JPH02135809A - Driver circuit - Google Patents
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- JPH02135809A JPH02135809A JP63290440A JP29044088A JPH02135809A JP H02135809 A JPH02135809 A JP H02135809A JP 63290440 A JP63290440 A JP 63290440A JP 29044088 A JP29044088 A JP 29044088A JP H02135809 A JPH02135809 A JP H02135809A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はダーリントン接続きれたトランジスタからなる
ドライバー回路に関し、更に詳しく言えば過電流に対す
る保護機能を有するドライバー回路に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a driver circuit consisting of Darlington-connected transistors, and more specifically to a driver circuit having a protection function against overcurrent.
（ロ）従来の技術
ダーリントン接続のトランジスタからなるドライバー回
路の出力段トランジスタには、ドライバー本来の機能と
して、ある程度の量の電流が流れることが予定されてい
る。従って所定の電流が流れる限り、トランジスタが劣
化、又は破壊されないように設計されている。(B) Conventional Technology A certain amount of current is expected to flow through the output stage transistor of a driver circuit consisting of Darlington-connected transistors as a function of the driver's original function. Therefore, the transistor is designed so that it will not deteriorate or be destroyed as long as a predetermined current flows.
しかし、実際には取扱いを誤って、出力が短絡されて短
絡電流が流れたり、あるいは外部から出力に大を流が流
れ込み、出力トランジスタが破壊されることがある。通
常のドライバー回路においては、出力トランジスタのパ
ターン面積を大きくすることにより（オーバーデザイン
）、かかる大電流が流れても十分に対処しうるようにし
ている。しかし、オーバーデザインにより対処する方法
によれば、半導体装置の集積化、小型化が困難になる。However, in reality, if handled incorrectly, the output may be short-circuited and a short-circuit current flows, or a large current may flow from the outside into the output, destroying the output transistor. In a normal driver circuit, the pattern area of the output transistor is increased (overdesigned) so that it can sufficiently handle even such a large current flowing. However, the method of over-designing makes it difficult to integrate and miniaturize semiconductor devices.
その為第２図に示す如く、オーバーデザインを不要とし
た過電流制限回路付のドライバー回路も提案きれている
。第２図において、（１）は出力段トランジスタ、（２
）はドライブ段トランジスタであり、ダーリントン接続
されている。（３）と（４）はこれらトランジスタのバ
イアス抵抗、（８）は入力抵抗である。そして、この回
路の過電流制限回路は、抵抗（５） 、 （６）及びト
ランジスタ（７）により構成されている。なお、（９）
はドライバー回路の入力端子（Ｖ＋ｓ）、（１０） ハ
その出力端子（Ｖ、）、（１１〉は接地端子（ＧＮＤ）
である。Therefore, as shown in FIG. 2, a driver circuit with an overcurrent limiting circuit that does not require over-design has been proposed. In Figure 2, (1) is an output stage transistor, (2
) is the drive stage transistor and is Darlington connected. (3) and (4) are the bias resistances of these transistors, and (8) is the input resistance. The overcurrent limiting circuit of this circuit is composed of resistors (5), (6) and a transistor (7). Furthermore, (9)
is the driver circuit's input terminal (V+s), (10) is its output terminal (V, ), (11> is the ground terminal (GND)
It is.
次にこのドライバー回路の動作について概略説明する。Next, the operation of this driver circuit will be briefly explained.
いま入力端子（９）に所定の電圧（ＶＩＮ）が入力する
と、抵抗（３） 、 （４） 、 （６） 、 （８）
等によりトランジスタ（１） 、 （２）の各ベースが
所定の電圧にバイアスされる。これによりトランジスタ
（１） 、 （２）がオンするので、出力端子（１０）
に所定の電圧を発生することができる。Now, when a predetermined voltage (VIN) is input to the input terminal (9), the resistors (3), (4), (6), (8)
etc., the bases of transistors (1) and (2) are biased to a predetermined voltage. This turns on transistors (1) and (2), so the output terminal (10)
A predetermined voltage can be generated.
次いでこのドライバー回路に過′Ｗ！、流が流れたとき
の保護機能について説明する。出力段トランジスタ（１
）に電流が流れると、抵抗（６）の両端に電圧降下が生
じるが、過電流が流れるとその電圧降下が大きくなって
抵抗（５）を介してトランジスタ（７）をオンさせるよ
うになる。これにより、トランジスタ（２）のベース電
位を下げることができるので、出力段トランジスタ（１
）に流れる過電流を抑えることが可能となる。なお、抵
抗（６）の抵抗値は、定常動作電流ではトランジスタ（
７）をオンさせないが、所定の電流量を越えたとき（過
’Ｋｍ）にはオンするように設定されている。Next, excessive W is applied to this driver circuit! , explain the protective function when the current flows. Output stage transistor (1
), a voltage drop occurs across the resistor (6), but when an overcurrent flows, the voltage drop increases and turns on the transistor (7) via the resistor (5). As a result, the base potential of the transistor (2) can be lowered, so the output stage transistor (1) can be lowered.
) This makes it possible to suppress overcurrent flowing through the circuit. Note that the resistance value of the resistor (6) is the same as that of the transistor (
7) is not turned on, but it is set to be turned on when a predetermined amount of current is exceeded (over 'Km).
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかし、この従来の過電流保護回路付ドライバー回路に
よれば、通常動作状態でも抵抗（６）に電圧降下が生じ
て出力段トランジスタ（１）のエミッタ電位が上昇する
ため、出力段トランジスタ（１）のドライブ電流が抑え
られ、電力損失を招くという問題がある。(c) Problems to be Solved by the Invention However, according to this conventional driver circuit with an overcurrent protection circuit, a voltage drop occurs across the resistor (6) even in normal operating conditions, and the emitter potential of the output stage transistor (1) decreases. As a result, the drive current of the output stage transistor (1) is suppressed, causing a problem of power loss.
また、入力端子（９）には、電源投入時に、高い１「圧
ピークを有するラッシュ電圧が入力することがある。そ
の場合にも、出力段トランジスタ（１）に大電流が流れ
、該出力段トランジスタ（１）の劣化又は破壊を招くこ
とがある。In addition, when the power is turned on, a rush voltage having a high voltage peak may be input to the input terminal (9). In that case, a large current flows through the output stage transistor (1), causing the This may lead to deterioration or destruction of the transistor (1).
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、低電圧入力で十分なドライブ電流が得られ、かつ
過電流による劣化又は破壊を防止することを可能とする
ドライバー回路の提供を目的とする。The present invention was created in view of such conventional problems, and aims to provide a driver circuit that can obtain sufficient drive current with low voltage input and can prevent deterioration or destruction due to overcurrent. purpose.
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の第１のドライバー回路は、初段トランジスタと
、出力段トランジスタとをダーリントン接続して成るド
ライバー回路において、前記出力段トランジスタとベー
ス及びエミッタが共通接続され、前記出力段トランジス
タのベース・エミッタ接合領域の面積よりも小なるベー
ス・エミｙり接合領域を有する検出トランジスタと、該
検出トランジスタに流れる出力電流に応じて、前記初段
トランジスタのベース入力を制御する制御回路とを備え
ることを特徴とする。(d) Means for Solving the Problems A first driver circuit of the present invention is a driver circuit formed by connecting an initial stage transistor and an output stage transistor in a Darlington connection, in which the base and emitter of the output stage transistor are commonly connected. , a detection transistor having a base-emitter junction region smaller than the area of the base-emitter junction region of the output stage transistor, and controlling the base input of the first-stage transistor according to an output current flowing through the detection transistor. It is characterized by comprising a control circuit.
また本発明の第２のドライバー回路は、初段トランジス
タと、出力段トランジスタとをダーリントン接続して成
るドライバー回路において、エミッタが抵抗を介して初
段トランジスタのベースに接続され、ベースが初段トラ
ンジスタのエミ・７りに接続された保護トランジスタを
設け、該保護トランジスタのベース・エミッタ接合領域
の面積を前記初段トランジスタのそれよりも大きくした
ことを特徴とする。A second driver circuit of the present invention is a driver circuit formed by connecting a first-stage transistor and an output-stage transistor in a Darlington connection, in which the emitter is connected to the base of the first-stage transistor via a resistor, and the base is connected to the emitter of the first-stage transistor. The present invention is characterized in that a protection transistor connected to the first stage is provided, and the area of the base-emitter junction region of the protection transistor is larger than that of the first stage transistor.
（ホ）作用
本発明の第１のドライバー回路によれば、出力段トラン
ジスタとベースを共通にする検出トランジスタが設けら
れている。ところで検出トランジスタのベース・エミッ
タ接合領域の面積は、出力段トランジスタのベース・エ
ミッタ接合領域の面積に比べて小さく形成されているの
で、検出トランジスタのベース・エミッタ接合の順方向
重圧は出力段トランジスタのベース・エミッタ接合の順
方向電圧よりも高くなっている。このため通常動作時に
おいては、出力段及び検出トランジスタの共通ベースに
電圧が印加されたとき、出力段トランジスタが先にオン
して所定のドライブ電流が流れる。(E) Function According to the first driver circuit of the present invention, a detection transistor having a common base with the output stage transistor is provided. By the way, the area of the base-emitter junction region of the detection transistor is formed smaller than the area of the base-emitter junction region of the output stage transistor, so the forward pressure on the base-emitter junction of the detection transistor is smaller than that of the output stage transistor. It is higher than the forward voltage of the base-emitter junction. Therefore, during normal operation, when a voltage is applied to the common base of the output stage transistor and the detection transistor, the output stage transistor is turned on first and a predetermined drive current flows.
いま出力負荷短絡やその他の原因により出力段トランジ
スタに過大な出力電流が流れたとする。Now suppose that an excessive output current flows through the output stage transistor due to an output load short circuit or other causes.
このとき出力段トランジスタのベース電位は通常動作状
態のベース電位よりも上昇するが、この電位が検出トラ
ンジスタのベース・エミッタ接合の順方向重圧を越える
と、検出トランジスタもオンする。そして検出トランジ
スタに所定値以上の電流が流れると、制御回路は入力段
トランジスタのベース電位を下げ、出力段トランジスタ
に過大電流が流れるのを抑制すべく機能する。At this time, the base potential of the output stage transistor rises above the base potential in the normal operating state, but when this potential exceeds the forward pressure of the base-emitter junction of the detection transistor, the detection transistor is also turned on. When a current exceeding a predetermined value flows through the detection transistor, the control circuit lowers the base potential of the input stage transistor and functions to suppress excessive current from flowing through the output stage transistor.
本発明の第２のドライバー回路によれば、エミッタが初
段トランジスタのベースに接続され、ベースが該初段ト
ランジスタのエミッタに接続された保護トランジスタが
設けられている。この保護トランジスタは入力段トラン
ジスタとは相補関係を有している。そして、保護トラン
ジスタのベース・エミッタ接合領域の面積は入力段トラ
ンジスタのベース・エミッタ接合領域の面積よりも小さ
く形成しているので、保護トランジスタのベース・エミ
ッタ接合の順方向電圧は入力段トランジスタのベース・
エミッタ接合の順方向電圧よりも高い。このため通常動
作時においては、入力段トランジスタのベースに入力電
圧が印加きれたとき、同じ入力電圧が保護トランジスタ
のエミッタにも印加されるが、順方向電圧の差により入
力段トランジスタが先にオンして所定の動作が行なわれ
る。According to the second driver circuit of the present invention, a protection transistor is provided, the emitter of which is connected to the base of the first stage transistor, and the base of which is connected to the emitter of the first stage transistor. This protection transistor has a complementary relationship with the input stage transistor. Since the area of the base-emitter junction region of the protection transistor is smaller than the area of the base-emitter junction region of the input stage transistor, the forward voltage of the base-emitter junction of the protection transistor is・
Higher than the forward voltage of the emitter junction. Therefore, during normal operation, when the input voltage is applied to the base of the input stage transistor, the same input voltage is also applied to the emitter of the protection transistor, but due to the difference in forward voltage, the input stage transistor is turned on first. Then, a predetermined operation is performed.
次に、入力段トランジスタのベースに通常の入力電圧よ
りも高いピーク値を有するラッシュ電圧が入力したとす
る。このラッシュ電圧により順方向重圧の低い入力段ト
ランジスタが先ずオンし、次いで保護トランジスタが遅
れてオンする。これにより保護トランジスタに電流が流
れると、入力段トランジスタのベース電位が下げられる
から、入力段トランジスタのオン状態が浅くなる。この
ため出力段トランジスタに過大電流が流れるのを抑える
ことができる。Next, assume that a rush voltage having a peak value higher than a normal input voltage is input to the base of the input stage transistor. Due to this rush voltage, the input stage transistor with low forward pressure is turned on first, and then the protection transistor is turned on with a delay. As a result, when a current flows through the protection transistor, the base potential of the input stage transistor is lowered, so that the ON state of the input stage transistor becomes shallower. Therefore, it is possible to suppress excessive current from flowing into the output stage transistor.
（へ）実施例
次に第１図を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第１図は本発明の実施例に係る過電流保護回路付
ドライバー回路の構成図である。(F) Embodiment Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a configuration diagram of a driver circuit with an overcurrent protection circuit according to an embodiment of the present invention.
なお、本′実施例回路には、出力短絡や外部から出力を
介して出力段トランジスタに大電流が流れるのを防止す
る過電流防止回路と入力側からラッシュ電圧が入力した
ときに出力段トランジスタに大電流が流れるのを防止す
る過電流防止回路の双方を設けている。Note that this example circuit includes an overcurrent prevention circuit that prevents output short circuits and large current from flowing from the outside to the output stage transistor via the output, and an overcurrent prevention circuit that prevents the output stage transistor from flowing when rush voltage is input from the input side. Both are equipped with an overcurrent prevention circuit that prevents large currents from flowing.
まず回路構成について説明すると、（１２〉は出力段の
ＮＰＮ トランジスタ、（１３）は入力段のＮＰＮトラ
ンジスタであり、ダーリントン接続されている。（１４
）と（１５）はこれらトランジスタ（１２） 、 （１
３）のベース動作電圧を設定するバイアス抵抗である。First, to explain the circuit configuration, (12> is an NPN transistor in the output stage, and (13) is an NPN transistor in the input stage, which are Darlington connected. (14)
) and (15) are these transistors (12), (1
3) is a bias resistor that sets the base operating voltage.
また（１６）は入力抵抗である。Further, (16) is an input resistance.
出力負荷短絡等によって出力段のＮＰＮ ｌ−ランジス
タ（１２）に過電流が流れるのを防止する過１Ｍ、流防
止回路は、過を流検出用のＮＰＮトランジスタ（１７）
、過電流検出伝達用のＰＮＰ Ｉ−ランジスタ（１８〉
、プルアップ抵抗（１９）及び制御用のＮＰＮ）−ラン
ジスタ（２０）、バイアス抵抗（２１）、ノイズ制限抵
抗（２２）によって構成されている。ここでＮＰＮトラ
ンジスタ（１７）はベースを出力段のＮＰＮ トランジ
スタ＜１２）のベースと共通接続されており、またＮＰ
Ｎ）ランジスタ（１７）のベース・エミッタ接合領域の
面積は出力段のＮＰＮトランジスタ〈１２）のそれより
も／Ｊ＼さく形成されている。例えば、面積比を１：３
５程度にする。これによりＮＰＮ トランジスタ（１７
）のベース・エミッタ間の順方向電圧はＮＰＮトランジ
スタ（１２）のそれよりも高い。また、プルアップ抵抗
（１９）とＰＮＰトランジスタ（１８）、プルダウン抵
抗（２１）、ＮＰＮ トランジスタ（２０）及びノイズ
制限抵抗（２２）は負帰還回路を構成し、ＮＰＮトラン
ジスタ（１７）にある程度以上の電流が流れるとき初段
のＮＰＮ トランジスタ（１３）のベース電位を下げて
出力段のＮＰＮ トランジスタ（１２）に過電流が流れ
るのを防止する。The overcurrent prevention circuit prevents overcurrent from flowing into the NPN l-transistor (12) in the output stage due to an output load short circuit, etc. The overcurrent prevention circuit uses an NPN transistor (17) for overcurrent detection.
, PNP I-transistor (18) for overcurrent detection transmission
, a pull-up resistor (19), a control NPN transistor (20), a bias resistor (21), and a noise limiting resistor (22). Here, the base of the NPN transistor (17) is commonly connected to the base of the NPN transistor (<12) in the output stage, and
N) The area of the base-emitter junction region of the transistor (17) is formed to be /J\ smaller than that of the NPN transistor (12) in the output stage. For example, the area ratio is 1:3
Make it about 5. This results in an NPN transistor (17
) has a base-emitter forward voltage higher than that of the NPN transistor (12). In addition, the pull-up resistor (19), PNP transistor (18), pull-down resistor (21), NPN transistor (20), and noise limiting resistor (22) constitute a negative feedback circuit, and the NPN transistor (17) When current flows, the base potential of the first stage NPN transistor (13) is lowered to prevent overcurrent from flowing to the output stage NPN transistor (12).
入力側にラッシュ電圧が入力したときに出力段のＮＰＮ
トランジスタ（１２）に過電流力はれるのを防止する
過電流助士回路は、エミッタが抵抗（２４）ヲ介してＮ
ＰＮトランジスタ（１３）のベースに接続きれ、ベース
がＮＰＮトランジスタ（１３）のエミッタに接続され、
コレクタが接地されているＰＮＰトランジスタ（２３）
によって構成されている。そしてＰＮＰ トランジスタ
（２３）のベース争エミッタ接合領域の面積はＮＰＮト
ランジスタ（１３）のそれよりも小さく形成されている
。例えば面積比を１：９程度にする。これによりＰＮＰ
トランジスタ（２３）のベース・エミッタ接合の順方
向電圧はＮＰＮトランジスタ（１３）のそれよりも高く
なる。なお、（２５）は入力端子、（２６）は出力端子
、（２７）はＶ。Ｃ電源端子（２８）は接地端子である
。When rush voltage is input to the input side, the output stage NPN
The overcurrent support circuit that prevents overcurrent from flowing into the transistor (12) has an emitter connected to N through the resistor (24).
It is connected to the base of the PN transistor (13), and the base is connected to the emitter of the NPN transistor (13).
PNP transistor (23) whose collector is grounded
It is made up of. The area of the base-emitter junction region of the PNP transistor (23) is smaller than that of the NPN transistor (13). For example, the area ratio is set to about 1:9. This allows PNP
The forward voltage of the base-emitter junction of the transistor (23) will be higher than that of the NPN transistor (13). Note that (25) is an input terminal, (26) is an output terminal, and (27) is V. The C power terminal (28) is a ground terminal.
次に本発明の動作について説明する。まず、通常動作状
態においては、入力端子（２５）を介して所定の入力電
圧■、Ｎが印加される。これによりバイアス抵抗（１４
） 、 （１５）を介して所定のベース電圧がダーリン
トン接続のＮＰＮ トランジスタ（１２） 、 （１３
）の各ベースに印加されるので、出力端子（２６）に所
定の出力Ｍ、流を得ることができる。このとき過電流検
出用のＮＰＮ トランジスタ（１７）のベースにも出力
段のＮＰＮトランジスタ〈１２）と同一のベース電圧が
入力されるが、ベース・エミッタ間の順方向電圧が高い
ので該ＮＰＮトランジスタ（１７）はオンしないか、少
なくともオンの程度は極めて浅い。このため抵抗（１９
）による電圧降下は過電流検出伝達用のＰＮＰ トラン
ジスタ（１８）をオンさせるまでには至らない。同様に
、ラッシュ電圧検出用のＰＮＰトランジスタ（２３）の
ベースにも入力段のＮＰＮ トランジスタ（１３）と同
一の電圧が印加されるが、この場合もベース・エミッタ
間の順方向電圧が高いのでＰＮＰトランジスタ（２３）
はオンしないか、オンしても抵抗（２４）によりオンの
程度は極めて浅く抑えられている。従って通常動作に影
響はない。Next, the operation of the present invention will be explained. First, in the normal operating state, predetermined input voltages (2) and (N) are applied via the input terminal (25). This results in a bias resistor (14
), (15), a predetermined base voltage is connected to Darlington-connected NPN transistors (12), (13).
), a predetermined output M and current can be obtained at the output terminal (26). At this time, the same base voltage as that of the output stage NPN transistor (12) is input to the base of the NPN transistor (17) for overcurrent detection, but since the forward voltage between the base and emitter is high, the NPN transistor (17) is 17) is not turned on, or at least the degree of turning on is extremely shallow. Therefore, the resistance (19
) does not reach the point where the PNP transistor (18) for overcurrent detection transmission is turned on. Similarly, the same voltage as that of the input stage NPN transistor (13) is applied to the base of the PNP transistor (23) for rush voltage detection, but in this case as well, since the forward voltage between the base and emitter is high, the PNP Transistor (23)
is not turned on, or even if it is turned on, the extent to which it is turned on is suppressed to a very shallow degree by the resistor (24). Therefore, normal operation is not affected.
次に負荷短絡等により出力に過電流が流入した場合につ
いて考える。このときには過電流量に対応して出力段の
ＮＰＮ トランジスタ（１２）のベース電位も上昇する
ことになるので、過電流検出用のＮＰＮトランジスタ（
１７）がオンする。このため抵抗（１９）の電圧降下が
大きくなってＰＮＰトランジスタ（１８）がオンし、従
って制御用のＮＰＮトランジスタ（２０）もオンする。Next, consider the case where an overcurrent flows into the output due to a load short circuit, etc. At this time, the base potential of the NPN transistor (12) in the output stage also increases in accordance with the amount of overcurrent, so the NPN transistor (12) for overcurrent detection
17) is turned on. Therefore, the voltage drop across the resistor (19) becomes large, turning on the PNP transistor (18), and therefore turning on the control NPN transistor (20) as well.
これにより初段のＮＰＮトランジスタ（１３）のベース
を低下させることができるので、出力段のＮＰＮトラン
ジスタ（１２）に流れる過電流を抑えることができる。This makes it possible to lower the base of the first-stage NPN transistor (13), thereby suppressing overcurrent flowing through the output-stage NPN transistor (12).
なお、過電流量が大きいほど制御量も大きくなるので、
過電流量の抑制の効果は大きい。Note that the larger the overcurrent amount, the larger the control amount, so
The effect of suppressing the amount of overcurrent is large.
次いでラッシュ電圧が入力に印加した場合について考え
る。このときには初段のＮＰＮ）−ランジスタ（１３）
のベース電位が上昇するので、ＰＮＰ トランジスタ（
２３）がオンし、初段のＮＰＮ トランジスタ（１３）
のベース電位を下げることができる。このときもラッシ
ュ電圧が大きいとそれに応じてＮＰＮトランジスタ（２
３）が深くオンして電流を流すので、ベース電位低下の
効果は大きい。Next, consider the case where rush voltage is applied to the input. In this case, the first stage NPN) - transistor (13)
Since the base potential of the PNP transistor (
23) turns on, and the first stage NPN transistor (13)
The base potential of can be lowered. Also at this time, if the rush voltage is large, the NPN transistor (2
3) turns on deeply and allows current to flow, so the effect of lowering the base potential is significant.
（ト）発明の詳細
な説明したように、本発明の第１のドライバー回路によ
れば、ドライバー回路の本来のドライバー機能を損なう
ことなく、負荷短絡等による過電流を効果的に抑制する
ことが可能となる。これにより、素子の劣化や破壊を防
止することができる。(G) As described in detail of the invention, according to the first driver circuit of the present invention, it is possible to effectively suppress overcurrent due to load short circuits, etc., without impairing the original driver function of the driver circuit. It becomes possible. Thereby, deterioration and destruction of the element can be prevented.
また本発明の第２のドライバー回路によれば、ドライバ
ー回路の本来のドライバー機能を損なうことなく入力か
らのラッシュ電圧による過Ｍ、流を効果的に抑制するこ
とが可能となり、素子の劣化や破壊を防止することがで
きる。Further, according to the second driver circuit of the present invention, it is possible to effectively suppress excessive M and current due to rush voltage from the input without impairing the original driver function of the driver circuit, resulting in deterioration and destruction of the element. can be prevented.
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を示す回路図、及び第２図
は従来のドライバー回路を示す回路図である。
（１２）・・・出力段トランジスタ、 （１３）・・・
入力段トランジスタ、 （１７）・・・過電流検出トラ
ンジスタ、り２０）・・・制御用トランジスタ、 （２
３）・・・ＰＮＰ トランジスタ。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional driver circuit. (12)...Output stage transistor, (13)...
Input stage transistor, (17)... Overcurrent detection transistor, 20)... Control transistor, (2
3)...PNP transistor.
Claims (2)
リントン接続して成るドライバー回路において、 前記出力段トランジスタとベース及びエミッタが共通接
続され、前記出力段トランジスタのベース・エミッタ接
合領域の面積よりも小なるベース・エミッタ接合領域を
有する検出トランジスタと、 該検出トランジスタに流れる電流に応じて、前記初段ト
ランジスタのベースを制御する制御回路とを備えること
を特徴とするドライバー回路。(1) In a driver circuit consisting of a first-stage transistor and an output-stage transistor connected in Darlington, the base and emitter of the output-stage transistor are commonly connected, and the base is smaller in area than the base-emitter junction region of the output-stage transistor. - A driver circuit comprising: a detection transistor having an emitter junction region; and a control circuit that controls the base of the first-stage transistor in accordance with the current flowing through the detection transistor.
リントン接続して成るドライバー回路において、 エミッタが抵抗を介して前記初段トランジスタのベース
に接続され、ベースが前記初段トランジスタのエミッタ
に接続された保護トランジスタを設け、該保護トランジ
スタのベース・エミッタ接合領域の面積を前記初段トラ
ンジスタのそれよりも小としたことを特徴とするドライ
バー回路。(2) In a driver circuit consisting of a Darlington connection between a first-stage transistor and an output-stage transistor, a protection transistor is provided whose emitter is connected to the base of the first-stage transistor via a resistor and whose base is connected to the emitter of the first-stage transistor. . A driver circuit characterized in that the area of the base-emitter junction region of the protection transistor is smaller than that of the first-stage transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290440A JPH0817293B2 (en) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | Driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290440A JPH0817293B2 (en) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | Driver circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135809A true JPH02135809A (en) | 1990-05-24 |
| JPH0817293B2 JPH0817293B2 (en) | 1996-02-21 |
Family
ID=17756060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290440A Expired - Lifetime JPH0817293B2 (en) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | Driver circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817293B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6816017B2 (en) | 2000-08-31 | 2004-11-09 | Renesas Technology Corp. | Power amplifier module |
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1988
- 1988-11-16 JP JP63290440A patent/JPH0817293B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US6816017B2 (en) | 2000-08-31 | 2004-11-09 | Renesas Technology Corp. | Power amplifier module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817293B2 (en) | 1996-02-21 |
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