JPH08288781A - Ｓａｗデバイス - Google Patents
ＳａｗデバイスInfo
- Publication number
- JPH08288781A JPH08288781A JP7092114A JP9211495A JPH08288781A JP H08288781 A JPH08288781 A JP H08288781A JP 7092114 A JP7092114 A JP 7092114A JP 9211495 A JP9211495 A JP 9211495A JP H08288781 A JPH08288781 A JP H08288781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- layers
- electrode
- dislocations
- piezoelectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はＳＡＷデバイスに関するもので、電
極の劣化を防止することを目的とするものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
圧電基板１と、この圧電基板１の表面上に設けた第１の
Ａｌ層７と、この第１のＡｌ層７上に設けた第１のＣｕ
層８と、この第１のＣｕ層８上に設けた第２のＡｌ層９
と、この第２のＡｌ層９上に設けた第２のＣｕ層１０と
を備えた構成とした。
極の劣化を防止することを目的とするものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
圧電基板１と、この圧電基板１の表面上に設けた第１の
Ａｌ層７と、この第１のＡｌ層７上に設けた第１のＣｕ
層８と、この第１のＣｕ層８上に設けた第２のＡｌ層９
と、この第２のＡｌ層９上に設けた第２のＣｕ層１０と
を備えた構成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳＡＷデバイスに関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷデバイスは、圧電基板の表面上に
Ａｌ層より成る電極を設けている。この電極の膜厚は使
用する周波数により異なるが、２０００〜４０００オン
グストロームとなっている。
Ａｌ層より成る電極を設けている。この電極の膜厚は使
用する周波数により異なるが、２０００〜４０００オン
グストロームとなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成で問題となる
のはＡｌ層より成る電極が、圧電振動による負荷の印加
により劣化してしまうという事である。すなわちＡｌ層
より成る電極は負荷により粒界で大きく拡散し又、Ａｌ
層中で転位がおこり、この結果として上述のごとく電極
が劣化してしまうのであった。そこで本発明は、この電
極の劣化を防止する事を目的とするものである。
のはＡｌ層より成る電極が、圧電振動による負荷の印加
により劣化してしまうという事である。すなわちＡｌ層
より成る電極は負荷により粒界で大きく拡散し又、Ａｌ
層中で転位がおこり、この結果として上述のごとく電極
が劣化してしまうのであった。そこで本発明は、この電
極の劣化を防止する事を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、圧電基板と、この圧電基板の表面上
に設けた第１のＡｌ層と、この第１のＡｌ層上に設けた
第１のＣｕ層と、この第１のＣｕ層上に設けた第２のＡ
ｌ層と、この第２のＡｌ層上に設けた第２のＣｕ層とを
備えた構成としたものである。
るために本発明は、圧電基板と、この圧電基板の表面上
に設けた第１のＡｌ層と、この第１のＡｌ層上に設けた
第１のＣｕ層と、この第１のＣｕ層上に設けた第２のＡ
ｌ層と、この第２のＡｌ層上に設けた第２のＣｕ層とを
備えた構成としたものである。
【０００５】
【作用】以上の構成とすればＡｌ層は第１と第２のＡｌ
層に分断され、しかもその間に第１のＣｕ層が介在して
いるので、まず第１と第２のＡｌ層が薄型化された事に
よりＡｌ層中の転位は生じにくく、次にこれらの第１，
第２のＡｌ層間に第１のＣｕ層が介在する事により第
１，第２のＡｌ層から相手方のＡｌ層への粒界の拡散は
抑制される事になり、さらにまた第２のＡｌ層は上下の
第１，第２のＣｕ層に挾持される事によりＡｌ層中の転
位が移動しにくくなり、これらの結果により電極の劣化
は生じにくくなるのである。
層に分断され、しかもその間に第１のＣｕ層が介在して
いるので、まず第１と第２のＡｌ層が薄型化された事に
よりＡｌ層中の転位は生じにくく、次にこれらの第１，
第２のＡｌ層間に第１のＣｕ層が介在する事により第
１，第２のＡｌ層から相手方のＡｌ層への粒界の拡散は
抑制される事になり、さらにまた第２のＡｌ層は上下の
第１，第２のＣｕ層に挾持される事によりＡｌ層中の転
位が移動しにくくなり、これらの結果により電極の劣化
は生じにくくなるのである。
【０００６】また、第１，第２のＡｌ層にはそれぞれ第
１，第２のＣｕ層が当接しており、つまりこの様にする
とやわらかいＡｌ層に転位が生じる事となるが、それは
Ｃｕ層で挾持されているので結論として転位が移動しに
くくなり、この事からも電極の劣化が生じにくくなるの
である。さらにまた、第２のＡｌ層の上下に第１，第２
のＣｕ層が当接するので上述のごとく転位が移動しにく
くなる事が結論として第２のＡｌ層の強度を強くする事
にもなるのである。
１，第２のＣｕ層が当接しており、つまりこの様にする
とやわらかいＡｌ層に転位が生じる事となるが、それは
Ｃｕ層で挾持されているので結論として転位が移動しに
くくなり、この事からも電極の劣化が生じにくくなるの
である。さらにまた、第２のＡｌ層の上下に第１，第２
のＣｕ層が当接するので上述のごとく転位が移動しにく
くなる事が結論として第２のＡｌ層の強度を強くする事
にもなるのである。
【０００７】
【実施例】図２において１は圧電基板で例えば水晶やリ
チウムタンタレートにより形成されている。そしてこの
圧電基板の表面上には櫛歯状の二対の電極２が設けられ
ている。そして３が入力電極、４が出力電極、５，６が
アース電極となっている。電極２は図１に示すごとく圧
電基板１の表面上に第１のＡｌ層７（３９０オングスト
ローム）、第１のＣｕ層８（１８０オングストロー
ム）、第２のＡｌ層９（４００オングストローム）、第
２のＣｕ層１０（１８０オングストローム）、第３のＡ
ｌ層１１（３３０オングストローム）を順次例えばスパ
ッタにより形成して成るものである。このうち第１のＡ
ｌ層７は圧電基板１と電極２の密着性を高める為、また
第３のＡｌ層１１は入出力電極３，４、アース電極５，
６に対しワイヤーボンディングを行う為に設けたもので
ある。
チウムタンタレートにより形成されている。そしてこの
圧電基板の表面上には櫛歯状の二対の電極２が設けられ
ている。そして３が入力電極、４が出力電極、５，６が
アース電極となっている。電極２は図１に示すごとく圧
電基板１の表面上に第１のＡｌ層７（３９０オングスト
ローム）、第１のＣｕ層８（１８０オングストロー
ム）、第２のＡｌ層９（４００オングストローム）、第
２のＣｕ層１０（１８０オングストローム）、第３のＡ
ｌ層１１（３３０オングストローム）を順次例えばスパ
ッタにより形成して成るものである。このうち第１のＡ
ｌ層７は圧電基板１と電極２の密着性を高める為、また
第３のＡｌ層１１は入出力電極３，４、アース電極５，
６に対しワイヤーボンディングを行う為に設けたもので
ある。
【０００８】以上の構成とすればＡｌ層は第１〜第３の
Ａｌ層７，９，１１に分断され、しかもその間に第１，
第２のＣｕ層８，１０が介在しているので、まず第１〜
第３のＡｌ層７，９，１１が薄型化された事によりＡｌ
層中の転位は生じにくく、次にこれらの第１〜第２のＡ
ｌ層７，９，１１間に第１，第２のＣｕ層８，１０が介
在する事により第１〜第３のＡｌ層７，９，１１から相
手方のＡｌ層への粒界の拡散は抑制される事になり、さ
らにまた第２のＡｌ層９は上下の第１，第２のＣｕ層
８，１０に挾持される事によりＡｌ層中の転位が移動し
にくくなり、これらの結果により電極２の劣化は生じに
くくなるのである。
Ａｌ層７，９，１１に分断され、しかもその間に第１，
第２のＣｕ層８，１０が介在しているので、まず第１〜
第３のＡｌ層７，９，１１が薄型化された事によりＡｌ
層中の転位は生じにくく、次にこれらの第１〜第２のＡ
ｌ層７，９，１１間に第１，第２のＣｕ層８，１０が介
在する事により第１〜第３のＡｌ層７，９，１１から相
手方のＡｌ層への粒界の拡散は抑制される事になり、さ
らにまた第２のＡｌ層９は上下の第１，第２のＣｕ層
８，１０に挾持される事によりＡｌ層中の転位が移動し
にくくなり、これらの結果により電極２の劣化は生じに
くくなるのである。
【０００９】また、第１〜第３のＡｌ層７，９，１１に
はそれぞれ第１，第２のＣｕ層８，１０が当接してお
り、つまりこの様にするとやわらかいＡｌ層に転位が生
じる事となるが、それはＣｕ層で挾持されているので結
論として転位が移動しにくくなり、この事からも電極の
劣化が生じにくくなるのである。さらにまた、第２のＡ
ｌ層９の上下に第１，第２のＣｕ層８，１０が当接する
ので上述のごとく転位が移動しにくくなる事が結論とし
て第２のＡｌ層９の強度を強くする事にもなるのであ
る。
はそれぞれ第１，第２のＣｕ層８，１０が当接してお
り、つまりこの様にするとやわらかいＡｌ層に転位が生
じる事となるが、それはＣｕ層で挾持されているので結
論として転位が移動しにくくなり、この事からも電極の
劣化が生じにくくなるのである。さらにまた、第２のＡ
ｌ層９の上下に第１，第２のＣｕ層８，１０が当接する
ので上述のごとく転位が移動しにくくなる事が結論とし
て第２のＡｌ層９の強度を強くする事にもなるのであ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明は、圧電基板と、こ
の圧電基板の表面上に設けた第１のＡｌ層と、この第１
のＡｌ層上に設けた第１のＣｕ層と、この第１のＣｕ層
上に設けた第２のＡｌ層と、この第２のＡｌ層上に設け
た第２のＣｕ層とを備えた構成としたものである。
の圧電基板の表面上に設けた第１のＡｌ層と、この第１
のＡｌ層上に設けた第１のＣｕ層と、この第１のＣｕ層
上に設けた第２のＡｌ層と、この第２のＡｌ層上に設け
た第２のＣｕ層とを備えた構成としたものである。
【００１１】そして以上の構成とすればＡｌ層は、第１
と第２のＡｌ層に分断され、しかもその間に第１のＣｕ
層が介在しているので、まず第１と第２のＡｌ層が薄型
化された事によりＡｌ層中の転位は生じにくく、次にこ
れらの第１，第２のＡｌ層間に第１のＣｕ層が介在する
事により第１，第２のＡｌ層から相手方のＡｌ層への粒
界の拡散は抑制される事になり、さらにまた第２のＡｌ
層は上下の第１，第２のＣｕ層に挾持される事によりＡ
ｌ層中の転位が移動しにくくなり、これらの結果により
電極の劣化は生じにくくなるのである。
と第２のＡｌ層に分断され、しかもその間に第１のＣｕ
層が介在しているので、まず第１と第２のＡｌ層が薄型
化された事によりＡｌ層中の転位は生じにくく、次にこ
れらの第１，第２のＡｌ層間に第１のＣｕ層が介在する
事により第１，第２のＡｌ層から相手方のＡｌ層への粒
界の拡散は抑制される事になり、さらにまた第２のＡｌ
層は上下の第１，第２のＣｕ層に挾持される事によりＡ
ｌ層中の転位が移動しにくくなり、これらの結果により
電極の劣化は生じにくくなるのである。
【００１２】また、第１，第２のＡｌ層にはそれぞれ第
１，第２のＣｕ層が当接しており、つまりこの様にする
とやわらかいＡｌ層に転位が生じる事となるが、それは
Ｃｕ層で挾持されているので結論として転位が移動しに
くくなり、この事からも電極の劣化が生じにくくなるの
である。さらにまた、第２のＡｌ層の上下に第１，第２
のＣｕ層が当接するので上述のごとく転位が移動しにく
くなる事が結論として第２のＡｌ層の強度を強くする事
にもなるのである。
１，第２のＣｕ層が当接しており、つまりこの様にする
とやわらかいＡｌ層に転位が生じる事となるが、それは
Ｃｕ層で挾持されているので結論として転位が移動しに
くくなり、この事からも電極の劣化が生じにくくなるの
である。さらにまた、第２のＡｌ層の上下に第１，第２
のＣｕ層が当接するので上述のごとく転位が移動しにく
くなる事が結論として第２のＡｌ層の強度を強くする事
にもなるのである。
【図１】本発明の一実施例の電極の断面図
【図２】本発明の一実施例の斜視図
１ 圧電基板 ２ 電極 ７ 第１のＡｌ層 ８ 第１のＣｕ層 ９ 第２のＡｌ層 １０ 第２のＣｕ層
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板と、この圧電基板の表面上に設
けた第１のＡｌ層と、この第１のＡｌ層上に設けた第１
のＣｕ層と、この第１のＣｕ層上に設けた第２のＡｌ層
と、この第２のＡｌ層上に設けた第２のＣｕ層とを備え
たＳＡＷデバイス。 - 【請求項２】 第１のＡｌ層は第２のＡｌ層よりも膜厚
を薄くした、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。 - 【請求項３】 第２のＡｌ層は第１，第２のＣｕ層およ
び第１のＡｌ層よりも膜厚を厚くした請求項１に記載の
ＳＡＷデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7092114A JPH08288781A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | Ｓａｗデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7092114A JPH08288781A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | Ｓａｗデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288781A true JPH08288781A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14045415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7092114A Pending JPH08288781A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | Ｓａｗデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288781A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054995A1 (en) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it |
-
1995
- 1995-04-18 JP JP7092114A patent/JPH08288781A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054995A1 (en) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it |
| US6297580B1 (en) | 1998-04-21 | 2001-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it |
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