JPH0115224Y2 - - Google Patents
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- JPH0115224Y2 JPH0115224Y2 JP1983174047U JP17404783U JPH0115224Y2 JP H0115224 Y2 JPH0115224 Y2 JP H0115224Y2 JP 1983174047 U JP1983174047 U JP 1983174047U JP 17404783 U JP17404783 U JP 17404783U JP H0115224 Y2 JPH0115224 Y2 JP H0115224Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、差動増幅器のバイアス電流を供給す
る為のバイアス回路に関するもので、特に、トラ
ンジスタの電流増幅率(β)のバラツキに影響さ
れず安定に差動増幅器をバイアスすることが出
来、かつ低電圧動作が可能なバイアス回路に関す
る。
(ロ) 従来技術
IC(集積回路)化された差動増幅器にバイアス
電流を供給するバイアス回路として、従来第1図
に示す如き回路が提案されている。第1図におい
て、差動増幅器1は、エミツタが共通接続された
第1及び第2増幅用トランジスタ2及び3と、該
第1及び第2増幅用トランジスタ2及び3の共通
エミツタにコレクタが接続された定電流トランジ
スタ4と、前記第1及び第2増幅用トランジスタ
2及び3のコレクタにそれぞれ接続された負荷抵
抗5及び6とによつて構成されており、前記第1
及び第2増幅用トランジスタ2及び3のベースに
接続された第1及び第2入力端子7及び8に印加
される差動入力信号を増幅して、前記第2増幅用
トランジスタ3のコレクタに接続された出力端子
9に増幅された出力信号を得るものである。ま
た、バイアス回路10は、ベース及びエミツタが
前記定電流トランジスタ4に共通接続された第1
トランジスタ11と該第1トランジスタ11のコ
レクタにコレクタが接続された第2トランジスタ
12を含む定電流源13と、前記第1及び第2ト
ランジスタ11及び12のコレクタ電流の差電流
を増幅し、前記定電流トランジスタ4及び前記第
1トランジスタ11のベース電流を供給する第3
及び第4トランジスタ14及び15と、ダイオー
ド接続された第5トランジスタ16及び該第5ト
ランジスタ16とベース及びエミツタが共通接続
された第6トランジスタ17から成り、前記第4
トランジスタ15のコレクタ電流を反転して前記
第1増幅用トランジスタ2のベースに供給する第
1電流反転回路18と、前記第5トランジスタ1
6及び該第5トランジスタ16とベース及びエミ
ツタが共通接続された第7トランジスタ19から
成り、前記第4トランジスタ15のコレクタ電流
を反転して前記第2増幅用トランジスタ3のベー
スに供給する第2電流反転回路20とによつて構
成され、前記第1及び第2増幅用トランジスタ2
及び3のベースに1/2IBのベース電流を、前記定
電流用トランジスタ4のベースにIBのベース電流
を供給せんとするものである。
第1図において、定電流源13の出力電流であ
る第2トランジスタ12のコレクタ電流を〔βIB
+2/βIB〕(ただし、βはNPN型トランジスタの
電流増幅率)とすれば、第3及び第4トランジス
タ14及び15のベース電流がそれぞれ1/βIB、
該第3及び第4トランジスタ14及び15のエミ
ツタ電流がそれぞれIB、第1トランジスタ11の
コレクタ電流がβIBとなつたとき回路が安定状態
になる。従つて、定電流トランジスタ4のベース
電流もIBとなり、前記定電流トランジスタ4のコ
レクタ電流はβIBとなる。一方、第4トランジス
タ15のベース電流が1/βIBであるから、そのコ
レクタ電流はIBとなり、該コレクタ電流IBが第1
及び第2電流反転回路18及び20で反転され、
それぞれ第1及び第2増幅トランジスタ2及び3
のベースに供給される。その場合、第5トランジ
スタ16と第6トランジスタ17とのエミツタ面
積比及び前記第5トランジスタ16と第7トラン
ジスタ19とのエミツタ面積比とを等しく2:1
とすれば、前記第6及び第7トランジスタ17及
び19のコレクタ電流は等しく1/2IBとなり、第
1及び第2増幅用トランジスタ2及び3のコレク
タ電流も等しく1/2βIBとなる。従つて、差動増幅
器1は、バイアス回路10により正しくバイアス
されることになる。
第1図の回路をIC化した場合、NPN型のトラ
ンジスタ(第1及び第2増幅用トランジスタ2及
び3、定電流トランジスタ4、第1、第3及び第
4トランジスタ11,14及び15)の電流増幅
率を等しく設定出来、PNP型のトランジスタ
(第2、第5、第6及び第7トランジスタ12,
16,17及び19)の電流増幅率も等しく設定
出来るので、第1図の回路は、電流増幅率の変化
に関係無く、差動増幅器を安定にバイアス出来る
という利点を有する。しかしながら、第1図の回
路構成とすると、例えば第1トランジスタ11と
第3トランジスタ14のベースエミツタ路が直列
接続される為に、回路を安定に動作させる為に
は、〔2VBE+VCE(sat)〕(ただし、VBEは、トラン
ジスタのベース・エミツタ間電圧、VCE(sat)は
トランジスタのコレクタ・エミツタ間飽和電圧)
の最低電圧を必要とするので、低電源電圧を使用
するICに使用することが出来ないという欠点が
あつた。ちなみに3Vの電源電圧を使用する場合、
その60%、すなわち1.8Vが補償電圧となるが、
2VBE+VCE(sat)=2×0.7(V)+0.2(V)=1.6(
V)
となり、ダイナミツクレンジが不足してしまう。
(ハ) 考案の目的
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、低
電源電圧を使用するICに用いても十分なるダイ
ナミツクレンジが確保出来る差動増幅器のバイア
ス回路を提供せんとするものである。
(ニ) 実施例
第2図は、本考案の一実施例を示す回路図で、
21はエミツタが共通接続された第1及び第2増
幅用トランジスタ22及び23と、該第1及び第
2増幅用トランジスタ22及び23の共通エミツ
タにコレクタが接続された定電流トランジスタ2
4とから成る差動増幅器、25は前記定電流トラ
ンジスタ24とベース及びエミツタが共通接続さ
れた第1トランジスタ、26はダイオード接続さ
れたトランジスタ27と該トランジスタ27にベ
ース及びエミツタが共通接続されたトランジスタ
28と前記ダイオード接続されたトランジスタ2
7のコレクタ電流を定める抵抗29とから成り、
前記第1トランジスタ25のコレクタ電流を供給
する電流源、30はダイオード接続された第2ト
ランジスタ31と該第2トランジスタ31にベー
ス及びエミツタが共通接続された第3トランジス
タ32とから成り、前記第1トランジスタ25の
コレクタ電流と前記電流源26の出力電流との差
電流を反転する第1電流反転回路、33はダイオ
ード接続された第4トランジスタ34と該第4ト
ランジスタ34にベース及びエミツタが共通接続
された第5トランジスタ35とから成り、前記定
電流トランジスタ24及び前記第1トランジスタ
25のベース電流を供給する第2電流反転回路、
36は前記第4トランジスタ34と該第4トラン
ジスタ34にベース及びエミツタが共通接続され
た第6トランジスタ37とから成り、第1増幅用
トランジスタ22のベース電流を供給する第3電
流反転回路及び38は前記第4トランジスタ34
と該第4トランジスタ34にベース及びエミツタ
が共通接続された第7トランジスタ39とから成
り、前記第2増幅用トランジスタ23のベース電
流を供給する第4電流反転回路である。
差動増幅器21は、第1及び第2増幅用トラン
ジスタ22及び23のベースにそれぞれ接続され
た入力端子40及び41に印加される入力信号を
差動増幅し、前記第2増幅用トランジスタ23の
コレクタに接続された出力端子42に増幅された
出力信号を得るものであるが、前記差動増幅器2
1を正常に動作させる為には、適切なバイアス電
流を供給しなければならない。
しかして、抵抗29の値を調整し、電流源26
の出力電流を〔βIB+2IB〕(ただし、βはNPNト
ランジスタの電流増幅率)とし、第1及び第2電
流反転回路30及び33の反転比を1とすれば、
第1トランジスタ25のコレクタから第1及び第
2電流反転回路30及び33を経由して、前記第
1トランジスタ25のベースに至る負帰還路の作
用により、前記第1トランジスタ25のコレクタ
電流がβIB、第2及び第3トランジスタ31及び
32のコレクタ電流が2IB、第4及び第5トラン
ジスタ34及び35のコレクタ電流も2IBとなり、
回路が安定化する。その場合、第1トランジスタ
25のベース電流はIB、定電流トランジスタ24
のベース電流もIBとなり、該定電流トランジスタ
24のコレクタ電流はβIBとなる。一方、第3及
び第4電流反転回路36及び38の反転比を1/4
とすれば、第4トランジスタ34のコレクタ電流
が2IBのとき、第6及び第7トランジスタ37及
び39のコレクタ電流、すなわち第3及び第4電
流反転回路36及び38の出力電流は、それぞれ
1/2IBとなり、該出力電流1/2IBが第1及び第2増
幅用トランジスタ22及び23のベースにバイア
ス電流として供給される。その為、前記第1及び
第2増幅用トランジスタ22及び23のコレクタ
電流は、それぞれ1/2βIBとなり、定電流トランジ
スタ24のコレクタ電流βIBに見合つた値となる
から、差動増幅器21の適正バイアスが達成され
る。
第4トランジスタ34と第6トランジスタ37
との間の反転比、及び前記第4トランジスタ34
と第7トランジスタ39との間の反転比の設定
は、例えば第3図の如き回路を用いて行なわれ
る。第3図において、第4乃至第7トランジスタ
43乃至46は第2図の第4乃至第7トランジス
タ34乃至39に対応するものであり、前記第3
図の第6及び第7トランジスタ45及び46はそ
れぞれ4個のコレクタを有するマルチコレクタ構
造と成されている。しかして、前記第6トランジ
スタ45の第1コレクタは、第2図の第1増幅用
トランジスタ22のベースに接続される端子47
に接続されており、第2乃至第4コレクタは共通
に接地されている。また、第7トランジスタ46
の第1コレクタは、第2図の第2増幅用トランジ
スタ23のベースに接続される端子48に接続さ
れており、第2乃至第4コレクタは共通に接地さ
れている。従つて第4トランジスタ43のコレク
タ電流を2IBとすれば、第6及び第7トランジス
タ45及び46の第1コレクタに1/2IBのコレク
タ電流が流れ、それが第1及び第2増幅用トラン
ジスタ22及び23のベースバイアス電流として
供給される。
また、第1及び第2増幅用トランジスタ22及
び23へのベースバイアス電流の供給は、第4図
に示す回路を用いても行うことが出来る。第4図
においては、第3図の第6及び第7トランジスタ
45及び46の代わりに、4個のコレクタを有す
るマルチコレクタ構造の第8トランジスタ49の
みを用いている。その場合、第3電流反転回路3
6は第4トランジスタ43と前記第8トランジス
タ49の第1コレクタとを用いて構成され、第4
電流反転回路38は前記第4トランジスタ43と
前記第8トランジスタ49の第2コレクタとを用
いて構成される。しかして、前記第8トランジス
タ49の第1コレクタは、第2図の第1増幅用ト
ランジスタ22のベースに接続される端子50
に、第2コレクタは第2増幅用トランジスタ23
のベースに接続される端子51にそれぞれ接続さ
れ、第3及び第4コレクタは共通に接地されてい
る。従つて、第4トランジスタ43のコレクタ電
流を2IBとすれば、第8トランジスタ49の第1
及び第2コレクタにそれぞれ1/2IBの電流が得ら
れ、それが第1及び第2増幅用トランジスタ22
及び23のベースに供給されるから、差動増幅器
21の安定バイアスが達成される。
尚、第2図においては、電流源26を用いて入
力電流の供給を行つているが、定電圧電源を使用
する場合は、前記電流源26の代わりに抵抗を用
いることも出来る。また、第1乃至第4電流反転
回路30乃至38の反転比は、実施例に限定され
るものではなく、第5トランジスタ35のコレク
タに2IBの電流が、第6及び第7トランジスタ3
7及び39のコレクタにそれぞれ1/2IBの電流が
得られる任意の値を取り得る。
(ホ) 考案の効果
以上に述べた如く、本考案に依れば、差動増幅
器を安定にバイアスすることが出来るバイアス回
路を提供出来る。特に、バイアス回路中にトラン
ジスタのベース・エミツタ路を縦続接続して用い
ていないので、低電圧(VBE+VCE(sat))で作動
させることが出きるという大きな利点が得られ
る。また、バイアス回路を負帰還型に構成してい
るので、温度変動等により定電流用トランジスタ
のコレクタ電流が変化してもそれを補償出来るか
ら、安定なバイアス回路が得られるという利点が
得られる。更に、第3図及び第4図に示す如く、
第6及び第7トランジスタをマルチコレクタ構造
とすれば、IC化した際のチツプ面積を小とする
ことが出来るという利点が得られる。 [Detailed description of the invention] (a) Industrial application field The present invention relates to a bias circuit for supplying bias current to a differential amplifier, and particularly relates to a bias circuit for supplying a bias current to a differential amplifier. The present invention relates to a bias circuit capable of stably biasing a differential amplifier without causing any interference, and capable of low voltage operation. (b) Prior Art A circuit as shown in FIG. 1 has been proposed as a bias circuit for supplying a bias current to a differential amplifier configured as an IC (integrated circuit). In FIG. 1, a differential amplifier 1 includes first and second amplifying transistors 2 and 3 whose emitters are commonly connected, and whose collectors are connected to the common emitters of the first and second amplifying transistors 2 and 3. 4, and load resistors 5 and 6 connected to the collectors of the first and second amplification transistors 2 and 3, respectively.
and the differential input signals applied to the first and second input terminals 7 and 8 connected to the bases of the second amplification transistors 2 and 3, and the differential input signals are connected to the collector of the second amplification transistor 3. An amplified output signal is obtained at the output terminal 9. The bias circuit 10 also includes a first transistor whose base and emitter are commonly connected to the constant current transistor 4.
A constant current source 13 including a transistor 11 and a second transistor 12 whose collector is connected to the collector of the first transistor 11 amplifies the difference current between the collector currents of the first and second transistors 11 and 12, and a third transistor that supplies the base current of the current transistor 4 and the first transistor 11;
and a fourth transistor 14 and 15, a diode-connected fifth transistor 16, and a sixth transistor 17 whose base and emitter are commonly connected to the fifth transistor 16.
a first current inversion circuit 18 that inverts the collector current of the transistor 15 and supplies it to the base of the first amplification transistor 2; and the fifth transistor 1.
6 and a seventh transistor 19 whose base and emitter are commonly connected to the fifth transistor 16, and a second current which inverts the collector current of the fourth transistor 15 and supplies it to the base of the second amplifying transistor 3. and an inverting circuit 20, the first and second amplification transistors 2
A base current of 1/2 I B is supplied to the bases of transistors 3 and 3, and a base current of I B is supplied to the base of the constant current transistor 4. In FIG. 1, the collector current of the second transistor 12, which is the output current of the constant current source 13, is expressed as [βI B
+2/βI B ] (where β is the current amplification factor of the NPN transistor), the base currents of the third and fourth transistors 14 and 15 are respectively 1/βI B , and the third and fourth transistors 14 and 15 have base currents of 1/βI B , respectively. When the emitter currents of the transistors 15 and 15 become I B and the collector current of the first transistor 11 becomes βIB , the circuit becomes stable. Therefore, the base current of the constant current transistor 4 also becomes I B , and the collector current of the constant current transistor 4 becomes βI B. On the other hand, since the base current of the fourth transistor 15 is 1/βI B , its collector current is I B , and the collector current I B is
and is inverted by second current inverting circuits 18 and 20,
first and second amplification transistors 2 and 3, respectively;
supplied to the base of In that case, the emitter area ratio of the fifth transistor 16 and the sixth transistor 17 and the emitter area ratio of the fifth transistor 16 and the seventh transistor 19 are set equal to 2:1.
Then, the collector currents of the sixth and seventh transistors 17 and 19 are equal to 1/2I B , and the collector currents of the first and second amplification transistors 2 and 3 are also equal to 1/ 2βIB . Therefore, the differential amplifier 1 will be correctly biased by the bias circuit 10. When the circuit in Figure 1 is integrated into an IC, the current of NPN transistors (first and second amplification transistors 2 and 3, constant current transistor 4, first, third and fourth transistors 11, 14 and 15) The amplification factor can be set equally, and PNP type transistors (second, fifth, sixth and seventh transistors 12,
Since the current amplification factors of 16, 17, and 19) can be set equally, the circuit of FIG. 1 has the advantage that the differential amplifier can be stably biased regardless of changes in the current amplification factors. However, in the circuit configuration shown in FIG. 1, for example, the base-emitter paths of the first transistor 11 and the third transistor 14 are connected in series, so in order to operate the circuit stably, [2V BE +V CE (sat) ] (where, V BE is the voltage between the base and emitter of the transistor, and V CE (sat) is the saturation voltage between the collector and emitter of the transistor)
The drawback is that it cannot be used in ICs that use low power supply voltages. By the way, when using a 3V power supply voltage,
60% of that, or 1.8V, is the compensation voltage,
2V BE +V CE (sat) = 2 x 0.7 (V) + 0.2 (V) = 1.6 (
V)
As a result, there is a shortage of Dynamite Cleanse. (c) Purpose of the invention The present invention was created in view of the above points, and aims to provide a bias circuit for a differential amplifier that can ensure sufficient dynamic range even when used in an IC that uses a low power supply voltage. It is something to do. (d) Embodiment Figure 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
Reference numeral 21 denotes first and second amplifying transistors 22 and 23 whose emitters are commonly connected, and a constant current transistor 2 whose collector is connected to the common emitter of the first and second amplifying transistors 22 and 23.
25 is a first transistor whose base and emitter are commonly connected to the constant current transistor 24; 26 is a diode-connected transistor 27; and a transistor whose base and emitter are commonly connected to the transistor 27. 28 and the diode-connected transistor 2
and a resistor 29 that determines the collector current of 7.
A current source 30 that supplies the collector current of the first transistor 25 is composed of a diode-connected second transistor 31 and a third transistor 32 whose base and emitter are commonly connected to the second transistor 31; A first current inversion circuit 33 inverts the difference current between the collector current of the transistor 25 and the output current of the current source 26; 33 is a diode-connected fourth transistor 34; the base and emitter are commonly connected to the fourth transistor 34; a second current inverting circuit configured to supply a base current of the constant current transistor 24 and the first transistor 25;
36 consists of the fourth transistor 34 and a sixth transistor 37 whose base and emitter are commonly connected to the fourth transistor 34, and a third current inversion circuit which supplies the base current of the first amplification transistor 22 ; the fourth transistor 34
and a seventh transistor 39 whose base and emitter are commonly connected to the fourth transistor 34, and is a fourth current inversion circuit that supplies the base current of the second amplifying transistor 23. The differential amplifier 21 differentially amplifies input signals applied to input terminals 40 and 41 connected to the bases of the first and second amplification transistors 22 and 23, respectively, and the collector of the second amplification transistor 23. The amplified output signal is obtained at the output terminal 42 connected to the differential amplifier 2 .
1 must be supplied with an appropriate bias current in order to operate properly. Thus, by adjusting the value of the resistor 29, the current source 26
If the output current of is [βI B +2I B ] (where β is the current amplification factor of the NPN transistor) and the inversion ratio of the first and second current inversion circuits 30 and 33 is 1, then
Due to the effect of the negative feedback path from the collector of the first transistor 25 to the base of the first transistor 25 via the first and second current inverting circuits 30 and 33 , the collector current of the first transistor 25 is βI B , the collector currents of the second and third transistors 31 and 32 are 2I B , the collector currents of the fourth and fifth transistors 34 and 35 are also 2I B ,
The circuit becomes stable. In that case, the base current of the first transistor 25 is I B and the constant current transistor 24
The base current of the constant current transistor 24 also becomes IB , and the collector current of the constant current transistor 24 becomes βIB . On the other hand, if the inversion ratio of the third and fourth current inversion circuits 36 and 38 is 1/4, when the collector current of the fourth transistor 34 is 2IB , the collector current of the sixth and seventh transistors 37 and 39, In other words, the output currents of the third and fourth current inversion circuits 36 and 38 are 1/2I B , respectively, and the output currents 1/2I B are supplied to the bases of the first and second amplification transistors 22 and 23 as bias currents. be done. Therefore, the collector currents of the first and second amplifying transistors 22 and 23 are respectively 1/2βI B , which is a value commensurate with the collector current βI B of the constant current transistor 24, so that the differential amplifier 21 is Bias is achieved. Fourth transistor 34 and sixth transistor 37
and the fourth transistor 34
The inversion ratio between the transistor 39 and the seventh transistor 39 is set using, for example, a circuit as shown in FIG. In FIG. 3, the fourth to seventh transistors 43 to 46 correspond to the fourth to seventh transistors 34 to 39 in FIG.
The sixth and seventh transistors 45 and 46 shown in the figure each have a multi-collector structure having four collectors. Thus, the first collector of the sixth transistor 45 is connected to the terminal 47 connected to the base of the first amplifying transistor 22 in FIG.
The second to fourth collectors are commonly grounded. In addition, the seventh transistor 46
The first collector is connected to a terminal 48 connected to the base of the second amplification transistor 23 in FIG. 2, and the second to fourth collectors are commonly grounded. Therefore, if the collector current of the fourth transistor 43 is 2I B , a collector current of 1/2 I B flows through the first collectors of the sixth and seventh transistors 45 and 46, and this collector current flows through the first and second amplification transistors. 22 and 23 as base bias currents. Further, the base bias current can be supplied to the first and second amplifying transistors 22 and 23 using the circuit shown in FIG. 4. In FIG. 4, only an eighth transistor 49 having a multi-collector structure having four collectors is used in place of the sixth and seventh transistors 45 and 46 of FIG. In that case, the third current inversion circuit 3
6 is constructed using the fourth transistor 43 and the first collector of the eighth transistor 49, and the fourth
The current inversion circuit 38 is configured using the fourth transistor 43 and the second collector of the eighth transistor 49. Thus, the first collector of the eighth transistor 49 is connected to the terminal 50 connected to the base of the first amplifying transistor 22 in FIG.
, the second collector is connected to the second amplification transistor 23.
The third and fourth collectors are commonly grounded. Therefore, if the collector current of the fourth transistor 43 is 2I B , then the first
A current of 1/2I B is obtained in the and second collectors, respectively, and the current flows through the first and second amplification transistors 22.
and 23, stable biasing of the differential amplifier 21 is achieved. In FIG. 2, the input current is supplied using the current source 26, but if a constant voltage power source is used, a resistor may be used instead of the current source 26. Further, the inversion ratios of the first to fourth current inversion circuits 30 to 38 are not limited to those in the embodiment, and a current of 2I B is applied to the collector of the fifth transistor 35, and a current of 2I B is applied to the collector of the fifth transistor 35, and
It can take any value that provides a current of 1/2I B in the collectors of 7 and 39, respectively. (e) Effects of the invention As described above, according to the invention, it is possible to provide a bias circuit that can stably bias a differential amplifier. In particular, since the base-emitter paths of the transistors are not connected in cascade in the bias circuit, there is a great advantage in that it can be operated at a low voltage (V BE +V CE (sat)). In addition, since the bias circuit is configured as a negative feedback type, even if the collector current of the constant current transistor changes due to temperature fluctuations, it can be compensated for, so there is an advantage that a stable bias circuit can be obtained. Furthermore, as shown in FIGS. 3 and 4,
If the sixth and seventh transistors have a multi-collector structure, there is an advantage that the chip area when integrated into an IC can be reduced.
第1図は、従来の差動増幅器のバイアス回路を
示す回路図、第2図は本考案の一実施例を示す回
路図、第3図はその一部の別の実施例を示す回路
図、及び第4図は第3図の更に別の実施例を示す
回路図である。
主な図番の説明、21……差動増幅器、24…
…定電流トランジスタ、25……第1トランジス
タ、30,33,36,38……電流反転回路。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a bias circuit of a conventional differential amplifier, FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of a part thereof. and FIG. 4 is a circuit diagram showing still another embodiment of FIG. 3. Explanation of main figure numbers, 21 ...Differential amplifier, 24...
... constant current transistor, 25 ... first transistor, 30 , 33 , 36 , 38 ... current inversion circuit.
Claims (1)
トランジスタと、該第1及び第2増幅用トランジ
スタの共通エミツタに接続された定電流トランジ
スタとを備える差動増幅器にバイアス電流を供給
する為のバイアス回路であつて、前記定電流用ト
ランジスタとベース及びエミツタが共通接続され
たトランジスタと、該トランジスタのコレクタ電
流を供給する電流源と、前記トランジスタのコレ
クタ電流と前記電流源の出力電流との差電流を反
転する第1電流反転回路と、該第1電流反転回路
の出力電流を反転し、前記定電流トランジスタの
ベース電流を発生する第2電流反転回路と、前記
第1電流反転回路の出力電流を反転し、前記第1
増幅用トランジスタのベース電流を発生する第3
電流反転回路と、前記第1電流反転回路の出力電
流を反転し、前記第2増幅用トランジスタのベー
ス電流を発生する第4電流反転回路とから成り、
前記第1乃至第4電流反転回路を、ダイオード接
続された入力トランジスタとベース及びエミツタ
が入力トランジスタのベース及びエミツタと共通
接続された出力トランジスタとによつて構成する
とともに、前記第1乃至第4電流反転回路の反転
比を所定値に設定することにより、前記第1及び
第2増幅用トランジスタのベース電流を前記定電
流トランジスタのベース電流の1/2にしたことを
特徴とする差動増幅器のバイアス回路。 Bias for supplying bias current to a differential amplifier comprising first and second amplification transistors whose emitters are commonly connected, and a constant current transistor whose emitters are connected to the common emitters of the first and second amplification transistors. The circuit includes a transistor whose base and emitter are commonly connected to the constant current transistor, a current source that supplies a collector current of the transistor, and a difference current between the collector current of the transistor and the output current of the current source. a first current inverting circuit that inverts the output current of the first current inverting circuit; a second current inverting circuit that inverts the output current of the first current inverting circuit to generate a base current of the constant current transistor; Flip and the first
The third transistor generates the base current of the amplification transistor.
consisting of a current inversion circuit and a fourth current inversion circuit that inverts the output current of the first current inversion circuit and generates a base current of the second amplification transistor,
The first to fourth current inverting circuits are configured by a diode-connected input transistor and an output transistor whose base and emitter are commonly connected to the base and emitter of the input transistor, and A bias for a differential amplifier, characterized in that the base currents of the first and second amplifying transistors are set to 1/2 of the base current of the constant current transistor by setting the inversion ratio of the inversion circuit to a predetermined value. circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17404783U JPS6082821U (en) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | Differential amplifier bias circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17404783U JPS6082821U (en) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | Differential amplifier bias circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6082821U JPS6082821U (en) | 1985-06-08 |
| JPH0115224Y2 true JPH0115224Y2 (en) | 1989-05-08 |
Family
ID=30379004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17404783U Granted JPS6082821U (en) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | Differential amplifier bias circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6082821U (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214336A (en) * | 1975-07-25 | 1977-02-03 | Hitachi Denshi Ltd | High input impedance differential amplifier circuit |
-
1983
- 1983-11-09 JP JP17404783U patent/JPS6082821U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6082821U (en) | 1985-06-08 |
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