JPH01106620A - Differential signal receiver - Google Patents
Differential signal receiverInfo
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- JPH01106620A JPH01106620A JP26290987A JP26290987A JPH01106620A JP H01106620 A JPH01106620 A JP H01106620A JP 26290987 A JP26290987 A JP 26290987A JP 26290987 A JP26290987 A JP 26290987A JP H01106620 A JPH01106620 A JP H01106620A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
複極性の信号を受信して単極性の信号を出力する差動信
号受信装置に関し、
特にトランジスタの数量を減少させて回路の単純化、省
電力化をはかることを目的とし、それぞれ差動入力信号
が供給される2個の入力端子と、該2個の入力端子が、
正側および負側のしきい値にそれぞれ対応する電圧降下
が設定される電圧降下設定手段と、レベルシフト手段と
を介して各ベースに接続され且つエミッタが共通接続さ
れ各ベースに差動的に入力される電圧によって該差動入
力信号が該正側のしきい値を超えているか否かを判別す
る第1のトランジスタ対と該第1のトランジスタ対のコ
レクタ側にそれぞれ共通エミッタが接続され、該2個の
入力端子が該電圧降下設定手段を介してそれぞれのベー
ス対に接続され、各ベースに差動的に入力されて電圧に
よって該差動入力信号が該負側のしきい値を超えている
か否かを判別する第2、第3のトランジスタ対とからな
るECLシリーズゲートとにより構成される。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a differential signal receiving device that receives a bipolar signal and outputs a unipolar signal, the present invention particularly aims to simplify the circuit and save power by reducing the number of transistors. two input terminals, each supplied with a differential input signal, for the purpose of measurement;
A voltage drop setting means for setting voltage drops corresponding to the positive and negative thresholds, respectively, and a level shifting means are connected to each base, and the emitters are commonly connected, and differentially applied to each base. a first transistor pair that determines whether the differential input signal exceeds the positive threshold based on an input voltage; and a common emitter is connected to the collector side of the first transistor pair, respectively; The two input terminals are connected to the respective base pairs via the voltage drop setting means, and are differentially input to each base, so that the differential input signal exceeds the negative threshold due to the voltage. and an ECL series gate consisting of a second and third transistor pair for determining whether or not the current is present.
本発明は複極性の信号を受信して単極性の信号を出力す
る差動信号受信装置に関し、OA、HA(ホーム・オー
トメーション)等のLAN1その他の差動信号ラインを
使用する装置間信号路であって、複極性の符号によって
コード化されている信号が伝送されるラインの信号受信
装置等として用いられる。The present invention relates to a differential signal receiving device that receives a bipolar signal and outputs a unipolar signal, and the present invention relates to a differential signal receiving device that receives a bipolar signal and outputs a unipolar signal. It is used as a signal receiving device for a line in which signals encoded with bipolar codes are transmitted.
〔従来の技術〕
−iに複極性の信号とは第10図(a)に示されるよう
にデータ“1”に対応するパルスの極性が交互に反転さ
れた信号であり、また単極性の信号とは第10図(b)
に示されるようにデータ“1”に対応するパルスの極性
が同一とされた信号である。なおかかる単極性の信号に
は所謂バイナリ−コード(データ“1”がつづく限りは
所定の正のレベルを保持し、データ“0”がつづく限り
はOレベルを保持する信号)も含まれる。[Prior Art] A bipolar signal in -i is a signal in which the polarity of a pulse corresponding to data "1" is alternately inverted, as shown in FIG. 10(a), and a unipolar signal What is Figure 10(b)
As shown in FIG. 2, the pulses corresponding to data "1" have the same polarity. Note that such unipolar signals include a so-called binary code (a signal that holds a predetermined positive level as long as data "1" continues, and holds an O level as long as data "0" continues).
ところでかかる複極性の信号を単極性の信号に変換する
受信装置には、第11図に示されるように該複極性の信
号の正側および復側にそれぞれ所定のしきい値を設定し
ておき、該受信された複極性の信号レベルが該正側ある
いは負側のしきい値を超えたときに該受信装置からデー
タ“1”を出力するように構成する必要がある。By the way, in a receiving device that converts such a bipolar signal into a unipolar signal, predetermined threshold values are set respectively on the positive side and reverse side of the bipolar signal, as shown in FIG. , it is necessary to configure the receiver to output data "1" when the received bipolar signal level exceeds the positive or negative threshold.
第12図は従来技術におけるこの種の受信装置を例示す
るもので、B入力端子(−個入力端子)側に上記正側し
きい値に対応する定電圧源B、が接続されこれを反転し
た電圧が入力されるコンパレータC5と、A入力端子(
+側入力端子)側に上記負側しきい値に対応する定電圧
源B2が接続された電圧が入力されるコンパレータC2
とによって、g5 A 、 B入力端子から入力される
複極性の信号が上記正側又は負側のしきい値を超えてい
るか否かが識別され、これらコンパレータC1およびC
2の各出力信号をE−NOR(イクスクルーシブ・ノア
)回路G1によって所定の論理をとり、該E −NOR
回路回路の出力側から所定の単極性信号をうるように構
成されている。FIG. 12 shows an example of this type of receiving device in the prior art, in which a constant voltage source B corresponding to the above-mentioned positive threshold is connected to the B input terminal (- input terminals) side, and this is inverted. Comparator C5 to which voltage is input and A input terminal (
a comparator C2 to which a voltage connected to a constant voltage source B2 corresponding to the negative threshold value is input to the + side input terminal) side;
It is determined by these comparators C1 and C whether or not the bipolar signal input from the g5 A and B input terminals exceeds the positive or negative threshold.
Each output signal of 2 is subjected to a predetermined logic by an E-NOR (exclusive NOR) circuit G1, and the
The circuit is configured to receive a predetermined unipolar signal from the output side of the circuit.
しかしながら上述した回路では、2個のコンパレータ回
路およびこれらコンパレータ回路とは別個のE −NO
R回路(又はE−OR回路)を必要とするため、回路が
複数でトランジスタ、抵抗等の素子数が多くなり、特に
IC化する際に大きな不利となるという問題点を有する
。However, in the circuit described above, two comparator circuits and a separate E-NO
Since an R circuit (or an E-OR circuit) is required, there is a problem that the number of circuits increases and the number of elements such as transistors and resistors increases, which is a big disadvantage especially when integrated into an IC.
本発明はかかる問題点を解決するためになされたもので
、該トランジスタ等の素子数を減少させて、回路の単純
化、省電力化をはかったものである。The present invention was made to solve this problem, and aims to simplify the circuit and save power by reducing the number of elements such as transistors.
かかる問題点を解決するために、本発明によれば、それ
ぞれ差動入力信号が供給される2個の入力端子と、該2
個の入力端子が、正側および負側のしきい値にそれぞれ
対応する電圧降下が設定される電圧降下設定手段(第1
図の実施例における抵抗RI 、 R2)と、レベル
シフト手段(第1図の実施例におけるダイオードDI、
DZ)とを介して各ベースに接続され且つエミッタが共
通接続され各ベースに差動的に入力される電圧によって
該差動入力信号が該正側のしきい値を超えているか否か
を判別する第1のトランジスタ対(第1図の実施例にお
けるQff 、 C4)と該第1のトランジスタ対の
コレクタ側にそれぞれ共通エミッタが接続され、該2個
の入力端子が該電圧降下設定手段を介してそれぞれのベ
ース対に接続され、各ベースに差動的に入力される電圧
によって該差動入力信号が該負側のしきい値を超えてい
るか否かを判別する第2、第3のトランジスタ対(第1
図の実施例におけるQ、、Q、およびQt 、Qs)
とからなるECLシリーズゲートとを具備する差動信号
受信装置が提供される。In order to solve this problem, the present invention provides two input terminals to which differential input signals are respectively supplied;
Voltage drop setting means (first
resistors RI, R2 in the embodiment shown, and level shift means (diodes DI, DI in the embodiment shown in FIG.
It is determined whether or not the differential input signal exceeds the positive threshold based on the voltage that is differentially input to each base with the emitters connected to each base via DZ) and commonly connected. A common emitter is connected to the collector side of the first transistor pair (Qff, C4 in the embodiment of FIG. 1) and the first transistor pair, respectively, and the two input terminals are connected to each other through the voltage drop setting means. second and third transistors connected to each pair of bases and determining whether or not the differential input signal exceeds the negative threshold based on a voltage differentially input to each base; Pair (first
Q, , Q, and Qt , Qs in the illustrated embodiment)
Provided is a differential signal receiving device comprising an ECL series gate consisting of.
上記構成によれば、該ECLシリーズゲートが、上記従
来技術における2個のコンパレータ回路およびE−OR
回路として一体的に機能することになり、回路全体の単
純化、省電力化をはかることができる。According to the above configuration, the ECL series gate has two comparator circuits and an E-OR circuit in the prior art.
Since it functions as an integrated circuit, it is possible to simplify the entire circuit and save power.
第1図は本発明の第1実施例としての差動信号受信装置
を示す回路図であって、エミッタフォロワトランジスタ
Q2およびQlの各ベース側に接続されたA入力端子(
+側入力端子)およびB入力端子(−個入力端子)から
上記複極性の信号が入力される。FIG. 1 is a circuit diagram showing a differential signal receiving device as a first embodiment of the present invention, in which the A input terminal (
The above bipolar signals are input from the + side input terminal) and the B input terminal (- input terminals).
該エミッタフォロワトランジスタQ2のエミッタ側には
上記電圧降下設定手段としての抵抗R2とレベルシフト
手段としてのダイオードD2とが直列に接続され、また
該エミッタフォロワトランジスタQ、のエミッタ側には
それぞれ該電圧降下設定手段としての抵抗R8とレベル
シフト手段としてのダイオードD+ とが接続される。A resistor R2 as the voltage drop setting means and a diode D2 as a level shift means are connected in series to the emitter side of the emitter follower transistor Q2, and the voltage drop is connected to the emitter side of the emitter follower transistor Q, respectively. A resistor R8 as a setting means and a diode D+ as a level shift means are connected.
QIOIQll 、 Qltはそれぞれそのベースに所
定の基準電圧vesが供給され所定の定電流源を構成す
るトランジスタであって、該各トランジスタQ、。I
Qll、およびQlgを通して図示されるように所定の
電圧降下設定手段にそれぞれ定電流1..1.、および
■1が流される。更に該各トランジスタQ1゜。QIOIQll and Qlt are transistors each having a base supplied with a predetermined reference voltage ves and forming a predetermined constant current source, and each transistor Q. I
A constant current 1 . .. 1. , and ■1 are flushed. Furthermore, each transistor Q1°.
QlいおよびQlgに直列に抵抗R6,R,、およびR
8が接続される。なおり、は大振幅の入力信号が入力さ
れたときこれをクランプするためのダイオード群(図示
の場合は互いに逆並列に接続された4個のダイオードか
らなる)であって、例えばA入力があるレベル以上にな
ったときは、トランジスタQ2のエミッタ側から該ダイ
オードD。Resistors R6, R, and R in series with Ql and Qlg.
8 is connected. Note that is a group of diodes (in the case shown, it consists of four diodes connected in antiparallel to each other) for clamping a large amplitude input signal when it is input. For example, there is an A input. When the voltage exceeds the level, the diode D is connected from the emitter side of the transistor Q2.
を通してトランジスタQ+ のエミッタ側に所定の電流
が補給され、各電圧降下設定手段に所定の定電流が確実
に流れるようにされる。A predetermined current is supplied to the emitter side of the transistor Q+ through the transistor Q+, thereby ensuring that a predetermined constant current flows through each voltage drop setting means.
次に互にエミッタカップルされた各1対のトランジスタ
Q3.QhおよびQt、QIが設けられ、該トランジス
タQ、、QIの各ベースには該エミッタフォロワトラン
ジスタQ2のエミッタ電位が供給され、また該トランジ
スタQb 、Qtの各ベースには該抵抗R1と該トラ
ンジスタQ、との接続点の電位が供給される。一方、該
各トランジスタ対Q、、Q、およびQt 、Qsとシ
リーズゲートを構成する互いにエミッタカップルされた
1対のトランジスタQs 、Qaの各ベースには、そ
れぞれ該抵抗R2と該トランジスタQ1゜との接続点の
電位および該ダイオードD1と該トランジスタQ1□と
の接続点の電位が供給される。Q、は該シリーズゲート
に所定の定電流■4を流すためのトランジスタであり、
該トランジスタQ、と直列に抵抗R2が接続される。Next, each pair of transistors Q3 whose emitters are coupled to each other. Qh, Qt, and QI are provided, and the emitter potential of the emitter follower transistor Q2 is supplied to the bases of the transistors Q, QI, and the resistor R1 and the transistor Q are supplied to the bases of the transistors Qb and Qt. , the potential at the connection point with , is supplied. On the other hand, each of the bases of a pair of transistors Qs and Qa, which are emitter-coupled to each other and form a series gate with each transistor pair Q, Q, and Qt, is connected to the resistor R2 and the transistor Q1°, respectively. The potential at the connection point and the potential at the connection point between the diode D1 and the transistor Q1□ are supplied. Q is a transistor for flowing a predetermined constant current ■4 to the series gate,
A resistor R2 is connected in series with the transistor Q.
更に上記トランジスタQ、とQ7のコレクタ側と抵抗R
5との接続点の電位がトランジスタQ l 3のベース
に(A給され、該トランジスタ(ILsのエミッタ側か
ら出力Yがとり出される。一方、上記トランジスタQ、
とQ、のコレクタ側と抵抗R1との接続点の電位がトラ
ンジスタQ14のベースに供給され、該トランジスタ(
lLaのエミッタ側から出力Xがとり出される。Furthermore, the collector sides of the transistors Q and Q7 and the resistor R
The potential at the connection point with 5 is supplied to the base of the transistor Ql3 (A), and an output Y is taken out from the emitter side of the transistor (ILs).On the other hand, the transistor Q,
The potential at the connection point between the collector sides of and Q and the resistor R1 is supplied to the base of the transistor Q14, and the transistor (
Output X is taken out from the emitter side of lLa.
いま該シリーズゲートを構成する各トランジスタQ、乃
至Q、のベース電位をそれぞれ■。、乃至V、。とすれ
ば次式(1)乃至(4)が成立する。Now, the base potential of each transistor Q to Q constituting the series gate is . , to V,. Then, the following equations (1) to (4) hold true.
V@31 ”Vin(A) −Vat(Qz)−Vat
(Di)−Rzl、・”(1)V@4m = Vin(
B) −VIE(Ql)−VIIE(DI) =
(2)Vosw=Voss=Vin(A) Vsi(
Qz) ・・’(3)V@Bl= V(1?l
= Vin(B) Vat(Qt) −R+Iz
・・・(4)したがって上記(1)乃至(4)式から
更に次式(5)乃至(7)が成立する。ただしVIE(
Ql) = Vat(Qt)、V at(DI) =
V at(Ih)とする。V@31 ”Vin(A) -Vat(Qz)-Vat
(Di)-Rzl,・”(1)V@4m=Vin(
B) -VIE(Ql)-VIIE(DI)=
(2) Vosw=Voss=Vin(A) Vsi(
Qz) ...'(3) V@Bl= V(1?l
= Vin(B) Vat(Qt) −R+Iz
(4) Therefore, the following equations (5) to (7) are further established from the above equations (1) to (4). However, VIE (
Ql) = Vat(Qt), Vat(DI) =
Let V at(Ih).
V@31 VO4m =Vin(A) Vi
n(B) RzIs =・(5)VaslI−V
ois+ =Vin(A) Vin(B) +
R+Iz ・・・(6)VOIII VO?l
=Vin(A) Vin(B) +R+I
g ・・(7)ここでVin(^) 、 Vin
(B)はそれぞれA入力電圧オヨびB入力電圧であり、
VBE(Ql) 、 Vllt(Qz)はそれぞれトラ
ンジスタQ+ 、Qzのベース・エミッタ間電圧であ
り、VBE(Dυ、■1lE(D2)はそれぞれダイオ
ードD、、D、に生ずる電圧降下であり、またRzIs
およびR,I2はそれぞれ抵抗R2およびR8に生ずる
電圧降下であって、後述するように正側のしきい値およ
び負側のしきい値に対応する。V@31 VO4m = Vin(A) Vi
n(B) RzIs =・(5) VaslI-V
ois+ = Vin(A) Vin(B) +
R+Iz...(6) VOIII VO? l
=Vin(A) Vin(B) +R+I
g...(7) Here Vin(^), Vin
(B) are the A input voltage and the B input voltage, respectively,
VBE(Ql) and Vllt(Qz) are the base-emitter voltages of transistors Q+ and Qz, respectively, VBE(Dυ, ■1lE(D2) are the voltage drops occurring in diodes D, D, respectively, and RzIs
and R, I2 are voltage drops occurring across resistors R2 and R8, respectively, and correspond to a positive threshold value and a negative threshold value, as will be described later.
したがって該A入力端子およびB入力端子に入力される
差動入力信号(複極性信号)の振幅値(Vin(A)
−Vin(B))が、該正側または負側のしきい値にま
で達しないとき、すなわち、R+Iz< Vin(A)
Vin(B) <Rzlsのときには上記(5)
式よりVOIII < Vaaaとなり、また上記(7
)式よりV(1?l<V。。となってそれぞれ該エミッ
タカップルされた各トランジスタ対のうちQ4とQ、と
がオンとなり、第1図の■に示されるパスに電流が流れ
、抵抗R4に生ずる電圧降下によってトランジスタQ1
4のベース電位、したがってそのエミッタ側のX出力が
ロウレベルとなり、一方、トランジスタQlffのベー
ス電位、したがってそのエミッタ側のX出力がハイレベ
ルとなる。Therefore, the amplitude value (Vin(A)
-Vin(B)) does not reach the positive or negative threshold, that is, R+Iz<Vin(A)
When Vin (B) < Rzls, the above (5)
From the formula, VOIII < Vaaa, and the above (7
) formula, V(1?l<V..), and Q4 and Q of each emitter-coupled transistor pair turn on, and current flows through the path shown by ■ in Figure 1, increasing the resistance. The voltage drop across R4 causes transistor Q1 to
The base potential of transistor Qlff, and therefore the X output on its emitter side, becomes low level, while the base potential of transistor Qlff, and therefore the X output on its emitter side, becomes high level.
次に上記V 1n(A) −V 1n(B)が該正側に
しきい値R1!、を超えたとき、すなわち
Vin(A) −Vin(B) >Rzl、のときに
は上記(5)式より■。311 >VO4!lとなり、
また上記(6)式より■。8m>V。4.となってそれ
ぞれ該エミッタカップルされた各トランジスタ対のうち
Q3とQ。Next, the above V 1n(A) −V 1n(B) is the threshold value R1 on the positive side! When it exceeds , that is, Vin(A) −Vin(B) > Rzl, from the above equation (5), ■. 311 >VO4! It becomes l,
Also, from the above equation (6), ■. 8m>V. 4. Q3 and Q of each emitter-coupled transistor pair.
とか、オンとなり、第1図の■に示されたパスに電流が
流れ、抵抗R1に生ずる電圧降下によってトランジスタ
Q1.のベース電位、したがってそのエミッタ側のX出
力がロウレベルとなり、一方、トランジスタQ、4のベ
ース電位、したがってそのエミッタ側のX出力がハイレ
ベルとなる。is turned on, current flows through the path shown in (■) in FIG. 1, and the voltage drop generated across the resistor R1 causes the transistor Q1. The base potential of transistors Q and 4, and therefore the X output on the emitter side thereof, are at a low level, while the base potential of the transistors Q and 4, and therefore the X output on their emitter side, are at a high level.
また上記V 1n(A) −V 1n(B)が該負側の
しきい値−R,1,を超えたとき、すなわち
Vin(A) −Vin(B) <−RII2のとき
には上記(5)よりVQ31 < Vaaaとなり、ま
た上記(7)式より■。□〉v、lllとなってそれぞ
れ該エミッタカップルされた各トランジスタ対のうちQ
、とQ7とがオンとなり、第1図の■に示されたパスに
電流が流れ、該抵抗R1に生ずる電圧降下によって、上
記正側のしきい値を超えたときと同様に一又“出力がロ
ウレベルとなり、X出力がハイレベルとなる。Further, when the above V 1n(A) −V 1n(B) exceeds the negative threshold value −R,1, that is, when Vin(A) −Vin(B) <−RII2, the above (5) is applied. Therefore, VQ31 < Vaaa, and from the above equation (7), ■. □〉v, lll, and Q of each emitter-coupled transistor pair
, and Q7 are turned on, current flows through the path shown by becomes low level, and the X output becomes high level.
第2図は上記した第1図の回路の動作特性を示すもので
、差動入力電圧(V 1n(A) −V 1n(B))
が正側および負側のしきい値の範囲内にあるときはX出
力がロウレベルとなり、該正側又は負側のしきい値を超
えたときに該X出力がハイレベルになることを示してお
り、第3図はこのようにして該差動入力信号(複極性の
信号)が単極性のX出力に変換されることを示している
。なお第3図に示される各時点での電流パス■乃至■は
上記第1図に示される電流パス■乃至■に対応する。Figure 2 shows the operating characteristics of the circuit shown in Figure 1 above, where the differential input voltage (V 1n(A) -V 1n(B))
This indicates that the X output is at a low level when it is within the range of the positive and negative side thresholds, and the X output is at a high level when it exceeds the positive or negative side thresholds. FIG. 3 shows how the differential input signal (a bipolar signal) is converted into a unipolar X output. Note that the current paths (1) to (2) at each point in time shown in FIG. 3 correspond to the current paths (1) to (2) shown in FIG. 1 above.
第4図乃至第8図は本発明にがかる差動信号受信装置の
他の実施例を示すもので、第4図に示される回路におい
ては上記第1図に示される差動閾値を決定している抵抗
RI 、Rtの代りに定電圧降下を有するダイオードD
a、Dsが用いられており、また第5図に示される回路
においては上記第1図に示されるシリーズゲートの下側
のトランジスタ対の飽和防止のためのレベルシフト用ダ
イオードD、、D、の代りに抵抗RA、 RBが用いら
れており、更に第6図に示される回路においては、抵抗
RX (ただしRや=RA−’R,とすることによっ
て上記と同様のしきい値かえられる)を設けることによ
って定電流■1の流れる回路を省略することができる。4 to 8 show other embodiments of the differential signal receiving device according to the present invention. In the circuit shown in FIG. 4, the differential threshold shown in FIG. 1 is determined. A diode D with a constant voltage drop instead of the resistor RI, Rt
In the circuit shown in FIG. 5, level shift diodes D, Ds are used to prevent saturation of the transistor pair below the series gate shown in FIG. Instead, resistors RA and RB are used, and in the circuit shown in FIG. By providing this, the circuit through which the constant current (1) flows can be omitted.
なおこれら第4図乃至第6図に示される回路の動作特性
は第1図に示される回路の動作特性と同一である。The operating characteristics of the circuits shown in FIGS. 4 to 6 are the same as those of the circuit shown in FIG.
また第7図に示される回路では、トランジスタQ、およ
びQ7のコレクタ側にトランジスタTP1乃至TP3か
らなるカレントミラー回路が設けられており、X出力が
ハイレベルのときには、該トランジスタTPIおよびT
P2に接続される抵抗R,lおよびR3″の値に応じて
該各トランジスタTPIおよびTP2には、それぞれ電
流IH1およびIH2が流れる。なお該抵抗R%および
R3″の値が等しい場合にはIH1=IH2となる。こ
のため該X出力がハイレベルのときには、各抵抗R3お
よびR2を流れる電流が第1図の場合に比しそれぞれI
HIおよびIH2だけ減少して(I、−IHI)および
(L−IH2)となり、第9図に示されるようなヒステ
リシス特性をもたせることができる。すなわちX出力が
ハイレベルのときの正側および負側のしきい値は、該X
出力がロウレベルのときに比しそれぞれIH2XR2お
よびIHIXR+だけ減少する。なおこの場合、該トラ
ンジスタTPIおよびTP2の一方を省略することもで
きる。Further, in the circuit shown in FIG. 7, a current mirror circuit consisting of transistors TP1 to TP3 is provided on the collector side of transistors Q and Q7, and when the X output is at a high level, the transistors TPI and T
Currents IH1 and IH2 flow through the respective transistors TPI and TP2 according to the values of the resistors R, l and R3'' connected to P2. Note that when the values of the resistors R% and R3'' are equal, IH1 =IH2. Therefore, when the X output is at a high level, the current flowing through each resistor R3 and R2 is I
HI and IH2 are decreased to become (I, -IHI) and (L-IH2), and a hysteresis characteristic as shown in FIG. 9 can be provided. In other words, when the X output is at a high level, the positive and negative thresholds are
They are decreased by IH2XR2 and IHIXR+, respectively, compared to when the output is at a low level. Note that in this case, one of the transistors TPI and TP2 may be omitted.
更に第8図に示される回路はかかるヒステリシス特性を
もたせるための他の実施例を示すもので、該X出力がハ
イレベルのとき該トランジスタTP1およびTP2を流
れる電流IHIおよびIH2をそれぞれ抵抗R7および
Rhへ直接流し、該抵抗R1およびR6を流れる電流を
第1図の場合に比しIHIおよびIH2だけ増加させて
該各トランジスタQ11およびQ10のエミッタ電圧を
増加させてそれらのベース・エミッタ間電圧(ベース電
圧VCSは一定)を減少させ、その結果、該X出力がハ
イレベルのときに該抵抗R1およびR2に流れる電流値
を該X出力がロウレベルのときに比し減少させて上記第
7図の回路の場合と同様のヒステリシス特性(第9図に
示される)をもたせることができる。Further, the circuit shown in FIG. 8 shows another embodiment for providing such a hysteresis characteristic, in which currents IHI and IH2 flowing through the transistors TP1 and TP2 are connected to resistors R7 and Rh, respectively, when the X output is at a high level. The current flowing through the resistors R1 and R6 is increased by IHI and IH2 compared to the case of FIG. The voltage VCS is constant) is decreased, and as a result, the current value flowing through the resistors R1 and R2 when the X output is at a high level is decreased compared to when the X output is at a low level. It is possible to provide the same hysteresis characteristic (shown in FIG. 9) as in the case of .
本発明によれば複極性の入力信号を単極性の出力信号に
変換する場合に必要な2個のコンパレータ回路およびE
−OR回路(又はE −NOR回路)をECLシリーズ
ゲートによって一体的に構成することができ、トランジ
スタ等の素子数を減少して回路全体の単純化および省電
力化をはかることができる。According to the present invention, two comparator circuits and an E
The -OR circuit (or E-NOR circuit) can be integrally configured with ECL series gates, and the number of elements such as transistors can be reduced to simplify the entire circuit and save power.
第1図は、本発明の第1実施例としての差動信号受信装
置を示す回路図、
第2図は、第1図の回路の動作特性を示す図、第3図は
、第1図の回路の入出力信号の関係を示す図、
第4図乃至第8図は、本発明の第2実施例乃至第6実施
例としての差動信号受信装置を示す回路図、
第9図は、第7図および第8図の回路の動作特性を示す
図、
第10図(a) 、 (b)は、複極性信号と単極性信
号の各波形を示す図、
第11図は複極性信号と受信信号のしきい値との関係を
示す図、
第12図は従来技術における差動信号受信装置を例示す
るブロック図である。
(符号の説明)
B、、Bz・・・正側および負側のしきい値を決める電
池、
C,、C!・・・コンパレータ、
G1・・・E −NOR回路、
D3・・・大振幅入力信号クランプ用ダイオード、VC
S・・・定電流源用電圧、
TPI乃至TP3・・・カレントミラー回路。FIG. 1 is a circuit diagram showing a differential signal receiving device as a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing operating characteristics of the circuit in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing the operating characteristics of the circuit in FIG. 4 to 8 are circuit diagrams showing differential signal receiving devices as second to sixth embodiments of the present invention, and FIG. 9 is a diagram showing the relationship between input and output signals of the circuit. Figures 7 and 8 show the operating characteristics of the circuits; Figures 10 (a) and (b) are diagrams showing the waveforms of a bipolar signal and a unipolar signal; and Figure 11 shows the bipolar signal and reception. FIG. 12 is a block diagram illustrating a differential signal receiving device in the prior art. (Explanation of symbols) B,, Bz...Battery that determines the positive and negative thresholds, C,, C! ...Comparator, G1...E-NOR circuit, D3...Diode for large amplitude input signal clamp, VC
S... Voltage for constant current source, TPI to TP3... Current mirror circuit.
Claims (1)
と、該2個の入力端子が、正側および負側のしきい値に
それぞれ対応する電圧降下が設定される電圧降下設定手
段と、レベルシフト手段とを介して各ベースに接続され
且つエミッタが共通接続され各ベースに差動的に入力さ
れる電圧によって該差動入力信号が該正側のしきい値を
超えているか否かを判別する第1のトランジスタ対と該
第1のトランジスタ対のコレクタ側にそれぞれ共通エミ
ッタが接続され、該2個の入力端子が該電圧降下設定手
段を介してそれぞれのベース対に接続され、各ベースに
差動的に入力される電圧によって該差動入力信号が該負
側のしきい値を超えているか否かを判別する第2、第3
のトランジスタ対とからなるECLシリーズゲートとを
具備することを特徴とする差動信号受信装置。 2、該電圧降下設定手段が抵抗と電流源とからなり、該
抵抗に流れる該電流源の電流値を該ECLシリーズゲー
トの出力状態によって変化させることにより、該正側お
よび負側のしきい値にヒステリシス特性をもたせた、特
許請求の範囲第1項記載の差動信号受信装置。 3、該差動入力信号が複極性の信号であり、該ECLシ
リーズゲートの出力側から単極性の信号が出力される特
許請求の範囲第1項記載の差動信号受信装置。[Claims] 1. Two input terminals to which differential input signals are respectively supplied, and voltage drops between the two input terminals corresponding to positive and negative thresholds, respectively, are set. The differential input signal is connected to each base through a voltage drop setting means and a level shift means, and whose emitters are connected in common, and which is differentially input to each base to cause the differential input signal to change to the positive threshold value. A common emitter is connected to the collector side of the first transistor pair and the collector side of the first transistor pair, respectively, and the two input terminals are connected to the respective bases through the voltage drop setting means. second and third circuits connected in a pair and determining whether or not the differential input signal exceeds the negative threshold based on the voltage differentially input to each base;
1. A differential signal receiving device comprising: a pair of transistors; and an ECL series gate consisting of a pair of transistors. 2. The voltage drop setting means consists of a resistor and a current source, and by changing the current value of the current source flowing through the resistor depending on the output state of the ECL series gate, the positive side and negative side thresholds are set. The differential signal receiving device according to claim 1, wherein the differential signal receiving device has a hysteresis characteristic. 3. The differential signal receiving device according to claim 1, wherein the differential input signal is a bipolar signal, and a unipolar signal is output from the output side of the ECL series gate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26290987A JPH01106620A (en) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | Differential signal receiver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26290987A JPH01106620A (en) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | Differential signal receiver |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106620A true JPH01106620A (en) | 1989-04-24 |
Family
ID=17382291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26290987A Pending JPH01106620A (en) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | Differential signal receiver |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106620A (en) |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP26290987A patent/JPH01106620A/en active Pending
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