[go: up one dir, main page]

JPH09265083A - LCD panel - Google Patents

LCD panel

Info

Publication number
JPH09265083A
JPH09265083A JP7548796A JP7548796A JPH09265083A JP H09265083 A JPH09265083 A JP H09265083A JP 7548796 A JP7548796 A JP 7548796A JP 7548796 A JP7548796 A JP 7548796A JP H09265083 A JPH09265083 A JP H09265083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display panel
crystal display
pixel electrode
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7548796A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Iwai
義夫 岩井
Hiroyuki Onishi
博之 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP7548796A priority Critical patent/JPH09265083A/en
Publication of JPH09265083A publication Critical patent/JPH09265083A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極と配線電極間の横電界による逆チル
トドメインの発生を抑制できる液晶表示パネルを提供す
る。 【解決手段】 アレイ基板101と対向基板108間に
液晶層113を狭持してなる液晶表示パネルであって、
少なくともゲート線103およびソース線104からな
る配線電極と画素電極106との間隙部に、絶縁膜10
7を介して導電性薄膜105を、画素電極106とは電
気的に導通した状態にして形成する。
There is provided a liquid crystal display panel capable of suppressing the occurrence of a reverse tilt domain due to a horizontal electric field between a pixel electrode and a wiring electrode. A liquid crystal display panel having a liquid crystal layer 113 sandwiched between an array substrate 101 and a counter substrate 108,
The insulating film 10 is provided in the gap between the pixel electrode 106 and the wiring electrode including at least the gate line 103 and the source line 104.
The conductive thin film 105 is formed so as to be electrically connected to the pixel electrode 106 via the electrode 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板間に挟持した
液晶の電気光学特性により画像を表示する液晶表示パネ
ルに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel that displays an image by the electro-optical characteristics of liquid crystal sandwiched between substrates.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶の電気光学特性を利用した液晶表示
パネルは、大画面化、大容量化によりOA機器への応用
が盛んに進められている。現在、一般に実用化されてい
る液晶表示パネルの動作モードとしては、2枚のガラス
基板間で液晶分子が90゜ねじれた配向状態を呈するツ
イステッドネマティック型(以下、TN型と呼ぶ)と、
液晶分子が180゜〜270゜ねじれた配向状態を呈す
るスーパーツイステッドネマティック型(以下、STN
型と呼ぶ)とがある。TN型は主としてアクティブマト
リックス型液晶表示パネルに用いられ、STN型は単純
マトリックス型液晶表示パネルに用いられている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display panel utilizing the electro-optical characteristics of liquid crystal has been actively applied to OA equipment due to its large screen and large capacity. At present, the operation modes of liquid crystal display panels that are generally put into practical use are a twisted nematic type (hereinafter, referred to as a TN type) in which liquid crystal molecules are twisted by 90 ° between two glass substrates.
Super twisted nematic type (hereinafter, referred to as STN) in which liquid crystal molecules are twisted 180 ° to 270 °
There is a type). The TN type is mainly used for an active matrix type liquid crystal display panel, and the STN type is used for a simple matrix type liquid crystal display panel.

【0003】特に近年、アクティブマトリックス型液晶
表示パネルの用途が飛躍的に拡大し、それに伴い広視野
角化、高輝度化、低反射化、高精細化、フルカラー化に
対する要望が増大している。このような要望に対して、
高輝度化、低反射化を実現する技術として、ブラックマ
トリックス・オン・TFTアレイ(以下、BMオンアレ
イと呼ぶ)技術(例えば、エッチ・ヤマナカ、ティー・
フクナガ、ティー・コセキ、ケイ・ナガヤマ、ティ・ウ
エキ:エスアイディー '92 ダイジェスト、789頁
〜792頁、1992年;H. Yamanaka, T.Fukunaga,
T. Koseki, K. Nagayama, T. Ueki:SID '92 Digest,pp7
89-792,(1992)や公開特許公報の特開昭63−6402
3号公報に開示されている)が提案されている。このB
Mオンアレイ技術は、アレイ基板上のアクティブ素子上
やソース線上やゲート線上に、直接的に、黒色樹脂から
なる遮光層を形成するものである。
In recent years, in particular, the applications of active matrix type liquid crystal display panels have dramatically expanded, and along with this, there has been an increasing demand for wide viewing angles, high brightness, low reflection, high definition and full color. For such requests,
Black matrix on TFT array (hereinafter referred to as BM on array) technology (for example, Etch Yamanaka, Tea.
Fukunaga, T. Koseki, Kay Nagayama, T. Ueki: S-Id '92 digest, pages 789-792, 1992; H. Yamanaka, T. Fukunaga,
T. Koseki, K. Nagayama, T. Ueki: SID '92 Digest, pp7
89-792, (1992) and Japanese Patent Laid-Open No. 63-6402.
No. 3) is proposed. This B
The M-on-array technology is to form a light-shielding layer made of black resin directly on the active elements, source lines, and gate lines on the array substrate.

【0004】従来からのカラーフィルター基板(以下、
CF基板と呼ぶ)上にブラックマトリックス(以下、B
Mと呼ぶ)層を形成する技術と比較すると、BMオンア
レイ技術では、BM層が直接アレイ基板上に形成されて
いるため、パネル組立時のアレイ基板とCF基板との貼
合わせマージンが不要となり、BM層の幅(以下、BM
幅と呼ぶ)を狭くすることが可能となる。このBM幅の
細線化により画素電極部の開口率を向上させることがで
き、従来技術に比べて高輝度化を図ることが可能にな
る。
Conventional color filter substrates (hereinafter,
A black matrix (hereinafter referred to as B) on a CF substrate
In the BM on array technology, the BM layer is formed directly on the array substrate, so that a bonding margin between the array substrate and the CF substrate at the time of panel assembly is unnecessary, The width of the BM layer (hereinafter, BM
It is possible to narrow the width). By reducing the BM width, the aperture ratio of the pixel electrode portion can be improved, and higher luminance can be achieved as compared with the related art.

【0005】更に、BMオンアレイ技術では、顔料分散
型の黒色レジストをBM層の材料にしているため、反射
率が低く、金属材料を用いた従来のBM層に比べると、
大幅に表面反射を抑えることができ、表示品位を高める
ことができる。
Further, in the BM on-array technology, the pigment-dispersed black resist is used as the material of the BM layer, so that the reflectance is low and compared to the conventional BM layer using a metal material,
Surface reflection can be significantly suppressed, and display quality can be improved.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アクテ
ィブマトリックス型液晶表示パネルの中でもBMオンア
レイ技術によるTFT型液晶表示パネルであり、上記の
ような従来の液晶表示パネルでは、画素電極と配線電極
との間隙部に電位差による横電界が発生するため、正規
のドメインとは異なる逆チルトドメインが発生して、残
像やコントラスト低下により画質が低下するという問題
点を有していた。
However, the active matrix type liquid crystal display panel is a TFT type liquid crystal display panel based on the BM on array technology. In the conventional liquid crystal display panel as described above, a gap between the pixel electrode and the wiring electrode is formed. Since a lateral electric field is generated in the portion due to the potential difference, an inverse tilt domain different from the regular domain is generated, and there is a problem that the image quality is deteriorated due to an afterimage and a reduction in contrast.

【0007】さらに、従来の液晶表示パネルに用いられ
ているBMオンアレイ技術では、アクティブ素子やソー
ス線やゲート線上にBM層を形成するために、上記のよ
うにして発生した逆チルトドメインを隠すことが困難に
なるという問題点をも有していた。
Further, in the BM on array technology used in the conventional liquid crystal display panel, the reverse tilt domain generated as described above is hidden in order to form the BM layer on the active element, the source line and the gate line. It also had a problem that it became difficult.

【0008】本発明は、上記の問題点を解決するもの
で、画素電極と配線電極との間隙部の横電界によって発
生する逆チルトドメインを抑制することができ、この逆
チルトドメインに起因する画質の低下を抑えることがで
きるとともに、画素電極部が高開口率となるように設計
することができる液晶表示パネルを提供する。
The present invention solves the above problems, and can suppress the reverse tilt domain generated by the lateral electric field in the gap between the pixel electrode and the wiring electrode, and the image quality caused by the reverse tilt domain. (EN) A liquid crystal display panel capable of suppressing the deterioration of the pixel ratio and designed so that the pixel electrode portion has a high aperture ratio.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1に記載の液晶表示パネルは、画素
電極と配線電極とスイッチング素子とを有するアレイ基
板と対向電極を有する対向基板との間に液晶を挟持して
なる液晶表示パネルであって、前記画素電極と配線電極
との間隙部に絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上に、導
電性を有する導電性薄膜を、前記画素電極に接触し且つ
画素電極の周囲に位置するように形成して構成する。
In order to solve the above problems, a liquid crystal display panel according to claim 1 of the present invention is directed to an array substrate having pixel electrodes, wiring electrodes, and switching elements, and an opposing substrate having opposing electrodes. A liquid crystal display panel comprising a liquid crystal sandwiched between a substrate, wherein an insulating layer is formed in a gap between the pixel electrode and the wiring electrode, and a conductive thin film having conductivity is formed on the insulating layer. Is formed so as to be in contact with the pixel electrode and located around the pixel electrode.

【0010】請求項2に記載の液晶表示パネルは、請求
項1に記載の導電性薄膜を、遮光性を有する導電性高分
子または金属により構成する。これらの構成によると、
導電性薄膜が画素電極と電気的に導通状態になり、その
導電性薄膜が、画素電極と配線電極間に形成された絶縁
体層を介して、配線電極との間に基板法線方向の電気容
量を形成する。また、上記の導電性薄膜が、その遮光性
によりブラックマトリックスとして作用する。
In a liquid crystal display panel according to a second aspect, the conductive thin film according to the first aspect is made of a conductive polymer or metal having a light shielding property. According to these configurations,
The conductive thin film becomes electrically conductive with the pixel electrode, and the conductive thin film is electrically connected to the wiring electrode in the substrate normal direction via the insulator layer formed between the pixel electrode and the wiring electrode. Form a capacity. Further, the conductive thin film acts as a black matrix due to its light shielding property.

【0011】請求項3に記載の液晶表示パネルは、画素
電極と配線電極とスイッチング素子とを有するアレイ基
板と対向電極を有する対向基板との間に液晶を挟持して
なる液晶表示パネルであって、少なくとも前記画素電極
と配線電極との間隙部と前記画素電極の一部に、誘電体
からなる誘電体層を形成して構成する。
A liquid crystal display panel according to a third aspect is a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sandwiched between an array substrate having pixel electrodes, wiring electrodes, and switching elements, and a counter substrate having counter electrodes. A dielectric layer made of a dielectric is formed at least in the gap between the pixel electrode and the wiring electrode and in a part of the pixel electrode.

【0012】請求項4に記載の液晶表示パネルは、請求
項3に記載の誘電体層を、その膜厚が0.5μm以上2
μm以下になるように形成する。これらの構成による
と、画素電極と配線電極との間隙部と画素電極の一部に
形成された誘電体層が、横電界の最も強い領域をシール
ドして、液晶分子が横電界の影響を直接受けないように
する。また、上記のように形成された誘電体層が、大き
な比誘電率により横電界の電界強度を弱くする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display panel, wherein the dielectric layer according to the third aspect has a film thickness of 0.5 μm or more and 2 or more.
It is formed so as to have a thickness of μm or less. According to these configurations, the dielectric layer formed in the gap between the pixel electrode and the wiring electrode and a part of the pixel electrode shields the region where the horizontal electric field is strongest, and the liquid crystal molecules directly influence the influence of the horizontal electric field. Avoid receiving it. Further, the dielectric layer formed as described above weakens the electric field strength of the lateral electric field due to the large relative permittivity.

【0013】請求項5に記載の液晶表示パネルは、画素
電極と配線電極とスイッチング素子とを有するアレイ基
板と対向電極を有する対向基板との間に液晶を挟持して
なる液晶表示パネルであって、少なくとも前記画素電極
と配線電極との間隙部と前記画素電極の一部に、ポリエ
ステルを主成分とする絶縁性遮光膜を形成して構成す
る。
A liquid crystal display panel according to a fifth aspect is a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sandwiched between an array substrate having pixel electrodes, wiring electrodes and switching elements and a counter substrate having a counter electrode. An insulating light-shielding film containing polyester as a main component is formed at least in a gap between the pixel electrode and the wiring electrode and a part of the pixel electrode.

【0014】請求項6に記載の液晶表示パネルは、請求
項5に記載の絶縁性遮光膜を、光重合性オリゴマーと光
重合性モノマーとからなるポリエステルを主成分として
形成する。
In a liquid crystal display panel according to a sixth aspect, the insulating light-shielding film according to the fifth aspect is formed by using a polyester containing a photopolymerizable oligomer and a photopolymerizable monomer as a main component.

【0015】これらの構成によると、画素電極と配線電
極との間隙部と画素電極の一部に形成されたポリエステ
ルを主成分とする絶縁性遮光膜が、横電界の最も強い領
域をシールドして、液晶分子が横電界の影響を直接受け
ないようにするとともに、その遮光性によりブラックマ
トリックスとして作用する。また、上記の絶縁性遮光膜
は、光照射を用いて容易に形成される。
According to these structures, the insulating light-shielding film containing polyester as a main component, which is formed in the gap between the pixel electrode and the wiring electrode and a part of the pixel electrode, shields the region where the horizontal electric field is strongest. The liquid crystal molecules are prevented from being directly affected by the lateral electric field, and act as a black matrix due to their light shielding properties. Further, the insulating light-shielding film is easily formed by using light irradiation.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示す
液晶表示パネルを用いて、本発明を具体的に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below using a liquid crystal display panel showing an embodiment of the present invention.

【0017】本実施の形態の液晶表示パネルでは、アレ
イ基板上にはマリックス状に配置されたスイッチング素
子と配線電極と画素電極とが形成されている。配線電極
と画素電極との間隙部には、絶縁体層として絶縁膜が形
成され、更に導電性を有する導電性薄膜が、各配線電極
とは絶縁膜を介した状態で、画素電極とは電気的に導通
した状態で形成されている。
In the liquid crystal display panel of the present embodiment, switching elements, wiring electrodes and pixel electrodes arranged in a marix shape are formed on the array substrate. An insulating film is formed as an insulating layer in the gap between the wiring electrode and the pixel electrode, and a conductive thin film having conductivity is further formed between the wiring electrode and the pixel electrode in an electrically conductive state. Are formed in a conductive state.

【0018】通常のアクティブマトリックス型液晶表示
パネルを駆動する場合、配線電極の電位は、1ライン毎
あるいは1フレーム毎に変動するので、画素電極との間
に電位差が発生し、配線電極と画素電極との間隙部に横
方向の電界が発生する。画素の高開口率化、画素の高密
度化に伴って、配線電極と画素電極との間隙部は、基板
間距離よりも狭くなり、液晶層に印加される縦電界強度
よりも間隙部に発生する横電界強度の方が強くなる場合
が発生する。
When a normal active matrix type liquid crystal display panel is driven, the potential of the wiring electrodes changes line by line or frame by frame, so that a potential difference is generated between the pixel electrodes and the wiring electrodes and the pixel electrodes. An electric field in the lateral direction is generated in the gap between and. With higher pixel aperture ratio and higher pixel density, the gap between wiring electrode and pixel electrode becomes narrower than the distance between the substrates and occurs in the gap more than the vertical electric field strength applied to the liquid crystal layer. In some cases, the horizontal electric field strength becomes stronger.

【0019】このような場合では、配線電極と画素電極
との間隙部近傍の液晶分子は、横電界の影響を強く受け
るために、所定のチルト方向とは逆の方向に立ち上がる
領域あるいは全く立ち上がらない領域が、間隙部と画素
電極端部に発生する。この領域が逆チルトドメインとな
り、画面の表示品位の低下を招く。
In such a case, the liquid crystal molecules in the vicinity of the gap between the wiring electrode and the pixel electrode are strongly affected by the lateral electric field, so that they do not rise in a region opposite to the predetermined tilt direction or at all. Regions are generated at the gap and the end of the pixel electrode. This region becomes the reverse tilt domain, which causes deterioration of the display quality of the screen.

【0020】本実施の形態の液晶表示パネルでは、横電
界が最も強く発生する電極間隙部に導電性薄膜を画素電
極と電気的に接した状態で設けているので、間隙部に発
生する横電界分布を変化させて弱めることができる。こ
れにより、横電界に起因する逆チルトドメインの発生を
抑制できる。更に、導電性薄膜が遮光性を有するので、
ブラックマトリックスとしても用いることができる。
In the liquid crystal display panel of the present embodiment, since the conductive thin film is provided in the electrode gap where the horizontal electric field is most strongly generated in a state of being in electrical contact with the pixel electrode, the horizontal electric field generated in the gap is generated. It can be weakened by changing the distribution. As a result, it is possible to suppress the occurrence of the reverse tilt domain due to the lateral electric field. Furthermore, since the conductive thin film has a light shielding property,
It can also be used as a black matrix.

【0021】次に、本発明の別の実施の形態を示す液晶
表示パネルでは、アレイ基板上にはマトリックス状に配
置されたスイッチング素子と配線電極と画素電極とが形
成されている。少なくとも配線電極と画素電極の間隙部
には、0.5μm〜2μmの膜厚を有する誘電体によっ
て誘電体層が形成され、誘電体層により間隙部の横電界
がシールドされる。すなわち、最も横電界が集中し液晶
分子に外乱を与える間隙部を誘電体層で覆い隠すことに
より、横電界の影響を低減し、逆チルトドメインの発生
を抑制することができる。誘電体層の誘電率が大きいほ
ど、横電界強度を弱めることができ、よりシールド効果
が得られるが、誘電率が大きいと画素電極と配線電極と
の間に発生する寄生容量が大きくなり、好ましくない。
また、絶縁膜の膜厚が厚いほど、よりシールド効果が得
られるが、逆に段差による配向不良、寄生容量が増大し
て好ましくなく、適切に設定する必要がある。
Next, in a liquid crystal display panel showing another embodiment of the present invention, switching elements, wiring electrodes and pixel electrodes arranged in a matrix are formed on an array substrate. At least a gap between the wiring electrode and the pixel electrode has a dielectric layer formed of a dielectric having a film thickness of 0.5 μm to 2 μm, and the dielectric layer shields a lateral electric field in the gap. That is, the influence of the lateral electric field can be reduced and the occurrence of the reverse tilt domain can be suppressed by covering the gap portion where the lateral electric field is most concentrated and which disturbs the liquid crystal molecules with the dielectric layer. As the dielectric constant of the dielectric layer is larger, the lateral electric field strength can be weakened and a more shielding effect can be obtained. However, if the dielectric constant is large, the parasitic capacitance generated between the pixel electrode and the wiring electrode becomes large, which is preferable. Absent.
Further, the thicker the film thickness of the insulating film is, the more the shielding effect can be obtained.

【0022】以下、本発明の実施の形態を示す液晶表示
パネルについて、図面を参照しながら、さらに具体的に
説明する。第1の実施の形態の液晶表示パネルを説明す
る。
The liquid crystal display panel showing the embodiment of the present invention will be described below more specifically with reference to the drawings. The liquid crystal display panel of the first embodiment will be described.

【0023】図1は本実施の形態の液晶表示パネルの構
成図の一例である。図1において、101はアレイガラ
ス基板、102は薄膜トランジスター素子(TFT素
子)からなるスイッチング素子、103はゲート線、1
04はソース線、105は導電性薄膜、106は画素電
極、107は絶縁膜、108は対向ガラス基板、109
は対向側ブラックマトリックス、110はカラーフィル
ター層、111は対向電極、112は配向膜、113は
液晶層、114は偏光板である。
FIG. 1 is an example of a configuration diagram of a liquid crystal display panel of the present embodiment. In FIG. 1, 101 is an array glass substrate, 102 is a switching element composed of a thin film transistor element (TFT element), 103 is a gate line, 1
Reference numeral 04 is a source line, 105 is a conductive thin film, 106 is a pixel electrode, 107 is an insulating film, 108 is a counter glass substrate, and 109 is a counter glass substrate.
Is a black matrix on the opposite side, 110 is a color filter layer, 111 is a counter electrode, 112 is an alignment film, 113 is a liquid crystal layer, and 114 is a polarizing plate.

【0024】アレイガラス基板(7059:コーニング
社製)101上には、所定の方法により、アモルファス
シリコンTFT素子からなるスイッチング素子102、
Al/Taからなるゲート線103、Ti/Alからな
るソース線104、酸化インジュウム錫(ITO)から
なる画素電極106を形成し、画素電極106以外の領
域に窒化シリコンからなる保護膜を形成し、アレイ基板
A1を作製した。
On the array glass substrate (7059: manufactured by Corning Incorporated) 101, a switching element 102 made of an amorphous silicon TFT element is formed by a predetermined method.
A gate line 103 made of Al / Ta, a source line 104 made of Ti / Al, a pixel electrode 106 made of indium tin oxide (ITO) are formed, and a protective film made of silicon nitride is formed in a region other than the pixel electrode 106. The array substrate A1 was produced.

【0025】次に、ポリエステルアクリレート44重量
%、3官能アクリレートモノマー20重量%、アセトフ
ェノン系光重合開始剤4重量%、ベンゾフェノン系光重
合開始剤6重量%、カーボンブラック16重量%、ポリ
エステル系分散剤10%からなるカーボンブラックイン
キを調合して、メトキシブチルアセテートに希釈してワ
ニスを作製した。
Next, 44% by weight of polyester acrylate, 20% by weight of trifunctional acrylate monomer, 4% by weight of acetophenone type photopolymerization initiator, 6% by weight of benzophenone type photopolymerization initiator, 16% by weight of carbon black and polyester type dispersant. A carbon black ink consisting of 10% was prepared and diluted with methoxybutyl acetate to prepare a varnish.

【0026】アレイガラス基板101をOAP雰囲気中
に10分間暴露した後、カーボンブラックワニスをコー
ターによりアライメントマーカー以外の部分に全面に塗
布した。その後、110℃で20分間プリベークした
後、所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いて
アライメントした後、高圧水銀灯を用いて、160mJ
のパワーで露光を行い、アルカリ系の現像液によりエッ
チングを行った。
After exposing the array glass substrate 101 to the OAP atmosphere for 10 minutes, carbon black varnish was applied to the entire surface other than the alignment marker by a coater. Then, after pre-baking at 110 ° C. for 20 minutes, alignment is performed using a photomask on which a predetermined pattern is formed, and then 160 mJ using a high pressure mercury lamp.
The exposure was performed with the power of and the etching was performed with an alkaline developing solution.

【0027】その後、230℃で20分間熱硬化を行
い、ソース線104と画素電極106の間隙部と画素電
極106上に導電性薄膜105とを形成した。画素電極
106上には画素電極106の端部より3μmの領域ま
で導電性薄膜105を部分的に形成した。導電性薄膜の
膜厚は0.5μmであった。
After that, thermal curing was performed at 230 ° C. for 20 minutes to form a conductive thin film 105 on the gap between the source line 104 and the pixel electrode 106 and on the pixel electrode 106. The conductive thin film 105 was partially formed on the pixel electrode 106 up to a region of 3 μm from the end of the pixel electrode 106. The thickness of the conductive thin film was 0.5 μm.

【0028】次に、アレイ基板A1を酸素プラズマ中に
一定時間暴露して、表面改質を行った後、固形分濃度6
%のポリイミドワニス(例えばSE−7210:日産化
学工業株式会社製)をアレイ基板A1上に印刷法により
塗布し、190℃で30分間ホットプレート上でベーク
して、配向膜112を形成した。配向膜112の膜厚は
約70nmであった。対向ガラス基板108を基材とす
る対向基板T1上にも、同様のポリイミドワニスを塗布
して、ポリイミドからなる配向膜112を形成した。
Next, the array substrate A1 is exposed to oxygen plasma for a certain period of time to perform surface modification, and then the solid content concentration 6
% Polyimide varnish (for example, SE-7210: manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied on the array substrate A1 by a printing method, and baked on a hot plate at 190 ° C. for 30 minutes to form an alignment film 112. The film thickness of the alignment film 112 was about 70 nm. The same polyimide varnish was applied on the counter substrate T1 having the counter glass substrate 108 as a base material to form the alignment film 112 made of polyimide.

【0029】次に、液晶が90゜TN配向するように、
アレイガラス基板101と対向ガラス基板108にそれ
ぞれ1方向にラビングを施した。ラビング布はレーヨン
布(YA−18R:吉川化工製)を用い、ラビング圧は
0.3mmにした。
Next, so that the liquid crystal is 90 ° TN aligned,
The array glass substrate 101 and the counter glass substrate 108 were each rubbed in one direction. As the rubbing cloth, rayon cloth (YA-18R: manufactured by Yoshikawa Kako) was used, and the rubbing pressure was 0.3 mm.

【0030】次に、アレイ基板A1上にプラスチックか
らなる球状のスペーサ(例えばミクロパール:積水ファ
イン株式会社製)を均一に分散させた。なお、スペーサ
の球径は4μmである。対向ガラス基板108の周辺部
に熱硬化型のシール材(例えばストラクトボンド:三井
東圧化学(株)製)を液晶注入口を設けて印刷形成し、
アレイ基板A1と対向基板T1を貼り合わせ、所定の温
度でシール材を完全硬化させ、液晶セルを作製した。
Next, spherical spacers made of plastic (for example, Micropearl: manufactured by Sekisui Fine Co., Ltd.) were uniformly dispersed on the array substrate A1. The spherical diameter of the spacer is 4 μm. A thermosetting sealing material (for example, Structbond: manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) is formed on the peripheral portion of the counter glass substrate 108 by printing by providing a liquid crystal injection port,
The array substrate A1 and the counter substrate T1 were bonded together, and the sealing material was completely cured at a predetermined temperature to produce a liquid crystal cell.

【0031】次に、屈折率異方性が0.097であるネ
マチック液晶(例えばZLI−4792:メルクジャパ
ン株式会社製)に左捻れのカイラル物質(例えばS−8
11:メルクジャパン株式会社)を添加して、ねじれピ
ッチが80μmになるように濃度調整した。このような
条件で作製したカイラルネマチック液晶を真空注入法で
液晶セルに注入し、カイラルネマチック液晶が完全に充
填された後、液晶注入口を封止樹脂により封口して、ア
レイガラス基板101と対向ガラス基板108の表面に
偏光板114をその吸収軸がラビング方向に平行になる
ように、すなわちノーマリホワイト状態になるように貼
り付け、液晶表示パネルを作製した。次に、作製した液
晶表示パネルの配向観察を行った。液晶表示パネルを駆
動し、白表示から黒表示に切り替えた場合の配向を観察
した。図2(a)は本液晶表示パネルを上部より観察し
た模式図である。図2(a)において、121はソース
線、122はゲート線、123は画素電極、124はソ
ース線と画素電極の間隙部、125は導電性薄膜(ハッ
チング部分)、126は逆チルトドメインである。ソー
ス線と画素電極の間隙部124は、ソース線121によ
る横電界を最も受けやすい領域である。本実施の形態で
は、導電性薄膜125を形成した領域には逆チルトドメ
インが一切見れなかったが、導電性薄膜を形成していな
い領域では、弓状の逆チルトドメイン126が発生し
た。上記結果より、画素電極123とソース線121な
どの配線電極との間隙部124に導電性薄膜を形成する
ことにより、明らかに逆チルトドメイン126を抑制す
る効果が認められた。
Next, a nematic liquid crystal having a refractive index anisotropy of 0.097 (eg, ZLI-4792: manufactured by Merck Japan Co., Ltd.) is left-twisted with a chiral substance (eg, S-8).
11: Merck Japan Co., Ltd.) was added and the concentration was adjusted so that the twist pitch was 80 μm. The chiral nematic liquid crystal manufactured under such conditions is injected into a liquid crystal cell by a vacuum injection method, and after the chiral nematic liquid crystal is completely filled, the liquid crystal injection port is sealed with a sealing resin to face the array glass substrate 101. A polarizing plate 114 was attached to the surface of the glass substrate 108 so that its absorption axis was parallel to the rubbing direction, that is, in a normally white state, to manufacture a liquid crystal display panel. Next, the orientation of the produced liquid crystal display panel was observed. The liquid crystal display panel was driven to observe the orientation when the white display was switched to the black display. FIG. 2A is a schematic view of the present liquid crystal display panel observed from above. In FIG. 2A, 121 is a source line, 122 is a gate line, 123 is a pixel electrode, 124 is a gap between the source line and the pixel electrode, 125 is a conductive thin film (hatched portion), and 126 is a reverse tilt domain. . The gap 124 between the source line and the pixel electrode is the region most susceptible to the lateral electric field from the source line 121. In the present embodiment, no reverse tilt domain was found in the region where the conductive thin film 125 was formed, but an arcuate reverse tilt domain 126 was generated in the region where the conductive thin film was not formed. From the above results, it was confirmed that the formation of the conductive thin film in the gap portion 124 between the pixel electrode 123 and the wiring electrode such as the source line 121 clearly suppresses the reverse tilt domain 126.

【0032】従来の液晶表示パネルでは、ソース線と画
素電極の間隙部近傍に、図2(a)に示すような弓状の
逆チルトドメインが発生したために、これを対向基板T
1に設けたブラックマトリックスで隠す必要があり、開
口率の向上を阻害していたが、本実施の形態を用いるこ
とで、対向基板T1にブラックマトリックスを設ける必
要がなく、開口率を向上させることが可能になる。また
導電性薄膜125自体が遮光性であれば、間隙部の光漏
れを遮光することができる。
In the conventional liquid crystal display panel, a bow-shaped reverse tilt domain as shown in FIG. 2A is generated near the gap between the source line and the pixel electrode.
Although it was necessary to hide the black matrix provided in No. 1 and hindered the improvement of the aperture ratio, by using this embodiment, it is not necessary to provide the black matrix on the counter substrate T1 and the aperture ratio can be improved. Will be possible. Further, if the conductive thin film 125 itself has a light blocking property, it is possible to block light leakage in the gap portion.

【0033】本実施の形態では、ソース線と画素電極と
の間隙部124の一部に導電性薄膜125を形成した
が、図2(b)に示したように、ソース線121、ゲー
ト線122との間隙部の全面に導電性薄膜125を形成
すれば、より効果的に逆チルトドメインの発生を抑制す
ることができる。
In the present embodiment, the conductive thin film 125 is formed in a part of the gap portion 124 between the source line and the pixel electrode. However, as shown in FIG. 2B, the source line 121 and the gate line 122. If the conductive thin film 125 is formed on the entire surface of the gap between and, the occurrence of the reverse tilt domain can be suppressed more effectively.

【0034】また、クロム、タンタル等の金属、酸化ク
ロム等の金属酸化物を用いて導電性薄膜125を形成し
ても、同様の効果が得られた。第2の実施の形態の液晶
表示パネルを説明する。
The same effect was obtained by forming the conductive thin film 125 using a metal such as chromium or tantalum or a metal oxide such as chromium oxide. The liquid crystal display panel of the second embodiment will be described.

【0035】図3は本実施の形態における液晶表示パネ
ルの断面図の一例である。第1の実施の形態の液晶表示
パネルと同様に、アレイガラス基板201上には、所定
の方法により、アモルファスシリコンTFT素子からな
るスイッチング素子202、ゲート線203、ソース線
204、画素電極206を形成し、アレイ基板A2を作
製した。
FIG. 3 is an example of a sectional view of the liquid crystal display panel in the present embodiment. Similar to the liquid crystal display panel of the first embodiment, a switching element 202 made of an amorphous silicon TFT element, a gate line 203, a source line 204, and a pixel electrode 206 are formed on the array glass substrate 201 by a predetermined method. Then, the array substrate A2 was manufactured.

【0036】次に、アレイ基板A2上に感光性ポリイミ
ド溶液(東レ株式会社製:商品名フォトニースUR−3
100)をスピンナーにより塗布し、80℃で60分間
オーブン中にてプリベークし、所定のパターンを形成し
たフォトマスクでアライメントした後、高圧水銀灯下で
80mJのパワーで露光を行い、現像液(東レ株式会社
製:商品名 DV−140)を用いて現像を行った。
Next, a photosensitive polyimide solution (trade name: Photo Nice UR-3, manufactured by Toray Industries, Inc.) is formed on the array substrate A2.
100) was applied by a spinner, prebaked in an oven at 80 ° C. for 60 minutes, aligned with a photomask having a predetermined pattern, and then exposed under a high-pressure mercury lamp at a power of 80 mJ to obtain a developing solution (Toray Co., Ltd.). Development was carried out using a product of the company: product name DV-140).

【0037】その後、250℃で30分間ホットプレー
ト上で熱硬化を行い、誘電体層205を、少なくとも画
素電極206の周辺部と、画素電極206とソース線2
04、ゲート線203の間隙部とに設けた。画素電極2
06上には、その端部より3μmの領域まで誘電体層2
05を形成した。誘電体層205の膜厚は1.5μmで
あった。
After that, thermosetting is performed on a hot plate at 250 ° C. for 30 minutes, and the dielectric layer 205 is formed on at least the peripheral portion of the pixel electrode 206, the pixel electrode 206 and the source line 2.
04 and the gap between the gate lines 203. Pixel electrode 2
On the dielectric layer 2 up to a region of 3 μm from its end.
05 was formed. The film thickness of the dielectric layer 205 was 1.5 μm.

【0038】次に、対向基板T2とアレイ基板A2上に
ポリイミドワニス(例えばSE−7210:日産化学工
業株式会社製)を印刷により塗布し、230℃で30分
間ベークして、ポリイミド樹脂からなる配向膜211を
形成した。その膜厚は約70nm程度であった。その
後、アレイガラス基板201と対向ガラス基板207
に、液晶が90゜TN配向するように、それぞれラビン
グを施した。ラビング布はレーヨン布を用いて、ラビン
グ圧は0.3mmであった。
Next, a polyimide varnish (for example, SE-7210: manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) is applied on the counter substrate T2 and the array substrate A2 by printing, baked at 230 ° C. for 30 minutes, and made of a polyimide resin. The film 211 was formed. The film thickness was about 70 nm. After that, the array glass substrate 201 and the counter glass substrate 207
Then, rubbing was performed so that the liquid crystal was 90 ° TN aligned. Rayon cloth was used as the rubbing cloth, and the rubbing pressure was 0.3 mm.

【0039】次に、アレイ基板A2上にプラスチックか
らなる球状のスペーサ(例えばミクロパール:積水ファ
イン株式会社製)を均一に分散させた。スペーサの球径
は4μmである。対向ガラス基板207の周辺部に熱硬
化型のシール材(例えばストラクトボンド:三井東圧化
学(株)製)を液晶注入口を設けて印刷形成し、アレイ
基板A2と対向基板T2を貼り合わせ、所定の温度でシ
ール材を完全硬化させ、液晶セルを作製した。
Next, spherical spacers made of plastic (for example, Micropearl: manufactured by Sekisui Fine Co., Ltd.) were uniformly dispersed on the array substrate A2. The spherical diameter of the spacer is 4 μm. A thermosetting sealant (for example, Struct Bond: manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) is formed on the peripheral portion of the counter glass substrate 207 by a liquid crystal injection port and printed to bond the array substrate A2 and the counter substrate T2 to each other. The sealing material was completely cured at a predetermined temperature to produce a liquid crystal cell.

【0040】次に、屈折率異方性が0.097であるネ
マチック液晶(例えばZLI−4792:メルクジャパ
ン株式会社製)に左捻れのカイラル物質(例えばS−8
11:メルクジャパン株式会社)を添加して、ねじれピ
ッチが80μmになるようにに濃度調整した。このよう
な条件で作製したカイラルネマチック液晶を真空注入法
で液晶セルに注入し、カイラルネマチック液晶が完全に
充填された後、液晶注入口を封止樹脂により封口して、
アレイ基板A2と対向基板T2の表面に偏光板213を
その吸収軸がラビング方向に平行になるように貼り付
け、液晶表示パネルを作製した。
Next, a nematic liquid crystal having a refractive index anisotropy of 0.097 (eg, ZLI-4792: manufactured by Merck Japan Co., Ltd.) is left-twisted with a chiral substance (eg, S-8).
11: Merck Japan Co., Ltd.) was added and the concentration was adjusted so that the twist pitch was 80 μm. The chiral nematic liquid crystal produced under such conditions is injected into a liquid crystal cell by a vacuum injection method, and after the chiral nematic liquid crystal is completely filled, the liquid crystal injection port is sealed with a sealing resin,
A polarizing plate 213 was attached to the surfaces of the array substrate A2 and the counter substrate T2 so that the absorption axes thereof were parallel to the rubbing direction, and a liquid crystal display panel was produced.

【0041】本実施の形態の液晶表示パネルにおいて
も、白表示から黒表示への切り替え時には逆チルトドメ
インの発生は見られず、効果が確認できた。これは、横
電界の最も強い間隙部と画素電極の端部を誘電体で覆い
隠すことにより、液晶分子が横電界の最も強い部分に存
在しなくなり、結果的に横電界の影響を受けにくくなっ
たためであると考えられる。
Also in the liquid crystal display panel of the present embodiment, no occurrence of the reverse tilt domain was observed when switching from white display to black display, and the effect was confirmed. This is because the gap between the strongest horizontal electric field and the end of the pixel electrode are covered with a dielectric so that the liquid crystal molecules do not exist in the strongest portion of the horizontal electric field, and as a result, the influence of the horizontal electric field is reduced. It is considered to be due to

【0042】一方、比較例として誘電体層205の膜厚
を0.5μm未満にした場合には、十分な横電界のシー
ルド効果が得られず、逆チルトドメインの発生が見ら
れ、また膜厚が2μmを越える場合には、段差にともな
うラビング不良により配向不良が顕著にみられ、ともに
好ましくなかった。上記結果より、誘電体層205の膜
厚は0.5μm〜2μmの間が好ましかった。
On the other hand, as a comparative example, when the film thickness of the dielectric layer 205 is less than 0.5 μm, a sufficient transverse electric field shielding effect cannot be obtained, the occurrence of the reverse tilt domain is observed, and the film thickness is also increased. When it is more than 2 μm, the orientation failure is remarkable due to the rubbing failure caused by the step, which is not preferable. From the above results, it is preferable that the film thickness of the dielectric layer 205 is between 0.5 μm and 2 μm.

【0043】また、誘電体層205を構成する材料の比
誘電率が大きいと横電界のシールド効果は大きくなる
が、逆に画素電極206とソース線204やゲート線2
03などの配線電極との間の寄生容量が増大して好まし
くない。このため、シールド効果と寄生容量の影響を考
慮すると、比誘電率は3〜20(10KHz時)程度の
値が好ましかった。
When the relative dielectric constant of the material forming the dielectric layer 205 is large, the transverse electric field shielding effect is large, but conversely, the pixel electrode 206 and the source line 204 or the gate line 2 are made.
The parasitic capacitance between the wiring electrode 03 and the like is increased, which is not preferable. Therefore, considering the effects of the shield effect and the parasitic capacitance, it is preferable that the relative dielectric constant has a value of about 3 to 20 (at 10 KHz).

【0044】第3の実施の形態の液晶表示パネルを説明
する。図4は本実施の形態における液晶表示パネルの断
面図の一例である。第1の実施の形態の液晶表示パネル
と同様に、アレイガラス基板301上には、所定の方法
により、アモルファスシリコンTFT素子からなるスイ
ッチング素子302、ゲート線303、ソース線30
4、画素電極306を形成し、アレイ基板A3を作製し
た。
A liquid crystal display panel according to the third embodiment will be described. FIG. 4 is an example of a cross-sectional view of the liquid crystal display panel in this embodiment. Similar to the liquid crystal display panel of the first embodiment, the switching element 302 made of an amorphous silicon TFT element, the gate line 303, and the source line 30 are formed on the array glass substrate 301 by a predetermined method.
4, the pixel electrode 306 was formed, and the array substrate A3 was produced.

【0045】次に、ポリエステルアクリレート44重量
%、3官能アクリレートモノマー20重量%、アセトフ
ェノン系光重合開始剤4重量%、ベンゾフェノン系光重
合開始剤6重量%、顔料20重量%、ポリエステル系分
散剤6%からなる黒色の感光性インクを調合して、メト
キシブチルアセテートに希釈して非導電性ワニスを作製
した。
Next, 44% by weight of polyester acrylate, 20% by weight of trifunctional acrylate monomer, 4% by weight of acetophenone type photopolymerization initiator, 6% by weight of benzophenone type photopolymerization initiator, 20% by weight of pigment, and 6% of polyester type dispersant. %, A black photosensitive ink was prepared and diluted with methoxybutyl acetate to prepare a non-conductive varnish.

【0046】次に、アレイ基板A3上に上記ワニスをコ
ーターによりアライメントマーカー以外の部分に全面に
塗布した。その後、110℃で20分プリベークした
後、所定のパターンを形成したフォトマスクでアライメ
ントした後、高圧水銀灯下で160mJのパワーで露光
を行い、アルカリ水溶液にて現像を行った。
Next, the above-mentioned varnish was coated on the entire surface of the array substrate A3 by a coater except the alignment marker. Then, after prebaking at 110 ° C. for 20 minutes, alignment was performed with a photomask having a predetermined pattern formed, exposure with a power of 160 mJ was performed under a high pressure mercury lamp, and development was performed with an alkaline aqueous solution.

【0047】その後、220℃で30分間ホットプレー
ト上で熱硬化を行い、絶縁性遮光膜305を、少なくと
も画素電極306の周辺部と、画素電極306とソース
線304、ゲート線303の間隙部とに設けた。画素電
極306上には、その端部より3μmの領域まで絶縁性
遮光膜305を形成した。その膜厚は1.5μmであっ
た。
After that, thermal curing is performed on a hot plate at 220 ° C. for 30 minutes, and the insulating light-shielding film 305 is formed on at least the peripheral portion of the pixel electrode 306 and the gap portion between the pixel electrode 306, the source line 304, and the gate line 303. Set up in. An insulating light-shielding film 305 was formed on the pixel electrode 306 up to a region of 3 μm from its edge. The film thickness was 1.5 μm.

【0048】次に、対向基板T3とアレイ基板A3上に
水平配向用ポリイミドワニス(例えばSE−7210:
日産化学工業株式会社製)を印刷により塗布し、230
℃で30分間ベークして、ポリイミド配向膜を形成し
た。この膜厚は約70nm程度であった。その後、アレ
イガラス基板301と対向ガラス基板307に、液晶が
90゜TN配向するように、それぞれラビングを施し
た。ラビング布はレーヨン布を用いて、ラビング圧は
0.3mmであった。
Next, a polyimide varnish for horizontal alignment (for example, SE-7210: on the counter substrate T3 and the array substrate A3).
Nissan Chemical Industries Co., Ltd.) is applied by printing, and 230
The polyimide alignment film was formed by baking at 30 ° C. for 30 minutes. This film thickness was about 70 nm. Then, the array glass substrate 301 and the counter glass substrate 307 were each rubbed so that the liquid crystal was 90 ° TN aligned. Rayon cloth was used as the rubbing cloth, and the rubbing pressure was 0.3 mm.

【0049】次に、アレイ基板A3上にプラスチックか
らなる球状のスペーサ(例えばミクロパール:積水ファ
イン株式会社製)を均一に分散させた。スペーサの球径
は4μmである。対向ガラス基板307の周辺部に熱硬
化型のシール材(例えばストラクトボンド:三井東圧化
学(株)製)を液晶注入口を設けて印刷形成し、アレイ
基板A3と対向基板T3を貼り合わせ、所定の温度でシ
ール材を完全硬化させ、液晶セルを作製した。
Next, spherical spacers made of plastic (for example, Micropearl: manufactured by Sekisui Fine Co., Ltd.) were uniformly dispersed on the array substrate A3. The spherical diameter of the spacer is 4 μm. A thermosetting sealant (for example, Struct Bond: manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) is formed by printing on the peripheral portion of the counter glass substrate 307 by providing a liquid crystal injection port, and the array substrate A3 and the counter substrate T3 are bonded together. The sealing material was completely cured at a predetermined temperature to produce a liquid crystal cell.

【0050】次に、屈折率異方性が0.097であるネ
マチック液晶(例えばZLI−4792:メルクジャパ
ン株式会社製)に左捻れのカイラル物質(例えばS−8
11:メルクジャパン株式会社)を添加して、ねじれピ
ッチが80μmになるように濃度調整した。このような
条件で作製したカイラルネマチック液晶を真空注入法で
液晶セルに注入し、カイラルネマチック液晶が完全に充
填された後、液晶注入口を封止樹脂により封口して、ア
レイ基板A3と対向基板T3の表面に偏光板311をそ
の吸収軸がラビング方向に平行になるように貼り付け、
液晶表示パネルを作製した。
Next, a nematic liquid crystal having a refractive index anisotropy of 0.097 (for example, ZLI-4792: manufactured by Merck Japan Co., Ltd.) is left-twisted with a chiral substance (for example, S-8).
11: Merck Japan Co., Ltd.) was added and the concentration was adjusted so that the twist pitch was 80 μm. The chiral nematic liquid crystal produced under such conditions is injected into a liquid crystal cell by a vacuum injection method, and after the chiral nematic liquid crystal is completely filled, the liquid crystal injection port is sealed with a sealing resin, and the array substrate A3 and the counter substrate are sealed. A polarizing plate 311 is attached to the surface of T3 so that its absorption axis is parallel to the rubbing direction,
A liquid crystal display panel was produced.

【0051】本実施の形態の液晶表示パネルにおいて
も、白表示から黒表示への切り替え時には逆チルトドメ
インの発生は見られず、効果が確認できた。また、絶縁
性遮光膜305は、遮光効果を有するので、ブラックマ
トリックスとして用いることができ、ソース線304や
ゲート線303などの配線電極上とスイッチング素子3
02上にも形成することにより、アレイ基板A3上にお
いてブラックマトリックスを形成することが可能にな
り、開口率を向上させることができた。
Also in the liquid crystal display panel of the present embodiment, the occurrence of the reverse tilt domain was not observed when switching from white display to black display, and the effect was confirmed. Further, since the insulating light-shielding film 305 has a light-shielding effect, it can be used as a black matrix, and on the wiring electrodes such as the source line 304 and the gate line 303 and the switching element 3.
It was possible to form a black matrix on the array substrate A3 by forming it also on 02, and it was possible to improve the aperture ratio.

【0052】本実施の形態の液晶表示パネルでは、絶縁
性遮光膜305が光重合性オリゴマーと光重合性モノマ
ーからなるポリエステル樹脂を主成分にして形成されて
いるので、工法上容易に形成することができる。また光
重合性オリゴマーとしてポリエステル系アクリレートを
用いているので、他のエポキシ系アクリレート、ウレタ
ン系アクリレート等と比較すると低粘度であるので、作
業性に優れている。
In the liquid crystal display panel of the present embodiment, the insulating light-shielding film 305 is formed by using the polyester resin composed of the photopolymerizable oligomer and the photopolymerizable monomer as the main component, so that it can be easily formed by the manufacturing method. You can Further, since a polyester-based acrylate is used as the photopolymerizable oligomer, it has a low viscosity as compared with other epoxy-based acrylates, urethane-based acrylates, etc., and thus is excellent in workability.

【0053】以上の構成により、画素電極と配線電極と
の間隙部の横電界によって発生する逆チルトドメインを
抑制することができ、この逆チルトドメインに起因する
画質の低下を抑えることができるとともに、画素電極部
が高開口率となるように設計することができる。その結
果、画像の表示品位を向上することができる。
With the above structure, the reverse tilt domain generated by the lateral electric field in the gap between the pixel electrode and the wiring electrode can be suppressed, and the deterioration of the image quality due to the reverse tilt domain can be suppressed. The pixel electrode portion can be designed to have a high aperture ratio. As a result, the display quality of the image can be improved.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、導電性薄
膜が画素電極と電気的に導通状態になり、その導電性薄
膜が、画素電極と配線電極間に形成された絶縁体層を介
して、配線電極との間に基板法線方向の電気容量を形成
することができるとともに、その導電性薄膜が、その遮
光性によりブラックマトリックスとして作用することが
できる。
As described above, according to the present invention, the conductive thin film is electrically connected to the pixel electrode, and the conductive thin film forms the insulator layer formed between the pixel electrode and the wiring electrode. Thus, the capacitance in the substrate normal direction can be formed between the wiring electrode and the wiring electrode, and the conductive thin film can act as a black matrix due to its light shielding property.

【0055】また、画素電極と配線電極との間隙部と画
素電極の一部に形成された誘電体層が、横電界の最も強
い領域をシールドして、液晶分子が横電界の影響を直接
受けないようにすることができるとともに、そのように
形成された誘電体層が、大きな比誘電率により横電界の
電界強度を弱くすることができる。
Further, the gap between the pixel electrode and the wiring electrode and the dielectric layer formed in a part of the pixel electrode shield the region where the horizontal electric field is strongest, and the liquid crystal molecules are directly affected by the horizontal electric field. The dielectric layer thus formed can reduce the electric field strength of the lateral electric field due to the large relative permittivity.

【0056】また、画素電極と配線電極との間隙部と画
素電極の一部に形成されたポリエステルを主成分とする
絶縁性遮光膜が、横電界の最も強い領域をシールドし
て、液晶分子が横電界の影響を直接受けないようにする
とともに、その遮光性によりブラックマトリックスとし
て作用することができ、さらに、その絶縁性遮光膜を、
光照射を用いて容易に形成することができる。
Further, the insulating light-shielding film containing polyester as a main component formed in the gap between the pixel electrode and the wiring electrode and a part of the pixel electrode shields the region where the horizontal electric field is the strongest, and the liquid crystal molecules are It is possible to act as a black matrix due to its light-shielding property while preventing it from being directly affected by the lateral electric field.
It can be easily formed using light irradiation.

【0057】そのため、画素電極と配線電極との間隙部
の横電界によって発生する逆チルトドメインを抑制する
ことができ、この逆チルトドメインに起因する画質の低
下を抑えることができるとともに、画素電極部が高開口
率となるように設計することができる。その結果、画像
の表示品位を向上することができる。
Therefore, the reverse tilt domain generated by the lateral electric field in the gap between the pixel electrode and the wiring electrode can be suppressed, the deterioration of the image quality due to the reverse tilt domain can be suppressed, and the pixel electrode part can be suppressed. Can be designed to have a high aperture ratio. As a result, the display quality of the image can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の液晶表示パネルの
構成を示す断面模式図
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration of a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態の液晶表示パネルの上部から見た
模式図
FIG. 2 is a schematic view of the liquid crystal display panel of the same embodiment viewed from above.

【図3】本発明の第2の実施の形態の液晶表示パネルの
構成を示す断面模式図
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a configuration of a liquid crystal display panel according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施の形態の液晶表示パネルの
構成を示す断面模式図
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a configuration of a liquid crystal display panel according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

105 導電性薄膜 107 絶縁膜 125 導電性薄膜 205 誘電体層 305 絶縁性遮光膜 105 conductive thin film 107 insulating film 125 conductive thin film 205 dielectric layer 305 insulating light-shielding film

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画素電極と配線電極とスイッチング素子
とを有するアレイ基板と対向電極を有する対向基板との
間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルであって、前記
画素電極と配線電極との間隙部に絶縁体層を形成し、前
記絶縁体層上に、導電性を有する導電性薄膜を、前記画
素電極に接触し且つ画素電極の周囲に位置するように形
成した液晶表示パネル。
1. A liquid crystal display panel in which a liquid crystal is sandwiched between an array substrate having pixel electrodes, wiring electrodes, and switching elements and a counter substrate having counter electrodes, the liquid crystal display panel comprising the pixel electrodes and the wiring electrodes. A liquid crystal display panel, wherein an insulating layer is formed in a gap portion, and a conductive thin film having conductivity is formed on the insulating layer so as to be in contact with the pixel electrode and located around the pixel electrode.
【請求項2】 導電性薄膜を、遮光性を有する導電性高
分子または金属により構成した請求項1に記載の液晶表
示パネル。
2. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the conductive thin film is made of a conductive polymer or metal having a light shielding property.
【請求項3】 画素電極と配線電極とスイッチング素子
とを有するアレイ基板と対向電極を有する対向基板との
間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルであって、少な
くとも前記画素電極と配線電極との間隙部と前記画素電
極の一部に、誘電体からなる誘電体層を形成した液晶表
示パネル。
3. A liquid crystal display panel in which a liquid crystal is sandwiched between an array substrate having pixel electrodes, wiring electrodes and switching elements and a counter substrate having counter electrodes, wherein at least the pixel electrodes and the wiring electrodes are provided. A liquid crystal display panel in which a dielectric layer made of a dielectric material is formed in the gap and a part of the pixel electrode.
【請求項4】 誘電体層を、その膜厚が0.5μm以上
2μm以下になるように形成した請求項3に記載の液晶
表示パネル。
4. The liquid crystal display panel according to claim 3, wherein the dielectric layer is formed to have a film thickness of 0.5 μm or more and 2 μm or less.
【請求項5】 画素電極と配線電極とスイッチング素子
とを有するアレイ基板と対向電極を有する対向基板との
間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルであって、少な
くとも前記画素電極と配線電極との間隙部と前記画素電
極の一部に、ポリエステルを主成分とする絶縁性遮光膜
を形成した液晶表示パネル。
5. A liquid crystal display panel in which a liquid crystal is sandwiched between an array substrate having pixel electrodes, wiring electrodes and switching elements and a counter substrate having counter electrodes, wherein at least the pixel electrodes and the wiring electrodes are provided. A liquid crystal display panel in which an insulating light-shielding film containing polyester as a main component is formed in the gap portion and a part of the pixel electrode.
【請求項6】 絶縁性遮光膜を、光重合性オリゴマーと
光重合性モノマーとからなるポリエステルを主成分とし
て形成した請求項5に記載の液晶表示パネル。
6. The liquid crystal display panel according to claim 5, wherein the insulative light-shielding film is formed mainly of polyester composed of a photopolymerizable oligomer and a photopolymerizable monomer.
JP7548796A 1996-03-29 1996-03-29 LCD panel Pending JPH09265083A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7548796A JPH09265083A (en) 1996-03-29 1996-03-29 LCD panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7548796A JPH09265083A (en) 1996-03-29 1996-03-29 LCD panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09265083A true JPH09265083A (en) 1997-10-07

Family

ID=13577705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7548796A Pending JPH09265083A (en) 1996-03-29 1996-03-29 LCD panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09265083A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001318388A (en) * 2000-02-29 2001-11-16 Sony Corp Liquid crystal display device
US7652739B2 (en) 2000-02-29 2010-01-26 Sony Corporation Liquid crystal display apparatus using switching devices and a method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001318388A (en) * 2000-02-29 2001-11-16 Sony Corp Liquid crystal display device
US7652739B2 (en) 2000-02-29 2010-01-26 Sony Corporation Liquid crystal display apparatus using switching devices and a method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10481437B1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing that
US10613390B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP4394479B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
CN1550834B (en) Liquid crystal display device
US8619228B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method
US7605897B2 (en) Multi-domain vertical alignment liquid crystal displays with improved angular dependent gamma curves
US8512819B2 (en) Liquid crystal display device
JP3824275B2 (en) Liquid crystal display
US7714967B2 (en) Multi-domain liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7508468B2 (en) Method of manufacturing liquid crystal display device and the liquid crystal display device
US7538835B2 (en) Viewing angle compensating plate and liquid crystal display panel including the same
US7605887B2 (en) Method of fabricating in-plane switching mode liquid crystal display device
JP5332548B2 (en) Color filter and liquid crystal display device including the same
JP3175972B2 (en) Liquid crystal display
JP2002214613A (en) Liquid crystal display
US20040105066A1 (en) Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
JP2000137229A (en) Liquid crystal display
JPH09265083A (en) LCD panel
JPH07120764A (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
JP3210652B2 (en) Liquid crystal display panel manufacturing method
JP3115819B2 (en) Color filter substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device using the same
JPH10213802A (en) Liquid crystal display
JPH1010538A (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JPH0996816A (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
JPH0996806A (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof