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JPH02246138A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH02246138A
JPH02246138A JP6699089A JP6699089A JPH02246138A JP H02246138 A JPH02246138 A JP H02246138A JP 6699089 A JP6699089 A JP 6699089A JP 6699089 A JP6699089 A JP 6699089A JP H02246138 A JPH02246138 A JP H02246138A
Authority
JP
Japan
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library
power
cell
supply
cells
Prior art date
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Application number
JP6699089A
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Japanese (ja)
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JP2510001B2 (en
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Masaaki Naruishi
成石 正明
Noboru Yamakawa
山河 昇
Masahiro Kugishima
釘嶋 正弘
Takahiro Yamamoto
隆広 山本
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Publication of JPH02246138A publication Critical patent/JPH02246138A/en
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To install a logic library on a master chip in a channelfree wiring system without a need for a separate power-supply wiring part by a method wherein a power-supply line extended to nearly the center of a library cell from a power-supply wiring part feeding a power supply is installed at the library cell. CONSTITUTION:In addition to power-supply wiring parts 20 used to supply a power supply to library cells 32 constituted of fundamental cells 15A, 15B, power-supply lines (22A, 22B) 22 extended to nearly the center of the library cells 32 from the power-supply wiring parts 20 used to supply power supplies Vdd, Vss are installed, at the individual library calls 32, at a lower-side end part of the power-supply wiring parts 20. Accordingly, when the library cells 32 are arranged in a channelfree manner and the library cells are arranged so as to be shifted by one piece of said fundamental cells 15A, 15B, the power- supply lines 22 are connected to one out of the power-supply wiring parts 20 via connection parts 23A, 23B. Thereby, when the library cells are arranged in a channelfree manner, it is not required to install a separate power-supply wiring part.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

本発明は、半導体装置に係り、特に、互いにゲート電極
が分離された第1導電型のMOS)−ランジスタ群と第
2導電型のMOSトランジスタ群から形成され、各トラ
ンジスタ群がソース領域、ゲート電極及びドレイン領域
を横切る線を中心にして左右対称の形状をなす基本セル
が複数配列され、この基本セルにより所定のtS能を発
輝するライブラリセルが構成されたSea Of Ga
tes型マスタ型入スタースライス方式装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, it is formed from a group of MOS transistors of a first conductivity type and a group of MOS transistors of a second conductivity type, each transistor group having a source region and a gate electrode. A Sea Of Ga cell has a plurality of basic cells arranged in a symmetrical shape with respect to a line crossing the drain region, and these basic cells constitute a library cell that emits a predetermined tS ability.
The present invention relates to a tes type master type star slice type device.

【従来の技術】[Conventional technology]

従来、ゲートアレイを有するマスタースライス方式の半
導体装置は、種々開発、実用化されており、当該半導体
装置には、第3図に示すものが知られている。 第3図中の符号1は、マスターチップを示す。 第3図のように、このマスターチップ1上には、ロジッ
ク作成部としての複数の基本セル列2・・・が、該基本
セル列2.2間を接続するための配線を設置する配線領
域3を挾み、行方向(横方向)に設けられている。この
基本セル列2は、第4図(A)に示すように、Pチャネ
ルのMOS型トランジスタ4A、4Bからなる第1のト
ランジスタ対と、NチャネルのMO8型トランジスタ5
A、5Bからなる第2のトランジスタ対とを対で有する
基本セル6を列方向(縦方向)に1列に並べたものであ
る。なお、第4図(A)、(B)において、実線(−)
(符号7)はIFw目のアルミニウム(Aλ)配線、8
A、8B、8Cは2層目のAi配線、×印9は前記1層
目のAi配線7のソース、ドレイン、ゲートへのコンタ
クト、O印10は1層目の該A1配線7と前記2層目の
Ai配線8A〜8Cとのコンタクトである。又、GAは
、前記第1、第2のトランジスタ対中のトランジスタ4
A、5Aのそれぞれの多結晶シリコンからなるゲート電
極であり、トランジスタ4A、5Aで共通となっている
。又、GAI、GA2はトランジスタ4B、5Bのゲー
ト電極である。又、前記基本セル6は、例えば第4図(
B)に示すように2人力のNAND回路を構成している
。 現在、前記の如きマスクスライス方式の半導体装置を開
発するにあたり、マスターチップとこれに重ねる配線パ
ターン(ライブラリデータとして用意される)により決
定されるNAND、NOR等のロジック(以下、ロジッ
クを構成するライブラリの単位をライブラリセルという
)をユーザーに対して用意するようにしている。 しかしながら、第3図に示した構造の従来の半導体装置
は、以下に示すような欠点を有していた。 欠点の1つは、配線領域3内に使用されない無駄な領域
が多く生じてしまうことである。即ち、基本セル6にお
いては、前記第1のトランジスタ対と、第2のトランジ
スタ対とを、組で有している。従って、NOR,NAN
D等の論理ゲートは、基本セル列2内でしか構成できず
、各々の基本セル列2.2間の接続をするためには配線
領域3が必要となる0通常、この配線領域3における配
線のチャネル数は、多数の配線が必要となることを考慮
して決定されるものであるため、配線領域3は比較的大
きな面積を必要としている。よって、第4図に示す半導
体装置から製品Wi発を行った場合には、配線領域内3
に、実際に配線に寄与しない無駄な領域が生じてしまう
。 又、欠点の他の1つは、前記半導体装置では、基本セル
列2・・・及び基本セル6・・・の数は予め決まってい
るため、物理的に実現し得ないシステムが生じることで
ある。又、このような欠点に対して、マスターチップ1
の領域を大きくして基本セル6の数を増やすことが考え
られるが、このようにした場合、基本セル列2・・・間
の配線領域も同時に大きくなり、マスターチップ1が必
要以上に大きくなってしまう。 前記のような欠点に対して、特開昭59−44859号
公報でマスタースライス方式の半導体装置を構成する基
本セルが開示されている。前記公報の技術は、第5図に
示すように、マスターチップ10上に基本セルを基本セ
ル列13A、13Bとして順次間断なく並設しており、
第6図に示すように、互いにゲート電極が分離された、
PチャネルのMO8型トランジスタ14A、14Bから
なる第1導電型のトランジスタ群(第1の基本セル)1
5AとNチャネルのMO3型トランジスタ16A、16
Bからなる第2導電型のトランジスタ群(第2の基本セ
ル)15Bを形成し、且つ各基本セル15A、15Bを
ソース領域、ゲート電極及びドレイン領域を横切る中心
線A、Bを中心にして左右対称の形状をなす構造とする
ことにより、第1の基本セル15A、第2の基本セル1
5Bが左右どちらになっても使用可能(例えば、左右が
反対の場合には、ライブラリデータを裏返しにして使用
する)とするものである、この技術においては、第1、
第2の基本セル15A、15Bを漏れなく形成し、第5
図中に符号12で示すように、Pチャネル、Nチャネル
を有する従来の基本セルの1/2ピツチで配線領域を所
望の位置にatできるようにすると共に、ロジック作成
部となる基本セル列の所望の領域に設置可能としている
。又、マスターチップを設計する際に実現し得るシステ
ムが該マスターチップの大きさで決定されてしまう可能
性を最小限に押えるようにしている。なお、前記公報に
おいては、前記Pチャンネル、Nチャンネルのトランジ
スタ対を順に並べてセル列を構成する技術も示されてい
る。 しかしながら、前記第5図の如く基本セルを直線状に配
置してセル列とした場合には、ライブラリの回路によっ
ては配線領域内に配線のない部分が生じる場合がある。 そこで、この配線のない部分にライブラリセルを設けれ
ばマスタチップ上に更に多くのロジック回路の搭載が可
能となる。このようなライブラリセルの配置方式がチャ
ネルフリー配置と呼ばれている技術である。 一方、従来このライブラリセルにおける基本ゲートへ電
圧Vdd、 VSSを印加するための電源配線20は、
第7図に示すように、基本セル15A、15Bの横方向
端部にセル列の並び方向に沿うように設けられており、
従って、基本セルが直線状に配置されてセル列を形成す
れば、自然にそれら電源配線20が接続されるように設
計されている。
Conventionally, various master slice type semiconductor devices having gate arrays have been developed and put into practical use, and the one shown in FIG. 3 is known as the semiconductor device. Reference numeral 1 in FIG. 3 indicates a master chip. As shown in FIG. 3, on this master chip 1, a plurality of basic cell rows 2 as a logic creation section are arranged in a wiring area where wiring for connecting between the basic cell rows 2.2 is installed. 3 in the row direction (horizontal direction). As shown in FIG. 4(A), this basic cell row 2 includes a first transistor pair consisting of P-channel MOS transistors 4A and 4B, and an N-channel MO8 transistor 5.
Basic cells 6 each having a second transistor pair consisting of transistors A and 5B are arranged in one row in the column direction (vertical direction). In addition, in Fig. 4 (A) and (B), the solid line (-)
(Symbol 7) is the IFwth aluminum (Aλ) wiring, 8
A, 8B, and 8C are the Ai wirings of the second layer, x marks 9 are contacts to the source, drain, and gate of the Ai wiring 7 of the first layer, and O marks 10 are the contacts of the A1 wirings 7 of the first layer and the 2 This is a contact with the Ai wirings 8A to 8C in the second layer. Further, GA is the transistor 4 in the first and second transistor pair.
This is a gate electrode made of polycrystalline silicon for each of transistors A and 5A, and is common to transistors 4A and 5A. Further, GAI and GA2 are gate electrodes of transistors 4B and 5B. Further, the basic cell 6 is, for example, shown in FIG. 4 (
As shown in B), a two-person NAND circuit is constructed. Currently, when developing semiconductor devices using the mask slicing method as described above, logic such as NAND and NOR (hereinafter referred to as a library that constitutes the logic) is determined by the master chip and the wiring pattern overlaid on it (prepared as library data). A unit called a library cell) is prepared for the user. However, the conventional semiconductor device having the structure shown in FIG. 3 had the following drawbacks. One of the drawbacks is that there is a lot of wasted area within the wiring area 3 that is not used. That is, the basic cell 6 has the first transistor pair and the second transistor pair as a set. Therefore, NOR, NAN
Logic gates such as D can only be configured within the basic cell column 2, and a wiring area 3 is required to make connections between each basic cell column 2. Normally, the wiring in this wiring area 3 is The number of channels is determined in consideration of the need for a large number of wiring lines, so the wiring area 3 requires a relatively large area. Therefore, when producing a product Wi from the semiconductor device shown in FIG.
This results in a wasted area that does not actually contribute to wiring. Another drawback is that in the semiconductor device, the numbers of basic cell rows 2 and 6 are predetermined, resulting in a system that cannot be realized physically. be. In addition, for such drawbacks, master chip 1
It is conceivable to increase the number of basic cells 6 by increasing the area of , but in this case, the wiring area between the basic cell rows 2... will also increase at the same time, making the master chip 1 larger than necessary. It ends up. To address the above-mentioned drawbacks, Japanese Patent Laid-Open No. 59-44859 discloses a basic cell constituting a master slice type semiconductor device. As shown in FIG. 5, the technique disclosed in the above-mentioned publication is such that basic cells are sequentially arranged side by side as basic cell rows 13A and 13B on the master chip 10 without interruption.
As shown in FIG. 6, the gate electrodes are separated from each other.
First conductivity type transistor group (first basic cell) 1 consisting of P-channel MO8 type transistors 14A and 14B
5A and N channel MO3 type transistors 16A, 16
A second conductivity type transistor group (second basic cell) 15B consisting of B is formed, and each basic cell 15A, 15B is aligned left and right with center lines A, B crossing the source region, gate electrode, and drain region. By having a symmetrical structure, the first basic cell 15A and the second basic cell 1
5B can be used either left or right (for example, if the left and right sides are reversed, the library data is used upside down).
The second basic cells 15A and 15B are formed without exception, and the fifth
As shown by reference numeral 12 in the figure, the wiring area can be placed at a desired position at 1/2 the pitch of the conventional basic cell having P-channel and N-channel, and the basic cell row that becomes the logic creation section can be placed at a desired position. It can be installed in any desired area. Furthermore, when designing a master chip, the possibility that the system that can be realized is determined by the size of the master chip is minimized. Note that the above-mentioned publication also discloses a technique in which pairs of P-channel and N-channel transistors are arranged in order to form a cell row. However, when the basic cells are arranged in a straight line to form a cell column as shown in FIG. 5, there may be a portion without wiring in the wiring area depending on the circuit of the library. Therefore, if library cells are provided in areas where there are no wiring lines, it becomes possible to mount even more logic circuits on the master chip. This arrangement method of library cells is a technique called channel free arrangement. On the other hand, the power supply wiring 20 for applying the voltages Vdd and VSS to the basic gate in the conventional library cell is as follows.
As shown in FIG. 7, the basic cells 15A and 15B are provided along the lateral ends of the cell rows,
Therefore, if the basic cells are arranged in a straight line to form a cell column, the power supply wirings 20 are designed to be naturally connected.

【発明が解決しようとする課題】[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、ライブラリセルが直線状でなく、前記チ
ャネルフリー配列により第8図のように部分的にずれて
配置された場合、そのままでは各ライブラリセルの電源
配線間が接続されず、この電源配線間を接続するなめに
は、第8図符号21に示すような別途に配線を行う必要
があり繁雑であるという問題点があった。 本発明は、前記従来の問題点を解消すべくなされたもの
で、別途の電源配線を要することなくマスターチップ上
にロジックライブラリをチャネルフリー配線方式により
設けることが可能な、マスタースライス方式の半導体装
置を提供することを課題とする。
However, if the library cells are not arranged in a straight line and are arranged partially offset as shown in FIG. There is a problem in that the connection requires separate wiring as shown by reference numeral 21 in FIG. 8, which is complicated. The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and is a master slice type semiconductor device in which a logic library can be provided on a master chip using a channel-free wiring type without requiring separate power supply wiring. The challenge is to provide the following.

【課題を達成するための手段】[Means to achieve the task]

本発明は、互いにゲート電極が分離された第1導電型の
トランジスタ群と、第2導電型のトランジスタ群から形
成され、各トランジスタ群がソース領域、ゲート電極及
びドレイン領域を横切る線を中心にして左右対称の形状
をなす基本セルを有し、この基本セルにより所定の機能
を発輝するライブラリセルが構成可能なマスタースライ
ス方式の半導体装置において、各ライブラリセル毎に、
電源を供給する電源配線から該ライブラリセルの略中心
に延びる電源線を、該ライブラリセルの前記電源配線に
沿う方向の端部に設けることにより、前記課題を達成し
たものである。
The present invention is formed of a first conductivity type transistor group and a second conductivity type transistor group whose gate electrodes are separated from each other, and each transistor group is centered on a line that crosses a source region, a gate electrode, and a drain region. In a master slice type semiconductor device that has a basic cell having a left-right symmetrical shape and can configure a library cell that performs a predetermined function using this basic cell, for each library cell,
The above-mentioned problem is achieved by providing a power line extending from a power line for supplying power to approximately the center of the library cell at an end of the library cell in a direction along the power line.

【発明の作用及び効果】[Operation and effects of the invention]

マスタースライス方式の半導体装置をライブラリセルの
チャネルフリー配置により構成する際に、従来の如く、
電源配線がライブラリセルの横方向端部のみに配置され
ていた場合には、ライブラリセルを基本セル1個分ずら
して配置したときにそのままでは配線されない部分が生
じ、別途電源を配線する必要があった。 これに対して、発明者らが種々の考察を行った結果、例
えば第1図に示すように、ライブラリセルに、電源を供
給する電源配線20から該ライブラリセルの略中心に延
びる電源線22を、該ライブラリセルの該電源配線20
に沿う方向の端部にに設けることを見出だした。又、こ
のライブラリセルがチップ上に複数設けられる場合に、
前記電源線を電源配線方向の任意の端部に設置すると、
配線し得ない個所が生じるなめ、前記電源線を各ライブ
ラリセル毎に統一して設ける必要がある。 本発明は、上記知見に基づきなされたものである。 本発明によれば、別途の電源配線を要することなくマス
ターチップ上にロジックライブラリをチャネルフリー配
線方式により設けることが可能になるため、マスターチ
ップを平面的に大きくすることなく該マスターチップに
従来より多数のライブラリセルひいてはロジックゲート
を容易に設けることができると共に、実現し得るシステ
ムの大きさがマスターチップの大きさによって決定され
るのを最小限に抑えることができるという優れた効果が
得られる。
When configuring a master slice type semiconductor device by channel-free arrangement of library cells, as in the past,
If the power supply wiring is placed only at the horizontal ends of the library cells, when the library cells are shifted by one basic cell and placed, there will be parts that cannot be wired as is, and it will be necessary to route the power supply separately. Ta. On the other hand, as a result of various considerations made by the inventors, for example, as shown in FIG. , the power supply wiring 20 of the library cell
It has been found that it can be provided at the end in the direction along the . Also, when multiple library cells are provided on a chip,
When the power line is installed at any end in the power wiring direction,
Since there are some places where wiring cannot be done, it is necessary to uniformly provide the power supply line for each library cell. The present invention has been made based on the above findings. According to the present invention, it is possible to provide a logic library on a master chip using a channel-free wiring method without requiring separate power supply wiring. The advantageous effect is that a large number of library cells and thus logic gates can be easily provided, and that the size of the system that can be realized is minimized from being determined by the size of the master chip.

【実施例】【Example】

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。 この実施例は、前出、第6図(A>、(B)に示した第
1、第2の基本セル15A、15Bが前出第5図に示さ
れるようにマスタチップ10上に配列されている半導体
装置において、第1図に示すように該基本セル15A、
15Bで構成されるライブラリセル32へ電源を供給す
るための、前出第7図に示したのと同様の電源配線20
の他に、各ライブラリセル32毎に、電源Vdd、 V
ssを供給する電源配線20から該ライブリセル32の
略中心に延びる電源線(第1図に22A、22Bで示す
)22を、前記電源配線20に沿う下側端部に設けたも
のである。なお、この電源is!22は、電源配線20
に接続されており、該電源配線20の反対側には、チャ
ネルフリー配置した際に他のライブラリセル32の電源
配線20に接続するための接続部23A、23Bが設け
られている。ス、第1図において符号Sはライブラリセ
ル32の中心線であり、電源線22は電源配線20から
この中心線S近傍まで延びている。 従って、実施例においては、ライブラリセル32をチャ
ネルフリー配置するに際して、該基本セル15A、15
Bのいずれか1個分ライブラリセルがずれて配置された
場合に、第2図に示すように、電源配線20のいずれか
一方に接続部23A、23Bを介してそのまま電源線2
2が接続されることとなる。よって、ライブラリセルを
チャネルフリー配置する際に、別途に電源配線を行う必
要がなくなる。 又、電源線22が接続されない他の一方の電源配線20
に関しては、前記のようにライブラリセル32が配置さ
れた以外の基本セルの全てに前記電源配線20及び電源
線22が配線されたライブラリセルを配置することによ
り、電源配線20に必ず電源を印加することができる。 なお、前記実施例においては電源!122は、第1図の
ように、ライブラリセル32の下側端部に設けられてい
たが、本発明に係る電源線は、図のように設けることに
限定されず、例えばVddの電源線22は第1図のよう
にライブラリセル32の下端部に設けて中心線Sより反
対側まで延ばすと共に、Vssの電源線22はライブラ
リセル32の上端部に設けて、中心線Sより反対側まで
延ばすようにすることができる。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In this embodiment, the first and second basic cells 15A and 15B shown in FIGS. 6A and 6B are arranged on the master chip 10 as shown in FIG. As shown in FIG. 1, the basic cell 15A,
A power supply wiring 20 similar to that shown in FIG. 7 above for supplying power to the library cell 32 composed of 15B.
In addition, for each library cell 32, power supplies Vdd, V
A power line 22 (indicated by 22A and 22B in FIG. 1) extending from the power line 20 for supplying ss to approximately the center of the live cell 32 is provided at the lower end along the power line 20. Furthermore, this power supply is! 22 is the power supply wiring 20
On the opposite side of the power supply wiring 20, connecting portions 23A and 23B are provided for connecting to the power supply wiring 20 of other library cells 32 when arranged in a channel free arrangement. In FIG. 1, the symbol S is the center line of the library cell 32, and the power line 22 extends from the power supply wiring 20 to the vicinity of this center line S. Therefore, in the embodiment, when arranging the library cell 32 in a channel free manner, the basic cells 15A, 15
If the library cell is shifted by one of B, as shown in FIG.
2 will be connected. Therefore, when placing library cells in a channel-free manner, there is no need to separately conduct power supply wiring. In addition, the other power supply wiring 20 to which the power supply line 22 is not connected
Regarding this, power is always applied to the power supply wiring 20 by arranging the library cells to which the power supply wiring 20 and the power supply line 22 are wired in all the basic cells other than the one in which the library cell 32 is arranged as described above. be able to. In addition, in the above embodiment, the power supply! 122 is provided at the lower end of the library cell 32 as shown in FIG. 1, but the power supply line according to the present invention is not limited to being provided as shown in the figure. is provided at the lower end of the library cell 32 and extends to the opposite side from the center line S as shown in FIG. 1, and the Vss power supply line 22 is provided at the upper end of the library cell 32 and extends to the opposite side from the center line S. You can do it like this.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の実施例ζ係る半導体装置のライブラ
リセルを詳細に示す要部平面図、第2図は、前記実施例
で電源が接続されたライブラリセルの状態を示す平面図
、 第3図は、従来の半導体装置におけるセル列を示す平面
図、 第4図(A)、(B)は、前記半導体装置中の基本セル
を詳細に示す平面図、回路図、第5図は、前記セル列の
第2の従来例を示す平面図、 第6図は、前記第2の従来例の基本セルの構成を示す平
面図、 第7図は、ライブラリセルにおける電源配線の従来例を
示す要部平面図、 第8図は、チャネルフリー配線方式によりライブラリセ
ルを配置したときの電源配線の例を示す平面図である。 32・・・ライブラリセル、 S・・・中心線。
FIG. 1 is a plan view of a main part showing in detail a library cell of a semiconductor device according to the embodiment ζ of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing the state of the library cell connected to a power supply in the embodiment. 3 is a plan view showing a cell array in a conventional semiconductor device, FIGS. 4A and 4B are a plan view and a circuit diagram showing details of basic cells in the semiconductor device, and FIG. FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the basic cell of the second conventional example; FIG. 7 is a plan view showing a conventional example of the power supply wiring in the library cell. Main Part Plan View FIG. 8 is a plan view showing an example of power supply wiring when library cells are arranged using the channel free wiring method. 32...Library cell, S...Center line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)互いにゲート電極が分離された第1導電型のトラ
ンジスタ群と、第2導電型のトランジスタ群から形成さ
れ、各トランジスタ群がソース領域ゲート電極及びドレ
イン領域を横切る線を中心にして左右対称の形状をなす
基本セルを有し、この基本セルにより所定の機能を発輝
するライブラリセルが構成されたマスタースライス方式
の半導体装置において、 各ライブラリセル毎に、電源を供給する電源配線から該
ライブラリセルの略中心に延びる電源線を、該ライブラ
リセルの前記電源配線に沿う方向の端部に設けたことを
特徴とする半導体装置。
(1) It is formed from a first conductivity type transistor group and a second conductivity type transistor group whose gate electrodes are separated from each other, and each transistor group is symmetrical about a line that crosses the source region, gate electrode, and drain region. In a master slice type semiconductor device, which has a basic cell in the shape of , and in which a library cell is constructed that performs a predetermined function using this basic cell, each library cell is connected from the power supply wiring that supplies power to the library. A semiconductor device characterized in that a power supply line extending approximately to the center of the cell is provided at an end of the library cell in a direction along the power supply wiring.
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