JPH0882925A - 感光性材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 単波長光源に対して透明性が優れ、かつ十分
なドライエッチング耐性を有する感光性材料を提供す
る。 【構成】 テルペノイド骨格を有する化合物を含有する
感光性材料である。前記テルペノイド骨格は、下記化１
に示す一般式（１）で表される１価のメンチル基または
メンチル誘導体基を有する化合物を含むことが好まし
い。 【化１】 （上記一般式（１）中、Ｒは、水素原子または１価の炭
化水素基である。Ｒ¹は、互いに同一であっても異なっ
ていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、
水酸基、アルコキシル基、アミノ基、イミド基、アミド
基、スルホニル基、カルボキシル基、カルボニル基、ス
ルホンアミド基であり、Ｒ¹同士は、互いに結合して環
を形成していてもよい。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの製造
工程における微細加工に用いられるレジストとして好適
な感光性材料に係り、特に、紫外線、ｄｅｅｐ ＵＶ
光、２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光、１９３ｎｍ
のＡｒＦエキシマレーザ光、電子線、Ｘ線などの短波長
光を露光エネルギー源として用いる際に、特に好適な感
光性材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子などをはじめとする電子部品
の製造工程では、フォトリソグラフィー技術を用いて微
細パタンが形成されている。かかる技術は、次のような
工程に沿って行なわれる。すなわち、まず、レジスト組
成物を基板等の上に塗布してフォトレジスト膜となる薄
膜を形成する。次いで、このフォトレジスト膜に対して
露光を行った後、現像、リンス等の処理を施してレジス
トパタンを形成する。続いて、レジストパタンを耐エッ
チングマスクとして用いて、露出している基板などの表
面をエッチングすることにより、微細な幅の線や窓を開
孔し、所望のパタンを形成する。最後に、レジストを溶
解除去して薄膜パタンが得られる。

【０００３】近年、半導体素子の高密度集積化に伴い、
フォトリソグラフィー技術において、より微細なパタン
を形成することができる加工技術が求められている。か
かる要望に対して、露光光源の短波長化が試みられてい
る。例えば、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）
やＹＡＧレーザの５倍高調波（波長２１８ｎｍ）を光源
として採用した、微細なレジストパタンを形成するプロ
セスが開発されている。これによって配線パタンの最小
線幅はサブミクロンオーダにまで及んでいる。そして、
さらに微細化の傾向にある。

【０００４】また、前記工程では、微細加工をより効果
的に行なう目的でドライエッチング耐性に優れたレジス
トを用いてレジストパタンを形成することが求められて
いる。

【０００５】かかる点に関して、芳香族化合物を含有す
る感光性組成物をレジスト材料として使用することが知
られている。このようなレジスト材料としては、フェノ
ール樹脂をベース材料として含むものが数多く開発され
てきたが、これらの材料は前述の如くの短波長光を露光
光源として使用した場合、その吸収が大きく、露光時に
レジスト膜の表面から離れた部分にまで露光光を充分に
到達させることができない。その結果、従来のレジスト
材料によって微細パタンを得ることが困難であるという
問題があった。

【０００６】一方、光吸収の少ない樹脂として、芳香環
を有しないポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）など
を用いることが検討されているが、これらの材料は充分
なドライエッチング耐性を有していないという問題点が
あった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、サブミ
クロンの微細パタンを実現するための感光性組成物に
は、光の吸収が少なく、かつ充分なドライエッチング耐
性を有することが要求されている。

【０００８】そこで、本発明は、短波長光源、特にＫｒ
Ｆエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光に対して
透明性が優れ、かつ充分なドライエッチング耐性を備え
た感光性材料を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、テルペノイド骨格を有する化合物を含有
することを特徴とする感光性材料を提供する。

【００１０】感光性材料の具体例としては、露光によっ
て主鎖が切断され得る樹脂や、露光によって溶解度が向
上する化合物を含有する樹脂組成物（ポジ型レジス
ト）、露光によって架橋し得る樹脂や、露光によって溶
解性が低下する化合物を含有する樹脂組成物（ネガ型レ
ジスト）が挙げられる。

【００１１】また、露光後、光化学反応を熱反応によっ
て増幅する化学増幅型レジストが有効である。

【００１２】ポジ型の化学増幅型レジストとしては、露
光によって酸を発生し得る光酸発生剤と称される化合
物、および酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有
する化合物、例えば、溶解抑止基を有する化合物、さら
に、必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂を含有する感光
性組成物が挙げられる。

【００１３】ネガ型の化学増幅型レジストとしては、光
酸発生剤、アルカリ可溶性の樹脂、および酸によって前
記樹脂成分を架橋し得る化合物、または酸によって溶解
度が低下する化合物を含有する感光性組成物が挙げられ
る。

【００１４】本発明の感光性材料は、このような感光性
材料を構成する化合物の骨格、例えば、樹脂成分の主鎖
または側鎖、感光剤成分、光酸発生剤または溶解抑止剤
等の各成分の骨格中にテルペノイド骨格を有する基を有
するものである。

【００１５】感光性材料の固形分中におけるテルペノイ
ド骨格の量は、５重量％以上９５重量％以下であること
が好ましい。この理由は、テルペノイド骨格の量が５重
量％未満の場合には、得られるパタンのドライエッチン
グ耐性が低下し、逆に９５重量％を越えると、解像度や
感度が低下する恐れがあるためである。上記テルペノイ
ド骨格のより好ましい量は、２０〜７５重量％である。

【００１６】本発明において、前記テルペノイド骨格を
有する化合物とは、ほぼイソプレン則に適合し、Ｃ₅Ｈ₈
を基本組成とする炭化水素、および、その炭化水素から
導かれる含酸素化合物、並びに不飽和度を異にする化合
物、あるいは前記化合物の誘導体であって、上記感光性
材料の成分として使用できる化合物である。

【００１７】前記炭化水素、およびそれから導かれる含
酸素化合物、並びに不飽和度を異にする化合物として
は、具体的には、ミルセン，カレン，オシメン，ピネ
ン，リモネン，カンフェン，テルピノレン，トリシクレ
ン，テルピネン，フェンチェン，フェランドレン，シル
ベストレン，サビネン，シトロネロール，ピノカンフェ
オール，ゲラニオール，フェンチルアルコール，ネロー
ル，ボルネオール，リナロール，メントール，テルピネ
オール，カルベオール，ツイルアルコール，シトロネラ
ール，ヨノン，イロン，シネロール，シトラール，メン
トン，ピノール，シクロシトラール，カルボメントン，
アスカリドール，サフラナール，カルボタナセトン，フ
ェランドラール，ピメリテノン，シトロネロル酸，ペリ
ルアルデヒド，ツヨン，カロン，ダゲトン，ショウノ
ウ，ビサボレン，サンタレン，ジンギベレン，カリオフ
ィレン，クルクメン，セドレン，カジネン，ロンギホレ
ン，セスキベニヘン，ファルネソール，パチュリアルコ
ール，ネロリドール，カロトール，カジノール，ランセ
オール，オイデスモール，セドロール，グアヨール，ケ
ッソグリコール，シペロン，ヒノキ酸，エレモフィロ
ン，サンタル酸，ゼルンボン，カンホレン，ポドカルプ
レン，ミレン，フィロクラデン，トタレン，フィトー
ル，スクラレオール，マノール，ヒノキオール，フェル
ギノール，トタロール，スギオール，ケトマノイルオキ
シド，マノイルオキシド，アビエチン酸，ピマル酸，ネ
オアビエチン酸，レボピマル酸，イソ−ｄ−ピマル酸，
アガテンジカルボン酸，ルベニン酸，トリテルペン，お
よびカロチノイドなどの骨格を構造内に有する化合物が
挙げられる。

【００１８】これらの化合物のうち、テルペノイド骨格
が単環式である化合物、またはヘミテルペン、モノテル
ペン、ジテルペンおよびセスキテルペンが、特にアルカ
リ溶解性の点で有利である。

【００１９】本発明においては、これらの化合物を感光
性材料の成分に変成して用いる。

【００２０】テルペノイド骨格を有する化合物を感光性
材料における樹脂成分として用いる場合、メンチル基ま
たはメンチル誘導体基を有するポリマが好ましい。メン
チル基またはメンチル誘導体基を有するポリマの原料と
なるメントール（Ｃ₁₀Ｈ₂₀Ｏ）は、容易に入手可能であ
り、安全で安価、かつ化学的に非常に安定である。

【００２１】以下、メンチル基またはメンチル誘導体基
を例に挙げて、本発明の感光性材料におけるテルペノイ
ド骨格を有する化合物を詳細に説明する。

【００２２】なお、メンチル基またはメンチル誘導体基
は、下記化６に示す一般式（１）で表される。

【００２３】

【化６】 （上記一般式（１）中、Ｒは、水素原子または１価の炭
化水素基である。Ｒ¹は、互いに同一であっても異なっ
ていてもよく、水素原子，ハロゲン原子、炭化水素基、
水酸基，アルコキシル基，アミノ基、イミド基、アミド
基、スルホニル基、カルボキシル基、カルボニル基、ス
ルホンアミド基であり、Ｒ¹同士は、互いに結合して環
を形成していてもよい。） なお、上記式（１）において炭化水素基は、脂肪族基ま
たは芳香族基のいずれでもよく、さらに、窒素原子、酸
素原子、硫黄原子、リンなどのヘテロ原子で置換されて
いてもよく何等限定されない。前記脂肪族基は、飽和し
ていても不飽和結合を含んでもよく、直鎖または枝分か
れしていてもよい。さらに、前記脂肪族基は、環状化合
物を含むこともできる。また、前記芳香族基は、無置換
であっても、前記脂肪族基で置換されていてもよい。

【００２４】また、Ｒ¹がアミノ基の場合には、その水
素原子は、前述の炭化水素基で置換されていてもよい。

【００２５】前記一般式（１）で表されるメンチル基ま
たはメンチル誘導体基としては、例えば、８−ブチルメ
ンチル基、８−β−ナフチルメンチル基、８−α−ナフ
チルメンチル基等が挙げられる。メンチル基およびその
誘導体は、ポリマのどの部分に存在していてもよく、特
に限定されない。この基を有するポリマを得るには、よ
り一般的には、重合性二重結合を有する化合物の側鎖と
して前述の基を導入し、メンチル基またはメンチル誘導
体基を有する化合物を得て、さらに単重合または共重合
化によって目的とするポリマを得ることができる。

【００２６】感光性材料の固形分中におけるメンチル基
またはメンチル誘導体基の量は、少なくとも５重量％以
上９５重量％以下であることが好ましい。この理由は、
当該化合物の量が５重量％未満であると得られるパタン
のドライエッチング耐性が低下し、逆に９５重量％を越
えると、解像度や感度が低下する恐れがあるためであ
る。上記メンチル基またはメンチル誘導体基のより好ま
しい量は、２０〜７５重量％である。

【００２７】なお、本発明において、メンチル基または
メンチル誘導体基は、感光性材料の任意の成分中に存在
させることができる。したがって、これらの基がいずれ
の成分中に存在するでも、その量は、感光性材料の固形
分中で、最終的に前述の範囲であることが好ましい。

【００２８】さらに、メンチル基またはメンチル誘導体
基を骨格に有する化合物は、ビニル系化合物と共重合さ
せて感光性材料の樹脂成分として用いることがより好ま
しい。この場合には、感光性材料の高解像度化を達成す
ることができる。

【００２９】ビニル系化合物としては、例えば、メチル
アクリレート，メチルメタクリレート，α-クロロアク
リレート，シアノアクリレート，トリフルオロメチルア
クリレート，α-メチルスチレン，トリメチルシリルメ
タクリレート，トリメチルシリルα-クロロアクリレー
ト，トリメチルシリルメチルα-クロロアクリレート，
無水マレイン酸，テトラヒドロピラニルメタクリレー
ト，テトラヒドロピラニルα-クロロアクリレート，t-
ブチルメタクリレート，t-ブチルα-クロロアクリレー
ト，ブタジエン，グリシジルメタクリレート，イソボル
ニルメタクリレート，メンチルメタクリレート，ノルボ
ルニルメタクリレート，アダマンチルメタクリレート，
および、アリルメタクリレート等が挙げられる。

【００３０】特に、共重合組成が、メチルメタクリレー
ト，α−クロロメタクリレート，トリフルオロエチルα
−クロロアクリレート，トリフルオロメチルアクリレー
ト，オレフィンスルホン酸などのアクリル系化合物の場
合には、ポジ型レジストとして好ましく用いることがで
きる。また、エステルのアルコール部分にビニル基、あ
るいは、アリル基，エポキシ基を有するアクリル系化合
物、およびエステルのアルコール部分の炭素数が４以上
のアクリル系化合物が共重合組成の場合には、ネガ型レ
ジストとして好ましく使用することができる。アクリル
系化合物は下記化７に示す一般式（５）で表わされる。

【００３１】

【化７】 （上記一般式（５）中、Ｒ⁷は、水素原子または１価の
有機基、Ｒ⁸，Ｒ⁹，およびＲ¹⁰は、水素原子，ハロゲン
原子，アルキル基を示す。Ｒ⁸，Ｒ⁹，およびＲ¹⁰は、同
じであっても、異なっていても良い。） また、ポリマを得る際に使用する、メンチル基またはメ
ンチル誘導体基を含む化合物が、前述の一般式（５）で
表されるアクリル系化合物である場合には、容易に高分
子化、または共重合化できるので好ましいものとなる。
前記アクリル系化合物は、下記化８に示す一般式（２）
で表される。この化合物を単重合または共重合させるこ
とによって、目的のポリマが得られる。

【００３２】

【化８】 （上記一般式（２）中、Ｒ³は前記一般式（１）で表わ
されるメンチル基またはメンチル誘導体基を含む有機基
であり、Ｒ⁴はアルキル基、カルボキシル基、アルコキ
シカルボニル基、ハロゲン原子または水素原子であ
る。） また、上述のメンチル基またはメンチル誘導体基を、下
記化９に示す一般式（３）で表わされるように、重合性
構造を有する多価カルボン酸に導入してもよい。これに
よって、高解像度化が達成されるので、好ましいものと
なる。

【００３３】

【化９】 （上記一般式（３）中、Ｒ⁵およびＲ⁶は、１価の有機基
または水素原子であり、その少なくとも一方は、前記一
般式（１）で表されるメンチル基またはメンチル誘導体
基を含む。） なお、上記一般式（３）において、Ｒ⁵およびＲ⁶の一方
には、酸により分解または架橋する基を適宜導入するこ
とができる。

【００３４】上記一般式（３）で表される化合物は、Ｚ
体またはＥ体の構造に限定されるものではなく、また、
この単量体を単重合または共重合することによって得ら
れたポリマを使用する。

【００３５】前述の一般式（２）または（３）で表され
る化合物は、酸で分解または架橋する化合物と共重合さ
せてもよい。この酸で分解または架橋する化合物は、下
記化１０に示す一般式（４）で表される。

【００３６】

【化１０】 （上記一般式（４）中、Ｒ¹³は１価の有機基であり、Ｒ
¹⁴は、アルキル基、ハロゲン原子または水素原子であ
る。） なお、上記一般式（４）で表される化合物が酸で分解す
る化合物である場合、一般式（４）において、−（Ｃ＝
Ｏ）Ｏ−Ｒ¹³が後述する酸により分解する基であっても
よいし、Ｒ¹³がこのような酸により分解する基を含む有
機基であってもよい。

【００３７】本発明において、メンチル基またはメンチ
ル誘導体基を有する単量体及び共重合体が、酸の働きに
よって分解して現像液に可溶となる場合には、本発明の
感光性材料は、ポジ型の化学増幅型レジストとして使用
することができ、一方、酸の働きによって現像液に不溶
となる場合には、本発明の感光性組成物は、ネガ型の化
学増幅型レジストとして使用することが可能である。

【００３８】なお、ポジ型の化学増幅型レジストとは、
（ａ）樹脂成分であるアルカリ可溶性樹脂、（ｂ）酸に
より分解する化合物である溶解抑止剤、および（ｃ）化
学放射線、エネルギ放射線、物質放射線などの光を照射
することによって、酸を発生する化合物である光酸発生
剤の３つの成分を含有する感光性材料である。なお、ア
ルカリ可溶性樹脂は、酸分解性基、すなわち溶解抑止基
をその共重合組成とすることによって、同時に溶解抑止
剤として作用させることもできる。ポジ型化学増幅型レ
ジストは、溶解抑止剤が存在しているために、未露光
（化学放射線未照射）状態ではアルカリ溶液に対して不
溶性である。したがって、基板に塗布した化学増幅型レ
ジスト層に露光を施し、ベーキングにより処理すること
によって、光酸発生剤から酸が発生する。この酸が、前
述の溶解抑止剤を分解してアルカリ溶液に対して可溶と
なる。このようなレジストの構成は、ポジ型の場合であ
るが、ネガ型の化学増幅型レジストとする場合には、
（ｂ）成分のかわりに、酸によって前記樹脂成分を架橋
し得る化合物、または酸によって溶解度が低下する化合
物を含有させる。

【００３９】化学増幅型レジストは、その含有成分によ
って、ポジ型およびネガ型の任意のレジストとして使用
することができる。例えば、ポジ型として使用する場合
には、樹脂としては、前記一般式（１）で表わされる構
造を側鎖に有するビニル系，或いは、一般式（５）で表
されるアクリル系化合物と、酸により分解する基を有す
るモノマとの共重合体が好ましい。

【００４０】特に、前記樹脂成分が、上記一般式（２）
で表わされる単量体または一般式（３）で表される単量
体と、例えば、前記一般式（４）で表されるような酸で
分解または架橋する官能基を含む化合物との共重合体で
ある場合には、光酸発生剤を含有させることにより、化
学増幅型レジストとして好適に使用することができる。

【００４１】ただし、上記一般式（３）で表される化合
物において、Ｒ⁵，Ｒ⁶の少なくとも一方がメンチル基ま
たはメンチル誘導体基を含む有機基であり、他方が酸で
分解または架橋する有機基である場合などは、その単重
合体に光酸発生剤を配合することで、化学増幅型レジス
トとして好適に使用することが可能となる。

【００４２】酸により分解する基としては、例えば、イ
ソプロピルエステル、エチルエステル、メチルエステ
ル、メトキシメチルエステル、エトキシエチルエステ
ル、メチルチオメチルエステル、テトラヒドロピラニル
エステル、テトラヒドロフラニルエステル、メトキシエ
トキシメチルエステル、２−トリメチルシリルエトキシ
メチルエステル、2,2,2-トリクロロエチルエステル、２
−クロロエチルエステル、２−ブロモエチルエステル、
２−ヨードエチルエステル、２−フルオロエチルエステ
ル、ω−クロロアルキルエステル、２−トリメチルシリ
ルエチルエステル、２−メチルチオエチルエステル、
１，３−ジチアニル−２−メチルエステル、ｔ−ブチル
エステル、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエ
ステル、３−オキソシクロヘキシルエステル、アリルエ
ステル、３−ブテン−１−イルエステル、イソボルニル
エステル、４−トリメチルシリル−２−ブテン−１−イ
ルエステル、９−アンスリルメチルエステル、２−
９′，１０′−ジオキソ-アンスリルメチルエステル、
１−ピレニルメチルエステル、２−トリフルオロメチル
−６−クロミルメチルエステル、ピペロニルエステル、
４−ピコリルエステル、トリメチルシリルエステル、ト
リエチルシリルエステル、イソプロピルジメチルシリル
エステル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルエステル、チオ
ールエステル、オキサゾール、２−アルキル−１，３−
オキサゾリン、４−アルキル−５−オキソ−１，３−オ
キサゾリン、５−アルキル−４−オキソ−１，３−ジオ
キソラン、オルトエステル、ペンタアミンコバルトコン
プレックス、トリエチルスタニルエステル、トリ−ｎ−
ブチルスタニルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド，ピ
ロリジンアミド，ピペリジンアミド，５，６−ジヒドロ
フェナンスリジンアミド，Ｎ−７−ニトロインドリルエ
ステル，N-8-ニトロ-1,2,3,4-テトラヒドロキノリルア
ミド，ヒドラジド，Ｎ−フェニルヒドラジド、および、
N,N'-ジイソプロピルヒドラジドなどのエステル類; ｔ
−ブトキシカルボニルエーテル，メチルエーテル，メト
キシメチルエーテル，メチルチオメチルエーテル，ｔ−
ブチルチオメチルエーテル，ｔ−ブトキシメチルエーテ
ル，４−ペンテニロキシメチルエーテル，ｔ−ブチルジ
メチルシロキシメチルエーテル，セキシルジメチルシロ
キシメチルエーテル，２−メトキシエトキシメチルエー
テル，2,2,2-トリクロロエトキシメチルエーテル，ビス
-2'-クロロエトキシ−メチルエーテル，2'-トリメチル
シリルエトキシメチルエーテル，2'-トリエチルシリル
エトキシメチルエーテル，2'-トリイソプロピルシリル
エトキシメチルエーテル，2'-t-ブチルジメチルシリル
エトキシメチルエーテル，テトラヒドロピラニルエーテ
ル，テトラヒドロチオピラニルエーテル，３−ブロモテ
トラヒドロピラニルエーテル，１−メトキシシクロヘキ
シルエーテル，４−メトキシテトラヒドロピラニルエー
テル，４−メトキシテトラヒドロチオピラニルエーテ
ル，４−メトキシテトラヒドロチオピラニルエーテル-
S,S-ジオキシド，1,4-ジオキサン−２−イルエーテル，
テトラヒドロフラニルエーテル，テトラヒドロチオフラ
ニルエーテル，2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,8,8
-トリメチル-4,7-メタノベンゾフラン-2-イルエーテ
ル，１−エトキシエチルエーテル，1-2'-クロロエトキ
シ−エチルエーテル，１−メチル−１−メトキシエチル
エーテル，2,2,2-トリクロロエチルエーテル，２−トリ
メチルシリルエチルエーテル，ｔ−ブチルエーテル，ア
リルエーテル、4,4',4"-トリス-4',5'-ジクロロフタル
イミドフェニル-メチルエーテル，4,4',4"-トリス-4',
5'-ジブロモフタルイミドフェニル-メチルエーテル，4,
4',4"-トリス-4',5'-ヨードフタルイミドフェニル-メチ
ルエーテル，９−アンスリルエーテル，9-9'-フェニル-
10'-オキソ-アンスリルエーテル（トリチロンエーテ
ル），1,3-ベンゾジチオラン-2-イルエーテル，ベンズ
イソチアゾリル-S,S-ジオキシドエーテル，トリメチル
シリルエーテル，トリエチルシリルエーテル，トリイソ
プロピルシリルエーテル，ジメチルイソプロピルシリル
エーテル，ジエチルイソプロピルシリルエーテル，ジメ
チルセキシルシリルエーテル、および、ｔ−ブチルジメ
チルシリルエーテルなどのエーテル類；メチレンアセタ
ール，エチリデンアセタール，2,2,2-トリクロロエチリ
デンアセタール，2,2,2-トリブロモエチリデンアセター
ル、および、2,2,2-トリヨードエチリデンアセタールな
どのアセタール類；１−ｔ−ブチルエチリデンケター
ル，イソプロピリデンケタール（アセトニド），シクロ
ペンチリデンケタール，シクロヘキシリデンケタール、
および、シクロヘプチリデンケタールなどのケタール
類；メトキシメチレンアセタール，エトキシメチレンア
セタール，ジメトキシメチレンオルソエステル，１−メ
トキシエチリデンオルソエステル，１−エトキシエチリ
デンオルソエステル，1,2-ジメトキシエチリデンオルソ
エステル，1-N,N-ジメチルアミノエチリデンオルソエス
テル、および、２−オキサシクロペンチリデンオルソエ
ステル，などのサイクリックオルソエステル類；トリメ
チルシリルケテンアセタール，トリエチルシリルケテン
アセタール，トリイソプロピルシリルケテンアセター
ル、および、ｔ−ブチルジメチルシリルケテンアセター
ルなどのシリルケテンアセタール類；ジ-t-ブチルシリ
ルエーテル，1,3-1',1',3',3'-テトライソプロピルジシ
ロキサニリデンエーテル、および、テトラ−ｔ−ブトキ
シジシロキサン-1,3-ジイリデンエーテルなどのシリル
エーテル類；ジメチルアセタール，ジメチルケタール，
ビス-2,2,2-トリクロロエチルアセタール，ビス-2,2,2-
トリブロモエチルアセタール，ビス-2,2,2-トリヨード
エチルアセタール，ビス-2,2,2-トリクロロエチルケタ
ール，ビス-2,2,2-トリブロモエチルケタール，ビス-2,
2,2-トリヨードエチルケタール，ジアセチルアセター
ル、および、ジアセチルケタールなどの非環状アセター
ル類またはケタール類；1,3-ジオキサン，5-メチレン-
1,3-ジオキサン，5,5-ジブロモ-1,3-ジオキサン，1,3-
ジオキソラン，4-ブロモメチル-1,3-ジオキソラン，4-
3'-ブテニル-1,3-ジオキソラン、および、4,5-ジメトキ
シメチル-1,3-ジオキソランなどのサイクリックアセタ
ール類またはケタール類；S,S'-シ゛メチルアセタール，
S,S'-シ゛メチルケタール，S,S'-ジエチルアセタール，S,
S'-ジエチルケタール，S,S'-ジプロピルアセタール，S,
S'-ジプロピルケタール，S,S'-ジブチルアセタール，S,
S'-ジブチルケタール，S,S'-ジペンチルアセタール，S,
S'-ジペンチルケタール，S,S'-ジアセチルアセタール、
および、S,S'-ジアセチルケタールなどの非環状ジチオ
アセタール類またはケタール類；1,3-ジチアンアセター
ル，1,3-ジチアンケタール，1,3-ジチオランアセター
ル、および、1,3-ジチオランケタールなどのサイクリッ
クジチオアセタール類またはケタール類；Ｏ−トリメチ
ルシリル−Ｓ−アルキルアセタール類；Ｏ−トリメチル
シリル−Ｓ−アルキルケタール類；Ｏ−メチル-S-2-メ
チルチオエチルアセタールなどの非環状モノチオアセタ
ール類；Ｏ-メチル-S-2-メチルチオエチルケタールなど
の非環状モノチオケタール類；1,3-オキサチオランアセ
タール，ジセレノアセタール、および、ジセレノケター
ルなどのサイクリックモノチオアセタール類またはケタ
ール類；Ｏ−トリメチルシリルシアノヒドリン，Ｏ−１
−エトキシエチルシアノヒドリン，Ｏ−テトラヒドロピ
ラニルシアノヒドリンなどのシアノヒドリン類；N,N-ジ
メチルヒドラゾンなどのヒドラゾン類；オキシム誘導
体，Ｏ-メチルオキシムなどのオキシム類；オキサゾリ
ジン，1-メチル-2-1'-ヒドロキシアルキル-イミダゾー
ル、および、N,N-ジメチルイミダゾリジンなどのサイク
リック誘導体などを挙げることができる。

【００４３】より好ましくは、ｔ−ブチルメタクリレー
ト，エトキシエチルメタクリレート，３−オキソシクロ
ヘキシルメタクリレート，ｔ−ブチル−３−ナフチル−
２−プロペノエート，イソボルニルメタクリレート，ト
リメチルシリルメタクリレート、およびテトラヒドロピ
ラニルメタクリレートのようなｔ−ブチルエステル；ト
リメチルシリルエステル；テトラヒドロピラニルエステ
ルが挙げられる。この場合、メタクリレートの代わりに
アクリレートを用いてもよい。

【００４４】かかる共重合体におけるメンチル基または
メンチル誘導体基を骨格に有するモノマの含有量は、全
体のモノマ総モルに対して、５モル％〜９５モル％の範
囲が好ましい。５モル％未満では、得られるパタンの耐
ドライエッチング性が低下し、９５モル％を越えると、
解像度や感度が低下してしまうので好ましくない。な
お、前記モノマの含有量のより好ましい量は２０〜７５
モル％である。

【００４５】また、溶解抑止基を有するモノマを、ポリ
マ中に共重合組成として有する場合には、その含有量
は、全体のモノマの総モル数に対して１０モル％〜９５
モル％の範囲が望ましい。１０モル％未満では、充分な
溶解抑止作用を付与することができず、一方、９５モル
％を越えると解像度が低下してしまう。なお、溶解抑止
基を有するモノマの含有量は、より好ましくは１５モル
％〜７０モル％である。また、本発明の感光性材料のベ
ース樹脂成分として、さらにアルカリ可溶性基を含有さ
せてもよい。アルカリ可溶性基を含む単量体としては、
それ自身がアルカリ又は塩基に溶解するものを利用する
ことができる。例えば、カルボン酸，スルホン酸、酸無
水物を含む単量体を挙げることができる。アルカリ可溶
性基は、単量体中２つ以上存在していてもよい。これら
の単量体には、同時にエステル，アルコール，アミン，
イミン，イミド，スルホンアミド，アミドなどの他の官
能基が存在していてもよい。このような単量体は、その
重合体と、上記一般式（２）で表される化合物または上
記一般式（３）で表される化合物を単量体とする重合体
と混合されてもよいし、共重合組成とされてもよい。

【００４６】なお、アルカリ可溶性基を有する化合物と
しては、前記一般式（５）で示される化合物が好まし
い。この化合物において、Ｒ⁷が１価の有機基の場合に
は、その中にアルカリまたは塩基に溶解する基を有して
いればよい。

【００４７】また、（ａ）アルカリ可溶性樹脂、（ｂ）
溶解抑止剤、（ｃ）光酸発生剤の３つの成分を含有する
感光性材料において、アルカリ可溶性樹脂の骨格中にメ
ンチルまたはメンチル誘導体基を存在させる場合は、上
記一般式（２）で表される化合物または一般式（３）で
表される化合物と、上記一般式（５）で表されるアルカ
リ可溶性基を有する化合物との共重合体が好ましく用い
られる。さらに、上記一般式（３）で表される化合物に
おいて、Ｒ⁵、Ｒ⁶の少なくとも一方が、メンチル基また
はメンチル誘導体基を含む有機基であり、他方が水素原
子またはアルカリ可溶性基を含む有機基である場合は、
その単重合体をアルカリ可溶性樹脂として用いることも
できる。なお、このとき溶解抑止基を有するモノマをさ
らに共重合組成としてもよいことはいうまでもない。

【００４８】本発明の感光性材料のベース樹脂における
他の共重合成分として、一般式（５）で示されるアクリ
ル酸系エステルモノマ、イミドモノマ、スルホンアミド
モノマ、アミドモノマおよびアクリル系のアルキルアミ
ノスルホニルアルキルエステルをさらに含有させてもよ
い。例えば、メタクリル酸エステルモノマ，アクリル酸
エステルモノマ，クロトン酸エステルモノマ，チグリル
酸エステルモノマ等を挙げることができる。

【００４９】この場合、一般式（５）のＲ⁷に任意の有
機基を導入することで、樹脂成分のアルカリ可溶性を適
宜調節することが可能である。

【００５０】アルカリ可溶性基を共重合組成に含む場合
には、そのアルカリ可溶性基を有するモノマの含有量
は、全体のモノマ総モル数に対して、１モル％〜９５モ
ル％の範囲が好ましい。１モル％未満では、露光後のア
ルカリ溶解性が不十分となるおそれがあり、一方、９５
モル％を越えると感度が低下するおそれがある。なお、
アルカリ可溶性基の含有量は、より好ましくは１〜７０
モル％である。

【００５１】さらに、一般式（５）で示されるアクリル
酸系エステルモノマを含む場合には、このモノマは、全
体のモノマの総数に対して１〜８０％加えることが好ま
しい。この範囲を逸脱すると、解像度が低下してしま
う。なお、更に含むアクリル酸系エステルモノマの含有
量は、より好ましくは１〜７０％である。また、共重合
体は、数種混合して、そのベース樹脂として用いること
も可能である。さらに、共重合体のみならず、上記一般
式（２）〜（５）で表される化合物は、それらの単重合
体を適宜混合して、ベース樹脂として使用することがで
きる。

【００５２】化学増幅型レジスト組成物の成分として含
有される光酸発生剤は、化学放射線の照射により、酸を
発生する化合物であり、例えば、アリールオニウム塩，
ナフトキノンジアジド化合物，ジアゾニウム塩，スルフ
ォネート化合物，スルフォニウム化合物，ヨードニウム
化合物、およびスルフォニルジアゾメタン化合物などが
挙げられる。

【００５３】これらの化合物の例として、具体的には、
トリフェニルスルフォニウムトリフレート，ジフェニル
ヨードニウムトリフレート，2,3,4,4-テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン-4-ナフトキノンジアジドスルフォネー
ト，4-N-フェニルアミノ-2-メトキシフェニルジアゾニ
ウムスルフェート，4-N-フェニルアミノ-2-メトキシフ
ェニルジアゾニウムp-エチルフェニルスルフェート，4-
N-フェニルアミノ-2-メトキシフェニルジアゾニウム2-
ナフチルスルフェート，4-N-フェニルアミノ-2-メトキ
シフェニルジアゾニウムフェニルスルフェート，2,5-ジ
エトキシ-4-N-4'-メトキシフェニルカルボニルフェニル
ジアゾニウム3-カルボキシ-4-ヒドロキシフェニルスル
フェート，2-メトキシ-4-N-フェニルフェニルジアゾニ
ウム3-カルボキシ-4-ヒドロキシフェニルスルフェー
ト，ジフェニルスルフォニルメタン，ジフェニルスルフ
ォニルジアゾメタン、ジフェニルジスルホン、α−メチ
ルベンゾイントシレート、ピロガロールトリメシレー
ト、およびベンゾイントシレート等が挙げられる。さら
に、下記表１〜表２、および化１１〜化１４に示す化合
物を使用してもよい。

【００５４】

【表１】

【００５５】

【表２】

【００５６】

【化１１】

【００５７】

【化１２】

【００５８】

【化１３】

【００５９】

【化１４】 また、下記化１５および１６に示すヨードニウム塩、下
記化１７〜１９に示すスルホニウム塩、化２０に示すジ
スルホン誘導体、化２１に示すイミドスルホン誘導体を
使用することもできる。

【００６０】

【化１５】

【００６１】

【化１６】

【００６２】

【化１７】

【００６３】

【化１８】

【００６４】

【化１９】

【００６５】

【化２０】

【００６６】

【化２１】 また、さらに、下記化２２〜化２５に示す化合物を使用
してもよい。

【００６７】

【化２２】

【００６８】

【化２３】

【００６９】

【化２４】

【００７０】

【化２５】 なお、化２５に示す式中、Ｃ¹およびＣ²は単結合または
二重結合を形成し、Ｒ’は、−ＣＦ₃、−ＣＦ₂ＣＦ₃、
−ＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ、および−（ＣＦ₂）_n−Ｚ’からなる群
から選択された基である（なお、ｎは１〜４であり、
Ｚ’は、Ｈ、アルキル、アリール、および下記化２６に
示す基から選択される。）また、Ｘ’およびＹ’は、
（１）１つまたはそれ以上のヘテロ原子を含んでもよい
単環または多環を形成するか、（２）縮合した芳香環を
形成するか、（３）独立して水素、アルキルまたはアリ
ールであるか、（４）他のスルホニルオキシイミドを含
む残基に結合してもよく、または（５）重合性連鎖また
はバックボーンに結合してもよい。

【００７１】

【化２６】 特に、ナフタレン骨格を有する光酸発生剤を用いると、
１９３ｎｍ付近の光透過性が増大するので好ましい。

【００７２】ナフタレン骨格を有する光酸発生剤として
は、例えば、ナフタレン，ペンタレン，インデン，アズ
レン，ヘプタレン，ビフェニレン，as-インダセン，s-
インダセン，アセナフチレン，フルオレン，フェナレ
ン，フェナントレン，アントラセン，フルオランテン，
アセフェナントリレン，アセアントリレン，トリフェニ
レン，ピレン，クリセン，ナフタセン，プレイアデン，
ピセン，ペリレン，ペンタフェン，ペンタセン，テトラ
フェニレン，ヘキサフェン，ヘキサセン，ルビセン，コ
ロネン，トリナフチレン，ヘプタフェン，ヘプタセン，
ピラントレン，オバレン，ジベンゾフェナントレン，ベ
ンズ[a]アントラセン，ジベンゾ[a,j]アントラセン，イ
ンデノ[1,2-a]インデン，アントラ[2,1-a]ナフタセン，
1H-ベンゾ[a]シクロペント[j]アントラセン環を有する
スルフォニルまたはスルフォネート化合物；ナフタレ
ン，ペンタレン， インデン，アズレン，ヘプタレン，
ビフェニレン，as-インダセン，s-インダセン，アセナ
フチレン，フルオレン，フェナレン，フェナントレン，
アントラセン，フルオランテン，アセフェナントリレ
ン，アセアントリレン，トリフェニレン，ピレン，クリ
セン，ナフタセン，プレイアデン，ピセン，ペリレン，
ペンタフェン，ペンタセン，テトラフェニレン，ヘキサ
フェン，ヘキサセン，ルビセン，コロネン，トリナフチ
レン，ヘプタフェン，ヘプタセン，ピラントレン，オバ
レン，ジベンゾフェナントレン，ベンズ[a]アントラセ
ン，ジベンゾ[a,j]アントラセン，インデノ[1,2-a]イン
デン，アントラ[2,1-a]ナフタセン，1H-ベンゾ[a]シク
ロペント[j]アントラセン環にヒドロキシ化合物を有す
る4-キノンジアジド化合物；ナフタレン，ペンタレン，
インデン，アズレン，ヘプタレン，ビフェニレン，as-
インダセン，s-インダセン，アセナフチレン，フルオレ
ン，フェナレン，フェナントレン，アントラセン，フル
オランテン，アセフェナントリレン，アセアントリレ
ン，トリフェニレン，ピレン，クリセン，ナフタセン，
プレイアデン，ピセン，ペリレン，ペンタフェン，ペン
タセン，テトラフェニレン，ヘキサフェン，ヘキサセ
ン，ルビセン，コロネン，トリナフチレン，ヘプタフェ
ン，ヘプタセン，ピラントレン，オバレン，ジベンゾフ
ェナントレン，ベンズ[a]アントラセン，ジベンゾ[a,j]
アントラセン，インデノ[1,2-a]インデン，アントラ[2,
1-a]ナフタセン，1H-ベンゾ[a]シクロペント[j]アント
ラセン側鎖を有するスルフォニウムまたはヨードニウム
のトリフレートなどとの塩などが挙げられる。特に、ナ
フタレン環またはアントラセン環を有するスルフォニル
またはスルフォネート化合物：ナフタレンまたはアント
ラセンにヒドロキシ化合物を有する4-キノンジアジド化
合物：ナフタレンまたはアントラセン則鎖を有するスル
フォニウムまたはヨードニウムのトリフレートなどとの
塩が好ましい。これらの化合物の中でトリナフチルスル
フォニウムトリフレート，ジナフチルヨードニウムトリ
フレート，ジナフチルスルフォニルメタン，みどり化学
製ＮＡＴ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［１３７８６７−６
１−９］），みどり化学製ＮＡＴ−１０３（ＣＡＳ．Ｎ
ｏ．［１３１５８２−００−８］）．みどり化学製ＮＡ
Ｉ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［８５３４２−６２−
７］）、および、みどり化学製ＴＡＺ−１０６（ＣＡ
Ｓ．Ｎｏ．［６９４３２−４０−２］），みどり化学製
ＮＤＳ−１０５，みどり化学製ＣＭＳ−１０５，みどり
化学製ＤＡＭ−３０１（ＣＡＳ．Ｎｏ．［１３８５２９
−８１−４］），みどり化学製ＳＩ−１０５（ＣＡＳ．
Ｎｏ．［３４６９４−４０−７］），みどり化学製ＮＤ
Ｉ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［１３３７１０−６２−
０］），みどり化学製ＥＰＩ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．
［１３５１３３−１２−９］），みどり化学製ＰＩ−１
０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［４１５８０−５８−９］）が好
ましい。さらに、下記化２７〜化３１に示す化合物を使
用してもよい。

【００７３】

【化２７】

【００７４】

【化２８】

【００７５】

【化２９】

【００７６】

【化３０】

【００７７】

【化３１】 これらの化合物の中でさらに好ましいものとして、トリ
ナフチルスルフォニウムトリフレート，ジナフチルヨー
ドニウムトリフレート，ジナフチルスルフォニルメタ
ン，みどり化学製ＮＡＴ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［１
３７８６７−６１−９］），みどり化学製ＮＤＩ−１０
５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［１３３７１０−６２−０］）．お
よび、みどり化学製ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．
［８５３４２−６２−７］）が挙げられる。

【００７８】また、光酸発生剤としてテルペノイド骨格
を有する化合物を用いると、１９３ｎｍ近傍の光透過性
をさらに増大させることができるので、より好ましい。

【００７９】テルペノイド骨格を有する化合物として
は、先に説明したものを使用することができる。すなわ
ち、例えばミルセン，カレン，オシメン，ピネン，リモ
ネン，カンフェン，テルピノレン，トリシクレン，テル
ピネン，フェンチェン，フェランドレン，シルベストレ
ン，サビネン，シトロネロール，ピノカンフェオール，
ゲラニオール，フェンチルアルコール，ネロール，ボル
ネオール，リナロール，メントール，テルピネオール，
カルベオール，ツイルアルコール，シトロネラール，ヨ
ノン，イロン，シネロール，シトラール，メントン，ピ
ノール，シクロシトラール，カルボメントン，アスカリ
ドール，サフラナール，カルボタナセトン，フェランド
ラール，ピメリテノン，シトロネロル酸，ペリルアルデ
ヒド，ツヨン，カロン，ダゲトン，ショウノウ，ビサボ
レン，サンタレン，ジンギベレン，カリオフィレン，ク
ルクメン，セドレン，カジネン，ロンギホレン，セスキ
ベニヘン，ファルネソール，パチュリアルコール，ネロ
リドール，カロトール，カジノール，ランセオール，オ
イデスモール，セドロール，グアヨール，ケッソグリコ
ール，シペロン，ヒノキ酸，エレモフィロン，サンタル
酸，ゼルンボン，カンホレン，ポドカルプレン，ミレ
ン，フィロクラデン，トタレン，フィトール，スクラレ
オール，マノール，ヒノキオール，フェルギノール，ト
タロール，スギオール，ケトマノイルオキシド，マノイ
ルオキシド，アビエチン酸，ピマル酸，ネオアビエチン
酸，レボピマル酸，イソ-d-ピマル酸，アガテンジカル
ボン酸，ルベニン酸，トリテルペン，またはカロチノイ
ドを有するスルフォニル又はスルフォネート化合物；ミ
ルセン，カレン，オシメン，ピネン，リモネン，カンフ
ェン，テルピノレン，トリシクレン，テルピネン，フェ
ンチェン，フェランドレン，シルベストレン，サビネ
ン，シトロネロール，ピノカンフェオール，ゲラニオー
ル，フェンチルアルコール，ネロール，ボルネオール，
リナロール，メントール，テルピネオール，カルベオー
ル，ツイルアルコール，シトロネラール，ヨノン，イロ
ン，シネロール，シトラール，メントン，ピノール，シ
クロシトラール，カルボメントン，アスカリドール，サ
フラナール，カルボタナセトン，フェランドラール，ピ
メリテノン，シトロネロル酸，ペリルアルデヒド，ツヨ
ン，カロン，ダゲトン，ショウノウ，ビサボレン，サン
タレン，ジンギベレン，カリオフィレン，クルクメン，
セドレン，カジネン，ロンギホレン，セスキベニヘン，
ファルネソール，パチュリアルコール，ネロリドール，
カロトール，カジノール，ランセオール，オイデスモー
ル，セドロール，グアヨール，ケッソグリコール，シペ
ロン，ヒノキ酸，エレモフィロン，サンタル酸，ゼルン
ボン，カンホレン，ポドカルプレン，ミレン，フィロク
ラデン，トタレン，フィトール，スクラレオール，マノ
ール，ヒノキオール，フェルギノール，トタロール，ス
ギオール，ケトマノイルオキシド，マノイルオキシド，
アビエチン酸，ピマル酸，ネオアビエチン酸，レボピマ
ル酸，イソ−ｄ−ピマル酸，アガテンジカルボン酸，ル
ベニン酸，トリテルペン，またはカロチノイドにヒドロ
キシ化合物を有する4-キノンジアジド化合物；ミルセ
ン，カレン，オシメン，ピネン，リモネン，カンフェ
ン，テルピノレン，トリシクレン，テルピネン，フェン
チェン，フェランドレン，シルベストレン，サビネン，
シトロネロール，ピノカンフェオール，ゲラニオール，
フェンチルアルコール，ネロール，ボルネオール，リナ
ロール，メントール，テルピネオール，カルベオール，
ツイルアルコール，シトロネラール，ヨノン，イロン，
シネロール，シトラール，メントン，ピノール，シクロ
シトラール，カルボメントン，アスカリドール，サフラ
ナール，カルボタナセトン，フェランドラール，ピメリ
テノン，シトロネロル酸，ペリルアルデヒド，ツヨン，
カロン，ダゲトン，ショウノウ，ビサボレン，サンタレ
ン，ジンギベレン，カリオフィレン，クルクメン，セド
レン，カジネン，ロンギホレン，セスキベニヘン，ファ
ルネソール，パチュリアルコール，ネロリドール，カロ
トール，カジノール，ランセオール，オイデスモール，
セドロール，グアヨール，ケッソグリコール，シペロ
ン，ヒノキ酸，エレモフィロン，サンタル酸，ゼルンボ
ン，カンホレン，ポドカルプレン，ミレン，フィロクラ
デン，トタレン，フィトール，スクラレオール，マノー
ル，ヒノキオール，フェルギノール，トタロール，スギ
オール，ケトマノイルオキシド，マノイルオキシド，ア
ビエチン酸，ピマル酸，ネオアビエチン酸，またはカロ
チノイド側鎖を有するスルフォニウム又はヨードニウム
のトリフレートなどとの塩などが挙げられる。特に、ト
リメンチルスルフォニルメタン，トリメンチルスルフォ
ニウムトリフレート，ジメンチルメチルスルホニウムト
リフレート，メンチルジメチルスルホニウムトリフレー
ト，ジメンチルヨードニウムトリフレート，メンチルメ
チルヨードニウムトリフレート等が好ましい。

【００８０】なお、添加される光酸発生剤は、ベース樹
脂全体に対して、０．００１モル％〜５０モル％の範囲
が好ましい。０．００１モル％未満では、充分な量の酸
が発生せず、パタン形成が不可能となるおそれがあり、
一方、５０モル％を越えると、解像度および感度が低下
してしまうので好ましくない。前記光酸発生剤の含有量
は、より好ましくは、ベース樹脂全体に対して０．０1
モル％〜４０モル％である。

【００８１】また、本発明の感光性材料は、（ａ）アル
カリ可溶性樹脂、（ｂ）溶解抑止剤、（ｃ）光酸発生剤
の３つの成分を含有するポジ型の化学増幅型レジストで
あってもよいことはいうまでもなく、溶解抑止基を有す
るモノマを、樹脂成分の共重合組成として導入した場合
であっても、さらに、溶解抑止剤を含有させても良い。

【００８２】この溶解抑止剤は、前述の溶解抑止基と同
様に、酸の存在下で分解する置換基または官能基を有
し、かつ分解後の生成物がアルカリ溶液の作用によっ
て、−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−, −ＯＳ（＝Ｏ）₂−，または−
Ｏ−を生じるものであれば、特に限定されない。

【００８３】例えば、フェノール性化合物をt-ブトキシ
カルボニルエーテル，メチルエーテル，メトキシメチル
エーテル，メチルチオメチルエーテル，ｔ−ブチルチオ
メチルエーテル，ｔ−ブトキシメチルエーテル，４−ペ
ンテニロキシメチルエーテル，ｔ−ブチルジメチルシロ
キシメチルエーテル，セキシルジメチルシロキシメチル
エーテル，２−メトキシエトキシメチルエーテル，2,2,
2-トリクロロエトキシメチルエーテル，ビス−２’−ク
ロロエトキシ-メチルエーテル，２’−トリメチルシリ
ルエトキシメチルエーテル，２’−トリエチルシリルエ
トキシメチルエーテル，２’−トリイソプロピルシリル
エトキシメチルエーテル，２’−ｔ−ブチルジメチルシ
リルエトキシメチルエーテル，テトラヒドロピラニルエ
ーテル，テトラヒドロチオピラニルエーテル，３−ブロ
モテトラヒドロピラニルエーテル，１−メトキシシクロ
ヘキシルエーテル，４−メトキシテトラヒドロピラニル
エーテル，４−メトキシテトラヒドロチオピラニルエー
テル，４−メトキシテトラヒドロチオピラニルエーテル
−S,S-ジオキシド，1,4-ジオキサン-2-イルエーテル，
テトラヒドロフラニルエーテル，テトラヒドロチオフラ
ニルエーテル，2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,8,8
-トリメチル-4,7-メタノベンゾフラン-2-イルエーテ
ル，1-エトキシエチルエーテル，1-2'-クロロエトキシ-
エチルエーテル，1-メチル-1-メトキシエチルエーテ
ル，2,2,2-トリクロロエチルエーテル，2-トリメチルシ
リルエチルエーテル，t-ブチルエーテル，アリルエーテ
ル，4,4',4"-トリス-4',5'-ジクロロフタルイミドフェ
ニル-メチルエーテル，4,4',4"-トリス-4',5'-ジブロモ
フタルイミドフェニル-メチルエーテル，4,4',4"-トリ
ス-4',5'-ヨードフタルイミドフェニル-メチルエーテ
ル，9-アンスリルエーテル，9-9'-フェニル-10'-オキソ
-アンスリルエーテル（トリチロンエーテル），1,3-ベ
ンゾジチオラン-2-イルエーテル，ベンズイソチアゾリ
ル−Ｓ，Ｓ−ジオキシドエーテル，トリメチルシリルエ
ーテル，トリエチルシリルエーテル，トリイソプロピル
シリルエーテル，ジメチルイソプロピルシリルエーテ
ル，ジエチルイソプロピルシリルエーテル，ジメチルセ
キシルシリルエーテル、および、ｔ−ブチルジメチルシ
リルエーテルに変換した化合物が挙げられる。特に、フ
ェノール性化合物、好ましくはナフトール性化合物をｔ
−ブトキシカルボニル基，ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル基，トリメチルシリル基，ｔ−ブチルジメチルシリル
基，またはテトラヒドロピラニル基で保護した化合物が
最適である。あるいは、多価カルボン酸のイソプロピル
エステル，エチルエステル，メチルエステル，メトキシ
メチルエステル，メチルチオメチルエステル，テトラヒ
ドロピラニルエステル，テトラヒドロフラニルエステ
ル，メトキシエトキシメチルエステル，２−トリメチル
シリルエトキシメチルエステル，2,2,2-トリクロロエチ
ルエステル，２−クロロエチルエステル，２−ブロモエ
チルエステル，２−ヨードエチルエステル，２−フルオ
ロエチルエステル，ω−クロロアルキルエステル，２−
トリメチルシリルエチルエステル，２−メチルチオエチ
ルエステル，1,3-ジチアニル-2-メチルエステル，ｔ−
ブチルエステル，シクロペンチルエステル，シクロヘキ
シルエステル，アリルエステル，３−ブテン−１−イル
エステル，４−トリメチルシリル−２−ブテン−１−イ
ルエステル，９−アンスリルメチルエステル，２−
９’，１０’−ジオキソ-アンスリルメチルエステル，
１−ピレニルメチルエステル，２−トリフルオロメチル
−６−クロミルメチルエステル，ピペロニルエステル，
４−ピコリルエステル，トリメチルシリルエステル，ト
リエチルシリルエステル，ｔ−ブチルジメチルシリルエ
ステル，イソプロピルジメチルシリルエステル，ジ−ｔ
−ブチルメチルシリルエステル，チオールエステル，オ
キサゾール，２−アルキル−１，３−オキサゾリン，４
−アルキル−５−オキソ−１，３−オキサゾリン，５−
アルキル−４−オキソ−１，３−ジオキソラン，オルト
エステル，ペンタアミンコバルトコンプレックス，トリ
エチルスタニルエステル，トリ−ｎ−ブチルスタニルエ
ステル，N,N-ジメチルアミド，ピロリジンアミド，ピペ
リジンアミド，5,6-ジヒドロフェナンスリジンアミド，
Ｎ−７−ニトロインドリルエステル，N-8-ニトロ-1,2,
3,4-テトラヒドロキノリルアミド，ヒドラジド，Ｎ−フ
ェニルヒドラジド，N,N'-ジイソプロピルヒドラジド、
および、ｔ−ブチルエステルなどを使用してもよい。ま
た、下記化３２〜化４４に示す化合物を使用することも
できる。

【００８４】

【化３２】

【００８５】

【化３３】

【００８６】

【化３４】

【００８７】

【化３５】

【００８８】

【化３６】

【００８９】

【化３７】

【００９０】

【化３８】

【００９１】

【化３９】

【００９２】

【化４０】

【００９３】

【化４１】

【００９４】

【化４２】

【００９５】

【化４３】

【００９６】

【化４４】 特に、ナフタレン骨格を構造に有するポリヒドロキシナ
フトールなどをt-ブトキシカルボニル基で保護した化合
物は、１９３ｎｍの透過性が高まるので望ましいものと
なる。

【００９７】また、下記化４５に示す一般式（６）で表
される化合物を使用することもできる。

【００９８】

【化４５】 （上記一般式（６）中、Ｒ¹¹およびＲ¹²は、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、または
１価の有機基を示し、同一でも異なってもよい。また、
Ｒ¹¹とＲ¹²とは、互いに結合して環を形成していてもよ
い。Ｘは＞Ｃ＝Ｏまたは−ＳＯ₂−を示す。Ｙは２価の
有機基を示す。なお、Ｒ¹¹，Ｒ¹²またはＹのいずれか１
つ以上は、酸により分解する置換基または官能基を有す
る。） 前記一般式（６）で表される化合物において、Ｒ¹¹また
はＲ¹²として導入される１価の有機基としては、例え
ば、メチル，エチル，プロピル，イソプロピル，ｎ−ブ
チル，イソブチル，ｓ−ブチル，ｔ−ブチルなどのアル
キル基，シクロヘキシル，ピペリジル，ピラニンなどの
置換または非置換の脂環式基もしくはヘテロ環式基を挙
げることができる。

【００９９】また、２価の置換基Ｙとしては、例えば、
エチレン，プロピレン、および、ブチレン等の不飽和脂
肪族基；シクロヘキサン，ピラジン，ピラン、およびモ
ルホランなどの置換または非置換の脂環式基もしくはヘ
テロ環式基などを挙げることができる。

【０１００】なお、酸の存在下で分解する置換基，官能
基を有し、かつ、分解後の生成物がアルカリ溶液の作用
によって、−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−，−ＯＳ（＝Ｏ）₂ −、
または−Ｏ−を生じる化合物などの溶解抑止剤を更に含
有する場合には、ベース樹脂に対して、１〜６０モル％
の範囲が好ましい。この範囲を逸脱すると、塗布性に問
題が生じるおそれがある。この場合、用いるベース樹脂
成分に、酸により分解する基が含まれていなくてもよ
い。

【０１０１】一方、本発明の感光性材料を、ネガ型の化
学増幅型レジストとして使用する場合には、例えば、一
般式（１）で表される構造を含む、ビニル系または一般
式（５）で表されるアクリル系化合物と、メタクリル酸
またはアクリル酸等のアルカリ可溶性の一般式（５）で
表されるアクリル系またはビニル系化合物との共重合体
に、光酸発生剤および光架橋剤を添加して調製すること
ができる。

【０１０２】この場合、光酸発生剤としては、ポジ型の
場合に列挙したものの他に、ハロゲン化アルキル置換さ
れたトリアジン，ナフチリジン化合物などを使用するこ
とができる。さらに、下記表３および化４６に示す化合
物を使用してもよい。

【０１０３】

【表３】

【０１０４】

【化４６】 また、下記化４７に示すトリハロメチル基で置換された
オキサジアゾール誘導体、および下記化４８に示すトリ
ハロメチル基で置換されたｓ−トリアジン誘導体を使用
することもできる。

【０１０５】

【化４７】

【０１０６】

【化４８】 光架橋剤としては、例えば、エポキシ基を側鎖に有する
ビニル、一般式（５）で表されるアクリル系重合体；メ
チロール置換されたトリアジン，ナフチリジン化合物の
ようなメラミン系化合物などを使用することができる。

【０１０７】以上、化学増幅型レジストとしての本発明
の感光性材料を説明したが、化学増幅型レジストとして
用いる場合には、これに含有される前記重合体は、次の
条件を満たすことが好ましい。すなわち、軟化点が２０
℃以上であり、かつ、平均分子量が５００〜５００，０
００である。感光性材料の樹脂成分の軟化点が２０℃未
満と低すぎる場合には、化学放射線の照射によって光酸
発生剤から発生した酸がベーキング処理によって必要以
上にレジスト層内に拡散してしまう。したがって、パタ
ニング後のレジストの解像性が低下するおそれがある。

【０１０８】また、余りに高分子のポリマの場合には、
これを含むレジスト組成物に電子放射線を照射した際
に、その照射および、照射後のベーキングによって架橋
反応が促進されてしまう。したがって、ポジ型レジスト
の場合にレジストの像質または感度が劣化するおそれが
ある。一方、ポリマの分子量が小さすぎると、機械的強
度などの十分なレジスト層を形成することが困難とな
る。

【０１０９】次に、ポジ型の化学増幅型レジストを例に
挙げて、本発明の感光性材料の調製例、およびこれを用
いたパタン形成方法を説明する。

【０１１０】本発明の感光性材料を化学増幅型レジスト
として用いる場合には、前記ポリマと、必要に応じ酸に
より分解する化合物、すなわち、溶解抑止剤と、化学放
射線の照射により酸を発生する化合物、すなわち、光酸
発生剤とを有機溶媒に溶解し、濾過することによって調
製することができる。

【０１１１】本発明の感光性材料を、従来レジストとし
て用いる場合には、例えば、前記ポリマと、露光によっ
て溶解性が向上または低下するような感光剤あるいは光
架橋剤または光主鎖切断剤とを溶媒に溶解し、濾過する
ことによって調製することができる。かかる有機溶媒と
しては、例えば、シクロヘキサノン，アセトン，メチル
エチルケトン、またはメチルイソブチルケトンなどのケ
トン系溶媒；メチルセロソルブ，２−エトキシエチルア
セテート，２−メトキシエチルアセテート，２−プロピ
ロキシエチルアセテート、または、２−ブトキシエチル
アセテートなどのセロソルブ系溶媒；プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコール系
溶媒；酢酸エチル，酢酸ブチル、または、酢酸イソアミ
ルなどのエステル系溶媒；γ−ブチロラクトンなどのラ
クトン系溶媒；ジメチルスルホキシド，ヘキサメチルホ
スホリックトリアミドジメチルホルムアミド，Ｎ−メチ
ルピロリドンなどの含窒素系溶媒を挙げることができ
る。これらの溶媒は、単独で使用しても、混合溶媒とし
て使用してもよい。さらに、これらにキシレン，トルエ
ンなどの芳香族溶媒、または、イソプロピルアルコー
ル，エチルアルコール，メチルアルコール，ブチルアル
コール，ｎ−ブチルアルコール, ｓ−ブチルアルコー
ル, ｔ−ブチルアルコール，イソブチルアルコールなど
の脂肪族アルコールを適量含んでいてもよい。

【０１１２】なお、前述の成分の他に、必要に応じて塗
膜改質剤としての界面活性剤；エポキシ樹脂，ポリメチ
ルメタクリレート，プロピレンオキシド-エチレンオキ
シド共重合体，ポリスチレンなどの他のポリマ；または
反射防止剤としての染料を配合してもよい。

【０１１３】上述のようにして調製された本発明の感光
性材料を用いたレジストパタンの形成プロセスについて
説明する。

【０１１４】まず、前記成分を有機溶媒に溶解して調製
された感光性材料の溶液を、回転塗布法やディッピング
法により基板上に塗布した後、約１５０℃以下、好まし
くは７０〜１２０℃で乾燥して、上記組成物を主成分と
して含む感光性の樹脂層（レジスト膜）を形成する。こ
こで用いる基板としては，例えば、シリコンウェハ，表
面に各種の絶縁膜や電極、配線が形成された段差を有す
るシリコンウェハ，ブランクマスク，ＧａＡｓ，ＡｌＧ
ａＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体ウェハなどを挙げ
ることができる。

【０１１５】次いで、前記レジスト膜にパタン露光、す
なわち、所定のマスクパタンを介して化学放射線の照射
を行なう。このパタン露光に用いられる化学放射線とし
ては、短波長の紫外線が通常用いられるが、そのほか、
電子ビーム，Ｘ線，低圧水銀ランプ光，KrFやArFのエキ
シマレーザ光，シンクロトロンオービタルラディエーシ
ョン光，γ線，イオンビームなどを用いてもよい。

【０１１６】続いて、露光後のレジスト膜を熱板、オー
ブン等を用いて、または赤外線照射等によって１５０℃
以下で加熱処理することによりベーキングを行なう。

【０１１７】次いで、ベーキング後のレジスト膜をアル
カリ水溶液を用いて、浸漬法、スプレ法などにより現像
処理することにより、所望のパタンが形成される。ここ
で現像液として用いるアルカリ水溶液としては、例え
ば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等の
有機アルカリ水溶液、または、水酸化カリウム，水酸化
ナトリウムなどの無機アルカリ水溶液などを１５％以下
の濃度で使用することができる。また、現像液としてイ
ソプロピルアルコール，エタノール，メタノール，１−
ブタノール，２−ブタノール，１−メチル−１−プロパ
ノール、および、１−メチル−２−プロパノールなどの
有機溶媒を用いることもできる。これは、単独で用いて
も、混合溶媒として用いてもよい。

【０１１８】現像処理後の基板及びレジスト膜に対して
は、水等を用いてリンス処理を施してもよい。

【０１１９】

【作用】本発明者らは、テルペノイド骨格を有する化合
物は、芳香環を有しないにも拘らず、優れたドライエッ
チング耐性を示すことを見いだした。本発明は、このよ
うな知見のもとになされたものである。

【０１２０】テルペノイド骨格を有する化合物は、芳香
環を有しないので、本来、ＫｒＦエキシマレーザ光、Ａ
ｒＦエキシマレーザ光などの短波長領域における吸収が
少なく、透明性に優れている。

【０１２１】このようなテルペノイド骨格を有する化合
物を含有しているので、紫外線、ｄｅｅｐ ＵＶ光、２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光、１９３ｎｍのＡｒ
Ｆキシマレーザ光、電子線、および、Ｘ線などの短波長
光に対して透明性が優れ、かつ十分なドライエッチング
耐性を有する感光性材料が得られた。かかる特徴を有す
る本発明の感光性材料を用いることにより、精度よくク
ォータミクロンパタンを形成することができる。

【０１２２】特に、前記化合物としてメンチル基または
メンチル誘導体基を含有する化合物を用いた場合には、
よりドライエッング耐性に優れた感光性材料が得られ
る。メンチル基などは、環構造を有するので一方の炭素
−炭素結合が切れても、他方の結合が残るためであると
考えられる。また、メンチル基またはメンチル誘導体基
を含有する化合物がキラルであることに基づく効果や、
イソプロピル基、メチル基などのアルキル置換基がメン
チル基上に存在することに起因する立体効果もあると考
えられる。更に、置換基の存在は、より環の配座の安定
化に寄与するため、これも影響していると考えられる。

【０１２３】なお、テルペンは、天然に存在し、香料原
料、食料品、および医薬品などにも使用される安全性の
高い化合物である。したがって、前記化合物をポリマと
して使用した場合も、分解後の化合物がテルペンとなる
ために、安全性に優れた感光性材料が得られる。

【０１２４】

【実施例】以下、実施例を示して本発明をより詳細に説
明する。なお、これら実施例は、本発明を限定するもの
ではない。 （実施例Ｉ）本実施例においては、テルペノイド骨格を
有する化合物を含む樹脂成分を用い、この樹脂成分を含
有する感光性材料を製造して、その評価を行なった。特
に、テルペノイド骨格を有する化合物の種類を代えて、
樹脂成分を合成した。 （合成例Ｉ−１）メタクリル酸２４ｇ、シトロネロール
３１ｇ、およびパラトルエンスルホン酸１５ｇを、トル
エン５００ｍＬ中で、油温１５０℃で１９時間加熱還流
した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液により反
応を停止し、エーテルを加えた。二層を分離して水層を
エーテル抽出し、有機層を合わせて飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、および、水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
て酸を除いた。さらに飽和塩化アンモニウム水溶液によ
りｐＨを７に調節し、飽和食塩水、および無水流酸ナト
リウムにより乾燥した。最後に、得られた油状物を減圧
蒸留して、シトロネリルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１で得られたモノマからなるホモポリマの
評価）シトロネリルメタクリレート２．１ｇと、重合開
始剤としてのアゾイソブチロニトリル０．４ｇとをトル
エン６ｍＬに溶解した。

【０１２５】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を３回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温７０℃で１６時間加熱し、メタノール６００ｍ
Ｌにより反応を停止させた。メタノールで再沈後、濾別
し、真空下で溶媒を留去してポリシトロネリルメタクリ
レートを得た。

【０１２６】これをシクロヘキサノン溶液とした後、石
英ウェハ上に１μｍ膜厚に塗布し、ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を調べた。

【０１２７】さらに、カーボンテトラフルオリド（ＣＦ
₄）ガスによるエッチング速度を測定した。なお、ドラ
イエッチング耐性の評価は、次のような条件下で行なっ
た。すなわち、ＣＦ₄ の流量は １２．６ｓｃｃｍと
し、真空度は１０ｍｔｏｒｒとし、マイクロ波の出力は
１５０Ｗとした。

【０１２８】また、ポリシトロネリルメタクリレートの
代わりに、ノボラック樹脂、および、ポリメチルメタク
リレートを、それぞれシクロヘキサノン溶液にして、比
較例（Ｉ−１）および、比較例（Ｉ−２）とした。

【０１２９】得られた比較例（Ｉ−１）および比較例
（Ｉ−２）の溶液を、同様に石英ウェハ上に塗布してＡ
ｒＦエキシマレーザ光に対する透明性を調べた。更に、
同様の条件でカーボンテトラフルオリドガスによるエッ
チング速度を調べた。得られた結果を下記表４にまとめ
る。．なお、ポリシトロネリルメタクリレートのエッチ
ング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０１３０】

【表４】 表４に示すように、テルペノイド骨格を有するポリマ
は、１９３ｎｍにおける透過率が高く、かつ、ドライエ
ッチング性に優れている。これに対してノボラック樹脂
は透過率が著しく低く、ＰＭＭＡはエッチング耐性が劣
ることが分かる。以下、（実施例Ｉ−１）〜（実施例Ｉ
−３）では、前記合成例１で得られたシトロネリルメタ
クリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、これを含
有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−１）シトロネリルメタクリレート９ｇ、グ
リシジルメタクリレート１ｇ，および重合開始剤として
のアゾイソブチロニトリル０．５ｇを、トルエン３０ｍ
Ｌ中に溶解した。

【０１３１】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を３回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温７０℃で１６時間加熱し、メタノールにより反
応を停止した。メタノールで再沈後、濾別し、真空下で
溶媒を留去して目的物である共重合体を得た。

【０１３２】得られた共重合体１ｇを、３−メトキシプ
ロピオン酸メチル９ｍＬに溶解し、この溶液を、シリコ
ンウェハ上に１μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークを行なった。その後、電子線露光（露光量１０
μＣｃｍ^-2，２０ｋｅＶ）を施した後、メチルエチルケ
トンで現像してパタンを形成して、その特性を調べた。

【０１３３】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２）シトロネリルメタクリレート９ｇ，ア
リルメタクリレート１ｇ， および重合開始剤としての
アゾイソブチロニトリル０．５ｇをトルエン３０ｍＬ中
に溶解した。

【０１３４】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温７０℃で１６時間加熱し、メタノールにより反
応を停止した。メタノールで再沈後、濾別し、真空下で
溶媒を留去して目的物である共重合体を得た。

【０１３５】得られた共重合体を、前記実施例（Ｉ−
１）と同様の溶液としてシリコンウェハ上に塗布した
後、同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行っ
てパタンを形成してその特性を調べた．その結果、０．
５μｍのネガティブラインアンドスペースパタンを解像
することができた。 （実施例Ｉ−３）シトロネリルメタクリレート５ｇ，α
−クロロトリフルオロエチルアクリレート５ｇ、および
重合開始剤としてのアゾイソブチロニトリル ０．５ｇ
をテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと省略する）２８
ｍＬ中に溶解した。

【０１３６】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で16時間加熱し、ヘキサンにより反応を
停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
留去して目的物である共重合体を得た。

【０１３７】得られた共重合体を、前記実施例（Ｉ−
１）と同様の溶液としてシリコンウェハ上に塗布した
後、同様の条件でプリベークおよび露光を行い、さら
に、メチルイソブチルケトンを用いて現像を行ってパタ
ンを形成してその特性を調べた。

【０１３８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合成
し、その共重合体の評価を行なった。

【０１３９】シトロネリルメタクリレート，t-ブチルメ
タクリレート，およびメタクリル酸を５０：３０：２０
の比率で１０ｇ調製し、重合開始剤としてのアゾイソブ
チロニトリル０．５ｇとともに、ＴＨＦ４０ｍＬに溶解
した。

【０１４０】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で９時間加熱し、ヘキサンにより反応を
停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
除去して目的物である共重合体を得た。

【０１４１】得られた共重合体をシクロヘキサノン溶液
とした後、石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗布し、ＡｒＦ
エキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を調べ
た結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れて
いた。

【０１４２】さらに、カーボンテトラフルオリドガス
（ＣＦ₄ ）ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較
した結果、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、こ
の共重合体は０．３と優れていた。

【０１４３】なお、ドライエッチング耐性の評価は、次
のような条件下で行なった。すなわと、ＣＦ₄ の流量は
１２．６ｓｃｃｍとし、真空度は１０ｍｔｏｒｒとし、
マイクロ波の出力は１５０Ｗとした。

【０１４４】以下の（実施例Ｉ−４）〜（実施例Ｉ−１
１）では、上述の合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例Ｉ−４）合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体
２ｇ、および酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウ
ムトリフレート０．０４ｇを、２−エトキシエチルアセ
テート８ｍＬに溶解した。

【０１４５】これを、シリコンウェハ上に０．８μｍ膜
厚で塗布した後、１００℃でプリベークした。次いで、
ＡｒＦエキシマレーザ露光（４０ｍＪｃｍ^-2 ）を行っ
た後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
現像して、パタンを形成しその特性を調べた。その結
果、０．１５μｍのラインアンドスペースを解像するこ
とができた。

【０１４６】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価したところ、透
過率は６０％であり、エッチング速度はＰＭＭＡに対し
て０．３と優れていた。 （実施例Ｉ−５）〜（実施例Ｉ−７） 下記表５に示す光酸発生剤を用い、上記実施例（Ｉ−
４）と同様にしてシリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行ってパタン
を形成しその特性を調べた。なお、各実施例において、
酸発生剤の添加量は、それぞれ０．０５ｇとした．さら
に、合成例（Ｉ−１）と同様にして、透明性とドライエ
ッチング耐性とを評価した。その結果を、下記表５に併
記する。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０１４７】

【表５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−８）合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体
２ｇ、光酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムト
リフレート０．０４ｇ、および溶解抑止剤としての３，
３−ビス−４’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフタレ
ニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノン０．１ｇを、２
−エトキシエチルアセテート ８ｍＬに溶解した。

【０１４８】これを、シリコンウェハ上に０．８μｍ膜
厚で塗布した後、１００℃でプリベークした。次いで、
ＡｒＦエキシマレーザ露光（４０ｍＪｃｍ^-2 ）を行っ
た後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
現像して、パタンを形成しその特性を調べた。その結
果、０．１５μｍのラインアンドスペースを解像するこ
とができた。

【０１４９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価したところ、透
過率は５５％であり、エッチング速度はＰＭＭＡに対し
て０．３と優れていた。 （実施例Ｉ−９）〜（実施例Ｉ−１１） 下記表６に示す光酸発生剤を用い、上記実施例（Ｉ−
８）と同様にしてシリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。なお、各実施例におい
て、光酸発生剤の添加量は、それぞれ０．０５ｇとし
た。

【０１５０】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。その結果
を下記表６に併記する。なお、エッチング速度は、ＰＭ
ＭＡに対する値である。

【０１５１】

【表６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。

【０１５２】なお、本発明においては、一般式（２）で
表される単量体、ｔ−ブチルメタクリレート（酸で分解
する官能基）、およびメタクリル酸（アルカリ可溶性
基）は、図１中の斜線部内であれば、任意の組成比で配
合することができる。 （合成例Ｉ−３）シトロネロールを同量のピノカンフェ
オールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と
同様にして、ピノカンフィルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−３で得られたモノマからなるホモポリマの
評価）ピノカンフィルメタクリレートを用いる以外は、
前述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポ
リピノカンフィルメタクリレートを得、これを前述と同
様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた
ところ、ポリピノカンフィルメタクリレートの１μｍ換
算の透過率は、４５％であった。

【０１５３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリピノカンフィルメタクリレートのエッ
チング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０１５４】以下、（実施例Ｉ−１２）〜（実施例Ｉ−
１４）では、前記合成例（Ｉ−３）で得られたピノカン
フィルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１２）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−３）で得られたピノカンフィル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０１５５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１５６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１３）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−３）で得られたピノカンフィル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０１５７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１５８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１４）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−３）で得られたピノカンフィル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０１５９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１６０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合成
し、その共重合体の評価を行なった。

【０１６１】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてピノカンフィルメタクリレートを使用する以外
は、前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合
成し、得られた共重合体を前述と同様のシクロヘキサノ
ン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）
に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は７４
％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【０１６２】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０１６３】以下の（実施例Ｉ−１５）〜（実施例Ｉ−
２２）では、上述の合成例（Ｉ−４）で得られた共重合
体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を
調べた。 （実施例Ｉ−１５）〜（実施例Ｉ−１８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして化
学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０１６４】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７にまとめ
る。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０１６５】

【表７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１９）〜（実施例Ｉ−２２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０１６６】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８にまとめ
る。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０１６７】

【表８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−５）シトロネロールを同量のゲラニオール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
してゲラニルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−５で得られたモノマからなるホモポリマの
評価）ゲラニルメタクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリゲラ
ニルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
ゲラニルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は、４５
％であった。

【０１６８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリゲラニルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０１６９】以下、（実施例Ｉ−２３）〜（実施例Ｉ−
２５）では、前記合成例（Ｉ−５）で得られたゲラニル
メタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、これ
を含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−２３）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５）で得られたゲラニルメタク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）と
同様にして共重合体を合成した。

【０１７０】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１７１】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２４）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５）で得られたゲラニルメタク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）と
同様にして共重合体を合成した。

【０１７２】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１７３】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２５）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５）で得られたゲラニルメタク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）と
同様にして共重合体を合成した。

【０１７４】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１７５】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合成
し、その共重合体の評価を行なった。

【０１７６】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてゲラニルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０１７７】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０１７８】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０１７９】以下の（実施例Ｉ−２６）〜（実施例Ｉ−
３３）では、上述の合成例（Ｉ−６）で得られた共重合
体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を
調べた。 （実施例Ｉ−２６）〜（実施例Ｉ−２９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして化
学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０１８０】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９にまとめ
る。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０１８１】

【表９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−３０）〜（実施例Ｉ−３３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０１８２】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０１８３】

【表１０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−７）シトロネロールを同量のフェンチルア
ルコールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）
と同様にして、フェンチルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−７で得られたモノマからなるホモポリマの
評価）フェンチルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリフ
ェンチルメタクリレートを得、これを前述と同様のシク
ロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、
ポリフェンチルメタクリレートの１μｍ換算の透過率
は、４５％であった。

【０１８４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリフェンチルメタクリレートのエッチン
グ速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．
３であった。

【０１８５】以下、（実施例Ｉ−３４）〜（実施例Ｉ−
３６）では、前記合成例（Ｉ−７）で得られたフェンチ
ルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、こ
れを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−３４）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７）で得られたフェンチルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）
と同様にして共重合体を合成した。

【０１８６】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１８７】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３５）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７）で得られたフェンチルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）
と同様にして共重合体を合成した。

【０１８８】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１８９】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３６）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７）で得られたフェンチルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）
と同様にして共重合体を合成した。

【０１９０】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０１９１】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合成
し、その共重合体の評価を行なった。

【０１９２】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてフェンチルメタクリレートを使用する以外は、
前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０１９３】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０１９４】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０１９５】以下の（実施例Ｉ−３７）〜（実施例Ｉ−
４４）では、上述の合成例（Ｉ−８）で得られた共重合
体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を
調べた。 （実施例Ｉ−３７）〜（実施例Ｉ−４０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして化
学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０１９６】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０１９７】

【表１１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−４１）〜（実施例Ｉ−４４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０１９８】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０１９９】

【表１２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−９）シトロネロールを同量のネロールで置
き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様にし
て、ネリルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−９で得られたモノマからなるホモポリマの
評価）ネリルメタクリレートを用いる以外は、前述の合
成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリネリル
メタクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリネ
リルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は、４５％で
あった。

【０２００】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリネリルメタクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０２０１】以下、（実施例Ｉ−４５）〜（実施例Ｉ−
４７）では、前記合成例（Ｉ−９）で得られたネリルメ
タクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、これを
含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−４５）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９）で得られたネリルメタクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）と同
様にして共重合体を合成した。

【０２０２】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２０３】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４６）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９）で得られたネリルメタクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）と同
様にして共重合体を合成した。

【０２０４】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２０５】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４７）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９）で得られたネリルメタクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）と同
様にして共重合体を合成した。

【０２０６】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２０７】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合成
し、その共重合体の評価を行なった。

【０２０８】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてネリルメタクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０２０９】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０２１０】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０２１１】以下の（実施例Ｉ−４８）〜（実施例Ｉ−
５５）では、上述の合成例（Ｉ−１０）で得られた共重
合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性
を調べた。 （実施例Ｉ−４８）〜（実施例Ｉ−５１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２１２】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２１３】

【表１３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−５２）〜（実施例Ｉ−５５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２１４】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２１５】

【表１４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−１１）シトロネトールを同量のボルネオー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様
にして、ボルニルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ボルニルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリボ
ルニルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リボルニルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は、４
５％であった。

【０２１６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリボルニルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０２１７】以下、（実施例Ｉ−５６）〜（実施例Ｉ−
５８）では、前記合成例（Ｉ−１１）で得られたボルニ
ルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、こ
れを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−５６）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１１）で得られたボルニルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）
と同様にして共重合体を合成した。

【０２１８】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２１９】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５７）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１１）で得られたボルニルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）
と同様にして共重合体を合成した。

【０２２０】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２２１】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５８）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１１）で得られたボルニルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）
と同様にして共重合体を合成した。

【０２２２】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２２３】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−１１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０２２４】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてボルニルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０２２５】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０２２６】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０２２７】以下の（実施例Ｉ−５９）〜（実施例Ｉ−
６６）では、上述の合成例（Ｉ−１２）で得られた共重
合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性
を調べた。 （実施例Ｉ−５９）〜（実施例Ｉ−６２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２２８】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２２９】

【表１５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−６３）〜（実施例Ｉ−６６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２３０】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２３１】

【表１６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−１３）シトロネロールを同量のシネロール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、シネリルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）シネリルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリシ
ネリルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リシネリルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は、４
５％であった。

【０２３２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリシネリルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０２３３】以下、（実施例Ｉ−６７）〜（実施例Ｉ−
６９）では、前記合成例（Ｉ−１３）で得られたシネリ
ルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、こ
れを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−６７）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１３）で得られたシネリルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）
と同様にして共重合体を合成した。

【０２３４】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２３５】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−６８）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１３）で得られたシネリルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）
と同様にして共重合体を合成した。

【０２３６】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２３７】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−６９）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１３）で得られたシネリルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）
と同様にして共重合体を合成した。

【０２３８】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２３９】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−１３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０２４０】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてシネリルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０２４１】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０２４２】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０２４３】以下の（実施例Ｉ−７０）〜（実施例Ｉ−
７７）では、上述の合成例（Ｉ−１４）で得られた共重
合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性
を調べた。 （実施例Ｉ−７０）〜（実施例Ｉ−７３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２４４】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２４５】

【表１７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−７４）〜（実施例Ｉ−７７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２４６】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２４７】

【表１８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−１５）シトロネロールを同量のピノールで
置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様にし
て、ピニルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ピニルメタクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリピニ
ルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリピ
ニルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は、４５％で
あった。

【０２４８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリピニルメタクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０２４９】以下、（実施例Ｉ−７８）〜（実施例Ｉ−
８０）では、前記合成例（Ｉ−１５）で得られたピニル
メタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、これ
を含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−７８）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１５）で得られたピニルメタク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）と
同様にして共重合体を合成した。

【０２５０】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２５１】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−７９）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１５）で得られたピニルメタク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）と
同様にして共重合体を合成した。

【０２５２】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２５３】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−８０）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１５）で得られたピニルメタク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）と
同様にして共重合体を合成した。

【０２５４】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２５５】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−１５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０２５６】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてピニルメタクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０２５７】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０２５８】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０２５９】以下の（実施例Ｉ−８１）〜（実施例Ｉ−
８８）では、上述の合成例（Ｉ−１６）で得られた共重
合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性
を調べた。 （実施例Ｉ−８１）〜（実施例Ｉ−８４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２６０】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２６１】

【表１９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−８５）〜（実施例Ｉ−８８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２６２】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２６３】

【表２０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−１７）シトロネロールを同量のアスカリド
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同
様にして、アスカリジルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）アスカリジルメタクリレートを用いる以外は、
前述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポ
リアルカリジルメタクリレートを得、これを前述と同様
のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ
光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたと
ころ、ポリアスカリジルメタクリレートの１μｍ換算の
透過率は、４５％であった。

【０２６４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリアスカリジルメタクリレートのエッチ
ング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０２６５】以下、（実施例Ｉ−８９）〜（実施例Ｉ−
９１）では、前記合成例（Ｉ−１７）で得られたアスカ
リジルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−８９）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１７）で得られたアスカリジル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０２６６】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２６７】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−９０）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１７）で得られたアスカリジル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０２６８】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２６９】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−９１）シトロネリルメタクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１７）で得られたアスカリジル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０２７０】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２７１】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−１７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０２７２】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてアスカリジルメタクリレートを使用する以外
は、前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合
成し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液
とした。

【０２７３】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０２７４】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０２７５】以下の（実施例Ｉ−９２）〜（実施例Ｉ−
９９）では、上述の合成例（Ｉ−１８）で得られた共重
合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性
を調べた。 （実施例Ｉ−９２）〜（実施例Ｉ−９５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２７６】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２７７】

【表２１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−９６）〜（実施例Ｉ−９９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２７８】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２７９】

【表２２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−１９）シトロネロールを同量のファルネソ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同
様にして、ファルネシルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ファルネシルメタクリレートを用いる以外は、
前述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポ
リファルネシルメタクリレートを得、これを前述と同様
のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ
光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたと
ころ、ポリファルネシルメタクリレートの１μｍ換算の
透過率は、４５％であった。

【０２８０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリファルネシルメタクリレートのエッチ
ング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０２８１】以下、（実施例Ｉ−１００）〜（実施例Ｉ
−１０２）では、前記合成例（Ｉ−１９）で得られたフ
ァルネシルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合
成し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調
べた。 （実施例Ｉ−１００）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−１９）で得られたファルネシ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−１）と同様にして共重合体を合成した。

【０２８２】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２８３】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１０１）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−１９）で得られたファルネシ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−２）と同様にして共重合体を合成した。

【０２８４】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２８５】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１０２）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−１９）で得られたファルネシ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−３）と同様にして共重合体を合成した。

【０２８６】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２８７】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−２０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−１９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０２８８】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてファルネシルメタクリレートを使用する以外
は、前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合
成し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液
とした。

【０２８９】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０２９０】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０２９１】以下の（実施例Ｉ−１０３）〜（実施例Ｉ
−１１０）では、上述の合成例（Ｉ−２０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１０３）〜（実施例Ｉ−１０６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２９２】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２９３】

【表２３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１０７）〜（実施例Ｉ−１１０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０２９４】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０２９５】

【表２４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−２１）シトロネロールを同量のパチュリア
ルコールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）
と同様にして、パチュリルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−２１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）パチュリルメタクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリ
パチュリルメタクリレートを得、これを前述と同様のシ
クロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリパチュリルメタクリレートの１μｍ換算の透過
率は４５％であった。

【０２９６】さらに、前述と同様の条件カーボンテトラ
フルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測定
した結果、ポリパチュリルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０２９７】以下、（実施例Ｉ−１１１）〜（実施例Ｉ
−１１３）では、前記合成例（Ｉ−２１）で得られたパ
チュリルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１１１）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２１）で得られたパチュリル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０２９８】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０２９９】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１１２）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２１）で得られたパチュリル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０３００】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３０１】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１１３）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２１）で得られたパチュリル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０３０２】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３０３】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−２２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−２１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０３０４】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてパチュリルメタクリレートを使用する以外は、
前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０３０５】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０３０６】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０３０７】以下の（実施例Ｉ−１１４）〜（実施例Ｉ
−１２１）では、上述の合成例（Ｉ−２２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１１４）〜（実施例Ｉ−１１７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３０８】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３０９】

【表２５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１１８）〜（実施例Ｉ−１２１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３１０】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３１１】

【表２６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−２３）シトロネロールを同量のネロリドー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様
にして、ネロリジルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−２３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ネロリジルメタクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリ
ネロリジルメタクリレートを得、これを前述と同様のシ
クロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリネロリジルメタクリレートの１μｍ換算の透過
率は４５％であった．さらに、前述と同様の条件でカー
ボンテトラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング
速度を測定した結果、ポリネロリジルメタクリレートの
エッチング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とす
ると０．３であった。

【０３１２】以下、（実施例Ｉ−１２２）〜（実施例Ｉ
−１２４）では、前記合成例（Ｉ−２３）で得られたネ
ロリジルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１２２）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２３）で得られたネロリジル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０３１３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３１４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１２３）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２３）で得られたネロリジル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０３１５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３１６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１２４）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２３）で得られたネロリジル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０３１７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３１８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−２４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−２３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０３１９】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてネロリジルメタクリレートを使用する以外は、
前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０３２０】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０３２１】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０３２２】以下の（実施例Ｉ−１２５）〜（実施例Ｉ
−１３２）では、上述の合成例（Ｉ−２４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１２５）〜（実施例Ｉ−１２８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３２３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３２４】

【表２７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１２９）〜（実施例Ｉ−１３２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３２５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３２６】

【表２８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−２５）シトロネロールを同量のカロトール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、カロチルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−２５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）カロチルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリカ
ロチルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リカロチルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５
％であった。

【０３２７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリカロチルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０３２８】以下、（実施例Ｉ−１３３）〜（実施例Ｉ
−１３５）では、前記合成例（Ｉ−２５）で得られたカ
ロチルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１３３）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２５）で得られたカロチルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０３２９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３３０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１３４）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２５）で得られたカロチルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０３３１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３３２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１３５）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２５）で得られたカロチルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０３３３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３３４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−２６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−２５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０３３５】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてカロチルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０３３６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０３３７】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０３３８】以下の（実施例Ｉ−１３６）〜（実施例Ｉ
−１４３）では、上述の合成例（Ｉ−２６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１３６）〜（実施例Ｉ−１３９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３３９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３４０】

【表２９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１４０）〜（実施例Ｉ−１４３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３４１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３４２】

【表３０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−２７）シトロネロールを同量のカジノール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、カジニルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−２７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）カジニルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリカ
ジニルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リカジニルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５
％であった。

【０３４３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリカジニルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０３４４】以下、（実施例Ｉ−１４４）〜（実施例Ｉ
−１４６）では、前記合成例（Ｉ−２７）で得られたカ
ロチルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１４４）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２７）で得られたカジニルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０３４５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３４６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１４５）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２７）で得られたカジニルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０３４７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３４８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１４６）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２７）で得られたカジニルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０３４９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３５０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−２８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−２７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０３５１】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてカジニルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０３５２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０３５３】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０３５４】以下の（実施例Ｉ−１４７）〜（実施例Ｉ
−１５４）では、上述の合成例（Ｉ−２８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１４７）〜（実施例Ｉ−１５０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３５５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３５６】

【表３１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１５１）〜（実施例Ｉ−１５４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−２８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３５７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３５８】

【表３２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−２９）シトロネロールを同量ランセオール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、ランシルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−２９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ランシルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリラ
ンシルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リランシルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５
％であった。

【０３５９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリランシルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０３６０】以下、（実施例Ｉ−１５５）〜（実施例Ｉ
−１５７）では、前記合成例（Ｉ−２９）で得られたラ
ンシルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１５５）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２９）で得られたランシルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０３６１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３６２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１５６）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２９）で得られたランシルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０３６３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３６４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１５７）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−２９）で得られたランシルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０３６５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３６６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−３０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−２９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０３６７】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてランシルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０３６８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０３６９】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０３７０】以下の（実施例Ｉ−１５８）〜（実施例Ｉ
−１６５）では、上述の合成例（Ｉ−３０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１５８）〜（実施例Ｉ−１６１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３７１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３３にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３７２】

【表３３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１６２）〜（実施例Ｉ−１６５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３７３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３４にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３７４】

【表３４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−３１）シトロネロールを同量のオイデスモ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同
様にして、オイデスミルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−３１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）オイデスミルメタクリレートを用いる以外は、
前述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポ
リオイデスミルメタクリレートを得、これを前述と同様
のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ
光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたと
ころ、ポリオイデスミルメタクリレートの１μｍ換算の
透過率は４５％であった。

【０３７５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリオイデスミルメタクリレートのエッチ
ング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０３７６】以下、（実施例Ｉ−１６６）〜（実施例Ｉ
−１６８）では、前記合成例（Ｉ−３１）で得られたオ
イデスミルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合
成し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調
べた。 （実施例Ｉ−１６６）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３１）で得られたオイデスミ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−１）と同様にして共重合体を合成した。

【０３７７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３７８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１６７）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３１）で得られたオイデスミ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−２）と同様にして共重合体を合成した。

【０３７９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３８０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１６８）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３１）で得られたオイデスミ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−３）と同様にして共重合体を合成した。

【０３８１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３８２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−３２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−３１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０３８３】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてオイデスミルメタクリレートを使用する以外
は、前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合
成し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液
とした。

【０３８４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０３８５】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０３８６】以下の（実施例Ｉ−１６９）〜（実施例Ｉ
−１７６）では、上述の合成例（Ｉ−３２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１６９）〜（実施例Ｉ−１７２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３８７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３５にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３８８】

【表３５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１７３）〜（実施例Ｉ−１７６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０３８９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３６にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０３９０】

【表３６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−３３）シトロネロールを同量のセドロール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、セドリルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−３３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）セドリルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリセ
ドリルメタクリレートを得た。これを前述と同様のシク
ロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、
ポリセドリルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４
５％であった。

【０３９１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリセドリルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０３９２】以下、（実施例Ｉ−１７７）〜（実施例Ｉ
−１７９）では、前記合成例（Ｉ−３３）で得られたセ
ドリルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１７７）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３３）で得られたセドリルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０３９３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３９４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１７８）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３３）で得られたセドリルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０３９５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３９６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１７９）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３３）で得られたセドリルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０３９７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０３９８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−３４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−３３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０３９９】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてセドリルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０４００】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０４０１】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０４０２】以下の（実施例Ｉ−１８０）〜（実施例Ｉ
−１８７）では、上述の合成例（Ｉ−３４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１８０）〜（実施例Ｉ−１８３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４０３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３７にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４０４】

【表３７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１８４）〜（実施例Ｉ−１８７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４０５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３８にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４０６】

【表３８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−３５）シトロネロールを同量のグアヨール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、グアイルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−３５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）グアイルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリグ
アイルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リグアイルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５
％であった。

【０４０７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリグアイルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０４０８】以下、（実施例Ｉ−１８８）〜（実施例Ｉ
−１９０）では、前記合成例（Ｉ−３５）で得られたグ
アイルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−１８８）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３５）で得られたグアイルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０４０９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４１０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１８９）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３５）で得られたグアイルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０４１１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４１２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−１９０）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３５）で得られたグアイルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０４１３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４１４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−３６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−３５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０４１５】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてグアイルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０４１６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０４１７】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０４１８】以下の（実施例Ｉ−１９１）〜（実施例Ｉ
−１９８）では、上述の合成例（Ｉ−３６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−１９１）〜（実施例Ｉ−１９４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４１９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３９にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４２０】

【表３９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−１９５）〜（実施例Ｉ−１９８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４２１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４０にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４２２】

【表４０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−３７）シトロネロールを同量のケッソグリ
コールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と
同様にして、ケッソグリコシルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−３７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ケッソグリコシルメタクリレートを用いる以外
は、前述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にし
てポリケッソグリコシルメタクリレートを得、これを前
述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシ
マレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして
調べたところ、ポリケッソグリコシルメタクリレートの
１μｍ換算の透過率は４５％であった。

【０４２３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリケッソグリコシルメタクリレートのエ
ッチング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とする
と０．３であった。

【０４２４】以下、（実施例Ｉ−１９９）〜（実施例Ｉ
−２０１）では、前記合成例（Ｉ−３７）で得られたケ
ッソグリコシルメタクリレートを含む共重合体をそれぞ
れ合成し、これを含有する感光性材料を得て、その特性
を調べた。 （実施例Ｉ−１９９）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３７）で得られたケッソグリ
コシルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例
（Ｉ−１）と同様にして共重合体を合成した。

【０４２５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４２６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２００）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３７）で得られたケッソグリ
コシルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例
（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成した。

【０４２７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４２８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２０１）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３７）で得られたケッソグリ
コシルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例
（Ｉ−３）と同様にして共重合体を合成した。

【０４２９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４３０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−３８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−３７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０４３１】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてケッソグリコシルメタクリレートを使用する以
外は、前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を
合成し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶
液とした。

【０４３２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０４３３】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０４３４】以下の（実施例Ｉ−２０２）〜（実施例Ｉ
−２０９）では、上述の合成例（Ｉ−３８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２０２）〜（実施例Ｉ−２０５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４３５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４１にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４３６】

【表４１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２０６）〜（実施例Ｉ−２０９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−３８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４３７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４２にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４３８】

【表４２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−３９）シトロネロールを同量のフィトール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、フィチルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−３９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）フィチルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリフ
ィチルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リフィチルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５
％であった。

【０４３９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリフィチルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０４４０】以下、（実施例Ｉ−２１０）〜（実施例Ｉ
−２１２）では、前記合成例（Ｉ−３９）で得られたフ
ィチルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−２１０）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３９）で得られたフィチルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０４４１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４４２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２１１）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３９）で得られたフィチルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０４４３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４４４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２１２）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−３９）で得られたフィチルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０４４５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４４６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−４０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−３９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０４４７】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてフィチルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０４４８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０４４９】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０４５０】以下の（実施例Ｉ−２１３）〜（実施例Ｉ
−２２０）では、上述の合成例（Ｉ−４０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２１３）〜（実施例Ｉ−２１６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４５１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４３にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４５２】

【表４３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２１７）〜（実施例Ｉ−２２０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４５３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４４にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４５４】

【表４４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−４１）シトロネロールを同量のスクラレオ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同
様にして、スクラリルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−４１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）スクラリルメタクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリ
スクラリルメタクリレートを得、これを前述と同様のシ
クロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリスクラリルメタクリレートの１μｍ換算の透過
率は４５％であった。

【０４５５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリスクラリルメタクリレートのエッチン
グ速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．
３であった。

【０４５６】以下、（実施例Ｉ−２２１）〜（実施例Ｉ
−２２３）では、前記合成例（Ｉ−４１）で得られたス
クラリルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−２２１）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４１）で得られたスクラリル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０４５７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４５８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２２２）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４１）で得られたスクラリル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０４５９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４６０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２２３）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４１）で得られたスクラリル
メタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０４６１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４６２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−４２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−４１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０４６３】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてスクラリルメタクリレートを使用する以外は、
前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０４６４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０４６５】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０４６６】以下の（実施例Ｉ−２２４）〜（実施例Ｉ
−２３１）では、上述の合成例（Ｉ−４２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２２４）〜（実施例Ｉ−２２７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４６７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４５にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４６８】

【表４５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２２８）〜（実施例Ｉ−２３１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４６９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４６にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４７０】

【表４６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−４３）シトロネロールを同量のマノールで
置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様にし
て、マニルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−４３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）マニルメタクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリマニ
ルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリマ
ニルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％であ
った。

【０４７１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリマニルメタクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０４７２】以下、（実施例Ｉ−２３２）〜（実施例Ｉ
−２３４）では、前記合成例（Ｉ−４３）で得られたマ
ニルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−２３２）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４３）で得られたマニルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）
と同様にして共重合体を合成した。

【０４７３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４７４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２３３）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４３）で得られたマニルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）
と同様にして共重合体を合成した。

【０４７５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４７６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２３４）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４３）で得られたマニルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）
と同様にして共重合体を合成した。

【０４７７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４７８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−４４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−４３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０４７９】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてマニルメタクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０４８０】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０４８１】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０４８２】以下の（実施例Ｉ−２３５）〜（実施例Ｉ
−２４２）では、上述の合成例（Ｉ−４４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２３５）〜（実施例Ｉ−２３８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４８３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４７にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４８４】

【表４７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２３９）〜（実施例Ｉ−２４２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４８５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４８にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０４８６】

【表４８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−４５）シトロネロールを同量のヒノキオー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様
にして、ヒノキルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−４５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ヒノキルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリヒ
ノキルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リヒノキルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５
％であった。

【０４８７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリヒノキルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０４８８】以下、（実施例Ｉ−２４３）〜（実施例Ｉ
−２４５）では、前記合成例（Ｉ−４５）で得られたヒ
ノキルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−２４３）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４５）で得られたヒノキルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０４８９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４９０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２４４）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４５）で得られたヒノキルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０４９１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４９２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２４５）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４５）で得られたヒノキルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０４９３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０４９４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−４６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−４５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０４９５】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてヒノキルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０４９６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０４９７】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０４９８】以下の（実施例Ｉ−２４６）〜（実施例Ｉ
−２５３）では、上述の合成例（Ｉ−４６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２４６）〜（実施例Ｉ−２４９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０４９９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表４９にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５００】

【表４９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２５０）〜（実施例Ｉ−２５３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５０１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５０にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５０２】

【表５０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−４７）シトロネロールを同量のフェルギノ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同
様にして、フェルギニルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−４７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）フェルギニルメタクリレートを用いる以外は、
前述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポ
リフェルギニルメタクリレートを得、これを前述と同様
のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ
光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたと
ころ、ポリフェルギニルメタクリレートの１μｍ換算の
透過率は４５％であった。

【０５０３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリフェルギニルメタクリレートのエッチ
ング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０５０４】以下、（実施例Ｉ−２５４）〜（実施例Ｉ
−２５６）では、前記合成例（Ｉ−４７）で得られたフ
ェルギニルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合
成し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調
べた。 （実施例Ｉ−２５４）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４７）で得られたフェルギニ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−１）と同様にして共重合体を合成した。

【０５０５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５０６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２５５）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４７）で得られたフェルギニ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−２）と同様にして共重合体を合成した。

【０５０７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５０８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２５６）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４７）で得られたフェルギニ
ルメタクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−３）と同様にして共重合体を合成した。

【０５０９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５１０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−４８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−４７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０５１１】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてフィルギニルメタクリレートを使用する以外
は、前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合
成し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液
とした。

【０５１２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０５１３】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０５１４】以下の（実施例Ｉ−２５７）〜（実施例Ｉ
−２６４）では、上述の合成例（Ｉ−４８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２５７）〜（実施例Ｉ−２６０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５１５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５１にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５１６】

【表５１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２６１）〜（実施例Ｉ−２６４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−４８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５１７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５２にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５１８】

【表５２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−４９）シトロネロールを同量のトタロール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、トタリルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−４９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）トタリルメタクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリト
タリルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リトタリルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５
％であった。

【０５１９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリトタリルメタクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０５２０】以下、（実施例Ｉ−２６５）〜（実施例Ｉ
−２６７）では、前記合成例（Ｉ−４９）で得られたト
タリルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−２６５）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４９）で得られたトタリルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０５２１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５２２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２６６）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４９）で得られたトタリルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０５２３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５２４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２６７）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−４９）で得られたトタリルメ
タクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０５２５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５２６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−５０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−４９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０５２７】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてトタリルメタクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０５２８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０５２９】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０５３０】以下の（実施例Ｉ−２６８）〜（実施例Ｉ
−２７５）では、上述の合成例（Ｉ−５０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２６８）〜（実施例Ｉ−２７１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５３１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５３にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５３２】

【表５３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２７２）〜（実施例Ｉ−２７５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５３３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５４にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５３４】

【表５４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−５１）シトロネロールを同量のスギオール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−１）と同様に
して、スギルメタクリレートを得た。 （合成例Ｉ−５１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）スギルメタクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリスギ
ルメタクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリス
ギルメタクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％であ
った。

【０５３５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリスギルメタクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０５３６】以下、（実施例Ｉ−２７６）〜（実施例Ｉ
−２７８）では、前記合成例（Ｉ−５１）で得られたス
ギルメタクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−２７６）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−５１）で得られたスギルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−１）
と同様にして共重合体を合成した。

【０５３７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５３８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２７７）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−５１）で得られたスギルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２）
と同様にして共重合体を合成した。

【０５３９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５４０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２７８）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−５１）で得られたスギルメタ
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−３）
と同様にして共重合体を合成した。

【０５４１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５４２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−５２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−５１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０５４３】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてスギルメタクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０５４４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９８ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０５４５】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０５４６】以下の（実施例Ｉ−２７９）〜（実施例Ｉ
−２８６）では、上述の合成例（Ｉ−５２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２７９）〜（実施例Ｉ−２８２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と同
様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５４７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５５にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５４８】

【表５５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （実施例Ｉ−２８３）〜（実施例Ｉ−２８６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストの溶液を得、これを用いて前述と
同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５４９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５６にまと
める。なお、エッチング速度はＰＭＭＡに対する値であ
る。

【０５５０】

【表５６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパターンを得ることができた。 （合成例Ｉ−５３）アクリル酸２４ｇ、シトロネロール
３１ｇ、およびパラトルエンスルホン酸１５ｇをトルエ
ン５００ｍＬ中で油温１５０℃で１９時間加熱還流し
た。その後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液により反応
を停止し、エーテルを加えた。二層を分離して水層をエ
ーテル抽出し、有機層を合わせて飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液および水酸化ナトリウム水溶液で洗浄して酸を
除いた。さらに、飽和塩化アンモニウム水溶液によりｐ
Ｈを７に調節し、飽和食塩水および無水流酸ナトリウム
により乾燥した。最後に、得られた油状物を減圧蒸留し
て、シトロネリルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−５３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）シトロネリルアクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−１）のモノマの場合と同様にしてポリ
シトロネリルアクリレートを得、これを前述と同様のシ
クロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリシトロネリルアクリレートの１μｍ換算透過率
は４５％であった。

【０５５１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリシトロネリルアクリレートのエッチン
グ速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．
３であった。

【０５５２】以下、（実施例Ｉ−２８７）〜（実施例Ｉ
−２８９）では、前記合成例（Ｉ−５３１）で得られた
シトロネリルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合
成し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調
べた。 （実施例Ｉ−２８７）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−５３）で得られたシトロネリ
ルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
１）と同様にして共重合体を合成した。

【０５５３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−１）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５５４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２８８）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−５３）で得られたシトロネリ
ルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２）と同様にして共重合体を合成した。

【０５５５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５５６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２８９）シトロネリルメタクリレートに代
えて、前述の合成例（Ｉ−５３）で得られたシトロネリ
ルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
３）と同様にして共重合体を合成した。

【０５５７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−３）と同
様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、同様
の条件でプリベーク、露光、および現像を行なってパタ
ンを形成し、その特性を調べた。

【０５５８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−５４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−５３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０５５９】具体的には、シトロネリルメタクリレート
に代えてシトロネリルアクリレートを使用する以外は、
前述の合成例（Ｉ−２）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０５６０】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０５６１】さらに、前述の合成例（Ｉ−２）と同様の
条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）ガ
スによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したところ、
ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重合体
は０．３と優れていた。

【０５６２】以下の（実施例Ｉ−２９０）〜（実施例Ｉ
−２９７）では、上述の合成例（Ｉ−５４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−２９０）〜（実施例Ｉ−２９３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０５６３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５７にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０５６４】

【表５７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−２９４）〜（実施例Ｉ−２９７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（I−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５６５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５８にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０５６６】

【表５８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例Ｉ−５５）シトロネロールを同量のピノカンフ
ェオールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５
３）と同様にして、ピノカンフィルアクリレートを得
た。 （合成例Ｉ−５５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ピノカンフィルアクリレートを用いる以外は、
前述の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にして
ポリピノカンフィルアクリレートを得、これを前述と同
様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた
ところ、ポリピノカンフィルアクリレートの１μｍ換算
の透過率は４５％であった。

【０５６７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリピノカンフィルアクリレートのエッチ
ング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０５６８】以下、（実施例Ｉ−２９８）〜（実施例Ｉ
−３００）では、前記合成例（Ｉ−５５）で得られたピ
ノカンフィルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合
成し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調
べた。 （実施例Ｉ−２９８）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５５）で得られたピノカンフィ
ルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２８７）と同様にして共重合体を合成した。

【０５６９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０５７０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−２９９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５５）で得られたピノカンフィ
ルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２８８）と同様にして共重合体を合成した。

【０５７１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０５７２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３００）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５５）で得られたピンカンフィ
ルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２８９）と同様にして共重合体を合成した。

【０５７３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０５７４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−５６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−５５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０５７５】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてピノカンフィルアクリレートを使用する以外は、
前述の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０５７６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０５７７】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０５７８】以下の（実施例Ｉ−３０１）〜（実施例Ｉ
−３０８）では、上述の合成例（Ｉ−５６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３０１）〜（実施例Ｉ−３０４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０５７９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表５９にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０５８０】

【表５９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３０５）〜（実施例Ｉ−３０８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（I−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【０５８１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６０にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０５８２】

【表６０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例Ｉ−５７）シトロネロールを同量のゲラニオー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同
様にして、ゲラニルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−５７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ゲラニルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリゲ
ラニルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
ゲラニルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０５８３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリゲラニルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０５８４】以下、（実施例Ｉ−３０９）〜（実施例Ｉ
−３１１）では、前記合成例（Ｉ−５７）で得られたゲ
ラニルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−３０９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５７）で得られたゲラニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０５８５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０５８６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３１０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５７）で得られたゲラニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０５８７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０５８８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３１１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５７）で得られたゲラニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０５８９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０５９０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−５８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−５７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０５９１】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてゲラニルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０５９２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０５９３】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０５９４】以下の（実施例Ｉ−３１２）〜（実施例Ｉ
−３１９）では、上述の合成例（Ｉ−５８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３１２）〜（実施例Ｉ−３１５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０５９５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６１にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０５９６】

【表６１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３１６）〜（実施例Ｉ−３１９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−５８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０５９７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６２にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０５９８】

【表６２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−５９）シトロネロールを同量のフェンチル
アルコールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５
３）と同様にして、フェンチルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−５９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）フェンチルアクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリ
フェンチルアクリレートを得、これを前述と同様のシク
ロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、
ポリフェンチルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４
５％であった。

【０５９９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリフェンチルアクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０６００】以下、（実施例Ｉ−３２０）〜（実施例Ｉ
−３２２）では、前記合成例（Ｉ−５９）で得られたフ
ェンチルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−３２０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５９）で得られたフェンチルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０６０１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６０２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３２１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５９）で得られたフェンチルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０６０３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６０４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３２２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−５９）で得られたフェンチルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０６０５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６０６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−６０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−５９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０６０７】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてフェンチルアクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０６０８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０６０９】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０６１０】以下の（実施例Ｉ−３２３）〜（実施例Ｉ
−３３０）では、上述の合成例（Ｉ−６０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３２３）〜（実施例Ｉ−３２６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０６１１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６３にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６１２】

【表６３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３２７）〜（実施例Ｉ−３３０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０６１３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６４にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６１４】

【表６４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−６１）シトロネロールを同量のネロールで
置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様に
して、ネリルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−６１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ネリルアクリレートを用いる以外は、前述の合
成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリネリ
ルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリネ
リルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％であっ
た。

【０６１５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリネリルアクリレートのエッチング速度
は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３であ
った。

【０６１６】以下、（実施例Ｉ−３３１）〜（実施例Ｉ
−３３３）では、前記合成例（Ｉ−６１）で得られたネ
リルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、こ
れを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−３３１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６１）で得られたネリルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８７）
と同様にして共重合体を合成した。

【０６１７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６１８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３３２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６１）で得られたネリルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８８）
と同様にして共重合体を合成した。

【０６１９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６２０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３３３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６１）で得られたネリルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８９）
と同様にして共重合体を合成した。

【０６２１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６２２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−６２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−６１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０６２３】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてネリルアクリレートを使用する以外は、前述の合
成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得ら
れた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０６２４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０６２５】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０６２６】以下の（実施例Ｉ−３３４）〜（実施例Ｉ
−３４１）では、上述の合成例（Ｉ−６２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３３４）〜（実施例Ｉ−３３７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０６２７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６５にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６２８】

【表６５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３３８）〜（実施例Ｉ−３４１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０６２９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６６にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６３０】

【表６６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−６３）シトロネロールを同量のボルネオー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同
様にして、ボルニルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−６３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ボルニルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリボ
ルニルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
ボルニルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０６３１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリボルニルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０６３２】以下、（実施例Ｉ−３４２）〜（実施例Ｉ
−３４４）では、前記合成例（Ｉ−６３）で得られたボ
ルニルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−３４２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６３）で得られたボルニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０６３３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６３４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３４３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６３）で得られたボルニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０６３５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６３６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３４４）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６３）で得られたボルニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０６３７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６３８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−６４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−６３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０６３９】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてボルニルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０６４０】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０６４１】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０６４２】以下の（実施例Ｉ−３４５）〜（実施例Ｉ
−３５２）では、上述の合成例（Ｉ−６４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３４５）〜（実施例Ｉ−３４８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０６４３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６７にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６４４】

【表６７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３４９）〜（侍史例Ｉ−３５２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０６４５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６８にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６４６】

【表６８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−６５）シトロネロールを同量のシネロール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様
にして、シネリルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−６５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）シネリルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリシ
ネリルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
シネリルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０６４７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリシネリルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０６４８】以下、（実施例Ｉ−３５３）〜（実施例Ｉ
−３５５）では、前記合成例（Ｉ−６５）で得られたシ
ネリルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−３５３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６５）で得られたシネリルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０６４９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６５０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３５４）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６５）で得られたシネリルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０６５１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６５２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３５５）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６５）で得られたシネリルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０６５３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６５４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−６６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−６５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０６５５】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてシネリルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０６５６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０６５７】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０６５８】以下の（実施例Ｉ−３５６）〜（実施例Ｉ
−３６３）では、上述の合成例（Ｉ−６６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３５６）〜（実施例Ｉ−３５９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０６５９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表６９にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６６０】

【表６９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３６０）〜（実施例Ｉ−３６３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０６６１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７０にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６６２】

【表７０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−６７）シトロネロールを同量のピノールで
置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様に
して、ピニルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−６７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ピニルアクリレートを用いる以外は、前述の合
成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリピニ
ルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリピ
ニルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％であっ
た。

【０６６３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリピニルアクリレートのエッチング速度
は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３であ
った。

【０６６４】以下、（実施例Ｉ−３６４）〜（実施例Ｉ
−３６６）では、前記合成例（Ｉ−６７）で得られたピ
ニルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、こ
れを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−３６４）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６７）で得られたピニルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８７）
と同様にして共重合体を合成した。

【０６６５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６６６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３６５）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６７）で得られたピニルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８８）
と同様にして共重合体を合成した。

【０６６７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６６８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３６６）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６７）で得られたピニルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８９）
と同様にして共重合体を合成した。

【０６６９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６７０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−６８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−６７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０６７１】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてピニルアクリレートを使用する以外は、前述の合
成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得ら
れた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０６７２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０６７３】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０６７４】以下の（実施例Ｉ−３６７）〜（実施例Ｉ
−３７４）では、上述の合成例（Ｉ−６８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３６７）〜（実施例Ｉ−３７０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０６７５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７１にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６７６】

【表７１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３７１）〜（実施例Ｉ−３７４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−６８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０６７７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７２にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６７８】

【表７２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−６９）シトロネロールを同量のアスカリド
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と
同様にして、アスカリジルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−６９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）アスカリジルアクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポ
リアスカリジルアクリレートを得、これを前述と同様の
シクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリアスカリジルアクリレートの１μｍ換算の透過
率は４５％であった。

【０６７９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリアスカリジルアクリレートのエッチン
グ速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．
３であった。

【０６８０】以下、（実施例Ｉ−３７５）〜（実施例Ｉ
−３７７）では、前記合成例（Ｉ−６９）で得られたア
スカリジルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−３７５）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６９）で得られたアスカリジル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８７）と同様にして共重合体を合成した。

【０６８１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６８２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３７６）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６９）で得られたアスカリジル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８８）と同様にして共重合体を合成した。

【０６８３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６８４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３７７）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−６９）で得られたアルカリジル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８９）と同様にして共重合体を合成した。

【０６８５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６８６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−７０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−６９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０６８７】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてアスカリジルアクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０６８８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０６８９】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０６９０】以下の（実施例Ｉ−３７８）〜（実施例Ｉ
−３８５）では、上述の合成例（Ｉ−７０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３７８）〜（実施例Ｉ−３８１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０６９１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７３にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６９２】

【表７３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３８２）〜（実施例Ｉ−３８５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０６９３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７４にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０６９４】

【表７４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−７１）シトロネロールを同量のファルネソ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と
同様にして、ファルネシルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−７１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ファルネシルアクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポ
リファルネシルアクリレートを得、これを前述と同様の
シクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリファルネシルアクリレートの１μｍ換算の透過
率は４５％であった。

【０６９５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリファルネシルアクリレートのエッチン
グ速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．
３であった。

【０６９６】以下、（実施例Ｉ−３８６）〜（実施例Ｉ
−３８８）では、前記合成例（Ｉ−７１）で得られたア
スカリジルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−３８６）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７１）で得られたファルネシル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８７）と同様にして共重合体を合成した。

【０６９７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０６９８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３８７）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７１）で得られたファルネシル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８８）と同様にして共重合体を合成した。

【０６９９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７００】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３８８）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７１）で得られたファルネシル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８９）と同様にして共重合体を合成した。

【０７０１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７０２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−７２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−７１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０７０３】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてファルネシルアクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０７０４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０７０５】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０７０６】以下の（実施例Ｉ−３８９）〜（実施例Ｉ
−３９６）では、上述の合成例（Ｉ−７２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−３８９）〜（実施例Ｉ−３９２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０７０７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７５にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７０８】

【表７５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−３９３）〜（実施例Ｉ−３９６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０７０９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７６にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７１０】

【表７６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−７３）シトロネロールを同量のパチュリル
アルコールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５
３）と同様にして、パチュリルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−７３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）パチュリルアクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリ
パチュリルアクリレートを得、これを前述と同様のシク
ロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、
ポリパチュリルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４
５％であった。

【０７１１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリパチュリルアクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０７１２】以下、（実施例Ｉ−３９７）〜（実施例Ｉ
−３９９）では、前記合成例（Ｉ−７３）で得られたパ
チュリルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−３９７）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７３）で得られたパチュリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０７１３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７１４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３９８）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７３）で得られたパチュリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０７１５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７１６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−３９９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７３）で得られたパチュリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０７１７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７１８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−７４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−７３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０７１９】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてパチュリルアクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０７２０】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０７２１】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０７２２】以下の（実施例Ｉ−４００）〜（実施例Ｉ
−４０７）では、上述の合成例（Ｉ−７４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４００）〜（実施例Ｉ−４０３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０７２３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７７にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７２４】

【表７７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４０４）〜（実施例Ｉ−４０７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０７２５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７８にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７２６】

【表７８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−７５）シトロネロールを同量のネロリドー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同
様にして、ネロリジルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−７５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ネロリジルアクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリ
ネロリジルアクリレートを得、これを前述と同様のシク
ロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、
ポリネロリジルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４
５％であった。

【０７２７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリネロリジルアクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０７２８】以下、（実施例Ｉ−４０８）〜（実施例Ｉ
−４１０）では、前記合成例（Ｉ−７５）で得られたネ
ロリジルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−４０８）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７５）で得られたネロリジルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０７２９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７３０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４０９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７５）で得られたネロリジルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０７３１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７３２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４１０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７５）で得られたネロリジルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０７３３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７３４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−７６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−７５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０７３５】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてネロリジルアクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０７３６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０７３７】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０７３８】以下の（実施例Ｉ−４１１）〜（実施例Ｉ
−４１８）では、上述の合成例（Ｉ−７６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４１１）〜（実施例Ｉ−４１４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０７３９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表７９にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７４０】

【表７９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４１５）〜（実施例Ｉ−４１８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０７４１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８０にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７４２】

【表８０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−７７）シトロネロールを同量のカロトール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様
にして、カロチルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−７７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）カロチルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリカ
ロチルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
カロチルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０７４３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリカロチルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０７４４】以下、（実施例Ｉ−４１９）〜（実施例Ｉ
−４２１）では、前記合成例（Ｉ−７７）で得られたカ
ロチルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−４１９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７７）で得られたカロチルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０７４５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７４６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４２０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７７）で得られたカロチルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０７４７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７４８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４２１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７７）で得られたカロチルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０７４９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７５０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−７８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−７７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０７５１】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてカロチルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０７５２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０７５３】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０７５４】以下の（実施例Ｉ−４２２）〜（実施例Ｉ
−４２９）では、上述の合成例（Ｉ−７８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４２２）〜（実施例４２５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０７５５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８１にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７５６】

【表８１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４２６）〜（実施例Ｉ−４２９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−７８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０７５７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８２にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７５８】

【表８２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−７９）シトロネロールを同量のカジノール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様
にして、カジニルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−７９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）カジニルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリカ
ジニルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
カジニルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０７５９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリカジニルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０７６０】以下、（実施例Ｉ−４３０）〜（実施例Ｉ
−４３２）では、前記合成例（Ｉ−７９）で得られたカ
ジニルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−４３０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７９）で得られたカジニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０７６１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７６２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４３１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７９）で得られたカジニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０７６３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７６４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４３２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−７９）で得られたカジニルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０７６５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７６６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−８０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−７９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０７６７】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてカジニルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０７６８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０７６９】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０７７０】以下の（実施例Ｉ−４３３）〜（実施例Ｉ
−４４０）では、上述の合成例（Ｉ−８０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４３３）〜（実施例Ｉ−４３６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０７７１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８３にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７７２】

【表８３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４３７）〜（実施例Ｉ−４４０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０７７３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８４にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７７４】

【表８４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−８１）シトロネロールを同量のランセオー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同
様にして、ランシルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−８１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ランシルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリラ
ンシルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
ランシルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０７７５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリランシルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０７７６】以下、（実施例Ｉ−４４１）〜（実施例Ｉ
−４４３）では、前記合成例（Ｉ−８１）で得られたラ
ンシルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−４４１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８１）で得られたランシルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０７７７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７７８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４４２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８１）で得られたランシルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０７７９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７８０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４４３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８１）で得られたランシルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０７８１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７８２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−８２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−８１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０７８３】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてランシルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０７８４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０７８５】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０７８６】以下の（実施例Ｉ−４４４）〜（実施例Ｉ
−４５１）では、上述の合成例（Ｉ−８２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４４４）〜（実施例Ｉ−４４７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０７８７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８５にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７８８】

【表８５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４４８）〜（実施例Ｉ−４５１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０７８９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８６にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０７９０】

【表８６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−８３）シトロネロールを同量のオイデスモ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と
同様にして、オイデスミルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−８３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）オイデスミルアクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポ
リオイデスミルアクリレートを得、これを前述と同様の
シクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリオイデスミルアクリレートの１μｍ換算の透過
率は４５％であった。

【０７９１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリオイデスミルアクリレートのエッチン
グ速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．
３であった。

【０７９２】以下、（実施例Ｉ−４５２）〜（実施例Ｉ
−４５４）では、前記合成例（Ｉ−８３）で得られたオ
イデスミルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−４５２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８３）で得られたオイデスミル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８７）と同様にして共重合体を合成した。

【０７９３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７９４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４５３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８３）で得られたオイデスミル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８８）と同様にして共重合体を合成した。

【０７９５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７９６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４５４）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８３）で得られたオイデスミル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８９）と同様にして共重合体を合成した。

【０７９７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０７９８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−８４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−８３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０７９９】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてオイデスミルアクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０８００】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０８０１】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０８０２】以下の（実施例Ｉ−４５５）〜（実施例Ｉ
−４６２）では、上述の合成例（Ｉ−８４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４５５）〜（実施例Ｉ−４５８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０８０３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８７にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８０４】

【表８７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４５９）〜（実施例Ｉ−４６２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０８０５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８８にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８０６】

【表８８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−８５）シトロネロールを同量のセドロール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様
にして、セドリルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−８５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）セドリルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリセ
ドリルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
セドリルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０８０７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリセドリルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０８０８】以下、（実施例Ｉ−４６３）〜（実施例Ｉ
−４６５）では、前記合成例（Ｉ−８５）で得られたセ
ドリルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−４６３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８５）で得られたセドリルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０８０９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８１０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４６４）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８５）で得られたセドリルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０８１１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８１２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４６５）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８５）で得られたセドリルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０８１３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８１４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−８６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−８５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０８１５】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてセドリルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０８１６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０８１７】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０８１８】以下の（実施例Ｉ−４６６）〜（実施例Ｉ
−４７３）では、上述の合成例（Ｉ−８６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４６６）〜（実施例Ｉ−４６９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０８１９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表８９にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８２０】

【表８９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４７０）〜（実施例Ｉ−４７３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０８２１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９０にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８２２】

【表９０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−８７）シトロネロールを同量のグアヨール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様
にして、グアイルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−８７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）グアイルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリグ
アイルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
グアイルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０８２３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリグアイルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０８２４】以下、（実施例Ｉ−４７４）〜（実施例Ｉ
−４７６）では、前記合成例（Ｉ−８７）で得られたグ
アイルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−４７４）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８７）で得られたグアイルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０８２５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８２６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４７５）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８７）で得られたグアイルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０８２７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８２８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４７６）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８７）で得られたグアイルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０８２９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８３０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−８８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−８７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０８３１】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてグアイルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０８３２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０８３３】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０８３４】以下の（実施例Ｉ−４７７）〜（実施例Ｉ
−４８４）では、上述の合成例（Ｉ−８８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４７７）〜（実施例Ｉ−４８０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０８３５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９１にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８３６】

【表９１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４８１）〜（実施例Ｉ−４８４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−８８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０８３７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９２にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８３８】

【表９２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−８９）シトロネロールを同量のケッソグリ
コールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）
と同様にして、ケッソグリコシルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−８９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ケッソグリコシルアクリレートを用いる以外
は、前述の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様に
してポリケッソグリコシルアクリレートを得、これを前
述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシ
マレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして
調べたところ、ポリケッソグリコシルアクリレートの１
μｍ換算の透過率は４５％であった。

【０８３９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリケッソグリコシルアクリレートのエッ
チング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０８４０】以下、（実施例Ｉ−４８５）〜（実施例Ｉ
−４８７）では、前記合成例（Ｉ−８９）で得られたケ
ッソグリコシルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ
合成し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を
調べた。 （実施例Ｉ−４８５）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８９）で得られたケソグリコシ
ルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−
２８７）と同様にして共重合体を合成した。

【０８４１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８４２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４８６）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８９）で得られたケッソグリコ
シルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−２８８）と同様にして共重合体を合成した。

【０８４３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８４４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４８７）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−８９）で得られたケッソグリコ
シルアクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ
−２８９）と同様にして共重合体を合成した。

【０８４５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８４６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−９０）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−８９）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０８４７】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてケッソグリコシルアクリレートを使用する以外
は、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を
合成し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶
液とした。

【０８４８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０８４９】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０８５０】以下の（実施例Ｉ−４８８）〜（実施例Ｉ
−４９５）では、上述の合成例（Ｉ−９０）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４８８）〜（実施例Ｉ−４９１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０８５１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９３にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８５２】

【表９３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−４９２）〜（実施例Ｉ−４９５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０８５３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９４にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８５４】

【表９４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−９１）シトロネロールを同量のフィトール
で置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様
にして、フィチルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−９１で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）フィチルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリフ
ィチルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
フィチルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０８５５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリフィチルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０８５６】以下、（実施例Ｉ−４９６）〜（実施例Ｉ
−４９８）では、前記合成例（Ｉ−９１）で得られたフ
ィチルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−４９６）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９１）で得られたフィチルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０８５７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８５８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４９７）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９１）で得られたフィチルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０８５９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８６０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−４９８）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９１）で得られたフィチルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０８６１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８６２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−９２）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−９１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０８６３】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてフィチルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０８６４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０８６５】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０８６６】以下の（実施例Ｉ−４９９）〜（実施例Ｉ
−５０６）では、上述の合成例（Ｉ−９２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−４９９）〜（実施例Ｉ−５０２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０８６７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９５にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８６８】

【表９５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−５０３）〜（実施例Ｉ−５０６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０８６９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９６にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８７０】

【表９６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−９３）シトロネロールを同量のスクラレオ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と
同様にして、スクラリルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−９３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）スクラリルアクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリ
スクラリルアクリレートを得、これを前述と同様のシク
ロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、
ポリスクラリルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４
５％であった。

【０８７１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリスクラリルアクリレートのエッチング
速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３
であった。

【０８７２】以下、（実施例Ｉ−５０７）〜（実施例Ｉ
−５０９）では、前記合成例（Ｉ−９３）で得られたス
クラリルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−５０７）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９３）で得られたスクラリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０８７３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８７４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５０８）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９３）で得られたスクラリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０８７５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８７６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５０９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９３）で得られたスクラリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０８７７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８７８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−９４）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−９３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０８７９】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてスクラリルアクリレートを使用する以外は、前述
の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、
得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。

【０８８０】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０８８１】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０８８２】以下の（実施例Ｉ−５１０）〜（実施例Ｉ
−５１７）では、上述の合成例（Ｉ−９４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−５１０）〜（実施例Ｉ−５１３） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０８８３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９７にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８８４】

【表９７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−５１４）〜（実施例Ｉ−５１７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０８８５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９８にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０８８６】

【表９８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−９５）シトロネロールを同量のマノールで
置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同様に
して、マニルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−９５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）マニルアクリレートを用いる以外は、前述の合
成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリマニ
ルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリマ
ニルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％であっ
た。

【０８８７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリマニルアクリレートのエッチング速度
は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３であ
った。

【０８８８】以下、（実施例Ｉ−５１８）〜（実施例Ｉ
−５２０）では、前記合成例（Ｉ−９５）で得られたマ
ニルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、こ
れを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−５１８）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９５）で得られたマニルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８７）
と同様にして共重合体を合成した。

【０８８９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８９０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５１９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９５）で得られたマニルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８８）
と同様にして共重合体を合成した。

【０８９１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８９２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５２０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９５）で得られたマニルアクリ
レートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８９）
と同様にして共重合体を合成した。

【０８９３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０８９４】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−９６）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−９５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０８９５】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてマニルアクリレートを使用する以外は、前述の合
成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得ら
れた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０８９６】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９８ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０８９７】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０８９８】以下の（実施例Ｉ−５２１）〜（実施例Ｉ
−５２８）では、上述の合成例（Ｉ−９６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−５２１）〜（実施例Ｉ−５２４） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０８９９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表９９にまと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【０９００】

【表９９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−５２５）〜（実施例Ｉ−５２８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０９０１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１００にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９０２】

【表１００】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−９７）シトロネロールを同量のヒノキオー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同
様にして、ヒノキルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−９７で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）ヒノキルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリヒ
ノキルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリ
ヒノキルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％で
あった。

【０９０３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリヒノキルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０９０４】以下、（実施例Ｉ−５２９）〜（実施例Ｉ
−５３１）では、前記合成例（Ｉ−９７）で得られたヒ
ノキルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−５２９）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９７）で得られたヒノキルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０９０５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９０６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５３０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９７）で得られたヒノキルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０９０７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９０８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５３１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９７）で得られたヒノキルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０９０９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９１０】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−９８）本合成例においては、前述の合成例
（Ｉ−９７）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その共重合体の評価を行なった。

【０９１１】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてヒノキルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０９１２】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０９１３】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０９１４】以下の（実施例Ｉ−５３２）〜（実施例Ｉ
−５３９）では、上述の合成例（Ｉ−９８）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例Ｉ−５３２）〜（実施例Ｉ−５３５） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタン形成し、その特性を調べた。

【０９１５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９１６】

【表１０１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−５３６）〜（実施例Ｉ−５３９） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−９８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０９１７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９１８】

【表１０２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−９９）シトロネロールを同量のフェルギノ
ールで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と
同様にして、フェルギニルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−９９で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）フェルギニルアクリレートを用いる以外は、前
述の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポ
リフェルギニルアクリレートを得、これを前述と同様の
シクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたとこ
ろ、ポリフェルギニルアクリレートの１μｍ換算の透過
率は４５％であった。

【０９１９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリフェルギニルアクリレートのエッチン
グ速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．
３であった。

【０９２０】以下、（実施例Ｉ−５４０）〜（実施例Ｉ
−５４２）では、前記合成例（Ｉ−９９）で得られたフ
ェルギニルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−５４０）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９９）で得られたフェルギニル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８７）と同様にして共重合体を合成した。

【０９２１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９２２】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５４１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９９）で得られたフェルギニル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８８）と同様にして共重合体を合成した。

【０９２３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９２４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５４２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−９９）で得られたフェルギニル
アクリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２
８９）と同様にして共重合体を合成した。

【０９２５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９２６】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１００）本合成例においては、前述の合成
例（Ｉ−９９）で得られたモノマを含む他の共重合体を
合成し、その共重合体の評価を行なった。

【０９２７】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてフェルギニルアクリレートを使用する以外は、前
述の合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成
し、得られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液と
した。

【０９２８】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０９２９】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０９３０】以下の（実施例Ｉ−５４３）〜（実施例Ｉ
−５５０）では、上述の合成例（Ｉ−１００）で得られ
た共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、そ
の特性を調べた。 （実施例Ｉ−５４３）〜（実施例Ｉ−５４６） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１００）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０９３１】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９３２】

【表１０３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−５４７）〜（実施例Ｉ−５５０） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１００）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタン形成し、その特性を調べた。

【０９３３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９３４】

【表１０４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−１０１）シトロネロールを同量のトタロー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同
様にして、トタリルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１０１で得られたモノマからなるホモポリ
マの評価）トタリルアクリレートを用いる以外は、前述
の合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリ
トタリルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポ
リトタリルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％
であった。

【０９３５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリトタリルアクリレートのエッチング速
度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３で
あった。

【０９３６】以下、（実施例Ｉ−５５１）〜（実施例Ｉ
−５５３）では、前記合成例（Ｉ−１０１）で得られた
トタリルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成
し、これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べ
た。 （実施例Ｉ−５５１）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１０１）で得られたトタリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０９３７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９３８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５５２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１０１）で得られたトタリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０９３９】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９４０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５５３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１０１）で得られたトタリルア
クリレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０９４１】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９４２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１０２）本合成例においては、前述の合成
例（Ｉ−１０１）で得られたモノマを含む他の共重合体
を合成し、その共重合体の評価を行なった。

【０９４３】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてトタリルアクリレートを使用する以外は、前述の
合成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得
られた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０９４４】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０９４５】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０９４６】以下の（実施例Ｉ−５５４）〜（実施例Ｉ
−５６１）では、上述の合成例（Ｉ−１０２）で得られ
た共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、そ
の特性を調べた。 （実施例Ｉ−５５４）〜（実施例Ｉ−５５７） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１０２）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０９４７】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９４８】

【表１０５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−５５８）〜（実施例Ｉ−５６１） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１０２）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタン形成し、その特性を調べた。

【０９４９】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９５０】

【表１０６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−１０３）シトロネロールを同量のスギオー
ルで置き換える以外は、前述の合成例（Ｉ−５３）と同
様にして、スギルアクリレートを得た。 （合成例Ｉ−１０３で得られたモノマからなるホモポリ
マの評価）スギルアクリレートを用いる以外は、前述の
合成例（Ｉ−５３）のモノマの場合と同様にしてポリス
ギルアクリレートを得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べたところ、ポリス
ギルアクリレートの１μｍ換算の透過率は４５％であっ
た。

【０９５１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリド（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度を測
定した結果、ポリスギルアクリレートのエッチング速度
は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると０．３であ
った。

【０９５２】以下、（実施例Ｉ−５６２）〜（実施例Ｉ
−５６４）では、前記合成例（Ｉ−１０３）で得られた
スギルアクリレートを含む共重合体をそれぞれ合成し、
これを含有する感光性材料を得て、その特性を調べた。 （実施例Ｉ−５６２）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１０３）で得られたスギルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
７）と同様にして共重合体を合成した。

【０９５３】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８７）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９５４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５６３）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１０３）で得られたスギルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
８）と同様にして共重合体を合成した。

【０９５５】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８８）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９５６】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例Ｉ−５６４）シトロネリルアクリレートに代え
て、前述の合成例（Ｉ−１０３）で得られたスギルアク
リレートを使用する以外は、前述の実施例（Ｉ−２８
９）と同様にして共重合体を合成した。

【０９５７】得られた共重合体を実施例（Ｉ−２８９）
と同様の溶液として、シリコンウェハ上に塗布した後、
同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行なって
パタンを形成し、その特性を調べた。

【０９５８】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例Ｉ−１０４）本合成例においては、前述の合成
例（Ｉ−１０３）で得られたモノマを含む他の共重合体
を合成し、その共重合体の評価を行なった。

【０９５９】具体的には、シトロネリルアクリレートに
代えてスギルアクリレートを使用する以外は、前述の合
成例（Ｉ−５４）と同様にして共重合体を合成し、得ら
れた共重合体を同様のシクロヘキサノン溶液とした。

【０９６０】この溶液を石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗
布し、ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭ
Ａより優れていた。

【０９６１】さらに、前述の合成例（Ｉ−５４）と同様
の条件下で、カーボンテトラフルオリドガス（ＣＦ₄ ）
ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較したとこ
ろ、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、この共重
合体は０．３と優れていた。

【０９６２】以下の（実施例Ｉ−５６５）〜（実施例Ｉ
−５７２）では、上述の合成例（Ｉ−１０４）で得られ
た共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、そ
の特性を調べた。 （実施例Ｉ−５６５）〜（実施例Ｉ−５６８） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１０４）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（Ｉ−４）〜実施例（Ｉ−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタン形成し、その特性を調べた。

【０９６３】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９６４】

【表１０７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （実施例Ｉ−５６９）〜（実施例Ｉ−５７２） 合成例（Ｉ−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（Ｉ−１０４）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（Ｉ−８）〜実施例（Ｉ−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタン形成し、その特性を調べた。

【０９６５】さらに、合成例（Ｉ−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１０８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【０９６６】

【表１０８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スを解像することができた。 （合成例Ｉ−１０５）上述の実施例において溶解抑止剤
として使用した３，３−ビス−４´−ｔ−ブトキシカル
ボニロキシナフタレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラ
ノンは、以下のようにして合成した。すなわち、３，３
−ビス−４´−ヒドロキシナフタレニル−１（３Ｈ）−
イソベンゾフラノン５．４ｇをアセトニトリル３００ｍ
Ｌに溶解し、これに４´−ジメチルアミノピリジン０．
３ｍｇを加えた。その後、ジ−ｔ−ブチルピロカーボネ
ート６８ｇをアセトニトリル２０ｍＬに溶かした溶液を
滴下し、１時間室温で加熱した。酢酸エチル６００ｍＬ
で希釈し、クエン酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、および飽和食塩水で洗浄した。最後に、無水硫酸
ナトリウムで乾燥後、再結晶させた。 （実施例II）本実施例においては、メンチル基またはメ
ンチル誘導体基を骨格に有する化合物を含むベース樹脂
を合成し、これを用いて感光性材料を製造して、その評
価を行なった。特に、前述の化合物の種類および共重合
比等を種々変化させて、ベース樹脂を合成した。 （合成例II−１）メタクリル酸２４ｇ、メントール３１
ｇ、およびパラトルエンスルホン酸１５ｇをトルエン５
００ｍＬ中で油温１５０℃で１９時間加熱還流した。そ
の後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液により反応を停止
し、エーテルを加えた。二層を分離して水層をエーテル
抽出し、有機層を合わせ、次いで、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および水酸化ナトリウム水溶液で洗浄して酸
を除いた。さらに、飽和塩化アンモニウム水溶液により
ｐＨを７に調節し、飽和食塩水および無水流酸ナトリウ
ムにより乾燥した。最後に得られた油状物を減圧蒸留し
て、メンチルメタクリレートを得た。 （合成例II−１で得られたモノマからなるホモポリマの
評価）メンチルメタクリレート２．１ｇと、重合開始剤
としてのアゾイソブチロニトリル０．４ｇとをトルエン
６ｍＬに溶解した。

【０９６７】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を３回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温７０℃で１６時間加熱し、メタノール６００ｍ
Ｌにより反応を停止した。メタノールで再沈後、濾別
し、真空下で溶媒を留去してポリメンチルメタクリレー
トを得た。

【０９６８】これをシクロヘキサノン溶液とした後、石
英ウェハ上に１μｍ膜厚に塗布し、ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を調べた。

【０９６９】さらに、カーボンテトラフルオリド（ＣＨ
₄）ガスによるエッチング速度を測定した。なお、ドラ
イエッチング耐性の評価は、次のような条件で行なっ
た。すなわち、（ＣＨ₄）の流量は１２．６ｓｃｃｍと
し、真空度は１０ｍｔｏｒｒとし、マイクロ波の出力は
１５０Ｗとした。

【０９７０】また、ポリメンチルメタクリレートの代わ
りに、ノボラック樹脂およびポリメチルメタクリレート
を、それぞれシクロヘキサノン溶液にして、比較例（II
−１）および比較例（II−２）とした。

【０９７１】得られた比較例（II−１）および比較例
（II−２）の溶液を、同様に石英ウェハ上に塗布してＡ
ｒＦエキシマレーザ光に対する透明性を調べた。さら
に、同様の条件でカーボンテトラフルオリドガスによる
エッチング速度を調べた。得られた結果を、下記表１０
９にまとめる。

【０９７２】なお、ポリメンチルメタクリレートのエッ
チング速度は、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると
０．３であった。

【０９７３】

【表１０９】 表１０９に示すように、テルペノイド骨格を有するポリ
マは、１９３ｎｍにおける透過率が高く、かつ、ドライ
エッチング性に優れている。これに対して、ノボラック
樹脂は透過率が著しく低く、ＰＭＭＡはエッチング耐性
が劣ることが分かる。

【０９７４】以下、実施例（II−１）〜（II−３）で
は、前記合成例（II−１）で得られたメンチルメタクリ
レートを含む共重合体をそれぞれ合成し、これを含有す
る感光性材料を得て、その特性を調べた。

【０９７５】（実施例II−１）メンチルメタクリレート
９ｇ、グリシジルメタクリレート１ｇ、 および重合開
始剤としてのアゾイソブチロニトリル０．５ｇを、トル
エン３０ｍＬ中に溶解した。

【０９７６】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を３回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温７０℃で16時間加熱し、メタノールにより反応
を停止した。メタノールで再沈後、濾別し、真空下で溶
媒を留去して、目的物である共重合体を得た。

【０９７７】得られた共重合体１ｇを３−メトキシプロ
ピオン酸メチル９ｍＬに溶解し、これをシリコンウェハ
上に１μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプリベーク
を行った。その後、電子線露光（露光量１０μＣｃ
ｍ^-2、２０ｋｅＶ）を施した後、メチルエチルケトンで
現像してパタンを形成し、その特性を調べた。

【０９７８】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−２）メンチルメタクリレート９ｇ、アリル
メタクリレート１ｇ、および重合開始剤としてのアゾイ
ソブチロニトリル０．５ｇを、トルエン３０ｍＬ中に溶
解した。得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分間脱
気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流下、油
温７０℃で１６時間加熱し、メタノールにより反応を停
止した。メタノールで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
留去して目的物である共重合体を得た。

【０９７９】得られた共重合体を、前述の実施例（II−
１）と同様の溶液としてシリコンウェハ上に塗布した
後、同様の条件でプリベーク、露光、および現像を行っ
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【０９８０】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−３）メンチルメタクリレート５ｇ、α−ク
ロロトリフルオロエチルアクリレート５ｇ、および重合
開始剤としてのアゾイソブチロニトリル０．５ｇをテト
ラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと省略する）２８ｍＬ中
に溶解した。

【０９８１】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で１６時間加熱し、ヘキサンにより反応
を停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒
を留去して目的物である共重合体を得た。

【０９８２】得られた共重合体を前述の実施例（II−
１）と同様の溶液としてシリコンウェハ上に塗布した
後、同様の条件でプリベークおよび露光を行い、さらに
メチルイソブチルケトンを用いて現像を行ってパタンを
形成し、その特性を調べた。

【０９８３】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例II−２）本合成例においては、前述の合成例
（II−１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合成
し、その特性を評価した。

【０９８４】メンチルメタクリレート、t-ブチルメタク
リレート、およびメタクリル酸を５０：３０：２０の比
率で１０ｇ調製し、重合開始剤としてのアゾイソブチロ
ニトリル０．５ｇとともに、ＴＨＦ４０ｍＬに溶解し
た。

【０９８５】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で９時間加熱し、ヘキサンにより反応を
停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
除去して目的物である共重合体を得た。

【０９８６】得られた共重合体をシクロヘキサノン溶液
とした後、石英ウェハ上に１μｍ膜厚で塗布し、ＡｒＦ
エキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を調べ
た結果、透過率は７４％であってＰＭＭＡより優れてい
た。

【０９８７】さらに、カーボンテトラフルオリドガス
（ＣＦ₄）ガスによるエッチング速度をＰＭＭＡと比較
した結果、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、こ
の共重合体は０．３と優れていた。

【０９８８】なお、ドライエッチング耐性の評価は、次
のような条件で行った。すなわち、ＣＦ₄の流量は１
２．６ｓｃｃｍとし、真空度は１０ｍｔｏｒｒとし、マ
イクロ波の出力は１５０Ｗとした。

【０９８９】以下の実施例（II−４）〜実施例（II−１
１）は、上記合成例（II−２）で得られた共重合体を含
有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調べ
た。 （実施例II−４）合成例（II−２）で得られた共重合体
２ｇ、および光酸発生剤としてのトリフェニルスルホニ
ウムトリフレート０．０４ｇを、２−エトキシエチルア
セテート８ｍＬに溶解した。

【０９９０】これをシリコンウェハ上に０．８μｍ膜厚
で塗布した後、１００℃でプリベークした。次いで、Ａ
ｒＦエキシマレーザ露光（４０ｍＪｃｍ^-2）を行った
後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現
像して、パタンを形成しその特性を調べた。その結果、
０．１５μｍのラインアンドスペースを解像することが
できた。

【０９９１】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価したところ、透
過率は６０％であり、エッチング速度はＰＭＭＡに対し
て０．３と優れていた。 （実施例II−５）〜（実施例II−７） 下記表１１０に示す光酸発生剤を用いて化学増幅型レジ
スト溶液を調製し、上記実施例（II−４）と同様にして
シリコンウェハ上に塗布した後、同様の条件でプリベー
ク、露光、および現像を行ってパタンを形成しその特性
を調べた。なお、各実施例において、光酸発生剤の添加
量は、それぞれ０．０５ｇとした。

【０９９２】さらに、合成例（II−１）と同様に透明性
とドライエッチング耐性とを評価した。その結果を下記
表１１０に併記する。なお、エッチング速度は、ＰＭＭ
Ａに対する値である。

【０９９３】

【表１１０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８）合成例（II−２）で得られた共重合体
２ｇ、光酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムト
リフレート０．０４ｇ、および溶解抑止剤としての３，
３−ビス−４’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフタレ
ニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノン ０．１ｇを、
２−エトキシエチルアセテート８ｍＬに溶解した。

【０９９４】これをシリコンウェハ上に０．８μｍ膜厚
で塗布した後、１００℃でプリベークした。次いで、Ａ
ｒＦエキシマレーザ露光（４０ｍＪｃｍ^-2）を行った
後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現
像して、パタンを形成しその特性を調べた。その結果、
０．１５μｍのラインアンドスペースを解像することが
できた。

【０９９５】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価したところ、透
過率は５５％であり、エッチング速度はＰＭＭＡに対し
て０．３と優れていた。 （実施例II−９）〜（実施例II−１１） 下記表１１１に示す光酸発生剤を用いて化学増幅型レジ
スト溶液を調製し、上記実施例（II−８）と同様にして
シリコンウェハ上に塗布した後、同様の条件でプリベー
ク、露光、および現像を行ってパタンを形成しその特性
を調べた。なお、各実施例において、光酸発生剤の添加
量は、それぞれ０．０５ｇとした。

【０９９６】さらに、合成例（II−１）と同様に透明性
とドライエッチング耐性とを評価した。その結果を下記
表１１１に併記する。なお、エッチング速度は、ＰＭＭ
Ａに対する値である。

【０９９７】

【表１１１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。

【０９９８】本実施例においては、メンチルメタクリレ
ート（一般式（２）で表わされる単量体）、ｔ−ブチル
メタクリレート（酸で分解する官能基）、およびメタク
リル酸（アルカリ可溶性基）は、図１の斜線領域内であ
れば、任意の組成比とすることができる。 （合成例II−３）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を５０：２
５：２５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様
にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【０９９９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０００】以下の実施例（II−１２）〜実施例（II−
１９）では、上記合成例（II−３）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例II−１２）〜（実施例II−１５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化
学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にして
パタンを形成し、その特性を調べた。

【１００１】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１００２】

【表１１２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１６）〜（実施例II−１９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤を
３，３−ビス−３’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフ
タレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更する
以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）
と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用いて前
述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１００３】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１００４】

【表１１３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を５０：２
０：３０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様
にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１００５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１００６】以下の実施例（II−２０）〜実施例（II−
２７）では、上記合成例（II−４）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例II−２０）〜（実施例II−２３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化
学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にして
パタンを形成し、その特性を調べた。

【１００７】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１００８】

【表１１４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２４）〜（実施例II−２７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤を
３，３−ビス−２’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフ
タレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更する
以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）
と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用いて前
述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１００９】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０１０】

【表１１５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：３
５：２０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様
にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０１１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０１２】以下の実施例（II−２８）〜実施例（II−
３５）では、上記合成例（II−５）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例II−２８）〜（実施例II−３１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化
学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にして
パタンを形成し、その特性を調べた。

【１０１３】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０１４】

【表１１６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３２）〜（実施例II−３５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤を
３，３−ビス−５’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフ
タレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更する
以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）
と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用いて前
述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０１５】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０１６】

【表１１７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：３
０：２５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様
にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０１７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０１８】以下の実施例（II−３６）〜実施例（II−
４３）では、上記合成例（II−６）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例II−３６）〜（実施例II−３９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化
学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にして
パタンを形成し、その特性を調べた。

【１０１９】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０２０】

【表１１８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４０）〜（実施例II−４３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤を
３，３−ビス−６’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフ
タレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更する
以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）
と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用いて前
述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０２１】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１１９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０２２】

【表１１９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：２
５：３０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様
にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０２３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０２４】以下の実施例（II−４４）〜実施例（II−
５１）では、上記合成例（II−７）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例II−４４）〜（実施例II−４７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化
学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にして
パタンを形成し、その特性を調べた。

【１０２５】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０２６】

【表１２０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４８）〜（実施例II−５１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤を
３，３−ビス−７’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフ
タレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更する
以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）
と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用いて前
述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０２７】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０２８】

【表１２１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：２
０：３５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様
にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０２９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０３０】以下の実施例（II−５２）〜実施例（II−
５９）では、上記合成例（II−８）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例II−５２）〜（実施例II−５５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化
学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にして
パタンを形成し、その特性を調べた。

【１０３１】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０３２】

【表１２２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５６）〜（実施例II−５９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤を
３，３−ビス−８’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフ
タレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更する
以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）
と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用いて前
述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０３３】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０３４】

【表１２３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：４
０：２０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様
にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサ
ノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０３５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０３６】以下の実施例（II−６０）〜実施例（II−
６７）では、上記合成例（II−９）で得られた共重合体
を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を調
べた。 （実施例II−６０）〜（実施例II−６３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９）で得られた共重合体を使用する以外は、前述
の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化
学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にして
パタンを形成し、その特性を調べた。

【１０３７】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０３８】

【表１２４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６４）〜（実施例II−６７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤を
３，３−ビス−１’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナフ
タレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変更
する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１
１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用い
て前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０３９】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０４０】

【表１２５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：
３５：２５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０４１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０４２】以下の実施例（II−６８）〜実施例（II−
７５）では、上記合成例（II−１０）で得られた共重合
体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を
調べた。 （実施例II−６８）〜（実施例II−７１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０４３】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０４４】

【表１２６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７２）〜（実施例II−７５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤
を３，３−ビス−２’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナ
フタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変
更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−
１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用
いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０４５】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０４６】

【表１２７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：
３０：３０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０４７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０４８】以下の実施例（II−７６）〜実施例（II−
８３）では、上記合成例（II−１１）で得られた共重合
体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を
調べた。 （実施例II−７６）〜（実施例II−７９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０４９】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０５０】

【表１２８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８０）〜（実施例II−８３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤
を３，３−ビス−３’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナ
フタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変
更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−
１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用
いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０５１】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１２９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０５２】

【表１２９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１２）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：
２５：３５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０５３】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０５４】以下の実施例（II−８４）〜実施例（II−
９１）では、上記合成例（II−１２）で得られた共重合
体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を
調べた。 （実施例II−８４）〜（実施例II−８７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０５５】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０５６】

【表１３０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８８）〜（実施例II−９１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１２）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤
を３，３−ビス−４’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナ
フタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変
更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−
１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用
いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０５７】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０５８】

【表１３１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。

【１０５９】（合成例II−１３）メンチルメタクリレー
ト、ｔ−ブチルメタクリレート、およびメタクリル酸の
比率を４０：２０：４０とする以外は、前述の合成例
（II−２）と同様にして共重合体を得、これを前述と同
様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた
結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れてい
た。

【１０６０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０６１】以下の実施例（II−９２）〜実施例（II−
９９）では、上記合成例（II−１３）で得られた共重合
体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性を
調べた。 （実施例II−９２）〜（実施例II−９５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０６２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０６３】

【表１３２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−９６）〜（実施例II−９９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１３）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤
を３，３−ビス−５’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナ
フタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変
更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−
１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用
いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０６４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０６５】

【表１３３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１４）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：
４５：２０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０６６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０６７】以下の実施例（II−１００）〜実施例（II
−１０７）では、上記合成例（II−１４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１００）〜（実施例II−１０３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０６８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０６９】

【表１３４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１０４）〜（実施例II−１０７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１４）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤
を３，３−ビス−６’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナ
フタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変
更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−
１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用
いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０７０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０７１】

【表１３５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１５）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：
４０：２５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０７２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０７３】以下の実施例（II−１０８）〜実施例（II
−１１５）では、上記合成例（II−１５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１０８）〜（実施例II−１１１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０７４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０７５】

【表１３６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１１２）〜（実施例II−１１５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１５）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤
を３，３−ビス−７’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナ
フタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変
更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−
１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用
いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０７６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０７７】

【表１３７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１６）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：
３５：３０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０７８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０７９】以下の実施例（II−１１６）〜実施例（II
−１２３）では、上記合成例（II−１６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１１６）〜（実施例II−１１９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０８０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０８１】

【表１３８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１２０）〜（実施例II−１２３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１６）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止剤
を３，３−ビス−８’−ｔ−ブトキシカルボニロキシナ
フタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに変
更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−
１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用
いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１０８２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１３９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０８３】

【表１３９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１７）ｔ−ブチルメタクリレートをエトキ
シエチルメタクリレートに変更し、メンチルメタクリレ
ート、エトキシエチルメタクリレート、およびメタクリ
ル酸の比率を３５：３０：３５とする以外は、前述の合
成例（II−２）と同様にして共重合体を得、これを前述
と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマ
レーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調
べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れ
ていた。

【１０８４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０８５】以下の実施例（II−１２４）〜実施例（II
−１３１）では、上記合成例（II−１７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１２４）〜（実施例II−１２７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０８６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０８７】

【表１４０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１２８）〜（実施例II−１３１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０８８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０８９】

【表１４１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１８）ｔ−ブチルメタクリレートを３−オ
キソシクロヘキシルメタクリレートに変更し、メンチル
メタクリレート、３−オキソシクロヘキシルメタクリレ
ート、およびメタクリル酸の比率を３５：２５：４０と
する以外は、前述の合成例（II−２）と同様にして共重
合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサノン溶液と
した。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する
透明性を同様にして調べた結果、透過率は７４％であっ
て、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０９０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０９１】以下の実施例（II−１３２）〜実施例（II
−１３９）では、上記合成例（II−１８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１３２）〜（実施例II−１３５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０９２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０９３】

【表１４２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１３６）〜（実施例II−１３９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０９４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０９５】

【表１４３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１９）ｔ−ブチルメタクリレートをｔ−ブ
チル−３−ナフチル−プロペノエートに変更し、メンチ
ルメタクリレート、ｔ−ブチル−３−ナフチル−プロペ
ノエート、およびメタクリル酸の比率を３５：２０：４
５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同様にして
共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキサノン溶
液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対
する透明性を同様にして調べた結果、透過率は７４％で
あって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１０９６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１０９７】以下の実施例（II−１４０）〜実施例（II
−１４７）では、上記合成例（II−１９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１４０）〜（実施例II−１４３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１０９８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１０９９】

【表１４４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１４４）〜（実施例II−１４７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１００】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１０１】

【表１４５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２０）ｔ−ブチルメタクリレートをイソボ
ルニルメタクリレートに変更し、メンチルメタクリレー
ト、イソボルニルメタクリレート、およびメタクリル酸
の比率を３０：５０：２０とする以外は、前述の合成例
（II−２）と同様にして共重合体を得、これを前述と同
様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた
結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れてい
た。

【１１０２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１０３】以下の実施例（II−１４８）〜実施例（II
−１５５）では、上記合成例（II−２０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１４８）〜（実施例II−１５１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１０４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１０５】

【表１４６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１５２）〜（実施例II−１５５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１０６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１０７】

【表１４７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２１）ｔ−ブチルメタクリレートをテトラ
ヒドロピラニルメタクリレートに変更し、メンチルメタ
クリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、お
よびメタクリル酸の比率を３０：４５：２５とする以外
は、前述の合成例（II−２）と同様にして共重合体を
得、これを前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。
ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性
を同様にして調べた結果、透過率は７４％であって、Ｐ
ＭＭＡより優れていた。

【１１０８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１０９】以下の実施例（II−１５６）〜実施例（II
−１６３）では、上記合成例（II−２１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１５６）〜（実施例II−１５９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１１０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１１１】

【表１４８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１６０）〜（実施例II−１６３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１１２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１４９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１１３】

【表１４９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２２）ｔ−ブチルメタクリレートをエトキ
シエチルアクリレートに変更し、メンチルメタクリレー
ト、エトキシエチルアクリレート、およびメタクリル酸
の比率を３０：４０：３０とする以外は、前述の合成例
（II−２）と同様にして共重合体を得、これを前述と同
様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた
結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れてい
た。

【１１１４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１１５】以下の実施例（II−１６４）〜実施例（II
−１７１）では、上記合成例（II−２２）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１６４）〜（実施例II−１６７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１１６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１１７】

【表１５０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１６８）〜（実施例II−１７１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１１８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１１９】

【表１５１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２３）ｔ−ブチルメタクリレートを３−オ
キソシクロヘキシルアクリレートに変更し、メンチルメ
タクリレート、３−オキソシクロヘキシルアクリレー
ト、およびメタクリル酸の比率を３０：３５：３５とす
る以外は、前述の合成例（II−２）と同様にして共重合
体を得、これを前述と同様のシクロヘキサノン溶液とし
た。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透
明性を同様にして調べた結果、透過率は７４％であっ
て、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１２０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１２１】以下の実施例（II−１７２）〜実施例（II
−１７９）では、上記合成例（II−２３）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１７２）〜（実施例II−１７５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１２２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１２３】

【表１５２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１７６）〜（実施例II−１７９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１２４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１２５】

【表１５３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２４）ｔ−ブチルメタクリレートをテトラ
ヒドロピラニルアクリレートに変更し、メンチルメタク
リレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、および
メタクリル酸の比率を３０：３０：４０とする以外は、
前述の合成例（II−２）と同様にして共重合体を得、こ
れを前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦ
エキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様
にして調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡ
より優れていた。

【１１２６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１２７】以下の実施例（II−１８０）〜実施例（II
−１８７）では、上記合成例（II−２４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１８０）〜（実施例II−１８３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１２８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１２９】

【表１５４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１８４）〜（実施例II−１８７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１３０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１３１】

【表１５５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２５）ｔ−ブチルメタクリレートをイソボ
ルニルアクリレートに変更し、メンチルメタクリレー
ト、イソボルニルアクリレート、およびメタクリル酸の
比率を３０：２５：４５とする以外は、前述の合成例
（II−２）と同様にして共重合体を得、これを前述と同
様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた
結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れてい
た。

【１１３２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１３３】以下の実施例（II−１８８）〜実施例（II
−１９５）では、上記合成例（II−２５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１８８）〜（実施例II−１９１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１３４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１３５】

【表１５６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−１９２）〜（実施例II−１９５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−２５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１３６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１３７】

【表１５７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２６）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：
２０：５０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１３８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１３９】以下の実施例（II−１９６）〜実施例（II
−２０３）では、上記合成例（II−２６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−１９６）〜（実施例II−１９９） 下記表１５８に示す光酸発生剤を用い、合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２６）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化学増幅型
レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタンを
形成し、その特性を調べた。

【１１４０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１４１】

【表１５８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２００）〜（実施例II−２０３） 下記表１５９に示す光酸発生剤を用い、合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２６）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にして化学増幅
型レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタン
を形成し、その特性を調べた。

【１１４２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１５９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１４３】

【表１５９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２７）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
５５：２０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１４４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１４５】以下の実施例（II−２０４）〜実施例（II
−２１１）では、上記合成例（II−２７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２０４）〜（実施例II−２０７） 下記表１６０に示す光酸発生剤を用い、合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２７）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化学増幅型
レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタンを
形成し、その特性を調べた。

【１１４６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１４７】

【表１６０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２０８）〜（実施例II−２１１） 下記表１６１に示す光酸発生剤を用い、 合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２７）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にして化学増幅
型レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタン
を形成し、その特性を調べた。

【１１４８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１４９】

【表１６１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２８）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
５０：２５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１５０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１５１】以下の実施例（II−２１２）〜実施例（II
−２１９）では、上記合成例（II−２８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２１２）〜（実施例II−２１５） 下記表１６２に示す光酸発生剤を用い、合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２８）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化学増幅型
レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタンを
形成し、その特性を調べた。

【１１５２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１５３】

【表１６２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２１６）〜（実施例II−２１９） 下記表１６３に示す光酸発生剤を用い、合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２８）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にして化学増幅
型レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタン
を形成し、その特性を調べた。

【１１５４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１５５】

【表１６３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−２９）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
４５：３０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１５６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１５７】以下の実施例（II−２２０）〜実施例（II
−２２７）では、上記合成例（II−２９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２２０）〜（実施例II−２２３） 下記表１６４に示す光酸発生剤を用い、合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２９）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして化学増幅型
レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタンを
形成し、その特性を調べた。

【１１５８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１５９】

【表１６４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２２４）〜（実施例II−２２７） 下記表１６５に示す光酸発生剤を用い、合成例（II−
２）で得られた共重合体に代えて、合成例（II−２９）
で得られた共重合体を使用する以外は、前述の実施例
（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にして化学増幅
型レジストを得、これを用いて前述と同様にしてパタン
を形成し、その特性を調べた。

【１１６０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１６１】

【表１６５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３０）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
４０：３５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１６２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１６３】以下の実施例（II−２２８）〜実施例（II
−２３５）では、上記合成例（II−３０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２２８）〜（実施例II−２３１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１６４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１６５】

【表１６６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２３２）〜（実施例II−２３５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１６６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１６７】

【表１６７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３１）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
３５：４０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１６８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１６９】以下の実施例（II−２３６）〜実施例（II
−２４３）では、上記合成例（II−３１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２３６）〜（実施例II−２３９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１７０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１７１】

【表１６８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２４０）〜（実施例II−２４３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１７２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１６９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１７３】

【表１６９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３２）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
３０：４５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１７４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１７５】以下の実施例（II−２４４）〜実施例（II
−２５１）では、上記合成例（II−３２）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２４４）〜（実施例II−２４７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１７６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１７７】

【表１７０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２４８）〜（実施例II−２５１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１７８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１７９】

【表１７１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３３）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
２５：５０とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１８０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１８１】以下の実施例（II−２５２）〜実施例（II
−２５９）では、上記合成例（II−３３）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２５２）〜（実施例II−２５５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１８２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７２まと
める。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値で
ある。

【１１８３】

【表１７２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２５６）〜（実施例II−２５９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１８４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１８５】

【表１７３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３４）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
２０：５５とする以外は、前述の合成例（II−２）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１１８６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１１８７】以下の実施例（II−２６０）〜実施例（II
−２６７）では、上記合成例（II−３４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２６０）〜（実施例II−２６３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１８８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１８９】

【表１７４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２６４）〜（実施例II−２６７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１１９０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１１９１】

【表１７５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３５）マレイックアシッド１６ｇ、メント
ール２０ｇ、およびパラトルエンスルホン酸１０ｇを、
トルエン ３０ｍＬ中で油温１５０℃で１０時間加熱環
流した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液により
反応を停止し、エーテルを加えた。二層を分離して水層
をエーテル抽出し、有機層をあわせて飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄して酸を除いた。更に、飽和塩化ア
ンモニウム水溶液によりｐＨを７近傍に調節し、飽和食
塩水および無水硫酸ナトリウムにより乾燥した。得られ
た油状物を分別蒸留して、マレイックアシッドモノメン
チルエステルとジメンチルマリエートとを得た。

【１１９２】マレイックアシッドモノメンチルエステル
２．５ｇと、２−メチル−２−プロパノール １ｇ、
およびパラトルエンスルホン酸 ０．７ｇを、トルエン
３０ｍＬ中で油温１５０℃で１９時間加熱環流した。
その後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液により反応を停
止し、エーテルを加えた。二層を分離して水槽をエーテ
ル抽出し、有機層をあわせて飽和炭酸水素ナトリウム、
および水酸化ナトリウム水溶液で洗浄して酸を除いた。
更に、飽和塩化アンモニウム水溶液によりｐＨを７に調
節し、飽和食塩水及び無水硫酸ナトリウムにより乾燥し
た。得られた油状物を減圧蒸留して、メンチル３−ｔ−
ブトキシカルボニル−２Ｚ−プロペノエートを得た。 （合成例II−３５で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）メンチル 3-t-ブトキシカルボニル-2Z-プロペ
ノエート 10 gと、重合開始剤であるアゾイソブチロニ
トリル 0.5 gとをTHF 40 mLに溶解した。

【１１９３】得られた溶液を液体窒素で凍結し、20分間
脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流下、
油温60 ℃で10時間加熱し、ヘキサン 600 mLにより反応
を停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒
を留去して、ポリメンチル3-t-ブトキシカルボニル-2Z-
プロペノエートを得た。

【１１９４】また、ジメンチルマリエートを10 g用いる
以外は、前述と同様の条件で重合反応を行ってポリジメ
ンチルマリエートを得た。

【１１９５】さらに、マレイックアシッドモノメンチル
エステルを10 g用いる以外は、前述と同様の条件で重合
反応を行ってポリマレイックアシッドモノメンチルエス
テルを得た。

【１１９６】各ポリマをそれぞれシクロヘキサノン溶液
とし、合成例（II−１）のモノマの場合と同様にして、
ArFエキシマレーザ光(193 nm)に対する透明性を調べ
た。その結果、ポリメンチル3-t-ブトキシカルボニル-2
Z-プロペノエートの透過率は50％であり、ポリジメンチ
ルマリエートの透過率は43％であって、いずれもPMMAと
同様であった。

【１１９７】更に、前述の合成例（II−１）のモノマの
場合と同様の条件で、カーボンテトラフルオリド（ＣＨ
₄）ガスによるエッチング速度を測定し、PMMAと比較し
た結果、PMMAのエッチング速度を１とすると、いずれの
ポリマも0.3と優れていた。

【１１９８】以下、実施例では、前記合成例（II−３
５）で得られたジメンチルマリエート、メンチル3-t-ブ
トキシカルボニル-2Z-プロペノエート、またはマレイッ
クアシッドモノメンチルエステルを含む共重合体をそれ
ぞれ合成し、これを含有する感光性組成物を得て、その
特性を調べた。 （実施例II−２６８）ジメンチルマリエート 5 g、グリ
シジルメタクリレート 0.5 g、および重合開始剤として
のアゾイソブチロニトリル 0.25 gをトルエン15 mL中に
溶解した。

【１１９９】得られた溶液を前述の実施例（II−１）と
同様にして反応させて、目的物である共重合体を得、同
様にしてこの共重合体を3-メトキシプロピオン酸メチル
に溶解した。これを用いて前述と同様にパタンを形成
し、その特性を調べた。

【１２００】その結果、0.5 μｍのネガティブラインア
ンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−２６９）ジメンチルマリエート 1 g、アリ
ルメタクリレート 0.1 g、及び重合開始剤としてのアゾ
イソブチロニトリル 0.05 gをトルエン 5 mL中に溶解し
た．得られた溶液を前述の実施例（II−２）と同様にし
て反応させて、目的物である共重合体を得、同様にして
この共重合体を3-メトキシプロピオン酸メチルに溶解し
た。これを用いて前述と同様にパタンを形成し、その特
性を調べた。

【１２０１】その結果、0.5 μｍのネガティブラインア
ンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−２７０）ジメンチルマリエート 1 g、 a-
クロロトリフルオロアクリレート 1 g、及び重合開始剤
としてのアゾイソブチロニトリル 0.1 gをTHF 3 mL中に
溶解した．得られた溶液を前述の実施例（II−３）と同
様にして反応させて、目的物である共重合体を得、同様
にしてこの共重合体を3-メトキシプロピオン酸メチルに
溶解した。これを用いて前述と同様にパタンを形成し、
その特性を調べた。

【１２０２】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−２７１）ジメンチルマリエートに変えて、
メンチル3-t-ブトキシカルボニル-2Z-プロペノエート
0.8 gを用いる以外は、前記実施例（II−２６８）と同
様の手順で共重合体を得た。得られた共重合体を、前記
実施例（II−２６８）と同様の溶液とし、これを用いて
同様にしてパタンを形成した。

【１２０３】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−２７２）ジメンチルマリエートに変えて、
メンチル3-t-ブトキシカルボニル-2Z-プロペノエート
0.8 gを用いる以外は、前記実施例（II−２６９）と同
様の手順で共重合体を得た．得られた共重合体を、前記
実施例（II−２６９）と同様の溶液とし、これを用いて
同様にしてパタンを形成した。

【１２０４】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−２７３）ジメンチルマリエートに変えて、
メンチル3-t-ブトキシカルボニル-2Z-プロペノエート
0.8 gを用いる以外は、前記実施例（II−２７０）と同
様の手順で共重合体を得た．得られた共重合体を、前記
実施例（II−２７０）と同様の溶液とし、これを用いて
同様にしてパタンを形成した。

【１２０５】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。

【１２０６】以下の実施例（II−２７４）〜実施例（II
−２８１）では、上記合成例（II−３５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２７４）〜（実施例II−２７７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３５）で得られたホモポリマ（ポリメンチル３−
ｔ−ブトキシカルボニル−２Ｚ−プロペノエート）を使
用する以外は、前述の実施例（II−４）〜実施例（II−
７）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用い
て前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１２０７】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２０８】

【表１７６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２７８）〜（実施例II−２８１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３５）で得られたホモポリマ（ポリマレイックア
シッドモノメンチルエステル）を使用する以外は、前述
の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。さらに、合成例
（II−１）と同様にして、透明性とドライエッチング耐
性とを評価した。得られた結果を、使用した光酸発生剤
とともに下記表１７７にまとめる。なお、エッチング速
度は、ＰＭＭＡに対する値である。

【１２０９】

【表１７７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３６）メンチル３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−２Ｚ−プロペノエートと、メタクリル酸との比率を
７０：３０とする以外は、前述の合成例（II−３５）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２１０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２１１】以下の実施例（II−２８２）〜実施例（II
−２８９）では、上記合成例（II−３６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２８２）〜（実施例II−２８５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２１２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２１３】

【表１７８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２８６）〜（実施例II−２８９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２１４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１７９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２１５】

【表１７９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３７）メンチル３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−２Ｚ−プロペノエートと、メタクリル酸との比率を
を７５：２５とする以外は、前述の合成例（II−３５）
と同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過
率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２１６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２１７】以下の実施例（II−２９０）〜実施例（II
−２９７）では、上記合成例（II−３７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２９０）〜（実施例II−２９３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２１８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２１９】

【表１８０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−２９４）〜（実施例II−２９７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２２０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２２１】

【表１８１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３８）メンチル３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−２Ｚ−プロペノエートと、メタクリル酸との比率を
を８０：２０とする以外は、前述の合成例（II−３５）
と同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過
率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２２２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２２３】以下の実施例（II−２９８）〜実施例（II
−３０５）では、上記合成例（II−３８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−２９８）〜（実施例II−３０１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２２４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２２５】

【表１８２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３０２）〜（実施例II−３０５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２２６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２２７】

【表１８３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−３９）メンチル３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−２Ｚ−プロペノエートと、メタクリル酸との比率を
を６５：３５とする以外は、前述の合成例（II−３５）
と同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過
率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２２８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２２９】以下の実施例（II−３０６）〜実施例（II
−３１３）では、上記合成例（II−３９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３０６）〜（実施例II−３０９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２３０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２３１】

【表１８４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３１０）〜（実施例II−３１３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−３９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２３２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２３３】

【表１８５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４０）メンチル３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−２Ｚ−プロペノエートと、メタクリル酸との比率を
を６０：４０とする以外は、前述の合成例（II−３５）
と同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過
率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２３４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２３５】以下の実施例（II−３１４）〜実施例（II
−３２１）では、上記合成例（II−４０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３１４）〜（実施例II−３１７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２３６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２３７】

【表１８６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３１８）〜（実施例II−３２１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２３８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２３９】

【表１８７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４１）メンチル３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−２Ｚ−プロペノエートと、メタクリル酸との比率を
を５５：４５とする以外は、前述の合成例（II−３５）
と同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過
率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２４０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２４１】以下の実施例（II−３２２）〜実施例（II
−３２９）では、上記合成例（II−４１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３２２）〜（実施例II−３２５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２４２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２４３】

【表１８８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３２６）〜（実施例II−３２９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２４４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１８９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２４５】

【表１８９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４２）メンチル３−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−２Ｚ−プロペノエートと、メタクリル酸との比率を
を５０：５０とする以外は、前述の合成例（II−３５）
と同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロ
ヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９
３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過
率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２４６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２４７】以下の実施例（II−３３０）〜実施例（II
−３３７）では、上記合成例（II−４２）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３３０）〜（実施例II−３３３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２４８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２４９】

【表１９０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３３４）〜（実施例II−３３７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２５０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２５１】

【表１９１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４３）本合成例においては、合成例（II−
３５）で得られたモノマを含む他の共重合体を合成し、
その評価を行った。

【１２５２】ジメンチルマリエート、ｔ−ブチルメタク
リレート、およびメタクリル酸を３５：４０：２５の比
率で１０ｇ調製し、重合開始剤としてのアゾイソブチロ
ニトリル ０．５ｇとともに、ＴＨＦ ４０ｍＬに溶解
した。

【１２５３】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で９時間加熱し、ヘキサンにより反応を
停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
除去して、目的物である共重合体を得、これを前述と同
様のシクロヘキサンン溶液とした。ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた
結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れてい
た。

【１２５４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２５５】以下の実施例（II−３３８）〜実施例（II
−３４５）では、上記合成例（II−４３）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３３８）〜（実施例II−３４１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２５６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２５７】

【表１９２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３４２）〜（実施例II−３４５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２５８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２５９】

【表１９３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４４）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：
３２．５：３２．５とする以外は、前述の合成例（II−
４３）と同様にして共重合体を得、これを前述と同様の
シクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光
（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結
果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れてい
た。

【１２６０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２６１】以下の実施例（II−３４６）〜実施例（II
−３５３）では、上記合成例（II−４４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３４６）〜（実施例II−３４９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２６２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２６３】

【表１９４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３５０）〜（実施例II−３５３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２６４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２６５】

【表１９５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４５）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：
２５：４０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２６６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２６７】以下の実施例（II−３５４）〜実施例（II
−３６１）では、上記合成例（II−４５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３５４）〜（実施例II−３５７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２６８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２６９】

【表１９６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３５８）〜（実施例II−３６１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２７０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２７１】

【表１９７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４６）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：
４５：２５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２７２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２７３】以下の実施例（II−３６２）〜実施例（II
−３６９）では、上記合成例（II−４６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３６２）〜（実施例II−３６５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２７４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２７５】

【表１９８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３６６）〜（実施例II−３６９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２７６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表１９９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２７７】

【表１９９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４７）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：
４０：３０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２７８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２７９】以下の実施例（II−３７０）〜実施例（II
−３７７）では、上記合成例（II−４７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３７０）〜（実施例II−３７３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２８０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２００にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２８１】

【表２００】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３７４）〜（実施例II−３７７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２８２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２８３】

【表２０１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４８）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：
３０：４０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２８４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２８５】以下の実施例（II−３７８）〜実施例（II
−３８５）では、上記合成例（II−４８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３７８）〜（実施例II−３８１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２８６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２８７】

【表２０２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３８２）〜（実施例II−３８５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２８８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２８９】

【表２０３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−４９）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：
２５：４５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２９０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２９１】以下の実施例（II−３８６）〜実施例（II
−３９３）では、上記合成例（II−４９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３８６）〜（実施例II−３８９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２９２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２９３】

【表２０４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３９０）〜（実施例II−３９３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−４９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２９４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２９５】

【表２０５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５０）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
５０：２５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１２９６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１２９７】以下の実施例（II−３９４）〜実施例（II
−４０１）では、上記合成例（II−５０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−３９４）〜（実施例II−３９７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１２９８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１２９９】

【表２０６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−３９８）〜（実施例II−４０１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３００】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３０１】

【表２０７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５１）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
４５：３０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３０２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３０３】以下の実施例（II−４０２）〜実施例（II
−４０９）では、上記合成例（II−５１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４０２）〜（実施例II−４０５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３０４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３０５】

【表２０８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４０６）〜（実施例II−４０９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３０６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２０９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３０７】

【表２０９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５２）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
４０：３５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３０８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３０９】以下の実施例（II−４１０）〜実施例（II
−４１７）では、上記合成例（II−５２）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４１０）〜（実施例II−４１３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３１０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３１１】

【表２１０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４１４）〜（実施例II−４１７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３１２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３１３】

【表２１１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５３）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
３０：４５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３１４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３１５】以下の実施例（II−４１８）〜実施例（II
−４２５）では、上記合成例（II−５３）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４１８）〜（実施例II−４２１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３１６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３１７】

【表２１２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４２２）〜（実施例II−４２５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３１８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３１９】

【表２１３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５４）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
２５：５０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３２０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３２１】以下の実施例（II−４２６）〜実施例（II
−４３３）では、上記合成例（II−５４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４２６）〜（実施例II−４２９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３２２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３２３】

【表２１４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４３０）〜（実施例II−４３３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３２４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３２５】

【表２１５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５５）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
５５：２５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３２６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３２７】以下の実施例（II−４３４）〜実施例（II
−４４１）では、上記合成例（II−５５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４３４）〜（実施例II−４３７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３２８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３２９】

【表２１６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４３８）〜（実施例II−４４１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３３０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３３１】

【表２１７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５６）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
５０：３０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３３２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３３３】以下の実施例（II−４４２）〜実施例（II
−４４９）では、上記合成例（II−５６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４４２）〜（実施例II−４４５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３３４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３３５】

【表２１８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４４６）〜（実施例II−４４９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３３６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２１９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３３７】

【表２１９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５７）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
４０：４０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３３８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３３９】以下の実施例（II−４５０）〜実施例（II
−４５７）では、上記合成例（II−５７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４５０）〜（実施例II−４５３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３４０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３４１】

【表２２０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４５４）〜（実施例II−４５７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３４２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３４３】

【表２２１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５８）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
３５：４５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３４４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３４５】以下の実施例（II−４５８）〜実施例（II
−４６５）では、上記合成例（II−５８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４５８）〜（実施例II−４６１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３４６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３４７】

【表２２２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４６２）〜（実施例II−４６５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３４８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３４９】

【表２２３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−５９）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
３０：５０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３５０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３５１】以下の実施例（II−４６６）〜実施例（II
−４７３）では、上記合成例（II−５９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４６６）〜（実施例II−４６９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３５２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３５３】

【表２２４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４７０）〜（実施例II−４７３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−５９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３５４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３５５】

【表２２５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６０）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
２５：５５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３５６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３５７】以下の実施例（II−４７４）〜実施例（II
−４８１）では、上記合成例（II−６０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４７４）〜（実施例II−４７７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３５８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３５９】

【表２２６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４７８）〜（実施例II−４８１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３６０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３６１】

【表２２７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６１）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
６０：２０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３６２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３６３】以下の実施例（II−４８２）〜実施例（II
−４８９）では、上記合成例（II−６１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４８２）〜（実施例II−４８５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３６４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３６５】

【表２２８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４８６）〜（実施例II−４８９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３６６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２２９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３６７】

【表２２９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６２）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
４５：３５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３６８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３６９】以下の実施例（II−４９０）〜実施例（II
−４９７）では、上記合成例（II−６２）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４９０）〜（実施例II−４９３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３７０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３７１】

【表２３０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−４９４）〜（実施例II−４９７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３７２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３７３】

【表２３１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６３）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
３５：４５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３７４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３７５】以下の実施例（II−４９８）〜実施例（II
−５０５）では、上記合成例（II−６３）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−４９８）〜（実施例II−５０１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３７６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３７７】

【表２３２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５０２）〜（実施例II−５０５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３７８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３７９】

【表２３３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６４）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２０：
２０：６０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３８０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３８１】以下の実施例（II−５０６）〜実施例（II
−５１３）では、上記合成例（II−６４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５０６）〜（実施例II−５０９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３８２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３８３】

【表２３４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５１０）〜（実施例II−５１３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３８４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３８５】

【表２３５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６５）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
６０：２５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３８６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３８７】以下の実施例（II−５１４）〜実施例（II
−５２１）では、上記合成例（II−６５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５１４）〜（実施例II−５１７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３８８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３８９】

【表２３６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５１８）〜（実施例II−５２１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３９０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３９１】

【表２３７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６６）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
５５：３０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３９２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３９３】以下の実施例（II−５２２）〜実施例（II
−５２９）では、上記合成例（II−６６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５２２）〜（実施例II−５２５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３９４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３９５】

【表２３８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５２６）〜（実施例II−５２９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１３９６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２３９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１３９７】

【表２３９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６７）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
５０：３５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１３９８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１３９９】以下の実施例（II−５３０）〜実施例（II
−５３７）では、上記合成例（II−６７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５３０）〜（実施例II−５３３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４００】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４０１】

【表２４０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５３４）〜（実施例II−５３７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４０２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４０３】

【表２４１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６８）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
４５：４０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４０４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４０５】以下の実施例（II−５３８）〜実施例（II
−５４５）では、上記合成例（II−６８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５３８）〜（実施例II−５４１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４０６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４０７】

【表２４２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５４２）〜（実施例II−５４５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４０８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４０９】

【表２４３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−６９）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
４０：４５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４１０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４１１】以下の実施例（II−５４６）〜実施例（II
−５５３）では、上記合成例（II−６９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５４６）〜（実施例II−５４９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４１２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４１３】

【表２４４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５５０）〜（実施例II−５５３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−６９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４１４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４１５】

【表２４５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７０）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
３５：５０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４１６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４１７】以下の実施例（II−５５４）〜実施例（II
−５６１）では、上記合成例（II−７０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５５４）〜（実施例II−５５７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４１８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４１９】

【表２４６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５５８）〜（実施例II−５６１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４２０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４２１】

【表２４７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７１）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
３０：５５とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４２２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４２３】以下の実施例（II−５６２）〜実施例（II
−５６９）では、上記合成例（II−７１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５６２）〜（実施例II−５６５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４２４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４２５】

【表２４８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５６６）〜（実施例II−５６９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４２６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２４９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４２７】

【表２４９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７２）ジメンチルメタクリレート、t-ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を１５：
２５：６０とする以外は、前述の合成例（II−４３）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４２８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４２９】以下の実施例（II−５７０）〜実施例（II
−５７７）は、上記合成例（II−７２）で得られた共重
合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特性
を調べた。 （実施例II−５７０）〜（実施例II−５７３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４３０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４３１】

【表２５０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５７４）〜（実施例II−５７７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４３２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４３３】

【表２５１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７３）アクリル酸２６ｇ、メントール２４
ｇ、およびパラトルエンスルホン酸１５ｇをトルエン５
００ｍＬ中で油温１５０℃で１９時間加熱還流した。そ
の後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液により反応を停止
し、エーテルを加えた。二層を分離して水層をエーテル
抽出し、有機層を合わせ、次いで、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および水酸化ナトリウム水溶液で洗浄して酸
を除いた。さらに飽和塩化アンモニウム水溶液によりｐ
Ｈを７に調節し、飽和食塩水および無水流酸ナトリウム
により乾燥した。最後に得られた油状物を減圧蒸留し
て、メンチルアクリレートを得た。 （合成例II−７３で得られたモノマからなるホモポリマ
の評価）メンチルアクリレート５ｇと、重合開始剤とし
てのアゾイソブチロニトリル０．２５ｇとをＴＨＦ２０
ｍＬに溶解した。

【１４３４】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を３回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温７０℃で１６時間加熱し、メタノール６００ｍ
Ｌにより反応を停止した。メタノールで再沈後、濾別
し、真空下で溶媒を留去してポリメンチルアクリレート
を得た。

【１４３５】これをシクロヘキサノン溶液とした後、合
成例（II−１）のモノマの場合と同様にして、ＡｒＦエ
キシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を調べた
結果、透過率は４３％であり、ＰＭＭＡと同等であっ
た。

【１４３６】更に、前述の合成例（II−１）のモノマの
場合と同様の条件で、カーボンテトラフルオリド（ＣＨ
₄）ガスによるエッチング速度を測定し、ＰＭＭＡと比
較した結果、ＰＭＭＡのエッチング速度を１とすると、
ポリメンチルアクリレートは０．３と優れていた。

【１４３７】以下、実施例（II−５７９）〜実施例（II
−５８１）では、前記合成例（II−７３）で得られたメ
ンチルアクリレートを含む共合体をそれぞれ合成し、こ
れを含有する感光性組成物を得てその特性を調べた。 （実施例II−５７９）メンチルアクリレート ９ｇ, グ
リシジルメタクリレート １ｇ，および重合開始剤とし
てのアゾイソブチロニトリル ０．５ｇを、トルエン
３０ ｍＬ中に溶解した。

【１４３８】得られた溶液を前述の実施例（II−１）と
同様にして反応させて、目的物である共重合体を得、同
様にしてこの共重合体を３−メトキシプロピオン酸メチ
ルに溶解した。これを用いて前述と同様にパタンを形成
し、その特性を調べた。

【１４３９】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−５８０）メンチルアクリレート ９ｇ、ア
リルメタクリレート １ｇ， および重合開始剤として
のアゾイソブチロニトリル ０．５ｇをトルエン ３０
ｍＬ中に溶解した。

【１４４０】得られた溶液を前述の実施例（II−２）と
同様にして反応させて、目的物である共重合体を得、同
様にしてこの共重合体を３−メトキシプロピオン酸メチ
ルに溶解した。これを用いて前述と同様にパタンを形成
し、その特性を調べた。

【１４４１】その結果、０．５μｍのネガティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （実施例II−５８１）メンチルアクリレート ５ｇ、α
−クロロトリフルオロエチルアクリレート５ｇ、および
重合開始剤としてのアゾイソブチロニトリル ０．５ｇ
をＴＨＦ２８ｍＬ中に溶解した。

【１４４２】得られた溶液を前述の実施例（II−３）と
同様にして反応させて、目的物である共重合体を得、同
様にしてこの共重合体を３−メトキシプロピオン酸メチ
ルに溶解した。これを用いて前述と同様にパタンを形成
し、その特性を調べた。

【１４４３】その結果、０．５μｍのポジティブライン
アンドスペースパタンを解像することができた。 （合成例II−７４）本合成例においては、前述の合成例
（II−７３）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その評価を行った。

【１４４４】メンチルアクリレート、ｔ−ブチルメタク
リレート、およびメタクリル酸を５０：３０：２０の比
率で１０ｇ調製し、重合開始剤としてのアゾイソブチロ
ニトリル０．５ｇとともに、ＴＨＦ ４０ｍＬに溶解し
た。

【１４４５】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で９時間加熱し、ヘキサンにより反応を
停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
除去して共重合体を得た。これを前述の合成例（II−
１）と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１４４６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４４７】以下の実施例（II−５８２）〜実施例（II
−５８９）では、上記合成例（II−７４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５８２）〜（実施例II−５８５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４４８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４４９】

【表２５２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５８６）〜（実施例II−５８９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４５０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４５１】

【表２５３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７５）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を５０：２
５：２５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４５２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４５３】以下の実施例（II−５９０）〜実施例（II
−５９７）では、上記合成例（II−７５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５９０）〜（実施例II−５９３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４５４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４５５】

【表２５４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−５９４）〜（実施例II−５９７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４５６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４５７】

【表２５５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７６）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を５０：２
０：３０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４５８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４５９】以下の実施例（II−５９８）〜実施例（II
−６０５）では、上記合成例（II−７６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−５９８）〜（実施例II−６０１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４６０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４６１】

【表２５６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６０２）〜（実施例II−６０５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４６２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４６３】

【表２５７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７７）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：３
５：２０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４６４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４６５】以下の実施例（II−６０６）〜実施例（II
−６１３）では、上記合成例（II−７７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６０６）〜（実施例II−６０９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４６６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４６７】

【表２５８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６１０）〜（実施例II−６１３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４６８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２５９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４６９】

【表２５９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７８）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：３
０：２５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４７０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４７１】以下の実施例（II−６１４）〜実施例（II
−６２１）では、上記合成例（II−７８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６１４）〜（実施例II−６１７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４７２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４７３】

【表２６０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６１８）〜（実施例II−６２１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４７４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４７５】

【表２６１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−７９）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：２
５：３０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４７６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４７７】以下の実施例（II−６２２）〜実施例（II
−６２９）では、上記合成例（II−７９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６２２）〜（実施例II−６２５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４７８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４７９】

【表２６２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６２６）〜（実施例II−６２９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−７９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４８０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４８１】

【表２６３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８０）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４５：２
０：３５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４８２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４８３】以下の実施例（II−６３０）〜実施例（II
−６３７）では、上記合成例（II−８０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６３０）〜（実施例II−６３３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４８４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４８５】

【表２６４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６３４）〜（実施例II−６３７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４８６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４８７】

【表２６５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８１）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：４
０：２０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４８８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４８９】以下の実施例（II−６３８）〜実施例（II
−６４５）では、上記合成例（II−８１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６３８）〜（実施例II−６４１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４９０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４９１】

【表２６６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６４２）〜（実施例II−６４５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４９２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４９３】

【表２６７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８２）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：３
５：２５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１４９４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１４９５】以下の実施例（II−６４６）〜実施例（II
−６５３）では、上記合成例（II−８２）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６４６）〜（実施例II−６４９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４９６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４９７】

【表２６８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６５０）〜（実施例II−６５３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１４９８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２６９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１４９９】

【表２６９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８３）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：３
０：３０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５００】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５０１】以下の実施例（II−６５４）〜実施例（II
−６６１）では、上記合成例（II−８３）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６５４）〜（実施例II−６５７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５０２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５０３】

【表２７０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６５８）〜（実施例II−６６１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５０４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５０５】

【表２７１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８４）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：２
５：３５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５０６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５０７】以下の実施例（II−６６２）〜実施例（II
−６６９）では、上記合成例（II−８４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６６２）〜（実施例II−６６５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５０８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５０９】

【表２７２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６６６）〜（実施例II−６６９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５１０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５１１】

【表２７３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８５）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を４０：２
０：４０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５１２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５１３】以下の実施例（II−６７０）〜実施例（II
−６７７）では、上記合成例（II−８５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６７０）〜（実施例II−６７３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５１４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５１５】

【表２７４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６７４）〜（実施例II−６７７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５１６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５１７】

【表２７５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８６）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：４
５：２０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５１８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５１９】以下の実施例（II−６７８）〜実施例（II
−６８５）では、上記合成例（II−８６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６７８）〜（実施例II−６８１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５２０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５２１】

【表２７６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６８２）〜（実施例II−６８５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５２２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５２３】

【表２７７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８７）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：４
０：２５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５２４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５２５】以下の実施例（II−６８６）〜実施例（II
−６９３）では、上記合成例（II−８７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６８６）〜（実施例II−６８９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５２６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５２７】

【表２７８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６９０）〜（実施例II−６９２） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５２８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２７９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５２９】

【表２７９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８８）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：３
５：３０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５３０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５３１】以下の実施例（II−６９４）〜実施例（II
−７０１）では、上記合成例（II−８８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−６９４）〜（実施例II−６９７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５３２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５３３】

【表２８０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−６９８）〜（実施例II−７０１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５３４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５３５】

【表２８１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−８９）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：３
０：３５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５３６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５３７】以下の実施例（II−７０２）〜実施例（II
−７０９）では、上記合成例（II−８９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７０２）〜（実施例II−７０５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５３８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５３９】

【表２８２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７０６）〜（実施例II−７０９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−８９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５４０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５４１】

【表２８３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９０）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：２
５：４０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５４２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５４３】以下の実施例（II−７１０）〜実施例（II
−７１７）では、上記合成例（II−９０）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７１０）〜（実施例II−７１３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５４４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５４５】

【表２８４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７１４）〜（実施例II−７１７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９０）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５４６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５４７】

【表２８５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９１）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３５：２
０：４５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５４８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５４９】以下の実施例（II−７１８）〜実施例（II
−７２５）では、上記合成例（II−９１）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７１８）〜（実施例II−７２１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５５０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５５１】

【表２８６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７２２）〜（実施例II−７２５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９１）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５５２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５５３】

【表２８７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９２）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：５
０：２０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５５４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５５５】以下の実施例（II−７２６）〜実施例（II
−７３３）では、上記合成例（II−９２）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７２６）〜（実施例II−７２９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５５６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５５７】

【表２８８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７３０）〜（実施例II−７３３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９２）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５５８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２８９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５５９】

【表２８９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９３）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：４
５：２５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５６０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５６１】以下の実施例（II−７３４）〜実施例（II
−７４１）では、上記合成例（II−９３）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７３４）〜（実施例II−７３７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５６２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５６３】

【表２９０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７３８）〜（実施例II−７４１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９３）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５６４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５６５】

【表２９１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９４）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：４
０：３０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５６６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５６７】以下の実施例（II−７４２）〜実施例（II
−７４９）では、上記合成例（II−９４）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７４２）〜（実施例II−７４５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５６８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５６９】

【表２９２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７４６）〜（実施例II−７４９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９４）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５７０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５７１】

【表２９３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９５）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：３
５：３５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５７２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５７３】以下の実施例（II−７５０）〜実施例（II
−７５７）では、上記合成例（II−９５）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７５０）〜（実施例II−７５３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５７４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５７５】

【表２９４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７５４）〜（実施例II−７５７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９５）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５７６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５７７】

【表２９５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９６）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：３
０：４０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５７８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５７９】以下の実施例（II−７５８）〜実施例（II
−７６５）では、上記合成例（II−９６）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７５８）〜（実施例II−７６１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５８０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５８１】

【表２９６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７６２）〜（実施例II−７６５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９６）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５８２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５８３】

【表２９７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９７）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：２
５：４５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５８４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５８５】以下の実施例（II−７６６）〜実施例（II
−７７３）では、上記合成例（II−９７）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７６６）〜（実施例II−７６９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５８６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５８７】

【表２９８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７７０）〜（実施例II−７７３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９７）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５８８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表２９９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５８９】

【表２９９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９８）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を３０：２
０：５０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５９０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５９１】以下の実施例（II−７７４）〜実施例（II
−７８１）では、上記合成例（II−９８）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７７４）〜（実施例II−７７７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５９２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３００にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５９３】

【表３００】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７７８）〜（実施例II−７８１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９８）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５９４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５９５】

【表３０１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−９９）メンチルアクリレート、ｔ−ブチル
メタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：５
５：２０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と同
様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘキ
サノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎ
ｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率は
７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１５９６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１５９７】以下の実施例（II−７８２）〜実施例（II
−７８９）では、上記合成例（II−９９）で得られた共
重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その特
性を調べた。 （実施例II−７８２）〜（実施例II−７８５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にして
化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様にし
てパタンを形成し、その特性を調べた。

【１５９８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１５９９】

【表３０２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７８６）〜（実施例II−７８９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−９９）で得られた共重合体を使用する以外は、前
述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６００】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６０１】

【表３０３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１００）メンチルアクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
５０：２５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１６０２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１６０３】以下の実施例（II−７９０）〜実施例（II
−７９７）では、上記合成例（II−１００）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例II−７９０）〜（実施例II−７９３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１００）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６０４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６０５】

【表３０４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−７９４）〜（実施例II−７９７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１００）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６０６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６０７】

【表３０５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０１）メンチルアクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
４５：３０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１６０８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１６０９】以下の実施例（II−７９８）〜実施例（II
−８０５）では、上記合成例（II−１０１）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例II−７９８）〜（実施例II−８０１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０１）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６１０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６１１】

【表３０６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８０２）〜（実施例II−８０５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０１）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６１２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６１３】

【表３０７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０２）メンチルアクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
４０：３５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１６１４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１６１５】以下の実施例（II−８０６）〜実施例（II
−８１３）では、上記合成例（II−１０２）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例II−８０６）〜（実施例II−８０９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０２）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６１６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６１７】

【表３０８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８１０）〜（実施例II−８１３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０２）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６１８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３０９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６１９】

【表３０９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０３）メンチルアクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
３５：４０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１６２０】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１６２１】以下の実施例（II−８１４）〜実施例（II
−８２１）では、上記合成例（II−１０３）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例II−８１４）〜（実施例II−８１７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０３）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６２２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６２３】

【表３１０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８１８）〜（実施例II−８２１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０３）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６２４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６２５】

【表３１１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０４）メンチルアクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
３０：４５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１６２６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１６２７】以下の実施例（II−８２２）〜実施例（II
−８２９）では、上記合成例（II−１０４）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例II−８２２）〜（実施例II−８２５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０４）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６２８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６２９】

【表３１２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８２６）〜（実施例II−８２９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０４）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６３０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６３１】

【表３１３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０５）メンチルアクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
２５：５０とする以外は、前述の合成例（II−７４）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１６３２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１６３３】以下の実施例（II−８３０）〜実施例（II
−８３７）では、上記合成例（II−１０５）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例II−８３０）〜（実施例II−８３３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０５）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６３４】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６３５】

【表３１４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８３４）〜（実施例II−８３７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０５）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６３６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６３７】

【表３１５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０６）メンチルアクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸の比率を２５：
２０：５５とする以外は、前述の合成例（II−７４）と
同様にして共重合体を得、これを前述と同様のシクロヘ
キサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３
ｎｍ）に対する透明性を同様にして調べた結果、透過率
は７４％であって、ＰＭＭＡより優れていた。

【１６３８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。

【１６３９】以下の実施例（II−８３８）〜実施例（II
−８４５）では、上記合成例（II−１０６）で得られた
共重合体を含有する化学増幅型レジストを合成し、その
特性を調べた。 （実施例II−８３８）〜（実施例II−８４１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０６）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−４）〜実施例（II−７）と同様にし
て化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様に
してパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６４０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６４１】

【表３１６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例II−８４２）〜（実施例II−８４５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０６）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６４２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６４３】

【表３１７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０７）本合成例においては、前述の合成
例（II−１）で得られたモノマを含む他の共重合体を合
成し、その評価を行った。

【１６４４】メンチルメタクリレート、およびメタクリ
ル酸を３０：７０の比率で１０ｇ調製し、重合開始剤と
してのアゾイソブチロニトリル ０．５ｇとともに、Ｔ
ＨＦ４０ｍＬに溶解した。

【１６４５】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で９時間加熱し、ヘキサンにより反応を
停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
除去して共重合体を得た。これを前述の合成例（II−
１）と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６４６】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８４６）〜（実施例II−８４９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０７）で得られた共重合体を使用する以外は、
前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１１）と同様に
して化学増幅型レジストを得、これを用いて前述と同様
にしてパタンを形成し、その特性を調べた。

【１６４７】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６４８】

【表３１８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０８）メンチルメタクリレートとメタク
リル酸との比率を３５：６５する以外は、前述の合成例
（II−１０７）と同様にして共重合体を得、これを前述
と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキシマ
レーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にして調
べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより優れ
ていた。

【１６４９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８５０）〜（実施例II−８５３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０８）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−３’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更
する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１
１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用い
て前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１６５０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３１９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６５１】

【表３１９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１０９）メンチルメタクリレートとメタク
リル酸との比率を４０：６０に変更する以外は、前述の
合成例（II−１０７）と同様にして共重合体を得、これ
を前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエ
キシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様に
して調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡよ
り優れていた。

【１６５２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８５４）〜（実施例II−８５７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１０９）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−２’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更
する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１
１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用い
て前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１６５３】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６５４】

【表３２０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１０）メンチルメタクリレートとメタク
リル酸との比率を４５：５５に変更する以外は、前述の
合成例（II−１０７）と同様にして共重合体を得、これ
を前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエ
キシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様に
して調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡよ
り優れていた。

【１６５５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８５８）〜（実施例II−８６１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１０）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−５’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更
するする以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６５６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６５７】

【表３２１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１１）メンチルメタクリレートとメタク
リル酸との比率を５０：５０に変更する以外は、前述の
合成例（II−１０７）と同様にして共重合体を得、これ
を前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエ
キシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様に
して調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡよ
り優れていた。

【１６５８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８６２）〜（実施例II−８６５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１１）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−６’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更
するする以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６５９】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２２にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６６０】

【表３２２】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１２）メンチルメタクリレートとメタク
リル酸との比率を５５：４５に変更する以外は、前述の
合成例（II−１０７）と同様にして共重合体を得、これ
を前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエ
キシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様に
して調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡよ
り優れていた。

【１６６１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８６６）〜（実施例II−８６９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１２）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−７’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更
するする以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６６２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２３にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６６３】

【表３２３】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１３）メンチルメタクリレートとメタク
リル酸との比率を６０：４０に変更する以外は、前述の
合成例（II−１０７）と同様にして共重合体を得、これ
を前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエ
キシマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様に
して調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡよ
り優れていた。

【１６６４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８７０）〜（実施例II−８７３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１３）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−８’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノンに変更
するする以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６６５】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２４にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６６６】

【表３２４】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１４）本合成例においては、前述の合成
例（II−７３）で得られたモノマを含む他の共重合体を
合成し、その評価を行った。

【１６６７】メンチルアクリレート、およびメタクリル
酸を３０：７０の比率で１０ｇ調製し、重合開始剤とし
てのアゾイソブチロニトリル ０．５ｇとともに、ＴＨ
Ｆ４０ｍＬに溶解した。

【１６６８】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温６０℃で９時間加熱し、ヘキサンにより反応を
停止した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を
除去して共重合体を得た。これを前述の合成例（II−
１）と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６６９】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８７４）〜（実施例II−８７７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１４）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−１’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに
変更するする以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例
（II−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、こ
れを用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性
を調べた。

【１６７０】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２５にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６７１】

【表３２５】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１５）メンチルアクリレートとメタクリ
ル酸との比率を３５：６５に変更する以外は、前述の合
成例（II−１１４）と同様にして共重合体を得、これを
前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６７２】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８７８）〜（実施例II−８８１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１５）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−２’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンす
る以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II−１
１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを用い
て前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調べ
た。

【１６７３】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２６にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６７４】

【表３２６】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１６）メンチルアクリレートとメタクリ
ル酸との比率を４０：６０に変更する以外は、前述の合
成例（II−１１４）と同様にして共重合体を得、これを
前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６７５】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８８２）〜（実施例II−８８５） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１６）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−３’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに
変更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６７６】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２７にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６７７】

【表３２７】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１７）メンチルアクリレートとメタクリ
ル酸との比率を４５：５５に変更する以外は、前述の合
成例（II−１１４）と同様にして共重合体を得、これを
前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６７８】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８８６）〜（実施例II−８８９） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１７）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−４’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに
変更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６７９】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２８にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６８０】

【表３２８】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１８）メンチルアクリレートとメタクリ
ル酸との比率を５０：５０に変更する以外は、前述の合
成例（II−１１４）と同様にして共重合体を得、これを
前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６８１】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８９０）〜（実施例II−８９３） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１８）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−５’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに
変更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６８２】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３２９にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６８３】

【表３２９】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１１９）メンチルアクリレートとメタクリ
ル酸との比率を５５：４５に変更する以外は、前述の合
成例（II−１１４）と同様にして共重合体を得、これを
前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６８４】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８９４）〜（実施例II−８９７） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１１９）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−６’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに
変更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６８５】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３３０にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６８６】

【表３３０】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （合成例II−１２０）メンチルアクリレートとメタクリ
ル酸との比率を６０：４０に変更する以外は、前述の合
成例（II−１１４）と同様にして共重合体を得、これを
前述と同様のシクロヘキサノン溶液とした。ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を同様にし
て調べた結果、透過率は７４％であって、ＰＭＭＡより
優れていた。

【１６８７】さらに、前述と同様の条件でカーボンテト
ラフルオリドガス（ＣＨ₄）ガスによるエッチング速度
をＰＭＭＡと比較したところ、ＰＭＭＡのエッチング速
度を１とすると、この共重合体は０．３と優れていた。 （実施例II−８９８）〜（実施例II−９０１） 合成例（II−２）で得られた共重合体に代えて、合成例
（II−１２０）で得られた共重合体を使用し、溶解抑止
剤を３，３−ビス−７’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ
ナフタレニル−１（３Ｈ）−イソナフタレノフラノンに
変更する以外は、前述の実施例（II−８）〜実施例（II
−１１）と同様にして化学増幅型レジストを得、これを
用いて前述と同様にしてパタンを形成し、その特性を調
べた。

【１６８８】さらに、合成例（II−１）と同様にして、
透明性とドライエッチング耐性とを評価した。得られた
結果を、使用した光酸発生剤とともに下記表３３１にま
とめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する値
である。

【１６８９】

【表３３１】 いずれの実施例も、０．１５μｍのラインアンドスペー
スパタンを得ることができた。 （実施例III）本実施例においては、テルペノイド骨格
を有する化合物を光酸発生剤として用い、化学増幅型レ
ジストを合成して、その特性を評価した。 （合成例III−１）ニトロメタン３０ｍＬにメンチルメ
ルカプトメタン１０ｇを溶解した。この溶液に、ヨード
メタン５４ｇを滴下した。室温で１時間撹拌した後、ト
リフルオロメタンスルホン酸銀１２ｇを、２００ｍＬの
ニトロメタンに溶解したものを、この溶液に滴下した。
１５時間撹拌後、濾過し、濾液を濃縮してエーテルを加
え、最後に再結させて無色のメンチルジメチルスルホニ
ウムトリフレートを得た。 （合成例III−2）メタクリル酸２４ｇ、メントール３１
ｇ、およびパラトルエンスルホン酸１５ｇを、トルエン
５００ｍＬ中で油温１５０℃で１９時間加熱還流した。
その後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液により反応を停
止し、エーテルを加えた。二層を分離して水層をエーテ
ル抽出し、有機層を合わせ、次いで、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液および水酸化ナトリウム水溶液で洗浄して
酸を除いた。さらに飽和塩化アンモニウム水溶液により
ｐＨを７に調節し、飽和食塩水および無水流酸ナトリウ
ムにより乾燥した。最後に得られた油状物を減圧蒸留し
て、メンチルメタクリレートを得た。

【１６９０】メンチルメタクリレート２．１ｇと、重合
開始剤としてのアゾイソブチロニトリル０．４ ｇとを
トルエン６ｍＬに溶解した。

【１６９１】得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分
間脱気を３回行った後、室温にした。次に、窒素気流
下、油温７０℃で１６時間加熱し、メタノール６００ｍ
Ｌにより反応を停止した。メタノールで再沈後、濾別
し、真空下で溶媒を留去してポリメンチルメタクリレー
トを得た。 （合成例III−１で得られた光酸発生剤の評価）合成例
（III−２）で得られたポリメンチルメタクリレート１
ｇと、前述の合成例（III−１）で得られた光酸発生剤
としてのメンチルジメチルスルホニウムトリフレート
０．１ｇを、シクロヘキサノン溶液とした。その後、石
英ウェハ上に１μｍ膜厚に塗布し、ＡｒＦエキシマレー
ザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を調べた。１μｍ換
算を行うと、１９３ｎｍにおいて５０％の透過率が得ら
れた。

【１６９２】また、メンチルジメチルスルホニウムトリ
フレートの代わりに，トリフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネート０．１ｇを用いて、これにポリ
メンチルメタクリレート１ｇを加え、シクロヘキサノン
溶液にして比較例（III−１）とした。

【１６９３】得られた比較例（III−１）の溶液を、同
様に石英ウェハ上に塗布してＡｒＦエキシマレーザ光に
対する透明性を調べたところ、１μｍ換算を行うと１９
３ｎｍにおいて５％の透過率となった。

【１６９４】これより、テルペノイド骨格を有する光酸
発生剤は、１０％で用いても、１９３ｎｍにおける透過
率が高く、これに対してベンゼン環を含む光酸発生剤は
透過率が著しく低いことがわかる。

【１６９５】以下、実施例（III−１）〜実施例（III−
５４）では、種々の共重合体と、光酸発生剤としての前
述の合成例（III−１）で得られたメンチルジメチルス
ルホニウムトリフレートとを含有する化学増幅型レジス
トを得て、その特性を調べた。 （実施例III−１）メンチルメタクリレート、ｔ−ブチ
ルメタクリレート、およびメタクリル酸を３０：３０：
４０の比率で１０ｇ調製し、重合開始剤としてのアゾイ
ソブチロニトリル０．５ｇとともに、ＴＨＦ４０ｍＬに
溶解した。得られた溶液を液体窒素で凍結し、２０分間
脱気を５回行った後、室温にした。次に、窒素気流下、
油温６０℃で９時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止
した。ヘキサンで再沈後、濾別し、真空下で溶媒を除去
して、目的物である共重合体を得た。

【１６９６】この共重合体２ｇと、光酸発生剤としての
メンチルジメチルスルホニウムトリフレート０．０４ｇ
とを、２−エトキシエチルアセテート ８ｍＬに溶解し
た。これを、シリコンウェハ上に０．８μｍ膜厚で塗布
した後、１００℃でプリベークした。ついで、ＡｒＦエ
キシマレーザ露光（４０ｍＪｃｍ^-2）を行った後、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像してパ
タンを形成し、その特性を調べた。その結果、０．１５
μｍのラインアンドスペースを解像することができた。

【１６９７】さらに、これをシクロヘキサノン溶液とし
た後、石英ウェハ上に１μｍ膜厚に塗布し、ＡｒＦエキ
シマレーザ光（１９３ｎｍ）に対する透明性を評価した
ところ、透過率は７０％であった。

【１６９８】さらに、カーボンテトラフルオリド（ＣＦ
₄）ガスによるエッチング速度を測定した。なお，ドラ
イエッチング耐性の評価は、次のような条件で行った。
すなわち、ＣＦ₄の流量は１２．６ｓｃｃｍとし、真空
度は１０ｍｔｏｒｒとし、マイクロ波の出力は１５０Ｗ
とした。エッチング速度はＰＭＭＡに対して０．３と優
れていた．本実施例において、一般式（２）で表わされ
る単量体、ｔ−ブチルメタクリレート（酸で分解する官
能基）、およびメタクリル酸（アルカリ可溶性基）は図
１中の斜線領域内であれば、任意の組成比とすることが
できる。 （実施例III−２）〜（実施例III−５４） 以下、（実施例III−２）〜（実施例III−５４）では、
下記表３３２〜３３５に示す成分を含有する共重合体を
それぞれ使用する以外は、前述の実施例（III−１）と
同様にしてその特性を調べた。なお、エッチング速度
は、ＰＭＭＡに対する値である。表３３２〜３３５には
共重合体中の、ｔ−ブチルメタクリレートおよびメタク
リル酸以外の単量体分、即ち、一般式（２）で表わされ
る単量体部分を記しており、各実施例における共重合体
は、前述の実施例Ｉの各合成例と同様にして合成した。

【１６９９】

【表３３２】

【１７００】

【表３３３】

【１７０１】

【表３３４】

【１７０２】

【表３３５】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （実施例III−５５）〜（実施例III−１０８） 以下、実施例（III−５５）〜実施例（III−１０８）で
は、前述の前記合成例（III−１）で得られたメンチル
ジメチルスルホニウムトリフレート０．０４ｇを光酸発
生剤として用い、下記表３３６〜３３９に示す共重合体
２ｇと、溶解抑止剤としての３，３−ビス−４’−ｔ−
ブトキシカルボニロキシナフタレニル−１（３Ｈ）−イ
ソベンゾフラノン ０．１ｇとを、２−エトキシエチル
アセテート ８ｍＬに溶解した。実施例（III−１）と
同様にしてその特性を調べた。なお、エッチング速度
は、ＰＭＭＡに対する値である。

【１７０３】

【表３３６】

【１７０４】

【表３３７】

【１７０５】

【表３３８】

【１７０６】

【表３３９】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （合成例III−３）メンチルメルカプトメタンを同量の
シトロネリルメルカプトメタンで置き換える以外は、前
述の合成例（III−１）と同様にして、シトロネリルジ
メチルスルホニウムトリフレートを得た。 （実施例III−１０９）〜（実施例III−１６２） 光酸発生剤として前述の合成例（III−３）で得られた
シトロネリルジメチルスルホニウムトリフレートを使用
する以外は、前述の実施例（III−１）〜実施例（III−
５４）と同様にして化学増幅型レジストを得、前述と同
様にして、その特性を調べた。

【１７０７】得られた結果を、下記表３４０〜３４３に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７０８】

【表３４０】

【１７０９】

【表３４１】

【１７１０】

【表３４２】

【１７１１】

【表３４３】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （実施例III−１６３）〜（実施例III−２１６） 光酸発生剤として前述の合成例（III−３）で得られた
シトロネリルジメチルスルホニウムトリフレートを使用
する以外は、前述の実施例（III−５５）〜実施例（III
−１０８）と同様にして化学増幅型レジストを得、前述
と同様にして、その特性を調べた。

【１７１２】得られた結果を、下記表３４４〜３４７に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７１３】

【表３４４】

【１７１４】

【表３４５】

【１７１５】

【表３４６】

【１７１６】

【表３４７】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （合成例III−４）メンチルメルカプトメタンを同量の
ピノカンフィルメルカプトメタンで置き換える以外は、
前述の合成例（III−１）と同様にして、ピンカンフィ
ルジメチルスルホニウムトリフレートを得た。 （実施例III−２１７）〜（実施例III−２７０） 光酸発生剤として前述の合成例（III−４）で得られた
ピノカンフィルジメチルスルホニウムトリフレートを使
用する以外は、前述の実施例（III−１）〜実施例（III
−５４）と同様にして化学増幅型レジストを得、前述と
同様にして、その特性を調べた。

【１７１７】得られた結果を、下記表３４８〜３５１に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７１８】

【表３４８】

【１７１９】

【表３４９】

【１７２０】

【表３５０】

【１７２１】

【表３５１】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （実施例III−２７１）〜（実施例III−３２４） 光酸発生剤として前述の合成例（III−４）で得られた
ピノカンフィルジメチルスルホニウムトリフレートを使
用する以外は、前述の実施例（III−５５）〜実施例（I
II−１０８）と同様にして化学増幅型レジストを得、前
述と同様にして、その特性を調べた。

【１７２２】得られた結果を、下記表３５２〜３５５に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７２３】

【表３５２】

【１７２４】

【表３５３】

【１７２５】

【表３５４】

【１７２６】

【表３５５】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （合成例III−５）メンチルメルカプトメタンを同量の
ゲラニルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述の
合成例（III−１）と同様にして、ゲラニルジメチルス
ルホニウムトリフレートを得た。 （実施例III−３２５）〜（実施例III−３７８） 光酸発生剤として前述の合成例（III−５）で得られた
ゲラニルジメチルスルホニウムトリフレートを使用する
以外は、前述の実施例（III−１）〜実施例（III−５
４）と同様にして化学増幅型レジストを得、前述と同様
にして、その特性を調べた。

【１７２７】得られた結果を、下記表３５６〜３５９に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７２８】

【表３５６】

【１７２９】

【表３５７】

【１７３０】

【表３５８】

【１７３１】

【表３５９】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （実施例III−３７９）〜（実施例III−４３２） 光酸発生剤として前述の合成例（III−５）で得られた
ゲラニルジメチルスルホニウムトリフレートを使用する
以外は、前述の実施例（III−５５）〜実施例（III−１
０８）と同様にして化学増幅型レジストを得、前述と同
様にして、その特性を調べた。

【１７３２】得られた結果を、下記表３６０〜３６３に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７３３】

【表３６０】

【１７３４】

【表３６１】

【１７３５】

【表３６２】

【１７３６】

【表３６３】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （合成例III−６）メンチルメルカプトメタンを同量の
フェンチルカプトメタンで置き換える以外は、前述の合
成例（III−１）と同様にして、フェンチルジメチルス
ルホニウムトリフレートを得た。 （実施例III−４３３）〜（実施例III−４８６） 光酸発生剤として前述の合成例（III−６）で得られた
フェンチルジメチルスルホニウムトリフレートを使用す
る以外は、前述の実施例（III−１）〜実施例（III−５
４）と同様にして化学増幅型レジストを得、前述と同様
にして、その特性を調べた。

【１７３７】得られた結果を、下記表３６４〜３６７に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７３８】

【表３６４】

【１７３９】

【表３６５】

【１７４０】

【表３６６】

【１７４１】

【表３６７】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。 （実施例III−４８７）〜（実施例III−５４０） 光酸発生剤として前述の合成例（III−６）で得られた
フェンチルジメチルスルホニウムトリフレートを使用す
る以外は、前述の実施例（III−５５）〜実施例（III−
１０８）と同様にして化学増幅型レジストを得、前述と
同様にして、その特性を調べた。

【１７４２】得られた結果を、下記表３６８〜３７１に
まとめる。なお、エッチング速度は、ＰＭＭＡに対する
値である。

【１７４３】

【表３６８】

【１７４４】

【表３６９】

【１７４５】

【表３７０】

【１７４６】

【表３７１】 いずれの実施例も０．１５μｍのラインアンドスペース
を解像することができた。

【１７４７】以下、種々の光酸発生剤を合成して、それ
ぞれを用いて、前述の実施例（III−１）〜実施例（III
−５４）、および実施例（III−５５）〜実施例（III−
１０８）と同様にして化学増幅型レジストを合成した。
各レジストについて、前述の実施例（III−１）と同様
にしてＡｒＦエキシマレーザ光に対する透明性を調べた
ところ、いずれも１μｍ換算を行うと１９３ｎｍにおい
て６０％〜７５％の透過率となった。また、いずれの実
施例も０．１５ μｍのラインアンドスペースを解像す
ることができた。

【１７４８】用いた光酸発生剤の合成を、以下の合成例
（III−７）〜合成例（III−３０）に示す。 （合成例III−７）メンチルメルカプトメタンを同量の
ネリルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述の合
成例（III−１）と同様にして、ネリルジメチルスルホ
ニウムトリフレートを得た。 （合成例III−８）メンチルメルカプトメタンを同量の
ボルニルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述の
合成例（III−１）と同様にして、ボルニルジメチルス
ルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−９）メンチルメルカプトメタンを同量の
シネリルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述の
合成例（III−１）と同様にして、シネリルジメチルス
ルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１０）メンチルメルカプトメタンを同量
のピニルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述の
合成例（III−１）と同様にして、ピニルジメチルスル
ホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１１）メンチルメルカプトメタンを同量
のアスカリジルメルカプトメタンで置き換える以外は、
前述の合成例（III−１）と同様にして、アルカリジル
ジメチルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１２）メンチルメルカプトメタンを同量
のファルネシルメルカプトメタンで置き換える以外は、
前述の合成例（III−１）と同様にして、ファルネシル
ジメチルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１３）メンチルメルカプトメタンを同量
のパチュリルメルカプトメタンで置き換える以外は、前
述の合成例（III−１）と同様にして、パチュリルジメ
チルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１４）メンチルメルカプトメタンを同量
のネロリジルメルカプトメタンで置き換える以外は、前
述の合成例（III−１）と同様にして、ネロリジルジメ
チルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１５）メンチルメルカプトメタンを同量
のカロチルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、カロチルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１６）メンチルメルカプトメタンを同量
のカジニルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、カジニルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１７）メンチルメルカプトメタンを同量
のランシルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、ランシルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１８）メンチルメルカプトメタンを同量
のオイデスミルメルカプトメタンで置き換える以外は、
前述の合成例（III−１）と同様にして、オイデスミル
ジメチルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−１９）メンチルメルカプトメタンを同量
のセドリルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、セドリルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２０）メンチルメルカプトメタンを同量
のグアイルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、グアイルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２１）メンチルメルカプトメタンを同量
のケッソグリコシルメルカプトメタンで置き換える以外
は、前述の合成例（III−１）と同様にして、ケッソグ
リコシルジメチルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２２）メンチルメルカプトメタンを同量
のフィチルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、フィチルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２３）メンチルメルカプトメタンを同量
のスクラリルメルカプトメタンで置き換える以外は、前
述の合成例（III−１）と同様にして、スクラリルジメ
チルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２４）メンチルメルカプトメタンを同量
のマニルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述の
合成例（III−１）と同様にして、マニルジメチルスル
ホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２５）メンチルメルカプトメタンを同量
のヒノキルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、ヒノキルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２６）メンチルメルカプトメタンを同量
のフェルギニルメルカプトメタンで置き換える以外は、
前述の合成例（III−１）と同様にして、フェルギニル
ジメチルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２７）メンチルメルカプトメタンを同量
のトタリルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述
の合成例（III−１）と同様にして、トタリルジメチル
スルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２８）メンチルメルカプトメタンを同量
のスギルメルカプトメタンで置き換える以外は、前述の
合成例（III−１）と同様にして、スギルジメチルスル
ホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−２９）メンチルメルカプトメタンを同量
のメンチルメルカプトメンタンで置き換える以外は、前
述の合成例（III−１）と同様にして、ジメンチルメチ
ルスルホニウムトリフレートを得た。 （合成例III−３０）メンチルメルカプトメタンを同量
のメンチルメルカプトメンタンで置き換え、さらに、ヨ
ードメタンを同量のメンチルヨージドで置き替える以外
は、前述の合成例（III−１）と同様にして、トリメン
チルメチルスルホニウムトリフレートを得た。

【１７４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単波長の光源に対して吸収が極めて少なく、優れた耐ド
ライエッチ性を有する感光性材料が提供される。本発明
の感光性材料は、これらの特徴に加えて、さらに、耐熱
性、および基板との密着性に極めて優れるという特徴を
有する。従って、本発明の感光性材料を用いることによ
り、クォータミクロンオーダーの良好な形状の微細パタ
ンを形成することができる。

【１７５０】なお、本発明の感光性材料は、ＫｒＦエキ
シマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光を利用したパタ
ン形成の際に、特にその効果を発揮するが、ｉ線光、ｄ
ｅｅｐＵＶ光、電子線、Ｘ線等を利用したパタン形成に
おいても、十分に使用が可能である。かかる感光性材料
は、半導体デバイスの製造プロセスのフォトリソグラフ
ィー技術において顕著な効果を有するものであり、その
工業的価値は極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の感光性材料における共重合体の組成比
を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/038 ５０５ 7/039 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 中瀬 真 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テルペノイド骨格を有する化合物を含有
   することを特徴とする感光性材料。
2. 【請求項２】 前記テルペノイド骨格が、下記化１に示
   す一般式（１）で表される１価のメンチル基、またはメ
   ンチル誘導体基を有する化合物を含む請求項１に記載の
   感光性材料。 【化１】 （上記一般式（１）中、Ｒは、水素原子または１価の炭
   化水素基である。Ｒ¹は、互いに同一であっても異なっ
   ていてもよく、水素原子，ハロゲン原子、炭化水素基、
   水酸基，アルコキシル基，アミノ基、イミド基、アミド
   基、スルホニル基、カルボキシル基、カルボニル基、ス
   ルホンアミド基であり、Ｒ¹同士は、互いに結合して環
   を形成していてもよい。）
3. 【請求項３】 前記１価のメンチル基、またはメンチル
   誘導体基を有する化合物が、下記化２に示す一般式
   （２）で表される化合物、および下記化３に示す一般式
   （３）で表される化合物から選択される少なくとも１種
   の化合物を単量体とする重合体であり、この重合体をベ
   ース樹脂として含有する請求項２に記載の感光性材料。 【化２】 （上記一般式（２）中、Ｒ³ は前記一般式（１）で表わ
   されるメンチル基またはメンチル誘導体基を含む有機基
   であり、Ｒ⁴ はアルキル基、カルボキシル基、アルコキ
   シカルボニル基、ハロゲン原子または水素原子であ
   る。） 【化３】 （上記一般式（３）中、Ｒ⁵ およびＲ⁶ は、１価の有機
   基または水素原子であり、その少なくとも一方は、前記
   一般式（１）で表されるメンチル基またはメンチル誘導
   体基を含む。）
4. 【請求項４】 前記テルペノイド骨格を有する化合物
   が、酸で分解または架橋する基を含むとともに、この化
   合物に対し光酸発生剤が配合されてなる請求項１に記載
   の感光性材料。
5. 【請求項５】 前記ベース樹脂は、下記化４に示す一般
   式（４）で表され酸で分解または架橋する基を含む化合
   物、および前記一般式（２）で表される化合物若しくは
   前記一般式（３）で表される化合物を単量体とする共重
   合体、または前記一般式（３）で表され酸で分解または
   架橋する基を含む化合物を単量体とする重合体であり、
   このベース樹脂に対し光酸発生剤が含有されてなる請求
   項３に記載の感光性材料。 【化４】 （上記一般式（４）中、Ｒ¹³は１価の有機基であり、Ｒ
   ¹⁴は、アルキル基、ハロゲン原子または水素原子であ
   る。）
6. 【請求項６】 前記テルペノイド骨格を有する化合物
   が、アルカリ可溶性基を含むとともに、この化合物に対
   し溶解抑止剤と光酸発生剤とが配合されてなる請求項１
   に記載の感光性材料。
7. 【請求項７】 前記ベース樹脂は、アルカリ可溶性基を
   含む化合物および前記一般式（２）で表される化合物若
   しくは前記一般式（３）で表される化合物を単量体とす
   る共重合体、または前記一般式（３）で表されアルカリ
   可溶性基を含む化合物を単量体とする重合体であり、こ
   のベース樹脂に対して溶解抑止剤と光酸発生剤とが配合
   されてなる請求項３に記載の感光性材料。
8. 【請求項８】 前記光酸発生剤が、ナフタレン骨格を有
   する化合物である請求項４または６に記載の感光性材
   料。
9. 【請求項９】 ベース樹脂として酸で分解または架橋す
   る基を含む化合物と、光酸発生剤としてテルペノイド骨
   格を有する化合物とを含有することを特徴とする感光性
   材料。
10. 【請求項１０】 アルカリ可溶性基を含むベース樹脂と
    溶解抑止剤と光酸発生剤としてテルペノイド骨格を有す
    る化合物とを含有することを特徴とする感光性材料。
11. 【請求項１１】 前記テルペノイド骨格が、下記化５に
    示す一般式（１）で表される１価のメンチル基またはメ
    ンチル誘導体基を含む請求項９または１０に記載の感光
    性材料。 【化５】 （上記一般式（１）中、Ｒは、水素原子または１価の炭
    化水素基である。Ｒ¹は、互いに同一であっても異なっ
    ていてもよく、水素原子，ハロゲン原子、炭化水素基、
    水酸基，アルコキシル基，アミノ基、イミド基、アミド
    基、スルホニル基、カルボキシル基、カルボニル基、ス
    ルホンアミド基であり、Ｒ¹同士は、互いに結合して環
    を形成していてもよい。）