JPH09237435A - Optical recording medium - Google Patents
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に本発明は、ランド面およびグル
ーブ面の両方に記録情報の消去、書換機能を有し、情報
信号を高速かつ、高密度に記録可能な光ディスク、光カ
ード、光テープなどの書換可能相変化型光記録媒体に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to
The present invention relates to an optical information recording medium capable of recording, erasing, and reproducing information. Particularly, the present invention has a rewritable phase change type optical disk, optical card, optical tape or the like which has a function of erasing and rewriting recorded information on both the land surface and the groove surface, and can record information signals at high speed and high density. The present invention relates to an optical recording medium.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の書換可能型相変化光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これらの光記録媒体
は、Te、Ge、Sbの合金などを主成分とする記録層
を有している。記録時は結晶状態の記録層に集束したレ
ーザ光パルスを短時間照射し、記録層を部分的に溶融す
る。溶融した部分は熱拡散により急冷され、固化し、非
晶状態の記録マークが形成される。この記録マークの光
線反射率は、結晶状態より低く、光学的に記録信号とし
て再生可能である。2. Description of the Related Art The technology of the conventional rewritable phase change optical recording medium is as follows. These optical recording media have a recording layer whose main component is an alloy of Te, Ge and Sb. At the time of recording, a focused laser light pulse is irradiated to the recording layer in a crystalline state for a short time to partially melt the recording layer. The melted portion is quenched by thermal diffusion and solidified to form an amorphous recording mark. The light reflectance of this recording mark is lower than that of the crystalline state and can be reproduced optically as a recording signal.
【0003】さらに消去時には、記録マーク部分にレー
ザ光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによって非晶状態の記録マークを結晶
化し、もとの未記録状態に戻す。Further, at the time of erasing, the recording mark portion is irradiated with a laser beam and heated to a temperature not higher than the melting point of the recording layer and not lower than the crystallization temperature to crystallize the recording mark in an amorphous state, and the original unrecorded state. Return to.
【0004】これらTe合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形のビームによる高速のオーバーライトが可能で
ある(T.Ohta et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memor
y 1989 p49-50 )。これらの書換可能型相変化光記録媒
体として、光ディスクが例にあげられるが、光ディスク
の基板上にはあらかじめ溝が刻まれ、ランドとグルーブ
が形成されている。現在の一般的な光ディスクは、ラン
ド内もしくはグルーブ内のどちらか一方にのみレーザ光
が集光され、信号が記録、再生されている。[0004] These optical recording media having a Te alloy as a recording layer have a high crystallization speed, and high-speed overwriting with a circular beam is possible only by modulating the irradiation power (T. Ohta et al, Proc. .Int.Symp.on Optical Memor
y 1989 p49-50). An optical disk is an example of such a rewritable phase change optical recording medium, and a groove and a land and a groove are formed on a substrate of the optical disk in advance. In a current general optical disc, a laser beam is focused only on one of a land and a groove to record and reproduce a signal.
【0005】このような光ディスクの記録容量を増加さ
せるために、従来はランドもしくはグルーブの幅を狭く
してトラック間隔を詰めていた。ところが、トラック間
隔を詰めるとグルーブによる反射光の回折角が大きくな
るため、トラックに集光スポットを精度良く追従させる
ためのトラッキングエラー信号が低下するという問題点
がある。さらにランドやグルーブの幅を狭くすると記録
ピット幅も狭くなるので、再生信号の振幅低下という問
題が生じる。一方、記録容量を増加させるためにランド
とグルーブの両トラックに信号を記録する技術は知られ
ている(特公昭63−57859号公報)。しかし、ラ
ンドとグルーブの両トラックに信号を記録すると、(i)
隣接トラックからの信号の漏れ(クロストーク)が増大
して再生信号の劣化を生じ、誤り率が増加する、(ii)
ランドとグルーブとの再生信号振幅の差が大きくなりデ
ータ検出が困難になる、(iii)記録をする際に、すでに
記録してある隣接トラックの記録マークを消去してしま
う(クロスイレーズ)といった課題があった。In order to increase the recording capacity of such an optical disk, conventionally, the width of the land or groove is narrowed to close the track interval. However, if the track spacing is narrowed, the diffraction angle of the reflected light due to the groove becomes large, so that there is a problem that the tracking error signal for accurately causing the focused spot to follow the track is lowered. Further, when the width of the land or the groove is reduced, the width of the recording pit is also reduced, which causes a problem that the amplitude of the reproduced signal is reduced. On the other hand, a technique of recording a signal on both the land and groove tracks in order to increase the recording capacity is known (Japanese Patent Publication No. 63-57859). However, if signals are recorded on both the land and groove tracks, (i)
The signal leakage from adjacent tracks (crosstalk) increases and the reproduction signal deteriorates, increasing the error rate. (Ii)
There is a problem that the reproduction signal amplitude difference between the land and the groove becomes large, making it difficult to detect data. (Iii) When recording, erase the recorded marks of the adjacent tracks that have already been recorded (cross erase). was there.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の従来の光記録媒体の課題を解決し、ランド、グルーブ
の両トラックを用いた記録方法において、従来よりもト
ラックピッチを広くすることなく、クロストーク量を低
減するための特殊な光学系や信号処理回路を設けること
なくクロストーク量の低減をはかれ、ランドとグルーブ
の再生信号振幅がほぼ同じにでき、さらにクロスイレー
ズを低減できる光記録媒体を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the conventional optical recording medium, and to make the track pitch wider than the conventional one in the recording method using both the land and groove tracks. The crosstalk amount can be reduced without providing a special optical system or a signal processing circuit for reducing the crosstalk amount, and the reproduction signal amplitude of the land and the groove can be made almost the same, and further the cross erase can be reduced. An optical recording medium is provided.
【0007】本発明の別の目的は、記録感度が高く、か
つキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性に優れた
光記録媒体を提供することである。本発明のさらに別の
目的は、耐酸化性、耐湿熱性に優れ、長期の保存におい
ても欠陥の生じない長期寿命の光記録媒体を提供するこ
とである。Another object of the present invention is to provide an optical recording medium having high recording sensitivity and excellent recording characteristics such as carrier-to-noise ratio and erasing rate. Still another object of the present invention is to provide an optical recording medium which has excellent oxidation resistance and resistance to moist heat, and has a long service life that does not cause defects even during long-term storage.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、情報の記録お
よび消去が、非晶相と結晶相の間の相変化によって行わ
れ、ランドとグルーブの両方に記録を行う光記録媒体に
おいて、少なくとも記録層、誘電体層、反射層を有し、
ミラー部の結晶状態の反射率が15%より大きく、35
%以下であることを特徴とする光記録媒体に関するもの
である。The present invention provides at least an optical recording medium in which recording and erasing of information are performed by a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, and recording is performed on both lands and grooves. Has a recording layer, a dielectric layer, and a reflective layer,
The reflectivity in the crystalline state of the mirror part is higher than 15%,
% Or less, the present invention relates to an optical recording medium.
【0009】また、本発明は、情報の記録および消去
が、非晶相と結晶相の間の相変化によって行われ、ラン
ドとグルーブの両方に記録を行う光記録媒体において、
少なくとも記録層、誘電体層、反射層を有しミラー部の
非晶状態の反射率が10%以下であることを特徴とする
光記録媒体に関するものである。The present invention also provides an optical recording medium in which recording and erasing of information are performed by a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, and recording is performed on both lands and grooves.
The present invention relates to an optical recording medium having at least a recording layer, a dielectric layer, and a reflective layer, wherein the mirror portion has an amorphous reflectance of 10% or less.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下に、順を追って説明する。本
発明の光記録媒体では、記録感度が高く、信号のコント
ラストが高く、かつクロストークを減少させることがで
きる点から、ミラー部の結晶状態の反射率が15%より
大きく、35%以下であるように構成することが必要で
ある。ミラー部の結晶状態の反射率が、35%より大き
い場合には、記録感度が低くなり、記録、消去を行う光
の照射パワーが不足し、高速回転では記録がしにくくな
り、となりのトラックの記録部からのクロストークが増
大する。また、結晶部の反射率が15%以下の場合に
は、記録マークの非晶部との反射率差が小さく、再生時
の信号コントラストが小さくなる。これらの点を鑑みる
と、結晶状態のミラー部での反射率は15%より大き
く、30%以下であることが、より好ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The following description will be made step by step. In the optical recording medium of the present invention, since the recording sensitivity is high, the signal contrast is high, and the crosstalk can be reduced, the reflectance of the mirror portion in the crystalline state is higher than 15% and lower than 35%. Need to be configured. When the reflectance of the mirror portion in the crystalline state is higher than 35%, the recording sensitivity becomes low, the irradiation power of the light for recording and erasing becomes insufficient, and it becomes difficult to record at high speed rotation. Crosstalk from the recording unit increases. When the reflectance of the crystal portion is 15% or less, the difference in reflectance between the recording mark and the amorphous portion is small, and the signal contrast during reproduction is small. In view of these points, the reflectivity of the mirror portion in the crystalline state is more than 15% and more preferably 30% or less.
【0011】ここで、ミラー部とはグルーブ、プリピッ
トが形成されていない鏡面部分のことをいう。ミラー部
の反射率を測定することによって、光記録媒体上の反射
率をグルーブ、プリピットに影響されることなく正しく
測定することができる。Here, the mirror portion means a mirror surface portion on which no groove or prepit is formed. By measuring the reflectance of the mirror portion, the reflectance on the optical recording medium can be accurately measured without being affected by the grooves and prepits.
【0012】また、ミラー部の非晶状態の反射率は10
%以下であることが好ましい。ミラー部の非晶状態の反
射率が10%より大きい場合には、再生時に隣接トラッ
クの信号まで容易に読み出してしまい、クロストークが
増大して再生信号の劣化を生じ、結果的に誤り率が増加
する。また、ミラー部の非晶状態の反射率が、5%以上
であると、記録マークを形成したトラックのサーボが安
定することから、5%以上、10%以下が特に好まし
い。The reflectance of the mirror portion in the amorphous state is 10
% Or less is preferable. If the reflectivity of the mirror portion in the amorphous state is higher than 10%, the signals of the adjacent tracks are easily read during reproduction, crosstalk increases and the reproduction signal deteriorates, resulting in an error rate. To increase. Further, if the reflectance of the mirror portion in the amorphous state is 5% or more, the servo of the track on which the recording mark is formed is stable, so 5% or more and 10% or less are particularly preferable.
【0013】本発明の光記録媒体では、クロストークを
減少させることができる点から、グルーブ深さを再生光
の波長の1/7以上、1/5以下の光路長とすることが
好ましい。グルーブ深さが再生光の波長の1/7未満も
しくは1/5を越える光路長の場合は、クロストークが
大きくなり、正確な再生が困難になる。In the optical recording medium of the present invention, it is preferable to set the groove depth to an optical path length of ⅕ or more and ⅕ or less of the wavelength of the reproducing light from the viewpoint of reducing crosstalk. When the groove depth is an optical path length of less than 1/7 or more than 1/5 of the wavelength of the reproduction light, crosstalk becomes large and accurate reproduction becomes difficult.
【0014】また、ランドとグルーブの再生信号振幅を
同じにし、クロストークを低減するためには、非晶状態
の反射光と結晶状態の反射光との位相差を2nπ−π/
3以上、2nπ+π/3以下、もしくは、2nπ+2π
/3以上、2nπ+4π/3以下であるように構成する
ことが好ましい。前記範囲外の位相差であると、ランド
とグルーブとの振幅差が大きくなり、さらにクロストー
クも大きくなる。より好ましくは、位相差の絶対値が2
nπ−0.2π以上、2nπ+0.2π以下、もしく
は、2nπ+0.8π以上、2nπ+1.2π以下であ
る。2nπ+0.8π以上、2nπ+1.2π以下であ
ると、再生信号の振幅が特に大きくなるので、さらに好
ましい。ここで、上記のnは、整数を表す。In order to make the reproduction signal amplitudes of the land and the groove the same and reduce crosstalk, the phase difference between the reflected light in the amorphous state and the reflected light in the crystalline state is 2nπ−π /.
3 or more and 2nπ + π / 3 or less, or 2nπ + 2π
It is preferable that it is configured to be / 3 or more and 2nπ + 4π / 3 or less. If the phase difference is outside the above range, the amplitude difference between the land and the groove becomes large, and the crosstalk also becomes large. More preferably, the absolute value of the phase difference is 2
It is nπ−0.2π or more and 2nπ + 0.2π or less, or 2nπ + 0.8π or more and 2nπ + 1.2π or less. It is more preferable if it is 2nπ + 0.8π or more and 2nπ + 1.2π or less because the amplitude of the reproduction signal becomes particularly large. Here, the above n represents an integer.
【0015】第1、第2誘電体層の屈折率の値として
は、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トをとる点から1.5〜2.4が好ましい。屈折率の値
が1.5未満であると再生時の信号コントラストが十分
にとれず、また、屈折率の値が2.4より大きくなると
誘電体の膜厚に対する反射率の依存性が大きくなる。The value of the refractive index of the first and second dielectric layers is preferably 1.5 to 2.4 from the viewpoint of obtaining a signal contrast during reproduction due to an optical interference effect. When the value of the refractive index is less than 1.5, the signal contrast during reproduction cannot be sufficiently obtained, and when the value of the refractive index is more than 2.4, the dependency of the reflectance on the film thickness of the dielectric becomes large. .
【0016】第1誘電体層の厚さとしては、通常、基板
や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難
いことから、50nm以上が好ましい。また、製造コス
ト、および製造時の膜厚誤差を考慮すると、通常およそ
300nm以下が好ましい。The thickness of the first dielectric layer is preferably 50 nm or more because it is usually difficult to peel it from the substrate or the recording layer and cracks and other defects are less likely to occur. Further, considering the manufacturing cost and the film thickness error at the time of manufacturing, it is usually preferable that the thickness is about 300 nm or less.
【0017】反射率を制御する方法はどのような方法で
もよいが、例えば、第1誘電体層の屈折率と厚さで制御
することができる。ポリカーボネートやガラスのような
透明基板を用いると、基板の屈折率は約1.5、第1誘
電体層の屈折率は約1.5〜2.4であり、これらによ
る光学的な干渉効果により、ミラー部における結晶部の
反射率を15%より大きく、35%以下、ミラー部にお
ける非晶部の反射率を10%以下とするには、第1誘電
体層の光路長n1 ・d1 を下記の式で表される範囲内と
することが好ましい。Any method can be used to control the reflectance, and for example, it can be controlled by the refractive index and the thickness of the first dielectric layer. When a transparent substrate such as polycarbonate or glass is used, the refractive index of the substrate is about 1.5 and the refractive index of the first dielectric layer is about 1.5 to 2.4. In order to set the reflectance of the crystal portion in the mirror portion to more than 15% and 35% or less and the reflectance of the amorphous portion in the mirror portion to 10% or less, the optical path lengths n1 and d1 of the first dielectric layer are as follows. It is preferably within the range represented by the formula.
【0018】式(6) (N/4−0.1)λ≦n1 ・d1 ≦(N/4+0.
1)λ 1.5≦n1 ≦2.4 (ここで、n1 は第1誘電体層の屈折率、d1 は第1誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表す。
また、Nは1または3を表す。)Equation (6) (N / 4-0.1) λ≤n1.d1≤ (N / 4 + 0.
1) λ 1.5 ≤ n1 ≤ 2.4 (where n1 is the refractive index of the first dielectric layer, d1 is the thickness of the first dielectric layer (nm), and λ is the wavelength of light (nm). Represent
N represents 1 or 3. )
【0019】第2誘電体層の厚さは、通常1〜250n
m程度がよく用いられている。およそ1〜50nmとす
ることが、良好な消去率の得られる消去パワーの範囲が
広いことから好ましい。さらに好ましくは第2誘電体層
の光路長n2 ・d2 が下記の式で表される範囲内である
ことが好ましい。The thickness of the second dielectric layer is usually 1-250 n.
m is often used. The range of about 1 to 50 nm is preferable because the range of the erasing power with which a good erasing rate can be obtained is wide. More preferably, the optical path length n2.d2 of the second dielectric layer is within the range represented by the following formula.
【0020】式(7) λ(1/50)≦n2 ・d2 ≦λ(1/10) 1.5≦n2 ≦2.4 (ここで、n2 は第2誘電体層の屈折率、d2 は第2誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。) 式(7)においてn2 ・d2 がλ(1/50)より小さ
い、あるいはλ(1/10)より大きい範囲にある場
合、結晶部と非晶部のコントラストが非常に取りにくく
なる。さらに、λ(1/50)より小さい場合において
は繰り返し耐久性の低下が起こるため、上記の式で表さ
れる範囲内が好ましい。Equation (7) λ (1/50) ≦ n2 · d2 ≦ λ (1/10) 1.5 ≦ n2 ≦ 2.4 (where n2 is the refractive index of the second dielectric layer, and d2 is The thickness (nm) and λ of the second dielectric layer represent the wavelength (nm) of light.) In the formula (7), n2 · d2 is smaller than λ (1/50), or λ (1/10) In the case of a large range, it becomes very difficult to obtain the contrast between the crystal part and the amorphous part. Further, when it is smaller than λ (1/50), repeated durability is deteriorated, so that it is preferably within the range represented by the above formula.
【0021】また、急冷構成にしやすく結果的に繰り返
し耐久性が向上するので、基板/第1誘電体層/記録層
/第2誘電体層/反射層の4層構成にすることが好まし
い。Further, it is preferable to have a four-layer structure of substrate / first dielectric layer / recording layer / second dielectric layer / reflection layer because a rapid cooling structure is easy and repeated durability is improved as a result.
【0022】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも2つの状態をとり得るTeを主成分と
するカルコゲン化合物などである。本発明の記録層とし
て、特に限定するものではないが、Ge−Sb−Te合
金、Pd−Ge−Sb−Te合金、Nb−Ge−Sb−
Te合金、Pt−Ge−Sb−Te合金、Au−Ge−
Sb−Te合金、Ag−Ge−Sb−Te合金、Ni−
Ge−Sb−Te合金、Co−Ge−Sb−Te合金、
Pd−Nb−Ge−Sb−Te合金、In−Sb−Te
合金、Ag−In−Sb−Te合金、In−Se合金な
どがある。多数回の記録の書換が可能であることから、
Pd−Ge−Sb−Te合金、Nb−Ge−Sb−Te
合金、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合金、Ni−Ge
−Sb−Te合金、Ge−Sb−Te合金、Co−Ge
−Sb−Te合金が好ましい。特にPd−Ge−Sb−
Te合金、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合金は、消去
時間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰り返しが可能
であり、C/N、消去率などの記録特性に優れることか
ら好ましく、とりわけ、Pd−Nb−Ge−Sb−Te
合金が、前述の特性に優れることからより好ましい。以
下の式などのように記録層を設定することによって、多
数回の記録の書換えが可能になることから好ましい。The material of the recording layer of the present invention is a chalcogen compound containing Te as a main component which can be in at least two states of a crystalline state and an amorphous state. The recording layer of the present invention is not particularly limited, but Ge-Sb-Te alloy, Pd-Ge-Sb-Te alloy, Nb-Ge-Sb-
Te alloy, Pt-Ge-Sb-Te alloy, Au-Ge-
Sb-Te alloy, Ag-Ge-Sb-Te alloy, Ni-
Ge-Sb-Te alloy, Co-Ge-Sb-Te alloy,
Pd-Nb-Ge-Sb-Te alloy, In-Sb-Te
Alloy, Ag-In-Sb-Te alloy, In-Se alloy, and the like. Because the record can be rewritten many times,
Pd-Ge-Sb-Te alloy, Nb-Ge-Sb-Te
Alloy, Pd-Nb-Ge-Sb-Te alloy, Ni-Ge
-Sb-Te alloy, Ge-Sb-Te alloy, Co-Ge
-Sb-Te alloy is preferred. Especially Pd-Ge-Sb-
Te alloys and Pd-Nb-Ge-Sb-Te alloys are preferable because they have a short erasing time, can be repeatedly recorded and erased many times, and have excellent recording characteristics such as C / N and erasing rate. In particular, Pd-Nb-Ge-Sb-Te
The alloy is more preferable because it has excellent properties described above. Setting the recording layer according to the following formula or the like is preferable because the recording can be rewritten many times.
【0023】式(8) Mα (Sbx Te1-x )1-y-α (Ge0.5 Te0.5 )
y 0.4≦x≦0.6 0.3≦y≦0.5 0≦α≦0.05 (ここで、x、y、αはモル比を表す。MはPd、N
b、Pt、Au、Ag、Ni、Coの少なくとも1種を
含む。) さらに、yの値が0.3以上、0.4以下が書換時の繰
り返し耐久性が高く、非晶状態の熱安定性が高いことか
らより好ましい。αの値としては、0.001以上0.
01以下が、結晶化速度が速く、繰り返し耐久性が高
く、非晶状態の熱安定性が高いことからより好ましい。Formula (8) M α (Sb x Te 1-x ) 1-y-α (Ge 0.5 Te 0.5 )
y 0.4 ≦ x ≦ 0.6 0.3 ≦ y ≦ 0.5 0 ≦ α ≦ 0.05 (where x, y, and α represent molar ratios; M is Pd, N
At least one of b, Pt, Au, Ag, Ni, and Co is included. Further, it is more preferable that the value of y is 0.3 or more and 0.4 or less since the repetition durability at the time of rewriting is high and the thermal stability in an amorphous state is high. The value of α is 0.001 or more.
A value of 01 or less is more preferable because the crystallization speed is high, the repetition durability is high, and the thermal stability in an amorphous state is high.
【0024】記録層の厚さとしては10〜40nmであ
る。10nm以下では、結晶状態と非晶状態の反射率の
コントラストが十分に取れない。また、記録層の厚さが
40nm以上では、記録層の熱伝導率が大きくなるため
に、結果的にクロスイレ−ズが悪くなる。The thickness of the recording layer is 10 to 40 nm. If the thickness is less than 10 nm, the contrast between the crystalline state and the amorphous state cannot be sufficiently contrasted. Further, when the thickness of the recording layer is 40 nm or more, the thermal conductivity of the recording layer becomes large, resulting in poor cross erase.
【0025】本発明の光記録媒体では、グルーブ溝の傾
斜部の幅が0.2μm以下であると、グルーブ溝が矩形
状に近くなり、傾斜部分で記録した際の熱を遮断し、ク
ロスイレーズ耐久性が向上するので好ましい。ただし、
グルーブ溝の傾斜部の幅が0.05μm未満であると、
基板成形の際、スタンパーから基板を剥離し難くなる。In the optical recording medium of the present invention, if the width of the inclined portion of the groove groove is 0.2 μm or less, the groove groove becomes close to a rectangular shape, and heat at the time of recording at the inclined portion is cut off, and cross erase is performed. It is preferable because durability is improved. However,
When the width of the inclined portion of the groove groove is less than 0.05 μm,
When the substrate is molded, it becomes difficult to peel the substrate from the stamper.
【0026】本発明の光記録媒体のトラックピッチは、
λ/NA(λは記録再生光波長、NAはレンズ開口数)
未満にすると、クロスイレーズを避けることができな
い。また、1.5・λ/NAを越えると、トラックピッ
チが広くなり高密度記録の意味をなさないので、トラッ
クピッチは、この間の範囲におさめることが好ましい。
また、トラックピッチに対するランドおよびグルーブの
平坦部の割合は、0.2以上、0.6以下が好ましい。
この範囲外の場合は、ランドとグルーブの平坦部の幅が
大きく異なり、結果的にランドとグルーブとの再生信号
の振幅が大きく異なることになるか、もしくは、グルー
ブ溝の傾斜部の幅が広く上記の効果を損なうことを意味
する。また、より好ましくは0.3以上、0.5以下で
ある。The track pitch of the optical recording medium of the present invention is
λ / NA (λ is the recording / reproducing light wavelength, NA is the lens numerical aperture)
If it is less than this, cross erase cannot be avoided. Further, if it exceeds 1.5 · λ / NA, the track pitch becomes wide and does not make sense for high-density recording. Therefore, it is preferable to keep the track pitch within the range.
Further, the ratio of the land and groove flat portions to the track pitch is preferably 0.2 or more and 0.6 or less.
Outside this range, the width of the flat portion of the land and the groove is largely different, and as a result, the amplitude of the reproduction signal between the land and the groove is significantly different, or the width of the inclined portion of the groove groove is wide. It means impairing the above effects. Further, it is more preferably 0.3 or more and 0.5 or less.
【0027】記録マークの幅としては再生信号振幅を大
きくとる点から、ランド、グルーブ部の記録マークの幅
は、それぞれ、ランド、グルーブ部の平坦部の幅の1/
2以上であることが好ましい。また、マークの幅が大き
くなりクロスイレーズが発生することを防ぐ点から、ラ
ンド、グルーブ部の記録マークは、それぞれ、ランド、
グルーブ部の平坦部の幅未満にすることが好ましい。The width of the recording mark in the land and groove portions is 1 / the width of the flat portion in the land and groove portions, respectively, since the reproduction signal amplitude is large as the width of the recording mark.
It is preferably two or more. Further, in order to prevent the cross erase from occurring due to the increased width of the mark, the recording marks of the land and the groove portion are the land,
It is preferable that the width is less than the width of the flat portion of the groove portion.
【0028】本発明の基板の材料としては、一般的な透
明な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほ
こり、基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を
用い、集束した光ビームで基板側から記録を行なうこと
が好ましく、この様な透明基板材料としては、ガラス、
ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリ
オレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが
あげられる。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小
さく、成形が容易であることからポリカーボネート樹
脂、アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。As the material of the substrate of the present invention, various general transparent synthetic resins, transparent glass and the like can be used. In order to avoid the effects of dust and scratches on the substrate, it is preferable to use a transparent substrate and perform recording from the substrate side with a focused light beam.As such a transparent substrate material, glass,
Examples thereof include polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyolefin resin, epoxy resin, and polyimide resin. In particular, a polycarbonate resin and an amorphous polyolefin resin are preferable because they have a small optical birefringence, a small hygroscopicity, and easy molding.
【0029】基板の厚さとしては、下記の式で表せられ
る範囲内にあることが好ましい。◎ 式(9) 0.01≦(NA)3 ・d≦0.2 ここで、NAは対物レンズの開口数、dは基板厚み(m
m)である。The thickness of the substrate is preferably within the range represented by the following formula. ◎ Equation (9) 0.01 ≦ (NA) 3 · d ≦ 0.2 where NA is the numerical aperture of the objective lens and d is the substrate thickness (m
m).
【0030】コマ収差はNAの3乗と基板厚みdの積に
比例するので、上記の式の値が0.2より大きいと、デ
ィスクのチルトの影響を受け易くなり、結果的に、記録
密度をあげにくくなり、上記の式の値が、0.01未満
では、基板側から集束した光ビームで記録する場合で
も、ごみや傷などの影響を受け易くなる。Since the coma aberration is proportional to the product of the cube of NA and the substrate thickness d, if the value of the above equation is larger than 0.2, the disc tilt is apt to be influenced, resulting in the recording density. When the value of the above equation is less than 0.01, the image is easily affected by dust or scratches even when recording with a light beam focused from the substrate side.
【0031】基板はフレキシブルなものであっても良い
し、リジットなものであってもよい。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
2枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合せ構造としてもよい。The substrate may be flexible or rigid. The flexible substrate is used in the form of a tape, a sheet, or a card. The rigid board is used in the form of a card or disk. In addition, these substrates, after forming the recording layer,
Using two substrates, an air sandwich structure, an air incident structure, or a close bonding structure may be used.
【0032】本発明において誘電体層は、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。この誘電体層としては、Zn
S、SiO2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの
無機薄膜があげられる。特にZnSの薄膜、Si、G
e、Al、Ti、Zr、Taなどの金属の酸化物の薄
膜、Si、Alなどの窒化物の薄膜、Ti、Zr、Hf
などの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の膜が、耐熱性
が高いことから好ましい。これら上記の薄膜の屈折率は
1.5以上、2.4以下である。また、これらに炭素
や、MgF2 などのフッ化物を混合したものも、膜の残
留応力が小さいことから好ましく使用される。特にZn
SとSiO2 の混合膜あるいは、ZnSとSiO2 と炭
素の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録
感度、キャリア対ノイズ比(C/N)および消去率(記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差)などの劣化
が起きにくいことから好ましい。カルコゲン化合物と酸
化物と炭素の組成比は、特に限定されないが、誘電体層
の内部応力の低減効果の大きい点からは、SiO2 15
〜35モル%、炭素1〜15モル%であることが、さら
に好ましい。In the present invention, the dielectric layer has an effect of protecting the substrate and the recording layer from heat, such as preventing the substrate and the recording layer from being deformed by heat during recording and deteriorating the recording characteristics, and an optical interference effect. This has the effect of improving the signal contrast during reproduction. As the dielectric layer, Zn
Inorganic thin films such as S, SiO 2 , silicon nitride, and aluminum oxide can be used. Especially ZnS thin film, Si, G
e, Al, Ti, Zr, Ta, and other metal oxide thin films, Si, Al, and other nitride thin films, Ti, Zr, and Hf.
Thin films of carbides such as and films of these compounds are preferable because they have high heat resistance. The refractive index of these thin films is 1.5 or more and 2.4 or less. Further, a mixture of carbon and a fluoride such as MgF 2 is also preferably used because the residual stress of the film is small. Especially Zn
A mixed film of S and SiO 2 or a mixed film of ZnS, SiO 2 and carbon can be used for recording sensitivity, carrier-to-noise ratio (C / N) and erasing rate (after recording and after erasing) by repeating recording and erasing. This is preferable because deterioration such as difference in reproduced carrier signal strength is unlikely to occur. The composition ratio of the chalcogen compound, the oxide and the carbon is not particularly limited, but in view of the large effect of reducing the internal stress of the dielectric layer, SiO 2 15
It is more preferable that the content is ˜35 mol% and carbon is 1 to 15 mol%.
【0033】反射層の材質としては、光反射性を有する
Al、Auなどの金属、これらを主成分とし、Ti、C
r、Hfなどの添加元素を含む合金及びAl、Auなど
の金属にAl、Siなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。Al、Auなどの金属、及びこれらを主
成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高
くでき、記録時の熱を素早く拡散できるため、結果的
に、クロスイレーズを小さくできることから好ましい。
前述の合金の例としては、AlにSi、Mg、Cu、P
d、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mnなどの少なく
とも1種の元素を合計で5原子%以下、1原子%以上加
えたもの、あるいは、AuにCr、Ag、Cu、Pd、
Pt、Niなどの少なくとも1種の元素を合計で1原子
%以上、20原子%以下加えたものなどがあげられる。
特に、材料の価格が安いことから、AlもしくはAlを
主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食性が良
好なことから、AlにTi、Cr、Ta、Hf、Zr、
Mn、Pdから選ばれる少なくとも1種以上の金属を合
計で0.5原子%以上、5原子%以下添加した合金が好
ましい。さらに、耐腐食性が良好でかつヒロックなどの
発生が起こりにくいことから、添加元素を合計で0.5
原子%以上、3原子%未満含む、Al−Hf−Pd合
金、Al−Hf合金、Al−Ti合金、Al−Ti−H
f合金、Al−Cr合金、Al−Ta合金、Al−Ti
−Cr合金、Al−Si−Mn合金のいずれかのAlを
主成分とする合金で構成することが好ましい。これらA
l合金のうちでも、次式で表される組成を有するAl−
Hf−Pd合金は、特に優れた熱安定性を有するため、
多数回の記録、消去を繰り返しにおいて、記録特性の劣
化を少なくすることができる。As the material of the reflective layer, a metal such as Al or Au having light reflectivity, containing Ti or C as a main component, is used.
Examples include alloys containing additional elements such as r and Hf, and metals such as Al and Au mixed with metal compounds such as metal nitrides such as Al and Si, metal oxides and metal chalcogenides. Metals such as Al and Au and alloys containing these as the main components have high light reflectivity and high thermal conductivity, and can quickly diffuse the heat during recording, and as a result, cross erase can be reduced. Is preferred.
Examples of the above alloys include Al, Si, Mg, Cu and P.
At least one element such as d, Ti, Cr, Hf, Ta, Nb, and Mn added in a total amount of 5 atomic% or less and 1 atomic% or more, or Au, Cr, Ag, Cu, Pd,
Examples thereof include those in which at least one element such as Pt or Ni is added in a total amount of 1 atom% or more and 20 atom% or less.
In particular, Al or an alloy containing Al as a main component is preferable because the price of the material is low. Above all, Al, Ti, Cr, Ta, Hf, Zr,
An alloy in which at least one metal selected from Mn and Pd is added in a total amount of 0.5 atom% or more and 5 atom% or less is preferable. Furthermore, since the corrosion resistance is good and the occurrence of hillocks is unlikely to occur, the total amount of additive elements is 0.5
Al-Hf-Pd alloy, Al-Hf alloy, Al-Ti alloy, Al-Ti-H containing at least 3 atomic%
f alloy, Al-Cr alloy, Al-Ta alloy, Al-Ti
It is preferable to be composed of any one of a -Cr alloy and an Al-Si-Mn alloy containing Al as a main component. These A
Among the alloys, Al- having the composition represented by the following formula:
Hf-Pd alloy has particularly excellent thermal stability,
By repeating recording and erasing a large number of times, it is possible to reduce deterioration of recording characteristics.
【0034】Pdj Hfk Al1-j-k 0.001<j<0.01 0.005<k<0.1 ここで、j、kは各元素の原子の数(各元素のモル数)
を表す。Pd j Hf k Al 1-jk 0.001 <j <0.01 0.005 <k <0.1 where j and k are the number of atoms of each element (the number of moles of each element)
Represents
【0035】上述した反射層の厚さとしては、いずれの
合金からなる場合にもおおむね10nm以上200nm
以下、さらに好ましくは50〜200nmとするのが好
ましい。The thickness of the above-mentioned reflective layer is about 10 nm or more and 200 nm regardless of which alloy is used.
Hereafter, it is more preferably 50 to 200 nm.
【0036】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。Examples of the light source used for recording on the optical recording medium of the present invention include high-intensity light sources such as laser light and strobe light. Particularly, the semiconductor laser light can be miniaturized and has low power consumption. It is preferable because it can be easily modulated.
【0037】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、1回の光ビームの照射により書換を行う1
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。Recording is performed by irradiating a crystalline recording layer with a laser light pulse or the like to form an amorphous recording mark. Alternatively, a recording mark in a crystalline state may be formed on a recording layer in an amorphous state. Erasure can be performed by irradiating a laser beam to crystallize an amorphous recording mark or to amorphize a crystalline recording mark. Since the recording speed can be increased and the recording layer is hardly deformed, it is preferable to form an amorphous recording mark during recording and crystallize during erasing. Further, the light intensity is high at the time of forming the recording mark and slightly weak at the time of erasing, and rewriting is performed by irradiating the light beam once.
Beam overwrite is preferable because it takes less time to rewrite.
【0038】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層を基板上に形成する方法と
しては、一般的な真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法など
があげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易で
あることから、スパッタリング法が好ましい。形成する
記録層などの厚さの制御は、一般的な技術である水晶振
動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。Next, a method of manufacturing the optical recording medium of the present invention will be described. Examples of the method for forming the reflective layer and the recording layer on the substrate include a general thin film forming method in vacuum, such as a vacuum vapor deposition method, an ion plating method and a sputtering method. In particular, the sputtering method is preferable because the composition and the film thickness can be easily controlled. The thickness of the recording layer to be formed can be easily controlled by monitoring the deposition state with a crystal oscillator film thickness meter which is a general technique.
【0039】記録層などの形成は、基板を固定したまま
の状態、あるいは、移動、回転した状態のどちらで行っ
ても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板
を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わせる
ことが、より好ましい。The recording layer and the like may be formed either with the substrate fixed, or with the substrate moved or rotated. The substrate is preferably rotated on its own because of excellent in-plane uniformity of the film thickness, and more preferably combined with revolution.
【0040】本発明の光記録媒体の好ましい層構成とし
て、透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/
反射層をこの順に積層するものがあげられる。但しこれ
に限定されるものではなく、本発明の効果を著しく損な
わない範囲において、反射層などを形成した後、傷、変
形の防止などのため、ZnS、SiO2 などの誘電体層
あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に
応じて設けることができる。光は透明基板側から入射す
るものとする。また、反射層などを形成した後、あるい
はさらに前述の樹脂保護層を形成した後、2枚の基板を
対向して、接着剤で張り合わせてもよい。A preferred layer structure of the optical recording medium of the present invention is: transparent substrate / first dielectric layer / recording layer / second dielectric layer /
One in which a reflective layer is laminated in this order is exemplified. However, the present invention is not limited to this, and a dielectric layer such as ZnS or SiO 2 or an ultraviolet curable layer may be formed after the formation of a reflective layer or the like to prevent scratches and deformation, as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. A resin protective layer such as a resin can be provided as necessary. Light enters from the transparent substrate side. After the formation of the reflective layer or the like, or after the formation of the above-mentioned resin protective layer, the two substrates may be bonded to each other with an adhesive.
【0041】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
結晶化させておくことが好ましい。The recording layer is preferably crystallized by irradiation with laser light, light from a xenon flash lamp, or the like before actually recording.
【0042】[0042]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 (分析,測定方法)反射層、記録層の組成は、ICP発
光分析(セイコー電子工業(株)製)により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率(記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差)、クロストーク、クロス
イレーズは、記録に用いるドライブ装置、もしくはこれ
と同等の光ヘッド(レーザ波長、対物レンズのNA)を
有するドライブを用い、スペクトラムアナライザにより
測定した。EXAMPLES The present invention will be described below based on examples. (Analysis and Measurement Method) The compositions of the reflective layer and the recording layer were confirmed by ICP emission analysis (manufactured by Seiko Instruments Inc.).
The carrier-to-noise ratio and erasing rate (difference in reproduced carrier signal intensity after recording and after erasing), crosstalk, and cross-erase are the drive device used for recording, or an optical head equivalent to this (laser wavelength, objective lens It measured by the spectrum analyzer using the drive which has (NA).
【0043】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。The film thickness during the formation of the recording layer, the dielectric layer and the reflective layer was monitored by a crystal oscillator film thickness meter. The thickness of each layer was measured by observing the cross section with a scanning or transmission electron microscope.
【0044】また、ミラー部の反射率は、ディスク上の
ミラー部を分光光度計により測定することにより、また
は、記録に用いるドライブ装置、もしくはこれと同等の
光ヘッド(レーザ波長、対物レンズのNA)を有するド
ライブを用い、プリピット中のミラー部の再生光の反射
レベルをオシロスコープで観察することにより測定し
た。The reflectance of the mirror section is measured by measuring the mirror section on the disk with a spectrophotometer, or a drive unit used for recording, or an optical head equivalent to this (laser wavelength, NA of objective lens). Was measured by observing the reflection level of the reproduction light of the mirror portion in the prepit with an oscilloscope.
【0045】(実施例1)厚さ0.6mm、溝深さ72
nm、直径12cm、1.4μmピッチ(ランド平坦部
0.55μm、グルーブ平坦部0.55μm、案内溝斜
面部0.15μm)のスパイラルグルーブ付きポリカー
ボネート製基板を毎分30回転で回転させながら、高周
波スパッタ法により、記録層、誘電体層、反射層を形成
した。(Example 1) Thickness 0.6 mm, groove depth 72
nm, diameter 12 cm, 1.4 μm pitch (land flat part 0.55 μm, groove flat part 0.55 μm, guide groove slope part 0.15 μm), while rotating the substrate made of polycarbonate with spiral groove at 30 rpm, The recording layer, the dielectric layer, and the reflective layer were formed by the sputtering method.
【0046】まず、真空容器内を1×10-3Paまで排
気した後、2×10-1PaのArガス零囲気中でSiO
2 を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上
に膜厚100nmの第1誘電体層を形成した。続いて、
Pd、Nb、Ge、Sb、Teからなる合金ターゲット
をスパッタして、組成Nb0.45Pd0.05Ge19.0Sb
25.5Te55.0の膜厚25nmの記録層を形成した。さら
に第1誘電体層と同様にして第2誘電体層を15nm形
成し、この上に、Al98.1Hf1.7 Pd0.2 合金をスパ
ッタして膜厚150nmの反射層を形成した。First, the inside of the vacuum vessel was evacuated to 1 × 10 -3 Pa, and then SiO 2 in an atmosphere of 2 × 10 -1 Pa of zero Ar gas.
ZnS containing 20 mol% of 2 was sputtered to form a 100-nm-thick first dielectric layer on the substrate. continue,
An alloy target composed of Pd, Nb, Ge, Sb, and Te is sputtered to form a composition Nb 0.45 Pd 0.05 Ge 19.0 Sb.
A recording layer having a thickness of 25 nm of 25.5 Te 55.0 was formed. A second dielectric layer having a thickness of 15 nm was formed in the same manner as the first dielectric layer, and an Al 98.1 Hf 1.7 Pd 0.2 alloy was sputtered thereon to form a reflective layer having a thickness of 150 nm.
【0047】このディスクを真空容器から取り出した
後、反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂をスピンコー
トし、紫外線を照射して硬化させ、厚さ10μmの樹脂
層を形成し本発明の光記録媒体を得た。さらに、同様に
作成したディスクとホットメルト接着剤で張り合わせ両
面ディスクを作成した。この光記録媒体に波長830n
mの半導体レーザのビームでディスク全面の記録層を結
晶化し初期化した。After the disk was taken out of the vacuum container, an acrylic ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer and irradiated with ultraviolet rays to be cured to form a resin layer having a thickness of 10 μm to form an optical recording medium of the present invention. Got Further, a disk prepared in the same manner was laminated with a hot melt adhesive to prepare a double-sided disk. This optical recording medium has a wavelength of 830n.
The recording layer on the entire surface of the disk was crystallized and initialized by the beam of the semiconductor laser of m.
【0048】結晶部と非晶部の反射率をミラー部で測定
したところ、結晶部では、27%、非晶部では8%の反
射率であった。また、各層の屈折率および膜厚から結晶
部と非晶部の再生光の反射光の位相差を計算したとこ
ろ、位相差は0.1π((非晶部の反射光の位相)−
(結晶部の反射光の位相))であった。When the reflectance of the crystal part and the amorphous part was measured by the mirror part, the reflectance was 27% in the crystal part and 8% in the amorphous part. Further, when the phase difference between the reflected light of the reproduction light of the crystal part and the amorphous part was calculated from the refractive index and the film thickness of each layer, the phase difference was 0.1π ((phase of the reflected light of the amorphous part)-
(The phase of the reflected light of the crystal part)).
【0049】次に、ランドとグルーブのそれぞれに線速
度4.4m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.6、
半導体レーザの波長680nmの光学ヘッドを使用し、
エッジ記録で、1−7RLLCの2Tw相当(Twはウ
ィンドウ幅)の記録マーク(再生時の周波数4.2MH
z)が形成できるように、一般的なパルス分割を用い、
ピークパワー7〜15mW、ボトムパワー2〜6mWの
各条件に変調した半導体レーザを用い、100回オーバ
ーライト記録した後、再生パワー1.2mWの半導体レ
ーザを照射してバンド幅30kHzの条件でC/Nを測
定した。さらにこの部分を7Tw(1.2MHz)で、
先と同様に変調した半導体レーザを照射し、ワンビーム
・オーバーライトし、この時の2Twの消去率を測定し
た。Next, the numerical aperture of the objective lens was 0.6, and the linear velocity of each of the land and the groove was 4.4 m / sec.
Using an optical head with a wavelength of 680 nm of a semiconductor laser,
In edge recording, a recording mark equivalent to 2Tw of 1-7RLLC (Tw is a window width) (frequency 4.2 MHz during reproduction)
z) can be formed using general pulse splitting,
A semiconductor laser modulated to each of a peak power of 7 to 15 mW and a bottom power of 2 to 6 mW was used to perform overwriting recording 100 times, and then a semiconductor laser having a reproduction power of 1.2 mW was irradiated to C / C under a condition of a bandwidth of 30 kHz. N was measured. Furthermore, this part is 7Tw (1.2MHz),
A semiconductor laser modulated in the same manner as above was irradiated, one-beam overwriting was performed, and the erasing rate of 2 Tw at this time was measured.
【0050】ランド、グルーブともピークパワー9mW
以上で実用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、各
ピークパワーでのランドとグルーブのC/Nの差は1d
B未満でほとんど変わりが無かった。また、消去率に関
しても、ランド、グルーブともボトムパワー3〜5mW
で実用上十分な20dB以上、最大30dBの消去率が
得られた。Peak power of 9 mW for both land and groove
With the above, practically sufficient C / N of 50 dB or more was obtained, and the difference between the C / N of land and groove at each peak power was 1 d.
Below B, there was almost no change. As for the erasing rate, the bottom power is 3 to 5 mW for both land and groove.
As a result, an erasing rate of 20 dB or more, which is practically sufficient, and a maximum of 30 dB was obtained.
【0051】次に、グルーブ(もしくはランド)に記録
した信号強度と、記録したトラックの隣の信号の書かれ
ていないランド(もしくはグルーブ)の再生信号の差を
クロストーク量と定義して測定した。Next, the difference between the signal strength recorded in the groove (or land) and the reproduction signal of the land (or groove) next to the recorded track in which the signal is not written is defined as the crosstalk amount and measured. .
【0052】ランドに周波数4.2MHz、ボトムパワ
ーを4.5mWにしてピークパワー9〜15mWの各条
件に変調した半導体レーザで100回オーバーライト記
録した後、隣接したグルーブに再生パワー1.2mWの
半導体レーザを照射してバンド幅30kHzの条件で測
定したところ、―30〜−27dBの実用上充分なクロ
ストークが得られた。また、グルーブに同様の条件で1
00回オーバーライト記録した後、隣接したランドのク
ロストークを測定したところ、グルーブと同様の特性が
得られた。After overwriting recording 100 times with a semiconductor laser modulated to each condition of a peak power of 9 to 15 mW with a frequency of 4.2 MHz and a bottom power of 4.5 mW on a land, a reproducing power of 1.2 mW was formed on an adjacent groove. When irradiated with a semiconductor laser and measured under the condition of a bandwidth of 30 kHz, a practically sufficient crosstalk of -30 to -27 dB was obtained. Also, under the same conditions for the groove, 1
After the overwrite recording was performed 00 times, the crosstalk of the adjacent land was measured, and the same characteristics as those of the groove were obtained.
【0053】また、グルーブ(もしくはランド)に、ピ
ークパワー10mW、ボトムパワーを4.5mWの条件
に変調した半導体レーザーで、周波数4.2MHzの信
号を100回オーバーライトした時のC/Nと、隣接ト
ラックである両ランド(もしくはグルーブ)に、同様に
変調した半導体レーザーで周波数1.2MHzの信号を
10000回オーバーライトした後、先に記録したグル
ーブ(もしくはランド)とのC/Nを比較し、この減少
量をクロスイレーズ量と定義し測定したところ、1dB
未満でほとんど変化がなかった。Further, with a semiconductor laser in which a groove (or land) is modulated with a peak power of 10 mW and a bottom power of 4.5 mW, a C / N when a signal having a frequency of 4.2 MHz is overwritten 100 times, After overwriting the land (or groove) which is the adjacent track with a signal of 1.2 MHz frequency by the semiconductor laser similarly modulated, the C / N with the previously recorded groove (or land) is compared. When this reduction amount is defined as the cross erase amount and measured, it is 1 dB.
There was little change below.
【0054】また、上記の構成と全く同じ光記録媒体を
作成し、ピークパワー10mW、ボトムパワーを4.5
mWの条件で8Tw(1.1MHz)相当の記録マーク
を記録し、透過型電子顕微鏡で観察したところ、ランド
・グルーブともマークの幅は0.46μmであり、ラン
ド・グルーブの平坦部の84%であった。An optical recording medium having the same structure as the above was prepared, and the peak power was 10 mW and the bottom power was 4.5.
When a recording mark corresponding to 8 Tw (1.1 MHz) was recorded under the condition of mW and observed with a transmission electron microscope, the width of both the land and the groove was 0.46 μm, which was 84% of the flat portion of the land and the groove. Met.
【0055】さらに、この光記録媒体を80℃、相対湿
度80%の環境に1000時間置いた後、記録部分を再
生したが、C/Nの変化は2dB未満でほとんど変化が
なかった。Furthermore, after the optical recording medium was left in an environment of 80 ° C. and 80% relative humidity for 1000 hours, the recorded portion was reproduced, but the change in C / N was less than 2 dB, and there was almost no change.
【0056】(実施例2)第1誘電体層の厚さを85n
m、記録層の厚さを22nm、第2誘電体層の厚さを1
0nm、反射層の厚さを100nmとした他は、実施例
1と同様に光記録媒体を作製した。(Example 2) The thickness of the first dielectric layer is 85n.
m, the thickness of the recording layer is 22 nm, and the thickness of the second dielectric layer is 1
An optical recording medium was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the reflective layer was 0 nm and the thickness of the reflective layer was 100 nm.
【0057】結晶部と非晶部の反射率をミラー部で測定
したところ、結晶部では、21%、非晶部では6%の反
射率であった。また、各層の屈折率および膜厚から結晶
部と非晶部の再生光の反射光の位相差を計算したとこ
ろ、位相差はπ((非晶部の反射光の位相)−(結晶部
の反射光の位相))であった。When the reflectivity of the crystal part and the amorphous part was measured by the mirror part, the reflectivity was 21% in the crystal part and 6% in the amorphous part. Further, when the phase difference between the reflected light of the reproduction light of the crystal part and the amorphous part is calculated from the refractive index and the film thickness of each layer, the phase difference is π ((phase of the reflected light of the amorphous part)-(of the crystal part The phase of reflected light)).
【0058】このディスクのランドとグルーブの両方に
線速度5.8m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.
6、半導体レーザの波長680nmの光学ヘッドを使用
し、エッジ記録で、8/16(EFMプラス)変調方式
の最短マーク(3Tw)に相当する記録マーク(再生時
の周波数4.7MHz)形成できるようにパルス分割を
用い、実施例1と同様にC/Nを測定した。さらに、こ
の部分を再生時の周波数1.3MHz(11Tw)で、
先と同様に変調した半導体レーザーを照射し、ワンビー
ムオーバーライトし、3Twの消去率を測定した。Under the condition that the linear velocity is 5.8 m / sec for both the land and the groove of this disc, the numerical aperture of the objective lens is 0.
6. Using an optical head with a wavelength of 680 nm of a semiconductor laser, it is possible to form a recording mark (frequency of 4.7 MHz during reproduction) corresponding to the shortest mark (3 Tw) of 8/16 (EFM plus) modulation method by edge recording. C / N was measured in the same manner as in Example 1 using pulse division. Furthermore, this frequency is 1.3MHz (11Tw) at the time of reproduction,
Irradiation was performed with a semiconductor laser modulated in the same manner as above, one-beam overwriting was performed, and an erasing rate of 3 Tw was measured.
【0059】ランド、グルーブともにピークパワー9.
0mW以上で実用上十分な50dB以上、最大57dB
のC/Nが得られた。各ピークパワーでランドとグルー
ブのC/Nの差は1dB未満でほとんど差がなかった。
また、消去率に関しても、ピークパワー10.5mWに
おいて、実施例1と同様な値が得られた。Peak power of land and groove 9.
50 dB or more, practically sufficient at 0 mW or more, 57 dB maximum
Of C / N was obtained. At each peak power, the C / N difference between the land and the groove was less than 1 dB, and there was almost no difference.
Regarding the erasing rate, the same value as in Example 1 was obtained at a peak power of 10.5 mW.
【0060】クロストークの測定は、記録周波数を4.
7MHz、ピークパワーを10.5mWとした他は、実
施例1と同様な測定を行った。そのところ、実施例1と
同様な−30dB〜−27dBの十分に小さいクロスト
ークが得られた。The crosstalk was measured at a recording frequency of 4.
The same measurement as in Example 1 was performed except that the peak power was 7 MHz and the peak power was 10.5 mW. As a result, a sufficiently small crosstalk of −30 dB to −27 dB similar to that of Example 1 was obtained.
【0061】クロスイレーズの測定は、測定トラック記
録周波数を4.7MHz、隣接トラック記録周波数を
1.3MHz、ピークパワーを10.5mWとした他
は、実施例1と同様な測定を行った。そのところ、1d
B未満の十分に小さいクロスイレーズが得られた。The cross erase was measured in the same manner as in Example 1 except that the recording track recording frequency was 4.7 MHz, the adjacent track recording frequency was 1.3 MHz, and the peak power was 10.5 mW. Then 1d
A sufficiently small cross erase less than B was obtained.
【0062】(実施例3)第1、第2誘電体層に炭素を
8モル%加え、((ZnS)80(SiO2 )20)92C8
とした以外は、実施例1と同様の光記録媒体を作製し
た。(Example 3) 8 mol% of carbon was added to the first and second dielectric layers to obtain ((ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 ) 92 C 8
An optical recording medium similar to that in Example 1 was manufactured except for the above.
【0063】結晶部と非晶部の反射率をミラー部で測定
したところ、結晶部では、27%、非晶部では8%の反
射率であった。また、各層の屈折率および膜厚から結晶
部と非晶部の再生光の反射光の位相差を計算したとこ
ろ、位相差は0.1π((非晶部の反射光の位相)−
(結晶部の反射光の位相))であった。When the reflectivity of the crystal part and the amorphous part was measured by the mirror part, the reflectivity was 27% in the crystal part and 8% in the amorphous part. Further, when the phase difference between the reflected light of the reproduction light of the crystal part and the amorphous part was calculated from the refractive index and the film thickness of each layer, the phase difference was 0.1π ((phase of the reflected light of the amorphous part)-
(The phase of the reflected light of the crystal part)).
【0064】実施例1と同様にC/N、消去率、クロス
イレーズ、クロストークを測定した。ランド、グルーブ
ともにピークパワー9mW以上で実用上十分な50dB
以上のC/Nが得られ、各ピークパワーでランドとグル
ーブのC/Nの差は1dB未満でほとんど差がなかっ
た。また、消去率に関しても、ランド、グルーブともボ
トムパワー3〜5mWで実用上十分な20dB以上、最
大30dBの消去率が得られた。クロストークも−30
dB〜−27dBの十分に小さいクロストークが得ら
れ、クロスイレーズも1dB未満の十分に小さいクロス
イレーズが得られた。In the same manner as in Example 1, C / N, erasing rate, cross erase and cross talk were measured. Peak power of 9 mW or more for both land and groove, 50 dB for practical use
The above C / N was obtained, and the difference in C / N between the land and the groove was less than 1 dB at each peak power, and there was almost no difference. As for the erasing rate, a land power of 3 to 5 mW for both the land and the groove was 20 dB or more, which was practically sufficient, and a maximum erasing rate of 30 dB was obtained. Crosstalk is also -30
A sufficiently small cross talk of dB to -27 dB was obtained, and a sufficiently small cross erase of less than 1 dB was also obtained.
【0065】(比較例1)実施例1の光記録媒体の第1
誘電体層の厚さを320nmとしたほかは実施例1と同
様の構成を光記録媒体を作製し、C/N、クロストーク
を測定する際のピークパワー、ボトムパワーを変えたほ
かは、実施例1と同様の測定を行った。(Comparative Example 1) The first of the optical recording media of Example 1
An optical recording medium having the same structure as in Example 1 except that the thickness of the dielectric layer was 320 nm was prepared, and the peak power and the bottom power when measuring C / N and crosstalk were changed. The same measurement as in Example 1 was performed.
【0066】結晶部と非晶部の反射率をミラー部で測定
したところ、結晶部では、38%、非晶部では18%の
反射率であった。また、各層の屈折率および膜厚から結
晶部と非晶部の再生光の反射光の位相差を計算したとこ
ろ、位相差は0.1π((非晶部の反射光の位相)−
(結晶部の反射光の位相))であった。When the reflectance of the crystal part and the amorphous part was measured at the mirror part, the reflectance was 38% in the crystal part and 18% in the amorphous part. Further, when the phase difference between the reflected light of the reproduction light of the crystal part and the amorphous part was calculated from the refractive index and the film thickness of each layer, the phase difference was 0.1π ((phase of the reflected light of the amorphous part)-
(The phase of the reflected light of the crystal part)).
【0067】ピークパワー10〜15mW、ボトムパワ
ー4〜8mWの各条件に変調し、実施例1と同様の測定
をしたところ、ランドではピークパワー11mW以上で
実用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボト
ムパワー4〜8mWで実用上十分な20dB以上、最大
30dBの消去率が得られ、グルーブも同様の特性が得
られた。The peak power of 10 to 15 mW and the bottom power of 4 to 8 mW were modulated, and the same measurement as in Example 1 was carried out. As a result, in the land, the peak power of 11 mW or more gave a practically sufficient C / N of 50 dB or more. With the bottom power of 4 to 8 mW, a practically sufficient erasing rate of 20 dB or more and a maximum of 30 dB was obtained, and the groove had the same characteristics.
【0068】ピークパワー10〜15mW、ボトムパワ
ー4〜8mWの各条件に変調し、実施例1と同様の測定
をしたところ、ランドではピークパワー11mW以上で
実用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボト
ムパワー4〜8mWで実用上十分な20dB以上、最大
30dBの消去率が得られ、グルーブも同様の特性が得
られた。The peak power of 10 to 15 mW and the bottom power of 4 to 8 mW were used for modulation, and the same measurement as in Example 1 was carried out. As a result, a peak power of 11 mW or more and a practically sufficient C / N of 50 dB or more were obtained. With the bottom power of 4 to 8 mW, a practically sufficient erasing rate of 20 dB or more and a maximum of 30 dB was obtained, and the groove had the same characteristics.
【0069】また、ピークパワー12mW、ボトムパワ
ーを5.5mWとしたほかは実施例1と同様にクロスイ
レーズを測定したところ、1dB未満でほとんど変化が
なかった。The cross erase was measured in the same manner as in Example 1 except that the peak power was 12 mW and the bottom power was 5.5 mW, and there was almost no change within 1 dB.
【0070】しかし、ランドにおいてボトムパワーを
5.5mWにしてピークパワー11〜15mWの各条件
に変調し、実施例1と同様にクロストークを測定したと
ころ、−18〜−15dBと大きく、正常なデータの再
生が困難なレベルであった。グルーブでも同様の値が得
られた。このことから、上記のような層構成では、反射
率が高いためクロストークが大きくなり、ランド、グル
ーブ両トラックに信号を記録するには困難であることが
明らかになった。However, when the bottom power in the land was set to 5.5 mW and the peak power was modulated to each condition of 11 to 15 mW, and the crosstalk was measured in the same manner as in Example 1, it was as large as −18 to −15 dB and was normal. It was difficult to reproduce the data. Similar values were obtained with the groove. From this, it has been clarified that in the above-mentioned layer structure, since the reflectance is high, the crosstalk becomes large and it is difficult to record a signal on both the land and groove tracks.
【0071】(比較例2)比較例1の第1誘電体層の厚
さを305nmとした以外は、比較例1と同様の光記録
媒体を作製した。Comparative Example 2 An optical recording medium similar to Comparative Example 1 was prepared except that the thickness of the first dielectric layer in Comparative Example 1 was changed to 305 nm.
【0072】結晶部と非晶部の反射率をミラー部で測定
したところ、結晶部では、37%、非晶部では14%の
反射率であった。また、各層の屈折率および膜厚から結
晶部と非晶部の再生光の反射光の位相差を計算したとこ
ろ、位相差は0.1πであった。When the reflectance of the crystal part and the amorphous part was measured by the mirror part, the reflectance was 37% in the crystal part and 14% in the amorphous part. Further, the phase difference of the reflected light of the reproduction light of the crystal part and the amorphous part was calculated from the refractive index and the film thickness of each layer, and the phase difference was 0.1π.
【0073】C/N、消去率、クロスイレーズに関して
は、比較例1と同様な結果が得られた。Regarding C / N, erasing rate and cross erase, the same results as in Comparative Example 1 were obtained.
【0074】比較例1と同様にクロストークを測定した
ところ−18〜−23dBと大きく、正常なデータの再
生が困難なレベルであった。When crosstalk was measured in the same manner as in Comparative Example 1, it was as large as −18 to −23 dB, and it was at a level at which normal data reproduction was difficult.
【0075】[0075]
【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効
果が得られた。 (1) ランド・グルーブ記録法におけるクロストークを低
減できる。 (2) ランド・グルーブ記録法において、ランドとグルー
ブの記録特性を合わせることができる。 (3) ランド・グルーブ記録法における、クロスイレーズ
を低減できる。 (4) スパッタ法により容易に製作できる。According to the optical recording medium of the present invention, the following effects can be obtained. (1) Crosstalk in the land / groove recording method can be reduced. (2) In the land / groove recording method, the recording characteristics of the land and the groove can be matched. (3) Cross erase in the land / groove recording method can be reduced. (4) Can be easily manufactured by sputtering.
Claims (15)
の間の相変化によって行われ、ランドとグルーブの両方
に記録を行う光記録媒体において、少なくとも記録層、
誘電体層、反射層を有し、ミラー部の結晶状態の反射率
が15%より大きく、35%以下であることを特徴とす
る光記録媒体。1. An optical recording medium in which information is recorded and erased by a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, and recording is performed on both a land and a groove, at least a recording layer,
An optical recording medium having a dielectric layer and a reflective layer, wherein the mirror portion has a reflectance in a crystalline state of more than 15% and 35% or less.
の間の相変化によって行われ、ランドとグルーブの両方
に記録を行う光記録媒体において、少なくとも記録層、
誘電体層、反射層を有しミラー部の非晶状態の反射率が
10%以下であることを特徴とする光記録媒体。2. An optical recording medium in which recording and erasing of information are performed by a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, and recording is performed on both a land and a groove, at least a recording layer,
An optical recording medium having a dielectric layer and a reflective layer, wherein the reflectance of the mirror portion in an amorphous state is 10% or less.
の間の相変化によって行われ、ランドとグルーブの両方
に記録を行う光記録媒体において、少なくとも記録層、
誘電体層、反射層を有し、ミラー部の非晶状態の反射率
が10%以下、かつミラー部の結晶状態の反射率が15
%より大きく、35%以下であることを特徴とする光記
録媒体。3. An optical recording medium in which recording and erasing of information are performed by a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, and recording is performed on both a land and a groove, at least a recording layer,
It has a dielectric layer and a reflection layer, and the reflectance of the mirror portion in the amorphous state is 10% or less, and the reflectance of the mirror portion in the crystalline state is 15% or less.
%, And 35% or less.
差が、2nπ−π/3以上、2nπ+π/3以下である
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに
記載の光記録媒体。ここで、nは、整数である。4. The phase difference between the reflected light of the amorphous phase and the reflected light of the crystalline phase is 2nπ−π / 3 or more and 2nπ + π / 3 or less, and any one of claims 1 to 3 is characterized. An optical recording medium according to item 1. Here, n is an integer.
差が、2nπ+2π/3以上、2nπ+4π/3以下で
あることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれ
かに記載の光記録媒体。ここで、nは、整数である。5. The phase difference between the reflected light of the amorphous phase and the reflected light of the crystalline phase is not less than 2nπ + 2π / 3 and not more than 2nπ + 4π / 3, in any one of claims 1 to 3. The optical recording medium described. Here, n is an integer.
以上、1/5以下の光路長をなすことを特徴とする請求
項1ないし請求項3のいずれかに記載の光記録媒体。6. The groove depth of the groove is 1/7 of the wavelength of the reproduction light.
The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the optical path length is 1/5 or less.
層/第2誘電体層/反射層の順に積層されて形成され、
第1誘電体層、第2誘電体層の屈折率および膜厚が、そ
れぞれ、下記の(1)、(2)式で表される範囲内にあ
ることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか
に記載の光記録媒体。 式(1) 1.5≦n1≦2.4 50≦d1≦300 式(2) 1.5≦n2≦2.4 1≦d2≦50 ここで、n1、n2は第1誘電体層および第2誘電体層
の屈折率、d1、d2は第1誘電体層および第2誘電体
層の膜厚(nm)である。7. An optical recording medium is formed by laminating a substrate / a first dielectric layer / a recording layer / a second dielectric layer / a reflective layer in this order,
The refractive index and the film thickness of the first dielectric layer and the second dielectric layer are within the ranges represented by the following formulas (1) and (2), respectively. 3. The optical recording medium according to any one of 3 above. Formula (1) 1.5 ≤ n1 ≤ 2.4 50 ≤ d1 ≤ 300 Formula (2) 1.5 ≤ n2 ≤ 2.4 1 ≤ d2 ≤ 50 where n1 and n2 are the first dielectric layer and the Refractive indices d1 and d2 of the second dielectric layer are film thicknesses (nm) of the first dielectric layer and the second dielectric layer.
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに
記載の光記録媒体。8. The optical recording medium according to claim 1, wherein the recording layer contains at least Sb or Te.
合金もしくはGe、Sb、Teの3元素と、Pd、N
b、Pt、Au、Ag、Ni、Coから選ばれた少なく
とも1種の金属との合金であり、記録層の膜厚が10n
m以上40nm以下あることを特徴とする請求項1ない
し請求項3のいずれかに記載の光記録媒体。9. The composition of the recording layer is a three-element alloy of Ge, Sb, and Te or three elements of Ge, Sb, and Te, and Pd and N.
It is an alloy with at least one metal selected from b, Pt, Au, Ag, Ni, and Co, and has a recording layer thickness of 10 n.
The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the optical recording medium has a thickness of m or more and 40 nm or less.
れ、かつ反射層の組成がAl合金からなることを特徴と
する請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の光記録
媒体。 式(3) Mα (Sbx Te1-x )1-y-α (Ge0.5 Te0.5 )
y 0.4≦x≦0.6 0.3≦y≦0.5 0≦α≦0.05 (ここで、x、y、αはモル比を表し、MはPd、N
b、Pt、Au、Ag、Ni、Coから選ばれた少なく
とも1種を表す。)10. The optical recording according to claim 1, wherein the composition of the recording layer is represented by the following formula (3), and the composition of the reflective layer is made of an Al alloy. Medium. Formula (3) M α (Sb x Te 1-x ) 1-y-α (Ge 0.5 Te 0.5 )
y 0.4 ≤ x ≤ 0.6 0.3 ≤ y ≤ 0.5 0 ≤ α ≤ 0.05 (where x, y and α are molar ratios, M is Pd, N
It represents at least one selected from b, Pt, Au, Ag, Ni and Co. )
よび、グルーブ平坦部の幅が下記の式で表せられること
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載
の光記録媒体。 式(4) Tp=a・λ/NA 1≦a≦1.5 Tg=Tp・b 0.2≦b≦0.6 Tl=Tp・b 0.2≦b≦0.6 ここで、Tpはトラックピッチ(μm)、NAはレンズ
の開口数、λは再生波長(μm)、Tgはグルーブ平坦
部の幅(μm)、Tlはランド平坦部の幅(μm)を表
す。11. The optical recording medium according to claim 1, wherein the track pitch, the land flat portion width, and the groove flat portion width are represented by the following equations. Formula (4) Tp = a · λ / NA 1 ≦ a ≦ 1.5 Tg = Tp · b 0.2 ≦ b ≦ 0.6 Tl = Tp · b 0.2 ≦ b ≦ 0.6 where Tp Is the track pitch (μm), NA is the numerical aperture of the lens, λ is the reproduction wavelength (μm), Tg is the width of the groove flat portion (μm), and Tl is the width of the land flat portion (μm).
と傾斜部からなり傾斜部の幅が、0.05μm以上0.
2μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求
項3のいずれかに記載の光記録媒体。12. A land and a groove are substantially made up of a flat portion and an inclined portion, and the width of the inclined portion is 0.05 μm or more.
The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the optical recording medium has a thickness of 2 µm or less.
の平坦部の1/2以上、1未満、もしくは、グルーブに
記録されたマークの幅がグルーブの平坦部の1/2以
上、1未満であることを特徴とする請求項1ないし請求
項3のいずれかに記載の光記録媒体。13. The width of the mark recorded on the land is 1/2 or more and less than 1 of the flat portion of the land, or the width of the mark recorded on the groove is 1/2 or more and less than 1 of the flat portion of the groove. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein
ることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか
に記載の光記録媒体。 式(5) 0.01≦(NA)3 ・d≦0.2 (ここで、NAはレンズの開口数、dは基板厚み(m
m)を表す。)14. The optical recording medium according to claim 1, wherein the thickness of the substrate is represented by the following formula (5). Formula (5) 0.01 ≦ (NA) 3 · d ≦ 0.2 (where NA is the numerical aperture of the lens, d is the substrate thickness (m
m). )
なくとも含んでいることを特徴とする請求項1ないし請
求項3のいずれかに記載の光記録媒体。15. The optical recording medium according to claim 1, wherein the dielectric layer contains at least ZnS, SiO 2 and carbon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8074627A JPH09237435A (en) | 1995-03-28 | 1996-03-28 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-69954 | 1995-03-28 | ||
| JP6995495 | 1995-03-28 | ||
| JP7-344200 | 1995-12-28 | ||
| JP34420095 | 1995-12-28 | ||
| JP8074627A JPH09237435A (en) | 1995-03-28 | 1996-03-28 | Optical recording medium |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002253716A Division JP2003132535A (en) | 1995-03-28 | 2002-08-30 | Recording method on optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237435A true JPH09237435A (en) | 1997-09-09 |
Family
ID=27300193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8074627A Pending JPH09237435A (en) | 1995-03-28 | 1996-03-28 | Optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09237435A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6064642A (en) * | 1998-01-16 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Phase-change type optical disk |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP8074627A patent/JPH09237435A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6064642A (en) * | 1998-01-16 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Phase-change type optical disk |
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