating a surface with Pd alloied, a structure, having fine Ag to large contain Pd limited to the surface, is obtained. By this structure, low resistance and fine structure by Ag and preventing Ag migration by Pd can be attained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッドIC等
で、セラミックス基板上に形成する厚膜導体の構造、例
えば銀−パラジウム(Ag−Pd)合金層を持つ導体厚
膜の構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a thick film conductor formed on a ceramic substrate in a hybrid IC or the like, for example, a structure of a conductor thick film having a silver-palladium (Ag-Pd) alloy layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】Ag厚膜は、Agのマイグレーションが
起こったり、耐はんだくわれ性が悪い。このため、主成
分であるAg粉末の他にPd粉末を混合してペースト化
し、基板に印刷、焼成して、厚膜を作製している。とこ
ろが、このAg−Pd合金厚膜は耐はんだくわれ性がよ
り悪い。これは、Pdを多く入れると焼結性が悪くな
り、その結果、ポーラスな組織構造となり、一般に用い
られるはんだ(Pb−Sn合金)の侵入が容易となるか
らである。
2. Description of the Related Art Ag thick films have poor Ag migration and solder resistance. Therefore, Pd powder is mixed with the main component Ag powder to form a paste, which is printed on a substrate and baked to form a thick film. However, this Ag-Pd alloy thick film has poorer solder puncture resistance. This is because if a large amount of Pd is added, the sinterability deteriorates, and as a result, a porous structure is formed, and the commonly used solder (Pb-Sn alloy) can easily penetrate.

【0003】Ag−Pd合金を含む厚膜では、Ag粉末
とPd粉末とに、ガラス成分を混合して、さらにビヒク
ルを混ぜ、ペーストを作製する。Ag系の導体ペースト
は、耐マイグレーション性を得るため、これにPdを配
合している。Pdは重量で約20〜30%添加すると、
耐マイグレーション効果を得ることができる。したがっ
て、このAg−Pd導体ペーストをセラミックス基板上
に印刷して乾燥焼成する結果、Ag−Pd合金の導体配
線が形成されることとなる。このAg−Pd合金がAg
のマイグレーションを抑止している。
For a thick film containing an Ag-Pd alloy, a glass component is mixed with Ag powder and Pd powder, and a vehicle is further mixed to prepare a paste. The Ag-based conductor paste contains Pd in order to obtain migration resistance. When Pd is added by about 20 to 30% by weight,
A migration resistance effect can be obtained. Therefore, as a result of printing this Ag-Pd conductor paste on a ceramic substrate and drying and firing, a conductor wiring of an Ag-Pd alloy is formed. This Ag-Pd alloy is Ag
The migration of is suppressed.

【0004】ところが、Ag−Pd導体ペースト中にP
dを入れる量を多くすると、導体中のAg−Pd合金量
は増えるが、Pdを入れた分だけ導体全体としての抵抗
値が下がり、導体としての特性が悪くなる。近年、厚膜
回路においては、高周波対応化やファインライン化の親
展にともない、導体の低抵抗化が望まれている。よっ
て、Ag−Pd導体にあってもPdの含有量を最小限に
とどめる必要がある。
However, P is contained in the Ag-Pd conductor paste.
When the amount of d added is increased, the amount of Ag-Pd alloy in the conductor increases, but the resistance value of the entire conductor decreases by the amount of Pd added, and the characteristics of the conductor deteriorate. In recent years, in thick-film circuits, there has been a demand for lower resistance of conductors in response to the trend toward higher frequencies and fine lines. Therefore, it is necessary to minimize the Pd content even in the Ag-Pd conductor.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
Ag−Pd厚膜導体は、基板上にペーストを単に印刷、
焼成した構造に過ぎなかったため、耐マイグレーション
性を高めながら、耐はんだくわれ性を高め、かつ、抵抗
値を低くするということについては限界があった。例え
ば耐マイグレーション性を高めると、はんだくわれが進
行しやすいポーラスな構造となり、抵抗値が高くなる。
逆に、はんだくわれを押えるために緻密な構造とし、低
抵抗値化を得ようとすると、マイグレーションが進行し
てしまう。
As described above, in the conventional Ag-Pd thick film conductor, the paste is simply printed on the substrate,
Since it was only a fired structure, there was a limit to increase solder resistance and solder resistance while reducing migration resistance. For example, when the migration resistance is increased, a porous structure in which solder shaving easily progresses and a resistance value increases.
On the contrary, if a dense structure is used to suppress solder shavings and a low resistance value is to be obtained, migration will proceed.

【0006】[0006]

【課題解決のための知見】そこで、本願の発明者は、A
gマイグレーションは、Ag−Pd導体中でも表面部の
Agがイオン化してAg+となり導体から外部に溶出し
て進行することに着目した。そして、Agのイオン化を
防止するには表面部にのみPd量を増やせばよいことを
知見した。
Therefore, the inventor of the present application
It was noted that in the Ag-Pd conductor, g migration is ionized by Ag in the surface portion to become Ag + and elutes from the conductor to the outside to proceed. Then, it was found that the Pd amount should be increased only on the surface portion to prevent Ag ionization.

【0007】[0007]

【発明の目的】そこで、本発明は、耐マイグレーション
性を高めるとともに、耐はんだくわれ性を高め、かつ、
低抵抗値化を達成した厚膜導体を得ることおよびその形
成方法、使用方法を得ることを、その目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention improves the migration resistance and the solder puncture resistance, and
Its purpose is to obtain a thick film conductor having a low resistance value and a method of forming and using the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、絶縁基板に被着される銀を主成分とする導体層と、
この導体層を被覆する、銀と耐マイグレーション性金属
との合金からなる被覆層とを有する厚膜導体である。耐
マイグレーション金属としては、例えばパラジウム、白
金、ニッケル等を用いることができる。なお、絶縁基板
としてはセラミックス基板、例えばAlN基板、Al2
O3基板等を用いる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a conductive layer containing silver as a main component, which is deposited on an insulating substrate.
A thick film conductor having a coating layer made of an alloy of silver and a migration resistant metal for coating the conductor layer. As the migration resistant metal, for example, palladium, platinum, nickel or the like can be used. The insulating substrate is a ceramic substrate such as an AlN substrate or Al2.
An O3 substrate or the like is used.

【0009】請求項2に記載の発明は、上記合金は銀−
パラジウム合金である請求項1に記載の厚膜導体であ
る。この合金中のパラジウムは例えば20〜30重量%
の割合で添加すると好適である。
According to a second aspect of the invention, the alloy is silver-
The thick film conductor according to claim 1, which is a palladium alloy. Palladium in this alloy is, for example, 20 to 30% by weight.
It is suitable to add it at a ratio of.

【0010】請求項3に記載の発明は、絶縁基板上に銀
を主成分とする導体層を被着し、この導体層を耐マイグ
レーション性金属層で被覆し、焼成し、銀と耐マイグレ
ーション性金属との合金層を形成した厚膜導体の形成方
法である。
According to a third aspect of the present invention, a conductor layer containing silver as a main component is deposited on an insulating substrate, and the conductor layer is covered with a migration resistant metal layer and baked to obtain silver and migration resistance. It is a method of forming a thick film conductor in which an alloy layer with a metal is formed.

【0011】請求項4に記載した発明は、絶縁基板上に
銀ペーストを印刷し、この銀ペーストを耐マイグレーシ
ョン性金属ペーストで印刷して被覆した請求項3に記載
の厚膜導体の形成方法である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of forming a thick film conductor according to the third aspect, in which a silver paste is printed on an insulating substrate and the silver paste is printed with a migration resistant metal paste to cover the silver paste. is there.

【0012】請求項5に記載の発明は、絶縁基板上に配
設された回路配線にあって、この配線同士が接近した部
分に上記請求項1または請求項2に記載の厚膜導体を使
用する厚膜導体の使用方法である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a circuit wiring arranged on an insulating substrate, wherein the thick film conductor according to the first or second aspect is used in a portion where the wirings are close to each other. It is a method of using a thick film conductor.

【0013】[0013]

【作用】請求項1に記載の発明では、銀を主成分とする
導体層により抵抗値が低く、導体としての機能を損なう
ことはない。また、この導体層を合金で被覆しているた
め、銀のマイグレーションを抑止することができる。と
ともに、厚膜導体としてはんだくわれ性を損なうことは
ない。
According to the first aspect of the invention, the conductor layer containing silver as a main component has a low resistance value and does not impair the function as a conductor. Further, since the conductor layer is coated with an alloy, silver migration can be suppressed. At the same time, solderability is not impaired as a thick film conductor.

【0014】請求項2に記載の発明では、銀−パラジウ
ム合金で銀を主成分とする導体層を被覆している結果、
耐Agマイグレーション性に優れ、かつ、低抵抗値の、
耐はんだくわれ性に優れた厚膜導体を得ることができ
る。パラジウムによりAgによるマイグレーションを抑
止するものである。
In the invention described in claim 2, as a result of coating the conductor layer containing silver as a main component with the silver-palladium alloy,
It has excellent Ag migration resistance and low resistance.
It is possible to obtain a thick film conductor having excellent solder resistance. The palladium prevents migration due to Ag.

【0015】請求項3に記載の発明では、焼成により、
銀を主成分とする導体層を銀と耐マイグレーション性金
属との合金層で被覆することとなる。この結果、導体層
で低抵抗値化、耐はんだくわれ性に優れた特性を持たせ
るとともに、合金被覆層で耐マイグレーション効果を発
揮することとなる。
In the invention described in claim 3, by firing,
The conductor layer containing silver as a main component is covered with an alloy layer of silver and a migration resistant metal. As a result, the conductor layer has a low resistance value and excellent solder nicking resistance, and the alloy coating layer exhibits a migration resistance effect.

【0016】請求項4に記載した発明では、絶縁基板上
に銀ペースト、および、耐マイグレーション性金属ペー
ストを順番に印刷して厚膜導体を形成する。よって他の
スパッタ工程、蒸着工程で金属ペーストを被覆する場合
に比較して、その工程をより簡略化することができる。
また、銀ペーストはその組織が緻密なもので、耐はんだ
くわれ性を損なうことはない。
In a fourth aspect of the invention, a thick film conductor is formed by sequentially printing a silver paste and a migration resistant metal paste on an insulating substrate. Therefore, as compared with the case where the metal paste is coated in another sputtering process or vapor deposition process, the process can be further simplified.
Further, the silver paste has a dense structure and does not impair the solder resistance.

【0017】請求項6に記載の発明では、絶縁基板上に
配設された回路配線のマイグレーションが生じ易い部分
にこの導体厚膜を使用すると耐マイグレーション効果を
十分に発揮することができる。配線同士が接近した部分
にのみパラジウムの有機金属ペーストをスクリーン印刷
するだけでよく、全体として安価で耐マイグレーション
性に優れた回路配線構造を得ることができる。
According to the sixth aspect of the invention, when the conductor thick film is used in the portion of the circuit wiring arranged on the insulating substrate where migration easily occurs, the migration resistance effect can be sufficiently exhibited. It is only necessary to screen-print the organometallic paste of palladium only on the portions where the wirings are close to each other, and it is possible to obtain a circuit wiring structure that is inexpensive and has excellent migration resistance as a whole.

【0018】[0018]

【実施例】以下に本発明に係るAg系厚膜導体の実施例
を説明する。図1は第1の実施例に係る厚膜導体構造を
示している。この図に示すように、11はセラミックス
基板、例えばAl2O3基板であって、この基板11上に
厚さ10μmのAg厚膜12が被着されており、さら
に、このAg厚膜12をAg−Pd合金化厚膜13が被
覆している。Ag−Pd合金化厚膜の厚さは1〜2μm
である。
EXAMPLES Examples of the Ag-based thick film conductor according to the present invention will be described below. FIG. 1 shows a thick film conductor structure according to the first embodiment. As shown in this figure, 11 is a ceramics substrate, for example, an Al2O3 substrate, on which an Ag thick film 12 having a thickness of 10 .mu.m is deposited, and further, this Ag thick film 12 is formed by Ag-Pd. The alloyed thick film 13 covers it. The thickness of the Ag-Pd alloyed thick film is 1-2 μm.
Is.

【0019】この厚膜導体の製造方法について詳しく説
明する。まず、Agペーストを作製する。Agペースト
は、粒径0.5〜5μmのAg粉末を、ビヒクルとして
のテレピネオールに10%エチルセルロースを加えたも
のに、混合して作製した。作製したAgペーストを表1
に示す。このAg粉末に代えてAg−Pt合金粉末を用
いてもよい。また、パラジウムペーストについても同様
にPd粉末を有機溶剤、有機ビヒクルに混合して作製す
る。
The method of manufacturing the thick film conductor will be described in detail. First, an Ag paste is prepared. The Ag paste was prepared by mixing Ag powder having a particle size of 0.5 to 5 μm with terpineol as a vehicle to which 10% ethyl cellulose was added. The prepared Ag paste is shown in Table 1.
Shown in. Instead of this Ag powder, an Ag-Pt alloy powder may be used. Similarly, the palladium paste is prepared by mixing Pd powder with an organic solvent and an organic vehicle.

【0020】[0020]

【表1】 [Table 1]

【0021】次に、回路基板への導体厚膜の形成方法に
ついて説明する。セラミックス基板11上にAgペース
トを用いて所定パターンにスクリーン印刷し、150℃
×10分間で乾燥する。このAg厚膜上にPdペースト
を同じくスクリーン印刷し、乾燥させる。すなわち、A
g厚膜をPd厚膜で被覆するものである。そして、50
0℃〜700℃で焼成する。この結果、Ag厚膜上にA
g−Pd合金膜が形成された。AgとPdとの界面にお
いて合金化が進行するものである。焼成条件を制御する
ことにより、好適な合金化層を得ることができる。よっ
て、最小量のPdによりマイグレーションを抑止するこ
とも可能である。このとき、内部のAg層は抵抗値が高
くなることはない。また、Pdペーストとして有機金属
ペーストや独立分散超微粒子ペーストを用いることによ
り、400℃程度の加熱焼成でも合金化は可能である。
なお、Pdは、ペーストを用いてのスクリーン印刷の他
にも、めっき法、スパッタ法、蒸着法等の方法によっ
て、成膜することもできる。また、AgをコートするP
d膜の代わりにPt、Ni等でもよい。
Next, a method of forming a thick conductor film on a circuit board will be described. Screen-print a predetermined pattern on the ceramic substrate 11 using Ag paste and
X Dry for 10 minutes. The Pd paste is also screen-printed on the Ag thick film and dried. That is, A
The g thick film is coated with the Pd thick film. And 50
Bake at 0 ° C to 700 ° C. As a result, A on the Ag thick film
A g-Pd alloy film was formed. Alloying proceeds at the interface between Ag and Pd. A suitable alloyed layer can be obtained by controlling the firing conditions. Therefore, it is possible to suppress the migration with the minimum amount of Pd. At this time, the internal Ag layer does not have a high resistance value. Further, by using an organic metal paste or an independent dispersion ultrafine particle paste as the Pd paste, alloying is possible even by heating and firing at about 400 ° C.
Note that Pd can be formed into a film by a method such as a plating method, a sputtering method, or a vapor deposition method other than the screen printing using a paste. Also, P coating Ag
Pt, Ni, or the like may be used instead of the d film.

【0022】表2には、本発明により形成したAg−P
d合金膜で被覆したAg厚膜のマイグレーション試験の
結果を示す。比較するために、従来のAg−Pd厚膜、
Ag厚膜についてのマイグレーション試験結果を同時に
表2に示す。ここで、耐マイグレーション試験は、図2
に示すように、セラミックス基板11上に1対の導体配
線12を所定距離だけ離して対向して形成し、それぞれ
を正負両極に接続し、所定の電圧を印加する。この場
合、導体12の対向部分に水滴を垂らして行う。正極側
の導体からAgが溶出し、負極側に移動する。これを電
流計等で検出、測定する。この溶出までの時間をマイグ
レーション時間としている。
Table 2 shows the Ag-P formed according to the present invention.
The result of the migration test of the Ag thick film coated with the d alloy film is shown. For comparison, a conventional Ag-Pd thick film,
The migration test results for the Ag thick film are shown in Table 2 at the same time. The migration resistance test is shown in FIG.
As shown in, a pair of conductor wirings 12 are formed on the ceramic substrate 11 so as to face each other with a predetermined distance therebetween, and the conductor wirings 12 are connected to both positive and negative electrodes and a predetermined voltage is applied. In this case, water droplets are dropped on the facing portion of the conductor 12. Ag is eluted from the conductor on the positive electrode side and moves to the negative electrode side. This is detected and measured with an ammeter or the like. The time until this elution is the migration time.

【0023】[0023]

【表2】 [Table 2]

【0024】また、表2中に示すはんだくわれ性試験
は、250℃のSn−Pb共晶はんだ浴中に厚膜を浸漬
し、回路抵抗が2倍になるまでの浸漬の回数を測定した
ものである。表面シート抵抗値も同時に表2に示してい
る。
Further, in the solder curl test shown in Table 2, the thick film was immersed in a Sn-Pb eutectic solder bath at 250 ° C., and the number of immersions until the circuit resistance was doubled was measured. It is a thing. The surface sheet resistance values are also shown in Table 2.

【0025】この表2に示すように、本発明に係る2層
の膜より形成される導体層は、マイグレーション時間に
かなり大きな影響を及ぼしている。すなわち、本発明に
よれば、マイグレーション時間の延長が望めることが明
らかである。また、はんだくわれ性も優れている。さら
に、抵抗値はAg厚膜のそれと同じである。
As shown in Table 2, the conductor layer formed of the two-layer film according to the present invention has a considerably large effect on the migration time. That is, according to the present invention, it is apparent that the migration time can be extended. In addition, solderability is also excellent. Furthermore, the resistance value is the same as that of the Ag thick film.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明は、抵抗値が低く、導体としての
特性を損なうことがない厚膜導体を得ることができる。
また、Agのマイグレーション、その結果としての回路
のショートも防ぐことができる。このことは、導体厚膜
上にカバーガラスを被覆する場合にも、これに容易に対
応することができ、複雑な回路への適用が可能である。
さらに、耐はんだくわれ性を高めることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a thick film conductor which has a low resistance value and does not impair the characteristics as a conductor.
Further, migration of Ag and short circuit of the circuit as a result can be prevented. This can be easily coped with even when the conductor thick film is covered with the cover glass, and it can be applied to a complicated circuit.
Furthermore, the solder puncture resistance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る厚膜導体の構造を示す
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a thick film conductor according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例に係るマイグレーション試験
を説明するための模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a migration test according to an example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 セラミックス基板 12 導体層(Ag厚膜) 13 被覆層(Ag−Pd合金厚膜) 11 Ceramics Substrate 12 Conductor Layer (Ag Thick Film) 13 Coating Layer (Ag-Pd Alloy Thick Film)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板に被着される銀を主成分とする
導体層と、 この導体層を被覆する、銀と耐マイグレーション性金属
との合金からなる被覆層とを有する厚膜導体。
1. A thick film conductor having a conductor layer containing silver as a main component, which is deposited on an insulating substrate, and a coating layer made of an alloy of silver and a migration resistant metal, which coats the conductor layer.
【請求項2】 上記合金は銀−パラジウム合金である請
求項1に記載の厚膜導体。
2. The thick film conductor according to claim 1, wherein the alloy is a silver-palladium alloy.
【請求項3】 絶縁基板上に銀を主成分とする導体層を
被着し、この導体層を耐マイグレーション性金属層で被
覆し、焼成し、銀と耐マイグレーション性金属との合金
層を形成した厚膜導体の形成方法。
3. A conductive layer containing silver as a main component is deposited on an insulating substrate, and the conductive layer is covered with a migration resistant metal layer and baked to form an alloy layer of silver and the migration resistant metal. Of forming thick film conductor.
【請求項4】 絶縁基板上に銀ペーストを印刷し、この
銀ペーストを耐マイグレーション性金属ペーストで印刷
して被覆した請求項3に記載の厚膜導体の形成方法。
4. The method for forming a thick film conductor according to claim 3, wherein a silver paste is printed on an insulating substrate, and the silver paste is printed and coated with a migration resistant metal paste.
【請求項5】 絶縁基板上に配設された回路配線にあっ
て、この配線同士が接近した部分に上記請求項1または
請求項2に記載の厚膜導体を使用する厚膜導体の使用方
法。
5. A method of using a thick film conductor, wherein the thick film conductor according to claim 1 or 2 is used in a portion where the wirings are close to each other in a circuit wiring arranged on an insulating substrate. .
JP13647494A 1994-05-26 1994-05-26 Thick film conductor, its forming method and method of using this conductor Withdrawn JPH07320534A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010040948A (en) * 2008-08-07 2010-02-18 Murata Mfg Co Ltd Method of forming metallic film, and wiring board
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