JPH01132124A - Exposure method and apparatus thereof - Google Patents
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- JPH01132124A JPH01132124A JP63212031A JP21203188A JPH01132124A JP H01132124 A JPH01132124 A JP H01132124A JP 63212031 A JP63212031 A JP 63212031A JP 21203188 A JP21203188 A JP 21203188A JP H01132124 A JPH01132124 A JP H01132124A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、露光方法及びその装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an exposure method and apparatus.
(従来の技術)
一般に、半導体装置の製造工程の一つであるリソグラフ
ィ工程は、主として表面処理、レジスト塗布、露光、現
像、エツチングの5つの工程に分れられる。これらの工
程で用いられる投影型露光装置やエツチング等の真空装
置は、半導体ウェハの搬送や処理台への固定方法として
、ウェハの周辺をクランプするメカニカル方式を採用し
ている。(Prior Art) In general, a lithography process, which is one of the manufacturing processes of semiconductor devices, is mainly divided into five steps: surface treatment, resist coating, exposure, development, and etching. The projection exposure equipment, etching, and other vacuum equipment used in these processes employ a mechanical method of clamping the periphery of the wafer as a method of transporting the semiconductor wafer and fixing it to the processing table.
しかし、前工程のレジスト塗布工程において後処理が不
充分であると、半導体ウェハの外周端部にレジスト等が
残留している場合がある。このような場合、半導体ウェ
ハの搬送を行なう際に、レジスト剥れが起きて異物が発
生し易い。However, if the post-processing in the previous resist coating step is insufficient, resist and the like may remain on the outer peripheral edge of the semiconductor wafer. In such a case, when the semiconductor wafer is transported, resist peeling occurs and foreign matter is likely to be generated.
かかる異物の発生を防止する手段として、特公昭53−
37706号、特開昭55−12750号、特開昭58
−58731号、特開昭58−191434号、実開昭
60−94660号、実開昭61−111151号、特
開昭61−121333号。As a means to prevent the generation of such foreign substances,
No. 37706, JP-A-55-12750, JP-A-58
-58731, JP 58-191434, JP 60-94660, JP 61-111151, JP 61-121333.
特開昭61−184824号等に開示されるサイドリン
スや、特開昭58−200537号、実開昭58−81
932号、実開昭59−67930号、特開昭60−1
10118号、特開昭60−121719号、特開昭6
0−189937号、特開昭61−239625号等に
開示される裏面洗浄等がある。これらの手段は、レジス
トを塗布した最後に、回転しているウェハの外周端部に
溶剤を吹き付ける。Side rinse disclosed in JP-A No. 61-184824, etc., JP-A-58-200537, Utility Model Application No. 58-81
No. 932, Utility Model Application No. 59-67930, JP-A No. 60-1
No. 10118, JP-A-60-121719, JP-A-6
There are backside cleaning methods disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 0-189937, Japanese Patent Application Laid-open No. 61-239625, and the like. In these methods, a solvent is sprayed onto the outer peripheral edge of the rotating wafer after the resist is applied.
これによってウェハの外周端部のレジスト等を除去する
ものである。This removes the resist and the like on the outer peripheral edge of the wafer.
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述のサイドリンスや裏面洗浄では、ウ
ェハを回転させながら行なう、このため。(Problem to be Solved by the Invention) However, the above-mentioned side rinse and backside cleaning are performed while rotating the wafer.
オリフラ部にサイドリンス等の処理を選択的に施すこと
ができない。従って、オリフラ部のレジストを除去する
場合は、レジストを除去する面積全体を多くする必要が
有る。このため−度に製造できる半導体チップの数が少
なくなる。そして、歩留りが低下する問題があった。し
かも、レジストを除去した境界部分のレジストが盛り上
る。このため、露光領域外の複数点を焦点合わせの目標
としている装置では、焦点ボケを引き起こす問題もあっ
た。そこで、オリフラ部等に他の端部と同様の処理を行
うために、特開昭59−117123号、特開昭61−
219135号等に開示される溶剤を含んだ多孔質部材
を半導体ウェハの周面に当接させる方法が開発されてい
る。しかし、依然、これらの手段で焦点ボケ等の問題を
解決できなかった。It is not possible to selectively perform treatments such as side rinsing on the orientation flat portion. Therefore, when removing the resist at the orientation flat portion, it is necessary to increase the entire area from which the resist is removed. Therefore, the number of semiconductor chips that can be manufactured at one time is reduced. Then, there was a problem that the yield decreased. Moreover, the resist at the boundary portion where the resist is removed rises. For this reason, in an apparatus in which a plurality of points outside the exposure area are targeted for focusing, there is a problem of causing out of focus. Therefore, in order to perform the same treatment on the orientation flat and other ends as on the other ends, Japanese Patent Laid-Open Nos. 59-117123 and 61-61
A method of bringing a porous member containing a solvent into contact with the circumferential surface of a semiconductor wafer, as disclosed in Japanese Patent No. 219135, has been developed. However, these methods have not yet been able to solve problems such as out-of-focus.
また、焦点ボケを解決するために、特開昭58−159
535号、特開昭61−73330号、実開昭60−9
4661号等に開示されるように、半導体ウェハの外周
部のレジスト層を円環状に除去する露光手段を用いた方
法がある。この方法では、オリフラ部のレジスト除去の
問題が依然、解決されていない。In addition, in order to solve the problem of out-of-focus,
No. 535, JP-A-61-73330, U.S. Pat. No. 60-9
As disclosed in Japanese Patent Application No. 4661, etc., there is a method using an exposure means to remove a resist layer on the outer periphery of a semiconductor wafer in an annular shape. In this method, the problem of removing the resist from the orientation flat portion remains unsolved.
そこで、オリフラ部のレジスト除去の問題と焦点ボケの
問題を解決するための方法として、次の倣いカム方式の
ものがある。すなわち、この方法は、まず、半導体ウェ
ハと同形状のカムを回転軸に備えたチャックに、ウェハ
を位置決めした後吸着する。次いで、光ファイバ等で導
かれる露光光源をこのカムになぞらせた状態でウェハを
回転させる。これによって、ウェハ周辺部を露光するも
のである。この方法は、ウェハの形状に合わせたカムが
必要である。また、ウェハの種類によりカムの交換をし
なければならない、このため自動化(FA)の妨げとな
る。また、カムの摩耗により異物が発生する。つまりレ
ジスト以外の異物が生じる問題があった。Therefore, as a method for solving the problem of resist removal at the orientation flat portion and the problem of out-of-focus, there is the following copying cam method. That is, in this method, the wafer is first positioned and then adsorbed onto a chuck whose rotating shaft is equipped with a cam having the same shape as the semiconductor wafer. Next, the wafer is rotated with an exposure light source guided by an optical fiber or the like tracing the cam. This exposes the periphery of the wafer. This method requires a cam that matches the shape of the wafer. Furthermore, the cam must be replaced depending on the type of wafer, which hinders automation (FA). Further, foreign matter is generated due to wear of the cam. In other words, there was a problem in that foreign matter other than the resist was generated.
本発明は上記点に対処してなされたもので、レジスト等
の異物の発生を防止し、がっ、焦点ボケを防止し、被処
理体の形状に左右されずに、高い歩留りで被処理体に露
光処理を施すことができる露光方法及びその装置を提供
しようとするものである。The present invention has been made in response to the above-mentioned problems, and it is possible to prevent the generation of foreign substances such as resist, prevent defocusing, and achieve high yields without being affected by the shape of the processed object. It is an object of the present invention to provide an exposure method and apparatus that can perform exposure processing on the subject.
(課題を解決するための手段)
本発明は、被処理体の外周端を検出する工程と、この工
程で検知された外周端から上記被処理体周縁の予め定め
られた露光領域を決定する工程と、上記露光領域に光照
射する工程とを具備してなることを特徴とする露光方法
を得るものである。(Means for Solving the Problems) The present invention includes a step of detecting the outer peripheral edge of the object to be processed, and a step of determining a predetermined exposure area on the periphery of the object to be processed from the outer edge detected in this step. and a step of irradiating the exposure area with light.
また、本発明は、被処理体が載置される載置台と、該載
置台を所定の回転速度で回転させる回転機構と、該載置
台の載置面に対向して設けられた光照射体と、該光照射
体から前記被処理体に照射する光の量を制御する光量制
御手段と、該光照射体を前記載置面の中心を通る仮想直
線に沿った往復動させる可動機構と、前記光照射体から
の光の照射量に応じて前記載置台の回転数を制御する回
転数制御手段とを具備する露光装置を得るものである。The present invention also provides a mounting table on which an object to be processed is placed, a rotation mechanism for rotating the mounting table at a predetermined rotational speed, and a light irradiator provided opposite to the mounting surface of the mounting table. a light amount control means for controlling the amount of light irradiated from the light irradiator to the object to be processed; a movable mechanism that reciprocates the light irradiator along a virtual straight line passing through the center of the placement surface; The present invention provides an exposure apparatus including a rotation speed control means for controlling the rotation speed of the mounting table according to the amount of light irradiated from the light irradiation body.
(作用効果)
即ち、本発明は、被処理体の回転速度を可変したり、或
いは、被処理体への露光の際の光量自体を直接変化させ
ることがきる。これにより、被処理体の周縁部の特定領
域に任意の光量による露光を施すことができる。この結
果、被処理体の異形部である例えばオリフラ部にも、他
の周縁部と同様に最適の光量で露光することができる。(Effects) That is, the present invention can vary the rotational speed of the object to be processed, or directly change the amount of light itself when exposing the object to be processed. Thereby, it is possible to expose a specific area of the peripheral portion of the object to be processed with an arbitrary amount of light. As a result, an irregularly shaped portion of the object to be processed, such as an orientation flat portion, can be exposed with the optimum amount of light in the same manner as other peripheral portions.
この露光後に露光された部分を現像・洗浄することで例
えばその部分のレジスト膜を確実に除去することができ
る。その結果、レジスト膜の局部的な盛り上りを防止し
て、焦点ボケの発生を防ぐことができる。このため、半
導体ウェハ等にクリーンで微細パターンを容易に形成す
ることができる。By developing and cleaning the exposed portion after this exposure, for example, the resist film in that portion can be reliably removed. As a result, local swelling of the resist film can be prevented, and defocus can be prevented. Therefore, a clean and fine pattern can be easily formed on a semiconductor wafer or the like.
(実施例)
以下、本発明の露光方法及び露光装置を、半導体装置の
製造におけるサイドリンス工程や裏面洗浄工程に適用し
た実施例につき図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, an example in which the exposure method and exposure apparatus of the present invention are applied to a side rinsing process and a back surface cleaning process in the manufacture of semiconductor devices will be described with reference to the drawings.
第1図Aは、本発明の露光方法を実施するための露光装
置の一例の構成を示す説明図である0図中1は、レジス
トスピン工程後のウェハを載置する載置台2の回転機構
である。回転機構1は、例えば回転角度がパルス制御可
能なステッピングモータから構成されている。回転機構
1の上部には。FIG. 1A is an explanatory diagram showing the configuration of an example of an exposure apparatus for carrying out the exposure method of the present invention. 1 in FIG. It is. The rotation mechanism 1 includes, for example, a stepping motor whose rotation angle can be pulse-controlled. At the top of the rotating mechanism 1.
回転軸に連結され容器(図示せず)内に気密シールされ
た円板状の前記載置台2が設けられている。A disc-shaped mounting table 2 connected to a rotating shaft and hermetically sealed inside a container (not shown) is provided.
この載置台2には、第2図に示す様に、被処理体が中央
の吸着孔4で吸着固定により設置される構成になってい
る。被処理体は1例えばオリフラを有する半導体ウェハ
3である。載置台2の近傍には、載置台2上に載置され
た半導体ウェハ3のサイドリンス又は裏面洗浄を必要と
する周縁部を特定するために、端面検出手段8が設けら
れている。As shown in FIG. 2, the mounting table 2 is configured such that an object to be processed is fixed by suction through a suction hole 4 in the center. The object to be processed is, for example, a semiconductor wafer 3 having an orientation flat. An end face detection means 8 is provided near the mounting table 2 in order to identify the peripheral portion of the semiconductor wafer 3 placed on the mounting table 2 that requires side rinsing or backside cleaning.
即ち、半導体ウェハ3の外周端面を検知可能なように、
センサ光源5が半導体ウェハ3の一方面(例えば下面側
)に設けられている。センサ光源5は、−次元に並んだ
例えばLEDから構成されている。半導体ウェハ3の他
方の面側には、レンズ6を介して光センサ7が設けられ
ている。光センサ7は、固体撮像素子例えばCCD(C
harge CoupledDevice)を用いた一
次元センサで構成されている。That is, so that the outer peripheral end surface of the semiconductor wafer 3 can be detected,
A sensor light source 5 is provided on one side (for example, the bottom side) of the semiconductor wafer 3. The sensor light source 5 is composed of, for example, LEDs arranged in the negative dimension. An optical sensor 7 is provided on the other side of the semiconductor wafer 3 with a lens 6 interposed therebetween. The optical sensor 7 is a solid-state image sensor, for example, a CCD (C
It is composed of a one-dimensional sensor using a harge coupled device.
これらのセンサ光源5等により、端面検出手段8が構成
されている。These sensor light sources 5 and the like constitute end face detection means 8.
また、サイドリンス又は裏面洗浄用の露光部9は、次の
ように構成されている。すなわち、載置台2の載置面に
対向するようにして光照射体11が設けられている。光
照射体11は、可動機構12にガイドされて往復動する
ようになっている。可動機構12は、半導体ウェハ3の
回転の中心を通る直線に沿って載置台2の上方に配置さ
れている。光照射体11には、光導管10例えば光グラ
スファイバ、液体ファイバ(ULTRA FINE T
ECHNOLOGY社商品名)が接続されている。光導
管10には、露光用光例えばUv光が1図示しない光源
から導かれるようになっている。Further, the exposure section 9 for side rinsing or back surface cleaning is configured as follows. That is, the light irradiator 11 is provided so as to face the mounting surface of the mounting table 2 . The light irradiator 11 is guided by a movable mechanism 12 to reciprocate. The movable mechanism 12 is arranged above the mounting table 2 along a straight line passing through the center of rotation of the semiconductor wafer 3. The light irradiator 11 includes a light pipe 10 such as an optical glass fiber or a liquid fiber (ULTRA FINE T
ECHNOLOGY (product name) is connected. Exposure light, such as UV light, is guided into the light pipe 10 from a light source (not shown).
この光導管10の先端には第1図Bに示されているよう
に、光出射部101が設けられている。即ち、光導管1
0の先端には筒状例えば方形状気密容器102が結合さ
れ、この容11102内には上記光導管10の出射光路
に同軸的に方形状の開孔例えば長方形状の開孔103の
設けられた絞り104が配設されている。A light emitting section 101 is provided at the tip of the light pipe 10, as shown in FIG. 1B. That is, the light pipe 1
A cylindrical, e.g., rectangular, airtight container 102 is connected to the tip of the tube 10, and a rectangular aperture, e.g., a rectangular aperture 103, is provided in this container 11102 coaxially with the output optical path of the light pipe 10. A diaphragm 104 is provided.
この絞り104の通過光路には光学レンズ105.10
6が配設され、半導体ウェハ3表面状に集束する如く構
成されている。上記ウェハ3への照射により生ずる反射
光が上記光出射部101に入射するのを防止するため即
ちフレアを防止するため、上記光出射部101の端部に
はリングスカート107が結合されて光出射部101が
構成されている。この光出射部101の内壁面は黒色面
が望ましい。An optical lens 105.10 is provided on the optical path passing through this aperture 104.
6 are arranged and configured to converge on the surface of the semiconductor wafer 3. In order to prevent the reflected light generated by the irradiation of the wafer 3 from entering the light emitting section 101, that is, to prevent flare, a ring skirt 107 is coupled to the end of the light emitting section 101 to emit the light. A section 101 is configured. The inner wall surface of this light emitting section 101 is preferably a black surface.
可動機構12には、例えばボールネジが設けられている
。このボールネジを介して可動機構12に回転駆動を伝
える駆動機構13が設けられそいる。駆動機構13は1
例えばパルス制御されるステッピングモータで駆動する
ようになっている。これらの光照射体11等により、露
光部9が構成されている。The movable mechanism 12 is provided with, for example, a ball screw. A drive mechanism 13 that transmits rotational drive to the movable mechanism 12 via this ball screw will be provided. The drive mechanism 13 is 1
For example, it is driven by a stepping motor that is pulse controlled. The exposure section 9 is constituted by these light irradiators 11 and the like.
端面検出手段8と露光部9とを同一位置に配設すること
も当然可能である。この場合スループットが向上する効
果があるゴ
端面検出手段8と露光部9の動作は、第3図に示す制御
部14により、所定の命令信号や検知信号を送受信号し
て制御されるようになっている。Of course, it is also possible to arrange the end face detection means 8 and the exposure section 9 at the same position. In this case, the operations of the edge face detection means 8 and the exposure section 9, which have the effect of improving throughput, are controlled by the control section 14 shown in FIG. 3 by transmitting and receiving predetermined command signals and detection signals. ing.
次に、どのような露光装置による半導体ウェハ3の外周
部の露光方法を説明する。゛
なお、露光方法の工程の流れは、第5図に示す通りであ
る。Next, a method of exposing the outer periphery of the semiconductor wafer 3 using an exposure apparatus will be described. Note that the process flow of the exposure method is as shown in FIG.
まず、図示しない搬送機構、例えばハンドリングアーム
により、半導体ウェハ3を載置台2上に搬入する。半導
体ウェハ3の表面には、例えば前工程で例えばスピンコ
ードによりレジストが塗布されている。半導体ウェハ3
は、その中心部を載置台2の回転軸と同軸的に配置して
位置決めする。First, the semiconductor wafer 3 is carried onto the mounting table 2 by a transport mechanism (not shown), for example, a handling arm. A resist is applied to the surface of the semiconductor wafer 3 by, for example, a spin code in a previous process. semiconductor wafer 3
is positioned so that its center is coaxial with the rotation axis of the mounting table 2.
この時、載置台2の吸着孔4を通して、真空発生器等の
バキュームエアにより、半導体ウェハ3を載置台2に吸
着する。At this time, the semiconductor wafer 3 is suctioned onto the mounting table 2 through the suction hole 4 of the mounting table 2 using vacuum air from a vacuum generator or the like.
そして、制御部14からの信号により1次のように露光
処理を開始する。Then, exposure processing is started in the first order by a signal from the control section 14.
先ず、載置台2を回転機構1により回転させ、半導体ウ
ェハ3を所定の回転数例えば1回転10秒〜60秒で回
転させる。この回転速度は光源によって適宜選択する。First, the mounting table 2 is rotated by the rotation mechanism 1, and the semiconductor wafer 3 is rotated at a predetermined number of rotations, for example, 10 seconds to 60 seconds per rotation. This rotation speed is appropriately selected depending on the light source.
載置台2の回転機構1は1例えば、その回転角度がパル
ス制御されたステッピングモータにより駆動する。そし
て、このステッピングモータのステップ毎に、同期して
端面検出部8の光センサ7(例えばCCDイメージセン
サ)が走査される。この端面検出部8の動作によって、
半導体ウェハ3の外周端面から予め定められた周縁露光
部の距離を検出する。The rotation mechanism 1 of the mounting table 2 is driven by, for example, a stepping motor whose rotation angle is pulse-controlled. The optical sensor 7 (for example, a CCD image sensor) of the end face detection section 8 is scanned in synchronization with each step of the stepping motor. Due to the operation of this end face detection section 8,
The distance of a predetermined peripheral edge exposure portion from the outer peripheral end face of the semiconductor wafer 3 is detected.
ここで、光センサ7は、半導体ウェハ3の周縁部を横切
る所望の位置に固定されている。光センサ7からの出力
信号は、半導体ウェハ3の外周端面からの位置に比例し
た電圧レベル差となって得られる。この出力信号により
、制御部14で半導体ウェハ3の外周端面から所定の位
置までの露光領域の距離を算出する。この場合、センサ
光源5は、光センサ7の出力信号のコントラストを大き
くするためのものである。従って、センサ用光源5は、
−次元配列されたLEDでもよく、面光源でも良い。Here, the optical sensor 7 is fixed at a desired position across the peripheral edge of the semiconductor wafer 3. The output signal from the optical sensor 7 is obtained as a voltage level difference proportional to the position from the outer peripheral end surface of the semiconductor wafer 3. Based on this output signal, the control unit 14 calculates the distance of the exposure area from the outer peripheral end face of the semiconductor wafer 3 to a predetermined position. In this case, the sensor light source 5 is for increasing the contrast of the output signal of the optical sensor 7. Therefore, the sensor light source 5 is
-It may be a dimensionally arranged LED or a surface light source.
また、光センサ7の感度が高い場合には点灯しなくても
よい。また、レンズ6は、光センサ7の検知幅を広げる
ためのものである。従って、処理対象となる被処理体の
サイズ差が余り大きくない場合には使用しなくてもよい
、ここで、光センサ7に、固体撮像素子であるCCDイ
メージセンサを用いると、被処理体がガラス等の光透過
タイプのものであっても高感度であるため、その僅かな
光量差も検出することができるという効果が生じる。Further, if the sensitivity of the optical sensor 7 is high, it is not necessary to turn on the light. Further, the lens 6 is used to widen the detection width of the optical sensor 7. Therefore, it does not need to be used when the size difference between the objects to be processed is not very large.Here, if a CCD image sensor, which is a solid-state image sensor, is used as the optical sensor 7, the object to be processed may be Even if it is a light-transmissive type such as glass, it has high sensitivity, so it has the effect of being able to detect even the slightest difference in light amount.
そして、算出された半導体ウェハ3の外周端面の情報は
、制御部14内の図示しない記憶素子に記憶される。こ
の記憶された情報から予め定められたサイドリンス又は
裏面洗浄に必要な露光の処理幅を算出する。この算出結
果に基づいて、露光部9による光の照射位置を制御する
。即ち、光照射体11に、光導管10を通して図示しな
い光源から光を導びく、光源からの露光用の光としては
、例えば水銀ランプやキセノンランプのような紫外線ラ
ンプからの光を使用する。光の照射位置は、記憶素子に
記憶された情報に基づいて決定される。即ち。Then, the calculated information on the outer peripheral end face of the semiconductor wafer 3 is stored in a storage element (not shown) in the control unit 14. From this stored information, the processing width of exposure required for a predetermined side rinse or back surface cleaning is calculated. Based on this calculation result, the light irradiation position by the exposure section 9 is controlled. That is, light is guided from a light source (not shown) to the light irradiator 11 through the light conduit 10. As the exposure light from the light source, for example, light from an ultraviolet lamp such as a mercury lamp or a xenon lamp is used. The light irradiation position is determined based on information stored in the storage element. That is.
半導体ウェハ3上のサイドリンス又は裏面洗浄のために
、露光する所望の部分を算出した信号が、記憶素子から
制御部14に供給される。この信号により制御部14は
、可動機構12と駆動機構13の動作を制御する。この
ようにし処理体である半導体ウェハ3と光照射体11と
の相対的な駆動に基づいて、所定領域に露光を行う0例
えば、半導体ウェハ3は、載置台2上で回転軸を固定し
た回転状態で、ステップモータによるステップ毎に、連
続的に露光される。このことにより、半導体ウェハ3の
オリフラ部にも、他の周縁部と同様に、予め定められた
露光領域を確保した処理が行える。この時の周辺露光の
照射状態を第1図C,D、E、Fに示す。For side rinsing or back surface cleaning on the semiconductor wafer 3, a signal calculating a desired portion to be exposed is supplied from the memory element to the control unit 14. Based on this signal, the control unit 14 controls the operations of the movable mechanism 12 and the drive mechanism 13. In this way, a predetermined area is exposed to light based on the relative drive of the semiconductor wafer 3, which is a processing object, and the light irradiation object 11. For example, the semiconductor wafer 3 is rotated on the mounting table 2 with the rotation axis fixed. In this state, exposure is performed continuously at each step by the step motor. As a result, the orientation flat portion of the semiconductor wafer 3 can be processed with a predetermined exposure area secured in the same manner as other peripheral portions. The irradiation conditions for peripheral exposure at this time are shown in FIGS. 1C, D, E, and F.
即ち光導管lOからの紫外線は絞り104の長方形状開
孔103の形状の光ビーム107が光学レンズtOS。That is, the ultraviolet rays from the optical conduit lO are transmitted to the optical lens tOS, where the light beam 107 in the shape of the rectangular aperture 103 of the aperture 104 is transmitted.
106で集束し、半導体ウェハ3の上記手段により、自
動設定された領域に出射する。It is focused at 106 and emitted to an area automatically set by the above-mentioned means on the semiconductor wafer 3.
この時半導体ウェハ3の外周端面部を拡大した状態を図
を参照して説明する。At this time, an enlarged view of the outer peripheral end face portion of the semiconductor wafer 3 will be described with reference to the drawings.
光出射部101から半導体ウェハ3に出射した照明光パ
ターンは絞り104の開孔103の形状即ち第1図Eに
示す長方形である。The illumination light pattern emitted from the light emitting section 101 to the semiconductor wafer 3 has the shape of the aperture 103 of the aperture 104, that is, the rectangle shown in FIG. 1E.
この時照明の具体例としては、第1図Cに示す如く、ウ
ェハのエツジ部のみ照射する方法も考えられるが1種々
な調整手段を考え第1図り、E。As a specific example of illumination at this time, a method of irradiating only the edge of the wafer as shown in FIG.
Fに示す如く外周端面部が中央部を横切る位置に設定す
ることが実用上望ましい、さらに、光ビームの結像形状
は第1図Eに示すように長方形状でもよいが、4つの角
部での光の照度が低くなることを考えると、第1図Fの
ように角度部をなくした形状の光ビームが望ましい。Practically speaking, it is preferable to set the light beam at a position where the outer peripheral end face crosses the center part as shown in Fig. Considering that the illumination intensity of the light becomes low, it is desirable to have a light beam having a shape without an angular part as shown in FIG. 1F.
勿論、この変形はさらに楕円形スポットなどこれらほぼ
方形状であれば良い。このような光ビームの形状にする
ことにより均一な周辺露光を実現できる効果がある。Of course, this deformation may also be done as long as it has an approximately rectangular shape, such as an elliptical spot. This shape of the light beam has the effect of realizing uniform peripheral exposure.
また第1図C,Dにおいて、エツジ部を三角形状に突出
させたのは、現実のウニへの周端断面を誇張して図示し
たものである。In addition, in FIGS. 1C and 1D, the edge portions protruding in a triangular shape are exaggerated illustrations of the actual circumferential end cross section of the sea urchin.
その後、所望の露光が終了すると、半導体ウェハ3を図
示しない搬送機構で搬出して、露光処理が完了する。搬
出した半導体ウェハ3は、図示しない次工程の処理装置
により、露光された周縁部のレジストの現像・洗浄を受
ける。このような工程後半導体パターンの露光工程を行
う、この実施例では上記処理によりレジストの残渣を除
去するので、レジスト等を除去した境界部分のレジスト
の盛り上りによる焦点ボケの問題は解決される。Thereafter, when the desired exposure is completed, the semiconductor wafer 3 is carried out by a transport mechanism (not shown), and the exposure process is completed. The semiconductor wafer 3 that has been carried out is subjected to development and cleaning of the exposed peripheral edge resist by a processing device (not shown) in the next step. In this embodiment, in which the semiconductor pattern is exposed after such a process, the resist residue is removed by the above process, so that the problem of out-of-focus caused by the rise of the resist at the boundary where the resist etc. has been removed is solved.
上記実施例では、光センサ7や回転機構1や駆動機構1
3等を、制御部14で制御した。しかして。In the above embodiment, the optical sensor 7, the rotation mechanism 1, the drive mechanism 1
3 etc. were controlled by the control unit 14. However.
載置台の回転駆動回路は、第3図に示すコントロールブ
ロックの一実施例に示す如く構成される。The rotation drive circuit for the mounting table is constructed as shown in one embodiment of the control block shown in FIG.
即ち、基準信号発生器20から設定されたクロックが発
生する。このクロック信号のセンサ駆動回路21にて駆
動パルスを形成する。一方、回転機構1の駆動パルスは
1分周器22にて分周されたパルスを基に、載置台の回
転駆動回路で形成する。そして、駆動パルスが、光セン
サ7の走査制御を行う。That is, the reference signal generator 20 generates a set clock. The sensor drive circuit 21 uses this clock signal to form a drive pulse. On the other hand, the drive pulse for the rotation mechanism 1 is formed by the rotation drive circuit of the mounting table based on the pulse frequency-divided by the 1 frequency divider 22. The drive pulse then controls the scanning of the optical sensor 7.
光センサの出力処理回路24では、光センサ7の走査の
1パルス毎に出力信号レベルと設定されたしきい値との
比較を行う。そして、光検出センス部の位置から半導体
ウェハ3の外周端面の検出を行う。その結果外周端面の
情報は、記憶素子25に書き込まれる。この半導体ウェ
ハ3の周縁部の位置が、光照射体11の配置されている
場所にくると。The output processing circuit 24 of the optical sensor compares the output signal level with a set threshold value for each scanning pulse of the optical sensor 7. Then, the outer peripheral end face of the semiconductor wafer 3 is detected from the position of the photodetection sense section. As a result, information on the outer peripheral end face is written into the memory element 25. When the peripheral edge of the semiconductor wafer 3 comes to the location where the light irradiator 11 is placed.
記憶素子25の情報に従って駆動回路26と駆動機構1
3により、露光用光照射体11を移動するようにして、
半導体ウェハ3の周縁部を露光する如く制御する。Drive circuit 26 and drive mechanism 1 according to information in memory element 25
3, the exposure light irradiation body 11 is moved,
Control is performed so that the peripheral edge of the semiconductor wafer 3 is exposed.
また、上記実施例の可動機構12は、ボールネジを使用
して説明した。しかし、所望の位置に光照射体11を移
動できれば良い。従って、タイミングベルトやりニアモ
ータを用いた機構でもよい。また、装置のクリーン度の
向上を計る為に、第4図に示す如く半導体ウェハ3より
下方に可動機構12を設定してもよい。Furthermore, the movable mechanism 12 of the above embodiment has been explained using a ball screw. However, it is sufficient if the light irradiator 11 can be moved to a desired position. Therefore, a mechanism using a timing belt or a near motor may be used. Furthermore, in order to improve the cleanliness of the apparatus, the movable mechanism 12 may be set below the semiconductor wafer 3 as shown in FIG.
そして、上記実施例では、光センサ7を固体撮像素子C
CDイメージセンサを用いて説明した。しかし、半導体
ウェハ3の周縁部を非接触で検知できるものであれば何
でもよく、上記実施例に限定されるものではない。In the above embodiment, the optical sensor 7 is a solid-state image sensor C.
The explanation was made using a CD image sensor. However, any device may be used as long as it can detect the peripheral edge of the semiconductor wafer 3 without contact, and is not limited to the above embodiment.
また、被処理体に施す露光処理は、被処理体の特定の周
縁部の部分に複数回施すようにしても良い。Further, the exposure process to be applied to the object to be processed may be performed multiple times to a specific peripheral portion of the object to be processed.
また、被処理体の特定の周縁部に施す露光処理の光量は
、特定の周縁部以外の周縁部に施す光量よりも多く設定
するのが好ましい。Further, it is preferable that the amount of light for the exposure process applied to a specific peripheral edge of the object to be processed is set to be larger than the amount of light applied to peripheral areas other than the specific peripheral edge.
また、露光領域の長さは、被処理体の外周側端面から被
処理体の中心に向かう所定の距離のところまでのところ
に適宜設定する。被処理体の外周端面の検知は1例えば
、固体撮像素子からなる光センサを用いて光学的に行な
うことができる。また、露光領域の幅は、被処理体の回
転数を選択的に遅くすることにより、適宜決定するのが
好ましい。Further, the length of the exposure area is appropriately set to a predetermined distance from the outer peripheral end face of the object to be processed toward the center of the object to be processed. Detection of the outer circumferential end face of the object to be processed can be performed optically, for example, using an optical sensor consisting of a solid-state image sensor. Further, it is preferable that the width of the exposure area is appropriately determined by selectively slowing down the rotation speed of the object to be processed.
また、上記可動機構は、被処理体の外周端面を検出す−
る端面検出手段からの信号を受けて動作するように構成
するのが望ましい。The movable mechanism also detects the outer peripheral end surface of the object to be processed.
It is desirable that the device be configured to operate in response to a signal from an end face detection means.
また、端面検出手段としては、例えば固体搬像素子から
なる光センサを備えたものを使用するのが望ましい。Further, as the end face detection means, it is desirable to use one equipped with an optical sensor consisting of, for example, a solid-state image carrier.
また、上記実施例では半導体ウェハ3の表面の処理につ
いて説明した。しかし、周縁部の処理であればよく、裏
面も同様に処理できることは言うまでもない。Furthermore, in the above embodiment, the treatment of the surface of the semiconductor wafer 3 was explained. However, it is only necessary to treat the peripheral edge, and it goes without saying that the back surface can also be treated in the same way.
上記実施例では被処理体に半導体ウェハ3を用いて説明
した。しかし、膜塗布された被処理体であれば何でもよ
く、液晶表示装置等角形ガラス基板を処理してもよい。In the above embodiment, the semiconductor wafer 3 was used as the object to be processed. However, any object to be processed may be used as long as it is coated with a film, and a rectangular glass substrate such as a liquid crystal display device may be processed.
上記実施例では、半導体ウェハ3を回転軸を固定させて
周縁部の露光を行った。しがし、半導体ウェハ3の外周
端面の情報により回転軸位置を調整してもよい6要する
に半導体ウェハ3と光照射体11を相対的に位置調整す
る手段であれば何れでもよい。In the above embodiment, the peripheral edge of the semiconductor wafer 3 was exposed with the rotating shaft fixed. However, the rotation axis position may be adjusted based on information about the outer peripheral end surface of the semiconductor wafer 3. In short, any means for adjusting the relative positions of the semiconductor wafer 3 and the light irradiator 11 may be used.
以上述べたようにこの実施例によれば、半導体ウェハ3
を載置台2上に載置する。そして、これを回転させなが
ら制御部14により、光センサ7で半導体ウェハ3の外
周端面を検知して所望の露光する部分を算出する。そし
て、露光する光源の位置を半導体ウェハ3に対して相対
的に移動制御しながら露光する。その結果、半導体ウェ
ハ3上のレジスト等を、オリフラ部も含めて所望の部分
だけ除去可能とすることができる。そして、レジスト等
の除去の境界部の盛り上りをなくシ、焦点ボケの発生を
防止できる。As described above, according to this embodiment, the semiconductor wafer 3
is placed on the mounting table 2. Then, while rotating the semiconductor wafer 3, the control unit 14 detects the outer peripheral end face of the semiconductor wafer 3 with the optical sensor 7 and calculates a desired exposed portion. Then, exposure is performed while controlling the position of the light source for exposure to move relative to the semiconductor wafer 3. As a result, only a desired portion of the resist or the like on the semiconductor wafer 3, including the orientation flat portion, can be removed. Moreover, it is possible to eliminate the swelling at the border of the removal of the resist, etc., and to prevent the occurrence of out-of-focus.
第1図は本発明の露光方法を実施するための露光装置の
一例の構成を示す説明図、第2図は第1図の装置の要部
を側面から見た説明図、第3図は第1図の装置の駆動制
御の仕方を示すためのブロック図、第4図は第1図の装
置の光源可動機構の他の実施例の説明図、第5図は第1
図の装置の動作を説明するためのフロー図である。
1・・・回転機構、 2・・・載置台、3・・・半
導体ウェハ、 8・・・端面検出手段、11・・・光照
射体、 12・・・可動機構、14・・・制御部。FIG. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of an example of an exposure apparatus for carrying out the exposure method of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing the main parts of the apparatus shown in FIG. 1 is a block diagram showing how to control the drive of the device shown in FIG. 1, FIG. 4 is an explanatory diagram of another embodiment of the light source movable mechanism of the device shown in FIG.
FIG. 3 is a flow diagram for explaining the operation of the device shown in the figure. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Rotating mechanism, 2... Mounting table, 3... Semiconductor wafer, 8... End face detection means, 11... Light irradiation body, 12... Movable mechanism, 14... Control unit .
Claims (2)
検知された外周端から上記被処理体周縁の予め定められ
た露光領域を決定する工程と、上記露光領域に光照射す
る工程とを具備してなることを特徴とする露光方法。(1) A step of detecting the outer peripheral edge of the object to be processed, a step of determining a predetermined exposure area on the periphery of the object to be processed from the outer edge detected in this step, and a step of irradiating the exposure area with light. An exposure method comprising:
の回転速度で回転させる回転機構と、該載置台の載置面
に対向して設けられた光照射体と、該光照射体から前記
被処理体に照射する光の量を制御する光量制御手段と、
該光照射体を前記載置面の中心を通る仮想直線に沿った
往復動させる可動機構と、前記光照射体からの光の照射
量に応じて前記載置台の回転数を制御する回転数制御手
段とを具備する露光装置。(2) A mounting table on which the object to be processed is placed, a rotation mechanism that rotates the mounting table at a predetermined rotation speed, a light irradiator provided opposite to the mounting surface of the mounting table, and a light amount control means for controlling the amount of light irradiated from the light irradiator to the object to be processed;
a movable mechanism that reciprocates the light irradiator along a virtual straight line passing through the center of the mounting surface; and a rotation speed control that controls the rotation speed of the mounting base according to the amount of light irradiated from the light irradiator. An exposure apparatus comprising means.
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| JP63212031A JPH0797549B2 (en) | 1987-08-28 | 1988-08-26 | Exposure method and apparatus thereof |
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| JP62-216009 | 1987-08-28 | ||
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797549B2 (en) | 1995-10-18 |
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