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JPH07508856A - 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス - Google Patents

成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス

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JPH07508856A
JPH07508856A JP5518438A JP51843893A JPH07508856A JP H07508856 A JPH07508856 A JP H07508856A JP 5518438 A JP5518438 A JP 5518438A JP 51843893 A JP51843893 A JP 51843893A JP H07508856 A JPH07508856 A JP H07508856A
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thin film
carrier layer
growth substrate
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JP5518438A
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ジョカースト、　ナン　マリー
ブルック、　マーティン　アンソニー
アレン、　マーク　ジョージ
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Georgia Tech Research Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセスこの文書は１９９２年４ 月８日に出願し、現在米国特許第（）号となっている、本発明者らによる三次元 集積回路についての米国特許出願筒０７／８６５３７９号と、１９９２年４月８ 日に出願し、現在米国特許第（）号となっている、同発明者らによる薄膜材料の リフトオフおよび三次元集積回路のための製造プロセスについての米国特許出願 筒０７／８６５１２６号との一部継続出願である。
発明の分野 本発明は一般に集積回路技術に関するものであり、特に、あらゆる種類の薄膜材 料のまたは成長基板からのデバイスのリフトオフのための新規プロセス、および 、同材料またはデバイスのホスト基板への位置合わせ可能な結合、並びに、当該 新規プロセスを使用する三次元集積回路構造、共鳴キャビティデバイス、光学検 出デバイスおよびマイクロメカニカルデバイスの実施に関する。
発明の背景 ガリウムひ素化合物（ＧａＡｓ）材料およびデバイスのシリコン（Ｓｉ）、ガラ ス（ＳｉＯ□）およびポリマー等のホスト基板を伴うモノリシックな集積化は集 積回路、光学デバイスおよびマイクロメカニカルデバイスなどの次用代デバイス の形成を可能にする。このことはＩｎ　ｗＧ　ａ　ｒ−ｗＡ　ｓ　、Ｐ　Ｉ−Ｆ 材料（０＜ｘ＜１．Ｏ＜ｙ＜１）および同材料から成るデバイスが電磁的な信号 連携の放射を要する用途に理想的に適すると考えられる。
Ｓｉ上へのＧａＡｓ集積のための標準的な技法はへテロエピタキシャル成長法で あり、Ｈ，Ｃｈｏｉ　Ｊ、Ｍａｔ　ｔ　ｉａ、Ｇ、ＴｕｒｎｅｒおよびＢ、Ｙ、 Ｔｓａｕｅｒによるｒ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ系ＬＥＤ のモノリシック集積およびＳｉミド９４回回路　（ＩＥＥＥ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ 　Ｄｅｖ、Ｌｅｔｔ、、ｖｏｌ、９．ｐｐ。
５１２−５１４．１９８８）に記載されるような技法である。しかしながら、当 該ヘテロエピタキシャル材料の結晶性はしばしば多くの光学的用途に適さない場 合がある。
また、格子整合成長法（Ｉａｔ　ｔ　ｉｃｅ−ｍａｔｈｃｅｄ　ｇｒｏｗｔｈ） により高い材料品質を保つための集積方法として、Ｂｅ１１通信研究所（Ｂｅｌ ｌｃｏｒｅ）により開発されＥ、Ｙａｂｌｏｎｏｖｉｔｃｈ、Ｔ。
Ｊ、Ｇｍ１ｔｔｅｒＳＪ、Ｐ、ＨａｒｂｉｓｏｎおよびＲ，Ｂｈａｔの「ガラス 基板上における二重へテロ構造Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ薄 膜ダイオードレーザＪ　（ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔ、Ｔｅｃｈ、Ｌｅｔｔ、、１．ｐ ｐ、４１−４２．１９８９）に記載されるエピタキシャルリフトオフプロセスが 挙げられる。すなわち、ＧａＡｓ基板上にアルミニウムひ素（ＡＩＡｓ）の薄層 を１層（Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ　１ａｙｅｒ）として析出または成長させた後 、ＱａＡｓ／ΔＩＧａΔＳデバイス用エピタキシャル層を当該ＡｌＡｓ層上に成 長させる。その後、このＧ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓの格子整 合したエピタキシャル層を当該ＡｌＡｓ犠層を選択的にエツチングすることによ り成長基板から分離する。次いで、これらのデバイス層を混成様式において種々 のホスト基板に取り付ける。而して、該デバイス層は高品質となり、Ｓｉ、ガラ ス、ニオブ酸リチウムおよびポリマー等のホスト基板へのＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ ｓ集積のために現在も使用されている。
しかしながら、該Ｂｅ１ｌｃｏｒｅ技法は高品質材料を提供するが、当該デバイ スを位置合わせしたり選択的に結合することが困難である等の問題点を抱えてい る。
また、これらデバイスの両面上に材料層を接続および蒸着させることも困難であ る。したがって、現在では、当該Ｂｅ１ｌｃｏｒｅ技法は三次元集積回路による エミッタや検出器およびモジュレータを提供するに不適であるとされている。
発明の概要 本発明は半導体および化合物半導体を含む薄膜材料またはデバイスのモノリシッ ク集積のための種々の新規プロセスを提供する。該プロセスは成長基板からの薄 膜材料またはデバイスの分離または「リフトオフ」、同材料またはデバイスの選 択的位置合わせ、および、同材料またはデバイスのホスト基板への選択的結合を 含む。而して、該新規プロセスは三次元信号連携を実施するための高品質なエミ ッタ、検出器またはモジュレータを提供しかつ結合するために利用でき、これに よって、三次元集積回路構造体の製造が実現可能となる。また、本明細書に記載 する通り、他の種々の光学的用途についても考慮している。さらに、当該プロセ スはマイクロメカニカルデバイスの製造にも利用できる。
本発明によれば、第１のリフトオフおよび結合プロセス（第３Ａ−３Ｇ図の参照 番号６０）が以下の段階から構成される。すなわち、薄膜材料を成長基板上に配 置した基層上に蒸着する。必要に応じて、デバイスを当該薄膜材料中に定めるか パターン形成する。さらに、可能であれば、当該材料またはデバイスの全露出面 を透過性を有するキャリヤ層で被覆する。次いで、該１層をエツチングにより除 去して、当該透過性のキャリヤ層と材料またはデバイスのいずれかとの組合せ体 を成長基板から取り外す。この結果、該材料またはデバイスをホスト基板に選択 的に位置合わせおよび結合することが可能になる。
この時、キャリヤ層が複数のデバイスから成る場合は、それらを当該ホスト基板 に選択的に結合することができる。最後に、該透過性キャリヤ層を除去してホス ト基板上に当該材料またはデバイスを留置する。
さらに、本発明によれば、第２のリフトオフおよび結合プロセスが（第４Ａ−４ Ｈ図の参照番号８０）が以下の段階から構成される。すなわち、薄膜材料を成長 基板上に配置した基層上に蒸着する。必要に応じて、デバイスを当該薄膜材料中 に定めるかパターン形成する。さらに、可能であれば、当該材料またはデバイス の全露出面を透過性を有するキャリヤ層で被覆する。次いで、該１層をエツチン グにより除去して、当該透過性キャリヤ層と材料またはデバイスのいずれかとの 組合せ体を成長基板から取り外す。その後、該材料またはデバイスをトランスフ ァー媒体に結合して、キャリヤ層を除去する。最後に、該材料またはデバイスを トランスファー媒体からホスト基板に位置合わせし選択的に結合する。
さらに本発明によれば、第３のりフトオフおよび結合プロセスが（第７Ａ−７Ｈ 図の参照番号１００）が以下の段階から構成される。すなわち、薄膜材料を成長 基板上に配置した基層上に蒸着する。必要に応じて、デバイスを当該薄膜材料中 に定めるかパターン形成する。さらに、可能であれば、当該材料またはデバイス の全露出面または露出領域をキャリヤ層で被覆する。次いで、該成長基板をエツ チングにより除去し、また、該１層を保留またはエツチング除去する。その後、 該材料またはデバイスをトランスファー媒体に結合して、キャリヤ層を除去する 。最後に、該材料またはデバイスを該トランスファー媒体からホスト基板に位置 合わせし結合する。
而して、本発明は上述のような新規のリフトオフおよび結合プロセスを介して三 次元集積回路の構造体（第１図の参照番号１０）および他の態様を提供する。さ らに、これらのプロセスは薄膜電磁エミッタ、検出器またはモジュレータのモノ リシック集積のために用いられる。このような本発明により製造されるモノリシ ックな三次元集積回路構造体においては、それぞれに回路動作機能を有する各集 積回路層を介して垂直に、かつ／または、同一の集積回路層内において水平に電 磁的な信号連携が放射する。この結果、電磁信号はエミッタから放射されて、当 該集積回路構造体中の任意の別の場所に配置される一以上の検出器により受信さ れる。
基本的には、該三次元集積回路構造体は以下のように説明できる。すなわち、該 三次元集積回路における第１の集積回路層が第１および第２の面を有している。
さらに、該第１の面または当該第１集積回路層から離間する層のいずれかの上に 位置するエミッタが電磁信号を当該第１の面に向けて発送する。このエミッタは 、例えば、Ｉ　ｎ　ｗ　Ｇ　ａ　１−ＩＡ　Ｓ　ｙ　Ｐ　、−ｙ材料（０＜ｘ＜ １およびＱ＜ｙ〈１、ｎ型連結−ｐ型連結）により生成される電子放出接合部位 を有する。その後、該エミッタから発送された信号は当該信号のキャリヤ周波数 に対して透過性を有する一以上の層を通過する。また、検出器が第２の面の方向 から当該電磁信号を受信するべく配置されている。なお、該検出器は当該集積回 路層の第２面上若しくは該集積回路中の異なる層上のいずれに配置することも可 能である。さらに、該検出器は、例えば、上記エミッタにおいて使用する材料に より生成可能な検出接合部位を有する。加えて、該エミッタおよび検出器を電気 的な励起方式を除いて同一にすることもでき、また、これらを当該電気的励起方 式を変えることにより自由に交換して当該発明の使用範囲をさらに広げることが できる。さらに、該エミッタおよび検出器を当該集積回路中の任意の場所に配置 して極めて複雑かつフレキシブルな三次元通信ネットワークを提供することも可 能である。
また、本発明は高性能な共鳴キャビティデバイス（第２Ｃ図の参照番号５０）の 製造方法を提供し、該デバイスはエミッタ、検出器またはモジュレータとして動 作可能である。この共鳴キャビティデバイスは第１の面と第２の面とを有する活 性な領域から構成されている。該活性領域はダイオードの形態若しくは電磁気エ ネルギーを放射、検出または変調する他の素子形態とすることができる。さらに 、第１のミラ一層が当該デバイスの第１面近傍に配置されて、上記活性領域を第 １の基板上に蒸着した後に蒸着される。また、第２のミラ一層が第２面近傍に配 置されて、活性領域と第１ミラ一層とを第２の基板に結合した後に蒸着される。
また、本発明は画像形成またはビデオシステムのための光学検出器アレイ（第５ 図および６図の参照番号９０）の製造方法を提供する。この光学検出器アレイは 集積回路の外部表面上にモノリシックに形成される。さらに、各集積層は上部お よび底部および処理回路が導かれる穴を備えるポリイミドまたはその他の電気的 絶縁層を有している。而して、該ポリイミドまたはその他の電気的絶縁層の上部 に配置された当該薄膜検出器は光信号を電気的信号に変換する。なお、上記処理 回路は当該変換された光信号を処理するべく構成される。また、上記穴は当該処 理回路に変換された光信号を移送するべく形成された導体で満たされている。こ の検出器は、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰから成り、上記ポ リイミド層の上面に配されて金属と接続するエピタキシャル層から構成できる。
なお、該エピタキシャル層自体、あるいは、当該エピタキシャル層と金属の組み 合わせにより検出接合部位が形成でき、同接合部位は外部供給源から光信号を受 け取り、かつ、迅速に該信号を処理回路に送る。
また、本発明は集積回路との高効率な可変光結合を提供するマイクロメカニカル デバイス（第８図および１０Ｉ図の参照番号１１０）の製造方法を提供する。こ のマイクロメカニカルデバイスは基板上のレッグ部により支持される可動プラッ トホームから構成される。この場合、該基板は一以上の基板電極を備えており、 また、該プラットホームは底部電極を備えている。而して、該プラットホームは 当該筒１および底部電極間に第１の電気供給源を印加することによって移動する 。また、光子デバイスか当該プラットホーム上に存して該プラットホームと共に 移動可能である。該光子デバイスにはその上部に上部電極が備えられている。な お、該光子デバイスは光インターフェイスとして作用し、第２の電気供給源が当 該上部および底部電極間に印加されると、光を発光、受光あるいは変調する。
特徴および利点 本発明は上述のような従来技術の欠陥を解消し、以下の特徴および利点を呈示す る。
すなわち、本発明の新規プロセスの一利点は、成長基板から薄膜材料またはデバ イスをリフトオフし、これらを位置合わせし、さらに、これらをホスト基板に選 択的に結合するためのプロセスを提供することである。当該薄膜材料およびホス ト基板は非晶質、多結晶質および結晶質材料またはこれらの組み合わせを含むい ずれかの材ｔ４から構成できる。
また、本発明の新規プロセスの他の利点は、従来手段による取り扱いでは薄すぎ てデリケートすぎるディスクリートデバイスを処理しかつ結合するための手段を 提供することである。
また、本発明の新規プロセスの他の利点は、通信および光学的用途に理想的なＩ 　ｎ　ｗＧ　ａ　１−ｔＡ　Ｓ　ｙＰ　＋−ｙ材料およびその装置（０＜ｘ＜１ およびＯ＜ｙ＜１、ｎ型またはｐ型）をリフトオフおよび結合するためのプロセ スを提供することである。
また、本発明の新規プロセスの他の利点は、デバイスアレイから特定のデバイス を既存回路に選択的に位置合わせしたり、選択的に結合するためのプロセスを提 供することである。さらに、当該デバイスの両面に接続部位を設けることができ る。
また、本発明の新規プロセスの他の利点は、金属、半導体または誘電体等の材料 層を薄膜材料または装置の両面に容易に適用でき、このために、コストを間接的 に低減でき、かつ、性能向上が可能となる。例えば、底コストで高性能の共鳴キ ャビティエミッタ、検出器またはモジュレータが実現できる。
また、本発明の新規プロセスの他の利点は、当該プロ　゛セスが容易かつ安価に 使用でき、集積回路内において三次元通信ネットワークを効率良く形成できるこ とである。
この結果、大量平行処理が可能となり、処理速度を向上することができる。
また、本発明のプロセスの他の利点は、広範な画像処理およびビデオのための処 理方法を提供することである。
ＧａＡ　ｓ、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰ等を基本にした半導体材料から製造さ れる光検出器は既存のＳｉ、ＧａＡｓまたはＳｉ基板の上に直接集積することが できる。
さらに、該Ｓｉ基板は個々の光検出器またはそれらの集合体により受信される信 号を処理するための処理回路を伍える。
また、本発明のプロセスの他の利点は、当該処理方法がマイクロメカニカルデバ イスの製造に利用できることである。さらに、当該マイクロメカニカルデバイス の極小の可動素子には、薄膜材料またはデバイスを結合することができる。
さらに、本発明の三次元集積回路構造体の他の利点は、当該構造体が大量平行入 出力（Ｉｌｏ）ポートを提供することである。特に、集積回路にインターフェイ スできるＩ１０配線の数を有効に向上することができる。このことは、Ｉｌｏの 接続部が当該集積回路構造体の側面のみでなく、上面および底面にも配置できる ためである。
これらのＩｌｏは極めて高速に動作し、光Ｉ１０についても同様である。つまり 、集積回路の「構造体」を構成することができる。
また、本発明の三次元集積回路構造体の他の利点は、優れた三次元の内部接続ネ ットワークによる占有面積の小さい電子回路が提供できることである。
また、本発明の三次元集積回路構造体の他の利点は、当該構造体か安価なＳｉお よび／またはＧａＡｓウェハから製造できることである。換言すれば、集積回路 を従来のＳｉまたはＧａＡｓから成る基本材料を用いて安価な方法で製造するこ とができる。その後、光エミッタおよび／または検出器をこれに続く各段階を経 て当該ＳｉまたはＧａＡｓ回路に取り付けることができる。
また、本発明の三次元集積回路構造体の他の利点は、当該ＳｉまたはＧａＡｓ回 路およびエミッタ／検出器を独立して最適化することができ、さらに／または、 集積化の前で試験することにより高い収率および高性能を図ることができる。
さらに、本発明の他の特徴および利点は以下の図面および詳細な説明に基づいて 当業者により明らかとなる。
なお、本明細書は他のいかなる付加的な特徴や利点にも及ぶものである。
図面の簡単な説明 以下の図面に基づいて請求の範囲に定める本発明を詳述する。該図面は寸法比率 を必ずしも厳密に一定とするものではなく、むしろ、発明原理の明示を要する部 分に強調を施している。
第１図は三次元の電磁的通信機能を有する三次元集積回路構造体を示している。
第２Ａ−２Ｃ図は第１図示の三次元集積回路構造体内におけるエミッタ、検出器 またはモジュレータとして、若しくは、その他の用途において使用可能な種々の 電磁的通信デバイスの例を示している。
第３Ａ−３Ｃ図は第２Ａ−２Ｃ図示のような薄膜材料またはデバイスのための第 １のリフトオフおよび結合プロセスを示しており、この場合、キャリヤ層が当該 薄膜材料またはデバイスのリフトオフおよび保護のために利用されている。
第４Ａ−４Ｈ図は第２Ａ−２Ｃ図示のような薄膜材料またはデバイスのための第 ２のリフトオフおよび結合プロセスを示しており、この場合、トランスファー媒 体が当該薄膜材料またはデバイスの転移および転化のために利用されている。
第５図は光検出器のアレイを示している。
第６図は第５図の６゛−６°線における光検出器アレイの部分断面図である。
第７Ａ−７Ｇ図は第５図および６図示の光検出器を形成するためのリフトオフお よび結合処理を示している。
第８図はマイクロメカニカルデバイスを示している。
第９図は第８図示のマイクロメカニカルデバイスにおいて用いる光子デバイスを 示している。
第１０Ａ−１ＯＩ図は第８図示のマイクロメカニカルデバイスの製造プロセスを 示しており、特に、第１ＯＩ図は第８図のＩＯＩ’　−１ＯＩ’　線におけるマ イクロメカニカルデバイスの断面図を示している。
好ましい実施態様の詳細な説明 ■、三次元集積回路 第１図は多層集積回路１１■遺体（ＩＣ）１０を示しており、同構造体において は、電磁的通信が当該三次元構造を介して全方向に可能である。すなわち、平面 方向の通信に加えて、垂直方向の通信が一以上の集積回路層１２．１４等を介し て実行可能であり、実質的に三次元の通信ネットワークが構成されている。なお 、簡潔化のために省略しているが、該集積回路構造体１０は多数の層を備えてお り、上記の原理は同等に適用可能である。
本発明においては、集積回路層が電磁信号を介して通信し、該信号はその波長に より当該各層に妨げられることなくこれを通過する。層１２．１４がＳｉがら成 る場合は、該電磁信号の該Ｓｉに対する透過性を付与するべく、当該信号の波長 λを１．１２マイクロメータ（μｍ）よりも犬とする必要がある。また、同層１ ２．１４がＧａ　Ａ　ｓから成る場合は、同様の目的で該電磁信号の波長λを０ ．８５μｍよりも大とする必要がある。しがしながら、該層１２．１４の化学的 組成により、多くの通信波長を可能にすることができる。さらに、同調技法を伴 　・えば、可能な通信チャンネルの数は無限と言ってよい。
第１図示のように、電磁的通信デバイス１６〜２２が集積回路構造体１０内に配 されて当該構造体ｌｏ内における通信を可能にしており、特に重要なことは、Ｉ Ｃ層１２．１４を介する垂直方向の通信を可能にしている。
これらの通信デバイス１６〜２２は、各々、エミッタ、検出器またはモジュレー タとして動作することができ、同図の矢印で示すように互いに信号のやりとりを 行う。
さらに、該電磁通信デバイス１６〜２２はまた上述の通信素子の二辺上として動 作するべく切り替えることができる。換言すれば、例えば、当該電磁的通信デバ イス１６−２２はいずれもエミッタおよび検出器の両方またはトランシーバとし て動作するべく切り替えることが可能である。
第２八図ないし２０図は第１図示の電磁通信チャンネルに使用可能な電磁的通信 デバイスの種々の例を示している。すなわち、同２Ａないし２Ｃ図はダイオード の構成を有するデバイスを示している。さらに、各ダイオードはエミッタ、検出 器および／またはモジュレータとして作用するものであり、同概念は当業者にお いて周知である。つまり、電磁的な信号（光信号を含む）が、各ダイオード構成 において隣接する２種の材料により形成される接合部位に電気的バイアスを印加 することにより、当該ダイオードによって生成、検出または変調される。
なお、電磁通信のために用いられるダイオードの構成については、Ｓ、Ｍ、Ｓｚ ｅの文献（Ｐｈｙｓｉｃｓ　。
ｆ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　（１９８１））を参照され たい。また、該２Ａ−２Ｃ図示のデバイスは上述のＳｉ（λ＞１．１２μｍ）お よびＧａＡｓ（λ＞０．８５）に対する波長における通信において極めて高品質 である。
以下、該２Ａ−２Ｃ図示の電磁通信デバイスを説明する。第２Ａ図は金属−半導 体−金属（ＭＳＭ）ダイオード３３を示している。このＭＳＭ型ダイオード３３ においては、Ｉ　ｎ　ｇＧ　ａ　Ｈ−ｘＡ　Ｓ　ｙＰ　、−ｙ材料２８（ｎ型ま たはｐ型、Ｏ＜ｘ＜１およびｏ＜ｙ＜Ｂが金、銀、銅、アルミニウム等の金属材 ３２と連結している。
また、第２Ｂ図は他の半導体ダイオード３３を示している。すなわち、ｎ型のＩ 　ｎ　ｘＧ　ａ　、−ｗＡ　ｓ　、Ｐ　ｌ−Ｆ材料３６　（０＜ｘ＜１およびＯ ＜ｙ＜１）がｐ型のＩｎ、、Ｇａ＋−ｘＡＳ　（Ｐ　、−ｙ・材料３８　（０＜ ｘ’　＜１およびＯ＜　ｙ’く１）に連結している。
さらに、第２Ｃ図は活性領域５６、該活性領域５６に隣接するミラー５４、およ び当該ミラー５４に隣接する光学的接続層５８を有する共鳴キャビティデバイス ５゜を示している。この活性領域５６はダイオード構成を探ることができ、例え ば、第２Ａまたは２Ｂ図示のダイオード構成の−、あるいは、電磁的なエネルギ ーを放射、検出または変調する他の適当な素子とすることができる。
また、ミラー５４は任意の金属、半導体または誘電層あるいはこれらの組み合わ せから構成できるが、好ましくは、複数のＩ　ｎ　ｔＧ　ａ　１−、Ａ　Ｓ　ｙ Ｐ　ｌ−ｙ半導体層（０＜Ｘ＜１およびＯ＜ｙ＜１）であり、基本的に信号周波 数のフィルタ処理を行い得るものである。なお、当該概念および実施態様は当業 界において周知である。換言すれば、ミラー５４の垂直幅または各金属層５８と 活性領域５６との間の距離が最高の信号強度で受信される信号の波長を決定する 。さらに、接続層５８は金属、半導体または誘電層あるいはこれらの組み合わせ から構成できるが、好ましくは、当該デバイス５ｏをエミッタ、検出器またはモ ジュレータとして機能させるべくバイアス印加し得る金属層である。しかしなが ら、該デバイス５ｏは光ビームのような他の適当な手段によりバイアス印加して もよく、このような場合は、当該接続部５８は該デバイス５０を作動する必要は ない。
当該ダイオード構成を用いる通信は以下のように開始される。まず、該ダイオー ドの構成に電圧を印加する。
この際の伝播または受信は、大部分において、当該デバイスの構成および電圧印 加の方向に依存する。第２Ａ−２０図示のダイオード構成は１．３ないし１．５ ５ミクロンの波長λを有する電磁信号を送受信することができ、該波長はそれぞ れＳｉおよびＧａＡｓの透過閾値波長である１、１２および０．８５ミクロンよ りも十分に大きい。なお、当該構成において使用される材料に依存することであ るが、異なる種類のエミッタおよび検出器を用いて通信を行うことも可能である 。
さらに、上記モジュレータが、例えば、多量子井戸（Ｍ　Ｑ　Ｗ　）型の反射電 気吸収式光モジュレータであり、上記エミッタか、例えば、表面発光レーザ（Ｓ ＥＬ）および垂直キャビティ型表面発光レーザ（ＶＣ３ＥＬ）であり、また、上 記検出器が、例えば、Ｉ　ｎ　、Ｇ　ａ　、、Ａ　ｓＦＰ　Ｉ−Ｆ化合物（０＜ ｘ＜１およびＯ＜ｙ＜１）から成る共鳴キャビティ検出器を用いて第１図示の三 次元集積回路構造体１０における信号通信効率をさらに高めることかできる。す なわち、これらのデバイスは発熱を押さえ、タイオード構成に比してはるかに高 速に切り替え動作することが可能である。なお、当該ＳＥＬおよびＶＣ８ＥＬに ついては、文献（ＩＥＥＥ　Ｊｏｕｒｎ、Ｑｕａｎｔ、Ｅｌｅｃｔ、、Ｖｏｌ、 ６４．Ｎｏ、６，５ｐｅｃｉａｌ　ｌ５ｓｕｅ　ｏｎ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ ｏｒ　Ｌａ５ｅｒｓ、１９９１）およびＪ、Ｊｅｗｅｌｌ、Ｊ、Ｈａｒｂｉｓｏ ｎ、Ａ、５ｃｈｅｒｅｒ、Ｙ。
Ｌｅｅおよびり、Ｆｌｏｒｅｚの文献（ＩＥＥＥ　Ｊ。
ｕｒｎａｌ　Ｑｕａｎｔ、Ｅｌｅｃｔ、、Ｖｏｌｕｍｅ７、Ｎｏ、６．ｐｐ、１ ３３２−１３４６）に詳しく論じられている。
第２Ａ−２Ｃ図示のダイオード構成および上記のレーザ構成の実現、さらに一般 的に言えば、本発明による三次元ＩＣ構造体およびその他の仕様の実現の決定要 素は高品質なＩ　ｎ　ｇＧ　ａ　＋−ｔＡ　ｓ　ｙＰ　Ｉ−ｙを基本とする材料 またはデバイスのホスト基板への結合である。而して、本発明者は、該１　ｎ　 ｘＧ　ａ　ｒ−ｔＡ　ｓ　ｙＰ　＋−ｙベース材料の結合を行うために、後述す る幾つかの改善されたりフトオフおよび結合プロセス６０，８０．１００を開発 した。これらのプロセス６０，８０，１００は一般に２０マイクロメータよりも 薄い厚さの化合物半導体等がら成る薄膜材料またはデバイスをリフトオフし、さ らに、結合するための処理を提供するものである。
■、第１リフトオフおよび結合プロセス第３Ａないし３Ｇ図は第１リフトオフお よび結合プロセス６０を示しており、キャリヤ層７４が化合物半導体を含む薄膜 材料６６またはデバイス６８をリフトオフ、保護、移送、位置合わせ、さらに、 最終的に結合する。
第３Ａ図において、成長基板６２に基層６４および薄膜材料６６が設けられる。
該基層６４および材料６６は適当な従来法により成長基板６２上に蒸着される。
また、該材料６６は非晶質材料、多結晶質材料、結晶質材料（例えば、エピタキ シャル材料）またはこれらの組み合わせを含む材料のいずれかとすることができ る。さらに、ここでの「蒸着」とは、エピタキシャル材料の場合のように−の材 料を他の材料上に成長または形成する処理のいずれかを言う。
好ましい実施例においては、成長基板６２はＧａＡｓである。また、基層６４は アルミニウム・ガリウム・ひ素（Ａ　ｌ　ｘＧ　Ａ　、−ｘＡ　Ｓ　、　０　、 　６≦Ｘ≦１．０）である。
さらに、材料６６はＩ　ｎ　ｘＧ　ａ　＋−ｗＡ　ｓ　ｙＰ　＋　−ｙ　（ｎ型 またはｐ型、Ｏ＜ｘ＜１および０＜ｙ＜１）である。
なお、該新規プロセス６０での実施において必要ではないが、メサエッチング処 理を材料６６のバタン化に用いて一以上のデバイス６８を形成してもよい。以後 、簡単のために、材料６６には言及せずデバイス６８のみについて論するが、非 バタン化状態においては、当該説明が材料６６について同等に適用できると解す るべきである。さらに、第３Ｂ図は、一般に該プロセス６ｏか大規模生産スケー ルにおいて一度に大多数のデバイス６８を形成できることを強調するために、幾 つかのデバイス６８を示している。このデバイス６８は、例えば、トランジスタ 、ダイオード構造体、通信デバイスおよび化合物半導体デバイス等が可能である 。なお、メサエッチングはフォトレジストマスクを使用し、初期エツチング液と してＨ２ｓｏ、：　Ｈ，０２：　Ｈ２Ｏ（１：　８　：　１６０）　および最終 的選択エツチング液としてＮ　Ｈ４０１−Ｉ　：　Ｈ＊Ｏ＊　（１：２００）を 用いて、ＡｌＡｓ犠層６４で停止する。
さらに、他の処理段階が該メサエッチバタン化の前後のいずれかにおいて当該デ バイス６８に対して施される。
例えば、第３０図示の如く、−以上の材料層７２がデバイス６８上に蒸着される 。なお、該材料層７２は金属（例えば接続部位として）、半導体または誘電体か ら構成できる。また、この材料層７２の蒸着は大多数の従来法のいずれかにより 行うことができる。ただし、好ましい実施例においては、該材料層７２は真空蒸 着法により当該デバイス６８上に蒸着される。
次に、デバイス６８を、材料層７２の有無に拘わらず、キャリヤ層７４で完全に 被覆する。なお、好ましい実施例においては、該キャリヤ層７４は透明ポリイミ ドまたはリリース層として作用するべく形成可能なその他の有機材料のいずれか である。なお、Ｂｅ１ｌｃｏｒｅのＧｍ１ｔｔｅｒ他にイτｊ勾された米国特許 第４８４６９３１号に記載されるような、基本的に黒色の不透明ワックスである アビニシン−Ｗ　（Ａｐ　ｉ　ｅ　ｚｏ、ｎ　Ｗ）もまた使用することができる 。さらに、該キャリヤ７４は、デバイス６８上に真空蒸着、スパッタ処理、およ び／または、めっき処理した金属でもよい。しかしながら、透明ポリイミドを使 用することが幾つかの理由により好まれる。
すなわち、その透明性により、デバイス６８を封入状態において目視することか できるため、後述するように位置合わせが可能になる。さらに、該ポリイミドは 室温における残留引張応ツｊ下で望ましい機械的特性を呈示する。
なお、このことニツイては、ΔＩ　ｆｅｎ、Ｍ、Ｇ、、Ｍｅｈｒｅｇａｎｙ、Ｍ 、、Ｈｏｗｅ、Ｒ，Ｔ、および５ｃｎＬｕｒｉａ、Ｓ、Ｄ、の「薄膜の残留応力 、ヤング率および極限ひずみのインシツツ測定のための微細構造」（Ａｐｐｌｉ ｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ。
Ｖｏｌｕｍｅ　５１．Ｎｏ、４．ｐｐ、２４１−２４４゜１９８７）を参照され たい。加えて、ポリイミドの温度特性か優れている。すなわち、４００℃を超え る温度が当該ポリイミドまたはこれにより保護されたデバイス６８に対して損傷 を与えることなく維持できる。
次に、第３Ｅ図示の如く、基層６４が標準的ＨＦ：Ｈ，０（１：　１０）エツチ ング液を用いて除去されて、第１Ｅ図示のように、デバイス６８とこれを囲むキ ャリヤ層７４が成長基板６２から分離される。本発明の有効な特徴によれば、金 属層（例：Ａ１）またはＡｌｌＧａ１−１３３層（ｘ＞０．４）をデバイス６８ に含むことが可能であり、これは該デバイス６８の側面がキャリヤ層７４により エツチング液ＨＦ　：Ｈ，Ｏ（１：　１０）から保護されているためである。な お、このことについての詳細は、Ｉ、Ｐｏｌ　１ｅｎｔｉｅｒ、Ｌ、Ｂｕｙｄｅ ｎｓ。
Ｐ、Ｖａｎ　Ｄａｅｌｅ、Ｐ、Ｄｅｍｅｅｓｔｅｒの［エピタキシャルリフトオ フ法によるシリコン上でのＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ型ＧＲＩＮ−３ＣＨ系ＳＱＷ レーザダイオードの製造Ｊ　（ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔ、Ｔｅｃｈ。
Ｌｅｔ　ｔ、、３，２．ｐｐ、１１５−１１７．１９９１）を参照されたい。
このようにデバイス６８とキャリヤ層７４との組合せ体を基板６２からエツチン グで分離することにより、当該組合せ体を容易に処理しかつ移送できるようにな る。
次いで、該デバイス６８は第３Ｆ図示のようにホスト基板８４と接触する・位置 に配される。この際、該キャリヤ層７４が透明ポリマーであれば、デバイス６８ のホスト基板８４上の特定回路に対する位置合わせが容易に行える。
デバイス６８はファンデアワールス力および金属−金属アニール等の種々の結合 力によりホスト基板８４に結合する。この場合、「結合」とは、−の既存材料を 装置や池の対象物に固着、粘着あるいはその他の取り付は処理を行うことである 。
このようにして、デバイス６８がホスト基板８４の上面の所望位置に配置整合さ れると、キャリヤ層７４か該デバイス６８から分離される。この分離処理には多 くの技法か利用できる。
例えば、該デバイス６８とキャリヤ層７４との間の結合は以下の周知の方法によ り破壊できる。すなわち、（１）熱処理、例えば、スポット加熱または高強度レ ーザ光により局所的処理、（２）短波長レーザ光への局所的露光による光分解、 （３）反応ガスの存在下における短波長レーザ光への局所的露光による光化学的 処理、あるいは、（４）エツチングまたは溶解により化学的処理等か挙げられる 。而して、このような分離処理の後、デバイス６８が第３Ｇ図示のようにホスト 基板８４上の所望位置に接続する。
好ましくは、第３Ｇ図における処理はクリーンルーム中において行われる。さら に、ホスト基板８４は、デバイス６８とは別に鋳造等において開発され最適化さ れたＳｉまたはＧａＡｓから構成できる。
さらに、該デバイス６８とホスト基板８４の間の結合を強固にするためにオーブ ンアニール処理を使用することができる。加えて、キャリヤ層７４からの残留物 を除去するために全体的なウェハ洗浄を行ってもよい。
また、該第１リフトオフおよび結合プロセス６０の他の態様においては、成長基 板６２の除去前に、周辺フレーム（図示せず）を当該キャリヤ層７４に結合でき る。
該周辺フレームはデバイス６８の取り扱いおよび位置合わせを補助する。この組 立体は成長基板からの脱離後の取り付はペリクルに類似している。
■、第２リフトオフおよび結合プロセス第４Ａないし４Ｈ図はデバイス６８を移 送および反転するためのトランスファー媒体を利用する第２リフトオフおよび結 合プロセス８０を示している。上記第１リフトオフおよび結合プロセス６０の場 合と同様に、該第２リフトオフおよび結合プロセス８０は第２Ａ−２Ｃ図の電磁 的通信デバイス２７．３３．５０を形成するために使用される。
さらに、第３Ａ〜３Ｅ図示の第１リフトオフおよび結合プロセス６０について述 べた処理手順は当該第４Ａ〜４Ｅ図示の第２リフトオフおよび結合プロセス８０ の処理手順とほぼ同一であるので、当該第３Ａ〜３Ｅ図についての説明を該第２ リフトオフおよび結合プロセス８０についても適用することにする。
その後、第４Ｆ図示の段階において、該第２リフトオフおよび結合プロセス８０ はデバイス６８とキャリヤ層７４から成る任意で取扱可能な組合せ体のトランス ファー媒体７６上への配置処理を必要とし、該トランスファー媒体は、その好ま しい実施態様において、ダイアフラム７８と支持リング８２から成るダイアフラ ム組立体である。このダイアフラム組立体７６はドラム状の構造を有しており、 標準的な精密処理技法を用いて形成される。
好ましくは、該ダイアフラム組立体７６はＳｉウェハに約４ミクロンの透明ポリ イミドを被覆して形成される。
該透明ポリイミドは市販のポリマー酸溶液（ＤｕＰｏｎｔ　ＰＩ　２６１１）か らのスピンキャスト体であり、空気中で３０分、１５０℃で焼き付けられ、窒素 中で１時間、４００℃で硬化処理される。このようにして該Ｓｉウェハをポリイ ミドで被覆した後、当該Ｓｉウェハの中央部を一方向エッチング技法によりＨＦ 　：　ＨＮ　Ｏｓ　：１−Ｉ　、　Ｏのエツチング材を用いて後方からエツチン グ処理する。なお、この場合の一方向エッチング技法はＪ、Ｙ。
ＰａｎおよびＳ、Ｄ、５ｅｎｔｕｒｉａの「ポリマー薄膜の機械特性に関する湿 度の影響を決定するための懸濁脱法Ｊ　（Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｐｌａｓｔｉ ｃｓ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒｓ：ＡＮＴＥＣ’ 　９１．Ｖｏｌｕｍｅ　３７．ｐｐ、１６１８−１６２１．Ｍａｙ、１９９１） に開示されている。つまり、該エツチング処理により、ポリマー製ダイアフラム ７８を有するダイアフラム組立体７６が形成され、該組立体は厚さが約４μｍお よび直径が３〜２５ミリメータ（ｍｍ）で、Ｓｉリング８２により支持されてい る。さらに、このポリマー製ダイアフラム７８は透明で上部であり、機械的強度 が高い。したがって、該ポリマーダイアフラム７８はデバイス６８のキャリヤと して理想的である。
光学処理においては、該デバイス６８の結合のために低パワー酸素プラズマエツ チングが当該ダイアフラム７８上に施される。すなわち、該酸素プラズマエ・ソ チングはデバイス６８のダイアフラム７８に対する接着性を高める。
次に、該ダイアフラム組立体７６への接着処理中にキャリヤ層７４を溶解する。
好ましい実施態様においては、アビニシンＷを溶解するトリクロロエチレンが使 用される。この結果、デバイス６８はポリマー製ダイアフラム７８の上面に結合 した状態で残される。この場合、リフトオフ処理前の材料、例えば、材料層７２ が当該ポリマーダイアフラム７８により支持されるデノくイス６８の上面に存し ている。
次に、第４Ｇ図示の如く、デバイス６８は当該透明ポリマーダイアフラム７８を 介してホスト基板８４に選択的に位置合わせされ、かつ、結合される。この場合 、−以上のデバイス６８’　、６８°”を第４Ｇ図示のようにデバイス６８のア レイからホスト基板８４に対して選択的に結合することができ、また、当該デＩ くイス６８のアレイを同時に結合することも可能である。好ましくは、第４Ｇ図 示の処理はクリーンルーム内で行われる。さらに、該ホスト基板８４はデバイス ６８とは別に鋳造等において開発されたＳｉまたはＧａＡｓ基板を含む回路力Ａ ら構成できる。
なお、該デバイス６８のホスト基板８４への結合は多くの技法により行うことが できる。また、該デ／くイス６８を分離するためのすべての処理技法、すなわち 、第３Ａ〜３Ｇ図示の第１リフトオフおよび結合プロセスについて述べたものが 当該第４Ａ〜４Ｈ図の第２リフトオフおよび結合プロセスに利用できる。さらに 、該ポリマーダイアフラム７８をデバイス６８からエツチングにより除去して、 ホスト基板８４上に該デバイス６８を残すことができる。加えて、該ポリマーダ イアフラム７８をウェブ状に形成して、デバイス６８の分離を容易にすることも できる。また、デバイス６８の整合性を高めるために、該ダイアフラム組立体７ ６をマスクアライナ中に配置してもよい。すなわち、このようにマスクアライナ 中にダイアフラム組立体７６を配することにより、デバイス６８をホスト基板８ ４上に高精度（少なくとも１μｍ以内）に配置することが可能になる。
また、該第２リフトオフおよび結合プロセス８０の他の特徴においては、材料層 ７２を伴うデバイス６８が第４Ｇ図のデバイス６８″により示されるようにホス ト基板８４の上部表面に配置された金属接続層８６に直接結合することができる 。この場合、該デバイス６８゛の材料層７２が金属であれば、当該デバイス６８ °゛に付随する材料層７２と金属接続層８６との結合は、当該金属の表面特性に より、単なるファンデアワールス結合に比して、一般的にはるかに優れた電気的 結合を与える。
さらに、該材料層７２が金属であれば、熱処理によりこれを金属接続層８６に溶 着することができるので、当該接続における電気的特性をさらに高めることが可 能になる。
さらに、第４Ｈ図示のように、例えば金属、半導体、誘電体層またはこれらの組 み合わせから成る一以上の他の材料層８８を、ホスト基板８４上に結合したデバ イス６８上または該ホスト基板８４の層８６上に蒸着してもよい。この結果、該 第２リフトオフおよび結合プロセス８０は第４Ｈ図のデバイス６８°　により示 されるように各デバイス６８の両面に金属、半導体、誘電体層等から成る材料層 を蒸着することか可能になる。すなわち、第２Ｃ図の薄膜活性領域５６の両方の 平坦面上にミラ一層５４を有する共鳴キャビティデバイス５０を上述の手法によ り構築することができる。なお、この場合、デバイス６８はその各面への蒸着処 理の間、基板（成長基板６２またはホスト基板８４のいずれか）によって支持さ れており、これにより、該デバイス６８上への層８８または７２の形成において 生じる応力および／または歪みに対して当該デバイス６８が機械的に支持される 。
■０画像処理システムのための光検出器アレイ第５図は画像処理およびその他の ビデオ用途のための光検出器９８のアレイ９０を示しており、該アレイは本発明 の新規プロセス６０，８０，１００１こ従う適当な基板に結合し得るものである 。このようなアレイ９０は多くの利点を有する。
該光検出器９８は画像からの光信号９１を同時に受信できるように構成されてい る。その後、該光信号９１は大量かつ平行に処理されてその処理速度を高めると 共に、第６図は６゛−６°線に沿うアレイ９０の部分断面図である。好ましくは 、該アレイ９０はポリイミド層のような絶縁層９２を光信号処理回路８４°を有 するホスト基板８４上に供給することにより形成される。該ホスト基板８４はＳ 　ｉ、ＧａＡｓまたは他の適当な基板材料とすることができる。また、該ポリイ ミド層９２の厚さは約１〜４ミクロンである。次に、該ポリイミド層９２に穴９ ４が設けられる。この穴９４は、好ましくは金のような、金属または金属合金で 完全または部分的に充填されて内部接続部位９６を形成する。さらに、該薄膜光 検出器９８は、例えば、ＩｎｘＧａ＋−＊Ａｓ、Ｐ＋−，（ｎ型またはｐ型、Ｏ ＜ｘ＜１およびＯ＜ｙ＜１）のダイオード構造体またはその他の適当な半導体か ら成り、上述のリフトオフおよび結合プロセス６０，８０の−を用いて金属内部 接続部位９６に結合される。
該光検出器９８がＩ　ｎ　ｘＧ　ａ　＋−ｗＡ　ｓ　ｙＰ　Ｉ−Ｆから構成され ている場合、該金属内部接続部位９６は第２Ａ図示の如きＭＳＭダイオード接合 を形成するべく作用し、かつ、ホスト基板８４内の処理回路８４°に信号を連携 するべく作用する。また、該光検出器９８か第２Ｂ図示の如き接合部位またはダ イオードデバイスである場合は、当該金属内部接続部位９６は当該検出器９８を 処理回路８４゛に接続するべく作用する。なお、該金属内部接続部位９６が極め て短く、例えば、約１〜２ミクロンであるため、寄生容量は事実上全く該光検出 器９８の速度を低減しないと考えられる。
さらに、第６図示のように、各光検出器９８はその対応する処理回路８４゛に割 り当てられる。すなわち、該処理回路８４°は直接かつ迅速に光信号９１を処理 することができる。
さらに、ニュートラルネットワークを当該ホスト基板８４中に配置することがで きる。また、他の類似態様においては、データはホスト基板８４により部分的に 処理され、次いで、光信号データが遠隔ニュートラルネットワークまたは他の基 板に送られる。
また、当該処理回路を段階層の形状に構成することもできる。換言すれば、処理 回路の他の層（図示せず）により、該処理回路８４°の種々の素子からの結果を 集積することが可能になる。
■、第３リフトオフおよび結合プロセス第５図および６図について述べた光検出 器９８のアレイ９０は第３図および４図示の新規プロセス６０，８０を用いるこ とにより形成できる。しかしながら、本発明は、さらに、Ｉ　ｎ　ｘＧ　ａ　１ −ＨＡ　Ｓ　ｙＰ　＋−ｙを有する検出器９８のアレイ９０を形成するための第 ３のりフトオフおよび結合プロセス１００を開発している。
以下、当該第３リフトオフおよび結合プロセス１００を第７図に基づいて説明す る。なお、第７Ａ、７Ｂ、７０図に示す処理段階は第３Δ、３Ｂ、３Ｂ図および 第４Ａ、４Ｂ、４Ｂ図示の段階にそれぞれ類似しているので、後者の図面につい ての説明を当該７図の第３リフトオフおよび結合プロセス１００にも適用するこ とにする。つまり、第７Ａ図においては、成長基板６２に４層６４および薄膜材 料６６を形成する。なお、第７図示のプロセスにおいては、成長基板６２はＩｎ Ｐであり、該基板６２上に成長する４層６４はＩ　ｎ　ｘＧ　ａ　５−ｚＡ　Ｓ 　ｙＰ　ｓ−ｙ　’（ＯくＸ〈１およびＯ＜ｙ＜１）である。さらに、材料層６ ６もまた■ｎＨＧａ＋−ｗΔ３．１’、−，（０＜ｘ＜１および０＜ｙ＜１）で あり、同層は４層６４に成長する。次いで、第７Ｂ図示の如く、メサエッチング 処理を行って材料層６６から検出器９８を形成またはバタン化する。その後、該 検出器９８をキャリヤ層７４により完全に被覆して、第７０図示のように、これ を成長基板６２上に封じ込める。
このようにしてキャリヤ層７４を設けた後、該ＩｎＰ成長基板６２を第１エツチ ング溶液により除去する。好ましい実施例においては、該第１エツチング溶液は 例えばＨＣｌ　：　Ｈ，ＰＯ４（３：　１）である。なお、該第１エツチング溶 液は第７Ｄ図示の如＜　ＩｎＧａＡｓＰ犠層６４に作用層６４゜つまり、該１ｎ ＧａＡｓＰ犠層６４は発光、検出または変調作用を補助するために検出器９８特 表千７−５０８８５６　（１４） と共に、あるいは、その一部として残留する。これとは別に、第７Ｅ図示のよう に、例えば、好ましい実施例にオイテＨＦ　：　Ｈ２Ｏ２：　ｌ−１２０（１： 　１　：　１０）　ｔりＬＬＨｚＳｏ４：　トｌ２ｏ２：　ＨｚＯ（１：　１　 ：　１）から成る第２エツチング溶液を用いて当該ＩｎＧａＡｓＰ犠層６４を除 基層ることもできる。さらに、上記第２リフトオフおよび結合プロセス８０にお いて説明したように、当該検出器９８の両面に金属、半導体および／または誘電 体層を蒸着することできる。
したがって、該検出器９８をホスト基板８４上の任意の位置に選択的に整合また は結合することが可能である。
また、第７Ｆおよび７Ｇ図の連続処理段階で示すように、トランスファー媒体７ ６を用いて検出器９８をホスト基板８４に結合する前に反転することも可能であ る。
■　マイクロメカニカルデバイス 本発明はまたマイクロメカニカルデバイスに関する薄膜材料およびデバイスのモ ノリシック集積のための処理方法を提供する。マイクロメカニカルデバイスは集 積回路技法またはその関連技術を用いて形成されるデバイスであり、電気的エネ ルギーを機械的エネルギーに、あるいは、その逆の変換処理を実行する。一般に 、マイクロメカニカルデバイスは可動素子から構成される。すなわち、本発明に よれば、薄膜材料またはデバイスが成長基板上で形成および最適化され、次いで 、マイクロメカニカルデバイスの可動素子に結合される。
第８図の上面図で示されるように、好ましい実施例のマイクロメカニカルデバイ ス１１０は一般に方形の可動プラットホーム１１４上の薄膜光子デバイス１１２ を備えており、該プラットホームは基板１３４上の細長いレッグ部１４４ａ〜１ ４４ｄにより支持されている。なお、当業界においては、本発明のプラットホー ム１１４に類似する支持レッグを備える可動マイクロメカニカルプラットホーム が既に製造されており、このことについては、Ｙ、Ｗ、ＫｉｍおよびＭ、Ｇ、Ａ ｔ　ｆｅｎ　（本出願の共同発明者）の「清面を用いる単一かつ多層の表面マイ クロメカニカルプラットホームＪ　（Ｓｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏ ｒｓ、Ｖｏｌ、３５．Ｎｏ、１．Ｏｃｔ、１９９２．ｐｐ、６ｌ−６８）を参照 されたい。
すなわち、一般に約３５Ｖの外部電圧印加により、当該従来技術のプラットホー ムは垂直および水平方向にそれぞれ約５μｍおよび１５μｍに亙って動作するこ とができる。
一方、本発明のマイクロメカニカルデバイス１１０はプラットホーム１１４とそ の付随構造に独立して光子デバイス１１２を形成することにより作成される。す なわち、該光子デバイス１１２は第４Ａ〜４Ｈ図示の第２リフトオフおよび結合 プロセス８０の手法にしたがって形成された後、プラットホーム１１４に結合さ れる。なお、同ブ０セスは新規トランスファー媒体７６を使用する。
したがって、上記の４Ａ〜４Ｈ図示の第２リフトオフおよび結合プロセス８０に ついての詳細な説明がここでも適用できるので、当該光子デバイス１１２の形成 および結合については簡単に述べることにする。
すなわち、該光子デバイス１１２はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの二 重へテロ構造から構成されており、当該構造体は一定のバイアス電圧の印加によ りエミッタ、検出器またはモジュレータとして使用できる。
第９図は当該光子デバイス１１２の層構造１１３を示している。まず、同図に示 すように、０．２μｍ厚の未ドープＡｌＡｓ＠層１１８をＧａＡｓ成長基板１１ ６に対して格子整合状に形成する。次いで、光子デバイス１１２を該ＡｌＡｓ犠 層１ｌ８の上面に格子整合状に成長させる。その後、該４層１１８上に当該光子 デバイス１１２の二重へテロ構造のデバイス層を蒸着して以下のような連続層お よびパラメータから成るようにする。すなわち、Ａ　ｌｏ、ｇＧａｏ、７Ａｓ　 （ｎ＝＝３Ｘ１０”ｃｍ−”、ｏ。
５μｍ厚）のデバイス層１２２、ＧａＡｓ　（ｎ＜１０１１０ｌ４”、１．１μ ｍ）のデバイス層１２４、および、Ａ　ｌ　ｏ３Ｇ　ａｏ、ｔＡ　Ｓ　（ｐ＝　 １．　３　Ｘ　１０”ｃｍ−”、０゜５μｍ厚）のデバイス層１２６から成る。
さらに、該連続デバイス層１２４．１２６．１２８は非選択的および選択的Ｇａ Ａｓ／ＡｌＧａＡｓエツチング材の組み合わせによりメサエッチング処理される 。
次いで、標準的なフォトリングラフイック技法および金属エツチング技法を用い て該デバイス層１２６上にＡｕ　Ｚ　ｎ　／　Ａ　ｕの金属電極１２８を結合し バタン化する。
なお、該金属電極１２８は構造体１１３の上部に初期的に位置するが、トランス ファー媒体７６（第４Ｆおよび４Ｇ図）に結合することにより、当該金属電極１ ２８を備えるデバイス１１２を反転して、最終的な集積体において該金属電極１ ２６が該デバイス１１２の下部に存するようにできる。それゆえ、該金属電極１ ２８を当該光子デバイス１１２の下部電極と称する。
その後、該光子デバイス１１２をアビニシンＷ黒色ワックスから成るキャリヤ層 で被覆し、全構造体１１３を１Ｄ％ＨＦに浸漬してΔＩＡｓ犠層１基層を選択的 にエツチング除去する。成長基板１１６からの分離後、光子デバイス１１２をト ランスファー媒体７６に結合する。
好ましくは、該トランスファー媒体７６は透明ポリイミドダイアフラム７８から 構成されており、それゆえ、該デバイス１１２はホスト基板への結合時に性格か つ選択的に位置合わせすることができる。さらに、該デバイス１１２の位置合わ せの後、当該光子デバイス１１２を可動プラットホーム１１４に結合スる。
該プラットホーム１１４は第１０Ａ〜１０１図について詳述するような標準的精 密技法により形成する。すなわち、第１０Ａ図において、多数のＡｕ片状基板電 極１３２のアレイを電気的に絶縁したＳｉウェハ１３４上に形成する。次いで、 第１０Ｂ図示の如く、これらの基板電極１３２を該電極上に結合したポリイミド 層１３６により絶縁する。その後、第１００図示のように、好ましくは２．５〜 ３．０μｍの銅（Ｃｕ）リリース層１３８を該ポリイミド層１３６上に結合する 。さらに、第１０Ｄ図示のように、少なくとも一層で好ましくは三層のポリイミ ド層１４２を該Ｃｕリリース層１３８上に形成する。すなわち、該ポリイミド層 １４２は基本的にプラットホーム１１４の下部支持構造と支持レッグ１４４ａ〜 １４４ｄとを形成する。好ましい実施例においては、該プラットホームの大きさ はレッグ幅２０μｍおよび４０μｍをそれぞれ有する３６０μｍＸ３６０μｍま たは２００μｍＸ２００μｍであり、それぞれ２５０μｍＸ２５０μｍまたは１ ００μｍＸ１００μｍの大きさを有する光子デバイス１１２を収容する。
次に、第１０Ｅ図に示すように、ポリイミド層１４２を金（Ａｕ）層１４６で被 覆する。該Ａｕ層１４６は層１４２の全表面に亙って結合しており、さらに、第 ８図示の対向レッグ１４４ａ、１４４ｃ上に及んでいる。このＡｕ層１４６は光 子デバイス１１２のＡ　ｕ　Ｚ　ｎ　／　Ａ　ｕ金属下部電極１２８と容易に結 合または溶着するため、当該光子デバイス１１２のプラットホーム１１４への結 合を容易にする。つまり、ある意味では、該Ａｕ層１４６は該Ａ　ｕ　Ｚ　ｎ　 ／　Ａ　ｕ層１２８と共に当該マイクロメカニカルデバイス１１０の最終的な下 部電極を形成する。
さらに、該下部電極はレッグ１４４ａおよび１４４Ｃに沿う内部接続経路を介し て基板１３４の表面において電気的にアクセス可能である。
該Ａｕ層１４６の蒸着後、第１０Ｆ図示の如く、トランスファー媒体７６を用い て光子デバイス１１２をプラットホーム１４２に結合する。この手順は第４Ｆお よび４Ｇ図で詳述したものと同様である。次に、第１０Ｇ図示のように、ポリイ ミド絶縁層１４８をプラットホーム１１４および光子デバイス１１２の露出域上 に設けて、該光子デバイス１１２への上部アクセスウィンドウ１５２を、例えば 、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）技法等の適当な技法により形成する。
その後、第１０１−１図示のように、該マイクロメカニカルデバイス１１０の上 部電極１５４を形成する。すなわち、該上部電極１５４は、光子デバイス１１２ の表面周囲を被覆し、かつ、第８図示の如くプラットホーム１１４の対向レッグ １４４ｂおよび１４４ｄの表面に沿うように形成される。
次いで、第１０Ｉ図示のように、銅リリース層１３８をＦ　ｅ　Ｃｌ　ｓ溶液で エツチングして基板１３４から除去して集積薄膜光子デバイス１１２とプラット ホーム１１４とを有するマイクロメカニカルデバイス１１０を形成する。
この時点で、該光子デバイス１１２は３個の有効な電極源、すなわち、基板電極 １３２、下部電極１２８および上部電極１５４に電圧を印加することにより電気 的に作動できる。なお、該下部および上部電極１２８．１５４はそれぞれのプラ ットホームレッグ１４４ａ、１４４Ｃおよび１４４ｂ、１４４ｄの端部において パッド１５６ａ、１５６Ｃおよび１５６ｂ、１５６ｄを介してプローブ処理でき る。而して、該上部および下部電極１５４および１２８の間に電圧を印加すると 、該装置１１２は発光し光を検出する。さらに、該下部電極１２８および基板電 極１３２の間に電圧または電流供給源等の電気供給源を印加すると、該プラット ホーム１１４は垂直および／横方向に移動する。すなわち、該プラットホーム１ １４は、選択的に励起できる基板電極１３２の離間アレイにより、垂直および／ または水平の多数の方向に移動可能となる。
而して、本発明のマイクロメカニカルデバイス１１０は従来技術に比して多くの 利点を有する。すなわち、これまでの光子素子を伴うマイクロメカニカルデバイ スの製造技法は主に発光可能なガリウムひ素またはその他の化合物半導体材料の 精密加工に集中していたが、これらの技法はシリコンの優れた機械特性を欠いて おり、当該シリコンに比して、精密加工や回路製造の容易さを実現し得るもので はなかった。一方、本発明においては、シリコンのすべての利点を伴う光の処理 および誘導機能を組み合わせたマイクロオプトメカニカルシステムが形成できる 。
このようなマイクロメカニカルデバイス１１０には多くの用途がある。例えば、 光電子産業において、発光エミッタや検出器へのファイバーの手動の位置合わせ に費用や時間かかかり、このような光ファイバーのいわゆる「ピッグティル型」 製品の最終コストはその各成分の総コストよりもはるかに高くなる。しかも、現 在使用されている自動位置合わせシステムでは、ファイバー目体を所定の位置に 移動して光電子デバイスを固定している。
これらの技法は比較的大量のファイバーおよび移動距離を実現するために、一般 に高電圧圧電または静電作用を利用するものである。一方、本発明のマイクロメ カニカルデバイス１１０はより経済的かつ効率的な結合方式を提供する。したか って、該マイクロメカニカルデバイス１１０は、上記の基板電極１３２および下 部電極１４６に電気的な制御信号を印加することにより光子デバイス１１２を移 動しながら、光ファイバーを固定した状態で該光ファイバーによる自動的なエミ ッタ／検出器の位置合わせに使用できる。
また、このマイクロメカニカルデバイス１１０の他の用途には、加速度計のよう な干渉計測装置および種々の波長の光信号の選択的受信を要する通信用途等が挙 げられる。なお、該マイクロメカニカルデバイス１１０を用いる干渉計測装置に ついては、該マイクロメカニカルデバイス１１０が移動し、当該移動中に、その 慣性によりプラットホーム１１４と光子デバイス１１２とが移動し、その結果、 当該プラットホーム１１４の下方のキャビティ１３８°の形状が変化する。さら に、このキャビティ形状の変化は検出器が感応できる光の波長を制御するか、エ ミッタの動作周波数を制御するために利用できる。すなわち、当該デバイス１１ ２、キャビティ１３８゛および基板１３４から成る光システムの送信特性は該キ ャビティ１３８°　の大きさの変化により変更される。
なお、通信用途においては、該マイクロメカニカルデバイス１１０をフィルタと して作用させることもできる。
すなわち、光子デバイス１１２を基板１３４上の特定距離に位置させて一定の波 長または帯域幅の光だけを処理できるように受信することを可能にする。
当業者においては、本発明の教示に逸脱することなく、他の多くの変形や変更が 容易に可能である。すなわち、当該変形ならびに変更のすべては本発明の範囲に 含まれるものであり、これらを以下に記載する請求の範囲に規定する。
光信号 フロントページの続き Ｃ，ＮＬ、ＰＴ、ＳＥ）、ＣＡ、ＪＰ ア州　アトランタ　スバルデイング　ドライブ　４２５

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. １．成長基板上に位置する犠層上に薄膜材料を蒸着する段階と、 該材料をキャリヤ層で被覆する段階と、該犠層を除去して該材料とキャリヤ層と の組合せ体を該成長基板から分離する段階と、 該材料をトランスファー媒体上に配置する段階と、該キャリヤ層を除去する段階 とから成り、当該トランスファー媒体が当該材料との間の結合を解消して該材料 の離脱を可能にする構成を有していることを特徴とする成長基板から薄膜材料を リフトオフするためのプロセス。
  2. ２．さらに、前記材料を前記キャリヤ層で被覆する前に同材料をパタン化する段 階から成ることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
  3. ３．成長基板上に位置する犠層上に薄膜材料を蒸着する段階と、 該材料中にデバイスを形成する段階と、該デバイスをキャリヤ層で被覆する段階 と、該犠層を除去して該デバイスとキャリヤ層との組合せ体を該成長基板から分 離する段階と、 該デバイスをトランスファー媒体上に配置する段階と、該キャリヤ層を除去する 段階とから成り、当該トランスファー媒体が当該デバイスとの間の結合を解消し て該デバイスの離脱を可能にする構成を有していることを特徴とする成長基板か ら薄膜デバイスをリフトオフするためのプロセス。
  4. ４．成長基板上に位置する犠層上に薄膜材料を蒸着する段階と、 該材料をキャリヤ層で被覆する段階と、該犠層を除去して該材料とキャリヤ層と の組合せ体を該成長基板から分離する段階と、 該材料をトランスファー媒体上に配置する段階と、該キャリヤ層を除去する段階 と、 該材料を該トランスファー媒体からホスト基板に結合する段階とから成ることを 特徴とする薄膜材料を成長基板から分離し、かつ、同材料をホスト基板に結合す るためのプロセス。
  5. ５．さらに、前記材料を前記キャリヤ層で被覆する前に同材料をパタン化する段 階から成ることを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
  6. ６．成長基板上に位置する犠層上に薄膜材料を蒸着する段階と、 該材料中にデバイスを形成する段階と、該デバイスをキャリヤ層で被覆する段階 と、該犠層を除去して該デバイスとキャリヤ層との組合せ体を該成長基板から分 離する段階と、 該デバイスをトランスファー媒体上に配置する段階と、該キャリヤ層を除去する 段階と、 該デバイスを該トランスファー媒体からホスト基板に結合する段階とから成るこ とを特徴とする薄膜デバイスを成長基板から分離し、かつ、同デバイスをホスト 基板に結合するためのプロセス。
  7. ７．前記デバイスがほぼ対向する第１および第２の面を有しており、さらに、 該デバイスを前記キャリヤ層で被覆する前に同デバイスを前記成長基板上に置い た状態で当該第１面上に第１の材料層を蒸着する段階と、 該デバイスを前記ホスト基板に結合した後に当該第２面上に第２の材料層を蒸着 する段階とから成ることを特徴とする請求項６に記載のプロセス。
  8. ８．前記第１および第２の材料層がミラー層であることを特徴とする請求項７に 記載のプロセス。
  9. ９．前記ホスト基板がマイクロメカニカルデバイス内の可動素子であることを特 徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のプロセス。
  10. １０．前記デバイスが光子デバイスであり、前記ホスト基板が当該光子デバイス を操作するための可動素子であることを特徴とする請求項３または６に記載のプ ロセス。
  11. １１．前記デバイスが光子デバイスであり、前記ホスト基板が別の基板上のレッ グ部により支持される可動のプラットホームから成ることを特徴とする請求項３ または６に記載のプロセス。
  12. １２．成長基板上に位置する犠層上に薄膜材料を蒸着する段階と、 該材料をキャリヤ層で被覆する段階と、該成長基板を除去する段階と、 該犠層を除去する段階と、 該材料をトランスファー媒体上に配置する段階と、該キャリヤ層を除去する段階 と、 該材料を該トランスファー媒体からホスト基板に結合する段階とから成ることを 特徴とする薄膜材料を成長基板から分離し、かつ、同材料をホスト基板に結合す るためのプロセス。
  13. １３．さらに、前記材料を前記キャリヤ層で被覆する前に同材料をパタン化する 段階から成ることを特徴とする請求項１２に記載のプロセス。
  14. １４．成長基板上に位置する犠層上に薄膜材料を蒸着する段階と、 該薄膜材料中にデバイスを形成する段階と、該デバイスをキャリヤ層で被覆する 段階と、該成長基板を除去する段階と、 該犠層を除去する段階と、 該デバイスをトランスファー媒体に結合する段階と、該キャリヤ層を除去する段 階と、 該材料を該トランスファー媒体からホスト基板に結合する段階とから成ることを 特徴とする薄膜デバイスを成長基板から分離し、かつ、同デバイスをホスト基板 に結合するためのプロセス。
  15. １５．情報によりコード化した電磁信号を薄膜半導体検出手段に送るための薄膜 半導体エミッタ手段から成り、該エミッタ手段および該検出手段が集積回路に結 合していることを特徴とするモノリシックな多層集積回路。
  16. １６．第１および第２の面を有する基板と、電磁信号を該第１面の方向に向けて 送るべく位置するエミッタと、 該電磁信号を該第２面の方向から受け取るべく位置する検出器とから成り、 当該エミッタおよび検出器が集積回路に結合していることを特徴とするモノリシ ックな多層集積回路。
  17. １７．上部および下部とこれらを貫通して該上部を該下部において基板に接続す る電気的接続部位とを有する第１の層と、 該上部において該電気的接続部位と接続して結合する薄膜半導体層とから成るこ とを特徴とするモノリシックな多層集積回路。
  18. １８．上部および下部とこれらを貫通して電気的信号を処理するべく構成された 処理回路を備える基板に至る金属製の電気的接続部位とを有する層と、該上部に 結合して該金属製電気的接続部位と接続する薄膜半導体層とから成り、当該薄膜 半導体層と金属製電気的接続部位との組合せ構造が外部供給源からの光信号を受 け取って当該光信号を電気的信号に変換することを特徴とする画像処理システム における集積回路用光検出器。
  19. １９．基板上のレッグ部により支持される可動プラットホームから成り、該基板 が基板電極を有し、また、該プラットホームが下部電極を有しており、該プラッ トホームが該基板電極と下部電極との間に第１の電気供給源を印加することによ り移動し、さらに、 該プラットホーム上に存してこれと共に移動可能な光子デバイスから成り、該光 子デバイスが上部電極を有しており、かつ、該上部電極と下部電極との間に第２ の電気供給源が印加される時に光インターフェイスとして作用することを特徴と する集積回路による高効率かつ操作可能な光学的連結を提供するためのマイクロ メカニカルデバイス。
  20. ２０．第１および第２の面を有する活性領域と、該第１面近傍に位置する第１の ミラー層とから成り、該第１ミラー層が該活性領域の第１の基板上への蒸着後に 蒸着され、さらに、 該第２面近傍に位置する第２のミラー層から成り、該第２ミラー層が該活性領域 と第１ミラー層との第２の基板への結合後に蒸着されることを特徴とする共鳴キ ャビティデバイス。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016503582A (ja) * 2012-11-14 2016-02-04 クアルコム，インコーポレイテッド シリコン貫通光インターコネクト

Families Citing this family (279)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835255A (en) * 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
US6569382B1 (en) 1991-11-07 2003-05-27 Nanogen, Inc. Methods apparatus for the electronic, homogeneous assembly and fabrication of devices
US6652808B1 (en) * 1991-11-07 2003-11-25 Nanotronics, Inc. Methods for the electronic assembly and fabrication of devices
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) * 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US8081369B2 (en) * 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7852545B2 (en) * 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US20010003487A1 (en) * 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US7800809B2 (en) * 1994-05-05 2010-09-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US8014059B2 (en) * 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7839556B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7123216B1 (en) * 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6710908B2 (en) 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7297471B1 (en) 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7898722B2 (en) 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US6211572B1 (en) * 1995-10-31 2001-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip package with fan-in leads
US6284563B1 (en) * 1995-10-31 2001-09-04 Tessera, Inc. Method of making compliant microelectronic assemblies
US7907319B2 (en) * 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
US5799030A (en) * 1996-07-26 1998-08-25 Honeywell Inc. Semiconductor device with a laser and a photodetector in a common container
IL119046A0 (en) * 1996-08-09 1997-01-10 Yeda Res & Dev Monolithically integrated infrared detector circuits
US5738799A (en) * 1996-09-12 1998-04-14 Xerox Corporation Method and materials for fabricating an ink-jet printhead
US5820771A (en) * 1996-09-12 1998-10-13 Xerox Corporation Method and materials, including polybenzoxazole, for fabricating an ink-jet printhead
US7929197B2 (en) * 1996-11-05 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
WO1999054775A1 (fr) * 1996-11-13 1999-10-28 Seiko Epson Corporation Procede de production d'un dispositif de modulation de lumiere et d'un projecteur
JP3695494B2 (ja) 1996-11-13 2005-09-14 セイコーエプソン株式会社 光変調デバイス、その製造方法および表示装置
US6706473B1 (en) 1996-12-06 2004-03-16 Nanogen, Inc. Systems and devices for photoelectrophoretic transport and hybridization of oligonucleotides
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
JP4032454B2 (ja) * 1997-06-27 2008-01-16 ソニー株式会社 三次元回路素子の製造方法
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
KR100703140B1 (ko) 1998-04-08 2007-04-05 이리다임 디스플레이 코포레이션 간섭 변조기 및 그 제조 방법
US6091197A (en) * 1998-06-12 2000-07-18 Xerox Corporation Full color tunable resonant cavity organic light emitting diode
US6721503B1 (en) * 1998-08-26 2004-04-13 Georgia Tech Research Corporation System and method for bi-directional optical communication using stacked emitters and detectors
US6093938A (en) * 1999-05-25 2000-07-25 Intel Corporation Stacked die integrated circuit device
JP3990846B2 (ja) * 1999-08-27 2007-10-17 キヤノン株式会社 面型光素子、その製造方法、およびこれを用いた装置
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6214733B1 (en) 1999-11-17 2001-04-10 Elo Technologies, Inc. Process for lift off and handling of thin film materials
WO2001042820A2 (en) * 1999-12-02 2001-06-14 Teraconnect, Inc. Method of making optoelectronic devices using sacrificial devices
JP2001274528A (ja) 2000-01-21 2001-10-05 Fujitsu Ltd 薄膜デバイスの基板間転写方法
US6716657B1 (en) * 2000-05-26 2004-04-06 Agere Systems Inc Method for interconnecting arrays of micromechanical devices
US6677225B1 (en) * 2000-07-14 2004-01-13 Zyvex Corporation System and method for constraining totally released microcomponents
DE60124766T2 (de) 2000-08-04 2007-10-11 Amberwave Systems Corp. Siliziumwafer mit monolithischen optoelektronischen komponenten
DE10040448A1 (de) * 2000-08-18 2002-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US6531947B1 (en) 2000-09-12 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Direct acting vertical thermal actuator with controlled bending
US6483419B1 (en) 2000-09-12 2002-11-19 3M Innovative Properties Company Combination horizontal and vertical thermal actuator
US6708491B1 (en) 2000-09-12 2004-03-23 3M Innovative Properties Company Direct acting vertical thermal actuator
JP4803884B2 (ja) 2001-01-31 2011-10-26 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
JP4708577B2 (ja) * 2001-01-31 2011-06-22 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
US6438954B1 (en) 2001-04-27 2002-08-27 3M Innovative Properties Company Multi-directional thermal actuator
US6589625B1 (en) 2001-08-01 2003-07-08 Iridigm Display Corporation Hermetic seal and method to create the same
JP2003197881A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Seiko Epson Corp 半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、半導体素子部材、電気光学装置、電子機器
JP4211256B2 (ja) * 2001-12-28 2009-01-21 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、電気光学装置、電子機器
US6794119B2 (en) * 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US6664124B1 (en) * 2002-04-12 2003-12-16 Raytheon Company Fabrication of thin-film optical devices
JP3846367B2 (ja) * 2002-05-30 2006-11-15 セイコーエプソン株式会社 半導体素子部材及び半導体装置並びにそれらの製造方法、電気光学装置、電子機器
JP3870848B2 (ja) * 2002-06-10 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路、電気光学装置、電子機器および半導体集積回路の製造方法
JP2004022901A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Seiko Epson Corp 光インターコネクション集積回路、光インターコネクション集積回路の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP3812500B2 (ja) * 2002-06-20 2006-08-23 セイコーエプソン株式会社 半導体装置とその製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2004047691A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
US7781850B2 (en) * 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
JP3952923B2 (ja) * 2002-10-01 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 光インターコネクション回路の製造方法
JP2004172965A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Seiko Epson Corp チップ間光インターコネクション回路、電気光学装置および電子機器
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
JP2004264505A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Seiko Epson Corp 光ファイバ送受信モジュール、光ファイバ送受信モジュールの製造方法及び電子機器
TW594360B (en) * 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US20040245538A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Xiaolin Wang Double sided optoelectronic integrated circuit
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US7012726B1 (en) 2003-11-03 2006-03-14 Idc, Llc MEMS devices with unreleased thin film components
US7161728B2 (en) * 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7532194B2 (en) * 2004-02-03 2009-05-12 Idc, Llc Driver voltage adjuster
US7342705B2 (en) 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7119945B2 (en) * 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US7706050B2 (en) * 2004-03-05 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated modulator illumination
US7720148B2 (en) * 2004-03-26 2010-05-18 The Hong Kong University Of Science And Technology Efficient multi-frame motion estimation for video compression
US7202141B2 (en) * 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
US7060895B2 (en) * 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7164520B2 (en) 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US7256922B2 (en) * 2004-07-02 2007-08-14 Idc, Llc Interferometric modulators with thin film transistors
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
EP2246726B1 (en) * 2004-07-29 2013-04-03 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7791290B2 (en) 2005-09-30 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Ultra-small resonating charged particle beam modulator
US7626179B2 (en) 2005-09-30 2009-12-01 Virgin Island Microsystems, Inc. Electron beam induced resonance
US7586097B2 (en) 2006-01-05 2009-09-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Switching micro-resonant structures using at least one director
US7446926B2 (en) * 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc System and method of providing a regenerating protective coating in a MEMS device
US8124434B2 (en) * 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7321456B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7553684B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7586484B2 (en) * 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US20060065622A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Floyd Philip D Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency
US7359066B2 (en) * 2004-09-27 2008-04-15 Idc, Llc Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators
US7916103B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with end-of-life phenomena
US7701631B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US7368803B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion
US7299681B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc Method and system for detecting leak in electronic devices
US7420728B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7259449B2 (en) * 2004-09-27 2007-08-21 Idc, Llc Method and system for sealing a substrate
US7653371B2 (en) * 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US7692839B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7373026B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US8008736B2 (en) * 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7808703B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7460246B2 (en) * 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7424198B2 (en) 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US20060065366A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Cummings William J Portable etch chamber
US7349136B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US7317568B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7898521B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for wavelength filtering
US7630119B2 (en) * 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7417735B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices
US7343080B2 (en) 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7813026B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of reducing color shift in a display
US7710632B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters
US7668415B2 (en) * 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US20060077126A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Manish Kothari Apparatus and method for arranging devices into an interconnected array
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7920135B2 (en) * 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7405861B2 (en) * 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US20060066596A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7719500B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7415186B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-19 Idc, Llc Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects
US20060066557A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Floyd Philip D Method and device for reflective display with time sequential color illumination
US7554714B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7289259B2 (en) * 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7304784B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7684104B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7372613B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US20060103643A1 (en) * 2004-09-27 2006-05-18 Mithran Mathew Measuring and modeling power consumption in displays
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7130104B2 (en) * 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7405924B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
US7573547B2 (en) * 2004-09-27 2009-08-11 Idc, Llc System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device
US7535466B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7369296B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7936497B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7453579B2 (en) 2004-09-27 2008-11-18 Idc, Llc Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators
US7289256B2 (en) * 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Electrical characterization of interferometric modulators
US7527995B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US7369294B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US20060176487A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US7710629B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US20060067650A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques
US7492502B2 (en) * 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7564612B2 (en) * 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7417783B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7161730B2 (en) 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
TW200628877A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
CN100365810C (zh) * 2005-03-15 2008-01-30 李奕权 漫射和镭射光电偶合的集成电路信号线
US20060277486A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Skinner David N File or user interface element marking system
DE102005030465B4 (de) * 2005-06-28 2007-12-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterstapelblock mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
US7983572B2 (en) * 2005-06-30 2011-07-19 Finisar Corporation Electro-absorption modulator integrated with a vertical cavity surface emitting laser
WO2007013939A1 (en) * 2005-07-22 2007-02-01 Qualcomm Incorporated Support structure for mems device and methods therefor
WO2007064358A2 (en) 2005-09-30 2007-06-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Structures and methods for coupling energy from an electromagnetic wave
US7630114B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US7579609B2 (en) 2005-12-14 2009-08-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling light of light emitting resonator to waveguide
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7619373B2 (en) 2006-01-05 2009-11-17 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US7470920B2 (en) 2006-01-05 2008-12-30 Virgin Islands Microsystems, Inc. Resonant structure-based display
US7636151B2 (en) * 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7916980B2 (en) * 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7282776B2 (en) 2006-02-09 2007-10-16 Virgin Islands Microsystems, Inc. Method and structure for coupling two microcircuits
US7582952B2 (en) * 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
US7547568B2 (en) * 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) * 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7443358B2 (en) 2006-02-28 2008-10-28 Virgin Island Microsystems, Inc. Integrated filter in antenna-based detector
US7605835B2 (en) 2006-02-28 2009-10-20 Virgin Islands Microsystems, Inc. Electro-photographic devices incorporating ultra-small resonant structures
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7558490B2 (en) 2006-04-10 2009-07-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Resonant detector for optical signals
US7643203B2 (en) 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
WO2007120887A2 (en) * 2006-04-13 2007-10-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc Packaging a mems device using a frame
US7903047B2 (en) * 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US20070249078A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7417784B2 (en) * 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7623287B2 (en) * 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7527996B2 (en) * 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US8004743B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display
US7876793B2 (en) 2006-04-26 2011-01-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Micro free electron laser (FEL)
US7646991B2 (en) 2006-04-26 2010-01-12 Virgin Island Microsystems, Inc. Selectable frequency EMR emitter
US7492868B2 (en) 2006-04-26 2009-02-17 Virgin Islands Microsystems, Inc. Source of x-rays
US7369292B2 (en) * 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7476907B2 (en) 2006-05-05 2009-01-13 Virgin Island Microsystems, Inc. Plated multi-faceted reflector
US7718977B2 (en) 2006-05-05 2010-05-18 Virgin Island Microsystems, Inc. Stray charged particle removal device
US7723698B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Top metal layer shield for ultra-small resonant structures
US7342441B2 (en) 2006-05-05 2008-03-11 Virgin Islands Microsystems, Inc. Heterodyne receiver array using resonant structures
US7557647B2 (en) 2006-05-05 2009-07-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Heterodyne receiver using resonant structures
US7359589B2 (en) 2006-05-05 2008-04-15 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling electromagnetic wave through microcircuit
US8188431B2 (en) * 2006-05-05 2012-05-29 Jonathan Gorrell Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit
US7586167B2 (en) 2006-05-05 2009-09-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Detecting plasmons using a metallurgical junction
US7656094B2 (en) 2006-05-05 2010-02-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Electron accelerator for ultra-small resonant structures
US7443577B2 (en) 2006-05-05 2008-10-28 Virgin Islands Microsystems, Inc. Reflecting filtering cover
US7746532B2 (en) 2006-05-05 2010-06-29 Virgin Island Microsystems, Inc. Electro-optical switching system and method
US7728702B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material
US7728397B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupled nano-resonating energy emitting structures
US7569836B2 (en) 2006-05-05 2009-08-04 Virgin Islands Microsystems, Inc. Transmission of data between microchips using a particle beam
US7986113B2 (en) 2006-05-05 2011-07-26 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US7442940B2 (en) 2006-05-05 2008-10-28 Virgin Island Microsystems, Inc. Focal plane array incorporating ultra-small resonant structures
US7732786B2 (en) 2006-05-05 2010-06-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam
US7436177B2 (en) 2006-05-05 2008-10-14 Virgin Islands Microsystems, Inc. SEM test apparatus
US7583370B2 (en) 2006-05-05 2009-09-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Resonant structures and methods for encoding signals into surface plasmons
US7741934B2 (en) 2006-05-05 2010-06-22 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling a signal through a window
US7710040B2 (en) 2006-05-05 2010-05-04 Virgin Islands Microsystems, Inc. Single layer construction for ultra small devices
US7554083B2 (en) 2006-05-05 2009-06-30 Virgin Islands Microsystems, Inc. Integration of electromagnetic detector on integrated chip
US7573045B2 (en) 2006-05-15 2009-08-11 Virgin Islands Microsystems, Inc. Plasmon wave propagation devices and methods
US7679067B2 (en) 2006-05-26 2010-03-16 Virgin Island Microsystems, Inc. Receiver array using shared electron beam
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) * 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7405863B2 (en) * 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7471442B2 (en) 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7655934B2 (en) 2006-06-28 2010-02-02 Virgin Island Microsystems, Inc. Data on light bulb
US7835061B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7385744B2 (en) * 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7388704B2 (en) * 2006-06-30 2008-06-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7566664B2 (en) * 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US20080043315A1 (en) * 2006-08-15 2008-02-21 Cummings William J High profile contacts for microelectromechanical systems
US7450794B2 (en) 2006-09-19 2008-11-11 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microcircuit using electromagnetic wave routing
US7560716B2 (en) 2006-09-22 2009-07-14 Virgin Islands Microsystems, Inc. Free electron oscillator
EP2366946A1 (en) 2006-10-06 2011-09-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss layer integrated in an illumination apparatus of a display
EP1943551A2 (en) 2006-10-06 2008-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light guide
US7659513B2 (en) 2006-12-20 2010-02-09 Virgin Islands Microsystems, Inc. Low terahertz source and detector
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7990336B2 (en) 2007-06-19 2011-08-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays
US20090078316A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Qualcomm Incorporated Interferometric photovoltaic cell
US7791053B2 (en) 2007-10-10 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures
US8058549B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
EP2210280A2 (en) * 2007-10-19 2010-07-28 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Display with integrated photovoltaic device
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
JP2011507306A (ja) * 2007-12-17 2011-03-03 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉裏側マスクを有する光起電力装置
JP2011508430A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 多接合光起電力セル
WO2009155122A2 (en) * 2008-05-30 2009-12-23 Alta Devices, Inc. Epitaxial lift off stacks and methods
US8602707B2 (en) * 2008-05-30 2013-12-10 Alta Devices, Inc. Methods and apparatus for a chemical vapor deposition reactor
US20090323170A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Groove on cover plate or substrate
US7719754B2 (en) 2008-09-30 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same
CN102246273A (zh) * 2008-10-10 2011-11-16 奥塔装置公司 连续进给式化学气相沉积
CA2739327A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Alta Devices, Inc. Mesa etch method and composition for epitaxial lift off
WO2010044901A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell
US20100096011A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules
CN102301450A (zh) * 2008-12-08 2011-12-28 奥塔装置公司 用于外延剥离的多个堆栈沉积
CN102301456A (zh) 2008-12-17 2011-12-28 奥塔装置公司 基于带的外延剥离设备和方法
EP2401768A4 (en) 2009-02-27 2013-07-17 Alta Devices Inc TILTED SUBSTRATES FOR SEPARATION AND EPITACTIC LEAKAGE PROCESSES
US9834860B2 (en) * 2009-10-14 2017-12-05 Alta Devices, Inc. Method of high growth rate deposition for group III/V materials
US11393683B2 (en) 2009-10-14 2022-07-19 Utica Leaseco, Llc Methods for high growth rate deposition for forming different cells on a wafer
US8379392B2 (en) * 2009-10-23 2013-02-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light-based sealing and device packaging
JP2013524287A (ja) 2010-04-09 2013-06-17 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US20160086960A1 (en) * 2014-09-22 2016-03-24 Texas Instruments Incorporated Low-Temperature Passivation of Ferroelectric Integrated Circuits for Enhanced Polarization Performance
CN115113344A (zh) * 2021-03-18 2022-09-27 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 无接触式连接器及其组件
CN117328139B (zh) * 2023-09-14 2024-05-10 西安交通大学 一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971860A (en) * 1973-05-07 1976-07-27 International Business Machines Corporation Method for making device for high resolution electron beam fabrication
US4016644A (en) * 1974-03-18 1977-04-12 Kulite Semiconductor Products, Inc. Methods of fabricating low pressure silicon transducers
US3959045A (en) * 1974-11-18 1976-05-25 Varian Associates Process for making III-V devices
JPS584470B2 (ja) * 1975-04-02 1983-01-26 株式会社日立製作所 ヒカリケツゴウハンドウタイソウチ オヨビ ソノセイホウ
JPS5270752A (en) * 1975-12-10 1977-06-13 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
GB1557685A (en) * 1976-02-02 1979-12-12 Fairchild Camera Instr Co Optically coupled isolator device
US4152713A (en) * 1977-12-05 1979-05-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Unidirectional optical device and regenerator
GB1603260A (en) * 1978-05-31 1981-11-25 Secr Defence Devices and their fabrication
JPS57106181A (en) * 1980-12-24 1982-07-01 Toshiba Corp Integrated circuit
US4426768A (en) * 1981-12-28 1984-01-24 United Technologies Corporation Ultra-thin microelectronic pressure sensors
JPS5929477A (ja) * 1982-08-11 1984-02-16 Nec Corp 発光素子
JPS60147192A (ja) * 1984-01-11 1985-08-03 株式会社日立製作所 プリント配線板の製造方法
GB2152749A (en) * 1984-01-14 1985-08-07 Peter Michael Jeffery Morrish Interconnection of integrated circuitry by light
US4670765A (en) * 1984-04-02 1987-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor photodetector element
JPS613450A (ja) * 1984-06-18 1986-01-09 Hiroshima Daigaku 三次元光結合共有メモリ集積装置
US4596070A (en) * 1984-07-13 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Interdigitated IMPATT devices
JPH069334B2 (ja) * 1984-09-03 1994-02-02 株式会社東芝 光・電気集積化素子
US4584039A (en) * 1984-12-26 1986-04-22 Hughes Aircraft Co. Fine line flexible cable fabrication process
JPS61193479A (ja) * 1985-02-22 1986-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd 固体カラ−撮像デバイス
US4766471A (en) * 1986-01-23 1988-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electro-optical devices
JPS62285432A (ja) * 1986-06-03 1987-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気的接続材料のマイクロ形成方法
US4975390A (en) * 1986-12-18 1990-12-04 Nippondenso Co. Ltd. Method of fabricating a semiconductor pressure sensor
US4755474A (en) * 1986-12-22 1988-07-05 Motorola Inc. Method of assembling an optocoupler
JPS63276228A (ja) * 1987-05-07 1988-11-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4782028A (en) * 1987-08-27 1988-11-01 Santa Barbara Research Center Process methodology for two-sided fabrication of devices on thinned silicon
US4899204A (en) * 1987-12-01 1990-02-06 General Electric Company High voltage switch structure with light responsive diode stack
US4897360A (en) * 1987-12-09 1990-01-30 Wisconsin Alumni Research Foundation Polysilicon thin film process
US4846931A (en) * 1988-03-29 1989-07-11 Bell Communications Research, Inc. Method for lifting-off epitaxial films
EP0335104A3 (de) * 1988-03-31 1991-11-06 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum optischen Verbinden eines oder mehrerer optischer Sender mit einem oder mehreren optischen Detektoren eines oder mehrerer integrierter Schaltkreise
US5023944A (en) * 1989-09-05 1991-06-11 General Dynamics Corp./Electronics Division Optical resonator structures
US5093879A (en) * 1990-06-22 1992-03-03 International Business Machines Corporation Electro-optical connectors
US5102821A (en) * 1990-12-20 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated SOI/semiconductor heterostructure fabrication by wafer bonding of polysilicon to titanium
US5171712A (en) * 1991-12-20 1992-12-15 Vlsi Technology, Inc. Method of constructing termination electrodes on yielded semiconductor die by visibly aligning the die pads through a transparent substrate
US5280184A (en) * 1992-04-08 1994-01-18 Georgia Tech Research Corporation Three dimensional integrated circuits with lift-off

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016503582A (ja) * 2012-11-14 2016-02-04 クアルコム，インコーポレイテッド シリコン貫通光インターコネクト

Also Published As

Publication number Publication date
WO1993021663A1 (en) 1993-10-28
US5401983A (en) 1995-03-28

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Zhu et al. Wafer bonding technology and its applications in optoelectronic devices and materials
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