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JPH0972722A - Substrate visual inspection device - Google Patents

Substrate visual inspection device

Info

Publication number
JPH0972722A
JPH0972722A JP7230488A JP23048895A JPH0972722A JP H0972722 A JPH0972722 A JP H0972722A JP 7230488 A JP7230488 A JP 7230488A JP 23048895 A JP23048895 A JP 23048895A JP H0972722 A JPH0972722 A JP H0972722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
substrate
image
reflected light
abnormal portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7230488A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoru Kino
哲 城野
Masashi Otani
昌司 大谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP7230488A priority Critical patent/JPH0972722A/en
Publication of JPH0972722A publication Critical patent/JPH0972722A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板表面の欠陥を確実に検査する。 【解決手段】 照明ユニット7からの光に基づいて平行
光生成部8にて平行光を生成し、ハーフミラー9を介し
て、基板4の表面に垂直方向に平行光を入射する。そし
て、基板4からの反射光をCCDカメラ6により撮像
し、撮像された画像の異常部の欠陥検出画素数pxを計
数し、これを欠陥体積vに換算して、欠陥の大きさを判
定する。また、基板4の表面に一般拡散照明をしつつ、
基板4の表面をCCDカメラ11により撮像し、撮像され
た画像から欠陥面積Aを求める。そして、欠陥高さ若し
くは欠陥深さd=v/(k・A)を算出し、これからも
欠陥判定する。
(57) [Abstract] [PROBLEMS] To reliably inspect defects on a substrate surface. A parallel light generation unit 8 generates parallel light based on light from an illumination unit, and the parallel light is vertically incident on a surface of a substrate via a half mirror 9. Then, the reflected light from the substrate 4 is imaged by the CCD camera 6, the number of defect detection pixels px in an abnormal portion of the imaged image is counted, and this is converted into a defect volume v to determine the size of the defect. . Also, while performing general diffuse illumination on the surface of the substrate 4,
The surface of the substrate 4 is imaged by the CCD camera 11, and the defect area A is obtained from the imaged image. Then, the defect height or the defect depth d = v / (k · A) is calculated, and the defect determination is continued.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面の微細な
欠陥やパターンなどの3次元形状や位置情報を基板表面
反射率にかかわらず光学的に非接触で高速測定すること
のできる基板外観検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate appearance inspection capable of optically non-contact and high-speed measurement of three-dimensional shape such as fine defects and patterns on a substrate surface and positional information regardless of the substrate surface reflectance. Regarding the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、基板の外観検査に際し、CC
Dカメラにより基板の表面を撮影して、その画像情報か
ら欠陥の有無や大きさを判定することが行われている。
また、基板の表面にレーザー光を照射し、その散乱・回
折・反射により欠陥を検出してその形状を測定すること
も行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when performing a visual inspection of a board, CC
The surface of a substrate is photographed by a D camera, and the presence / absence and size of a defect are determined from the image information.
It is also practiced to irradiate the surface of a substrate with a laser beam, detect the defect by scattering, diffraction, and reflection, and measure the shape thereof.

【0003】更に、STM(走査型トンネル顕微鏡)や
AFM(原子間力顕微鏡)により詳細な欠陥の3次元形
状計測も行われている。
Furthermore, detailed three-dimensional shape measurement of defects is also performed by STM (scanning tunneling microscope) and AFM (atomic force microscope).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、CCD
カメラによる通常の撮影では、その画像情報から、欠陥
の面積を算出することはできるものの、欠陥がどの程度
の高さ若しくは深さを有していて、欠陥の体積としては
どの位かを知ることはできなかった。また、レーザー光
照射による方法では、表面反射率の低い基板では、欠陥
を検出することが困難であった。
However, CCDs
In normal shooting with a camera, the area of the defect can be calculated from the image information, but the height or depth of the defect and the volume of the defect must be known. I couldn't. In addition, it is difficult to detect defects in a substrate having a low surface reflectance by the method using laser light irradiation.

【0005】更に、基板表面の微細な欠陥やパターンな
どはSTMやAFMによって測定可能であるが、検査時
間が長く高速測定を要求する場合には不適であった。本
発明は、このような従来の問題点に鑑み、基板表面の微
細な欠陥などを高速かつ正確に検査することのできる基
板外観検査装置を提供することを目的とする。
Further, fine defects and patterns on the surface of the substrate can be measured by STM or AFM, but they are unsuitable when the inspection time is long and high-speed measurement is required. In view of such conventional problems, an object of the present invention is to provide a substrate appearance inspection device capable of inspecting minute defects on the substrate surface at high speed and accurately.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】このため、請求項1に係
る発明では、図1(A)に示すように、基板の表面に垂
直方向に平行光を入射する平行光入射手段と、前記平行
光の基板からの反射光を撮像する反射光撮像手段と、こ
の反射光撮像手段により撮像された異常部の画像に基づ
いて欠陥の大きさを判定する欠陥判定手段とを設けて、
基板外観検査装置を構成する。
Therefore, in the invention according to claim 1, as shown in FIG. 1 (A), parallel light incidence means for injecting parallel light in the vertical direction onto the surface of the substrate and the parallel light incidence means. Provided is a reflected light image pickup means for picking up an image of the reflected light of the light from the substrate, and a defect judgment means for judging the size of the defect based on the image of the abnormal portion picked up by the reflected light image pickup means.
A board appearance inspection device is configured.

【0007】ここで、異常部とは、欠陥に由来する凹凸
部で、入射光が正反射せずに、反射光が集光して正常部
より明るく見える部分や、反射光が乱反射して正常部よ
り暗く見える(影)部分をいう。更に、請求項2に係る
発明では、前記欠陥判定手段は、異常部の画像信号を欠
陥体積に変換して、欠陥の大きさを判定するものである
ことを特徴とする。
Here, the abnormal portion is an uneven portion derived from a defect. The incident light is not specularly reflected but the reflected light is condensed and looks brighter than the normal portion, or the reflected light is irregularly reflected and normal. The part that appears darker (shadow) than the part. Further, the invention according to claim 2 is characterized in that the defect determining means determines the size of the defect by converting the image signal of the abnormal portion into a defect volume.

【0008】本発明者らは、実験により、平行光を生成
して、基板の表面に垂直方向に照射し、その反射光を解
析、具体的には2次元CCDカメラにより撮像して、撮
像された画像を画像処理装置によって2値化して、異常
部の検出画素数を計数した。これは基板の表面に凹凸状
の欠陥があると、その部分だけ正反射しないので、欠陥
と異常部の検出画素数との間に一定の関係があると推論
されたからである。この実験によれば、欠陥検出画素数
は実際の欠陥面積とは相関がなく、実際の欠陥体積(=
〔欠陥面積〕×〔欠陥高さ若しくは深さ〕)と強い相関
があることがわかった。
The inventors of the present invention have conducted experiments to generate parallel light, irradiate the surface of the substrate in a vertical direction, and analyze the reflected light, specifically, image it with a two-dimensional CCD camera, and capture it. The image thus obtained was binarized by an image processing device, and the number of pixels detected in the abnormal portion was counted. This is because it is inferred that if there is an uneven defect on the surface of the substrate, only that part is not specularly reflected, so that there is a certain relationship between the defect and the number of detected pixels in the abnormal part. According to this experiment, the number of defect detection pixels does not correlate with the actual defect area, and the actual defect volume (=
It was found that there is a strong correlation with [defect area] × [defect height or depth]).

【0009】よって、平行光を用いて画像情報を得て、
異常部の欠陥検出画素数を計数することにより、異常部
の欠陥検出画素数に基づいて欠陥の大きさを判定するの
であり、更には、異常部の欠陥検出画素数を欠陥体積に
変換して、欠陥の大きさを判定する。請求項3に係る発
明では、図1(B)に示すように、基板の表面に垂直方
向に平行光を入射する平行光入射手段と、前記平行光の
基板からの反射光を撮像する反射光撮像手段と、この反
射光撮像手段により撮像された異常部の画像信号を欠陥
体積に変換する欠陥体積計測手段と、基板の表面に一般
拡散照明をしつつ基板の表面を撮像する補助撮像手段
と、この補助撮像手段により撮像された異常部の画像を
取込み、その面積を計測する欠陥面積計測手段と、前記
異常部の欠陥体積と欠陥面積とから、欠陥高さ若しくは
欠陥深さを算出する欠陥高さ/深さ算出手段と、前記異
常部の欠陥体積と欠陥面積と欠陥高さ若しくは欠陥深さ
との少なくとも1つに基づいて欠陥の大きさを判定する
欠陥判定手段とを設けて、基板外観検査装置を構成す
る。
Therefore, image information is obtained using parallel light,
By counting the number of defect detection pixels in the abnormal portion, the size of the defect is determined based on the number of defect detection pixels in the abnormal portion.Furthermore, the defect detection pixel number in the abnormal portion is converted into a defect volume. , Determine the size of the defect. In the invention according to claim 3, as shown in FIG. 1 (B), parallel light incidence means for injecting parallel light onto the surface of the substrate in the vertical direction, and reflected light for imaging the reflected light of the parallel light from the substrate. Image pickup means, defect volume measurement means for converting an image signal of an abnormal portion picked up by the reflected light image pickup means into a defect volume, and auxiliary image pickup means for picking up the surface of the substrate while performing general diffuse illumination on the surface of the substrate. A defect area measuring unit that captures an image of the abnormal portion imaged by the auxiliary imaging unit and measures the area thereof, and a defect that calculates a defect height or a defect depth from the defect volume and the defect area of the abnormal portion. A substrate appearance is provided by providing height / depth calculation means and defect determination means for determining the size of a defect based on at least one of the defect volume and defect area of the abnormal portion and the defect height or defect depth. Configure an inspection device.

【0010】更に、請求項4に係る発明では、前記欠陥
高さ/深さ算出手段は、欠陥体積を欠陥面積で除算し
て、欠陥高さ若しくは欠陥深さを算出するものであるこ
とを特徴とする。すなわち、基板の表面に一般拡散照明
をしながら基板の表面を撮像すれば、撮像された画像か
ら欠陥面積を計測することができる。ここで、測定倍率
は対象とする欠陥サイズにより選択する。このとき、欠
陥検出画素数を求めると同時に欠陥の絶対座標を算出し
ておくことで、倍率にかかわらず欠陥箇所への位置決め
が容易に行える。よって、平行光を用いて得た異常部の
画像情報から欠陥検出画素数を求め、これを欠陥体積に
変換して、欠陥面積で除算すれば、欠陥高さ若しくは欠
陥深さ相当値を算出することができる。よって、この欠
陥高さ若しくは欠陥深さから、あるいはこれを考慮し
て、欠陥の大きさを判定する。
Further, in the invention according to claim 4, the defect height / depth calculating means calculates the defect height or the defect depth by dividing the defect volume by the defect area. And That is, if the surface of the substrate is imaged while performing general diffuse illumination on the surface of the substrate, the defect area can be measured from the imaged image. Here, the measurement magnification is selected according to the target defect size. At this time, by determining the defect detection pixel number and calculating the absolute coordinates of the defect at the same time, positioning at the defect location can be easily performed regardless of the magnification. Therefore, the defect detection pixel number is obtained from the image information of the abnormal portion obtained by using the parallel light, and this is converted into the defect volume and divided by the defect area to calculate the defect height or the defect depth equivalent value. be able to. Therefore, the size of the defect is determined from this defect height or defect depth, or in consideration of this.

【0011】請求項5に係る発明では、基板を保持する
基板保持部材の少なくとも表面を低反射率の材料により
構成する。すなわち、検査する際に基板保持部材の表面
からの乱反射による画像ノイズを防止するため、基板保
持部材には、低反射率の部材を使用するか、低反射率材
料で被覆したりする。
In the invention according to claim 5, at least the surface of the substrate holding member for holding the substrate is made of a material having a low reflectance. That is, in order to prevent image noise due to diffused reflection from the surface of the substrate holding member during inspection, a member having a low reflectance is used for the substrate holding member or is covered with a low reflectance material.

【0012】請求項6に係る発明では、更に、前記反射
光撮像手段と基板表面との距離を調整する手段と、撮像
中心から異常部までの距離を測定し、その距離に応じた
重み係数を用いて欠陥の大きさを補正する手段とを設け
る。すなわち、当該検査装置において、その測定視野内
のどの位置にあっても異常部の検出感度を一定とするた
め、既知の異常部を測定視野の任意の位置にもっていき
ながら、具体的にはハードディスク用基板などのドーナ
ツ状基板の場合なら、光学系位置(測定視野)を固定し
たまま、基板の内径を支持するスピンドルを回転させる
ことで、測定視野中心(光軸)から前記異常部の検出位
置(ここで、予め絶対座標軸を設定しておき、欠陥の位
置を測定できるようにしておく。)までの距離に依存せ
ず、同じ欠陥検出画素数が得られるように、当該検査装
置のフォーカス位置、すなわち光学系と被測定表面間の
距離を調整する。
In the invention according to claim 6, further, means for adjusting the distance between the reflected light image pickup means and the substrate surface, and the distance from the image pickup center to the abnormal portion are measured, and a weighting coefficient according to the distance is set. And means for correcting the size of the defect. That is, in the inspection apparatus, in order to keep the detection sensitivity of the abnormal portion constant regardless of the position in the measurement visual field, the known abnormal portion is brought to an arbitrary position in the measurement visual field, specifically, the hard disk. In the case of a doughnut-shaped substrate such as a substrate for measurement, the spindle that supports the inner diameter of the substrate is rotated with the optical system position (measurement field of view) fixed, and the detection position of the abnormal part from the center of the measurement field (optical axis). (Here, the absolute coordinate axes are set in advance so that the position of the defect can be measured.) The focus position of the inspection apparatus is adjusted so that the same number of defect detection pixels can be obtained regardless of the distance to the defect position. That is, the distance between the optical system and the surface to be measured is adjusted.

【0013】また、前記フォーカス位置の調整だけで不
十分なとき、前記測定視野中心から異常部の検出位置ま
での距離による検出感度の減衰量に応じた重み係数を実
際に測定した欠陥検出画素数に乗算して補正する。請求
項7に係る発明では、更に、前記反射光撮像手段により
撮像された基板のエッジ画像に基づいて、基板若しくは
基板エッジ部の寸法測定、又は基板エッジ部の異常部検
出を行う手段を設ける。
Further, when the adjustment of the focus position is not sufficient, the number of defect detection pixels in which a weighting factor corresponding to the attenuation amount of the detection sensitivity due to the distance from the center of the measurement visual field to the detection position of the abnormal portion is actually measured. Correct by multiplying by. In the invention according to claim 7, there is further provided means for measuring the dimension of the substrate or the substrate edge portion or detecting the abnormal portion of the substrate edge portion based on the edge image of the substrate imaged by the reflected light image capturing means.

【0014】すなわち、前記エッジ画像を画像処理装置
によって2値化して、エッジ処理2値化画像を作成す
る。前記2値化画像では絶対座標を設定しており、エッ
ジラインの位置は容易に測定できることから、基板の寸
法測定を当該装置の主機能である欠陥検査と同時に行
う。また、基板エッジ部の標準画像と実際に撮像された
画像との比較による画像処理によって、基板エッジ部の
形状、具体的には基板エッジ部の面取り形状や面だれ形
状の測定、基板エッジ部の異常部、具体的には基板エッ
ジ部のかけ、異常な形状部の検出を当該装置の主機能で
ある欠陥検査と同時に行う。
That is, the edge image is binarized by an image processing device to create an edge-processed binarized image. Since absolute coordinates are set in the binarized image and the position of the edge line can be easily measured, the dimension of the substrate is measured simultaneously with the defect inspection, which is the main function of the apparatus. In addition, by performing image processing by comparing the standard image of the board edge portion with the actually captured image, the shape of the board edge portion, specifically, the chamfered shape or chamfered shape of the board edge portion, the board edge portion The abnormal portion, specifically, the edge portion of the substrate is detected, and the abnormal shape portion is detected simultaneously with the defect inspection, which is the main function of the apparatus.

【0015】請求項8に係る発明では、前記基板は、カ
ーボン基板であることを特徴とする。カーボン基板は、
アルミ基板やガラス基板と比べ、軽量で、耐衝撃性・耐
熱性に優れ、薄型化が可能であるなど、基板として極め
て優れているものの、低反射率のため、通常の方法では
欠陥を見つけるのが難しかったが、本検査装置により、
欠陥検査が容易となる。
In the invention according to claim 8, the substrate is a carbon substrate. Carbon substrate
Compared to aluminum and glass substrates, it is lighter, has superior shock resistance and heat resistance, and can be made thinner, and is extremely excellent as a substrate.However, because of its low reflectance, defects can be found by ordinary methods. It was difficult, but with this inspection device,
Defect inspection becomes easy.

【0016】前記カーボン基板でその表面加工・処理を
行った場合でも、具体的にはテクスチャ・研削・研磨・
薄膜形成・エッチング・パターン形成を行った場合で
も、表面反射率が数%以上なら、欠陥検査は可能であ
る。被測定表面の反射率を測定する手段と、その反射率
に応じて入射光量を制御する手段とを付加して、反射光
撮像手段により、撮像される反射光量を常に最適値に維
持すれば、基板の表面反射率(数%以上)によらず、同
程度の欠陥検出感度が得られるからである。
Even when the surface treatment / treatment is performed on the carbon substrate, specifically, texture / grinding / polishing
Even when thin film formation, etching, and pattern formation are performed, defect inspection is possible if the surface reflectance is several percent or more. By adding a means for measuring the reflectance of the surface to be measured and a means for controlling the amount of incident light according to the reflectance, and by the reflected light image pickup means, the amount of reflected light imaged can always be kept at an optimum value. This is because the same defect detection sensitivity can be obtained regardless of the surface reflectance (several percent or more) of the substrate.

【0017】このため、前記基板はカーボン基板に限ら
ず、磁気ディスク用基板、半導体ウェハ、液晶用基板、
光学式ディスク、スタンパー、磁気テープ、フロッピー
ディスク、金属基板、セラミック基板、プラスチック基
板、フィルムなどで、被測定表面が平坦かつ表面反射率
が白色光又は単一光又は特定の波長領域で数%以上であ
ればよい。
Therefore, the substrate is not limited to a carbon substrate, but a magnetic disk substrate, a semiconductor wafer, a liquid crystal substrate,
For optical discs, stampers, magnetic tapes, floppy discs, metal substrates, ceramic substrates, plastic substrates, films, etc., the surface to be measured is flat and the surface reflectance is white light or single light or several% or more in a specific wavelength range. If

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。尚、ここでは、ハードディスク用基板を検査対象
とする。図2は本発明の一実施例を示す基板外観検査装
置のシステム図である。テーブル1は図示X方向に移動
可能であり、このテーブル1上にパルスモータ2により
回転可能なスピンドル3が設けられている。そして、こ
のスピンドル3により検査対象のハードディスク用基板
4が水平に保持されるようになっている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. Here, the hard disk substrate is the inspection target. FIG. 2 is a system diagram of a board appearance inspection apparatus showing an embodiment of the present invention. The table 1 is movable in the X direction in the figure, and a spindle 3 rotatable by a pulse motor 2 is provided on the table 1. The spindle 3 holds the hard disk substrate 4 to be inspected horizontally.

【0019】ここで、基板4の保持部材であるスピンド
ル3には、低反射率の部材を使用したり、低反射率材料
で被覆(黒色処理)したりして、表面からの乱反射を防
止することが好ましい。また、この例では、基板4の内
径を保持しているが、外径を保持するようにしてもよ
い。また、スピンドル3の基板4の表面より上になる部
分の側面形状については、これにより保持されている基
板4の内径(又は外径)のエッジの測定も必要となるた
め、入射及び反射光路を妨害しないよう、図のように適
当な傾きをつけるようにする。
Here, a low-reflectance member is used for the spindle 3 which is a holding member for the substrate 4, or a low-reflectance material is coated (blackened) to prevent irregular reflection from the surface. It is preferable. Further, in this example, the inner diameter of the substrate 4 is held, but the outer diameter may be held. As for the side surface shape of the portion of the spindle 3 above the surface of the substrate 4, it is necessary to measure the edge of the inner diameter (or outer diameter) of the substrate 4 held thereby, so that the incident and reflected optical paths are Attach an appropriate inclination as shown in the figure to avoid interference.

【0020】検査対象の基板4の中央部(スピンドル
3)を挟んでテーブル1の移動方向の一方の側の上方に
は、レンズユニット5を介して、CCDカメラ6が固定
されている。レンズユニット5は、外部の照明ユニット
7からの光に基づいて平行光を生成する平行光生成部8
と、平行光生成部8からの平行光を下向きにして落射平
行光として基板4の表面に入射するハーフミラー9とを
備えている。そして、落射平行光の基板4からの反射光
がハーフミラー9を透過してCCDカメラ6に入射する
ようになっている。また、照明ユニット7は検査対象の
基板4の表面反射率に応じて光量制御可能となってい
る。
A CCD camera 6 is fixed via a lens unit 5 above one side in the moving direction of the table 1 with the central portion (spindle 3) of the substrate 4 to be inspected in between. The lens unit 5 includes a parallel light generation unit 8 that generates parallel light based on light from the external illumination unit 7.
And a half mirror 9 that directs the parallel light from the parallel light generation unit 8 downward and makes it incident on the surface of the substrate 4 as incident parallel light. The reflected light of the incident parallel light from the substrate 4 passes through the half mirror 9 and enters the CCD camera 6. The illumination unit 7 can control the amount of light according to the surface reflectance of the substrate 4 to be inspected.

【0021】従って、平行光生成部8及びハーフミラー
9が基板4の表面に垂直方向に平行光を入射する平行光
入射手段を構成し、CCDカメラ6が前記平行光の基板
4からの反射光を撮像する反射光撮像手段を構成する。
また、検査対象の基板4の中央部(スピンドル3)を挟
んでテーブル1の移動方向の他方の側の上方には、汎用
高倍率レンズ10を介して、CCDカメラ11が固定されて
いる。
Therefore, the parallel light generating section 8 and the half mirror 9 constitute a parallel light incidence means for making parallel light incident on the surface of the substrate 4 in a vertical direction, and the CCD camera 6 reflects the parallel light reflected from the substrate 4. And a reflected light image pickup means for picking up an image.
A CCD camera 11 is fixed via a general-purpose high-magnification lens 10 above the other side in the moving direction of the table 1 with the central portion (spindle 3) of the substrate 4 to be inspected interposed therebetween.

【0022】汎用高倍率レンズ10の側には、外部の照明
ユニット12からの光により、一般拡散照明を行う拡散照
明器13が設けられている。従って、CCDカメラ11及び
拡散照明器13が基板4の表面に一般拡散照明をしつつ基
板4の表面を撮像する補助撮像手段を構成する。2つの
CCDカメラ6,11により得られた画像信号は画像処理
装置14及びモニタ15に入力されるようになっている。
On the side of the general-purpose high-magnification lens 10, a diffuse illuminator 13 for performing general diffuse illumination by light from an external illumination unit 12 is provided. Therefore, the CCD camera 11 and the diffuse illuminator 13 constitute an auxiliary image pickup means for taking an image of the surface of the substrate 4 while performing general diffuse illumination on the surface of the substrate 4. The image signals obtained by the two CCD cameras 6 and 11 are input to the image processing device 14 and the monitor 15.

【0023】画像処理装置14では基板4の表面上に絶対
座標を設定しており、レンズユニット5(平行光生成部
8、ハーフミラー9)、CCDカメラ6、照明ユニット
7によって得られた異常部の画像信号から欠陥位置を求
める。この欠陥位置情報に基づいて、汎用高倍率レンズ
10、CCDカメラ11、照明ユニット12、拡散照明器13
(この系で、自動フォーカス機能を有していることが望
ましい。)で欠陥を検出する際、テーブル1のX方向移
動とパルスモータ2の回転により、高速位置決めが可能
となっている。
In the image processing device 14, absolute coordinates are set on the surface of the substrate 4, and the abnormal portion obtained by the lens unit 5 (parallel light generating portion 8, half mirror 9), CCD camera 6, and illumination unit 7. The defect position is obtained from the image signal of. General-purpose high-power lens based on this defect position information
10, CCD camera 11, illumination unit 12, diffuse illuminator 13
When a defect is detected by (this system preferably has an automatic focusing function), high-speed positioning is possible by moving the table 1 in the X direction and rotating the pulse motor 2.

【0024】尚、ハードディスク用基板4の全表面を検
査する場合、パルスモータ2によりスピンドル3を所定
角度ずつ回転させて、例えば図3に示すごとく、1.89”
ディスクの場合、18.5mm×13.9mmの視野サイズの12画
像に分割して撮像する。また、基板4の直径が大きい場
合は、視野サイズを変更するか、又はテーブル1を移動
させて、各移動位置毎にパルスモータ2によりスピンド
ル3を所定角度ずつ回転させて、例えば図4に示すごと
く、 2.5”ディスクの場合、同一視野サイズで、内周側
12画像、外周側15画像に分割して撮像する。
When inspecting the entire surface of the hard disk substrate 4, the spindle 3 is rotated by a predetermined angle by the pulse motor 2 and, for example, as shown in FIG.
In the case of a disc, it is divided into 12 images with a field-of-view size of 18.5 mm x 13.9 mm and captured. Further, when the diameter of the substrate 4 is large, the field of view size is changed or the table 1 is moved, and the spindle 3 is rotated by a predetermined angle by the pulse motor 2 for each moving position, as shown in FIG. 4, for example. As described above, in the case of a 2.5 "disc, the image is divided into 12 images on the inner circumference side and 15 images on the outer circumference side with the same visual field size.

【0025】このようにして分割して撮像する場合、重
複して撮像する部分を生じるが、画像処理の際に図5に
示すようにマスクして、できるかぎり重複しないように
するとよい。図5(A)は1.89”ディスク又は 2.5”デ
ィスク内周部のマスクエリアを示し、図5(B)は 2.
5”ディスク外周部のマスクエリアを示している。しか
し、全く重複領域をなくしてしまうと、未検査領域の発
生する可能性がある。このため、図6に、1.89”ディス
クの場合の例を示すように、隣接する測定画像間ごとに
最小限の重複領域を設ける。このとき、低い確率ではあ
るが、重複領域に異常部が存在するときがある。例えば
図6の異常部Bは、画像1とそれに隣接する画像2とで
共に異常部として判断されるといった重複検出が発生し
てしまう。そこで、任意の異常部が重複領域の同一座標
で重複して検出された場合は、2回目以降の欠陥データ
を削除するか、又は重複したデータの平均値・最大値・
最小値のいずれかをとるといった重複データ編集機能を
備えているとよい。
When the images are divided and imaged in this way, portions of the image are duplicated. However, it is preferable to mask the images as shown in FIG. 5 during image processing so that the images do not overlap as much as possible. Fig. 5 (A) shows the mask area of the inner peripheral portion of the 1.89 "disc or 2.5" disc, and Fig. 5 (B) shows 2.
The mask area on the outer circumference of the 5 "disk is shown. However, if the overlapping area is completely eliminated, an uninspected area may occur. Therefore, Fig. 6 shows an example of the 1.89" disk. As shown, a minimum overlap area is provided between adjacent measurement images. At this time, although there is a low probability, an abnormal portion may exist in the overlapping area. For example, the abnormal portion B in FIG. 6 is detected as an abnormal portion in both the image 1 and the image 2 adjacent to the abnormal portion B, resulting in duplicate detection. Therefore, if any abnormal part is detected redundantly at the same coordinates in the overlapping area, the defective data from the second time onward is deleted, or the average / maximum value of the duplicated data is deleted.
It is preferable to have a duplicate data editing function such as taking one of the minimum values.

【0026】また、当該検査装置において、その測定視
野内のどの位置にあっても異常部の検出感度を一定とす
るため、既知の異常部を測定視野の任意の位置にもって
いきながら、光学系位置(測定視野)を固定したまま、
基板4の内径を支持するスピンドル3を回転させること
で、測定視野中心(光軸)から既知の異常部の検出位置
までの距離に依存せず、同じ欠陥検出画素数が得られる
ように、フォーカス調整機構により、フォーカス位置、
すなわち光学系と被測定表面間の距離を調整する。
Further, in the inspection apparatus, in order to make the detection sensitivity of the abnormal portion constant at any position in the measurement visual field, the known abnormal portion is moved to an arbitrary position in the measurement visual field while the optical system is moved. With the position (measurement field of view) fixed,
By rotating the spindle 3 that supports the inner diameter of the substrate 4, the focus is adjusted so that the same defect detection pixel number can be obtained without depending on the distance from the measurement visual field center (optical axis) to the known abnormal portion detection position. Focus position,
That is, the distance between the optical system and the surface to be measured is adjusted.

【0027】更に、前記フォーカス位置の調整だけで不
十分なとき、前記測定視野中心から異常部の検出位置ま
での距離による検出感度の減衰量に応じた重み係数を実
際に測定した欠陥検出画素数に乗算して補正するとよ
い。図11は、測定視野中心からの距離に対する欠陥検出
画素数のバラツキについて、従来法(モニタ観察による
光学調整)による場合に比べ、画像2値化観察によるフ
ォーカス位置調整(本発明(A)法)による効果と、フ
ォーカス位置調整後に重み係数による補正(本発明
(B)方法)を行った効果とを示している。
Further, when the adjustment of the focus position alone is insufficient, the number of defect detection pixels for which the weighting coefficient is actually measured according to the attenuation amount of the detection sensitivity depending on the distance from the center of the measurement visual field to the detection position of the abnormal portion. Should be corrected by multiplying by. FIG. 11 shows the variation in the number of defect detection pixels with respect to the distance from the center of the measurement field of view, as compared with the case of the conventional method (optical adjustment by monitor observation), and the focus position adjustment by image binarization observation (the present invention (A) method). And the effect of performing the correction by the weighting coefficient (the method of the present invention (B)) after the focus position adjustment.

【0028】画像処理装置14においては、各CCDカメ
ラ6,11からの各画像を画像処理するのみならず、対応
する画像毎に、図7のフローチャートに従って、欠陥判
定を行う。図7のフローチャートに従って説明する。こ
の例は、1.89”サイズのハードディスク用カーボン基板
の片面検査である。
In the image processing apparatus 14, not only the images from the CCD cameras 6 and 11 are subjected to image processing, but also defect determination is performed for each corresponding image according to the flowchart of FIG. This will be described according to the flowchart of FIG. This example is a one-sided inspection of a 1.89 "size hard disk carbon substrate.

【0029】ステップ1(図にはS1と記してある。以
下同様)では、各変数の初期設定を行う。すなわち、測
定視野nの初期化(n=1)、サーティーエラーカウン
トの総和mpsumの初期化(mpsum=0)、及
び、欠陥データ群を一時的に記憶する欠陥データ配列で
ある欠陥検出画素数px 、欠陥検出半径r 、欠
陥検出角度th 、欠陥体積v 、欠陥面積A
、欠陥高さ若しくは欠陥深さd 、サーティーエラ
ーカウントmp の確保を行う。
In step 1 (denoted as S1 in the figure, the same applies hereinafter), each variable is initialized. That is, initialization of the measurement field of view n (n = 1), initialization of the sum total of the dirty error counts mpsum (mpsum = 0), and the number of defect detection pixels px which is a defect data array for temporarily storing the defect data group px , Defect detection radius r 1, defect detection angle th 1, defect volume v 2, defect area A
, The defect height or the defect depth d 1 and the 30% error count mp are secured.

【0030】ステップ2では、CCDカメラ6からの測
定視野nの画像の異常部に基づいて検出された欠陥に対
してラベリングを行うと共に、各欠陥iごとに、欠陥検
出画素数px i 、欠陥検出半径r i 、欠陥検出角度
th i を求める。このとき、各マスクや重複データ編
集機能の処理、更には重み係数による補正も行われる。
In step 2, the defect detected based on the abnormal portion of the image of the measurement field of view n from the CCD camera 6 is labeled, and the number of defect detection pixels px i and the defect detection are performed for each defect i. The radius r i and the defect detection angle th i are obtained. At this time, the processing of each mask and the duplicated data editing function, and the correction by the weighting coefficient are also performed.

【0031】ステップ3では、欠陥高さ若しくは欠陥深
さ演算を行うか、否かを選択する。この演算を行うな
ら、ステップ4からステップ8までの処理をしていく。
ステップ4では、測定視野nで検出された各欠陥iの全
てに対して、CCDカメラ11からの画像に基づいて、
(ここで、高速位置決め機構であるテーブル1及びパル
スモータ2を駆動させる。)画像解析により、欠陥面積
A i を推定する。この部分が欠陥面積計測手段に相当
する。
At step 3, it is selected whether or not the defect height or the defect depth is calculated. If this calculation is performed, the processing from step 4 to step 8 is performed.
In step 4, for each of the defects i detected in the measurement visual field n, based on the image from the CCD camera 11,
(Here, the table 1 and the pulse motor 2 which are high-speed positioning mechanisms are driven.) The defect area A i is estimated by image analysis. This part corresponds to a defect area measuring means.

【0032】ステップ5では、各欠陥iの欠陥検出画素
数px i を式(1)若しくは式(1')に従って、欠陥
体積v i に換算する。(ここで、当該装置の特性か
ら、欠陥検出画素数と欠陥体積とには図8に示すように
強い相関関係がある。)この換算を各欠陥iの全てに対
して行う。この部分が欠陥体積計測手段に相当する。 v i =10((px i +63.608)/44.917) ・・・(1) 若しくは、 px i =44.917× log10v i −63.608 ・・・(1') 〔(1')式の場合、相関係数 0.999635 〕 尚、図8の横軸の欠陥体積vは、Degital Instrumerts
社製ナノスコープIIIによるAFM実測値である。
In step 5, the defect detection pixel number px i of each defect i is converted into a defect volume v i according to the formula (1) or the formula (1 ′). (Here, due to the characteristics of the device, there is a strong correlation between the defect detection pixel number and the defect volume as shown in FIG. 8.) This conversion is performed for all defects i. This part corresponds to the defect volume measuring means. v i = 10 ((px i +63.608) /44.917) (1) or px i = 44.917 × log 10 v i −63.608 (1 ') [(1') Relation number 0.999635] The defect volume v on the horizontal axis of FIG.
It is the AFM actual measurement value by Nanoscope III manufactured by the company.

【0033】ステップ6では、各欠陥iごとに、式
(2)に従って、欠陥体積v i を欠陥面積A i で除
算して、欠陥高さ若しくは欠陥深さd i を算出する。
このとき欠陥形状モデルをどう仮想するかによって、特
性定数kを選択する。例えば、図9のような四角錐近似
モデルの場合は、k=1/3 とする。 この部分が欠陥高
さ/深さ算出手段に相当する。
In step 6, for each defect i, the defect volume v i is divided by the defect area A i according to equation (2) to calculate the defect height or defect depth d i.
At this time, the characteristic constant k is selected depending on how the defect shape model is imagined. For example, in the case of a quadrangular pyramid approximation model as shown in FIG. 9, k = 1/3. This portion corresponds to a defect height / depth calculating means.

【0034】 d i =v i /(k・A i ) ・・・(2) ステップ7では、各欠陥iの欠陥高さ若しくは欠陥深さ
d i と所定値1とを比較し、d i ≦所定値1の場合
は、OKと判断して、その欠陥データを排除する(ステ
ップ8)。この部分が欠陥判定手段に相当する。ステッ
プ9では、ステップ7でd i >所定値1ゆえNGと判
断された各欠陥iについて、式(3)に従って、欠陥検
出画素数px i をサーティーエラーカウントmp i
に変換する。(ここで、当該装置がハードディスク基板
に適用される場合、その特性から、欠陥検出画素数とサ
ーティーエラーカウントとには図10に示すように強い相
関関係がある。) mp=0.013 ×px i 2 +0.0312×px i ・・・(3) ステップ10では、測定視野nにおけるサーティーエラー
カウントmp i の総和Σmp i をとり、mpsum
に加算する。
D i = v i / (k · A i) ... (2) In step 7, the defect height or defect depth d i of each defect i is compared with a predetermined value 1, and d i ≦ If the predetermined value is 1, it is determined to be OK and the defective data is eliminated (step 8). This portion corresponds to a defect determination unit. In step 9, for each defect i judged to be NG because d i> predetermined value 1 in step 7, the defect detection pixel number px i is calculated according to the equation (3) to the search error count mp i.
Convert to (Here, when the device is applied to a hard disk substrate, due to its characteristics, there is a strong correlation between the number of detected pixels and the error count, as shown in FIG. 10.) mp = 0.013 × px i 2 +0.0312 × px i (3) In step 10, the sum Σmp i of the search error counts mp i in the measurement visual field n is calculated, and mpsum is calculated.
Is added to.

【0035】ステップ11では、測定視野nの値に1を加
える。ステップ12では、測定視野の全て(n=1〜12)
について演算したか、否かを判定する。もし全ての検査
が終了していたら、ステップ13へ進む。そうでなけれ
ば、ステップ2に戻り、同様な検査を行う。ステップ13
では、サーティーエラーカウントの総和mpsumと所
定値2とを比較し、mpsum≦所定値2の場合にOK
(ステップ14)、mpsum>所定値2の場合にNG
(ステップ15)と判断する。この部分も欠陥判定手段に
相当する。
At step 11, 1 is added to the value of the measurement visual field n. In step 12, all measurement fields (n = 1 to 12)
Is calculated or not. If all inspections have been completed, proceed to step 13. If not, the process returns to step 2 and the same inspection is performed. Step 13
Then, the total sum of the certifying error counts mpsum is compared with a predetermined value 2, and when mpsum ≦ predetermined value 2, OK
(Step 14), NG if mpsum> predetermined value 2
(Step 15) This portion also corresponds to a defect determination unit.

【0036】更に、片面検査が終了すれば、上記と同様
な検査によって、もう片面に対する検査を行えばよい。
また、上記の検査方法では、基板欠陥検査データをハー
ドディスクメディアの最終品質を示すサーティーエラー
カウントに換算できるため、基板外観検査を確実に行う
ことができる。また、かかる基板外観検査と同時に、C
CD6からの画像(基板のエッジ画像)に基づいて、基
板寸法測定や、基板エッジ部の異常部の検出を行うこと
ができる。
Further, when the one-sided inspection is completed, the other side may be inspected by the same inspection as described above.
Further, in the above-described inspection method, since the substrate defect inspection data can be converted into a 30-error count indicating the final quality of the hard disk medium, the substrate appearance inspection can be reliably performed. At the same time as the board appearance inspection, C
Based on the image (edge image of the substrate) from the CD 6, it is possible to measure the substrate dimensions and detect an abnormal portion of the substrate edge portion.

【0037】本実施例に係る検査装置を用いて、Cr成
膜したハードディスク用基板の欠陥を測定した結果を表
1に示す。ここには、ZYGO社製MAXIM NT粗
さ計で同一サンプルを測定した結果も併記してあるが、
両者の測定結果が非常に良く合致していることが分かっ
た。また、MAXIM NTは1つの異常部を測定する
のに数分程度要したのに対して、本実施例に係る検査装
置は基板片面当たり10秒で測定ができた。
Table 1 shows the results of measuring defects of the Cr film-formed hard disk substrate using the inspection apparatus according to the present embodiment. Here, the results of measuring the same sample with a MAXIM NT roughness meter manufactured by ZYGO are also shown.
It was found that the measurement results of both agree very well. In addition, while MAXIM NT required several minutes to measure one abnormal portion, the inspection apparatus according to this example was able to perform measurement in 10 seconds per one side of the substrate.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】尚、本実施例においては、基板(検査対
象)4、レンズユニット5、CCDカメラ6,11、照明
ユニット7,12、汎用高倍率レンズ10、画像処理装置14
として、下記のものを使用した。 基板(検査対象): 1.89”ハードディスク用カーボン基板 内径 6.0mm、外径24.0mm、厚み25ミル 反射率 約20%( 400〜 800nm) Ra 1nm以下、平坦度 数μm以下 レンズユニット(垂直落射照明装置): ダイナスコープ ニュークリエイション製 DS−18
5A 測定視野サイズ 18.5mm×13.9mm CCDカメラ: SONY製 XC−75CE (2次元タイプ) 照明ユニット: ホヤショット製 HL100E(100Wハロゲンラン
プ) 汎用高倍率レンズ: マイクロスコープ 50〜 400倍 画像処理装置: 高岳製作所製 GV−3000−R
In this embodiment, the substrate (inspection object) 4, the lens unit 5, the CCD cameras 6, 11, the illumination units 7, 12, the general-purpose high-magnification lens 10, the image processing device 14 are used.
The following was used as Substrate (Inspection target): 1.89 "carbon substrate for hard disk 6.0 mm inner diameter, 24.0 mm outer diameter, 25 mils thickness Reflectance approx. 20% (400-800 nm) Ra 1 nm or less, flatness several μm or less Lens unit (vertical epi-illumination device) ): Dynascope New Creation DS-18
5A Measurement field size 18.5mm x 13.9mm CCD camera: Sony XC-75CE (two-dimensional type) Illumination unit: Hoyashot HL100E (100W halogen lamp) General-purpose high-magnification lens: Microscope 50-400x Image processor: Takadake Manufactured by GV-3000-R

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1又は請求
項2に係る発明によれば、平行光を用いて画像情報を得
て、その異常部の画像信号より、更にはこれを欠陥体積
に変換して、欠陥の大きさを高速かつ正確に判定するこ
とができるという効果が得られる。
As described above, according to the first or second aspect of the present invention, image information is obtained by using parallel light, and the image information of the abnormal portion is obtained, and further, the defect volume is obtained. The effect of being able to determine the size of the defect at high speed and accurately is obtained.

【0041】請求項3又は請求項4に係る発明によれ
ば、更に欠陥高さ若しくは欠陥深さを算出することがで
き、この値からより正確に欠陥判定ができるという効果
が得られる。請求項5に係る発明によれば、当該装置の
画像ノイズを低減して、欠陥をより正確に検出できると
いう効果が得られる。
According to the invention of claim 3 or 4, it is possible to further calculate the defect height or the defect depth, and it is possible to obtain the effect that the defect can be determined more accurately from this value. According to the invention of claim 5, it is possible to obtain the effect that the image noise of the device can be reduced and the defect can be detected more accurately.

【0042】請求項6に係る発明によれば、当該装置の
測定視野内のどの位置に異常部が存在しても同一検出感
度で測定できるため、欠陥をより正確に検出できるとい
う効果が得られる。請求項7に係る発明によれば、当該
装置の主機能である欠陥検査と同時に基板寸法測定、基
板エッジ部寸法測定、基板エッジ部の異常部検出を行え
るという効果が得られる。
According to the invention of claim 6, it is possible to detect a defect more accurately because it is possible to perform measurement with the same detection sensitivity regardless of the position of the abnormal portion in the measurement visual field of the apparatus. . According to the invention of claim 7, it is possible to obtain the effect of simultaneously performing the defect inspection, which is the main function of the apparatus, the substrate dimension measurement, the substrate edge portion dimension measurement, and the abnormal portion of the substrate edge portion.

【0043】請求項8に係る発明によれば、表面反射率
の低いカーボン基板の外観検査に特に優れた装置が提供
されたことで、カーボン基板の有用性をより発揮させる
環境が整えられたと言える。
According to the eighth aspect of the present invention, since an apparatus that is particularly excellent for visual inspection of a carbon substrate having a low surface reflectance is provided, it can be said that an environment in which the usefulness of the carbon substrate is exhibited more effectively has been prepared. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の構成を示す機能ブロック図FIG. 1 is a functional block diagram showing the configuration of the present invention.

【図2】 本発明の一実施例を示す基板外観検査装置の
システム図
FIG. 2 is a system diagram of a board appearance inspection device showing an embodiment of the present invention.

【図3】 画像分割例1を示す図FIG. 3 is a diagram showing an image division example 1.

【図4】 画像分割例2を示す図FIG. 4 is a diagram showing an image division example 2;

【図5】 マスク例を示す図FIG. 5 is a diagram showing an example of a mask.

【図6】 隣接する測定画像間の重複領域例を示す図FIG. 6 is a diagram showing an example of an overlapping area between adjacent measurement images.

【図7】 欠陥判定のフローチャートFIG. 7 is a flowchart for defect determination.

【図8】 欠陥検出画素数と欠陥体積との相関性を示す
FIG. 8 is a diagram showing the correlation between the number of detected pixels and the defect volume.

【図9】 欠陥形状モデルを示す図FIG. 9 is a diagram showing a defect shape model.

【図10】 欠陥検出画素数とサーティーエラーカウント
との相関性を示す図
FIG. 10 is a diagram showing the correlation between the number of defect detection pixels and the 30 error count.

【図11】 欠陥検出感度補正の効果を示す図FIG. 11 is a diagram showing an effect of defect detection sensitivity correction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 テーブル 2 パルスモータ 3 スピンドル 4 基板(検査対象) 5 レンズユニット 6 CCDカメラ 7 照明ユニット 8 平行光生成部 9 ハーフミラー 10 汎用高倍率レンズ 11 CCDカメラ 12 照明ユニット 13 拡散照明器 14 画像処理装置 15 モニタ 1 table 2 pulse motor 3 spindle 4 substrate (inspection target) 5 lens unit 6 CCD camera 7 illumination unit 8 parallel light generation unit 9 half mirror 10 general-purpose high-magnification lens 11 CCD camera 12 illumination unit 13 diffusion illuminator 14 image processing device 15 monitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 5/84 G06F 15/70 355 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location G11B 5/84 G06F 15/70 355

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板の表面に垂直方向に平行光を入射する
平行光入射手段と、 前記平行光の基板からの反射光を撮像する反射光撮像手
段と、 この反射光撮像手段により撮像された異常部の画像に基
づいて欠陥の大きさを判定する欠陥判定手段と、 を含んで構成される基板外観検査装置。
1. A parallel light incidence means for injecting parallel light into a surface of a substrate in a vertical direction, a reflected light imaging means for imaging reflected light of the parallel light from the substrate, and an image taken by the reflected light imaging means. A substrate appearance inspection apparatus including: a defect determination unit that determines the size of a defect based on an image of an abnormal portion.
【請求項2】前記欠陥判定手段は、異常部の画像信号を
欠陥体積に変換して、欠陥の大きさを判定するものであ
ることを特徴とする請求項1記載の基板外観検査装置。
2. The substrate appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein the defect determining means converts the image signal of the abnormal portion into a defect volume and determines the size of the defect.
【請求項3】基板の表面に垂直方向に平行光を入射する
平行光入射手段と、 前記平行光の基板からの反射光を撮像する反射光撮像手
段と、 この反射光撮像手段により撮像された異常部の画像信号
を欠陥体積に変換する欠陥体積計測手段と、 基板の表面に一般拡散照明をしつつ基板の表面を撮像す
る補助撮像手段と、 この補助撮像手段により撮像された異常部の画像を取込
み、その面積を計測する欠陥面積計測手段と、 前記異常部の欠陥体積と欠陥面積とから、欠陥高さ若し
くは欠陥深さを算出する欠陥高さ/深さ算出手段と、 前記異常部の欠陥体積と欠陥面積と欠陥高さ若しくは欠
陥深さとの少なくとも1つに基づいて欠陥の大きさを判
定する欠陥判定手段と、 を含んで構成される基板外観検査装置。
3. A parallel light incident means for making parallel light incident on a surface of a substrate in a vertical direction, a reflected light image pickup means for picking up reflected light of the parallel light from the substrate, and an image picked up by the reflected light image pickup means. Defect volume measuring means for converting the image signal of the abnormal portion into a defect volume, auxiliary imaging means for imaging the surface of the substrate while performing general diffuse illumination on the surface of the substrate, and an image of the abnormal portion imaged by this auxiliary imaging means A defect area measuring means for taking in and measuring the area thereof; a defect height / depth calculating means for calculating a defect height or a defect depth from the defect volume and the defect area of the abnormal portion; A substrate visual inspection apparatus comprising: a defect determination unit that determines a defect size based on at least one of a defect volume, a defect area, a defect height, and a defect depth.
【請求項4】前記欠陥高さ/深さ算出手段は、欠陥体積
を欠陥面積で除算して、欠陥高さ若しくは欠陥深さを算
出するものであることを特徴とする請求項3記載の基板
外観検査装置。
4. The substrate according to claim 3, wherein the defect height / depth calculation means calculates the defect height or the defect depth by dividing the defect volume by the defect area. Appearance inspection device.
【請求項5】基板を保持する基板保持部材の少なくとも
表面を低反射率の材料により構成したことを特徴とする
請求項1〜請求項4のいずれか1つに記載の基板外観検
査装置。
5. The substrate visual inspection apparatus according to claim 1, wherein at least a surface of the substrate holding member holding the substrate is made of a material having a low reflectance.
【請求項6】前記反射光撮像手段と基板表面との距離を
調整する手段と、 撮像中心から異常部までの距離を測定し、その距離に応
じた重み係数を用いて欠陥の大きさを補正する手段と、 を含んで構成されることを特徴とする請求項1〜請求項
5のいずれか1つに記載の基板外観検査装置。
6. A means for adjusting a distance between the reflected light image pickup means and a substrate surface, a distance from an image pickup center to an abnormal portion is measured, and a size of a defect is corrected by using a weighting coefficient according to the distance. The device for inspecting a substrate according to any one of claims 1 to 5, further comprising:
【請求項7】前記反射光撮像手段により撮像された基板
のエッジ画像に基づいて、基板若しくは基板エッジ部の
寸法測定、又は基板エッジ部の異常部検出を行う手段を
含んで構成されることを特徴とする請求項1〜請求項6
のいずれか1つに記載の基板外観検査装置。
7. A means for measuring dimensions of a substrate or a substrate edge portion or detecting an abnormal portion of the substrate edge portion based on an edge image of the substrate imaged by said reflected light image pickup means. Claim 1-Claim 6 characterized
The board appearance inspection device according to any one of the above.
【請求項8】前記基板は、カーボン基板であることを特
徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1つに記載の基
板外観検査装置。
8. The substrate visual inspection apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a carbon substrate.
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