JPH08167587A - 半導体ウェハの平坦化法 - Google Patents
半導体ウェハの平坦化法Info
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- JPH08167587A JPH08167587A JP33213694A JP33213694A JPH08167587A JP H08167587 A JPH08167587 A JP H08167587A JP 33213694 A JP33213694 A JP 33213694A JP 33213694 A JP33213694 A JP 33213694A JP H08167587 A JPH08167587 A JP H08167587A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの平坦性を向上させる。
【構成】 研磨処理が施された半導体ウエハ１０の表面
にレジスト等の流動物を平坦状に塗布することにより塗
布膜１２を形成する。ドライエッチング処理により塗布
膜１２及びウエハ１０を等速でエッチバックしてウエハ
１０の表面のＬＴＶ（局所的凹凸）をなくす。
にレジスト等の流動物を平坦状に塗布することにより塗
布膜１２を形成する。ドライエッチング処理により塗布
膜１２及びウエハ１０を等速でエッチバックしてウエハ
１０の表面のＬＴＶ（局所的凹凸）をなくす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハの平坦
化法に関し、特に研磨処理が施された半導体ウエハの表
面にエッチバック処理を施してＬＴＶ(Local Thichness
Variation：狭い領域での凹凸度合い）を低減すること
により平坦性の向上を図ったものである。
化法に関し、特に研磨処理が施された半導体ウエハの表
面にエッチバック処理を施してＬＴＶ(Local Thichness
Variation：狭い領域での凹凸度合い）を低減すること
により平坦性の向上を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ製造等に使用される半導体
ウエハとしては、例えばチョクラルスキー法で育成され
たシリコン単結晶を切断し、研磨等の処理を施したもの
が知られている。この種のウエハでは、仕上げ処理とし
てＣＭＰ（化学機械研磨）を施すのが通例である。
ウエハとしては、例えばチョクラルスキー法で育成され
たシリコン単結晶を切断し、研磨等の処理を施したもの
が知られている。この種のウエハでは、仕上げ処理とし
てＣＭＰ（化学機械研磨）を施すのが通例である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術によ
ると、仕上げ処理としてＣＭＰ処理のみ用いるので、Ｌ
ＴＶを小さく押えるには限界があり、またウエハ間での
ＬＴＶのばらつきも大きかった。
ると、仕上げ処理としてＣＭＰ処理のみ用いるので、Ｌ
ＴＶを小さく押えるには限界があり、またウエハ間での
ＬＴＶのばらつきも大きかった。
【０００４】ＬＳＩ製造にあっては、今後更にパターン
の微細化が進むにつれてステッパの焦点深度が浅くな
り、ディフォーカス（焦点ずれ）によるパターン不良で
の歩留り低下が懸念される。従って、今後更にウエハで
のＬＴＶ（局所的凹凸）を小さく押える必要性が増して
くる。しかし、現状では、ＬＴＶの小さなウエハを得る
には、ＣＭＰ仕上げされた多数のウエハの中から要求仕
様に適合するものを選別する方法しかなく、要求仕様を
厳しくすればするほど、歩留りが低下し、大きなコスト
アップとなる。
の微細化が進むにつれてステッパの焦点深度が浅くな
り、ディフォーカス（焦点ずれ）によるパターン不良で
の歩留り低下が懸念される。従って、今後更にウエハで
のＬＴＶ（局所的凹凸）を小さく押える必要性が増して
くる。しかし、現状では、ＬＴＶの小さなウエハを得る
には、ＣＭＰ仕上げされた多数のウエハの中から要求仕
様に適合するものを選別する方法しかなく、要求仕様を
厳しくすればするほど、歩留りが低下し、大きなコスト
アップとなる。
【０００５】この発明の目的は、半導体ウエハの平坦性
を向上させることにある。
を向上させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
エハの平坦化法は、研磨処理が施された半導体ウエハの
表面に流動物を平坦状に塗布して塗布膜を形成する工程
と、前記塗布膜及び前記半導体ウエハをほぼ等速でエッ
チバックして前記半導体ウエハの表面を平坦化する工程
とを含むものである。
エハの平坦化法は、研磨処理が施された半導体ウエハの
表面に流動物を平坦状に塗布して塗布膜を形成する工程
と、前記塗布膜及び前記半導体ウエハをほぼ等速でエッ
チバックして前記半導体ウエハの表面を平坦化する工程
とを含むものである。
【０００７】
【作用】この発明の方法によれば、研磨処理後にウエハ
表面にエッチバック処理を施すようにしたので、ＬＴＶ
を大幅に低減することができ、ウエハ間でのＬＴＶのば
らつきも小さくすることができる。
表面にエッチバック処理を施すようにしたので、ＬＴＶ
を大幅に低減することができ、ウエハ間でのＬＴＶのば
らつきも小さくすることができる。
【０００８】
【実施例】図１〜３は、この発明の一実施例に係る半導
体ウエハの平坦化法を示すもので、各々の図に対応する
工程（１）〜（３）を順次に説明する。
体ウエハの平坦化法を示すもので、各々の図に対応する
工程（１）〜（３）を順次に説明する。
【０００９】（１）例えばシリコンからなる半導体ウエ
ハ１０の表面に仕上げ処理としてＣＭＰ処理を施す。こ
の処理が終った段階では、図１に示すようにウエハ表面
に大きなＬＴＶが残存している。
ハ１０の表面に仕上げ処理としてＣＭＰ処理を施す。こ
の処理が終った段階では、図１に示すようにウエハ表面
に大きなＬＴＶが残存している。
【００１０】（２）次に、ウエハ１０の一方の主表面に
流動物を平坦状に塗布して塗布膜１２を形成する。流動
物としては、例えばホトレジストを用いることができ
る。ホトレジストは、１μｍ程度の厚さに回転塗布され
た後、ベーク処理等を経て塗布膜１２となる。
流動物を平坦状に塗布して塗布膜１２を形成する。流動
物としては、例えばホトレジストを用いることができ
る。ホトレジストは、１μｍ程度の厚さに回転塗布され
た後、ベーク処理等を経て塗布膜１２となる。
【００１１】（３）次に、ウエハ１０に塗布膜１２側か
らドライエッチング処理を施す。この場合、ウエハ１０
を構成するシリコンと塗布膜１２を構成する材料（例え
ばレジスト）とのエッチング選択比がほぼ１：１になる
ようにエッチング条件を設定することによりほぼ等速で
エッチバックを行なう。
らドライエッチング処理を施す。この場合、ウエハ１０
を構成するシリコンと塗布膜１２を構成する材料（例え
ばレジスト）とのエッチング選択比がほぼ１：１になる
ようにエッチング条件を設定することによりほぼ等速で
エッチバックを行なう。
【００１２】この結果、図３に示すようにＬＴＶが大幅
に低減された極めて平坦な面１０ａが得られる。また、
ウエハ毎に平坦面１０ａが得られるため、ウエハ間での
ＬＴＶのばらつきも極めて小さくなる。
に低減された極めて平坦な面１０ａが得られる。また、
ウエハ毎に平坦面１０ａが得られるため、ウエハ間での
ＬＴＶのばらつきも極めて小さくなる。
【００１３】なお、あまりにも急な凹部がある場合、エ
ッチバック処理後も塗布膜の一部が該凹部に残る可能性
がある。このような場合のために、エッチバック処理後
に塗布膜除去工程を追加してもよい。エッチバック処理
時に生ずる金属等の汚染に対しては、特に汚染除去工程
を設けなくてもよい。これは、ＬＳＩ工程等で初期酸化
する前にアンモニア過水で金属汚染除去処理を行なうた
め、この処理を流用できるからである。
ッチバック処理後も塗布膜の一部が該凹部に残る可能性
がある。このような場合のために、エッチバック処理後
に塗布膜除去工程を追加してもよい。エッチバック処理
時に生ずる金属等の汚染に対しては、特に汚染除去工程
を設けなくてもよい。これは、ＬＳＩ工程等で初期酸化
する前にアンモニア過水で金属汚染除去処理を行なうた
め、この処理を流用できるからである。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体ウエハにおいて研磨された面にエッチバック処理を施
してＬＴＶを低減するようにしたので、平坦性を大幅に
向上させることができ、今後ステッパの焦点深度が浅く
なってもディフォーカスによるパターン不良での歩留り
低下を回避できる効果が得られるものである。
体ウエハにおいて研磨された面にエッチバック処理を施
してＬＴＶを低減するようにしたので、平坦性を大幅に
向上させることができ、今後ステッパの焦点深度が浅く
なってもディフォーカスによるパターン不良での歩留り
低下を回避できる効果が得られるものである。
【図１】 この発明の一実施例に係るウエハ平坦化法に
おけるウエハ研磨工程を示すウエハ断面図である。
おけるウエハ研磨工程を示すウエハ断面図である。
【図２】 図１の工程に続く塗布膜形成工程を示すウエ
ハ断面図である。
ハ断面図である。
【図３】 図２の工程に続くエッチバック工程を示すウ
エハ断面図である。
エハ断面図である。
１０：半導体ウエハ、１２：塗布膜。
Claims (1)
- 【請求項１】研磨処理が施された半導体ウエハの表面に
流動物を平坦状に塗布して塗布膜を形成する工程と、 前記塗布膜及び前記半導体ウエハをほぼ等速でエッチバ
ックして前記半導体ウエハの表面を平坦化する工程とを
含む半導体ウエハの平坦化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33213694A JPH08167587A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 半導体ウェハの平坦化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33213694A JPH08167587A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 半導体ウェハの平坦化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167587A true JPH08167587A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18251549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33213694A Pending JPH08167587A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 半導体ウェハの平坦化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167587A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053435A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 한신혁 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| WO2009031270A1 (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Panasonic Corporation | ウエハ再生方法およびウエハ再生装置 |
| JP2010135552A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| WO2014097845A1 (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣ基板の製造方法 |
| JP2018061023A (ja) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| CN116031146A (zh) * | 2023-02-16 | 2023-04-28 | 烟台显华高分子材料有限公司 | 一种SiC晶圆制造方法 |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP33213694A patent/JPH08167587A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053435A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 한신혁 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
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| JP4519199B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | ウエハ再生方法およびウエハ再生装置 |
| JPWO2009031270A1 (ja) * | 2007-09-03 | 2010-12-09 | パナソニック株式会社 | ウエハ再生方法およびウエハ再生装置 |
| US8563332B2 (en) | 2007-09-03 | 2013-10-22 | Panasonic Corporation | Wafer reclamation method and wafer reclamation apparatus |
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| US9390924B2 (en) | 2012-12-18 | 2016-07-12 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing SiC substrate |
| TWI573193B (zh) * | 2012-12-18 | 2017-03-01 | 昭和電工股份有限公司 | ＳｉＣ基板之製造方法 |
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