JPH02306215A - Optical isolator - Google Patents
Optical isolatorInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要]
光アイソレータに関し、
外部からの印加磁界を与える永久磁石なしに、ファラデ
ー回転子として働(磁性ガーネット素子を用いて、光ア
イソレータを小型化することを目的とし、
偏光面選択方向が互いに45°傾けて配置された2個の
偏光子と、前記2個の偏光子の間に挿入配置された、一
枚の基板上に形成され安定な角形磁気特性を有する磁性
ガーネット膜と、前記磁性ガーネット膜を囲み、光路を
妨げないように配置された磁気シールドカバーとを少な
(とも備えるように光アイソレータを構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding an optical isolator, the purpose is to miniaturize the optical isolator by using a magnetic garnet element that functions as a Faraday rotator without a permanent magnet that applies an externally applied magnetic field. Two polarizers whose polarization plane selection directions are arranged at an angle of 45 degrees to each other, and a magnet that is formed on a single substrate and has stable square magnetic characteristics, and is inserted between the two polarizers. The optical isolator is configured to include both a garnet film and a magnetic shield cover that surrounds the magnetic garnet film and is arranged so as not to obstruct the optical path.
〔産業上の利用分野] 本発明は光アイソレータの改良に関する。[Industrial application field] The present invention relates to improvements in optical isolators.
海底通信ケーブルを中心とした基幹電送線路にレーザ光
が使用されるようになったことは良く知られている。It is well known that laser light has come to be used for main power transmission lines, mainly undersea communication cables.
さらに、光ファイバ、レーザ光源、光データリンクその
他の光学部品の改良に伴い、LAN(Local Ar
ea Netinork )などへの光波術の導入も
盛んになり、最近の新しいインテリジェント・ビルには
光ファイバによる情報ネットワークシステムが使用され
るようになってきた。Furthermore, with improvements in optical fibers, laser light sources, optical data links, and other optical components, LAN (Local Array)
The introduction of light wave technology into buildings such as EA Netinork has become popular, and information network systems based on optical fibers are now being used in recent new intelligent buildings.
これらのレーザ光応用システムには各種の光デバイスが
必要であるが、たとえば、半導体レーザでは結合系や光
フアイバ接続部で生じた反射戻り光によって、変調・ス
ペクトル特性が変動し雑音の原因となるので、この戻り
光を抑止するための光アイソレータを光学系に組み込む
必要があり、とくに、小型で組立て調整の容易な光アイ
ソレータの開発が求められている。These laser light application systems require various optical devices, but for example, in semiconductor lasers, the modulation and spectral characteristics change due to reflected return light generated at the coupling system and optical fiber connection, causing noise. Therefore, it is necessary to incorporate an optical isolator into the optical system to suppress this return light, and there is a particular need for the development of an optical isolator that is small and easy to assemble and adjust.
(従来の技術]
第4図はYIGロッドを使った光アイソレータの従来例
を説明する図で、同図(イ)は構成図、同図(ロ)は断
面図である。(Prior Art) FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional example of an optical isolator using a YIG rod, in which (A) is a configuration diagram and (B) is a cross-sectional view.
図中、■および2は偏光子で、方解石などの複屈折結晶
板や誘電体多層膜などから構成されており、偏光面選択
方向が互いに45°傾けて配置されている。11および
12は光路窓、45はYIGロンドで、通常長さ数mm
、直径数100μmφの円柱あるいは一辺数1100a
角の角柱に形成する。50は永久磁石で、たとえば、S
m−Co磁石などを使用している。100は光アイソレ
ータを保護するためのパッケージである。In the figure, numerals 2 and 2 denote polarizers, which are made of birefringent crystal plates such as calcite, dielectric multilayer films, etc., and are arranged so that their polarization plane selection directions are inclined at 45 degrees to each other. 11 and 12 are optical path windows, 45 is a YIG Rondo, and the length is usually several mm.
, a cylinder with a diameter of several 100 μmφ or a side of 1100 a
Form into a corner prism. 50 is a permanent magnet, for example, S
m-Co magnets are used. 100 is a package for protecting the optical isolator.
YIGロッド45は永久磁石50によって、その長さ方
向に(注化(M)されているので、ファラデー回転子と
して作用し、その中を通る光の偏光面を回転させる。そ
の回転角をθとすると次式で表される。Since the YIG rod 45 is oriented (M) in its longitudinal direction by a permanent magnet 50, it acts as a Faraday rotator and rotates the plane of polarization of light passing through it.The angle of rotation is defined as θ. Then, it is expressed by the following formula.
θ=VHffi・−・・−−−−一−・・・・−−−−
・−・−・−・・−−−一一一・−(1)ニーで、eは
ファラデー回転子、すなわち、YIGロッドの長さ、H
は印加磁界強度(強磁性体では飽和磁界)、■はベルデ
定数である(電子情報通信学会編:電子情報通信ハンド
ブック、第1分冊、 p1040参照)。θ=VHffi・−・・−−−−1−・・・・−−−−
・−・−・−・・−−−111・−(1) In the knee, e is the Faraday rotator, that is, the length of the YIG rod, and H
is the applied magnetic field strength (saturation magnetic field for ferromagnetic materials), and ■ is the Verdet constant (edited by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers: Electronics, Information and Communication Handbook, Vol. 1, see p1040).
光アイソレータではθ=456になるように設定。For the optical isolator, set θ = 456.
される。be done.
いま、たとえば、波長1.3μmの光を光アイソレータ
の左方から入射させると、偏光子1で一定の偏光面選択
方向となった光はY[ロッド45を透過して45°偏光
面を回転させる。したがって、その偏光面は偏光子2の
偏光面選択方向と一致するので、光はそのま\偏光子2
を通過する。Now, for example, when light with a wavelength of 1.3 μm is incident from the left side of the optical isolator, the light whose polarization plane is selected in a certain direction by the polarizer 1 is transmitted through the rod 45 and rotates the polarization plane by 45°. let Therefore, since its polarization plane matches the polarization plane selection direction of polarizer 2, the light is directly \polarizer 2
pass through.
次に、図には示していない反射面で光が反射して戻って
きて再び偏光子2を通り、YIGロッド45を透過する
とファラデー回転子の作用から知られているように、偏
光面は同一方向にさらに45°回転、すなわち、元の偏
光面からは90°回転してYIGロッド45を透過して
偏光子1に入射する。Next, when the light is reflected by a reflecting surface not shown in the figure and returns, it passes through the polarizer 2 again and passes through the YIG rod 45.As is known from the action of a Faraday rotator, the plane of polarization is the same. The light beam is further rotated by 45 degrees in the direction of the light beam, that is, rotated by 90 degrees from the original polarization plane, and is transmitted through the YIG rod 45 and enters the polarizer 1.
結局、戻り光の偏光面は偏光子1の偏光面選択方向と直
交することになり、光は偏光子1でブロックされ左側の
光源へは戻ることができず光アイソレータして動作させ
ることができる。In the end, the polarization plane of the returned light is perpendicular to the polarization plane selection direction of polarizer 1, and the light is blocked by polarizer 1 and cannot return to the light source on the left, so it can be operated as an optical isolator. .
第5図はLPE(ff性膜を使った光アイソレータの他
の従来例を説明する図で、図中、40は、たとえば、B
i置換鉄ガーネット膜などの磁性ガーネット膜で、たと
えば、GGG(Gd:+Ga50+z)などの非磁性ガ
ーネットからなる基板30の上に液相エピタキシャル法
(LPE法)などにより形成したものである。FIG. 5 is a diagram illustrating another conventional example of an optical isolator using an LPE (FF film), in which 40 is, for example, B
This is a magnetic garnet film such as an i-substituted iron garnet film, and is formed by a liquid phase epitaxial method (LPE method) on a substrate 30 made of non-magnetic garnet such as GGG (Gd:+Ga50+z).
この場合にはファラデー回転係数がYIGより約−桁大
きく、かつ、膜厚はLPE法で薄く良質のものを生成で
きるので、素子の長さ方向の寸法を大幅に小さくする利
点がある。たとえば、第4図のYIGロッドを使う従来
例の外形寸法が、10φ×20mm程度であったのに対
し、第5図のLPE磁性ガーネット使用の場合は10φ
X10mmと長さ方向が半分に小型化されている。In this case, the Faraday rotation coefficient is about an order of magnitude larger than that of YIG, and since a thin film of good quality can be produced by the LPE method, there is an advantage that the lengthwise dimension of the element can be significantly reduced. For example, the external dimensions of the conventional example using the YIG rod shown in Figure 4 were approximately 10φ x 20mm, while the external dimensions of the conventional example using the YIG rod shown in Figure 5 were 10φ.
The size has been reduced in half in the length direction to 10 mm.
〔発明が解決しようとする課題]
しかし、上記の従来例では何れもファラデー回転子とし
ての磁性体を磁気飽和させて使用するために、その周囲
に永久磁石50が必要であり、したがって、光路と直角
方向の寸法を小さくすることには限界があるという問題
があり、その解決が必要となっていた。[Problems to be Solved by the Invention] However, in all of the above conventional examples, in order to use the magnetic material as a Faraday rotator with magnetic saturation, a permanent magnet 50 is required around the magnetic material, and therefore, the optical path and There is a problem in that there is a limit to reducing the dimension in the perpendicular direction, and a solution has been needed.
上記の課題は、偏光面選択方向が互いに45°傾けて配
置された2個の偏光子1および2と、前記2個の偏光子
の間に挿入配置された、一枚の基板3上に形成され安定
な角形磁気特性を有する磁性ガーネット膜4と、前記磁
性ガーネット膜4を囲み、光路を妨げないように配置さ
れた磁気シールドカバー5とを少なくとも備えるように
光アイソレータを構成することにより解決することがで
きる。The above problem is solved by forming two polarizers 1 and 2 whose polarization plane selection directions are arranged at an angle of 45 degrees to each other, and a single substrate 3 which is inserted between the two polarizers. This problem is solved by configuring an optical isolator to include at least a magnetic garnet film 4 having stable square magnetic properties, and a magnetic shield cover 5 surrounding the magnetic garnet film 4 and disposed so as not to obstruct the optical path. be able to.
〔作用]
本発明によれば、ファラデー回転子として作用する磁性
ガーネット膜は、一枚の基板上に安定な角形磁気特性を
有するように形成されているので、永久磁石を必要とせ
ず、したがって、光路と直角方向の寸法を小さくことが
できるのである。[Function] According to the present invention, the magnetic garnet film that acts as a Faraday rotator is formed on a single substrate so as to have stable square magnetic characteristics, so a permanent magnet is not required. This allows the dimension in the direction perpendicular to the optical path to be reduced.
〔実施例]
第1図は本発明の実施例の構成図である。図中、1およ
び2は偏光子で、方解石などの複屈折結晶板や誘電体多
層膜などから構成されており、偏光面選択方向が互いに
45°傾けて配置されている。[Embodiment] FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention. In the figure, reference numerals 1 and 2 denote polarizers, which are made of birefringent crystal plates such as calcite, dielectric multilayer films, etc., and are arranged so that their polarization plane selection directions are inclined at 45 degrees to each other.
11および12は光路窓、10は光アイソレータを保護
するためのパッケージである。11 and 12 are optical path windows, and 10 is a package for protecting the optical isolator.
4はBi置換鉄ガーネット膜で、たとえば(GdCa)
s(GaMgZr) sOl□を基板3として、その
上に(TbBi)+(FeA I Ga) Sol 2
をLPH法で形成したものである。4 is a Bi-substituted iron garnet film, for example (GdCa)
s(GaMgZr) sOl□ as the substrate 3, and (TbBi)+(FeA I Ga) Sol 2 on it
was formed by the LPH method.
5は外部からの磁気擾乱を防止するための磁気シールド
カバーで、厚さ0.2 mmのパーマロイ板をパッケー
ジ10の内側に光路窓11および12を避けて、磁性ガ
ーネット膜4を覆うように設けである。Reference numeral 5 denotes a magnetic shield cover for preventing magnetic disturbance from the outside, and a permalloy plate with a thickness of 0.2 mm is provided inside the package 10 to avoid the optical path windows 11 and 12 and cover the magnetic garnet film 4. It is.
第2図は本発明の磁性ガーネット膜形成を説明する図で
、同図(イ)は上面図、同図(ロ)は側面図である。図
中、6はウェーハ、60は基板ウェーハ、4はファラデ
ー回転子を構成する磁性ガーネット膜、7は溝である。FIG. 2 is a diagram illustrating the formation of a magnetic garnet film according to the present invention, in which (a) is a top view and (b) is a side view. In the figure, 6 is a wafer, 60 is a substrate wafer, 4 is a magnetic garnet film forming a Faraday rotator, and 7 is a groove.
基板ウェーハ60としては直径が75mmφ、厚さ0.
5mmの(GdCa):+ (GaMgZr)so+z
の(111)面を鏡面に研磨加工、洗浄したものを使用
し、pbo系の融液に前記(TbBi) 3 (FeA
I!、Ga) 5012の原料を高温で溶融し、基板
ウェーハを水平に浸漬して回転しながら約20時間液相
成長させ、300μmの厚さの(TbB i) 3 (
FeA 1. Ga) so l 2LPE膜を得た。The substrate wafer 60 has a diameter of 75 mm and a thickness of 0.
5mm (GdCa):+ (GaMgZr)so+z
The (111) plane of (TbBi) 3 (FeA
I! , Ga) 5012 is melted at high temperature, and the substrate wafer is horizontally immersed and rotated for about 20 hours for liquid phase growth to form a 300 μm thick (TbBi) 3 (
FeA 1. A Ga) sol 2LPE membrane was obtained.
このLPE膜の飽和磁化をM、とすると4πMsは約3
00ガウスであった。If the saturation magnetization of this LPE film is M, 4πMs is approximately 3
00 Gauss.
二〇ウェーハ6を回転ダイヤモンドブレード方ッティン
グマシンを用いて、−辺が3mmの正方形の磁性ガーネ
ット膜4が、周辺の磁性膜から分離されるように、磁性
膜の厚さよりも少し深く、中200 μmの溝7を縦横
に形成した。Using a rotating diamond blade cutting machine, the 20 wafer 6 was cut in the center a little deeper than the thickness of the magnetic film so that the square magnetic garnet film 4 with sides of 3 mm was separated from the surrounding magnetic films. Grooves 7 of 200 μm were formed in all directions.
次に、このウェーハを150°Cの燐酸(H3PO4)
の中で約10分間エツチング処理した。Next, this wafer was exposed to phosphoric acid (H3PO4) at 150°C.
The etching process was carried out for about 10 minutes in a vacuum chamber.
最後に溝7の中央で磁性ガーネット膜4の端面を傷付け
ないように、上記溝付は時よりも薄いダイヤモンドブレ
ードで各磁性ガーネット膜4を基板ごと切断してファラ
デー回転子を作成した。Finally, in order not to damage the end face of the magnetic garnet film 4 at the center of the groove 7, each magnetic garnet film 4 was cut along with the substrate using a diamond blade that was thinner than when forming the groove to create a Faraday rotator.
なお、比較試料として燐酸(’H:+PO4)の中でエ
ツチング処理を行なわないで切断した同様の大きさの磁
性ガーネット膜付きのチップを幾つか作成した。As comparative samples, several chips with magnetic garnet films of similar size were cut without etching in phosphoric acid ('H: +PO4).
第3図は本発明実施例の磁性ガーネ・ント膜のヒステレ
シス特性図で、同図(イ)は機械的溝付は加工後の試料
、同図(ロ)は溝付は加工してから燐酸による化学エツ
チングをした後の試料について測定した特性図である。Figure 3 shows the hysteresis characteristics of the magnetic garnet film according to the present invention, in which (a) shows the mechanically grooved sample after processing, and (b) shows the grooved sample after processing using phosphoric acid. FIG. 3 is a characteristic diagram measured for a sample after chemical etching.
なお、測定は通常の振動試料型磁力計を用いて行なった
。Note that the measurement was performed using a normal vibrating sample magnetometer.
同図(イ)かられかるように、この場合にはヒステレシ
ス特性の角形性が悪く、保磁力HCIは約300e(エ
ルステッド)と非常に小さい。したがって、このような
磁性膜では永久磁石を用いて磁化しておかなければ安定
したファラデー回転子として働かすことはできない。As can be seen from the figure (A), in this case, the squareness of the hysteresis characteristic is poor, and the coercive force HCI is very small at about 300e (Oersted). Therefore, such a magnetic film cannot function as a stable Faraday rotator unless it is magnetized using a permanent magnet.
これに対し、同図(ロ)の場合には保磁力H62は約1
8000eと非常に大きく、かつ、角形性が非常に良い
ことがわか°った。On the other hand, in the case of the same figure (b), the coercive force H62 is about 1
It was found that it was very large at 8000e and had very good squareness.
これは磁性ガーネット膜の化学エツチング処理による欠
陥除去作用によって、磁性ガーネット膜のエツジ部での
磁化反転の核発生磁界(HN)が著しく向上することに
よるものである。This is because the nucleation magnetic field (HN) for magnetization reversal at the edge portion of the magnetic garnet film is significantly improved by the defect removal effect of the chemical etching process of the magnetic garnet film.
この試料を使用して第1図に示した構成の光アイソレー
タを製作したところ、外形寸法が直径5mmφ×長さl
om mと従来の場合の172〜1/8と大巾に小型化
することが可能となった。しかも、永久磁石を用いるこ
となしに、従来の光アイソレータと同等あるいはそれ以
上の戻り光阻止性能を有することが確認できた。When we manufactured an optical isolator with the configuration shown in Figure 1 using this sample, the external dimensions were 5 mm in diameter x 1 in length.
It has become possible to significantly reduce the size to 172 to 1/8 of the conventional case. Moreover, it was confirmed that the optical isolator had a return light blocking performance equivalent to or better than that of conventional optical isolators without using a permanent magnet.
また、永久磁石を使用せず受光面の制約も少ないので、
光軸調整が容易となり従来の数分の1以下の時間で行な
うことが可能となった。In addition, since no permanent magnets are used and there are fewer restrictions on the light receiving surface,
Optical axis adjustment has become easier and can be done in less than a fraction of the time compared to conventional methods.
なお、本発明は上記の実施例の基板組成、磁性膜組成、
磁性膜形成方法、溝付は加工法、化学エツチング方法な
どに限定されるものではでく、他の類似の基vi、M成
、磁性膜組成、VA性膜形成方法。Note that the present invention applies to the substrate composition, magnetic film composition,
The magnetic film forming method and groove formation are not limited to processing methods, chemical etching methods, etc., and other similar groups VI, M composition, magnetic film composition, and VA film forming methods may be used.
溝付は加工法、化学エツチング方法などを必要に応じて
、適宜選択して使用してもよいことは言うまでもない。It goes without saying that the grooves may be formed by appropriately selecting processing methods, chemical etching methods, etc. as necessary.
以上説明したように、本発明によれば、非磁性ガーネッ
ト基板上にLPE法でBi置換磁性ガーネット膜を形成
し、機械的な溝付は加工ののち化学的エツチングを行な
うことにより、保磁力が大きく、かつ、ヒステレシス特
性における角形性が非常によいファラデー回転子が得ら
れ、したがって、永久磁石が不要となるので、外形寸法
が極めて小さくなり、しかも、光軸調整が容易となるの
で、光アイソレータの性能向上1価格低下に寄与すると
ころが極めて大きい。As explained above, according to the present invention, a Bi-substituted magnetic garnet film is formed on a non-magnetic garnet substrate by the LPE method, and the coercive force is increased by mechanically grooving and chemical etching after processing. A Faraday rotator that is large and has very good squareness in terms of hysteresis characteristics can be obtained.Therefore, there is no need for permanent magnets, the external dimensions are extremely small, and the optical axis can be easily adjusted, making it suitable for optical isolators. The performance improvement 1 contributes to the price reduction extremely.
第1図は本発明の実施例の構成図、
第2図は本発明の磁性ガーネット膜形成を説明する図、
第3図は本発明実施例の磁性ガーネット膜のヒステレシ
ス特性図、
第4図はYIGロッドを使った光アイソレータの従来例
を説明する図、
第5図はLPB磁性ガーネット膜を使った光アイソレー
タの他の従来例を説明する図、
図において、
1および2は偏光子、
3は基板、
4は磁性ガーネット膜、
5は磁気シールドカバー、
6はウェーハ、
7は溝である。
℃
3fシ イ (ffiゴ
% 2 l
(イ)a柑的溝付は加工懐
(0)溝付は加ニー化掌工、+ン7漬
杢τ明実弗伊1の碑性ガーネヤト膜のヒステしシス特J
H図第3 図
(イ)a 成゛ 図FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram explaining the formation of a magnetic garnet film of the present invention, FIG. 3 is a hysteresis characteristic diagram of a magnetic garnet film of an embodiment of the present invention, and FIG. Figure 5 is a diagram explaining a conventional example of an optical isolator using a YIG rod. Figure 5 is a diagram explaining another conventional example of an optical isolator using an LPB magnetic garnet film. In the figures, 1 and 2 are polarizers, and 3 is a polarizer. A substrate, 4 a magnetic garnet film, 5 a magnetic shield cover, 6 a wafer, and 7 a groove. ℃ 3fshi (ffigo% 2l) (a) The grooved grooves are processed. Shisis Special J
Figure HFigure 3 (A)a Growth diagram
Claims (1)
偏光子(1、2)と、 前記2個の偏光子(1、2)の間に挿入配置された、一
枚の基板(3)上に形成され安定な角形磁気特性を有す
る磁性ガーネット膜(4)と、 前記磁性ガーネット膜(4)を囲み、光路を妨げないよ
うに配置された磁気シールドカバー(5)とを少なくと
も備えたことを特徴とする光アイソレータ。[Scope of Claims] Two polarizers (1, 2) whose polarization plane selection directions are arranged at an angle of 45 degrees to each other, and a polarizer (1, 2) inserted between the two polarizers (1, 2), A magnetic garnet film (4) formed on a single substrate (3) and having stable square magnetic properties, and a magnetic shield cover (5) surrounding the magnetic garnet film (4) and arranged so as not to obstruct the optical path. ).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12751389A JPH02306215A (en) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | Optical isolator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12751389A JPH02306215A (en) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | Optical isolator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306215A true JPH02306215A (en) | 1990-12-19 |
Family
ID=14961863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12751389A Pending JPH02306215A (en) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | Optical isolator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306215A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009025166A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Schäfter + Kirchhoff GmbH | Laser diode beam source |
-
1989
- 1989-05-20 JP JP12751389A patent/JPH02306215A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009025166A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Schäfter + Kirchhoff GmbH | Laser diode beam source |
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