JPH08279548A - Pin used in hot plate type proximity bake furnace and furnace using the same - Google Patents
Pin used in hot plate type proximity bake furnace and furnace using the sameInfo
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- JPH08279548A JPH08279548A JP33805893A JP33805893A JPH08279548A JP H08279548 A JPH08279548 A JP H08279548A JP 33805893 A JP33805893 A JP 33805893A JP 33805893 A JP33805893 A JP 33805893A JP H08279548 A JPH08279548 A JP H08279548A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホットプレート型のプロキシミティベーク炉
の基板を支持するピンを合成樹脂製にすることにより、
ピンにより基板の裏面に傷が発生することを防止する。
【構成】 ホットプレート型のプロキシミティベーク炉
1において、ホットプレート4の均熱板32から上方に
突出して複数個設けられ、基板5を支持する頭部8を有
し、頭部8に載置される基板5と均熱板3とをプロキシ
ミティベークが可能な距離に保持するプロキシミティピ
ン6,6aが、合成樹脂製である。
(57) [Abstract] [Purpose] By making the pins that support the substrate of the hot plate type proximity bake oven made of synthetic resin,
The pins prevent the back surface of the substrate from being scratched. A hot plate type proximity bake furnace 1 is provided with a plurality of heads 8 that project upward from a soaking plate 32 of a hot plate 4 and that supports a substrate 5, and is mounted on the head 8. The proximity pins 6 and 6a for holding the substrate 5 and the heat equalizing plate 3 at a distance capable of proximity baking are made of synthetic resin.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、IC及び液
晶パネル等の素子の製造において、基板をホットプレー
トの加熱面に接近させて熱処理をおこなうホットプレー
ト型のプロキシミティベーク炉に使用するピンとそれを
使用したホットプレート型のプロキシミティベーク炉に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pin used for a hot plate type proximity bake furnace which heats a substrate by bringing it close to the heating surface of a hot plate in the manufacture of elements such as ICs and liquid crystal panels. The present invention relates to a hot plate type proximity bake furnace using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、フォトレジスト塗布処理工程(フ
ォトリソ工程の一部)でフォトレジストを塗布された、
IC及び液晶パネル等の素子の基板は、図6に示すよう
に、ヒータ2および均熱板3からなるホットプレート4
を有するベーク炉に、図示しない搬送用ビームの動作に
より連続的に搬送される。このホットプレート4上に搬
送された基板5は加熱され、基板5に塗布されたフォト
レジスト中の溶剤をある程度蒸散させることにより、感
光剤を主とするフォトレジストの結合を強化することが
できる。2. Description of the Related Art Conventionally, a photoresist is applied in a photoresist applying process (a part of the photolithography process),
As shown in FIG. 6, a substrate for an IC and a device such as a liquid crystal panel is a hot plate 4 including a heater 2 and a soaking plate 3.
Is continuously conveyed to the bake furnace having the above-mentioned structure by the operation of a conveying beam (not shown). The substrate 5 transferred onto the hot plate 4 is heated to evaporate the solvent in the photoresist applied to the substrate 5 to some extent, so that the bonding of the photoresist mainly containing the photosensitizer can be strengthened.
【0003】上記ベーク炉において基板5を均熱板3に
密着し固定させるための方法として、真空吸着方式のも
のがある。真空吸着方式のベーク炉では、ホットプレー
ト4内に形成された真空配管9によりホットプレート4
上に搬送された基板5が、均熱板3に押しつけられる。
これにより、基板5の昇温速度は大きくなり、基板5内
に均等な温度分布が得られる。As a method for fixing the substrate 5 in close contact with the soaking plate 3 in the above baking furnace, there is a vacuum adsorption method. In the vacuum adsorption type baking furnace, the hot plate 4 is formed by the vacuum pipe 9 formed in the hot plate 4.
The substrate 5 conveyed above is pressed against the heat equalizing plate 3.
As a result, the temperature rising rate of the substrate 5 is increased, and a uniform temperature distribution can be obtained within the substrate 5.
【0004】しかし、この真空吸着方式では、ガラス基
板5裏面に付着した塵埃や、ガラス基板5裏面に形成さ
れた凹凸及び傷により、ガラス基板5の搬入出の際、ホ
ットプレート4表面が傷付きその平滑性が失われる場合
がある。このとき、ホットプレート4表面に形成された
傷が、ホットプレート4表面に搬送されるガラス基板5
の裏面に転写される。特にガラス基板の場合は、不良の
原因となる。また、フォトレジストが塗布されたガラス
基板5の端面はレジスト洗浄が困難であり、レジストが
付着した端面を有するガラス基板5がホットプレート4
に吸着されると、端面のレジストが飛散してガラス基板
5の表面及び裏面に付着する。このため、パターン不良
が発生しフォトリソ工程における基板5の歩留りが低下
する原因となる。However, in this vacuum suction method, the surface of the hot plate 4 is scratched when the glass substrate 5 is carried in and out due to dust adhering to the back surface of the glass substrate 5 and irregularities and scratches formed on the back surface of the glass substrate 5. The smoothness may be lost. At this time, the scratches formed on the surface of the hot plate 4 are not transferred onto the surface of the hot plate 4 by the glass substrate 5.
Is transferred to the back side of. Particularly, in the case of a glass substrate, it causes a defect. Further, it is difficult to wash the resist on the end face of the glass substrate 5 coated with the photoresist, and the glass substrate 5 having the end face to which the resist adheres is the hot plate 4
Then, the resist on the end surface scatters and adheres to the front and back surfaces of the glass substrate 5. Therefore, a pattern defect occurs, which causes a reduction in the yield of the substrate 5 in the photolithography process.
【0005】そこで、基板5を、ホットプレート4から
数百ミクロンの距離に接近させて基板5を熱処理する、
いわゆる、プロキシミティベーク炉が近年、使用されて
いる。このプロキシミティベーク炉では、図7に示すよ
うに、プロキシミティピン16を複数個ホットプレート
4上に設置し、基板5をホットプレート4の表面から概
ね1mm以下に接近した状態で保持されるよう構成され
ている。これにより、ホットプレート4と基板5の接触
に起因する、上記した問題は一応解決される。プロキシ
ミティピン16は、通常、ステンレス製のものが使用さ
れ、ホットプレート14の熱が輻射によってまたは、ピ
ン16を介して基板5に伝えられる。Therefore, the substrate 5 is brought close to the hot plate 4 by a distance of several hundreds of microns to heat-treat the substrate 5.
So-called proximity bake ovens have been used in recent years. In this proximity bake furnace, as shown in FIG. 7, a plurality of proximity pins 16 are installed on the hot plate 4 so that the substrate 5 is held in a state in which the substrate 5 is close to the surface of the hot plate 4 within about 1 mm or less. It is configured. As a result, the above-mentioned problem caused by the contact between the hot plate 4 and the substrate 5 is solved for the time being. The proximity pin 16 is usually made of stainless steel, and the heat of the hot plate 14 is transmitted to the substrate 5 by radiation or via the pin 16.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のホット
プレート型のプロキシミティベーク炉では、高温下で、
基板5の搬入出時にプロキシミティピン16を介してホ
ットプレート4自体に繰り返し荷重及びクリープ荷重が
負荷される。このため、基板5を支えるプロキシミティ
ピン16は、上述したように、高温下での機械強度、耐
腐食性及び耐摩耗性にすぐれたステンレス製のものが採
用されている。In the conventional hot plate type proximity bake furnace described above, at high temperature,
The load and the creep load are repeatedly applied to the hot plate 4 itself via the proximity pins 16 when the substrate 5 is carried in and out. Therefore, as described above, the proximity pin 16 that supports the substrate 5 is made of stainless steel, which has excellent mechanical strength at high temperatures, corrosion resistance, and wear resistance.
【0007】しかし、ステンレス製のプロキシミティピ
ン16が設置されたホットプレート4では、基板1の搬
入出の際に、このピン4により基板5裏面に傷が付きや
すい。そこで、本願発明者等は、ステンレス製のプロキ
シミティピン16に対して電解研磨をおこない、表面に
全くひずみのない清潔な仕上げ面を有するピン16の使
用を試みた。しかし、研磨レベルのばらつきにより、す
なわち、基板5を支える複数個のプロキシミティピン1
6の中で、研磨レベルの低いピンによって基板5表面に
傷が生じるという問題が発生する。However, in the hot plate 4 provided with the stainless proximity pins 16, the back surface of the substrate 5 is easily scratched by the pins 4 when the substrate 1 is carried in and out. Therefore, the inventors of the present application performed electrolytic polishing on the stainless proximity pin 16 and attempted to use the pin 16 having a clean finished surface without any distortion on the surface. However, due to variations in the polishing level, that is, the plurality of proximity pins 1 that support the substrate 5
In No. 6, there is a problem that a pin having a low polishing level causes scratches on the surface of the substrate 5.
【0008】そこで、本願発明者等はピン16自体の材
質の検討をおこない、ステンレス製のプロキシミティピ
ンに代わるものとしてポリテトラフルオロエチレン(P
TFE)のプロキシミティピンを製造し使用を試みた。
しかし、プロキシミティピンの頭部、すなわち基板5を
支持する接触部が、高温(110〜200℃)下で繰り
返される基板5の搬入出により、変形が生じるという問
題が発生する。さらに、PTFEに対しガラスまたは黒
鉛を15〜25重量%の割合で混合したものを材料とす
るプロキシミティピンを製造し使用を試みた。しかし、
これでも十分な耐熱性および耐摩耗性を得ることができ
なかった。このため、ピンによる基板の裏面の傷の発生
を防止することが切に望まれている。Therefore, the inventors of the present application examined the material of the pin 16 itself, and used polytetrafluoroethylene (P) as an alternative to the stainless proximity pin.
TFE) proximity pins were manufactured and tried to be used.
However, there is a problem in that the head of the proximity pin, that is, the contact portion that supports the substrate 5 is deformed due to repeated loading and unloading of the substrate 5 under high temperature (110 to 200 ° C.). Further, a proximity pin made of a mixture of PTFE and glass or graphite at a ratio of 15 to 25% by weight was manufactured and tried to be used. But,
Even with this, sufficient heat resistance and abrasion resistance could not be obtained. Therefore, it is urgently desired to prevent the back surface of the substrate from being scratched by the pins.
【0009】本発明の目的は、基板の裏面に傷を発生さ
せないホットプレート型のプロキシミティベーク炉とそ
こで使用されるピンを提供することにある。An object of the present invention is to provide a hot plate type proximity bake furnace which does not cause scratches on the back surface of a substrate and a pin used therein.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】この発明にかかる、ホッ
トプレート型のプロキシミティベーク炉に使用するピン
は、基板をホットプレートに載置しプロキシミティベー
クを行うホットプレート型のプロキシミティベーク炉に
使用され、ホットプレートの加熱面から突出して加熱面
に複数個設けられ、前記基板を支持する頭部を有し、頭
部に載置される基板とホットプレートの加熱面とをプロ
キシミティベークが可能な距離に保持するものである。A pin used in a hot plate type proximity bake furnace according to the present invention is a hot plate type proximity bake furnace in which a substrate is placed on a hot plate to perform a proximity bake. Used, a plurality of heating plates are provided so as to project from the heating surface of the hot plate and have a head for supporting the substrate, and a proximity bake between the substrate placed on the head and the heating surface of the hot plate. It is to keep it at a possible distance.
【0011】また、このピンは、合成樹脂製、好ましく
は全芳香族ポリイミド樹脂製である。全芳香族ポリイミ
ド樹脂としては、次式The pin is made of synthetic resin, preferably wholly aromatic polyimide resin. The wholly aromatic polyimide resin has the following formula
【0012】[0012]
【化2】 を有するものが挙げられる。上記式中、nは好ましくは
2100〜3100、より好ましくは2300〜290
0である。特に好ましい全芳香族ポリイミド樹脂として
は、市販品の“ベスペル”SP−1、SP−21又はS
P−211(デュポン社製の商品名)を利用することが
できる。なお、全芳香ポリイミド樹脂には、3〜20
%、好ましくは8〜15%の黒鉛、又は、フッ素樹脂を
含んでもよい。さらにこのピンは、基板を支持する頭部
の断面形状が、略台形または略半円形であるのが好まし
い。また、このピンが、その頭部の下方に、一部が屈曲
または膨出してホットプレートに係止され、それによっ
てホットプレートから抜け難くなる係止部を備えるのが
好ましい。Embedded image And the like. In the above formula, n is preferably 2100 to 3100, more preferably 2300 to 290.
0. Particularly preferred wholly aromatic polyimide resins are commercially available "Vespel" SP-1, SP-21 or S.
P-211 (trade name of DuPont) can be used. The wholly aromatic polyimide resin has 3 to 20
%, Preferably 8 to 15% of graphite or fluororesin may be contained. Further, in this pin, it is preferable that the cross-sectional shape of the head supporting the substrate is substantially trapezoidal or semi-circular. Further, it is preferable that the pin includes a locking portion below the head thereof, which is partially bent or bulged to be locked to the hot plate, thereby making it difficult to pull out from the hot plate.
【0013】この発明のピンを使用した炉は、基板をホ
ットプレートに載置しプロキシミティベークを行うホッ
トプレート型のプロキシミティベーク炉である。このプ
ロキシミティベーク炉は、ホットプレートの加熱面から
突出して加熱面に複数個設けられ、前記基板を支持する
頭部を有し、頭部に載置される基板とホットプレートの
加熱面とをプロキシミティベークが可能な距離に保持す
る、前述したピンを備えている。A furnace using the pins of the present invention is a hot plate type proximity bake furnace in which a substrate is placed on a hot plate and a proximity bake is performed. This proximity bake furnace has a plurality of heads that are provided on the heating surface so as to project from the heating surface of the hot plate, and that has a head for supporting the substrate, and the substrate placed on the head and the heating surface of the hot plate are connected to each other. It is equipped with the pins mentioned above, which are held at a distance that allows proximity bake.
【0014】また、このプロキシミティベーク炉では、
前述したピンが、その頭部に載置される基板とホットプ
レートの加熱面とを0.2〜0.5mmの距離に保持す
るのが好ましい。さらにこのプロキシミティベーク炉で
は、基板を支持する各ピンの頭部とその頭部に載置され
る基板との接触面積が、0.008〜0.2平方mmで
あるのが好ましい。なお、ここでいうピンとは、軸部と
頭部が異なる、いわゆるピン形状のものだけではなく、
基板とホットプレートの加熱面とを前述した所定の距離
に保持するスペーサーとしての役割を有するものをい
う。したがって、たとえば、軸部と頭部が同じ外径から
なるものであってもよい。Further, in this proximity bake furnace,
It is preferable that the above-mentioned pins hold the substrate placed on the head thereof and the heating surface of the hot plate at a distance of 0.2 to 0.5 mm. Further, in this proximity bake furnace, the contact area between the head of each pin supporting the substrate and the substrate placed on the head is preferably 0.008 to 0.2 square mm. In addition, the pin here is not limited to a so-called pin shape in which the shaft part and the head part are different,
It refers to one having a role as a spacer for holding the substrate and the heating surface of the hot plate at the above-mentioned predetermined distance. Therefore, for example, the shaft portion and the head portion may have the same outer diameter.
【0015】[0015]
【作用】この発明にかかる、ホットプレート型のプロキ
シミティベーク炉に使用するピン及びこのピンを使用し
た炉では、まず、基板をホットプレートに載置する。こ
のとき、基板は、ホットプレートの加熱面から突出して
加熱面に複数個設けられた合成樹脂製のピンの頭部に支
持される。このピンは、基板とホットプレートの加熱面
とをプロキシミティベークが可能な距離に保持する。In the pin used in the hot plate type proximity bake furnace and the furnace using this pin according to the present invention, first, the substrate is placed on the hot plate. At this time, the substrate is supported by the heads of pins made of synthetic resin, which protrude from the heating surface of the hot plate and are provided in plural on the heating surface. This pin holds the substrate and the heated surface of the hot plate at a proximity bakeable distance.
【0016】このピンは、全芳香族ポリイミド樹脂、例
えばベスペルで作った成形品であると、耐熱性、耐摩耗
性、クリープ特性、電気的特性及び真空特性にすぐれて
おり、とくに耐熱性の面では、260℃での連続使用お
よび480℃での断続使用が可能であり、クリープ特性
の面では、260℃,186kg/cm2 でのクリープが
1000時間でわずか0.6%に抑えられている。When this pin is a molded article made of wholly aromatic polyimide resin, for example, Vespel, it has excellent heat resistance, wear resistance, creep characteristics, electrical characteristics and vacuum characteristics, and especially in terms of heat resistance. The continuous use at 260 ° C and the intermittent use at 480 ° C are possible, and in terms of creep characteristics, the creep at 260 ° C and 186 kg / cm 2 is suppressed to only 0.6% after 1000 hours. .
【0017】頭部の断面形状を方形にすると、基板を支
持する各ピンの頭部とその頭部に載置される基板との接
触面積が大きくなり、基板の温度分布が不均一となる。
このため、レジスト感度が不均一となり、パターンの異
常を招く。しかし、この発明のピンを、基板を支持する
頭部の断面形状が、略台形または略半円形にし、基板を
支持する各ピンの頭部とその頭部に載置される基板との
接触面積を、0.008〜0.2平方mmにすると、ピ
ンの頭部とその頭部に載置される基板との接触面積が制
限され、基板面の温度分布の不均一性の度合いをレジス
ト感度に影響を与えない程度にまで下げることができ
る。When the head has a rectangular cross-section, the contact area between the head of each pin that supports the substrate and the substrate placed on the head increases, and the temperature distribution of the substrate becomes uneven.
For this reason, the resist sensitivity becomes non-uniform, and the pattern becomes abnormal. However, in the pin of the present invention, the cross-sectional shape of the head that supports the substrate is substantially trapezoidal or semi-circular, and the contact area between the head of each pin that supports the substrate and the substrate placed on the head. Is 0.008 to 0.2 mm 2, the contact area between the head of the pin and the substrate placed on the head is limited, and the degree of non-uniformity of the temperature distribution on the substrate surface is determined by the resist sensitivity. Can be lowered to the extent that it does not affect.
【0018】また、このピンは、ホットプレートの頭部
に載置される基板とホットプレートの加熱面との距離が
0.2mm未満であれば、基板のたわみにより基板面に
温度分布の不均一が生じやすい。逆に、基板とホットプ
レートの加熱面との距離が0.5mmを超えると、ホッ
トプレートの加熱面から基板に対し輻射熱が均一に伝わ
らない。しかし、この発明の請求項7に係るホットプレ
ート型のプロキシミティベーク炉では、ホットプレート
の頭部に載置される基板とホットプレートの加熱面とを
0.2mm〜0.5mmの距離に保持するようピンの頭
部の高さが、設定されているので、基板面に伝えられる
熱の不均一性が生じ難い。また、上記炉に使用するピン
は、その頭部の下方に、一部が屈曲または膨出してホッ
トプレートに係止され、それによってホットプレートか
ら抜け難くなる係止部を具備していると、基板の搬入出
の際、基板と接触するピンの安定性が得られる。Further, if the distance between the substrate placed on the head of the hot plate and the heating surface of the hot plate is less than 0.2 mm, the pin is bent and the temperature distribution is non-uniform on the substrate surface. Is likely to occur. On the contrary, if the distance between the substrate and the heating surface of the hot plate exceeds 0.5 mm, the radiant heat is not evenly transferred from the heating surface of the hot plate to the substrate. However, in the hot plate type proximity bake furnace according to claim 7 of the present invention, the substrate placed on the head of the hot plate and the heating surface of the hot plate are held at a distance of 0.2 mm to 0.5 mm. Since the height of the head of the pin is set so that the non-uniformity of heat transferred to the substrate surface is unlikely to occur. Further, the pin used in the furnace, below the head of the pin, is provided with a locking portion that is partially bent or bulged to be locked to the hot plate, thereby making it difficult to come out of the hot plate, The stability of the pins that come into contact with the substrate is obtained when the substrate is loaded and unloaded.
【0019】[0019]
【実施例】図1は、この発明の一実施例で、従来のホッ
トプレートを利用したホットプレート型のプロキシミテ
ィベーク炉を示す。ホットプレート型のプロキシミティ
ベーク炉1は、ヒータ2と、ヒータ2の上面に密着して
設けられた均熱板3とからなるホットプレート4でおも
に構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an embodiment of the present invention and shows a hot plate type proximity bake furnace utilizing a conventional hot plate. The hot plate type proximity bake furnace 1 is mainly configured by a hot plate 4 including a heater 2 and a soaking plate 3 provided in close contact with the upper surface of the heater 2.
【0020】均熱板3の表面には、ホットプレート4上
に搬送されたガラス基板5を裏面から支持するための複
数のプロキシミティピン6が設置されている。このピン
6は、ベスペルの成形品である。なお、ベスペルは、
p,p’−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット
酸との縮合により製造されたものである。図2及び図3
に示した、上記したピン6は、軸部7および頭部8から
構成され、軸部7はホットプレート4内に形成された真
空吸着用の配管9の開口部9aにそれぞれ挿入されてい
る。A plurality of proximity pins 6 for supporting the glass substrate 5 carried on the hot plate 4 from the back surface are provided on the front surface of the heat equalizing plate 3. The pin 6 is a Vespel molded product. In addition, Vespel is
It is produced by condensation of p, p'-diaminodiphenyl ether and pyromellitic acid. 2 and 3
The pin 6 shown in FIG. 2 is composed of a shaft portion 7 and a head portion 8, and the shaft portion 7 is inserted into each opening 9a of the vacuum suction pipe 9 formed in the hot plate 4.
【0021】配管9の開口部9aは均熱板3の表面に複
数個設けられている。開口部9aは、挿入されたピン6
の頭部8によってガラス基板5を均熱板3の上方に支持
できるよう、ガラス基板5の大きさに応じた所定の間隔
で形成されている。配管9は、従来の真空吸着方式で採
用されていた基板5の固定機構の一部であるが、この実
施例では基板5の固定のために真空吸着を用いず、開口
部9aを各ピン6の固定部としてのみ使用している。A plurality of openings 9a of the pipe 9 are provided on the surface of the heat equalizing plate 3. The opening 9a has the inserted pin 6
The head portions 8 are formed at predetermined intervals according to the size of the glass substrate 5 so that the glass substrate 5 can be supported above the heat equalizing plate 3. The pipe 9 is a part of the fixing mechanism of the substrate 5 which is used in the conventional vacuum suction method, but in this embodiment, the vacuum suction is not used for fixing the substrate 5, and the opening 9a is provided on each pin 6 with a pin. It is used only as a fixed part of.
【0022】ピン6の軸部7は、直径が0.8mm〜
1.0mm、長さが10mm〜15mmの円柱で形成さ
れている。頭部8は、断面形状が略台形、すなわち、頭
を切った円すいで形成されている。頭部8は、高さが
0.2mm〜0.5mm、底面の直径が1.5mm〜
2.0mm、上面(頭頂部8a)の直径が0.05mm
〜0.25mmである。The shaft portion 7 of the pin 6 has a diameter of 0.8 mm to
It is formed of a cylinder having a length of 1.0 mm and a length of 10 mm to 15 mm. The head 8 has a substantially trapezoidal cross section, that is, it is formed as a truncated cone. The head 8 has a height of 0.2 mm to 0.5 mm and a bottom surface diameter of 1.5 mm to
2.0 mm, diameter of top surface (crown 8a) is 0.05 mm
Is about 0.25 mm.
【0023】また、図3に示したピン6aは、ピン6と
同様の軸部7から構成されている。ピン6aの頭部8
は、断面形状が略半円の球帯で形成されている。頭部8
は、高さが0.2mm〜0.5mmであり、下部の底面
の直径が1.5mm〜2.0mm、上面(頭頂部8a)
の直径が0.05mm〜0.25mmである。なお、軸
部7は、円柱のみならず、角柱であってもよい。また、
円柱の断面はだ円であってもよい。The pin 6a shown in FIG. 3 is composed of a shaft portion 7 similar to the pin 6. Head 8 of pin 6a
Is formed of a spherical zone having a substantially semicircular cross section. Head 8
Has a height of 0.2 mm to 0.5 mm, a bottom bottom diameter of 1.5 mm to 2.0 mm, and a top surface (crown 8a).
Has a diameter of 0.05 mm to 0.25 mm. In addition, the shaft portion 7 may be not only a cylinder but also a prism. Also,
The cross section of the cylinder may be an ellipse.
【0024】このような構成により、各ピン6,6aの
頭頂部8aとその頭頂部8aに載置される基板5との接
触面積が、0.008〜0.2平方mmに設定すること
ができる。次に、ベスペルの物性につき、他の材料と比
較した諸特性を表1にしめす。With such a structure, the contact area between the crown 8a of each pin 6, 6a and the substrate 5 placed on the crown 8a can be set to 0.008 to 0.2 square mm. it can. Next, regarding the physical properties of Vespel, various properties compared with other materials are shown in Table 1.
【0025】[0025]
【表1】 [Table 1]
【0026】このように、ベスペルは、特に熱的特性に
すぐれ、熱変形温度,連続使用温度においてPTFEを
大きく上まわっている。また、図4にしめすように、高
温下における高い引張強度を有している。さらに、ベス
ペルの摩擦特性を他の材料と比較した諸特性を表2にし
めす。As described above, Vespel has excellent thermal characteristics, and greatly exceeds PTFE at heat distortion temperature and continuous use temperature. Further, as shown in FIG. 4, it has high tensile strength at high temperature. Further, Table 2 shows various characteristics of the friction characteristics of Vespel compared with other materials.
【0027】[0027]
【表2】 [Table 2]
【0028】ここで摩擦限界PV値とは、無潤滑時の滑
り性、すなわち、耐摩耗性をもつ物質が、通常摩擦状態
を保てる圧力、速度条件の限界値であり、これ以上にな
ると急激に摩耗面がふえることをしめす指標となるもの
である。ベスペルは、この値が高いので、ホットプレー
ト4表面と搬入出される基板5との摩擦による基板5の
損傷を最小限に抑えることができる。Here, the frictional limit PV value is the limit value of the pressure and speed conditions under which a substance having a non-lubricating slip property, that is, an abrasion resistance, can normally maintain a frictional state. It is an index that indicates that the worn surface is swelling. Since the value of Vespel is high, damage to the substrate 5 due to friction between the surface of the hot plate 4 and the substrate 5 carried in and out can be minimized.
【0029】次に、このホットプレート型のプロキシミ
ティベーク炉1を用いた基板5のフォトリソ工程につい
て説明する。フォトレジスト塗布処理工程(フォトリソ
工程の一部)でフォトレジストを塗布された、IC及び
液晶パネル等の素子のガラス基板5は、図示しない搬送
用ビームの動作によりベーク炉1に連続的に搬送され
る。ベーク炉1に搬送されたガラス基板5は、ピン6、
6aの頭部8に支持されてホットプレート4の上方に載
置される。Next, the photolithography process of the substrate 5 using the hot plate type proximity bake furnace 1 will be described. The glass substrate 5 of an element such as an IC and a liquid crystal panel, which is coated with a photoresist in the photoresist coating process (a part of the photolithography process), is continuously transferred to the baking furnace 1 by the operation of a transfer beam (not shown). It The glass substrate 5 transferred to the baking oven 1 has pins 6,
It is supported by the head 8 of 6a and placed above the hot plate 4.
【0030】このとき、頭部の断面形状が方形であれ
ば、基板5を支持する各ピンの頭部とその頭部に載置さ
れる基板5との接触面積が大きくなり、基板5面の温度
分布が不均一となる。このため、レジスト感度が不均一
となり、パターンの異常を招く。At this time, if the head has a rectangular cross-sectional shape, the contact area between the head of each pin supporting the substrate 5 and the substrate 5 placed on the head is large, and the surface of the substrate 5 is The temperature distribution becomes non-uniform. For this reason, the resist sensitivity becomes non-uniform, and the pattern becomes abnormal.
【0031】しかし、ここではピン6あるいは6aが、
基板5を支持する頭部8の断面形状が略台形または略半
円形、すなわち、頭を切った円すいあるいは球帯で形成
され、また各ピン6,6aの頭頂部8aと基板5との接
触面積が、0.008〜0.2平方mmの範囲に設定さ
れている。このため、ピン6,6aと基板5との接触面
積が制限され、基板5の温度分布の不均一性の度合いを
レジスト感度に影響を与えない程度にまで下げることが
できる。However, here, the pin 6 or 6a is
The head 8 supporting the substrate 5 has a substantially trapezoidal or semi-circular cross-sectional shape, that is, it is formed by a truncated cone or a spherical zone, and the contact area between the tops 8a of the pins 6 and 6a and the substrate 5. Is set in the range of 0.008 to 0.2 square mm. Therefore, the contact area between the pins 6 and 6a and the substrate 5 is limited, and the degree of nonuniformity of the temperature distribution of the substrate 5 can be reduced to such an extent that the resist sensitivity is not affected.
【0032】また、ピン6,6aに載置される基板5の
裏面と均熱板2との距離が0.2mm未満であれば、基
板5のたわみにより基板5に温度分布の不均一が生じや
すい。逆に、基板5の裏面と均熱板2との距離が0.5
mmを超えると、均熱板2から基板5に対し輻射熱が均
一に伝わらない。しかし、このピン6,6aは、基板5
の裏面と均熱板2とを0.2mm〜0.5mmの距離に
保持するよう設定されているので、均熱板3から基板5
に対し輻射熱を均一に伝えることができ、基板5に温度
の不均一性が生じ難い。If the distance between the back surface of the substrate 5 placed on the pins 6 and 6a and the heat equalizing plate 2 is less than 0.2 mm, the deflection of the substrate 5 causes uneven temperature distribution on the substrate 5. Cheap. On the contrary, the distance between the back surface of the substrate 5 and the heat equalizing plate 2 is 0.5.
If it exceeds mm, the radiant heat is not uniformly transmitted from the heat equalizing plate 2 to the substrate 5. However, the pins 6 and 6a are connected to the substrate 5
Since the back surface of the soaking plate and the soaking plate 2 are set to be held at a distance of 0.2 mm to 0.5 mm, the soaking plate 3 to the substrate 5
On the other hand, the radiant heat can be uniformly transmitted, and the nonuniformity of temperature hardly occurs on the substrate 5.
【0033】次に、基板5の裏面と均熱板3とをプロキ
シミティベークが可能な距離に保持された状態で基板5
は加熱され、塗布されたフォトレジスト中の溶剤をある
程度蒸散させることによりフォトレジストの結合が強化
される。所定の時間加熱処理された基板5は、図示しな
い搬送用ビームの動作により次工程に搬送される。な
お、ピン6および6aは開口部9aに嵌入されているの
で、基板5の搬入出の際に均熱板3の表面から離脱する
ことはない。Next, with the back surface of the substrate 5 and the heat equalizing plate 3 held at a distance capable of proximity bake, the substrate 5
The coating is heated to evaporate some of the solvent in the applied photoresist to enhance the bonding of the photoresist. The substrate 5 which has been heat-treated for a predetermined time is carried to the next step by the operation of a carrying beam (not shown). Since the pins 6 and 6a are fitted in the opening 9a, the pins 6 and 6a are not separated from the surface of the heat equalizing plate 3 when the substrate 5 is loaded or unloaded.
【0034】このように、本実施例では、基板5と均熱
板3が直接接触しないので、従来の真空吸着方式のベー
ク炉で頻発した、ガラス基板5裏面に付着したごみ及び
ガラス基板5裏面に形成された凹凸及び傷による均熱板
3の表面の傷の発生を抑えることができる。したがっ
て、基板5の裏面に対する均熱板3の傷の転写が抑えら
れる。また、基板5を均熱板3に真空吸着しないので基
板5の端面に塗布されたフォトレジストが飛散すること
もない。As described above, in this embodiment, since the substrate 5 and the heat equalizing plate 3 do not directly contact with each other, dust and back surface of the glass substrate 5 which are frequently generated in the conventional baking furnace of the vacuum adsorption system and the back surface of the glass substrate 5 are frequently encountered. It is possible to suppress the occurrence of scratches on the surface of the heat equalizing plate 3 due to the unevenness and scratches formed on the surface. Therefore, transfer of scratches on the heat equalizing plate 3 to the back surface of the substrate 5 is suppressed. Further, since the substrate 5 is not vacuum-adsorbed on the heat equalizing plate 3, the photoresist applied to the end surface of the substrate 5 does not scatter.
【0035】また、ベスペルで一体成形されたプロキシ
ミティピン6,6aを使用することにより、従来のステ
ンレス製のプロキシミティピン16によって発生した基
板5裏面の損傷を防止することができる。このため、基
板5の歩留りを大幅に向上させることができる。さら
に、ベスペルで成形されたプロキシミティピン6,6a
は、PTFEでは得られない高温下での機械強度、耐腐
食性及び耐摩耗性を有しているので、保守、交換等の手
間を少なくできる。Further, by using the proximity pins 6 and 6a integrally formed by Vespel, it is possible to prevent the back surface of the substrate 5 from being damaged by the conventional proximity pin 16 made of stainless steel. Therefore, the yield of the substrate 5 can be significantly improved. In addition, Vespel shaped proximity pins 6,6a
Has mechanical strength, corrosion resistance, and wear resistance at high temperatures, which cannot be obtained by PTFE, so that the labor such as maintenance and replacement can be reduced.
【0036】なお、図5に示したように、ベスペルに
は、ノーマルレジンである“ベスペルSP−1”、15
%の黒鉛を含む“ベスペルSP−21”及び15%の黒
鉛と10%のPTFEを含む“ベスペルSP−211”
等があり、いずれも本発明のプロキシミティピンを成形
する材料として供することができるが、好ましくは“ベ
スペルSP−1”および“ベスペルSP−21”、特に
好ましくは“ベスペルSP−211”である。“ベスペ
ルSP−211”は、高い摩擦限界PV値を有し、基板
5の摩擦による損傷をより一層抑えることができる。As shown in FIG. 5, the Vespel has the normal resin "Vespel SP-1", 15
% Vespel SP-21 with 15% graphite and 15% graphite with 10% PTFE "Vespel SP-211"
Etc., and any of them can be used as a material for molding the proximity pin of the present invention, but "Vespel SP-1" and "Vespel SP-21" are preferable, and "Vespel SP-211" is particularly preferable. . "Vespel SP-211" has a high frictional limit PV value and can further prevent damage to the substrate 5 due to friction.
【0037】また、上記実施例では、前述したピン6,
6aの頭部8が、軸部7より大きい外径を有するものを
示したが、基板5と均熱板3とを前述した所定の距離に
保持するスペーサーとしての役割を有するものであれ
ば、その形状に制限はない。したがって、たとえば、軸
部と頭部が同じ外径からなるピンであってもよい。この
場合には、ピンをホットプレート4の内部で支持する構
成とすることにより上記同様の使用が可能となる。In the above embodiment, the pins 6 and 6 described above are used.
Although the head portion 8 of 6a has an outer diameter larger than that of the shaft portion 7, if it has a role as a spacer for holding the substrate 5 and the heat equalizing plate 3 at the above-described predetermined distance, There is no limit to its shape. Therefore, for example, it may be a pin in which the shaft portion and the head portion have the same outer diameter. In this case, by using the structure in which the pins are supported inside the hot plate 4, the same use as described above is possible.
【0038】[他の実施例]上記実施例では、ピン6,
6aの軸部7を軸線が一直線に伸びる円柱で構成した
が、ホットプレート4の開口部9aに挿入可能であれ
ば、その形状に制限はない。したがって、図8に示すよ
うに軸部7に係止部としての屈曲部分7aを設けてもよ
いし、図9に示すように、軸部7に係止部としての膨出
部分7bを設けてもよい。この場合、開口部9aに上記
軸部7を挿入することにより、ホットプレート4からピ
ン6,6aが抜け難くなる。このため、ピン6,6aに
載置される基板5の安定化を図ることができる。[Other Embodiments] In the above embodiment, the pins 6 and 6 are used.
The shaft portion 7 of 6a is formed of a cylinder whose axis extends straight, but the shape is not limited as long as it can be inserted into the opening portion 9a of the hot plate 4. Therefore, as shown in FIG. 8, the shaft portion 7 may be provided with a bent portion 7a as a locking portion, or as shown in FIG. 9, the shaft portion 7 may be provided with a bulging portion 7b as a locking portion. Good. In this case, by inserting the shaft portion 7 into the opening 9a, it becomes difficult for the pins 6 and 6a to come out of the hot plate 4. Therefore, the substrate 5 placed on the pins 6 and 6a can be stabilized.
【0039】[0039]
【発明の効果】請求項1および請求項5の発明にかか
る、ホットプレート型のプロキシミティベーク炉に使用
するピン及びこのピンを使用した炉では、基板が、ホッ
トプレートの加熱面から突出して加熱面に複数個設けら
れた合成樹脂製のピンの頭部に支持される。このピン
は、基板とホットプレートの加熱面とをプロキシミティ
ベークが可能な距離に保持する。ピンが合成樹脂製であ
るので基板の裏面に傷がつかない。基板とホットプレー
トの均熱板とが接触しないので、均熱板表面の傷の転写
による基板の裏面の傷が発生しない。In the pins used in the hot plate type proximity bake furnace and the furnace using the pins according to the first and fifth aspects of the present invention, the substrate is heated by projecting from the heating surface of the hot plate. It is supported by the heads of a plurality of synthetic resin pins provided on the surface. This pin holds the substrate and the heated surface of the hot plate at a proximity bakeable distance. Since the pins are made of synthetic resin, the back surface of the board is not scratched. Since the substrate and the heat equalizing plate of the hot plate do not come into contact with each other, scratches on the back surface of the substrate due to transfer of scratches on the surface of the heat equalizing plate do not occur.
【0040】請求項2の発明によれば、ピンは、全芳香
族ポリイミド樹脂からなる成形品である。したがって、
耐熱性にすぐれかつ汎用性のある材料からなる成形品を
得ることができる。According to the second aspect of the present invention, the pin is a molded product made of wholly aromatic polyimide resin. Therefore,
It is possible to obtain a molded product made of a material having excellent heat resistance and versatility.
【0041】請求項3の発明によれば、ピンは、According to the invention of claim 3, the pin is
【0042】[0042]
【化3】 で表される合成樹脂で作られ、耐熱性,耐摩耗性,クリ
ープ特性,電気的特性及び真空特性で、例えば、PTF
E,MCナイロン等の合成樹脂よりすぐれている。高温
下での機械的強度耐腐食性および耐摩耗性を有している
ので基板の裏面に傷がつかず、ピンの保守、交換等の手
間が少なくできる。Embedded image Made of synthetic resin, which has heat resistance, wear resistance, creep characteristics, electrical characteristics and vacuum characteristics. For example, PTF
Superior to synthetic resins such as E and MC nylon. Since it has mechanical strength under high temperature, corrosion resistance, and abrasion resistance, the back surface of the substrate is not scratched, and the maintenance and replacement of pins can be reduced.
【0043】また、頭部の断面形状を方形にすると、基
板を支持する各ピンの頭部とその頭部に載置される基板
との接触面積が大きくなり、基板の温度分布が不均一と
なる。このため、レジスト感度が不均一となり、パター
ンの異常を招く。しかし、この発明のピンを、基板を支
持する頭部の断面形状が、略台形または略半円形にし、
基板を支持する各ピンの頭部とその頭部に載置される基
板との接触面積を、0.008〜0.2平方mmにする
と、ピンの頭部とその頭部に載置される基板との接触面
積が制限され、基板面の温度分布の不均一性の度合いを
レジスト感度に影響を与えない程度にまで下げることが
できる。請求項4の発明によれば、ピンは、基板を支持
する頭部の断面形状が、略台形または略半円形である。
このため、ピンと基板との接触面積が制限され、基板の
温度分布に影響を与えない。When the head has a rectangular cross-section, the contact area between the head of each pin supporting the substrate and the substrate placed on the head increases, and the temperature distribution of the substrate becomes uneven. Become. For this reason, the resist sensitivity becomes non-uniform, and the pattern becomes abnormal. However, in the pin of the present invention, the cross-sectional shape of the head supporting the substrate is substantially trapezoidal or semicircular,
When the contact area between the head of each pin supporting the substrate and the substrate placed on the head is 0.008 to 0.2 mm 2, the pin is placed on the head and the head. The contact area with the substrate is limited, and the degree of nonuniformity of the temperature distribution on the substrate surface can be reduced to such an extent that the resist sensitivity is not affected. According to the invention of claim 4, the cross-sectional shape of the head of the pin supporting the substrate is substantially trapezoidal or semi-circular.
For this reason, the contact area between the pin and the substrate is limited and does not affect the temperature distribution of the substrate.
【0044】また、このピンは、ホットプレートの頭部
に載置される基板とホットプレートの加熱面との距離が
0.2mm未満であれば、基板のたわみにより基板面に
温度分布の不均一が生じやすい。逆に、基板とホットプ
レートの加熱面との距離が0.5mmを超えると、ホッ
トプレートの加熱面から基板に対し輻射熱が均一に伝わ
らない。しかし、この発明の請求項7に係るホットプレ
ート型のプロキシミティベーク炉では、ホットプレート
の頭部に載置される基板とホットプレートの加熱面とを
0.2mm〜0.5mmの距離に保持するようピンの頭
部の高さが、設定されているので、基板面に伝えられる
熱の不均一性が生じ難い。また、上記炉に使用するピン
は、その頭部の下方に、一部が屈曲または膨出してホッ
トプレートに係止され、それによってホットプレートか
ら抜け難くなる係止部を具備していると、基板の搬入出
の際、基板と接触するピンの安定性が得られる。請求項
5の発明によれば、ピンが係止部を具備しているので、
ピンがホットプレートから抜け難くなり、ピンの頭部に
搬入出される基板との接触によって生じるピンの脱離を
防止できる。Further, if the distance between the substrate placed on the head of the hot plate and the heating surface of the hot plate is less than 0.2 mm, the pin has a non-uniform temperature distribution on the substrate surface due to the deflection of the substrate. Is likely to occur. On the contrary, if the distance between the substrate and the heating surface of the hot plate exceeds 0.5 mm, the radiant heat is not evenly transferred from the heating surface of the hot plate to the substrate. However, in the hot plate type proximity bake furnace according to claim 7 of the present invention, the substrate placed on the head of the hot plate and the heating surface of the hot plate are held at a distance of 0.2 mm to 0.5 mm. Since the height of the head of the pin is set so that the non-uniformity of heat transferred to the substrate surface is unlikely to occur. Further, the pin used in the furnace, below the head of the pin, is provided with a locking portion that is partially bent or bulged to be locked to the hot plate, thereby making it difficult to come out of the hot plate, The stability of the pins that come into contact with the substrate is obtained when the substrate is loaded and unloaded. According to the invention of claim 5, since the pin is provided with the locking portion,
It becomes difficult for the pin to come out of the hot plate, and it is possible to prevent the pin from coming off due to contact with the substrate carried in and out of the head of the pin.
【0045】請求項6の発明によれば、ホットプレート
型のプロキシミティベーク炉に使用されるピンは、ホッ
トプレートの頭部に載置される基板とホットプレートの
加熱面とを0.2mm〜0.5mmの距離に保持するよ
う設定されているので、ホットプレートの加熱面から基
板に対し輻射熱を均一に伝えることができる。このた
め、基板面に温度分布の不均一が生じ難い。According to the sixth aspect of the present invention, the pin used in the hot plate type proximity bake furnace has a substrate placed on the head of the hot plate and a heating surface of the hot plate of 0.2 mm to. Since the distance is set to 0.5 mm, the radiant heat can be uniformly transferred from the heating surface of the hot plate to the substrate. Therefore, it is difficult for the temperature distribution to be uneven on the substrate surface.
【0046】請求項7の発明によれば、ホットプレート
型のプロキシミティベーク炉に使用されるピンは、基板
を支持する各ピンの頭部とその頭部に載置される基板と
の接触面積が、0.008〜0.2平方mmである。こ
のため、ピンと基板との接触面積が制限され、基板の温
度分布に影響を与えない。According to the seventh aspect of the present invention, the pins used in the hot plate type proximity bake furnace have a contact area between the head of each pin supporting the substrate and the substrate placed on the head. Is 0.008 to 0.2 square mm. For this reason, the contact area between the pin and the substrate is limited and does not affect the temperature distribution of the substrate.
【0047】このような構成により、従来のホットプレ
ート型のプロキシミティベーク炉で発生していたピンに
よる基板の裏面の傷の発生がなくなり、また従来の真空
吸着方式のベーク炉のように、ガラス基板裏面に付着し
た塵埃や、ガラス基板裏面に形成された凹凸及び傷によ
りホットプレートの加熱面の傷の発生を防止できる。し
たがって、加熱面の表面に形成された傷が、基板の裏面
に転写されることがなく、また、基板の端面に塗布され
たフォトレジストが飛散することがない。したがって、
基板裏面の傷による不良およびダストによる不良を大幅
に低減することができ、ホットプレート型のプロキシミ
ティベーク炉による工程の歩留りの向上を図ることがで
きる。With such a structure, there is no occurrence of scratches on the back surface of the substrate due to the pins that have been generated in the conventional hot plate type proximity bake furnace, and unlike the conventional vacuum adsorption type bake furnace, glass is used. It is possible to prevent the occurrence of scratches on the heating surface of the hot plate due to dust adhering to the back surface of the substrate, and unevenness and scratches formed on the back surface of the glass substrate. Therefore, the scratches formed on the surface of the heating surface are not transferred to the back surface of the substrate, and the photoresist applied to the end surface of the substrate is not scattered. Therefore,
It is possible to significantly reduce defects due to scratches on the back surface of the substrate and defects due to dust, and it is possible to improve the process yield by using a hot plate type proximity bake furnace.
【図1】この発明の一実施例による、ホットプレート型
のプロキシミティベーク炉の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a hot plate type proximity bake furnace according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のプロキシミティベーク炉で使用されるプ
ロキシミティピンの正面図である。FIG. 2 is a front view of a proximity pin used in the proximity bake furnace of FIG.
【図3】図1のプロキシミティベーク炉で使用される、
図1とは別のプロキシミティピンの正面図である。FIG. 3 is used in the proximity bake furnace of FIG.
It is a front view of a proximity pin different from FIG.
【図4】引っ張り強度と温度との関係をベスペルと他の
合成樹脂との間で比較した図である。FIG. 4 is a diagram comparing the relationship between tensile strength and temperature between Vespel and other synthetic resins.
【図5】無潤滑状態での限界PV値をベスペルと他の合
成樹脂との間で比較した図である。FIG. 5 is a diagram comparing the limit PV value in a non-lubricated state between Vespel and other synthetic resins.
【図6】従来の、真空吸着方式のベーク炉の概略断面図
である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a conventional vacuum adsorption type baking furnace.
【図7】従来のプロキシミティピンを使用した、プロキ
シミティベーク炉の概略断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view of a proximity bake furnace using a conventional proximity pin.
【図8】この発明のプロキシミティベーク炉で使用され
るプロキシミティピンの他の実施例を示す、図2に相当
するピンの正面図である。FIG. 8 is a front view of a pin corresponding to FIG. 2, showing another embodiment of the proximity pin used in the proximity bake furnace of the present invention.
【図9】この発明のプロキシミティベーク炉で使用され
るプロキシミティピンのさらに他の実施例を示す、図2
に相当するピンの正面図である。FIG. 9 shows still another embodiment of the proximity pin used in the proximity bake furnace of the present invention, FIG.
It is a front view of a pin corresponding to.
1 ホットプレート型のプロキシミティベーク炉 2 ヒータ3 3 均熱板(加熱面を構成する) 4 ホットプレート 5 ガラス基板 6,6a プロキシミティピン 7 軸部 7a 屈曲部分 7b 膨出部分 8 頭部 8a 頭頂部 1 Hot Plate Proximity Bake Furnace 2 Heater 3 3 Soaking Plate (Constituting Heating Surface) 4 Hot Plate 5 Glass Substrate 6, 6a Proximity Pin 7 Shaft 7a Bending 7b Bulging 8 Eight 8a Top
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成7年3月28日[Submission date] March 28, 1995
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項3[Name of item to be corrected] Claim 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0008[Correction target item name] 0008
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0008】そこで、本願発明者はピン16自体の材質
の検討をおこない、ステンレス製のプロキシミティピン
に代わるものとしてポリテトラフルオロエチレン(PT
FE)のプロキシミティピンを製造し使用を試みた。し
かし、プロキシミティピンの頭部、すなわち基板5を支
持する接触部が、高温(110〜200℃)下で繰り返
される基板5の搬入出により、変形が生じるという問題
が発生する。さらに、PTFEに対しガラスまたは黒鉛
を15〜25重量%の割合で混合したものを材料とする
プロキシミティピンを製造し使用を試みた。しかし、こ
れでも十分な耐熱性および耐摩耗性を得ることができな
かった。さらにまた、相手材への移着、帯電が発生し、
特にガラス基板の場合に不良の原因となった。このた
め、ピンによる基板の裏面の傷の発生を防止することが
切に望まれている。Therefore, the inventor of the present application examined the material of the pin 16 itself, and polytetrafluoroethylene (PT) was used as an alternative to the stainless proximity pin.
An attempt was made to manufacture and use a proximity pin of FE). However, there is a problem in that the head of the proximity pin, that is, the contact portion that supports the substrate 5 is deformed due to repeated loading and unloading of the substrate 5 under high temperature (110 to 200 ° C.). Further, a proximity pin made of a mixture of PTFE and glass or graphite at a ratio of 15 to 25% by weight was manufactured and tried to be used. However, even with this, sufficient heat resistance and abrasion resistance could not be obtained. Furthermore, transfer to the mating material, charging occurs,
In particular, in the case of a glass substrate, it caused a defect. Therefore, it is urgently desired to prevent the back surface of the substrate from being scratched by the pins.
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0012】[0012]
【化1】 を有するものが挙げられ、このポリイミド樹脂は、例え
ば、ピロメリット酸無水物及び4,4’−オキシジアニ
リンからなるものが挙げられる。特に好ましい全芳香族
ポリイミド樹脂としては、市販品の“ベスペル”SP−
1、SP−21又はSP−211(デュポン社製の商品
名)を利用することができる。なお、全芳香族ポリイミ
ド樹脂には、3〜20%、好ましくは8〜15%の黒
鉛、又は、フッ素樹脂を含んでもよい。さらにこのピン
は、基板を支持する頭部の断面形状が、略台形または略
半円形であるのが好ましい。また、このピンが、その頭
部の下方に、一部が屈曲または膨出してホットプレート
に係止され、それによってホットプレートから抜け難く
なる係止部を備えるのが好ましい。[ Chemical 1 ] The polyimide resin is, for example,
For example, pyromellitic anhydride and 4,4′-oxydiani
An example is phosphorus. As a particularly preferred wholly aromatic polyimide resin, commercially available "Vespel" SP-
1, SP-21 or SP-211 (trade name of DuPont) can be used. The wholly aromatic polyimide resin may contain 3 to 20%, preferably 8 to 15% of graphite or fluororesin. Further, in this pin, it is preferable that the cross-sectional shape of the head supporting the substrate is substantially trapezoidal or semi-circular. Further, it is preferable that the pin includes a locking portion below the head thereof, which is partially bent or bulged to be locked to the hot plate, thereby making it difficult to pull out from the hot plate.
【手続補正4】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0016】このピンは、全芳香族ポリイミド樹脂、例
えばベスペルで作った成形品であると、耐熱性、耐磨耗
性、クリープ特性、電気的特性、真空特性、非移着性及
び帯電抑止性にすぐれており、とくに耐熱性の面では、
260℃での連続使用および480℃での断続使用が可
能であり、クリープ特性の面では、260℃,186kg
/cm2 でのクリープが1000時間でわずか0.6%
に抑えられている。When this pin is a molded article made of wholly aromatic polyimide resin such as Vespel, it has heat resistance, abrasion resistance, creep characteristics, electrical characteristics , vacuum characteristics , non-transferability and
And excellent in antistatic property , especially in terms of heat resistance,
It can be used continuously at 260 ° C and intermittently at 480 ° C. In terms of creep characteristics, 260 ° C, 186kg
Only 0.6% of creep at 1000 hours / cm 2
It is suppressed to.
【手続補正5】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0020[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0020】均熱板の3の表面には、ホットプレート4
上に搬送されたガラス基板5を裏面から支持するための
複数のプロキシミティピン6が設置されている。このピ
ン6は、ベスペルの成形品である。なお、ベスペルは、
酸無水物及び4,4’−オキシジアニリンから製造され
たものである。図2及び図3に示した、上記したピン6
は、軸部7および頭部8から構成され、軸部7はホット
プレート4内に形成された真空吸着用の配管9の開口部
9aにそれぞれ挿入されている。A hot plate 4 is provided on the surface of the soaking plate 3.
A plurality of proximity pins 6 for supporting the glass substrate 5 conveyed above from the back surface are installed. The pin 6 is a Vespel molded product. In addition, Vespel is
Made from acid anhydride and 4,4'-oxydianiline
It is a thing. The above-mentioned pin 6 shown in FIGS. 2 and 3.
Is composed of a shaft portion 7 and a head portion 8, and the shaft portion 7 is inserted into an opening portion 9a of a vacuum suction pipe 9 formed in the hot plate 4, respectively.
【手続補正6】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0022[Name of item to be corrected] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0022】ピン6の軸部7は、直径が0.8mm〜
1.0mm、長さが10mm〜15mmの円柱で形成さ
れている。頭部8は、断面形状が略台形、すなわち、頭
を切った円すいで形成されている。頭部8は、高さが
0.2mm〜2mm、好ましくは0.2mm〜0.5m
mであり、底面の直径が1.5mm〜2.0mm、上面
(頭頂部8a)の直径が0.05mm〜0.25mmで
ある。The shaft portion 7 of the pin 6 has a diameter of 0.8 mm to
It is formed of a cylinder having a length of 1.0 mm and a length of 10 mm to 15 mm. The head 8 has a substantially trapezoidal cross section, that is, it is formed as a truncated cone. The height of the head 8 is
0.2 mm to 2 mm, preferably 0.2 mm to 0.5 m
m, the diameter of the bottom surface is 1.5 mm to 2.0 mm , and the diameter of the upper surface (crown portion 8a) is 0.05 mm to 0.25 mm.
【手続補正7】[Procedure Amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0023[Name of item to be corrected] 0023
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0023】また、図3に示したピン6aは、ピン6と
同様の軸部7から構成されている。ピン6aの頭部8
は、断面形状が略半円の球帯で形成されている。頭部8
は、高さが0.2mm〜2mm、好ましくは0.2mm
〜0.5mmであり、下部の底面の直径が1.5mm〜
2.0mm、上面(頭頂部8a)の直径が0.05mm
から0.25mmである。なお、軸部7は、円柱のみな
らず、角柱であってもよい。また、円柱の断面はだ円で
あってもよい。The pin 6a shown in FIG. 3 is composed of a shaft portion 7 similar to the pin 6. Head 8 of pin 6a
Is formed of a spherical zone having a substantially semicircular cross section. Head 8
Has a height of 0.2 mm to 2 mm, preferably 0.2 mm
~ 0.5 mm, the bottom bottom diameter is 1.5 mm ~
2.0 mm, diameter of top surface (crown 8a) is 0.05 mm
To 0.25 mm. In addition, the shaft portion 7 may be not only a cylinder but also a prism. Further, the cross section of the cylinder may be an ellipse.
【手続補正8】[Procedure Amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0032[Name of item to be corrected] 0032
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0032】また、ピン6,6aに載置される基板5の
裏面と均熱板2との距離が0.2mm未満であれば、基
板5のたわみにより基板5に温度分布の不均一が生じや
すい。逆に、基板5の裏面と均熱板2との距離が2mm
を越えると、均熱板2から基板5に対し輻射熱が均一に
伝わらない。しかし、このピン6,6aは、基板5の裏
面と均熱板2とを0.2mm〜2mmの距離に保持する
よう設定されているので、均熱板3から基板5に対し輻
射熱を均一に伝えることができ、基板5に温度の不均一
が生じ難い。If the distance between the back surface of the substrate 5 placed on the pins 6 and 6a and the heat equalizing plate 2 is less than 0.2 mm, the deflection of the substrate 5 causes uneven temperature distribution on the substrate 5. Cheap. On the contrary, the distance between the back surface of the substrate 5 and the heat equalizing plate 2 is 2 mm.
If it exceeds, the radiant heat is not uniformly transmitted from the soaking plate 2 to the substrate 5. However, since the pins 6 and 6a are set to hold the back surface of the substrate 5 and the heat equalizing plate 2 at a distance of 0.2 mm to 2 mm , the radiant heat from the heat equalizing plate 3 to the substrate 5 is made uniform. It can be transmitted, and the temperature nonuniformity hardly occurs on the substrate 5.
【手続補正9】[Procedure Amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0035[Correction target item name] 0035
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0035】また、ベスペルで一体成形されたプロキシ
ミティピン6,6aを使用することにより、従来のステ
ンレス製のプロキシミティピン16によって発生した基
板5裏面の損傷を防止することができる。このため、基
板5の歩留りを大幅に向上させることができる。さら
に、ベスペルで成形されたプロキシミティピン6,6a
は、PTFEでは得られない高温下での機械強度、耐腐
食性、耐磨耗性、非移着性及び帯電抑止性を有している
ので、保守、交換等の手間を少なくできる。Further, by using the proximity pins 6 and 6a integrally formed by Vespel, it is possible to prevent the back surface of the substrate 5 from being damaged by the conventional proximity pin 16 made of stainless steel. Therefore, the yield of the substrate 5 can be significantly improved. In addition, Vespel shaped proximity pins 6,6a
Has mechanical strength at high temperature, corrosion resistance, abrasion resistance , non-transferability, and antistatic property that cannot be obtained by PTFE, so that the labor for maintenance and replacement can be reduced.
【手続補正10】[Procedure Amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0036[Correction target item name] 0036
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0036】なお、図5に示したように、ベスペルに
は、ノーマルレジンである“ベスペルSP−1”15%
の黒鉛を含む“ベスペルSP−21”及び15%の黒鉛
と10%のPTFEを含む“ベスペルSP−211”等
があり、いずれも本発明のプロキシミティピンを成形す
る材料として供することができるが、好ましくは“ベス
ペルSP−1”および“ベスペルSP−21”、特に好
ましくは“ベスペルSP−1”である。“ベスペルSP
−1”は、高い摩擦限界PV値を有し、基板5の摩擦に
よる損傷をより一層抑えることができる。As shown in FIG. 5, the Vespel has 15% of "Vespel SP-1" which is a normal resin.
Include "Vespel SP-21" containing graphite and "Vespel SP-211" containing 15% graphite and 10% PTFE, and both can be used as a material for molding the proximity pin of the present invention. , "Vespel SP-1" and "Vespel SP-21" are preferable, and "Vespel SP-1" is particularly preferable. "Vespel SP
−1 ″ has a high friction limit PV value, and can further suppress damage due to friction of the substrate 5.
【手続補正11】[Procedure Amendment 11]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0042[Correction target item name] 0042
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0042】ピロメリット酸無水物及び4,4’−オキ
シジアニリンから成るポリイシド樹脂からなるので、耐
熱性,耐磨耗性,クリープ特性,電気的特性及び真空特
性で例えば、PTFE,MCナイロン等の合成樹脂より
すぐれている。高温下での機械的強度耐腐食性および耐
磨耗性を有しているので基板の裏面に傷がつかず、ピン
の保守、交換等の手間が少なくできる。 Pyromellitic anhydride and 4,4'-Oki
Since it is made of polyisid resin made of sidianiline, it is superior to synthetic resins such as PTFE and MC nylon in heat resistance, abrasion resistance, creep characteristics, electrical characteristics and vacuum characteristics. Since it has mechanical strength under high temperature, corrosion resistance, and abrasion resistance, the back surface of the substrate is not scratched, and maintenance and replacement of pins can be reduced.
【手続補正12】[Procedure Amendment 12]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0044[Correction target item name] 0044
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0044】また、このピンは、ホットプレートの頭部
に載置される基板とホットプレートの加熱面との距離が
0.2mm未満であれば、基板のたわみにより基板面に
温度分布の不均一が生じやすい。逆に、基板とホットプ
レートの加熱面との距離が2mmを超えると、ホットプ
レートの加熱面から基板に対し輻射熱が均一に伝わらな
い。しかし、この発明の請求項7に係るホットプレート
型のプロキシミティベーク炉では、ホットプレートの頭
部に載置される基板とホットプレートの加熱面とを0.
2mm〜2mmの距離に保持するようピンの頭部の高さ
が、設定されているので、基板面に伝えられる熱の不均
一性が生じ難い。また、上記炉に使用するピンは、その
頭部の下方に、一部が屈曲または膨出してホットプレー
トに係止され、それによってホットプレートから抜け難
くなる係止部を具備していると、基板の搬入出の際、基
板と接触するピンの安定性が得られる。請求項5の発明
によれば、ピンが係止部を具備しているので、ピンがホ
ットプレートから抜け難くなり、ピンの頭部に搬入出さ
れる基板との接触によって生じるピンの脱離を防止でき
る。Further, if the distance between the substrate placed on the head of the hot plate and the heating surface of the hot plate is less than 0.2 mm, the pin has a non-uniform temperature distribution on the substrate surface due to the deflection of the substrate. Is likely to occur. On the contrary, when the distance between the substrate and the heating surface of the hot plate exceeds 2 mm , the radiant heat is not uniformly transferred from the heating surface of the hot plate to the substrate. However, in the hot plate type proximity bake furnace according to claim 7 of the present invention, the substrate placed on the head of the hot plate and the heating surface of the hot plate are set to 0.
Since the height of the head portion of the pin is set so as to be held at a distance of 2 mm to 2 mm , unevenness of heat transferred to the substrate surface is unlikely to occur. Further, the pin used in the furnace, below the head of the pin, is provided with a locking portion that is partially bent or bulged to be locked to the hot plate, thereby making it difficult to come out of the hot plate, The stability of the pins that come into contact with the substrate is obtained when the substrate is loaded and unloaded. According to the invention of claim 5, since the pin is provided with the locking portion, it is difficult for the pin to come out of the hot plate, and the pin is prevented from coming off due to contact with the substrate carried in and out of the head of the pin. it can.
【手続補正13】[Procedure Amendment 13]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0045[Name of item to be corrected] 0045
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0045】請求項6の発明によれば、ホットプレート
型のプロキシミティベーク炉に使用されるピンは、ホッ
トプレートの頭部に載置される基板とホットプレートの
加熱面とを0.2mm〜2mmの距離に保持するよう設
定されているので、ホットプレートの加熱面から基板に
対し輻射熱を均一に伝えることができる。このため、基
板面に温度分布の不均一が生じ難い。According to the sixth aspect of the present invention, the pin used in the hot plate type proximity bake furnace has a substrate placed on the head of the hot plate and a heating surface of the hot plate of 0.2 mm to. Since the distance is set to 2 mm, the radiant heat can be uniformly transmitted from the heating surface of the hot plate to the substrate. Therefore, it is difficult for the temperature distribution to be uneven on the substrate surface.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 真一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 横山 晃 群馬県前橋市箱田町1174 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Shinichi Nakajima, 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Prefecture, Sharp Corporation (72) Akira Yokoyama, 1174, Hakoda-cho, Maebashi, Gunma Prefecture
Claims (8)
ク炉に使用され、ホットプレートの加熱面から突出して
加熱面に複数個設けられ、基板を支持する頭部を有し、
頭部に載置される基板とホットプレートの加熱面とをプ
ロキシミティベークが可能な距離に保持するピンであ
り、 このピンが、合成樹脂製であることを特徴とするホット
プレート型のプロキシミティベーク炉に使用するピン。1. A hot plate type proximity bake oven, which has a plurality of heads for projecting from the heating surface of the hot plate and provided on the heating surface and supporting the substrate,
A pin that holds the substrate placed on the head and the heating surface of the hot plate at a distance that allows proximity bake, and the pin is made of synthetic resin. A pin used for a baking oven.
ある請求項1記載のホットプレート型のプロキシミティ
ベーク炉に使用するピン。2. A pin used in a hot plate type proximity bake furnace according to claim 1, wherein the synthetic resin is a wholly aromatic polyimide resin.
ィベーク炉に使用するピン。3. A wholly aromatic polyimide resin is represented by the following formula: The pin used in the hot plate type proximity bake furnace according to claim 2.
形または略半円形である請求項1、2または3記載のホ
ットプレート型のプロキシミティベーク炉に使用するピ
ン。4. A pin used in a hot plate type proximity bake furnace according to claim 1, 2 or 3, wherein the cross-sectional shape of the head supporting the substrate is substantially trapezoidal or semicircular.
または膨出してホットプレートに係止され、それによっ
てホットプレートから抜け難くなる係止部を具備してな
る請求項1,2,3または4記載のホットプレート型の
プロキシミティベーク炉に使用するピン。5. The pin is provided with a locking portion below the head portion thereof, which is bent or bulged in part to be locked to the hot plate, thereby making it difficult to come off from the hot plate. A pin used in the hot plate type proximity bake furnace according to 2, 3, or 4.
ク炉であって、ホットプレートの加熱面から突出して加
熱面に複数個設けられ、前記基板を支持する頭部を有
し、頭部に載置される基板とホットプレートの加熱面と
をプロキシミティベークが可能な距離に保持するピンを
備え、 このピンが、合成樹脂製であることを特徴とするホット
プレート型のプロキシミティベーク炉。6. A hot plate type proximity bake furnace, comprising a plurality of heating plate protruding from the heating surface, the head having a head for supporting the substrate, and being mounted on the head. A hot plate type proximity bake furnace, which is provided with pins for holding the substrate to be heated and the heating surface of the hot plate at a distance capable of proximity bake, and the pins are made of synthetic resin.
ットプレートの加熱面とを0.2〜0.5mmの距離に
保持する請求項6記載のホットプレート型のプロキシミ
ティベーク炉。7. The hot plate type proximity bake furnace according to claim 6, wherein the pin holds the substrate placed on the head of the pin and the heating surface of the hot plate at a distance of 0.2 to 0.5 mm. .
に載置される基板との接触面積が、0.008〜0.2
平方mmである請求項6記載のホットプレート型のプロ
キシミティベーク炉。8. The contact area between the head of each pin supporting the substrate and the substrate placed on the head is 0.008 to 0.2.
The hot plate type proximity bake furnace according to claim 6, which has a square mm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33805893A JPH08279548A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Pin used in hot plate type proximity bake furnace and furnace using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33805893A JPH08279548A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Pin used in hot plate type proximity bake furnace and furnace using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279548A true JPH08279548A (en) | 1996-10-22 |
Family
ID=18314523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33805893A Pending JPH08279548A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Pin used in hot plate type proximity bake furnace and furnace using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
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