JPH11130528A - 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器Info
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- JPH11130528A JPH11130528A JP9298541A JP29854197A JPH11130528A JP H11130528 A JPH11130528 A JP H11130528A JP 9298541 A JP9298541 A JP 9298541A JP 29854197 A JP29854197 A JP 29854197A JP H11130528 A JPH11130528 A JP H11130528A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を
有するとともに、共振周波数の温度係数τｆを安定に小
さく制御できる誘電体磁器組成物を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓ
ｒ，Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比による組
成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉ
Ｏ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、０．２１９４
＜ａ≦０．４５００、０．２１９４＜ｂ≦０．４５０
０、０．１０００≦ｃ≦０．４６１０、０．１０００≦
ｄ≦０．４６１０ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）と
表される組成範囲内に調整する。
有するとともに、共振周波数の温度係数τｆを安定に小
さく制御できる誘電体磁器組成物を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓ
ｒ，Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比による組
成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉ
Ｏ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、０．２１９４
＜ａ≦０．４５００、０．２１９４＜ｂ≦０．４５０
０、０．１０００≦ｃ≦０．４６１０、０．１０００≦
ｄ≦０．４６１０ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）と
表される組成範囲内に調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器組成物に関するものであり、例えば、マイクロ波やミ
リ波などの高周波領域において使用される種々の共振器
用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料
や積層型セラミックコンデンサー等に用いることができ
る誘電体磁器組成物に関する。
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器組成物に関するものであり、例えば、マイクロ波やミ
リ波などの高周波領域において使用される種々の共振器
用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料
や積層型セラミックコンデンサー等に用いることができ
る誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波等の
高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体基
板や導波路等に広く利用されている。そこに要求される
特性として（１）誘電体中では波長が１／εｒ1/2 に短
縮されるので、小型化の要求に対して比誘電率が大きい
事、(2) 高周波での誘電損失が小さい事、すなわち高Ｑ
値であること、(3) 共振周波数の温度に対する変化が小
さいこと、即ち、比誘電率の温度依存性が小さく且つ安
定であること、以上の３つの特性が主として挙げられ
る。
高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体基
板や導波路等に広く利用されている。そこに要求される
特性として（１）誘電体中では波長が１／εｒ1/2 に短
縮されるので、小型化の要求に対して比誘電率が大きい
事、(2) 高周波での誘電損失が小さい事、すなわち高Ｑ
値であること、(3) 共振周波数の温度に対する変化が小
さいこと、即ち、比誘電率の温度依存性が小さく且つ安
定であること、以上の３つの特性が主として挙げられ
る。
【０００３】従来、この種の誘電体磁器としては、例え
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2 系材料、ＢａＯ−ＲＥＯ−ＴｉＯ
2 （但し、ＲＥＯは希土類元素酸化物) 系材料、ＭｇＴ
ｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系材料などの酸化物磁器材料が知
られている（例えば、特開昭６１−１０８０６号公報、
特開昭６３−１０００５８号公報、特開昭６０−１９６
０３号公報等参照）。
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2 系材料、ＢａＯ−ＲＥＯ−ＴｉＯ
2 （但し、ＲＥＯは希土類元素酸化物) 系材料、ＭｇＴ
ｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系材料などの酸化物磁器材料が知
られている（例えば、特開昭６１−１０８０６号公報、
特開昭６３−１０００５８号公報、特開昭６０−１９６
０３号公報等参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 系材料では、比誘電率εｒが３７〜４０と
高く、Ｑ値は４００００と大きいが、単一相では共振周
波数の温度依存性τｆが０のものが得にくく、組成変化
に対する比誘電率及び比誘電率の温度依存性の変化も大
きい。そのため、高い比誘電率と低い誘電損失を維持し
たまま、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御
することが困難である。
Ｏ−ＴｉＯ2 系材料では、比誘電率εｒが３７〜４０と
高く、Ｑ値は４００００と大きいが、単一相では共振周
波数の温度依存性τｆが０のものが得にくく、組成変化
に対する比誘電率及び比誘電率の温度依存性の変化も大
きい。そのため、高い比誘電率と低い誘電損失を維持し
たまま、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御
することが困難である。
【０００５】また、ＢａＯ−ＲＥＯ−ＴｉＯ2 系材料に
ついては、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系あるいはＢ
ａＯ−Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系等が知られているが、こ
れらの系では比誘電率εｒ４０〜６０と非常に高く、ま
た共振周波数の温度係数τｆが０のものも得られている
が、Ｑ値が５０００以下と小さい。
ついては、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系あるいはＢ
ａＯ−Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系等が知られているが、こ
れらの系では比誘電率εｒ４０〜６０と非常に高く、ま
た共振周波数の温度係数τｆが０のものも得られている
が、Ｑ値が５０００以下と小さい。
【０００６】また、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系材料
ではＱ値が３００００と大きく、共振周波数の温度係数
τｆが０のものも得られているが、比誘電率が１６〜２
５と小さい。
ではＱ値が３００００と大きく、共振周波数の温度係数
τｆが０のものも得られているが、比誘電率が１６〜２
５と小さい。
【０００７】このように、上記のいずれの材料において
も高周波用誘電体材料に要求される前記３つの特性を共
に充分には満足していない。
も高周波用誘電体材料に要求される前記３つの特性を共
に充分には満足していない。
【０００８】本発明は、上記の欠点に鑑み案出されたも
ので、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温度依
存性が小さく且つ安定である誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
ので、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温度依
存性が小さく且つ安定である誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
【０００９】
【問題を解決するための手段】まず、第１の本発明につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】本発明者は上記問題に対し、検討を重ねた
結果、金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔ
ｉを含有し、これらを特定の範囲に調整することによっ
て、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温度依存
性が小さく且つ、安定である誘電体磁器組成物が得られ
ることを知見した。
結果、金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔ
ｉを含有し、これらを特定の範囲に調整することによっ
て、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温度依存
性が小さく且つ、安定である誘電体磁器組成物が得られ
ることを知見した。
【００１１】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有
し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬａ2
Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した
時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．１０００≦ｃ≦０．４６１０ ０．１０００≦ｄ≦０．４６１０ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１） と表される組成範囲
内に調整することを特徴とする。
元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有
し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬａ2
Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した
時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．１０００≦ｃ≦０．４６１０ ０．１０００≦ｄ≦０．４６１０ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１） と表される組成範囲
内に調整することを特徴とする。
【００１２】本発明の誘電体磁器組成物は、ａＬａ2 Ｏ
3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、
これらのａ，ｂ，ｃ，ｄを上記の範囲に限定した理由は
以下の通りである。
3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、
これらのａ，ｂ，ｃ，ｄを上記の範囲に限定した理由は
以下の通りである。
【００１３】即ち、０．２１９４＜ａ≦０．４５００と
したのは、ａ≦０．２１９４の場合はτｆが正に大きく
なり、τｆの絶対値が３０を大きく越えてしまうからで
あり、ａ＞０．４５００の場合は、比誘電率が低下し、
Ｑ値が２００００より低下すると共にτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に０．２２００≦ａ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
したのは、ａ≦０．２１９４の場合はτｆが正に大きく
なり、τｆの絶対値が３０を大きく越えてしまうからで
あり、ａ＞０．４５００の場合は、比誘電率が低下し、
Ｑ値が２００００より低下すると共にτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に０．２２００≦ａ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
【００１４】また、０．２１９４＜ｂ≦０．４５００と
したのは、ｂ≦０．２１９４の場合はＱ値が２００００
よりも低下し、ｂ＞０．４５００の場合も、Ｑ値が２０
０００よりも低下するからである。特に０．２２００≦
ｂ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
したのは、ｂ≦０．２１９４の場合はＱ値が２００００
よりも低下し、ｂ＞０．４５００の場合も、Ｑ値が２０
０００よりも低下するからである。特に０．２２００≦
ｂ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
【００１５】さらに、０．１０００≦ｃ≦０．４６１０
としたのは、ｃ＜０．１０００の場合はτｆが負に大き
くなり、その絶対値が３０を越えてしまい、ｃ＞０．４
６１０の場合τｆが正に大きくなり、その絶対値が３０
を越えてしまうからである。特に、０．２５００≦ｃ≦
０．４０００の範囲が好ましい。
としたのは、ｃ＜０．１０００の場合はτｆが負に大き
くなり、その絶対値が３０を越えてしまい、ｃ＞０．４
６１０の場合τｆが正に大きくなり、その絶対値が３０
を越えてしまうからである。特に、０．２５００≦ｃ≦
０．４０００の範囲が好ましい。
【００１６】また、０．１０００≦ｄ≦０．４６１０と
したのは、ｄ＜０．１０００の場合はτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからであり、ε
ｒも２０以下となり、ｄ＞０．４６１０の場合は、τｆ
が正に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまい、
Ｑ値も２００００よりも低下するからである。特に、
０．２５００≦ｄ≦０．４０００が好ましい。
したのは、ｄ＜０．１０００の場合はτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからであり、ε
ｒも２０以下となり、ｄ＞０．４６１０の場合は、τｆ
が正に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまい、
Ｑ値も２００００よりも低下するからである。特に、
０．２５００≦ｄ≦０．４０００が好ましい。
【００１７】また、本発明は、上記主成分１００重量部
に対して、金属元素として、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種を酸化物換算
で、７．０重量部以下を含有する誘電体磁器組成物を特
徴とする。
に対して、金属元素として、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種を酸化物換算
で、７．０重量部以下を含有する誘電体磁器組成物を特
徴とする。
【００１８】即ち、上記主成分に少なくとも一種の上記
金属元素を含有させることによって、εｒを変化させず
に、τｆを０に近づけることができる。また、金属元素
の含有量を酸化物換算で７．０重量部以下としたのは、
７．０重量部を越えるとＱ値が極端に小さくなるためで
ある。これらの中でも、特に、Ｃｅ０2 、Ｔａ2 Ｏ5、
Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 を０．０１〜４重量部添加する
と、無添加の場合より、誘電率、Ｑ値は、ほとんど変化
せず、τｆが０に近づくため、性能上優れた誘電体磁器
を得ることができる。
金属元素を含有させることによって、εｒを変化させず
に、τｆを０に近づけることができる。また、金属元素
の含有量を酸化物換算で７．０重量部以下としたのは、
７．０重量部を越えるとＱ値が極端に小さくなるためで
ある。これらの中でも、特に、Ｃｅ０2 、Ｔａ2 Ｏ5、
Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 を０．０１〜４重量部添加する
と、無添加の場合より、誘電率、Ｑ値は、ほとんど変化
せず、τｆが０に近づくため、性能上優れた誘電体磁器
を得ることができる。
【００１９】次に第２の本発明について説明する。
【００２０】本発明者は上記問題に対し、検討を重ねた
結果、金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｃａ、Ｓ
ｒ，Ｔｉを含有し、これらを特定の範囲に調整すること
によって、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温
度依存性が小さく且つ、安定である誘電体磁器組成物が
得られることを知見した。
結果、金属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｃａ、Ｓ
ｒ，Ｔｉを含有し、これらを特定の範囲に調整すること
によって、比誘電率が大きく、高Ｑ値で、比誘電率の温
度依存性が小さく且つ、安定である誘電体磁器組成物が
得られることを知見した。
【００２１】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素として少なくともＬａ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｒ，Ｔｉを
含有し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬ
ａ2Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・ｄＳｒＯ・ｅＴｉ
Ｏ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．００００≦ｃ≦０．４６００ ０．００００≦ｄ≦０．４６００ ０．１０００≦ｅ≦０．４６００ ０．１０００≦ｃ＋ｄ≦０．４６００ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）と表される組成範囲内
に調整することを特徴とする。
元素として少なくともＬａ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｒ，Ｔｉを
含有し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬ
ａ2Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・ｄＳｒＯ・ｅＴｉ
Ｏ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．００００≦ｃ≦０．４６００ ０．００００≦ｄ≦０．４６００ ０．１０００≦ｅ≦０．４６００ ０．１０００≦ｃ＋ｄ≦０．４６００ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）と表される組成範囲内
に調整することを特徴とする。
【００２２】本発明の誘電体磁器組成物は、ａＬａ2 Ｏ
3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・ｄＳｒＯ・ｅＴｉＯ2 と
表した時、これらのａ，ｂ，ｃ，ｄ、ｅを上記の範囲に
限定した理由は以下の通りである。
3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・ｄＳｒＯ・ｅＴｉＯ2 と
表した時、これらのａ，ｂ，ｃ，ｄ、ｅを上記の範囲に
限定した理由は以下の通りである。
【００２３】即ち、０．２１９４＜ａ≦０．４５００と
したのは、ａ≦０．２１９４の場合はτｆが正に大きく
なり、τｆの絶対値が３０を大きく越えてしまうからで
あり、ａ＞０．４５００の場合は、比誘電率が低下し、
Ｑ値が２００００より低下すると共にτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に０．２２００≦ａ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
したのは、ａ≦０．２１９４の場合はτｆが正に大きく
なり、τｆの絶対値が３０を大きく越えてしまうからで
あり、ａ＞０．４５００の場合は、比誘電率が低下し、
Ｑ値が２００００より低下すると共にτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に０．２２００≦ａ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
【００２４】また、０．２１９４＜ｂ≦０．４５００と
したのは、ｂ≦０．２１９４の場合はＱ値が２００００
よりも低下し、ｂ＞０．４５００の場合も、Ｑ値が２０
０００よりも低下するからである。特に０．２２００≦
ｂ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
したのは、ｂ≦０．２１９４の場合はＱ値が２００００
よりも低下し、ｂ＞０．４５００の場合も、Ｑ値が２０
０００よりも低下するからである。特に０．２２００≦
ｂ≦０．３２５０の範囲が好ましい。
【００２５】さらに、０．００００≦ｃ≦０．４６１０
としたのは、ｃ＞０．４６１０の場合τｆが正に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に、０．２５００≦ｃ≦０．４０００の範囲が好まし
い。
としたのは、ｃ＞０．４６１０の場合τｆが正に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に、０．２５００≦ｃ≦０．４０００の範囲が好まし
い。
【００２６】また、０．００００≦ｄ≦０．４６００と
したのは、ｃ＞０．４６００の場合τｆが正に大きくな
り、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に、０．２５００≦ｄ≦０．４０００ の範囲が好まし
い。
したのは、ｃ＞０．４６００の場合τｆが正に大きくな
り、その絶対値が３０を越えてしまうからである。特
に、０．２５００≦ｄ≦０．４０００ の範囲が好まし
い。
【００２７】また、０．１０００≦ｅ≦０．４６００と
したのは、ｅ＜０．１０００の場合はτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからであり、ε
ｒも２０以下となり、ｅ＞０．４６００の場合は、τｆ
が正に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまい、
Ｑ値も２００００よりも低下するからである。特に、
０．２５００≦ｅ≦０．４０００が好ましい。
したのは、ｅ＜０．１０００の場合はτｆが負に大きく
なり、その絶対値が３０を越えてしまうからであり、ε
ｒも２０以下となり、ｅ＞０．４６００の場合は、τｆ
が正に大きくなり、その絶対値が３０を越えてしまい、
Ｑ値も２００００よりも低下するからである。特に、
０．２５００≦ｅ≦０．４０００が好ましい。
【００２８】さらに、０．１０００≦ｃ＋ｄ≦０．４６
１０としたのは、ｃ＋ｄ＜０．１０００の場合やｃ＋ｄ
＞０．４６１０の場合には、Ｑｆが２００００よりも低
下するからである。特に０．２０００≦ｃ＋ｄ≦０．３
５００が好ましい。
１０としたのは、ｃ＋ｄ＜０．１０００の場合やｃ＋ｄ
＞０．４６１０の場合には、Ｑｆが２００００よりも低
下するからである。特に０．２０００≦ｃ＋ｄ≦０．３
５００が好ましい。
【００２９】また、本発明は、上記主成分１００重量部
に対して、金属元素として、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくても一種を酸化
物換算で、７．０重量部以下を含有する誘電体磁器組成
物を特徴とする。
に対して、金属元素として、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくても一種を酸化
物換算で、７．０重量部以下を含有する誘電体磁器組成
物を特徴とする。
【００３０】即ち、上記主成分に少なくとも一種の上記
金属元素を含有させることによって、εｒを変化させず
に、τｆを０に近づけることができる。また、金属元素
の含有量を酸化物換算で７．０重量部以下としたのは、
７．０重量部を越えるとＱ値が極端に小さくなるためで
ある。
金属元素を含有させることによって、εｒを変化させず
に、τｆを０に近づけることができる。また、金属元素
の含有量を酸化物換算で７．０重量部以下としたのは、
７．０重量部を越えるとＱ値が極端に小さくなるためで
ある。
【００３１】上述した第１又は第２の本発明の誘電体磁
器組成物は、例えば、以下のようにして作製される。出
発原料として、高純度の酸化ランタン、酸化アルミニウ
ム、炭酸ストロンチウム、酸化チタン、及び必要に応じ
て炭酸カルシウムの各粉末を用いて、所望の割合となる
ように秤量後、純水を加え、混合原料の平均粒径が２．
０μｍ以下となるまで１０〜３０時間、ジルコニアボー
ル等を使用したミルにより湿式混合・粉砕を行う。この
混合物を乾燥後、１０００〜１３００℃で２〜１０時間
仮焼し、さらに５重量％のバインダーを加えてから整粒
し、得られた粉末を所望の成形手段、例えば、金型プレ
ス、冷間静水圧プレス、押し出し成形等により任意の形
状に成形後、１５００〜１７００℃の温度で１〜１０時
間大気中において焼成することにより得られる。
器組成物は、例えば、以下のようにして作製される。出
発原料として、高純度の酸化ランタン、酸化アルミニウ
ム、炭酸ストロンチウム、酸化チタン、及び必要に応じ
て炭酸カルシウムの各粉末を用いて、所望の割合となる
ように秤量後、純水を加え、混合原料の平均粒径が２．
０μｍ以下となるまで１０〜３０時間、ジルコニアボー
ル等を使用したミルにより湿式混合・粉砕を行う。この
混合物を乾燥後、１０００〜１３００℃で２〜１０時間
仮焼し、さらに５重量％のバインダーを加えてから整粒
し、得られた粉末を所望の成形手段、例えば、金型プレ
ス、冷間静水圧プレス、押し出し成形等により任意の形
状に成形後、１５００〜１７００℃の温度で１〜１０時
間大気中において焼成することにより得られる。
【００３２】また、本発明は、上記の誘電体磁器組成物
を一対の入出力端子間に配置して誘電体共振器を構成し
たことを特徴とする。
を一対の入出力端子間に配置して誘電体共振器を構成し
たことを特徴とする。
【００３３】即ち、本発明の誘電体共振器は、例えば、
図１にＴＥモード型共振器を示すように、金属ケ−ス１
の両側に入力端子２及び出力端子３を形成し、これらの
端子２、３の間に上記したような組成からなる誘電体磁
器組成物のセラミックス体４を配置して構成される。こ
のように、ＴＥモ−ド型の誘電体共振器は、入力端子２
からマイクロ波が入力され、マイクロ波はセラミックス
体４と自由空間との境界の反射によってセラミックス体
４内に閉じこめられ、特定の周波数で共振を起こす。こ
の信号が出力端子３と電磁界結合し、出力される。
図１にＴＥモード型共振器を示すように、金属ケ−ス１
の両側に入力端子２及び出力端子３を形成し、これらの
端子２、３の間に上記したような組成からなる誘電体磁
器組成物のセラミックス体４を配置して構成される。こ
のように、ＴＥモ−ド型の誘電体共振器は、入力端子２
からマイクロ波が入力され、マイクロ波はセラミックス
体４と自由空間との境界の反射によってセラミックス体
４内に閉じこめられ、特定の周波数で共振を起こす。こ
の信号が出力端子３と電磁界結合し、出力される。
【００３４】また、図示しないが、本発明の誘電体磁器
組成物は、ＴＥＭモ−ドを用いた同軸形共振器やストリ
ップ線路共振器、ＴＭモ−ドの誘電体磁器共振器、その
他の共振器に適用しても良いことは勿論である。
組成物は、ＴＥＭモ−ドを用いた同軸形共振器やストリ
ップ線路共振器、ＴＭモ−ドの誘電体磁器共振器、その
他の共振器に適用しても良いことは勿論である。
【００３５】
【実施例】まず、第１の本発明の実施例を説明する。
【００３６】実施例１ 出発原料として高純度の酸化ランタン（Ｌａ2 Ｏ3 ）、
酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、炭酸ストロンチウム
（ＳｒＣＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の各粉末を用
いて、それらを表１となるように秤量後、純水を加え、
混合原料の平均粒径が２．０μｍ以下となるまで、ミル
により約２０時間湿式混合、粉砕を行った。なお、ミル
のボールの種類や他の種々の条件により、ＺｒＯ2 やＳ
ｉＯ2 、その他の希土類元素の不純物が合計で１重量％
以下含有される場合がある。
酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、炭酸ストロンチウム
（ＳｒＣＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の各粉末を用
いて、それらを表１となるように秤量後、純水を加え、
混合原料の平均粒径が２．０μｍ以下となるまで、ミル
により約２０時間湿式混合、粉砕を行った。なお、ミル
のボールの種類や他の種々の条件により、ＺｒＯ2 やＳ
ｉＯ2 、その他の希土類元素の不純物が合計で１重量％
以下含有される場合がある。
【００３７】この混合物を乾燥後、１２００℃で２時間
仮焼し、さらに約５重量％のバインダーを加えてから整
粒し、得られた粉末を約１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で円板
状に成形し、１５００〜１７００℃の温度で２時間大気
中において焼成した。
仮焼し、さらに約５重量％のバインダーを加えてから整
粒し、得られた粉末を約１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で円板
状に成形し、１５００〜１７００℃の温度で２時間大気
中において焼成した。
【００３８】得られた磁器の円板部を平面研磨し、アセ
トン中で超音波洗浄し、１５０℃で１時間乾燥した後、
円柱共振器法により測定周波数３．５〜４．５ＧＨｚで
比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆを測定
した。Ｑ値は、マイクロ波誘電体において一般に成立す
るＱ値×測定周波数ｆ＝一定の関係から１ＧＨｚでのＱ
値に換算した。共振周波数の温度係数τｆは、−４０〜
８５℃の範囲で測定した。これらの結果を表１に示す。
トン中で超音波洗浄し、１５０℃で１時間乾燥した後、
円柱共振器法により測定周波数３．５〜４．５ＧＨｚで
比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆを測定
した。Ｑ値は、マイクロ波誘電体において一般に成立す
るＱ値×測定周波数ｆ＝一定の関係から１ＧＨｚでのＱ
値に換算した。共振周波数の温度係数τｆは、−４０〜
８５℃の範囲で測定した。これらの結果を表１に示す。
【００３９】表１からも明らかなように、本発明の範囲
外の誘電体では、比誘電率又はＱ値が低いか、あるいは
τｆの絶対値が３０を超えていた。
外の誘電体では、比誘電率又はＱ値が低いか、あるいは
τｆの絶対値が３０を超えていた。
【００４０】これらに対し、本発明により得られた誘電
体は、比誘電率が３０以上、Ｑ値が２５０００（１ＧＨ
ｚにおいて）以上、τｆが±３０（ｐｐｍ／℃）以内の
優れた誘電特性が得られることがわかった。
体は、比誘電率が３０以上、Ｑ値が２５０００（１ＧＨ
ｚにおいて）以上、τｆが±３０（ｐｐｍ／℃）以内の
優れた誘電特性が得られることがわかった。
【００４１】
【表１】
【００４２】実施例２ 次に、上記表１中Ｎｏ．４、２０の組成物を主組成とし
て、表２、３に示す種々の酸化物を添加した。なお、出
発原料としては、炭化物、水酸化物等のように、酸化す
ることで金属酸化物になる化合物を用いても良い。
て、表２、３に示す種々の酸化物を添加した。なお、出
発原料としては、炭化物、水酸化物等のように、酸化す
ることで金属酸化物になる化合物を用いても良い。
【００４３】その後、実施例１と同様にして得られた焼
結体の比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆ
を測定した。
結体の比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆ
を測定した。
【００４４】結果を表２、３に示すように、７．０重量
部以下の金属酸化物を含有させたものは、εｒを変化さ
せずにτｆを０に近ずけることができ、Ｑ値の低下も使
用できる程度であることがわかる。ただし、含有量が、
７．０重量部を越えるとＱ値が２５０００以下となるこ
とから、含有量は７．０重量部以下とすれば良い。
部以下の金属酸化物を含有させたものは、εｒを変化さ
せずにτｆを０に近ずけることができ、Ｑ値の低下も使
用できる程度であることがわかる。ただし、含有量が、
７．０重量部を越えるとＱ値が２５０００以下となるこ
とから、含有量は７．０重量部以下とすれば良い。
【００４５】
【表２】
【００４６】
【表３】
【００４７】次に、第２の本発明の実施例を説明する。
【００４８】実施例３ 出発原料として高純度の酸化ランタン（Ｌａ2 Ｏ3 ）、
酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、炭酸カルシュウム
（ＣａＣＯ3 ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の各粉末を用いて、それらを表
４となるように秤量後、純水を加え、混合原料の平均粒
径が２．０μｍ以下となるまで、ミルにより約２０時間
湿式混合、粉砕を行った。なお、ミルのボールの種類や
他の種々の条件により、ＺｒＯ2 やＳｉＯ2 、その他の
希土類元素の不純物が合計で１重量％以下含有される場
合がある。
酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、炭酸カルシュウム
（ＣａＣＯ3 ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の各粉末を用いて、それらを表
４となるように秤量後、純水を加え、混合原料の平均粒
径が２．０μｍ以下となるまで、ミルにより約２０時間
湿式混合、粉砕を行った。なお、ミルのボールの種類や
他の種々の条件により、ＺｒＯ2 やＳｉＯ2 、その他の
希土類元素の不純物が合計で１重量％以下含有される場
合がある。
【００４９】この混合物を乾燥後、１２００℃で２時間
仮焼し、さらに約５重量％のバインダーを加えてから整
粒し、得られた粉末を約１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で円板
状に成形し、１５００〜１７００℃の温度で２時間大気
中において焼成した。
仮焼し、さらに約５重量％のバインダーを加えてから整
粒し、得られた粉末を約１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で円板
状に成形し、１５００〜１７００℃の温度で２時間大気
中において焼成した。
【００５０】得られた磁器の円板部を平面研磨し、アセ
トン中で超音波洗浄し、１５０℃で１時間乾燥した後、
円柱共振器法により測定周波数３．５〜４．５ＧＨｚで
比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆを測定
した。Ｑ値は、マイクロ波誘電体において一般に成立す
るＱ値×測定周波数ｆ＝一定の関係から１ＧＨｚでのＱ
値に換算した。共振周波数の温度係数τｆは、−４０〜
８５℃の範囲で測定した。これらの結果を表４に示す。
トン中で超音波洗浄し、１５０℃で１時間乾燥した後、
円柱共振器法により測定周波数３．５〜４．５ＧＨｚで
比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆを測定
した。Ｑ値は、マイクロ波誘電体において一般に成立す
るＱ値×測定周波数ｆ＝一定の関係から１ＧＨｚでのＱ
値に換算した。共振周波数の温度係数τｆは、−４０〜
８５℃の範囲で測定した。これらの結果を表４に示す。
【００５１】表４からも明らかなように、本発明の範囲
外の誘電体では、比誘電率又はＱ値が低いか、あるいは
τｆの絶対値が３０を超えていた。
外の誘電体では、比誘電率又はＱ値が低いか、あるいは
τｆの絶対値が３０を超えていた。
【００５２】これらに対し、本発明により得られた誘電
体は、比誘電率が３０以上、Ｑ値が２５０００（１ＧＨ
ｚにおいて）以上、τｆが±３０（ｐｐｍ／℃）以内の
優れた誘電特性が得られることがわかった。
体は、比誘電率が３０以上、Ｑ値が２５０００（１ＧＨ
ｚにおいて）以上、τｆが±３０（ｐｐｍ／℃）以内の
優れた誘電特性が得られることがわかった。
【００５３】
【表４】
【００５４】実施例４ 次に、上記表４中Ｎｏ．２０８、２１１の組成物を主組
成として、表５、６に示す種々の酸化物を添加した。な
お、出発原料としては、炭化物、水酸化物等のように、
酸化することで金属酸化物になる化合物を用いても良
い。
成として、表５、６に示す種々の酸化物を添加した。な
お、出発原料としては、炭化物、水酸化物等のように、
酸化することで金属酸化物になる化合物を用いても良
い。
【００５５】その後、実施例３と同様にして得られた焼
結体の比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆ
を測定した。
結体の比誘電率εｒ、Ｑ値、共振周波数の温度係数τｆ
を測定した。
【００５６】結果を表５、６に示すように、７．０重量
部以下の金属酸化物を含有させたものは、εｒを変化さ
せずにτｆを０に近づけることができ、Ｑ値の低下も使
用できる程度であることがわかる。ただし、含有量が、
７．０重量部を越えるとＱ値が２５０００以下となるこ
とから、含有量は７．０重量部以下とすれば良い。
部以下の金属酸化物を含有させたものは、εｒを変化さ
せずにτｆを０に近づけることができ、Ｑ値の低下も使
用できる程度であることがわかる。ただし、含有量が、
７．０重量部を越えるとＱ値が２５０００以下となるこ
とから、含有量は７．０重量部以下とすれば良い。
【００５７】
【表５】
【００５８】
【表６】
【００５９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、金
属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有
し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬａ2
Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した
時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．１０００≦ｃ≦０．４６１０ ０．１０００≦ｄ≦０．４６１０ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１） と表される組成範囲
内に調整して誘電体磁器組成物を得ることによって、高
周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有するとと
もに、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御す
ることができた。
属元素として少なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有
し、これらの金属元素のモル比による組成式をａＬａ2
Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した
時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．１０００≦ｃ≦０．４６１０ ０．１０００≦ｄ≦０．４６１０ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１） と表される組成範囲
内に調整して誘電体磁器組成物を得ることによって、高
周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有するとと
もに、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御す
ることができた。
【００６０】また、本発明によれば、上記主成分１００
重量部に対し、金属元素として、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種を酸化
物換算で７．０重量部以下を含有することにより、τｆ
が０付近にすることができる。
重量部に対し、金属元素として、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種を酸化
物換算で７．０重量部以下を含有することにより、τｆ
が０付近にすることができる。
【００６１】また、本発明によれば、金属元素として少
なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、これらの金
属元素のモル比による組成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2
Ｏ3・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．００００≦ｃ≦０．４６００ ０．００００≦ｄ≦０．４６００ ０．１０００≦ｅ≦０．４６００ ０．１０００≦ｃ＋ｄ≦０．４６００ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）と表される組成範囲内
に調整して誘電体磁器組成物を得ることによって、高周
波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有するととも
に、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御する
ことができた。
なくともＬａ，Ａｌ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、これらの金
属元素のモル比による組成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2
Ｏ3・ｃＳｒＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．００００≦ｃ≦０．４６００ ０．００００≦ｄ≦０．４６００ ０．１０００≦ｅ≦０．４６００ ０．１０００≦ｃ＋ｄ≦０．４６００ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）と表される組成範囲内
に調整して誘電体磁器組成物を得ることによって、高周
波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有するととも
に、共振周波数の温度係数τｆを安定に小さく制御する
ことができた。
【００６２】また、本発明によれば、上記主成分１００
重量部に対し、金属元素として、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種
を酸化物換算で７．０重量部以下を含有することによ
り、τｆを０付近にすることができる。
重量部に対し、金属元素として、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少なくとも一種
を酸化物換算で７．０重量部以下を含有することによ
り、τｆを０付近にすることができる。
【００６３】それにより、本発明の誘電体磁器組成物
は、例えば、自動車電話、コードレステレホン、パーソ
ナル無線機、衛星放送受信機等の装置において、マイク
ロ波やミリ波領域において使用される共振器用材料やＭ
ＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波線路、誘電体アンテ
ナ、その他の各種電子部品等に好適に適用することがで
きる。
は、例えば、自動車電話、コードレステレホン、パーソ
ナル無線機、衛星放送受信機等の装置において、マイク
ロ波やミリ波領域において使用される共振器用材料やＭ
ＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波線路、誘電体アンテ
ナ、その他の各種電子部品等に好適に適用することがで
きる。
【図１】本発明の誘電体共振器を示す概略図である。
１：金属ケ−ス ２：入力端子 ３：出力端子 ４：セラミックス体
Claims (4)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＬａ、Ａｌ、Ｓ
ｒ、Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比による組
成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＳｒＯ・ｄＴｉ
Ｏ2 と表したとき、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄ，が ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．１０００≦ｃ≦０．４６１０ ０．１０００≦ｄ≦０．４６１０ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１） の範囲内の範囲内に
ある主成分１００重量部に対して、金属元素としてＣ
ｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉのうち少
なくとも一種を酸化物換算で７．０重量部以下を含有す
ることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】金属元素として少なくともＬａ、Ａｌ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比に
よる組成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・
ｄＳｒＯ・ｅＴｉＯ2 と表したとき、前記ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．００００≦ｃ≦０．４６００ ０．００００≦ｄ≦０．４６００ ０．１０００≦ｅ≦０．４６００ ０．１０００≦ｃ＋ｄ≦０．４６００ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）の範囲内にあるこ
とを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】金属元素として少なくともＬａ、Ａｌ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｔｉを含有し、これらの金属元素のモル比に
よる組成式をａＬａ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・
ｄＳｒＯ・ｅＴｉＯ2 と表したとき、前記ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅが、 ０．２１９４＜ａ≦０．４５００ ０．２１９４＜ｂ≦０．４５００ ０．００００≦ｃ≦０．４６００ ０．００００≦ｄ≦０．４６００ ０．１０００≦ｅ≦０．４６００ ０．１０００≦ｃ＋ｄ≦０．４６００ （ただし ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）の範囲内にある主
成分１００重量部に対して、金属元素としてＭｎ、Ｃ
ｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｂ、Ｓｉ、のうち
少なくとも一種を酸化物換算で７．０重量部以下を含有
することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】請求項１乃至３記載の誘電体磁器組成物
を、一対の入出力端子間に配置してなる誘電体共振器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29854197A JP3744660B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29854197A JP3744660B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11130528A true JPH11130528A (ja) | 1999-05-18 |
| JP3744660B2 JP3744660B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=17861072
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29854197A Expired - Fee Related JP3744660B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3744660B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1020416A3 (en) * | 1999-01-14 | 2001-03-28 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition, method of preparing dielectric ceramic material, and dielectric resonator |
| JP2001114553A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| WO2002036519A1 (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd | Dielectric ceramic composition for microwave use |
| JP2002211976A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-07-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | マイクロ波誘電体磁器組成物及び誘電体共振器 |
| US6940371B2 (en) | 2002-08-30 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
| JP2008266121A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Kyocera Corp | 誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
| US7648935B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-01-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Dielectric porcelain composition for use in electronic devices |
| EP2377838A4 (en) * | 2008-12-25 | 2013-07-10 | Kyocera Corp | DIELECTRIC CERAMICS, DIELECTRIC RESONATOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF DIELECTRIC CERAMICS |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP29854197A patent/JP3744660B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6503861B1 (en) | 1999-01-14 | 2003-01-07 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition, method of preparing dielectric ceramic material, and dielectric resonator |
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| US6940371B2 (en) | 2002-08-30 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
| US7648935B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-01-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Dielectric porcelain composition for use in electronic devices |
| JP2008266121A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Kyocera Corp | 誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
| EP2377838A4 (en) * | 2008-12-25 | 2013-07-10 | Kyocera Corp | DIELECTRIC CERAMICS, DIELECTRIC RESONATOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF DIELECTRIC CERAMICS |
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|---|---|
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