JPH0827930B2 - Magnetic recording media - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、い
わゆるハードタイプの磁気ディスク、磁気ドラム等の耐
久性等の改善に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium, and more particularly, to improvement of durability and the like of so-called hard type magnetic disks, magnetic drums and the like.
先行技術とその問題点 磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、一般
に磁気ディスク、またはディスク媒体と呼ばれ、その基
体構造はドーナツ状の基板と通常その両面に設置された
磁性層を有している。2. Description of the Related Art A magnetic recording medium used in a magnetic disk device is generally called a magnetic disk or a disk medium, and its base structure has a donut-shaped substrate and magnetic layers usually provided on both surfaces thereof. I have.
このような記録媒体の基板材質は、例えばアルミ合金
等のハード材と、磁気テープ媒体と同じマイラーなどの
プラスチック材の二種類があり、一般に前者をハードタ
イプの磁気ディスク、後者をフレキシブルディスクと呼
んでいる。There are two types of substrate materials for such recording media, such as hard materials such as aluminum alloys and plastic materials such as Mylar, which is the same as magnetic tape media. Generally, the former is called hard type magnetic disk and the latter is called flexible disk. I'm out.
ところで、磁気ディスク装置、磁気ドラム装置におけ
る磁気記録媒体、特にハードタイプの磁気ディスクで
は、磁気ヘッドとの機械的接触に対する耐久性、耐摩耗
性等の点で問題があり、そのため通常これらの磁気記録
媒体には保護膜が施される。このような媒体の保護膜と
して、従来無機保護膜あるいは固体潤滑剤等の潤滑膜を
設けることが知られている。By the way, a magnetic recording medium in a magnetic disk device or a magnetic drum device, especially a hard type magnetic disk, has problems in durability against mechanical contact with a magnetic head, abrasion resistance, etc. A protective film is applied to the medium. As a protective film for such a medium, it is conventionally known to provide an inorganic protective film or a lubricating film such as a solid lubricant.
無機保護膜としては、Rh、Cr（特公昭52−18001号公
報）、Ni−Ｐ（特公昭54−33726号公報）そのほか、R
e、Os、Ru、Ag、Au、Cu、Pt、Pd（特公昭57−6177号公
報）、Ni−Cr（特公昭57−17292号公報）等が用いら
れ、他方、固体潤滑剤としては、無機ないし有機の潤滑
剤、例えば、珪素化合物、例えばSiO2、SiO、Si3N4等
（特公昭54−33726号公報）、ポリ酸化もしくはシラン
カップリング剤、例えばテトラヒドロキシシラン、ポリ
アミノシラン等（特公昭59−39809号公報）およびカー
ボン等が使用されている。Examples of inorganic protective films include Rh, Cr (JP-B-52-18001), Ni-P (JP-B-54-33726), and R
e, Os, Ru, Ag, Au, Cu, Pt, Pd (Japanese Patent Publication No. 57-6177), Ni-Cr (Japanese Patent Publication No. 57-17292), etc. are used, while the solid lubricant is Inorganic or organic lubricants such as silicon compounds such as SiO 2 , SiO, Si 3 N 4 etc. (Japanese Patent Publication No. 54-33726), polyoxidizing or silane coupling agents such as tetrahydroxysilane, polyaminosilane etc. ( Japanese Patent Publication No. 59-39809) and carbon are used.
しかしながら、磁性層上に設けられるこれらの従来の
保護膜の材質および構造では、媒体の耐久性、耐摩耗
性、耐候性、耐食性等が満足できるものとはいえない。However, the materials and structures of these conventional protective films provided on the magnetic layer cannot be said to satisfy the durability, wear resistance, weather resistance, corrosion resistance, etc. of the medium.
そこで、本発明者らは、先に、カーボン保護層上に、
有機フッ素化合物のトップコート層を設けると、耐久
性、耐摩耗性、耐候性、耐食性等が格段と向上する旨を
提案している［特願昭60−289010号、同60−289011号、
同60−296301号、同60−296302号、同60−296303号、同
60−296304号、昭和61年４月３日の特許願、同４月４日
の特許願（１）］。Therefore, the present inventors firstly, on the carbon protective layer,
By providing a top coat layer of an organic fluorine compound, it has been proposed that durability, abrasion resistance, weather resistance, corrosion resistance, etc. are significantly improved [Japanese Patent Application Nos. 60-289010, 60-289011,
No. 60-296301, No. 60-296302, No. 60-296303, No.
No. 60-296304, a patent application filed on April 3, 1986, and a patent application filed on April 4, 1986 (1)].
しかしながら、これらの諸特性に対する要求は厳し
く、さらにより一層の改善が要望されている。However, demands for these characteristics are strict, and further improvement is required.
II 発明の目的 本発明の目的は、媒体の耐久性、耐摩耗性、耐候性、
耐食性等に優れ、ヘッド吸着もなく、実用に際してきわ
めて高い信頼性を有する磁気記録媒体を提供することに
ある。II Object of the Invention The object of the present invention is to provide durability, abrasion resistance, weather resistance of the medium,
An object of the present invention is to provide a magnetic recording medium which is excellent in corrosion resistance and the like, has no head adsorption, and has extremely high reliability in practical use.
III 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成され
る。III Disclosure of the Invention Such an object is achieved by the present invention described below.
すなわち、本発明は、非磁性基体上に、表面がプラズ
マ酸化された金属薄膜磁性層を有し、金属薄膜磁性層中
のCoとＯの平均原子比O/Coが0.01〜0.3であり、金属薄
膜磁性層表面側から1/10の位置までの厚さに含有される
CoとＯの平均原子比O/Coが、金属薄膜磁性層の基体側か
ら1/10位置までの厚さに含有されるＯとCoの平均原子比
O/Coの３倍以上であり、金属薄膜磁性層上にカーボン保
護膜を有し、カーボン保護膜上に有機フッ素化合物を含
有するトップコート膜を有することを特徴とする磁気記
録媒体である。That is, the present invention has a metal thin film magnetic layer whose surface is plasma-oxidized on a non-magnetic substrate, and the average atomic ratio O / Co of Co and O in the metal thin film magnetic layer is 0.01 to 0.3. Included in the thickness from the surface side of the thin film magnetic layer to the position of 1/10
The average atomic ratio O / Co of Co and O is the average atomic ratio of O and Co contained in the thickness of the metal thin film magnetic layer from the substrate side to the 1/10 position.
The magnetic recording medium is characterized in that it is at least three times as large as O / Co, has a carbon protective film on the metal thin film magnetic layer, and has a top coat film containing an organic fluorine compound on the carbon protective film.
IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
第１図には本発明の磁気記録媒体の一実施例が示され
る。IV Specific Structure of the Invention Hereinafter, the specific structure of the present invention will be described in detail.
FIG. 1 shows an embodiment of the magnetic recording medium of the present invention.
本発明の磁気記録媒体１は、非磁性基体２上に一般に
下地層３を有し、この下地層３の上には通常、非磁性金
属中間層４を有し、この上に金属薄膜磁性層５（以下、
磁性層５という）を有し、磁性層上に一般に非磁性金属
保護膜６を有し、さらにこの上にカーボン保護膜７を有
し、さらにこの上にトップコート膜８を有する。The magnetic recording medium 1 of the present invention generally has an underlayer 3 on a nonmagnetic substrate 2, and usually has a nonmagnetic metal intermediate layer 4 on the underlayer 3, and a metal thin film magnetic layer 5 (hereinafter,
A magnetic layer 5), a nonmagnetic metal protective film 6 is generally provided on the magnetic layer, a carbon protective film 7 is further provided thereon, and a top coat film 8 is further provided thereon.
本発明における磁性層５はCoとＯ、またはCoとＯとN
i、Cr、Ｐのうちの１種以上とを主成分とするものであ
り、磁性層５中のＯは、主として磁性層表面を後述する
プラズマ酸化することによって導入される。The magnetic layer 5 in the present invention is Co and O, or Co and O and N.
O in the magnetic layer 5 is mainly composed of at least one of i, Cr, and P, and is introduced mainly by plasma-oxidizing the surface of the magnetic layer to be described later.
このような磁性層中のCoとＯの平均原子比O/Coは0.01
〜0.3、より好ましくは0.01〜0.2である。The average atomic ratio O / Co of Co and O in such a magnetic layer is 0.01
-0.3, more preferably 0.01-0.2.
この値が0.3をこえると磁気特性における角型比が悪
化し、また0.01未満であると本発明の効果が実現しな
い。When this value exceeds 0.3, the squareness ratio in the magnetic characteristics deteriorates, and when it is less than 0.01, the effect of the present invention cannot be realized.
そして、磁性層表面側から1/10までの厚さに含有され
るCoとＯの平均原子比O/Coは、それより下、すなわち磁
性層の基体側から1/10の位置までの層中に含有されるCo
とＯの平均原子比O/Coの３倍以上、より好ましくは５倍
以上である。The average atomic ratio O / Co of Co and O contained in a thickness of up to 1/10 from the surface side of the magnetic layer is lower than that, that is, in the layer from the base side of the magnetic layer to 1/10 position. Co contained in
And the average atomic ratio of O is 3 times or more, more preferably 5 times or more.
この値が３倍未満であると耐久性、耐摩耗性、耐候性
等が十分改善されない。If this value is less than 3 times, durability, abrasion resistance, weather resistance, etc. are not sufficiently improved.
このような磁性層５を形成させるには、まず最初に、
基体上に通常、下地層等を介してCoまたはCoとNi、Cr、
Ｐのうちの１種以上を主成分とする薄膜を、後述するス
パッタ法やメッキ法等で成膜し、その後、この薄膜を酸
化して、表面にＯを導入する。この場合、薄膜表面で
は、酸素が、前記のCo等の強磁性金属と酸化物を形成し
ている。To form such a magnetic layer 5, first,
Normally, Co or Co and Ni, Cr, or
A thin film containing at least one of P as a main component is formed by a sputtering method, a plating method, or the like, which will be described later, and then this thin film is oxidized to introduce O into the surface. In this case, on the surface of the thin film, oxygen forms an oxide with the above-mentioned ferromagnetic metal such as Co.
すなわち、表面部、特に表面から100Å、より好まし
くは表面から50Åの厚さの範囲までには、オージェ分光
分析により、酸化物を示すピークが認められるものであ
る。That is, a peak indicating an oxide is observed by Auger spectroscopy at a surface portion, particularly within a range of a thickness of 100 ° from the surface, more preferably 50 ° from the surface.
酸化処理としてはプラズマ酸化法を用いる。 A plasma oxidation method is used as the oxidation treatment.
この酸化法を用いることによってオンラインの処理が
でき、均一に酸化できるなど処理の安定性にすぐれ、ち
密な酸化処理膜が形成できる。また、薬液を使用しない
でできること、低温でできること等のメリットも有す
る。By using this oxidation method, it is possible to perform on-line processing and to perform uniform oxidation, which is excellent in processing stability, and a dense oxidation-treated film can be formed. In addition, there are advantages such as being able to be performed without using a chemical solution and being able to be performed at a low temperature.
本発明のプラズマ酸化法は、処理ガスとして、後述す
るような酸化性ガスを用い、このガスの放電プラズマを
前述したCo−Ni等の薄膜に接触させることにより、磁性
層表面をプラズマ酸化するものである。The plasma oxidation method of the present invention uses an oxidizing gas as described below as a processing gas, and discharge plasma of this gas is brought into contact with the above-mentioned thin film of Co-Ni or the like to plasma-oxidize the surface of the magnetic layer. Is.
このプラズマ酸化処理によって、媒体の耐久性、耐摩
耗性、耐候性、耐食性等は格段と向上する。By this plasma oxidation treatment, the durability, wear resistance, weather resistance, corrosion resistance, and the like of the medium are significantly improved.
プラズマ酸化の原理について概説すると、気体を低圧
に保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由
電子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電
界加速を受け、５〜10eVの運動エネルギー（電子温度）
を獲得する。When the principle of plasma oxidation is outlined, when a gas is kept at a low pressure and an electric field is applied, the free electrons, which are present in a small amount in the gas, have a very large intermolecular distance as compared with atmospheric pressure, and thus are subjected to electric field acceleration to generate 5 to 10 eV. Kinetic energy (electron temperature)
To win.
この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や
分子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカ
ルなど、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。When the accelerated electrons collide with atoms or molecules, they break up the atomic orbitals and molecular orbitals and dissociate them into species that are unstable in normal conditions, such as electrons, ions, and neutral radicals.
解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分
子を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度
の電離状態となる。そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。The dissociated electrons are again accelerated by the electric field to dissociate another atom or molecule, and the chain action immediately turns the gas into a highly ionized state. And this is called plasma gas.
気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギ
ーをあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。Since gas molecules have few opportunities to collide with electrons, they do not absorb much energy and are kept at a temperature close to room temperature.
このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、
分子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマ
と呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重
合等の加成的化学反応を進めうる状況を創出しており、
本発明はこの状況を利用して磁性層５表面をプラズマ酸
化しようとするものである。Thus, the kinetic energy of electrons (electron temperature)
The system in which the thermal motion (gas temperature) of molecules is separated is called low-temperature plasma, and here we are creating a situation where additive chemical reactions such as polymerization can proceed while the chemical species remain relatively intact.
The present invention intends to utilize this situation to oxidize the surface of the magnetic layer 5 by plasma.
プラズマにより基体２上に設けられた磁性層５表面を
処理する装置例が第２図に示してある。第２図は、周波
数可変型の電源を用いたプラズマ酸化処理装置である。FIG. 2 shows an example of an apparatus for treating the surface of the magnetic layer 5 provided on the substrate 2 with plasma. FIG. 2 shows a plasma oxidation apparatus using a variable frequency power supply.
第２図において、反応容器Ｒには、処理ガス源511ま
たは512から処理ガスがそれぞれマスフロートコントロ
ーラー521および522を経て供給される。ガス源511また
は512から別々のガスを供給する場合は、混合器53にお
いて混合して供給する。In FIG. 2, a processing gas is supplied to a reaction vessel R from processing gas sources 511 and 512 via mass float controllers 521 and 522, respectively. When separate gases are supplied from the gas source 511 or 512, they are mixed and supplied in the mixer 53.
処理ガスは、各々１〜250ml/分の流量範囲をとりう
る。The processing gases can each have a flow rate range of 1 to 250 ml / min.
反応容器Ｒ内には、被処理体111が一方の電極552に支
持される。In the reaction container R, the object 111 to be processed is supported by one electrode 552.
さらに、電極551,552が設けられており、一方の電極5
51は周波数可変型の電源54に接続され、他方の電極552
は８にて接地されている。Furthermore, electrodes 551 and 552 are provided, and one electrode 5
51 is connected to a variable frequency power supply 54 and the other electrode 552
Is grounded at 8.
さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための
真空系統が配備され、そしてこれは液体窒素トラップ5
7、油回転ポンプ58および真空コントローラ59を含む。
これら真空系統は、反応容器内を0.01〜10Torrの真空度
の範囲に維持する。Further, a vacuum system for evacuating the inside of the reaction vessel R is provided in the reaction vessel R, and this is equipped with a liquid nitrogen trap 5.
7. Includes oil rotary pump 58 and vacuum controller 59.
These vacuum systems maintain the inside of the reaction vessel within a vacuum range of 0.01 to 10 Torr.
操作においては、反応容器Ｒ内がまず10-3Torr以下に
なるまで油回転ポンプにより容器内を排気し、その後処
理ガスが所定の流量において容器内に混合状態で供給さ
れる。In the operation, first, the inside of the reaction vessel R is evacuated by an oil rotary pump until it becomes 10 −3 Torr or less, and then the processing gas is supplied in a mixed state into the vessel at a predetermined flow rate.
このとき、反応容器内の真空は0.01〜10Torrの範囲に
管理される。At this time, the vacuum in the reaction vessel is controlled within the range of 0.01 to 10 Torr.
処理ガスの流量が安定すると、周波数可変型電源がオ
ンにされる。こうして、被処理体の表面がプラズマ酸化
処理される。When the flow rate of the processing gas is stabilized, the variable frequency power supply is turned on. Thus, the surface of the object to be processed is subjected to the plasma oxidation process.
このようなプラズマ酸化において、本発明では処理ガ
スとして、O2、O3、H2O、CO、CO2、NO、NO2、NOX、空気
等の酸化性ガスの１種以上を用いる。また、これらに加
えて、N2、Ar、He、Ne等を混合して用いてもよい。In such plasma oxidation, in the present invention, one or more oxidizing gases such as O 2 , O 3 , H 2 O, CO, CO 2 , NO, NO 2 , NO X , and air are used as the processing gas. Further, in addition to these, N 2 , Ar, He, Ne, etc. may be used as a mixture.
電源の周波数は直流、交流、高周波、マイクロ波等い
ずれであってもよい。The frequency of the power supply may be any of direct current, alternating current, high frequency, microwave and the like.
印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい。 The applied current, processing time, etc. may be set under normal conditions.
上述してきたような金属薄膜磁性層５の膜厚は200〜5
000Å、特に500〜1000Åが好ましい。The thickness of the metal thin film magnetic layer 5 as described above is 200 to 5
000Å, especially 500 to 1000Å are preferred.
このような磁性層表面のプラズマ酸化処理前の薄膜の
組成は、CoまたはCoとNi、Cr、Ｐのうちの１種以上を主
成分とする。The composition of the thin film on the surface of the magnetic layer before the plasma oxidation treatment is mainly composed of Co or Co and one or more of Ni, Cr and P.
このものの組成の具体例としては、Co−Ni、Co−Ni−
Cr、Co−Cr、Co−Ni−Ｐ、Co−Zn−Ｐ、Co−Ni−Mn−Re
−Ｐ等がある。これらの中では特にCo−Ni、Co−Ni−C
r、Co−Cr、Co−Ni−Ｐ等が好ましく、これらの合金の
好適組成比は重量比で、Co:Ni＝1:1〜9:1、 (CoxNiy)ACrBにおいてx:y＝1:1〜9:1、A:B＝99.9:0.1〜
75:25、 Co:Cr＝7:3〜9:1、 (CoxNiy)APBにおいて、 x:y＝1:0〜1:9、A:B＝99.9:0.1〜85:15である。これら
の範囲をはずれると記録特性が低下する。Specific examples of the composition of this include Co-Ni and Co-Ni-
Cr, Co-Cr, Co-Ni-P, Co-Zn-P, Co-Ni-Mn-Re
-P, etc. Among these, especially Co-Ni, Co-Ni-C
r, Co-Cr, Co-Ni-P and the like are preferable, and a preferable composition ratio of these alloys is a weight ratio, Co: Ni = 1: 1 to 9: 1, and (Co x Ni y ) A Cr B is x. : y = 1: 1 to 9: 1, A: B = 99.9: 0.1 to
75:25, Co: Cr = 7: 3 to 9: 1, (Co x Ni y ) A P B , x: y = 1: 0 to 1: 9, A: B = 99.9: 0.1 to 85:15 Is. If it deviates from these ranges, the recording characteristics will deteriorate.
このような薄膜は気相もしくは液相の種々のメッキ法
で設層可能であるが、中でも特に気相法の１種であるス
パッタ法が好ましい。スパッタ法を用いることによって
磁気特性の良好な磁性層が得られる。Such a thin film can be formed by various plating methods of a gas phase or a liquid phase. Among them, a sputtering method, which is one of the gas phase methods, is particularly preferable. A magnetic layer having good magnetic properties can be obtained by using the sputtering method.
スパッタ法は作業を行う領域によって、さらにプラズ
マ法とイオンビーム法の２つに大別することができる。The sputtering method can be roughly classified into a plasma method and an ion beam method, depending on the area in which the work is performed.
プラズマ法によりスパッタ法では、Ar等の不活性ガス
雰囲気中で異常グロー放電を発生させ、Arイオンによっ
てターゲット（蒸着物質）のスパッタを行い、例えば、
被着体に蒸着させる。In the sputtering method by the plasma method, an abnormal glow discharge is generated in an atmosphere of an inert gas such as Ar, and a target (vapor deposition material) is sputtered by Ar ions.
Evaporate on the adherend.
ターゲットに数KVの直流電圧を印加する直流スパッタ
リング、数百〜数KWの高周波数電力を印加する高周波ス
パッタリングのいずれであってもよい。Either DC sputtering in which a DC voltage of several KV is applied to the target or high frequency sputtering in which high frequency power of several hundreds to several KW is applied may be used.
また、２極から３極、４極スパッタ装置と多極化した
ほか、直行電磁界を加えてプラズマ中の電子のマグネト
ロンと同様サイクロイド運動を与え、高密度プラズマを
作るとともに、印加電圧を低くし、スパッタを高能率化
したマグネトロン系スパッタリングを用いてもよい。In addition to the multi-pole system from 2 poles to 3 poles and 4 poles, a perpendicular electromagnetic field was added to give cycloidal motion of electrons in the plasma, similar to the magnetron, to create high density plasma and to lower the applied voltage to perform sputtering. It is also possible to use a magnetron-based sputtering which is highly efficient.
イオンビーム法では、適当なイオン源を用いてArなど
をイオン化し、引出し、電極に印加した負高電圧によっ
て高真空側にイオンビームとして引出し、ターゲット表
面に照射してスパッタしたターゲット物質を例えば被着
体に蒸着させる。In the ion beam method, Ar or the like is ionized using an appropriate ion source, extracted, extracted as an ion beam on the high vacuum side by a negative high voltage applied to the electrode, and irradiated on the target surface to sputter target material, for example. Evaporate on the body.
また、スパッタ法における被着粒子の運動エネルギー
は約数eV〜100eVであり、例えば蒸着法のそれ（約0.1eV
〜1eV）と比べてきわめて大きい。The kinetic energy of the deposited particles in the sputtering method is about several eV to 100 eV, and for example, that of the vapor deposition method (about 0.1 eV
It is extremely large compared to ~ 1eV).
本発明において、ターゲットの材質としては、目的と
する薄膜の組成に対応する合金等を用いればよい。In the present invention, as the material of the target, an alloy or the like corresponding to the composition of the target thin film may be used.
ところで、薄膜の組成をCoPないしCoNiPとする場合に
は、液相メッキ法、特に無電解メッキ法で設層してもよ
い。そしてその磁性層は上記スパッタ法と同様に良好な
磁気特性を示す。By the way, when the composition of the thin film is CoP or CoNiP, the layer may be formed by a liquid phase plating method, particularly an electroless plating method. The magnetic layer exhibits good magnetic characteristics as in the sputtering method.
無電解メッキに用いるメッキ浴組成、メッキ条件等と
しては公知の種々のものが適用可能であり、例えば、特
公昭第54−9136号公報、特公昭第55−14865号公報等に
記載のものはいずれも使用可能である。As the plating bath composition used for electroless plating, various known ones can be applied as the plating conditions, for example, those described in JP-B-54-9136 and JP-B-55-14865. Both can be used.
ところで、表面がプラズマ酸化された磁性層５の上に
は有機フッ素化合物を含有するトップコート膜８が形成
される。By the way, a top coat film 8 containing an organic fluorine compound is formed on the magnetic layer 5 whose surface is plasma-oxidized.
このトップコート膜８中に含有される有機フッ素化合
物としては、下記（Ａ）〜（Ｄ）、特に（Ａ）〜（Ｂ）
に示されるものを用いることが好ましい。The organic fluorine compound contained in the top coat film 8 includes the following (A) to (D), particularly (A) to (B).
It is preferable to use those shown in.
（Ａ）カルボキシパーフルオロポリエーテルまたはその
塩もしくはそのエステル このようなものとしては、下記式（Ｉ）で示される化
合物が挙げられる。(A) Carboxyperfluoropolyether or its salt or its ester As such a thing, the compound shown by following formula (I) is mentioned.
式（Ｉ） RfRf′Ｏn−Rf″COOR1 上記式（Ｉ）において、Rfはフッ素原子もしくはパー
フルオロアルキル基またはCOOZもしくは−ORf″COOZを
表わす。Formula (I) RfRf′O n —Rf ″ COOR 1 In the above formula (I), Rf represents a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, COOZ or —ORf ″ COOZ.
Rf′およびRf″は、それぞれ二価のパーフルオロアル
キレン基を表わし、これらは同一でも異なっていてもよ
い。ｎは正の整数を表わし、ｎが２以上の場合Rf′はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよい。Rf ′ and Rf ″ each represent a divalent perfluoroalkylene group, which may be the same or different. N represents a positive integer, and when n is 2 or more, Rf ′ is the same or different. May be.
R1は水素、一価のカチオンまたは置換もしくは非置換
のアルキル基をあらわす。アルキル基の炭素数は１〜５
であって、しかも非置換のアルキル基が好ましい。R 1 represents hydrogen, a monovalent cation, or a substituted or unsubstituted alkyl group. The number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 5
And an unsubstituted alkyl group is preferred.
カチオンとしては、Na+、K+、Li+などのアルカリ金属
イオンやNH4 +等が好ましい。As the cation, alkali metal ions such as Na + , K + and Li + , NH 4 + and the like are preferable.
R1で表わされる置換もしくは非置換のアルキル基とし
ては−CH3、−C2H5、−C3H7、ｉ−C3H7−C4H9、−C5H11
などが挙げられる。The substituted or unsubstituted alkyl group represented by R 1 -CH 3, -C 2 H 5, -C 3 H 7, i-C 3 H 7 -C 4 H 9, -C 5 H 11
And the like.
これらの中でも−CH3、−C2H5などが好ましい。-CH 3 Of these, such as -C 2 H 5 are preferred.
ＺはR1と同義であるが、これらＺとR1は同一でも異な
っていてもよい。Z is the same meaning as R 1, these Z and R 1 may be the same or different.
Rfで表わされるパーフルオロアルキル基としては、−
CF3、−C2F5、−C3F7などが挙げられる。As the perfluoroalkyl group represented by Rf,
CF 3, -C 2 F 5, and the like -C 3 F 7.
Rf′およびRf″としては、−CF2−、−CF2CF2−、 などが挙げられ、好ましくは−CF2−、−CF2CF2−、−C
FCF3−CF2−である。Rf ′ and Rf ″ include −CF 2 −, −CF 2 CF 2 −, And the like, preferably -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - C
FCF 3 −CF 2 −.
なお、Rfの好ましい例は、−Ｆ、−COOCH3、−COOH、
−COOC2H5、−COOC3H7などが挙げられる。In addition, preferable examples of Rf include -F, -COOCH 3 , -COOH,
-COOC 2 H 5, and the like -COOC 3 H 7.
ｎとしては10〜100程度であり、好ましくは30〜70で
ある。The value of n is about 10 to 100, preferably 30 to 70.
なお、Rf′が複数ある場合、それらは互いに同一であ
っても異なってもよい。When there are a plurality of Rf's, they may be the same or different.
また、上記式（Ｉ）で表わされる化合物がエステルで
ある場合、カルボン酸のモノまたはジエステルのいずれ
であってもよい。When the compound represented by the above formula (I) is an ester, it may be either a mono- or diester of a carboxylic acid.
上記式（Ｉ）で表わされるもののなかでも下記式（Ｉ
−１）〜（Ｉ−４）で示される化合物が好ましいものと
して挙げられる。Among those represented by the above formula (I), the following formula (I
The compounds represented by -1) to (I-4) are preferred.
式（Ｉ−１） ZOCOCF2(O-CF2-CF2)N−(O-CF2)MOCF2COOR1 上記式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）において、Ｚおよび
R1は式（Ｉ）におけるものと同義である。Formula (I-1) ZOCOCF 2 ( OCF 2 -CF 2) N - (OCF 2) M OCF 2 COOR 1 In the above formulas (I-1) and (I-2), Z and
R 1 has the same meaning as in formula (I).
ＺおよびR1の好ましいものとしては、−Ｈ、−CH3、
などが挙げられる。Preferred as Z and R 1 are —H, —CH 3 ,
And the like.
ＮおよびＭの和は、上記のｎと同一であり、これらは
それぞれ５〜50であり、好ましくは５〜20である。The sum of N and M is the same as n above, and each of them is 5 to 50, preferably 5 to 20.
上記式（Ｉ−３）および（Ｉ−４）において、R1およ
びｎは（Ｉ）におけるものと同義である。 In the above formulas (I-3) and (I-4), R 1 and n have the same meanings as in (I).
R1の好ましいものとしては、−Ｈ、−CH3、−C2H5等
があげられる。Preferred examples of R 1 include —H, —CH 3 , —C 2 H 5 and the like.
ｎとしては10から100であり、好ましくは30〜70であ
る。n is 10 to 100, preferably 30 to 70.
このような化合物は、分子量1000〜10000程度であ
る。Such a compound has a molecular weight of about 10,000 to 10,000.
これらの化合物は公知の方法に従い合成すればよい
が、市販のものを用いることもできる。These compounds may be synthesized according to known methods, but commercially available compounds can also be used.
具体的に、商品名を挙げると、デュポン社製KRYTOX15
7FS、モンテフルオス社製Fomblin Z DIAC、Fomblin Z D
EALなどがある。Specifically, the product name is KRYTOX15 manufactured by DuPont.
7FS, Montefruos Fomblin Z DIAC, Fomblin ZD
There is EAL etc.
KRYTOX157FSは式（Ｉ−３）で示される化合物のなか
のR1＝Ｈ、ｎ＝11〜49の場合のものである。また、Fomb
lin Z DIACは式（Ｉ−２）で示される化合物である。KRYTOX157FS is the compound represented by formula (I-3) in which R 1 = H and n = 11 to 49. Also, Fomb
lin Z DIAC is a compound represented by the formula (I-2).
Fomblin Z DEALは式（Ｉ−１）で示される化合物のな
かのＮおよびＭがそれぞれ11〜49、Ｚ＝R1＝CH3の場合
のものである。Fomblin Z DEAL is a compound of formula (I-1) in which N and M are 11 to 49 and Z = R 1 = CH 3 .
（Ｂ）パーフルオロポリエーテル このような化合物としては下記式（II）で示されるも
のが挙げられる。(B) Perfluoropolyether Examples of such compounds include those represented by the following formula (II).
式（II） R2ｆR2ｆ′Ｏn−R2f″ 上記式（II）において、R2fはフッ素原子またはパー
フルオロアルキル基を表わす。Formula (II) R 2 fR 2 f′O n —R 2 f ″ In the above formula (II), R 2 f represents a fluorine atom or a perfluoroalkyl group.
R2f′はパーフルオロアルキレン基を表わす。R 2 f ′ represents a perfluoroalkylene group.
R2f″はパーフルオロアルキル基を表わす。R 2 f ″ represents a perfluoroalkyl group.
R2fがパーフルオロアルキル基を表わす場合、R2fとR2
f″とは同一でも異なっていてもよい。ｎは正の整数を
表わし、ｎが２以上の場合、R2f′はそれぞれ同一でも
異なっていてもよい。When R 2 f represents a perfluoroalkyl group, R 2 f and R 2
f ″ may be the same or different. n represents a positive integer, and when n is 2 or more, R 2 f ′ may be the same or different.
R2fで表わされるパーフルオロアルキル基としては−C
F3、−C2F5等が挙げられる。The perfluoroalkyl group represented by R 2 f is -C
F 3, -C 2 F 5, and the like.
R2fの好ましいものとしては、−Ｆ、−CF3である。Preferred as R 2 f are -F and -CF 3 .
R2f′の好ましいものとしては、−CF2−CF2CF2−、 等が挙げられる。Preferred as R 2 f ′ are -CF 2 -CF 2 CF 2- , Etc.
R2f″としては、−CF3、−C2F5等が挙げられる。Examples of R 2 f ″ include —CF 3 and —C 2 F 5 .
ｎは10〜100であり、特に10〜50が好ましい。 n is 10 to 100, and particularly preferably 10 to 50.
式（II）で表わされる化合物のなかでも、下記式（II
−１）、（II−２）で表わされるものが好ましい。Among the compounds represented by the formula (II), the following formula (II
Those represented by -1) and (II-2) are preferable.
式（II−１） CF3−｛(-O-CF2-CF2)N−(O-CF2)M］−OCF3 上記式（II−１）、（II−２）において、ＮとＭの和
は10〜100程度である。Formula (II-1) CF 3 - {(- O-CF 2 -CF 2) N - (O-CF 2) M] -OCF 3 In the above formulas (II-1) and (II-2), the sum of N and M is about 10 to 100.
Ｎとしては５〜50であり、好ましくは５〜30である。
またＭとしては５〜50であり、好ましくは５〜30であ
る。N is 5 to 50, preferably 5 to 30.
Further, M is 5 to 50, preferably 5 to 30.
また、下記式（II−３）で表わされるものも好まし
い。Further, those represented by the following formula (II-3) are also preferable.
上記式（II−３）において、ｎは式（II）におけるも
のと同義である。 In the above formula (II-3), n has the same meaning as in formula (II).
ｎは10〜100であり、好ましくは30〜70である。 n is 10 to 100, preferably 30 to 70.
このような化合物は、平均分子量1000〜10000程度で
ある。Such compounds have an average molecular weight of about 10,000 to 10,000.
これら化合物は、公知の方法に従い合成できる。 These compounds can be synthesized according to known methods.
また、市販のものを用いてもよい。 Moreover, you may use a commercially available thing.
具体的に商品名を挙げると、モンテフルオス社製FOMB
LIN YO4,YO6,Y25,Y45,YR;FOMBLIN Y−LVACO616,Y−Ｌ−
VAC14/6,Y−Ｌ−VAC16/6,Y−Ｌ−VAC25/6;FOMBLIN Y−
Ｈ−VAC18/8,Y−Ｈ−VAC25/9,Y−Ｈ−VAC40/11,Y−−Ｈ
−VAC140/13;FOMBLIN Z;デュポン社製KRYTOX143CZ、143
AZ、143AA、143AY、143AB、143AC、143AD;KRYTOX1502、
1504、1506、1509、1514、1516、1525、1618、1625、16
45、1680、1614などである。Specifically, the product name is FOMB manufactured by Montefluos.
LIN YO4, YO6, Y25, Y45, YR; FOMBLIN Y-LVACO616, Y-L-
VAC14 / 6, Y-L-VAC16 / 6, Y-L-VAC25 / 6; FOMBLIN Y-
H-VAC18 / 8, Y-H-VAC25 / 9, Y-H-VAC40 / 11, Y--H
−VAC140 / 13; FOMBLIN Z; DuPont KRYTOX143CZ, 143
AZ, 143AA, 143AY, 143AB, 143AC, 143AD; KRYTOX1502,
1504, 1506, 1509, 1514, 1516, 1525, 1618, 1625, 16
45, 1680, 1614, etc.
このなかで、KRYTOX143CZは、式（II−３）で示され
る化合物でｎ＝11〜49のものである。Among them, KRYTOX143CZ is a compound represented by the formula (II-3) and n = 11 to 49.
また、FOMBLIN Yは式（II−２）、FOMBLIN Zは式（II
−１）で示されるものである。FOMBLIN Y is the formula (II-2) and FOMBLIN Z is the formula (II-2).
-1).
（Ｃ）テトラフルオロエチレンポリマー このような化合物の分子量は1000〜10000であること
が好ましい。(C) Tetrafluoroethylene polymer The molecular weight of such a compound is preferably from 10,000 to 10,000.
なおポリマー軟化点（ASTM E−28−58T）は200〜300
℃程度、融点は200〜350℃程度であることが好ましい。The polymer softening point (ASTM E-28-58T) is 200-300.
The melting point is preferably about 200C to about 350C.
これらの化合物は、公知の方法に従い合成できる。ま
た、市販のものを用いてもよい。These compounds can be synthesized according to known methods. Moreover, you may use a commercially available thing.
このようなテトラフルオロエチレンポリマーとして
は、市販のものとして、デュポン社製VYDAX A12、510
0、550、525、旭硝子社製AG−LUB等がある。As such a tetrafluoroethylene polymer, as a commercially available product, VYDAX A12, 510 manufactured by DuPont.
0, 550, 525, AG-LUB manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., and the like.
（Ｄ）その他、本発明で用いられるフッ素樹脂として
は、ポリビニリデンフルオライド（PVDF）、ポリビニル
フルオライド（PVF）、テトラフルオロエチレン−ヘキ
サフルオロプロピレン共重合体（FEP）、テトラフルオ
ロエチレン−エチレン共重合体（ETFE）、テトラフルオ
ロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重
合体（PFA）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン
共重合体（ECTFE）などが挙げられる。この中でも特
に、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレ
ン共重合体（FEP）、テトラフルオロエチレン−エチレ
ン共重合体（ETFE）が通常よく用いられる。(D) In addition, as the fluororesin used in the present invention, polyvinylidene fluoride (PVDF), polyvinyl fluoride (PVF), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), tetrafluoroethylene-ethylene copolymer Examples thereof include a polymer (ETFE), a tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), and a chlorotrifluoroethylene-ethylene copolymer (ECTFE). Among these, particularly, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP) and tetrafluoroethylene-ethylene copolymer (ETFE) are usually often used.
そして、これらのフッ素樹脂の平均重合度は700〜300
0程度であることが好ましい。The average degree of polymerization of these fluororesins is 700-300.
It is preferably about 0.
上述してきたような（Ａ）〜（Ｄ）に示される化合物
は、トップコート膜８中に、二種以上含有されていても
よい。Two or more kinds of the compounds represented by (A) to (D) as described above may be contained in the top coat film 8.
このような化合物の総含有量は、トップコート膜８を
重量に換算した場合、全体の50〜100重量％、好ましく
は70〜100重量％である。The total content of such compounds is 50 to 100% by weight, preferably 70 to 100% by weight, based on the total weight of the top coat film 8.
50重量％未満では十分な潤滑効果が得られない。 If it is less than 50% by weight, a sufficient lubricating effect cannot be obtained.
さらに、トップコート膜８には他に脂肪酸、脂肪酸エ
ステル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が含まれてい
てもよい。Further, the top coat film 8 may further contain fatty acid, fatty acid ester, epoxy resin, phenol resin and the like.
このようなトップコート膜８は、下記に詳述する塗布
方法や気相成膜方法によって設層される。Such a top coat film 8 is formed by a coating method or a vapor phase film forming method described in detail below.
塗布方法としては、例えばスピンコート、ディッピン
グ、スプレーコート等が挙げられる。Examples of the coating method include spin coating, dipping, and spray coating.
この場合、塗布溶液としては、通常フロン等のフッ素
系溶媒に、前記化合物（Ａ）〜（Ｄ）、特に（Ａ）〜
（Ｂ）中に示される化合物の少なくとも１種以上を0.01
〜1.0重量％、より好ましくは0.05〜0.1重量％混合させ
たものを用いる。In this case, the coating solution is usually a fluorine-based solvent such as Freon, and the compound (A) to (D), particularly (A) to
0.01% of at least one of the compounds shown in (B)
.About.1.0% by weight, more preferably 0.05 to 0.1% by weight is used.
塗布条件は、スピンコートによる場合、その回転数は
500〜3000rpm、回転時間５〜20秒程度とし、また、ディ
ッピングによる場合は、例えばまず最初にフロン等の溶
媒に15〜30秒間程度浸して洗浄した後、前記塗布溶液に
10〜30秒間浸し、５〜20mm/secのスピードで引き上げて
行えばよい。When the coating condition is spin coating, the rotation speed is
500 to 3000 rpm, rotation time 5 to 20 seconds, and in the case of dipping, for example, first dip in a solvent such as CFC for 15 to 30 seconds to wash, and then apply to the coating solution.
Immerse for 10 to 30 seconds and pull up at a speed of 5 to 20 mm / sec.
気相成膜法としては、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等がある。As the vapor phase film forming method, there are a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method and the like.
この場合、上記化合物（Ａ）〜（Ｄ）の固形成分を気
相成膜用の材料として利用できる。In this case, the solid components of the compounds (A) to (D) can be used as a material for vapor phase film formation.
上述してきたような（Ａ）〜（Ｄ）に示される化合物
は、トップコート膜８中に、二種以上含有されていても
よい。Two or more kinds of the compounds represented by (A) to (D) as described above may be contained in the top coat film 8.
トップコート膜を気相成膜法によって形成した場合に
は、膜厚をうすく、均一に設層でき、しかも膜中に有機
溶媒が残存しない等の特徴を有する。When the top coat film is formed by the vapor phase film forming method, it has features that the film thickness is thin and that the film can be uniformly formed, and that no organic solvent remains in the film.
従って、実用に際して、ヘッドが吸着しにくく摩擦が
低くなる等、種々の特性が向上する。Therefore, in practical use, various characteristics are improved such that the head is less likely to adsorb and friction is reduced.
真空蒸着法は蒸発源を10-3Torr以下程度の高真空中
で、エレクトロンビーム法、抵抗加熱法等により蒸発源
を加熱して融解、蒸発させて、その蒸気を例えば基板表
面に薄膜として蒸着させる方法である。この蒸発時に蒸
発粒子が得る運動エネルギーは0.1eV〜1eV程度である。The vacuum evaporation method uses an evaporation source in a high vacuum of about 10 -3 Torr or less to heat the evaporation source by electron beam method, resistance heating method, etc. to melt and evaporate, and evaporate the vapor as a thin film on the substrate surface, for example. It is a method to let. The kinetic energy obtained by the vaporized particles during this vaporization is about 0.1 eV to 1 eV.
スパッタ法は前記、磁性層５の１形成方法として述べ
たものと同義である。The sputtering method has the same meaning as described above as one method of forming the magnetic layer 5.
イオンプレーティング法は、被膜形成の前および被膜
形成中、十分な運動エネルギーをもって基板表面に蒸着
物質を射突させる原子論的被膜形成法である。The ion plating method is an atomistic film forming method in which a vapor deposition material is bombarded onto a substrate surface with sufficient kinetic energy before and during film formation.
その基本機能には、射突イオンによる基板のスパッ
タ、加熱、イオン注入などの効果があり、これらが付着
力、蒸着膜の核形成、膜成長に影響を及ぼす。このイオ
ンプレーティング法は、作業を行う領域から、さらにプ
ラズマ法とイオンビーム法の２つに大別される。Its basic functions are effects such as sputtering of the substrate by the projecting ions, heating, ion implantation, and the like, which affect adhesion, nucleation of the deposited film, and film growth. The ion plating method is broadly classified into a plasma method and an ion beam method, depending on the area in which the work is performed.
プラズマ法では、、直流グロー放電によって基板（負
電位）をAr+の衝撃で洗浄化した後、蒸発源を加熱し蒸
着物質を蒸気化させると、プラズマ中でイオン化し、基
板を取り巻くグロー放電の陰極暗部の強い電解により加
速され、高いエネルギーをもって基板に射突し蒸着す
る。In the plasma method, the substrate (negative potential) is cleaned by the impact of Ar + by DC glow discharge, and then the evaporation source is heated to vaporize the vapor deposition material, which is ionized in the plasma and the glow discharge surrounding the substrate is generated. Accelerated by the strong electrolysis in the dark part of the cathode, it is deposited by bombarding the substrate with high energy.
直流印加方式、高周波励起方式およびその併用形と蒸
発源の各種加熱方式との組み合せなど多くの形式はいず
れも使用でき、中空陰極プラズマ電子銃を用いるプラズ
マ電子ビーム法を用いてもよい。Many types can be used, such as a direct current application type, a high frequency excitation type, and a combination thereof and various types of heating of an evaporation source, and a plasma electron beam method using a hollow cathode plasma electron gun may be used.
イオンビーム法では、スパッタ形、電子衝撃形あるい
はデュオプラズマトロンの改良形などの、イオン源で生
成した蒸着物質イオンを高真空領域に引き出し、加速電
圧を調節して基板表面の清浄化と蒸着を引き続いて行
う。クラスタイオンビーム技術（蒸着と結晶成長）で
は、るつぼの噴射ノズルから高真空中に蒸着物質を噴出
させ、断熱膨張による過冷却現象を利用して102〜103個
の原子が互いに緩く結合した塊状原子集団（クラスタ）
を作り、イオン化して用いる。In the ion beam method, the deposition material ions generated by the ion source, such as the sputter type, the electron impact type, and the improved duoplasmatron type, are extracted into the high vacuum region, and the acceleration voltage is adjusted to clean and deposit the substrate surface. Continue. In cluster ion beam technology (vapor deposition and crystal growth), the vapor deposition material is ejected from a crucible injection nozzle into a high vacuum, and 10 2 to 10 3 atoms are loosely bonded to each other by utilizing the supercooling phenomenon due to adiabatic expansion. Agglomeration of atoms (cluster)
Is used and ionized.
また、イオンプレーティングにおけるイオンの運動エ
ネルギーは、約数十eV〜5keV程度で他の成膜方法、例え
ば蒸着法（約0.1eV〜1eV）、スパッタ法（約数eV〜100e
V）などに比べて非常に大きい。そのため、この方法に
よって形成された付着膜は、付着強度がきわめて高い。
また付着速度もきわめて大きいため、短時間で膜形成が
できる。The kinetic energy of ions in ion plating is about several tens eV to 5 keV, and other film forming methods such as vapor deposition (about 0.1 eV to 1 eV) and sputtering (about several eV to 100 eV).
It is much larger than V). Therefore, the adhesion film formed by this method has extremely high adhesion strength.
Further, since the deposition rate is extremely high, the film can be formed in a short time.
また、近年、新技術として開発された熱電子によって
イオン化を行うアーク放電イオンプレーティングを用い
てもよい。アーク放電イオンプレーティング法は、蒸発
源を加熱し蒸発してえられた蒸気流に対し、蒸発源近傍
の蒸気流の密度が比較的高いところで、熱電子放出源か
ら放出した熱電子を衝突させて蒸気流のイオン化を生じ
させこのイオン化された蒸気流を電波や磁場により被着
体に垂直方向に集束させて成膜するものである。Further, an arc discharge ion plating which is recently developed as a new technique and which is ionized by thermoelectrons may be used. In the arc discharge ion plating method, the thermoelectrons emitted from the thermoelectron emission source are made to collide with the vapor flow obtained by heating the vaporization source and evaporating, when the vapor flow density near the vaporization source is relatively high. To generate ionization of the vapor stream, and the ionized vapor stream is vertically focused on the adherend by a radio wave or a magnetic field to form a film.
これら気相成膜法における下地温度、被着距離等は通
常の条件でよい。The base temperature, deposition distance and the like in these vapor phase film forming methods may be ordinary conditions.
これら気相成膜法のうちでは、真空蒸着法またはスパ
ッタリングを用いることが好ましい。Among these vapor phase film forming methods, it is preferable to use a vacuum vapor deposition method or sputtering.
本発明のトップコート膜８は、上述したような塗布法
や気相成膜法のいずれの方法で形成したものであっても
よい。The top coat film 8 of the present invention may be formed by any of the above-mentioned coating method and vapor phase film forming method.
トップコート膜８の厚さは３〜300Å、好ましくは５
〜150Åとする。The thickness of the top coat film 8 is 3 to 300Å, preferably 5
~ 150Å
３Å未満では十分な本発明の効果が得られず特に耐久
性が劣り、300Åをこえると吸着が発生し、いわゆるヘ
ッドクラッシュを起こすからである。This is because if it is less than 3Å, the effect of the present invention cannot be sufficiently obtained and durability is particularly poor, and if it exceeds 300Å, adsorption occurs and a so-called head crash occurs.
本発明で使用される非磁性基板２は、例えば、アルミ
ニウム、アルミニウム合金等の金属、ガラス、セラミッ
クス、エンジニアリングプラスチックス等が挙げられ
る。そして、これらの中でも、機械的剛性、加工性等が
良好でしかも後述する下地層が容易に設層できるアルミ
ニウム、アルミニウム合金等を用いるのが好ましい。Examples of the non-magnetic substrate 2 used in the present invention include metals such as aluminum and aluminum alloys, glass, ceramics, and engineering plastics. Of these, it is preferable to use aluminum, an aluminum alloy, or the like, which has good mechanical rigidity, workability, and the like, and on which an underlayer described later can be easily formed.
このような非磁性基体２の厚さは1.2〜1.9mm程度であ
り、その形状は通常、ディスク状、ドラム状等特に制限
はない。The thickness of such a non-magnetic substrate 2 is about 1.2 to 1.9 mm, and its shape is not particularly limited, such as a disk shape or a drum shape.
このような非磁性基体２の材質として、特にAl等の金
属基体を用いるときには、この基体２上に下地層３を設
けることが好ましい。この下地層３は、Ni−Ｐ、Ni−Cu
−Ｐ、Ni−Ｗ−Ｐ、Ni−Ｂ等のいずれかの組成を含有し
て形成される。このものは、液相メッキ法、特に無電解
メッキ法で成膜させることが好ましい。無電解メッキ法
によれば、きわめて緻密な膜が形成でき、機械的剛性、
硬度、加工性を上げることができる。When a metal substrate such as Al is used as the material of the non-magnetic substrate 2, it is preferable to provide the underlayer 3 on the substrate 2. This underlayer 3 is made of Ni-P, Ni-Cu.
It is formed by containing any composition such as -P, Ni-WP, Ni-B. It is preferable that this film is formed by a liquid phase plating method, particularly an electroless plating method. According to the electroless plating method, a very dense film can be formed, mechanical rigidity,
The hardness and workability can be improved.
なお、上記の組成からなる下地層の組成比（wt）は、
以下のとおりである。The composition ratio (wt) of the underlayer having the above composition is
It is as follows.
すなわち、(NixCuy)APB、(NixWy)APB これらの場合においては、 x:y＝100:0〜10:90、 A:B＝97:3〜85:15である。That, (NixCuy) A P B, in the case of these (NixWy) A P B is, x: y = 100: 0~10 : 90, A: B = 97: 3~85: a 15.
NixByの場合にはx:y＝97:3〜90:3である。In the case of NixBy, x: y = 97: 3 to 90: 3.
この無電解メッキ法のプロセスの一例を簡単にのべる
と、まず、アルカリ性脱脂および酸性脱脂を行った後、
数回のジンケート処理をくり返して行い、さらに重炭酸
ナトリウム等で表面調整したのちpH4.0〜6.0のニッケル
・メッキ溶中で約80〜95℃、約0.5〜３時間メッキ処理
すればよい。A simple example of this electroless plating process is as follows: first, after performing alkaline degreasing and acid degreasing,
The zincate treatment may be repeated several times, the surface may be further adjusted with sodium bicarbonate or the like, and then the plating treatment may be performed in a nickel plating solution having a pH of 4.0 to 6.0 at about 80 to 95 ° C. for about 0.5 to 3 hours.
これらメッキ処理は、例えば特公昭第48−18842号公
報、特公昭第50−1438号公報等に記載されている。These plating treatments are described, for example, in Japanese Patent Publication No. 48-18842 and Japanese Patent Publication No. 50-1438.
このような下地層３の膜厚は３〜50μｍ、特に５〜20
μｍが好ましい。The thickness of the underlayer 3 is 3 to 50 μm, especially 5 to 20 μm.
μm is preferred.
さらに下地層３の表面には凹凸部を設けることが好ま
しい。Further, it is preferable to provide an uneven portion on the surface of the underlayer 3.
凹凸部をつくるには、例えば、下地層３が設層された
円板状基体２を回転させながら、研磨剤等を作用させ、
下地層３の表面に同心円状に不規則な溝を設ける。In order to form the uneven portion, for example, an abrasive or the like is caused to act while rotating the disk-shaped substrate 2 on which the underlayer 3 is provided,
Concentric irregular grooves are provided on the surface of the underlayer 3.
なお、凹凸部は、下地層３上にランダムに設けてもよ
い。The uneven portion may be provided randomly on the base layer 3.
このような凹凸部を設けることによって、いわゆる吸
着特性および耐久性が向上する。By providing such an uneven portion, so-called adsorption characteristics and durability are improved.
なお、下地層３を基体２上に設けない場合には、直接
基体２上に上記の凹凸を設ければよい。When the base layer 3 is not provided on the substrate 2, the above-mentioned unevenness may be provided directly on the substrate 2.
下地層３上には、図示のごとくCrを含む非磁性金属中
間層４を設けることが好ましい。It is preferable to provide a nonmagnetic metal intermediate layer 4 containing Cr on the underlayer 3 as shown in the figure.
この非磁性金属中間層４を設けることによって、媒体
の磁気特性が向上し、記録特性の信頼性の向上をも図る
ことができる。By providing the non-magnetic metal intermediate layer 4, the magnetic characteristics of the medium are improved and the reliability of the recording characteristics can be improved.
そしてこの非磁性金属中間層４は通常Crから形成され
るのが最も好ましいが、Cr含有量は99wt％以上であれば
よい。The nonmagnetic metal intermediate layer 4 is usually most preferably made of Cr, but the Cr content may be 99 wt% or more.
そしてこの非磁性金属中間層４は、種々の公知の気相
成膜法で形成可能であるが、通常、上述した磁性層５と
同様にスパッタ法で成膜することが好ましい。このよう
な非磁性金属中間層４の膜厚は用いる金属薄膜磁性層５
の種類によって適宜決定すべきであるが、通常500〜400
0Å程度である。The non-magnetic metal intermediate layer 4 can be formed by various known vapor-phase film forming methods, but is usually preferably formed by a sputtering method as in the case of the magnetic layer 5 described above. The thickness of the non-magnetic metal intermediate layer 4 depends on the metal thin film magnetic layer 5 used.
Should be determined appropriately depending on the type, but usually 500-400
It is about 0Å.
本発明の磁気記録媒体１は前述した磁性層５とトップ
コート膜８との間にCrなどの非磁性金属保護膜６を設層
することが好ましい。In the magnetic recording medium 1 of the present invention, it is preferable to provide a nonmagnetic metal protective film 6 such as Cr between the magnetic layer 5 and the top coat film 8 described above.
この保護膜６の成膜方法は上記の非磁性金属中間層４
の場合と同様にすればよい。このような非磁性金属保護
膜６の膜厚は30〜300Å、特に50〜200Åが好ましい。The protective film 6 is formed by the above-mentioned non-magnetic metal intermediate layer 4
The same as in the case of. The thickness of such a non-magnetic metal protective film 6 is preferably 30 to 300Å, particularly 50 to 200Å.
さらに、この非磁性金属保護膜６の上にカーボン保護
膜７を設ける。Further, a carbon protective film 7 is provided on the nonmagnetic metal protective film 6.
カーボン保護膜７を設けることによって耐久性、耐候
性はさらに優れたものになる。By providing the carbon protective film 7, durability and weather resistance are further improved.
カーボン保護膜７は、その組成としてＣ単独からなる
が、他の元素を5wt％未満含有するものであってよい。The carbon protective film 7 is composed of C alone as its composition, but may contain other elements in an amount of less than 5 wt%.
カーボン保護膜７は、スパッタ法、イオンプレーティ
ング法、蒸着法、CVD等の各種気相成膜法で形成可能で
あるが、中でも特にスパッタ法によるのが好ましい。こ
の場合には、形成された膜がきわめて緻密となり、一段
と耐久性、耐候性に優れた効果を有する。The carbon protective film 7 can be formed by various vapor phase film forming methods such as a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, and a CVD method, but the sputtering method is particularly preferable. In this case, the formed film becomes extremely dense, and has an effect more excellent in durability and weather resistance.
カーボン保護膜７の膜厚は10〜800Å、特に100〜400
Åが好ましい。The thickness of the carbon protective film 7 is 10 to 800Å, especially 100 to 400
Å is preferred.
さらに、非磁性金属保護膜６やカーボン保護膜７の表
面をプラズマ処理しておくことが好ましい。Further, it is preferable that the surfaces of the non-magnetic metal protective film 6 and the carbon protective film 7 are plasma-treated.
このような処理は、媒体の耐久性を向上させるために
有効な手段である。Such treatment is an effective means for improving the durability of the medium.
プラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。 The plasma processing gas is not particularly limited.
すなわち、H2,Ar,He,o2，N2，空気，NH3，O3，H2O,N
O,N2O，NO2などのNO×等の中から適宜選定し、これらの
単独ないし混合したものいずれであってもよい。That is, H 2 , Ar, He, o 2 , N 2 , air, NH 3 , O 3 , H 2 O, N
It may be selected from NO x and the like such as O, N 2 O and NO 2 as appropriate, and any of these may be used alone or in combination.
さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制
限はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであっても
よい。Further, the frequency of the plasma processing power source is not particularly limited, and may be any of direct current, alternating current, microwave, and the like.
上述してきたような磁気記録媒体１は、第１図に示さ
れるように片面記録の媒体としてもよいが、基体２の両
面側に磁性層等を第１図と同様に設けた、いわゆる両面
記録の媒体としてもよい。The magnetic recording medium 1 as described above may be a single-sided recording medium as shown in FIG. 1, but a so-called double-sided recording in which magnetic layers and the like are provided on both sides of the substrate 2 in the same manner as in FIG. May be used as the medium.
Ｖ 発明の具体的作用効果 本発明によれば、表面がプラズマ酸化された磁性層を
有し、この上にカーボン保護膜を有し、この上に所定の
組成成分を含有するトップコート膜を有する。V. Specific Actions and Effects of the Invention According to the present invention, the surface has a magnetic layer whose surface is plasma-oxidized, the carbon protective film is provided on the magnetic layer, and the topcoat film containing a predetermined composition component is provided on the magnetic protective film. .
そのため、得られた媒体は、吸着性、耐久性、耐摩耗
性、耐候性、耐食性等に優れ、実用に際してきわめて高
い信頼性を有する。Therefore, the obtained medium is excellent in adsorptivity, durability, wear resistance, weather resistance, corrosion resistance and the like, and has extremely high reliability in practical use.
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに
詳細に説明する。VI Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the invention.
（実施例１） φ13cm、厚さ1.9mmのディスク状のAl基体２上に、厚
さ20μｍのNiPの下地層３を無電解メッキ法で設けた。
なお、無電解メッキ法は下記のプロセスおよび製造条件
で行った。Example 1 An underlayer 3 of NiP having a thickness of 20 μm was provided on a disk-shaped Al base 2 having a diameter of 13 cm and a thickness of 1.9 mm by an electroless plating method.
The electroless plating method was performed under the following process and manufacturing conditions.
（NiP無電解メッキ） なお、下地層３の組成はNi:P＝85:15（重量比）、厚
さは20μｍとした。(NiP electroless plating) The composition of the underlayer 3 was Ni: P = 85: 15 (weight ratio), and the thickness was 20 μm.
次いで、下地層３の表面を下記の条件にて研磨処理し
た。Then, the surface of the underlayer 3 was polished under the following conditions.
〈表面研磨処理〉 磁気ディスク用ラッピングマシンを用い、上記基体を
回転させながら、不二見研磨（株）の研磨液、メディポ
ールNo.8（50％希釈液）を用い、100gの加重をかけなが
ら10分間研磨を行った。<Surface polishing treatment> Using a lapping machine for magnetic disks, while rotating the above-mentioned substrate, using a polishing liquid of Fujimi Polishing Co., Ltd., Medipol No. 8 (50% dilution liquid), while applying a weight of 100 g Polishing was performed for 10 minutes.
その後、ディスク基板洗浄装置を用いて洗浄した。工
程は以下に示すとおりである。After that, cleaning was performed using a disk substrate cleaning device. The steps are as follows.
〈洗浄工程〉 1.中性洗剤溶液、浸漬、超音波 2.超純水、スクラブ 3.超純水、スクラブ 4.超純水、浸漬、超音波 5.超純水、浸漬 6.フロン／エタノール混合液、浸漬、超音波 7.フロン／エタノール混合液、浸漬 8.フロン／エタノール、蒸気（→乾燥） このような洗浄工程後、下地層３の表面に凹凸部を下
記のようにして設けた（以下、テクスチャリング工程と
いう）。すなわち、テープポリッシングマシンを用い、
基体を回転させながら、基体表面に同心円状の不規則な
溝を設けた。工程条件は、ポリッシングテープ番手＃40
00、コンタクト圧力1.2Kg/cm2、オシレーション50回／
分、ワーク回転数150回／分とした。<Cleaning process> 1. Neutral detergent solution, immersion, ultrasonic wave 2. Ultra pure water, scrub 3. Ultra pure water, scrub 4. Ultra pure water, immersion, ultrasonic wave 5. Ultra pure water, immersion 6. CFC / Ethanol mixed solution, immersion, ultrasonic wave 7. CFC / ethanol mixed solution, immersion 8. CFC / ethanol, steam (→ drying) After such a cleaning step, the unevenness is provided on the surface of the underlayer 3 as follows. (Hereinafter referred to as the texturing process). That is, using a tape polishing machine,
While rotating the substrate, concentric irregular grooves were provided on the surface of the substrate. Process conditions are polishing tape count # 40
00, contact pressure 1.2Kg / cm 2 , 50 oscillations /
Min, and the work rotation speed was 150 times / min.
その後、さらに前記と同様な洗浄を行った後、Crから
成る非磁性金属中間層４をスパッタで膜厚2000Åに設層
した。Thereafter, after the same cleaning as described above, a nonmagnetic metal intermediate layer 4 made of Cr was formed to a thickness of 2000 mm by sputtering.
設層条件は、Arガス圧2.0Pa、DC8KWとした。なお、こ
の非磁性金属中間層４の形成前にArガス圧0.2Pa、RF400
Wの条件でエッチング処理を行った。The layering conditions were an Ar gas pressure of 2.0 Pa and a DC of 8 KW. Before forming the non-magnetic metal intermediate layer 4, Ar gas pressure 0.2 Pa, RF400
The etching process was performed under the condition of W.
その後、この上に連続して以下に示すような各種金属
薄膜磁性層５を設層した。なお、無電解メッキ法で磁性
層を設層する場合には、上記のエッチング処理は行わ
ず、しかもCrからなる非磁性金属中間層４も設けなかっ
た。Then, various metal thin film magnetic layers 5 as shown below were continuously formed thereon. When the magnetic layer was formed by the electroless plating method, the above etching treatment was not performed, and the nonmagnetic metal intermediate layer 4 made of Cr was not provided.
〈金属薄膜磁性層の形成〉 磁性層No.1 CoNi磁性層をスパッタ法を用いて形成した。成膜条件
はArガス圧2.0Pa、DC8KWとした。CoNi組成重量比はCo/N
i＝80/20、膜厚は600Åとした。<Formation of metal thin film magnetic layer> The magnetic layer No. 1 CoNi magnetic layer was formed by the sputtering method. The film forming conditions were Ar gas pressure 2.0 Pa and DC 8 KW. CoNi composition weight ratio is Co / N
i = 80/20 and the film thickness was 600Å.
その後、この磁性層表面を下記の条件でプラズマ酸化
処理した。Thereafter, the surface of the magnetic layer was subjected to plasma oxidation treatment under the following conditions.
処理ガス：NO2 ガス流量:10SCCM 真空度:0.05Torr 電源:13.56MHz 膜平均▲▼:0.1 表面から1/10までの(O/Co)u:0.8 表面から1/10より基板側の(O/Co)l:0.01 磁性層No.2 CoNiCr磁性層をスパッタ法を用いて形成した。成膜条
件はArガス圧2.0Pa、DC8KWとした。Processing gas: NO 2 gas flow rate: 10SCCM Vacuum degree: 0.05 Torr Power supply: 13.56MHz Membrane average ▲ ▼: 0.1 (O / Co) u from surface to 1/10 u : 0.8 (O / Co) l : 0.01 Magnetic layer No. 2 CoNiCr magnetic layer was formed by the sputtering method. The film forming conditions were Ar gas pressure 2.0 Pa and DC 8 KW.
CoNiCr組成重量比は62.5:30:7.5とし、膜厚は600Åと
した。The CoNiCr composition weight ratio was 62.5: 30: 7.5, and the film thickness was 600Å.
その後、この磁性層表面を下記の条件でプラズマ酸化
処理した。Thereafter, the surface of the magnetic layer was subjected to plasma oxidation treatment under the following conditions.
処理ガス：O2 ガス流量:25SCCM 真空度:0.01Torr 電源:2.45GHz ▲▼:0.08 (O/Co)u:0.5 (O/Co)l:0.01 磁性層No.3 CoCr磁性層をスパッタ法を用いて形成した。成膜条件
はArガス圧2.0Pa、DC8KWとした。Processing gas: O 2 gas flow rate: 25SCCM Vacuum degree: 0.01 Torr Power supply: 2.45 GHz ▲ ▼: 0.08 (O / Co) u : 0.5 (O / Co) l : 0.01 Magnetic layer No.3 CoCr Magnetic layer is sputtered Formed using. The film forming conditions were Ar gas pressure 2.0 Pa and DC 8 KW.
CoCrの組成重量比はCo/Cr＝87/13、膜厚は1000Åとし
た。The composition weight ratio of CoCr was Co / Cr = 87/13, and the film thickness was 1000Å.
その後、この磁性層表面を下記の条件でプラズマ酸化
処理した。Thereafter, the surface of the magnetic layer was subjected to plasma oxidation treatment under the following conditions.
処理ガス：O2 ガス流量:25SCCM 真空度:0.01Torr 電源:2.45GHz ▲▼:0.15 (O/Co)u:1.0 (O/Co)l:0.008 磁性層No.4 CoNiP磁性層を無電解メッキ法を用いて形成した。CoN
iPの組成重量比はCo:Ni:P＝6:4:1、膜厚は1000Åとし
た。Processing gas: O 2 gas flow rate: 25 SCCM Vacuum degree: 0.01 Torr Power supply: 2.45 GHz ▲ ▼: 0.15 (O / Co) u : 1.0 (O / Co) l : 0.008 Magnetic layer No.4 CoNiP magnetic layer is electroless plated It was formed using the method. CoN
The composition weight ratio of iP was Co: Ni: P = 6: 4: 1, and the film thickness was 1000Å.
その後、この磁性層表面を下記の条件でプラズマ酸化
処理した。Thereafter, the surface of the magnetic layer was subjected to plasma oxidation treatment under the following conditions.
処理ガス：O2 ガス流量:25SCCM 真空度:0.01Torr 電源:2.45GHz ▲▼:0.20 (O/Co)u:0.1 (O/Co)l:0.02 なお、無電解メッキプロセスおよび製造条件は以下の
とおりとした。Processing gas: O 2 gas flow rate: 25SCCM Vacuum degree: 0.01 Torr Power supply: 2.45 GHz ▲ ▼: 0.20 (O / Co) u : 0.1 (O / Co) l : 0.02 The electroless plating process and manufacturing conditions are as follows. It was as follows.
磁性層５ CoNi磁性層をスパッタ法を用いて形成した。成膜条件
はArガス圧2.0Pa、DC8KWとした。CoNi組成重量比はCo/N
i＝80/20、膜厚は600Åとした。 Magnetic layer 5 A CoNi magnetic layer was formed by sputtering. The film forming conditions were Ar gas pressure 2.0 Pa and DC 8 KW. CoNi composition weight ratio is Co / N
i = 80/20 and the film thickness was 600Å.
その後、この磁性層表面を下記の条件でプラズマ酸化
処理した。Thereafter, the surface of the magnetic layer was subjected to plasma oxidation treatment under the following conditions.
処理ガス：NO2 ガス流量:50SCCM 真空度:0.2Torr 電源:13.56MHz、プラズマパワー5Wで５秒処理した。Processing gas: NO 2 gas flow rate: 50 SCCM Vacuum degree: 0.2 Torr Power supply: 13.56 MHz, plasma power 5 W, processing for 5 seconds.
膜平均▲▼:0.005 表面から1/10までの(O/Co)u:0.008 表面から1/10より基板側の(O/Co)l:0.003 磁性層６ 磁性層２において、プラズマ酸化処理を行なわなかっ
た。Film average ▲ ▼: 0.005 from surface to 1/10 (O / Co) u : 0.008 from surface to 1/10 from substrate side (O / Co) l : 0.003 Magnetic layer 6 Magnetic layer 2 is subjected to plasma oxidation treatment. I didn't.
磁性層７ 磁性層３において、プラズマ酸化処理を行なわなかっ
た。Magnetic Layer 7 In the magnetic layer 3, no plasma oxidation treatment was performed.
磁性層８ 磁性層４において、プラズマ酸化処理を行なわなかっ
た。Magnetic Layer 8 The magnetic layer 4 was not subjected to plasma oxidation treatment.
磁性層６〜８のO/Coは0.005〜0.05であった。 The O / Co of the magnetic layers 6 to 8 was 0.005 to 0.05.
このようにして設層された種々の金属薄膜磁性層５上
にCrから成る非磁性金属保護膜６を形成した。成膜はス
パッタ法で行い、その条件は、Arガス圧2.0Pa、DC8KWと
し、膜厚は100Åとした。A nonmagnetic metal protective film 6 made of Cr was formed on the various metal thin film magnetic layers 5 thus formed. The film formation was carried out by the sputtering method under the conditions of Ar gas pressure 2.0 Pa, DC 8 KW, and film thickness 100 Å.
ただし、金属薄膜磁性層５として前述した磁性層No.1
〜４のうち磁性層No.4の材料を用いた場合に限り、非磁
性金属保護膜６を形成する直前に、金属薄膜磁性層５表
面にArガス圧0.2Pa、RF400Wの条件でエッチング処理を
施した。However, the magnetic layer No. 1 described above as the metal thin film magnetic layer 5
Only when the material of the magnetic layer No. 4 of the above-mentioned 4 is used, immediately before forming the non-magnetic metal protective film 6, the surface of the metal thin film magnetic layer 5 is subjected to an etching treatment under the conditions of Ar gas pressure 0.2 Pa and RF 400 W. gave.
さらにこのような非磁性金属保護膜６の上にカーボン
保護膜をスパッタ法で、厚さ250Åに設けた。なお、ス
パッタ条件はArガス圧0.2Pa、DC8KWとした。Further, a carbon protective film having a thickness of 250 Å was formed on the non-magnetic metal protective film 6 by the sputtering method. The sputtering conditions were Ar gas pressure 0.2 Pa and DC 8 KW.
ただし、金属薄膜磁性層５として前述した磁性層No.1
〜４のうち磁性層No.4の材料を用いた場合に限り、非磁
性金属層を形成する直前に、金属薄膜磁性層表面にArガ
ス圧0.2Pa、RF400Wの条件でエッチング処理を施した。However, the magnetic layer No. 1 described above as the metal thin film magnetic layer 5
Only when the material of the magnetic layer No. 4 among the materials No. 4 to No. 4 was used, the surface of the metal thin film magnetic layer was subjected to etching treatment under the conditions of Ar gas pressure 0.2 Pa and RF 400 W immediately before forming the non-magnetic metal layer.
さらにこのカーボン保護膜の表面をプラズマ処理し
た。プラズマ処理条件は、処理ガスN2、圧力0.04Torr、
電源は13.56MHzの高周波とし、投入電源は3KWとした。Further, the surface of this carbon protective film was plasma-treated. Plasma processing conditions are processing gas N 2 , pressure 0.04 Torr,
The power supply was a high frequency of 13.56MHz, and the input power supply was 3KW.
この上を不織布にてクリーニングした後下記に示すよ
うな種々の有機フッ素化合物を含むトップコート層をス
ピンコート法、蒸着法またはスパッタ法で設層した。膜
厚はすべて50Åとした。After cleaning this with a non-woven fabric, a top coat layer containing various organic fluorine compounds as shown below was formed by spin coating, vapor deposition or sputtering. All film thicknesses were 50Å.
〈トップコート層組成〉 組成１（本発明） トップコート層組成として以下に示される構造式から
なるKRYTOX157FS （デュポン社製） をフロン113（ダイキン工業社製、ダイフロンＳ−３）
の溶媒中に混合し、有機フッ素化合物含有塗布液濃度を
0.05重量％に調整した。そして、このものをスピンコー
ト法で設層した。スピンコート条件は回転数1000rpm、1
0秒間とした。組成２ トップコート層組成として、以下に示される構造式か
らなるKRYTOX143AZ （デュポン社製、分子量2000） をフロン113（ダイキン工業社製、ダイフロンＳ−３）
の溶媒中に混合し、この有機フッ素化合物含有塗布液濃
度を0.05重量％に調整した。<Topcoat Layer Composition> Composition 1 (Invention) KRYTOX157FS (manufactured by DuPont) having the structural formula shown below as the topcoat layer composition. Freon 113 (Daikin Industries, Daiflon S-3)
Of the coating solution containing the organic fluorine compound.
Adjusted to 0.05% by weight. Then, this layer was formed by spin coating. Spin coating conditions are rotation speed 1000 rpm, 1
It was set to 0 seconds. Composition 2 KRYTOX143AZ (DuPont, molecular weight 2000) consisting of the structural formula shown below as the composition of the top coat layer Freon 113 (Daikin Industries, Daiflon S-3)
The solvent was mixed with the solvent to adjust the concentration of the coating solution containing the organic fluorine compound to 0.05% by weight.
そして、このものを上記組成１の場合と同様の方法で
設層した。Then, this was deposited in the same manner as in the case of the above composition 1.
組成３ トップコート層組成として、Fomblin Y25（モンテフ
ルオス社製、分子量3000）をフロン113（ダイキン工業
社製、ダイフロンＳ−３）の溶媒中に混合し、この有機
フッ素化合物含有塗布液濃度を0.05重量％に調整した。Composition 3 As a top coat layer composition, Fomblin Y25 (manufactured by Montefluos, molecular weight 3000) was mixed in a solvent of Freon 113 (Daikin Industries, Ltd., Daiflon S-3), and the concentration of the coating solution containing the organic fluorine compound was 0.05 weight. Adjusted to%.
そして、このものを上記組成１の場合と同様の方法で
設層した。Then, this was deposited in the same manner as in the case of the above composition 1.
組成４ トップコート層組成として、以下に示される構造式か
らなるFomblin Z DEAL CH3OCOCF2−［(O-CF2-CF2)N −(O-CF2)M］−OCF2COOCH3 （ここで、Ｎ、Ｍはそれぞれ11〜49） をフロン113（ダイキン工業社製、ダイフロンＳ−３）
の溶媒中に混合し、この有機フッ素化合物含有塗布液濃
度を0.05重量％に調整した。Composition 4 As the composition of the top coat layer, Fomblin Z DEAL CH 3 OCOCF 2 − [(O-CF 2 -CF 2 ) N − (O-CF 2 ) M ] −OCF 2 COOCH 3 (composed of the structural formulas shown below. Here, N and M are 11 to 49, respectively, and Freon 113 (manufactured by Daikin Industries, Ltd., Daiflon S-3)
The solvent was mixed with the solvent to adjust the concentration of the coating solution containing the organic fluorine compound to 0.05% by weight.
そして、このものを上記組成１の場合と同様の方法で
設層した。Then, this was deposited in the same manner as in the case of the above composition 1.
組成５ トップコート層組成として、上記組成１で用いたKRYT
OX157FS（デュポン社製）の固形成分を蒸発源とし、蒸
着法によってトップコート層を設層した。Composition 5 KRYT used in Composition 1 above as the topcoat layer composition
A solid component of OX157FS (manufactured by DuPont) was used as an evaporation source to form a top coat layer by a vapor deposition method.
なお、蒸着に際して雰囲気圧力Ｐは１×10-2Pa、蒸発
源−被着体距離は5cmとした。At the time of vapor deposition, the atmospheric pressure P was 1 × 10 -2 Pa, and the distance between the evaporation source and the adherend was 5 cm.
組成６ トップコート層組成として、上記組成３で用いたFomb
lin Y25（モンテフルオス社製、分子量3000）の固形成
分を蒸発源とし、蒸着法によってトップコート層を設層
した。Composition 6 Fomb used in Composition 3 as the top coat layer composition
Using a solid component of lin Y25 (Montefluos Co., Ltd., molecular weight 3000) as an evaporation source, a top coat layer was formed by vapor deposition.
なお、蒸着に際して雰囲気圧力Ｐはトップコート層５
の場合と同様にした。At the time of vapor deposition, the atmospheric pressure P is the top coat layer 5
The same as in the case of.
組成７ トップコート層組成として、KRYTOX157FSをプレート
上に塗布し、溶剤を蒸発させた固形成分の板状物をター
ゲットとし、スパッタ法によってトップコート層を設層
した。Composition 7 As a top coat layer composition, KRYTOX157FS was applied onto a plate, and a plate-like material of a solid component obtained by evaporating a solvent was used as a target to form a top coat layer by a sputtering method.
スパッタ条件は、スパッタ電力3KW、動作圧力1Pa、タ
ーゲツト−被着体距離10cmの範囲で行なった。The sputtering conditions were such that the sputtering power was 3 KW, the operating pressure was 1 Pa, and the target-adherent distance was 10 cm.
なお、スパッタのターゲットとして用いた樹脂の大き
さは約15×30cm程度のものである。The size of the resin used as the sputtering target is about 15 × 30 cm.
スパッタにおける不活性ガスはアルゴンを用いた。 Argon was used as the inert gas in the sputtering.
組成８（比較） トップコート層組成として、シリコーンオイル（東芝
シリコーン TSF451、粘度1000CPS）を上記組成１で用
いた溶媒中に混合し、潤滑剤含有塗布液濃度を0.05wt％
に調整した。そして、このものをトップコート層として
上記組成１の場合に準じて塗設した。Composition 8 (comparative) As a top coat layer composition, silicone oil (Toshiba Silicone TSF451, viscosity 1000 CPS) was mixed in the solvent used in the above composition 1, and the concentration of the lubricant-containing coating solution was 0.05 wt%.
Adjusted to. Then, this was applied as a top coat layer according to the case of the above composition 1.
このようにして、下記表１に示される種々の磁気ディ
スクサンプルを作製し、下記に示すような特性を測定し
た。In this way, various magnetic disk samples shown in Table 1 below were prepared, and the following characteristics were measured.
なお、サンプルNo.9については、非磁性金属保護膜と
トップコート膜との間にカーボン保護膜を設けず、さら
にプラズマ処理もしなかった。For sample No. 9, no carbon protective film was provided between the non-magnetic metal protective film and the top coat film, and no plasma treatment was performed.
サンプルNo.10については、上記カーボン保護膜を設
けたが、この上をプラズマ処理しなかった。Regarding sample No. 10, the above carbon protective film was provided, but no plasma treatment was performed thereon.
（１）耐候性テスト ディスクをデイクドライブに入れた状態で、クリーン
な恒温恒湿槽にセットし、75℃、80％RHの環境下に１ヶ
月間放置した後、ミッシングパルスエラーの増加数を測
定（5.25インチ、片面）した。なお、ミッシングパルス
レベルは65％とした。(1) Weather resistance test With the disc in the Dake drive, set it in a clean constant temperature and humidity chamber, leave it in the environment of 75 ° C, 80% RH for 1 month, and then increase the number of missing pulse errors. Was measured (5.25 inches, one side). The missing pulse level was 65%.
（２）摩擦係数 CSS（コンタクト・スタート・アンド・ストップ）３
万回後、ヘッドを接触させたままの状態で20℃、60％RH
の環境下に３日間放置した後、磁気ディスクサンプル表
面の摩擦係数を測定した。(2) Coefficient of friction CSS (contact start and stop) 3
After 10,000 times, with the head still in contact, 20 ℃, 60% RH
After being left for 3 days in the above environment, the friction coefficient of the magnetic disk sample surface was measured.
なお、ヘッドはMn−Znフェライトヘッドを使用した。 The head used was a Mn-Zn ferrite head.
（３）媒体表面観察 CSSテスト後の表面を電子顕微鏡SEM像観察した。(3) Observation of Medium Surface The surface after the CSS test was observed with an electron microscope SEM image.
その表面のキズの程度を◎、○、△、×、××で評価
した。The degree of scratches on the surface was evaluated by ⊚, ○, Δ, ×, and XX.
◎……キズが全くないもの ○……トップ・コート層表面のみキズが入っているもの △……保護膜表面にキズの入っているもの ×……キズが深く保護膜内部までキズが入っているもの ××……キズが磁性層まで深く到達しているもの これらの結果を表１に示す。◎ …… No scratches ○ …… Scratches only on the surface of the top coat layer △ …… Scratches on the surface of the protective film × …… Scratches deep inside the protective film XX: Scratches deeply reaching the magnetic layer These results are shown in Table 1.
表１の結果より本発明の効果があきらかである。 From the results of Table 1, the effect of the present invention is clear.
第１図は、本発明の磁気記録媒体の断面図を示す。 第２図は、プラズマ酸化処理装置の概略図である。 符号の簡単な説明 １……磁気記録媒体、２……非磁性基体、３……下地
層、４……非磁性金属中間層、５……金属薄膜磁性層、
６……非磁性金属保護膜、７……カーボン保護膜、８…
…トップコート膜、53……混合器、54……直流、交流お
よび周波数可変型電源、56……油回転ポンプ、57……液
体窒素トラップ、58……油回転ポンプ、59……真空コン
トローラ、111……被処理体、511、512……処理ガス
源、521、522……マスフローコントローラ、551、552…
…電極FIG. 1 shows a sectional view of the magnetic recording medium of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma oxidation treatment apparatus. Brief description of symbols 1 ... Magnetic recording medium, 2 ... Nonmagnetic substrate, 3 ... Underlayer, 4 ... Nonmagnetic metal intermediate layer, 5 ... Metal thin film magnetic layer,
6 ... Non-magnetic metal protective film, 7 ... Carbon protective film, 8 ...
… Top coat film, 53 …… Mixer, 54 …… DC, AC and variable frequency power supply, 56 …… Oil rotary pump, 57 …… Liquid nitrogen trap, 58 …… Oil rotary pump, 59 …… Vacuum controller, 111 ... Object to be treated, 511, 512 ... Processing gas source, 521, 522 ... Mass flow controller, 551, 552 ...
…electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上田 国博 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−121521（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kunihiro Ueda 1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDC Corporation (56) References JP-A-60-121521 (JP, A)
Claims (13)
た金属薄膜磁性層を有し、金属薄膜磁性層中のCoとＯの
平均原子比O/Coが0.01〜0.3であり、金属薄膜磁性層表
面側から1/10の位置までの厚さに含有されるCoとＯの平
均原子比O/Coが、金属薄膜磁性層の基体側から1/10位置
までの厚さに含有されるＯとCoの平均原子比O/Coの３倍
以上であり、金属薄膜磁性層上にカーボン保護膜を有
し、カーボン保護膜上に有機フッ素化合物を含有するト
ップコート膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。1. A metal thin film having a metal thin film magnetic layer whose surface is plasma-oxidized on a non-magnetic substrate, and the average atomic ratio O / Co of Co and O in the metal thin film magnetic layer is 0.01 to 0.3. The average atomic ratio O / Co of Co and O contained in the thickness from the magnetic layer surface side to the 1/10 position is contained in the thickness from the substrate side of the metal thin film magnetic layer to the 1/10 position. An average atomic ratio of O and Co is 3 times or more of O / Co, a carbon protective film is provided on the metal thin film magnetic layer, and a top coat film containing an organic fluorine compound is provided on the carbon protective film. Magnetic recording medium.
Ni、Cr、Ｐのうちの１種以上とを主成分とする特許請求
の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。2. The thin metal film magnetic layer comprises Co and O or Co and O.
The magnetic recording medium according to claim 1, which contains at least one of Ni, Cr, and P as a main component.
ポリエーテルまたはその塩もしくはエステル、パーフル
オロエチレンポリマーのうちの１種以上を含有する特許
請求の範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒体。3. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the top coat film contains one or more of carboxyperfluoropolyether or a salt or ester thereof, and perfluoroethylene polymer. .
る特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載
の磁気記録媒体。4. The magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the top coat film is a coating film or a vapor phase film.
プレーティング膜である特許請求の範囲第４項に記載の
磁気記録媒体。5. The magnetic recording medium according to claim 4, wherein the vapor phase film is a vapor deposition film, a sputtering film or an ion plating film.
する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記
載の磁気記録媒体。6. The magnetic recording medium according to claim 1, further comprising an underlayer between the substrate and the metal thin film magnetic layer.
非磁性金属中間層を有する特許請求の範囲第１項ないし
第６項のいずれかに記載の磁気記録媒体。7. The magnetic recording medium according to claim 1, further comprising a non-magnetic metal intermediate layer in contact with the magnetic layer on the substrate side of the metal thin film magnetic layer.
非磁性金属保護膜を有する特許請求の範囲第１項ないし
第７項のいずれかに記載の磁気記録媒体。8. The magnetic recording medium according to claim 1, further comprising a non-magnetic metal protective film between the metal thin film magnetic layer and the top coat film.
ている特許請求の範囲第８項に記載の磁気記録媒体。9. The magnetic recording medium according to claim 8, wherein the surface of the non-magnetic metal protective film is plasma-treated.
ている特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに
記載の磁気記録媒体。10. The magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 9, wherein the surface of the carbon protective film is plasma-treated.
範囲第６項ないし第10項のいずれかに記載の磁気記録媒
体。11. The magnetic recording medium according to claim 6, wherein the surface of the underlayer has irregularities.
範囲第１項ないし第11項のいずれかに記載の磁気記録媒
体。12. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the non-magnetic substrate is a rigid substrate.
第１項ないし第12項のいずれかに記載の磁気記録媒体。13. The magnetic recording medium according to claim 1, which has a disk shape.
Priority Applications (2)
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| JP61151174A JPH0827930B2 (en) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Magnetic recording media |
| US07/041,489 US4889767A (en) | 1986-04-23 | 1987-04-23 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151174A JPH0827930B2 (en) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Magnetic recording media |
Publications (2)
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Family Cites Families (1)
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1986
- 1986-06-27 JP JP61151174A patent/JPH0827930B2/en not_active Expired - Fee Related
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