JPH11109628A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光
光源の使用に好適であり、２５０ｎｍ以下、特に２２０
ｎｍ以下の露光光源の使用時に、良好な感度、解像度を
与え、更に十分な耐ドライエッチング性を示し、且つ基
板の密着性もよいポジ型感光性組成物を提供することで
ある。 【解決手段】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により
酸を発生する化合物、及び（Ｂ）特定のコール酸エステ
ル構造を含む１価の多環型脂環式基と、酸の作用により
分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基と
を有する樹脂を含有するポジ型感光性組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型感光性組成物に関するものである。更に詳しくは
２５０ｎｍ以下の遠紫外線を露光光源とする場合に好適
なポジ型感光性組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第3,666,473号、米
国特許第4,115,128号及び米国特許第4,173,470号等に、
また最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥー・マイクロリソグラフィー」（L.F.Thompson「Intr
oduction to Microlithography」）（ＡＣＳ出版、Ｎ
ｏ．２，１９号、ｐ１１２〜１２１）に記載されてい
る。このような基本的にノボラック樹脂とキノンジアジ
ド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノボラック
樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を与え、ナ
フトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として作用す
る。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受けると
カルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失い、ノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性を持
つ。

【０００３】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、０．８μｍ〜
２μｍ程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。

【０００４】パターンの微細化を図る手段の一つとし
て、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源
の短波長化が知られている。このことは光学系の解像度
（線幅）Ｒを表すレイリーの式、 Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡ （ここでλは露光光源の波長、ＮＡはレンズの開口数、
ｋはプロセス定数）で説明することができる。この式か
らより高解像度を達成する、即ちＲの値を小さくする為
には、露光光源の波長λを短くすれば良いことがわか
る。例えば６４Ｍビットまでの集積度のＤＲＡＭの製造
には、現在まで高圧水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）が光源
として使用されてきた。２５６ＭビットＤＲＡＭの量産
プロセスには、ｉ線に変わりＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）が露光光源としての採用が検討されてい
る。更に１Ｇビット以上の集積度を持つＤＲＡＭの製造
を目的として、より短波長の光源が検討されており、Ａ
ｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂ エキシマレ
ーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等の利用が有
効であると考えられている（上野巧ら、「短波長フォト
レジスト材料−ＵＬＳＩに向けた微細加工−」、ぶんし
ん出版、１９８８年）。

【０００５】従来のノボラックとナフトキノンジアジド
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域に於
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。

【０００６】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,139号等に記載
されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増幅
系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の照
射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反
応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に
対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。

【０００７】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはＯ，Ｎ−アセタール
化合物との組合せ（特開昭４８−８９００３号）、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ（特
開昭５１−１２０７１４号）、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ（特開昭５３−１
３３４２９号）、エノールエーテル化合物との組合せ
（特開昭５５−１２９９５号）、Ｎ−アシルイミノ炭酸
化合物化合物との組合せ（特開昭５５−１２６２３６
号）、主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組
合せ（特開昭５６−１７３４５号）、第３級アルキルエ
ステル化合物との組合せ（特開昭６０−３６２５号）、
シリルエステル化合物との組合せ（特開昭６０−１０２
４７号）、及びシリルエーテル化合物との組合せ（特開
昭６０−３７５４９号、特開昭６０−１２１４４６号）
等を挙げることができる。これらは原理的に量子収率が
１を越えるため、高い感光性を示す。

【０００８】同様に、酸存在下加熱することにより分解
し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭５９
−４５４３９号、特開昭６０−３６２５号、特開昭６２
−２２９２４２号、特開昭６３−２７８２９号、特開昭
６３−３６２４０号、特開昭６３−２５０６４２号、特
開平５−１８１２７９号、Polym.Eng.Sce.,23巻、1012
頁（1983）；ACS.Sym.242巻、11頁（1984）；Semicondu
ctor World 1987年、11月号、91頁；Macromolecules,21
巻、1475頁（1988）；SPIE,920巻、42頁（1988）等に記
載されている露光により酸を発生する化合物と、第３級
又は２級炭素（例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニル）
のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系、特開
平４−２１９７５７号、同５−２４９６８２号、同６−
６５３３２号等に記載されているアセタール化合物との
組み合わせ系、特開平４−２１１２５８号、同６−６５
３３３号等に記載されているｔ−ブチルエーテル化合物
との組み合わせ系等が挙げられる。

【０００９】これらの系は、主として２４８ｎｍ領域で
の吸収の小さい、ポリ（ヒドロキシスチレン）を基本骨
格とする樹脂を主成分に使用する為、ＫｒＦエキシマレ
ーザーを露光光源とする場合には、高感度、高解像度
で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノン
ジアジド／ノボラック樹脂系に比べて良好な系となり得
る。

【００１０】しかしながら、更なる短波長の光源、例え
ばＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を露光光源と
して使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的
に１９３ｎｍ領域に大きな吸収を示す為、上記化学増幅
系でも十分ではなかった。また、１９３ｎｍ波長領域に
吸収の小さいポリマーとして、ポリ（メタ）アクリレー
トの利用がJ. Vac. Sci. Technol., B9, 3357 (1991).
に記載されているが、このポリマーは一般に半導体製造
工程で行われるドライエッチングに対する耐性が、芳香
族基を有する従来のフェノール樹脂に比べ低いという問
題があった。

【００１１】これに対し、脂環式基を有するポリマー
が、芳香族基と同様の耐ドライエッチング性を示し、且
つ１９３ｎｍ領域の吸収が小さいことがProc. of SPIE,
1672,66 (1992)で報告され、近年このポリマーの利用
が精力的に検討されるに至った。具体的には、特開平４
−３９６６５号、同５−８０５１５号、同５−２６５２
１２号、同５−２９７５９１号、同５−３４６６６８
号、同６−２８９６１５号、同６−３２４４９４号、同
７−４９５６８号、同７−１８５０４６号、同７−１９
１４６３号、同７−１９９４６７号、同７−２３４５１
１号、同７−２５２３２４号、同８−２５９６２６号等
の明細書に記載されているポリマーが挙げられる。但し
これらポリマーは耐ドライエッチング性が必ずしも十分
とは言えず、また合成も多ステップを要するものもあっ
た。またこれらに示された脂環式基を有するポリマーに
は、１９３ｎｍ領域の吸収低減の必要からアルカリ現像
液に対する溶解性を付与する基として、フェノール性Ｏ
Ｈ基の代わりにカルボキシル基が使用されている。但し
カルボキシル基は現像液に対する溶解性が大きい為、こ
れまでのレジスト材料に使用していた現像液（例えば
２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液）では現像時に未露光部までが溶解し、膜減りを起こ
す問題があった。これを改良する為には現像液を希釈し
濃度を下げるか、ポリマー中のカルボキシル基の含量を
低減することが必要となる。現像液濃度を低下させた場
合は現像の再現性が問題となり、ポリマー中のカルボキ
シル基の含量を低減させた場合はポリマーの疎水性が増
大し、基板との密着性が劣化するという問題が生じた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、２２０ｎｍ以下の露光光源、特にＡｒＦエキシマー
レーザー光（１９３ｎｍ）の使用に好適なポジ型レジス
ト組成物を提供することであり、具体的には２２０ｎｍ
以下の露光光源の使用時に、良好な感度、解像度を与
え、更に十分な耐ドライエッチング性を有し、且つ基板
との密着性が良好で、従来のレジストに使用していた現
像液（例えば２．３８％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液）に対しても良好な現像性を示すポジ型
レジスト組成物を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の脂
環基を有する酸分解性樹脂を使用することで見事に達成
されることを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明
は、下記構成である。

【００１４】（１） （Ａ）活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する化合物、及び（Ｂ）下記一般式
（Ｉ），（II），（III ）又は（IV）で表される多環型
の脂環式基のうち少なくとも一つと、酸の作用により分
解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基とを
有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型感光性組
成物。

【００１５】

【化６】

【００１６】一般式（Ｉ）〜（IV）中、Ｒは水素原子、
置換基を有していてもよい直鎖又は分岐型のアルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、もしくはアシル
基を表す。Ｘは単結合、もしくはエーテル基、エステル
基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良い
２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレ
ン基を表す。Ｍｅはメチル基を表す。 ２．（Ｂ）成分の樹脂が、一般式（Ｖ），（VI）又は
（VII ）で表される多環型の脂環式基を有する繰り返し
構造単位のうち少なくとも一つと、酸の作用により分解
してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基とを有
する樹脂であることを特徴とする上記１に記載のポジ型
感光性組成物。

【００１７】

【化７】

【００１８】一般式（Ｖ）〜（VII ）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₂ ，
Ｒ₄ 〜Ｒ₆ は同じでも異なっていてもよく、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル
基を表す。Ｒ₃ はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₇ 、−ＣＯ−
ＮＲ₈ Ｒ₉ を表す。Ｘ₁ 〜Ｘ ₃ は同じでも異なっていて
もよく、単結合であるか、置換基を有していても良い２
価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン
基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ
₁₀−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ₁₂−Ｒ₁₃−を
表す。Ｒ₇ は水素原子、置換基を有していても良いアル
キル基、シクロアルキル基、アルケニル基、もしくは酸
の作用により分解する基を表す。Ｒ₈ 〜Ｒ₉，Ｒ₁₂は各
々水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基を表す。またＲ₈ ，Ｒ₉
が結合して環を形成しても良い。Ｒ₁₀〜Ｒ₁₁，Ｒ₁₃は単
結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタ
ン基、ウレイド基を有しても良い２価のアルキレン基、
アルケニレン基、シクロアルキレン基を表す。Ｙは請求
項１に記載の一般式（Ｉ）〜（IV）で表される多環型の
脂環式基を表す。

【００１９】（３） （Ｂ）成分の樹脂が、請求項２に
記載の一般式（Ｖ），（VI）又は（VII ）で表される繰
り返し構造単位のうち少なくとも一つと、酸の作用によ
り分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基
を有し、更に一般式（Ｖ），（VI）又は（VII ）とは異
なる多環型の脂環式基を有する下記一般式（VIII），
（IX）又は（Ｘ）で表される繰り返し構造単位のうち少
なくとも一つを有する樹脂であることを特徴とする上記
１又は２に記載のポジ型感光性組成物。

【００２０】

【化８】

【００２１】一般式（VIII）〜（Ｘ）中、Ｒ₁₄〜Ｒ₁₅，
Ｒ₁₇〜Ｒ₁₉は同じでも異なっていてもよく、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル
基を表す。Ｒ₁₆はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₇ 、−ＣＯ−
ＮＲ₈ Ｒ₉ を表す。Ｘ₄ 〜Ｘ ₆ は同じでも異なっていて
もよく、単結合であるか、置換基を有していても良い２
価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン
基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ
₁₀−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ₁₂−Ｒ₁₃−を
表す。Ｒ₇ 〜Ｒ₁₃の定義は請求項２の場合と同一であ
る。Ｐは一般式（Ｉ）〜（IV）とは異なる多環型の脂環
式基を表す。

【００２２】（４）（Ｂ）成分の樹脂が、一般式
（Ｖ），（VI）又は（VII)で表される繰り返し構造単位
のうち少なくとも一つと、一般式（VIII），（IX）又は
（Ｘ）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一
つと、更に下記一般式（XI），（XII)又は（XIII）で表
される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有し、
酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を
増大させる樹脂であることを特徴とする上記１〜３に記
載のポジ型感光性組成物。

【００２３】

【化９】

【００２４】一般式（XI）〜（XIII）中、Ｒ₂₀〜Ｒ₂₁，
Ｒ₂₃〜Ｒ₂₅は同じでも異なっていてもよく、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル
基を表し、Ｒ₂₂はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−
ＯＲ₇ 、−ＣＯ−ＮＲ₈ Ｒ₉を表す。Ｘ₇ 〜Ｘ₉ は同じ
でも異なっていてもよく、単結合であるか、置換基を有
していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、
シクロアルキレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−
Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₀−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ
₁₂−Ｒ₁₃−を表す。Ｒ₇ 〜Ｒ₁₃の定義は請求項２の場合
と同一である。Ｂは酸の作用により分解してアルカリ現
像液中での溶解性を増大させる基を表す。

【００２５】（５） （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボ
キシル基を有することを特徴とする上記１〜４に記載の
ポジ型感光性組成物。

【００２６】（６） （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボ
キシル基を有する下記一般式（XIV)，（XV）又は（XVI)
で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを含
有することを特徴とする上記５に記載のポジ型感光性組
成物。

【００２７】

【化１０】

【００２８】一般式（XIV)〜（XVI)中、Ｒ₂₆〜Ｒ₂₇，Ｒ
₂₉〜Ｒ₃₁は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基
を表し、Ｒ₂₈はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−Ｏ
Ｒ₇ 、−ＣＯ−ＮＲ₈ Ｒ₉ を表す。Ｘ₁₀〜Ｘ₁₂は同じで
も異なっていてもよく、単結合であるか、置換基を有し
ていても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シ
クロアルキレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ
−ＣＯ−Ｒ₁₀−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ₁₂
−Ｒ₁₃−を表す。Ｒ₇ 〜Ｒ₁₃の定義は請求項２の場合と
同一である。

【００２９】（７） 酸の作用により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大
する、分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止
化合物を含有することを特徴とする上記１〜６に記載の
ポジ型感光性組成物。

【００３０】（８） 露光光源として、２５０ｎｍ以下
の遠紫外光を使用することを特徴とする上記１〜７に記
載のポジ型感光性組成物。

【００３１】（９） 露光光源として、２２０ｎｍ以下
の遠紫外光を使用することを特徴とする上記１〜８に記
載のポジ型感光性組成物。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 （Ｂ）上記一般式（Ｉ）〜一般式(III）で表される多環
型の脂環式基と酸の作用により分解してアルカリ現像液
中での溶解性を増大させる基（酸分解性基ともいう）と
を有する樹脂 本発明において、上記一般式（Ｉ）〜(III）の多環型の
脂環式基と酸分解性基は、母体樹脂中のいずれの場所に
も結合させることができる。即ち、上記一般式（Ｉ）〜
(III）の多環型の脂環式基と酸分解性基が、母体樹脂中
の異なる繰り返し単位に結合してもよいし、同一の繰り
返し単位に結合してもよいし、更にその両方の場合が樹
脂中に併存している場合も含まれる。本発明に係わる樹
脂における一般式（Ｉ）〜一般式(III）で表される基を
有する繰り返し構造単位としては、一般式（Ｉ）〜一般
式(III）で表される基を有するものであればいずれのも
のでも用いることができるが、好ましくは、一般式（I
V）〜（IV）で表される繰り返し構造単位である。

【００３３】前記一般式におけるＲ，Ｒ₇ 〜Ｒ₉ ，Ｒ₁₂
のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していて
も良いメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシ
ル基、オクチル基のような炭素数１〜８個のものが挙げ
られる。シクロアルキル基としては、好ましくは置換基
を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基のような炭素数３〜８個のものが
挙げられる。アルケニル基としては、好ましくは置換基
を有していても良いビニル基、プロペニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロ
ヘキセニル基のような炭素数２〜６個のものが挙げられ
る。Ｒのアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、
プロパイル基等のような炭素数１〜５個のものが挙げら
れる。

【００３４】Ｒ₁ 〜Ｒ₂ ，Ｒ₄ 〜Ｒ₆ ，Ｒ₁₄〜Ｒ₁₅，Ｒ
₁₇〜Ｒ₂₁，Ｒ₂₃〜Ｒ₂₇，Ｒ₂₉〜Ｒ₃₁のアルキル基として
は、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基
のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。ハロアル
キル基としては、好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭
素原子が置換した炭素数１〜４個のアルキル基、例えば
フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、
フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基等
が挙げられる。

【００３５】Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂のアルキレン基としては、好ま
しくは置換基を有していても良いメチレン基、エチレン
基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチ
レン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。アルケ
ニレン基としては、好ましくは置換基を有していても良
いエテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭
素数２〜６個のものが挙げられる。シクロアルキレン基
としては、好ましくは置換基を有していても良いシクロ
ペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数５〜８個
のものが挙げられる。またＲ₁₀〜Ｒ₁₁，Ｒ₁₃，Ｘのアル
キレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基は、エ
ーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイ
ド基を有しても良い上記で示した基が挙げられる。Ｒ₇
及びＢは、酸の作用により分解してアルカリ現像液中で
の溶解性を増大させる基（酸分解基）を表す。ここで本
発明に係わる樹脂において、酸分解基は、一般式（Ｖ）
〜（XVI)で表される繰り返し構造単位の何れに含まれて
もよいし、これらの場所のうち複数の場所に含まれても
よい。酸分解基としては、酸の作用により加水分解し酸
を形成する基、更には酸の作用により炭素カチオンが脱
離し酸を形成する基が挙げられる。好ましくは下記一般
式（XVII）〜（XVIII)で表される基である。これによ
り、経時安定性が優れるようになる。

【００３６】

【化１１】

【００３７】ここでＲ₃₂〜Ｒ₃₄は、それぞれ同じでも相
異していてもよく、水素原子、又は置換基を有していて
も良いアルキル基、シクロアルキル基、もしくはアルケ
ニル基を表す。但し、式（XVII）のＲ₃₂〜Ｒ₃₄の内、少
なくとも１つは水素原子以外の基である。Ｒ₃₅は置換基
を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基、又
はアルケニル基を表す。また式（XVII）のＲ₃₂〜Ｒ₃₄の
内の２つ、及び式（XVIII ）のＲ₃₂〜Ｒ₃₃，Ｒ₃₅の内の
２つの基が結合して３〜８個の炭素原子、ヘテロ原子か
ら成る環構造を形成しても良い。Ｚ１〜Ｚ２は、同じで
も相異していてもよく、酸素原子又はイオウ原子を表
す。ここでアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基としては、上記Ｒ，Ｒ₇〜Ｒ₉ ，Ｒ₁₂で示したものと
同様のものが好ましい。また上記詳述した各置換基にお
ける更なる置換基としては、好ましくは水酸基、ハロゲ
ン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シ
アノ基、アミド基、スルホンアミド基、Ｒ₁ 〜Ｒ₂ ，Ｒ
₄ 〜Ｒ₆ ，Ｒ₁₄〜Ｒ₁₅，Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁，Ｒ ₂₃〜Ｒ₂₇，Ｒ₂₉
〜Ｒ₃₁のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロ
キシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ
基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル
基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル
基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ
基、カルボキシ基が挙げられる。

【００３８】また一般式（VIII）〜（Ｘ）中のＰで表さ
れる多環型の脂環基としては、好ましくは置換基を有し
ていてもよい炭素数５以上のビシクロ、トリシクロ、テ
トラシクロ等の脂環式基であり、より好ましくは置換基
を有してもよい炭素数６〜３０個、さらに好ましくは置
換基を有していてもよい炭素数７〜２５個の多環式の脂
環式基を表す。上記多環型の脂環式基の好ましい置換基
としては、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホ
ンアミド基、上記Ｒ₁ 〜Ｒ₂ 、Ｒ₄ 〜Ｒ₆ 、Ｒ₁₄〜
Ｒ₁₅、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁、Ｒ₂₃〜Ｒ₂₇、Ｒ₂₉〜Ｒ₃₁のところで
記載したアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロ
キシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ
基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル
基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル
基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ
基、カルボキシ基が挙げられる。

【００３９】上記の多環型の脂環式基のうちの多環型脂
環式部分の代表的な構造としては、例えば下記に示すも
のが挙げられる。

【００４０】

【化１２】

【００４１】

【化１３】

【００４２】本発明に係わる樹脂中における上記一般式
（Ｉ）〜（IV）の脂環式基を有する繰り返し構造単位
（好ましくは一般式（Ｖ）〜（VII ）で表される繰り返
し構造単位）の含有量は、基板との密着性、アルカリ現
像性、耐ドライエッチング性等のバランスにより調整さ
れるが、全繰り返し単位に対して１０モル％以上含有す
ることが好ましい。より好ましくは１５〜５０モル％、
また更に好ましくは２０〜４５モル％の範囲で使用され
る。また一般式（VIII）〜（Ｘ）を合わせた、脂環式基
を有する繰り返し構造単位の全含有量は、４０モル％以
上が好ましく、より好ましくは５０モル％以上、また更
に好ましくは５０〜９０モル％の範囲で使用される。

【００４３】また 本発明に係わる樹脂中における上記
酸分解基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式
（XI）〜（XIII）で表される繰り返し構造単位）の含有
量は、アルカリ現像性、基板密着性等の性能により調整
されるが、全繰り返し単位に対して好ましくは５〜６０
モル％、より好ましくは１０〜５０モル％、また更に好
ましくは１５〜４０モル％の範囲で使用される。ここで
この酸分解基含有繰り返し構造単位の含有量は、一般式
（Ｖ）〜（Ｘ）、一般式（XIV)〜（XVI)で示される繰り
返し構造単位中に含めた樹脂中の全ての酸分解基含有繰
り返し構造単位の量である。

【００４４】更に、本発明に係わる樹脂中において、カ
ルボキシル基は、一般式（Ｖ）〜（XVI)で表される繰り
返し構造単位中の何れの場所に含まれてもよいし、これ
らの場所のうち複数の場所に含まれてもよい。これらカ
ルボキシル基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一
般式（XIV)〜（XVI)で表される繰り返し構造単位）の含
有量は、アルカリ現像性、基板密着性、更には感度など
の性能により調整されるが、全繰り返し単位に対して好
ましくは０〜５０モル％、より好ましくは０〜４０モル
％、また更に好ましくは０〜２０モル％の範囲で使用さ
れる。ここでこのカルボキシル基含有繰り返し構造単位
の含有量は、一般式（Ｖ）〜（XIII）で示される繰り返
し構造単位中に含めた樹脂中の全てのカルボキシル基含
有繰り返し構造単位の量である。

【００４５】以下に一般式（Ｖ）〜（VII)で表される繰
り返し構造単位の具体例（a1）〜（a31)、一般式（VII
I）〜（Ｘ）で表される繰り返し構造単位の具体例（d
1）〜（d42)、一般式（XI）〜（XIII）で表される繰り
返し構造単位の具体例（b1）〜（b30)、及び一般式（XI
V)〜（XVI)で表される繰り返し構造単位の具体例（c1）
〜（c18)を示すが、本発明がこれに限定されるものでは
ない。

【００４６】

【化１４】

【００４７】

【化１５】

【００４８】

【化１６】

【００４９】

【化１７】

【００５０】

【化１８】

【００５１】

【化１９】

【００５２】

【化２０】

【００５３】

【化２１】

【００５４】

【化２２】

【００５５】

【化２３】

【００５６】

【化２４】

【００５７】

【化２５】

【００５８】

【化２６】

【００５９】

【化２７】

【００６０】

【化２８】

【００６１】

【化２９】

【００６２】

【化３０】

【００６３】

【化３１】

【００６４】

【化３２】

【００６５】前記繰り返し構造単位を有する本発明に係
わる（Ｂ）成分の樹脂について更に説明する。（Ｂ）成
分の樹脂の性能を向上させる目的で、同樹脂の２２０ｎ
ｍ以下の透過性及び耐ドライエッチング性を著しく損な
わない範囲で、更に他の重合性モノマーを共重合させて
も良い。使用することができる共重合モノマーとして
は、以下に示すものが含まれる。例えば、アクリル酸エ
ステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル
類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテ
ル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エス
テル類などから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有
する化合物である。

【００６６】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルア
クリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、など）
アリールアクリレート（例えばフェニルアクリレート、
ヒドロキシフェニルアクリレートなど）；

【００６７】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）、
アリールメタクリレート（例えば、フェニルメタクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、クレジルメ
タクリレート、ナフチルメタクリレートなど）；アクリ
ルアミド類、例えば、アクリルアミド、Ｎ−アルキルア
クリルアミド、（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル
基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−アリールアクリル
アミド（アリール基としては、例えばフェニル基、トリ
ル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基など
がある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アル
キル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、
メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチル
ヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ
−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例え
ばフェニル基などがある。）、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチル
アクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−ア
セチルアクリルアミドなど；メタクリルアミド類、例え
ば、メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド
（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例
えば、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキ
シル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などが
ある。）、Ｎ−アリールメタクリルアミド（アリール基
としては、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボ
キシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメ
タクリルアミド（アルキル基としては、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリール
メタクリルアミド（アリール基としては、フェニル基な
どがある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタ
クリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルア
ミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドな
ど；アリル化合物、例えば、アリルエステル類（例え
ば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリ
ル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリ
ン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸
アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；

【００６８】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；

【００６９】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）、無水マレイン酸、マレイミ
ド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロ
ニトリル等がある。その他、一般的には共重合可能であ
る付加重合性不飽和化合物であればよい。

【００７０】この中で、カルボキシスチレン、Ｎ−（カ
ルボキシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（カルボキシ
フェニル）メタクリルアミド等のようなカルボキシル基
を有するモノマー、ヒドロキシスチレン、Ｎ−（ヒドロ
キシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（ヒドロキシフェ
ニル）メタクリルアミド、ヒドロキシフェニルアクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート等のフェノー
ル性水酸基を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ
溶解性を向上させるモノマーが共重合成分として好まし
い。本発明における樹脂中の他の重合性モノマーの含有
量としては、全繰り返し単位に対して、５０モル％以下
が好ましく、より好ましくは３０モル％以下である。

【００７１】一般式（Ｉ）〜(IV)で示される基を有する
繰り返し構造単位（好ましくは一般式（Ｖ）〜（VII)の
繰り返し構造単位）、一般式（Ｉ）〜(IV)とは異なる一
般式（VIII）〜（Ｘ）の繰り返し構造単位、酸分解性基
を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式（XI) 〜
（XIII）で表される繰り返し構造単位）、必要に応じカ
ルボキシル基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一
般式（VIV)〜（XVI)で表される繰り返し構造単位）ある
いは他の重合性モノマーを含有する本発明の成分（Ｂ）
の樹脂は、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカ
ル、カチオン、又はアニオン重合により合成される。更
に詳しくは前記に示した好ましい組成に基づき各モノマ
ーを配合し、適当な溶媒中、約１０〜４０重量％のモノ
マー濃度にて重合触媒を添加し、必要に応じ加温して重
合される。

【００７２】本発明に係わる（Ｂ）成分の樹脂の分子量
は、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン標準）で２，０００
以上、好ましくは３，０００〜１，０００，０００、よ
り好ましくは５，０００〜２００，０００、更に好まし
くは２０，０００〜１００，０００の範囲であり、大き
い程、耐熱性等が向上する一方で、現像性等が低下し、
これらのバランスにより好ましい範囲に調整される。ま
た分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０〜５．
０、より好ましくは１．０〜３．０であり、小さい程、
耐熱性、画像性能（パターンプロファイル、デフォーカ
スラチチュード等）が良好となる。本発明において、上
記樹脂の感光性組成物中の添加量としては、全固形分に
対して５０〜９９．７重量％、好ましくは７０〜９９重
量％である。

【００７３】〔光酸発生剤〕本発明で用いられる光酸発
生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する
化合物である。本発明で使用される活性光線または放射
線の照射により分解して酸を発生する化合物としては、
光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始
剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレ
ジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎ
ｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、
ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレ
ーザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオンビームによ
り酸を発生する化合物およびそれらの混合物を適宜に選
択して使用することができる。

【００７４】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,3
87(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140号等に記載
のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,1
7,2468(1984)、C.S.Wenetal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing
ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.
&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、
米国特許第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,84
8号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、
J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crive
llo etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt eta
l,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、
J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.
Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.
V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,
2877(1979) 、欧州特許第370,693 号、同3,902,114号同
233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,9
33,377号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、
同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国
特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号、
特開平７−２８２３７号、同８−２７１０２号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier et al,J.Rad.Curing,13(4),26(1986) 、T.
P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,A
cc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase eta
l,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.
Pholymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu
etal,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amit etal,
Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton eta
l,J.Chem Soc.,3571(1965)、P.M.Collins etal, J.Chem.
SoC.,PerkinI,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tetrahed
ron Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.Am.Che
m.Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imaging Te
chnol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormole
cules,21,2001(1988)、 P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,
Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecule
s,18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.So
c.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan et
al,Macromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第0290,750
号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,38
8,343号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特
開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,
J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Techno
l.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Pr
eprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特
許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774 号、特開
昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等
に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号、
特開平２−７１２７０号等に記載のジスルホン化合物、
特開平３−１０３８５４号、同３−１０３８５６号、同
４−２１０９６０号等に記載のジアゾケトスルホン、ジ
アゾジスルホン化合物を挙げることができる。

【００７５】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または 側鎖に導入し
た化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.
Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rap
id Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,8
49,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63
-146029号等に記載の化合物を用いることができる。

【００７６】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００７７】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００７８】

【化３３】

【００７９】式中、Ｒ²⁰¹ は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰² は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。

【００８０】

【化３４】

【００８１】

【化３５】

【００８２】

【化３６】

【００８３】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００８４】

【化３７】

【００８５】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００８６】Ｒ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８
のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。

【００８７】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^-、
ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ ^-、
ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。

【００８８】またＲ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ のうちの２つ
およびＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。

【００８９】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００９０】

【化３８】

【００９１】

【化３９】

【００９２】

【化４０】

【００９３】

【化４１】

【００９４】

【化４２】

【００９５】

【化４３】

【００９６】

【化４４】

【００９７】

【化４５】

【００９８】

【化４６】

【００９９】

【化４７】

【０１００】

【化４８】

【０１０１】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Po
lym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号
および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の
方法により合成することができる。

【０１０２】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【０１０３】

【化４９】

【０１０４】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶ は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【０１０５】

【化５０】

【０１０６】

【化５１】

【０１０７】

【化５２】

【０１０８】

【化５３】

【０１０９】

【化５４】

【０１１０】

【化５５】

【０１１１】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．０
０１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．０
１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の範
囲で使用される。活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の添加量が、０．００１重量
％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重量
％より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロフ
ァイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭
くなり好ましくない。

【０１１２】〔本発明の感光性組成物に使用されるその
他の成分〕本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応
じて更に酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界面
活性剤、光増感剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対
する溶解性を促進させる化合物等を含有させることがで
きる。本発明で使用される酸分解性溶解阻止化合物とし
ては、例えば上記一般式（XVII）、（XVIII)で示される
酸分解性基を少なくとも１個有する分子量３，０００以
下の低分子化合物である。特に２２０ｎｍ以下の透過性
を低下させない為、Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1
996)に記載されているコール酸誘導体の様な脂環族又は
脂肪族化合物が好ましい。本発明において、酸分解性溶
解阻止化合物を使用する場合、その添加量は感光性組成
物の全重量（溶媒を除く）を基準として３〜５０重量％
であり、好ましくは５〜４０重量％、より好ましくは１
０〜３５重量％の範囲である。

【０１１３】本発明で使用できる現像液に対する溶解促
進性化合物としては、フェノール性ＯＨ基を２個以上、
又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以
下の低分子化合物である。カルボキシ基をを有する場合
は上記と同じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好まし
い。これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、本発
明の樹脂に対して２〜５０重量％であり、更に好ましく
は５〜３０重量％である。５０重量％を越えた添加量で
は、現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形す
るという新たな欠点が発生して好ましくない。

【０１１４】このような分子量１０００以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８、特開平
２−２８５３１、米国特許第４９１６２１０、欧州特許
第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。

【０１１５】レゾルシン、フロログルシン、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、２，
４，２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チ
オビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフ
ェノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、１，２，２−
トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，２−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、１，２−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロ
キシフェニル）ブタン、パラ〔α，α，α′，α′−テ
トラキス（４−ヒドロキシフェニル）〕−キシレン等を
挙げることができる。

【０１１６】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を
挙げることができる。

【０１１７】

【化５６】

【０１１８】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジ
ン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、２−
アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリ
ジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミ
ノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミ
ノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジ
ン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５
−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、
３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジ
ン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピ
ペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピ
ペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラ
ゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミ
ノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジ
ン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリ
ミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒド
ロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、
Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モ
ルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるもので
はない。

【０１１９】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、感光性樹脂組成物（溶媒を除く）１００重
量部に対し、通常、０．００１〜１０重量部、好ましく
は０．０１〜５重量部である。０．００１重量部未満で
は上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られない。
一方、１０重量部を超えると感度の低下や非露光部の現
像性が悪化する傾向がある。

【０１２０】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【０１２１】露光による酸発生率を向上させる為、さら
に下記に挙げるような光増感剤を添加することができ
る。好適な光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノ
ン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、
２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシ
アントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェ
ノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフ
ラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアン
トラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナ
ントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフ
テン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリ
ン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロア
ニリン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアント
ラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン１，２−ベ
ンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−
１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，
２−ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，
７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等で
あるがこれらに限定されるものではない。また、これら
の光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可
能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。

【０１２２】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【０１２３】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成
（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３ （大日
本インキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３
１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部
当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。

【０１２４】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリ
コン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。ここで露光光としては、好ましくは２５
０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下の波長の遠
紫外線である。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂ エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電
子ビーム等が挙げられる。

【０１２５】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１２６】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。

【０１２７】［合成例１（構造例（a1）の原料モノマー
の合成）］ＬｉＡｌＨ４１３．７ｇ（０．３６モル）を
脱水ＴＨＦ３００ｍｌで分散し、これにコール酸２４．
５ｇ（０．０６０モル）の脱水ＴＨＦ２００ｍｌ溶液を
撹拌下、室温にて１時間かけて添加した。その後室温に
て５時間反応を続けた。反応混合物にイオン交換水１０
ｍｌを少しずつ添加し、過剰のＬｉＡｌＨ４を処理した
後、反応混合物をイオン交換水２Ｌ中に撹拌しながら投
入した。析出した固体を濾別し、十分に水洗した後、減
圧下４０℃にて乾燥した。白色粉体２２．４ｇを得、Ｎ
ＭＲ測定により、この粉体が下記構造(A) の化合物であ
ることを確認した。化合物(A) １９．７ｇ（０．０５０
モル）、無水メタクリル酸９．２ｇ（０．０６０モル）
をＴＨＦ１７０ｍｌに溶解した。この溶液にＮ，Ｎ−ジ
メチルアミノピリジン７．３ｇ（０．０６０モル）のＤ
ＭＦ３０ｍｌ溶液を、室温にて撹拌下添加した。更に撹
拌下、５時間加熱環流させた。放冷後、反応溶液をイオ
ン交換水２Ｌに激しく撹拌しながら投入し、酢酸エチル
３００ｍｌにて抽出した。酢酸エチル溶液を水洗し硫酸
マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮した。カラムク
ロマトグラフィー（充填剤：シリカゲル、溶離液：ヘキ
サン／酢酸エチル＝１／２）にて精製し、白色粉体１
４．８ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この粉体が本発明
の構造例（a1）の原料モノマーであることを確認した。

【０１２８】

【化５７】

【０１２９】［合成例２（構造例（a2）の原料モノマー
の合成）］合成例１のコール酸の代わりに、デオキシコ
ール酸２３．６ｇ（０．０６０モル）を使用し、その他
は合成例１と同様にして白色粉体１５．１ｇを得た。Ｎ
ＭＲ測定により、この粉体が本発明の構造例（a2）の原
料モノマーであることを確認した。

【０１３０】［合成例３（構造例（a3）の原料モノマー
の合成）］合成例１のコール酸の代わりに、ケモデオキ
シコール酸２３．６ｇ（０．０６０モル）を使用し、そ
の他は合成例１と同様にして白色粉体１３．７ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この粉体が本発明の構造例（a
3）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３１】［合成例４（構造例（a5）の原料モノマー
の合成）］合成例１コール酸の代わりに、リソコール酸
２２．６ｇ（０．０６０モル）を使用し、その他は合成
例１と同様にして白色粉体１４．３ｇを得た。ＮＭＲ測
定により、この粉体が本発明の構造例（a5）の原料モノ
マーであることを確認した。

【０１３２】［合成例５（構造例（a7）の原料モノマー
の合成）］上記化合物(A) １９．７ｇ（０．０５０モ
ル）、２−イソシアナトエチルメタクリレート７．８ｇ
（０．０５０モル）をジオキサン２００ｍｌに溶解し、
触媒としてジラウリル酸ジブチル錫エステル０．１ｇを
添加した後、９０℃にて５時間加熱撹拌した。放冷後、
反応溶液をイオン交換水２Ｌに激しく撹拌しながら投入
し、粘調固体を析出させた。析出した粘調固体をデカン
トにより分離し水洗した後、カラムクロマトグラフィー
（充填剤：シリカゲル、溶離液：酢酸エチル）にて精製
し、白色粉体２０．７ｇを得た。ＮＭＲ測定により、こ
の粉体が本発明の構造例（a7）の原料モノマーであるこ
とを確認した。

【０１３３】［合成例６（構造例（a15 ）の原料モノマ
ーの合成）］無水マレイン酸５．９ｇ（０．０６０モ
ル）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、ピリジン１４．２ｇ
を加えた後、上記化合物(A) １９．７ｇ（０．０５０モ
ル）を添加し、５時間加熱環流させた。放冷後、反応溶
液をイオン交換水２Ｌに激しく撹拌しながら投入し、粘
調固体を析出させた。析出した粘調固体をデカントによ
り分離し水洗した後、カラムクロマトグラフィー（充填
剤：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝１／
２）にて精製し、白色粉体１５．８ｇを得た。ＮＭＲ測
定により、この粉体が本発明の構造例（a15 ）の原料モ
ノマーであることを確認した。

【０１３４】［合成例７（構造例（b7）の原料モノマー
の合成）］無水メタクリル酸１５．４ｇ（０．１０モ
ル）、３−ヒドロキシ−３−メチルブテノール８．６ｇ
（０．１０モル）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解した。この
溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１２．３ｇ
（０．１０モル）のＤＭＦ５０ｍｌ溶液を、室温にて撹
拌下添加した。更に撹拌下、５時間加熱環流させた。放
冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌに激しく撹拌しなが
ら投入し、酢酸エチル３００ｍｌにて抽出した。酢酸エ
チル溶液を水洗し硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧
下濃縮した。減圧蒸留にて精製し、無色液体１１．４ｇ
を得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例
（b7）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３５】［合成例８（構造例（b15 ）の原料モノマ
ーの合成）］メタクリル酸１７．２ｇ（０．２０モ
ル）、ジヒドロピラン２５．２ｇ（０．３０モル）をＴ
ＨＦ２００ｍｌに溶解した。この溶液に触媒として２−
エチルヘキシルリン酸エステル０．１ｇを添加し、５０
℃にて８時間加熱撹拌させた。トリエチルアミンにて触
媒を中和した後、減圧蒸留にて精製し、無色液体２６．
５ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構
造例（b15 ）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３６】［合成例９（構造例（b18 ）の原料モノマ
ーの合成）］合成例８のジヒドロピランの代わりに、エ
チルビニルエーテル２１．６（０．３０モル）を使用
し、その他は合成例７と同様にして無色液体２４．５ｇ
を得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例
（b18 ）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３７】［合成例１０（構造例（b20 ）の原料モノ
マーの合成）］メタクリル酸１７．２ｇ（０．２０モ
ル）、２−メトキシエトキシメチルクロリド２４．９ｇ
（０．２０モル）をＤＭＡｃ２００ｍｌに溶解した。ト
リエチルアミン２０．３ｇを添加し、９０℃にて７時間
加熱撹拌させた。放冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌ
に激しく撹拌しながら投入し、酢酸エチル３００ｍｌに
て抽出した。酢酸エチル溶液を水洗し硫酸マグネシウム
で乾燥した後、減圧下濃縮した。カラムクロマトグラフ
ィー（充填剤：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エ
チル＝３／１）にて精製し、無色液体１３．４ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例（b2
0 ）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３８】［合成例１１（構造例（a1）／（d28 ）か
ら成る樹脂の合成）］本発明の構造例（a7）／（d28 ）
の原料モノマーを各々１３．９ｇ（０．０３０モル）／
３２．２ｇ（０．０７０モル）を１−メトキシ−２−プ
ロパノール／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１／１）
１６０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、７０℃にて
重合開始剤２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレ
ロニトリル）（和光純薬工業（株）製；商品名Ｖ−６
５）１００ｍｇを添加した。反応開始２時間及び４時間
後に同開始剤各々１００ｍｇを追加した。更に３時間反
応後、９０℃に昇温し撹拌を１時間続けた。反応液を放
冷後、イオン交換水１Ｌに激しく撹拌しながら投入する
ことにより、ポリマーを析出させた。得られたポリマー
を減圧下、４０℃にて乾燥し、構造例（a1）／（d28 ）
（３０／７０）から成る樹脂(B) ４３．７ｇを得た。Ｇ
ＰＣにて分子量を測定したところ、重量平均（Ｍｗ：ポ
リスチレン換算）で１７．８×１０３であった。

【０１３９】

【化５８】

【０１４０】［合成例１２（樹脂(B) のメトキシメチル
保護による本発明の樹脂(p-1) の合成）］上記合成例に
て得られた樹脂(B) １８．５ｇをＤＭＦ２００ｍｌに溶
解し、これにメトキシメチルクロリド１．３ｇ（０．０
１６モル）を添加し、更にトリエチルアミン２．２ｇ
（０．０２２モル）を加え、室温にて５時間撹拌した。
その後イオン交換水２Ｌに激しく撹拌しながら投入する
ことにより、ポリマーを析出させた。得られたポリマー
を減圧下、４０℃にて乾燥し、下記構造から成る本発明
の樹脂(p-1) １８．７ｇを得た。ＧＰＣにて分子量を測
定したところ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換算）で
１８．５×１０³ であった。

【０１４１】

【化５９】

【０１４２】［合成例１３（樹脂(B) の１−エトキシエ
チル保護による本発明の樹脂(p-2) の合成）］上記合成
例にて得られた樹脂(B) １８．５ｇをジオキサン２００
ｍｌに溶解し、これにエチルビニルエーテル１．２ｇ
（０．０１７モル）、リン酸モノ−２−エチルヘキシル
エステル０．３６ｇ（０．００１７モル）を添加し、室
温にて２０時間撹拌した。その後イオン交換水２Ｌに激
しく撹拌しながら投入することにより、ポリマーを析出
させた。得られたポリマーを減圧下、４０℃にて乾燥
し、下記構造から成る本発明の樹脂(p-2) １９．０ｇを
得た。ＧＰＣにて分子量を測定したところ、重量平均
（Ｍｗ：ポリスチレン換算）で１８．９×１０³ であっ
た。

【０１４３】

【化６０】

【０１４４】［合成例１４（樹脂(B) のｔ−ブチル保護
による本発明の樹脂(p-3) の合成）］上記合成例にて得
られた樹脂(B) １８．５ｇをｔ−ブタノール２００ｍｌ
に溶解し、これにピリジン４．０ｇを添加し、更にアセ
チルクロリド２．０ｇ（０．０２５モル）を加え、室温
にて７時間撹拌した。その後イオン交換水２Ｌに激しく
撹拌しながら投入することにより、ポリマーを析出させ
た。得られたポリマーを減圧下、４０℃にて乾燥し、下
記構造から成る本発明の樹脂(p-3) １８．２ｇを得た。
ＧＰＣにて分子量を測定したところ、重量平均（Ｍｗ：
ポリスチレン換算）で１８．４×１０³ であった。

【０１４５】

【化６１】

【０１４６】［合成例１５（構造例（a1）／（b1）／
（d28 ）から成る本発明の樹脂(p-4) の合成）］本発明
の構造例（a1）／（b1）／（d28 ）の原料モノマーを各
々１８．５ｇ（０．０４０モル）／４．３ｇ（０．０３
０モル）／１３．８ｇ（０．０３０モル）を１−メトキ
シ−２−プロパノール／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
（１／１）１６０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、
７０℃にて重合開始剤２，２’−アゾビス（２，４−ジ
メチルバレロニトリル）（和光純薬工業（株）製；商品
名Ｖ−６５）１００ｍｇを添加した。反応開始２時間及
び４時間後に同開始剤各々１００ｍｇを追加した。更に
３時間反応後、９０℃に昇温し撹拌を１時間続けた。反
応液を放冷後、イオン交換水１Ｌに激しく撹拌しながら
投入することにより、ポリマーを析出させた。得られた
ポリマーを減圧下、４０℃にて乾燥し、構造例（a1）／
（b1）／（d28 ）（４０／３０／３０）から成る本発明
の樹脂(p-4)３４．７ｇを得た。ＧＰＣにて分子量を測
定したところ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換算）で
２４．６×１０³ であった。

【０１４７】［合成例１６〜２３（前記構造単位を有す
る本発明の樹脂の合成）］以下合成例１１〜１５と同様
にして、下記表１に示す繰り返し構造単位の原料モノマ
ーを用い、本発明の樹脂を合成した。使用した構造単
位、その原料モノマー仕込みモル比、及び生成した樹脂
の重量平均分子量を合わせて表１に示す。

【０１４８】

【表１】

【０１４９】〔実施例１〕光学濃度の測定 上記合成例で得られた本発明の樹脂１．０ｇとトリフェ
ニルスルホニウムのトリフレート塩０．０３ｇをプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート４．５ｇ
に溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターにより濾過
した。スピンコーターにて石英ガラス基板上に均一に塗
布し、１００℃で９０秒間ホットプレート上で加熱乾燥
を行い、１μｍのレジスト膜を形成させた。得られた膜
の光学吸収を紫外線分光光度計にて測定したところ、１
９３ｎｍの光学濃度は表２に示す通りであった。

【０１５０】

【表２】

【０１５１】表２の結果から、本発明の樹脂の光学濃度
測定値は比較例のポリ（ヒドロキシスチレン）（重量平
均分子量１５．１ｘ１０^-3）の値より小さく、１９３ｎ
ｍ光に対し十分な透過性を有することが判る。

【０１５２】〔実施例２〕耐ドライエッチング性の測定 上記合成例で得られた本発明の樹脂１．０ｇをプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート４．５ｇに
溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターにより濾過し
た。スピンコーターにてシリコン基板上に均一に塗布
し、１００℃で９０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を
行い、０．７μｍのレジスト膜を形成させた。得られた
膜をＵＬＶＡＣ製リアクティブイオンエッチング装置
（ＣＳＥ−１１１０）を用いて、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ （８／
２）のガスに対するエッチング速度を測定したところ、
表３に示す通りであった（エッチング条件：Ｐｏｗｅｒ
＝５００Ｗ、Ｐｒｅｓｓｕｒｅ＝４．６Ｐａ、Ｇａｓ
Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ＝１０ｓｃｃｍ）。

【０１５３】

【表３】

【０１５４】表３の結果から、本発明の樹脂のエッチン
グ速度は比較例のポリ（メチルメタクリレート）（重量
平均分子量３５．５ｘ１０^-3）の値より小さく、十分な
耐ドライエッチング性を有することが判る。

【０１５５】〔実施例３〕基板密着性の評価 上記合成例で得られた本発明の樹脂１．０ｇとトリフェ
ニルスルホニウムのトリフレート塩０．０３ｇをプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート４．５ｇ
に溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターにより濾過
した。スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理
を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１００℃で９
０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、０．４μｍ
のレジスト膜を形成させた。また比較例として、本発明
の樹脂の代わりに下記比較例の樹脂を使用し、その他は
上記と同様にして比較例のレジスト膜を形成させた。こ
れらのレジスト膜に対し、ＫｒＦエキシマーレーザース
テッパー（ＮＡ＝０．４２；２４８ｎｍ）を使用してパ
ターン露光し、露光後直ぐに１１０℃で６０秒間ホット
プレート上で加熱した。更に２．３８％テトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２３℃下６０秒間
浸漬現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥し
た。得られたパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、パ
ターンの状態を調べた結果を表４に示す。

【０１５６】

【表４】

【０１５７】

【化６２】

【０１５８】表４の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、比較例の樹脂に見られたようなパターンの
倒れがなく、過現像にもならず、露光部のみ底部まで溶
解され未露光部は溶解されでなく良好な矩形のパターン
形状が得られた。

【０１５９】〔実施例４〕画像評価−１ レジスト膜の
パターンの形状、解像度、感度−１ 実施例３で得られた０．４μｍのレジスト膜をに対し、
ＫｒＦエキシマーレーザーステッパー（ＮＡ＝０．４
２；２４８ｎｍ）を使用してパターン露光し、露光後直
ぐに１１０℃で６０秒間ホットプレート上で加熱した。
更に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサ
イド水溶液で２３℃下６０秒間浸漬現像し、３０秒間純
水にてリンスした後、乾燥した。この結果、得られたパ
ターン形状を走査型電子顕微鏡で観察し、矩形のものを
良好とした。感度は、０．３５μｍのマスクパターンを
再現する露光量をもって定義した。解像度は、０．３５
μｍのマスクパターンを再現する露光量における限界解
像力をもって定義した。これらのパターンプロファイ
ル、感度、解像度の結果を表５に示した。

【０１６０】

【表５】

【０１６１】表５の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、透過度が高いことを反映して高感度で解像
度も良好であり、またパターン形状も良好であることが
判る。また、標準現像液である２．３８％テトラメチル
アンモニウムヒドロオキサイド水溶液で良好な現像が行
われ、膜減り、密着性の低下などが起こらず、良好なパ
ターン形状と優れた感度、解像度が得られたことも判
る。

【０１６２】〔実施例５〕画像評価−２ レジスト膜の
感度、解像度及びパターンの形状 −２ 実施例３で得られた０．４μｍのレジスト膜上に、石英
板上にクロムでパターンを描いたマスクを密着させ、Ａ
ｒＦエキシマーレーザー光（１９３ｎｍ）を照射した。
露光後直ぐに１１０℃で６０秒間ホットプレート上で加
熱した。更に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒド
ロオキサイド水溶液で２３℃下６０秒間浸漬現像し、３
０秒間純水にてリンスした後、乾燥した。得られたパタ
ーン形状を走査型電子顕微鏡で観察し、矩形のものを良
好とした。感度は、０．３５μｍのマスクパターンを再
現する露光量をもって定義した。解像度は、０．３５μ
ｍのマスクパターンを再現する露光量における限界解像
力をもって定義した。これらのパターンプロファイル、
感度、解像度の結果を表６に示した。表６に示した感
度、解像度を有し、かつ、レジスト膜の露光部のみが溶
解除去された良好なポジ型のパターンを形成した。

【０１６３】

【表６】

【０１６４】表６の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、ＡｒＦエキシマーレーザー光に対しても良
好な感度、解像度を示し、ポジ型の良好なパターンを形
成することが判る。

【０１６５】

【発明の効果】以上に示したことから明らかな様に、本
発明の樹脂を使用したレジストは、２２０ｎｍ以下の遠
紫外光に対し高い透過性を有し、耐ドライエッチング性
及びＳｉ基板との密着性が良好である。また２５０ｎｍ
以下、更には２２０ｎｍ以下の遠紫外光（特にＡｒＦエ
キシマーレーザー光）を露光光源とする場合、高感度、
高解像度、且つ良好なパターンプロファイルを示し、半
導体素子製造に必要な微細パターンの形成に有効に用い
ることが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/033 Ｇ０３Ｆ 7/033 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｃ０８Ｆ 20/10 // Ｃ０８Ｆ 20/10 20/54 20/54 22/40 22/40 28/02 28/02 Ｃ０８Ｌ 27/00 Ｃ０８Ｌ 27/00 29/10 29/10 33/14 33/14 33/24 33/24 35/00 35/00 41/00 41/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により
   酸を発生する化合物、及び（Ｂ）下記一般式（Ｉ），
   （II），（III ）又は（IV）で表される多環型の脂環式
   基のうち少なくとも一つと、酸の作用により分解してア
   ルカリ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する樹
   脂を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 【化１】 一般式（Ｉ）〜（IV）中、Ｒは水素原子、置換基を有し
   ていてもよい直鎖又は分岐型のアルキル基、シクロアル
   キル基、アルケニル基、もしくはアシル基を表す。Ｘは
   単結合、もしくはエーテル基、エステル基、アミド基、
   ウレタン基、ウレイド基を有しても良い２価のアルキレ
   ン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基を表す。Ｍ
   ｅはメチル基を表す。
2. 【請求項２】 （Ｂ）成分の樹脂が、一般式（Ｖ），
   （VI）又は（VII ）で表される多環型の脂環式基を有す
   る繰り返し構造単位のうち少なくとも一つと、酸の作用
   により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させ
   る基とを有する樹脂であることを特徴とする請求項１に
   記載のポジ型感光性組成物。 【化２】 一般式（Ｖ）〜（VII ）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₂ ，Ｒ₄ 〜Ｒ₆ は
   同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原
   子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
   Ｒ₃ はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₇ 、−ＣＯ−ＮＲ₈ Ｒ₉
   を表す。Ｘ₁ 〜Ｘ ₃ は同じでも異なっていてもよく、単
   結合であるか、置換基を有していても良い２価のアルキ
   レン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしく
   は−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₀−、−ＣＯ−
   Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ₁₂−Ｒ₁₃−を表す。Ｒ₇ は水
   素原子、置換基を有していても良いアルキル基、シクロ
   アルキル基、アルケニル基、もしくは酸の作用により分
   解する基を表す。Ｒ₈ 〜Ｒ₉，Ｒ₁₂は各々水素原子、置
   換基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル
   基、アルケニル基を表す。またＲ₈ ，Ｒ₉ が結合して環
   を形成しても良い。Ｒ₁₀〜Ｒ₁₁，Ｒ₁₃は単結合、又はエ
   ーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイ
   ド基を有しても良い２価のアルキレン基、アルケニレン
   基、シクロアルキレン基を表す。Ｙは請求項１に記載の
   一般式（Ｉ）〜（IV）で表される多環型の脂環式基を表
   す。
3. 【請求項３】 （Ｂ）成分の樹脂が、請求項２に記載の
   一般式（Ｖ），（VI）又は（VII ）で表される繰り返し
   構造単位のうち少なくとも一つと、酸の作用により分解
   してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有
   し、更に一般式（Ｖ），（VI）又は（VII ）とは異なる
   多環型の脂環式基を有する下記一般式（VIII），（IX）
   又は（Ｘ）で表される繰り返し構造単位のうち少なくと
   も一つを有する樹脂であることを特徴とする請求項１又
   は２に記載のポジ型感光性組成物。 【化３】 一般式（VIII）〜（Ｘ）中、Ｒ₁₄〜Ｒ₁₅，Ｒ₁₇〜Ｒ₁₉は
   同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原
   子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
   Ｒ₁₆はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₇ 、−ＣＯ−ＮＲ₈ Ｒ₉
   を表す。Ｘ₄ 〜Ｘ ₆ は同じでも異なっていてもよく、単
   結合であるか、置換基を有していても良い２価のアルキ
   レン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしく
   は−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₀−、−ＣＯ−
   Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ₁₂−Ｒ₁₃−を表す。Ｒ₇ 〜Ｒ
   ₁₃の定義は請求項２の場合と同一である。Ｐは一般式
   （Ｉ）〜（IV）とは異なる多環型の脂環式基を表す。
4. 【請求項４】 （Ｂ）成分の樹脂が、一般式（Ｖ），
   （VI）又は（VII)で表される繰り返し構造単位のうち少
   なくとも一つと、一般式（VIII），（IX）又は（Ｘ）で
   表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つと、更
   に下記一般式（XI），（XII)又は（XIII）で表される繰
   り返し構造単位のうち少なくとも一つを有し、酸の作用
   により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させ
   る樹脂であることを特徴とする請求項１〜３に記載のポ
   ジ型感光性組成物。 【化４】 一般式（XI）〜（XIII）中、Ｒ₂₀〜Ｒ₂₁，Ｒ₂₃〜Ｒ₂₅は
   同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原
   子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表し、
   Ｒ₂₂はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ₇ 、−
   ＣＯ−ＮＲ₈ Ｒ₉を表す。Ｘ₇ 〜Ｘ₉ は同じでも異なっ
   ていてもよく、単結合であるか、置換基を有していても
   良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアル
   キレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−
   Ｒ₁₀−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ₁₂−Ｒ₁₃−
   を表す。Ｒ₇ 〜Ｒ₁₃の定義は請求項２の場合と同一であ
   る。Ｂは酸の作用により分解してアルカリ現像液中での
   溶解性を増大させる基を表す。
5. 【請求項５】 （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル
   基を有することを特徴とする請求項１〜４に記載のポジ
   型感光性組成物。
6. 【請求項６】 （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル
   基を有する下記一般式（XIV)，（XV）又は（XVI)で表さ
   れる繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを含有する
   ことを特徴とする請求項５に記載のポジ型感光性組成
   物。 【化５】 一般式（XIV)〜（XVI)中、Ｒ₂₆〜Ｒ₂₇，Ｒ₂₉〜Ｒ₃₁は同
   じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、
   シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表し、Ｒ₂₈
   はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ₇ 、−ＣＯ
   −ＮＲ₈ Ｒ₉ を表す。Ｘ₁₀〜Ｘ₁₂は同じでも異なってい
   てもよく、単結合であるか、置換基を有していても良い
   ２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレ
   ン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₀
   −、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−ＮＲ₁₂−Ｒ₁₃−を表
   す。Ｒ₇ 〜Ｒ₁₃の定義は請求項２の場合と同一である。
7. 【請求項７】 酸の作用により分解し得る基を有し、ア
   ルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大する、
   分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物
   を含有することを特徴とする請求項１〜６に記載のポジ
   型感光性組成物。
8. 【請求項８】 露光光源として、２５０ｎｍ以下の遠紫
   外光を使用することを特徴とする請求項１〜７に記載の
   ポジ型感光性組成物。
9. 【請求項９】 露光光源として、２２０ｎｍ以下の遠紫
   外光を使用することを特徴とする請求項１〜８に記載の
   ポジ型感光性組成物。