JPH08265003A - Resonator and filter - Google Patents
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- JPH08265003A JPH08265003A JP8740595A JP8740595A JPH08265003A JP H08265003 A JPH08265003 A JP H08265003A JP 8740595 A JP8740595 A JP 8740595A JP 8740595 A JP8740595 A JP 8740595A JP H08265003 A JPH08265003 A JP H08265003A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は共振器およびフィルタ
に関し、特にたとえば携帯用無線機などに用いられる共
振器およびフィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resonator and a filter, and more particularly to a resonator and a filter used in, for example, a portable radio device.
【0002】[0002]
【従来の技術】図19はこの発明の背景となる従来の共
振器の一例を示す分解正面図であり、図20はその要部
を示す断面図解図である。図19および図20に示す共
振器1は、第1の誘電体層2aを含む。第1の誘電体層
2aの一方主面には、帯状のパターン電極3が形成され
る。さらに、第1の誘電体層2aの一方主面には、パタ
ーン電極3を覆うようにして、第2の誘電体層2bが形
成される。第2の誘電体層2bの上には、第1のアース
電極4aが、パターン電極3に対向するように形成され
る。第2の誘電体層2bの上には、第1のアース電極4
aを覆うようにして、第4の誘電体層2dが形成され
る。また、第1の誘電体層2aの他方主面には、第2の
アース電極4bが、パターン電極3に対向するように形
成される。さらに、第1の誘電体層2aの他方主面に
は、第2のアース電極4bを覆うようにして、第3の誘
電体層2cが形成される。そして、第1および第2の誘
電体層2aおよび2bと、パターン電極3と、第1およ
び第2のアース電極4aおよび4bとでストリップライ
ンが形成される。2. Description of the Related Art FIG. 19 is an exploded front view showing an example of a conventional resonator which is a background of the present invention, and FIG. 20 is a sectional view showing a main part thereof. The resonator 1 shown in FIGS. 19 and 20 includes a first dielectric layer 2a. A strip-shaped pattern electrode 3 is formed on one main surface of the first dielectric layer 2a. Further, a second dielectric layer 2b is formed on one main surface of the first dielectric layer 2a so as to cover the pattern electrode 3. A first ground electrode 4a is formed on the second dielectric layer 2b so as to face the pattern electrode 3. A first ground electrode 4 is formed on the second dielectric layer 2b.
A fourth dielectric layer 2d is formed so as to cover a. A second ground electrode 4b is formed on the other main surface of the first dielectric layer 2a so as to face the pattern electrode 3. Further, a third dielectric layer 2c is formed on the other main surface of the first dielectric layer 2a so as to cover the second ground electrode 4b. The first and second dielectric layers 2a and 2b, the pattern electrode 3, and the first and second ground electrodes 4a and 4b form a stripline.
【0003】図19および図20に示す共振器1は、一
方主面にパターン電極となる導体ペーストを厚膜印刷し
たセラミックグリーンシートや、一方主面にアース電極
となる導体ペーストを厚膜印刷した他のセラミックグリ
ーンシート、あるいは導体ペーストが形成されていない
セラミックグリーンシートなどを積層し、それらを圧着
し焼成するなどして、形成される。The resonator 1 shown in FIGS. 19 and 20 has a ceramic green sheet on one main surface of which a conductor paste serving as a pattern electrode is printed in a thick film, or a conductor paste serving as an earth electrode on one main surface of a thick film. It is formed by stacking another ceramic green sheet or a ceramic green sheet on which no conductor paste is formed, pressing them and firing them.
【0004】図21はこの発明の背景となる従来のフィ
ルタの一例を示す斜視図であり、図22はその分解斜視
図である。このフィルタ10は、第1の誘電体層11a
を含む。第1の誘電体層11aの一方主面には、帯状の
2つのパターン電極12aおよび12bが間隔を隔てて
平行に形成される。これらのパターン電極12aおよび
12bは、電磁気的に結合される。さらに、第1の誘電
体層11aの一方主面には、パターン電極12aおよび
12bを覆うようにして、第2の誘電体層11bが形成
される。第2の誘電体層11bの上には、2つのコンデ
ンサ電極13aおよび13bが形成される。さらに、第
2の誘電体層11bの上には、コンデンサ電極13aお
よび13bを覆うようにして、第3の誘電体層11cが
形成される。第3の誘電体層11cの上には、2つのコ
ンデンサ電極13cおよび13dが、2つのコンデンサ
電極13aおよび13bに対向するように形成される。
さらに、第3の誘電体層11cの上には、コンデンサ電
極13cおよび13dを覆うようにして、第4の誘電体
層11dが形成される。第4の誘電体層11dの上に
は、第1のアース電極14aが形成される。第4の誘電
体層11dの上には、第1のアース電極14aを覆うよ
うにして第7の誘電体層11gが形成される。また、第
1の誘電体層11aの他方主面には、2つのコンデンサ
電極13eおよび13fが形成される。さらに、第1の
誘電体層11aの他方主面には、コンデンサ電極13e
および13fを覆うようにして、第5の誘電体層11e
が形成される。第5の誘電体層11eの下には、第2の
アース電極14bが、2つのコンデンサ電極13eおよ
び13fに対向するように形成される。さらに、第5の
誘電体層11eの下には、第2のアース電極14bを覆
うようにして、第6の誘電体層11fが形成される。FIG. 21 is a perspective view showing an example of a conventional filter which is the background of the present invention, and FIG. 22 is an exploded perspective view thereof. This filter 10 has a first dielectric layer 11a.
including. On one main surface of the first dielectric layer 11a, two strip-shaped pattern electrodes 12a and 12b are formed in parallel with each other. These pattern electrodes 12a and 12b are electromagnetically coupled. Further, a second dielectric layer 11b is formed on one main surface of the first dielectric layer 11a so as to cover the pattern electrodes 12a and 12b. Two capacitor electrodes 13a and 13b are formed on the second dielectric layer 11b. Further, a third dielectric layer 11c is formed on the second dielectric layer 11b so as to cover the capacitor electrodes 13a and 13b. Two capacitor electrodes 13c and 13d are formed on the third dielectric layer 11c so as to face the two capacitor electrodes 13a and 13b.
Further, a fourth dielectric layer 11d is formed on the third dielectric layer 11c so as to cover the capacitor electrodes 13c and 13d. The first ground electrode 14a is formed on the fourth dielectric layer 11d. A seventh dielectric layer 11g is formed on the fourth dielectric layer 11d so as to cover the first ground electrode 14a. Further, two capacitor electrodes 13e and 13f are formed on the other main surface of the first dielectric layer 11a. Further, the capacitor electrode 13e is formed on the other main surface of the first dielectric layer 11a.
And 13f so as to cover the fifth dielectric layer 11e
Is formed. A second ground electrode 14b is formed below the fifth dielectric layer 11e so as to face the two capacitor electrodes 13e and 13f. Further, a sixth dielectric layer 11f is formed below the fifth dielectric layer 11e so as to cover the second ground electrode 14b.
【0005】第1〜第7の誘電体層11a〜11gの側
面には、6つの外部電極15a〜15fが形成される。
外部電極15aおよび15dは、コンデンサ電極13c
および13dにそれぞれ接続される。これらの外部電極
15aおよび15dは、それぞれ、入出力端子として用
いられる。外部電極15bは、パターン電極12aの一
端,コンデンサ電極13aおよび13eに接続される。
外部電極15cは、パターン電極12bの一端,コンデ
ンサ電極13bおよび13fに接続される。外部電極1
5eおよび15fは、第1および第2のアース電極14
aおよび14bに接続される。これらの外部電極15e
および15fは、それぞれアース端子として用いられ
る。Six external electrodes 15a to 15f are formed on the side surfaces of the first to seventh dielectric layers 11a to 11g.
The external electrodes 15a and 15d are the capacitor electrodes 13c.
And 13d, respectively. These external electrodes 15a and 15d are respectively used as input / output terminals. The external electrode 15b is connected to one end of the pattern electrode 12a and the capacitor electrodes 13a and 13e.
The external electrode 15c is connected to one end of the pattern electrode 12b and the capacitor electrodes 13b and 13f. External electrode 1
5e and 15f are the first and second ground electrodes 14
a and 14b. These external electrodes 15e
And 15f are used as ground terminals, respectively.
【0006】そして、図21および図22に示すフィル
タ10では、第1〜第4の誘電体層11a〜11dと、
パターン電極12aと、第1および第2のアース電極1
4aおよび14bとでストリップラインからなる共振器
が形成され、第1〜第4の誘電体層11a〜11dと、
パターン電極12bと、第1および第2のアース電極1
4aおよび14bとで他のストリップラインからなる共
振器が形成される。この場合、パターン電極12aおよ
び12bが電磁気的に結合されているので、2つの共振
器も電磁気的に結合される。さらに、このフィルタ10
では、コンデンサ電極13aおよび13cの間と、コン
デンサ電極13bおよび13dの間と、コンデンサ電極
13eおよび第2のアース電極14bの間と、コンデン
サ電極13fおよび第2のアース電極14bの間とに、
それぞれ、コンデンサが形成される。したがって、この
フィルタ10は、図23に示す等価回路を有する。In the filter 10 shown in FIGS. 21 and 22, the first to fourth dielectric layers 11a to 11d,
The pattern electrode 12a and the first and second ground electrodes 1
A resonator composed of a strip line is formed by 4a and 14b, and the first to fourth dielectric layers 11a to 11d are formed.
The pattern electrode 12b and the first and second ground electrodes 1
A resonator composed of another strip line is formed with 4a and 14b. In this case, since the pattern electrodes 12a and 12b are electromagnetically coupled, the two resonators are also electromagnetically coupled. Furthermore, this filter 10
Then, between the capacitor electrodes 13a and 13c, between the capacitor electrodes 13b and 13d, between the capacitor electrode 13e and the second ground electrode 14b, and between the capacitor electrode 13f and the second ground electrode 14b,
A capacitor is formed in each case. Therefore, this filter 10 has the equivalent circuit shown in FIG.
【0007】図21および図22に示すフィルタ10
は、一方主面にパターン電極となる導体ペーストを厚膜
印刷したセラミックグリーンシートや、一方主面にコン
デンサ電極となる導体ペーストを厚膜印刷した他のセラ
ミックグリーンシート、一方主面にアース電極となる導
体ペーストを厚膜印刷したさらに他のセラミックグリー
ンシート、あるいは、導体ペーストを形成していないセ
ラミックグリーンシートなどを積層し、それらを圧着し
焼成するなどして、形成される。The filter 10 shown in FIGS. 21 and 22.
Is a ceramic green sheet with a thick film printed conductor paste to be a pattern electrode on one main surface, another ceramic green sheet with a thick film printed conductor paste to be a capacitor electrode on one main surface, and a ground electrode on one main surface. It is formed by stacking yet another ceramic green sheet on which the conductor paste is formed into a thick film, or a ceramic green sheet on which the conductor paste is not formed, and pressing and firing them.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところが、図19およ
び図20に示す共振器1では、インダクタとなるパター
ン電極3が厚膜印刷などによって形成されるため、パタ
ーン電極3の厚さt(図20参照)が数μm〜10μm
程度にしかならない。そのため、直流抵抗が高く、高周
波での抵抗成分が大きくなり、共振器1のQ特性が悪か
った。つまり、この共振器1では、パターン電極3にお
ける抵抗成分や導体損が大きく、Qが小さいものであっ
た。また、厚膜印刷によりパターン電極が形成されるの
で、電極膜の膜厚のばらつきがあり、そのため、インダ
クタンス値が一定化しにくいという恐れがあった。However, in the resonator 1 shown in FIGS. 19 and 20, since the pattern electrode 3 serving as an inductor is formed by thick film printing or the like, the thickness t of the pattern electrode 3 (see FIG. 20). Is several μm to 10 μm
Only to the extent. Therefore, the direct current resistance is high, the resistance component at high frequencies is large, and the Q characteristic of the resonator 1 is poor. That is, in the resonator 1, the resistance component and the conductor loss in the pattern electrode 3 are large, and the Q is small. Further, since the pattern electrode is formed by thick film printing, there is a variation in the film thickness of the electrode film, which may make it difficult to make the inductance value constant.
【0009】同様に、図21および図22に示すフィル
タ10でも、インダクタとなるパターン電極12aおよ
び12bがそれぞれ厚膜印刷などによって形成されるた
め、パターン電極12aおよび12bのそれぞれの厚さ
が数μm〜10μm程度にしかならない。そのため、こ
のフィルタ10では、パターン電極12aおよび12b
におけるそれぞれの抵抗成分や導体損が大きく、それぞ
れの共振器のQが小さく、挿入損失が大きい。この場
合、従来のフィルタではインダクタの抵抗成分が大きい
ので、フィルタとしては、たとえば2段品でQ=30以
下の製品しか商品化できていないものが多い。Similarly, also in the filter 10 shown in FIGS. 21 and 22, since the pattern electrodes 12a and 12b serving as inductors are formed by thick film printing or the like, the thickness of each of the pattern electrodes 12a and 12b is several μm. Only about 10 μm. Therefore, in this filter 10, the pattern electrodes 12a and 12b are
, The resistance loss and the conductor loss are large, the Q of each resonator is small, and the insertion loss is large. In this case, since the resistance component of the inductor in the conventional filter is large, there are many filters that can be commercialized, for example, only two-stage products with Q = 30 or less.
【0010】また、厚膜印刷によりパターン電極が形成
されるので、電極膜の膜厚のばらつきが比較的大きく、
そのため、インダクタンス値が安定化しにくいという恐
れがあった。それゆえ、たとえばコンデンサをトリミン
グするなどして、フィルタの特性を調整する必要があ
る。Further, since the pattern electrode is formed by thick film printing, the variation in the film thickness of the electrode film is relatively large,
Therefore, there is a fear that the inductance value is difficult to stabilize. Therefore, it is necessary to adjust the characteristics of the filter, for example, by trimming the capacitor.
【0011】また、図21および図22に示すフィルタ
10のように、インダクタとなるパターン電極が厚膜印
刷などによって形成された従来のフィルタを帯域通過フ
ィルタ(BPF)として機能させた場合、その帯域通過
フィルタ(BPF)では、通過帯での挿入損失が大きく
なるため、その改善が必要となっている。この場合、バ
ンドパスフィルタ(BPF)のQ特性は、フィルタの段
数によりある程度良くできるが、段数が増えることによ
り、挿入損失が大きくなってしまう。Further, when a conventional filter having a pattern electrode serving as an inductor formed by thick film printing or the like as the filter 10 shown in FIGS. 21 and 22 is made to function as a band pass filter (BPF), the band thereof is reduced. In the pass filter (BPF), since the insertion loss in the pass band becomes large, it is necessary to improve it. In this case, the Q characteristic of the bandpass filter (BPF) can be improved to some extent depending on the number of stages of the filter, but the insertion loss increases as the number of stages increases.
【0012】それゆえに、この発明の主たる目的は、Q
が大きく、挿入損失の小さい共振器およびフィルタを提
供することである。Therefore, the main object of the present invention is to
To provide a resonator and a filter having a large insertion loss and a large insertion loss.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】この発明にかかる共振器
は、複数の誘電体層を含む積層体と、積層体内の少なく
とも1つの誘電体層に形成され、インダクタとなるライ
ン電極と、積層体内に形成され、インダクタと電気的に
接続されるコンデンサとを含み、ライン電極は、積層体
内の少なくとも1つの誘電体層にライン電極に対応する
孔を形成し、孔に導電体を付与することにより形成され
る、共振器である。A resonator according to the present invention includes a laminated body including a plurality of dielectric layers, a line electrode formed on at least one dielectric layer in the laminated body to serve as an inductor, and a laminated body. And forming a hole corresponding to the line electrode in at least one dielectric layer in the stack, and applying a conductor to the hole. It is a resonator formed.
【0014】また、この発明にかかる共振器では、積層
体内の、ライン電極に対応する孔を形成し、その孔に導
電体を付与する誘電体層を、磁性体層で形成してもよ
い。Further, in the resonator according to the present invention, a hole corresponding to the line electrode may be formed in the laminated body, and the dielectric layer for applying a conductor to the hole may be formed of a magnetic layer.
【0015】さらに、この発明にかかるフィルタは、複
数の誘電体層を含む積層体と、積層体内の少なくとも1
つの誘電体層に形成され、インダクタとなる複数のライ
ン電極と、積層体内に形成され、インダクタと電気的に
接続される複数のコンデンサとを含み、ライン電極は、
積層体内の少なくとも1つの誘電体層にライン電極に対
応する孔を形成し、孔に導電体を付与することにより形
成される、フィルタである。Further, the filter according to the present invention includes a laminated body including a plurality of dielectric layers, and at least one of the laminated bodies.
The line electrode includes a plurality of line electrodes formed on one dielectric layer to serve as an inductor, and a plurality of capacitors formed in the laminate and electrically connected to the inductor.
It is a filter formed by forming holes corresponding to line electrodes in at least one dielectric layer in a laminate and applying a conductor to the holes.
【0016】また、この発明にかかるフィルタでは、積
層体内の、ライン電極に対応する孔を形成し、その孔に
導電体を付与する誘電体層を、磁性体層で形成してもよ
い。Further, in the filter according to the present invention, a hole corresponding to the line electrode may be formed in the laminated body, and the dielectric layer for giving a conductor to the hole may be formed of a magnetic layer.
【0017】[0017]
【作用】インダクタとなるライン電極は、誘電体または
磁性体で形成されるセラミックグリーンシートに孔を設
け、その孔に導電体を付与させることにより形成される
ので、従来のように、厚膜印刷などでインダクタとなる
電極を形成した場合に比べて、インダクタとなるライン
電極の膜厚が厚く形成されるとともに、膜厚のばらつき
も小さい。したがって、ライン電極の断面積が増え、ラ
イン電極の抵抗成分が小さくなる。つまり、ライン電極
において電流の流路が大きくなり、ライン電極の抵抗成
分や導体損が小さくなる。また、インダクタとなる電極
が厚膜印刷などにより形成される従来の共振器およびフ
ィルタに比べて、厚みのばらつきが小さい。そのため、
インダクタンス値のばらつきが小さくなる。The line electrode to be an inductor is formed by forming a hole in a ceramic green sheet made of a dielectric material or a magnetic material and applying a conductor to the hole. As compared with the case where the electrode serving as the inductor is formed by using the method described above, the film thickness of the line electrode serving as the inductor is increased, and the variation in the film thickness is small. Therefore, the cross-sectional area of the line electrode increases and the resistance component of the line electrode decreases. That is, the flow path of the current is increased in the line electrode, and the resistance component and the conductor loss of the line electrode are reduced. Further, the variation in thickness is smaller than that of the conventional resonator and filter in which the electrode serving as the inductor is formed by thick film printing or the like. for that reason,
Variation in inductance value is reduced.
【0018】[0018]
【発明の効果】この発明によれば、インダクタとなるラ
イン電極における抵抗成分を小さくできるため、Qが大
きく、挿入損失の小さい共振器やフィルタが得られる。
しかも、インダクタとなる電極が厚膜印刷などにより形
成される従来の共振器およびフィルタに比べて、インダ
クタタンス値のばらつきが小さくなるので、トリミング
工程の削減が可能となる。According to the present invention, since the resistance component in the line electrode serving as an inductor can be reduced, a resonator and a filter having a large Q and a small insertion loss can be obtained.
Moreover, the variation in the inductor value is smaller than that in the conventional resonator and filter in which the electrode serving as the inductor is formed by thick film printing or the like, so that the trimming process can be reduced.
【0019】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description of the following embodiments with reference to the drawings.
【0020】[0020]
【実施例】図1はこの発明の一実施例としての共振器の
一例を示す斜視図であり、図2はその要部を示す分解斜
視図である。1 is a perspective view showing an example of a resonator as an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view showing a main part thereof.
【0021】この共振器20は、直方体状の積層体22
を含む。積層体22は、セラミック層からなるたとえば
矩形状の第1の誘電体層22aを含む。第1の誘電体層
22aには、その長手方向に間隔を隔てて、たとえば断
面矩形で棒状の2つのライン電極24aおよび24bが
形成される。2つのライン電極24aおよび24bは、
第1の誘電体層22aの長手方向の中央部で、その幅方
向の一端から中央にわたって、間隔を隔てて平行に形成
される。2つのライン電極24aおよび24bは、第1
の誘電体層22aの厚み方向の一端から他端にかけて形
成される。2つのライン電極24aおよび24bは、そ
れぞれ、その厚みが第1の誘電体層22aの厚みとほぼ
同じに形成される。したがって、2つのライン電極24
a,24bの厚み方向の上端部および下端部が、それぞ
れ、第1の誘電体層22aの一方主面(上面)および他
方主面(下面)で、露出される。さらに、2つのライン
電極24aおよび24bは、それぞれ、その長手方向の
一端部が第1の誘電体層22aの幅方向の一側面で露出
される。This resonator 20 has a rectangular parallelepiped laminated body 22.
including. The laminated body 22 includes, for example, a rectangular first dielectric layer 22a made of a ceramic layer. On the first dielectric layer 22a, two line electrodes 24a and 24b having, for example, a rectangular cross section and a rod shape are formed at intervals in the longitudinal direction thereof. The two line electrodes 24a and 24b are
The first dielectric layer 22a is formed at the central portion in the longitudinal direction of the first dielectric layer 22a in parallel from one end in the width direction thereof to the center thereof with a gap. The two line electrodes 24a and 24b have a first
Is formed from one end to the other end of the dielectric layer 22a in the thickness direction. The two line electrodes 24a and 24b are formed so that their thicknesses are substantially the same as the thickness of the first dielectric layer 22a. Therefore, the two line electrodes 24
The upper end and the lower end of the a and 24b in the thickness direction are exposed at the one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 22a, respectively. Further, one end of each of the two line electrodes 24a and 24b in the longitudinal direction is exposed at one side surface in the width direction of the first dielectric layer 22a.
【0022】また、第1の誘電体層22aには、2つの
ライン電極24aおよび24bと間隔を隔てて、他の1
つのライン電極24cが形成される。このライン電極2
4cは、断面矩形で細長い棒状に形成され、ライン電極
24a,24bよりも長く形成される。この場合、2つ
のライン電極24a,24bと1つのライン電極24c
とは、第1の誘電体層22aの幅方向に間隔を隔てて形
成される。ライン電極24cは、第1の誘電体層22a
の長手方向に延びて形成される。ライン電極24cは、
第1の誘電体層22aの長手方向の両端より内側に形成
される。ライン電極24cは、第1の誘電体層22aの
厚み方向の一端から他端にかけて形成される。ライン電
極24cの厚みは、2つのライン電極24a,24bと
同様に、第1の誘電体層22aの厚みとほぼ同じ厚みに
形成される。したがって、ライン電極24cの厚み方向
の上端部および下端部が、それぞれ、第1の誘電体層2
2aの一方主面(上面)および他方主面(下面)で、露
出される。Further, the first dielectric layer 22a is separated from the two line electrodes 24a and 24b by a distance from the other line electrodes 24a and 24b.
One line electrode 24c is formed. This line electrode 2
4c is formed in an elongated rod shape with a rectangular cross section, and is formed longer than the line electrodes 24a and 24b. In this case, two line electrodes 24a and 24b and one line electrode 24c
And are formed at intervals in the width direction of the first dielectric layer 22a. The line electrode 24c is the first dielectric layer 22a.
Is formed so as to extend in the longitudinal direction. The line electrode 24c is
It is formed inside both ends of the first dielectric layer 22a in the longitudinal direction. The line electrode 24c is formed from one end to the other end of the first dielectric layer 22a in the thickness direction. The thickness of the line electrode 24c is formed to be substantially the same as the thickness of the first dielectric layer 22a, like the two line electrodes 24a and 24b. Therefore, the upper end and the lower end of the line electrode 24c in the thickness direction are respectively formed in the first dielectric layer 2
2a is exposed on one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface).
【0023】第1の誘電体層22aの一方主面(上面)
には、ライン電極24a,24bおよび24cの上面を
覆うようにして、セラミック層からなる第2の誘電体層
22bが形成される。One main surface (upper surface) of the first dielectric layer 22a
A second dielectric layer 22b made of a ceramic layer is formed so as to cover the upper surfaces of the line electrodes 24a, 24b and 24c.
【0024】第2の誘電体層22bには、さらに他の2
つのライン電極24dおよび24eが形成される。2つ
のライン電極24dおよび24eは、それぞれ、断面矩
形で且つ平面L字状に形成され、その厚みは第2の誘電
体層22bとほぼ同じに形成される。したがって、ライ
ン電極24dおよび24eの厚み方向の上端部および下
端部が、第2の誘電体層22bの一方主面(上面)およ
び他方主面(下面)で、それぞれ露出される。一方のラ
イン電極24dと他方のライン電極24eとは、第2の
誘電体層22bの長手方向の中央で且つその幅方向の一
端から他端にわたる部分を対称軸としたとき、線対称に
配置される。2つのライン電極24dおよび24eは、
それぞれ、第2の誘電体層22bの長手方向および幅方
向の両端より内側に形成される。The second dielectric layer 22b has another two layers.
Two line electrodes 24d and 24e are formed. Each of the two line electrodes 24d and 24e is formed to have a rectangular cross section and an L shape in a plane, and the thickness thereof is formed to be substantially the same as that of the second dielectric layer 22b. Therefore, the upper end portion and the lower end portion of the line electrodes 24d and 24e in the thickness direction are exposed at the one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the second dielectric layer 22b, respectively. The one line electrode 24d and the other line electrode 24e are arranged in line symmetry when the portion extending from one end to the other end of the second dielectric layer 22b in the longitudinal direction and extending from one end to the other end of the second dielectric layer 22b is the symmetry axis. It The two line electrodes 24d and 24e are
The second dielectric layer 22b is formed inside both ends in the longitudinal direction and the width direction, respectively.
【0025】この場合、一方のライン電極24dは、そ
の一端部とライン電極24aの長手方向の他端部とが対
向し、その他端部とライン電極24cの長手方向の一端
部とが対向するように、第2の誘電体層22bに形成さ
れる。また、他方のライン電極24eは、その一端部と
ライン電極24bの長手方向の他端部とが対向し、その
他端部とライン電極24cの長手方向の他端部とが対向
するように、第2の誘電体層22bに形成される。In this case, one line electrode 24d has one end thereof opposed to the other end of the line electrode 24a in the longitudinal direction, and the other end opposed to one end of the line electrode 24c in the longitudinal direction. And is formed on the second dielectric layer 22b. Further, the other line electrode 24e is arranged so that one end thereof faces the other end of the line electrode 24b in the longitudinal direction and the other end faces the other end of the line electrode 24c in the longitudinal direction. The second dielectric layer 22b is formed.
【0026】したがって、第1の誘電体層22aの上に
第2の誘電体層22bを積層した場合、ライン電極24
aの他端部とライン電極24dの一端部とが面接触し、
ライン電極24dの他端部とライン電極24cの一端部
とが面接触される。さらに、ライン電極24bの他端部
とライン電極24eの一端部とが面接触し、ライン電極
24eの他端部とライン電極24cの他端部とが面接触
される。これらのライン電極24a,24b,24c,
24dおよび24eでインダクタが形成される。Therefore, when the second dielectric layer 22b is laminated on the first dielectric layer 22a, the line electrode 24
The other end of a and the one end of the line electrode 24d are in surface contact with each other,
The other end of the line electrode 24d and the one end of the line electrode 24c are in surface contact with each other. Further, the other end of the line electrode 24b and one end of the line electrode 24e are in surface contact, and the other end of the line electrode 24e and the other end of the line electrode 24c are in surface contact. These line electrodes 24a, 24b, 24c,
An inductor is formed by 24d and 24e.
【0027】第2の誘電体層22bの上には、2つのラ
イン電極24dおよび24eの上面を覆うようにして、
セラミック層からなる第3の誘電体層22cが形成され
る。On the second dielectric layer 22b, the upper surfaces of the two line electrodes 24d and 24e are covered,
A third dielectric layer 22c made of a ceramic layer is formed.
【0028】第3の誘電体層22cには、その一方主面
から他方主面に貫通する2つのビアホール26aおよび
26bが形成される。一方のビアホール26aは、ライ
ン電極24dの一端部に対応する位置に形成される。他
方のビアホール26bは、ライン電極24eの一端部に
対応する位置に形成される。In the third dielectric layer 22c, two via holes 26a and 26b penetrating from one main surface to the other main surface are formed. One via hole 26a is formed at a position corresponding to one end of the line electrode 24d. The other via hole 26b is formed at a position corresponding to one end of the line electrode 24e.
【0029】また、第3の誘電体層22cの上面には、
ビアホール26aの周囲を除いて、面状のコンデンサ電
極28aが形成される。この場合、コンデンサ電極28
aは、ライン電極24dおよび24eの上面(平面部
分)に対向するように形成される。Further, on the upper surface of the third dielectric layer 22c,
A planar capacitor electrode 28a is formed except for the periphery of the via hole 26a. In this case, the capacitor electrode 28
The a is formed so as to face the upper surfaces (planar portions) of the line electrodes 24d and 24e.
【0030】さらに、第3の誘電体層22cの上には、
コンデンサ電極28aの上面(平面部分)を覆うように
して、セラミック層からなる第4の誘電体層22dが形
成される。Further, on the third dielectric layer 22c,
A fourth dielectric layer 22d made of a ceramic layer is formed so as to cover the upper surface (planar portion) of the capacitor electrode 28a.
【0031】第4の誘電体層22dには、その一方主面
から他方主面に貫通する1つのビアホール30aが形成
される。このビアホール30aは、ビアホール26aに
対応する位置に形成される。また、第4の誘電体層22
dの上には、他の面状のコンデンサ電極28bが、コン
デンサ電極28aの上面(平面部分)に対向するように
形成される。In the fourth dielectric layer 22d, one via hole 30a penetrating from one main surface to the other main surface is formed. The via hole 30a is formed at a position corresponding to the via hole 26a. In addition, the fourth dielectric layer 22
Another planar capacitor electrode 28b is formed on d so as to face the upper surface (planar portion) of the capacitor electrode 28a.
【0032】ビアホール26aおよび30aの内部に
は、接続電極32a1および32a2がそれぞれ形成さ
れる。この場合、接続電極32a1は、その一端がライ
ン電極24dの一端部に接続され、その他端が接続電極
32a2を介してコンデンサ電極28bのほぼ中央部に
接続される。また、ビアホール26bの内部には接続電
極32bが形成される。この接続電極32bは、その一
端がライン電極24eの一端部に接続され、その他端部
がコンデンサ電極28aのほぼ中央部に接続される。Connection electrodes 32a1 and 32a2 are formed inside the via holes 26a and 30a, respectively. In this case, one end of the connection electrode 32a1 is connected to one end of the line electrode 24d, and the other end thereof is connected to the substantially central portion of the capacitor electrode 28b via the connection electrode 32a2. A connection electrode 32b is formed inside the via hole 26b. One end of the connection electrode 32b is connected to one end of the line electrode 24e, and the other end thereof is connected to a substantially central portion of the capacitor electrode 28a.
【0033】さらに、第4の誘電体層22dの上には、
保護層として、コンデンサ電極28bの上面(平面部
分)を覆うように、セラミック層からなる第5の誘電体
層22eが形成される。Further, on the fourth dielectric layer 22d,
As the protective layer, a fifth dielectric layer 22e made of a ceramic layer is formed so as to cover the upper surface (planar portion) of the capacitor electrode 28b.
【0034】一方、第1の誘電体層22aの他方主面
(下面)には、保護層として、ライン電極24a,24
bおよび24cの下面を覆うように、セラミック層から
なる第6の誘電体層22fが形成される。On the other hand, on the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 22a, line electrodes 24a, 24 are provided as protective layers.
A sixth dielectric layer 22f made of a ceramic layer is formed so as to cover the lower surfaces of b and 24c.
【0035】積層体22の幅方向の2つの側面には、4
つの外部電極34a,34b,34cおよび34dが形
成される。この場合、積層体22の幅方向の一方の側面
に2つの外部電極34aおよび34bが形成され、積層
体22の幅方向の他方の側面に2つの外部電極34cお
よび34dが形成される。外部電極34aはライン電極
24aの一端部に接続され、外部電極34bはライン電
極24bの一端部に接続される。外部電極34aは入力
端子として用いられ、外部電極34bは出力端子として
用いられる。なお、外部電極34cおよび34dは、ダ
ミー電極として用いられ、他の電極には接続されない。On the two lateral sides of the laminated body 22, 4
Two external electrodes 34a, 34b, 34c and 34d are formed. In this case, two external electrodes 34a and 34b are formed on one side surface of the stacked body 22 in the width direction, and two external electrodes 34c and 34d are formed on the other side surface of the stacked body 22 in the width direction. The external electrode 34a is connected to one end of the line electrode 24a, and the external electrode 34b is connected to one end of the line electrode 24b. The external electrode 34a is used as an input terminal, and the external electrode 34b is used as an output terminal. The external electrodes 34c and 34d are used as dummy electrodes and are not connected to other electrodes.
【0036】この共振器20では、ライン電極24a,
24b,24c,24dおよび24eでインダクタLが
形成され、2つのコンデンサ電極28aおよび28b間
に、コンデンサCが形成される。したがって、この共振
器20は、図3に示す等価回路を有する。In this resonator 20, the line electrodes 24a,
An inductor L is formed by 24b, 24c, 24d and 24e, and a capacitor C is formed between the two capacitor electrodes 28a and 28b. Therefore, this resonator 20 has the equivalent circuit shown in FIG.
【0037】次に、この共振器20の製造方法の一例に
ついて、図4を参照しながら詳しく説明する。Next, an example of a method of manufacturing the resonator 20 will be described in detail with reference to FIG.
【0038】まず、第1の誘電体層22aとなるセラミ
ックグリーンシート36aが準備される。このセラミッ
クグリーンシート36aには、図4(A)に示すよう
に、ライン電極24a,24bおよび24cに対応する
矩形の孔38a,38bおよび38cがそれぞれ形成さ
れる。孔38a,38bおよび38cは、セラミックグ
リーンシート36aの一方主面から他方主面に貫通する
ように、たとえばパンチングなどで形成される。孔38
a,38bおよび38cの内部には、図4(C)に示す
ように、たとえば導体ペーストが充填されることによ
り、導体層40a,40b,40cが形成されている。First, a ceramic green sheet 36a to be the first dielectric layer 22a is prepared. As shown in FIG. 4A, rectangular holes 38a, 38b and 38c corresponding to the line electrodes 24a, 24b and 24c are formed in the ceramic green sheet 36a, respectively. The holes 38a, 38b and 38c are formed by, for example, punching so as to penetrate from one main surface of the ceramic green sheet 36a to the other main surface. Hole 38
As shown in FIG. 4C, conductor layers 40a, 40b, 40c are formed inside a, 38b, and 38c, for example, by being filled with a conductor paste.
【0039】この場合、孔38aおよび38bは、セラ
ミックグリーンシート36aの長手方向の中央部で、そ
の幅方向の一端から間隔を隔てた位置より中央に延び
て、互いに間隔を隔てて平行に形成される。さらに、セ
ラミックグリーンシート36aには、2つの孔38aお
よび38bと間隔を隔てて、孔38cが形成される。2
つの孔38a,38bと38cとは、セラミックグリー
ンシート36aの幅方向に間隔を隔てて形成される。孔
38cは、セラミックグリーンシート36aの長手方向
に延びて形成され、しかも、孔38a,38bよりも長
く形成される。In this case, the holes 38a and 38b are formed centrally in the longitudinal direction of the ceramic green sheet 36a, extending from the position spaced apart from one end in the width direction thereof to the center, and are spaced apart from each other and are parallel to each other. It Further, a hole 38c is formed in the ceramic green sheet 36a at a distance from the two holes 38a and 38b. Two
The three holes 38a, 38b and 38c are formed at intervals in the width direction of the ceramic green sheet 36a. The hole 38c is formed so as to extend in the longitudinal direction of the ceramic green sheet 36a, and is formed longer than the holes 38a and 38b.
【0040】また、図4(B)に示すように、第6の誘
電体層22fとなるセラミックグリーンシート36fが
準備される。Also, as shown in FIG. 4B, a ceramic green sheet 36f to be the sixth dielectric layer 22f is prepared.
【0041】そして、セラミックグリーンシート36a
の下には、図4(A),図4(B),図4(F)に示す
ように、孔38a,38bおよび38cを覆うようにし
て、セラミックグリーンシート36fが積層される。Then, the ceramic green sheet 36a
As shown in FIGS. 4 (A), 4 (B) and 4 (F), a ceramic green sheet 36f is laminated underneath so as to cover the holes 38a, 38b and 38c.
【0042】また、第2の誘電体層22bとなるセラミ
ックグリーンシート36bが準備される。このセラミッ
クグリーンシート36bには、図4(D)に示すよう
に、ライン電極24dおよび24eに対応する孔38d
および38eがそれぞれ形成される。それらの孔38d
および38eは、セラミックグリーンシート36bの一
方主面から他方主面に貫通するように、たとえばパンチ
ングなどで形成される。孔38d,38eの内部には、
図4(E)に示すように、たとえば導体ペーストが充填
されることにより、導体層40d,40eがそれぞれ形
成されている。孔38dおよび38eは、それぞれ、断
面矩形で且つ平面L字状に形成される。一方の孔38d
と他方の孔38eとは、セラミックグリーンシート36
bの長手方向の中央で且つその幅方向の一端から他端に
わたる部分を対称軸としたとき、線対称に形成される。Further, a ceramic green sheet 36b to be the second dielectric layer 22b is prepared. As shown in FIG. 4D, holes 38d corresponding to the line electrodes 24d and 24e are formed in the ceramic green sheet 36b.
And 38e are formed respectively. Those holes 38d
And 38e are formed by, for example, punching so as to penetrate from one main surface to the other main surface of ceramic green sheet 36b. Inside the holes 38d and 38e,
As shown in FIG. 4E, the conductor layers 40d and 40e are formed by filling a conductor paste, for example. The holes 38d and 38e are each formed in a rectangular cross-section and in a plane L shape. One hole 38d
And the hole 38e on the other side is the ceramic green sheet 36.
When a portion extending from one end to the other end in the width direction of the center of b in the longitudinal direction is defined as an axis of symmetry, it is formed in line symmetry.
【0043】この場合、一方の孔38dは、その一端部
と孔38aの長手方向の他端部とが対向し、その他端部
と孔38cの長手方向の一端部とが対向するように、セ
ラミックグリーンシート36bに形成される。また、他
方の孔38eは、その一端部と孔38bの長手方向の他
端部とが対向し、その他端部と孔38cの長手方向の他
端部とが対向するように、セラミックグリーンシート3
6bに形成される。In this case, one hole 38d is made of ceramic so that one end thereof faces the other end of the hole 38a in the longitudinal direction and the other end faces one end of the hole 38c in the longitudinal direction. It is formed on the green sheet 36b. The other end of the hole 38e is opposed to the other end of the hole 38b in the longitudinal direction of the hole 38b, and the other end of the hole 38e is opposed to the other end of the hole 38c in the longitudinal direction.
6b is formed.
【0044】そして、セラミックグリーンシート36a
の上には、図4(D),図4(F)に示すように、セラ
ミックグリーンシート36bが積層される。Then, the ceramic green sheet 36a
As shown in FIGS. 4D and 4F, a ceramic green sheet 36b is laminated on the above.
【0045】また、第3の誘電体層22cとなるセラミ
ックグリーンシート36cが準備される。このセラミッ
クグリーンシート36cには、図4(F)に示すよう
に、その中央部で長手方向に間隔を隔てて、2つのビア
ホール26aおよび26bが形成される。ビアホール2
6aおよび26bの内部には、接続電極32a1および
32bとなる導体ペーストが充填されることにより、接
続導体44a1および44bがそれぞれ形成されてい
る。さらに、このセラミックグリーンシート36cの上
には、ビアホール26aの周囲を除いて、導体ペースト
などが厚膜印刷されることにより、コンデンサ電極28
aとなる導体層42aが形成されている。Further, a ceramic green sheet 36c to be the third dielectric layer 22c is prepared. As shown in FIG. 4 (F), two via holes 26a and 26b are formed in the ceramic green sheet 36c at a central portion thereof with a space in the longitudinal direction. Beer hall 2
The insides of 6a and 26b are filled with a conductor paste to be the connection electrodes 32a1 and 32b to form connection conductors 44a1 and 44b, respectively. Further, on the ceramic green sheet 36c, except for the periphery of the via hole 26a, a thick film of a conductor paste or the like is printed, so that the capacitor electrode 28
A conductor layer 42a to be a is formed.
【0046】そして、セラミックグリーンシート36c
は、図4(F)に示すように、導体層42aが上になる
ようにして、セラミックグリーンシート36bの上に積
層される。Then, the ceramic green sheet 36c
Is laminated on the ceramic green sheet 36b so that the conductor layer 42a faces upward, as shown in FIG. 4 (F).
【0047】また、第4の誘電体層22dとなるセラミ
ックグリーンシート36dが準備される。このセラミッ
クグリーンシート36dには、図4(F)に示すよう
に、1つのビアホール30aが形成される。ビアホール
30aは、ビアホール26aに対応する位置に形成され
る。ビアホール30aの内部には、導体ペーストが充填
されることにより、接続電極32a2となる接続導体4
4a2が形成されている。さらに、セラミックグリーン
シート36d上には、他の導体ペーストが厚膜印刷され
ることにより、他のコンデンサ電極28bとなる他の導
体層42bが形成されている。この場合、接続導体44
a2は、その一端部が接続導体44a1に接続され、そ
の他端部が導体層42bに接続される。A ceramic green sheet 36d to be the fourth dielectric layer 22d is prepared. As shown in FIG. 4F, one via hole 30a is formed in the ceramic green sheet 36d. The via hole 30a is formed at a position corresponding to the via hole 26a. By filling the inside of the via hole 30a with a conductive paste, the connection conductor 4 becomes the connection electrode 32a2.
4a2 is formed. Furthermore, another conductor layer 42b to be another capacitor electrode 28b is formed on the ceramic green sheet 36d by thick-film printing of another conductor paste. In this case, the connecting conductor 44
One end of a2 is connected to the connecting conductor 44a1 and the other end thereof is connected to the conductor layer 42b.
【0048】そして、セラミックグリーンシート36d
は、図4(F)に示すように、導体層42bが上になる
ようにして、セラミックグリーンシート36cの上に積
層される。この場合、導体層40dは、接続導体44a
1および44a2を介して、導体層42bに接続され
る。また、導体層44eは、接続導体44bを介して、
導体層42aに接続される。Then, the ceramic green sheet 36d
Is laminated on the ceramic green sheet 36c with the conductor layer 42b facing upward, as shown in FIG. 4 (F). In this case, the conductor layer 40d is the connection conductor 44a.
1 and 44a2, and is connected to the conductor layer 42b. In addition, the conductor layer 44e, via the connection conductor 44b,
It is connected to the conductor layer 42a.
【0049】また、第5の誘電体層22eとなるセラミ
ックグリーンシート36eが準備される。このセラミッ
クグリーンシート36eは、図4(F)に示すように、
導体層42bを覆うようにして、セラミックグリーンシ
ート36dの上に積層される。Further, a ceramic green sheet 36e to be the fifth dielectric layer 22e is prepared. This ceramic green sheet 36e, as shown in FIG.
It is laminated on the ceramic green sheet 36d so as to cover the conductor layer 42b.
【0050】そして、これらのセラミックグリーンシー
ト36a〜36fなどの積層体22は、図4(G)の1
点鎖線H−Hで示す孔38aおよび38bの長手方向の
中間部を結ぶ部分で切断され、ライン電極24aおよび
24bとなる導体層40aおよび40bの長手方向の一
端部は、セラミックグリーンシート36aの幅方向の一
側面で露出する。なお、この導体層40a,40bの一
端部の露出は、後の積層体の焼成後に行わせてもよい。The laminated body 22 such as the ceramic green sheets 36a to 36f is shown in FIG.
One end in the longitudinal direction of the conductor layers 40a and 40b, which are cut at a portion connecting the longitudinally intermediate portions of the holes 38a and 38b indicated by the dotted chain line H-H and become the line electrodes 24a and 24b, have the width of the ceramic green sheet 36a. Exposed on one side of the direction. The exposure of the one end portions of the conductor layers 40a and 40b may be performed after the subsequent firing of the laminated body.
【0051】それから、その積層体を焼成することによ
って、第1〜第6の誘電体層22a〜22f、ライン電
極24a〜24e、コンデンサ電極28aおよび28
b、接続電極32aおよび32bが形成される。Then, by firing the laminated body, the first to sixth dielectric layers 22a to 22f, the line electrodes 24a to 24e, and the capacitor electrodes 28a and 28 are formed.
b, the connection electrodes 32a and 32b are formed.
【0052】それから、第1〜第6の誘電体層22a〜
22fの側面に、たとえば銀などの電極材料を焼き付け
ることによって、外部電極34a〜34dが形成され、
共振器20が製造される。Then, the first to sixth dielectric layers 22a ...
External electrodes 34a to 34d are formed on the side surface of 22f by baking an electrode material such as silver,
The resonator 20 is manufactured.
【0053】この共振器20では、インダクタLを構成
するライン電極24a,24b,24cおよびライン電
極24d,24eの厚みが、それぞれ、セラミックグリ
ーンシート36aおよび36bの厚みとほぼ同じに形成
されるので、図19および図20に示す従来例の共振器
1と比べて、ライン電極の断面積が増える。そのため、
ライン電極の抵抗成分や導体損が小さくなる。この実施
例では、ライン電極24a〜24eの厚みは、数十μm
から数百μm程度に形成することが可能である。In this resonator 20, the line electrodes 24a, 24b, 24c and the line electrodes 24d, 24e forming the inductor L are formed to have substantially the same thickness as the ceramic green sheets 36a and 36b, respectively. The cross-sectional area of the line electrode is increased as compared with the resonator 1 of the conventional example shown in FIGS. for that reason,
The resistance component and conductor loss of the line electrode are reduced. In this embodiment, the thickness of the line electrodes 24a to 24e is several tens of μm.
To about several hundreds of μm.
【0054】また、ライン電極24a〜24eの幅,長
さおよび厚みは、セラミックグリーンシート36aおよ
び36bに設けられる孔38a〜38eの幅,長さおよ
びセラミックグリーンシート36aおよび36bの厚み
により規定される。したがって、従来の共振器1と比べ
て、インダクタパターンの形状や厚みのばらつきを小さ
くすることができ、所定のインダクタンス値が得られ
る。この場合、インダクタンス値のばらつきを±2%以
下に抑えて小さくできる。そのため、共振器20の共振
周波数のばらつきも小さくなる。The widths, lengths and thicknesses of the line electrodes 24a to 24e are defined by the widths and lengths of the holes 38a to 38e provided in the ceramic green sheets 36a and 36b and the thicknesses of the ceramic green sheets 36a and 36b. . Therefore, compared to the conventional resonator 1, variations in the shape and thickness of the inductor pattern can be reduced, and a predetermined inductance value can be obtained. In this case, the variation of the inductance value can be suppressed to ± 2% or less and reduced. Therefore, the variation of the resonance frequency of the resonator 20 also becomes small.
【0055】すなわち、この共振器20では、図19お
よび図20に示す従来例の共振器1と比べて、ライン電
極の断面積が大きくなるので、ライン電極において電流
の流路が大きくなり、ライン電極における抵抗成分や導
体損が小さくなる。That is, in this resonator 20, the cross-sectional area of the line electrode is larger than that of the conventional resonator 1 shown in FIGS. The resistance component and conductor loss in the electrodes are reduced.
【0056】そのため、この実施例の共振器20は、図
19および図20に示す従来例の共振器1と比べて、Q
が大きくなり、挿入損失が小さくなる。Therefore, the resonator 20 of this embodiment has a Q value larger than that of the resonator 1 of the conventional example shown in FIGS. 19 and 20.
Becomes larger and the insertion loss becomes smaller.
【0057】さらに、対向するコンデンサ電極28aお
よび28bは、そのほぼ中央部が接続電極32a1,3
2a2および32bにより、積層体の内部でライン電極
24dおよび24eの端部に接続される。そのため、こ
の共振器20では、コンデンサCのインダクタンス成分
が小さくなり、コンデンサCの周波数特性が良くなる。
なお、コンデンサCは、対向するコンデンサ電極の端部
が、ビアホールの内部に形成される接続電極で、インダ
クタLとなるライン電極に接続するようにしてもよい。Further, the opposing capacitor electrodes 28a and 28b have connection electrodes 32a1 and 3 at substantially the center thereof.
2a2 and 32b connect to the ends of the line electrodes 24d and 24e inside the stack. Therefore, in this resonator 20, the inductance component of the capacitor C is reduced and the frequency characteristic of the capacitor C is improved.
In the capacitor C, the ends of the opposing capacitor electrodes may be connected to the line electrode serving as the inductor L, which is a connection electrode formed inside the via hole.
【0058】したがって、この共振器20は、図19お
よび図20に示す従来例の共振器1と比べて、Q特性が
良くなる。この実施例では、たとえば図5に示すよう
に、19図および20図に示す従来の共振器1と比べ
て、減衰量が約5.8dB大きくなり、Q特性が良くな
っている。Therefore, this resonator 20 has a better Q characteristic than the conventional resonator 1 shown in FIGS. 19 and 20. In this embodiment, for example, as shown in FIG. 5, compared with the conventional resonator 1 shown in FIGS. 19 and 20, the amount of attenuation is increased by about 5.8 dB and the Q characteristic is improved.
【0059】なお、上述の実施例における誘電体層は、
他の絶縁体層や磁性体層を用いてもよい。また、この共
振器20の内部に他の素子を形成したり、表面に部品を
搭載したりすることによって、共振器を有するモジュー
ルなどの装置を形成することができる。The dielectric layer in the above embodiment is
Other insulating layers or magnetic layers may be used. Further, by forming another element inside the resonator 20 or mounting a component on the surface, a device such as a module having a resonator can be formed.
【0060】図6はこの発明の他の実施例としてのフィ
ルタの一例を示す斜視図であり、図7はその要部を示す
分解斜視図であり、図8はその等価回路図である。この
実施例では、たとえばLC形のバンドパスフィルタとし
て用いられるフィルタについて説明する。FIG. 6 is a perspective view showing an example of a filter as another embodiment of the present invention, FIG. 7 is an exploded perspective view showing a main part thereof, and FIG. 8 is an equivalent circuit diagram thereof. In this embodiment, a filter used as an LC type bandpass filter will be described.
【0061】このフィルタ50は、直方体状の積層体5
2を含む。積層体52は、セラミック層からなるたとえ
ば矩形状の第1の誘電体層52aを含む。第1の誘電体
層52aには、その長手方向に間隔を隔てて、たとえば
断面矩形で細長い棒状の2つのライン電極54aおよび
54bが形成される。2つのライン電極54aおよび5
4bは、それぞれ、第1の誘電体層52aの幅方向の一
端側で、その長手方向に延びて形成される。ライン電極
54aおよび54bは、第1の誘電体層52aの長手方
向および幅方向の両端より内側に形成される。The filter 50 is a rectangular parallelepiped laminated body 5.
2 inclusive. The laminated body 52 includes, for example, a rectangular first dielectric layer 52a made of a ceramic layer. On the first dielectric layer 52a, two line electrodes 54a and 54b having a rectangular cross section and elongated rod shapes are formed at intervals in the longitudinal direction. Two line electrodes 54a and 5
4b is formed on one end side in the width direction of the first dielectric layer 52a and extends in the longitudinal direction thereof. The line electrodes 54a and 54b are formed inside both ends in the longitudinal direction and the width direction of the first dielectric layer 52a.
【0062】2つのライン電極54aおよび54bは、
第1の誘電体層52aの厚み方向の一端から他端にかけ
て形成される。ライン電極54aおよび54bは、それ
ぞれ、その厚みが第1の誘電体層52aの厚みとほぼ同
じに形成される。したがって、ライン電極54aの厚み
方向の上端部および下端部が、それぞれ、第1の誘電体
層52aの一方主面(上面)および他方主面(下面)で
露出される。同様に、ライン電極54bの厚み方向の上
端部および下端部が、それぞれ、第1の誘電体層52a
の一方主面(上面)および他方主面(下面)で露出され
る。The two line electrodes 54a and 54b are
It is formed from one end to the other end of the first dielectric layer 52a in the thickness direction. Each of the line electrodes 54a and 54b is formed so that its thickness is substantially the same as the thickness of the first dielectric layer 52a. Therefore, the upper end portion and the lower end portion in the thickness direction of the line electrode 54a are exposed at the one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 52a, respectively. Similarly, the upper end portion and the lower end portion of the line electrode 54b in the thickness direction respectively have the first dielectric layer 52a.
It is exposed on one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface).
【0063】第1の誘電体層52aの一方主面には、ラ
イン電極54aおよび54bの上面部分を覆うようにし
て、セラミック層からなる第2の誘電体層52bが形成
される。On one main surface of the first dielectric layer 52a, a second dielectric layer 52b made of a ceramic layer is formed so as to cover the upper surface portions of the line electrodes 54a and 54b.
【0064】この第2の誘電体層52bには、その長手
方向に間隔を隔てて、4つのビアホール58a,58
b,58cおよび58dが形成される。1つのビアホー
ル58aは、ライン電極54aの長手方向の一端部と対
応する位置に形成され、1つのビアホール58bは、ラ
イン電極54aの長手方向の他端部と対応する位置に形
成される。1つのビアホール58cは、ライン電極54
bの長手方向の一端部と対応する位置に形成され、1つ
のビアホール58dは、ライン電極54bの長手方向の
他端部と対応する位置に形成される。ビアホール58
a,58b,58cおよび58dの内部には、それぞ
れ、接続電極63a1,63b,63cおよび63d1
が形成される。In the second dielectric layer 52b, four via holes 58a, 58 are provided at intervals in the longitudinal direction.
b, 58c and 58d are formed. One via hole 58a is formed at a position corresponding to one end of the line electrode 54a in the longitudinal direction, and one via hole 58b is formed at a position corresponding to the other end of the line electrode 54a in the longitudinal direction. One via hole 58c is used for the line electrode 54.
The via hole 58d is formed at a position corresponding to one longitudinal end of the line b, and one via hole 58d is formed at a position corresponding to the other longitudinal end of the line electrode 54b. Beer hole 58
Connection electrodes 63a1, 63b, 63c and 63d1 are provided inside a, 58b, 58c and 58d, respectively.
Is formed.
【0065】また、第2の誘電体層52bの上には、コ
ンデンサ電極60aが形成される。このコンデンサ電極
60aは、ビアホール58aおよび58dの周囲を除い
て形成される。A capacitor electrode 60a is formed on the second dielectric layer 52b. The capacitor electrode 60a is formed except for the periphery of the via holes 58a and 58d.
【0066】さらに、第2の誘電体層52bの上には、
面状のコンデンサ電極60aを覆うようにして、セラミ
ック層からなる第3の誘電体層52cが形成される。Further, on the second dielectric layer 52b,
A third dielectric layer 52c made of a ceramic layer is formed so as to cover the planar capacitor electrode 60a.
【0067】この第3の誘電体層52cには、ビアホー
ル58aおよび58dと対応する位置に、ビアホール6
2aおよび62dが形成される。ビアホール62aおよ
び62dの内部には、それぞれ、接続電極63a2およ
び63d2が形成される。In the third dielectric layer 52c, the via hole 6 is formed at a position corresponding to the via holes 58a and 58d.
2a and 62d are formed. Connection electrodes 63a2 and 63d2 are formed inside the via holes 62a and 62d, respectively.
【0068】また、第3の誘電体層52cの上には、そ
の長手方向に間隔を隔てて、コンデンサ電極60aと対
向するように、他の2つの面状のコンデンサ電極60b
および60cが形成される。On the third dielectric layer 52c, the other two planar capacitor electrodes 60b are spaced apart in the longitudinal direction so as to face the capacitor electrodes 60a.
And 60c are formed.
【0069】この場合、ライン電極54aは、その長手
方向の一端部が接続電極63a1および63a2を介し
てコンデンサ電極60bに接続され、その他端部が接続
電極63bを介してコンデンサ電極60aに接続され
る。また、ライン電極54bは、その長手方向の一端部
が接続電極63d1および63d2を介してコンデンサ
電極60cに接続され、その他端部が接続電極63cを
介してコンデンサ電極60aに接続される。In this case, one end of the line electrode 54a in the longitudinal direction is connected to the capacitor electrode 60b via the connection electrodes 63a1 and 63a2, and the other end is connected to the capacitor electrode 60a via the connection electrode 63b. . Further, one end of the line electrode 54b in the longitudinal direction is connected to the capacitor electrode 60c via the connection electrodes 63d1 and 63d2, and the other end is connected to the capacitor electrode 60a via the connection electrode 63c.
【0070】第3の誘電体層52cの上には、2つのコ
ンデンサ電極60bおよび60cを覆うように、保護層
としての第4の誘電体層52dが形成される。On the third dielectric layer 52c, a fourth dielectric layer 52d as a protective layer is formed so as to cover the two capacitor electrodes 60b and 60c.
【0071】一方、第1の誘電体層52aの他方主面
(下面)には、ライン電極54aおよび54bの下面を
覆うようにして、第5の誘電体層52eが形成される。On the other hand, a fifth dielectric layer 52e is formed on the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 52a so as to cover the lower surfaces of the line electrodes 54a and 54b.
【0072】第5の誘電体層52eには、その長手方向
に間隔を隔てて平行に、たとえば断面矩形で棒状の2つ
のライン電極64aおよび64bが形成される。2つの
ライン電極64aおよび64bは、第5の誘電体層52
eの幅方向に延びて、ライン電極54aおよび54bの
長さよりも短く形成される。ライン電極64aおよび6
4bは、第5の誘電体層52eの長手方向および幅方向
の両端より内側に形成される。On the fifth dielectric layer 52e, two line electrodes 64a and 64b having a rectangular cross section and having a rod shape, for example, are formed in parallel with each other in the longitudinal direction at intervals. The two line electrodes 64a and 64b are connected to the fifth dielectric layer 52.
It extends in the width direction of e and is formed shorter than the length of the line electrodes 54a and 54b. Line electrodes 64a and 6
4b is formed inside both ends in the longitudinal direction and the width direction of the fifth dielectric layer 52e.
【0073】この場合、ライン電極64aの長手方向の
一端部がライン電極54aの長手方向の一端部と対向す
るように形成され、ライン電極64bの長手方向の一端
部がライン電極54bの長手方向の一端部と対向するよ
うに形成される。つまり、ランイン電極54aと64a
とは、平面的に見て、L字状に配置されされる。同様
に、ランイン電極54bと64bとは、平面的に見て、
L字状に配置される。さらに、ライン電極54a,64
aと54b,64bとは、第1の誘電体層52aおよび
第5の誘電体層52eの長手方向の中央で且つその幅方
向の一端から他端にわたる部分を対称軸としたとき、線
対称に配置される。In this case, one end of the line electrode 64a in the longitudinal direction is formed so as to face one end of the line electrode 54a in the longitudinal direction, and one end of the line electrode 64b in the longitudinal direction is formed in the longitudinal direction of the line electrode 54b. It is formed so as to face one end. That is, the run-in electrodes 54a and 64a
And are arranged in an L shape when viewed two-dimensionally. Similarly, the run-in electrodes 54b and 64b are
It is arranged in an L shape. Further, the line electrodes 54a, 64
a and 54b, 64b are line-symmetrical with respect to the center of the first dielectric layer 52a and the fifth dielectric layer 52e in the longitudinal direction and the portion extending from one end to the other end in the width direction as the axis of symmetry. Will be placed.
【0074】2つのライン電極64aおよび64bは、
第5の誘電体層52eの厚み方向の一端から他端にかけ
て形成される。2つのライン電極64aおよび64b
は、それぞれ、その厚みが第5の誘電体層52eの厚み
とほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極64
aの厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第5
の誘電体層52eの一方主面(上面)および他方主面
(下面)で、露出される。同様に、ライン電極64bの
厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第5の誘
電体層52eの一方主面(上面)および他方主面(下
面)で、露出される。The two line electrodes 64a and 64b are
It is formed from one end to the other end in the thickness direction of the fifth dielectric layer 52e. Two line electrodes 64a and 64b
Is formed to have a thickness substantially the same as the thickness of the fifth dielectric layer 52e. Therefore, the line electrode 64
The upper end and the lower end in the thickness direction of a are respectively the fifth
The dielectric layer 52e is exposed at one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of Similarly, the upper end portion and the lower end portion of the line electrode 64b in the thickness direction are exposed at the one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the fifth dielectric layer 52e, respectively.
【0075】第5誘電体層52eの下には、ライン電極
64aおよび64bの下面部分を覆うようにして、セラ
ミック層からなる第6の誘電体層52fが形成される。
また、第6の誘電体層52fには、4つのビアホール6
8a,68b,68cおよび68dが形成される。この
場合、ビアホール68aは、ライン電極64aの長手方
向の一端部と対応する位置に形成され、ビアホール68
bはビアホール58a,62aと対応する位置に形成さ
れる。さらに、ビアホール68cは、ライン電極64b
の長手方向の一端部と対応する位置に形成され、ビアホ
ール68dはビアホール58d,62dと対応する位置
に形成される。また、4つのビアホール68a,68
b,68cおよび68dの内部には、それぞれ、接続電
極75a1,75b1,75c1および75d1が形成
される。Below the fifth dielectric layer 52e, a sixth dielectric layer 52f made of a ceramic layer is formed so as to cover the lower surface portions of the line electrodes 64a and 64b.
In addition, four via holes 6 are formed in the sixth dielectric layer 52f.
8a, 68b, 68c and 68d are formed. In this case, the via hole 68a is formed at a position corresponding to one end of the line electrode 64a in the longitudinal direction.
b is formed at a position corresponding to the via holes 58a and 62a. Further, the via hole 68c is provided with the line electrode 64b.
The via hole 68d is formed at a position corresponding to one longitudinal end of the via hole 68d, and the via hole 68d is formed at a position corresponding to the via holes 58d and 62d. Also, four via holes 68a, 68
Connection electrodes 75a1, 75b1, 75c1 and 75d1 are formed inside b, 68c and 68d, respectively.
【0076】第6の誘電体層52fの下には、さらに他
の面状のコンデンサ電極72aが形成される。コンデン
サ電極72aは、後述のビアホール70bおよび70d
の周囲部分を除いて形成される。また、第6の誘電体層
52fの下には、コンデンサ電極72aを覆うようにし
て、セラミック層からなる第7の誘電体層52gが形成
される。Still another planar capacitor electrode 72a is formed under the sixth dielectric layer 52f. The capacitor electrode 72a has via holes 70b and 70d described later.
Is formed excluding the peripheral portion. Further, a seventh dielectric layer 52g made of a ceramic layer is formed below the sixth dielectric layer 52f so as to cover the capacitor electrode 72a.
【0077】第7の誘電体層52gには、4つのビアホ
ール70a,70b,70cおよび70dが形成され
る。この場合、2つのビアホール70aおよび70b
は、それぞれ、ビアホール68aおよび68bに対応す
る位置に形成され、他の2つのビアホール70cおよび
70dは、それぞれ、ビアホール68cおよび68dに
対応する位置に形成される。また、4つのビアホール7
0a,70b,70cおよび70dの内部には、それぞ
れ、接続電極75a2,75b2,75c2および75
d2が形成される。Four via holes 70a, 70b, 70c and 70d are formed in the seventh dielectric layer 52g. In this case, two via holes 70a and 70b
Are formed at positions corresponding to the via holes 68a and 68b, respectively, and the other two via holes 70c and 70d are formed at positions corresponding to the via holes 68c and 68d, respectively. Also, four via holes 7
0a, 70b, 70c and 70d have connection electrodes 75a2, 75b2, 75c2 and 75, respectively.
d2 is formed.
【0078】第7の誘電体層52gの下には、その長手
方向に間隔を隔てて、矩形面状の別の2つのコンデンサ
電極72bおよび72cが形成される。2つのコンデン
サ電極72bおよび72cは、第7の誘電体層52gを
挟んで、第7の誘電体層52g上のコンデンサ電極72
aと対向するようにして形成される。コンデンサ電極7
2bおよびコンデンサ電極72cは、それぞれ、後述の
ビアホール74aおよび74cの周囲部分を除いて形成
される。Under the seventh dielectric layer 52g, another two rectangular surface-shaped capacitor electrodes 72b and 72c are formed at intervals in the longitudinal direction. The two capacitor electrodes 72b and 72c sandwich the seventh dielectric layer 52g and the capacitor electrode 72 on the seventh dielectric layer 52g.
It is formed so as to face a. Capacitor electrode 7
2b and capacitor electrode 72c are formed except for the peripheral portions of via holes 74a and 74c, which will be described later, respectively.
【0079】また、第7の誘電体層52gの下には、2
つのコンデンサ電極72bおよび72cを覆うようにし
て、セラミック層からなる第8の誘電体層52hが形成
される。第8の誘電体層52hには、ビアホール70a
および70cに対応する位置に、それぞれ、ビアホール
74aおよび74cが形成される。ビアホール74aお
よび74cの内部には、それぞれ、接続電極75a3お
よび75c3が形成される。さらに、2つのコンデンサ
電極72bおよび72cは、それぞれ、引き出し電極7
6bおよび76cを有する。引き出し電極76bは、一
方のコンデンサ電極72bから第8の誘電体層52hの
長手方向の一端部にかけて形成される。引き出し電極7
6cは、他方のコンデンサ電極72cから第8の誘電体
層52hの長手方向の他端部にかけて形成される。Below the seventh dielectric layer 52g, 2
An eighth dielectric layer 52h made of a ceramic layer is formed so as to cover the two capacitor electrodes 72b and 72c. The via hole 70a is formed in the eighth dielectric layer 52h.
Via holes 74a and 74c are formed at positions corresponding to and 70c, respectively. Connection electrodes 75a3 and 75c3 are formed inside the via holes 74a and 74c, respectively. Further, the two capacitor electrodes 72b and 72c are respectively connected to the extraction electrode 7
6b and 76c. The lead electrode 76b is formed from one of the capacitor electrodes 72b to one end of the eighth dielectric layer 52h in the longitudinal direction. Extraction electrode 7
6c is formed from the other capacitor electrode 72c to the other longitudinal end portion of the eighth dielectric layer 52h.
【0080】第8の誘電体層52hの下には、矩形面状
のアース電極78が形成される。第8の誘電体層52h
の下には、アース電極78を覆うようにして、セラミッ
ク層からなる第9の誘電体層52iが形成される。ま
た、アース電極78は、その長手方向の中央部でその幅
方向の両側に、2つの引き出し電極78aおよび78b
を有する。引き出し電極78aは、アース電極78から
第9の誘電体層52iの幅方向の一端部にかけて形成さ
れる。引き出し電極78bは、アース電極78から第9
の誘電体層52iの幅方向の他端部にかけて形成され
る。Below the eighth dielectric layer 52h, a rectangular ground electrode 78 is formed. Eighth dielectric layer 52h
A ninth dielectric layer 52i made of a ceramic layer is formed under the so as to cover the ground electrode 78. The ground electrode 78 has two lead electrodes 78a and 78b on both sides in the width direction at the center in the longitudinal direction.
Have. The lead electrode 78a is formed from the ground electrode 78 to one end of the ninth dielectric layer 52i in the width direction. The extraction electrode 78b is connected to the ninth electrode from the ground electrode 78.
Is formed over the other end portion of the dielectric layer 52i in the width direction.
【0081】この場合、ライン電極64aの長手方向の
一端部は、接続電極75a1を介してコンデンサ電極7
2aに接続され、且つ、接続電極75a2および75a
3を介してアース電極78に接続される。ライン電極6
4aの長手方向の他端部は、接続電極75b1および7
5b2を介してコンデンサ電極72bに接続される。さ
らに、ライン電極64bの長手方向の一端部は、接続電
極75c1を介してコンデンサ電極72aに接続され、
且つ、接続電極75c2および75c3を介してアース
電極78に接続される。ライン電極64bの長手方向の
他端部は、接続電極75d1および75d2を介してコ
ンデンサ電極72cに接続される。In this case, one end of the line electrode 64a in the longitudinal direction is connected to the capacitor electrode 7 via the connection electrode 75a1.
2a and connection electrodes 75a2 and 75a
3 is connected to the ground electrode 78. Line electrode 6
The other end portion in the longitudinal direction of 4a has connection electrodes 75b1 and 7b.
It is connected to the capacitor electrode 72b via 5b2. Further, one end of the line electrode 64b in the longitudinal direction is connected to the capacitor electrode 72a via the connection electrode 75c1,
Moreover, it is connected to the ground electrode 78 via the connection electrodes 75c2 and 75c3. The other end of the line electrode 64b in the longitudinal direction is connected to the capacitor electrode 72c via the connection electrodes 75d1 and 75d2.
【0082】第9の誘電体層52iの下には、保護層と
して、セラミック層からなる第10の誘電体層52jが
形成される。Below the ninth dielectric layer 52i, a tenth dielectric layer 52j made of a ceramic layer is formed as a protective layer.
【0083】積層体52の側面には、4つの外部電極8
0a,80b,80cおよび80dが形成される。この
場合、積層体52の長手方向の一方の側面に1つの外部
電極80aが形成され、積層体52の長手方向の他方の
側面に1つの外部電極80bが形成される。また、積層
体52の幅方向の一方の側面に1つの外部電極80cが
形成され、積層体52の幅方向の他方の側面に1つの外
部電極80dが形成される。On the side surface of the laminated body 52, four external electrodes 8 are provided.
0a, 80b, 80c and 80d are formed. In this case, one external electrode 80a is formed on one side surface in the longitudinal direction of the laminated body 52, and one external electrode 80b is formed on the other side surface in the longitudinal direction of the laminated body 52. Further, one external electrode 80c is formed on one side surface of the stacked body 52 in the width direction, and one external electrode 80d is formed on the other side surface of the stacked body 52 in the width direction.
【0084】外部電極80aおよび80bは、それぞ
れ、コンデンサ電極72bの引き出し電極76aおよび
コンデンサ電極72cの引き出し電極76cに接続され
る。外部電極80aは入力端子として用いられ、外部電
極80bは出力端子として用いられる。また、外部電極
80cおよび80dは、それぞれ、アース電極78の引
き出し電極78aおよび78bに接続され、アース端子
として用いられる。External electrodes 80a and 80b are connected to lead electrode 76a of capacitor electrode 72b and lead electrode 76c of capacitor electrode 72c, respectively. The external electrode 80a is used as an input terminal, and the external electrode 80b is used as an output terminal. The external electrodes 80c and 80d are connected to the lead electrodes 78a and 78b of the ground electrode 78, respectively, and are used as ground terminals.
【0085】このフィルタ50では、ライン電極54
a,54b,64aおよび64bで、それぞれ、インダ
クタL1,L2,L3およびL4が形成される。また、
コンデンサ電極60aおよび60bの間と、コンデンサ
電極60aおよび60cの間とに、それぞれ、コンデン
サC1およびC2がそれぞれ形成される。さらに、コン
デンサ電極72aおよび72bの間と、コンデンサ電極
72aおよび72cの間とに、それぞれ、コンデンサC
3およびC4がそれぞれ形成される。In this filter 50, the line electrode 54
a, 54b, 64a and 64b form inductors L1, L2, L3 and L4, respectively. Also,
Capacitors C1 and C2 are formed between the capacitor electrodes 60a and 60b and between the capacitor electrodes 60a and 60c, respectively. Further, a capacitor C is provided between the capacitor electrodes 72a and 72b and between the capacitor electrodes 72a and 72c, respectively.
3 and C4 are formed respectively.
【0086】したがって、このフィルタ50は、図8に
示す等価回路を有する。Therefore, the filter 50 has an equivalent circuit shown in FIG.
【0087】次に、このフィルタ50の製造方法の一例
について、図9を参照しながら詳しく説明する。Next, an example of a method of manufacturing the filter 50 will be described in detail with reference to FIG.
【0088】まず、第1の誘電体層52aとなるセラミ
ックグリーンシート82aが準備される。このセラミッ
クグリーンシート82aには、図9(A)に示すよう
に、その幅方向の一端側で、その長手方向に間隔を隔て
て、細長い矩形の2つの孔56aおよび56bが形成さ
れる。2つの孔56aおよび56bは、それぞれ、セラ
ミックグリーンシート82aの長手方向に延びて形成さ
れる。2つの孔56aおよび56bは、セラミックグリ
ーンシート82aの一方主面から他方主面に貫通するよ
うに、たとえばパンチングなどで形成される。2つの孔
56aおよび56bの内部には、図9(D)に示すよう
に、導体ペーストが充填されることにより、導体層86
a,86bがそれぞれ形成されている。First, a ceramic green sheet 82a to be the first dielectric layer 52a is prepared. As shown in FIG. 9A, two long and narrow rectangular holes 56a and 56b are formed in the ceramic green sheet 82a at one end in the width direction and at intervals in the longitudinal direction. The two holes 56a and 56b are formed so as to extend in the longitudinal direction of the ceramic green sheet 82a. The two holes 56a and 56b are formed by, for example, punching so as to penetrate from one main surface of the ceramic green sheet 82a to the other main surface. The inside of the two holes 56a and 56b is filled with a conductor paste as shown in FIG.
a and 86b are formed respectively.
【0089】また、第5の誘電体層52eとなるセラミ
ックグリーンシート82eが準備される。このセラミッ
クグリーンシート82eには、図9(B)に示すよう
に、細長い矩形の2つの孔66aおよび66bが、長手
方向に間隔を隔てて平行に形成される。孔66aおよび
66bは、セラミックグリーンシート82eの幅方向に
延びて形成される。この場合、孔56aの長手方向の一
端部と孔66aの長手方向の一端部とが対向し、孔56
bの長手方向の一端部と孔66bの長手方向の一端部と
が対向するように、孔66aおよび66bが形成され
る。また、孔66aおよび66bは、セラミックグリー
ンシート82eの一方主面から他方主面に貫通するよう
に、たとえばパンチングなどで形成される。孔66aお
よび66bの内部には、図9(E)に示すように、導体
ペーストが充填されることにより、導体層88a,88
bがそれぞれ形成されている。Further, a ceramic green sheet 82e to be the fifth dielectric layer 52e is prepared. In this ceramic green sheet 82e, as shown in FIG. 9B, two elongated rectangular holes 66a and 66b are formed in parallel with each other at intervals in the longitudinal direction. The holes 66a and 66b are formed to extend in the width direction of the ceramic green sheet 82e. In this case, one end in the longitudinal direction of the hole 56a and one end in the longitudinal direction of the hole 66a face each other, and the hole 56a
The holes 66a and 66b are formed so that one end of the b in the longitudinal direction and one end of the hole 66b in the longitudinal direction face each other. The holes 66a and 66b are formed, for example, by punching so as to penetrate from one main surface of the ceramic green sheet 82e to the other main surface thereof. As shown in FIG. 9 (E), the inside of the holes 66a and 66b is filled with a conductor paste, whereby the conductor layers 88a, 88 are formed.
b are formed respectively.
【0090】さらに、第6の誘電体層52fとなるセラ
ミックグリーンシート82fが準備される。このセラミ
ックグリーンシート82fには、図9(C)に示すよう
に、4つのビアホール68a,68b,68cおよび6
8dが形成される。この場合、ビアホール68aは孔6
6aの長手方向の他端部と対応する位置に形成され、ビ
アホール68bは孔66aの長手方向の一端部と対応す
る位置に形成される。さらに、68cは孔66bの長手
方向の他端部と対応する位置に形成され、ビアホール6
8dは孔66bの長手方向の一端部と対応する位置に形
成される。ビアホール68a,68b,68cおよび6
8dの内部には、図9(D)に示すように、導体ペース
トなどが充填されることにより、接続電極75a1,7
5b1,75c1および75d1となる接続導体84a
1,84b1,84c1および84d1がそれぞれ形成
されている。Further, a ceramic green sheet 82f to be the sixth dielectric layer 52f is prepared. In this ceramic green sheet 82f, as shown in FIG. 9C, four via holes 68a, 68b, 68c and 6 are formed.
8d is formed. In this case, the via hole 68a is the hole 6
6a is formed at a position corresponding to the other end in the longitudinal direction of 6a, and the via hole 68b is formed at a position corresponding to one end in the longitudinal direction of the hole 66a. Further, 68c is formed at a position corresponding to the other end of the hole 66b in the longitudinal direction, and the via hole 6 is formed.
8d is formed at a position corresponding to one end of the hole 66b in the longitudinal direction. Via holes 68a, 68b, 68c and 6
As shown in FIG. 9D, the inside of 8d is filled with a conductor paste or the like, so that the connection electrodes 75a1, 7a
5b1, 75c1 and 75d1 connecting conductor 84a
1, 84b1, 84c1 and 84d1 are formed, respectively.
【0091】次に、セラミックグリーンシート82a,
82e,82fは、図9(D),図9(E),図9
(H)に示すように積層される。Next, the ceramic green sheets 82a,
82e and 82f are shown in FIG. 9 (D), FIG. 9 (E), and FIG.
They are stacked as shown in (H).
【0092】そして、導体層88aおよび88bの一端
部は、導体層86aおよび86bの他端部にそれぞれ接
続される。Then, one ends of the conductor layers 88a and 88b are connected to the other ends of the conductor layers 86a and 86b, respectively.
【0093】また、第2の誘電体層52bとなるセラミ
ックグリーンシート82bが準備される。このセラミッ
クグリーンシート82bには、図9(F)に示すよう
に、4つのビアホール58a,58b,58cおよび5
8dが形成される。ビアホール58a,58b,58c
および58dの内部には、導体ペーストが充填されるこ
とにより、接続電極63a1,63b1,63c1およ
び63d1となる接続導体90a1,90b1,90c
1および90d1がそれぞれ形成されている。さらに、
セラミックグリーンシート82bの一方主面(上面)に
は、図9(G)に示すように、ビアホール58aおよび
58dの周囲部分を除いて、導体ペーストなどが厚膜印
刷されることにより、コンデンサ電極60aとなる導体
層92aが形成されている。Further, a ceramic green sheet 82b to be the second dielectric layer 52b is prepared. In this ceramic green sheet 82b, as shown in FIG. 9 (F), four via holes 58a, 58b, 58c and 5 are formed.
8d is formed. Via holes 58a, 58b, 58c
And 58d are filled with a conductor paste to form connection electrodes 63a1, 63b1, 63c1 and 63d1, which are connection conductors 90a1, 90b1, 90c.
1 and 90d1 are formed respectively. further,
On one main surface (upper surface) of the ceramic green sheet 82b, as shown in FIG. 9G, except for the peripheral portions of the via holes 58a and 58d, a conductor paste or the like is printed in a thick film, so that the capacitor electrode 60a is formed. The conductor layer 92a is formed.
【0094】そして、このセラミックグリーンシート8
2bは、図9(H)に示すように、導体層92aが上に
なるようにして、セラミックグリーンシート82aの上
に積層される。Then, this ceramic green sheet 8
As shown in FIG. 9H, 2b is laminated on the ceramic green sheet 82a so that the conductor layer 92a faces upward.
【0095】また、第3の誘電体層52cとなるセラミ
ックグリーンシート82cが準備される。セラミックグ
リーンシート82cには、2つのビアホール62aおよ
び62dが形成される。ビアホール62aおよび62d
の内部には、図9(H)に示すように、導体ペーストが
充填されることにより、接続電極63a2および63d
2となる接続導体90a2および90d2がそれぞれ充
填されている。さらに、セラミックグリーンシート82
cの上には、その長手方向に間隔を隔てて、導体ペース
トなどが厚膜印刷されることにより、コンデンサ電極6
0bおよび60cとなる導体層94aおよび94bが形
成されている。Further, a ceramic green sheet 82c to be the third dielectric layer 52c is prepared. Two via holes 62a and 62d are formed in the ceramic green sheet 82c. Via holes 62a and 62d
As shown in FIG. 9H, the inside of each of the connection electrodes 63a2 and 63d is filled with the conductor paste.
The connection conductors 90a2 and 90d2 to be 2 are respectively filled. Furthermore, the ceramic green sheet 82
A thick film of a conductor paste or the like is printed on the c at a distance in the longitudinal direction, so that the capacitor electrode 6
Conductor layers 94a and 94b serving as 0b and 60c are formed.
【0096】そして、セラミックグリーンシート82c
は、図9(H)に示すように、導体層94a,94bが
上になるようにして、セラミックグリーンシート82b
の上に積層される。Then, the ceramic green sheet 82c
As shown in FIG. 9H, the ceramic green sheets 82b are arranged so that the conductor layers 94a and 94b face upward.
Stacked on top of.
【0097】この場合、導体層88aは、その他端部が
接続導体90b1を介して導体層92aに接続され、そ
の一端部が接続導体90a1および90a2を介して導
体層94aに接続される。また、導体層88bは、その
他端部が接続導体90c1を介して導体層92aに接続
され、その一端部が接続導体90d1および90d2を
介して導体層94bに接続される。In this case, the conductor layer 88a has the other end connected to the conductor layer 92a via the connection conductor 90b1 and one end connected to the conductor layer 94a via the connection conductors 90a1 and 90a2. The other end of the conductor layer 88b is connected to the conductor layer 92a via the connection conductor 90c1 and one end thereof is connected to the conductor layer 94b via the connection conductors 90d1 and 90d2.
【0098】また、第4の誘電体層52dとなるセラミ
ックグリーンシート82dが準備される。このセラミッ
クグリーンシート82dは、図9(H)に示すように、
導体層94aおよび94bを覆うようにして、セラミッ
クグリーンシート82cの上に積層される。Further, a ceramic green sheet 82d to be the fourth dielectric layer 52d is prepared. This ceramic green sheet 82d is, as shown in FIG.
It is laminated on the ceramic green sheet 82c so as to cover the conductor layers 94a and 94b.
【0099】さらに、第7の誘電体層52gとなるセラ
ミックグリーンシート82gが準備される。このセラミ
ックグリーンシート82gには、4つのビアホール70
a,70b,70cおよび70dが形成される。この場
合、4つのビアホール70a〜70dは、それぞれ、セ
ラミックグリーンシート82fに設けられたビアホール
68a〜68dに対応する位置に形成される。4つのビ
アホール70a,70b,70cおよび70dの内部に
は、導体ペーストなどが充填されることにより、図9
(H)に示すように、接続電極75a2,75b2,7
5c2および75d2となる接続導体84a2,84b
2,84c2および84d2がそれぞれ形成されてい
る。Further, a ceramic green sheet 82g to be the seventh dielectric layer 52g is prepared. This ceramic green sheet 82g has four via holes 70
a, 70b, 70c and 70d are formed. In this case, the four via holes 70a to 70d are formed at positions corresponding to the via holes 68a to 68d provided in the ceramic green sheet 82f, respectively. By filling the inside of the four via holes 70a, 70b, 70c and 70d with a conductor paste or the like, as shown in FIG.
As shown in (H), the connection electrodes 75a2, 75b2, 7
5c2 and 75d2 connecting conductors 84a2, 84b
2, 84c2 and 84d2 are formed, respectively.
【0100】また、セラミックグリーンシート82gの
一方主面(上面)には、ビアホール70bおよび70d
の周囲部分を除いて、導体ペーストが厚膜印刷されるこ
とにより、コンデンサ電極72aとなる導体層96aが
形成されている。Also, via holes 70b and 70d are formed on one main surface (upper surface) of the ceramic green sheet 82g.
The conductor layer 96a to be the capacitor electrode 72a is formed by thick-film printing the conductor paste except the peripheral portion.
【0101】そして、セラミックグリーンシート82g
は、図9(H)に示すように、導体層96aがセラミッ
クグリーンシート82fおよび82gで挟まれるように
して、セラミックグリーンシート82fの下に積層され
る。82 g of ceramic green sheet
As shown in FIG. 9 (H), is laminated under the ceramic green sheet 82f such that the conductor layer 96a is sandwiched between the ceramic green sheets 82f and 82g.
【0102】また、第8の誘電体層52hとなるセラミ
ックグリーンシート82hが準備される。このセラミッ
クグリーンシート82hには、2つのビアホール74a
および74cが形成される。ビアホール74aおよび7
4cは、それぞれ、ビアホール70aおよび70cに対
応する位置に形成される。ビアホール74aおよび74
cの内部には、導体ペーストなどが充填されることによ
り、接続電極75a3および75c3となる接続導体8
4a3および84c3がそれぞれ形成されている。さら
に、セラミックグリーンシート82hの上には、ビアホ
ール74aおよび74cの周囲部分を除いて、導体ペー
ストが厚膜印刷されることにより、コンデンサ電極72
bおよびコンデンサ電極72cとなる導体層98bおよ
び98cがそれぞれ形成されている。A ceramic green sheet 82h to be the eighth dielectric layer 52h is prepared. This ceramic green sheet 82h has two via holes 74a.
And 74c are formed. Via holes 74a and 7
4c are formed at positions corresponding to via holes 70a and 70c, respectively. Via holes 74a and 74
The connection conductor 8 that becomes the connection electrodes 75a3 and 75c3 by being filled with a conductor paste or the like inside c
4a3 and 84c3 are formed respectively. Further, a conductor paste is thick-film printed on the ceramic green sheet 82h except for the peripheral portions of the via holes 74a and 74c.
Conductor layers 98b and 98c that will become b and the capacitor electrode 72c are formed, respectively.
【0103】そして、このセラミックグリーンシート8
2hは、図9(H)に示すように、導体層98bおよび
98cがセラミックグリーンシート82gおよび82h
で挟まれるようにして、セラミンクグリーンシート82
gの下に積層される。Then, this ceramic green sheet 8
In 2h, as shown in FIG. 9H, the conductor layers 98b and 98c are ceramic green sheets 82g and 82h.
Ceramink green sheet 82 so that it is sandwiched between
g underneath.
【0104】また、第9の誘電体層52iとなるセラミ
ックグリーンシート82iが準備される。セラミックグ
リーンシート82iの上面には、導体ペーストが厚膜印
刷されることにより、アース電極78となる導体層10
0が形成されている。この場合、導体層100の長手方
向の中央からセラミックグリーンシート82iの幅方向
の一端および他端にわたって、導体ペーストが厚膜印刷
されることにより、引き出し電極78aおよび78bと
なる引き出し導体102aおよび102bが導体層10
0と共に形成されている。Further, a ceramic green sheet 82i to be the ninth dielectric layer 52i is prepared. The conductor layer 10 serving as the ground electrode 78 is formed on the upper surface of the ceramic green sheet 82i by thick film printing of the conductor paste.
0 is formed. In this case, the lead conductors 102a and 102b to be the lead electrodes 78a and 78b are formed by thick-printing the conductor paste from the center of the conductor layer 100 in the longitudinal direction to one end and the other end of the ceramic green sheet 82i in the width direction. Conductor layer 10
It is formed with 0.
【0105】さらに、このセラミックグリーンシート8
2iは、図9(H)に示すように、導体層100,引き
出し導体102aおよび102bがセラミックグリーン
シート82hおよび82iで挟まれるようにして、セラ
ミックグリーンシート82hの下に積層される。Further, this ceramic green sheet 8
As shown in FIG. 9H, 2i is laminated below the ceramic green sheet 82h such that the conductor layer 100 and the lead conductors 102a and 102b are sandwiched between the ceramic green sheets 82h and 82i.
【0106】この場合、導体層86aの他端部は、接続
導体84a1を介して導体層96aに接続されると共
に、接続導体84a2および84a3を介して導体層1
00に接続される。導体層86a一端部は、接続導体8
4b1および84b2を介して、導体層98bに接続さ
れる。また、導体層86bの他端部は、接続導体84c
1を介して導体層96aに接続されると共に、接続導体
84c2および84c3を介して導体層100に接続さ
れる。導体層86bの一端部は、接続導体84d1およ
び84d2を介して、導体層98cに接続される。In this case, the other end of the conductor layer 86a is connected to the conductor layer 96a via the connection conductor 84a1 and the conductor layer 1 via the connection conductors 84a2 and 84a3.
00 is connected. One end of the conductor layer 86a is connected to the connection conductor 8
It is connected to the conductor layer 98b via 4b1 and 84b2. The other end of the conductor layer 86b is connected to the connection conductor 84c.
1 is connected to the conductor layer 96a via 1 and is connected to the conductor layer 100 via connection conductors 84c2 and 84c3. One end of the conductor layer 86b is connected to the conductor layer 98c via the connection conductors 84d1 and 84d2.
【0107】また、第10の誘電体層52jとなるセラ
ミックグリーンシート82jが準備される。このセラミ
ックグリーンシート82jは、セラミックグリーンシー
ト82iの下に積層される。A ceramic green sheet 82j to be the tenth dielectric layer 52j is prepared. The ceramic green sheet 82j is laminated below the ceramic green sheet 82i.
【0108】そして、これらのセラミックグリーンシー
ト82a〜82jなどの積層体を圧着し焼成することに
よって、第1〜第10の誘電体層52a〜52j、ライ
ン電極54a,54b,64aおよび64b、コンデン
サ電極60a〜60cおよびコンデンサ電極72a〜7
2c、アース電極78、接続電極63a1,63a2,
63b,63c,63d1,63d2,接続電極75a
1,75a2,75a3,75b1,75b2,75c
1,75c2,75c3,75d1,75d2が形成さ
れる。Then, the laminated body of these ceramic green sheets 82a to 82j is pressure-bonded and fired, whereby the first to tenth dielectric layers 52a to 52j, the line electrodes 54a, 54b, 64a and 64b, the capacitor electrodes. 60a-60c and capacitor electrodes 72a-7
2c, ground electrode 78, connection electrodes 63a1, 63a2
63b, 63c, 63d1, 63d2, connection electrode 75a
1,75a2,75a3,75b1,75b2,75c
1, 75c2, 75c3, 75d1, 75d2 are formed.
【0109】それから、第1〜第10の誘電体層52a
〜52jの側面に、たとえば銀などの電極材料を焼き付
けることによって、外部電極80a〜80dが形成さ
れ、フィルタ50が製造される。Then, the first to tenth dielectric layers 52a are formed.
External electrodes 80a to 80d are formed on the side surfaces of .about.52j by baking an electrode material such as silver, and the filter 50 is manufactured.
【0110】このフィルタ50では、インダクタL1,
L2,L3およびL4となるライン電極54a,54
b,64aおよび64bが、それぞれ、セラミックグリ
ーンシートに設けられた孔に導体ペーストなどの導体材
が充填されることによって導体層が形成されているの
で、図21および図22に示すように、セラミックグリ
ーンシートの表面上に厚膜印刷などによりライン電極を
形成する従来例のフィルタ10と比べて、各ライン電極
の断面積が増え、各ライン電極において電流の流路が大
きくなり、各ライン電極の抵抗成分や導体損が小さくな
る。この実施例のフィルタ50では、インダクタL1,
L2,L3およびL4を構成するライン電極54a,5
4bおよびライン電極64a,64bの厚みが、それぞ
れ、セラミックグリーンシート82aおよび82eの厚
みとほぼ同じに形成される。In this filter 50, the inductors L1,
Line electrodes 54a, 54 serving as L2, L3, and L4
b, 64a and 64b each have a conductor layer formed by filling a hole provided in the ceramic green sheet with a conductor material such as a conductor paste. Therefore, as shown in FIGS. Compared with the filter 10 of the conventional example in which the line electrode is formed on the surface of the green sheet by thick film printing or the like, the cross-sectional area of each line electrode is increased, the flow path of the current is increased in each line electrode, and Resistance component and conductor loss are reduced. In the filter 50 of this embodiment, the inductors L1,
Line electrodes 54a, 5 forming L2, L3 and L4
4b and the line electrodes 64a and 64b are formed to have substantially the same thickness as the ceramic green sheets 82a and 82e, respectively.
【0111】そのため、この実施例のフィルタ50は、
図21および図22に示す従来例のフィルタ10と比べ
て、それぞれの共振器のQが大きくなり、挿入損失が小
さくなる。このフィルタ50では、Q値が70程度の急
峻なバンドパスフィルタが得られる。さらに、このフィ
ルタ50では、通過域の挿入損失が小さくなり、フィル
タ特性が良くなる。また、フィルタの段数を小さくして
も従来のフィルタと同程度のフィルタ特性が得られるの
で、小型化が可能となる。Therefore, the filter 50 of this embodiment is
Compared with the filter 10 of the conventional example shown in FIGS. 21 and 22, the Q of each resonator becomes large and the insertion loss becomes small. With this filter 50, a steep bandpass filter having a Q value of about 70 can be obtained. Further, in this filter 50, the insertion loss in the pass band is reduced and the filter characteristic is improved. Further, even if the number of stages of the filter is reduced, the same filter characteristic as that of the conventional filter can be obtained, so that the size can be reduced.
【0112】また、この実施例のフィルタ50では、ラ
イン電極54a,54bおよびライン電極64a,64
bの幅,長さ,厚みが、セラミックグリーンシート82
aおよび82eに設けられる孔56a,56bおよび孔
66a,66bの幅,長さ,セラミックグリーンシート
82aおよび82eの厚みにより決定される。したがっ
て、従来のフィルタ10と比べて、インダクタパターン
の形状や厚みのばらつきを小さくすることができ、所定
のインダクタンス値が得られる。この場合、インダクタ
ンス値のばらつきを±1%以下に抑えて小さくできる。
そのため、このフィルタ50では、製造工程において、
コンデンサC1,C2,C3およびC4をトリミングす
るなどして、フィルタ特性を調整する工程を削減するこ
とができる。Further, in the filter 50 of this embodiment, the line electrodes 54a and 54b and the line electrodes 64a and 64a.
The width, length, and thickness of b are the ceramic green sheets 82.
It is determined by the width and length of the holes 56a and 56b and the holes 66a and 66b provided in a and 82e, and the thickness of the ceramic green sheets 82a and 82e. Therefore, as compared with the conventional filter 10, variations in the shape and thickness of the inductor pattern can be reduced, and a predetermined inductance value can be obtained. In this case, the variation of the inductance value can be suppressed to ± 1% or less and reduced.
Therefore, in this filter 50, in the manufacturing process,
By trimming the capacitors C1, C2, C3, and C4, it is possible to reduce the step of adjusting the filter characteristics.
【0113】図10はこの発明のさらに他の実施例とし
てのフィルタの他の例を示す斜視図であり、図11はそ
の要部を示す分解斜視図であり、図12はその等価回路
図である。この実施例では、たとえばLC形のローパス
フィルタとして用いられるフィルタについて説明する。FIG. 10 is a perspective view showing another example of a filter as still another embodiment of the present invention, FIG. 11 is an exploded perspective view showing the main part thereof, and FIG. 12 is its equivalent circuit diagram. is there. In this embodiment, a filter used as an LC type low-pass filter will be described.
【0114】フィルタ110は、直方体状の積層体11
2を含む。積層体112は、セラミック層からなるたと
えば矩形状の第1の誘電体層112aを含む。第1の誘
電体層112aには、その長手方向の一方に、たとえば
L字状の1つのライン電極114が形成される。ライン
電極114は、その長辺部分が第1の誘電体層112a
の長手方向に延びて形成され、その短辺部分が第1の誘
電体層112aの幅方向に延びて形成される。また、ラ
イン電極114の一端部115は、第1の誘電体層11
2aの長手方向の一端面で露出する。The filter 110 is a rectangular parallelepiped laminated body 11
2 inclusive. The laminated body 112 includes, for example, a rectangular first dielectric layer 112a made of a ceramic layer. On the first dielectric layer 112a, for example, one L-shaped line electrode 114 is formed on one side in the longitudinal direction. The long side portion of the line electrode 114 is the first dielectric layer 112a.
Is formed to extend in the longitudinal direction of the first dielectric layer 112a, and the short side portion thereof is formed to extend in the width direction of the first dielectric layer 112a. In addition, one end portion 115 of the line electrode 114 has the first dielectric layer 11
It is exposed at one end face in the longitudinal direction of 2a.
【0115】ライン電極114は、第1の誘電体層11
2aの厚み方向の一端から他端にかけて形成される。ラ
イン電極114の厚みは、第1の誘電体層112aの厚
みとほぼ同じに形成される。つまり、ライン電極114
の厚み方向の上端部および下端部が、第1の誘電体層1
12aの一方主面(上面)および他方主面(下面)で、
露出される。The line electrode 114 is the first dielectric layer 11
It is formed from one end to the other end in the thickness direction of 2a. The thickness of the line electrode 114 is formed to be substantially the same as the thickness of the first dielectric layer 112a. That is, the line electrode 114
The upper and lower ends in the thickness direction of the first dielectric layer 1
12a on one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface),
Exposed.
【0116】この場合、第1の誘電体層112aには、
その長手方向の一方側に、L字状の孔116が形成され
る。孔116は、第1の誘電体層112aの一方主面か
ら他方主面に貫通するように、たとえばパンチングなど
で形成される。そして、この孔116の内部に導体ペー
ストなどの導電体が充填付与されることにより、ライン
電極114となる導体層が形成される。In this case, the first dielectric layer 112a contains
An L-shaped hole 116 is formed on one side in the longitudinal direction. The holes 116 are formed by, for example, punching so as to penetrate from the one main surface to the other main surface of the first dielectric layer 112a. Then, a conductor such as a conductor paste is filled in the inside of the hole 116 to form a conductor layer to be the line electrode 114.
【0117】第1の誘電体層112aの一方主面(上
面)には、ライン電極114の上面を覆うようにして、
セラミック層からなる第2の誘電体層112bが形成さ
れる。On one main surface (upper surface) of the first dielectric layer 112a, the upper surface of the line electrode 114 is covered,
A second dielectric layer 112b made of a ceramic layer is formed.
【0118】第2の誘電体層112bには、たとえば断
面矩形で細長い棒状の1つのライン電極118が形成さ
れる。ライン電極118は、第2の誘電体層112bの
中央で、その長手方向に延びて形成される。この場合、
ライン電極118は、その長手方向の一端部がライン電
極114の他端部に対向するように配置される。ライン
電極118は、第2の誘電体層112bの厚み方向の一
端から他端にかけて形成される。ライン電極118の厚
みは、第2の誘電体層112bの厚みとほぼ同じに形成
される。つまり、ライン電極118の厚み方向の上端部
および下端部が、第2の誘電体層112bの一方主面
(上面)および他方主面(下面)で、露出される。On the second dielectric layer 112b, one line electrode 118 having, for example, a rectangular cross section and an elongated rod shape is formed. The line electrode 118 is formed at the center of the second dielectric layer 112b and extends in the longitudinal direction thereof. in this case,
The line electrode 118 is arranged so that one end in the longitudinal direction faces the other end of the line electrode 114. The line electrode 118 is formed from one end to the other end of the second dielectric layer 112b in the thickness direction. The thickness of the line electrode 118 is formed to be substantially the same as the thickness of the second dielectric layer 112b. That is, the upper end portion and the lower end portion in the thickness direction of the line electrode 118 are exposed on the one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the second dielectric layer 112b.
【0119】また、第2の誘電体層112bの上には、
ライン電極118の上面を覆うようにして、セラミック
層からなる第3の誘電体層112cが形成される。Further, on the second dielectric layer 112b,
A third dielectric layer 112c made of a ceramic layer is formed so as to cover the upper surface of the line electrode 118.
【0120】第3の誘電体層112cには、その長手方
向の一方に、たとえばL字状の1つのライン電極122
が形成される。ライン電極122は、第1〜第3の誘電
体層112a〜112cの長手方向の中央で且つその幅
方向の一端から他端にわたる部分を対称軸としたとき、
ライン電極114と線対称に配置される。ライン電極1
22の一端部123は、第3の誘電体層112cの長手
方向の一端面で露出する。この場合、ライン電極114
の一端部115は、積層体112の長手方向の一方の側
面で露出し、ライン電極122の一端部123は、積層
体112の長手方向の他方の側面で露出する。また、ラ
イン電極122は、第2の誘電体層112cの厚み方向
の一端から他端にかけて形成される。ライン電極122
の厚みは、第2の誘電体層112cの厚みとほぼ同じに
形成される。つまり、ライン電極122の厚み方向の上
端部および下端部が、第2の誘電体層122cの一方主
面(上面)および他方主面(下面)で、露出される。The third dielectric layer 112c has, for example, one L-shaped line electrode 122 on one side in the longitudinal direction.
Is formed. When the line electrode 122 has a portion extending from one end to the other end in the width direction of the center of the first to third dielectric layers 112a to 112c in the longitudinal direction as an axis of symmetry,
It is arranged in line symmetry with the line electrode 114. Line electrode 1
One end portion 123 of 22 is exposed at one end face in the longitudinal direction of the third dielectric layer 112c. In this case, the line electrode 114
One end portion 115 of the line electrode 122 is exposed on one side surface in the longitudinal direction of the laminated body 112, and one end portion 123 of the line electrode 122 is exposed on the other side surface in the longitudinal direction of the laminated body 112. The line electrode 122 is formed from one end to the other end of the second dielectric layer 112c in the thickness direction. Line electrode 122
Is formed to have substantially the same thickness as that of the second dielectric layer 112c. That is, the upper end portion and the lower end portion of the line electrode 122 in the thickness direction are exposed on the one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the second dielectric layer 122c.
【0121】ライン電極118および122は、ライン
電極114と同様に、誘電体層112bおよび112c
に、それぞれ、ライン電極118および122と対応す
る孔117および123が、たとえばパンチングなどで
形成される。そして、孔117および123に導体ペー
ストなどが充填されることにより、ライン電極118お
よび122となる導体層がそれぞれ形成される。この場
合、誘電体層112a,112bおよび112cを積層
すると、ライン電極118の一端部にライン電極114
の他端部が面接触により接続され、ライン電極118の
他端部にライン電極122の他端部が面接触により接続
される。The line electrodes 118 and 122 are similar to the line electrode 114 in the dielectric layers 112b and 112c.
In addition, holes 117 and 123 corresponding to the line electrodes 118 and 122, respectively, are formed by, for example, punching or the like. Then, the holes 117 and 123 are filled with a conductor paste or the like to form conductor layers to be the line electrodes 118 and 122, respectively. In this case, when the dielectric layers 112a, 112b and 112c are laminated, the line electrode 114 is formed at one end of the line electrode 118.
The other end of the line electrode 122 is connected by surface contact, and the other end of the line electrode 118 is connected by surface contact with the other end of the line electrode 122.
【0122】第3の誘電体層112cの上には、ライン
電極122の上面を覆うように、保護層として、第4の
誘電体層112dが形成される。On the third dielectric layer 112c, a fourth dielectric layer 112d is formed as a protective layer so as to cover the upper surface of the line electrode 122.
【0123】一方、第1の誘電体層112aの他方主面
(下面)には、ライン電極114の下面を覆うようにし
て、第5の誘電体層112eが形成される。On the other hand, a fifth dielectric layer 112e is formed on the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 112a so as to cover the lower surface of the line electrode 114.
【0124】第5の誘電体層112eの下には、その長
手方向に間隔を隔てて、それぞれ、矩形面状のコンデン
サ電極124aおよび124bが形成される。コンデン
サ電極124aおよび124bは、それぞれ、引き出し
電極126aおよび126bを有する。また、第5の誘
電体層112eの下には、2つのコンデンサ電極124
aおよび124bを覆うようにして、セラミック層から
なる第6の誘電体層112fが形成される。この場合、
コンデンサ電極124aの引き出し電極126aおよび
コンデンサ電極124bの引き出し電極126bは、そ
れぞれ、コンデンサ電極124aおよび124bから第
6の誘電体層112fの長手方向の一端部および他端部
にそれぞれ延びて形成される。Under the fifth dielectric layer 112e, rectangular planar capacitor electrodes 124a and 124b are formed at intervals in the longitudinal direction thereof. Capacitor electrodes 124a and 124b have extraction electrodes 126a and 126b, respectively. Further, two capacitor electrodes 124 are provided below the fifth dielectric layer 112e.
A sixth dielectric layer 112f made of a ceramic layer is formed so as to cover a and 124b. in this case,
The extraction electrode 126a of the capacitor electrode 124a and the extraction electrode 126b of the capacitor electrode 124b are formed to extend from the capacitor electrodes 124a and 124b to one end and the other end of the sixth dielectric layer 112f in the longitudinal direction, respectively.
【0125】第6の誘電体層112fの下には、他の1
つの面状のコンデンサ電極128が形成される。また、
第6の誘電体層112fの下には、コンデンサ電極12
8を覆うようにして、セラミック層からなる第7の誘電
体層112gが形成される。この場合、コンデンサ電極
128は、第7の誘電体層112g上の中央で、その長
手方向に延びて形成される。コンデンサ電極128は、
第6の誘電体層112fを挟んで、第6の誘電体層11
2f上のコンデンサ電極124aおよび124bと対向
するようにして形成される。Below the sixth dielectric layer 112f, the other 1
Two planar capacitor electrodes 128 are formed. Also,
Below the sixth dielectric layer 112f, the capacitor electrode 12
A seventh dielectric layer 112g made of a ceramic layer is formed so as to cover 8th layer. In this case, the capacitor electrode 128 is formed so as to extend in the longitudinal direction at the center on the seventh dielectric layer 112g. The capacitor electrode 128 is
The sixth dielectric layer 11 is sandwiched by the sixth dielectric layer 112f.
It is formed so as to face the capacitor electrodes 124a and 124b on 2f.
【0126】第7の誘電体層112gの下には、その長
手方向に間隔を隔てて、さらに他の2つの矩形面状のコ
デンサ電極130aおよび130bが形成される。コン
デンサ電極130aおよび130bは、それぞれ、引き
出し電極132aおよび132bを有する。また、第7
の誘電体層112gの下には、コンデンサ電極130a
および130bを覆うようにして、セラミック層からな
る第8の誘電体層112hが形成される。この場合、2
つのコンデンサ電極130aおよび130bは、第7の
誘電体層112gを挟んで、第7の誘電体層112g上
のコンデンサ電極128と対向するようにして形成され
る。また、引き出し電極132aおよび132bは、そ
れぞれ、コンデンサ電極130aおよび130bから第
8の誘電体層112hの長手方向の一端部および他端部
にそれぞれ延びて形成される。Under the seventh dielectric layer 112g, two other rectangular planar-shaped condenser electrodes 130a and 130b are formed at intervals in the longitudinal direction. The capacitor electrodes 130a and 130b have extraction electrodes 132a and 132b, respectively. Also, the seventh
Below the dielectric layer 112g of the capacitor electrode 130a
Eighth dielectric layer 112h made of a ceramic layer is formed so as to cover and 130b. In this case, 2
The one capacitor electrodes 130a and 130b are formed so as to face the capacitor electrode 128 on the seventh dielectric layer 112g with the seventh dielectric layer 112g interposed therebetween. The lead electrodes 132a and 132b are formed to extend from the capacitor electrodes 130a and 130b, respectively, to one end and the other end in the longitudinal direction of the eighth dielectric layer 112h.
【0127】第8の誘電体層112hの下には、矩形面
状のアース電極134が形成される。第8の誘電体層1
12hの下には、アース電極134を覆うようにして、
セラミック層からなる第9の誘電体層112iが形成さ
れる。この場合、アース電極134は、第8の誘電体層
112hを挟んで、第8の誘電体層112h上の2つの
コンデンサ電極130aおよび130bと対向するよう
にして形成される。また、アース電極134は、その長
手方向の中央部でその幅方向の両側に、2つの引き出し
電極134aおよび134bを有する。引き出し電極1
34aは、アース電極134の幅方向の一端部から第9
の誘電体層112iの幅方向の一端部にかけて形成され
る。引き出し電極134bは、アース電極134の幅方
向の他端部から第9の誘電体層112iの幅方向の他端
部にかけて形成される。Below the eighth dielectric layer 112h, a rectangular ground electrode 134 is formed. Eighth dielectric layer 1
Under 12h, the ground electrode 134 is covered,
A ninth dielectric layer 112i made of a ceramic layer is formed. In this case, the ground electrode 134 is formed so as to face the two capacitor electrodes 130a and 130b on the eighth dielectric layer 112h with the eighth dielectric layer 112h interposed therebetween. Further, the ground electrode 134 has two lead electrodes 134a and 134b on the both sides in the width direction at the center in the longitudinal direction. Extraction electrode 1
Reference numeral 34a denotes a portion from one end of the ground electrode 134 in the width direction to the ninth electrode.
Is formed over one end portion of the dielectric layer 112i in the width direction. The lead electrode 134b is formed from the other widthwise end of the ground electrode 134 to the other widthwise other end of the ninth dielectric layer 112i.
【0128】第9の誘電体層112iの下には、保護層
として、セラミック層からなる第10の誘電体層112
jが形成される。Below the ninth dielectric layer 112i, a tenth dielectric layer 112 made of a ceramic layer is provided as a protective layer.
j is formed.
【0129】積層体112の側面には、4つの外部電極
136a,136b,136cおよび136dが形成さ
れる。この場合、積層体112の長手方向の一方の側面
に1つの外部電極136aが形成され、積層体112の
長手方向の他方の側面に1つの外部電極136bが形成
される。また、積層体112の幅方向の一方の側面に1
つの外部電極136cが形成され、積層体112の幅方
向の他方の側面に1つの外部電極136dが形成され
る。Four external electrodes 136a, 136b, 136c and 136d are formed on the side surface of the laminated body 112. In this case, one external electrode 136a is formed on one side surface in the longitudinal direction of the laminated body 112, and one external electrode 136b is formed on the other side surface in the longitudinal direction of the laminated body 112. In addition, 1 is provided on one side surface of the laminated body 112 in the width direction.
One external electrode 136c is formed, and one external electrode 136d is formed on the other side surface of the stacked body 112 in the width direction.
【0130】外部電極136aは、ライン電極122の
一端部と、コンデンサ電極124aの引き出し電極12
6aと、コンデンサ電極130aの引き出し電極132
aとに接続される。また、外部電極136bは、ライン
電極114の一端部と、コンデンサ電極124bの引き
出し電極126bと、コンデンサ電極130bの引き出
し電極132bとに接続される。この場合、外部電極1
36aは入力端子として用いられ、外部電極136bは
出力端子として用いられる。さらに、外部電極136c
および136dは、それぞれ、アース電極134の引き
出し電極134aおよび134bに接続され、アース端
子として用いられる。The external electrode 136a includes one end of the line electrode 122 and the extraction electrode 12 of the capacitor electrode 124a.
6a and the extraction electrode 132 of the capacitor electrode 130a
connected to a. The external electrode 136b is connected to one end of the line electrode 114, the lead electrode 126b of the capacitor electrode 124b, and the lead electrode 132b of the capacitor electrode 130b. In this case, the external electrode 1
36a is used as an input terminal, and the external electrode 136b is used as an output terminal. Furthermore, the external electrode 136c
And 136d are connected to the extraction electrodes 134a and 134b of the ground electrode 134, respectively, and are used as ground terminals.
【0131】このフィルタ110では、ライン電極11
4,118および122で、インダクタLが形成され
る。また、4つのコンデンサ電極124a,124b,
130aおよび130bと、1つのコンデンサ電極12
8との間に、コンデンサC1が形成される。さらに、2
つのコンデンサ電極130aおよび130bと1つのア
ース電極134との間に、2つのコンデンサC2および
C3が形成される。In this filter 110, the line electrode 11
An inductor L is formed at 4, 118 and 122. Also, four capacitor electrodes 124a, 124b,
130a and 130b and one capacitor electrode 12
A capacitor C1 is formed between the capacitor C1 and the capacitor C8. Furthermore, 2
Two capacitors C2 and C3 are formed between one capacitor electrode 130a and 130b and one ground electrode 134.
【0132】したがって、このフィルタ110は、図1
2に示す等価回路を有する。Therefore, this filter 110 is similar to that of FIG.
2 has an equivalent circuit.
【0133】このフィルタ110でも、図6〜図9に示
した実施例と同様に、図21および図22に示す従来例
のフィルタ10と比べて、ライン電極の抵抗成分や導体
損が小さくなる。そのため、このフィルタ10は、挿入
損失が小さく、Qの大きい急峻なローパスフィルタとし
て用いられる。Similar to the embodiment shown in FIGS. 6 to 9, this filter 110 also has a smaller resistance component and conductor loss of the line electrode than the conventional filter 10 shown in FIGS. 21 and 22. Therefore, the filter 10 has a small insertion loss and is used as a steep low-pass filter having a large Q.
【0134】図13はこの発明の別の実施例としてのフ
ィルタのさらに他の例を示す斜視図であり、図14はそ
の要部を示す分解斜視図であり、図15はその等価回路
図である。この実施例では、たとえばLC形のハイパス
フィルタとして用いられるフィルタについて説明する。FIG. 13 is a perspective view showing still another example of the filter as another embodiment of the present invention, FIG. 14 is an exploded perspective view showing the main part thereof, and FIG. 15 is its equivalent circuit diagram. is there. In this embodiment, a filter used as an LC type high-pass filter will be described.
【0135】フィルタ140は、直方体状の積層体14
2を含む。積層体142は、セラミック層からなるたと
えば矩形状の第1の誘電体層142aを含む。第1の誘
電体層142aには、その中央部に、たとえば断面矩形
で細長い棒状のライン電極144が形成される。ライン
電極144は、第1の誘電体層142aの幅方向の一端
から他端側に延びて形成される。この場合、ライン電極
144の長手方向の一端部は、第1の誘電体層142a
の幅方向の他端よりも内側に形成される。The filter 140 is a rectangular parallelepiped laminated body 14
2 inclusive. The laminated body 142 includes, for example, a rectangular first dielectric layer 142a formed of a ceramic layer. The first dielectric layer 142a is provided with, for example, an elongated rod-shaped line electrode 144 having a rectangular cross section at the center thereof. The line electrode 144 is formed to extend from one end in the width direction of the first dielectric layer 142a to the other end side. In this case, one end portion of the line electrode 144 in the longitudinal direction has the first dielectric layer 142a.
Is formed inside the other end in the width direction.
【0136】この場合、ライン電極144は、第1の誘
電体層142aの厚み方向の一端から他端にかけて形成
される。ライン電極144の厚みは、第1の誘電体層1
42aの厚みとほぼ同じに形成される。したがって、ラ
イン電極144の厚み方向の上端部および下端部が、第
1の誘電体層142aの一方主面(上面)および他方主
面(下面)で、露出される。また、ライン電極144
は、その長手方向の一端部が第1の誘電体層142aの
幅方向の一端面で露出する。In this case, the line electrode 144 is formed from one end to the other end of the first dielectric layer 142a in the thickness direction. The thickness of the line electrode 144 is equal to that of the first dielectric layer 1
It is formed to have almost the same thickness as 42a. Therefore, the upper end portion and the lower end portion of the line electrode 144 in the thickness direction are exposed on the one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 142a. In addition, the line electrode 144
Has its one end in the longitudinal direction exposed at one end face in the width direction of the first dielectric layer 142a.
【0137】第1の誘電体層142aの一方主面(上
面)には、ライン電極144の上面を覆うようにして、
セラミック層からなる第2の誘電体層142bが形成さ
れる。On one main surface (upper surface) of the first dielectric layer 142a, the upper surface of the line electrode 144 is covered,
A second dielectric layer 142b made of a ceramic layer is formed.
【0138】第2の誘電体層142bには、ライン電極
144の長手方向の他端部の上面に対応する位置に、1
つのビアホール148が形成される。このビアホール1
48の内部には、たとえば導体ペーストなどの導電体が
充填付与されることにより、接続電極となる接続導体1
50が形成されている。また、第2の誘電体層142b
の上には、その長手方向に間隔を隔てて、3つの矩形面
状のコンデンサ電極152,154および156が形成
されている。この場合、ライン電極144とコンデンサ
電極154とは、接続電極150を介して接続される。
さらに、コンデンサ電極152および156は、それぞ
れ、引き出し電極152aおよび156aを有する。引
き出し電極152aは、コンデンサ電極152から第2
の誘電体層142bの長手方向の一端部に延びて形成さ
れ、引き出し電極156aは、コンデンサ電極156か
ら第2の誘電体層142bの長手方向の他端部に延びて
形成される。On the second dielectric layer 142b, 1 is formed at a position corresponding to the upper surface of the other end of the line electrode 144 in the longitudinal direction.
One via hole 148 is formed. This beer hole 1
The inside of the connection conductor 48 is filled with a conductor such as a conductor paste to give a connection electrode, which serves as a connection conductor 1.
50 are formed. In addition, the second dielectric layer 142b
On the upper part of the capacitor, three rectangular surface-shaped capacitor electrodes 152, 154 and 156 are formed at intervals in the longitudinal direction. In this case, the line electrode 144 and the capacitor electrode 154 are connected via the connection electrode 150.
Further, capacitor electrodes 152 and 156 have extraction electrodes 152a and 156a, respectively. The extraction electrode 152a is connected to the second electrode from the capacitor electrode 152.
Is formed so as to extend to one longitudinal end of the dielectric layer 142b, and the extraction electrode 156a is formed to extend from the capacitor electrode 156 to the other longitudinal end of the second dielectric layer 142b.
【0139】第2の誘電体層142bの上には、3つの
コンデンサ電極152,154および156を覆うよう
にして、セラミック層からなる第3の誘電体層142c
が形成される。A third dielectric layer 142c made of a ceramic layer is formed on the second dielectric layer 142b so as to cover the three capacitor electrodes 152, 154 and 156.
Is formed.
【0140】第3の誘電体層142cの上には、他の1
つの面状のコンデンサ電極158が形成されている。こ
のコンデンサ電極158は、第3の誘電体層142cを
挟んで、第2の誘電体層142b上の3つのコンデンサ
電極152,154および156と対向するように形成
される。また、第3の誘電体層142cの上には、コン
デンサ電極158を覆うようにして、セラミック層から
なる第4の誘電体層142dが形成される。さらに、第
4の誘電体層142dの上には、必要によりセラミック
層からなる第5および第6の誘電体層142eおよび1
42fが、その順で積層形成される。なお、第4,第5
および第6の誘電体層142d,142eおよび142
fは、保護層として形成される。Another layer is formed on the third dielectric layer 142c.
Two planar capacitor electrodes 158 are formed. The capacitor electrode 158 is formed so as to face the three capacitor electrodes 152, 154 and 156 on the second dielectric layer 142b with the third dielectric layer 142c interposed therebetween. Further, a fourth dielectric layer 142d made of a ceramic layer is formed on the third dielectric layer 142c so as to cover the capacitor electrode 158. Further, on the fourth dielectric layer 142d, if necessary, fifth and sixth dielectric layers 142e and 142e, which are ceramic layers, are formed.
42f are laminated in that order. The fourth and fifth
And sixth dielectric layers 142d, 142e and 142
f is formed as a protective layer.
【0141】同様にして、第1の誘電体層142aの他
方主面(下面)には、ライン電極144の下面を覆うよ
うに、保護層として、セラミック層からなる第7の誘電
体層142g、さらに必要により第8および第9の誘電
体層142hおよび142iが、その順で積層形成され
る。Similarly, on the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 142a, a seventh dielectric layer 142g made of a ceramic layer is formed as a protective layer so as to cover the lower surface of the line electrode 144, Further, if necessary, the eighth and ninth dielectric layers 142h and 142i are laminated in that order.
【0142】積層体142の側面には、4つの外部電極
160a,160b,160cおよび160dが形成さ
れる。この場合、積層体142の長手方向の一方の側面
に1つの外部電極160aが形成され、積層体142の
長手方向の他方の側面に1つの外部電極160bが形成
される。また、積層体142の幅方向の一方の側面に1
つの外部電極160cが形成され、積層体142の幅方
向の他方の側面に1つの外部電極160dが形成され
る。Four external electrodes 160a, 160b, 160c and 160d are formed on the side surface of the laminated body 142. In this case, one external electrode 160a is formed on one side surface of the laminated body 142 in the longitudinal direction, and one external electrode 160b is formed on the other side surface of the laminated body 142 in the longitudinal direction. In addition, 1 is provided on one side surface of the laminated body 142 in the width direction.
One external electrode 160c is formed, and one external electrode 160d is formed on the other side surface of the stacked body 142 in the width direction.
【0143】外部電極160aおよび160bは、コン
デンサ電極152の引き出し電極152aおよびコンデ
ンサ電極156の引き出し電極156aにそれぞれ接続
される。この場合、外部電極160aは入力端子として
用いられ、外部電極160bは出力端子として用いられ
る。また、外部電極160cは、ライン電極144の一
端部に接続される。外部電極160cは、アース端子と
して用いられる。なお、外部電極160dは、ダミー電
極として用いられ、他の電極には接続されない。External electrodes 160a and 160b are connected to lead electrode 152a of capacitor electrode 152 and lead electrode 156a of capacitor electrode 156, respectively. In this case, the external electrode 160a is used as an input terminal and the external electrode 160b is used as an output terminal. The external electrode 160c is connected to one end of the line electrode 144. The external electrode 160c is used as a ground terminal. The external electrode 160d is used as a dummy electrode and is not connected to other electrodes.
【0144】このフィルタ140では、ライン電極14
4で、インダクタLが形成される。また、3つのコンデ
ンサ電極152,154,156と、1つのコンデンサ
電極158との間に、2つのコンデンサC1およびC2
が形成される。したがって、このフィルタ140は、図
15に示す等価回路を有する。In this filter 140, the line electrode 14
At 4, the inductor L is formed. Further, two capacitors C1 and C2 are provided between the three capacitor electrodes 152, 154, 156 and one capacitor electrode 158.
Is formed. Therefore, the filter 140 has the equivalent circuit shown in FIG.
【0145】このフィルタ110でも、図6〜図9に示
した実施例と同様に、図21および図22に示す従来例
のフィルタ10と比べて、ライン電極の抵抗成分や導体
損が小さくなる。そのため、このフィルタ10は、挿入
損失が小さく、Qの大きい急峻なハイパスフィルタとし
て用いられる。Similar to the embodiment shown in FIGS. 6 to 9, this filter 110 also has a smaller resistance component and conductor loss of the line electrode than the filter 10 of the conventional example shown in FIGS. 21 and 22. Therefore, this filter 10 is used as a steep high-pass filter with a small insertion loss and a large Q.
【0146】図16はこの発明のさらに別の実施例とし
てのフィルタの別の例を示す斜視図であり、図17はそ
の要部を示す分解斜視図であり、図18はその等価回路
図である。この実施例では、たとえばLC形のバンドパ
スフィルタとして用いられるフィルタについて説明す
る。FIG. 16 is a perspective view showing another example of the filter as still another embodiment of the present invention, FIG. 17 is an exploded perspective view showing the main part thereof, and FIG. 18 is its equivalent circuit diagram. is there. In this embodiment, a filter used as an LC type bandpass filter will be described.
【0147】このフィルタ170は、直方体状の積層体
172を含む。積層体172は、セラミック層からなる
たとえば矩形状の第1の誘電体層172aを含む。第1
の誘電体層172aには、その長手方向に間隔を隔て
て、たとえば断面矩形で棒状の2つのライン電極174
および176が形成される。2つのライン電極174お
よび176は、それぞれ、第1の誘電体層172aの幅
方向に延びて形成される。ライン電極174および17
6は、第1の誘電体層172aの幅方向および長手方向
の両端より内側に形成される。The filter 170 includes a rectangular parallelepiped laminated body 172. The laminated body 172 includes, for example, a rectangular first dielectric layer 172a made of a ceramic layer. First
In the dielectric layer 172a, two line electrodes 174 having a rectangular cross section and having a rod shape are arranged at intervals in the longitudinal direction.
And 176 are formed. The two line electrodes 174 and 176 are formed to extend in the width direction of the first dielectric layer 172a. Line electrodes 174 and 17
6 is formed inside both ends in the width direction and the longitudinal direction of the first dielectric layer 172a.
【0148】2つのライン電極174および176は、
第1の誘電体層172aの厚み方向の一端から他端にか
けて形成される。2つのライン電極174および176
は、それぞれ、その厚みが第1の誘電体層172aの厚
みとほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極1
74の厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第
1の誘電体層172aの一方主面(上面)および他方主
面(下面)で、露出される。同様に、ライン電極176
の厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第1の
誘電体層172aの一方主面(上面)および他方主面
(下面)で、露出される。The two line electrodes 174 and 176 are
It is formed from one end to the other end of the first dielectric layer 172a in the thickness direction. Two line electrodes 174 and 176
Are formed to have substantially the same thickness as that of the first dielectric layer 172a. Therefore, the line electrode 1
The upper end and the lower end of 74 in the thickness direction are exposed at one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 172a, respectively. Similarly, the line electrode 176
The upper end and the lower end in the thickness direction of are exposed at one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 172a, respectively.
【0149】2つのライン電極174および176は、
第1の誘電体層172aにライン電極174および17
6の形状に対応する孔174aおよび176aをそれぞ
れ設け、それらの孔174aおよび176aの内部に、
導体ペーストなどの導電体がそれぞれ充填付与されるこ
とにより形成される。The two line electrodes 174 and 176 are
Line electrodes 174 and 17 are formed on the first dielectric layer 172a.
6, holes 174a and 176a corresponding to the shape of 6 are provided, and inside the holes 174a and 176a,
It is formed by filling and applying a conductor such as a conductor paste.
【0150】第1の誘電体層172aの一方主面(上
面)には、ライン電極174および176の上面を覆う
ようにして、セラミック層からなる第2の誘電体層17
2bが形成される。On one main surface (upper surface) of the first dielectric layer 172a, the second dielectric layer 17 made of a ceramic layer is formed so as to cover the upper surfaces of the line electrodes 174 and 176.
2b is formed.
【0151】第2の誘電体層172bには、その長手方
向に間隔を隔てて、たとえば断面矩形で細長い棒状の2
つのライン電極178および180が形成される。2つ
のライン電極178および180は、それぞれ、第2の
誘電体層172bの長手方向の両側で、その幅方向に延
びて形成される。この場合、ライン電極178および1
80は、それぞれ、その長手方向の一端部がライン電極
174および176に対向するように配置される。ま
た、ライン電極178および180は、第2の誘電体層
172bの幅方向および長手方向の両端よりも内側に形
成される。The second dielectric layer 172b is formed in a long and thin rod shape with a rectangular cross section, for example, at intervals in the longitudinal direction.
Two line electrodes 178 and 180 are formed. The two line electrodes 178 and 180 are formed on both sides of the second dielectric layer 172b in the longitudinal direction and extend in the width direction thereof. In this case, line electrodes 178 and 1
80 is arranged such that one end portion in the longitudinal direction thereof faces the line electrodes 174 and 176, respectively. Further, the line electrodes 178 and 180 are formed inside both ends in the width direction and the length direction of the second dielectric layer 172b.
【0152】2つのライン電極178および180は、
第2の誘電体層172bの厚み方向の一端から他端にか
けて形成される。2つのライン電極178および180
は、それぞれ、その厚みが第2の誘電体層172bの厚
みとほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極1
78および180は、それらの厚み方向の上端部および
下端部が、それぞれ、第2の誘電体層172bの一方主
面(上面)および他方主面(下面)で露出される。な
お、2つのライン電極178および180は、第2の誘
電体層172bにライン電極178および180の形状
に対応する孔178aおよび180aをそれぞれ設け、
それらの孔178aおよび180aの内部に、導体ペー
ストなどの導電体がそれぞれ充填付与されることにより
形成される。The two line electrodes 178 and 180 are
The second dielectric layer 172b is formed from one end to the other end in the thickness direction. Two line electrodes 178 and 180
Are formed to have substantially the same thickness as the second dielectric layer 172b. Therefore, the line electrode 1
The upper and lower ends of 78 and 180 in the thickness direction are exposed at one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the second dielectric layer 172b, respectively. The two line electrodes 178 and 180 are provided with holes 178a and 180a corresponding to the shapes of the line electrodes 178 and 180, respectively, in the second dielectric layer 172b,
The holes 178a and 180a are formed by filling and applying a conductor such as a conductor paste.
【0153】第2の誘電体層172bの上面には、ライ
ン電極178および180の上面を覆うようにして、セ
ラミック層からなる第3の誘電体層172cが形成され
る。A third dielectric layer 172c made of a ceramic layer is formed on the upper surface of the second dielectric layer 172b so as to cover the upper surfaces of the line electrodes 178 and 180.
【0154】第3の誘電体層172cには、その長手方
向に間隔を隔てて、たとえば断面矩形で細長い棒状の2
つのライン電極182および184が形成される。2つ
のライン電極182および184は、それぞれ、第3の
誘電体層172cの長手方向に延びて形成される。ライ
ン電極182および184は、第3の誘電体層172c
の幅方向および長手方向の両端よりも内側に形成され
る。この場合、ライン電極182は、その長手方向の一
端部がライン電極178の長手方向の他端部に対向する
ように配置される。また、ライン電極184は、その長
手方向の一端部がライン電極180の長手方向の他端部
に対向するように配置される。The third dielectric layer 172c has a long and narrow rod-like shape with a rectangular cross section, for example, at intervals in the longitudinal direction.
Two line electrodes 182 and 184 are formed. The two line electrodes 182 and 184 are formed so as to extend in the longitudinal direction of the third dielectric layer 172c. The line electrodes 182 and 184 are connected to the third dielectric layer 172c.
Is formed inside both ends in the width direction and the longitudinal direction. In this case, the line electrode 182 is arranged such that one end of the line electrode 182 in the longitudinal direction faces the other end of the line electrode 178 in the longitudinal direction. Further, the line electrode 184 is arranged such that one longitudinal end thereof opposes the other longitudinal end of the line electrode 180.
【0155】2つのライン電極182および184は、
第3の誘電体層172cの厚み方向の一端から他端にか
けて形成される。2つのライン電極182および184
は、それぞれ、その厚みが第3の誘電体層172cの厚
みとほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極1
82および184は、それらの厚み方向の上端部および
下端部が、それぞれ、第3の誘電体層172cの一方主
面(上面)および他方主面(下面)で露出される。な
お、2つのライン電極182および184は、第3の誘
電体層172cにライン電極182および184の形状
に対応する孔182aおよび184aをそれぞれ設け、
それらの孔182aおよび184aの内部に、導体ペー
ストなどの導電体がそれぞれ充填付与されることにより
形成される。The two line electrodes 182 and 184 are
The third dielectric layer 172c is formed from one end to the other end in the thickness direction. Two line electrodes 182 and 184
Are formed to have substantially the same thickness as that of the third dielectric layer 172c. Therefore, the line electrode 1
The upper and lower ends of 82 and 184 in the thickness direction are exposed at one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface) of the third dielectric layer 172c, respectively. The two line electrodes 182 and 184 are provided with holes 182a and 184a corresponding to the shapes of the line electrodes 182 and 184, respectively, in the third dielectric layer 172c.
The holes 182a and 184a are filled with a conductor such as a conductor paste to be formed therein.
【0156】したがって、第1〜第3の誘電体層172
a〜172cを積層した場合、ライン電極178の一端
部にライン電極174が接続され、ライン電極178の
他端部にライン電極182が接続される。また、ライン
電極180の一端部にライン電極176が接続され、ラ
イン電極180の他端部にライン電極184が接続され
る。Therefore, the first to third dielectric layers 172 are
When a to 172c are stacked, the line electrode 174 is connected to one end of the line electrode 178 and the line electrode 182 is connected to the other end of the line electrode 178. The line electrode 176 is connected to one end of the line electrode 180, and the line electrode 184 is connected to the other end of the line electrode 180.
【0157】第3の誘電体層172cの上面には、ライ
ン電極182および184の上面を覆うようにして、セ
ラミック層からなる第4の誘電体層172dが形成され
る。A fourth dielectric layer 172d made of a ceramic layer is formed on the upper surface of the third dielectric layer 172c so as to cover the upper surfaces of the line electrodes 182 and 184.
【0158】第4の誘電体層172dには、その中央部
に間隔を隔てて、断面矩形で棒状の2つのライン電極1
86および188が形成される。一方のライン電極18
6は、第3の誘電体層上のライン電極182の長手方向
の他端部に対応する位置に形成され、他方のライン電極
188は、第3の誘電体層上のライン電極184の長手
方向の他端部に対応する位置に形成される。The fourth dielectric layer 172d has two bar-shaped line electrodes 1 each having a rectangular cross section and spaced from each other in the central portion thereof.
86 and 188 are formed. One line electrode 18
6 is formed at a position corresponding to the other end in the longitudinal direction of the line electrode 182 on the third dielectric layer, and the other line electrode 188 is the longitudinal direction of the line electrode 184 on the third dielectric layer. Is formed at a position corresponding to the other end of the.
【0159】2つのライン電極186および188は、
第4の誘電体層172dにライン電極186および18
8の形状に対応する孔(図示せず)をそれぞれ設け、そ
れらの孔の内部に、導体ペーストなどの導電体がそれぞ
れ充填付与されることにより形成される。したがって、
ライン電極186および188は、それらの厚み方向の
上端部および下端部が、それぞれ、第4の誘電体層17
2dの上面および下面で露出される。The two line electrodes 186 and 188 are
Line electrodes 186 and 18 are formed on the fourth dielectric layer 172d.
Holes (not shown) corresponding to the shape of 8 are provided respectively, and the inside of these holes is filled with a conductor such as a conductor paste to be formed. Therefore,
The line electrodes 186 and 188 have the upper end and the lower end thereof in the thickness direction, respectively, at the fourth dielectric layer 17
It is exposed on the upper and lower surfaces of 2d.
【0160】さらに、第4の誘電体層172dの上に
は、ライン電極186および188部分を除いて、略矩
形面状のコンデンサ電極190が形成されている。この
コンデンサ電極190は、引き出し電極194および1
96を有する。引き出し電極194および196は、そ
れぞれ、コンデンサ電極190の長手方向の中央部で、
その幅方向の一端部および他端部から第4の誘電体層1
72dの幅方向の一端部および他端部に延びて形成され
る。Further, on the fourth dielectric layer 172d, a substantially rectangular planar capacitor electrode 190 is formed except for the line electrodes 186 and 188. The capacitor electrode 190 is connected to the extraction electrodes 194 and 1
Has 96. The extraction electrodes 194 and 196 are, respectively, at the central portion in the longitudinal direction of the capacitor electrode 190,
From one end and the other end in the width direction to the fourth dielectric layer 1
It is formed to extend to one end and the other end of 72d in the width direction.
【0161】第4の誘電体層172dの上面には、コン
デンサ電極190,ライン電極186および188の上
面を覆うようにして、セラミック層からなる第5の誘電
体層172eが形成される。A fifth dielectric layer 172e made of a ceramic layer is formed on the upper surface of the fourth dielectric layer 172d so as to cover the upper surfaces of the capacitor electrode 190 and the line electrodes 186 and 188.
【0162】第5の誘電体層172eには、ライン電極
186および188に対応する部分に、ライン電極18
6および188とほぼ同形同大のライン電極198およ
び200がそれぞれ形成される。つまり、ライン電極1
98および200は、それらの厚み方向の上端部および
下端部が、それぞれ、第5の誘電体層172e上面およ
び下面で露出される。In the fifth dielectric layer 172e, the line electrodes 18 are formed in the portions corresponding to the line electrodes 186 and 188.
Line electrodes 198 and 200 having substantially the same shape and size as those of 6 and 188 are formed, respectively. That is, the line electrode 1
In 98 and 200, the upper end and the lower end in the thickness direction are exposed at the upper surface and the lower surface of the fifth dielectric layer 172e, respectively.
【0163】また、第5の誘電体層172eの上には、
長手方向に間隔を隔てて、矩形面状の2つのコンデンサ
電極202および204が形成されている。コンデンサ
電極202および204は、第5の誘電体層172eを
挟んで、第4の誘電体層172d上のコンデンサ電極1
90の長手方向の一方の平面部192aおよび他方の平
面部192bに対向するように、それぞれ形成される。
さらに、ライン電極198および200は、それぞれ、
接続電極205および207でコンデンサ電極202お
よび204にそれぞれ接続される。コンデンサ電極20
2および204は、それぞれ、引き出し電極206およ
び208を有する。引き出し電極206は、コンデンサ
電極202から第5の誘電体層172eの幅方向の一端
部にわたって形成される。また、引き出し電極208
は、コンデンサ電極204から第5の誘電体層172e
の幅方向の他端部にわたって形成される。Further, on the fifth dielectric layer 172e,
Two capacitor electrodes 202 and 204 each having a rectangular surface shape are formed at intervals in the longitudinal direction. The capacitor electrodes 202 and 204 are arranged on the fourth dielectric layer 172d with the fifth dielectric layer 172e interposed therebetween.
90 is formed so as to face one flat surface portion 192a and the other flat surface portion 192b in the longitudinal direction.
Further, the line electrodes 198 and 200 are respectively
Connection electrodes 205 and 207 are connected to capacitor electrodes 202 and 204, respectively. Capacitor electrode 20
2 and 204 have extraction electrodes 206 and 208, respectively. The extraction electrode 206 is formed from the capacitor electrode 202 to one end of the fifth dielectric layer 172e in the width direction. In addition, the extraction electrode 208
Is from the capacitor electrode 204 to the fifth dielectric layer 172e.
Is formed over the other end in the width direction.
【0164】第5の誘電体層172eの上面には、ライ
ン電極198,200,コンデンサ電極202および2
04の上面を覆うようにして、セラミック層からなる第
6の誘電体層172fが形成される。On the upper surface of the fifth dielectric layer 172e, line electrodes 198 and 200, capacitor electrodes 202 and 2 are formed.
A sixth dielectric layer 172f made of a ceramic layer is formed so as to cover the upper surface of 04.
【0165】第6の誘電体層172fの上面には、その
長手方向に間隔を隔てて、矩形面状の3つのコンデンサ
電極210,212および214が形成される。コンデ
ンサ電極210および214は、それぞれ、引き出し電
極216および218を有する。この場合、引き出し電
極216は、コンデンサ電極210から第6の誘電体層
172fの幅方向の一端部にわたって形成される。ま
た、引き出し電極218は、コンデンサ電極214から
第6の誘電体層172fの幅方向の他端部にわたって形
成される。On the upper surface of the sixth dielectric layer 172f, three rectangular planar capacitor electrodes 210, 212 and 214 are formed at intervals in the longitudinal direction. Capacitor electrodes 210 and 214 have extraction electrodes 216 and 218, respectively. In this case, the extraction electrode 216 is formed from the capacitor electrode 210 to one end of the sixth dielectric layer 172f in the width direction. The lead electrode 218 is formed from the capacitor electrode 214 to the other widthwise end of the sixth dielectric layer 172f.
【0166】第6の誘電体層172fの上面には、3つ
のコンデンサ電極210,212および214を覆うよ
うにして、セラミック層からなる第7の誘電体層172
gが形成される。On the upper surface of the sixth dielectric layer 172f, a seventh dielectric layer 172 made of a ceramic layer is formed so as to cover the three capacitor electrodes 210, 212 and 214.
g is formed.
【0167】第7の誘電体層172gの上面には、その
長手方向に間隔を隔てて、矩形面状の2つのコンデンサ
電極220および222が形成される。コンデンサ電極
220および222は、それぞれ、引き出し電極224
および226を有する。この場合、引き出し電極224
は、コンデンサ電極220から第7の誘電体層172g
の幅方向の一端部にわたって形成される。また、引き出
し電極226は、コンデンサ電極222から第7の誘電
体層172gの幅方向の他端部にわたって形成される。On the upper surface of the seventh dielectric layer 172g, two rectangular planar capacitor electrodes 220 and 222 are formed at intervals in the longitudinal direction. The capacitor electrodes 220 and 222 are respectively the extraction electrodes 224.
And 226. In this case, the extraction electrode 224
Is from the capacitor electrode 220 to the seventh dielectric layer 172g.
Is formed over one end in the width direction. The lead electrode 226 is formed from the capacitor electrode 222 to the other widthwise end of the seventh dielectric layer 172g.
【0168】第7の誘電体層172gの上面には、2つ
のコンデンサ電極220および222を覆うようにし
て、セラミック層からなる第8の誘電体層172hが形
成される。On the upper surface of the seventh dielectric layer 172g, an eighth dielectric layer 172h made of a ceramic layer is formed so as to cover the two capacitor electrodes 220 and 222.
【0169】第8の誘電体層172hの上面には、矩形
面状のアース電極228が形成される。アース電極22
8は、第8の誘電体層172hを挟んで、第7の誘電体
層172g上の2つのコンデンサ電極220および22
2と対向するように形成される。また、アース電極22
8は、引き出し電極230および232を有する。この
場合、引き出し電極230は、アース電極228から第
7の誘電体層172gの幅方向の一端部にわたって形成
される。また、引き出し電極232は、アース電極22
8から第7の誘電体層172gの幅方向の他端部にわた
って形成される。なお図示はしないが、第8の誘電体層
172hの上に、さらに保護層を形成してもよいことは
いうまでもない。On the upper surface of the eighth dielectric layer 172h, a rectangular ground electrode 228 is formed. Ground electrode 22
No. 8 has two capacitor electrodes 220 and 22 on the seventh dielectric layer 172g with the eighth dielectric layer 172h interposed therebetween.
It is formed so as to face 2. In addition, the ground electrode 22
8 has extraction electrodes 230 and 232. In this case, the extraction electrode 230 is formed from the ground electrode 228 to one end of the seventh dielectric layer 172g in the width direction. In addition, the extraction electrode 232 is the ground electrode 22.
It is formed over the other end in the width direction of the eighth to seventh dielectric layers 172g. Although not shown, it goes without saying that a protective layer may be further formed on the eighth dielectric layer 172h.
【0170】一方、第1の誘電体層172aの他方主面
(下面)には、矩形面状のアース電極234が形成され
る。さらに、第1の誘電体層172aの下面には、2つ
のライン電極220および222の下面部分を覆うよう
にして、セラミック層からなる第9の誘電体層172i
が形成される。On the other hand, a rectangular ground electrode 234 is formed on the other main surface (lower surface) of the first dielectric layer 172a. Further, the ninth dielectric layer 172i made of a ceramic layer is formed on the lower surface of the first dielectric layer 172a so as to cover the lower surface portions of the two line electrodes 220 and 222.
Is formed.
【0171】アース電極234は、引き出し電極236
および238を有する。この場合、引き出し電極236
は、アース電極234から第9の誘電体層172iの幅
方向の一端部にわたって形成される。また、引き出し電
極238は、アース電極234から第9の誘電体層17
2iの幅方向の他端部にわたって形成される。The ground electrode 234 is the extraction electrode 236.
And 238. In this case, the extraction electrode 236
Are formed from the ground electrode 234 to one end in the width direction of the ninth dielectric layer 172i. In addition, the extraction electrode 238 is connected from the ground electrode 234 to the ninth dielectric layer 17
It is formed over the other end in the width direction of 2i.
【0172】積層体172の側面には、6つの外部電極
240a,240b,240c,240d,240eお
よび240fが形成される。この場合、積層体172の
幅方向の一方の側面に3つの外部電極240a〜240
cが形成され、積層体172の幅方向の他方の側面に他
の3つの外部電極240d〜240fが形成される。Six external electrodes 240a, 240b, 240c, 240d, 240e and 240f are formed on the side surface of the laminated body 172. In this case, the three external electrodes 240a to 240 are provided on one side surface of the stacked body 172 in the width direction.
c is formed, and the other three external electrodes 240d to 240f are formed on the other side surface of the stacked body 172 in the width direction.
【0173】外部電極240aは、コンデンサ電極20
2の引き出し電極206およびコンデンサ電極220の
引き出し電極224に接続される。また、外部電極24
0bは、コンデンサ電極190の引き出し電極194
と、アース電極228の引き出し電極230と、アース
電極234の引き出し電極236とに接続される。さら
に、外部電極240cは、コンデンサ電極214の引き
出し電極218に接続される。外部電極240dは、コ
ンデンサ電極210の引き出し電極216に接続され
る。また、外部電極240eは、コンデンサ電極190
の引き出し電極196と、アース電極228の引き出し
電極232と、アース電極234の引き出し電極238
とに接続される。さらに、外部電極240fは、コンデ
ンサ電極204の引き出し電極208およびコンデンサ
電極222の引き出し電極226に接続される。The external electrode 240a is the capacitor electrode 20.
The second lead electrode 206 and the lead electrode 224 of the capacitor electrode 220 are connected. In addition, the external electrode 24
0b is the extraction electrode 194 of the capacitor electrode 190.
And the lead electrode 230 of the ground electrode 228 and the lead electrode 236 of the ground electrode 234. Further, the external electrode 240c is connected to the extraction electrode 218 of the capacitor electrode 214. The external electrode 240d is connected to the extraction electrode 216 of the capacitor electrode 210. The external electrode 240e is the capacitor electrode 190.
Extraction electrode 196, a ground electrode 228 extraction electrode 232, and a ground electrode 234 extraction electrode 238.
Connected to. Further, the external electrode 240f is connected to the extraction electrode 208 of the capacitor electrode 204 and the extraction electrode 226 of the capacitor electrode 222.
【0174】この場合、外部電極240dは入力端子と
して用いられ、外部電極240cは出力端子として用い
られる。また、外部電極240aは、コンデンサ電極2
02と220とを接続する接続電極として用いられ、外
部電極240fは、コンデンサ電極204と222とを
接続する接続電極として用いられる。さらに、外部電極
240bおよび240eは、それぞれ、アース端子とし
て用いられる。In this case, the external electrode 240d is used as an input terminal and the external electrode 240c is used as an output terminal. The external electrode 240a is the capacitor electrode 2
02 and 220 are used as connecting electrodes, and external electrode 240f is used as a connecting electrode connecting capacitor electrodes 204 and 222. Furthermore, the external electrodes 240b and 240e are used as ground terminals, respectively.
【0175】このフィルタ170では、ライン電極17
4,178,182,186および198で、インダク
タL1が形成され、ライン電極176,180,18
4,188および200で、インダクタL2が形成され
る。さらに、コンデンサ電極190,202,204,
210,212,214,220,222およびアース
電極228,234で、5つのコンデンサC1,C2,
C3,C4およびC5が形成される。したがって、この
フィルタ170は、図18に示す等価回路を有する。In this filter 170, the line electrode 17
4, 178, 182, 186 and 198 form the inductor L1 and the line electrodes 176, 180, 18
4, 188 and 200 form inductor L2. Further, the capacitor electrodes 190, 202, 204,
210, 212, 214, 220, 222 and the ground electrodes 228, 234, the five capacitors C1, C2.
C3, C4 and C5 are formed. Therefore, this filter 170 has an equivalent circuit shown in FIG.
【0176】このフィルタ110でも、図6〜図9に示
した実施例と同様に、図21および図22に示す従来例
のフィルタ10と比べて、ライン電極の抵抗成分や導体
損が小さくなる。そのため、このフィルタ10は、挿入
損失が小さく、Qの大きい急峻なバンドパスフィルタと
して用いられる。Similar to the embodiment shown in FIGS. 6 to 9, this filter 110 also has a smaller resistance component and conductor loss of the line electrode than the conventional filter 10 shown in FIGS. 21 and 22. Therefore, the filter 10 has a small insertion loss and is used as a steep bandpass filter having a large Q.
【0177】上述の各実施例で開示しているように、こ
の発明にかかる共振器およびフィルタでは、インダクタ
Lのパターンをたとえば図2,図7,図11および図1
7などに示す実施例のように多層にわたって形成する場
合だけでなく、それをたとえば図14に示すように1つ
の層で形成するようにしてもよい。As disclosed in each of the above-described embodiments, in the resonator and filter according to the present invention, the pattern of the inductor L is set to, for example, FIG. 2, FIG. 7, FIG. 11 or FIG.
In addition to the case of forming a multi-layer as in the embodiment shown in FIG. 7 and the like, it may be formed of one layer as shown in FIG. 14, for example.
【0178】また、この発明にかかる共振器およびフィ
ルタでは、各ライン電極を形成するために、各セラミッ
クグリーンシートに設けられる各孔の形状および大きさ
を同一にすることによって、各インダクタンス値を同一
にすることが可能となる。したがって、この発明にかか
る共振器およびフィルタでは、設計値からの微妙な各イ
ンダクタンス値のずれを容易に補正することができ、共
振器およびフィルタの精度を向上させることができる。
また、上述の各実施例では、積層体の形成をセラミック
グリーンシートの積み重ねで行ったもので示したが、こ
れに限らず、たとえば、セラミックスラリーや導電ペー
ストの印刷、乾燥を繰り返し行って形成してもよい。Further, in the resonator and the filter according to the present invention, in order to form each line electrode, by making the shape and size of each hole provided in each ceramic green sheet the same, each inductance value becomes the same. It becomes possible to Therefore, in the resonator and the filter according to the present invention, a slight deviation of each inductance value from the design value can be easily corrected, and the accuracy of the resonator and the filter can be improved.
Further, in each of the above-described examples, the formation of the laminated body is shown by stacking the ceramic green sheets, but the present invention is not limited to this. For example, the ceramic slurry or the conductive paste is repeatedly printed and dried to form the laminated body. May be.
【0179】さらに、上述の各実施例では、各ライン電
極をセラミックグリーンシートからなる誘電体層に形成
したが、各ライン電極は、磁性体層に形成するようにし
てもよい。この場合、磁性材料からなるセラミックグリ
ーンシートに、インダクタとなるライン電極に対応する
孔を設け、その孔に導体ペーストなどの導電体が充填付
与されることにより、各ライン電極が形成される。Further, in each of the above-mentioned embodiments, each line electrode is formed on the dielectric layer made of the ceramic green sheet, but each line electrode may be formed on the magnetic layer. In this case, the ceramic green sheet made of a magnetic material is provided with holes corresponding to the line electrodes to be the inductors, and the holes are filled with a conductor such as a conductor paste to form each line electrode.
【0180】また、上述の各実施例では、セラミック層
としての誘電体層が1枚のセラミックグリーンシートで
形成されているが、この発明では、セラミック層を形成
するセラミックグリーンシートの枚数や厚みは任意に変
更されてもよい。Further, in each of the above-mentioned embodiments, the dielectric layer as the ceramic layer is formed of one ceramic green sheet, but in the present invention, the number and thickness of the ceramic green sheets forming the ceramic layer are It may be changed arbitrarily.
【0181】なお、上述の各実施例では、各コンデンサ
電極およびアース電極を形成するためにセラミックグリ
ーンシートに導体ペーストが厚膜印刷などされている
が、これ以外の公知の手段で各電極が形成されてもよ
い。In each of the above-mentioned embodiments, the conductor paste is thick-film printed on the ceramic green sheet in order to form each capacitor electrode and ground electrode, but each electrode is formed by other known means. May be done.
【図1】この発明の一実施例としての共振器の一例を示
す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a resonator as an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す共振器の要部を示す分解斜視図であ
る。FIG. 2 is an exploded perspective view showing a main part of the resonator shown in FIG.
【図3】図1に示す共振器の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the resonator shown in FIG.
【図4】図1に示す共振器を製造する工程の一例を示す
図解図である。FIG. 4 is an illustrative view showing one example of a process for manufacturing the resonator shown in FIG.
【図5】図1に示す共振器および図19に示す共振器の
周波数特性を示すグラフである。5 is a graph showing frequency characteristics of the resonator shown in FIG. 1 and the resonator shown in FIG.
【図6】この発明の他の実施例としてのフィルタの一例
を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing an example of a filter as another embodiment of the present invention.
【図7】図6に示すフィルタの要部を示す分解斜視図で
ある。FIG. 7 is an exploded perspective view showing a main part of the filter shown in FIG.
【図8】図6に示すフィルタの等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG.
【図9】図6に示すフィルタを製造する工程の一例を示
す図解図である。9 is an illustrative view showing one example of a process for manufacturing the filter shown in FIG.
【図10】この発明のさらに他の実施例としてのフィル
タの他の例を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing another example of a filter as still another embodiment of the present invention.
【図11】図10に示すフィルタの要部を示す分解斜視
図である。11 is an exploded perspective view showing a main part of the filter shown in FIG.
【図12】図10に示すフィルタの等価回路図である。12 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG.
【図13】この発明の別の実施例としてのフィルタのさ
らに他の例を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing still another example of a filter as another embodiment of the present invention.
【図14】図13に示すフィルタの要部を示す分解斜視
図である。FIG. 14 is an exploded perspective view showing a main part of the filter shown in FIG.
【図15】図13に示すフィルタの等価回路図である。FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG.
【図16】この発明のさらに別の実施例としてのフィル
タの別の例を示す斜視図である。FIG. 16 is a perspective view showing another example of a filter as still another embodiment of the present invention.
【図17】図16に示すフィルタの要部を示す分解斜視
図である。FIG. 17 is an exploded perspective view showing a main part of the filter shown in FIG.
【図18】図16に示すフィルタの等価回路図である。18 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG.
【図19】この発明の背景となる従来の共振器の一例を
示す分解正面図である。FIG. 19 is an exploded front view showing an example of a conventional resonator which is a background of the present invention.
【図20】図19に示す共振器の要部を示す断面図解図
である。20 is a cross-sectional schematic view showing a main part of the resonator shown in FIG.
【図21】この発明の背景となる従来のフィルタの一例
を示す斜視図である。FIG. 21 is a perspective view showing an example of a conventional filter which is the background of the present invention.
【図22】図21に示すフィルタの分解斜視図である。22 is an exploded perspective view of the filter shown in FIG. 21. FIG.
【図23】図21に示すフィルタの等価回路図である。23 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG.
20 共振器 22 積層体 22a 第1の誘電体層 22b 第2の誘電体層 22c 第3の誘電体層 22d 第4の誘電体層 22e 第5の誘電体層 22f 第6の誘電体層 38a,38b,38c,38d,38e 孔 24a,24b,24c,24d,24e ライン電極 28a,28b コンデンサ電極 26a,26b,30a ビアホール 32a1,32a2,32b 接続電極 34a,34b,34c,34d 外部電極 50 フィルタ 52 積層体 52a 第1の誘電体層 52b 第2の誘電体層 52c 第3の誘電体層 52d 第4の誘電体層 52e 第5の誘電体層 52f 第6の誘電体層 52g 第7の誘電体層 52h 第8の誘電体層 52i 第9の誘電体層 52j 第10の誘電体層 56a,56b,66a,66b 孔 54a,54b,64a,64b ライン電極 60a,60b,60c,72a,72b,72c コ
ンデンサ電極 78 アース電極 58a,58b,58c,58d,62a,62d,6
8a,68b,68c,68d,70a,70b,70
c,70d,74a,74c ビアホール 63a1,63a2,63b,63c,63d1,63
d2,75a1,75a2,75a3,75b1,75
b2,75c1,75c2,75d1,75d2,75
d3 接続電極 80a〜80d 外部電極20 resonator 22 laminated body 22a first dielectric layer 22b second dielectric layer 22c third dielectric layer 22d fourth dielectric layer 22e fifth dielectric layer 22f sixth dielectric layer 38a, 38b, 38c, 38d, 38e hole 24a, 24b, 24c, 24d, 24e line electrode 28a, 28b capacitor electrode 26a, 26b, 30a via hole 32a1, 32a2, 32b connection electrode 34a, 34b, 34c, 34d external electrode 50 filter 52 laminated Body 52a First dielectric layer 52b Second dielectric layer 52c Third dielectric layer 52d Fourth dielectric layer 52e Fifth dielectric layer 52f Sixth dielectric layer 52g Seventh dielectric layer 52h Eighth dielectric layer 52i Ninth dielectric layer 52j Tenth dielectric layer 56a, 56b, 66a, 66b Holes 54a, 54b 64a, 64b line electrodes 60a, 60b, 60c, 72a, 72b, 72c capacitor electrodes 78 grounded electrodes 58a, 58b, 58c, 58d, 62a, 62d, 6
8a, 68b, 68c, 68d, 70a, 70b, 70
c, 70d, 74a, 74c Via hole 63a1, 63a2, 63b, 63c, 63d1, 63
d2, 75a1, 75a2, 75a3, 75b1, 75
b2, 75c1, 75c2, 75d1, 75d2, 75
d3 connection electrode 80a-80d external electrode
Claims (4)
インダクタとなるライン電極、および前記積層体内に形
成され、前記インダクタと電気的に接続されるコンデン
サを含み、 前記ライン電極は、前記積層体内の少なくとも1つの誘
電体層に前記ライン電極に対応する孔を形成し、前記孔
に導電体を付与することにより形成される、共振器。1. A laminate including a plurality of dielectric layers, formed on at least one dielectric layer in the laminate,
A line electrode serving as an inductor; and a capacitor formed in the laminate and electrically connected to the inductor, wherein the line electrode is provided in at least one dielectric layer in the laminate and has a hole corresponding to the line electrode. And a resonator formed by applying a conductor to the hole.
れ、前記孔に導電体が付与される誘電体層が磁性体層で
ある、請求項1に記載の共振器。2. The resonator according to claim 1, wherein a hole corresponding to the line electrode is formed, and the dielectric layer provided with a conductor in the hole is a magnetic layer.
インダクタとなる複数のライン電極、および前記積層体
内に形成され、前記インダクタと電気的に接続される複
数のコンデンサを含み、 前記ライン電極は、前記積層体内の少なくとも1つの誘
電体層に前記ライン電極に対応する孔を形成し、前記孔
に導電体を付与することにより形成される、フィルタ。3. A laminate including a plurality of dielectric layers, formed on at least one dielectric layer in the laminate,
A plurality of line electrodes serving as inductors, and a plurality of capacitors formed in the laminate and electrically connected to the inductors, wherein the line electrodes are provided on at least one dielectric layer in the laminate. A filter formed by forming a hole corresponding to the hole and applying a conductor to the hole.
れ、前記孔に導電体が付与される誘電体層が磁性体層で
ある、請求項3に記載のフィルタ。4. The filter according to claim 3, wherein a hole corresponding to the line electrode is formed, and the dielectric layer provided with a conductor in the hole is a magnetic layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8740595A JPH08265003A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Resonator and filter |
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|---|---|---|---|
| JP8740595A JPH08265003A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Resonator and filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08265003A true JPH08265003A (en) | 1996-10-11 |
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ID=13913975
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|---|---|---|---|
| JP8740595A Pending JPH08265003A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Resonator and filter |
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|---|---|
| JP (1) | JPH08265003A (en) |
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