JPH02253679A - 波長安定型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
波長安定型半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02253679A JPH02253679A JP7559089A JP7559089A JPH02253679A JP H02253679 A JPH02253679 A JP H02253679A JP 7559089 A JP7559089 A JP 7559089A JP 7559089 A JP7559089 A JP 7559089A JP H02253679 A JPH02253679 A JP H02253679A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、外部共振器を備えた波長安定型半導体レー
ザの製造方法、より詳しくはパッケージにデツプをマウ
ントする方法に関する。
ザの製造方法、より詳しくはパッケージにデツプをマウ
ントする方法に関する。
〈従来の技術〉
波長安定型半導体レーザには、前端面および後端面から
レーザ光を出射可能な半導体レーザチップ（以下、ｒＬ
Ｄチップ」と称す）の後端面とミラーチップの反射面と
を互いに平行に所定距離だけ離間して配置することによ
って外部共振器を構成して、レーザ発振の軸モードを安
定させてレーザ波長を安定させるようにしたものがある
。
レーザ光を出射可能な半導体レーザチップ（以下、ｒＬ
Ｄチップ」と称す）の後端面とミラーチップの反射面と
を互いに平行に所定距離だけ離間して配置することによ
って外部共振器を構成して、レーザ発振の軸モードを安
定させてレーザ波長を安定させるようにしたものがある
。
従来、この種の波長安定型半導体レーザのチップをパッ
ケージにマウントする方法としては、次のような方法が
ある。まず、第２図（ａ）に示すように、パッケージの
ダイボンド面ｉｔ上に、前端面１２ｆを前方へ向けてＬ
Ｄデツプ１２を、蝋付を介して加熱後冷却して予めダイ
ボンドしておく。
ケージにマウントする方法としては、次のような方法が
ある。まず、第２図（ａ）に示すように、パッケージの
ダイボンド面ｉｔ上に、前端面１２ｆを前方へ向けてＬ
Ｄデツプ１２を、蝋付を介して加熱後冷却して予めダイ
ボンドしておく。
そして、コレット１４でミラーチップ１３の上面１３ａ
を吸着しつつ、このミラーチップ１３の反射面１３ｍの
下部を上記ＬＤチップ１２の後端面１２ｂに後方から接
触させる。このようにした場合、ミラーチップ１３の反
射面１３ｍはＬＤチップ１２の後端面１２ｂによって押
圧されて、上記ミラーチップ１３はコレット１４に吸着
されたまま多少ずれて、上記反射面１３ｍの１部とＬＤ
チップ１２の後端面１２ｂとは密接し、平行になる。
を吸着しつつ、このミラーチップ１３の反射面１３ｍの
下部を上記ＬＤチップ１２の後端面１２ｂに後方から接
触させる。このようにした場合、ミラーチップ１３の反
射面１３ｍはＬＤチップ１２の後端面１２ｂによって押
圧されて、上記ミラーチップ１３はコレット１４に吸着
されたまま多少ずれて、上記反射面１３ｍの１部とＬＤ
チップ１２の後端面１２ｂとは密接し、平行になる。
なお、コレット１４の先端面はダイボンド面１６に対し
平行であり、かつ、両チップ１２．１３の形状はいずれ
も直方体である。１３はダイボンド面１６に垂直に投影
したミラーチップ１３の影を示している（第２図（ｂ）
において同様）。次に、第２図（ｂ）に示すように、コ
レット１４を後方へ移動させて、上記後端面１２ｂと反
射面１３ｎとを平行度を保ったまま所定距離りだけ離間
させる。そして、第２図（Ｃ）に示すように、コレット
１４を下方へ移動させて、螺材が予め敷かれたダイボン
ド面１１にミラーチップ１３を所定荷重をかけ押圧して
固定しつつ、パッケージを加熱して上記螺材を融化させ
、その後冷却硬化して、上記ミラーチップ１３をグイポ
ンドする。
平行であり、かつ、両チップ１２．１３の形状はいずれ
も直方体である。１３はダイボンド面１６に垂直に投影
したミラーチップ１３の影を示している（第２図（ｂ）
において同様）。次に、第２図（ｂ）に示すように、コ
レット１４を後方へ移動させて、上記後端面１２ｂと反
射面１３ｎとを平行度を保ったまま所定距離りだけ離間
させる。そして、第２図（Ｃ）に示すように、コレット
１４を下方へ移動させて、螺材が予め敷かれたダイボン
ド面１１にミラーチップ１３を所定荷重をかけ押圧して
固定しつつ、パッケージを加熱して上記螺材を融化させ
、その後冷却硬化して、上記ミラーチップ１３をグイポ
ンドする。
そして、コレット＋４を取り去ると、第２図（ｄ）に示
すように、両チップ１２．１３は、ＬＤチップ！２の後
端面１２ｂとミラーチップ１３の反射面１３ｍとが平行
に所定距離りだけ離間した状態で、パッケージのダイボ
ンド面１１上にマウントされた状態になる。
すように、両チップ１２．１３は、ＬＤチップ！２の後
端面１２ｂとミラーチップ１３の反射面１３ｍとが平行
に所定距離りだけ離間した状態で、パッケージのダイボ
ンド面１１上にマウントされた状態になる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記従来のチップのマウント方法は、Ｌ
Ｄチップ＋２のダイボンド後にミラーチップ１３のグイ
ポンドを行っているため、ダイ目：ンドする時間が２回
分かかり、マウントに要する時間が長くなるという問題
がある。さらに、上記しＤデツプ１２は、ダイボンド際
の加熱・冷却の温度ストレスを２回分受けるという問題
がある。また、ミラーチップ＋３をグイポンドする際の
加熱時に、ＬＤチップ１２とダイボンド面１６との間の
螺材が融化してＬＤデツプＩ２が微妙に位置ずれするこ
とがあり、そのため、このＬＤデツプ１２の後端面１２
ｂとミラーチップ１３の反射面とで構成する外部共振器
は共振面間の距離りの精度か良くないという問題かある
。
Ｄチップ＋２のダイボンド後にミラーチップ１３のグイ
ポンドを行っているため、ダイ目：ンドする時間が２回
分かかり、マウントに要する時間が長くなるという問題
がある。さらに、上記しＤデツプ１２は、ダイボンド際
の加熱・冷却の温度ストレスを２回分受けるという問題
がある。また、ミラーチップ＋３をグイポンドする際の
加熱時に、ＬＤチップ１２とダイボンド面１６との間の
螺材が融化してＬＤデツプＩ２が微妙に位置ずれするこ
とがあり、そのため、このＬＤデツプ１２の後端面１２
ｂとミラーチップ１３の反射面とで構成する外部共振器
は共振面間の距離りの精度か良くないという問題かある
。
そこで、この発明の目的は、グイポンド１回でパッケー
ジに両チップを同時にマウントすることができ、マウン
トに要する時１ｊ■を減らすと共にＬＤチップに対する
熱ストレスを減らすことができ、しかも共振面間の距離
精度を向上できる波長安定型半導体レーザのチップのマ
ウント方法を提供することにある。
ジに両チップを同時にマウントすることができ、マウン
トに要する時１ｊ■を減らすと共にＬＤチップに対する
熱ストレスを減らすことができ、しかも共振面間の距離
精度を向上できる波長安定型半導体レーザのチップのマ
ウント方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、この発明は、半導体レーザ
チップと、レーザ光を反射することができるミラーチッ
プとを同一面上にグイポンドして、上記半導体レーザチ
ップのレーザ光出射面と上記ミラーチップの反射面とで
外部共振器を構成するようにした波長安定型半導体レー
ザの製造方法であって、上記半導体レーザチップとミラ
ーチップとをそれぞれ別のコレットで吸着し、グイポン
ド面以外の空間において上記半導体レーザチップのレー
ザ光出射面とミラーチップの反射面とを互いに接触さｌ
た後、上記レーザ光出射面と反射面とを・ト行度を保っ
て所定距離た１部離間させて相対的位置関係を固定して
、上記グイポンド面上に同時にグイポンドするようにし
たことを特徴としている。
チップと、レーザ光を反射することができるミラーチッ
プとを同一面上にグイポンドして、上記半導体レーザチ
ップのレーザ光出射面と上記ミラーチップの反射面とで
外部共振器を構成するようにした波長安定型半導体レー
ザの製造方法であって、上記半導体レーザチップとミラ
ーチップとをそれぞれ別のコレットで吸着し、グイポン
ド面以外の空間において上記半導体レーザチップのレー
ザ光出射面とミラーチップの反射面とを互いに接触さｌ
た後、上記レーザ光出射面と反射面とを・ト行度を保っ
て所定距離た１部離間させて相対的位置関係を固定して
、上記グイポンド面上に同時にグイポンドするようにし
たことを特徴としている。
〈作用〉
ＬＤチップとミラーチップとをそれぞれ別のコレットで
吸着しているため、両デツプを同時にダイボンド面に移
動させて１回でグイポンドすることが１ｉｌｔ７Ｌ！：
なる。同時にグイポンドした場合、所要時間は１回分で
済み、上記ＬＤデツプか受ける熱ストレスは従来の２回
分から１回分に減じられる。
吸着しているため、両デツプを同時にダイボンド面に移
動させて１回でグイポンドすることが１ｉｌｔ７Ｌ！：
なる。同時にグイポンドした場合、所要時間は１回分で
済み、上記ＬＤデツプか受ける熱ストレスは従来の２回
分から１回分に減じられる。
また、グイポンドを行う前に上記ＬＤデツプのレーザ出
射面とミラーチップのミラー面とを互いに接触させ、そ
れらの平行度を出した後、所定の距離に相対的位置関係
を固定したままグイポンドするので、Ｌ記両面で構成す
る外部共振器の共振面間の距離精度が向上する。
射面とミラーチップのミラー面とを互いに接触させ、そ
れらの平行度を出した後、所定の距離に相対的位置関係
を固定したままグイポンドするので、Ｌ記両面で構成す
る外部共振器の共振面間の距離精度が向上する。
〈実施例〉
以下、この発明の波長安定型半導体レーザのチップのマ
ウント方法を図示の実施例により詳細に説明する。
ウント方法を図示の実施例により詳細に説明する。
■まず、第１図（ａ）に示すように、前方および後方に
レーザ光を出射可能なＬＤチ・ツブ２の上面２ａをコレ
ット４で吸着する一方、レーザ光を反射可能な反射面３
ｍを有するミラーチップ３の上面３ａを別のコレット５
で吸着して、両チップ２゜３をパッケージのダイボンド
面ｌの上方に位置させる。上記ＬＤチップ１２の前端面
２ｆを前方へ向けると共に、後端面２ｂの後方に上記ミ
ラーチップ３の反射面３ｍを対向させる。なお、上記両
フレット４．５の先端面はダイボンド面目に対していず
れも平行であり、かつ、上記両チップ２．３の形状はい
ずれも直方体である。２．３はそれぞれダイボンド面６
に垂直に投影したＬＤチップ２、ミラーチップ３の影を
示している（第１図（ｂ） 、 （ｃ）において同様）
。
レーザ光を出射可能なＬＤチ・ツブ２の上面２ａをコレ
ット４で吸着する一方、レーザ光を反射可能な反射面３
ｍを有するミラーチップ３の上面３ａを別のコレット５
で吸着して、両チップ２゜３をパッケージのダイボンド
面ｌの上方に位置させる。上記ＬＤチップ１２の前端面
２ｆを前方へ向けると共に、後端面２ｂの後方に上記ミ
ラーチップ３の反射面３ｍを対向させる。なお、上記両
フレット４．５の先端面はダイボンド面目に対していず
れも平行であり、かつ、上記両チップ２．３の形状はい
ずれも直方体である。２．３はそれぞれダイボンド面６
に垂直に投影したＬＤチップ２、ミラーチップ３の影を
示している（第１図（ｂ） 、 （ｃ）において同様）
。
■次に、第１図（ｂ）に示すように、上記コレット４を
静止させたままコレット５を前方へ移動さ仕て、ミラー
チップ３の反射面３ｍをＬＤチップ２の後端面２ｂに後
方から接触させる。このようにした場合、上記ＬＤチッ
プ２と上記ミラーチップはそれぞれコレット４．５に吸
着されたまま多少ずれて、上記後端面２ｂとミラー面３
ｆｆｉとは互いに密接し、平行になる。
静止させたままコレット５を前方へ移動さ仕て、ミラー
チップ３の反射面３ｍをＬＤチップ２の後端面２ｂに後
方から接触させる。このようにした場合、上記ＬＤチッ
プ２と上記ミラーチップはそれぞれコレット４．５に吸
着されたまま多少ずれて、上記後端面２ｂとミラー面３
ｆｆｉとは互いに密接し、平行になる。
■続いて、第１図（Ｃ）に示すように、上記コレット４
を静止させたままコレット５を後方へ移動させて、上記
後端面１２ｂと反射面１３ｍとを平行度を保ったまま所
定距離り、たけ離間させる。
を静止させたままコレット５を後方へ移動させて、上記
後端面１２ｂと反射面１３ｍとを平行度を保ったまま所
定距離り、たけ離間させる。
■そして、上記両チップ２．３の相対的位置関係を固定
したまま、上記両コレット４．５を同時に下方へ移動さ
せて、予め蝋付を蒸着しであるダイボンド面ｌ上に所定
荷重をかけて上記両チ、ツブ２．３を押圧する。この状
聾でパッケージを加熱して上記蝋付を融かし、続いて冷
却硬化する。
したまま、上記両コレット４．５を同時に下方へ移動さ
せて、予め蝋付を蒸着しであるダイボンド面ｌ上に所定
荷重をかけて上記両チ、ツブ２．３を押圧する。この状
聾でパッケージを加熱して上記蝋付を融かし、続いて冷
却硬化する。
このように、ＬＤチップ２とミラーチップ３とを別々に
ダイボンドせずに同時にダイボンドするようにした場合
、チップをマウントするための時間は、従来約４９要し
たのに対して２分１０秒と約半分で済むようになった。
ダイボンドせずに同時にダイボンドするようにした場合
、チップをマウントするための時間は、従来約４９要し
たのに対して２分１０秒と約半分で済むようになった。
さらに、上記ＬＤチップが受ける温度ストレスをダイボ
ンド１回分で済ませることができる。また、上記両チッ
プ２，３に所定荷重をかけながら蝋付を硬化させるので
、チップが微妙に位置ずれすることがなくなって、上記
後端面２ｂと反射面３ｍとで構成する外部共振器の共振
面間の距離精度を向上させることができる。
ンド１回分で済ませることができる。また、上記両チッ
プ２，３に所定荷重をかけながら蝋付を硬化させるので
、チップが微妙に位置ずれすることがなくなって、上記
後端面２ｂと反射面３ｍとで構成する外部共振器の共振
面間の距離精度を向上させることができる。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明は、半導体レーザチ
ップと、レーザ光を反射」ることかできるミラーチップ
とを同一面上にダイボンドして、上記半導体レーザデツ
プのレーザ光出射面と上記ミラーデツプの反射面とで外
部共振器を構成するようにした波長安定型半導体レーザ
の製造方法であって、上記半導体レーザチップとミラー
デツプとをそれぞれ別のコレットで吸着し、グイポンド
而以外の空間において上記半導体レーザチップのレーザ
光出射面とミラーチップの反射面とを互いに接触させた
後、上記レーザ光出射面と反射面とを平行度を保って所
定距離だけ離間させて相対的位置関係を固定して、上記
ダイボンド面上に同時にダイボンドするようにしている
ので、ダイボンド１回でパッケージに両チップをマウン
トすることができ、マウントに要する時間を減ら１と共
にＬＤチップに対する熱ストレスを減らすことができ、
しかも共振面間の距離精度を向上させることができる。
ップと、レーザ光を反射」ることかできるミラーチップ
とを同一面上にダイボンドして、上記半導体レーザデツ
プのレーザ光出射面と上記ミラーデツプの反射面とで外
部共振器を構成するようにした波長安定型半導体レーザ
の製造方法であって、上記半導体レーザチップとミラー
デツプとをそれぞれ別のコレットで吸着し、グイポンド
而以外の空間において上記半導体レーザチップのレーザ
光出射面とミラーチップの反射面とを互いに接触させた
後、上記レーザ光出射面と反射面とを平行度を保って所
定距離だけ離間させて相対的位置関係を固定して、上記
ダイボンド面上に同時にダイボンドするようにしている
ので、ダイボンド１回でパッケージに両チップをマウン
トすることができ、マウントに要する時間を減ら１と共
にＬＤチップに対する熱ストレスを減らすことができ、
しかも共振面間の距離精度を向上させることができる。
第１図（ａ）乃至（ｄ）はこの発明の波長安定型半導体
レーザのチップをマウントする工程を示す斜視図、第２
図（ａ）乃至（ｄ）は従来の波長安定型半導体レーザの
チップをマウントする工程を示す斜視図である。 ｌ・ダイボンド面、２・・・ＬＤチップ、３・・・ミラ
ーチップ、３Ｉ１１・・・反射面、４・・前方クレット
、５・・・後方コレット。
レーザのチップをマウントする工程を示す斜視図、第２
図（ａ）乃至（ｄ）は従来の波長安定型半導体レーザの
チップをマウントする工程を示す斜視図である。 ｌ・ダイボンド面、２・・・ＬＤチップ、３・・・ミラ
ーチップ、３Ｉ１１・・・反射面、４・・前方クレット
、５・・・後方コレット。
Claims (1)
- （１）半導体レーザチップと、レーザ光を反射すること
ができるミラーチップとを同一面上にダイボンドして、
上記半導体レーザチップのレーザ光出射面と上記ミラー
チップの反射面とで外部共振器を構成するようにした波
長安定型半導体レーザの製造方法であって、 上記半導体レーザチップとミラーチップとをそれぞれ別
のコレットで吸着し、ダイボンド面以外の空間において
上記半導体レーザチップのレーザ光出射面とミラーチッ
プの反射面とを互いに接触させた後、上記レーザ光出射
面と反射面とを平行度を保って所定距離だけ離間させて
相対的位置関係を固定して、上記ダイボンド面上に同時
にダイボンドするようにしたことを特徴とする波長安定
型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7559089A JP2659430B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 波長安定型半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7559089A JP2659430B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 波長安定型半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253679A true JPH02253679A (ja) | 1990-10-12 |
| JP2659430B2 JP2659430B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13580567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7559089A Expired - Fee Related JP2659430B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 波長安定型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2659430B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7317251B2 (en) | 2003-04-11 | 2008-01-08 | Infineon Technologies, Ag | Multichip module including a plurality of semiconductor chips, and printed circuit board including a plurality of components |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7559089A patent/JP2659430B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7317251B2 (en) | 2003-04-11 | 2008-01-08 | Infineon Technologies, Ag | Multichip module including a plurality of semiconductor chips, and printed circuit board including a plurality of components |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2659430B2 (ja) | 1997-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |