JPH09111448A - Sputtering device - Google Patents
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- JPH09111448A JPH09111448A JP26736795A JP26736795A JPH09111448A JP H09111448 A JPH09111448 A JP H09111448A JP 26736795 A JP26736795 A JP 26736795A JP 26736795 A JP26736795 A JP 26736795A JP H09111448 A JPH09111448 A JP H09111448A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶用などの大型
の基板への成膜に適したスパッタ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus suitable for film formation on a large-sized substrate for liquid crystal or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤ
という）の製造プロセスで用いられている各種金属膜や
ＩＴＯ（インジュウム・スズ・酸化物）透明電極形成用
のスパッタ装置として、真空の成膜室内のカソードに設
けたターゲットと対向して静止した基板上に成膜を行う
マルチチャンバー型枚葉装置と、インライン型装置のよ
うにターゲットの前方を移動する基板上に成膜を行う装
置とが知られている。また、基板のサイズも、近時は５
５０mm×６５０mm以上にまで大型化している。2. Description of the Related Art Conventionally, a liquid crystal display (hereinafter, LCD)
As a sputtering device for forming various metal films and ITO (Indium-Tin-Oxide) transparent electrodes used in the manufacturing process of (1), a stationary substrate facing a target provided at a cathode in a vacuum film forming chamber. A multi-chamber type single-wafer apparatus for forming a film on top and an apparatus for forming a film on a substrate that moves in front of a target like an in-line type apparatus are known. Also, the size of the board is 5 recently.
The size has increased to over 50 mm x 650 mm.
【０００３】これを更に説明すると、静止した基板に成
膜を行う上記枚葉装置では、基板に対向して設置された
該基板より一回り大きなターゲットが使用され、該ター
ゲットは、背面に永久磁石または電磁石からなる磁気回
路を備えたマグネトロンカソードに取付けられ、該カソ
ードへの通電によりターゲットの前方にマグネトロン放
電を発生させて基板上にターゲット物質の膜を形成して
いる。通常、永久磁石や電磁石を揺動させてターゲット
の前方の磁界を揺動させ、ターゲットの全面をエロージ
ョン化や膜特性の均一化を図っている。一方、インライ
ン型装置では、カソードの背面に永久磁石を取付けた固
定磁気回路を設けてマグネトロン放電を発生させる形式
のマグネトロンカソードが一般的であったが、ターゲッ
トの使用効率が低いこと、ターゲットの寿命が短いこ
と、放電によるエロージョン領域の加熱のため高電力の
投入ができない、などの問題があるため、ターゲットと
して従来より大きなターゲットを用い永久磁石の磁気回
路を揺動させる形式のマグネトロンカソードが使用され
ている。このカソードは、磁気回路の揺動によりターゲ
ットの使用効率が改善され、エロージョン領域が移動す
るため冷却効率がアップして高電力の投入が可能にな
り、ターゲットの大型化と使用効率の改善の相乗効果で
ターゲットの寿命が大幅に延びるなどの長所がある。To further explain this, in the above-mentioned single-wafer apparatus for forming a film on a stationary substrate, a target which is slightly larger than the substrate and is installed facing the substrate is used. The target is a permanent magnet on the back surface. Alternatively, it is attached to a magnetron cathode equipped with a magnetic circuit composed of electromagnets, and a magnetron discharge is generated in front of the target by energizing the cathode to form a film of the target material on the substrate. Usually, a permanent magnet or an electromagnet is swung to swing a magnetic field in front of the target so that the entire surface of the target is eroded and the film characteristics are made uniform. On the other hand, in the in-line type device, a magnetron cathode of a type in which a fixed magnetic circuit with a permanent magnet attached to the back surface of the cathode is provided to generate magnetron discharge is generally used, but the low efficiency of use of the target and the life of the target However, the magnetron cathode of the type that oscillates the magnetic circuit of the permanent magnet is used as the target because it has a problem that it cannot supply high power due to the heating of the erosion area due to discharge. ing. With this cathode, the use efficiency of the target is improved due to the swing of the magnetic circuit, the erosion area moves, the cooling efficiency improves, and it is possible to input high power. The effect is that the life of the target is significantly extended.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】マグネトロン放電によ
り発生するプラズマの密度はエロージョン領域で均一で
あることが必要であり、プラズマが不均一であると、基
板に成膜された膜の膜厚や膜特性の分布に大きな影響を
与える。特に反応性により膜特性が変化するＩＴＯ膜で
は、シート抵抗や透過率、エッチング特性にも大きな分
布不均一が発生する。The density of the plasma generated by the magnetron discharge needs to be uniform in the erosion region. When the plasma is nonuniform, the thickness of the film formed on the substrate or the film It has a great influence on the distribution of characteristics. In particular, in the case of an ITO film whose film characteristics change due to reactivity, a large distribution non-uniformity occurs in sheet resistance, transmittance and etching characteristics.
【０００５】プレーナー型のマグネトロンカソードで
は、マグネトロン放電内でのインピーダンスが低いた
め、エロージョン領域で均一なプラズマを発生させるた
めにはアノードの設置形状が非常に重要である。上記イ
ンライン型装置などで従来用いられてきた固定磁気回路
のマグネトロンカソードでは、ターゲットと基板の間
に、エロージョン領域を囲むようにアノード（接地電位
又は積極的に電位を印加する）を配置することにより、
プラズマを均一な状態で固定させていた。しかし、基板
の大型化に伴い、上記枚葉装置やインライン型装置の静
止基板や移動基板へ成膜する大型ターゲットを設けた高
使用効率型カソードは、開口面積の大きな開放型のカソ
ードであり、従来のようなアノードではプラズマが不均
一になりやすく、膜厚や膜特性が不均一になりやすい欠
点がある。さらに、開口面積の大きな開放型のカソード
は、プラズマから基板への電子の流れ込み量が非常に多
くなり、チャージアップによる基板上での異常放電も発
生しやすく、欠陥膜の不良品となる不都合があった。Since the planar type magnetron cathode has a low impedance in the magnetron discharge, the installation shape of the anode is very important in order to generate a uniform plasma in the erosion region. In the magnetron cathode of the fixed magnetic circuit which has been conventionally used in the above-mentioned in-line type device, by arranging the anode (ground potential or positive potential is applied) so as to surround the erosion region between the target and the substrate. ,
The plasma was fixed in a uniform state. However, with the increase in the size of the substrate, the high-use efficiency type cathode provided with a large target for forming a film on the stationary substrate or the moving substrate of the above-mentioned single-wafer apparatus or in-line type apparatus is an open type cathode with a large opening area, In the conventional anode, the plasma is likely to be nonuniform, and the film thickness and film characteristics are likely to be nonuniform. Further, in the open type cathode having a large opening area, the amount of electrons flowing from the plasma to the substrate is very large, abnormal discharge is likely to occur on the substrate due to charge-up, and a defective film defective product is inconvenient. there were.
【０００６】本発明は、静止或いは移動する大型の基板
に膜厚と膜特性の分布の良好な膜を成膜できるスパッタ
装置特にマグネトロンスパッタ装置を提供することを目
的とするものである。It is an object of the present invention to provide a sputtering apparatus, especially a magnetron sputtering apparatus, which can form a film having a good distribution of film thickness and film characteristics on a large stationary or moving substrate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明では、真空の成膜
室内のカソードに設けたターゲットと対向した静止若し
くは移動する基板上にスパッタ成膜を行うスパッタ装置
に於いて、該ターゲットと基板との間に格子状のアノー
ドを設置することにより、上記目的を達成するようにし
た。該アノードの格子の開口率を８０〜９７％とし、該
カソードは背面に永久磁石或いは電磁石を備えて直流電
源又は交流電源に接続したマグネトロンスパッタカソー
ドで構成される。According to the present invention, in a sputtering apparatus for performing sputtering film formation on a stationary or moving substrate facing a target provided on a cathode in a vacuum film forming chamber, the target and the substrate are The above object was achieved by installing a grid-shaped anode between the two. The grid of the anode has an aperture ratio of 80 to 97%, and the cathode is a magnetron sputter cathode having a permanent magnet or an electromagnet on its back surface and connected to a DC power supply or an AC power supply.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１及び図
２に基づき説明すると、図１は基板１を静止状態として
成膜を施す枚葉型スパッタ装置に適用した例を示し、図
２は移動状態の基板１に成膜を施すインライン型スパッ
タ装置に適用した例を示す。該基板１には、ガラス、金
属、合成樹脂などの板状或いはフィルム状の基板が使用
される。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 shows an example applied to a single-wafer-type sputtering apparatus for forming a film with a substrate 1 in a stationary state. Reference numeral 2 shows an example applied to an in-line type sputtering apparatus for forming a film on the moving substrate 1. As the substrate 1, a plate-shaped or film-shaped substrate made of glass, metal, synthetic resin or the like is used.
【０００９】図１の成膜室２はコンダクタンスバルブ３
を介して真空排気ポンプ４に接続され、基板１は基板ホ
ルダー５の上に設置されて外部から図示してないゲート
バルブを介して該成膜室２内へ搬入される。また、該成
膜室２内には、水冷されたバッキングプレートを備えた
カソード６が設けられ、該バッキングプレートにターゲ
ット７がボンディングされており、これに対向するよう
に基板１がセットされる。該ターゲット７の材料は用途
に応じて各種のものが使用され、例えば、膜の用途が金
属配線膜であるときは、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗなどが、
また透明電極を用途とする場合には、ＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、ＺｎＯなど、さらに絶縁膜が用途のときは、Ｓｉ
Ｏ2 やＳｉＮX などが、ターゲット材料として使用され
る。The film formation chamber 2 in FIG. 1 has a conductance valve 3
The substrate 1 is installed on the substrate holder 5 and is loaded into the film forming chamber 2 from the outside through a gate valve (not shown). In addition, a cathode 6 having a water-cooled backing plate is provided in the film forming chamber 2, a target 7 is bonded to the backing plate, and the substrate 1 is set so as to face this. Various materials are used as the material of the target 7 depending on the use. For example, when the use of the film is a metal wiring film, Al, Ta, Mo, W, etc.
When the transparent electrode is used, ITO, Sn
Such as O 2, ZnO, further when the insulating film is applications, Si
O 2 or SiN x is used as the target material.
【００１０】該カソード６は、その背面に永久磁石或い
は電磁石から成る磁気回路８が設けられ、該磁気回路８
がこれに取付けられたターゲット７の表面にマグネトロ
ン磁界を発生させる。符号９は、該成膜室２内にＡｒガ
ス及び必要に応じて反応性ガスを導入するガスノズルで
ある。該カソード６には、電源１０から必要に応じて直
流または交流（例えば13.56MHz）の電界が印加され、該
カソード６の表面に発生するマグネトロン放電によりス
パッタされたターゲット７の物質が、静止している基板
１の表面に衝突してそこに薄膜が形成される。符号１１
はスパッタ物質が成膜室２の内壁に付着することを防止
するための防着板である。A magnetic circuit 8 composed of a permanent magnet or an electromagnet is provided on the back surface of the cathode 6, and the magnetic circuit 8 is provided.
Generates a magnetron magnetic field on the surface of the target 7 attached thereto. Reference numeral 9 is a gas nozzle for introducing Ar gas and, if necessary, reactive gas into the film forming chamber 2. A direct current or an alternating current (for example, 13.56 MHz) electric field is applied from the power source 10 to the cathode 6 as needed, and the material of the target 7 sputtered by the magnetron discharge generated on the surface of the cathode 6 is stopped. It collides with the surface of the existing substrate 1 and a thin film is formed there. Code 11
Is a deposition preventive plate for preventing the sputtered material from adhering to the inner wall of the film forming chamber 2.
【００１１】こうした構成は従来のスパッタ装置と特に
変りがないが、本発明のものでは、ターゲット７と基板
１との間に格子状のアノード１２を設けるようにし、該
アノード１２を接地し若しくは切替えスイッチにより外
部電源（図示してない）から積極的に正電位を印加する
ようにした。該アノード１２の詳細は図３の如くであ
り、同図のものでは、直径５mmの丸棒状の導電体１２ａ
を５０mmの間隔を存して６本平行に設けて構成した。該
アノード１２の開口率は、該導電体１２ａの径や間隔を
変えることで変更でき、該導電体１２ａには板状、パイ
プ状、Ｌ字型断面、コ字型断面のものでも使用できる。Although such a construction is not particularly different from the conventional sputtering apparatus, in the present invention, the grid-shaped anode 12 is provided between the target 7 and the substrate 1, and the anode 12 is grounded or switched. A switch is used to positively apply a positive potential from an external power source (not shown). The details of the anode 12 are as shown in FIG. 3, and in the same figure, the conductor 12a in the shape of a round bar having a diameter of 5 mm is used.
6 were provided in parallel with an interval of 50 mm. The aperture ratio of the anode 12 can be changed by changing the diameter or the interval of the conductor 12a, and the conductor 12a may have a plate shape, a pipe shape, an L-shaped cross section, or a U-shaped cross section.
【００１２】図１の装置の成膜室１内を真空排気ポンプ
４により適当な真空圧に排気し、ガスノズル９からスパ
ッタガスや反応性ガスを導入してカソード６へ通電する
と、マグネトロン放電が発生してターゲット７がスパッ
タされ、基板１上に薄膜が形成されるが、このとき該ア
ノード１２がターゲット７と基板１との間に設けられて
いるので、プラズマがターゲット７上に均一に固定状態
となり、ターゲット７が均一にスパッタされるため、基
板１に膜厚と膜特性の分布が均一な膜が得られる。When the inside of the film forming chamber 1 of the apparatus shown in FIG. 1 is evacuated to an appropriate vacuum pressure by a vacuum exhaust pump 4 and a sputtering gas or a reactive gas is introduced from a gas nozzle 9 to energize the cathode 6, a magnetron discharge is generated. Then, the target 7 is sputtered to form a thin film on the substrate 1. At this time, since the anode 12 is provided between the target 7 and the substrate 1, the plasma is uniformly fixed on the target 7. Since the target 7 is uniformly sputtered, a film having a uniform distribution of film thickness and film characteristics can be obtained on the substrate 1.
【００１３】図２のスパッタ装置は、成膜室２内の下方
にカソード６、コンダクタンスバルブ３及び真空排気ポ
ンプ４が設けられ、基板１を該成膜室２内へ搬出入する
ためのゲートバルブ１３、１４と該基板１を該成膜室２
内でターゲット７上を移動させる搬送ローラー等の搬送
手段（図示してない）を設けた点が図１の装置と相違
し、外部から該成膜室２内へ搬入された基板１がターゲ
ット７上を移動するときに、これにスパッタされたター
ゲット物質が付着して膜が形成され、ゲートバルブ１４
を介して外部へ搬出される。該ターゲット７と移動する
基板１との間に格子状のアノード１２が設置され、この
例でも棒状の導電体１２ａでアノード１２を構成し、そ
の径とピッチ間隔を変えることにより、アノード１２の
開口率が可変されるようにした。該アノード１２も接地
若しくは外部電源により正電位が印加され、図示の例で
は、直径３mmの導電体１２ａを用い、間隔を１５mmから
１００mmの範囲で変化させた。この場合の該導電体１２
ａの形状も、板状、パイプ状、Ｌ字型断面、コ字型断面
であってもよい。The sputtering apparatus of FIG. 2 is provided with a cathode 6, a conductance valve 3 and a vacuum exhaust pump 4 below the inside of the film forming chamber 2, and a gate valve for carrying the substrate 1 into and out of the film forming chamber 2. 13, 14 and the substrate 1 in the film forming chamber 2
The apparatus is different from the apparatus shown in FIG. 1 in that a conveyance means (not shown) such as a conveyance roller for moving the target 7 inside is provided, and the substrate 1 carried into the film forming chamber 2 from the outside is the target 7. As it moves over, the sputtered target material adheres to it to form a film,
It is carried out via the. A grid-shaped anode 12 is installed between the target 7 and the moving substrate 1. Also in this example, the anode 12 is composed of a rod-shaped conductor 12a, and the opening of the anode 12 is changed by changing its diameter and pitch interval. The rate can be changed. A positive potential is also applied to the anode 12 by grounding or an external power source. In the illustrated example, a conductor 12a having a diameter of 3 mm is used and the interval is changed in the range of 15 mm to 100 mm. The conductor 12 in this case
The shape of a may be a plate shape, a pipe shape, an L-shaped cross section, or a U-shaped cross section.
【００１４】この場合は、上記と同様に真空排気したの
ちスパッタガス等を導入し、外部から搬入されてターゲ
ット７上を移動する基板１にマグネトロンスパッタによ
り成膜され、その後外部へ搬出されるが、このときも該
アノード１２がターゲット７と基板１との間に介在する
ので、プラズマが固定状態になり、ターゲット７が均一
にスパッタされて膜厚と膜特性の分布が均一な膜が基板
１上に得られ、その再現性も良好となしうる。In this case, as in the above, after evacuation is performed, a sputtering gas or the like is introduced, a film is formed by magnetron sputtering on the substrate 1 that is carried in from the outside and moves on the target 7, and then carried out to the outside. At this time as well, since the anode 12 is interposed between the target 7 and the substrate 1, the plasma is in a fixed state, the target 7 is uniformly sputtered, and a film having a uniform film thickness and film characteristic distribution is formed on the substrate 1. It can be obtained as described above and its reproducibility is also good.
【００１５】[0015]
【実施例１】図１に示す装置のターゲット７として、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 − 10at%ＳｎＯ2 のＩＴＯ焼結体を用い、スパ
ッタガスとしてＡｒ−5at%Ｏ2 の混合ガスを用い、その
ガス圧を０．６７Ｐａとした。カソード６に直流２Ｋｗ
を印加し、膜厚が約１０００オングストロームとなるよ
うに通電時間で調節した。使用した基板１は３００mm×
４００mmのガラス基板であり、図１の矢印で示したＸ軸
方向（基板の４００mm方向）の膜厚分布を測定した。そ
の結果は図４の曲線Ａで示す如くほぼ均一となり、格子
アノードを用いないときは、曲線Ｂのように基板１の両
端の膜厚が上昇した。これは、格子アノード１２がない
状態では、周囲の防着板１１がアノードの役割をしてい
るため、ターゲット７の中心部より防着板１１に近い部
分にプラズマが集中したためである。これに対し、格子
アノード１２を使用した本発明の場合は、ターゲット７
上でプラズマが均一に固定されるため、基板１内で均一
な膜厚分布が得られた。Example 1 As a target 7 of the apparatus shown in FIG.
n 2 O 3 - with 10at% SnO 2 of ITO sintered body, a mixed gas of Ar-5at% O 2 as the sputtering gas was the gas pressure and 0.67 Pa. DC 2Kw for cathode 6
Was applied, and the film thickness was adjusted to about 1000 angstroms by adjusting the energizing time. The substrate 1 used is 300 mm ×
A 400 mm glass substrate was used, and the film thickness distribution in the X-axis direction (400 mm direction of the substrate) indicated by the arrow in FIG. 1 was measured. The result was almost uniform as shown by the curve A in FIG. 4, and the film thickness at both ends of the substrate 1 increased like the curve B when the grid anode was not used. This is because, in the state where the lattice anode 12 is not present, the plasma is concentrated on the portion closer to the deposition shield plate 11 than the center portion of the target 7 because the surrounding deposition shield plate 11 functions as an anode. On the other hand, in the case of the present invention using the lattice anode 12, the target 7
Since the plasma was uniformly fixed above, a uniform film thickness distribution was obtained within the substrate 1.
【００１６】[0016]
【実施例２】図２に示す装置のターゲット７として、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 − 10at%ＳｎＯ2 のＩＴＯ焼結体を用い、スパ
ッタガスとしてＡｒ−5at%Ｏ2 の混合ガスを用い、その
ガス圧を０．６７Ｐａとした。カソード６への印加電力
を直流で１Ｋｗと４Ｋｗとし、格子状アノード１２の開
口率を変化させてガラスの基板１にＩＴＯ膜を成膜し
た。膜厚は１０００オングストロームとなるように基板
搬送速度を調節した。その結果は表１の如くで、１Ｋｗ
では格子アノードを用いない場合（開口率１００％）、
基板上で異常放電が発生したが、格子アノード１２の開
口率が９７％以下のときにはプラズマ中の電子が該アノ
ードによりトラップされチャージアップによる基板上の
異常放電は見られなかった。一方、４Ｋｗを投入したと
きは、開口率８５％まで異常放電が見られ、８０％まで
開口率を低下させることで、異常放電の発生を抑えるこ
とができた。従って、開口率は投入電力に応じて８０〜
９７％の範囲で設定することが望ましい。Example 2 As a target 7 of the apparatus shown in FIG.
n 2 O 3 - with 10at% SnO 2 of ITO sintered body, a mixed gas of Ar-5at% O 2 as the sputtering gas was the gas pressure and 0.67 Pa. An ITO film was formed on the glass substrate 1 by changing the aperture ratio of the grid-like anode 12 with the direct current applied to the cathode 6 to be 1 Kw and 4 Kw. The substrate transfer speed was adjusted so that the film thickness was 1000 angstroms. The results are shown in Table 1 and 1Kw
If no grid anode is used (aperture ratio 100%),
An abnormal discharge occurred on the substrate, but when the aperture ratio of the lattice anode 12 was 97% or less, electrons in the plasma were trapped by the anode and no abnormal discharge on the substrate due to charge-up was observed. On the other hand, when 4 Kw was input, abnormal discharge was observed up to an aperture ratio of 85%, and the occurrence of abnormal discharge could be suppressed by reducing the aperture ratio to 80%. Therefore, the aperture ratio is 80 ~ depending on the input power.
It is desirable to set it in the range of 97%.
【００１７】 [0017]
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、スパ
ッタ装置のターゲットと基板との間に格子状のアノード
を設置したので、プラズマを固定状態となし得られ、静
止或いは移動する大型の基板に大型の開放形のターゲッ
トにより膜厚と膜特性の分布の良好な膜を再現性良く成
膜でき、該アノードがプラズマ中の電子をトラップする
ので基板上の異常放電を防止できて損傷のない成膜を行
える効果があり、この効果は該アノードの開口率を８０
〜９７％とすることで的確に奏し得られ、該カソードが
マグネトロンカソードである場合には、その背後の磁気
回路を揺動させることが不要であり、カソードの構造も
簡単になる効果がある。As described above, according to the present invention, since the grid-shaped anode is installed between the target of the sputtering apparatus and the substrate, the plasma can be fixed and the large substrate can be stationary or moving. With a large open target, a film with a good distribution of film thickness and film characteristics can be formed with good reproducibility. Since the anode traps electrons in plasma, abnormal discharge on the substrate can be prevented and no damage occurs. There is an effect that film formation can be performed, and this effect can increase the aperture ratio of the anode to 80
When the cathode is a magnetron cathode, it is not necessary to oscillate the magnetic circuit behind the cathode, and the structure of the cathode can be simplified.
【図１】本発明を静止基板の成膜に適用した実施例の截
断側面図FIG. 1 is a cutaway side view of an embodiment in which the present invention is applied to film formation on a stationary substrate.
【図２】本発明を移動基板の成膜に適用した実施例の截
断側面図FIG. 2 is a cutaway side view of an example in which the present invention is applied to film formation on a moving substrate.
【図３】図１のアノードの斜視図FIG. 3 is a perspective view of the anode of FIG.
【図４】実施例１の膜厚分布の線図FIG. 4 is a diagram of the film thickness distribution of Example 1.
１ 基板 ２ 成膜室 ６ カソード ７ ターゲット １２ アノード 1 substrate 2 film forming chamber 6 cathode 7 target 12 anode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 隆英 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 中村 肇 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 杉浦 功 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takahide Hori 523 Yokota, Sanmu-cho, Sanmu-gun, Chiba Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Chiba Institute for Super Materials (72) Hajime Nakamura 523 Yokota Yokota, Sanbu-cho, Chiba Prefecture Chiba Institute of Supermaterials (72) Inventor Isao Sugiura 523 Yokota, Yamatake-cho, Yamatake-gun, Chiba Japan Vacuum Technology Co., Ltd.
Claims (3)
ットと対向した静止若しくは移動する基板上にスパッタ
成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲットと基板
との間に格子状のアノードを設置したことを特徴とする
スパッタ装置。1. In a sputtering apparatus for performing sputtering film formation on a stationary or moving substrate facing a target provided at a cathode in a vacuum film forming chamber, a grid-shaped anode is provided between the target and the substrate. A sputtering device that is installed.
％であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装
置。2. The aperture ratio of the anode grid is 80 to 97.
%, The sputtering apparatus according to claim 1, wherein
電磁石を備えて直流電源又は交流電源に接続したマグネ
トロンスパッタカソードであることを特徴とする請求項
１に記載のスパッタ装置。3. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the cathode is a magnetron sputter cathode having a permanent magnet or an electromagnet on its back surface and connected to a DC power supply or an AC power supply.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26736795A JPH09111448A (en) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26736795A JPH09111448A (en) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | Sputtering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111448A true JPH09111448A (en) | 1997-04-28 |
Family
ID=17443852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26736795A Pending JPH09111448A (en) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | Sputtering device |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH09111448A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011012348A (en) * | 2010-09-21 | 2011-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | Sputtering apparatus |
| JP2021004390A (en) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社アルバック | Sputtering device |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP26736795A patent/JPH09111448A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008115325A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Sunpower Corporation | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
| US8557093B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-10-15 | Sunpower Corporation | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
| US9556512B2 (en) | 2007-03-22 | 2017-01-31 | Sunpower Corporation | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
| JP2011012348A (en) * | 2010-09-21 | 2011-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | Sputtering apparatus |
| JP2021004390A (en) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社アルバック | Sputtering device |
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