JPH0281111A - Power supply circuit for memory card - Google Patents
Power supply circuit for memory cardInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は所持、携帯形のメモリカードにおける電源回路
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a power supply circuit for a portable memory card.
第5図は従来におけるメモリカードの電源回路図であり
、図中1はメモリカードの本体である記憶回路を構成す
るスタティックRAM(Ramdom AccessM
esory) 、2はメモリカードに内蔵される電池を
示している。FIG. 5 is a power supply circuit diagram of a conventional memory card. In the figure, 1 is a static RAM (Ramdom Access M
esory), 2 indicates a battery built into the memory card.
スタティックRAM 1はアドレスバスla、コント
ロールバス1b、データバス1cを介して端末機とイン
タフェースされるようになっている。スタティックRA
M 1は逆電流防止ダイオード3を介在させて外部電源
である端末機の電源側に接続される給電線4に、また直
列ダイオード5、制限抵抗6を介在させて電池ホルダ内
の電池2に接続されるようになっている。7はモニタ用
砥抗、8は電池2のモニタ用信号線である。Static RAM 1 is interfaced with a terminal via address bus la, control bus 1b, and data bus 1c. static RA
M1 is connected to a power supply line 4 connected to the power supply side of the terminal, which is an external power source, through a reverse current prevention diode 3, and to a battery 2 in the battery holder through a series diode 5 and a limiting resistor 6. It is now possible to do so. 7 is a monitoring grinder, and 8 is a signal line for monitoring the battery 2.
而していまメモリカードが端末機に実装されていないと
き、換言すれば所持、携帯時には電池2から制限抵抗6
、直列ダイオード5を通じてスタティックRAM 1
に給電され、また端末機にメモリカードが実装されてい
るときには給電線4が端末機lの電源側に接続され、逆
電流防止ダイオード3を通じてスタティックRAM
1に給電され、夫々スタティックRAM 1の記憶デー
タが維持されるようになっている。電池2の電圧低下の
有無はメモリカードを端末機に実装した状態において、
モニタ用抵抗7、モニタ用信号線8を通じて端末機によ
り検出される。Now, when the memory card is not installed in the terminal device, in other words, when the memory card is carried or carried, the battery 2 to the limiting resistor 6 is used.
, static RAM 1 through series diode 5
When a memory card is installed in the terminal, the power supply line 4 is connected to the power supply side of the terminal, and the static RAM is connected through the reverse current prevention diode 3.
1, and the data stored in the static RAM 1 is maintained. To check if there is a voltage drop in battery 2, check if the memory card is installed in the terminal.
It is detected by the terminal device through the monitor resistor 7 and the monitor signal line 8.
ところで、スタティックRAM 1は第5図では1個の
場合を示しているが、メモリカードは大容量化が進めら
れており、複数個のスタティックRAM1を実装するの
が普通である。Incidentally, although FIG. 5 shows the case where there is only one static RAM 1, memory cards are becoming larger in capacity, and it is common to have a plurality of static RAMs 1 installed.
このような場合、スタティックRA?11個当たりのス
タンドバイ電流は通常電圧3■、温度50℃において約
6μA〜10μAであるから、例えば16個のスタティ
ックRAMを実装した場合にはスタンドバイ電流として
96〜160 μへ必要となる。In such a case, static RA? Since the standby current per 11 RAMs is normally about 6 μA to 10 μA at a voltage of 3 μ and a temperature of 50° C., for example, when 16 static RAMs are mounted, a standby current of 96 to 160 μ is required.
しかし、メモリカードは名刺サイズの薄形パンケージ構
造となっているため内蔵電池の容量には限界があり、実
装可能性からみた容量は165mA程度である。従って
電池寿命は165■AH/96μ^= 1718時間#
0.2年程度となり、極めて短い。However, since the memory card has a thin pancake structure that is the size of a business card, there is a limit to the capacity of the built-in battery, and the capacity from the viewpoint of mounting possibility is about 165 mA. Therefore, the battery life is 165■AH/96μ^= 1718 hours#
It is about 0.2 years, which is extremely short.
そこで比較的穎繁な電池交換が予測されることから、こ
の対策として従来第6図に示す如きメモリカードの電源
回路が提案されている。Since battery replacement is expected to be relatively frequent, a memory card power supply circuit as shown in FIG. 6 has been proposed as a countermeasure.
第6図は従来におけるメモリカードの他の電源回路図で
あり、本来の電池2の他に補助電池30を備えている。FIG. 6 is another power supply circuit diagram of a conventional memory card, which includes an auxiliary battery 30 in addition to the original battery 2.
この電池(以下主電池という)2と補助電池30とは切
替スイッチ31を介して選択的にスタティックl?AM
1に接続されるようになっている。他の構成は第5図
に示した電源回路と実質的に同じであり、対応する部分
には同じ番号を付しである。This battery (hereinafter referred to as the main battery) 2 and the auxiliary battery 30 can be selectively switched into a static mode via a changeover switch 31. A.M.
It is designed to be connected to 1. The other configurations are substantially the same as the power supply circuit shown in FIG. 5, and corresponding parts are given the same numbers.
而してこのような従来の電源回路にあってはモニタ用抵
抗7.モニタ用信号線8を通じて端末機で電池2の出力
をチエツクし、主電池2の電圧が低下し、交換が必要と
されるに至ると、切替スイッチ31を補助電池30側に
切り替えて補助電池・30からスタティックRAM 1
への給電を行わせ、この間に主電源2の交換を行い、交
換が終了すると再び切替スイッチ31を主電池2側に切
り替えて給電を行わせる。However, in such a conventional power supply circuit, the monitor resistor 7. The output of the battery 2 is checked on the terminal device through the monitor signal line 8, and when the voltage of the main battery 2 drops and replacement is required, the selector switch 31 is switched to the auxiliary battery 30 side. 30 to static RAM 1
During this time, the main power source 2 is replaced, and when the replacement is completed, the selector switch 31 is switched to the main battery 2 side again to supply power.
ところでこのような従来の電源回路にあっては、いずれ
の場合も大きいスタンドバイ電流に起因して電池寿命の
短命さをカバーするため長期にわたる流通販売過程、或
いは長期保存時等にあっては電池2を取り外しておくこ
とを余儀なくされており、このための電池管理上の煩わ
しさが大きいという問題があった。By the way, in such conventional power supply circuits, in order to compensate for the short battery life due to the large standby current, the battery is not used during the long distribution and sales process or during long-term storage. 2 has to be removed, which poses a problem in that battery management is very troublesome.
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところはメモリカードの出荷時にこれに対す
る電池の実装が可能であり、しかも、電池の実質的な消
耗を生じないようにしたメモリカードの電源回路を提供
するにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a memory card that allows a battery to be mounted on the memory card at the time of shipment, and that does not cause substantial battery consumption. It is there to provide the card's power circuit.
本発明に係るメモリカードの電源回路は、内蔵電池と記
憶回路との間に介在させた第1の半導体スイッチと、該
第1の半導体スイッチの制御端子と前記電池との間に介
在させた第2の半導体スイッチと、外部電源が接続され
たことを表す信号、又は前記第2の半導体スイッチを経
た前記電池の出力信号を前記第2の半導体スイッチの制
御端子に与える手段とを具備する。A power supply circuit for a memory card according to the present invention includes a first semiconductor switch interposed between a built-in battery and a storage circuit, and a second semiconductor switch interposed between a control terminal of the first semiconductor switch and the battery. 2 semiconductor switches, and means for applying a signal indicating that an external power source is connected or an output signal of the battery via the second semiconductor switch to a control terminal of the second semiconductor switch.
本発明にあってはこれによって電池を実装した状態で出
荷することが可能となり、しかも単に実装しただけでは
電池に実質的な消耗が生じず、電池管理が容易となる。According to the present invention, it is possible to ship the battery in a mounted state, and the battery is not substantially consumed just by being mounted, and battery management becomes easy.
以下本発明に係るメモリカードの電源回路につき図面に
基づき具体的に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The power supply circuit of a memory card according to the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
第1図は本発明に係るメモリカードの電源回路図であり
、図中1はメモリカードの本体である記憶回路を構成す
るスタティックRAM 、2はメモリカードに内蔵され
る電池、3は逆電流防止ダイオード、4は給電線、5は
直列ダイオード、6は制限抵抗を示している。FIG. 1 is a power supply circuit diagram of a memory card according to the present invention, in which 1 is a static RAM that constitutes the memory circuit that is the main body of the memory card, 2 is a battery built into the memory card, and 3 is a reverse current prevention A diode, 4 is a power supply line, 5 is a series diode, and 6 is a limiting resistor.
スタティックRAM 1はメモリカードが端末機に実装
された状態においてはアドレスバスlasコントロール
バスlb、データバス1cを介して端末機とインタフェ
ースされ、これに対する書込み、或いはこれからの読み
出しが行われるようになっている。また、このときは給
電線4が外部電源である端末機の電源側に接続され、逆
電流防止ダイオード3を介在させた給電線4を通じてス
タティックRAM 1に給電される。Static RAM 1 is interfaced with the terminal via the address bus LAS control bus lb and data bus 1c when the memory card is installed in the terminal, and writing to or reading from it is performed. There is. Also, at this time, the power supply line 4 is connected to the power supply side of the terminal, which is an external power supply, and power is supplied to the static RAM 1 through the power supply line 4 with the reverse current prevention diode 3 interposed therebetween.
一方メモリカードの電池ボックスに実装されている電池
2は回路10に接続される外、制限抵抗6、回路10に
おける第1の半導体スイッチ11、直列ダイオード5を
介在させてスタティックRAM 1に接続されており、
第1の半導体スイッチ11が閉状態になると電池2から
スタティックRAM 1に給電が行われる。第1の半導
体スイッチ11の開、閉制御を行う制御端子11aは途
中に回路10における第2の半導体スイッチ12を介在
させて電池2に接続されており、第2の半導体スイッチ
12が閉状態になると電池2の出力によって第1の半導
体スイッチ11における制御端子11aにハイレベル信
号が入力され、第1の半導体スイッチ11を閉状態とす
るようになっている。On the other hand, the battery 2 mounted in the battery box of the memory card is not only connected to the circuit 10 but also connected to the static RAM 1 via a limiting resistor 6, a first semiconductor switch 11 in the circuit 10, and a series diode 5. Ori,
When the first semiconductor switch 11 is closed, power is supplied from the battery 2 to the static RAM 1. A control terminal 11a that controls opening and closing of the first semiconductor switch 11 is connected to the battery 2 through a second semiconductor switch 12 in the circuit 10, and the second semiconductor switch 12 is in a closed state. Then, a high level signal is inputted to the control terminal 11a of the first semiconductor switch 11 by the output of the battery 2, and the first semiconductor switch 11 is closed.
第2の半導体スイッチ12を開、閉制御する制御端子1
2aには2人力のオア回路13の出力端が接続されてお
り、オア回路13からのオア出力が入力されると第2の
半導体スイッチ12が閉状態となるようになっている。Control terminal 1 that controls opening and closing of the second semiconductor switch 12
The output end of a two-man OR circuit 13 is connected to 2a, and when the OR output from the OR circuit 13 is input, the second semiconductor switch 12 is closed.
第1.第2の半導体スイッチ11.12はいずれもそれ
自体の構成は実質的に同じであり、その等価回路は例え
ば第2図に示す如くである。1st. The second semiconductor switches 11 and 12 have substantially the same configuration, and their equivalent circuits are as shown in FIG. 2, for example.
オア回路13の一方の入力端は第2の半導体スイッチ1
2を介在させて電池2に接続されており、また他方の入
力端は分電用抵抗15を介在させて給電線4に接続され
ると共に、分電用抵抗16を介して接地されており、電
池2の出力又はメモリカードが端末機にセントされて給
電線4が端末機側の電源に接続されたとき、分電用抵抗
15.16で分電された電圧が外部電源オンの信号とし
て入力されるようになっている。One input terminal of the OR circuit 13 is connected to the second semiconductor switch 1
2, and the other input end is connected to the power supply line 4 via a distribution resistor 15, and is grounded via a distribution resistor 16. When the output of the battery 2 or the memory card is sent to the terminal and the power supply line 4 is connected to the terminal's power supply, the voltage divided by the distribution resistors 15 and 16 is input as an external power-on signal. It is now possible to do so.
その他7はモニタ用抵抗、8はモニタ用信号線、9は電
池2と接地電極との間に介在させたコンデンサ、17は
プルダウン抵抗である。In addition, 7 is a monitor resistor, 8 is a monitor signal line, 9 is a capacitor interposed between the battery 2 and the ground electrode, and 17 is a pull-down resistor.
而して、このような本発明のメモリカードの電源回路に
あってはメモリカードの製造後、出荷に先立ってメモリ
カードの電池ボックスに電池2が実装される。電池2が
実装されても回路10における2人力のオア回路13に
おける両入力端には信号の入力はなく、第1.第2半導
体スイッチ11.12は開のままであり、電池2の消耗
はコンデンサ9、回路10にのみ限られる。回路lOの
如く比較的チップ数が少ないCMOSプロセス構造、又
はゲートアレイで構成されている場合、これらの消費電
流は6μAよりも著しく小さく、輸送、販売系統で長期
にわたって保存状態が維持されても電池2の消耗は無視
出来る程度である。In the memory card power supply circuit of the present invention, the battery 2 is mounted in the battery box of the memory card after the memory card is manufactured and prior to shipping. Even if the battery 2 is mounted, there is no signal input to both input terminals of the two-man OR circuit 13 in the circuit 10, and the first. The second semiconductor switch 11,12 remains open and the drain on the battery 2 is limited to the capacitor 9, the circuit 10 only. In the case of a CMOS process structure with a relatively small number of chips, such as a circuit IO, or a gate array, the current consumption is significantly less than 6 μA, and even if the battery is stored for a long time in the transportation and sales system, The consumption of 2 is negligible.
そしてメモリカードが端末機にセットされると、初めて
端末機の電源側から給電線4、分電用抵抗15を通じて
オア回路13の入力端に外部電源オン信号が入力され、
オア回路13から制御端子12aにオア信号が出力され
て第2の半導体スイッチ12が閉状態となる。これによ
って電池2から第1の半導体スイッチ11の制御端子1
1a、及びオア回路13の−の入力端に電池2の出力信
号が入力され、第1゜第2の半導体スイッチ11.12
が閉状態に自己保持されると共に、第1の半導体スイッ
チ11が閉状態となり、電池2から制限抵抗6、第1の
半導体スイッチ11、直列ダイオード5を峰でスタティ
ックRAM 1に給電が行われる。When the memory card is set in the terminal, an external power-on signal is first input from the power supply side of the terminal to the input terminal of the OR circuit 13 through the power supply line 4 and the distribution resistor 15.
An OR signal is output from the OR circuit 13 to the control terminal 12a, and the second semiconductor switch 12 is closed. This causes the battery 2 to connect to the control terminal 1 of the first semiconductor switch 11.
1a and the negative input terminal of the OR circuit 13, the output signal of the battery 2 is inputted to the first and second semiconductor switches 11 and 12.
is self-maintained in a closed state, the first semiconductor switch 11 is closed, and power is supplied from the battery 2 to the static RAM 1 through the limiting resistor 6, the first semiconductor switch 11, and the series diode 5.
ただこの状態では端末機側から逆電流防止ダイオード3
を経て電池2の出力電圧よりも高い電圧がスタティック
RAM l側に俤給されているため、電池2は実質的
に消耗されることはない。However, in this state, reverse current prevention diode 3 is connected from the terminal side.
Since a voltage higher than the output voltage of the battery 2 is supplied to the static RAM l side through the battery 2, the battery 2 is not substantially consumed.
また端末機とスタティックRAM 1との間はアドレス
バスla、コントロールバスlb及びデータノくスlc
を通じてデータの読み出し、書き込み動作が行われる。Also, between the terminal device and static RAM 1, there is an address bus la, a control bus lb, and a data node lc.
Data read and write operations are performed through this.
更に、電池2の消耗はメモリカードを端末機にセントし
たときモニタ用抵抗7、モニタ用信号線8を通じて端末
機によりモニタされる。Further, the consumption of the battery 2 is monitored by the terminal device through the monitoring resistor 7 and the monitoring signal line 8 when the memory card is inserted into the terminal device.
その後メモリカードを端末機から抜き出してメモリカー
ドを所持、携帯している状態においても、第1.第2の
半導体スイッチ比12は自己保持された状態に維持され
ているから、電池2から制限抵抗6、第1の半導体スイ
ッチ11、直列ダイオード5を通じてスタティックRA
M 1に対する給電が維持され、記憶データは保存され
、この状態は電池2が取り外されない限り持続される。After that, even if the memory card is removed from the terminal and the memory card is in the user's possession or carried, the first . Since the second semiconductor switch ratio 12 is maintained in a self-maintained state, the static RA is connected from the battery 2 through the limiting resistor 6, the first semiconductor switch 11, and the series diode 5.
The power supply to M 1 is maintained, the stored data is saved, and this state lasts as long as the battery 2 is not removed.
なおプルダウン抵抗17は回路10がCMOSIC、ゲ
ートアレイ構造であるためその値を大きくすることが出
来、通常は
電池2の電圧/プルダウン抵抗17の値く〈スタティッ
クRAM 1の消耗電流
になるよう設定される。Note that the pull-down resistor 17 can have a large value because the circuit 10 has a CMOSIC gate array structure, and is usually set so that the voltage of the battery 2/the value of the pull-down resistor 17 becomes the consumption current of the static RAM 1. Ru.
このような実施例にあっては電池をメモリカードに実装
した状態で流通販売過程、輸送過程等における長期の保
存が可能となり、従来の如く電池を外した状態での輸送
、保存の必要がなく電池の紛失等の電池管理の煩わしさ
が解消される。In such an embodiment, it is possible to store the battery mounted on the memory card for a long period of time during the distribution and sales process, transportation process, etc., and there is no need to transport or store the battery with the battery removed, as was the case in the past. The trouble of battery management such as loss of batteries is eliminated.
また上述の実施例では回路10内にオア回路13を配し
た構成を示したが、これを外部に配して市販のCMOS
ICを用いて構成してもよい。更に逆電流防止ダイオー
ド3、スタティックRAM 1及びアドレスバス1a+
コントロールバスlb、データバスlc等については
従来知られている同様の機能を有する構造のものを用い
てよいことは勿論である。Furthermore, although the above-described embodiment shows a configuration in which the OR circuit 13 is arranged within the circuit 10, it is possible to arrange this outside and use a commercially available CMOS.
It may also be configured using an IC. Furthermore, reverse current prevention diode 3, static RAM 1 and address bus 1a+
Of course, for the control bus lb, data bus lc, etc., conventionally known structures having similar functions may be used.
第3図は本発明の他の実施例を示すメモリカードの電源
回路図であり、この実施例では補助電池30を備えてお
り、所定のタイミングで電池2 (以下主電池という)
と切り替えられるようになっている。切替回路20は第
1図に示す実施例と同じ第1、第2半導体スイッチ11
.12の外に、第3.第4、第5の半導体スイッチ23
.24.25.3人力のオア回路26.2人力のアンド
回路27及び反転回路28を備えている。FIG. 3 is a power supply circuit diagram of a memory card showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, an auxiliary battery 30 is provided, and a battery 2 (hereinafter referred to as the main battery) is activated at a predetermined timing.
It is now possible to switch between The switching circuit 20 has the same first and second semiconductor switches 11 as in the embodiment shown in FIG.
.. In addition to 12, the 3rd. Fourth and fifth semiconductor switches 23
.. 24.25.3 A human-powered OR circuit 26.2 A human-powered AND circuit 27 and an inversion circuit 28 are provided.
補助電池30の正極側は2分岐されて一方は制限抵抗3
6、第3の半導体スイッチ23、直列ダイオード35を
途中に介在させてスタティックRAM 1に接続され、
また他方は更に2分岐されて、その一方は第4の半導体
スイッチ24を介在させて切替回路20に接続され、他
方は直列抵抗37、第5の半導体スイッチ25を介在さ
せて2人力のアンド回路27の一方の入力端に接続され
ると共に、途中更に分岐して夫々蓄電コンデンサ38、
放電抵抗39を介在させて並列的に接地されている。The positive electrode side of the auxiliary battery 30 is branched into two branches, one of which is connected to the limiting resistor 3.
6, connected to the static RAM 1 with a third semiconductor switch 23 and a series diode 35 interposed therebetween;
The other branch is further branched into two, one of which is connected to the switching circuit 20 through a fourth semiconductor switch 24, and the other is connected to a two-man AND circuit through a series resistor 37 and a fifth semiconductor switch 25. 27, and further branches along the way to power storage capacitors 38 and 27, respectively.
They are grounded in parallel with a discharge resistor 39 interposed therebetween.
各節3.4.5の半導体スイッチ23.24.25を開
。Open semiconductor switch 23.24.25 in each section 3.4.5.
閉制御する制御端子23a、24a、25aは相互に接
続されると共に、反転回路28を介在させて主電池2の
正極側に接続されている。主電池2の出力が所定値以下
に低下すると反転回路28からハイレベルの信号が第3
.4.5の半導体スイッチ23.24.25の制御端子
23a、24a、25aに出力され、各半導体スイッチ
23,24.25を閉状態とする。The control terminals 23a, 24a, and 25a for controlling closing are connected to each other and to the positive electrode side of the main battery 2 with an inverting circuit 28 interposed therebetween. When the output of the main battery 2 drops below a predetermined value, a high level signal is output from the inverting circuit 28 to the third
.. The signal is output to the control terminals 23a, 24a, and 25a of the semiconductor switches 23, 24, and 25 of No. 4.5, thereby closing each of the semiconductor switches 23, 24, and 25.
アンド回路27の他方の入力端は主電池2の正極側に接
続されており、またその出力端は3人力のオア回路26
の−の入力端に接続されている。前記オア回路26の他
の2つの入力端には第3図に示した実施例と同様にメモ
リカードを端末機にセットしたとき、その電源に繋がる
給電線4及び第2の半導体スイッチ12を介在させて主
電池2の正極側に夫々接続されている。The other input terminal of the AND circuit 27 is connected to the positive electrode side of the main battery 2, and its output terminal is connected to the three-person OR circuit 26.
It is connected to the - input terminal of. The other two input terminals of the OR circuit 26 are connected to a power supply line 4 and a second semiconductor switch 12, which are connected to the power supply when the memory card is set in the terminal, as in the embodiment shown in FIG. and are respectively connected to the positive electrode side of the main battery 2.
他の構成は第1図に示した実施例と略同じであり、対応
する部分には同じ番号を付して説明を省略する。The other configurations are substantially the same as those of the embodiment shown in FIG. 1, and corresponding parts are given the same numbers and explanations will be omitted.
而してこのような実施例にあっては第1図に示す実施例
と同様にメモリカードの製造後、主電池2、更に必要が
あれば補助電池30も夫々実装される。このときの主電
池2の消耗は切替回路20及びプルダウン抵抗17を通
じてのみに限られ、電池寿命に比べて極めて小さく無視
できる。また補助電池30については第3.4.5の半
導体スイッチ23゜24.25のいずれもが開状態とな
っており、実質的な消耗はない。In this embodiment, similarly to the embodiment shown in FIG. 1, after the memory card is manufactured, the main battery 2 and, if necessary, the auxiliary battery 30 are mounted, respectively. The consumption of the main battery 2 at this time is limited to only through the switching circuit 20 and the pull-down resistor 17, and is extremely small compared to the battery life and can be ignored. Regarding the auxiliary battery 30, all of the third, fourth, and fifth semiconductor switches 23, 24, and 25 are in the open state, and there is no substantial consumption.
メモリカードを端末機にセットして給電NlA4が端末
機の電源側に接続されると、電源オン信号が3人力のオ
ア回路26に入力され、第1.2の半導体スイッチ11
.12が閉状態となり、その後はメモリカードを端末機
から抜き出したときも第1.2の半導体スイッチ11.
12は閉状態に自己保持されて主電池2の出力がスタテ
ィックRAM 1に供給され、スタティックRAM l
の記憶データはそのまま保持される。When the memory card is set in the terminal and the power supply NlA 4 is connected to the power supply side of the terminal, a power-on signal is input to the three-man OR circuit 26, and the first and second semiconductor switches 11
.. 12 is in the closed state, and thereafter, even when the memory card is removed from the terminal, the first and second semiconductor switches 11.
12 is self-maintained in the closed state, and the output of the main battery 2 is supplied to the static RAM 1.
The stored data is retained as is.
そして、モニタ用抵抗7、モニタ用信号線8を介して端
末機により主電池2の出力が交換を要する程度に低下し
ていると判断されたときは、メモリカードを端末機から
抜き出して主電池2を取り外す。主電池2を取り外すと
、主電池2からの出力はローレベル(OV)になり、オ
ア回路26への入力は全てローレベルとなり、第1.2
の半導体スイッチ11.12は開状態となるが、同時に
、反転回路28からはハイレベルの信号が第3.4.5
の半導体スイッチ23,24.25の制御端子23a、
24a、25aに出力されてこれらが閉状態となり、補
助電池30の出力が制限抵抗36、直列ダイオード35
を通じてスタティックRAM 1に供給され、記憶デー
タが保持される外、第4の半導体スイッチ24を通じて
切替回路20に供給され、更に第5の半導体スイッチ2
5を通じてアンド回路27の一方の入力端にハイレベル
の信号が入力される。When the terminal determines via the monitor resistor 7 and the monitor signal line 8 that the output of the main battery 2 has decreased to the extent that it requires replacement, the memory card is removed from the terminal and the main battery is replaced. Remove 2. When the main battery 2 is removed, the output from the main battery 2 becomes low level (OV), all inputs to the OR circuit 26 become low level, and the 1.2
The semiconductor switches 11 and 12 are in the open state, but at the same time, a high level signal is sent from the inverting circuit 28 to the
control terminals 23a of semiconductor switches 23, 24, 25,
24a and 25a, these become closed, and the output of the auxiliary battery 30 is connected to the limiting resistor 36 and the series diode 35.
In addition to being supplied to the static RAM 1 through the fourth semiconductor switch 24 and holding the stored data, it is supplied to the switching circuit 20 through the fourth semiconductor switch 24, and further to the fifth semiconductor switch 2.
A high level signal is input to one input terminal of the AND circuit 27 through the input terminal 5.
主電池2を取り外すと、切替回路20に対する電圧は抵
抗50の値、及びコンデンサ9の時定数で降下するが、
抵抗50の作用、並びにコンデンサ9及び直列ダイオー
ド5からスタティックRAM 1までの間に介在させた
コンデンサ(図示せず)を通常数μF〜数10μFの容
量に設定されていることから時定数は一般的に100m
5以上あり、電圧がスタティックRAM 1の記憶デー
タ維持のための最小電圧まで降下する時間よりも十分長
く、しかも第3゜4.5の半導体スイッチ23.24.
25の動作速度は数Ionsと非常に高速であるから、
主電池2から補助電池30への切換え動作時に記憶デー
タが消滅することはない。When the main battery 2 is removed, the voltage applied to the switching circuit 20 will drop depending on the value of the resistor 50 and the time constant of the capacitor 9.
The time constant is generally determined by the action of the resistor 50 and because the capacitor (not shown) interposed between the capacitor 9 and the series diode 5 and the static RAM 1 is usually set to a capacitance of several μF to several tens of μF. 100m to
5 or more, which is sufficiently longer than the time required for the voltage to drop to the minimum voltage for maintaining the stored data in the static RAM 1, and in addition, the third semiconductor switch 23.24.
Since the operating speed of 25 is very high, several Ions,
The stored data will not disappear during the switching operation from the main battery 2 to the auxiliary battery 30.
そして主電池2が新しい電池と交換されると、主電池2
からアンド回路27の−の入力端にハイレベルの信号が
入力され、アンド回路27からオア回路26にハイレベ
ルの信号が出力され、再び第1゜第2の半導体スイッチ
11.12は閉状態に、またこれと同時的に反転回路2
8からローレベルの信号が第3.4.5の半導体スイッ
チ23,24.25の制′4n端子に出力され、第3.
4.5の半導体スイッチ23゜24 、25は開状態と
なり、補助電池30に代わって再び主電池2からの給電
が行われる。Then, when the main battery 2 is replaced with a new battery, the main battery 2
A high-level signal is input from the AND circuit 27 to the negative input terminal of the AND circuit 27, and a high-level signal is output from the AND circuit 27 to the OR circuit 26, and the first and second semiconductor switches 11 and 12 are closed again. , and at the same time, the inverting circuit 2
A low level signal is output from the 3rd.
4.5 semiconductor switches 23, 24 and 25 are opened, and power is again supplied from the main battery 2 instead of the auxiliary battery 30.
このときの切り換え時も第3.4.5の半導体スイッチ
23.24.25は数10nsで開状態となるが、この
ときは蓄電コンデンサ38、放電抵抗39の時定数をこ
れよりも高く維持しておくことによりスタティックRA
M 1の記憶データを維持し得る。During switching at this time, the 3.4.5 semiconductor switches 23, 24, and 25 are opened in several tens of ns, but at this time, the time constants of the storage capacitor 38 and the discharge resistor 39 are maintained higher than this. Static RA by keeping
M 1 may maintain stored data.
なお上述の実施例では3人力のす子回路26.2人力の
アンド回路27、反転回路28は切替回路20内に配し
た構成とした場合につき説明したが、切替回路20の外
部に配し、市販のCMO5IC等にて構成することとし
てもよい。In the above-described embodiment, the three-man powered child circuit 26, the two-man powered AND circuit 27, and the inverting circuit 28 are arranged inside the switching circuit 20, but it is also possible to arrange them outside the switching circuit 20. It may be constructed from a commercially available CMO5IC or the like.
このような実施例にあっては主電池の交換を何らの不都
合なく、容易に行い得る効果が得られる。In this embodiment, the main battery can be easily replaced without any inconvenience.
第4図は本発明の更に他の実施例を示す電気回路図であ
り、この実施例にあっては主電池2の出力が所定値に迄
降下すると自動的に補助電池30に切換えてスタティッ
クRAM 1への給電を維持するよう構成されており、
そのため主電池2の出力を監視するコンパレータ41を
備えている。FIG. 4 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. In this embodiment, when the output of the main battery 2 drops to a predetermined value, the auxiliary battery 30 is automatically switched to the static RAM. It is configured to maintain power supply to 1,
Therefore, a comparator 41 for monitoring the output of the main battery 2 is provided.
コンパレータ41の一方の入力端は主電池2の正極側に
接続され、また他方の入力端は基準電圧設定抵抗42.
43に接続されている。そしてコンパレータ41の出力
端は2分岐されて一方は切替回路40における反転回路
28に、また他方は同じく2人力のアンド回路27の−
の入力端に夫々接続されている。One input terminal of the comparator 41 is connected to the positive electrode side of the main battery 2, and the other input terminal is connected to the reference voltage setting resistor 42.
43. The output terminal of the comparator 41 is branched into two, one being connected to the inverting circuit 28 in the switching circuit 40, and the other being connected to the -
are connected to the input terminals of each.
44は発光ダイオード、45は制限抵抗であり、直列に
接続されてコンパレータ41の出力端と給電線4との間
に接続されており、主電池2の出力が交換を必要とする
値まで低下している状態、即ち補助電池30からの給電
が行われているときは、メモリカードを端末機にセット
すると給電線4からの給電によって発光ダイオード44
が点灯して警告を発し、主電池2の交換を促すようにな
っている。44 is a light emitting diode, and 45 is a limiting resistor, which are connected in series between the output terminal of the comparator 41 and the power supply line 4, so that the output of the main battery 2 decreases to a value that requires replacement. In this state, that is, when power is being supplied from the auxiliary battery 30, when a memory card is set in the terminal, the light emitting diode 44 is powered by power from the power supply line 4.
lights up to issue a warning and prompt the replacement of the main battery 2.
46.47は切替回路40に設けた第6.7の半導体ス
イッチであり、第6の半導体スイッチ46は主電池動作
モニタ信号線53に、また第7の半導体スイッチ47は
補助電池動作モニタ信号線54中に夫々介在されている
。第6の半導体スイッチ46を開。46 and 47 are 6.7 semiconductor switches provided in the switching circuit 40, the 6th semiconductor switch 46 is connected to the main battery operation monitor signal line 53, and the 7th semiconductor switch 47 is connected to the auxiliary battery operation monitor signal line. 54 respectively. Open the sixth semiconductor switch 46.
閉制御する制御端子46aは第2の半導体スイッチ12
を介して主電池2に対し、第1の半導体スイッチ11の
制御端子11aと並列に接続され、また第7の半導体ス
イッチ47を開閉制御する制御端子47aは反転回路2
8を介して、第3.4.5の半導体スイッチ23,24
.25の各制御端子23a 、 24a 、 25aと
共ににコンパレータ41の出力端に接続されている。The control terminal 46a for controlling closing is connected to the second semiconductor switch 12.
The control terminal 47a which controls opening and closing of the seventh semiconductor switch 47 is connected in parallel to the control terminal 11a of the first semiconductor switch 11 to the main battery 2 via the inverting circuit 2.
8 through the 3.4.5 semiconductor switches 23, 24
.. 25 control terminals 23a, 24a, and 25a are connected to the output terminal of the comparator 41.
また主電池2と切替回路40とを結ぶ給電線中には第3
図に示す実施例における抵抗50に代えて逆電流防止ダ
イオード56を設けである。Additionally, there is a third
A reverse current prevention diode 56 is provided in place of the resistor 50 in the embodiment shown in the figure.
他の構成は第3図に示した実施例と実質的に同じであり
、対応する部分には同じ番号を付して説明を省略する。The other configurations are substantially the same as the embodiment shown in FIG. 3, and corresponding parts are given the same numbers and their explanation will be omitted.
而してこのような実施例にあっては主電池2、更に必要
があれば補助電池30もメモリカード製造後、出荷に先
立ってこれに実装される。その後メモリカードを端末機
にセットすると、第1.2の半導体スイッチ11.12
が閉状態となり、そのまま自己保持され、主電池2から
第1の半導体スイッチ11を通じて継続的にスタティッ
クI?AM lに給電が行われる。In this embodiment, the main battery 2 and, if necessary, the auxiliary battery 30 are also mounted on the memory card after it is manufactured and prior to shipping. After that, when the memory card is set in the terminal, the 1st and 2nd semiconductor switches 11 and 12
is closed and self-maintained, and the static I? is continuously maintained from the main battery 2 through the first semiconductor switch 11. Power is supplied to AM l.
そして主電池2の消耗が進み、終止電圧(2,5V程度
)が近づき、抵抗42.43で設定された基準電圧(終
止電圧よりも若干高い電圧、例えば26V程度に設定さ
れている)に等しくなるとコンパレータ41からの出力
がローレベルとなり、反転回路28からはハイレベルの
信号が第3.4.5.7(7)各半導体スイッチ23.
24,25.47の制御端子23a、24a。As the main battery 2 continues to wear out, the final voltage (approximately 2.5 V) approaches and becomes equal to the reference voltage set by the resistor 42.43 (a voltage slightly higher than the final voltage, for example, set to approximately 26 V). Then, the output from the comparator 41 becomes low level, and the inverting circuit 28 outputs a high level signal to each semiconductor switch 23.
24, 25.47 control terminals 23a, 24a.
25a、47aに出力され、これら各半導体スイッチ2
3゜24.25.47を閉状態とする。25a, 47a, and each of these semiconductor switches 2
3°24.25.47 is closed.
これによって補助電池30の出力が第3の半導体スイッ
チ23、直列ダイオード35を通じてスタティックRA
M 1に、また第4の半導体スイッチ24を通じて切替
回路40に夫々供給される。As a result, the output of the auxiliary battery 30 is transferred to the static RA via the third semiconductor switch 23 and the series diode 35.
M 1 and the switching circuit 40 through the fourth semiconductor switch 24 .
なお、このときは主電池2は実装したままであるが、逆
電流防止ダイオード51の作用で主電池2に影響が及ぶ
ことはない。Although the main battery 2 remains mounted at this time, the main battery 2 is not affected by the action of the reverse current prevention diode 51.
また第1,2の半導体スイッチlL12は閉状態のまま
に維持されることがあるが、同様に直列ダイオード5に
よって各半導体スイッチ11.12に影響が及ぶことは
ない。Although the first and second semiconductor switches 1L12 may be kept closed, the series diode 5 does not affect the semiconductor switches 11, 12.
そして例えばこのような補助電池30による給電が行わ
れていることに気付かない場合においてもメモリカード
を端末機にセットしたときは端末機側から給電線4を通
じてスタティックRAM 1に対する給電が行われると
同時に、制限抵抗52、発光ダイオード51に給電が行
われ、発光ダイオード51が点灯する。これによってス
タティックRAM 1に対する給電が主電池2から補助
電池3oに切り喚っていることが視覚的に警告されるこ
ととなる。For example, even if you are not aware that power is being supplied by the auxiliary battery 30, when a memory card is set in the terminal, power is supplied from the terminal to the static RAM 1 through the power supply line 4 and at the same time. , the limiting resistor 52, and the light emitting diode 51 are supplied with power, and the light emitting diode 51 lights up. This provides a visual warning that the power supply to the static RAM 1 is being switched from the main battery 2 to the auxiliary battery 3o.
そこで例えば主電池2の交換を行うべく端末機からメモ
リカードを引抜き、主電池2を取り外しても補助電池3
0からの給電が¥a続的に行われているため、何らの支
障を生じない。Therefore, for example, if you pull out the memory card from the terminal to replace the main battery 2, and even if you remove the main battery 2, the auxiliary battery 3
Since power is continuously supplied from 0, no problem occurs.
次に新たな主電池2をセットしたときは、新しい主電池
2の出力はコンパレータ41に対する基準電圧(2,6
V)よりも高いためにコンパレータ41の出力はハイレ
ベルとなり、アンド回路27には主電池2と補助電池3
0から同時にハイレベルの信号が入力されることとなり
、アンド回路27からハイレベルのアンド信号がオア回
路26に出力され、オア回路26からもハイレベルの信
号が出力され、第1゜第2.第6の各半導体スイッチ1
1.12.46が閉状態となり、主電池2から制限抵抗
6、第1の半導体スイッチ11、直列ダイオード5を経
てスタティックRAM 1への給電が開始される。Next, when a new main battery 2 is set, the output of the new main battery 2 will be the reference voltage (2, 6
V), the output of the comparator 41 becomes high level, and the AND circuit 27 is connected to the main battery 2 and the auxiliary battery 3.
0 and 0 simultaneously, a high-level AND signal is output from the AND circuit 27 to the OR circuit 26, and a high-level signal is also output from the OR circuit 26. Each sixth semiconductor switch 1
1.12.46 is closed, and power supply from the main battery 2 to the static RAM 1 via the limiting resistor 6, the first semiconductor switch 11, and the series diode 5 is started.
一方コンバレータ41からのハイレベルの信号は反転回
路28に出力される結果、反転回路28からはローレベ
ルの信号が各半導体スイッチ23,24.25.47に
出力され、これら各半導体スイッチ23,24,25.
47は開状態となり、補助電池30の出力は遮断され、
それ以上に消耗されることはない。On the other hand, the high level signal from the converter 41 is output to the inverting circuit 28, and as a result, the inverting circuit 28 outputs a low level signal to each of the semiconductor switches 23, 24, 25, and 47. , 25.
47 is in an open state, and the output of the auxiliary battery 30 is cut off.
It won't be consumed any more.
なお、上述の実施例におけるオア回路26、アンド回路
27、反転回路28は市販のCMO3ICで構成しても
よい。また上述の実施例では発光ダイオード51の電源
として端末機の電源を用いる場合につき説明したが、直
列ダイオード5.35のカソード同士の結合点からスタ
ティックRAM 1に至る間の共通線部分からとり込む
こととしてもよいことは勿論である。Incidentally, the OR circuit 26, the AND circuit 27, and the inverting circuit 28 in the above-described embodiment may be constructed from a commercially available CMO3IC. Furthermore, in the above embodiment, the power source of the terminal device is used as the power source for the light emitting diode 51, but it is also possible to use the power source from the common line between the connection point between the cathodes of the series diodes 5 and 35 and the static RAM 1. Of course, it is also possible to do so.
他の構成及び動作は第3図に示した実施例と実質的に同
じであり、対応する部分には同じ番号を付して説明を省
略する。The other configurations and operations are substantially the same as those of the embodiment shown in FIG. 3, and corresponding parts are given the same numbers and explanations will be omitted.
以上の如く本発明にあってはメモリカードの記憶回路に
おける記憶データの保持のための電源をメモリカード製
造後、出荷に先立って実装することが可能となり、しか
もこれによる実質的な電池の消耗を生じないから、電池
管理が極めて容易となり、それだけ流通コストの低減が
図れ、またメモリカードの利便性、信幀性を高め得るな
ど優れた効果を奏するものである。As described above, according to the present invention, it is possible to install a power supply for retaining data stored in the memory circuit of a memory card after the memory card is manufactured and before shipping, and moreover, this can substantially reduce battery consumption. Since this does not occur, battery management becomes extremely easy, distribution costs can be reduced accordingly, and the convenience and reliability of the memory card can be improved.
第1図は本発明に係るメモリカードの電源回路図、第2
図は半導体スイッチの一例を示す等価回路図、第3.4
図は本発明の各別異の実施例を示すメモリカードの電源
回路図、第5,6図は夫々従来におけるメモリカードの
電源回路図である。
1・・・スタティックRAM 2・・・電池3・・・
逆電流防止ダイオード 4・・・給電線5・・・直列ダ
イオード 6・・・制限抵抗10・・・回路 11.1
2・・・第1.第2の半4体スイッチ13・・・オア回
路 20・・・切替回路 30・・・補助電池40・・
・切替回路41・・・コンパレータなお、図中、同一符
号は同一、又は相当部分を示す。FIG. 1 is a power supply circuit diagram of a memory card according to the present invention, and FIG.
The figure is an equivalent circuit diagram showing an example of a semiconductor switch, Section 3.4.
The figures are power supply circuit diagrams of memory cards showing different embodiments of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are power supply circuit diagrams of conventional memory cards, respectively. 1...Static RAM 2...Battery 3...
Reverse current prevention diode 4...Power supply line 5...Series diode 6...Limiting resistor 10...Circuit 11.1
2... 1st. Second half-four body switch 13...OR circuit 20...switching circuit 30...auxiliary battery 40...
-Switching circuit 41... comparator Note that in the drawings, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
とを選択的に用いて行うようにしたメモリカードの電源
回路において、 前記電池と記憶回路との間に介在させた第1の半導体ス
イッチと、該第1の半導体スイッチの制御端子と前記電
池との間に介在させた第2の半導体スイッチと、外部電
源が接続されたことを表す信号、又は前記第2の半導体
スイッチを経た前記電池の出力信号を前記第2の半導体
スイッチの制御端子に与える手段とを具備することを特
徴とするメモリカードの電源回路。[Scope of Claims] 1. In a power supply circuit for a memory card that selectively uses a built-in battery and an external power source to retain data stored in a memory circuit, the power supply circuit comprises: a first semiconductor switch interposed between a control terminal of the first semiconductor switch and the battery, and a signal indicating that an external power source is connected; A power supply circuit for a memory card, comprising means for applying an output signal of the battery via a semiconductor switch to a control terminal of the second semiconductor switch.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232952A JPH0281111A (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Power supply circuit for memory card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232952A JPH0281111A (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Power supply circuit for memory card |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281111A true JPH0281111A (en) | 1990-03-22 |
Family
ID=16947435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232952A Pending JPH0281111A (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Power supply circuit for memory card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281111A (en) |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63232952A patent/JPH0281111A/en active Pending
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