JPH08228115A - Differential amplifier circuit - Google Patents
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- JPH08228115A JPH08228115A JP7032745A JP3274595A JPH08228115A JP H08228115 A JPH08228115 A JP H08228115A JP 7032745 A JP7032745 A JP 7032745A JP 3274595 A JP3274595 A JP 3274595A JP H08228115 A JPH08228115 A JP H08228115A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は差動増幅回路に関し、特
に同相帰還が施されたCMOSトランジスタ構成の差動
増幅回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a differential amplifier circuit, and more particularly, to a differential amplifier circuit having a CMOS transistor structure which has been subjected to in-phase feedback.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の差動増幅回路の例が特開
昭62−144412号公報に開示されており、その構
成を図4に示している。図4を参照すると、差動対トラ
ンジスタ20,21のゲート入力65,66には差動入
力信号が印加されており、この差動増幅回路の定電流が
トランジスタ28により供給される。また、差動対トラ
ンジスタ20,21のドレインにはトランジスタ26,
27よりなる定電流源が設けられている。尚、端子71
はバイアス入力端子である。2. Description of the Related Art An example of a conventional differential amplifier circuit of this type is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 62-144412 and its construction is shown in FIG. Referring to FIG. 4, a differential input signal is applied to the gate inputs 65 and 66 of the differential pair transistors 20 and 21, and the constant current of this differential amplifier circuit is supplied by the transistor 28. Further, the drains of the differential pair transistors 20 and 21 are connected to the transistor 26,
A constant current source composed of 27 is provided. The terminal 71
Is a bias input terminal.
【0003】この差動対トランジスタ20,21による
差動出力はカスコード接続されたゲート接地型の一対の
トランジスタ22,25を介して出力端子68,69か
ら導出されている(VOP,VON)。尚、トランジスタ2
3,24の各ゲートにはバイアス端子67よりバイアス
が印加され、トランジスタ23,トランジスタ4は定電
流動作を行うもので、差動対トランジスタ20,21の
能動負荷として作用する。Differential outputs from the differential pair transistors 20 and 21 are derived from output terminals 68 and 69 via a pair of grounded-gate transistors 22 and 25 connected in cascode (VOP, VON). The transistor 2
A bias is applied to the gates of the transistors 3 and 24 from the bias terminal 67, and the transistors 23 and 4 perform constant current operation, and act as active loads of the differential pair transistors 20 and 21.
【0004】ゲート接地型トランジスタ22,25を設
けてワォールデッド型のカスコード増幅回路構成とする
ことにより、差動対トランジスタ20,21から負荷ト
ランジスタ23,24を見た出力インピーダンスを軽減
し(トランジスタ23,24のミラー効果による容量を
軽減し)、高速動作をなすと共に、利得の低下をも防止
するようになっている。By providing the grounded-type transistors 22 and 25 to form a cascode amplifier circuit of the fielded type, the output impedance of the load transistors 23 and 24 seen from the differential pair transistors 20 and 21 is reduced (transistor 23, The capacitance due to the mirror effect of 24) is reduced), high-speed operation is performed, and a decrease in gain is prevented.
【0005】これ等トランジスタ22〜25による出力
回路と同一の構成をトランジスタ34〜36により形成
して、出力同相信号を検出するようになっており、差動
出力端子68,69に生じる出力同相信号は、相等しい
値を有する抵抗42,43の接続点に生成されることに
なる。The transistors 34 to 36 have the same structure as the output circuit of the transistors 22 to 25, and detect the output common-mode signal. The phase signal will be generated at the connection point of the resistors 42 and 43 having the same value.
【0006】この出力同相信号はトランジスタ29〜3
3により構成される誤差増幅回路の一入力(トランジス
タ33のゲート)へ印加され、他入力(トランジスタ3
0のゲート端子72)に供給されている基準同相信号V
COM と比較される。この比較結果である誤差信号は、ト
ランジスタ31,32によるカレントミラー負荷回路に
より電流/電圧変換されて、差動増幅回路の定電流トラ
ンジスタ28のゲート制御入力となるのである。This output in-phase signal is transmitted to the transistors 29 to 3
3 is applied to one input (the gate of the transistor 33) of the error amplifier circuit and the other input (the transistor 3
Reference common-mode signal V supplied to the gate terminal 72) of 0
Compared to COM. The error signal, which is the result of this comparison, is current / voltage converted by the current mirror load circuit including the transistors 31 and 32, and becomes the gate control input of the constant current transistor 28 of the differential amplifier circuit.
【0007】こうして同相帰還ループが形成されてお
り、これにより、抵抗42,43の接続点の電位は基準
同相信号VCOM に固定され、結局、出力端子68,69
の出力同相信号も基準同相信号に一致することになる。Thus, the common-mode feedback loop is formed, whereby the potential at the connection point of the resistors 42 and 43 is fixed to the reference common-mode signal VCOM, and eventually the output terminals 68 and 69.
The output in-phase signal of is also in agreement with the reference in-phase signal.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】この様な従来の同相帰
還回路では、出力同相信号を検出するのに、直接差動増
幅出力VOP,VON(68,69)を用いておらず、出力
回路(トランジスタ22〜24)とは別に同相信号検出
回路(トランジスタ34〜36)を設けているために、
これ等出力回路と同相信号検出回路との時間応答の差が
存在する過渡状態時や、各々の構成素子のバラツキが存
在する場合には、検出誤差が大きくなって、出力同相信
号が正しく基準同相信号に一致しないという欠点があ
る。In such a conventional common mode feedback circuit, the direct differential amplification outputs VOP, VON (68, 69) are not used to detect the output common mode signal, and the output circuit Since the common-mode signal detection circuits (transistors 34 to 36) are provided separately from (transistors 22 to 24),
In a transient state where there is a difference in the time response between the output circuit and the common-mode signal detection circuit, or when there is variation in each component, the detection error increases and the output common-mode signal becomes incorrect. It has the drawback of not matching the reference in-phase signal.
【0009】本発明の目的は、正確に出力同相信号を基
準同相信号に一致させることができる差動増幅回路を提
供することである。An object of the present invention is to provide a differential amplifier circuit capable of accurately matching an output in-phase signal with a reference in-phase signal.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明による差動増幅回
路は、差動対を構成する一対の差動トランジスタと、こ
の差動トランジスタの負荷として動作する一対のソース
接地型負荷トランジスタと、基準同相入力信号がゲート
に供給されたソースフォロワトランジスタと、このソー
スフォロワ出力がゲート入力とされ一定電流で駆動され
るソース接地型トランジスタと、前記一対のソース接地
型負荷トランジスタから導出される差動出力をゲート入
力とする一対のソースフォロワトランジスタと、この一
対のソースフォロワトランジスタへ前記ソースフォロワ
トランジスタの駆動電流と等しい駆動電流を供給する手
段とを含み、前記一対のソースフォロワトランジスタの
ソースフォロワ出力から得られる同相信号を前記一対の
ソース接地型負荷トランジスタのゲート制御入力とし、
前記ソースフォロワトランジスタと前記一対のソース接
地型負荷トランジスタとの面積比を所定値に設定したこ
とを特徴としている。A differential amplifier circuit according to the present invention includes a pair of differential transistors forming a differential pair, a pair of source-grounded load transistors operating as a load of the differential transistor, and a reference. A source follower transistor having a gate supplied with an in-phase input signal, a source-grounded transistor driven by a constant current with the source follower output as a gate input, and a differential output derived from the pair of source-grounded load transistors. And a means for supplying a drive current equal to the drive current of the source follower transistor to the pair of source follower transistors, the source follower transistor having a gate input thereof is obtained from the source follower output of the pair of source follower transistors. The common-mode signal is applied to the pair of source-grounded loads A gate control input of the transistor,
The area ratio of the source follower transistor and the pair of source-grounded load transistors is set to a predetermined value.
【0011】[0011]
【作用】差動増幅回路の出力部から直接に同相信号を検
出し、この出力部と同相検出部とにより帰還ループを形
成し、当該同相検出部も出力部も帰還ループに含まれる
様にして、素子のバラツキの影響がループ利得により圧
縮されることになって誤差が極力小に抑えられる。The common mode signal is detected directly from the output section of the differential amplifier circuit, and a feedback loop is formed by this output section and the common mode detection section so that both the common mode detection section and the output section are included in the feedback loop. As a result, the effect of the variation of the elements is compressed by the loop gain, and the error is suppressed to the minimum.
【0012】[0012]
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0013】図1は本発明の一実施例の回路図であり、
図4と同等部分は同一符号により示す。本実施例におい
ても、図4の従来例と同様にワォールデッド型のカスコ
ード差動増幅回路構成が採用されており、トランジスタ
20〜25が図4のトランジスタ20〜25と同等のも
のである。尚、図4におけるトランジスタ26,27,
28は図1では定電流源55,57,56と夫々示され
ている。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
The same parts as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals. In this embodiment as well, the same construction as in the conventional example shown in FIG. 4 is adopted, and the transistors 20 to 25 are equivalent to the transistors 20 to 25 shown in FIG. Incidentally, the transistors 26, 27,
In FIG. 1, 28 is designated as constant current sources 55, 57 and 56, respectively.
【0014】一方、基準同相入力信号VCOM によりゲー
トバイアスされたソースフォロワトランジスタ1が設け
られており、このトランジスタ1のソースフォロワ出力
はソース接地型トランジスタ5のゲートへ印加されてい
る。このトランジスタ5は定電流源50により一定ドレ
イン電流IBIASにより駆動されている。On the other hand, a source follower transistor 1 gate-biased by the reference common-mode input signal VCOM is provided, and the source follower output of the transistor 1 is applied to the gate of the source-grounded transistor 5. This transistor 5 is driven by a constant drain current IBIAS by a constant current source 50.
【0015】また、トランジシタ1のソース電流(ドレ
イン電流でもあり、VCOM により定まる電流)はトラン
ジスタ2,3によるカレントミラー回路を介してトラン
ジスタ4のドレイン電流となっている。そしてこのトラ
ンジスタ4のゲートにはトランジスタ5のドレイン出力
が入力され、結果としてトランジスタ5→トランジスタ
4→トランジスタ3→トランジスタ2→トランジスタ5
により形成される帰還ループの働きにより定電流源50
の電流IBIASがトランジスタ5に流れ、この電流に応じ
たゲート・ソース間電圧VGS5 が定まることになる。The source current of the transistor 1 (which is also the drain current and which is determined by VCOM) becomes the drain current of the transistor 4 through the current mirror circuit of the transistors 2 and 3. The drain output of the transistor 5 is input to the gate of the transistor 4, and as a result, the transistor 5 → transistor 4 → transistor 3 → transistor 2 → transistor 5
The constant current source 50 is formed by the function of the feedback loop formed by
IBIAS current flows through the transistor 5, and the gate-source voltage VGS5 corresponding to this current is determined.
【0016】以上がバイアス回路を構成しており、この
バイアス回路により生成されたバイアス電源、すなわち
トランジスタ4に流れる電流と同一電流がトランジスタ
6,10の各ドレインにも生成される。これ等トランジ
スタ6,10の各ドレイン電流は、トランジスタ7,8
及びトランジスタ9,10による各帰還ループの作用に
よりトランジスタ7,11にも同一電流として流れるこ
とになる。The above constitutes a bias circuit, and the same current as the current flowing through the bias power supply, that is, the transistor 4, generated by this bias circuit is also generated in the drains of the transistors 6 and 10. The drain currents of these transistors 6 and 10 are
Also, due to the action of each feedback loop by the transistors 9 and 10, the same current flows in the transistors 7 and 11.
【0017】これ等トランジスタ7,11の各ゲート6
1,63には、差動増幅回路の差動出力VOP,VONがそ
れぞれ印加されており、トランジスタ7,11のソース
フォロワ出力を、抵抗40,41により合成して導出す
るようになっている。この出力VC が差動増幅回路のソ
ース接地型の負荷トランジスタ23,24のゲートバイ
アスとなる様に帰還が施されている。Each gate 6 of these transistors 7, 11
Differential outputs VOP and VON of the differential amplifier circuit are applied to 1 and 63, respectively, and the source follower outputs of the transistors 7 and 11 are combined by resistors 40 and 41 to be derived. Feedback is provided so that the output VC becomes the gate bias of the source-grounded load transistors 23 and 24 of the differential amplifier circuit.
【0018】次に、この回路の動作の詳細について説明
する。バイアス回路には、トランジスタ5→トランジス
タ4→トランジスタ3→トランジスタ2→トランジスタ
5により帰還ループが形成されているから、このループ
の作用により定電流源50の電流IBIASにて定まる電流
がトランジスタ5に流れ、この電流に応じてVGS5 が定
まることは前述した通りである。Next, details of the operation of this circuit will be described. Since a feedback loop is formed in the bias circuit by the transistor 5 → transistor 4 → transistor 3 → transistor 2 → transistor 5, the current determined by the current IBIAS of the constant current source 50 flows to the transistor 5 by the action of this loop. As described above, VGS5 is determined according to this current.
【0019】また、トランジスタ1のゲートには基準同
相入力信号VCOM がバイアスとして印加されているの
で、これまた上記ループの作用によりトランジスタ1の
ゲート・ソース間電圧VGS1 は(VCOM −VGS5 )とな
る様に、トランジスタ1,2に電流が流れることにな
る。従って、カレントミラー回路のトランジスタ2,3
を同一サイズとすれば、トランジスタ4と1の電流は等
しくなる。Since the reference in-phase input signal VCOM is applied as a bias to the gate of the transistor 1, the gate-source voltage VGS1 of the transistor 1 becomes (VCOM-VGS5) due to the action of the loop. Then, a current flows through the transistors 1 and 2. Therefore, the transistors 2 and 3 of the current mirror circuit
The same size, the currents of the transistors 4 and 1 become equal.
【0020】すなわち、トランジスタ4の電流はVCOM
とVBIASとにより定まることになり、言い換えればトラ
ンジスタ4のゲートが接続される節点は低インピーダン
スとなる。従って、トランジスタ6,10のゲートはト
ランジスタ4のVGS4 により電圧駆動され、結果として
トランジスタ6,10はトランジスタ4により定電流駆
動されることになる。That is, the current of the transistor 4 is VCOM
And VBIAS, that is, the node to which the gate of the transistor 4 is connected has a low impedance. Therefore, the gates of the transistors 6 and 10 are voltage-driven by VGS4 of the transistor 4, and as a result, the transistors 6 and 10 are driven by the transistor 4 at a constant current.
【0021】トランジスタ1と4とを流れる電流は等し
いので、トランジスタ4,6,10のサイズを同一とす
れば、トランジスタ4,6,10を流れる電流は全て等
しく同一となる。更に、トランジスタ8→トランジスタ
7→トランジスタ8の帰還ループの働きにより、トラン
ジスタ6に流れる電流はトランジスタ7へそのまま流れ
る。トランジスタ11も同様である。Since the currents flowing through the transistors 1 and 4 are equal, if the sizes of the transistors 4, 6, 10 are the same, the currents flowing through the transistors 4, 6, 10 are all the same. Further, due to the function of the feedback loop of the transistor 8 → transistor 7 → transistor 8, the current flowing through the transistor 6 directly flows into the transistor 7. The same applies to the transistor 11.
【0022】従って、MOSトランジスタのVGSとドレ
イン電流との関係から、同一のドレイン電流が流れるト
ランジスタ7,11,1の全てのVGSは等しくなり、よ
って、 VGS1 =VGS0 (=VGS7 =VGS11) となる。Therefore, from the relationship between the VGS of the MOS transistor and the drain current, all VGS of the transistors 7, 11, 1 through which the same drain current flows are equal, and thus VGS1 = VGS0 (= VGS7 = VGS11). .
【0023】抵抗40と41とを同一抵抗値とすると、
接続点62の電位VC は、 VC =(VOP+VON)/2−VGS0 ・・・(1) となる。(1)式の右辺の第1項は出力同相信号を表し
ているので、これをVCOM ′とすると、 VC =VCOM ′−VGS0 ・・・(2) となる。If the resistors 40 and 41 have the same resistance value,
The potential VC of the connection point 62 is VC = (VOP + VON) / 2-VGS0 (1). Since the first term on the right side of the equation (1) represents the output in-phase signal, if this is VCOM ', then VC = VCOM'-VGS0 (2).
【0024】一方、トランジスタ1〜トランジスタ5に
よるバイアス回路においては、 VCOM =VGS0 +VGS5 ・・・(3) なる関係が成立する。On the other hand, in the bias circuit composed of the transistors 1 to 5, the relationship of VCOM = VGS0 + VGS5 (3) holds.
【0025】また、差動増幅回路内のトランジスタ2
2,25すなわちトランジスタ23,24のバイアス電
流を定電流源55〜57により所望に設定してこれをI
O とし、 IBIAS/IO =β5 /β0 ・・・(4) に定める。Further, the transistor 2 in the differential amplifier circuit
2, 25, that is, the bias currents of the transistors 23 and 24 are set as desired by the constant current sources 55 to 57, and this is set to I
O and IBIAS / IO = β5 / β0 (4)
【0026】尚、トランジスタ5,23,24のゲート
幅を各々W5,W23,W24とし、ゲート長をL5,
L23,L24とすると、 β5 =μnCOXW5/L5 ・・・(5) β0 =μnCOXW23/L23 =μnCOXW24/L24 ・・・(6) となる。但し、μnは電子移動後、COXは単位面積当た
りのゲート容量を示す。The gate widths of the transistors 5, 23 and 24 are W5, W23 and W24, respectively, and the gate length is L5.
When L23 and L24 are set, β5 = μnCOXW5 / L5 (5) β0 = μnCOXW23 / L23 = μnCOXW24 / L24 (6) However, μn indicates the gate capacitance per unit area after electron transfer.
【0027】また、トランジスタ5,23,24の閾値
をVTNとすると、 IBIAS=(1/2)β5 (VGS5 −VTN)2 ・・・(7) I0 =(1/2)β0 (VC −VTN)2 ・・・(8) となる。よって(7),(8)と(4)の各式より、 VC =VGS5 ・・・(9) の関係が得られる。If the thresholds of the transistors 5, 23 and 24 are VTN, then IBIAS = (1/2) β5 (VGS5-VTN) 2 (7) I0 = (1/2) β0 (VC-VTN) 2 ) (8) Therefore, from the equations (7), (8) and (4), the relationship VC = VGS5 (9) is obtained.
【0028】結局、(2)と(9)式より、 VCOM ′=VGS0 +VGS5 =VCOM ・・・(10) となり、差動増幅回路の出力同相信号は基準同相入力信
号に一致することが分かる。After all, from the expressions (2) and (9), it is found that VCOM '= VGS0 + VGS5 = VCOM (10), and the output common-mode signal of the differential amplifier circuit coincides with the reference common-mode input signal. .
【0029】図2は本発明の他の実施例の回路図であ
り、図1と同等部分は同一符号により示す。本例では、
図1の回路において、トランジスタ8,9の各ゲートと
トランジスタ7,トランジスタ11の各ドレインとの間
に、レベルシフト作用を有するトランジスタ12,13
を付加したものである。トランジスタ12,13の各ゲ
ートには端子64より一定バイアスを供給しておき、飽
和領域で動作させる様にしている。他の構成は図1のそ
れと同一となっている。この様に、レベルシフト用トラ
ンジスタ12,13を用いることにより、トランジスタ
7,トランジスタ11のドレイン電圧を上昇させて、回
路の低電圧源動作を可能としている。FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, and the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In this example,
In the circuit of FIG. 1, between the gates of the transistors 8 and 9 and the drains of the transistor 7 and the transistor 11, transistors 12 and 13 having a level shift function are provided.
Is added. A constant bias is supplied from the terminal 64 to the gates of the transistors 12 and 13 so that they operate in the saturation region. The other structure is the same as that of FIG. As described above, by using the level shift transistors 12 and 13, the drain voltages of the transistors 7 and 11 are increased to enable the low voltage source operation of the circuit.
【0030】更に詳しく述べると、トランジスタ7と1
1のゲート端子には、制御する差動増幅回路の差動出力
VOP,VONが直接入力されている。従って、同相帰還回
路の許容入力範囲はトランジスタ7と11が飽和領域で
動作できる範囲で決まることになる。当然トランジスタ
7と11のドレイン電位が高いほど、許容入力範囲は大
きくなる。逆に言えば、許容入力範囲が同じだとすれ
ば、ドレイン電位が高いほど電源電圧が下げられること
を意味する。More specifically, transistors 7 and 1
The differential outputs VOP and VON of the controlled differential amplifier circuit are directly input to the gate terminal of 1. Therefore, the allowable input range of the common-mode feedback circuit is determined by the range in which the transistors 7 and 11 can operate in the saturation region. Naturally, the higher the drain potential of the transistors 7 and 11, the larger the allowable input range. Conversely, if the allowable input range is the same, it means that the higher the drain potential, the lower the power supply voltage.
【0031】図1と図2の回路のトランジスタ7と11
のドレイン電位を調べると、図1の回路ではVDD−VGS
8 (VGS9 )となり、図2の回路ではVDD−VGS8 (V
GS9)+VDsat12(VDsat13)で、更にVDD−VDsat(1
0)に等しい。Transistors 7 and 11 of the circuits of FIGS. 1 and 2
The drain potential of the circuit is VDD-VGS in the circuit of FIG.
8 (VGS9) and VDD-VGS8 (V
GS9) + VDsat12 (VDsat13), and VDD-VDsat (1
Equal to 0).
【0032】ここで、VDsat=VGS−VT であり、飽和
電圧と呼ばれ、VT (閾値)が0.4〜1Vに対し、V
Dsatは0.3V程度である。従って、図2の回路の方
が、図1の回路よりVGS8 (VGS9 )−VDsat6 (VDs
at10)、即ち0.4〜1V程度、最低動作電圧が低いと
言える。Here, VDsat = VGS-VT, which is called a saturation voltage, and VT (threshold value) is 0.4 to 1 V, V
Dsat is about 0.3V. Therefore, the circuit of FIG. 2 is more VGS8 (VGS9) -VDsat6 (VDs than the circuit of FIG.
It can be said that at10), that is, about 0.4 to 1 V, the minimum operating voltage is low.
【0033】次に、図2の回路の最低動作電圧を求めて
みる。簡単のために、全てのトランジスタのVGSを1
V,VDsatを0.5Vとする。定電流電源回路も当然、
トランジスタ回路で構成されるので、電流源の端子間電
圧の最小値はVDsat,即ち0.5Vとなり、従って入力
端子61,63に印加できる最小値はトランジスタ7
(11)のゲート・ソース間電圧と電流源51(52)
の最低動作電圧VDsatの和で1.5Vとなる。Next, the minimum operating voltage of the circuit of FIG. 2 will be calculated. For simplicity, set VGS of all transistors to 1
V and VDsat are set to 0.5V. Of course, the constant current power supply circuit
Since it is composed of a transistor circuit, the minimum value of the voltage between the terminals of the current source is VDsat, that is, 0.5 V, and therefore the minimum value that can be applied to the input terminals 61 and 63 is the transistor 7.
Gate-source voltage and current source 51 (52) of (11)
The minimum operating voltage VDsat is 1.5 V.
【0034】従って、今、許容入力範囲が1VP-P とす
ると、入力端子61,63の入力電位の最大値は2.5
Vとなる。この時のトランジスタ7(11)のドレイン
・ソース間電圧をVDsatとすると、トランジスタ7(1
1)のドレイン電位は2V、トランジスタ6(10)の
ドレイン・ソース間電圧もVDsatとすれば、結局電源電
圧の最低電圧は2.5Vとなる。一方、図1の回路で
は、同様の議論から3.0Vとなる。Therefore, assuming that the allowable input range is 1VP-P, the maximum value of the input potential of the input terminals 61 and 63 is 2.5.
It becomes V. When the drain-source voltage of the transistor 7 (11) at this time is VDsat, the transistor 7 (1
If the drain potential of 1) is 2V and the drain-source voltage of the transistor 6 (10) is VDsat, the minimum power supply voltage is 2.5V. On the other hand, in the circuit of FIG. 1, it becomes 3.0V from the same discussion.
【0035】図3は本発明の別の実施例の回路図であ
り、差動増幅回路として図1のフォールデッド型のカス
コード増幅回路の代わりに、一般の2段構成の差動増幅
回路を用いたものである。図3において、図1と同等部
分は同一符号により示す。FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention. Instead of the folded type cascode amplifier circuit of FIG. 1 as a differential amplifier circuit, a general two-stage differential amplifier circuit is used. It was what I had. 3, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
【0036】即ち、差動対トランジスタ20,21のド
レイン負荷となるPチャンネルトランジスタ26,27
のゲートへ同相帰還出力VC を印加するようにしてい
る。この同相帰還出力VC を印加すべきトランジスタ素
子が図1の例のNチャンネルの代わりにPチャンネルと
なるものであるから、バイアス回路及び、同相検出回路
の各トランジスタ素子も全て図1とは逆導型とする必要
があり、よって図1の各符号に対して添字aを付して示
している。That is, the P-channel transistors 26 and 27 which become the drain loads of the differential pair transistors 20 and 21.
The common mode feedback output VC is applied to the gate of the. Since the transistor element to which this in-phase feedback output VC is applied becomes a P-channel instead of the N-channel in the example of FIG. 1, all the transistor elements of the bias circuit and the in-phase detection circuit are also opposite to those in FIG. It is necessary to use a mold, and therefore, each reference numeral in FIG.
【0037】尚、図2の回路にも図3の一般の差動増幅
回路を適用することができることは明らかである。It is obvious that the general differential amplifier circuit of FIG. 3 can be applied to the circuit of FIG.
【0038】[0038]
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、差動
増幅回路の差動出力において直接に同相信号を検出して
おり、またこの検出回路が差動増幅回路の出力回路(フ
ォールデッド・カスコード部分)とによる帰還ループに
含まれるために、素子のバラツキの影響がループ利得に
より圧縮されることになり、基準同相入力信号と出力同
相信号とのずれがなくなるという効果がある。As described above, according to the present invention, the in-phase signal is directly detected in the differential output of the differential amplifier circuit, and the detection circuit detects the output circuit of the differential amplifier circuit. Since it is included in the feedback loop due to the dead cascode portion), the effect of element variation is compressed by the loop gain, and there is an effect that there is no deviation between the reference in-phase input signal and the output in-phase signal.
【0039】また、同相帰還回路と差動増幅回路とで構
成される帰還ループの位相シフトは、略1段増幅回路と
等価であるので、位相補償は簡単になるものである。Further, since the phase shift of the feedback loop constituted by the in-phase feedback circuit and the differential amplifier circuit is equivalent to that of the one-stage amplifier circuit, the phase compensation becomes easy.
【図1】本発明の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention.
【図3】本発明の別の実施例の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention.
【図4】従来の同相帰還を有する差動増幅回路の例を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional differential amplifier circuit having in-phase feedback.
1,7,11 ソースフォロワトランジスタ 2,3 カレントミラートランジスタ 4〜6,10,23,24 ソース接地トランジスタ 20,21 差動対トランジスタ 22,25 ゲート接地トランジスタ 40,41 抵抗 50〜52,55〜57 定電流源 1,7,11 Source follower transistor 2,3 Current mirror transistor 4-6,10,23,24 Source grounded transistor 20,21 Differential pair transistor 22,25 Gate grounded transistor 40,41 Resistance 50-52,55-57 Constant current source
Claims (4)
タ(20,21)と、この差動トランジスタの負荷とし
て動作する一対のソース接地型負荷トランジスタ(2
3,24)と、基準同相入力信号がゲートに供給された
ソースフォロワトランジスタ(1)と、このソースフォ
ロワ出力がゲート入力とされ一定電流で駆動されるソー
ス接地型トランジスタ(5)と、前記一対のソース接地
型負荷トランジスタから導出される差動出力をゲート入
力とする一対のソースフォロワトランジスタ(7,1
1)と、この一対のソースフォロワトランジスタへ前記
ソースフォロワトランジスタ(1)の駆動電流と等しい
駆動電流を供給する手段とを含み、前記一対のソースフ
ォロワトランジスタのソースフォロワ出力から得られる
同相信号を前記一対のソース接地型負荷トランジスタの
ゲート制御入力とし、前記ソースフォロワトランジスタ
(5)と前記一対のソース接地型負荷トランジスタとの
面積比を所定値に設定したことを特徴とする差動増幅回
路。1. A pair of differential transistors (20, 21) forming a differential pair, and a pair of source-grounded load transistors (2) operating as loads of the differential transistors.
3, 24), a source follower transistor (1) whose gate is supplied with a reference in-phase input signal, and a source-grounded transistor (5) whose gate input is the source follower output and which is driven by a constant current. Pair of source follower transistors (7, 1) whose gate input is the differential output derived from the source-grounded load transistor of
1) and means for supplying a drive current equal to the drive current of the source follower transistor (1) to the pair of source follower transistors, and an in-phase signal obtained from the source follower outputs of the pair of source follower transistors. A differential amplifier circuit characterized in that it is used as a gate control input of the pair of source-grounded load transistors, and an area ratio of the source follower transistor (5) and the pair of source-grounded load transistors is set to a predetermined value.
ンジスタ(5)に供給される前記一定電流と前記一対の
ソース接地型負荷トランジスタに供給されるドレイン電
流との比に等しいことを特徴とする請求項1記載の差動
増幅回路。2. The area ratio is equal to a ratio of the constant current supplied to the source follower transistor (5) and the drain current supplied to the pair of source-grounded load transistors. Item 1. The differential amplifier circuit according to item 1.
ンジスタとの間にはゲート接地型トランジスタが挿入さ
れて、カスコード増幅回路構成とされていることを特徴
とする請求項1または2記載の差動増幅回路。3. The differential according to claim 1 or 2, wherein a grounded-gate type transistor is inserted between the differential pair transistor and the load transistor to form a cascode amplifier circuit configuration. Amplifier circuit.
の各ドレイン電位をレベルシフトするレベルシフト手段
を更に含むことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載
の差動増幅回路。4. The differential amplifier circuit according to claim 1, further comprising level shift means for level shifting each drain potential of the pair of source follower transistors.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032745A JP2812233B2 (en) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | Differential amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032745A JP2812233B2 (en) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | Differential amplifier circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08228115A true JPH08228115A (en) | 1996-09-03 |
| JP2812233B2 JP2812233B2 (en) | 1998-10-22 |
Family
ID=12367388
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7032745A Expired - Fee Related JP2812233B2 (en) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | Differential amplifier circuit |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2812233B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141356A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Differential amplifier circuit |
| US7629846B2 (en) | 2007-02-16 | 2009-12-08 | Fujitsu Limited | Source follower circuit and semiconductor apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100477498C (en) * | 2005-07-29 | 2009-04-08 | 美国博通公司 | Current-controlled cmos wideband amplifier/equalizer circuit |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7032745A patent/JP2812233B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2008141356A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Differential amplifier circuit |
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|---|---|
| JP2812233B2 (en) | 1998-10-22 |
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