[go: up one dir, main page]

JPH09260550A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH09260550A
JPH09260550A JP8066608A JP6660896A JPH09260550A JP H09260550 A JPH09260550 A JP H09260550A JP 8066608 A JP8066608 A JP 8066608A JP 6660896 A JP6660896 A JP 6660896A JP H09260550 A JPH09260550 A JP H09260550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
heat dissipation
semiconductor element
sealing material
dissipation plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8066608A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Tomita
至洋 冨田
Naoto Ueda
直人 上田
Tatsuya Hirai
達也 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP8066608A priority Critical patent/JPH09260550A/ja
Priority to TW085111710A priority patent/TW351006B/zh
Priority to CN96122089A priority patent/CN1127761C/zh
Priority to KR1019960064204A priority patent/KR100229858B1/ko
Priority to DE19700056A priority patent/DE19700056A1/de
Publication of JPH09260550A publication Critical patent/JPH09260550A/ja
Priority to US09/127,609 priority patent/US5986336A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来装置では、封止材の成形性が低下し、高
放熱性が得られず、またダイパッドを露出させると、界
面剥離が発生し信頼性が低下してしまう。 【解決手段】 放熱板１０がダイパッド２の下側にダイ
パッド２と所定間隙をもって配設されている。この放熱
板１０は、その中央部が外部に露出する露出面１０ｂを
形成するように、封止材６により、端面近傍１０ａを額
縁状に封止されている。そして、封止材６の流れ止め用
のくぼみ１１が、放熱板１０に端面近傍１０ａと露出面
１０ｂとをまたがるように枠状に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に関
し、特に半導体素子を載置するダイパッドの下面側に放
熱板を配置した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体装置の一例を示す側
断面図である。図において、半導体素子１は接着剤３に
よって搭載部としてのダイパッド２上に固着されてい
る。そして、半導体素子１の電極パッドと内部リード５
とが導通手段としてのワイヤ４によって接続され、互い
に電気的に導通されている。さらに、半導体素子１、ダ
イパッド２、接着剤３、ワイヤ４および内部リード５が
エポキシ樹脂などの封止材６によって封止されている。
また、内部リード５は封止材６から外部に延出して外部
リード７を形成している。ここで、Ｄは半導体装置の封
止部総厚みを、ｄ1は半導体素子１の厚みを、ｄ2はダイ
パッド２の下の封止材６の厚みをそれぞれ表している。
【０００３】このように構成された従来の半導体装置で
は、封止部総厚みＤを薄くすることにより半導体装置の
薄型化を図ることが試みられている。しかしながら、封
止部総厚みＤを薄くしようとすると、それに伴い封止材
の厚みｄ2が薄くなり、樹脂封止工程において封止材６
がダイパッド２の裏面全体に行き渡らず、封止材６の成
形性が損なわれてしまうという不具合があった。また、
半導体素子１自体の厚みｄ1を薄くすることにより半導
体装置の薄型化を図ることも可能である。しかしなが
ら、半導体素子１の厚みｄ1を薄くすると、半導体素子
１の信頼性が低下してしまうことから、半導体素子１自
体の厚みを薄くすることは困難であった。
【０００４】また、最近の市場からの要求により、高放
熱性をもった半導体装置が必要とされている。しかしな
がら、図６に示される従来の半導体装置では、半導体素
子１で発生した熱は封止材６を介して外部に放熱される
ことから、高放熱性が得られなかった。
【０００５】その改善策として、図７に示されるよう
に、ダイパッド２を外部に露出する構造の半導体装置が
考えられる。このようなダイパッド露出構造を持つ従来
の半導体装置は、ダイパッド２の下の封止材６がなく、
その分封止部総厚みＤを薄くでき、薄型化を図ることが
できる。また、半導体素子１で発生した熱はダイパッド
２の外部露出面を介して外部に放熱され、高放熱性が得
られる。しかしながら、ダイパッド２の裏面全体が露出
しているので、ダイパッド２の端面２ａに応力が集中し
てしまう。そして、ダイパッド２の端面２ａへの応力集
中に起因して封止材６とダイパッド２との間で界面剥離
が発生し、半導体装置の信頼性が低下してしまうという
不具合があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図６に示される従来の
半導体装置では、薄型化に伴うダイパッド２下の封止材
６の成形性が低下したり、高放熱性が得られないという
課題があった。また、図７に示される従来の半導体装置
では、ダイパッド２全面露出構造に起因してダイパッド
２と封止材６との間で界面剥離が発生し、信頼性が低下
してしまうという課題があった。
【０００７】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、成形性が良好で、かつ、放熱
性、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
装置は、半導体素子と、この半導体素子を固着搭載する
搭載部と、半導体素子と電気的に導通される内部リード
と、半導体素子と内部リードとを電気的に導通する導通
手段と、搭載部を挟んで半導体素子と対向して搭載部と
所定間隙をもって配設される放熱板と、半導体素子、搭
載部、内部リード、導通手段および放熱板を封止する封
止材と、内部リードが封止材から外部に延長して形成さ
れた外部リードとを備え、放熱板の端面近傍が封止材に
額縁状に封止され、放熱板の端面近傍を除いた搭載部と
相対していない面の中央が封止材に封止されず外部に露
出して露出面を形成しているものである。
【０００９】また、第２の発明に係る半導体装置は、上
記第１の発明において、封止材の流れ止め用のくぼみ
が、放熱板の搭載部と相対していない面に、端面近傍と
露出面とにまたがるように枠状に形成されているもので
ある。
【００１０】また、第３の発明に係る半導体装置は、上
記第１の発明において、封止材の流れ止め用のくぼみ
が、放熱板の搭載部と相対していない面の全面に形成さ
れているものである。
【００１１】また、第４の発明に係る半導体装置は、上
記第１乃至第３の発明のいずれかの発明において、放熱
板が半導体素子の接地端子に電気的に接続され、かつ、
該放熱板の露出面に絶縁材が設けられているものであ
る。
【００１２】また、第５の発明に係る半導体装置は、上
記第１乃至第３の発明のいずれかの発明において、実装
基板を備え、放熱板が半導体素子の接地端子に電気的に
接続され、かつ、該放熱板の露出面が導電性材料により
実装基板の接地パターン上に固着されているものであ
る。
【００１３】また、第６の発明に係る半導体装置は、上
記第１乃至第３の発明のいずれかの発明において、放熱
板の露出面に放熱体が設けられているものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１に係る半
導体装置を裏面側から見た状態を示す一部破断平面図、
図２は図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図であり、図において
図６および図７に示した従来の半導体装置と同一または
相当部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図
において、半導体素子１がダイパッド２上に接着剤３に
より固着され、半導体素子１の電極パッドと内部リード
５とがワイヤ４により接続されている。さらに、ダイパ
ッド２の下側に放熱板１０が配設されている。そして、
半導体素子１、ダイパッド２、接着剤３、ワイヤ４、内
部リード５および放熱板１０が封止材６によって封止さ
れている。この時、放熱板１０の端面近傍１０ａは封止
材６により額縁状に封止されている。そして、放熱板１
０の中央部分は封止材６に封止されず外部に露出して露
出面１０ｂを形成している。また、放熱板１０の裏面に
は、封止材６の流れ止め用のくぼみ１１が端面近傍１０
ａと露出面１０ｂとにまたがるように枠状に形成されて
いる。
【００１５】この実施の形態１では、封止材６により放
熱板１０を額縁状に封止するように構成されているの
で、半導体装置の薄型化に伴い封止部総厚みＤが薄くな
り、放熱板１０下の封止材厚みｄ3が極薄化しても、放
熱板１０の端面近傍１０ａの幅ｄ4だけ封止材６を成形
すればよい。この封止材厚みｄ3は、０．２ｍｍ以下、
好適には０．１５ｍｍ以下がよい。従って、樹脂封止す
る際に、封止材６を放熱板１０の裏面全体に流し込む必
要がなく、樹脂封止の成形性がよくなる。この場合、封
止材６は、放熱板１０との接着力が十分得られる最小限
の幅ｄ4で樹脂封止すればよい。また、放熱板１０の端
面近傍１０ａの幅ｄ4を小さくすれば、露出面１０ｂを
大きくすることができる。放熱特性は露出面積に依存す
ることから、放熱効果を増大することができる。さら
に、放熱板１０の端面近傍１０ａが封止材６により封止
されているので、放熱板１０の端面における応力集中が
緩和される。そこで、封止材６と放熱板１０との界面に
生じる剥離の発生が抑えられる。このように、この実施
の形態１によれば、樹脂封止の成形性が良好で、信頼性
に優れ、高放熱性を備えた薄型の半導体装置が得られ
る。
【００１６】また、くぼみ１１が放熱板１０の裏面に端
面近傍１０ａと露出面１０ｂとにまたがって枠状に形成
されている。そこで、樹脂封止した際に、放熱板１０と
樹脂封止用金型（図示せず）との間に侵入しようとする
封止材６は、くぼみ１１内に流れ込み、それ以上の侵入
が阻止される。その結果、精度の良い封止材６の封止外
形形状が得られるとともに、放熱板１０の裏面に放熱性
を阻害する樹脂バリが生成されることがなく、優れた放
熱性が確保される。
【００１７】ここで、ダイパッド２を露出させた場合
と、放熱板１０を露出させた場合との差異について説明
する。ダイパッド２はプレス加工により銅フレームに内
部リード５および外部リード７とともに形成される。そ
こで、ダイパッド２の外形形状を大きくすると、内部リ
ードがその分外側にシフトすることになり、ダイパッド
２に搭載される半導体素子１と内部リード５との距離が
その分長くなってしまう。その結果、ワイヤ４の長さが
長くなり、ワイヤボンディング性が低下するとともに、
ワイヤボンディングの後工程においてワイヤ４を引っか
けて切断したりする事故が発生しやすく、歩留まりを低
下させたり、取り扱い上注意が必要となる等の不具合が
ある。このような不具合を解消するために、ダイパッド
２は半導体素子１の外形形状に見合った形状に形成され
ている。すなわち、ダイパッド２を大形に形成すること
はできない。一方、放熱板１０はダイパッド２とは別の
銅フレームで作製することができ、上記ダイパッド２の
ような制約がない。従って、放熱板１０は大形に形成す
ることができる。従って、放熱板１０の大形化により露
出面積の大面積化が図られ、高放熱性を達成することが
できる。
【００１８】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２に係る半導体装置を示す側断面図である。この実施
の形態２では、放熱板１０が半導体素子１のＧＮＤ電極
端子と電気的に接続され、さらに放熱板１０の露出面１
０ｂに絶縁材としての絶縁樹脂１５が設けられている。
なお、他の構成は上記実施の形態１と同様に構成されて
いる。この絶縁樹脂１５は、露出面１０ｂに例えばポッ
ティング、スクリーニング、ディッピング等の手法によ
り形成することができる。この半導体装置を基板上に実
装した際に、放熱板１０が露出しているので基板上の電
源ラインや信号ラインと接触する可能性がある。このよ
うに、この実施の形態２では、放熱板１０の露出面１０
ｂに絶縁樹脂１５が設けられているので、放熱板１０と
外部部材との電気的短絡を防止でき、即ち半導体素子１
の電気的な短絡あるいはリークを防止でき、半導体素子
１の動作の安定化を図ることができる。また、絶縁樹脂
１５としてエポキシ樹脂などの液状絶縁樹脂を薄く形成
することにより、熱伝導性が確保され、高放熱性を維持
することができる。
【００１９】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３に係る半導体装置を示す側断面図である。この実施
の形態３では、半導体装置を実装基板１６に実装した際
に、放熱板１０の露出面１０ｂと実装基板１６のＧＮＤ
パターン１６ｂとの間に導電性材料１７を配設し、さら
に放熱板１０とダイパッド２あるいは半導体素子１のＧ
ＮＤ電極端子とをワイヤなどにより接続している。な
お、他の構成は上記実施の形態１と同様に構成されてい
る。この導電性材料１７は、例えば低融点半田が用いら
れる。そして、半導体装置を実装基板１６に実装する際
には、外部リード７が実装基板１６の配線部１６ａにＶ
ＳＰ(Vapor Phased Surface Mount)法やＩＲリフロー法
等の方法により取り付けられる。その際、放熱板１０は
導電性材料１７により実装基板１６のＧＮＤパターン１
６ｂに電気的に接続されて固着され、半導体素子１は実
装基板１６から直接接地電位を取ることが可能となる。
さらに、半導体素子１で発生した熱は、放熱板１０およ
び導電性材料１７を介して実装基板１６に伝達され、高
放熱性を向上させることができる。
【００２０】なお、上記実施の形態３では、半導体装置
を実装基板１６に実装した際に、導電性材料１７で放熱
板１０の露出面１０ｂと実装基板１６のＧＮＤパターン
１６ｂとを接続するものとしているが、放熱板１０を接
地する必要のない場合には、導電性材料１７に代えて、
熱伝導性接着剤を用いることができる。この場合、半導
体素子１で発生した熱は、放熱板１０から熱伝導性接着
剤を介して実装基板１６に伝達され、高放熱性が確保さ
れる。
【００２１】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４に係る半導体装置を示す側断面図である。この実施
の形態４では、放熱板１０の露出面１０ｂが半導体装置
の上面となるように外部リード７が形成され、放熱体と
しての放熱フィン１８が接着剤１９により露出面１０ｂ
に固着されている。なお、他の構成は上記実施の形態１
と同様に構成されている。この実施の形態４によれば、
半導体素子１で発生した熱は、放熱板１０および放熱フ
ィン１８を介して放熱され、高放熱性を向上させること
ができる。また、接着剤１９を絶縁材料とすることによ
り、上記実施の形態２と同様な絶縁性の効果が得られ
る。また、放熱板１０と放熱フィン１８とを一体に形成
することも可能である。
【００２２】実施の形態５．上記実施の形態１では、放
熱板１０の裏面にくぼみ１１を端面近傍１０ａと露出面
１０ｂとをまたがるように枠状に形成するものとしてい
るが、この実施の形態５では、くぼみ１１を放熱板１０
の裏面全面に形成するものとしている。この場合、樹脂
封止の際に封止材６の露出面１０ａ側への流れ込みが防
止され、さらには放熱面積が増大され、高放熱性を確保
することができる。なお、上記実施の形態２〜４におい
て、くぼみ１１を放熱板１０の裏面全面に形成しても、
同様の効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２４】第１の発明によれば、半導体素子と、この
半導体素子を固着搭載する搭載部と、半導体素子と電気
的に導通される内部リードと、半導体素子と内部リード
とを電気的に導通する導通手段と、搭載部を挟んで半導
体素子と対向して搭載部と所定間隙をもって配設される
放熱板と、半導体素子、搭載部、内部リード、導通手段
および放熱板を封止する封止材と、内部リードが封止材
から外部に延長して形成された外部リードとを備え、放
熱板の端面近傍が封止材に額縁状に封止され、放熱板の
端面近傍を除いた搭載部と相対していない面の中央が封
止材に封止されず外部に露出して露出面を形成している
ので、成形性が良好で、かつ、放熱性、信頼性の高い半
導体装置を得ることができる。
【００２５】また、第２の発明によれば、上記第１の発
明において、封止材の流れ止め用のくぼみが、放熱板の
搭載部と相対していない面に、端面近傍と露出面とにま
たがるように枠状に形成されているので、封止材で放熱
板の端縁周囲を封止する際に露出面側への封止材の流れ
込みが阻止され、精度の良い封止材の封止外形形状が得
られるとともに、露出面に樹脂バリの発生が防止され
る。
【００２６】また、第３の発明によれば、上記第１の発
明において、封止材の流れ止め用のくぼみが、放熱板の
搭載部と相対していない面の全面に形成されているの
で、上記第２の発明の効果に加えて、くぼみによる放熱
面積の増大が図られ、その分放熱性を向上させることが
できる。
【００２７】また、第４の発明によれば、上記第１乃至
第３の発明のいずれかの発明において、放熱板が半導体
素子の接地端子に電気的に接続され、かつ、該放熱板の
露出面に絶縁材が設けられているので、半導体素子を絶
縁することができる。
【００２８】また、第５の発明によれば、上記第１乃至
第３の発明のいずれかの発明において、実装基板を備
え、放熱板が半導体素子の接地端子に電気的に接続さ
れ、かつ、該放熱板の露出面が導電性材料により実装基
板の接地パターン上に固着されているので、半導体素子
を実装基板に直接接地することができる。
【００２９】また、第６の発明によれば、上記第１乃至
第３の発明のいずれかの発明において、放熱板の露出面
に放熱体が設けられているので、半導体装置の放熱性を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１に係る半導体装置を
裏面側から見た一部破断平面図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係る半導体装置を
示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３に係る半導体装置を
示す断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態４に係る半導体装置を
示す断面図である。
【図６】 従来の半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
【図７】 従来の半導体装置の他の例を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体素子、２ ダイパッド（搭載部）、４ ワイ
ヤ（導通手段）、５内部リード、６ 封止材、７ 外部
リード、１０ 放熱板、１０ａ 端面近傍、１０ｂ 露
出面、１１ くぼみ、１５ 絶縁樹脂（絶縁材）、１６
実装基板、１６ｂ ＧＮＤパターン（接地パター
ン）、１７ 導電性材料、１８ 放熱フィン（放熱
体）。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子と、この半導体素子を固着搭
    載する搭載部と、前記半導体素子と電気的に導通される
    内部リードと、前記半導体素子と前記内部リードとを電
    気的に導通する導通手段と、前記搭載部を挟んで前記半
    導体素子と対向して前記搭載部と所定間隙をもって配設
    される放熱板と、前記半導体素子、前記搭載部、前記内
    部リード、前記導通手段および前記放熱板を封止する封
    止材と、前記内部リードが前記封止材から外部に延長し
    て形成された外部リードとを備え、前記放熱板の端面近
    傍が前記封止材に額縁状に封止され、前記放熱板の端面
    近傍を除いた前記搭載部と相対していない面の中央が前
    記封止材に封止されず外部に露出して露出面を形成して
    いることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 封止材の流れ止め用のくぼみが、放熱板
    の搭載部と相対していない面に、端面近傍と露出面とに
    またがるように枠状に形成されていることを特徴とする
    請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 封止材の流れ止め用のくぼみが、放熱板
    の搭載部と相対していない面の全面に形成されているこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 放熱板が半導体素子の接地端子に電気的
    に接続され、かつ、該放熱板の露出面に絶縁材が設けら
    れていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
    れかに記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 実装基板を備え、放熱板が半導体素子の
    接地端子に電気的に接続され、かつ、該放熱板の露出面
    が導電性材料により前記実装基板の接地パターン上に固
    着されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
    いずれかに記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 放熱板の露出面に放熱体が設けられてい
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに
    記載の半導体装置。
JP8066608A 1996-03-22 1996-03-22 半導体装置 Pending JPH09260550A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8066608A JPH09260550A (ja) 1996-03-22 1996-03-22 半導体装置
TW085111710A TW351006B (en) 1996-03-22 1996-09-25 Semiconductor packaging
CN96122089A CN1127761C (zh) 1996-03-22 1996-10-30 半导体装置
KR1019960064204A KR100229858B1 (ko) 1996-03-22 1996-12-11 반도체 장치
DE19700056A DE19700056A1 (de) 1996-03-22 1997-01-02 Halbleiterbauelement
US09/127,609 US5986336A (en) 1996-03-22 1998-07-31 Semiconductor device including a heat radiation plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8066608A JPH09260550A (ja) 1996-03-22 1996-03-22 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09260550A true JPH09260550A (ja) 1997-10-03

Family

ID=13320797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8066608A Pending JPH09260550A (ja) 1996-03-22 1996-03-22 半導体装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5986336A (ja)
JP (1) JPH09260550A (ja)
KR (1) KR100229858B1 (ja)
CN (1) CN1127761C (ja)
DE (1) DE19700056A1 (ja)
TW (1) TW351006B (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100759A (ja) * 2004-08-31 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
EP1921911A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-14 Hitachi, Ltd. Power module and motor integrated control unit
JP2010114257A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2011009410A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール
JP2011134949A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2011181787A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー系半導体装置
WO2016092938A1 (ja) * 2014-12-08 2016-06-16 株式会社村田製作所 パッケージ型パワー半導体、および、パッケージ型パワー半導体の実装構造
WO2017175612A1 (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 三菱電機株式会社 パワーモジュール、パワー半導体装置及びパワーモジュール製造方法
JP2021068813A (ja) * 2019-10-24 2021-04-30 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPWO2021140586A1 (ja) * 2020-01-08 2021-07-15

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19639025C2 (de) * 1996-09-23 1999-10-28 Siemens Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
US6001672A (en) * 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
JP4286465B2 (ja) * 2001-02-09 2009-07-01 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法
US7220615B2 (en) 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
US6444501B1 (en) * 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
US7015072B2 (en) * 2001-07-11 2006-03-21 Asat Limited Method of manufacturing an enhanced thermal dissipation integrated circuit package
US6734552B2 (en) 2001-07-11 2004-05-11 Asat Limited Enhanced thermal dissipation integrated circuit package
USD509810S1 (en) * 2003-07-30 2005-09-20 Delta Electronics Inc. Molding structure of electric element
EP1635386A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-15 STMicroelectronics S.r.l. Method of removing molding residues from lead-frames
US7582951B2 (en) 2005-10-20 2009-09-01 Broadcom Corporation Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages
CN101449371B (zh) * 2006-05-30 2010-09-29 国产电机株式会社 树脂密封型半导体器件以及用该半导体器件的电子装置
US7808087B2 (en) * 2006-06-01 2010-10-05 Broadcom Corporation Leadframe IC packages having top and bottom integrated heat spreaders
TW201011869A (en) * 2008-09-10 2010-03-16 Cyntec Co Ltd Chip package structure
CN103339724B (zh) * 2011-02-09 2016-03-02 三菱电机株式会社 功率半导体模块
JP5936310B2 (ja) * 2011-03-17 2016-06-22 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びその取り付け構造
KR101477392B1 (ko) * 2013-05-21 2014-12-29 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈
JP6016965B2 (ja) * 2015-03-02 2016-10-26 三菱電機株式会社 電子機器ユニット及びその製造金型装置
JP6891904B2 (ja) * 2017-02-06 2021-06-18 富士電機株式会社 半導体モジュール、電気自動車およびパワーコントロールユニット
JP2024044487A (ja) * 2022-09-21 2024-04-02 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2582013B2 (ja) * 1991-02-08 1997-02-19 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2677632B2 (ja) * 1988-09-30 1997-11-17 株式会社東芝 超薄型表面実装樹脂封止半導体装置
US5208188A (en) * 1989-10-02 1993-05-04 Advanced Micro Devices, Inc. Process for making a multilayer lead frame assembly for an integrated circuit structure and multilayer integrated circuit die package formed by such process
US5334872A (en) * 1990-01-29 1994-08-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad
US5139969A (en) * 1990-05-30 1992-08-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making resin molded semiconductor device
US5202288A (en) * 1990-06-01 1993-04-13 Robert Bosch Gmbh Method of manufacturing an electronic circuit component incorporating a heat sink
US5147821A (en) * 1990-09-28 1992-09-15 Motorola, Inc. Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation
US5172213A (en) * 1991-05-23 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Molded circuit package having heat dissipating post
JPH05304226A (ja) * 1991-08-16 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH05190721A (ja) * 1992-01-08 1993-07-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5387554A (en) * 1992-09-10 1995-02-07 Vlsi Technology, Inc. Apparatus and method for thermally coupling a heat sink to a lead frame
JP2934357B2 (ja) * 1992-10-20 1999-08-16 富士通株式会社 半導体装置
JPH06151657A (ja) * 1992-11-06 1994-05-31 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH06209054A (ja) * 1993-01-08 1994-07-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5485037A (en) * 1993-04-12 1996-01-16 Amkor Electronics, Inc. Semiconductor device having a thermal dissipator and electromagnetic shielding
US5430331A (en) * 1993-06-23 1995-07-04 Vlsi Technology, Inc. Plastic encapsulated integrated circuit package having an embedded thermal dissipator
US5397746A (en) * 1993-11-03 1995-03-14 Intel Corporation Quad flat package heat slug composition
JP2866572B2 (ja) * 1994-02-07 1999-03-08 三菱電機株式会社 半導体製造方法
US5444602A (en) * 1994-02-25 1995-08-22 Intel Corporation An electronic package that has a die coupled to a lead frame by a dielectric tape and a heat sink that providees both an electrical and a thermal path between the die and teh lead frame
KR0148080B1 (ko) * 1995-07-31 1998-08-01 김광호 반도체 리드프레임 제조방법 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지 제조방법

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100759A (ja) * 2004-08-31 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
EP1921911A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-14 Hitachi, Ltd. Power module and motor integrated control unit
JP2008118067A (ja) * 2006-11-08 2008-05-22 Hitachi Ltd パワーモジュール及びモータ一体型コントロール装置
US7679182B2 (en) 2006-11-08 2010-03-16 Hitachi, Ltd. Power module and motor integrated control unit
JP2010114257A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2011009410A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール
JP2011134949A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2011181787A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー系半導体装置
WO2016092938A1 (ja) * 2014-12-08 2016-06-16 株式会社村田製作所 パッケージ型パワー半導体、および、パッケージ型パワー半導体の実装構造
JPWO2016092938A1 (ja) * 2014-12-08 2017-09-07 株式会社村田製作所 パッケージ型パワー半導体、および、パッケージ型パワー半導体の実装構造
WO2017175612A1 (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 三菱電機株式会社 パワーモジュール、パワー半導体装置及びパワーモジュール製造方法
JPWO2017175612A1 (ja) * 2016-04-04 2018-07-26 三菱電機株式会社 パワーモジュール、パワー半導体装置及びパワーモジュール製造方法
JP2021068813A (ja) * 2019-10-24 2021-04-30 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US11482515B2 (en) 2019-10-24 2022-10-25 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JPWO2021140586A1 (ja) * 2020-01-08 2021-07-15
WO2021140586A1 (ja) * 2020-01-08 2021-07-15 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1127761C (zh) 2003-11-12
TW351006B (en) 1999-01-21
US5986336A (en) 1999-11-16
DE19700056A1 (de) 1997-09-25
KR970067728A (ko) 1997-10-13
CN1160931A (zh) 1997-10-01
KR100229858B1 (ko) 1999-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09260550A (ja) 半導体装置
JP3868777B2 (ja) 半導体装置
US4943843A (en) Semiconductor device
US7449774B1 (en) Semiconductor power module having an electrically insulating heat sink and method of manufacturing the same
JPH06209054A (ja) 半導体装置
KR20030032816A (ko) 반도체장치
JP7649171B2 (ja) 半導体装置
US11984386B2 (en) Semiconductor device
KR102199360B1 (ko) 반도체 패키지
JP2022143166A (ja) 半導体装置
JP2004071977A (ja) 半導体装置
JP7594950B2 (ja) 半導体装置
JP2022143167A (ja) 半導体装置
KR20190085587A (ko) 고열전도성 반도체 패키지
JPH0637217A (ja) 半導体装置
JP2001144229A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3321006B2 (ja) 半導体装置
JP2006310609A (ja) 半導体装置
JP2009158825A (ja) 半導体装置
JP2004119610A (ja) リードフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2577879B2 (ja) 半導体装置
WO2022255053A1 (ja) 半導体装置
JP2005150693A (ja) チップパッケージ構造
JP2577880B2 (ja) 半導体装置
JPH07231065A (ja) 樹脂封止型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040601