JPH0757993A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的接近した複数の孤立パターンに対して
も転写忠実度を損なうことなく深い焦点深度で投影露光
を行う。 【構成】 投影光学系の瞳面(フーリエ変換面)又はこ
の近傍の面上の、中央の円形の透過部FAの結像光と周
辺の輪帯状の透過部FBの結像光との間の可干渉性を低
減する干渉性低減部材CCMと、中央の透過部FAを通
る光束の合焦位置と、周辺の透過部FBを通る光束の合
焦位置とを、投影光学系の光軸方向に異ならしめる二重
焦点化部材DFMとを設ける。
も転写忠実度を損なうことなく深い焦点深度で投影露光
を行う。 【構成】 投影光学系の瞳面(フーリエ変換面)又はこ
の近傍の面上の、中央の円形の透過部FAの結像光と周
辺の輪帯状の透過部FBの結像光との間の可干渉性を低
減する干渉性低減部材CCMと、中央の透過部FAを通
る光束の合焦位置と、周辺の透過部FBを通る光束の合
焦位置とを、投影光学系の光軸方向に異ならしめる二重
焦点化部材DFMとを設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回
路、又は液晶ディスプレイ等の微細パターンを形成する
際に用いられる投影露光装置に関する。
路、又は液晶ディスプレイ等の微細パターンを形成する
際に用いられる投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の投影型露光装置に使われている
投影光学系は、硝材の超精密加工、及び精密な組立て調
整工程を経て装置内に組み込まれる。現在、半導体集積
回路等の製造工程では、水銀ランプのi線(波長365
nm)を照明光としてレチクル(マスク)を照明し、そ
のレチクル上の回路パターンの透過光を投影光学系を介
して感光基板(フォトレジストが塗布されたウエハ等)
上に結像するステッパーが主に使われている。また、評
価用、あるいは研究用としてエキシマレーザ光(波長2
48nmのKrFレーザ等)を照明光とする所謂エキシ
マステッパーも使われている。エキシマステッパー用の
投影光学系は、屈折レンズのみで構成した場合、使用で
きる硝材が石英や蛍石等に限定される。
投影光学系は、硝材の超精密加工、及び精密な組立て調
整工程を経て装置内に組み込まれる。現在、半導体集積
回路等の製造工程では、水銀ランプのi線(波長365
nm)を照明光としてレチクル(マスク)を照明し、そ
のレチクル上の回路パターンの透過光を投影光学系を介
して感光基板(フォトレジストが塗布されたウエハ等)
上に結像するステッパーが主に使われている。また、評
価用、あるいは研究用としてエキシマレーザ光(波長2
48nmのKrFレーザ等)を照明光とする所謂エキシ
マステッパーも使われている。エキシマステッパー用の
投影光学系は、屈折レンズのみで構成した場合、使用で
きる硝材が石英や蛍石等に限定される。
【0003】一般に、投影光学系を用いた露光によって
微細なレチクルパターンを感光基板へ忠実に転写するた
めには、投影光学系の解像力と焦点深度(DOF:デプ
スオブフォーカス)とが重要なファクタとなっている。
現在実用化されている投影光学系のうち、i線用のもの
で開口数(NA)として0.6程度のものが得られてい
る。使用する照明光の波長が同じであるとき、投影光学
系の開口数を大きくすると、それに応じて解像力も向上
する。しかしながら焦点深度(DOF)は開口数NAの
増大に伴って減少する。焦点深度は照明光の波長をλと
したとき、DOF=±λ/NA2 によって定義される。
微細なレチクルパターンを感光基板へ忠実に転写するた
めには、投影光学系の解像力と焦点深度(DOF:デプ
スオブフォーカス)とが重要なファクタとなっている。
現在実用化されている投影光学系のうち、i線用のもの
で開口数(NA)として0.6程度のものが得られてい
る。使用する照明光の波長が同じであるとき、投影光学
系の開口数を大きくすると、それに応じて解像力も向上
する。しかしながら焦点深度(DOF)は開口数NAの
増大に伴って減少する。焦点深度は照明光の波長をλと
したとき、DOF=±λ/NA2 によって定義される。
【0004】図1は従来の投影光学系の結像光路を模式
的に表したものであり、投影光学系は前群のレンズ系G
Aと後群のレンズ系GBとによって構成される。この種
の投影光学系はレチクルR側とウエハW側との両方をテ
レセントリックにしたもの、あるいはウエハW側のみを
テレセントリックにしたものが一般的である。さて、図
1においてレチクルRのパターン面(投影光学系の物体
面)上に任意の3つの点A、B、Cを想定する。点Aか
ら様々の方向に進む光線L1 、L2 、L3 、La、L
a’、La”のうち、光線L1 は投影光学系のレンズ系
GAに入射できないような角度で発生する。また、前群
のレンズ系GAに入射した光線のうち、光線L2 、L3
は投影光学系内のフーリエ変換面FTPに位置する瞳e
pを通過することができない。一方、他の光線La、L
a’、La”は瞳epを通過して後群のレンズ系GBに
入射し、ウエハWの表面(投影光学系の像面)上の点
A’に収斂する。従って、レチクルR上の点Aから発生
した光線のうち、投影光学系の瞳ep(光軸AXを中心
とする円形領域)を通過した光線が点A’に点像を結像
するのに寄与する。ここで点Aから点A’に向う光線の
うち瞳epの中心点CC(光軸AX上の位置)を通る光
線Laを主光線と呼び、この主光線Laは両側がテレセ
ントリックな投影光学系の場合、物体面側、像面側の夫
々の空間で光軸AXと平行になっている。
的に表したものであり、投影光学系は前群のレンズ系G
Aと後群のレンズ系GBとによって構成される。この種
の投影光学系はレチクルR側とウエハW側との両方をテ
レセントリックにしたもの、あるいはウエハW側のみを
テレセントリックにしたものが一般的である。さて、図
1においてレチクルRのパターン面(投影光学系の物体
面)上に任意の3つの点A、B、Cを想定する。点Aか
ら様々の方向に進む光線L1 、L2 、L3 、La、L
a’、La”のうち、光線L1 は投影光学系のレンズ系
GAに入射できないような角度で発生する。また、前群
のレンズ系GAに入射した光線のうち、光線L2 、L3
は投影光学系内のフーリエ変換面FTPに位置する瞳e
pを通過することができない。一方、他の光線La、L
a’、La”は瞳epを通過して後群のレンズ系GBに
入射し、ウエハWの表面(投影光学系の像面)上の点
A’に収斂する。従って、レチクルR上の点Aから発生
した光線のうち、投影光学系の瞳ep(光軸AXを中心
とする円形領域)を通過した光線が点A’に点像を結像
するのに寄与する。ここで点Aから点A’に向う光線の
うち瞳epの中心点CC(光軸AX上の位置)を通る光
線Laを主光線と呼び、この主光線Laは両側がテレセ
ントリックな投影光学系の場合、物体面側、像面側の夫
々の空間で光軸AXと平行になっている。
【0005】また、レチクルR上の他の点B、Cの夫々
から発生した光線についても全く同じであり、瞳epを
通過する光線のみが点像B’、C’の結像に寄与する。
同様に点B、Cの夫々から光軸AXと平行に進んでレン
ズ系GAに入射する光線Lb、Lcは、何れも瞳epの
中心点CCを通る主光線となる。このように瞳epはレ
チクルRのパターン面とウエハWの表面との夫々に対し
てフーリエ変換、及び逆フーリエ変換の関係にあり、レ
チクルR上のパターンからの光線のうち結像に寄与する
光線は全て瞳epを重畳して通ることになる。
から発生した光線についても全く同じであり、瞳epを
通過する光線のみが点像B’、C’の結像に寄与する。
同様に点B、Cの夫々から光軸AXと平行に進んでレン
ズ系GAに入射する光線Lb、Lcは、何れも瞳epの
中心点CCを通る主光線となる。このように瞳epはレ
チクルRのパターン面とウエハWの表面との夫々に対し
てフーリエ変換、及び逆フーリエ変換の関係にあり、レ
チクルR上のパターンからの光線のうち結像に寄与する
光線は全て瞳epを重畳して通ることになる。
【0006】このような投影光学系の開口数は一般にウ
エハ側の値として表されている。図1において、点像
A’の結像に寄与する光線のうち、瞳ep内の最外部を
通る光線La’、La”がウエハW上で主光線Laと成
す角度θwが、この投影光学系のウエハ(像面)側での
開口数NAwに相当し、NAw=sinθwで表され
る。従って光線La’、La”がレチクルR側で主光線
Laと成す角度θrは、レチクル(物体面)側での開口
数NArに相当し、NAr=sinθrで表される。更
に、投影光学系の結像倍率を1/M(1/5縮小の場合
はM=5)とすると、M・NAr=NAwの関係にあ
る。
エハ側の値として表されている。図1において、点像
A’の結像に寄与する光線のうち、瞳ep内の最外部を
通る光線La’、La”がウエハW上で主光線Laと成
す角度θwが、この投影光学系のウエハ(像面)側での
開口数NAwに相当し、NAw=sinθwで表され
る。従って光線La’、La”がレチクルR側で主光線
Laと成す角度θrは、レチクル(物体面)側での開口
数NArに相当し、NAr=sinθrで表される。更
に、投影光学系の結像倍率を1/M(1/5縮小の場合
はM=5)とすると、M・NAr=NAwの関係にあ
る。
【0007】ところで解像力を高めるためには、開口数
NAw(NAr)を大きくする訳であるが、このことは
換言すれば瞳epの径を大きくすること、更にレンズ系
GA、GBの有効径を大きくすることに他ならない。と
ころが、焦点深度DOFの方は開口数NAwの2乗に反
比例して減少してしまうため、たとえ高開口数の投影光
学系が製造できたとしても、必要な焦点深度が得られな
いことになり、実用上の大きな障害となる。
NAw(NAr)を大きくする訳であるが、このことは
換言すれば瞳epの径を大きくすること、更にレンズ系
GA、GBの有効径を大きくすることに他ならない。と
ころが、焦点深度DOFの方は開口数NAwの2乗に反
比例して減少してしまうため、たとえ高開口数の投影光
学系が製造できたとしても、必要な焦点深度が得られな
いことになり、実用上の大きな障害となる。
【0008】照明光の波長をi線の365nmとし、開
口数NAwを0.6とすると、焦点深度DOFは幅で約
1μm(±0.5μm)になってしまい、ウエハW上の
1つのショット領域(20mm角〜30mm角程度)内
で表面の凹凸や湾曲がDOF以上の部分については解像
不良を起こすことになる。またステッパーのシステム上
でも、ウエハWのショット領域毎のフォーカス合わせ、
レベリング等を格段に高精度に行う必要が生じ、機械
系、電気系、ソフトウェアの負担(計測分解能、サーボ
制御精度、設定時間等の向上努力)が増大することにな
る。
口数NAwを0.6とすると、焦点深度DOFは幅で約
1μm(±0.5μm)になってしまい、ウエハW上の
1つのショット領域(20mm角〜30mm角程度)内
で表面の凹凸や湾曲がDOF以上の部分については解像
不良を起こすことになる。またステッパーのシステム上
でも、ウエハWのショット領域毎のフォーカス合わせ、
レベリング等を格段に高精度に行う必要が生じ、機械
系、電気系、ソフトウェアの負担(計測分解能、サーボ
制御精度、設定時間等の向上努力)が増大することにな
る。
【0009】そこで本件出願人は、このような投影光学
系の諸問題を解決し、しかも特公昭62−50811号
公報に開示されているような位相シフトレチクルを使わ
なくとも、高い解像力と大きな焦点深度との両方を得る
ことができる新たな投影露光技術を、特開平4−101
148号公報、特開平4−225358号公報等で提案
した。この露光技術は、投影光学系は既存のままで、レ
チクルへの照明方法を特殊な形態に制御することで解像
力と焦点深度とを増大させるものであり、SHRINC
(Super High Resolution by IllumiNation Control) 法
と呼んでいる。このSHRINC法は、レチクルR上の
ライン・アンド・スペースパターン(L&Sパターン)
のピッチ方向に対称的に傾斜した2つの照明光(又は4
つの照明光)をレチクルへ照射し、L&Sパターンから
発生する0次回折光成分と±1次回折光成分の一方と
を、投影光学系の瞳ep内で中心点CCに関して対称的
に通し、2光束干渉(一方の1次回折光と0次回折光と
の干渉)の原理を利用して、L&Sパターンの投影像
(干渉縞)を生成するものである。
系の諸問題を解決し、しかも特公昭62−50811号
公報に開示されているような位相シフトレチクルを使わ
なくとも、高い解像力と大きな焦点深度との両方を得る
ことができる新たな投影露光技術を、特開平4−101
148号公報、特開平4−225358号公報等で提案
した。この露光技術は、投影光学系は既存のままで、レ
チクルへの照明方法を特殊な形態に制御することで解像
力と焦点深度とを増大させるものであり、SHRINC
(Super High Resolution by IllumiNation Control) 法
と呼んでいる。このSHRINC法は、レチクルR上の
ライン・アンド・スペースパターン(L&Sパターン)
のピッチ方向に対称的に傾斜した2つの照明光(又は4
つの照明光)をレチクルへ照射し、L&Sパターンから
発生する0次回折光成分と±1次回折光成分の一方と
を、投影光学系の瞳ep内で中心点CCに関して対称的
に通し、2光束干渉(一方の1次回折光と0次回折光と
の干渉)の原理を利用して、L&Sパターンの投影像
(干渉縞)を生成するものである。
【0010】このように2光束干渉を利用した結像によ
ると、デフォーカス時の波面収差の発生が従来の方法
(通常の垂直照明)の場合よりも抑制されるため、焦点
深度が大きくなるのである。ところが、このSHRIN
C法はレチクルR上に形成されるパターンがL&Sパタ
ーン(格子)のように、周期構造を持つときに所期の効
果が得られるのであり、コンタクトホール等の孤立した
パターンに対してはその効果が得られない。一般に、孤
立した微小パターンの場合、そこからの回折光は回折角
についてほとんど一様なフラウンホーファ回折として発
生し、投影光学系の瞳ep内では0次回折光と高次回折
光とに明確に分離せずに、ほぼ一様に分布する。
ると、デフォーカス時の波面収差の発生が従来の方法
(通常の垂直照明)の場合よりも抑制されるため、焦点
深度が大きくなるのである。ところが、このSHRIN
C法はレチクルR上に形成されるパターンがL&Sパタ
ーン(格子)のように、周期構造を持つときに所期の効
果が得られるのであり、コンタクトホール等の孤立した
パターンに対してはその効果が得られない。一般に、孤
立した微小パターンの場合、そこからの回折光は回折角
についてほとんど一様なフラウンホーファ回折として発
生し、投影光学系の瞳ep内では0次回折光と高次回折
光とに明確に分離せずに、ほぼ一様に分布する。
【0011】そこでコンタクトホール等の孤立パターン
に対して見かけ上の焦点深度を拡大させる露光方法とし
て、ウエハWの1つのショット領域に対する露光を複数
回に分け、各露光の間にウエハWを光軸方向に一定量だ
け移動させる方法が、例えば特開昭63−42122号
公報で提案された。この露光方法はFLEX(Focus Lat
itude enhancement EXposure) 法と呼ばれ、コンタクト
ホール等の孤立パターンに対しては十分な焦点深度拡大
効果を得ることが出来る。但し、FLEX法は、僅かに
デフォーカスしたコンタクトホール像を多重露光するこ
とを必須とするため、現像後に得られるレジスト像は必
然的に鮮鋭度が低下したものとなる。この鮮鋭度低下
(プロファイル悪化)の問題は、ガンマ値が高いレジス
トを用いたり、多層レジストを用いたり、あるいはCE
L(Contrast Enhancement Layer)を用いたりすることで
補うことができる。
に対して見かけ上の焦点深度を拡大させる露光方法とし
て、ウエハWの1つのショット領域に対する露光を複数
回に分け、各露光の間にウエハWを光軸方向に一定量だ
け移動させる方法が、例えば特開昭63−42122号
公報で提案された。この露光方法はFLEX(Focus Lat
itude enhancement EXposure) 法と呼ばれ、コンタクト
ホール等の孤立パターンに対しては十分な焦点深度拡大
効果を得ることが出来る。但し、FLEX法は、僅かに
デフォーカスしたコンタクトホール像を多重露光するこ
とを必須とするため、現像後に得られるレジスト像は必
然的に鮮鋭度が低下したものとなる。この鮮鋭度低下
(プロファイル悪化)の問題は、ガンマ値が高いレジス
トを用いたり、多層レジストを用いたり、あるいはCE
L(Contrast Enhancement Layer)を用いたりすることで
補うことができる。
【0012】また、FLEX法のように露光動作中にウ
エハWを光軸方向に移動させなくても、コンタクトホー
ルパターンの投影時の焦点深度を拡大する試みとして、
1991年春季応用物理学会の予稿集29a−ZC−
8,9で発表されたSuper−FLEX法も知られて
いる。このSuper−FLEX法は、投影光学系の瞳
epに透明な位相板(位相差は、π[rad])を設
け、この位相板によって結像光に与えられる複素振幅透
過率が光軸AXから周辺に向かって順次変化するような
特性を持たせたものである。このようにすると、投影光
学系によって結像された像はベストフォーカス面(レチ
クルRと共役な面)を中心に光軸方向に一定の幅(従来
よりは広い)でシャープさを保つことになり、焦点深度
が増大するのである。
エハWを光軸方向に移動させなくても、コンタクトホー
ルパターンの投影時の焦点深度を拡大する試みとして、
1991年春季応用物理学会の予稿集29a−ZC−
8,9で発表されたSuper−FLEX法も知られて
いる。このSuper−FLEX法は、投影光学系の瞳
epに透明な位相板(位相差は、π[rad])を設
け、この位相板によって結像光に与えられる複素振幅透
過率が光軸AXから周辺に向かって順次変化するような
特性を持たせたものである。このようにすると、投影光
学系によって結像された像はベストフォーカス面(レチ
クルRと共役な面)を中心に光軸方向に一定の幅(従来
よりは広い)でシャープさを保つことになり、焦点深度
が増大するのである。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】以上で述べた各種従来
技術のうち、FLEX法、及びSuper−FLEX法
では、孤立的なコンタクトホールパターンに対して十分
な焦点深度の増大効果を得ることができる。しかしなが
ら、ある程度接近した複数のコンタクトホールパターン
では、コンタクトホール間のフォトレジストに不要な膜
減りを生じさせてしまい、事実上使用することが困難に
なることが分かった。
技術のうち、FLEX法、及びSuper−FLEX法
では、孤立的なコンタクトホールパターンに対して十分
な焦点深度の増大効果を得ることができる。しかしなが
ら、ある程度接近した複数のコンタクトホールパターン
では、コンタクトホール間のフォトレジストに不要な膜
減りを生じさせてしまい、事実上使用することが困難に
なることが分かった。
【0014】また、露光作業中にウエハを光軸方向に連
続的に移動又は振動する方式のFLEX法では走査露光
方式の露光装置への適用が難しく、更に、露光を第1の
露光と第2の露光とに分割し、各露光動作の間の非露光
期間中にウエハを光軸方向に一定量だけ移動させておく
方式では、処理能力の低下が大きく、スループットが著
しく低下するという不都合がある。
続的に移動又は振動する方式のFLEX法では走査露光
方式の露光装置への適用が難しく、更に、露光を第1の
露光と第2の露光とに分割し、各露光動作の間の非露光
期間中にウエハを光軸方向に一定量だけ移動させておく
方式では、処理能力の低下が大きく、スループットが著
しく低下するという不都合がある。
【0015】本発明は斯かる点に鑑み、コンタクトホー
ルパターン等の孤立したパターンの投影露光の際に、焦
点深度を拡大した投影露光装置を提供することを目的と
し、特に比較的接近した複数の孤立パターンに対しても
転写忠実度を損なうことなく焦点深度拡大効果が得られ
る投影露光装置を提供することを目的とする。
ルパターン等の孤立したパターンの投影露光の際に、焦
点深度を拡大した投影露光装置を提供することを目的と
し、特に比較的接近した複数の孤立パターンに対しても
転写忠実度を損なうことなく焦点深度拡大効果が得られ
る投影露光装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、例えば図2、図4、及び図10に示すように、転
写用のパターンが形成されたマスク(R)を露光用の照
明光で照射する照明手段(1〜14)と、その照明光の
もとでマスク(R)のパターンの像を感光性の基板
(W)上に結像投影する投影光学系(PL)とを備えた
投影露光装置において、投影光学系(PL)内のマスク
(R)のパターン形成面及び基板(W)の露光面の双方
に対する光学的フーリエ変換面(FTP)、又はその近
傍の結像光の通過面上の、投影光学系(PL)の光軸
(AX)を中心とする所定半径の円形領域及び光軸(A
X)を中心とする所定幅の輪帯領域の内の少なくとも一
方の領域よりなる第1の領域(FA)に分布する結像光
(LFa)と、その結像光の通過面上で第1の領域(F
A)以外の第2の領域(FB)に分布する結像光(LF
b)との間の可干渉性を低減する干渉性低減部材(CC
M)と、第1の領域(FA)を通る光束(LFa)の合
焦位置と、第2の領域(FB)を通る光束(LFb)の
合焦位置とを、投影光学系(PL)の光軸(AX)方向
に異ならしめる二重焦点化部材(DFM)とを設けたも
のである。
置は、例えば図2、図4、及び図10に示すように、転
写用のパターンが形成されたマスク(R)を露光用の照
明光で照射する照明手段(1〜14)と、その照明光の
もとでマスク(R)のパターンの像を感光性の基板
(W)上に結像投影する投影光学系(PL)とを備えた
投影露光装置において、投影光学系(PL)内のマスク
(R)のパターン形成面及び基板(W)の露光面の双方
に対する光学的フーリエ変換面(FTP)、又はその近
傍の結像光の通過面上の、投影光学系(PL)の光軸
(AX)を中心とする所定半径の円形領域及び光軸(A
X)を中心とする所定幅の輪帯領域の内の少なくとも一
方の領域よりなる第1の領域(FA)に分布する結像光
(LFa)と、その結像光の通過面上で第1の領域(F
A)以外の第2の領域(FB)に分布する結像光(LF
b)との間の可干渉性を低減する干渉性低減部材(CC
M)と、第1の領域(FA)を通る光束(LFa)の合
焦位置と、第2の領域(FB)を通る光束(LFb)の
合焦位置とを、投影光学系(PL)の光軸(AX)方向
に異ならしめる二重焦点化部材(DFM)とを設けたも
のである。
【0017】この場合、その二重焦点化部材の一例は、
例えば図10(A)に示すように、第1の領域(FA)
の焦点距離と第2の領域(FB)の焦点距離とが異なる
光学部材である。また、その二重焦点化部材の他の例
は、例えば図11(A)に示すように、第1の領域(F
A)中のその投影光学系の光軸を中心とする軸対称の部
分領域を通過する照明光の位相を、第1の領域(FA)
中のその部分領域以外の領域を通過する照明光の位相に
対してπ/2[rad]程度異ならしめる位相差部材で
ある。
例えば図10(A)に示すように、第1の領域(FA)
の焦点距離と第2の領域(FB)の焦点距離とが異なる
光学部材である。また、その二重焦点化部材の他の例
は、例えば図11(A)に示すように、第1の領域(F
A)中のその投影光学系の光軸を中心とする軸対称の部
分領域を通過する照明光の位相を、第1の領域(FA)
中のその部分領域以外の領域を通過する照明光の位相に
対してπ/2[rad]程度異ならしめる位相差部材で
ある。
【0018】同様にその二重焦点化部材は、第2の領域
(FB)中のその投影光学系の光軸を中心とする軸対称
の部分領域を通過する照明光の位相を、第2の領域(F
B)中のその部分領域以外の領域を通過する照明光の位
相に対してπ/2[rad]程度異ならしめる位相差部
材であってもよい。また、その干渉性低減部材の一例
は、第1の領域(FA)を透過する照明光の偏光状態
と、第2の領域(FB)を透過する照明光の偏光状態と
を互いに干渉しない状態に設定する偏光状態可変部材で
ある。
(FB)中のその投影光学系の光軸を中心とする軸対称
の部分領域を通過する照明光の位相を、第2の領域(F
B)中のその部分領域以外の領域を通過する照明光の位
相に対してπ/2[rad]程度異ならしめる位相差部
材であってもよい。また、その干渉性低減部材の一例
は、第1の領域(FA)を透過する照明光の偏光状態
と、第2の領域(FB)を透過する照明光の偏光状態と
を互いに干渉しない状態に設定する偏光状態可変部材で
ある。
【0019】また、その干渉性低減部材の他の例は、第
1の領域(FA)を透過する照明光と、第2の領域(F
B)を透過する照明光との間にその照明光の波長範囲よ
り定まる可干渉距離以上の光路差を与える光路差部材で
ある。また、本発明においては、第1の領域(FA)を
通過する光束の合焦位置と、第2の領域(FB)を通過
する光束の合焦位置との投影光学系(PL)の光軸(A
X)方向のずれ量をΔF12、投影光学系(PL)の開口
数をNA、その照明光の中心波長をλとして、そのずれ
量ΔF12について次の条件を満たすことが望ましい。
1の領域(FA)を透過する照明光と、第2の領域(F
B)を透過する照明光との間にその照明光の波長範囲よ
り定まる可干渉距離以上の光路差を与える光路差部材で
ある。また、本発明においては、第1の領域(FA)を
通過する光束の合焦位置と、第2の領域(FB)を通過
する光束の合焦位置との投影光学系(PL)の光軸(A
X)方向のずれ量をΔF12、投影光学系(PL)の開口
数をNA、その照明光の中心波長をλとして、そのずれ
量ΔF12について次の条件を満たすことが望ましい。
【0020】 1.6・λ/NA2 ≦ΔF12≦3.2・λ/NA2 (1)
【0021】
【作用】斯かる本発明においては、マスク(以下、レチ
クルとする)のパターン面に対して、光学的にフーリエ
変換の関係となる投影光学系内の面(以下、「瞳面」と
略称する)、又はその近傍の面に干渉性低減部材を設
け、その瞳面内で円形又は輪帯状に分布する結像光の一
部と、それ以外の部分に分布する結像光とを互いに干渉
し合わない状態とする。この結果、レチクルパターン中
の、特にコンタクトホールパターンを透過、回折した露
光光束(結像光)は瞳面内で干渉し合わない2つの光束
に空間的に分割され、被露光体である基板(以下、ウエ
ハとする)に到達する。ウエハ上でも2つの光束は干渉
し合わない(インコヒーレントである)ために、それぞ
れの光束が作り出す像(コンタクトホールの像)の光量
上での強度合成像が得られる。従来の露光方式ではレチ
クル上の微小コンタクトホールパターンを透過、回折し
た光束は投影光学系を経てウエハ面に達すると、ここで
全て振幅的に合成(コヒーレント加算)されてレチクル
パターンの像(光学像)を形成していた。従来のSup
er−FLEX法においても、瞳面に分布する結像光を
部分的に位相シフトさせているだけなので、コヒーレン
ト加算であることに変わりはない。
クルとする)のパターン面に対して、光学的にフーリエ
変換の関係となる投影光学系内の面(以下、「瞳面」と
略称する)、又はその近傍の面に干渉性低減部材を設
け、その瞳面内で円形又は輪帯状に分布する結像光の一
部と、それ以外の部分に分布する結像光とを互いに干渉
し合わない状態とする。この結果、レチクルパターン中
の、特にコンタクトホールパターンを透過、回折した露
光光束(結像光)は瞳面内で干渉し合わない2つの光束
に空間的に分割され、被露光体である基板(以下、ウエ
ハとする)に到達する。ウエハ上でも2つの光束は干渉
し合わない(インコヒーレントである)ために、それぞ
れの光束が作り出す像(コンタクトホールの像)の光量
上での強度合成像が得られる。従来の露光方式ではレチ
クル上の微小コンタクトホールパターンを透過、回折し
た光束は投影光学系を経てウエハ面に達すると、ここで
全て振幅的に合成(コヒーレント加算)されてレチクル
パターンの像(光学像)を形成していた。従来のSup
er−FLEX法においても、瞳面に分布する結像光を
部分的に位相シフトさせているだけなので、コヒーレン
ト加算であることに変わりはない。
【0022】さて、投影光学系の瞳面に位相シフト板等
がないものとすると、ベストフォーカス(合焦状態)で
は、レチクル上の任意の1点からウエハ上の対応する像
点までの光路長は投影光学系中のどの光線路を通るかに
拘らず全て等しく(フェルマーの原理)、従ってウエハ
上の振幅合成は位相差のない光の合成となり、全てコン
タクトホールパターンの像の強度を増大する方向に作用
する。
がないものとすると、ベストフォーカス(合焦状態)で
は、レチクル上の任意の1点からウエハ上の対応する像
点までの光路長は投影光学系中のどの光線路を通るかに
拘らず全て等しく(フェルマーの原理)、従ってウエハ
上の振幅合成は位相差のない光の合成となり、全てコン
タクトホールパターンの像の強度を増大する方向に作用
する。
【0023】ところがウエハがデフォーカスすると、上
記の光路長は投影光学系内の光線路によって異なった長
さとなる。この結果、上記の振幅合成は光路差(位相
差)を有する光の加算となり、一部で相殺効果が生じ、
コンタクトホールパターンの中心強度を弱めることにな
る。このとき生じる光路差は、ウエハ上の1つの像点に
入射する任意の光線の入射角をθとし、且つウエハに垂
直に入射する光線(主光線)の光路長を基準(=0)と
すると、ほぼ(1/2)(ΔF・sin2 θ)と表され
る。ここで、ΔFはデフォーカス量を表す。sinθの
最大値は投影光学系のウエハ側の開口数NAwであるか
ら、従来の如く微小コンタクトホールパターンからの回
折光のうち瞳epを通過した全ての光がウエハ上で振幅
合成される場合、最大で(1/2)(ΔF・NAw2)の
光路差を生じてしまうことになる。このとき焦点深度と
してλ/4の光路差まで許容すると仮定すれば、以下の
関係が成り立つ。
記の光路長は投影光学系内の光線路によって異なった長
さとなる。この結果、上記の振幅合成は光路差(位相
差)を有する光の加算となり、一部で相殺効果が生じ、
コンタクトホールパターンの中心強度を弱めることにな
る。このとき生じる光路差は、ウエハ上の1つの像点に
入射する任意の光線の入射角をθとし、且つウエハに垂
直に入射する光線(主光線)の光路長を基準(=0)と
すると、ほぼ(1/2)(ΔF・sin2 θ)と表され
る。ここで、ΔFはデフォーカス量を表す。sinθの
最大値は投影光学系のウエハ側の開口数NAwであるか
ら、従来の如く微小コンタクトホールパターンからの回
折光のうち瞳epを通過した全ての光がウエハ上で振幅
合成される場合、最大で(1/2)(ΔF・NAw2)の
光路差を生じてしまうことになる。このとき焦点深度と
してλ/4の光路差まで許容すると仮定すれば、以下の
関係が成り立つ。
【0024】 (1/2)(ΔF・NAw2)=λ/4 (2) この式を纏め直すと、ΔF=λ/(2NAw2)となって
一般に言われる焦点深度幅と一致する。例えば露光用照
明光の波長λとして現在使われているi線(波長0.3
65μm)を前提とし、開口数NAwとして0.50を
想定すると、焦点深度である±ΔF/2は±0.73μ
mとなり、ウエハ上のプロセス段差1μm程度に対して
ほとんど余裕のない値となっている。
一般に言われる焦点深度幅と一致する。例えば露光用照
明光の波長λとして現在使われているi線(波長0.3
65μm)を前提とし、開口数NAwとして0.50を
想定すると、焦点深度である±ΔF/2は±0.73μ
mとなり、ウエハ上のプロセス段差1μm程度に対して
ほとんど余裕のない値となっている。
【0025】一方、本発明では図2に示すように、投影
光学系の瞳面(フーリエ変換面FTP)に干渉性低減部
材CCM、及び二重焦点化部材DFMを設ける。このと
き、レチクルRのパターン面に形成された孤立パターン
Prで回折した結像光束(主光線はLLp)は、投影光
学系PLの前群レンズ系GAに入射した後、フーリエ変
換面FTPに達する。そしてフーリエ変換面FTPにお
いて、瞳内の中心部の円形状の透過部FAと輪帯状の透
過部FBとの夫々を透過する光束が互いに干渉し合わな
い状態に制御(変換)される。このためウエハW上で
は、干渉性低減部材CCMの円形状の透過部FAを透過
した光束LFaと周辺の透過部FBを通過した光束LF
bとは干渉を起こさない。その結果、円形の透過部FA
からの光束LFaと周辺の透過部FBからの光束LFb
とはそれぞれ独立して自分自身のみで干渉し合い、それ
ぞれコンタクトホールパターンの像(強度分布)Pr’
を形成する。即ち、光束LFaのみの干渉によってウエ
ハW上に生成される像と、光束LFbのみの干渉によっ
て生成される像とを、単純に強度的に加算したものが、
本発明によって得られるコンタクトホール等の孤立パタ
ーンの像Pr’となる。
光学系の瞳面(フーリエ変換面FTP)に干渉性低減部
材CCM、及び二重焦点化部材DFMを設ける。このと
き、レチクルRのパターン面に形成された孤立パターン
Prで回折した結像光束(主光線はLLp)は、投影光
学系PLの前群レンズ系GAに入射した後、フーリエ変
換面FTPに達する。そしてフーリエ変換面FTPにお
いて、瞳内の中心部の円形状の透過部FAと輪帯状の透
過部FBとの夫々を透過する光束が互いに干渉し合わな
い状態に制御(変換)される。このためウエハW上で
は、干渉性低減部材CCMの円形状の透過部FAを透過
した光束LFaと周辺の透過部FBを通過した光束LF
bとは干渉を起こさない。その結果、円形の透過部FA
からの光束LFaと周辺の透過部FBからの光束LFb
とはそれぞれ独立して自分自身のみで干渉し合い、それ
ぞれコンタクトホールパターンの像(強度分布)Pr’
を形成する。即ち、光束LFaのみの干渉によってウエ
ハW上に生成される像と、光束LFbのみの干渉によっ
て生成される像とを、単純に強度的に加算したものが、
本発明によって得られるコンタクトホール等の孤立パタ
ーンの像Pr’となる。
【0026】更に本発明においては、図10(A)に示
すように、干渉性低減部材CCMと共に二重焦点化部材
DFMが設けられているため、図2において、光束LF
aの作る像の合焦位置(ベストフォーカス面)と、光束
LFbの作る像の合焦位置とが、ウエハ近傍で光軸方向
にずれて、従来のFLEX法と同様な焦点深度の拡大効
果が得られる。その上に本発明では、光束LFa及びL
Fbの各々が作る像自体の焦点深度が増大する効果もあ
る。
すように、干渉性低減部材CCMと共に二重焦点化部材
DFMが設けられているため、図2において、光束LF
aの作る像の合焦位置(ベストフォーカス面)と、光束
LFbの作る像の合焦位置とが、ウエハ近傍で光軸方向
にずれて、従来のFLEX法と同様な焦点深度の拡大効
果が得られる。その上に本発明では、光束LFa及びL
Fbの各々が作る像自体の焦点深度が増大する効果もあ
る。
【0027】そこで、本発明における結像原理を、更に
図3を参照して説明する。図3は干渉性低減部材CCM
の構造と、コンタクトホールの像Pr’を生成する結像
光束の様子と、デフォーカス時の各光束の光路差ΔZと
の各関係を模式的に示したものである。図3(A)の如
く中心部を通る光束LFa内での振幅合成では、光束L
Faが垂直入射光(主光線LLp)から入射角度θ1 ま
での角度範囲を含むため、デフォーカス量がΔFのとき
の光路差の最大値ΔZ1 は次のようになる。
図3を参照して説明する。図3は干渉性低減部材CCM
の構造と、コンタクトホールの像Pr’を生成する結像
光束の様子と、デフォーカス時の各光束の光路差ΔZと
の各関係を模式的に示したものである。図3(A)の如
く中心部を通る光束LFa内での振幅合成では、光束L
Faが垂直入射光(主光線LLp)から入射角度θ1 ま
での角度範囲を含むため、デフォーカス量がΔFのとき
の光路差の最大値ΔZ1 は次のようになる。
【0028】 ΔZ1 =(1/2)(ΔF・sin2 θ1) (3) なお、図3の最下段のグラフの横軸は入射角の正弦を表
し、sinθ1 =NA 1 とする。一方、図3(B)の如
く周辺部を通る光束LFb内での振幅合成では、光束L
Fbが入射角度θ1 から開口数NAw(sinθw)ま
での入射角度範囲を有するので、デフォーカス量がΔF
のときの最大光路長差ΔZ2 は、次のようになる。
し、sinθ1 =NA 1 とする。一方、図3(B)の如
く周辺部を通る光束LFb内での振幅合成では、光束L
Fbが入射角度θ1 から開口数NAw(sinθw)ま
での入射角度範囲を有するので、デフォーカス量がΔF
のときの最大光路長差ΔZ2 は、次のようになる。
【0029】 ΔZ2 =(1/2)(ΔF)(NAw2 −sin2 θ1) (4) 第1の光束LFaと第2の光束LFbは互いには干渉し
合わないので、光束LFaのみの干渉による像Pr'
1と、光束LFbのみの干渉による像Pr'2の劣化は、
各光束内での光路長差ΔZ1 、ΔZ2 のみに起因する。
例えば、sin2 θ1 =(1/2)(NAw2)であるよ
うにsinθ1 を設定する、即ち、 2sin2 θ1 =NAw2 の関係をほぼ満たすように第1の透過部FAの半径を設
定すると、第1の光束LFaによる最大光路差ΔZ
1 と、第2の光束LFbによる最大光路差ΔZ2 はそれ
ぞれ以下のようになる。
合わないので、光束LFaのみの干渉による像Pr'
1と、光束LFbのみの干渉による像Pr'2の劣化は、
各光束内での光路長差ΔZ1 、ΔZ2 のみに起因する。
例えば、sin2 θ1 =(1/2)(NAw2)であるよ
うにsinθ1 を設定する、即ち、 2sin2 θ1 =NAw2 の関係をほぼ満たすように第1の透過部FAの半径を設
定すると、第1の光束LFaによる最大光路差ΔZ
1 と、第2の光束LFbによる最大光路差ΔZ2 はそれ
ぞれ以下のようになる。
【0030】 ΔZ1 =(1/2)(ΔF・sin2 θ1)=(1/4)(ΔF・NAw2) (5A)、 ΔZ2 =(1/2)(ΔF)(NAw2 −sin2 θ1)=(1/4)(ΔF・NAw2) (5B) このように、2つのインコヒーレントな光束LFa、L
Fbの夫々は、何れもΔFのデフォーカス時にほぼ同一
の最大光路差、(1/4)(ΔF・NAw2)を持つことにな
り、この値は従来の場合の半分である。換言すると、従
来の2倍のデフォーカス量(2ΔF)でも、従来の投影
方式でのデフォーカス量ΔFのときと同じ最大光路長差
で済むこととなり、その結果、孤立パターンPrの結像
時の焦点深度は役2倍に増大することになる。このよう
に投影光学系PLの瞳面FTPにおいて、結像光束を互
いに干渉しない複数の光束に変換する手法を、以下、S
FINCS(Spatial Filter for INCoherent Stream)法
と呼ぶことにする。
Fbの夫々は、何れもΔFのデフォーカス時にほぼ同一
の最大光路差、(1/4)(ΔF・NAw2)を持つことにな
り、この値は従来の場合の半分である。換言すると、従
来の2倍のデフォーカス量(2ΔF)でも、従来の投影
方式でのデフォーカス量ΔFのときと同じ最大光路長差
で済むこととなり、その結果、孤立パターンPrの結像
時の焦点深度は役2倍に増大することになる。このよう
に投影光学系PLの瞳面FTPにおいて、結像光束を互
いに干渉しない複数の光束に変換する手法を、以下、S
FINCS(Spatial Filter for INCoherent Stream)法
と呼ぶことにする。
【0031】以上の様に、SFINCS法によって特に
コンタクトホールパターンの像の焦点深度は増大し、こ
れは投影光学系中の瞳面に配した干渉性低減部材による
ものである。更に本発明では、同じく瞳面又はその近傍
に配置した二重焦点化部材により、SFINCS法によ
りそれぞれ焦点深度の拡大された2つのインコヒーレン
トな像を、従来のFLEX法と同様に、フォーカス方向
に(光軸方向に)ずらして足し合わせることができるた
め、より一層大きな焦点深度の拡大効果が得られる。
コンタクトホールパターンの像の焦点深度は増大し、こ
れは投影光学系中の瞳面に配した干渉性低減部材による
ものである。更に本発明では、同じく瞳面又はその近傍
に配置した二重焦点化部材により、SFINCS法によ
りそれぞれ焦点深度の拡大された2つのインコヒーレン
トな像を、従来のFLEX法と同様に、フォーカス方向
に(光軸方向に)ずらして足し合わせることができるた
め、より一層大きな焦点深度の拡大効果が得られる。
【0032】また、第1の領域(FA)を通過する光束
の合焦位置と、第2の領域(FB)を通過する光束の合
焦位置との投影光学系(PL)の光軸(AX)方向のず
れ量ΔF12について(1)式の条件を満たす場合には、
焦点深度の拡大効果が特に大きい。
の合焦位置と、第2の領域(FB)を通過する光束の合
焦位置との投影光学系(PL)の光軸(AX)方向のず
れ量ΔF12について(1)式の条件を満たす場合には、
焦点深度の拡大効果が特に大きい。
【0033】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の実施例に
つき図面を参照して説明する。図4は本実施例の投影露
光装置の全体的な構成を示し、この図4において、水銀
ランプ1から放射された高輝度光は楕円鏡2によって第
2焦点に収斂した後、発散光となってコリメータレンズ
4に入射する。その第2焦点の位置にはロータリーシャ
ッター3が配置され、このロータリーシャッター3によ
り照明光の通過、遮断を制御する。コリメータレンズ4
によってほぼ平行光束に変換された照明光は、干渉フィ
ルター5に入射し、ここで露光に必要とされる所望のス
ペクトル、例えばi線のみが抽出される。干渉フィルタ
ー5を射出した照明光(i線)は、偏光方向を揃えるた
めの偏光制御部材6を通った後、オプティカルインテグ
レータとしてのフライアイレンズ7に入射する。偏光制
御部材6は、投影光学系PL内の干渉性低減部材CCM
の構成と光源の性質によっては省略してもよく、そのこ
とについては後述する。
つき図面を参照して説明する。図4は本実施例の投影露
光装置の全体的な構成を示し、この図4において、水銀
ランプ1から放射された高輝度光は楕円鏡2によって第
2焦点に収斂した後、発散光となってコリメータレンズ
4に入射する。その第2焦点の位置にはロータリーシャ
ッター3が配置され、このロータリーシャッター3によ
り照明光の通過、遮断を制御する。コリメータレンズ4
によってほぼ平行光束に変換された照明光は、干渉フィ
ルター5に入射し、ここで露光に必要とされる所望のス
ペクトル、例えばi線のみが抽出される。干渉フィルタ
ー5を射出した照明光(i線)は、偏光方向を揃えるた
めの偏光制御部材6を通った後、オプティカルインテグ
レータとしてのフライアイレンズ7に入射する。偏光制
御部材6は、投影光学系PL内の干渉性低減部材CCM
の構成と光源の性質によっては省略してもよく、そのこ
とについては後述する。
【0034】さて、フライアイレンズ7に入射した照明
光(ほぼ平行光束)は、フライアイレンズ7の複数のレ
ンズエレメントによって分割され、各レンズエレメント
の夫々の射出側には2次光源像(水銀ランプ1の発光点
の像)が形成される。従ってフライアイレンズ7の射出
側にはレンズエレメントの数と同じ数の点光源像が分布
し、面光源像が作られる。フライアイレンズ7の射出側
には、面光源像の大きさを調整するための可変絞り8を
設ける。この絞り8を通った照明光(発散光)はミラー
9で反射され、集光レンズ系10に入射した後、レチク
ルブラインド11の矩形の開口部を均一な照度分布で照
射する。図4では、フライアイレンズ7の射出側に形成
される複数の2次光源像(点光源)のうち、光軸AX上
に位置する1つの2次光源像からの照明光のみを代表的
に図示してある。また集光レンズ系10によって、フラ
イアイレンズ7の射出側(2次光源像が形成される面)
はレチクルブラインド11の矩形開口面に対するフーリ
エ変換面になっている。従って、フライアイレンズ7の
複数の2次光源像の夫々から発散して集光レンズ系10
に入射した各照明光は、レチクルブラインド11上で互
いに僅かずつ入射角が異なる平行光束となって重畳され
る。
光(ほぼ平行光束)は、フライアイレンズ7の複数のレ
ンズエレメントによって分割され、各レンズエレメント
の夫々の射出側には2次光源像(水銀ランプ1の発光点
の像)が形成される。従ってフライアイレンズ7の射出
側にはレンズエレメントの数と同じ数の点光源像が分布
し、面光源像が作られる。フライアイレンズ7の射出側
には、面光源像の大きさを調整するための可変絞り8を
設ける。この絞り8を通った照明光(発散光)はミラー
9で反射され、集光レンズ系10に入射した後、レチク
ルブラインド11の矩形の開口部を均一な照度分布で照
射する。図4では、フライアイレンズ7の射出側に形成
される複数の2次光源像(点光源)のうち、光軸AX上
に位置する1つの2次光源像からの照明光のみを代表的
に図示してある。また集光レンズ系10によって、フラ
イアイレンズ7の射出側(2次光源像が形成される面)
はレチクルブラインド11の矩形開口面に対するフーリ
エ変換面になっている。従って、フライアイレンズ7の
複数の2次光源像の夫々から発散して集光レンズ系10
に入射した各照明光は、レチクルブラインド11上で互
いに僅かずつ入射角が異なる平行光束となって重畳され
る。
【0035】レチクルブラインド11の矩形開口を通過
した照明光はレンズ系12、ミラー13を介してコンデ
ンサーレンズ14に入射し、コンデンサーレンズ14を
射出する光が照明光ILBとなってレチクルRに達す
る。ここでレチクルブラインド11の矩形開口面とレチ
クルRのパターン面とは、レンズ系12とコンデンサー
レンズ14との合成系によって互いに共役に配置され、
レチクルブラインド11の矩形開口の像が、レチクルR
のパターン面内に形成された矩形のパターン形成領域を
含むように結像される。図4に示すように、フライアイ
レンズ7の2次光源像のうち光軸AX上に位置する1つ
の2次光源像からの照明光ILBは、レチクルR上では
光軸AXに対して傾きのない平行光束になっているが、
これは投影光学系PLのレチクル側がテレセントリック
であるからである。勿論、フライアイレンズ7の射出側
には光軸AX上からずれて位置する多数の2次光源像
(軸外の点光源)が形成されるが、それらからの照明光
は何れもレチクルR上では光軸AXに対して傾いた平行
光束となってパターン形成領域内で重畳される。
した照明光はレンズ系12、ミラー13を介してコンデ
ンサーレンズ14に入射し、コンデンサーレンズ14を
射出する光が照明光ILBとなってレチクルRに達す
る。ここでレチクルブラインド11の矩形開口面とレチ
クルRのパターン面とは、レンズ系12とコンデンサー
レンズ14との合成系によって互いに共役に配置され、
レチクルブラインド11の矩形開口の像が、レチクルR
のパターン面内に形成された矩形のパターン形成領域を
含むように結像される。図4に示すように、フライアイ
レンズ7の2次光源像のうち光軸AX上に位置する1つ
の2次光源像からの照明光ILBは、レチクルR上では
光軸AXに対して傾きのない平行光束になっているが、
これは投影光学系PLのレチクル側がテレセントリック
であるからである。勿論、フライアイレンズ7の射出側
には光軸AX上からずれて位置する多数の2次光源像
(軸外の点光源)が形成されるが、それらからの照明光
は何れもレチクルR上では光軸AXに対して傾いた平行
光束となってパターン形成領域内で重畳される。
【0036】なお、レチクルRのパターン面とフライア
イレンズ7の射出側面(光源像面)とが、集光レンズ系
10、レンズ系12、及びコンデンサーレンズ14の合
成系によって光学的にフーリエ変換の関係になっている
ことは言うまでもない。また、レチクルRへの照明光I
LBの入射角度範囲ψ(図2参照)は絞り8の開口径に
よって変化し、絞り8の開口径を小さくして面光源の実
質的な面積を小さくすると、入射角度範囲ψも小さくな
る。そのため絞り8は、照明光の空間的コヒーレンシィ
を調整することになる。その空間的コヒーレンシィの度
合いを表すファクタとして、照明光ILBの最大入射角
ψ/2の正弦と投影光学系PLのレチクル側の開口数N
Arとの比(σ値)が用いられている。このσ値は通
常、σ=sin(ψ/2)/NArで定義され、現在稼
働中のステッパーの多くは、σ=0.5〜0.7程度の
範囲で使われている。
イレンズ7の射出側面(光源像面)とが、集光レンズ系
10、レンズ系12、及びコンデンサーレンズ14の合
成系によって光学的にフーリエ変換の関係になっている
ことは言うまでもない。また、レチクルRへの照明光I
LBの入射角度範囲ψ(図2参照)は絞り8の開口径に
よって変化し、絞り8の開口径を小さくして面光源の実
質的な面積を小さくすると、入射角度範囲ψも小さくな
る。そのため絞り8は、照明光の空間的コヒーレンシィ
を調整することになる。その空間的コヒーレンシィの度
合いを表すファクタとして、照明光ILBの最大入射角
ψ/2の正弦と投影光学系PLのレチクル側の開口数N
Arとの比(σ値)が用いられている。このσ値は通
常、σ=sin(ψ/2)/NArで定義され、現在稼
働中のステッパーの多くは、σ=0.5〜0.7程度の
範囲で使われている。
【0037】さて、レチクルRのパターン面にはクロム
層によって所定のレチクルパターンが形成されている
が、ここではクロム層が全面に蒸着され、その内に微小
な矩形開口部(クロム層のない透明部)で形成された複
数のコンタクトホールパターンが存在するものとする。
コンタクトホールパターンはウエハW上に投影したと
き、0.5μm角(又は径)以下の寸法になるように設
計されていることもあり、投影光学系PLの投影倍率1
/Mを考慮してレチクルR上での寸法が決められてい
る。また、互いに隣接するコンタクトホールパターン間
の寸法は、通常1つのコンタクトホールパターンの開口
部寸法に対してかなり大きくなっているため、孤立的な
微小パターンとして存在する。即ち、隣接する2つのコ
ンタクトホールパターンは、それぞれから発生した光
(回折、散乱光)が、回折格子のように互いに強く影響
し合うことがない程度に離れていることが多い。ところ
が後で詳しく述べるが、かなり接近した配置でコンタク
トホールパターンを形成したレチクルも存在する。
層によって所定のレチクルパターンが形成されている
が、ここではクロム層が全面に蒸着され、その内に微小
な矩形開口部(クロム層のない透明部)で形成された複
数のコンタクトホールパターンが存在するものとする。
コンタクトホールパターンはウエハW上に投影したと
き、0.5μm角(又は径)以下の寸法になるように設
計されていることもあり、投影光学系PLの投影倍率1
/Mを考慮してレチクルR上での寸法が決められてい
る。また、互いに隣接するコンタクトホールパターン間
の寸法は、通常1つのコンタクトホールパターンの開口
部寸法に対してかなり大きくなっているため、孤立的な
微小パターンとして存在する。即ち、隣接する2つのコ
ンタクトホールパターンは、それぞれから発生した光
(回折、散乱光)が、回折格子のように互いに強く影響
し合うことがない程度に離れていることが多い。ところ
が後で詳しく述べるが、かなり接近した配置でコンタク
トホールパターンを形成したレチクルも存在する。
【0038】図4において、レチクルRはレチクルステ
ージRSTに保持され、レチクルRのコンタクトホール
パターンの光学像(光強度分布)は投影光学系PLを介
してウエハWの表面のフォトレジスト層に結像される。
ここで、図4中のレチクルRからウエハWまでの光路
は、結像光束の主光線のみで示す。そして投影光学系P
L内のフーリエ変換面FTPには、先の図2、図3で説
明した干渉性低減部材CCM、及び二重焦点化部材DF
Mを設ける。これら干渉性低減部材CCM、及び二重焦
点化部材DFMは、瞳epの最大径をカバーする直径を
有し、スライダー機構20によって光路外へ退出させた
り、光路内に進入させたりすることができる。仮にその
ステッパーが専らコンタクトホールパターンを露光する
ために使われるのであれば、干渉性低減部材CCM、及
び二重焦点化部材DFMは投影光学系PL内に固定して
おいてもよい。
ージRSTに保持され、レチクルRのコンタクトホール
パターンの光学像(光強度分布)は投影光学系PLを介
してウエハWの表面のフォトレジスト層に結像される。
ここで、図4中のレチクルRからウエハWまでの光路
は、結像光束の主光線のみで示す。そして投影光学系P
L内のフーリエ変換面FTPには、先の図2、図3で説
明した干渉性低減部材CCM、及び二重焦点化部材DF
Mを設ける。これら干渉性低減部材CCM、及び二重焦
点化部材DFMは、瞳epの最大径をカバーする直径を
有し、スライダー機構20によって光路外へ退出させた
り、光路内に進入させたりすることができる。仮にその
ステッパーが専らコンタクトホールパターンを露光する
ために使われるのであれば、干渉性低減部材CCM、及
び二重焦点化部材DFMは投影光学系PL内に固定して
おいてもよい。
【0039】しかしながら、複数台のステッパーによっ
てリソグラフィ工程の露光作業を行う場合、各ステッパ
ーの最も効率的な運用を考えると、特定の一台のステッ
パーをコンタクトホールパターン専用の露光に割り当て
ることは躊躇される。そのため、干渉性低減部材CC
M、及び二重焦点化部材DFMは投影光学系PLの瞳e
pに対して挿脱自在に設け、コンタクトホールパターン
以外のレチクルパターンの露光時にも、そのステッパー
が使えるようにしておくことが望ましい。なお、投影光
学系によっては、その瞳位置(フーリエ変換面FTP)
に実効的な瞳径を変えるための円形開口絞りを設けるこ
ともある。この場合、その開口絞りと干渉性低減部材C
CM、及び二重焦点化部材DFMとは機械的に干渉しな
いように、且つできるだけ接近して配置される。
てリソグラフィ工程の露光作業を行う場合、各ステッパ
ーの最も効率的な運用を考えると、特定の一台のステッ
パーをコンタクトホールパターン専用の露光に割り当て
ることは躊躇される。そのため、干渉性低減部材CC
M、及び二重焦点化部材DFMは投影光学系PLの瞳e
pに対して挿脱自在に設け、コンタクトホールパターン
以外のレチクルパターンの露光時にも、そのステッパー
が使えるようにしておくことが望ましい。なお、投影光
学系によっては、その瞳位置(フーリエ変換面FTP)
に実効的な瞳径を変えるための円形開口絞りを設けるこ
ともある。この場合、その開口絞りと干渉性低減部材C
CM、及び二重焦点化部材DFMとは機械的に干渉しな
いように、且つできるだけ接近して配置される。
【0040】さて、ウエハWは、光軸AXと垂直な面内
で2次元移動(以下、「XY移動」という)すると共
に、光軸AXと平行な方向に微動(以下、「Z移動」と
いう)するウエハステージWST上に保持される。ウエ
ハステージWSTのXY移動、及びZ移動は、ステージ
駆動ユニット22によって行われ、XY移動に関しては
レーザ干渉計23による座標計測値に従って制御され、
Z移動に関してはオートフォーカス用のフォーカスセン
サー24の検出値に基づいて制御される。ステージ駆動
ユニット22、スライダー機構20等は、主制御ユニッ
ト25からの指令で動作する。この主制御ユニット25
は、更にシャッタ駆動ユニット26へ指令を送り、シャ
ッター3の開閉を制御すると共に、開口制御ユニット2
7へ指令を送り、絞り8、又はレチクルブラインド11
の各開口の大きさを制御する。また主制御ユニット25
は、レチクルステージRSTへのレチクルの搬送路中に
設けられたバーコードリーダー28が読み取ったレチク
ル名を入力できるようになっている。従って主制御ユニ
ット25は、入力したレチクル名に応じてスライダー機
構20の動作、開口駆動ユニット27の動作等を統括的
に制御し、絞り8、レチクルブラインド11の各開口寸
法、干渉性低減部材CCM、及び二重焦点化部材DFM
の要、不要を、そのレチクルに合わせて自動的に調整す
ることができる。
で2次元移動(以下、「XY移動」という)すると共
に、光軸AXと平行な方向に微動(以下、「Z移動」と
いう)するウエハステージWST上に保持される。ウエ
ハステージWSTのXY移動、及びZ移動は、ステージ
駆動ユニット22によって行われ、XY移動に関しては
レーザ干渉計23による座標計測値に従って制御され、
Z移動に関してはオートフォーカス用のフォーカスセン
サー24の検出値に基づいて制御される。ステージ駆動
ユニット22、スライダー機構20等は、主制御ユニッ
ト25からの指令で動作する。この主制御ユニット25
は、更にシャッタ駆動ユニット26へ指令を送り、シャ
ッター3の開閉を制御すると共に、開口制御ユニット2
7へ指令を送り、絞り8、又はレチクルブラインド11
の各開口の大きさを制御する。また主制御ユニット25
は、レチクルステージRSTへのレチクルの搬送路中に
設けられたバーコードリーダー28が読み取ったレチク
ル名を入力できるようになっている。従って主制御ユニ
ット25は、入力したレチクル名に応じてスライダー機
構20の動作、開口駆動ユニット27の動作等を統括的
に制御し、絞り8、レチクルブラインド11の各開口寸
法、干渉性低減部材CCM、及び二重焦点化部材DFM
の要、不要を、そのレチクルに合わせて自動的に調整す
ることができる。
【0041】ここで図4中の投影光学系PLの一部分の
構造を、図5を参照して説明する。図5は全て屈折性硝
材で作られた投影光学系PLの部分的な断面を示し、前
群のレンズ系GAの最下部のレンズGA1 と後群のレン
ズ系GBの最上部のレンズGB1 との間の空間中にフー
リエ変換面FTPが存在する。投影光学系PLは複数枚
のレンズを鏡筒で保持しているが、干渉性低減部材CC
M、及び二重焦点化部材DFMの挿脱のために、鏡筒の
一部に開口部を設ける。また干渉性低減部材CCM、二
重焦点化部材DFM、及びスライダー機構20の全部、
又は一部を、外気に直接露出させないようなカバー20
Bを、鏡筒の開口部から延設する。このカバー20Bは
外気に浮遊する微小なダストが投影光学系PLの瞳空間
内に進入するのを防ぐ。スライダー機構20には、回転
モータ、ペンシリンダー、ソレノイド等のアクチュエー
タ20Aが結合されている。更に、鏡筒の一部に瞳空間
に連通する流路Afを設け、パイプ29を介して温度制
御されたクリーンエアを瞳空間へ供給することで、干渉
性低減部材CCM、及び二重焦点化部材DFMの露光光
の一部吸収による温度上昇、及び瞳空間全体の温度上昇
を抑えるようにする。なお、瞳空間へ強制的に供給され
たクリーンエアを、スライダー機構20、アクチュエー
タ20Aを介して強制的に排出するようにすれば、スラ
イダー機構20等で発生した塵埃が瞳空間内に進入する
ことを防止できる。
構造を、図5を参照して説明する。図5は全て屈折性硝
材で作られた投影光学系PLの部分的な断面を示し、前
群のレンズ系GAの最下部のレンズGA1 と後群のレン
ズ系GBの最上部のレンズGB1 との間の空間中にフー
リエ変換面FTPが存在する。投影光学系PLは複数枚
のレンズを鏡筒で保持しているが、干渉性低減部材CC
M、及び二重焦点化部材DFMの挿脱のために、鏡筒の
一部に開口部を設ける。また干渉性低減部材CCM、二
重焦点化部材DFM、及びスライダー機構20の全部、
又は一部を、外気に直接露出させないようなカバー20
Bを、鏡筒の開口部から延設する。このカバー20Bは
外気に浮遊する微小なダストが投影光学系PLの瞳空間
内に進入するのを防ぐ。スライダー機構20には、回転
モータ、ペンシリンダー、ソレノイド等のアクチュエー
タ20Aが結合されている。更に、鏡筒の一部に瞳空間
に連通する流路Afを設け、パイプ29を介して温度制
御されたクリーンエアを瞳空間へ供給することで、干渉
性低減部材CCM、及び二重焦点化部材DFMの露光光
の一部吸収による温度上昇、及び瞳空間全体の温度上昇
を抑えるようにする。なお、瞳空間へ強制的に供給され
たクリーンエアを、スライダー機構20、アクチュエー
タ20Aを介して強制的に排出するようにすれば、スラ
イダー機構20等で発生した塵埃が瞳空間内に進入する
ことを防止できる。
【0042】図6は干渉性低減部材の第1実施例による
構造を示し、本実施例では干渉性低減のために、結像光
の偏光状態を制御するようにした。このように偏光作用
を利用した干渉性低減部材を、以下、偏光状態制御部材
PCMと呼ぶ。図6(A)はその偏光状態制御部材PC
Mの断面図、図6(B)は平面図である。先に図3と共
に説明した通り、円形透過部FAの半径r1 は瞳epの
実効的な最大半径r2に対して、 2r1 2=r2 2 に設定されるが、実際はこの関係を厳密に満たさなくて
もよい。この式から明らかなように、円形透過部FAの
面積πr1 2は実効的な瞳開口の面積πr2 2に対して約半
分になっている。
構造を示し、本実施例では干渉性低減のために、結像光
の偏光状態を制御するようにした。このように偏光作用
を利用した干渉性低減部材を、以下、偏光状態制御部材
PCMと呼ぶ。図6(A)はその偏光状態制御部材PC
Mの断面図、図6(B)は平面図である。先に図3と共
に説明した通り、円形透過部FAの半径r1 は瞳epの
実効的な最大半径r2に対して、 2r1 2=r2 2 に設定されるが、実際はこの関係を厳密に満たさなくて
もよい。この式から明らかなように、円形透過部FAの
面積πr1 2は実効的な瞳開口の面積πr2 2に対して約半
分になっている。
【0043】さて、図4中の光源(水銀ランプ1)はラ
ンダムな偏光状態の光(種々の偏光状態の光の合成され
た光であり、且つその偏光状態が時間と共に変化する)
を発生する。本発明の第1実施例では、図6の偏光状態
制御部材PCMとして直線偏光板を用いることにするの
で、図4中の偏光制御部材6を省略する。その場合、レ
チクル上のコンタクトホールパターンを透過して偏光状
態制御部材PCMに達する光束の偏光状態もランダムで
ある。図6に示す偏光状態制御部材PCMは中心点CC
から半径r1 の円形透過部FA内を、特定方向の直線偏
光のみを透過させる偏光板で構成し、中心点CCと同軸
の輪帯状の周辺透過部FBを、円形透過部FAとは直交
する方向の直線偏光のみを透過させる偏光板で構成す
る。従って、図6の偏光状態制御部材PCMを透過した
後の結像光束の偏光状態は図6(C)に示す如く、中央
の透過部FAでは、例えば図6(C)中の右上から左下
への電場の振動面(偏光面)となり、周辺透過部FBで
は左上から右下への偏光面となり、互いに直交する偏光
方向を持った直線偏光となり、互いに干渉し合わない光
束(LFa、LFb)となる。図3に示すように、これ
ら互いに干渉し合わない中心部と周辺部との両光束がウ
エハWに達し、それぞれが自分自身とのみ振幅合成し、
別々に像(強度分布)Pr1 '、Pr2 'を作ることで、そ
の各々の像(強度分布)の焦点深度が増大する原理は作
用の項で述べた通りである。
ンダムな偏光状態の光(種々の偏光状態の光の合成され
た光であり、且つその偏光状態が時間と共に変化する)
を発生する。本発明の第1実施例では、図6の偏光状態
制御部材PCMとして直線偏光板を用いることにするの
で、図4中の偏光制御部材6を省略する。その場合、レ
チクル上のコンタクトホールパターンを透過して偏光状
態制御部材PCMに達する光束の偏光状態もランダムで
ある。図6に示す偏光状態制御部材PCMは中心点CC
から半径r1 の円形透過部FA内を、特定方向の直線偏
光のみを透過させる偏光板で構成し、中心点CCと同軸
の輪帯状の周辺透過部FBを、円形透過部FAとは直交
する方向の直線偏光のみを透過させる偏光板で構成す
る。従って、図6の偏光状態制御部材PCMを透過した
後の結像光束の偏光状態は図6(C)に示す如く、中央
の透過部FAでは、例えば図6(C)中の右上から左下
への電場の振動面(偏光面)となり、周辺透過部FBで
は左上から右下への偏光面となり、互いに直交する偏光
方向を持った直線偏光となり、互いに干渉し合わない光
束(LFa、LFb)となる。図3に示すように、これ
ら互いに干渉し合わない中心部と周辺部との両光束がウ
エハWに達し、それぞれが自分自身とのみ振幅合成し、
別々に像(強度分布)Pr1 '、Pr2 'を作ることで、そ
の各々の像(強度分布)の焦点深度が増大する原理は作
用の項で述べた通りである。
【0044】あるいは、図6に示す偏光状態制御部材P
CMの射出側(ウエハ側)に1/4波長板を設け、中心
透過部FAを透過した第1の直線偏光と、その第1の直
線偏光とは直交する周辺透過部FBを透過した第2の直
線偏光とを、それぞれ互いに逆回りの円偏光に変換して
もよい。このように、互いに逆回りの円偏光も、互いに
干渉し合うことがなく、本発明に好適である。
CMの射出側(ウエハ側)に1/4波長板を設け、中心
透過部FAを透過した第1の直線偏光と、その第1の直
線偏光とは直交する周辺透過部FBを透過した第2の直
線偏光とを、それぞれ互いに逆回りの円偏光に変換して
もよい。このように、互いに逆回りの円偏光も、互いに
干渉し合うことがなく、本発明に好適である。
【0045】以上の第1実施例では、投影光学系PL中
の偏光状態制御部材PCMが偏光板で構成されているた
め、投影光学系PLを透過すべき本来の光量のうち半分
の光量は偏光状態制御部材PCMとしての偏光板に吸収
されることになる。これは露光パワーの低下も意味する
が、投影光学系内に熱(吸収した露光光のエネルギー)
が蓄積することとなり、光学系や硝材の安定性という点
で問題となる。
の偏光状態制御部材PCMが偏光板で構成されているた
め、投影光学系PLを透過すべき本来の光量のうち半分
の光量は偏光状態制御部材PCMとしての偏光板に吸収
されることになる。これは露光パワーの低下も意味する
が、投影光学系内に熱(吸収した露光光のエネルギー)
が蓄積することとなり、光学系や硝材の安定性という点
で問題となる。
【0046】そこで、この熱の問題(露光パワーの損
失)を解決する実施例を干渉性低減部材の第2実施例と
して図7を参照して説明する。本実施例では、照明光I
LBの偏光特性が重要になる。そこで、図4中の偏光制
御部材6として偏光板を用いる。あるいは光源がレーザ
等で最初から直線偏光であれば、この偏光板は用いなく
てもよい。
失)を解決する実施例を干渉性低減部材の第2実施例と
して図7を参照して説明する。本実施例では、照明光I
LBの偏光特性が重要になる。そこで、図4中の偏光制
御部材6として偏光板を用いる。あるいは光源がレーザ
等で最初から直線偏光であれば、この偏光板は用いなく
てもよい。
【0047】このような、偏光制御部材6を用いてレチ
クルRへの照明光ILBの偏光特性を揃えておくと、コ
ンタクトホールパターンを透過、回折して、投影光学系
PL中の偏光状態制御部材PCMに達する結像光束も特
定の直線偏光に揃った状態となっている。そこで照明光
ILBが直線偏光に揃っている場合には、図7(B)に
示すように偏光状態制御部材PCMとして1/2波長板
を使用する。図7(A)は偏光状態制御部材PCMに入
射する直前の光の偏光状態を示し、ここでは図7(A)
中で上下方向に電場の振動面をもつ直線偏光であるもの
とする。図7(B)は偏光状態制御部材PCMの平面構
造を示し、半径r1 の中心の円形透過部FA1 は1/2
波長板で構成され、周辺の輪帯状透過部FB1 は透過部
FA1 (1/2波長板)とほぼ同等の厚さ(光学的厚
さ)を持った通常の透明板(例えば石英)である。この
図7の偏光状態制御部材PCMを通過した直後の光の偏
光状態は、図7(C)に示すように円形透過部FA1 の
部分偏光状態が左右方向の直線偏光に変換され、周辺の
輪帯状透過部FB1 の部分では偏光状態は何ら変化しな
い。このため、先の第1実施例と同様に結像光束の中心
部と周辺部とで互いに干渉し合わない偏光状態を得るこ
とができる。ここで、透過部FA1 としての1/2波長
板の軸方向(面内の回転)は、入射する直線偏光の方向
をそれと直交する方向に変換する軸方向に設定される
が、1/2波長板の軸方向と照明光ILBの偏光方向と
を最適化するように、偏光状態制御部材PCMと偏光制
御部材6とを面内で回転方向に相対的に調整出来るよう
にしてもよい。
クルRへの照明光ILBの偏光特性を揃えておくと、コ
ンタクトホールパターンを透過、回折して、投影光学系
PL中の偏光状態制御部材PCMに達する結像光束も特
定の直線偏光に揃った状態となっている。そこで照明光
ILBが直線偏光に揃っている場合には、図7(B)に
示すように偏光状態制御部材PCMとして1/2波長板
を使用する。図7(A)は偏光状態制御部材PCMに入
射する直前の光の偏光状態を示し、ここでは図7(A)
中で上下方向に電場の振動面をもつ直線偏光であるもの
とする。図7(B)は偏光状態制御部材PCMの平面構
造を示し、半径r1 の中心の円形透過部FA1 は1/2
波長板で構成され、周辺の輪帯状透過部FB1 は透過部
FA1 (1/2波長板)とほぼ同等の厚さ(光学的厚
さ)を持った通常の透明板(例えば石英)である。この
図7の偏光状態制御部材PCMを通過した直後の光の偏
光状態は、図7(C)に示すように円形透過部FA1 の
部分偏光状態が左右方向の直線偏光に変換され、周辺の
輪帯状透過部FB1 の部分では偏光状態は何ら変化しな
い。このため、先の第1実施例と同様に結像光束の中心
部と周辺部とで互いに干渉し合わない偏光状態を得るこ
とができる。ここで、透過部FA1 としての1/2波長
板の軸方向(面内の回転)は、入射する直線偏光の方向
をそれと直交する方向に変換する軸方向に設定される
が、1/2波長板の軸方向と照明光ILBの偏光方向と
を最適化するように、偏光状態制御部材PCMと偏光制
御部材6とを面内で回転方向に相対的に調整出来るよう
にしてもよい。
【0048】また、変形例として、中心の透過部FA1
と周辺の輪帯状透過部FB1 とを共に1/4波長板と
し、且つ両者の軸方向(平板面内で、屈折率の高い方
向)を互いに直交させたものを用いてもよい。このとき
は、両方の透過部FA1 、FB1の透過光は互いに逆回
りの円偏光となり、やはり干渉し合うことはない。な
お、このときの両者の軸方向と照明光の直線偏光の偏光
方向とは、45°ずつずれるように調整する。
と周辺の輪帯状透過部FB1 とを共に1/4波長板と
し、且つ両者の軸方向(平板面内で、屈折率の高い方
向)を互いに直交させたものを用いてもよい。このとき
は、両方の透過部FA1 、FB1の透過光は互いに逆回
りの円偏光となり、やはり干渉し合うことはない。な
お、このときの両者の軸方向と照明光の直線偏光の偏光
方向とは、45°ずつずれるように調整する。
【0049】あるいは、上記2つの構成の波長板に対し
て、照明光ILB自体を円偏光として使用してもよい。
この場合、偏光状態制御部材PCMとして1/2波長板
を利用しているときは、中心透過部FA1 と周辺透過部
FB1 とを通った光が、互いに逆回りの円偏光状態とな
り、偏光状態制御部材PCMとして1/4波長板を利用
しているときは、互いに直交する直線偏光となる。照明
光ILB自体を円偏光とするには、照明系中の前述の偏
光制御部材(偏光板)6よりレチクル寄りに、1/4波
長板やフレネルの斜方体等を設ければよい。
て、照明光ILB自体を円偏光として使用してもよい。
この場合、偏光状態制御部材PCMとして1/2波長板
を利用しているときは、中心透過部FA1 と周辺透過部
FB1 とを通った光が、互いに逆回りの円偏光状態とな
り、偏光状態制御部材PCMとして1/4波長板を利用
しているときは、互いに直交する直線偏光となる。照明
光ILB自体を円偏光とするには、照明系中の前述の偏
光制御部材(偏光板)6よりレチクル寄りに、1/4波
長板やフレネルの斜方体等を設ければよい。
【0050】このように入射光束(照明光ILB)が円
偏光であると、1/2波長板や1/4波長板の軸方向を
照明光の偏光特性に合わせて回転調整する必要がなくな
るので好都合である。以上のような偏光状態制御部材P
CMを用いると、先に述べた第1実施例のような露光エ
ネルギーの吸収の問題がなくなり、投影光学系PL内で
の熱蓄積が抑えられる点で極めて好都合である。しかし
ながら、今度は照明光学系中で照明光ILBを1つの偏
光状態に揃えることに伴う光量損失(半分以上)が問題
点として残る。
偏光であると、1/2波長板や1/4波長板の軸方向を
照明光の偏光特性に合わせて回転調整する必要がなくな
るので好都合である。以上のような偏光状態制御部材P
CMを用いると、先に述べた第1実施例のような露光エ
ネルギーの吸収の問題がなくなり、投影光学系PL内で
の熱蓄積が抑えられる点で極めて好都合である。しかし
ながら、今度は照明光学系中で照明光ILBを1つの偏
光状態に揃えることに伴う光量損失(半分以上)が問題
点として残る。
【0051】そこで照明光の光量損失を低減させた照明
系の一例を、第3実施例として図8を参照して説明す
る。図8の系は図4中の偏光制御部材6の代わりに設け
られるものである。先ず、図8(A)において入射光束
は2つの偏光ビームスプリッター6C、6Dにより分
割、合成される。即ち、1番目の偏光ビームスプリッタ
ー6CではP偏光(上下方向の偏光)成分が透過して2
番目の偏光ビームスプリッター6Dも透過して直進す
る。一方、ビームスプリッター6Cで分割されたS偏光
(図8(A)の紙面に垂直な方向の偏光)成分は、間隔
d1 だけ離れたミラー6E、6Fを介してビームスプリ
ッター6Dで合成され、P偏光成分と同軸になって進
む。このとき、ミラー6E、6Fの光路によってP偏光
とS偏光とに光路差2×d1 を与える。
系の一例を、第3実施例として図8を参照して説明す
る。図8の系は図4中の偏光制御部材6の代わりに設け
られるものである。先ず、図8(A)において入射光束
は2つの偏光ビームスプリッター6C、6Dにより分
割、合成される。即ち、1番目の偏光ビームスプリッタ
ー6CではP偏光(上下方向の偏光)成分が透過して2
番目の偏光ビームスプリッター6Dも透過して直進す
る。一方、ビームスプリッター6Cで分割されたS偏光
(図8(A)の紙面に垂直な方向の偏光)成分は、間隔
d1 だけ離れたミラー6E、6Fを介してビームスプリ
ッター6Dで合成され、P偏光成分と同軸になって進
む。このとき、ミラー6E、6Fの光路によってP偏光
とS偏光とに光路差2×d1 を与える。
【0052】従って入射光束の時間的コヒーレント長Δ
Lcが2d1 より短かければ、合成後のP偏光成分とS
偏光成分とは、偏光方向が相補的であることの他に時間
的にもインコヒーレント(非可干渉)になる。これら2
つの偏光成分を持った照明光が使われ、偏光状態制御部
材PCMとして図7のものが使われると、図9に示す通
り、偏光状態制御部材PCMに入射するとP偏光成分
(例えば白ヌキの矢印方向)とS偏光成分(例えば黒ヌ
リの矢印方向)とは、それぞれ図9(C)のように偏光
状態制御部材PCMを透過した後では互いに干渉し合わ
ない4つの光束となる。即ち、円形透過部FA1 (1/
2波長板)では元の偏光方向が90°だけ回転させられ
る。これら4つの光束はそれぞれ偏光方向が異なると共
に、透過部FA1 、FB1 の夫々で偏光方向が同一であ
っても時間的にインコヒーレントであるために干渉し合
うことはない。即ち、透過部FA1 を通過したS偏光成
分はP偏光成分に変換され、透過部FB1 を透過したP
偏光成分と同一偏光方向となるが、その2つの光は時間
的にインコヒーレントであるので干渉しない。
Lcが2d1 より短かければ、合成後のP偏光成分とS
偏光成分とは、偏光方向が相補的であることの他に時間
的にもインコヒーレント(非可干渉)になる。これら2
つの偏光成分を持った照明光が使われ、偏光状態制御部
材PCMとして図7のものが使われると、図9に示す通
り、偏光状態制御部材PCMに入射するとP偏光成分
(例えば白ヌキの矢印方向)とS偏光成分(例えば黒ヌ
リの矢印方向)とは、それぞれ図9(C)のように偏光
状態制御部材PCMを透過した後では互いに干渉し合わ
ない4つの光束となる。即ち、円形透過部FA1 (1/
2波長板)では元の偏光方向が90°だけ回転させられ
る。これら4つの光束はそれぞれ偏光方向が異なると共
に、透過部FA1 、FB1 の夫々で偏光方向が同一であ
っても時間的にインコヒーレントであるために干渉し合
うことはない。即ち、透過部FA1 を通過したS偏光成
分はP偏光成分に変換され、透過部FB1 を透過したP
偏光成分と同一偏光方向となるが、その2つの光は時間
的にインコヒーレントであるので干渉しない。
【0053】仮に、図8(A)のように構成された偏光
制御部材からの照明光を用いないと、図9のP偏光とS
偏光とは時間的にはコヒーレントのままであるため、偏
光状態制御部材PCMを透過した後の各光束も偏光方向
が同じであれば互いに干渉し合うこととなり、本発明の
効果は薄らぐ。図8(A)に示した系は合成すべき2つ
の偏光成分の光路長差を大きくとることができるので、
比較的時間的コヒーレント長の長い光源、例えば狭帯化
したレーザ光源等に適している。
制御部材からの照明光を用いないと、図9のP偏光とS
偏光とは時間的にはコヒーレントのままであるため、偏
光状態制御部材PCMを透過した後の各光束も偏光方向
が同じであれば互いに干渉し合うこととなり、本発明の
効果は薄らぐ。図8(A)に示した系は合成すべき2つ
の偏光成分の光路長差を大きくとることができるので、
比較的時間的コヒーレント長の長い光源、例えば狭帯化
したレーザ光源等に適している。
【0054】なお、レーザ光源として直線偏光光を射出
する光源を使用する場合は、あえて図8(A)の構成の
偏光制御手段を用いなくても、本発明の効果を得ること
ができる。但し、直線偏光のレーザ光源に対して図8
(A)の如き偏光制御手段を用いると、照明光を時間的
にインコヒーレントな2つの光束とすることができるた
め、レーザ光源の使用時に問題となるスペックルや干渉
縞(照度ムラ)を低減することができるという効果があ
る。この場合、図8(A)の1段目のビームスプリッタ
ー6Cに入射する直線偏光の偏光方向は、偏光ビームス
プリッター6Cに対して図8(A)に示すように、P偏
光方向とS偏光方向との中間(両者から45°方向)の
偏光方向LPLにするとよい。
する光源を使用する場合は、あえて図8(A)の構成の
偏光制御手段を用いなくても、本発明の効果を得ること
ができる。但し、直線偏光のレーザ光源に対して図8
(A)の如き偏光制御手段を用いると、照明光を時間的
にインコヒーレントな2つの光束とすることができるた
め、レーザ光源の使用時に問題となるスペックルや干渉
縞(照度ムラ)を低減することができるという効果があ
る。この場合、図8(A)の1段目のビームスプリッタ
ー6Cに入射する直線偏光の偏光方向は、偏光ビームス
プリッター6Cに対して図8(A)に示すように、P偏
光方向とS偏光方向との中間(両者から45°方向)の
偏光方向LPLにするとよい。
【0055】ところで、光源が水銀ランプのように比較
的大きなスペクトル幅を有する光源の場合にはその時間
的コヒーレント長は短いので、図8(B)のような簡単
な部材を図4中の偏光制御部材6として用いることがで
きる。この部材は石英等の透明平行平板6Gの表面に偏
光反射膜6Hを付け、裏面に金属等で全反射膜6Jを付
けたもので、水銀ランプからのコリメートされた光束を
所定角度で反射するように配置される。このとき、水銀
ランプからのランダム偏光の入射光のうち、S偏光成分
(図8(B)の紙面と垂直な方向)は表面の膜6Hで反
射され、P偏光成分は表面の膜6H、平行平板6Gを透
過して裏面の膜6Jで反射され、S偏光成分とP偏光成
分とには、ほぼ平行平板6Gの厚さ(光学的厚さ)のほ
ぼ2倍に相当する光路差が与えられる。
的大きなスペクトル幅を有する光源の場合にはその時間
的コヒーレント長は短いので、図8(B)のような簡単
な部材を図4中の偏光制御部材6として用いることがで
きる。この部材は石英等の透明平行平板6Gの表面に偏
光反射膜6Hを付け、裏面に金属等で全反射膜6Jを付
けたもので、水銀ランプからのコリメートされた光束を
所定角度で反射するように配置される。このとき、水銀
ランプからのランダム偏光の入射光のうち、S偏光成分
(図8(B)の紙面と垂直な方向)は表面の膜6Hで反
射され、P偏光成分は表面の膜6H、平行平板6Gを透
過して裏面の膜6Jで反射され、S偏光成分とP偏光成
分とには、ほぼ平行平板6Gの厚さ(光学的厚さ)のほ
ぼ2倍に相当する光路差が与えられる。
【0056】例えば水銀ランプからのi線の場合、中心
波長λが365nm、波長幅Δλが5nm程度なので、
一般に使われるコヒーレント長の式、ΔLc=λ2 /Δ
λより、コヒーレント長ΔLcは26μm程度となる。
従って、十分に薄い平行平板6G(例えば1mm厚程
度)であっても、時間的コヒーレンスを消すために十分
な光路長差を与えることができる。
波長λが365nm、波長幅Δλが5nm程度なので、
一般に使われるコヒーレント長の式、ΔLc=λ2 /Δ
λより、コヒーレント長ΔLcは26μm程度となる。
従って、十分に薄い平行平板6G(例えば1mm厚程
度)であっても、時間的コヒーレンスを消すために十分
な光路長差を与えることができる。
【0057】勿論、上記の実施例であっても照明光IL
Bを互いに直交する直線偏光で、且つ時間的にインコヒ
ーレントな2つの光束にする代わりに、互いに逆回りの
円偏光で、且つ時間的にインコヒーレントな2つの光束
としても、前述の実施例と同様に良好な効果が得られ、
光量損失もない。照明光ILB、あるいは偏光状態制御
部材PCMに達する前の光束を円偏光にするには、やは
り図8(A)、(B)に示した系から偏光状態制御部材
PCMまでの光路中に1/4波長板等を設ければよい。
Bを互いに直交する直線偏光で、且つ時間的にインコヒ
ーレントな2つの光束にする代わりに、互いに逆回りの
円偏光で、且つ時間的にインコヒーレントな2つの光束
としても、前述の実施例と同様に良好な効果が得られ、
光量損失もない。照明光ILB、あるいは偏光状態制御
部材PCMに達する前の光束を円偏光にするには、やは
り図8(A)、(B)に示した系から偏光状態制御部材
PCMまでの光路中に1/4波長板等を設ければよい。
【0058】以上、投影光学系の瞳面に設ける干渉性低
減部材として、偏光特性を利用した偏光板や、1/4波
長板、1/2波長板を使用する実施例を示したが、干渉
性低減部材として、上述の時間的コヒーレンシーを利用
する部材を用いてもよい。即ち、瞳面の中心部分と周辺
部分とを通る結像光の間に、その光のコヒーレント長以
上の光路差を与える部材を用いてもよい。
減部材として、偏光特性を利用した偏光板や、1/4波
長板、1/2波長板を使用する実施例を示したが、干渉
性低減部材として、上述の時間的コヒーレンシーを利用
する部材を用いてもよい。即ち、瞳面の中心部分と周辺
部分とを通る結像光の間に、その光のコヒーレント長以
上の光路差を与える部材を用いてもよい。
【0059】例えば図6(A)、(B)に示した偏光状
態制御部材PCMと同様の構成であって、中心透過部F
Aと周辺透過部FBとを厚さの多少異なる通常のガラ
ス、又は石英等とすると、中心透過部FAを透過した光
束と、周辺透過部FBを透過した光束との間の時間的コ
ヒーレンシーをほとんど消失させることができる。例え
ば、上述の如くi線のコヒーレント長ΔLcは約26μ
mであるから、使用するガラスの屈折率nを1.5とす
ると、両者(FA、FB)の厚さの違いをtとしたと
き、(n−1)t≧26μmであればよく、t≧52μ
mの厚さの差があればよい。あるいは、両方の透過部
(FA、FB)は同じ厚さとして両者の材質の屈折率を
異ならしめる(異なる材料を用いる)ことで、コヒーレ
ント長以上の光路長差を与えることもできる。前述の如
く、偏光作用により瞳面内の光束の干渉性を低減させて
も、光路長差により干渉性を低減させても、本発明の効
果は同様に得られる。
態制御部材PCMと同様の構成であって、中心透過部F
Aと周辺透過部FBとを厚さの多少異なる通常のガラ
ス、又は石英等とすると、中心透過部FAを透過した光
束と、周辺透過部FBを透過した光束との間の時間的コ
ヒーレンシーをほとんど消失させることができる。例え
ば、上述の如くi線のコヒーレント長ΔLcは約26μ
mであるから、使用するガラスの屈折率nを1.5とす
ると、両者(FA、FB)の厚さの違いをtとしたと
き、(n−1)t≧26μmであればよく、t≧52μ
mの厚さの差があればよい。あるいは、両方の透過部
(FA、FB)は同じ厚さとして両者の材質の屈折率を
異ならしめる(異なる材料を用いる)ことで、コヒーレ
ント長以上の光路長差を与えることもできる。前述の如
く、偏光作用により瞳面内の光束の干渉性を低減させて
も、光路長差により干渉性を低減させても、本発明の効
果は同様に得られる。
【0060】以上、投影光学系の瞳面に設ける干渉性低
減部材の各実施例を述べたが、次に投影光学系の瞳面に
設けるもう1つの部材である二重焦点化部材について説
明する。図10は、図4中の二重焦点化部材DFMの各
種実施例を示し、図10(A)中の二重焦点化部材DF
Mは、前述した干渉性低減部材CCMに近接して投影光
学系の瞳面FTPに配置される。干渉性低減部材CCM
の中心の透過部FA及び周辺の透過部FBに位置的にそ
れぞれ対応して(図6参照)、二重焦点化部材DFM
も、円形の中心部の透過部FAと輪帯状の周辺の透過部
FBとに分かれる。従って、干渉性低減部材CCMの中
心の透過部FAを透過した光束は、二重焦点化部材DF
Mの中心の透過部FAを透過し、干渉性低減部材CCM
の周辺の透過部FBを透過した光束は、二重焦点化部材
DFMの周辺の透過部FBを透過する。図10(A)の
例では、二重焦点化部材DFMは、周辺の透過部FBで
は平行平板となっているが、中心の透過部FAでは屈折
力の小さな平凸レンズとなっている。即ち、二重焦点化
部材DFMは結像部材として、周辺の透過部FBでは焦
点距離が無限大(屈折力が0)となっており、中心の透
過部FAでは焦点距離が正の有限値(屈折力も正の有限
値)となっている。
減部材の各実施例を述べたが、次に投影光学系の瞳面に
設けるもう1つの部材である二重焦点化部材について説
明する。図10は、図4中の二重焦点化部材DFMの各
種実施例を示し、図10(A)中の二重焦点化部材DF
Mは、前述した干渉性低減部材CCMに近接して投影光
学系の瞳面FTPに配置される。干渉性低減部材CCM
の中心の透過部FA及び周辺の透過部FBに位置的にそ
れぞれ対応して(図6参照)、二重焦点化部材DFM
も、円形の中心部の透過部FAと輪帯状の周辺の透過部
FBとに分かれる。従って、干渉性低減部材CCMの中
心の透過部FAを透過した光束は、二重焦点化部材DF
Mの中心の透過部FAを透過し、干渉性低減部材CCM
の周辺の透過部FBを透過した光束は、二重焦点化部材
DFMの周辺の透過部FBを透過する。図10(A)の
例では、二重焦点化部材DFMは、周辺の透過部FBで
は平行平板となっているが、中心の透過部FAでは屈折
力の小さな平凸レンズとなっている。即ち、二重焦点化
部材DFMは結像部材として、周辺の透過部FBでは焦
点距離が無限大(屈折力が0)となっており、中心の透
過部FAでは焦点距離が正の有限値(屈折力も正の有限
値)となっている。
【0061】このため、レチクル上の1点から射出され
てウエハ上の1点に至る全光束のうち、投影光学系の瞳
面FTP近傍で、二重焦点化部材DFMの中心の透過部
FAを透過する光束は、周辺の透過部FBを透過する光
束に比べて、より強い屈折作用を受けることとなり、中
心の透過部FAを透過する光束は、周辺の透過部FBを
透過した光束による焦点位置よりも、光軸方向により投
影光学系に近い位置に焦点を結ぶこととなる。この結
果、中心の透過部FAを透過した光束による像と、周辺
の透過部FBを透過した光束による像とは、ウエハ近傍
で互いに光軸方向に離れた位置に形成され、従来のFL
EX法と同様の焦点深度の改善効果が得られる。
てウエハ上の1点に至る全光束のうち、投影光学系の瞳
面FTP近傍で、二重焦点化部材DFMの中心の透過部
FAを透過する光束は、周辺の透過部FBを透過する光
束に比べて、より強い屈折作用を受けることとなり、中
心の透過部FAを透過する光束は、周辺の透過部FBを
透過した光束による焦点位置よりも、光軸方向により投
影光学系に近い位置に焦点を結ぶこととなる。この結
果、中心の透過部FAを透過した光束による像と、周辺
の透過部FBを透過した光束による像とは、ウエハ近傍
で互いに光軸方向に離れた位置に形成され、従来のFL
EX法と同様の焦点深度の改善効果が得られる。
【0062】勿論、本発明においては、中心の透過部F
Aを透過した光束の像及び周辺の透過部FBを透過した
光束の像の何れもが、従来の結像による像よりも大きな
焦点深度を有するため、二重焦点化部材DFMによる焦
点深度の拡大は、従来のFLEX法より、遥かに大きな
ものとなる。図10(B)は、二重焦点化部材DFMの
第2実施例を示し、図10(B)において、中心の透過
部FA中の光軸近傍の円形の部分領域に位相シフターP
S1が設けられている。この位相シフターPS1は、こ
の位相シフターPS1を通過する照明光(波長λ)と、
それ以外の領域を通過する照明光との間に、λ/4の位
相差を与えるものである。
Aを透過した光束の像及び周辺の透過部FBを透過した
光束の像の何れもが、従来の結像による像よりも大きな
焦点深度を有するため、二重焦点化部材DFMによる焦
点深度の拡大は、従来のFLEX法より、遥かに大きな
ものとなる。図10(B)は、二重焦点化部材DFMの
第2実施例を示し、図10(B)において、中心の透過
部FA中の光軸近傍の円形の部分領域に位相シフターP
S1が設けられている。この位相シフターPS1は、こ
の位相シフターPS1を通過する照明光(波長λ)と、
それ以外の領域を通過する照明光との間に、λ/4の位
相差を与えるものである。
【0063】また、図10(C)は、二重焦点化部材D
FMの第3実施例を示し、図10(C)において、周辺
の透過部FB中の外周側の部分輪帯領域にλ/4の位相
差を与える位相シフターPS2が設けられている。実際
には、図10(B)及び(C)において、二重焦点化部
材DFMの上面又は下面に干渉性低減部材CCMが配置
される。このように、中心の透過部FA又は周辺の透過
部FB内で部分的にλ/4の位相差を与えると、これら
の領域の透過光による焦点位置を、位相差を与えない場
合に対して、光軸方向に異ならしめることができる。
FMの第3実施例を示し、図10(C)において、周辺
の透過部FB中の外周側の部分輪帯領域にλ/4の位相
差を与える位相シフターPS2が設けられている。実際
には、図10(B)及び(C)において、二重焦点化部
材DFMの上面又は下面に干渉性低減部材CCMが配置
される。このように、中心の透過部FA又は周辺の透過
部FB内で部分的にλ/4の位相差を与えると、これら
の領域の透過光による焦点位置を、位相差を与えない場
合に対して、光軸方向に異ならしめることができる。
【0064】図11は、λ/4の位相差を与える位相シ
フターによる焦点位置の変化を説明するための図であ
り、図11(A)は、図10(B)に示したものと同様
の二重焦点化部材DFMを示す。図11(B)は、二重
焦点化部材DFMを透過した直後の結像光の波面の状態
を示し、図11(B)において、中心の透過部FA内の
光軸近傍の部分領域FA1 を透過した照明光の波面は、
周辺の部分領域FA2 を透過した照明光の波面に比べて
λ/4だけ遅れたものとなっている(照明光の進行方向
は下方である)。このとき、これらの波面を仮想的につ
なぐと、等波面ICは、破線の円で示す如く円弧状とな
り、透過光は弱い集光作用を受けながらウエハへと達す
る。これは前述の図10(A)に示した凸レンズと全く
同じ作用であり、前述の凸レンズを用いた場合と同様に
λ/4の位相差を与える位相シフターを用いても、中心
の透過部FAを透過した光束を、周辺の透過部FBを透
過した光束の合焦位置よりも投影光学系に近い側で合焦
させることができる。
フターによる焦点位置の変化を説明するための図であ
り、図11(A)は、図10(B)に示したものと同様
の二重焦点化部材DFMを示す。図11(B)は、二重
焦点化部材DFMを透過した直後の結像光の波面の状態
を示し、図11(B)において、中心の透過部FA内の
光軸近傍の部分領域FA1 を透過した照明光の波面は、
周辺の部分領域FA2 を透過した照明光の波面に比べて
λ/4だけ遅れたものとなっている(照明光の進行方向
は下方である)。このとき、これらの波面を仮想的につ
なぐと、等波面ICは、破線の円で示す如く円弧状とな
り、透過光は弱い集光作用を受けながらウエハへと達す
る。これは前述の図10(A)に示した凸レンズと全く
同じ作用であり、前述の凸レンズを用いた場合と同様に
λ/4の位相差を与える位相シフターを用いても、中心
の透過部FAを透過した光束を、周辺の透過部FBを透
過した光束の合焦位置よりも投影光学系に近い側で合焦
させることができる。
【0065】一方、図10(C)の例では、周辺の透過
部FBの中の最外周の部分領域にλ/4の位相差を与え
るため、周辺の透過部FBを透過した光束は発散光束と
なり、レンズとしては負の屈折力を持つもの(凹レン
ズ)と同等である。このため、図10(C)の実施例で
あっても、周辺の透過部FBを透過した光束の合焦位置
を、中心の透過部FAを透過した光束の合焦位置より
も、投影光学系から離れた位置にすることができる。
部FBの中の最外周の部分領域にλ/4の位相差を与え
るため、周辺の透過部FBを透過した光束は発散光束と
なり、レンズとしては負の屈折力を持つもの(凹レン
ズ)と同等である。このため、図10(C)の実施例で
あっても、周辺の透過部FBを透過した光束の合焦位置
を、中心の透過部FAを透過した光束の合焦位置より
も、投影光学系から離れた位置にすることができる。
【0066】図10(B)、(C)の何れの実施例にお
いても、中心の透過部FAを透過した光束と周辺の透過
部FBを透過した光束とは、相互には可干渉性がないた
め、上記で述べた等波面は、それぞれ中心の透過部FA
内、又は周辺の透過部FB内のみで考えればよい。な
お、図10(B)、(C)の実施例においては、λ/4
の位相差を与える位相シフターは中心の透過部FA、又
は周辺の透過部FBの何れか一方の中に設けられている
が、位相シフターを透過部FA及びFBの両方に設けて
もよい。この場合、中心の透過部FAを透過した光の焦
点位置は位相シフターの無い場合より投影光学系に近づ
き、周辺の透過部FBを透過した光の焦点位置は、位相
シフターの無い場合より投影光学系から遠ざかるため、
透過部FAを透過した光の焦点位置と、透過部FBを透
過した光の焦点位置とは、片方のみに位相シフターを設
けた場合に比べてより大きく離れる。
いても、中心の透過部FAを透過した光束と周辺の透過
部FBを透過した光束とは、相互には可干渉性がないた
め、上記で述べた等波面は、それぞれ中心の透過部FA
内、又は周辺の透過部FB内のみで考えればよい。な
お、図10(B)、(C)の実施例においては、λ/4
の位相差を与える位相シフターは中心の透過部FA、又
は周辺の透過部FBの何れか一方の中に設けられている
が、位相シフターを透過部FA及びFBの両方に設けて
もよい。この場合、中心の透過部FAを透過した光の焦
点位置は位相シフターの無い場合より投影光学系に近づ
き、周辺の透過部FBを透過した光の焦点位置は、位相
シフターの無い場合より投影光学系から遠ざかるため、
透過部FAを透過した光の焦点位置と、透過部FBを透
過した光の焦点位置とは、片方のみに位相シフターを設
けた場合に比べてより大きく離れる。
【0067】また、以上の実施例では、λ/4の位相差
を与える位相シフターを二重焦点化部材DFMの基板の
下側(ウエハ側)に設けているが、これをその基板の上
側(干渉性低減部材CCM側)に設けても構わない。な
お、本実施例で用いるλ/4の位相差を与える位相シフ
ターPS1、PS2は、透過後の波面に適当な変形を与
え、仮想波面を円弧状に変形するだけの目的で使用され
ているものである。従って、位相シフターPS1、PS
2による位相シフト量は正確にλ/4(即ち、π/2
[rad])でなくても特に問題はなく、0より大きく
λ/3(即ち、2π/3[rad])程度より小さい範
囲内であれば良い。
を与える位相シフターを二重焦点化部材DFMの基板の
下側(ウエハ側)に設けているが、これをその基板の上
側(干渉性低減部材CCM側)に設けても構わない。な
お、本実施例で用いるλ/4の位相差を与える位相シフ
ターPS1、PS2は、透過後の波面に適当な変形を与
え、仮想波面を円弧状に変形するだけの目的で使用され
ているものである。従って、位相シフターPS1、PS
2による位相シフト量は正確にλ/4(即ち、π/2
[rad])でなくても特に問題はなく、0より大きく
λ/3(即ち、2π/3[rad])程度より小さい範
囲内であれば良い。
【0068】また、干渉性低減部材CCMと二重焦点化
部材DFMとの位置関係について、図4では干渉性低減
部材CCMが二重焦点化部材DFMの上面側(レチクル
R側)に設けられているが、干渉性低減部材CCMを二
重焦点化部材DFMの下面側(ウエハW側)に設けても
構わない。更に、干渉性低減部材CCMと二重焦点化部
材DFMとを一体化することもできる。
部材DFMとの位置関係について、図4では干渉性低減
部材CCMが二重焦点化部材DFMの上面側(レチクル
R側)に設けられているが、干渉性低減部材CCMを二
重焦点化部材DFMの下面側(ウエハW側)に設けても
構わない。更に、干渉性低減部材CCMと二重焦点化部
材DFMとを一体化することもできる。
【0069】図12は、干渉性低減部材CCMと、二重
焦点化部材DFMとを一体化した部材(以下、単に「瞳
フィルター部材PF」と略称する。)の実施例を示す。
それらの内、図12(A)は、図10(A)に示した実
施例を変形し、干渉性低減部材CCMと二重焦点化部材
DFMとを密着させた例を示す。図10(A)のように
両者を分離して配置する場合、光束の透過面が4面であ
るため、反射(フレアー)や各面の加工の点で問題があ
るが、図12(A)のように両者を密着すると、空気面
は2面となるため、反射や加工の点で好ましい。
焦点化部材DFMとを一体化した部材(以下、単に「瞳
フィルター部材PF」と略称する。)の実施例を示す。
それらの内、図12(A)は、図10(A)に示した実
施例を変形し、干渉性低減部材CCMと二重焦点化部材
DFMとを密着させた例を示す。図10(A)のように
両者を分離して配置する場合、光束の透過面が4面であ
るため、反射(フレアー)や各面の加工の点で問題があ
るが、図12(A)のように両者を密着すると、空気面
は2面となるため、反射や加工の点で好ましい。
【0070】図12(B)は、特にコヒーレント長以上
の光路差によって可干渉性を低減するタイプの干渉性低
減部材に好適な一体化の実施例を示し、この図12
(B)において、瞳フィルター部材PFは中心の透過部
FAが平凸レンズで、周辺の透過部FBが平行平板であ
る一枚のガラス板より成る。このとき、中心の透過部F
Aと周辺の透過部FBとの境界での段差Δdを、ガラス
板の屈折率n及び照明光のコヒーレント長ΔLcを用い
て次の関係を満たすように設定する。
の光路差によって可干渉性を低減するタイプの干渉性低
減部材に好適な一体化の実施例を示し、この図12
(B)において、瞳フィルター部材PFは中心の透過部
FAが平凸レンズで、周辺の透過部FBが平行平板であ
る一枚のガラス板より成る。このとき、中心の透過部F
Aと周辺の透過部FBとの境界での段差Δdを、ガラス
板の屈折率n及び照明光のコヒーレント長ΔLcを用い
て次の関係を満たすように設定する。
【0071】(n−1)Δd≧ΔLc (6) 図12(C)は、瞳フィルター部材PFの別の実施例を
示し、図12(C)において、中心の透過部FAは屈折
率n1 で中心の厚さがt1 且つ周辺の厚さがt 2 の平凸
レンズであり、周辺の透過部FBは屈折率n2 で厚さが
t3 の平行平板である。
示し、図12(C)において、中心の透過部FAは屈折
率n1 で中心の厚さがt1 且つ周辺の厚さがt 2 の平凸
レンズであり、周辺の透過部FBは屈折率n2 で厚さが
t3 の平行平板である。
【0072】なお、図12(B)、(C)の実施例共
に、中心の透過部FAを両凸レンズとしても良い。ある
いは、中心の透過部FAを凸レンズとする代わりに、周
辺の透過部FBを凹レンズとしても良く、あるいは中心
の透過部FAを凸レンズとして周辺の透過部FBを凹レ
ンズとしても良い。また、以上の全ての実施例とは逆
に、中心の透過部FAが凹レンズ、あるいは周辺の透過
部FBが凸レンズであってもよい。このように中心を凹
レンズ、周辺を凸レンズとする構成は、上記の何れの実
施例に適用することも可能である。また、λ/4の位相
差を与える位相シフターを用いる実施例に対しても、中
心の透過部FA内の周辺の部分領域、又は周辺の透過部
FB内の内周の部分領域にλ/4の位相差を与える位相
シフターを配置することで、それぞれ中心部を凸レンズ
として周辺部を凹レンズとする構成と同等の効果を得る
ことができる。
に、中心の透過部FAを両凸レンズとしても良い。ある
いは、中心の透過部FAを凸レンズとする代わりに、周
辺の透過部FBを凹レンズとしても良く、あるいは中心
の透過部FAを凸レンズとして周辺の透過部FBを凹レ
ンズとしても良い。また、以上の全ての実施例とは逆
に、中心の透過部FAが凹レンズ、あるいは周辺の透過
部FBが凸レンズであってもよい。このように中心を凹
レンズ、周辺を凸レンズとする構成は、上記の何れの実
施例に適用することも可能である。また、λ/4の位相
差を与える位相シフターを用いる実施例に対しても、中
心の透過部FA内の周辺の部分領域、又は周辺の透過部
FB内の内周の部分領域にλ/4の位相差を与える位相
シフターを配置することで、それぞれ中心部を凸レンズ
として周辺部を凹レンズとする構成と同等の効果を得る
ことができる。
【0073】この場合も、以下の(7)式又は(8)式
の何れかを満たすことにより、中心の透過部FAを透過
する光束と、周辺の透過部FBを透過する光束との間の
可干渉性を消すことができる。 n1 t2 −{n2 t3 +(t2 −t3)} =(n1 −1)t2 −(n2 −1)t3 ≧ΔLc (7) n2 t3 −{n1 t1 +(t3 −t1)} =(n2 −1)t3 −(n1 −1)t1 ≧ΔLc (8) なお、このとき、屈折率n1 ,n2 、及び厚さt1 ,t
2 ,t3 の値を、次の関係を満たすように設定すると、
投影光学系の光学収差に与える影響を、最も小さくする
ことができる。
の何れかを満たすことにより、中心の透過部FAを透過
する光束と、周辺の透過部FBを透過する光束との間の
可干渉性を消すことができる。 n1 t2 −{n2 t3 +(t2 −t3)} =(n1 −1)t2 −(n2 −1)t3 ≧ΔLc (7) n2 t3 −{n1 t1 +(t3 −t1)} =(n2 −1)t3 −(n1 −1)t1 ≧ΔLc (8) なお、このとき、屈折率n1 ,n2 、及び厚さt1 ,t
2 ,t3 の値を、次の関係を満たすように設定すると、
投影光学系の光学収差に与える影響を、最も小さくする
ことができる。
【0074】 t2(1−1/n1)≦t3(1−1/n2)≦t1(1−1/n1) (9)
【0075】次に、干渉性低減部材CCM、及び二重焦
点化部材DFMの変形例について、図13及び図14を
用いて説明する。図13は干渉性低減部材CCMとして
の偏光状態制御部材PCMの変形例を示し、図13
(A)において、二重の輪帯状の透過部FA及びFBの
内側の中心部に円形遮光部FD1 が設けられている。こ
のとき結像光束のウエハWへの入射角度範囲は、遮光部
FD1 の半径をK1 とすると、図13(C)のようにs
inθ K1から開口数NAwまでの2光束(透過部FA及
びFBの各透過光)に限定される。このとき遮光部FD
1 を含めて考えると、入射角度範囲NAw内に存在する
結像光束は3分割されるため、1つの光束の角度範囲
(デフォーカスによる光路長差ΔZ)も3分割され、そ
れだけ、デフォーカス時に悪影響を与える光路差が減少
する。これによって、透過部FA及びFBの各部分につ
いて更なる焦点深度の拡大が図れる。
点化部材DFMの変形例について、図13及び図14を
用いて説明する。図13は干渉性低減部材CCMとして
の偏光状態制御部材PCMの変形例を示し、図13
(A)において、二重の輪帯状の透過部FA及びFBの
内側の中心部に円形遮光部FD1 が設けられている。こ
のとき結像光束のウエハWへの入射角度範囲は、遮光部
FD1 の半径をK1 とすると、図13(C)のようにs
inθ K1から開口数NAwまでの2光束(透過部FA及
びFBの各透過光)に限定される。このとき遮光部FD
1 を含めて考えると、入射角度範囲NAw内に存在する
結像光束は3分割されるため、1つの光束の角度範囲
(デフォーカスによる光路長差ΔZ)も3分割され、そ
れだけ、デフォーカス時に悪影響を与える光路差が減少
する。これによって、透過部FA及びFBの各部分につ
いて更なる焦点深度の拡大が図れる。
【0076】図14(A)及び(B)は、図13に示し
た透過部FAと遮光部FD1 との関係を逆にし、円形の
透過部FAと輪帯状の遮光部FBとの間に輪帯状遮光部
FD 2 を設けたものである。このとき遮光部FD2 の幅
は(K2 −K1)であり、図14(C)に示すように入射
角度範囲(θK2−θK1)の間で結像光束の一部が遮蔽さ
れる。この図14の場合も図13の場合と同等の効果が
得られる。
た透過部FAと遮光部FD1 との関係を逆にし、円形の
透過部FAと輪帯状の遮光部FBとの間に輪帯状遮光部
FD 2 を設けたものである。このとき遮光部FD2 の幅
は(K2 −K1)であり、図14(C)に示すように入射
角度範囲(θK2−θK1)の間で結像光束の一部が遮蔽さ
れる。この図14の場合も図13の場合と同等の効果が
得られる。
【0077】ところで、図13及び図14に示した偏光
状態制御部材PCMでは、中心の円形の透過部、又は輪
帯状の透過部を偏光板としたが、図7及び図9に示した
如く1/4波長板、1/2波長板あるいは旋光物質を用
いてもよい。また図13及び図14中の遮光部FD1 、
FD2 は、例えば偏光板や波長板上に金属膜等を蒸着し
た遮光膜でもよく、更には偏光状態制御部材PCMとは
離して設けられた金属板等でもよい。
状態制御部材PCMでは、中心の円形の透過部、又は輪
帯状の透過部を偏光板としたが、図7及び図9に示した
如く1/4波長板、1/2波長板あるいは旋光物質を用
いてもよい。また図13及び図14中の遮光部FD1 、
FD2 は、例えば偏光板や波長板上に金属膜等を蒸着し
た遮光膜でもよく、更には偏光状態制御部材PCMとは
離して設けられた金属板等でもよい。
【0078】また、遮光部FD1 、FD2 は二重焦点化
部材DFM上に形成してもよく、あるいは図12に示す
如く、干渉性低減部材CCMと二重焦点化部材DFMと
が一体化されている瞳フィルター部材PFでは、この一
体化された瞳フィルター部材PF上に遮光部FD1 、F
D2 を形成してもよい。また、遮光部FD1 、FD2 、
あるいはそれと等価な遮光板は、露光波長の光について
のみ遮光すればよいので、誘電体薄膜等による光学的な
シャープカットフィルター等を用いて、露光波長(紫外
光)等の短波長域を吸収してしまうものでもよい。この
ようにすると、例えばHe−Neレーザを光源としてウ
エハW上のアライメントマークを照射し、その反射光等
を投影光学系PLを介して検出するTTL方式のアライ
メント系を使う場合、瞳面に位置する遮光部FD1 、F
D 2 、又は遮光板がマークからの反射光に対して悪影響
(遮光)を与えるなどの問題はなくなる。あるいはウエ
ハマーク照明用のレーザビームやマークからの反射光が
通る上述の金属膜の遮光板又は遮光部FD1 、FD2 上
の位置だけ透過領域としてもよく、その面積が小さけれ
ば本発明の効果を特に損なうものとはならない。
部材DFM上に形成してもよく、あるいは図12に示す
如く、干渉性低減部材CCMと二重焦点化部材DFMと
が一体化されている瞳フィルター部材PFでは、この一
体化された瞳フィルター部材PF上に遮光部FD1 、F
D2 を形成してもよい。また、遮光部FD1 、FD2 、
あるいはそれと等価な遮光板は、露光波長の光について
のみ遮光すればよいので、誘電体薄膜等による光学的な
シャープカットフィルター等を用いて、露光波長(紫外
光)等の短波長域を吸収してしまうものでもよい。この
ようにすると、例えばHe−Neレーザを光源としてウ
エハW上のアライメントマークを照射し、その反射光等
を投影光学系PLを介して検出するTTL方式のアライ
メント系を使う場合、瞳面に位置する遮光部FD1 、F
D 2 、又は遮光板がマークからの反射光に対して悪影響
(遮光)を与えるなどの問題はなくなる。あるいはウエ
ハマーク照明用のレーザビームやマークからの反射光が
通る上述の金属膜の遮光板又は遮光部FD1 、FD2 上
の位置だけ透過領域としてもよく、その面積が小さけれ
ば本発明の効果を特に損なうものとはならない。
【0079】図15は、干渉性低減部材と、二重焦点化
部材とが一体となった瞳フィルター部材の別の実施例を
示し、図15(A)及び(B)に示す如く、中心の円形
の透過部FA1 と周辺の輪帯状の透過部FA2 とは、同
じ偏光方向の光を透過する偏光板であり、中間の輪帯状
の透過部FBは、透過部FA1 及びFA2 の偏光方向と
直交する偏光方向の光を透過する偏光板である。従っ
て、中心の透過部FA1を透過する光束と周辺の透過部
FA2 を透過する光束とは可干渉となる。但し、周辺の
透過部FA2 を透過する光束は、中心の透過部FA1 を
透過する光束に対して、位相シフターPS3によりλ/
4(即ち、π/2[rad])の位相差が付加されてい
る。従って、両光束の仮想波面はやはり円弧状となり
(図10(C)の場合と同様)、両光束の焦点位置は、
位相シフターPS3の無い場合の焦点位置(これは中間
の透過部FBの焦点位置と一致する)に比べて、投影光
学系から遠い位置にずれる。
部材とが一体となった瞳フィルター部材の別の実施例を
示し、図15(A)及び(B)に示す如く、中心の円形
の透過部FA1 と周辺の輪帯状の透過部FA2 とは、同
じ偏光方向の光を透過する偏光板であり、中間の輪帯状
の透過部FBは、透過部FA1 及びFA2 の偏光方向と
直交する偏光方向の光を透過する偏光板である。従っ
て、中心の透過部FA1を透過する光束と周辺の透過部
FA2 を透過する光束とは可干渉となる。但し、周辺の
透過部FA2 を透過する光束は、中心の透過部FA1 を
透過する光束に対して、位相シフターPS3によりλ/
4(即ち、π/2[rad])の位相差が付加されてい
る。従って、両光束の仮想波面はやはり円弧状となり
(図10(C)の場合と同様)、両光束の焦点位置は、
位相シフターPS3の無い場合の焦点位置(これは中間
の透過部FBの焦点位置と一致する)に比べて、投影光
学系から遠い位置にずれる。
【0080】なお、図15では、干渉性低減部材を偏光
フィルターより形成したが、この干渉性低減部材を1/
2波長板、又は1/4波長板より形成してもよく、ある
いは、コヒーレント長以上の光路差を与える部材より形
成してもよい。また、図4に示したウエハステージWS
Tの駆動ユニット22のうち、ウエハWを光軸方向に微
動させる制御の中に、従来のFLEX法の機能を持たせ
てもよい。FLEX法の併用により本発明による焦点深
度の増大効果を更に増大させることもできる。また、本
発明は投影露光装置であればどのタイプのものにも適用
できる。例えば投影レンズを用いたステッパータイプの
ものでもよく、あるいは反射屈折光学系を用いたステッ
プ・アンド・スキャン型のものであっても、1:1のミ
ラープロジェクションタイプのものであってもよい。特
にスキャンタイプ(ステップ・アンド・スキャン)やミ
ラープロジェクション方式では、レチクルやウエハを投
影光学系の光軸と垂直な面内で走査移動させながら露光
するため、従来のFLEX法の適用が難しいとされてい
たが、本発明はそのような走査型の露光方式の装置に極
めて簡単に適用できるといった利点がある。
フィルターより形成したが、この干渉性低減部材を1/
2波長板、又は1/4波長板より形成してもよく、ある
いは、コヒーレント長以上の光路差を与える部材より形
成してもよい。また、図4に示したウエハステージWS
Tの駆動ユニット22のうち、ウエハWを光軸方向に微
動させる制御の中に、従来のFLEX法の機能を持たせ
てもよい。FLEX法の併用により本発明による焦点深
度の増大効果を更に増大させることもできる。また、本
発明は投影露光装置であればどのタイプのものにも適用
できる。例えば投影レンズを用いたステッパータイプの
ものでもよく、あるいは反射屈折光学系を用いたステッ
プ・アンド・スキャン型のものであっても、1:1のミ
ラープロジェクションタイプのものであってもよい。特
にスキャンタイプ(ステップ・アンド・スキャン)やミ
ラープロジェクション方式では、レチクルやウエハを投
影光学系の光軸と垂直な面内で走査移動させながら露光
するため、従来のFLEX法の適用が難しいとされてい
たが、本発明はそのような走査型の露光方式の装置に極
めて簡単に適用できるといった利点がある。
【0081】なお、上記のミラープロジェクション方式
及びステップ・アンド・スキャン方式の一部の形式で
は、投影光学系の瞳面が反射面に一致するか、あるいは
その近傍となる場合がある。その場合、二重焦点化部材
として、上記反射面自体の曲率半径を、光軸近傍と周辺
とで異ならしめたものを使用することもできる。また、
反射面の光軸近傍と周辺とに段差Sd(Sd≧(1/
2)ΔLc)を設けることにより、上記反射面自体を光
路長差による干渉性低減部材として用いることもでき
る。
及びステップ・アンド・スキャン方式の一部の形式で
は、投影光学系の瞳面が反射面に一致するか、あるいは
その近傍となる場合がある。その場合、二重焦点化部材
として、上記反射面自体の曲率半径を、光軸近傍と周辺
とで異ならしめたものを使用することもできる。また、
反射面の光軸近傍と周辺とに段差Sd(Sd≧(1/
2)ΔLc)を設けることにより、上記反射面自体を光
路長差による干渉性低減部材として用いることもでき
る。
【0082】次に、上述実施例の効果について、シミュ
レーション結果に基づいて説明する。図16は、上述実
施例によるコンタクトホールパターンの投影像(光学像
の強度分布)を示す。投影光学系PL内に配置する干渉
性低減部材CCM及び二重焦点化部材DFMよりなる瞳
フィルター部材PFの実施形態としては、図10
(A)、又は図12(A)、(B)、(C)の実施例の
ものを使用するとした。なお、露光用の照明光をi線
(波長λ:0.365μm)、投影光学系のウエハ側の
開口数NAを0.57として、レチクルR上のコンタク
トホールパターンとしては、ウエハ上の換算値で0.3
0μm角のものを使用した。
レーション結果に基づいて説明する。図16は、上述実
施例によるコンタクトホールパターンの投影像(光学像
の強度分布)を示す。投影光学系PL内に配置する干渉
性低減部材CCM及び二重焦点化部材DFMよりなる瞳
フィルター部材PFの実施形態としては、図10
(A)、又は図12(A)、(B)、(C)の実施例の
ものを使用するとした。なお、露光用の照明光をi線
(波長λ:0.365μm)、投影光学系のウエハ側の
開口数NAを0.57として、レチクルR上のコンタク
トホールパターンとしては、ウエハ上の換算値で0.3
0μm角のものを使用した。
【0083】また、例えば図12(A)において、瞳フ
ィルター部材PFの中心の透過部FAの半径r1 は瞳の
半径r2 (投影光学系の開口数NAに相当する値)に対
して0.65倍であり、中心の透過部FAを通る光束の
ベストフォーカス位置と、周辺の透過部FBを通る光束
のベストフォーカス位置との差は、光軸方向に3μm
(=2.67×λ/NA2)(透過部FAを通る光束のベ
ストフォーカス位置の方が投影光学系に近い)とした。
ィルター部材PFの中心の透過部FAの半径r1 は瞳の
半径r2 (投影光学系の開口数NAに相当する値)に対
して0.65倍であり、中心の透過部FAを通る光束の
ベストフォーカス位置と、周辺の透過部FBを通る光束
のベストフォーカス位置との差は、光軸方向に3μm
(=2.67×λ/NA2)(透過部FAを通る光束のベ
ストフォーカス位置の方が投影光学系に近い)とした。
【0084】図16(B)は、合成像のほぼベストフォ
ーカス位置でのコンタクトホールパターンの光学像I2
を示す。この位置は、中心の透過部FAの光束のベスト
フォーカス位置より2μmだけ投影光学系から遠く、周
辺の透過部FBの光束のベストフォーカス位置より1μ
mだけ投影光学系に近い位置である。図16において、
実線で示す露光量Ethは、ポジタイプのフォトレジス
トを完全に(現像後に完全に溶解するレベルまで)感光
させるのに必要な露光量を表し、且つ光学像I 2 のゲイ
ンは、上記露光量Ethでのスライス幅が0.3μm
(設計値)となるように定めた。
ーカス位置でのコンタクトホールパターンの光学像I2
を示す。この位置は、中心の透過部FAの光束のベスト
フォーカス位置より2μmだけ投影光学系から遠く、周
辺の透過部FBの光束のベストフォーカス位置より1μ
mだけ投影光学系に近い位置である。図16において、
実線で示す露光量Ethは、ポジタイプのフォトレジス
トを完全に(現像後に完全に溶解するレベルまで)感光
させるのに必要な露光量を表し、且つ光学像I 2 のゲイ
ンは、上記露光量Ethでのスライス幅が0.3μm
(設計値)となるように定めた。
【0085】図16(A)及び(C)は、図16(B)
と同一のゲインであるが、各々+1μmデフォーカス位
置(投影光学系に近づく側)、及び−1μmデフォーカ
ス位置(投影光学系から遠ざかる側)での光学像I1 及
びI3 を表す。図16より、本実施例による像では、ベ
ストフォーカス位置での光学像I2 と、その位置からそ
れぞれ+1μmデフォーカス位置、及び−1μmデフォ
ーカス位置での光学像に大きな違いがない、即ち焦点深
度が大きいことが分かる。
と同一のゲインであるが、各々+1μmデフォーカス位
置(投影光学系に近づく側)、及び−1μmデフォーカ
ス位置(投影光学系から遠ざかる側)での光学像I1 及
びI3 を表す。図16より、本実施例による像では、ベ
ストフォーカス位置での光学像I2 と、その位置からそ
れぞれ+1μmデフォーカス位置、及び−1μmデフォ
ーカス位置での光学像に大きな違いがない、即ち焦点深
度が大きいことが分かる。
【0086】一方、図18は従来の通常の露光方法での
像を示し、この場合には、ベストフォーカス位置の光学
像I8 (図18(A))と、+1μmデフォーカス位置
での光学像I7(図18(A))、及び−1μmデフォー
カス位置での光学像I9(図18(C))とに大きな違い
があるため、デフォーカスによる像の劣化が大きく、焦
点深度が小さいことが分かる。なお、図18に示すシミ
ュレーション結果も、瞳フィルター部材以外の条件、即
ち、投影光学系の開口数、露光波長λ、照明光学系のコ
ヒーレンスファクター(σ値)、コンタクトホールパタ
ーンのサイズ、及び光学像のゲインの設定方法は全て図
16の場合と同一であり、以後のシミュレーションでも
同様である。
像を示し、この場合には、ベストフォーカス位置の光学
像I8 (図18(A))と、+1μmデフォーカス位置
での光学像I7(図18(A))、及び−1μmデフォー
カス位置での光学像I9(図18(C))とに大きな違い
があるため、デフォーカスによる像の劣化が大きく、焦
点深度が小さいことが分かる。なお、図18に示すシミ
ュレーション結果も、瞳フィルター部材以外の条件、即
ち、投影光学系の開口数、露光波長λ、照明光学系のコ
ヒーレンスファクター(σ値)、コンタクトホールパタ
ーンのサイズ、及び光学像のゲインの設定方法は全て図
16の場合と同一であり、以後のシミュレーションでも
同様である。
【0087】図19は、従来のFLEX法による光学像
のシミュレーション結果であるが、本実施例による図1
6のシミュレーション結果は、図19のFLEX法によ
るシミュレーション結果と同程度の焦点深度が得られる
ことが分かった。なお、ここでのFLEX法は、光軸方
向に各1.25μmずつ離れた離散的な3点で、それぞ
れ等しい露光量の露光を各1回ずつ行う方式とした。
のシミュレーション結果であるが、本実施例による図1
6のシミュレーション結果は、図19のFLEX法によ
るシミュレーション結果と同程度の焦点深度が得られる
ことが分かった。なお、ここでのFLEX法は、光軸方
向に各1.25μmずつ離れた離散的な3点で、それぞ
れ等しい露光量の露光を各1回ずつ行う方式とした。
【0088】一方、図17のシミュレーション結果は、
図16の場合とは別の実施例の瞳フィルター部材を用い
た場合に形成される光学像I4 〜I6 を示す、用いる瞳
フィルター部材は図13(A)に示した如きものとし
た。フィルターの各領域の半径は、周辺の透過部FBの
外半径(瞳の半径)に対して、中心の遮光部FD1 の半
径は0.3倍、中間の透過部FAの外半径は、0.7倍
とした。また、中間の透過部FAの光束による像のベス
トフォーカス位置は、外側の透過部FBの光束による像
のベストフォーカス位置に対して、3μmだけ投影光学
系側になるようにしたが、これは、図10(A)、又は
図12(A)、(B)、(C)に示した何れの方法を用
いてもよい。図17に示した如く、図13のような実施
例によっても本発明の特徴である大きな焦点深度を持つ
像が得られることが分かる。
図16の場合とは別の実施例の瞳フィルター部材を用い
た場合に形成される光学像I4 〜I6 を示す、用いる瞳
フィルター部材は図13(A)に示した如きものとし
た。フィルターの各領域の半径は、周辺の透過部FBの
外半径(瞳の半径)に対して、中心の遮光部FD1 の半
径は0.3倍、中間の透過部FAの外半径は、0.7倍
とした。また、中間の透過部FAの光束による像のベス
トフォーカス位置は、外側の透過部FBの光束による像
のベストフォーカス位置に対して、3μmだけ投影光学
系側になるようにしたが、これは、図10(A)、又は
図12(A)、(B)、(C)に示した何れの方法を用
いてもよい。図17に示した如く、図13のような実施
例によっても本発明の特徴である大きな焦点深度を持つ
像が得られることが分かる。
【0089】図20は、コンタクトホールパターンが或
る程度近接して2個配列されたパターンに対しての光学
像(投影像)のシミュレーション結果を示し、2個のコ
ンタクトホールパターンのそれぞれは0.30μm角の
大きさとし、その中心間隔は1.05μmとする。図2
0(A)は、本実施例における図16に示した場合と同
一条件下でのベストフォーカス位置での光学像I13を示
し、図20(B)は、本実施例における図17に示した
場合と同一条件下でのベストフォーカス位置での光学像
I14を示す。なお、光学像I13及びI14のゲインは、図
20(A)及び(B)の各々で、露光量Ethでのスラ
イス幅が0.3μmとなるように設定した。
る程度近接して2個配列されたパターンに対しての光学
像(投影像)のシミュレーション結果を示し、2個のコ
ンタクトホールパターンのそれぞれは0.30μm角の
大きさとし、その中心間隔は1.05μmとする。図2
0(A)は、本実施例における図16に示した場合と同
一条件下でのベストフォーカス位置での光学像I13を示
し、図20(B)は、本実施例における図17に示した
場合と同一条件下でのベストフォーカス位置での光学像
I14を示す。なお、光学像I13及びI14のゲインは、図
20(A)及び(B)の各々で、露光量Ethでのスラ
イス幅が0.3μmとなるように設定した。
【0090】一方、図20(C)は、従来のSuper
−FLEX法を用いた場合の光学像I15のシミュレーシ
ョン結果であり、ここでのSuper−FLEXフィル
ター(二重焦点フィルター)は、半径r1 が瞳面の半径
r2 の0.38倍であり、その半径r1 以内の円形領域
で透過光の位相をπ[rad]ずらすものとした。な
お、この条件でのSuper−FLEX型フィルター
は、孤立したコンタクトホールパターンについて焦点深
度を最大とするように半径比を最適化したものである
が、図20(C)に示す如く、或る程度近接した2個の
コンタクトホールパターンに対しては両コンタクトホー
ルパターンのリンギング(サブピーク)が重なり合って
いる。この結果、リンギングは露光量Ec(ポジタイプ
のフォトレジストが膜減りし始める露光量)を越えてし
まい、従ってフォトレジストに不要なパターンを誤転写
してしまうことになる。
−FLEX法を用いた場合の光学像I15のシミュレーシ
ョン結果であり、ここでのSuper−FLEXフィル
ター(二重焦点フィルター)は、半径r1 が瞳面の半径
r2 の0.38倍であり、その半径r1 以内の円形領域
で透過光の位相をπ[rad]ずらすものとした。な
お、この条件でのSuper−FLEX型フィルター
は、孤立したコンタクトホールパターンについて焦点深
度を最大とするように半径比を最適化したものである
が、図20(C)に示す如く、或る程度近接した2個の
コンタクトホールパターンに対しては両コンタクトホー
ルパターンのリンギング(サブピーク)が重なり合って
いる。この結果、リンギングは露光量Ec(ポジタイプ
のフォトレジストが膜減りし始める露光量)を越えてし
まい、従ってフォトレジストに不要なパターンを誤転写
してしまうことになる。
【0091】また、図20(C)で用いたSuper−
FLEX型フィルターより効果の弱い(半径r1 の小さ
い)フィルターを用いると、リンギングを図20(C)
より小さくすることができるが、この場合には、フィル
ターによる焦点深度の向上効果も同時に小さくなり、本
実施例のように大きな焦点深度を得ることはできなくな
る。
FLEX型フィルターより効果の弱い(半径r1 の小さ
い)フィルターを用いると、リンギングを図20(C)
より小さくすることができるが、この場合には、フィル
ターによる焦点深度の向上効果も同時に小さくなり、本
実施例のように大きな焦点深度を得ることはできなくな
る。
【0092】一方、図20(A)及び(B)に示すよう
に、本実施例による光学像では、コンタクトホールパタ
ーンの像の周囲に生じるリンギングが小さいため、2個
のリンギングが合成されても、ポジタイプのフォトレジ
ストを膜減りさせる心配は全くない。以上の実施例(シ
ミュレーション)においては全て、露光波長をi線(波
長λ:0.365μm)、投影光学系の開口数NAを
0.57とし、コンタクトホールパターンのサイズを
0.30μm角としたが、本発明は他の如何なる条件下
でも当然に使用することができる。また、透過部FAの
光束によるベストフォーカス位置が、透過部FBの光束
によるベストフォーカス位置より3μm(=2.67×
λ/NA2)だけ投影光学系寄りであるとしたが、この位
置関係もこれに限定されるわけではなく、透過部FBの
光束によるベストフォーカス位置の方が投影光学系寄り
であってもよい。また、両ベストフォーカス位置の間隔
も、1.6λ/NA2 から3.2λ/NA2 程度までの
間であれば、本発明による効果を十分に発揮することが
できる。
に、本実施例による光学像では、コンタクトホールパタ
ーンの像の周囲に生じるリンギングが小さいため、2個
のリンギングが合成されても、ポジタイプのフォトレジ
ストを膜減りさせる心配は全くない。以上の実施例(シ
ミュレーション)においては全て、露光波長をi線(波
長λ:0.365μm)、投影光学系の開口数NAを
0.57とし、コンタクトホールパターンのサイズを
0.30μm角としたが、本発明は他の如何なる条件下
でも当然に使用することができる。また、透過部FAの
光束によるベストフォーカス位置が、透過部FBの光束
によるベストフォーカス位置より3μm(=2.67×
λ/NA2)だけ投影光学系寄りであるとしたが、この位
置関係もこれに限定されるわけではなく、透過部FBの
光束によるベストフォーカス位置の方が投影光学系寄り
であってもよい。また、両ベストフォーカス位置の間隔
も、1.6λ/NA2 から3.2λ/NA2 程度までの
間であれば、本発明による効果を十分に発揮することが
できる。
【0093】また、上述のシミュレーションでは示さな
かったが、図10(B)、(C)に示したように、λ/
4の光路差によりベストフォーカス位置をずらす方法に
よっても、上記のシミュレーション結果と同等の良好な
結果を得ることができる。例えば、図10(B)の実施
例で、投影光学系の開口数NAを0.57、透過部FA
の半径r1 を0.65×r2 とし、λ/4の位相差を与
える位相シフターPS1の半径rP を0.7×r1 とす
ると、半径rP は、投影光学系の開口数NAで規格化し
た表現では、次のようになる。
かったが、図10(B)、(C)に示したように、λ/
4の光路差によりベストフォーカス位置をずらす方法に
よっても、上記のシミュレーション結果と同等の良好な
結果を得ることができる。例えば、図10(B)の実施
例で、投影光学系の開口数NAを0.57、透過部FA
の半径r1 を0.65×r2 とし、λ/4の位相差を与
える位相シフターPS1の半径rP を0.7×r1 とす
ると、半径rP は、投影光学系の開口数NAで規格化し
た表現では、次のようになる。
【0094】 rP =0.57×0.65×0.7=0.26 (10) この場合、一般に用いられるデフォーカスによる波面収
差の式は次のようなものである。但し、ΔWが波面収
差、ΔFがデフォーカス量である。 ΔW=(1/2)ΔF・NA2 (11) この式と、位相シフターPS1による位相差λ/4とか
ら、次の式が得られる。
差の式は次のようなものである。但し、ΔWが波面収
差、ΔFがデフォーカス量である。 ΔW=(1/2)ΔF・NA2 (11) この式と、位相シフターPS1による位相差λ/4とか
ら、次の式が得られる。
【0095】 ΔW=λ/4=(1/2)ΔF・NA2 (12) この式より、デフォーカス量ΔFは次のようになる。 ΔF=λ/(2NA2) (13) この(13)式において、開口数NAとして、位相シフ
ターPS1の半径rPの値を用いると、ΔF=2.7
[μm]となる。即ち、上記のλ/4の位相差を与える
位相シフターPS1により、図10(B)の例では、中
央の透過部FAのベストフォーカス位置は、周辺の透過
部FBのベストフォーカス位置よりも約2.7μmだけ
投影光学系に近い位置に来ることになる。勿論、位相シ
フターPS1の半径rP の値等は、この条件のみに限定
されるわけではない。
ターPS1の半径rPの値を用いると、ΔF=2.7
[μm]となる。即ち、上記のλ/4の位相差を与える
位相シフターPS1により、図10(B)の例では、中
央の透過部FAのベストフォーカス位置は、周辺の透過
部FBのベストフォーカス位置よりも約2.7μmだけ
投影光学系に近い位置に来ることになる。勿論、位相シ
フターPS1の半径rP の値等は、この条件のみに限定
されるわけではない。
【0096】以上、本発明の各実施例とその作用につい
て説明したが、レチクルRへの照明光ILBに特定の偏
光方向を持たせるとき、その偏光方向の適、不適を判断
したり、あるいは干渉性低減部材CCMを通過した後の
結像光束の偏光状態の良否を判断するために、投影光学
系を通った光束の一部を光電検出する手段をウエハステ
ージWST上に設けてもよい。また、ライン・アンド・
スペースパターンを持つレチクルを使用するときは、干
渉性低減部材CCMを投影光学系PL外へ退出させ、照
明系の一部をSHRINC法に適するように交換可能と
してもよい。なお、コンタクトホールパターンの投影露
光時に干渉性低減部材CCMを用いると共に、SHRI
NC法又は輪帯照明光源等の変形照明系を併用するよう
にしてもよい。その場合、露光すべきレチクルをコンタ
クトホール用からライン・アンド・スペース用に交換す
るときは、干渉性低減部材CCM及び二重焦点化部材D
FMを一緒に退出させればよい。このように干渉性低減
部材CCM及び二重焦点化部材DFMを退出させたとき
には、投影光学系の結像状態が変化しないように、両者
と同等の光学的厚さを有する透明基板(石英板等)を光
路中に挿入することが望ましい。
て説明したが、レチクルRへの照明光ILBに特定の偏
光方向を持たせるとき、その偏光方向の適、不適を判断
したり、あるいは干渉性低減部材CCMを通過した後の
結像光束の偏光状態の良否を判断するために、投影光学
系を通った光束の一部を光電検出する手段をウエハステ
ージWST上に設けてもよい。また、ライン・アンド・
スペースパターンを持つレチクルを使用するときは、干
渉性低減部材CCMを投影光学系PL外へ退出させ、照
明系の一部をSHRINC法に適するように交換可能と
してもよい。なお、コンタクトホールパターンの投影露
光時に干渉性低減部材CCMを用いると共に、SHRI
NC法又は輪帯照明光源等の変形照明系を併用するよう
にしてもよい。その場合、露光すべきレチクルをコンタ
クトホール用からライン・アンド・スペース用に交換す
るときは、干渉性低減部材CCM及び二重焦点化部材D
FMを一緒に退出させればよい。このように干渉性低減
部材CCM及び二重焦点化部材DFMを退出させたとき
には、投影光学系の結像状態が変化しないように、両者
と同等の光学的厚さを有する透明基板(石英板等)を光
路中に挿入することが望ましい。
【0097】また、本発明の各実施例に示した干渉性低
減部材CCMは、円形状、あるいは輪帯状の透過部又は
遮光部で構成したが、これは文字通りの形状に限られる
ものではない。例えば円形状の透過部又は遮光部は矩形
を含む多角形に、輪帯状の透過部又は遮光部はその多角
形を環状に取り囲む形状に、それぞれ変形してもよい。
減部材CCMは、円形状、あるいは輪帯状の透過部又は
遮光部で構成したが、これは文字通りの形状に限られる
ものではない。例えば円形状の透過部又は遮光部は矩形
を含む多角形に、輪帯状の透過部又は遮光部はその多角
形を環状に取り囲む形状に、それぞれ変形してもよい。
【0098】更に、例えば図15の実施例において中心
の円形透過部FA1 、中間の輪帯状透過部FB、及び周
辺の輪帯状透過部FA2 の各境界はそれぞれ半径r1 及
びr 2 の位置で一致しているものとしたが、例えば干渉
性低減部材の製造上の都合等により各領域の境界に遮光
部(輪帯状)を設けても良い。この場合には、図4、図
5中に示したデフォーカスによる波面収差が遮光部によ
り更に減少するので、本発明による焦点深度の増大効果
を更に増すことができる。なお、この場合、半径r1 、
r2 は夫々の遮光部(輪帯状)の中間として考えると良
い。また、中心透過部FA1 中の光軸近傍部を遮光する
ことにより、上記と同様に焦点深度の増大効果を更に増
すことも可能である。
の円形透過部FA1 、中間の輪帯状透過部FB、及び周
辺の輪帯状透過部FA2 の各境界はそれぞれ半径r1 及
びr 2 の位置で一致しているものとしたが、例えば干渉
性低減部材の製造上の都合等により各領域の境界に遮光
部(輪帯状)を設けても良い。この場合には、図4、図
5中に示したデフォーカスによる波面収差が遮光部によ
り更に減少するので、本発明による焦点深度の増大効果
を更に増すことができる。なお、この場合、半径r1 、
r2 は夫々の遮光部(輪帯状)の中間として考えると良
い。また、中心透過部FA1 中の光軸近傍部を遮光する
ことにより、上記と同様に焦点深度の増大効果を更に増
すことも可能である。
【0099】このように本発明は上述実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
【0100】
【発明の効果】本発明によれば、干渉性低減部材及び二
重焦点化部材を備えているため、コンタクトホールパタ
ーン等の孤立的なパターンの投影時の焦点深度を、FL
EX法あるいはSuper−FLEX法と同程度に拡大
出来ると共に、FLEX法のように、感光性の基板を光
軸方向に移動又は振動させる必要がないという利点があ
る。また、Super−FLEX法で使用されるような
瞳フィルターでは生じ易いリンギングについても、本発
明においては十分小さく抑えられる。従って、本発明に
よれば、或る程度近接した複数のコンタクトホールパタ
ーンに対しても、誤転写のない良好な結像特性を得るこ
とができる。
重焦点化部材を備えているため、コンタクトホールパタ
ーン等の孤立的なパターンの投影時の焦点深度を、FL
EX法あるいはSuper−FLEX法と同程度に拡大
出来ると共に、FLEX法のように、感光性の基板を光
軸方向に移動又は振動させる必要がないという利点があ
る。また、Super−FLEX法で使用されるような
瞳フィルターでは生じ易いリンギングについても、本発
明においては十分小さく抑えられる。従って、本発明に
よれば、或る程度近接した複数のコンタクトホールパタ
ーンに対しても、誤転写のない良好な結像特性を得るこ
とができる。
【0101】また、投影光学系のフーリエ変換面又はこ
の近傍の面内の第1の領域を通過する光束の合焦位置
と、その第1の領域とは異なる第2の領域を通過する光
束の合焦位置との投影光学系の光軸方向のずれ量ΔF12
が、投影光学系の開口数NA、照明光の中心波長λを用
いて、(1.6・λ/NA2 ≦ΔF12≦3.2・λ/NA2)の条
件を満足する場合には、解像力をほとんど低下させるこ
となく、焦点深度を深くすることができる。
の近傍の面内の第1の領域を通過する光束の合焦位置
と、その第1の領域とは異なる第2の領域を通過する光
束の合焦位置との投影光学系の光軸方向のずれ量ΔF12
が、投影光学系の開口数NA、照明光の中心波長λを用
いて、(1.6・λ/NA2 ≦ΔF12≦3.2・λ/NA2)の条
件を満足する場合には、解像力をほとんど低下させるこ
となく、焦点深度を深くすることができる。
【図1】通常の投影露光方法の説明図である。
【図2】本発明による投影露光装置の原理的な説明に供
する投影光学系内の光路図である。
する投影光学系内の光路図である。
【図3】本発明で使用される干渉性低減部材の原理的な
構成及び動作の説明に供する図である。
構成及び動作の説明に供する図である。
【図4】本発明による投影露光装置の一実施例の全体を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図5】図4の投影光学系PL内の一部の詳細な構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図6】本発明による干渉性低減部材CCMの第1実施
例としての偏光状態制御部材PCMの構成及び動作の説
明に供する図である。
例としての偏光状態制御部材PCMの構成及び動作の説
明に供する図である。
【図7】干渉性低減部材CCMの第2実施例としての偏
光状態制御部材PCMの構成及び動作の説明に供する図
である。
光状態制御部材PCMの構成及び動作の説明に供する図
である。
【図8】偏光方向を制御した照明光学系内の一部の部材
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図9】図7の第2実施例による干渉性低減部材CCM
と図8の照明光学系とを組み合わせたときの状態の説明
に供する図である。
と図8の照明光学系とを組み合わせたときの状態の説明
に供する図である。
【図10】本発明による二重焦点化部材DFMの種々の
実施例の説明に供する図である。
実施例の説明に供する図である。
【図11】二重焦点化部材DFMを位相シフターを用い
て形成した場合の構成及び動作の説明に供する図であ
る。
て形成した場合の構成及び動作の説明に供する図であ
る。
【図12】本発明による干渉性低減部材CCM及び二重
焦点化部材DFMを一体化した瞳フィルター部材の種々
の実施例を示す断面図である。
焦点化部材DFMを一体化した瞳フィルター部材の種々
の実施例を示す断面図である。
【図13】干渉性低減部材CCMの中央に円形の遮光帯
を設けた変形例の構成及び動作の説明に供する図であ
る。
を設けた変形例の構成及び動作の説明に供する図であ
る。
【図14】干渉性低減部材CCMに輪帯状の遮光帯を設
けた変形例の構成及び動作の説明に供する図である。
けた変形例の構成及び動作の説明に供する図である。
【図15】干渉性低減部材CCM及び二重焦点化部材D
FMを一体化した瞳フィルター部材の他の実施例の構成
及び動作の説明に供する図である。
FMを一体化した瞳フィルター部材の他の実施例の構成
及び動作の説明に供する図である。
【図16】単一のコンタクトホールパターンを本実施例
の所定の瞳フィルターを用いて(SFINCS法で)投
影露光して得られる光学像の強度分布のシミュレーショ
ン結果を示す図である。
の所定の瞳フィルターを用いて(SFINCS法で)投
影露光して得られる光学像の強度分布のシミュレーショ
ン結果を示す図である。
【図17】単一のコンタクトホールパターンを本実施例
の別の瞳フィルターを用いて(SFINCS法で)投影
露光して得られる光学像の強度分布のシミュレーション
結果を示す図である。
の別の瞳フィルターを用いて(SFINCS法で)投影
露光して得られる光学像の強度分布のシミュレーション
結果を示す図である。
【図18】単一のコンタクトホールパターンを従来の通
常の露光法で投影露光して得られる光学像の強度分布の
シミュレーション結果を示す図である。
常の露光法で投影露光して得られる光学像の強度分布の
シミュレーション結果を示す図である。
【図19】単一のコンタクトホールパターンを従来のF
LEX法で投影露光して得られる光学像の強度分布のシ
ミュレーション結果を示す図である。
LEX法で投影露光して得られる光学像の強度分布のシ
ミュレーション結果を示す図である。
【図20】或る程度近接して形成された2個のコンタク
トホールパターンの光学像の強度分布のシミュレーショ
ン結果を示し、(A)は図16の場合と同じ本実施例の
SFINCS法で投影露光した場合の図、(B)は図1
7の場合と同じ本実施例のSFINCS法で投影露光し
た場合の図、(C)は従来のSuper−FLEX法で
投影露光した場合の図である。
トホールパターンの光学像の強度分布のシミュレーショ
ン結果を示し、(A)は図16の場合と同じ本実施例の
SFINCS法で投影露光した場合の図、(B)は図1
7の場合と同じ本実施例のSFINCS法で投影露光し
た場合の図、(C)は従来のSuper−FLEX法で
投影露光した場合の図である。
R レチクル W ウエハ PL 投影光学系 FTP フーリエ変換面(瞳面) AX 光軸 CCM 干渉性低減部材 DFM 二重焦点化部材 FA 円形状の透過部 FB 輪帯状の透過部 ILB 照明光 1 水銀ランプ 5 干渉フィルター 6 偏光制御部材 7 フライアイレンズ 8 可変絞り 11 レチクルブラインド 20 スライダー機構 25 主制御ユニット
Claims (7)
- 【請求項1】 転写用のパターンが形成されたマスクを
露光用の照明光で照明する照明手段と、前記照明光のも
とで前記マスクのパターンの像を感光性の基板上に結像
投影する投影光学系とを備えた投影露光装置において、 前記投影光学系内の前記マスクのパターン形成面及び前
記基板の露光面の双方に対する光学的フーリエ変換面又
はその近傍の結像光の通過面上の、前記投影光学系の光
軸を中心とする所定半径の円形領域及び前記光軸を中心
とする所定幅の輪帯領域の内の少なくとも一方の領域よ
りなる第1の領域に分布する結像光と、前記結像光の通
過面上で前記第1の領域以外の第2の領域に分布する結
像光との間の可干渉性を低減する干渉性低減部材と、 前記第1の領域を通過する光束の合焦位置と、前記第2
の領域を通過する光束の合焦位置とを、前記投影光学系
の光軸方向に所定量だけ異ならしめる二重焦点化部材
と、を設けたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項2】 前記二重焦点化部材は、前記第1の領域
の焦点距離と前記第2の領域の焦点距離とが異なる光学
部材よりなることを特徴とする請求項1記載の投影露光
装置。 - 【請求項3】 前記二重焦点化部材は、前記第1の領域
中の前記投影光学系の光軸を中心とする軸対称の部分領
域を通過する照明光の位相を、前記第1の領域中の前記
部分領域以外の領域を通過する照明光の位相に対してπ
/2程度異ならしめる位相差部材よりなることを特徴と
する請求項1記載の投影露光装置。 - 【請求項4】 前記二重焦点化部材は、前記第2の領域
中の前記投影光学系の光軸を中心とする軸対称の部分領
域を通過する照明光の位相を、前記第2の領域中の前記
部分領域以外の領域を通過する照明光の位相に対してπ
/2程度異ならしめる位相差部材よりなることを特徴と
する請求項1記載の投影露光装置。 - 【請求項5】 前記干渉性低減部材は、前記第1の領域
を透過する照明光の偏光状態と、前記第2の領域を透過
する照明光の偏光状態とを互いに干渉しない状態に設定
する偏光状態可変部材よりなることを特徴とする請求項
1、2、3、又は4記載の投影露光装置。 - 【請求項6】 前記干渉性低減部材は、前記第1の領域
を透過する照明光と、前記第2の領域を透過する照明光
との間に前記照明光の波長範囲より定まる可干渉距離以
上の光路差を与える光路差部材よりなることを特徴とす
る請求項1、2、3、又は4記載の投影露光装置。 - 【請求項7】 前記第1の領域を通過する光束の合焦位
置と、前記第2の領域を通過する光束の合焦位置との前
記投影光学系の光軸方法のずれ量をΔF12、前記投影光
学系の開口数をNA、前記照明光の中心波長をλとし
て、前記ずれ量ΔF12について 1.6・λ/NA2 ≦ΔF12≦3.2・λ/NA2 の条件を満足することを特徴とする請求項1、2、3、
4、5、又は6記載の投影露光装置。
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ID=16444610
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