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JPH02157828A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

Info

Publication number
JPH02157828A
JPH02157828A JP63314468A JP31446888A JPH02157828A JP H02157828 A JPH02157828 A JP H02157828A JP 63314468 A JP63314468 A JP 63314468A JP 31446888 A JP31446888 A JP 31446888A JP H02157828 A JPH02157828 A JP H02157828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
source bus
disconnection
bus
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63314468A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Ukai
育弘 鵜飼
Tomihisa Sunada
富久 砂田
Teizo Yugawa
湯川　禎三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hosiden Electronics Co Ltd
Original Assignee
Hosiden Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hosiden Electronics Co Ltd filed Critical Hosiden Electronics Co Ltd
Priority to JP63314468A priority Critical patent/JPH02157828A/ja
Priority to US07/446,849 priority patent/US5086347A/en
Priority to KR1019890018308A priority patent/KR940010414B1/ko
Priority to EP89122908A priority patent/EP0373586B1/en
Priority to DE68919058T priority patent/DE68919058T2/de
Priority to AT89122908T priority patent/ATE113394T1/de
Publication of JPH02157828A publication Critical patent/JPH02157828A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野Ｊ この発明は特に表示面積が広く、高精細な表示を可能と
するアクティブ表示の液晶表示素子に関する。
「従来の技術」 従来のこの種の液晶表示素子は例えば第７図に示すよう
にガラスのような透明基板１１及び１２が近接対向して
設けられ、その周縁部にはスペーサ１３が介在され、こ
れら透明基板１１．１２間に液晶１４が封入されている
。一方の透明基板１１の内面に表示電極１５が複数形成
され、これら各表示電極１５に接してそれぞれスイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ１６が形成され、その
薄膜トランジスタ１６のドレインは表示電極１５に接続
されている。これら複数の表示電極１５と対向して他方
の透明基板１２の内面に透明な共通電極１７が形成され
ている。
表示電極１５は例えば画素電挽であって第８図に示すよ
うに、透明基板１１上に正方形の表示電極１５が行及び
列に近接配列されており、表示電極１５の行及び列と近
接し、かつこれに沿ってそれぞれゲートバス１８が形成
され、また表示電極１５の各列配列と近接してそれに沿
ってソースバス１９がそれぞれ形成されている。これら
各ゲートバス１８及びソースバス１９の交差点において
１Ｍ）ランジスタ１６が設けられ、各薄膜トランジスタ
１６のゲートは両ハスの交差点位置においてゲートバス
１８に接続され、各ソースはソースバス１９にそれぞれ
接続され、更に各ドレインは表示電極１５に接続されて
いる。
これらゲートバス１８とソースバス１９との各−つを選
択してそれら間に電圧を印加し、その電圧が印加された
薄膜トランジスタ１６のみが導通し、その導通した薄膜
トランジスタ１６のドレインに接続された表示電極１５
に電荷を蓄積して表示電極１５と共通電極１７との間の
液晶１４の部分においてのみ電圧を印加し、これによっ
て表示電極１５の部分のみを光透明或は光遮断とするこ
とによって選択的な表示を行う。この表示電極１５にＭ
積した電荷を放電させることによって表示を消去させる
ことができる。
薄膜トランジスタ１６は従来においては例えば第９図及
び第１０図に示すように構成されていた。
即ち透明基板１１上に表示電極１５とソースバス１９と
がＩＴＯのような透明導電膜によって形成され、表示電
極１５及びソースハス１９の互に平行近接した部分間に
またがってアモルファスシリコンのような半導体Ｎ２２
が形成され、更にその上に窒化シリコンなどのゲート絶
縁膜２３が形成される。このゲート絶縁膜２３上におい
て半導体層２１を介して表示電極１５及びソースバス１
９とそれぞれ一部重なってゲート電極２４が形成される
。ゲート電極２４の一部はゲートバス１８に近接される
。このようにしてゲート電極２４とそれぞれ対向した表
示電極１５、ソースバス１９はそれぞれドレイン電極１
５ａ、ソース電極１９ａを構成し、これら電極１５ａ、
１９ａ、半導体層２２、ゲート絶縁膜２３、ゲート電極
２４によって薄膜トランジスタ１６が構成される。ゲー
ト電極２４及びゲートバス１８は同時に形成され、例え
ばアルミニウムによって構成される。またこの電極１５
ａ、１９ａ上にそれぞれオーミック接触層２５．２６が
例えばｎプラス層により形成されていた。
各表示電極１５は薄膜トランジスタ１６を通してソース
バス１９とゲートバス１８に接続され、薄膜トランジス
タ１６のオンとオフの状態によって表示状態と非表示状
態とに切替られる。
ソースバス１９及びゲートハス１８は製造中に不連続部
分が形成され、断線部分が生しることがある。
このようにソースバス１９又はゲートバス１８に断線部
分が形成されると、断線部分を挟んでその一方は駆動信
号が与えられない部分が生じ、表示不能となる。
よって従来はゲートバス１８及びソースバス１９の先端
側、つまり非端子側に救済用配線パターンを設けておき
、断線部分が形成されたパスラインに対して救済用配線
パターンを接続し、救済用配線パターンを通じて断線に
よって駆動信号が印加されない状態にあるパスラインに
駆動信号を印加できるように救済処置を施し、歩留の向
上を達している。
「発明が解決しようとする課題」 従来のソースバス１９及びゲートバス１８の救済処置は
ソースバス１９及びゲートバス１８の非端子側に救済用
配線パターンを形成し、この救済用配線パターン使って
ソースバス１９及びゲートバス１８の断線を救済してい
る。
このため透明基板１１上に救済用配線パターンを信組か
設けておかなければならないため、表示に関俯しない救
済用配線パターンのために透明基板１１の面積が大きく
なってしまう欠点がある。
［課題を解決するための手段」 この発明ではソースバス及びゲートバスを構成する。！
４導電に絶縁層を介して断線救済用導電層を対向して設
け、断線部分が生じた場合にこの断線部分に救済用導電
層を接続し、断線部分を救済できるように構成したもの
である。
従ってこの発明によれば透明基板の一部に救済用配線パ
ターンを設けておかなくともよいため、表示に関与しい
部分の面積を小さくすることができる。
「実施例」 第１図及び第２図を用いてこの発明の一実施例を説明す
る。
図中１１は透明基板、１５は表示電極、１８はゲートバ
ス、１９はソースバスを指す点は従来の説明と同じであ
る。
この発明においてはソースバス１９（又はゲートバス１
Ｂ）を構成する導電層に絶縁層を介して断線救済用導電
層を４１．４２を設けた構造を特徴とするものである。
ソースバス１９と対向して設ける断線救済用導電層４１
はこの例では第２図に示すようにソースバス１９を構成
する導電層に対し、絶縁１１２３を介して絶縁層２３の
上面に被着形成した場合を示す。
この断線救済用導電層４１は例えばゲートバス１８を構
成する工程でゲートバス１８と同時にアルミニウムによ
って形成することができる。
ソースバス用の断線救済用導電層４１は第１図に示すよ
うにゲートバス１８と交差する部分を除いてソースバス
１９上に飛々に形成される。
このように断線救済用導電層４１を設けることによって
、仮にソースバス１９が一部で断面した場合、この断線
部分を跨く位置において（第１回にＸ印で示す位置）断
線救済用導電層４１の上からレーザウエルグ（レーザビ
ームを利用した溶接機）によってレーザビームを照射す
ることにより第２ｌ８に示すように断線救済用導電層４
１とソースバス１９の間を溶融した金属４３によって電
気的に接続することができる。
第３図乃至第５図に変形実施例を示す。
第３図乃至第５図に示す実施例の共通している構造を予
め説明すると、透明基板１１の内面側に例えばクロムの
ような導電層４６を薄膜トランジスタ１６の形成位置に
対向して形成し、この導電７１４６によって薄膜トラン
ジスタ１６の部分に外光が直接当たらないようにし、薄
膜トランジスタ１６が外光によって誤動作することを阻
止する構造を付加した点と、 このため導電層４６を被う第１絶縁層４７を設け、この
第１絶縁層４７の上に表示電極１５と、ソースバス１９
を透明導電材料によって形成した点と、更にその上面に
第２絶！５２３を形成した点である。尚第２絶縁層２３
は例えば千ソ化シリコンによって形成し、薄膜トランジ
スタ１６のゲート絶縁膜として利用される。
各実施例の特徴とする点は第３図の実施例では透明導電
材料によって形成したソースバス１９の側辺に例えばク
ロムのような高融点導電層４９を被せ、この高融点導電
層４９と第２絶縁層２３の上面に形成した断線救済用導
電層４１とを必要に応じてレーザビームによって溶着し
、電気的に接続して断線を救済することができる構造と
した点である。
つまりここに示す断線救済用導電層４１はゲート電極２
４及びゲートバス１８と同じアルミニウムが用いられる
。これに対し、ソースバス１９を構成する透明導電材料
は酸素を含むため、アルミニウムと接触すると、アルミ
ニウムを酸素によって酸化してしまう、アルミニウムが
酸化されることによって酸化アルミに変質する。よって
断線救済用導電層４１とソースバス１９を直接電気的に
接続したとすると、その溶着部分が酸化され、絶縁体に
なるため、断線救済処置を施しても接続部分の抵抗値が
漸次大きくなるため（熱処理を加える毎に抵抗値が大き
くなる）断線救済が無駄になる。
このためにこの第３図の例ではソースバス１９の側師に
クロム、又はモリブデン、或はタンタル、モリブデンと
クンタルの合金等の高融点導電［４９を形成し、この高
融点導電層４９とアルミニウムから成り断線救済用導電
層４１とを必要に応じてレーザビームによって溶着でき
るように構成したものである。
第４図の例ではソースバス１９に接して形成した高融点
導電層４９が形成されるべき位置に対向して、予め透明
基板１１上に遮光用導電層４６と同一材料で断線救済用
導電層４１を形成し、必要に応じてこの断線救済用導電
層４１と高融点導電層４９をレーザビームによって？容
着できるように構成した場合を示す。
第５図の実施例ではソースバス１９を構成する透明導電
層と対向して透明基板１１と第２絶縁層４８の上面に断
線救済用導電Ｊｉ４１を形成した場合を示す。
第６図はゲートバス１８の断線救済構造を示す。
図中４２はゲートバス１８の断線救済用導電層を示す、
この例では透明基板ＩＬヒに予め遮光用導電層４６と同
一材料によってゲートバス用の断線救済用導電層４２を
形成した例を示す。
「発明の効果Ｊ 以上説明したようにこの発明によればソースバス１９及
びゲートバス１８の何れでも断線部分が形成されても、
各ソースバス１９及びゲートバス１８と対向して断線救
済用導電層４１．４２を設けているから、断線部分４４
を挟んでその両側で断線救済用導電層４１及び４２をレ
ーザウエルダ等によって電気的に接続することができる
。
よって透明基板ｌｌ上に特別に断線救済用の配線パター
ンを形成しなくてよいため、透明基板１１の面積を小さ
くすることができ、表示のための有効面積の割合を高め
ることができる。
またこの発明では断線救済用導電層４１及び４２はゲー
トバス１８と同一の材料か、又は遮光用導電層４６と同
一の材料で形成するようにしたから、断線救済用導電層
４１と４２はゲートバス１８又は遮光性導電１１４６を
形成する工程で一度に形成することができる。よって製
造工程数を増すことなぐ断線救済用導電層４１及び４２
を形成することができ、製造コストの上昇はない。
この結果歩留の向上によって製造コストを大きく下げる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図はこ
の発明の詳細な説明するための平面図、第３図乃至第６
図はこの発明の変形実施例を示す断面図、第７図は従来
の技術を説明するための断面図、第８図は液晶表示素子
の構造を説明するための平面配置図、第９図は液晶表示
素子構造を説明するための平面図、第１０図は従来の液
晶表示素子の構造を説明するための断面図である。 １１・・・透明基板、１５・・・表示電極、１６・・・
薄膜トランジスタ、１Ｂ・・・ゲートバス、１９・・・
ソースバス、４１・・・ソースバス用の断線救済用導電
層、４２・・・ゲートバス用の断線救済用導電層。 特許出願人　星電器製造株式会社

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明基板の一方の面側に互に平行する複数本の細
    条導電層によって構成されるソースバスが形成され、こ
    のソースバスの形成面上に絶縁層が被着形成され、この
    絶縁層上に上記ソースバスと直交する方向に複数の細条
    導電層が形成され、この細条導電層によってゲートバス
    が形成され、ソースバスとゲートバスの各交差点に薄膜
    トランジスタが形成され、薄膜トランジスタのオン、オ
    フによって上記ソースバスを構成する細条導電層の形成
    面に形成された表示電極部分が表示状態と非表示状態と
    に制御される液晶表示素子において、上記ソースバスを
    構成する各細条導電層に対向して絶縁層を介して断線救
    済用導電層を設けて成る液晶表示素子。
  2. （２）透明基板の一方の面に遮光用導電層が形成され、
    この遮光性導電層を被う絶縁膜上にソースバスと表示電
    極が形成され、ソースバスと表示電極を被う絶縁層上に
    おいて上記ソースバスと直交する方向にゲートバスが形
    成され、上記ソースバスと表示電極との間が上記遮光性
    導電層と対向し、ソースバスと表示電極との間に形成さ
    れる薄膜トランジスタが上記遮光用導電層によって被わ
    れ、薄膜トランジスタの部分に外光が照射されないよう
    に構成した液晶表示素子において、 上記遮光用導電層の形成面の上記ソースバスに対向する
    位置に上記遮光用導電層と同一導電材料の断線救済用導
    電層を設けて成る液晶表示素子。
  3. （３）ソースバスを構成する細条導電層が表示電極と同
    一の透明導電層によって形成された液晶表示素子におい
    て、ソースバスを構成する細条導電層に高融点導電層を
    被着形成し、この高融点導電層に絶縁層を介して断線救
    済用導電層を設けて成る液晶表示素子。
  4. （４）遮光用導電層と同一材料によって透明基板上のゲ
    ートバスと対向する位置にゲートバスの断線救済用導電
    層を設けて成る液晶表示素子。
JP63314468A 1988-12-12 1988-12-12 液晶表示素子 Pending JPH02157828A (ja)

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US07/446,849 US5086347A (en) 1988-12-12 1989-12-06 Liquid crystal display device having metallic bus repair layer
KR1019890018308A KR940010414B1 (ko) 1988-12-12 1989-12-11 액정표시소자
EP89122908A EP0373586B1 (en) 1988-12-12 1989-12-12 Liquid crystal display device
DE68919058T DE68919058T2 (de) 1988-12-12 1989-12-12 Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
AT89122908T ATE113394T1 (de) 1988-12-12 1989-12-12 Flüssigkristall-anzeigevorrichtung.

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EP (1) EP0373586B1 (ja)
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AT (1) ATE113394T1 (ja)
DE (1) DE68919058T2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04229831A (ja) * 1991-04-25 1992-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示パネル
JPH0566416A (ja) * 1991-09-05 1993-03-19 Koudo Eizou Gijutsu Kenkyusho:Kk 液晶表示体
JPH08114819A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 G T C:Kk アクティブマトリクス液晶表示装置
JP2001267581A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
US6352911B1 (en) 1999-02-26 2002-03-05 Nec Corporation Thin-film transistor array and method for producing the same
JP2002162644A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6476882B1 (en) 1996-07-11 2002-11-05 Nec Corporation Liquid-crystal display panel and repair method thereof
US7515243B2 (en) 2002-07-23 2009-04-07 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method for repairing line disconnection thereof
JP2009076722A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Sony Corp 回路基板、表示装置及び回路基板のリペア方法
US7751010B2 (en) 1998-10-13 2010-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterned vertically aligned liquid crystal display
US9196635B2 (en) 2012-05-24 2015-11-24 Sharp Kabushiki Kaisha Circuit board and display device

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0823643B2 (ja) * 1989-03-28 1996-03-06 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5303074A (en) * 1991-04-29 1994-04-12 General Electric Company Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices
JPH055898A (ja) * 1991-06-27 1993-01-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜素子形成パネル
US6313889B1 (en) 1993-03-04 2001-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit
US5532853A (en) * 1993-03-04 1996-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Reparable display device matrix for repairing the electrical connection of a bonding pad to its associated signal line
US5471225A (en) * 1993-04-28 1995-11-28 Dell Usa, L.P. Liquid crystal display with integrated frame buffer
DE69421522T2 (de) * 1993-12-20 2000-08-10 General Electric Co., Schenectady Verfahren zur reparatur einer leitung eines dünnfilm-bildsensors oder einer dünnfilm-anzeige und die dadurch hergestellte struktur
US5552607A (en) * 1995-06-21 1996-09-03 General Electric Company Imager device with integral address line repair segments
KR100283733B1 (ko) * 1995-10-16 2001-03-02 마찌다 가쯔히꼬 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법
US6697037B1 (en) 1996-04-29 2004-02-24 International Business Machines Corporation TFT LCD active data line repair
KR100244181B1 (ko) * 1996-07-11 2000-02-01 구본준 액정표시장치의리페어구조및그를이용한리페어방법
JP4653867B2 (ja) * 1999-06-30 2011-03-16 エーユー オプトロニクス コーポレイション 電子部品の欠陥修復方法
JP4584387B2 (ja) * 1999-11-19 2010-11-17 シャープ株式会社 表示装置及びその欠陥修復方法
TW499606B (en) * 2000-11-06 2002-08-21 Hannstar Display Corp Signal line repairing structure and forming method thereof
JP2006171610A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US8264631B2 (en) * 2009-11-11 2012-09-11 Au Optronics Corporation Common repair structures for close bus in a liquid crystal display
KR101868607B1 (ko) * 2011-12-20 2018-06-20 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치
TWI463628B (zh) 2012-02-03 2014-12-01 E Ink Holdings Inc 顯示器面板電路結構
KR102005483B1 (ko) * 2012-10-19 2019-07-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
CN110111952B (zh) * 2019-05-30 2021-08-31 王奉瑾 一种石墨烯导电材料的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61183622A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ装置とその製造方法
JPS6136825B2 (ja) * 1984-06-07 1986-08-20 Minofuaagen Seiyaku Honho Goshi
JPS6222455A (ja) * 1985-07-23 1987-01-30 Asahi Glass Co Ltd 薄膜能動素子基板
JPS63136571A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ
JPS63265223A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランジスタアレイおよびその製法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0197991B1 (fr) * 1984-10-17 1989-01-18 ETAT FRANCAIS représenté par le Ministre des PTT (Centre National d'Etudes des Télécommunications) Procede de fabrication de circuits electroniques a base de transistors en couches minces et de condensateurs
US4688896A (en) * 1985-03-04 1987-08-25 General Electric Company Information conversion device with auxiliary address lines for enhancing manufacturing yield
US4630355A (en) * 1985-03-08 1986-12-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electric circuits having repairable circuit lines and method of making the same
JPH0740101B2 (ja) * 1985-04-23 1995-05-01 旭硝子株式会社 薄膜トランジスタ
FR2585167B1 (fr) * 1985-07-19 1993-05-07 Gen Electric Structures conductrices redondantes pour affichages a cristaux liquides commandes par des transistors a effet de champ en couche mince
US4840459A (en) * 1987-11-03 1989-06-20 General Electric Co. Matrix addressed flat panel liquid crystal display device with dual ended auxiliary repair lines for address line repair

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6136825B2 (ja) * 1984-06-07 1986-08-20 Minofuaagen Seiyaku Honho Goshi
JPS61183622A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ装置とその製造方法
JPS6222455A (ja) * 1985-07-23 1987-01-30 Asahi Glass Co Ltd 薄膜能動素子基板
JPS63136571A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ
JPS63265223A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランジスタアレイおよびその製法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04229831A (ja) * 1991-04-25 1992-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示パネル
JPH0566416A (ja) * 1991-09-05 1993-03-19 Koudo Eizou Gijutsu Kenkyusho:Kk 液晶表示体
JPH08114819A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 G T C:Kk アクティブマトリクス液晶表示装置
US6476882B1 (en) 1996-07-11 2002-11-05 Nec Corporation Liquid-crystal display panel and repair method thereof
US7751010B2 (en) 1998-10-13 2010-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterned vertically aligned liquid crystal display
US6352911B1 (en) 1999-02-26 2002-03-05 Nec Corporation Thin-film transistor array and method for producing the same
JP2001267581A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP2002162644A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US7515243B2 (en) 2002-07-23 2009-04-07 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method for repairing line disconnection thereof
JP2009076722A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Sony Corp 回路基板、表示装置及び回路基板のリペア方法
US9196635B2 (en) 2012-05-24 2015-11-24 Sharp Kabushiki Kaisha Circuit board and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR940010414B1 (ko) 1994-10-22
EP0373586A2 (en) 1990-06-20
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