JPH09146112A - Liquid crystal display element - Google Patents
Liquid crystal display elementInfo
- Publication number
- JPH09146112A JPH09146112A JP29981295A JP29981295A JPH09146112A JP H09146112 A JPH09146112 A JP H09146112A JP 29981295 A JP29981295 A JP 29981295A JP 29981295 A JP29981295 A JP 29981295A JP H09146112 A JPH09146112 A JP H09146112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode terminal
- terminal block
- liquid crystal
- crystal display
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 18
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 18
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関す
る。さらに詳しくは、電極端子部に発生する静電気放電
による表示不良を防止することが可能な液晶表示素子に
関する。[0001] The present invention relates to a liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a liquid crystal display element capable of preventing display defects due to electrostatic discharge generated in electrode terminal portions.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高度情報化社会の発展に伴い液晶表示素
子の分野の進歩はめざましいものがある。しかしながら
液晶表示素子、なかでもアクティブマトリクス方式の液
晶表示素子は生産性が低く、それによる製品価格の上昇
が普及の大きな妨げとなっている。液晶表示素子の歩留
まりを低下させる大きな要因の１つとして静電気障害が
ある。静電気障害は液晶表示素子のほとんどすべての製
造工程で発生するが、とくに液晶表示素子を構成する第
２の透明絶縁性基板から電極端子への放電によって発生
する割合が高く、大きな問題となっている。2. Description of the Related Art The progress of the field of liquid crystal display devices has been remarkable with the development of the advanced information society. However, the productivity of liquid crystal display elements, especially active matrix type liquid crystal display elements, is low, and the rise in product prices due to this is a major obstacle to their widespread use. Electrostatic damage is one of the major factors that reduce the yield of liquid crystal display elements. Electrostatic damage occurs in almost all manufacturing processes of liquid crystal display elements, but it is a major problem because it is particularly likely to occur due to discharge from the second transparent insulating substrate forming the liquid crystal display elements to the electrode terminals. .
【０００３】液晶表示素子の第２の透明絶縁性基板から
電極端子への放電によって発生する静電気障害の代表的
なモードは２つある。１つは、アクティブマトリクス駆
動型の液晶表示素子特有の障害であるが、静電気がソー
ス電極端子またはゲート電極端子から侵入することによ
り液晶表示素子内のトランジスタのソース、ゲート間に
急激に電位差が生じ、トランジスタを動作させるスレシ
ョルド電圧Ｖthがずれ、線状欠陥として視認されるもの
である。また、他の１つは、特定の電極端子より静電気
が入り、該静電気による電荷で一部の液晶が周囲と異な
る配向状態を示し、線状欠陥として視認されるものであ
る。There are two typical modes of electrostatic disturbance generated by the discharge from the second transparent insulating substrate of the liquid crystal display element to the electrode terminals. One is a failure peculiar to the active matrix drive type liquid crystal display element. When static electricity enters from the source electrode terminal or the gate electrode terminal, a potential difference is suddenly generated between the source and the gate of the transistor in the liquid crystal display element. , The threshold voltage V th for operating the transistor is deviated, and is visually recognized as a linear defect. The other one is that static electricity enters from a specific electrode terminal, some of the liquid crystals show an alignment state different from the surroundings due to the electric charge due to the static electricity, and are visually recognized as linear defects.
【０００４】前述の静電気障害を防ぐための最も有効な
方法として、特開平３−２９０６２４号公報には、液晶
表示素子のゲート電極端子とソース電極端子とを、ショ
ートリングとよばれる低抵抗接続体により相互に短絡さ
せ、ゲート電極とソース電極の電位を同電位にすること
により、静電気によるトランジスタ特性のシフトや特定
の電極端子のみに侵入する静電気を防ぐということが記
載されている。しかし、かかる方法では、短絡を切断し
た以降の工程においては、ゲート電極とソース電極を同
電位に保つことができなくなるので決定的な方法とはな
りえない。As the most effective method for preventing the above-mentioned electrostatic disturbance, Japanese Patent Laid-Open No. 3-290624 discloses a low resistance connection body in which a gate electrode terminal and a source electrode terminal of a liquid crystal display element are called a short ring. It is described that, by short-circuiting each other and making the potentials of the gate electrode and the source electrode equal to each other, shift of transistor characteristics due to static electricity and static electricity that enters only a specific electrode terminal are prevented. However, this method cannot be a decisive method because the gate electrode and the source electrode cannot be kept at the same potential in the steps after disconnecting the short circuit.
【０００５】また、液晶表示素子の製造中にイオンブロ
アーを照射し、静電気による急激な電荷の移動を中和す
る方法が提案されてはいるが、静電気による急激な電荷
の移動を短時間に中和することは不可能であり、また、
長時間イオンブロアーを照射したばあい、液晶表示素子
が逆に帯電することもあり、有効な方法とはなりえな
い。Although a method of irradiating an ion blower during manufacture of a liquid crystal display element to neutralize the rapid movement of charges due to static electricity has been proposed, the rapid movement of charges due to static electricity can be performed in a short time. It is impossible to reconcile, and also
When irradiated with an ion blower for a long time, the liquid crystal display element may be charged in the opposite direction, which is not an effective method.
【０００６】さらに、特開平４−１９８９２２号公報お
よび特開平１−２３７５２３号公報には、ソース配線ブ
ロック、ゲート（コモン）配線ブロック間に発生しやす
い静電気障害を防止するための方法が記載されている。
液晶表示素子の表示目的に用いられる端子ブロックの外
側にダミー端子を設け、該ダミー端子とスイッチング素
子とを駆動するためのＬＳＩ（large scale integrated
circuit）が搭載されているフイルムキャリアーの出力
電極端子列の両側に形成されたダミー配線を介して、外
側プリント基板回路に設けられているアース端子にダミ
ー端子を接続し、静電気障害を防止している。しかし、
かかる方法では、ブロック間に発生しやすい静電気しか
防止することしかできず、第２の透明絶縁性基板の端面
付近に帯電した電荷からの放電による静電気障害を防止
することができない。Further, JP-A-4-198922 and JP-A-1-237523 describe a method for preventing an electrostatic disturbance that tends to occur between a source wiring block and a gate (common) wiring block. There is.
An LSI (Large Scale Integrated) for providing a dummy terminal outside a terminal block used for a display purpose of a liquid crystal display element and driving the dummy terminal and the switching element.
circuit) is connected to the ground terminal provided on the outer printed circuit board via dummy wiring formed on both sides of the output electrode terminal row of the film carrier to prevent electrostatic damage. There is. But,
This method can only prevent static electricity that tends to occur between the blocks, and cannot prevent electrostatic damage due to discharge from electric charges charged near the end surface of the second transparent insulating substrate.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
液晶表示素子の静電気障害対策では、液晶表示素子のシ
ョートリング（低抵抗接続体）を切断してのち、駆動用
ＬＳＩおよび外部プリント基板回路に液晶表示素子を接
続し、液晶表示素子のソース電極端子とゲート電極端子
間とを同電位にしている状態、すなわちソース電極端子
とゲート電極端子とが短絡されていない状態での静電気
障害に対する手段としては、有効なものではない。As described above, in the conventional countermeasures against electrostatic damage of the liquid crystal display element, after cutting the short ring (low resistance connection body) of the liquid crystal display element, the drive LSI and the external printed circuit board are cut off. The liquid crystal display element is connected to the circuit and the source electrode terminal and the gate electrode terminal of the liquid crystal display element are at the same potential, that is, against the electrostatic disturbance in the state where the source electrode terminal and the gate electrode terminal are not short-circuited It is not an effective means.
【０００８】本発明はこのような問題を解決し、信頼性
が高く、かつ、生産性が高い液晶表示素子を提供するこ
とを目的とする。An object of the present invention is to solve such problems and to provide a liquid crystal display device having high reliability and high productivity.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、透明絶縁性基板、画像表示領域に相当する大きさで
ある第２の透明絶縁性基板、および前記透明絶縁性基板
と前記第２の透明絶縁性基板とのあいだに挟持される液
晶材料からなり、前記透明絶縁性基板上に、平行かつ等
間隔に配設される複数本のゲート電極端子と、前記ゲー
ト電極端子に直交し、かつ、それぞれ平行かつ等間隔に
配設される複数本のソース電極端子と、前記ゲート電極
端子と前記ソース電極端子とにそれぞれ接続されて形成
されるゲート配線およびソース配線と、前記ゲート配線
と前記ソース配線との交差部にそれぞれ形成される表示
電極と、前記ゲート配線と前記ソース配線とに区切られ
た各領域に形成されたスイッチング素子とが形成されて
おり、前記透明絶縁性基板と前記第２の透明絶縁性基板
とが、相似形となるように重ねて配置されてなる液晶表
示素子であって、前記透明絶縁性基板の端部から該透明
絶縁性基板と前記第２の透明絶縁性基板が重なった前記
第２の透明絶縁性基板の端部までの透明絶縁性基板上の
端部領域上において、前記ゲート配線および前記ソース
配線にそれぞれ接続されてなる、外部からの駆動信号を
入力するための前記ゲート電極端子および前記ソース電
極端子が、ＬＳＩが載置されている１枚のフィルムキャ
リアに含まれる電極端子の個数でそれぞれ１個のゲート
電極端子ブロックおよび１個のソース電極端子ブロック
をなしており、前記ゲート電極端子ブロックおよび前記
ソース電極端子ブロックのそれぞれの上層に絶縁膜を積
層し、さらにその上層で、かつ、前記ソース電極端子ブ
ロックに垂直に、かつ前記ソース電極端子ブロックにま
たがってソース導電膜を形成し、前記ゲート電極端子ブ
ロックに垂直に、かつ前記ゲート電極端子ブロックにま
たがってゲート導電膜を形成し、当該２つの導電膜はい
ずれも露出させられてなっている。A liquid crystal display device of the present invention comprises a transparent insulating substrate, a second transparent insulating substrate having a size corresponding to an image display area, and the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate. Of a liquid crystal material sandwiched between the transparent insulating substrate of, on the transparent insulating substrate, a plurality of gate electrode terminals arranged in parallel and at equal intervals, orthogonal to the gate electrode terminal, And, a plurality of source electrode terminals respectively arranged in parallel and at equal intervals, a gate wiring and a source wiring formed by being respectively connected to the gate electrode terminal and the source electrode terminal, the gate wiring and the Display electrodes formed respectively at intersections with the source wirings and switching elements formed in respective regions partitioned by the gate wirings and the source wirings are formed, and the transparent insulating film is formed. A liquid crystal display element comprising a substrate and the second transparent insulating substrate, which are arranged so as to be similar to each other so as to be similar to each other, and the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate are arranged from an end portion of the transparent insulating substrate. From the outside, which are respectively connected to the gate wiring and the source wiring on the end region on the transparent insulating substrate up to the end of the second transparent insulating substrate where the transparent insulating substrate of The gate electrode terminal and the source electrode terminal for inputting a driving signal are respectively one gate electrode terminal block and one gate electrode terminal block in the number of electrode terminals included in one film carrier on which an LSI is mounted. A source electrode terminal block is formed, and an insulating film is laminated on an upper layer of each of the gate electrode terminal block and the source electrode terminal block, and further on the upper layer, and A source conductive film is formed perpendicularly to the source electrode terminal block and straddling the source electrode terminal block, and a gate conductive film is formed perpendicularly to the gate electrode terminal block and straddling the gate electrode terminal block; Both of the two conductive films are exposed.
【００１０】前記導電膜が前記スイッチング素子を形成
するためのソース電極またはドレイン電極と同一の製造
条件による膜からなることが、液晶表示素子を安価に製
造するためにも好ましい。It is preferable that the conductive film is made of a film under the same manufacturing conditions as the source electrode or the drain electrode for forming the switching element in order to manufacture the liquid crystal display element at low cost.
【００１１】前記ゲート電極端子列と垂直に形成された
導電膜が前記表示電極と同一の製造条件による膜からな
ることもできる。The conductive film formed perpendicularly to the gate electrode terminal row may be a film under the same manufacturing conditions as the display electrode.
【００１２】前記導電膜が画像表示領域に存在する補助
容量と同一の製造条件による膜からなっていることが、
液晶表示素子を安価に製造するため好ましい。The conductive film is formed of a film under the same manufacturing conditions as the auxiliary capacitance existing in the image display region,
It is preferable because the liquid crystal display device can be manufactured at low cost.
【００１３】前記導電膜が前記ソース電極端子ブロック
およびゲート電極端子ブロックのそれぞれの両端に形成
されたダミー端子および前記スイッチング素子を駆動す
るためのＬＳＩが載置されている前記フィルムキャリア
の出力電極端子列の両側に形成されたダミー配線を介し
て外部プリント基板回路のアース端子に接続されてなる
ことが、前記導電膜とゲート−ソース電極端子間の２次
放電防止のため好ましい。Output terminal of the film carrier on which dummy terminals having the conductive film formed at both ends of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block and an LSI for driving the switching element are mounted. In order to prevent secondary discharge between the conductive film and the gate-source electrode terminal, it is preferable to connect to the ground terminal of the external printed circuit board via dummy wirings formed on both sides of the column.
【００１４】前記ソース電極端子ブロックおよびゲート
電極端子ブロックのそれぞれの両端に電極層を形成し、
該電極層をコンデンサの下層電極とし、前記スイッチン
グ素子を形成するための絶縁膜を誘電体層とし、前記導
電膜がコンデンサの上層電極と電気的に導通してなって
いることが、前記導電膜とゲート−ソース電極端子間の
２次放電防止のため好ましい。Electrode layers are formed on both ends of each of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block,
The electrode layer serves as a lower layer electrode of a capacitor, an insulating film for forming the switching element serves as a dielectric layer, and the conductive film is electrically connected to an upper layer electrode of the capacitor. Is preferred for preventing secondary discharge between the gate and source electrode terminals.
【００１５】前記コンデンサの上層電極が前記導電膜と
同一の製造条件による膜からなっていることが、液晶表
示素子を安価に製造するため好ましい。It is preferable that the upper electrode of the capacitor is made of a film under the same manufacturing conditions as the conductive film, in order to manufacture a liquid crystal display element at low cost.
【００１６】前記コンデンサの下層電極が前記ソース電
極端子ブロックおよびゲート電極端子ブロックと同一の
製造条件による膜からなっていることが、液晶表示素子
を安価に製造するため好ましい。It is preferable that the lower layer electrode of the capacitor is made of a film under the same manufacturing conditions as the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block in order to manufacture the liquid crystal display element at low cost.
【００１７】ここで用いられるコンデンサとは、第２の
透明性絶縁基板から前記導電層に対し放電した電荷をた
くわえるために用いられるコンデンサをいう。また、ゲ
ート導電膜とソース導電膜とは、それぞれ、ゲート電極
端子ブロックとソース電極端子ブロックとにまたがって
形成される導電膜をいう。The capacitor used herein is a capacitor used to store the electric charge discharged from the second transparent insulating substrate to the conductive layer. In addition, the gate conductive film and the source conductive film are conductive films formed over the gate electrode terminal block and the source electrode terminal block, respectively.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】本発明はたとえばアクティブマト
リクス型液晶表示素子の静電気障害対策に有効である。
なぜなら、ＴＦＴ（thin film transistor、薄膜トラン
ジスタ）のばあいにおいてもＭＩＭ（metal-insulator-
metal）型ダイオードのばあいにおいても、スイッチン
グ素子を形成する際には絶縁膜が必要であり、前記絶縁
層の下層および上層に電極材料が設けてあるので、従来
の製造工程を利用して、静電気吸収用の導体層を設ける
ことができるからである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is effective, for example, as a countermeasure against static electricity in an active matrix type liquid crystal display device.
This is because even in the case of TFT (thin film transistor), MIM (metal-insulator-
Even in the case of (metal) type diodes, an insulating film is required when forming a switching element, and since electrode materials are provided in the lower and upper layers of the insulating layer, the conventional manufacturing process is used. This is because a conductor layer for absorbing static electricity can be provided.
【００１９】つぎに図面を参照しながら本発明の液晶表
示素子を実施例に基づいて説明する。Next, the liquid crystal display device of the present invention will be described based on embodiments with reference to the drawings.
【００２０】実施例１ 以下、半導体層としてアモルファスシリコン（以下、単
にａ−Ｓｉという）を用いた逆スタガ型構造のトランジ
スタを採用した液晶表示素子について、図１〜図４を用
いて説明する。図１は本発明の液晶表示素子の平面説明
図である。図２は、本発明の液晶表示素子のトランジス
タ部を示す断面図であり、図３は図１のＡ−Ａ線断面図
であり、図４は図１のＢ−Ｂ線断面図であり、図５は本
発明の液晶表示素子と外部回路とを接続した説明図であ
る。Example 1 A liquid crystal display device employing an inverted stagger type transistor using amorphous silicon (hereinafter, simply referred to as a-Si) as a semiconductor layer will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device of the present invention. 2 is a sectional view showing a transistor portion of the liquid crystal display element of the present invention, FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line BB of FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram in which the liquid crystal display element of the present invention and an external circuit are connected.
【００２１】図１において、１は透明絶縁性基板である
ガラス基板であり、２はガラス基板１上に形成されたソ
ース配線であり、３ａは前記ソース配線２の先端部に設
けられるソース電極端子であり、３はソース電極端子３
ａがＴＣＰ（tape carrier package、ＬＳＩが載置され
たフィルムキャリア）に含まれる電極端子の個数分で一
群となっているソース電極端子ブロックであり、４はゲ
ート配線であり、５ａは前記ゲート配線の先端部に設け
られるゲート電極端子であり、５はゲート電極端子５ａ
がＴＣＰに含まれる電極端子の個数分で一群となってい
るゲート電極端子ブロックであり、７は導電膜であり、
８はダミー端子である。図２において、９はゲート電極
であり、１０はゲート絶縁膜であり、１１は表示電極で
あり、１２はチャネル層、１３はエッチングストッパ層
であり、１４はコンタクト層であり、１５はドレイン電
極であり、１６はソース電極である。図３において、６
はガラス基板１に対向する第２のガラス基板（第２の透
明絶縁性基板）である。In FIG. 1, 1 is a glass substrate which is a transparent insulating substrate, 2 is a source wiring formed on the glass substrate 1, and 3a is a source electrode terminal provided at the tip of the source wiring 2. And 3 is the source electrode terminal 3
a is a source electrode terminal block which is a group corresponding to the number of electrode terminals included in a TCP (tape carrier package, a film carrier on which LSI is mounted), 4 is a gate wiring, and 5a is the gate wiring. 5 is a gate electrode terminal 5a provided at the tip of the
Is a gate electrode terminal block that is grouped by the number of electrode terminals included in TCP, and 7 is a conductive film,
8 is a dummy terminal. In FIG. 2, 9 is a gate electrode, 10 is a gate insulating film, 11 is a display electrode, 12 is a channel layer, 13 is an etching stopper layer, 14 is a contact layer, and 15 is a drain electrode. And 16 is a source electrode. In FIG.
Is a second glass substrate (second transparent insulating substrate) facing the glass substrate 1.
【００２２】つぎに本発明の液晶表示素子について、そ
の製法を説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention will be described.
【００２３】まず、図１に示されるようにたとえばガラ
ス、プラスチックなどからなる透明な絶縁性基板にゲー
ト電極端子５ａがＴＣＰに含まれる電極端子の個数分で
一群となっているゲート電極端子ブロック５、ゲート電
極端子５ａと一体に形成されているゲート配線４、ソー
ス電極端子３ａがＴＣＰに含まれる電極端子の個数分で
一群となっているソース電極端子ブロック３およびダミ
ー端子８を、同一工程で、たとえばスパッタリングによ
り成膜する。電極材料としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉなどが用いられる。First, as shown in FIG. 1, a gate electrode terminal block 5 is formed by forming a group of gate electrode terminals 5a by the number of electrode terminals included in a TCP on a transparent insulating substrate made of, for example, glass or plastic. , The gate electrode 4 formed integrally with the gate electrode terminal 5a, the source electrode terminal block 3 and the dummy terminal 8 in which the source electrode terminals 3a are grouped by the number of electrode terminals included in the TCP in the same process. , For example, by sputtering. Examples of the electrode material include Cr, Al,
Ta, Mo, Ti or the like is used.
【００２４】つぎに、図１のゲート電極端子ブロック
５、ゲート配線４およびゲート電極端子間とソース電極
端子間を覆うための、たとえばＳｉＮ膜などからなるゲ
ート絶縁膜１０を、たとえばプラズマＣＶＤなどで図３
に示されるように形成する。ゲート絶縁膜１０を形成す
る際に、ソース配線２とソース電極端子３とを導通させ
るために、図３のｘの位置にスルーホールを形成する。
さらに、たとえばＩＴＯ膜、酸化スズ膜などからなる表
示電極１１を、たとえばスパッタリングなどで形成す
る。さらに、第２のガラス基板６と、ゲート絶縁膜１０
などが形成されたガラス基板１とのあいだの領域２７に
液晶材料を挟持し、シール剤２８で第２のガラス基板６
とゲート絶縁膜１０のあいだを封じることによって、液
晶材料を封入する。Next, a gate insulating film 10 made of, for example, a SiN film for covering the gate electrode terminal block 5, the gate wiring 4, and the space between the gate electrode terminals and the space between the source electrode terminals in FIG. 1 is formed by, for example, plasma CVD. Figure 3
As shown in FIG. When forming the gate insulating film 10, a through hole is formed at the position of x in FIG. 3 in order to electrically connect the source wiring 2 and the source electrode terminal 3.
Further, the display electrode 11 made of, for example, an ITO film or a tin oxide film is formed by sputtering or the like. Further, the second glass substrate 6 and the gate insulating film 10
The liquid crystal material is sandwiched in a region 27 between the glass substrate 1 on which the second glass substrate 6 and the like are formed, and the second glass substrate 6 is sealed with a sealant 28.
The liquid crystal material is sealed by sealing the gap between the gate insulating film 10 and the gate insulating film 10.
【００２５】つぎに、図２に示されるトランジスタを形
成するために、図１のゲート電極端子ブロック５および
ゲート配線４と同時に形成されたゲート電極９およびゲ
ート電極９上に積層されたゲート絶縁膜１０の表面に、
さらにａ−Ｓｉ層からなるチャネル層１２、エッチング
ストッパ層１３、およびオーミックコンタクトをうるた
めのＮ+ 型のａ−Ｓｉ層からなるコンタクト層１４をそ
れぞれプラズマＣＶＤで連続成膜する。ついで、たとえ
ばＡｌ、Ｍｏなどからなるドレイン電極１５、ソース電
極１６、ソース配線２、および静電気吸収用の導電膜７
（図１参照）を、たとえばスパッタリングなどにより同
時に形成する。そののち、図示はしていないが、これら
の膜のさらに上層に液晶層にＤＣ成分が入るのを防ぐた
め、ＳｉＮ膜などのパッシベーション膜を設けることも
できる。そのばあいには、前記導電膜７上のパッシベー
ション膜の少なくとも一部を除去し、導電膜７表面を露
出させておく。また、ゲート絶縁膜１０に図４のｙで示
される位置、すなわちダミー端子８の上層部に、ダミー
端子８と導電膜７とが導通するためのスルーホール（図
示せず）を形成する。Next, in order to form the transistor shown in FIG. 2, a gate electrode 9 formed simultaneously with the gate electrode terminal block 5 and the gate wiring 4 in FIG. 1 and a gate insulating film laminated on the gate electrode 9 are formed. On the surface of 10,
Further, a channel layer 12 made of an a-Si layer, an etching stopper layer 13, and a contact layer 14 made of an N + -type a-Si layer for obtaining ohmic contact are successively formed by plasma CVD. Then, the drain electrode 15, the source electrode 16, the source wiring 2, and the conductive film 7 for absorbing static electricity, which are made of Al or Mo, for example.
(See FIG. 1) are simultaneously formed by, for example, sputtering. After that, although not shown, a passivation film such as a SiN film may be provided above these films in order to prevent DC components from entering the liquid crystal layer. In that case, at least a part of the passivation film on the conductive film 7 is removed to expose the surface of the conductive film 7. Further, a through hole (not shown) for electrically connecting the dummy terminal 8 and the conductive film 7 is formed in the gate insulating film 10 at a position indicated by y in FIG. 4, that is, in an upper layer portion of the dummy terminal 8.
【００２６】つぎに、図５に示すように、図１に示され
る液晶表示素子と、駆動回路であるたとえば外部プリン
ト基板回路２３とをフィルムキャリア１９を介して接続
する。フィルムキャリア１９は、たとえばポリイミドや
ポリエステルなどの有機絶縁性フィルム部と、銅箔また
は銅合金箔などからなる導電性金属箔をフォトリソグラ
フィー技術を用いて形成した導体パターン部であるソー
ス側の出力側の端子列２１ａと、ゲート側の出力側の端
子列２１ｂおよび入力側の端子列２２と、液晶駆動用の
ＬＳＩ２０とから構成されている。ここで、液晶駆動用
のＬＳＩ２０に接続されたソース側の出力側の端子列２
１ａおよびゲート側の出力側の端子列２１ｂは、それぞ
れ、液晶表示素子１８のソース電極端子ブロック３とゲ
ート電極端子ブロック５のピッチに合わせた形に形成さ
れている。また、前記ＬＳＩに接続された入力側の端子
列２２は、外部プリント基板回路の出力側の端子列ピッ
チに合わせた形に形成されている。フィルムキャリア１
９と外部プリント基板回路２３との接続には、はんだ、
または異方性導電膜が用いられる。フィルムキャリアに
は、ダミー端子８に対応してダミーパターン２４が液晶
駆動用ＬＳＩ２０とは接続されずに、直接外部プリント
基板回路２３のアース端子２９に接続されるように形成
されている。Next, as shown in FIG. 5, the liquid crystal display element shown in FIG. 1 and the drive circuit, for example, an external printed circuit board 23 are connected via a film carrier 19. The film carrier 19 is, for example, an organic insulating film portion such as polyimide or polyester, and a conductive pattern portion formed of a conductive metal foil such as a copper foil or a copper alloy foil using a photolithography technique. 21a, an output-side terminal row 21b on the gate side, an input-side terminal row 22 and a liquid crystal driving LSI 20. Here, the source side output side terminal row 2 connected to the liquid crystal driving LSI 20
1a and the gate-side output-side terminal row 21b are formed in a shape that matches the pitch of the source electrode terminal block 3 and the gate electrode terminal block 5 of the liquid crystal display element 18, respectively. The input-side terminal row 22 connected to the LSI is formed in a shape that matches the output-side terminal row pitch of the external printed circuit board circuit. Film carrier 1
9 is connected to the external printed circuit board 23 by soldering,
Alternatively, an anisotropic conductive film is used. A dummy pattern 24 corresponding to the dummy terminal 8 is formed on the film carrier so as to be directly connected to the ground terminal 29 of the external printed circuit board circuit 23 without being connected to the liquid crystal driving LSI 20.
【００２７】前述のようにして形成された液晶表示素子
の端子部においては、第２の透明絶縁性基板である第２
のガラス基板の表面に帯電した電荷は、最も近い導体で
ある静電気吸収用の導電膜７に向かって放電する。した
がって、ゲート電極端子ブロック５、ソース電極端子ブ
ロック３に対し、放電が起きることにより発生する静電
気障害を招くことがない。さらに、前記放電された電荷
は、ダミー端子８、フィルムキャリアのダミーパターン
２４を介して外部プリント基板回路２３のアース端子２
９に流れこむので、２次放電もない。In the terminal portion of the liquid crystal display element formed as described above, the second transparent insulating substrate
The electric charges charged on the surface of the glass substrate are discharged toward the conductive film 7 for absorbing static electricity, which is the closest conductor. Therefore, the gate electrode terminal block 5 and the source electrode terminal block 3 are prevented from suffering an electrostatic trouble caused by the discharge. Further, the discharged electric charge is transferred to the ground terminal 2 of the external printed circuit board circuit 23 through the dummy terminal 8 and the dummy pattern 24 of the film carrier.
There is no secondary discharge, because it flows into 9.
【００２８】本実施例では、静電気吸収用の導電膜材料
として、ドレイン、ソース電極材料を用いたが図６に示
されるように、導電膜材料として、表示電極１１を形成
する材料を図６のように用いても、前述と同様の効果を
うることができる。In this embodiment, the drain and source electrode materials are used as the conductive film material for absorbing static electricity, but as shown in FIG. 6, the material forming the display electrode 11 is the conductive film material shown in FIG. Even if it is used as described above, the same effect as described above can be obtained.
【００２９】実施例２ 本実施例においては、ソース電極端子およびゲート電極
端子の外側にコンデンサを形成することを特徴としてい
る。このようにコンデンサを形成することで、第２の透
明絶縁性基板の端部からの放電により静電気吸収層（導
電膜）に帯電した電荷がこのコンデンサに蓄えられる。Embodiment 2 This embodiment is characterized in that a capacitor is formed outside the source electrode terminal and the gate electrode terminal. By forming the capacitor in this way, the electric charge charged in the electrostatic absorption layer (conductive film) due to the discharge from the end of the second transparent insulating substrate is stored in this capacitor.
【００３０】図７は実施例２を示す平面図であり、図８
は図７のＣ−Ｃ線断面図である。図１と同じものには、
同じ符号を付しており、その形成方法はコンデンサの上
層電極２６およびコンデンサの下層電極２５を形成する
こと以外は実施例１と同様である。コンデンサの下層電
極２５は、ソース電極端子ブロック３およびゲート電極
端子ブロック５と同様、ゲート配線４の成膜時に形成さ
れる。ゲート絶縁膜１０は、このコンデンサの誘電体で
あり、コンデンサの下層電極２５とコンデンサの上層電
極２６に挟まれるように、コンデンサの下層電極２５の
形成ののちに成膜される。つぎに、静電気吸収用の導電
膜７を引き延ばし、コンデンサの上層電極２６を形成す
る。コンデンサの上層電極２６は、表示電極の形成時に
用いられる、たとえばＩＴＯ膜、酸化スズ膜からなる導
電膜であってもソース電極形成時に用いられるたとえば
Ａｌ、Ｍｏからなる導電膜であってもよい。FIG. 7 is a plan view showing the second embodiment, and FIG.
FIG. 8 is a sectional view taken along line CC of FIG. 7. The same thing as in Figure 1,
The same reference numerals are given, and the forming method is the same as that of the first embodiment except that the capacitor upper layer electrode 26 and the capacitor lower layer electrode 25 are formed. The lower layer electrode 25 of the capacitor is formed during the film formation of the gate wiring 4 as in the source electrode terminal block 3 and the gate electrode terminal block 5. The gate insulating film 10 is a dielectric of this capacitor, and is formed after the capacitor lower layer electrode 25 is formed so as to be sandwiched between the capacitor lower layer electrode 25 and the capacitor upper layer electrode 26. Next, the conductive film 7 for absorbing static electricity is extended to form the upper electrode 26 of the capacitor. The upper layer electrode 26 of the capacitor may be a conductive film made of, for example, an ITO film or a tin oxide film used when forming the display electrode, or a conductive film made of, for example, Al or Mo used when forming the source electrode.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示素子の表面が
帯電しても、電荷は静電気吸収用の導電膜に対して放電
するので、表示不良などの静電気障害がない。According to the present invention, even if the surface of the liquid crystal display element is charged, the electric charge is discharged to the conductive film for absorbing static electricity, so that there is no electrostatic trouble such as display failure.
【００３２】さらに、静電気吸収用の導電膜は液晶表示
素子の電極端子群の両端に設けられたダミー端子、フィ
ルムキャリアのダミーパターンを介して外部のアース端
子に接続しているので、放電した電荷は、液晶表示素子
の表面に帯電することなく、アース端子に流れる。Furthermore, since the conductive film for absorbing static electricity is connected to the external ground terminal via the dummy terminals provided at both ends of the electrode terminal group of the liquid crystal display element and the dummy pattern of the film carrier, the discharged electric charge is discharged. Flows to the ground terminal without charging the surface of the liquid crystal display element.
【００３３】また、液晶表示素子の端子部に形成した静
電気吸収用の導電膜と電極端子の両端部の外側領域に形
成した電極とでコンデンサを形成することにより、第２
の透明絶縁性基板の端部からの放電により静電気吸収層
に帯電した電荷がコンデンサ部に蓄えられるので、電荷
吸収用の導電膜と電極端子間での２次放電を防止するこ
とができる。したがって、特定の電極端子のみに静電気
が侵入することにより生じる線状欠陥などの表示不良を
防ぐことができ、欠陥のない高品質の液晶表示素子を高
歩留まりで製造することができる。Further, a capacitor is formed by the conductive film for absorbing static electricity formed in the terminal portion of the liquid crystal display element and the electrodes formed in the outer regions of both end portions of the electrode terminal.
Since the charges charged in the electrostatic absorption layer by the discharge from the end of the transparent insulating substrate are stored in the capacitor part, it is possible to prevent the secondary discharge between the conductive film for absorbing charges and the electrode terminal. Therefore, it is possible to prevent a display defect such as a linear defect caused by static electricity entering only a specific electrode terminal, and it is possible to manufacture a high-quality liquid crystal display device having no defect with a high yield.
【図１】本発明の液晶表示素子の一実施例を示す平面図
である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a liquid crystal display element of the present invention.
【図２】逆スタガ型の薄膜トランジスタを示す断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an inverted stagger type thin film transistor.
【図３】図１の液晶表示素子のＡ−Ａ線断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line AA of the liquid crystal display element of FIG.
【図４】図１の液晶表示素子のＢ−Ｂ線断面図である。4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display element of FIG. 1 taken along the line BB.
【図５】本発明の液晶表示素子の一実施例および外部プ
リント基板回路を接続した図である。FIG. 5 is a diagram in which an embodiment of a liquid crystal display element of the present invention and an external printed circuit board are connected.
【図６】本発明の液晶表示素子の他の実施例を示す断面
図である。FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display element of the present invention.
【図７】本発明の液晶表示素子のその他の実施例を示す
平面図である。FIG. 7 is a plan view showing another embodiment of the liquid crystal display element of the present invention.
【図８】図７の液晶表示素子のＣ−Ｃ線断面図である。8 is a cross-sectional view taken along line CC of the liquid crystal display element of FIG.
１ ガラス基板 ２ ソース配線 ３ ソース電極端子ブロック ３ａ ソース電極端子 ４ ゲート配線 ５ ゲート電極端子ブロック ５ａ ゲート電極端子 ６ 第２のガラス基板 ７ 導電膜 ８ ダミー端子 ９ ゲート電極 １０ ゲート絶縁膜 １１ 表示電極 １８ 液晶表示素子 １９ フィルムキャリア ２１ａ ソース側の出力側の端子列 ２１ｂ ゲート側の出力側の端子列 ２２ 入力側の端子列 ２５ コンデンサの下層電極 ２６ コンデンサの上層電極 1 glass substrate 2 source wiring 3 source electrode terminal block 3a source electrode terminal 4 gate wiring 5 gate electrode terminal block 5a gate electrode terminal 6 second glass substrate 7 conductive film 8 dummy terminal 9 gate electrode 10 gate insulating film 11 display electrode 18 Liquid crystal display element 19 Film carrier 21a Source side output side terminal row 21b Gate side output side terminal row 22 Input side terminal row 25 Capacitor lower layer electrode 26 Capacitor upper layer electrode
フロントページの続き (72)発明者 爰河 徹 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 青木 宏憲 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内Front page continued (72) Inventor Toru Aikawa, 997 Miyoshi, Nishigoshi-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture, Advanced Display Co., Ltd. Within
Claims (8)
る大きさである第２の透明絶縁性基板、および前記透明
絶縁性基板と前記第２の透明絶縁性基板とのあいだに挟
持される液晶材料からなり、前記透明絶縁性基板上に、
平行かつ等間隔に配設される複数本のゲート電極端子
と、前記ゲート電極端子に直交し、かつ、それぞれ平行
かつ等間隔に配設される複数本のソース電極端子と、前
記ゲート電極端子と前記ソース電極端子とにそれぞれ接
続されて形成されるゲート配線およびソース配線と、前
記ゲート配線と前記ソース配線との交差部にそれぞれ形
成される表示電極と、前記ゲート配線と前記ソース配線
とに区切られた各領域に形成されたスイッチング素子と
が形成されており、前記透明絶縁性基板と前記第２の透
明絶縁性基板とが、相似形となるように重ねて配置され
てなる液晶表示素子であって、前記透明絶縁性基板の端
部から該透明絶縁性基板と前記第２の透明絶縁性基板が
重なった前記第２の透明絶縁性基板の端部までの透明絶
縁性基板上の端部領域上において、前記ゲート配線およ
び前記ソース配線にそれぞれ接続されてなる、外部から
の駆動信号を入力するための前記ゲート電極端子および
前記ソース電極端子が、ＬＳＩが載置されている１枚の
フィルムキャリアに含まれる電極端子の個数でそれぞれ
１個のゲート電極端子ブロックおよび１個のソース電極
端子ブロックをなしており、前記ゲート電極端子ブロッ
クおよび前記ソース電極端子ブロックのそれぞれの上層
に絶縁膜を積層し、さらにその上層で、かつ、前記ソー
ス電極端子ブロックに垂直に、かつ前記ソース電極端子
ブロックにまたがってソース導電膜を形成し、前記ゲー
ト電極端子ブロックに垂直に、かつ前記ゲート電極端子
ブロックにまたがってゲート導電膜を形成し、当該２つ
の導電膜はいずれも露出させられてなることを特徴とす
る液晶表示素子。1. A transparent insulating substrate, a second transparent insulating substrate having a size corresponding to an image display region, and sandwiched between the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate. Made of liquid crystal material, on the transparent insulating substrate,
A plurality of gate electrode terminals arranged in parallel and at equal intervals, a plurality of source electrode terminals orthogonal to the gate electrode terminal and arranged in parallel and at equal intervals, and the gate electrode terminal The gate wiring and the source wiring are respectively connected to the source electrode terminal, the display electrodes are formed at the intersections of the gate wiring and the source wiring, and the gate wiring and the source wiring are separated from each other. A liquid crystal display element in which the switching element formed in each region is formed, and the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate are arranged so as to be similar to each other. And an end portion on the transparent insulating substrate from an end portion of the transparent insulating substrate to an end portion of the second transparent insulating substrate where the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate overlap each other. Territory In the above, one film carrier in which the gate electrode terminal and the source electrode terminal, which are respectively connected to the gate wiring and the source wiring, for inputting a drive signal from the outside, have an LSI mounted thereon One gate electrode terminal block and one source electrode terminal block are formed by the number of electrode terminals included in the above. An insulating film is laminated on each of the gate electrode terminal block and the source electrode terminal block. A source conductive film is formed on the source electrode terminal block and on the source electrode terminal block on the upper layer, and the source conductive film is formed on the gate electrode terminal block and on the gate electrode terminal block. To form a gate conductive film, and the two conductive films must not be exposed. The liquid crystal display element characterized by.
成するためのソース電極またはドレイン電極と同一の製
造条件による膜からなる請求項１記載の液晶表示素子。2. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the conductive film is a film under the same manufacturing conditions as a source electrode or a drain electrode for forming the switching element.
条件による膜からなる請求項１記載の液晶表示素子。3. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the conductive film is a film under the same manufacturing conditions as the display electrode.
助容量と同一の製造条件による膜からなる請求項１記載
の液晶表示素子。4. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the conductive film is formed of a film under the same manufacturing conditions as the auxiliary capacitance existing in the image display region.
ックおよびゲート電極端子ブロックのそれぞれの両端に
形成されたダミー端子および前記スイッチング素子を駆
動するためのＬＳＩが載置されている前記フィルムキャ
リアの出力電極端子列の両側に形成されたダミー配線を
介して外部プリント基板回路のアース端子に接続されて
なる請求項１記載の液晶表示素子。5. The film carrier of the film carrier, wherein the conductive film is provided with dummy terminals formed at both ends of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block and an LSI for driving the switching element. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is connected to a ground terminal of an external printed circuit board circuit through dummy wirings formed on both sides of the output electrode terminal array.
ト電極端子ブロックのそれぞれの両端に電極層を形成
し、該電極層をコンデンサの下層電極とし、前記スイッ
チング素子を形成するための絶縁膜を誘電体層とし、前
記導電膜がコンデンサの上層電極と電気的に導通してな
る請求項１記載の液晶表示素子。6. An electrode layer is formed on both ends of each of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block, the electrode layer is used as a lower electrode of a capacitor, and an insulating film for forming the switching element is a dielectric layer. 2. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the conductive film is electrically connected to the upper electrode of the capacitor.
と同一の製造条件による膜からなる請求項６記載の液晶
表示素子。7. The liquid crystal display element according to claim 6, wherein the upper electrode of the capacitor is made of a film under the same manufacturing conditions as the conductive film.
電極端子ブロックおよびゲート電極端子ブロックと同一
の製造条件による膜からなる請求項６記載の液晶表示素
子。8. The liquid crystal display element according to claim 6, wherein the lower electrode of the capacitor is made of a film under the same manufacturing conditions as the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29981295A JP3326673B2 (en) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29981295A JP3326673B2 (en) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09146112A true JPH09146112A (en) | 1997-06-06 |
| JP3326673B2 JP3326673B2 (en) | 2002-09-24 |
Family
ID=17877230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29981295A Expired - Fee Related JP3326673B2 (en) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3326673B2 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007213063A (en) * | 2006-02-06 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
| US7450189B2 (en) | 2002-12-31 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having capacitor formed with shorting bar |
| JP2010122675A (en) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Display substrate and display device having the same |
| WO2011024556A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | Method for eliminating static electricity from liquid crystal module, method for manufacturing liquid crystal display device, and liquid crystal module |
| JP2014194571A (en) * | 2005-04-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display panel |
| CN107658233A (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-02 | 三星显示有限公司 | Display device with crack sensing line |
| WO2019009167A1 (en) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | シャープ株式会社 | Thin-film transistor array substrate and display device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102485799B1 (en) | 2015-12-15 | 2023-01-06 | 삼성전자주식회사 | Film-type semiconductor package and display device having the same |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP29981295A patent/JP3326673B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7450189B2 (en) | 2002-12-31 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having capacitor formed with shorting bar |
| JP2014194571A (en) * | 2005-04-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display panel |
| US11726373B2 (en) | 2005-04-28 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US11520193B2 (en) | 2005-04-28 | 2022-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US10877329B2 (en) | 2005-04-28 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US10162235B2 (en) | 2005-04-28 | 2018-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US9411203B2 (en) | 2005-04-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| JP2015156041A (en) * | 2005-04-28 | 2015-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display panel |
| US8259047B2 (en) | 2006-02-06 | 2012-09-04 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Horizontal stripe liquid crystal display device |
| JP2007213063A (en) * | 2006-02-06 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
| US9116401B2 (en) | 2006-02-06 | 2015-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Horizontal stripe liquid crystal display device |
| US8564516B2 (en) | 2006-02-06 | 2013-10-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Horizontal stripe liquid crystal display device |
| US9753346B2 (en) | 2006-02-06 | 2017-09-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Horizontal stripe liquid crystal display device |
| US10185195B2 (en) | 2006-02-06 | 2019-01-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Horizontal stripe liquid crystal display device |
| JP2010122675A (en) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Display substrate and display device having the same |
| JPWO2011024556A1 (en) * | 2009-08-31 | 2013-01-24 | シャープ株式会社 | Method for removing static electricity from liquid crystal module, method for manufacturing liquid crystal display device, and liquid crystal module |
| US20120169680A1 (en) * | 2009-08-31 | 2012-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for removing static electricity of liquid crystal module, method for producing liquid crystal display device, and liquid crystal module |
| WO2011024556A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | Method for eliminating static electricity from liquid crystal module, method for manufacturing liquid crystal display device, and liquid crystal module |
| EP2474859A4 (en) * | 2009-08-31 | 2013-03-13 | Sharp Kk | Method for eliminating static electricity from liquid crystal module, method for manufacturing liquid crystal display device, and liquid crystal module |
| CN107658233A (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-02 | 三星显示有限公司 | Display device with crack sensing line |
| CN107658233B (en) * | 2016-07-26 | 2023-08-15 | 三星显示有限公司 | Display device with crack sensing line |
| US11763709B2 (en) | 2016-07-26 | 2023-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with crack-sensing line |
| WO2019009167A1 (en) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | シャープ株式会社 | Thin-film transistor array substrate and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3326673B2 (en) | 2002-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5162901A (en) | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto | |
| KR0145342B1 (en) | LCD Display | |
| KR100270468B1 (en) | A method of manufacturing a thin film device, an active matrix substrate, a liquid crystal display device, a method of manufacturing an active matrix substrate, and a method of preventing electrostatic breakdown of an active element included in a liquid crystal display device | |
| KR100241487B1 (en) | Active matrix type liquid crystal display device and method of correcting for defective pixel | |
| EP0629895B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| US5504348A (en) | Thin-film transistor array and liquid crystal display device using the thin-film transistor array | |
| KR0161050B1 (en) | Thin film transistor protection circuit and display device | |
| JPH0381737A (en) | Liquid crystal display device | |
| US6411348B2 (en) | Active matrix substrate and producing method of the same | |
| US5017984A (en) | Amorphous silicon thin film transistor array | |
| KR20040024666A (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| JPH01217325A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH04283729A (en) | Active matrix display device | |
| KR19990030141A (en) | Motherboards for displays and displays | |
| KR100336827B1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method of substrate of the liquid crystal display | |
| KR100314345B1 (en) | Manufacturing method of electrode wiring board, display device and active matrix liquid crystal display device using the same | |
| US20030133054A1 (en) | Substrate for display device and display device equipped therewith | |
| US20020036742A1 (en) | LCD device having scanning lines and common lines | |
| JPH09146112A (en) | Liquid crystal display element | |
| JP3807096B2 (en) | Active matrix substrate and electro-optical panel having the same | |
| US5227901A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2000164874A (en) | Thin-film transistor array substrate, manufacturing method for it, and liquid-crystal display device | |
| JP3200753B2 (en) | Thin film transistor panel | |
| JP3231410B2 (en) | Thin film transistor array and method of manufacturing the same | |
| JP3752824B2 (en) | Method for manufacturing active matrix substrate device, active matrix substrate device, and electro-optical panel including the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |