JPH11150427A - Amplifier circuit and liquid crystal display device using the same - Google Patents
Amplifier circuit and liquid crystal display device using the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】安定化のための位相補償容量を不要とするか、
大幅に低減できるようにしてチップ面積を削減し、かつ
安定に動作する増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路1の信号入力端子IN+,IN−
と信号出力端子OUTとの間に入力増幅段2および出力
増幅段3を縦続接続し、出力増幅段3の出力端と信号出
力端子OUTとの間に少なくとも一つの抵抗を含む抵抗
回路4を挿入することによって、増幅回路1の開ループ
周波数特性に利得が1となる周波数よりも周波数の低い
第1のゼロ点を形成する。
(57) [Summary] [PROBLEM] To eliminate the need for a phase compensation capacitor for stabilization,
Provided is an amplifier circuit which can reduce the chip area by a large amount and can operate stably. A signal input terminal of an amplifier circuit is provided.
Input amplification stage 2 and output amplification stage 3 are cascaded between the output amplification stage 3 and the signal output terminal OUT, and a resistance circuit 4 including at least one resistor is inserted between the output terminal of the output amplification stage 3 and the signal output terminal OUT. By doing so, a first zero point having a lower frequency than the frequency at which the gain becomes 1 is formed in the open loop frequency characteristic of the amplifier circuit 1.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば所定の期間
毎に変化する入力信号電圧に応じて容量性負荷を駆動す
る増幅回路及びこれを用いた液晶ディスプレイ装置に係
り、特に、集積化のための小面積、低消費電力の増幅回
路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplifier circuit for driving a capacitive load according to an input signal voltage which changes every predetermined period, for example, and a liquid crystal display device using the same. And an amplifier circuit having a small area and low power consumption.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、液晶ディスプレイ装置は、液晶
セルがマトリクス状に配列され、画像信号が供給される
複数本の信号線と複数本の走査線が交差して配設されて
構成された液晶ディスプレイパネルと、画像信号を信号
線に供給して液晶ディスプレイパネルを駆動するための
液晶ディスプレイ駆動回路および走査線を選択的に駆動
する走査線選択回路により構成される。2. Description of the Related Art In general, a liquid crystal display device has a structure in which liquid crystal cells are arranged in a matrix, and a plurality of signal lines to which image signals are supplied and a plurality of scanning lines are arranged so as to intersect. The liquid crystal display includes a display panel, a liquid crystal display driving circuit for supplying an image signal to a signal line to drive the liquid crystal display panel, and a scanning line selection circuit for selectively driving a scanning line.
【0003】この液晶ディスプレイ装置の液晶ディスプ
レイ駆動回路の信号線駆動回路は、ボルテージフォロア
構成の増幅回路が用いられてきた。増幅回路の利得Aが
有限であるために、ボルテージフォロア構成で生じる入
出力間の誤差は入力電圧の1/Aで表される。この誤差
を小さくするため、信号線駆動回路の増幅回路としては
2段構成のものが使用されてきた。具体的には、入力増
幅段と、位相補償容量Cfを有する出力増幅段とにより
構成されていた。As a signal line drive circuit of a liquid crystal display drive circuit of this liquid crystal display device, an amplifier circuit having a voltage follower configuration has been used. Since the gain A of the amplifier circuit is finite, an error between input and output caused by the voltage follower configuration is represented by 1 / A of the input voltage. In order to reduce this error, a two-stage configuration has been used as an amplifier circuit of the signal line drive circuit. More specifically, the configuration includes an input amplification stage and an output amplification stage having a phase compensation capacitance Cf.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の構成では、出力
増幅段に接続される負荷容量が大きいとき、増幅回路を
低消費電力で安定に動作させるためには、位相補償容量
を例えば3〜5pF程度と大きくせざるを得ない。ま
た、バイアス電流を大きくすることにより2段目の増幅
段のトランスコンダクタを大きくせざるを得ない。従っ
て、この増幅回路を例えば300個含んだ駆動回路を集
積化した場合、1つの増幅回路当たり3〜5pFの位相
補償容量Cfを必要とすることから、全体で900〜1
500pFの容量が必要となり、チップ面積が非常に大
きくなるという問題があった。また、安定化のために消
費電流が増大するという問題があった。In the conventional configuration, when the load capacitance connected to the output amplifier stage is large, the phase compensation capacitance is set to, for example, 3 to 5 pF in order to stably operate the amplifier circuit with low power consumption. I have to make it as large as possible. Further, by increasing the bias current, it is necessary to increase the transconductor of the second amplification stage. Therefore, when a drive circuit including, for example, 300 amplifier circuits is integrated, a phase compensation capacitance Cf of 3 to 5 pF is required for one amplifier circuit.
There is a problem that a capacitance of 500 pF is required and the chip area becomes very large. Further, there is a problem that current consumption increases for stabilization.
【0005】上述したように、大容量の容量性負荷に接
続される増幅回路において、位相補償容量により増幅回
路を安定化させる従来の手法では、複数個の増幅回路を
集積化する際に必要となる位相補償容量の総和が非常に
大きくなり、チップ面積が増大してコストが高くなると
いう問題があった。また、消費電流が増大するという問
題があった。As described above, in an amplifier circuit connected to a large-capacity capacitive load, the conventional method of stabilizing an amplifier circuit by a phase compensation capacitor requires a plurality of amplifier circuits to be integrated. However, there is a problem that the total sum of the phase compensation capacitors becomes very large, the chip area increases, and the cost increases. In addition, there is a problem that current consumption increases.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、安定化のため
の位相補償容量を不要とするか、大幅に低減できるよう
にしてチップ面積を削減し、かつ安定に動作し、さらに
は消費電流を低減する増幅回路を提供することを目的と
する。According to the present invention, a phase compensation capacitor for stabilization is not required or can be greatly reduced to reduce the chip area and operate stably. It is an object of the present invention to provide an amplifier circuit that reduces noise.
【0007】本発明は、信号入力端子と容量性負荷が接
続される信号出力端子との間に縦続接続され、少なくと
も入力増幅段および出力増幅段を有する複数の増幅段
と、出力増幅段の出力端と信号出力端子との間に挿入さ
れた少なくとも一つの抵抗を含む抵抗回路とにより構成
される増幅回路を提供する。According to the present invention, a plurality of amplifying stages cascaded between a signal input terminal and a signal output terminal to which a capacitive load is connected and having at least an input amplifying stage and an output amplifying stage; Provided is an amplifier circuit including a resistor circuit including at least one resistor inserted between an end and a signal output terminal.
【0008】この抵抗回路は複数の抵抗により構成さ
れ、これら複数の抵抗から選択された少なくとも一つの
抵抗が出力増幅段と信号出力端子との間に接続される。
また、この抵抗回路は複数の抵抗と複数のスイッチとで
構成され、スイッチのオン・オフにより抵抗回路の抵抗
値が設定される。さらに、抵抗回路は電界効果トランジ
スタのオン抵抗により構成されてもよい。This resistor circuit is constituted by a plurality of resistors, and at least one resistor selected from the plurality of resistors is connected between the output amplification stage and a signal output terminal.
This resistance circuit is composed of a plurality of resistors and a plurality of switches, and the resistance value of the resistance circuit is set by turning on / off the switches. Further, the resistance circuit may be configured by the on-resistance of the field effect transistor.
【0009】本発明では、出力増幅段の出力端から入力
増幅段の入力端に帰還を施す帰還経路が設けられ、増幅
回路がボルテージフォロワに構成される。According to the present invention, a feedback path for providing feedback from the output terminal of the output amplifier stage to the input terminal of the input amplifier stage is provided, and the amplifier circuit is configured as a voltage follower.
【0010】このように構成された増幅回路では、開ル
ープ周波数特性に現われる第2のポールの周波数が増幅
回路の利得が1になる周波数より低く、該開ループ周波
数特性に現われる第1のゼロ点の周波数が増幅回路の利
得が1になる周波数より低くなるようにすることが望ま
しい。In the amplifier circuit thus configured, the frequency of the second pole appearing in the open loop frequency characteristic is lower than the frequency at which the gain of the amplifier circuit becomes 1, and the first zero point appearing in the open loop frequency characteristic is obtained. Is preferably lower than the frequency at which the gain of the amplifier circuit becomes 1.
【0011】また、例えば入力換算オフセット電圧モー
ドで増幅回路の信号出力端子と容量性負荷が切り離さ
れ、等価的に負荷容量が小さくなった場合の安定化のた
めに、出力増幅段の入出力端間に容量(位相補償容量)
を含む帰還経路が設けられてもよい。In addition, for example, in the input-converted offset voltage mode, the signal output terminal of the amplifier circuit is disconnected from the capacitive load, and equivalently the input / output terminal of the output amplifier stage is stabilized for stabilization when the load capacitance is reduced. Capacitance between (phase compensation capacitance)
May be provided.
【0012】本発明の増幅回路では、出力増幅段の出力
端と信号出力端子間に挿入された抵抗回路の抵抗成分と
容量性負荷の容量成分により、増幅回路の開ループ周波
数特性に第1のゼロ点が形成され、このゼロ点で位相が
進むことにより、出力増幅段でポールによる位相の遅れ
を補償することができる。すなわち、利得が1となると
きの位相と−180°の差である位相余裕を大きくする
ことができるので、増幅回路の動作安定化のための位相
補償容量を必要としない。また、位相補償容量を必要と
する場合でも、その値は非常に小さくてよいので、位相
補償容量を形成するために必要であったチップ面積を削
減することができる。さらには、消費電流を低減するこ
とができる。In the amplifier circuit according to the present invention, the open loop frequency characteristic of the amplifier circuit is firstly adjusted by the resistance component of the resistance circuit and the capacitance component of the capacitive load inserted between the output terminal of the output amplification stage and the signal output terminal. A zero point is formed, and the phase advance at this zero point allows the output amplifying stage to compensate for the phase delay due to the pole. In other words, the phase margin, which is the difference between the phase when the gain is 1 and -180 degrees, can be increased, so that a phase compensation capacitor for stabilizing the operation of the amplifier circuit is not required. Further, even when a phase compensation capacitor is required, its value may be very small, so that the chip area required for forming the phase compensation capacitor can be reduced. Furthermore, current consumption can be reduced.
【0013】本発明の増幅回路では、信号入力端子に所
定の期間毎に変化する入力信号電圧が入力される場合、
抵抗回路と容量性負荷の容量成分による時定数を該所定
の期間の1/5以下とすることが望ましい。この場合の
抵抗回路の抵抗値は、例えば50kΩ以下が適当であ
る。In the amplifier circuit of the present invention, when an input signal voltage that changes every predetermined period is input to the signal input terminal,
It is desirable that the time constant of the resistive circuit and the capacitive component of the capacitive load be 1/5 or less of the predetermined period. In this case, the resistance value of the resistance circuit is suitably, for example, 50 kΩ or less.
【0014】本発明の増幅回路には、信号入力端子に入
力される入力信号電圧が所定の極性に変化したことを検
出して出力増幅段のバイアス電流を制御する制御部がさ
らに設けられてもよい。The amplifier circuit of the present invention may further include a control unit for detecting that the input signal voltage input to the signal input terminal has changed to a predetermined polarity and controlling the bias current of the output amplification stage. Good.
【0015】本発明は、入力増幅段が所定のコモン電圧
に対して正側および負側にそれぞれ変化する第1および
第2の入力信号をそれぞれ入力する正側増幅回路および
負側増幅回路を有する2入力用増幅回路にも適用でき
る。According to the present invention, the input amplification stage has a positive-side amplifier circuit and a negative-side amplifier circuit for inputting first and second input signals respectively changing to a positive side and a negative side with respect to a predetermined common voltage. It can also be applied to a two-input amplifier circuit.
【0016】2入力用増幅回路の好ましい態様によれ
ば、正側増幅回路は第1の入力信号を入力する第1の差
動トランジスタ対と、該第1の差動トランジスタ対にテ
ール電流を与える第1の電流源と、第1の差動トランジ
スタ対の二つの出力端に電流入力端および電流出力端が
それぞれ接続された第1のカレントミラーと、第1の差
動トランジスタ対の二つの出力端間に設けられた第1の
スイッチとで構成され、負側増幅回路は第2の入力信号
を入力する第2の差動トランジスタ対と、該第2の差動
トランジスタ対にテール電流を与える第1の電流源と、
第2の差動トランジスタ対の二つの出力端に電流入力端
および電流出力端がそれぞれ接続された第2のカレント
ミラーと、第2の差動トランジスタ対の二つの出力端間
に設けられた第2のスイッチとで構成され、第1の入力
信号が正側増幅回路に入力されるときは、第1のスイッ
チがオフ状態、第2のスイッチがオン状態にそれぞれ制
御され、第2の入力信号が負側増幅回路に入力されると
きは、第1のスイッチがオン状態、第2のスイッチがオ
フ状態にそれぞれ制御される。According to a preferred embodiment of the two-input amplifier circuit, the positive-side amplifier circuit supplies a first differential transistor pair for inputting a first input signal and a tail current to the first differential transistor pair. A first current source, a first current mirror having a current input terminal and a current output terminal connected to two output terminals of the first differential transistor pair, respectively, and two outputs of the first differential transistor pair; A first switch provided between the terminals; the negative-side amplifier circuit supplies a second differential transistor pair for inputting a second input signal; and a tail current to the second differential transistor pair. A first current source;
A second current mirror having a current input terminal and a current output terminal connected to two output terminals of the second differential transistor pair, respectively, and a second current mirror provided between two output terminals of the second differential transistor pair. And when the first input signal is input to the positive side amplifier circuit, the first switch is controlled to be in an off state and the second switch is controlled to be in an on state. Is input to the negative-side amplifier circuit, the first switch is controlled to be on and the second switch is controlled to be off.
【0017】一方、出力増幅段はそれぞれのドレインま
たはコレクタが該出力増幅段の出力端に共通接続された
コンプリメンタリ・トランジスタ対により構成され、該
コンプリメンタリ・トランジスタ対の一方のゲートまた
はベースが正側増幅回路の一方の出力端に接続され、該
コンプリメンタリ・トランジスタ対の他方のゲートまた
はベースが負側増幅回路の一方の出力端に接続される。On the other hand, the output amplifying stage is constituted by a complementary transistor pair whose drain or collector is commonly connected to the output terminal of the output amplifying stage, and one of the gates or bases of the complementary transistor pair is connected to the positive side amplifier. The complementary transistor pair is connected to one output terminal of the circuit, and the other gate or base of the complementary transistor pair is connected to one output terminal of the negative side amplifier circuit.
【0018】このように構成される2入力用増幅回路で
は、先と同様に位相補償容量を不要とするか、または極
く小容量のもので済ませることができる上、正側および
負側増幅回路のうち、入力信号電圧が入力されず使用さ
れない方の増幅回路における差動トランジスタ対の出力
端間をスイッチで短絡することにより、出力増幅段のバ
イアス電流を簡単に設定することが可能となる。In the two-input amplifier configured as described above, the phase compensation capacitor is not required as described above, or a very small capacitor can be used, and the positive and negative amplifier circuits can be used. The short circuit between the output terminals of the differential transistor pair in the amplifier circuit which is not used because the input signal voltage is not input and which is not used makes it possible to easily set the bias current of the output amplification stage.
【0019】さらに、2入力用増幅回路の他の態様とし
て、上記の2入力用増幅回路の構成に加えて、正側増幅
回路および負側増幅回路に第1および第2の電流源をオ
ン・オフさせるための第3および第4のスイッチを追加
するとともに、第1のカレントミラーの第2の電流出力
端を第5のスイッチを介して第2のカレントミラーの電
流入力端に接続し、第2のカレントミラーの第2の電流
出力端を第6のスイッチを介して第1のカレントミラー
の電流入力端に接続し、第1の入力信号が正側増幅回路
に入力されるときは、第1、第4および第6のスイッチ
がオフ状態、第2、第3および第5のスイッチがオン状
態にそれぞれ制御され、第2の入力信号が負側増幅回路
に入力されるときは、第1、第4および第6のスイッチ
がオン状態、第2、第3および第5のスイッチがオフ状
態にそれぞれ制御されるようにしてもよく、このように
するとさらに低消費電力化が可能となる。Further, as another aspect of the two-input amplifier circuit, in addition to the configuration of the two-input amplifier circuit described above, the first and second current sources are turned on / off in the positive-side amplifier circuit and the negative-side amplifier circuit. A third and a fourth switch for turning off are added, and a second current output terminal of the first current mirror is connected to a current input terminal of the second current mirror via a fifth switch. When the second current output terminal of the second current mirror is connected to the current input terminal of the first current mirror via the sixth switch, and the first input signal is input to the positive side amplifier circuit, The first, fourth, and sixth switches are controlled to be in an off state, and the second, third, and fifth switches are controlled to be in an on state. When the second input signal is input to the negative side amplifier circuit, the first , The fourth and sixth switches are on, the second It may also be the third and fifth switches are controlled to be turned off, thus to further reduce power consumption becomes possible.
【0020】上記のように構成される本発明の増幅回路
は、複数の画素と、これらの各画素に画像信号に応じた
信号電圧を選択的に与えるための信号線および該信号線
と交差する走査線が配列形成された液晶ディスプレイ
と、信号線を画像信号に応じて駆動する駆動回路と、走
査線を順次選択する選択回路とを有する液晶ディスプレ
イ装置における駆動回路の増幅回路として有用である。The amplifier circuit of the present invention configured as described above has a plurality of pixels, a signal line for selectively applying a signal voltage corresponding to an image signal to each of the pixels, and a signal line crossing the signal line. The present invention is useful as an amplifier circuit of a driving circuit in a liquid crystal display device including a liquid crystal display in which scanning lines are arranged and formed, a driving circuit for driving signal lines in accordance with an image signal, and a selecting circuit for sequentially selecting scanning lines.
【0021】本発明は、複数の画素、前記複数の画素の
各々に画像信号に応じた信号電圧を選択的に与えるため
の信号線および該信号線と交差する走査線が配列形成さ
れた液晶ディスプレイと、信号線を画像信号に応じて駆
動する駆動回路と、走査線を順次選択する選択回路とで
構成され、駆動回路は、入力信号が供給される信号入力
端子と容量性負荷が接続される信号出力端子との間に縦
続接続された少なくとも入力増幅段および出力増幅段を
有する複数の増幅段と、前記出力増幅段の出力端と前記
信号出力端子との間に挿入された少なくとも一つの抵抗
を含む抵抗回路とにより構成される増幅回路を含む、液
晶ディスプレイ装置を提供する。According to the present invention, there is provided a liquid crystal display in which a plurality of pixels, a signal line for selectively applying a signal voltage corresponding to an image signal to each of the plurality of pixels, and a scanning line crossing the signal line are formed. And a drive circuit for driving the signal lines in accordance with the image signals, and a selection circuit for sequentially selecting the scan lines. The drive circuit is connected to a signal input terminal to which an input signal is supplied and a capacitive load. A plurality of amplifying stages having at least an input amplifying stage and an output amplifying stage connected in cascade with a signal output terminal; and at least one resistor inserted between an output terminal of the output amplifying stage and the signal output terminal The present invention provides a liquid crystal display device including an amplifier circuit constituted by a resistor circuit including:
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係
る増幅回路の基本構成を示す図である。この増幅回路1
は、一対の信号入力端子IN+,IN−間に入力された
差動の入力信号を増幅して信号出力端子OUTより出力
する回路であり、入力増幅段2とこの入力増幅段2の出
力をさらに増幅する出力増幅段3を縦続接続して構成さ
れる。出力増幅段3の出力端と増幅回路1の信号出力端
子OUTの間に、本発明に従った抵抗回路4が挿入され
ている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of an amplifier circuit according to one embodiment of the present invention. This amplifier circuit 1
Is a circuit that amplifies a differential input signal input between a pair of signal input terminals IN + and IN− and outputs the amplified signal from a signal output terminal OUT. The output amplification stage 3 for amplification is cascaded. Between the output terminal of the output amplification stage 3 and the signal output terminal OUT of the amplification circuit 1, a resistance circuit 4 according to the present invention is inserted.
【0023】また、必要に応じて出力増幅段3の出力端
から入力増幅段2の入力端(信号入力端子IN−)に帰
還を施す帰還回路5が設けられる。さらに、必要に応じ
て出力増幅段3の入出力端間に、微小な容量値の位相補
償容量Cfを含む帰還回路を挿入してもよい。Further, a feedback circuit 5 for providing feedback from the output terminal of the output amplification stage 3 to the input terminal (signal input terminal IN−) of the input amplification stage 2 is provided as needed. Further, a feedback circuit including a phase compensation capacitor Cf having a minute capacitance value may be inserted between the input and output terminals of the output amplification stage 3 as needed.
【0024】次に、図1の増幅回路1の作用を説明す
る。Next, the operation of the amplifier circuit 1 shown in FIG. 1 will be described.
【0025】図2は、増幅回路1の等価回路であり、g
m1は入力増幅段2のトランスコンダクタンス、R1は
入力増幅段2の出力抵抗と出力増幅段3の入力抵抗との
並列合成抵抗、C1は入力増幅段2の出力端に付加され
る容量成分、gm2は出力増幅段3のトランスコンダク
タンス、R2は出力増幅段3の出力抵抗、Rfは抵抗回
路4の抵抗成分、CLは負荷容量をそれぞれ表してい
る。また、viは信号入力端子IN+およびIN−への
入力信号電圧、v1は入力増幅段2の出力電圧、v2は
出力増幅段3の出力電圧、voは信号出力端子OUTへ
の出力信号電圧をそれぞれ表す。FIG. 2 is an equivalent circuit of the amplifier circuit 1 and g
m1 is the transconductance of the input amplification stage 2, R1 is the parallel combined resistance of the output resistance of the input amplification stage 2 and the input resistance of the output amplification stage 3, C1 is the capacitance component added to the output terminal of the input amplification stage 2, gm2 Is the transconductance of the output amplifier stage 3, R2 is the output resistance of the output amplifier stage 3, Rf is the resistance component of the resistor circuit 4, and CL is the load capacitance. Also, vi is the input signal voltage to the signal input terminals IN + and IN−, v1 is the output voltage of the input amplification stage 2, v2 is the output voltage of the output amplification stage 3, and vo is the output signal voltage to the signal output terminal OUT. Represent.
【0026】ここで、図1の増幅回路1ではその開ルー
プ周波数特性に現れる第2のポールの周波数が増幅回路
1の利得が1となる周波数より低くなり、かつ出力増幅
段3の出力端と信号出力端子OUTとの間に抵抗回路4
を挿入することによって、この開ループ周波数特性に第
1のゼロ点を導入することができる。すなわち、図2の
等価回路を用いて導き出した入力信号電圧viから出力
電圧v2に対する伝達特性より、増幅回路1の第1、第
2のポールおよび第1のゼロ点は、以下のように求めら
れる。Here, in the amplifier circuit 1 of FIG. 1, the frequency of the second pole appearing in the open-loop frequency characteristic is lower than the frequency at which the gain of the amplifier circuit 1 becomes 1, and the output terminal of the output amplifier stage 3 A resistance circuit 4 is connected between the signal output terminal OUT.
To introduce a first zero into this open loop frequency characteristic. That is, the first and second poles and the first zero point of the amplifier circuit 1 are obtained as follows from the transfer characteristics from the input signal voltage vi to the output voltage v2 derived using the equivalent circuit of FIG. .
【0027】第1のポール周波数(rad/sec) :1/
((R2+Rf)CL) (但し、R2>>Rfより、近似的に1/(R2・C
L)) 第2のポール周波数(rad/sec) :1/(R1・C1) 第1のゼロ点周波数(rad/sec) :1/(Rf・CL) 図3の(a)および(b)の実線に、抵抗回路4を設け
た場合の振幅および位相の開ループ周波数特性を示す。
また、比較のために抵抗回路4がないとき(Rf=0)
の開ループ周波数特性を破線で示す。図3の(b)に示
すように、第1、第2のポールで遅れた位相を本発明に
基づく抵抗回路4によって形成されるゼロ点により進め
ることができ、位相余裕を改善することができる。従っ
て、増幅回路1の動作安定化のために、従来必要とした
ような位相補償容量を必要としないので、位相補償容量
を形成するために必要であったチップ面積を削減するこ
とが可能となる。First pole frequency (rad / sec): 1 /
((R2 + Rf) CL) (However, from R2 >> Rf, approximately 1 / (R2 · C
L)) Second pole frequency (rad / sec): 1 / (R1 · C1) First zero point frequency (rad / sec): 1 / (Rf · CL) FIGS. 3 (a) and 3 (b) The solid line indicates the open-loop frequency characteristics of the amplitude and phase when the resistor circuit 4 is provided.
When there is no resistance circuit 4 for comparison (Rf = 0)
Is indicated by a broken line. As shown in FIG. 3B, the phase delayed by the first and second poles can be advanced by the zero point formed by the resistance circuit 4 according to the present invention, and the phase margin can be improved. . Therefore, a phase compensation capacitor, which is conventionally required, is not required for stabilizing the operation of the amplifier circuit 1, so that a chip area required for forming the phase compensation capacitor can be reduced. .
【0028】また、従来の位相補償では、第2のポール
周波数は、大容量負荷に対してgm2/CLと近似され
るので、出力増幅段の電流を大きくすることにより位相
余裕を改善できたが、消費電力の増加となっていた。こ
れに対し、本発明では、トランスコンダクタそのものが
直接ポールの周波数に関係ないため、低周波電力で位相
補償を行うことができる。In the conventional phase compensation, the second pole frequency is approximated to gm2 / CL with respect to a large capacity load. Therefore, the phase margin can be improved by increasing the current of the output amplification stage. , Power consumption had increased. On the other hand, in the present invention, since the transconductor itself does not directly relate to the frequency of the pole, phase compensation can be performed with low-frequency power.
【0029】このように本発明の増幅回路では、基本的
には位相補償容量が不要となるが、以下に説明するよう
に微小な位相補償容量Cfを増幅回路1に付加してもよ
い。増幅回路1は、一般的に入力換算オフセット電圧
(Vos)を有している。この入力換算オフセット電圧V
osは、例えば図4の(a)に示すように、オフセットの
ない増幅回路の一方の入力(ここでは非反転入力)に入
力換算オフセット電圧Vosに相当する電圧源が入った形
で、モデル化できる。図4の(b)に示すように、増幅
回路に負帰還を施して増幅回路をボルテージフォロア構
成で用いると、出力信号電圧Vout は入力信号電圧Vin
を入力換算オフセット電圧Vos分の電圧だけオフセット
した電圧が出力される。As described above, the amplifier circuit of the present invention basically does not require a phase compensation capacitor. However, a minute phase compensation capacitor Cf may be added to the amplifier circuit 1 as described below. The amplifier circuit 1 generally has an input-converted offset voltage (Vos). This input-converted offset voltage V
os is modeled in such a manner that, as shown in FIG. 4A, for example, a voltage source corresponding to an input-referred offset voltage Vos is inserted into one input (here, a non-inverting input) of an amplifier circuit having no offset. it can. As shown in FIG. 4B, when negative feedback is applied to the amplifier circuit and the amplifier circuit is used in a voltage follower configuration, the output signal voltage Vout becomes the input signal voltage Vin.
Is offset by a voltage equivalent to the input conversion offset voltage Vos.
【0030】この入力換算オフセット電圧Vosをキャン
セルするため、従来では図5の(a)に示すように容量
ChとスイッチSW1〜SW3を用い、一度SW1,S
W3を閉じ、SW2を開いて増幅回路をボルテージフォ
ロア構成にすることによって、容量Chに入力換算オフ
セット電圧Vosがかかるようにし(入力換算オフセット
検知モード)、次に図5の(b)に示すようにスイッチ
SW1,SW3を開き、スイッチSW2を閉じてオフセ
ット電圧Vosがかかった容量Chが増幅回路の他方の入
力(反転入力)に直列に入るように接続を変えること
で、入力換算オフセットVosをキャンセルする方法をと
っていた。In order to cancel the input-converted offset voltage Vos, a capacitor Ch and switches SW1 to SW3 are conventionally used as shown in FIG.
By closing W3 and opening SW2 to make the amplifier circuit a voltage follower configuration, an input-converted offset voltage Vos is applied to the capacitor Ch (input-converted offset detection mode), and then as shown in FIG. Then, the switches SW1 and SW3 are opened and the switch SW2 is closed to change the connection so that the capacitance Ch to which the offset voltage Vos is applied enters the other input (inverted input) of the amplifier circuit in series, thereby canceling the input-converted offset Vos. Had to take a way.
【0031】このように入力換算オフセット電圧キャン
セルのためには、図5の(a)のオフセット電圧検知の
ための時間が必要となり、この時間を短くするために通
常、増幅回路の信号出力端子と負荷容量CLとはスイッ
チSW4により切断されている。In order to cancel the input-converted offset voltage, a time for detecting the offset voltage shown in FIG. 5A is required. In order to shorten this time, the signal output terminal of the amplifier circuit is usually connected to the input terminal. The load capacitance CL is disconnected by the switch SW4.
【0032】この入力換算オフセット電圧キャンセルの
手法を本発明の増幅回路にそのまま適用すると、図5の
(a)のオフセット電圧検知モードでは図1の増幅回路
1の信号出力端子OUTが負荷容量CLから切断される
ため、図6に示すように第1のポールおよび第1のゼロ
点の周波数が実線で示す状態から周波数の高い方にシフ
トする結果、位相余裕が低減してしまう。そこで、オフ
セット電圧検知モードのように実効的な負荷容量CLが
小さくなった状態に対応して、図1中に破線で示すよう
に位相補償容量Cfを併用すれば、このような問題を避
けることができ、位相余裕を確保することができる。こ
の場合、位相補償容量Cfは例えば0.5pFといった
小さな値でよいから、チップ面積の増大は僅かで済み、
本発明の利点は損なわれない。When this input-converted offset voltage canceling technique is applied to the amplifier circuit of the present invention as it is, in the offset voltage detection mode of FIG. 5A, the signal output terminal OUT of the amplifier circuit 1 of FIG. As a result, the frequency of the first pole and the first zero point shifts from the state shown by the solid line to the higher frequency as shown in FIG. 6, resulting in a reduction in phase margin. Therefore, if the effective load capacitance CL is reduced as in the offset voltage detection mode and the phase compensation capacitance Cf is used together as shown by a broken line in FIG. 1, such a problem can be avoided. And a phase margin can be secured. In this case, since the phase compensation capacitance Cf may be a small value, for example, 0.5 pF, an increase in the chip area is small, and
The advantages of the present invention are not compromised.
【0033】次に、図7〜図22を参照して図1の増幅
回路の具体的回路構成を説明する。図7〜図9に、図1
の増幅回路の第1の具体例を示す。図7に示す第1の増
幅回路は増幅段が2段の構成であり、差動トランジスタ
対を構成するトランジスタMp1,Mp2と該差動トラ
ンジスタ対にテール電流を与えるトランジスタMp4に
よる電流源および差動トランジスタ対の二つの出力端で
あるドレインに電流入力端および電流出力端が接続され
たトランジスタMn1,Mn2によるカレントミラーか
らなる入力増幅段と、トランジスタMp3,Mn3によ
るコンプリメンタリ・トランジスタ対からなる出力増幅
段と、抵抗回路を構成する抵抗Rfによって構成され
る。なお、MpxはPチャネルMOSトランジスタ、M
nxはNチャネルMOSトランジスタをそれぞれ表す
(以下、同様)。Next, a specific circuit configuration of the amplifier circuit of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 7 to FIG.
1 shows a first specific example of the amplifier circuit. The first amplifier circuit shown in FIG. 7 has a configuration having two amplification stages, and includes a current source and a differential circuit including transistors Mp1 and Mp2 forming a differential transistor pair and a transistor Mp4 for providing a tail current to the differential transistor pair. An input amplification stage composed of a current mirror composed of transistors Mn1 and Mn2 having a current input terminal and a current output terminal connected to the drains of the two output terminals of the transistor pair, and an output amplification stage composed of a complementary transistor pair composed of transistors Mp3 and Mn3. And a resistor Rf forming a resistor circuit. Note that Mpx is a P-channel MOS transistor, M
nx represents an N-channel MOS transistor (the same applies hereinafter).
【0034】図8は、図7の抵抗Rfの代わりにトラン
ジスタMpr,Mnrのオン抵抗を用いた増幅回路の第
2の具体例を示している。これによると、抵抗回路を構
成するPチャンネルMOSトランジスタMprとNチャ
ンネルMOSトランジスタMnrのソースとドレインが
互いに接続され、トランジスタMp3とMn3のノード
と出力端子OUTとの間に接続され、トランジスタMp
rとMnrのゲートは電源VddとVssにそれぞれ接
続される。FIG. 8 shows a second specific example of an amplifier circuit using the on-resistances of the transistors Mpr and Mnr instead of the resistor Rf of FIG. According to this, the source and the drain of the P-channel MOS transistor Mpr and the N-channel MOS transistor Mnr forming the resistance circuit are connected to each other, connected between the nodes of the transistors Mp3 and Mn3 and the output terminal OUT, and the transistor Mp
The gates of r and Mnr are connected to power supplies Vdd and Vss, respectively.
【0035】図9は、図4および図5で説明した増幅回
路の入力換算オフセット電圧キャンセル動作で必要なス
イッチSW4の機能を図8のトランジスタMpr,Mn
rが兼ねるようにした増幅回路の第3の具体例を示す。
この増幅回路によると、トランジスタMnrのゲートが
インバータINを介してトランジスタMprのゲートに
接続される。この回路によると、スイッチング信号が信
号ラインSLに入力されると、両トランジスタMpr,
Mnrがオンとなり、このオン抵抗が抵抗Rfの機能を
果たす。FIG. 9 shows the function of the switch SW4 required for the input-converted offset voltage canceling operation of the amplifier circuit described with reference to FIGS. 4 and 5 by using the transistors Mpr and Mn shown in FIG.
A third specific example of an amplifier circuit in which r also functions is shown.
According to this amplifier circuit, the gate of the transistor Mnr is connected to the gate of the transistor Mpr via the inverter IN. According to this circuit, when a switching signal is input to the signal line SL, both transistors Mpr, Mpr,
Mnr is turned on, and this on resistance performs the function of the resistance Rf.
【0036】図10に、図7の増幅回路において負荷容
量CLの値を150pFにしたときの利得および位相の
周波数特性のシミュレーション結果を示す。抵抗Rfが
無い場合にくらべ、抵抗Rfを設けることにより、大幅
に位相余裕が改善されていることが分かる。FIG. 10 shows a simulation result of the gain and phase frequency characteristics when the value of the load capacitance CL is 150 pF in the amplifier circuit of FIG. It can be seen that the provision of the resistor Rf significantly improves the phase margin as compared with the case without the resistor Rf.
【0037】また、上述したように入力換算オフセット
電圧検知モードなどで、信号出力端子OUTが負荷容量
CLと切断され、等価的に負荷容量CLの値が例えば2
pFと小さくなった場合、図11に示すように得られる
位相余裕が小さくなる。これに対しては、例えば0.5
pFと小さな位相補償容量Cfを併用することにより、
図12に示すように大きな負荷容量でも小さな負荷容量
でも、共に大きな位相余裕を確保することができる。As described above, the signal output terminal OUT is disconnected from the load capacitance CL in the input-converted offset voltage detection mode or the like.
When the pF becomes small, the obtained phase margin becomes small as shown in FIG. For this, for example, 0.5
By using pF and a small phase compensation capacitance Cf together,
As shown in FIG. 12, a large phase margin can be ensured for both large and small load capacities.
【0038】図13に示すように、容量が小さくとも、
位相補償容量Cfの併用により大容量負荷のときは位相
余裕が若干少なくなる。図14は、この点を改善するた
め、位相補償容量Cfに直列接続されたスイッチSWC
を設けることにより、入力換算オフセット電圧検知モー
ドなどで信号出力端子OUTが負荷容量CLから切断さ
れ、等価的に負荷容量CLが例えば2pFと小さくなっ
た場合のみスイッチSWCを閉じるようにした増幅回路
の第4の具体例を示している。これによると、スイッチ
SWCがトランジスタMn2とMn3とのノードとキャ
パシタCfとの間に接続され、負荷容量CLが小さくな
ったとき、このスイッチSWCが閉成される。これによ
って本発明による本来の位相余裕を確保することもでき
る。As shown in FIG. 13, even if the capacity is small,
When a large capacity load is used by using the phase compensation capacitor Cf together, the phase margin is slightly reduced. FIG. 14 shows a switch SWC connected in series to the phase compensation capacitor Cf to improve this point.
Is provided, the signal output terminal OUT is disconnected from the load capacitance CL in the input conversion offset voltage detection mode or the like, and equivalently, the switch SWC is closed only when the load capacitance CL is reduced to, for example, 2 pF. The fourth example is shown. According to this, the switch SWC is connected between the node of the transistors Mn2 and Mn3 and the capacitor Cf, and when the load capacitance CL decreases, the switch SWC is closed. As a result, the original phase margin according to the present invention can be secured.
【0039】液晶ディスプレイの信号線は、上述したよ
うな単純な容量モデルから、図15に示すようなπ型モ
デルなどで表される。π型モデルのように、負荷に抵抗
成分RLを含んでいても、図16に示すシミュレーショ
ン結果から明らかなように周波数特性はほとんど変わら
ない。The signal line of the liquid crystal display is represented by a simple capacitance model as described above, a π-type model as shown in FIG. 15, or the like. Even if the load includes the resistance component RL as in the π-type model, the frequency characteristics hardly change as is clear from the simulation results shown in FIG.
【0040】図17に、図7に示した増幅回路の出力増
幅段の出力端(トランジスタMn3およびMp3のドレ
イン)から負側の信号入力端子IN−に帰還を施したボ
ルテージフォロア構成で、入力信号電圧として矩形波を
入力したときのシミュレーション結果を示す。図7の増
幅回路では、立上がりのスルーレートはトランジスタM
p3から供給される電流と負荷容量値CLの値により決
定されており、トランジスタMp3から供給される電流
が小さいため、十分なスルーレートが得られない。FIG. 17 shows a voltage follower configuration in which feedback is provided from the output terminal (drain of transistors Mn3 and Mp3) of the output amplifier stage of the amplifier circuit shown in FIG. 7 to the negative signal input terminal IN-. The simulation result at the time of inputting a rectangular wave as a voltage is shown. In the amplifier circuit shown in FIG.
It is determined by the current supplied from p3 and the value of the load capacitance value CL. Since the current supplied from the transistor Mp3 is small, a sufficient slew rate cannot be obtained.
【0041】この点については、増幅回路の入力信号電
圧が正側に変動したことを検出して、出力増幅段のバイ
アス電流を供給するトランジスタMp3の出力電流を増
加させることにより、立上がりのスルーレートを改善す
ることができる。In this regard, the rise slew rate is increased by detecting that the input signal voltage of the amplifier circuit has changed to the positive side and increasing the output current of the transistor Mp3 that supplies the bias current of the output amplifier stage. Can be improved.
【0042】図18は、この原理で立上がりのスルーレ
ートを改善した増幅回路の第5の具体例であり、この増
幅回路は、トランジスタMn4,Mp6により入力信号
電圧が正極性に変化したことを検出し、入力信号電圧が
正極性に変動したときにトランジスタMp7をオンさせ
て、電流源ILより供給される電流をトランジスタMp
3のゲートバイアス電圧を決定しているダイオード接続
されたトランジスタMp5に流し、トランジスタMp3
のゲートバイアス電圧を大きくする構成となっている。FIG. 18 shows a fifth specific example of an amplifier circuit in which the rising slew rate is improved based on this principle. This amplifier circuit detects that the input signal voltage has changed to the positive polarity by the transistors Mn4 and Mp6. Then, when the input signal voltage changes to the positive polarity, the transistor Mp7 is turned on, and the current supplied from the current source IL is changed to the transistor Mp7.
3 to the diode-connected transistor Mp5 which determines the gate bias voltage of the transistor Mp3.
Are configured to increase the gate bias voltage.
【0043】図18の回路についてより詳細に説明する
と、トランジスタMp6は電流源を構成し、そのゲート
はバイアス電流決定用トランジスタMp5のドレインお
よびゲートに接続されている。トランジスタMp7はゲ
ートがトランジスタMn4およびMp6のドレインに接
続され、ソースがバイアス電流決定用トランジスタMp
5のドレインおよびゲートに接続され、ドレインが定電
流源ILに接続されている。The circuit of FIG. 18 will be described in more detail. The transistor Mp6 forms a current source, and its gate is connected to the drain and gate of the bias current determining transistor Mp5. The transistor Mp7 has a gate connected to the drains of the transistors Mn4 and Mp6, and a source connected to the bias current determining transistor Mp4.
5, and the drain is connected to the constant current source IL.
【0044】ここで、説明を簡単にするために、トラン
ジスタMn4と入力増幅段2のトランジスタMn1は同
一サイズ、つまりW/L(WはMOSトランジスタのチ
ャネル幅、LはMOSトランジスタのチャネル長)が同
一であるとする。また、トランジスタMp6のサイズ
(W/L)Mp6 は、入力増幅段2の電流源トランジスタ
Mp4のサイズ(W/L)Mp4 の0.6倍であるとす
る。信号入力端子IN+,IN−間に印加される電圧が
ゼロまたは負のとき、つまり、正側の信号入力端子IN
+の電圧が負側の信号入力端子IN−の電圧より低いと
きは、トランジスタMn1にトランジスタMp4から供
給される電流の半分以下の電流が流れ、このトランジス
タMn1の電流がトランジスタMn4によりコピーされ
る。Here, in order to simplify the description, the transistor Mn4 and the transistor Mn1 of the input amplification stage 2 have the same size, that is, W / L (W is the channel width of the MOS transistor, and L is the channel length of the MOS transistor). It is assumed that they are the same. It is also assumed that the size (W / L) Mp6 of the transistor Mp6 is 0.6 times the size (W / L) Mp4 of the current source transistor Mp4 of the input amplification stage 2. When the voltage applied between the signal input terminals IN + and IN− is zero or negative, that is, the signal input terminal IN on the positive side
When the voltage of + is lower than the voltage of the signal input terminal IN− on the negative side, a current that is less than half of the current supplied from the transistor Mp4 flows through the transistor Mn1, and the current of the transistor Mn1 is copied by the transistor Mn4.
【0045】ここで、トランジスタMp6から供給され
る電流は、トランジスタMp4より供給される電流の
0.6倍であり、この場合はトランジスタMn4に流れ
る電流より大きいため、トランジスタMp6のドレイン
電圧が高くなり、トランジスタMp7はオフとなるた
め、電流源ILから供給される電流はトランジスタMp
5に加算されない。Here, the current supplied from the transistor Mp6 is 0.6 times the current supplied from the transistor Mp4. In this case, since the current supplied to the transistor Mp4 is larger than the current supplied to the transistor Mp4, the drain voltage of the transistor Mp6 increases. Since the transistor Mp7 is turned off, the current supplied from the current source IL
Not added to 5.
【0046】一方、信号入力端子IN+,IN−間に印
加される入力信号電圧が所定の正極性の電圧以上のと
き、つまり、正側の信号入力端子IN+の電圧が負側の
信号入力端子IN−の電圧より所定値以上高いときは、
トランジスタMn1にトランジスタMp4から供給され
る電流の0.6倍より大きい電流が流れ、このトランジ
スタMn1の電流がトランジスタMn4によりコピーさ
れる。On the other hand, when the input signal voltage applied between the signal input terminals IN + and IN− is equal to or higher than a predetermined positive voltage, that is, the voltage of the positive signal input terminal IN + is changed to the negative signal input terminal IN +. When the voltage is higher than the negative voltage by a predetermined value,
A current larger than 0.6 times the current supplied from the transistor Mp4 flows through the transistor Mn1, and the current of the transistor Mn1 is copied by the transistor Mn4.
【0047】ここで、トランジスタMp6から供給され
る電流は、トランジスタMp4から供給される電流の
0.6倍であり、この場合はトランジスタMn4に流れ
る電流より小さいため、トランジスタMp6のドレイン
電圧が低くなり、トランジスタMp7はオンとなる。こ
れにより電流源ILから供給される電流はトランジスタ
Mp7を介してバイアス電流決定用トランジスタMp5
に加算されるため、トランジスタMp5のゲート・ソー
ス間電圧は大きくなり、トランジスタMp3から供給さ
れる電流も大きくなる。Here, the current supplied from the transistor Mp6 is 0.6 times the current supplied from the transistor Mp4. In this case, since the current supplied to the transistor Mp4 is smaller than the current supplied to the transistor Mp4, the drain voltage of the transistor Mp6 decreases. , The transistor Mp7 is turned on. As a result, the current supplied from the current source IL is supplied to the bias current determining transistor Mp5 via the transistor Mp7.
, The gate-source voltage of the transistor Mp5 increases, and the current supplied from the transistor Mp3 also increases.
【0048】このようにして、入力信号電圧が正極性に
変化するときに出力増幅段3のトランジスタMp3から
供給される電流が大きくなるように制御できるので、立
上がりのスルーレートを改善することができる。In this manner, when the input signal voltage changes to the positive polarity, the current supplied from the transistor Mp3 of the output amplification stage 3 can be controlled to be large, so that the rising slew rate can be improved. .
【0049】図19に、図18に示した立上がりのスル
ーレートを改善した増幅回路において、出力増幅段の出
力(トランジスタMn3およびMp3のドレイン)から
負側の信号入力端子IN−に帰還を施したボルテージフ
ォロア構成で、入力信号電圧として矩形波を入力したと
きのシミュレーション結果を示す。ここで、v2は出力
増幅段2の出力電圧(トランジスタMp3およびMn3
のドレイン電圧)、voは信号出力端子OUTの電圧で
ある。立ち下がり特性と同程度まで立上がりの特性が改
善されていることが分かる。In FIG. 19, in the amplifying circuit in which the rising slew rate shown in FIG. 18 is improved, the output from the output amplifying stage (the drains of the transistors Mn3 and Mp3) is fed back to the negative signal input terminal IN-. 7 shows a simulation result when a rectangular wave is input as an input signal voltage in a voltage follower configuration. Here, v2 is the output voltage of the output amplification stage 2 (transistors Mp3 and Mn3
, Vo is the voltage of the signal output terminal OUT. It can be seen that the rising characteristics are improved to the same extent as the falling characteristics.
【0050】抵抗回路Rfと負荷容量CLは低域通過フ
ィルタ(以下、LPFという)を構成しているため、そ
の時定数τ(=Rf・CL)によりvoはv2に対して
遅れる。通常、抵抗と容量により形成されるLPFで
は、時定数の5倍程度の時間がセトリングに必要なの
で、本発明の増幅回路を例えば所定の期間毎に信号電圧
が変化する液晶ディスプレイ駆動回路に適用する際に
は、時定数τを所定の周期の1/5以下となるようにす
ればよい。Since the resistance circuit Rf and the load capacitance CL constitute a low-pass filter (hereinafter referred to as LPF), vo is delayed from v2 by the time constant τ (= Rf · CL). Normally, in an LPF formed by a resistor and a capacitor, a time approximately five times the time constant is required for settling. Therefore, the amplifier circuit of the present invention is applied to, for example, a liquid crystal display driving circuit in which a signal voltage changes every predetermined period. In this case, the time constant τ may be set to be 1/5 or less of the predetermined period.
【0051】このようにすることで、図19に示すよう
に入力増幅段2の出力電圧v2に対する信号出力端子O
UTの電圧voの遅れ時間を小さくして、所定のセトリ
ング特性を満足させることができる。具体的には、例え
ば液晶ディスプレイ駆動回路における信号電圧の駆動周
期はほぼ20μsec なので、負荷容量CLとして50p
F〜100pF程度を想定した場合、抵抗回路Rfの値
を50kΩ以下にすればよい。By doing so, as shown in FIG. 19, the signal output terminal O with respect to the output voltage v2 of the input amplification stage 2
The predetermined settling characteristics can be satisfied by reducing the delay time of the voltage vo of the UT. Specifically, for example, since the driving cycle of the signal voltage in the liquid crystal display driving circuit is approximately 20 μsec, the load capacitance CL is set to 50p.
Assuming about F to 100 pF, the value of the resistance circuit Rf may be set to 50 kΩ or less.
【0052】液晶ディスプレイの信号線はディスプレイ
のサイズや信号線の材質によっても変わるため、これら
に応じて抵抗Rfを最適な値に選ぶことが望ましい。図
20〜図22に、抵抗Rfを最適な値にするための具体
例を示す。Since the signal line of the liquid crystal display varies depending on the size of the display and the material of the signal line, it is desirable to select the resistor Rf to an optimum value according to these. 20 to 22 show specific examples for setting the resistance Rf to an optimum value.
【0053】図20は、出力増幅段の出力端(トランジ
スタMn3,Mp3のドレイン)と信号出力端子OUT
との間に、抵抗値の異なる複数の抵抗Rf10,Rf11,
Rf12,…をスイッチSW10,SW11,SW12,…を介
して並列に配設し、スイッチSW10,SW11,SW12,
…の開閉を制御することによって抵抗Rfの値を選択す
るようにした増幅回路の具体例である。FIG. 20 shows the output terminals (the drains of the transistors Mn3 and Mp3) of the output amplification stage and the signal output terminal OUT.
And a plurality of resistors Rf10, Rf11,
Are arranged in parallel via switches SW10, SW11, SW12,..., And switches SW10, SW11, SW12,.
This is a specific example of an amplifier circuit in which the value of the resistor Rf is selected by controlling the opening and closing of.
【0054】なお、図20において抵抗Rf10,Rf1
1,Rf12,…の抵抗値を同一とし、スイッチSW10,
SW11,SW12,…の開閉による抵抗の並列接続数を変
えることで、抵抗Rfの値を選択するようにしてもよ
い。In FIG. 20, resistors Rf10 and Rf1
, Rf12,... Have the same resistance, and switches SW10,
The value of the resistor Rf may be selected by changing the number of resistors connected in parallel by opening and closing SW11, SW12,.
【0055】図21は、出力増幅段の出力端(トランジ
スタMn3,Mp3のドレイン)と信号出力端子OUT
との間に、抵抗値の異なる複数の抵抗Rf10,Rf11,
Rf12,…を直列に配設するとともに、各抵抗Rf10,
Rf11,Rf12,…にスイッチSW10,SW11,SW1
2,…を並列に配設し、スイッチSW10,SW11,SW1
2,…の開閉を制御することによって抵抗Rfの値を決
定するようにした増幅回路の第7の具体例である。FIG. 21 shows the output terminals (the drains of the transistors Mn3 and Mp3) of the output amplification stage and the signal output terminal OUT.
And a plurality of resistors Rf10, Rf11,
.. Are arranged in series, and each resistor Rf10,.
Rf11, Rf12,... Switches SW10, SW11, SW1
2, ... are arranged in parallel, and switches SW10, SW11, SW1
This is a seventh specific example of an amplifier circuit in which the value of the resistor Rf is determined by controlling the opening and closing of 2,.
【0056】なお、図21において抵抗Rf10,Rf1
1,Rf12,…の抵抗値を同一とし、スイッチSW10,
SW11,SW12,…の開閉による抵抗の直列接続数を変
えることで、抵抗Rfの値を選択するようにしてもよ
い。In FIG. 21, the resistors Rf10, Rf1
, Rf12,... Have the same resistance, and switches SW10,
The value of the resistor Rf may be selected by changing the number of resistors connected in series by opening and closing SW11, SW12,.
【0057】図22は、増幅回路を集積回路化する際
に、予め複数の抵抗Rf10,Rf11,Rf12,…をチッ
プ上に形成しておき、液晶ディスプレイパネルに応じて
抵抗値Rfが最適になるように、これらの抵抗Rf10,
Rf11,Rf12,…のうちの一つあるいは複数の抵抗を
金属配線のレイヤのみ変えることで実現するようにした
増幅回路の第8の具体例である。FIG. 22 shows that a plurality of resistors Rf10, Rf11, Rf12,... Are formed in advance on a chip when the amplifier circuit is integrated, and the resistance value Rf is optimized according to the liquid crystal display panel. As described above, these resistors Rf10,
This is an eighth specific example of an amplifier circuit realized by changing one or a plurality of resistors among Rf11, Rf12,... Only in a metal wiring layer.
【0058】図23は、第9の具体例であり、同相入力
電圧範囲の広い増幅回路に本発明を適用したrail-to-ra
il type の増幅回路を示す。これによると、入力増幅段
2は、トランジスタMp1l,Mp12による差動対と
バイアス電流源Ib2により構成され、Vss側に同相
入力電圧範囲を有する第1の差動増幅回路と、トランジ
スタMn11,Mn12による差勤対とバイアス電流源
Iblにより構成され、Vdd側に同相入力電圧範囲を
有する第2の差動増幅回路と、トランジスタMp14な
いしMp17で構成するカレントミラー回路とで構成さ
れる。これにより、第1の差動増幅回路の出力電流と第
2の差動増幅回路の電流出力とがカレントミラー回路で
折り返されて加算される。ここで、トランジスタMn1
4,Mn15は能動負荷として動作している。FIG. 23 shows a ninth embodiment, in which the present invention is applied to an amplifier circuit having a wide common-mode input voltage range.
This shows an il type amplifier circuit. According to this, the input amplification stage 2 includes a differential pair including transistors Mp11 and Mp12 and a bias current source Ib2, and includes a first differential amplification circuit having an in-phase input voltage range on the Vss side and transistors Mn11 and Mn12. The second differential amplifier circuit includes a differential pair and a bias current source Ibl and has a common-mode input voltage range on the Vdd side, and a current mirror circuit including transistors Mp14 to Mp17. Thus, the output current of the first differential amplifier circuit and the current output of the second differential amplifier circuit are folded back by the current mirror circuit and added. Here, the transistor Mn1
4, Mn15 operates as an active load.
【0059】上記構成の増幅回路において、高い入力電
圧、即ち電圧Vdd側の入力電圧INが入力増幅段2に
印加されると、トランジスタMn11,Mn12でなる
第1の差動増幅回路がアクティブとなる。これに対し
て、入力電圧INが低い、即ち電圧Vss側にある場
合、第2の差動増幅回路がアクティブとなる。即ち、入
力電圧INがVdd側或はVss側となっても、第1或
は第2の差動増幅回路のどちらか一方が動作するため、
入力同相電圧範囲の広い入力増幅段2が実現される。こ
の構成では、入力電圧INがVdd側となった時の信号
経路が、入力電圧がVss側となった時の信号経路より
長くなり、これによる遅延時間差が生じるが、通常のa
−Si(アモフファスシリコン)TFT液晶ディスプレ
イ駆動回路用増幅回路の動作速度からするとこの遅延時
間差は小さく本発明の効果は変わらない。In the amplifier circuit having the above configuration, when a high input voltage, that is, an input voltage IN on the voltage Vdd side is applied to the input amplifier stage 2, the first differential amplifier circuit including the transistors Mn11 and Mn12 becomes active. . On the other hand, when the input voltage IN is low, that is, on the voltage Vss side, the second differential amplifier circuit becomes active. That is, even if the input voltage IN is on the Vdd side or the Vss side, either one of the first and second differential amplifier circuits operates, so that
An input amplifier stage 2 having a wide input common mode voltage range is realized. In this configuration, the signal path when the input voltage IN is on the Vdd side is longer than the signal path when the input voltage is on the Vss side, which causes a delay time difference.
The delay time difference is small in view of the operating speed of the amplifier circuit for the -Si (Amorphous Silicon) TFT liquid crystal display driving circuit, and the effect of the present invention is not changed.
【0060】図24は、同相入力電圧範囲の広い増幅回
路に本発明を適用したレール・ツ・レール型(rail-to-
rail type )増幅回路の第10の具体例を示す。これに
よると、入力増幅段2は、トランジスタMp1l,Mp
12による差動対とMp2l,Mp22による差動対の
ソースを共通にしており、トランジスタMpl1,Mp
12のゲートは入力信号が印加され、トランジスタMp
13,Mp14のゲートは、トランジスタMn1l,M
n12による差動対で構成される差動増幅回路の出力に
接続されている。また、トランジスタMn1l,Mn1
2による差動対で構成される差動増幅回路の出力の動作
点は、トランジスタMp2l,Mp22が動作する電圧
に設定してある。FIG. 24 shows a rail-to-rail type (rail-to-rail type) in which the present invention is applied to an amplifier circuit having a wide common mode input voltage range.
rail type) A tenth specific example of the amplifier circuit is shown. According to this, the input amplification stage 2 includes the transistors Mp11 and Mp11.
12 and the sources of the differential pairs Mp21 and Mp22 have a common source.
The input signal is applied to the gate of the transistor 12 and the transistor Mp
13 and Mp14 are connected to transistors Mn11 and Mn11, respectively.
n12 is connected to the output of a differential amplifier circuit composed of a differential pair. Further, the transistors Mn11, Mn1
The operating point of the output of the differential amplifier circuit composed of a differential pair of 2 is set to a voltage at which the transistors Mp21 and Mp22 operate.
【0061】この構成により、入力電圧がVdd側に近
付きトランジスタMp11、Mp12がオフしてもMn
11,Mn12トランジスタによる差動対で構成される
差動増幅回路を介して、トランジスタMp2l、Mp2
2が動作するので、入力同相電圧範囲の広い入力増幅段
2が実現される。この構成では、入力電圧がVdd側と
なった時、トランジスタMn11,Mn12による差動
対で構成される差動増幅回路を通過する分、入力電圧が
Vss側に近づいたときの動作に比べ、差動増幅回路の
遅延時間だけ遅くなるが、通常のa −SiTFT液晶デ
ィスプレイ駆動回路用増幅回路の動作速度からするとこ
の遅延時間差は小さく本発明の効果は変わらない。With this configuration, even when the input voltage approaches the Vdd side and the transistors Mp11 and Mp12 are turned off, Mn
Transistors Mp21 and Mp2 via a differential amplifier circuit composed of a differential pair of transistors 11 and Mn12.
2 operates, the input amplification stage 2 having a wide input common mode voltage range is realized. In this configuration, when the input voltage goes to the Vdd side, the difference between the input voltage and the operation when the input voltage approaches the Vss side is equivalent to the operation when the input voltage approaches the Vss side by the amount of passing through the differential amplifier circuit composed of the differential pair of the transistors Mn11 and Mn12. Although the delay is delayed by the delay time of the dynamic amplifying circuit, the delay time difference is small in view of the operating speed of the normal a-Si TFT liquid crystal display drive circuit amplifying circuit, and the effect of the present invention is not changed.
【0062】図23及び図24に示した例では、a −S
iTFT液晶ディスプレイ駆動回路の増幅回路を前提と
したが、Poly−SiTFT液晶ディスプレイ駆動回
路の増幅回路では、パネルの複数の信号線が1個の増幅
回路により時分割で駆動されるため、a−SiTFT液
晶ディスプレイ駆動回路の増幅回路よリ10倍以上高速
に動作する増幅回路が要求される。このため、同相入力
電圧範囲の広い入力増幅段で生じる入力電圧による遅延
時間差は、a−SiTFT液晶ディスプレイ駆動回路用
増幅回路の時と異なり無視できなくなり、位相余裕の劣
化となる。これは、図25および図26に示したよう
に、同相入力電圧を広げるために付加したトランジスタ
M11,M12による差動対で構成される差動増幅回路
出力から出力増幅段に容量素子を含むフイードフォワー
ド経路を付加することにより高周波信号成分が図25で
は、Mp16,Mp17を通過する時間、また、図26
では、Mp21,Mp22を通過する時間を短くするこ
とができる。これにより、遅延時間差を緩和することが
できる。In the example shown in FIGS. 23 and 24, a−S
Although the amplifier circuit of the iTFT liquid crystal display drive circuit was premised, the amplifier circuit of the Poly-Si TFT liquid crystal display drive circuit drives a plurality of signal lines of the panel in a time-division manner by one amplifier circuit. An amplifier circuit that operates at least 10 times faster than the amplifier circuit of the liquid crystal display drive circuit is required. For this reason, the delay time difference due to the input voltage generated in the input amplifier stage having a wide common-mode input voltage range cannot be ignored, unlike the amplifying circuit for the a-Si TFT liquid crystal display driving circuit, and the phase margin deteriorates. This is because, as shown in FIGS. 25 and 26, the output from the differential amplifier circuit composed of a differential pair of transistors M11 and M12 added to increase the common mode input voltage is output from the output amplifier stage including a capacitive element. In FIG. 25, the time required for the high-frequency signal component to pass through Mp16 and Mp17 by adding the idle-forward path, and FIG.
In this case, the time required to pass through Mp21 and Mp22 can be shortened. As a result, the delay time difference can be reduced.
【0063】より具体的には、図25および図26で
は、出力増幅段のバイアス電流源を構成するトランジス
タMp13のゲートに抵抗Rffを介してバイアス電圧
Vbを印加し、トランジスタMp15のゲートからトラ
ンジスタMp13のゲートに容量Cff2によるフイー
ドフォワード経路を付加している。さらに、出力増幅段
の増幅トランジスタMn13が、ゲートが共通でカスコ
ード構成されたトランジスタMn13a,Mn13bに
置き換え、トランジスタMn13aのソースとトランジ
スタMn13bのドレインの接続点とトランジスタMp
14のゲートとの間に容量Cff1によるフイードフォ
ワード経路が付加されている。この構成により、入力電
圧が高速に変化しても変化点の周波数の高い成分はこれ
ら容量性フイードフォワード経路を介して出力増幅段に
フイードフォワードされるため、同相入力電圧範囲の広
い入力増幅段で生じる入力電圧による遅延時間差を緩和
することができる。More specifically, in FIGS. 25 and 26, the bias voltage Vb is applied to the gate of the transistor Mp13 constituting the bias current source of the output amplification stage via the resistor Rff, and the gate of the transistor Mp15 is connected to the transistor Mp13. A feedforward path with a capacitance Cff2 is added to the gate of the gate. Further, the amplifying transistor Mn13 in the output amplifying stage is replaced with transistors Mn13a and Mn13b having a common gate and a cascode configuration, and a connection point between the source of the transistor Mn13a and the drain of the transistor Mn13b is connected to the transistor Mp.
A feedforward path with a capacitance Cff1 is added between the gate and the fourteenth gate. With this configuration, even if the input voltage changes at a high speed, the high-frequency component at the change point is fed forward to the output amplification stage via these capacitive feed-forward paths. The delay time difference due to the input voltage generated in the stage can be reduced.
【0064】なお、図25および図26では、トランジ
スタMp13のゲートヘのフイードフォワード経路形成
のため、抵抗Rffを用いているが、図27に示すよう
に電界効果トランジスタMffのオン抵抗を用いても良
い。In FIGS. 25 and 26, the resistor Rff is used to form a feedforward path to the gate of the transistor Mp13. However, as shown in FIG. 27, the on-resistance of the field effect transistor Mff may be used. good.
【0065】また、図28に示すように、図26に示す
増幅回路に入力信号電圧が正側に変動したことを検出し
て、出力増幅段3のバイアス電流を供給するトランジス
タMp13の出力電流を増加させるバイアス電圧(V
b)制御回路を組み合わせることもできる。この時、図
28に点線で示したように、入力信号電圧が正側に変動
したことを検出して加えるバイアス電流IL2を増幅回
路のバイアス電流Iblに直接加算せず、フイードフォ
ワード経路を設けるため加えた抵抗Rffを介して加え
ることにより、IL2×Rffなる電圧が抵抗Rffに
かかるため、小さなバイアス電流ILでトランジスタM
p3のゲート・ソース電圧を大きくすることができる。
つまり、入力信号電圧が正側に変動した時に、小さなバ
イアス電流ILで、トランジスタMp13にて大きな出
力電流を供給することができる。As shown in FIG. 28, when the input signal voltage fluctuates to the positive side in the amplifier circuit shown in FIG. 26, the output current of the transistor Mp13 that supplies the bias current of the output amplification stage 3 is detected. Increasing bias voltage (V
b) Control circuits can be combined. At this time, as indicated by a dotted line in FIG. 28, a bias current IL2 to be added by detecting that the input signal voltage has changed to the positive side is not directly added to the bias current Ibl of the amplifier circuit, but a feedforward path is provided. Since the voltage IL2 × Rff is applied to the resistor Rff by adding the voltage via the added resistor Rff, the transistor M
The gate-source voltage of p3 can be increased.
That is, when the input signal voltage fluctuates to the positive side, a large output current can be supplied from the transistor Mp13 with a small bias current IL.
【0066】図28の増幅回路において、トランジスタ
Mn16,Mp32,Mp33,Mp34,電流源IL
l,IL2により構成されるバイアス電圧(Vb)制御
回路は、入力電庄が低い電圧から高い電圧に大きく変動
した場合、これを検知して出力増幅段3のバイアス電流
を供給するトランジスタMp13の出力電流を増加させ
る。この制御回路は、同相入力電圧範囲を広げるために
設けてあるトランジスタMn1l,Mn12による差動
対並びに、トランジスタMp14〜Mp17による能動
負荷で構成される増幅回路を介して、トランジスタMp
1l,Mp12による差動対に並列に設けたトランジス
タMpll,Mp12による差動対に接続される。この
差動対の出力が前記制御回路の入力であるトランジスタ
Mn16のゲートに印加される。このため、入力電圧の
変化に対して、この制御回路が動作して出力電流を増加
するまでに遅延を生じる。この遅延は、図29に示すよ
うに、同相入力電圧範囲を広げるために加えてあるトラ
ンジスタMn1l,Mn12による差動対並びに、トラ
ンジスタMp14、Mp17による能動負荷で構成され
る増幅回路の出力であるトランジスタMn12の出力と
入力電圧変化検知部出力であるトランジスタMn16の
出力の間に容量Cff3を設けることにより、入力電圧
の変化が、容量Cff3を介して入力電圧変化検知部出
力にフイードフォワードされるため緩和できる。In the amplifier circuit shown in FIG. 28, transistors Mn16, Mp32, Mp33, Mp34, current source IL
The bias voltage (Vb) control circuit constituted by I and IL2 detects a large change in the input voltage from a low voltage to a high voltage, detects this, and outputs the output of the transistor Mp13 that supplies the bias current of the output amplification stage 3 to the output voltage. Increase the current. The control circuit includes a differential pair of transistors Mn11 and Mn12 provided to extend the common-mode input voltage range, and an amplifier circuit including an active load of transistors Mp14 to Mp17.
11 and Mp12, and connected to a differential pair of transistors Mpll and Mp12 provided in parallel with the differential pair of Mp12. The output of the differential pair is applied to the gate of the transistor Mn16, which is the input of the control circuit. Therefore, there is a delay before the control circuit operates to increase the output current with respect to the change in the input voltage. This delay is, as shown in FIG. 29, a transistor which is an output of an amplifier circuit constituted by a differential pair formed by transistors Mn11 and Mn12 and an active load formed by transistors Mp14 and Mp17 added to extend the common mode input voltage range. By providing the capacitance Cff3 between the output of Mn12 and the output of the transistor Mn16, which is the output of the input voltage change detection unit, the change in the input voltage is fed forward to the output of the input voltage change detection unit via the capacitance Cff3. Can be relaxed.
【0067】図30に、液晶ディスプレイ駆動回路用の
増幅回路の機能を示す。図30に示すように液晶セルの
共通電極側に印加するコモン電圧Vcom を一定電圧に
し、この電圧Vcom を基準にして信号電圧VRGB を周期
的に反転させる場合、液晶ディスプレイ駆動回路は、図
30に示すように入力されるRGB信号をVcom より正
側の電圧にディジタル−アナログ変換する正側D/A変
換器DA1と、Vcom より負側の電圧にディジタル−ア
ナログ変換する負側D/A変換器DA2と、これら正側
および負側のD/A変換器の出力電圧を増幅するための
入力の電圧変化範囲が異なる2入力用増幅回路AMPが
必要となる。また、この2入力用増幅回路はその機能と
して、一方のD/A変換器の出力を入力する増幅すると
きは、他方のD/A変換器の出力を入力する増幅回路が
オフになっていることが要求される。FIG. 30 shows the function of the amplifier circuit for the liquid crystal display drive circuit. As shown in FIG. 30, when the common voltage Vcom applied to the common electrode side of the liquid crystal cell is set to a constant voltage, and the signal voltage VRGB is periodically inverted with reference to this voltage Vcom, the liquid crystal display driving circuit is configured as shown in FIG. As shown, a positive D / A converter DA1 for digital-to-analog conversion of an input RGB signal to a voltage more positive than Vcom, and a negative D / A converter for digital-to-analog conversion to a voltage more negative than Vcom DA2 and a two-input amplifier circuit AMP having different input voltage change ranges for amplifying the output voltages of the positive and negative D / A converters are required. The function of the two-input amplifier circuit is that, when the output of one D / A converter is input and amplified, the amplifier circuit that receives the output of the other D / A converter is off. Is required.
【0068】図31は、上述した入力信号電圧範囲の異
なる2入力用増幅回路に本発明を適用した第15の具体
例である。この2入力用増幅回路は増幅段が2段の構成
であり、入力増幅段はコモン電圧Vcom に対して正側の
入力信号電圧範囲を持つ正側増幅回路と、コモン電圧V
com に対して負側の入力信号電圧範囲を持つ負側増幅回
路と、正側および負側いずれのD/A変換器の出力を入
力するかを選択する選択信号POLにより正側および負
側増幅回路の動作を選択するための第1および第2のス
イッチSW20,SW21とで構成される。FIG. 31 shows a fifteenth embodiment in which the present invention is applied to the above-described two-input amplifier circuits having different input signal voltage ranges. This two-input amplifier circuit has a two-stage amplification stage. The input amplification stage has a positive-side amplifier circuit having a positive-side input signal voltage range with respect to the common voltage Vcom, and a common voltage V
A positive-side amplifier circuit having a negative-side input signal voltage range with respect to com, and a positive-side and negative-side amplifier based on a selection signal POL for selecting whether to output the output of the positive-side or negative-side D / A converter. It is composed of first and second switches SW20 and SW21 for selecting the operation of the circuit.
【0069】正側増幅回路は、トランジスタMn41,
Mn42により構成される第1の差動トランジスタ対
と、第1の差動トランジスタ対にテール電流を与える第
1の電流源Ib1と、第1の差動トランジスタ対の二つ
の出力端(トランジスタMn41,Mn42のドレイ
ン)に電流入力端および電流出力端がそれぞれ接続され
たトランジスタMp44,Mp45からなる第1のカレ
ントミラーにより構成される。負側増幅回路は、同様に
トランジスタMp41,Mp42により構成される第2
の差動トランジスタ対と、第2の差動トランジスタ対に
テール電流を与える第2の電流源Ib1と、第2の差動
トランジスタ対の二つの出力端(トランジスタMp4
1,Mp42のドレイン)に電流入力端および電流出力
端がそれぞれ接続されたトランジスタMn44,Mn4
5からなる第2のカレントミラーにより構成される。The positive side amplifier circuit includes transistors Mn41,
A first differential transistor pair constituted by Mn42, a first current source Ib1 for applying a tail current to the first differential transistor pair, and two output terminals of the first differential transistor pair (transistors Mn41 and Mn41). The first current mirror is composed of transistors Mp44 and Mp45 whose current input terminal and current output terminal are connected to the drain of Mn42, respectively. The negative side amplifier circuit is similarly configured by transistors Mp41 and Mp42.
Differential transistor pair, a second current source Ib1 that applies a tail current to the second differential transistor pair, and two output terminals (transistor Mp4) of the second differential transistor pair.
1, the drains of Mp42) are connected to the current input terminal and the current output terminal, respectively.
5 is constituted by a second current mirror.
【0070】第1のスイッチSW20は第1の差動トラ
ンジスタ対の二つの出力端間に接続され、第2のスイッ
チSW21は第2の差動トランジスタ対の二つの出力端
間に接続されている。The first switch SW20 is connected between two output terminals of the first differential transistor pair, and the second switch SW21 is connected between two output terminals of the second differential transistor pair. .
【0071】また、出力増幅段はトランジスタMp4
3,Mn43により構成され、抵抗回路は抵抗Rfによ
り構成される。The output amplifying stage includes a transistor Mp4
3, Mn43, and the resistor circuit is constituted by the resistor Rf.
【0072】図31に示す2入力用増幅回路の動作を説
明するために、まず負側増幅回路に負側D/A変換器の
出力を入力する場合を考える。このとき、選択信号PO
Lには“0”が与えられ、スイッチSW20はオン、ス
イッチSW21はオフの状態にある。正側D/A変換器
の出力電圧は不定であるが、コモン電圧Vcom より高い
ので、トランジスタMn1のゲート電圧、つまり増幅回
路の出力増幅段の出力電圧がVcom より低くとも、トラ
ンジスタMn42はオン状態となる。また、スイッチS
W20はオンであるので、トランジスタMp45もダイ
オード接続となっている。In order to explain the operation of the two-input amplifier circuit shown in FIG. 31, first consider the case where the output of the negative D / A converter is input to the negative amplifier circuit. At this time, the selection signal PO
“0” is given to L, the switch SW20 is on, and the switch SW21 is off. Although the output voltage of the positive-side D / A converter is indefinite, it is higher than the common voltage Vcom. Therefore, even if the gate voltage of the transistor Mn1, that is, the output voltage of the output amplifier stage of the amplifier circuit is lower than Vcom, the transistor Mn42 is in the ON state. Becomes Also, switch S
Since W20 is on, the transistor Mp45 is also diode-connected.
【0073】電流源Ib1より供給される電流は、トラ
ンジスタMn42,Mn41の一方あるいは両方を介し
て、ダイオード接続されたトランジスタMp44,Mp
45に流れ、トランジスタMp44,Mp45のサイズ
(W/L)の2倍のサイズとトランジスタMp43のサ
イズ(W/L)の比に応じて発生した電流が出力増幅段
のバイアス電流としてトランジスタMp43から供給さ
れる。The current supplied from current source Ib1 is supplied to diode-connected transistors Mp44 and Mp via one or both of transistors Mn42 and Mn41.
45, a current generated according to a ratio of twice the size (W / L) of the transistors Mp44 and Mp45 to the size (W / L) of the transistor Mp43 is supplied from the transistor Mp43 as a bias current of the output amplification stage. Is done.
【0074】すなわち、負側のD/A変換器の出力を入
力する場合は、図32に示す接続状態で動作することに
なる。これは、出力増幅段3のバイアス電流の与え方が
異なる他は図7に示した回路接続と全く同じで、図7〜
図9で説明したように位相補償容量を必要とせず、抵抗
Rfにより安定動作が実現できるのは明らかである。よ
って、位相補償容量で必要であったチップ面積を削減で
きるので、コストの低減をすることができる。That is, when the output of the negative-side D / A converter is input, the circuit operates in the connection state shown in FIG. This is exactly the same as the circuit connection shown in FIG. 7 except that the way of applying the bias current of the output amplification stage 3 is different.
As described with reference to FIG. 9, it is clear that stable operation can be realized by the resistor Rf without requiring a phase compensation capacitor. Therefore, the chip area required for the phase compensation capacitor can be reduced, and the cost can be reduced.
【0075】正側D/A変換器の出力を入力する場合
は、全くPチャネルMOSトランジスタとNチャネルM
OSトランジスタが逆になるだけで、基本的な動作は負
側D/A変換器の出力を入力する場合と同じである。When inputting the output of the positive D / A converter, a P-channel MOS transistor and an N-channel M
The basic operation is the same as when the output of the negative D / A converter is input, except that the OS transistor is reversed.
【0076】また、このように使用していない増幅回路
の差動トランジスタ対の出力間をスイッチで短絡するこ
とにより、出力増幅段のバイアス電流を簡単に設定でき
るという効果もある。Also, by short-circuiting the outputs of the differential transistor pairs of the unused amplifier circuit with a switch, the bias current of the output amplification stage can be easily set.
【0077】図33は図31の変形例にかかる増幅回路
の第16の具体例であり、正側増幅回路の第1のカレン
トミラーにトランジスタMp44の電流を参照してアダ
プティブに出力増幅段のバイアス電流を与えるための電
流を発生するトランジスタMp46が追加され、負側増
幅回路の第2のカレントミラーにトランジスタMn44
の電流を参照してアダプティブに出力増幅段のバイアス
電流を与えるための電流を発生するトランジスタMn4
6が追加されている。FIG. 33 shows a sixteenth embodiment of the amplifier circuit according to the modification of FIG. 31. The bias of the output amplifier stage is adaptively applied to the first current mirror of the positive side amplifier circuit by referring to the current of the transistor Mp44. A transistor Mp46 for generating a current for applying a current is added, and a transistor Mn44 is added to the second current mirror of the negative side amplifier circuit.
Transistor Mn4 that generates a current for adaptively applying a bias current of the output amplification stage with reference to the current of
6 has been added.
【0078】また、正側増幅回路および負側増幅回路の
電流源Ib1,Ib2のオン・オフを制御するための第
3、第4のスイッチSW22,SW23と、第1のカレ
ントミラーの第2の電流出力端であるトランジスタMp
46のドレインと第2のカレントミラーの電流入力端と
の間に挿入された第5のスイッチSW24と、第2のカ
レントミラーの第2の電流出力端であるトランジスタM
n46のドレインと第1のカレントミラーの電流入力端
との間に挿入された第6のスイッチSW26が追加され
ている。追加されたスイッチSW22〜SW26も、ス
イッチSW20,SW21と同様に選択信号POLによ
り制御される。Further, third and fourth switches SW22 and SW23 for controlling ON / OFF of the current sources Ib1 and Ib2 of the positive side amplifier circuit and the negative side amplifier circuit, and a second current mirror of the first current mirror. The transistor Mp which is a current output terminal
A fifth switch SW24 inserted between the drain of the second current mirror and the current input terminal of the second current mirror; and a transistor M which is a second current output terminal of the second current mirror.
A sixth switch SW26 inserted between the drain of n46 and the current input terminal of the first current mirror is added. The added switches SW22 to SW26 are also controlled by the selection signal POL similarly to the switches SW20 and SW21.
【0079】また、出力増幅段はトランジスタMp4
3,Mn43により構成され、抵抗回路は抵抗Rfによ
り構成される。The output amplifying stage includes a transistor Mp4
3, Mn43, and the resistor circuit is constituted by the resistor Rf.
【0080】図33に示す2入力用増幅回路の動作を説
明するために、まず負側増幅回路に負側D/A変換器の
出力を入力する場合を考える。このとき、選択信号PO
Lには“0”が与えられ、スイッチSW20,SW2
3,SW25はオン、スイッチSW21,SW22,S
W24はオフの状態にある。スイッチSW22がオフで
あることにより、電流源Ib1より供給される電流はト
ランジスタMn41,Mn42には流れず、正側増幅回
路を構成する差動入力トランジスタMn41,Mn42
はオフ状態となる。また、スイッチSW23はオンであ
るので、電流源Ib2より供給される電流はトランジス
タMp41,Mp42には流れ、負側増幅回路は動作す
る。In order to explain the operation of the two-input amplifier circuit shown in FIG. 33, first consider the case where the output of the negative D / A converter is input to the negative amplifier circuit. At this time, the selection signal PO
"0" is given to L, and the switches SW20, SW2
3, SW25 is ON, switches SW21, SW22, S
W24 is off. Since the switch SW22 is off, the current supplied from the current source Ib1 does not flow to the transistors Mn41 and Mn42, and the differential input transistors Mn41 and Mn42 constituting the positive side amplifier circuit.
Is turned off. Also, since the switch SW23 is on, the current supplied from the current source Ib2 flows through the transistors Mp41 and Mp42, and the negative side amplifier circuit operates.
【0081】ここで、トランジスタMn46はトランジ
スタMn44に流れる電流を参照した電流を発生させ、
オンとなっているスイッチSW25を介して、同じくオ
ンとなっているスイッチSW20により、ダイオード接
続されたトランジスタMp45,Mp44に流れ、トラ
ンジスタMp44,Mp45のサイズ(W/L)の2倍
のサイズとトランジスタMp43のサイズ(W/L)の
比に応じて発生した電流が出力増幅段のバイアス電流と
してトランジスタMp43から供給される。結局、負側
のD/A変換器の出力を入力する場合、増幅回路は、図
34に示す接続状態で動作することになる。Here, the transistor Mn46 generates a current with reference to the current flowing through the transistor Mn44,
Through the switch SW25 that is turned on, the switch SW20 that is also turned on flows into the diode-connected transistors Mp45 and Mp44, and the size of the transistor Mp44 and Mp45 is twice as large as the size (W / L) of the transistor. A current generated according to the size (W / L) ratio of Mp43 is supplied from the transistor Mp43 as a bias current of the output amplification stage. After all, when the output of the negative D / A converter is input, the amplifier circuit operates in the connection state shown in FIG.
【0082】すなわち、図34の接続状態で増幅回路が
定常状態となったとき、言い換えれば負側増幅回路の正
負の入力信号電圧がバランスしたときは、負側増幅回路
の電流源Ib2からのバイアス電流の1/2の電流がト
ランジスタMn44,Mn46のサイズ(W/L)の比
(W/L)Mp46/(W/L)Mp6 に応じて発生し、これ
がトランジスタMp44,Mp45のサイズ(W/L)
の2倍のサイズと、トランジスタMp43のサイズ(W
/L)に比に応じて増幅された電流が出力増幅段のバイ
アス電流としてトランジスタMp3から供給される以
外、図7に示した回路接続と全く同じで、図7〜図9で
説明したように抵抗Rfにより安定動作が実現できるの
は明らかである。That is, when the amplifier circuit is in a steady state in the connection state of FIG. 34, in other words, when the positive and negative input signal voltages of the negative amplifier circuit are balanced, the bias from the current source Ib2 of the negative amplifier circuit is set. A half of the current is generated according to the ratio (W / L) Mp46 / (W / L) Mp6 of the size (W / L) of the transistors Mn44 and Mn46, which is the size (W / L) of the transistors Mp44 and Mp45. L)
And the size of the transistor Mp43 (W
/ L) is exactly the same as the circuit connection shown in FIG. 7 except that the current amplified according to the ratio is supplied from the transistor Mp3 as the bias current of the output amplification stage, and as described in FIGS. Obviously, stable operation can be realized by the resistor Rf.
【0083】また、負側増幅回路の正側入力が負側入力
より大きくなるような過渡状態においては、電流源Ib
2からのバイアス電流が全てトランジスタMp41を介
してトランジスタMn44に流れることになるので、ト
ランジスタMp43から供給される出力増幅段のバイア
ス電流を定常状態のときの2倍とすることができる。こ
れにより、トランジスタMp43と負荷容量で決定され
る立上がり特性を定常状態での消費電力を上げることな
く2倍に改善することができる。In a transient state where the positive input of the negative amplifier circuit is larger than the negative input, the current source Ib
2, the bias current from the output amplifier stage supplied from the transistor Mp43 can be twice as large as that in the steady state. As a result, the rise characteristic determined by the transistor Mp43 and the load capacitance can be doubled without increasing power consumption in a steady state.
【0084】さらに、負側増幅回路の正入力が負入力よ
り小さくなるような過渡状態においては、電流源Ib2
からのバイアス電流が全てトランジスタMp42に流
れ、トランジスタMn44には流れなくなる。その結
果、トランジスタMp43から供給される出力増幅段の
バイアス電流はゼロとなり、トランジスタMp43から
トランジスタMn43に流れる貫通電流を削減して、低
消費電力化をはかることができる。Further, in a transient state where the positive input of the negative side amplifier circuit becomes smaller than the negative input, the current source Ib2
All flow through the transistor Mp42 and no longer flow through the transistor Mn44. As a result, the bias current of the output amplification stage supplied from the transistor Mp43 becomes zero, the through current flowing from the transistor Mp43 to the transistor Mn43 is reduced, and low power consumption can be achieved.
【0085】正側D/A変換器の出力を入力する場合
は、全くPチャネルMOSトランジスタとNチャネルM
OSトランジスタが逆になるだけで、基本的な動作は負
側D/A変換器の出力を入力する場合と同じである。When inputting the output of the positive side D / A converter, a P-channel MOS transistor and an N-channel M
The basic operation is the same as when the output of the negative D / A converter is input, except that the OS transistor is reversed.
【0086】このように抵抗Rfを設けることにより、
位相補償容量を必要とすることなく増幅回路の安定動作
が実現でき、チップ面積を削減できるばかりでなく、立
上がりや下がりの過渡特性を定常状態での消費電力化を
増大することなく2倍にすることができる。By providing the resistor Rf as described above,
Stable operation of the amplifier circuit can be realized without the need for a phase compensation capacitor, and not only the chip area can be reduced, but also the transient characteristics of rising and falling can be doubled without increasing power consumption in a steady state. be able to.
【0087】図35は、図36に示す液晶ディスプレイ
装置に用いる液晶ディスプレイ駆動回路に本発明の増幅
回路を用いた構成図である。FIG. 35 is a diagram showing a configuration in which the amplifier circuit of the present invention is used for a liquid crystal display driving circuit used in the liquid crystal display device shown in FIG.
【0088】図36に示される液晶ディスプレイ装置
は、液晶セル301がマトリクス状に配列され、画像信
号が供給される複数本の信号線304と複数本の走査線
305が交差して配設されて構成された液晶ディスプレ
イパネル300と、画像信号を信号線304に供給して
液晶ディスプレイパネル300を駆動するための液晶デ
ィスプレイ駆動回路302、および走査線305を選択
的に駆動する走査線選択回路303により構成される。In the liquid crystal display device shown in FIG. 36, liquid crystal cells 301 are arranged in a matrix, and a plurality of signal lines 304 to which image signals are supplied and a plurality of scanning lines 305 are arranged to intersect. A liquid crystal display panel 300 configured, a liquid crystal display driving circuit 302 for supplying an image signal to a signal line 304 to drive the liquid crystal display panel 300, and a scanning line selection circuit 303 for selectively driving a scanning line 305. Be composed.
【0089】図35に示すようにディスプレイ駆動回路
はRGB信号を記憶する1水平ラインに必要な画素数と
同じ数のラッチ222と、RGBをラッチするタイミン
グパルスを転送するシフトレジスタ221と、ラッチ2
22で記憶されたRGB信号を1水平期間の周期でさら
に記憶するラッチ223と、ラッチ223で記憶された
1水平ラインのRGB信号をアナログ値に変換するD/
A変換器224と、D/A変換器224にてアナログ電
圧に変換されたRGB信号を入力し、液晶ディスプレイ
パネルの信号線および液晶セルを駆動するための駆動回
路225より構成される。As shown in FIG. 35, the display drive circuit includes the same number of latches 222 as the number of pixels required for one horizontal line for storing RGB signals, a shift register 221 for transferring a timing pulse for latching RGB, and a latch 2.
The latch 223 further stores the RGB signal stored at 22 in the cycle of one horizontal period, and the D / D converter converts the RGB signal of one horizontal line stored at the latch 223 into an analog value.
It is composed of an A converter 224 and a drive circuit 225 for receiving the RGB signals converted into analog voltages by the D / A converter 224 and driving the signal lines of the liquid crystal display panel and the liquid crystal cells.
【0090】増幅回路225は、この例では図31に示
した本発明に基づく第15の具体例の回路である。図3
1で説明した通り、増幅回路225では動作安定化のた
めに特に位相補償容量を必要としない。The amplifier circuit 225 is a circuit of a fifteenth embodiment based on the present invention shown in FIG. 31 in this example. FIG.
As described in 1, the amplifier circuit 225 does not require a phase compensation capacitor for stabilizing the operation.
【0091】図35では、図31に示した具体例の増幅
回路を駆動回路225に適用した例について説明した
が、他の具体例の増幅回路を駆動回路225に用いても
よいことは勿論である。FIG. 35 illustrates an example in which the amplifier circuit of the specific example shown in FIG. 31 is applied to the drive circuit 225. However, an amplifier circuit of another specific example may be used for the drive circuit 225. is there.
【0092】なお、以上の実施形態ではMOSトランジ
スタで構成した増幅回路について説明したが、各トラン
ジスタをバイポーラトランジスタに置き換えて増幅回路
を構成することもできる。その場合は、ゲートをベース
に、ソースをエミッタに、ドレインをコレクタにそれぞ
れ置き換え、さらにW/Lをエミッタ面積に置き換えて
考えればよい。In the above embodiments, the amplifier circuit constituted by MOS transistors has been described. However, each transistor may be replaced with a bipolar transistor to constitute an amplifier circuit. In that case, the gate may be replaced by the base, the source by the emitter, the drain by the collector, and W / L by the emitter area.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば少なくとも入力増幅段と出力増幅段を有する増幅回路
において、出力増幅段の出力端と増幅回路の信号出力端
子との間に抵抗回路を挿入することにより、従来の増幅
回路で安定化のために必須であった位相補償容量が不要
となるか、あるいは大幅に低減することができるので、
集積化した際にチップ面積を削減してコストを低減さ
せ、かつ安定に動作する増幅回路を安価に提供できる。As described above, according to the present invention, in an amplifier circuit having at least an input amplifier stage and an output amplifier stage, a resistor circuit is provided between the output terminal of the output amplifier stage and the signal output terminal of the amplifier circuit. , The phase compensation capacitance, which is essential for stabilization in the conventional amplifier circuit, becomes unnecessary or can be greatly reduced.
When integrated, the chip area can be reduced, the cost can be reduced, and an amplifier circuit that operates stably can be provided at low cost.
【0094】また、本発明の増幅回路を集積化した液晶
ディスプレイ駆動回路に適用することによって、液晶デ
ィスプレイ装置のコストも低減することができる。Further, by applying the amplifier circuit of the present invention to an integrated liquid crystal display driving circuit, the cost of the liquid crystal display device can be reduced.
【0095】また、従来の位相補償では、ポール周波数
は、大容量負荷に対して出力増幅段のトランスコンダク
タンスに比例するので、出力増幅段の電流を大きくする
ことにより位相余裕を改善できたが、消費電力の増加と
なっていた。これに対し、本発明ではトランスコンダク
タンスそのものが直接ポールの周波数に関係ないため、
低消費平力で位相補償を行なうことができる。In the conventional phase compensation, the pole frequency is proportional to the transconductance of the output amplifying stage for a large-capacity load. Therefore, the phase margin can be improved by increasing the current of the output amplifying stage. The power consumption was increasing. In contrast, in the present invention, the transconductance itself is not directly related to the pole frequency,
Phase compensation can be performed with low power consumption.
【図1】本発明の一実施例に係る増幅回路の基本構成を
示す図FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of an amplifier circuit according to one embodiment of the present invention.
【図2】図1の増幅回路の等価回路を示す図FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the amplifier circuit of FIG. 1;
【図3】図1の増幅回路の利得および位相の周波数特性
を示す図FIG. 3 is a diagram illustrating frequency characteristics of gain and phase of the amplifier circuit of FIG. 1;
【図4】増幅回路の入力換算オフセットを説明する図FIG. 4 is a diagram illustrating an input conversion offset of an amplifier circuit.
【図5】増幅回路の入力換算オフセットキャンセル動作
を説明する図FIG. 5 is a diagram illustrating an input conversion offset cancel operation of the amplifier circuit.
【図6】図1の増幅回路で位相補償容量を併用しない場
合のオフセット検知モードでの利得および位相の周波数
特性の変化を示す図FIG. 6 is a diagram showing a change in gain and phase frequency characteristics in an offset detection mode when a phase compensation capacitor is not used in the amplifier circuit of FIG. 1;
【図7】図1の増幅回路の第1の具体例を示す図FIG. 7 is a diagram showing a first specific example of the amplifier circuit in FIG. 1;
【図8】図7で抵抗回路を電界効果トランジスタのオン
抵抗で実現した増幅回路の第2の具体例を示す図FIG. 8 is a diagram showing a second specific example of the amplifier circuit in which the resistance circuit is realized by the on-resistance of the field effect transistor in FIG. 7;
【図9】図8でオン抵抗として用いる電界効果トランジ
スタをスイッチと兼用した増幅回路の第3の具体例を示
す図9 is a diagram showing a third specific example of the amplifier circuit in FIG. 8 in which a field-effect transistor used as an on-resistance also serves as a switch;
【図10】本発明による周波数特性の改善効果を説明す
るための図FIG. 10 is a diagram for explaining an effect of improving frequency characteristics according to the present invention;
【図11】周波数特性の負荷容量に対する依存性を示す
図FIG. 11 is a diagram showing the dependence of frequency characteristics on load capacitance.
【図12】位相補償容量併用の効果を示す図FIG. 12 is a diagram showing the effect of using a phase compensation capacitor together.
【図13】位相補償容量の周波数特性に対する影響を示
す図FIG. 13 is a diagram showing the influence of a phase compensation capacitance on frequency characteristics.
【図14】位相補償容量を入り切りするためのスイッチ
を付加した増幅回路の第4の具体例を示す図FIG. 14 is a diagram showing a fourth specific example of the amplifier circuit to which a switch for turning on and off the phase compensation capacitance is added.
【図15】抵抗成分を含んだ負荷を図7に示す増幅回路
に接続した状態を示す図FIG. 15 is a diagram showing a state where a load including a resistance component is connected to the amplifier circuit shown in FIG. 7;
【図16】図15の周波数特性を示す図FIG. 16 is a diagram showing the frequency characteristics of FIG.
【図17】図7の増幅回路の過渡特性を示す図FIG. 17 is a diagram showing transient characteristics of the amplifier circuit of FIG. 7;
【図18】図5の増幅回路の過渡特性を改善した増幅回
路の第5の具体例を示す図18 is a diagram showing a fifth specific example of the amplifier circuit in which the transient characteristics of the amplifier circuit of FIG. 5 are improved.
【図19】図18の増幅回路の改善された過渡特性を示
す図FIG. 19 is a diagram showing improved transient characteristics of the amplifier circuit of FIG. 18;
【図20】図18の増幅回路を変形した第6の具体例を
示す図FIG. 20 is a diagram illustrating a sixth specific example in which the amplifier circuit of FIG. 18 is modified;
【図21】図18の増幅回路を変形した第7の具体例を
示す図FIG. 21 is a diagram showing a seventh specific example obtained by modifying the amplifier circuit of FIG. 18;
【図22】図18の増幅回路を変形した第8の具体例を
示す図FIG. 22 is a diagram showing an eighth specific example obtained by modifying the amplifier circuit of FIG. 18;
【図23】同相入力電庄範囲の増幅回路に本発明を適用
した増幅回路の第9の具体例を示す図FIG. 23 is a diagram showing a ninth specific example of an amplifier circuit in which the present invention is applied to an amplifier circuit in an in-phase input voltage range;
【図24】同相入力電圧範囲の増幅回路に本発明を適用
した増幅回路の第10の具体例を示す図FIG. 24 is a diagram showing a tenth specific example of an amplifier circuit in which the present invention is applied to an amplifier circuit in the common-mode input voltage range;
【図25】図23の増幅回路の高速化を計った増幅回路
の第11の具体例を示す図FIG. 25 is a diagram showing an eleventh specific example of the amplifier circuit for increasing the speed of the amplifier circuit of FIG. 23;
【図26】図24の増幅回路の高速化を計った増幅回路
の第12の具体例を示す図FIG. 26 is a diagram showing a twelfth specific example of the amplifier circuit for increasing the speed of the amplifier circuit of FIG. 24;
【図27】図26でオン抵抗として用いる電界効果トラ
ンジスタを用いた増幅回路の第13の具体例を示す図FIG. 27 is a diagram showing a thirteenth specific example of the amplifier circuit using the field-effect transistor used as the on-resistance in FIG. 26;
【図28】過渡特性を改善した図26の増幅回路の変形
例にかかる第14の具体例を示す図FIG. 28 is a diagram showing a fourteenth specific example according to a modified example of the amplifier circuit of FIG. 26 in which the transient characteristics are improved.
【図29】過渡特性を改善した図26の増幅回路の他の
変形例にかかる第15の具体例を示す図FIG. 29 is a diagram illustrating a fifteenth specific example according to another modified example of the amplifier circuit in FIG. 26 in which the transient characteristics are improved.
【図30】共通電極電圧Vcom を一定にしたときの液晶
ディスプレイ駆動回路の増幅回路に必要な機能を説明す
る図FIG. 30 is a view for explaining functions necessary for the amplifier circuit of the liquid crystal display drive circuit when the common electrode voltage Vcom is kept constant.
【図31】本発明に係る入力信号電圧範囲の異なる2入
力用増幅回路の第16の具体例を示す図FIG. 31 is a diagram showing a sixteenth specific example of the two-input amplifier circuit having different input signal voltage ranges according to the present invention;
【図32】図31の増幅回路の動作を説明する図FIG. 32 illustrates the operation of the amplifier circuit in FIG. 31;
【図33】図31の増幅回路の変形例にかかる増幅回路
の第17の具体例を示す図FIG. 33 is a diagram showing a seventeenth specific example of an amplifier circuit according to a modification of the amplifier circuit of FIG. 31;
【図34】図33の増幅回路の動作を説明する図FIG. 34 illustrates the operation of the amplifier circuit in FIG. 33.
【図35】図33の増幅回路を適用した液晶ディスプレ
イ駆動回路を示す図FIG. 35 is a diagram showing a liquid crystal display driving circuit to which the amplifier circuit of FIG. 33 is applied.
【図36】液晶ディスプレイ装置の構成を示す図FIG. 36 illustrates a configuration of a liquid crystal display device.
1…増幅回路 2…入力増幅段 3…出力増幅段 4…抵抗回路 221…シフトレジスタ 222、223…ラッチ回路 224…D/A変換器 225…駆動回路 300…液晶ディスプレイ 301…液晶セル 302…液晶ディスプレイ駆動回路 303…走査線選択回路 304…信号線 305…走査線 Mp〜…NチャネルMOSトランジスタ Mn〜…PチャネルMOSトランジスタ gm〜…各増幅段のトランスコンダクタンス vi…増幅回路の入力信号電圧 v1…入力増幅段の出力電圧 v2…出力増幅段の出力電圧 vo…増幅回路の出力信号電圧 Vcom…液晶ディスプレイの共通電極の電圧 I〜…電流源 Vdd…第1の電源電位点 Vss…第2の電源電位点 Cf…位相補償容量 C1…入力増幅段の出力端子に付いている容量成分 CL、CL1,CL2…負荷の容量成分 R1…入力増幅段の出力抵抗と出力増幅段の入力抵抗の
並列合成抵抗 R2…出力増幅段の出力抵抗 Rf〜…安定化のための抵抗 RL…負荷の抵抗成分 IN+,IN−…増幅回路の信号入力端子 OUT…増幅回路の信号出力端子DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Amplification circuit 2 ... Input amplification stage 3 ... Output amplification stage 4 ... Resistance circuit 221 ... Shift register 222, 223 ... Latch circuit 224 ... D / A converter 225 ... Drive circuit 300 ... Liquid crystal display 301 ... Liquid crystal cell 302 ... Liquid crystal Display drive circuit 303 Scanning line selection circuit 304 Signal line 305 Scanning line Mp ~ ... N-channel MOS transistor Mn ~ ... P-channel MOS transistor gm ~ ... Transconductance of each amplification stage vi ... Input signal voltage of amplification circuit v1 ... Output voltage of input amplifier stage v2 ... Output voltage of output amplifier stage vo ... Output signal voltage of amplifier circuit Vcom ... Voltage of common electrode of liquid crystal display I ~ ... Current source Vdd ... First power supply potential point Vss ... Second power supply Potential point Cf: phase compensation capacitance C1: capacitance component CL attached to the output terminal of the input amplification stage CL1, CL2: Load capacitance component R1: Parallel resistance of output resistance of input amplification stage and input resistance of output amplification stage R2: Output resistance of output amplification stage Rf ~: Resistance for stabilization RL: Resistance component of load IN +, IN-: Signal input terminal of amplifier circuit OUT: Signal output terminal of amplifier circuit
Claims (18)
接続された少なくとも入力増幅段および出力増幅段を有
する複数の増幅段と、 前記出力増幅段の出力端と前記信号出力端子との間に挿
入された少なくとも一つの抵抗を含む抵抗回路とを有す
ることを特徴とする増幅回路。An amplifier circuit for driving a capacitive load, comprising: a plurality of amplifier stages having at least an input amplifier stage and an output amplifier stage cascaded between a signal input terminal and a signal output terminal of the amplifier circuit; An amplifier circuit comprising: a resistor circuit including at least one resistor inserted between an output terminal of the output amplifier stage and the signal output terminal.
接続された少なくとも入力増幅段および出力増幅段を有
する複数の増幅段と、 前記出力増幅段の出力端と前記信号出力端子との間に挿
入された複数の抵抗を含む抵抗回路とを有し、 前記抵抗回路は前記複数の抵抗から選択された少なくと
も一つの前記出力増幅段と前記信号出力端子との間に接
続されることを特徴とする増幅回路。2. An amplifier circuit for driving a capacitive load, comprising: a plurality of amplifier stages having at least an input amplifier stage and an output amplifier stage cascaded between a signal input terminal and a signal output terminal of the amplifier circuit; A resistance circuit including a plurality of resistors inserted between an output terminal of the output amplification stage and the signal output terminal, wherein the resistance circuit is at least one of the output amplification stages selected from the plurality of resistors And an amplifier circuit connected between the signal output terminal.
段の入力端に帰還を施す帰還経路を有することを特徴と
する請求項1または2に記載の増幅回路。3. The amplifier circuit according to claim 1, further comprising a feedback path for performing feedback from an output terminal of said output amplification stage to an input terminal of said input amplification stage.
れる第2のポールの周波数が前記増幅回路の利得が1に
なる周波数より低く、該開ループ周波数特性に現われる
第1のゼロ点の周波数が前記増幅回路の利得が1になる
周波数より低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれ
か1項に記載の増幅回路。4. The frequency of a second pole appearing in the open loop frequency characteristic of the amplifier circuit is lower than the frequency at which the gain of the amplifier circuit becomes 1, and the frequency of the first zero point appearing in the open loop frequency characteristic is The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the gain of the amplifier circuit is lower than a frequency at which the gain becomes 1.
端間に容量を含む帰還経路を有することを特徴とする1
〜4のいずれか1項に記載の増幅回路。5. The amplifier circuit according to claim 1, wherein a feedback path including a capacitance is provided between input and output terminals of the output amplification stage.
5. The amplifier circuit according to any one of items 4 to 4.
期間毎に変化する入力信号電圧を入力するものであっ
て、前記抵抗回路と前記容量性負荷の容量成分による時
定数が前記所定の期間の1/5以下であることを特徴と
する請求項1〜5のいずれか1項に記載の増幅回路。6. The amplifying circuit inputs an input signal voltage that changes every predetermined period to the signal input terminal, and a time constant of the resistive circuit and a capacitive component of the capacitive load is equal to the predetermined constant. The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 5, wherein the period is not more than 1/5 of the period.
ることを特徴とする請求項6に記載の増幅回路。7. The amplifier circuit according to claim 6, wherein a resistance value of said resistance circuit is 50 kΩ or less.
ッチとからなり、該スイッチのオン・オフにより該抵抗
回路の抵抗値が設定されることを特徴とする請求項2に
記載の増幅回路。8. The amplifier according to claim 2, wherein the resistance circuit comprises a plurality of resistors and a plurality of switches, and a resistance value of the resistance circuit is set by turning on / off the switches. circuit.
オン抵抗により構成されることを特徴とする請求項1〜
8のいずれか1項に記載の増幅回路。9. The resistance circuit according to claim 1, wherein said resistance circuit is constituted by an on-resistance of a field effect transistor.
9. The amplifier circuit according to any one of 8.
力される入力信号電圧が所定の極性に変化したことを検
出して前記出力増幅段のバイアス電流を制御する手段を
さらに有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか
1項に記載の増幅回路。10. The amplifying circuit further includes means for detecting that an input signal voltage input to the signal input terminal has changed to a predetermined polarity and controlling a bias current of the output amplifying stage. The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 9, wherein
対して正側および負側にそれぞれ変化する第1および第
2の入力信号をそれぞれ入力する正側増幅回路および負
側増幅回路を有し、 前記正側増幅回路は、前記第1の入力信号を入力する第
1の差動トランジスタ対と、該第1の差動トランジスタ
対のテール電流を与える第1の電流源と、前記第1の差
動トランジスタ対の二つの出力端に電流入力端および電
流出力端がそれぞれ接続された第1のカレントミラー
と、前記第1の差動トランジスタ対の二つの出力端間に
設けられた第1のスイッチとで構成され、 前記負側増幅回路は、前記第2の入力信号を入力する第
2の差動トランジスタ対と、該第2の差動トランジスタ
対のテール電流を与える第1の電流源と、前記第2の差
動トランジスタ対の二つの出力端に電流入力端および電
流出力端がそれぞれ接続された第2のカレントミラー
と、前記第2の差動トランジスタ対の二つの出力端間に
設けられた第2のスイッチとで構成され、 前記第1の入力信号が前記正側増幅回路に入力されると
きは、前記第1のスイッチがオフ状態、前記第2のスイ
ッチがオン状態にそれぞれ制御され、前記第2の入力信
号が前記負側増幅回路に入力されるときは、前記第1の
スイッチがオン状態、前記第2のスイッチがオフ状態に
それぞれ制御され、 前記出力増幅段は、それぞれのドレインまたはコレクタ
が該出力増幅段の出力端に共通接続されたコンプリメン
タリ・トランジスタ対により構成され、該コンプリメン
タリ・トランジスタ対の一方のゲートまたはベースが前
記正側増幅回路の一方の出力端に接続され、該コンプリ
メンタリ・トランジスタ対の他方のゲートまたはベース
が前記負側増幅回路の一方の出力端に接続されることを
特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の増幅
回路。11. The input amplifying stage has a positive side amplifying circuit and a negative side amplifying circuit for inputting first and second input signals respectively changing to a positive side and a negative side with respect to a predetermined common voltage. The positive-side amplifier circuit includes: a first differential transistor pair that inputs the first input signal; a first current source that supplies a tail current of the first differential transistor pair; A first current mirror in which a current input terminal and a current output terminal are respectively connected to two output terminals of the differential transistor pair, and a first current mirror provided between two output terminals of the first differential transistor pair. Wherein the negative side amplifier circuit includes a second differential transistor pair for inputting the second input signal, and a first current source for providing a tail current of the second differential transistor pair. And the second differential transistor A second current mirror in which a current input terminal and a current output terminal are respectively connected to two output terminals of the data pair; a second switch provided between two output terminals of the second differential transistor pair; When the first input signal is input to the positive side amplifier circuit, the first switch is controlled to be in an off state and the second switch is controlled to be in an on state, and the second input signal is controlled. When a signal is input to the negative side amplifier circuit, the first switch is controlled to be in an on state and the second switch is controlled to be in an off state. The complementary stage is constituted by a pair of complementary transistors commonly connected to an output terminal of the amplification stage, and one gate or base of the pair of complementary transistors is connected to one of the positive side amplifier circuits. 11. The power supply terminal according to claim 1, wherein the other gate or the base of the complementary transistor pair is connected to one output terminal of the negative side amplifier circuit. Amplifier circuit.
対して正側および負側にそれぞれ変化する第1および第
2の入力信号をそれぞれ入力する正側増幅回路および負
側増幅回路を有し、 前記正側増幅回路は、前記第1の入力信号を入力する第
1の差動トランジスタ対と、該第1の差動トランジスタ
対のテール電流を与える第1の電流源と、前記第1の差
動トランジスタ対の二つの出力端に電流入力端および第
1の電流出力端がそれぞれ接続された第1のカレントミ
ラーと、前記第1の差動トランジスタ対の二つの出力端
間に設けられた第1のスイッチと、前記第1の電流源を
オン・オフさせる第3のスイッチとで構成され、 前記負側増幅回路は、前記第2の入力信号を入力する第
2の差動トランジスタ対と、該第2の差動トランジスタ
対のテール電流を与える第1の電流源と、前記第2の差
動トランジスタ対の二つの出力端に電流入力端および第
1の電流出力端がそれぞれ接続された第2のカレントミ
ラーと、前記第2の差動トランジスタ対の二つの出力端
間に設けられた第2のスイッチと、前記第2の電流源を
オン・オフさせる第4のスイッチとで構成され、 さらに、前記第1のカレントミラーの第2の電流出力端
が第5のスイッチを介して前記第2のカレントミラーの
電流入力端に接続され、前記第2のカレントミラーの第
2の電流出力端が第6のスイッチを介して前記第1のカ
レントミラーの電流入力端に接続されており、 前記第1の入力信号が前記正側増幅回路に入力されると
きは、前記第1、第4および第6のスイッチがオフ状
態、前記第2、第3および第5のスイッチがオン状態に
それぞれ制御され、前記第2の入力信号が前記負側増幅
回路に入力されるときは、前記第1、第4および第6の
スイッチがオン状態、前記第2、第3および第5のスイ
ッチがオフ状態にそれぞれ制御され、 前記出力増幅段は、それぞれのドレインまたはコレクタ
が該出力増幅段の出力端に共通接続されたコンプリメン
タリ・トランジスタ対により構成され、該コンプリメン
タリ・トランジスタ対の一方のゲートまたはベースが前
記正側増幅回路の一方の出力端に接続され、該コンプリ
メンタリ・トランジスタ対の他方のゲートまたはベース
が前記負側増幅回路の一方の出力端に接続されることを
特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の増幅
回路。12. The input amplifying stage has a positive side amplifying circuit and a negative side amplifying circuit for inputting first and second input signals respectively changing to a positive side and a negative side with respect to a predetermined common voltage. The positive-side amplifier circuit includes: a first differential transistor pair that inputs the first input signal; a first current source that supplies a tail current of the first differential transistor pair; And a first current mirror in which a current input terminal and a first current output terminal are respectively connected to two output terminals of the differential transistor pair, and two output terminals of the first differential transistor pair. A first switch, and a third switch for turning on / off the first current source, wherein the negative side amplifier circuit includes a second differential transistor pair for inputting the second input signal. And the second differential transistor pair A first current source for providing a tail current, a second current mirror having a current input terminal and a first current output terminal connected to two output terminals of the second differential transistor pair, respectively, A second switch provided between two output terminals of the differential transistor pair, and a fourth switch for turning on / off the second current source. A second current output terminal is connected to a current input terminal of the second current mirror via a fifth switch, and a second current output terminal of the second current mirror is connected to the second current mirror via a sixth switch. Connected to a current input terminal of a first current mirror, and when the first input signal is input to the positive side amplifier circuit, the first, fourth, and sixth switches are turned off; Second, third and fifth switches When the second input signal is input to the negative side amplifier circuit, the first, fourth, and sixth switches are turned on, and the second, third, and second switches are turned on. A fifth switch is controlled to be in an off state, and the output amplification stage is constituted by a pair of complementary transistors each having a drain or a collector commonly connected to an output terminal of the output amplification stage. One gate or base is connected to one output terminal of the positive-side amplifier circuit, and the other gate or base of the complementary transistor pair is connected to one output terminal of the negative-side amplifier circuit. The amplifier circuit according to claim 1.
接続される第1の導電型のトランジスタで構成された第
1の入力回路と、前記信号入力端子が接続される第2の
導電型のトランジスタで構成された第2の入力回路とに
より構成され、前記第1または第2のトランジスタのド
レインまたはソースから前記出力増幅段まで少なくとも
容量素子を含むフィードフォワード経路を有する請求項
1に記載の増幅回路。13. The input amplification stage includes a first input circuit including a transistor of a first conductivity type to which the signal input terminal is connected, and a second conductivity type to which the signal input terminal is connected. And a second input circuit including at least one transistor, and a feedforward path including at least a capacitive element from a drain or a source of the first or second transistor to the output amplification stage. Amplifier circuit.
を有する第1および第2のトランジスタにより構成さ
れ、前記第1のトランジスタのドレインは前記信号出力
端子に接続され、前記第1のトランジスタのソースと前
記第2のトランジスタのドレインが接続され、前記第2
のトランジスタのソースは第1の電源に接続され、前記
第1のトランジスタのソースならびに第2のトランジス
タのドレインの接続ノードに前記フイードフォワード信
号経路が接続される請求項13に記載の増幅回路。14. The output amplification stage includes first and second transistors having a gate for receiving a signal, a drain of the first transistor is connected to the signal output terminal, and A source and a drain of the second transistor are connected, and the second
14. The amplifier circuit according to claim 13, wherein a source of the transistor is connected to a first power supply, and the feedforward signal path is connected to a connection node between a source of the first transistor and a drain of the second transistor.
る電流源は、抵抗素子とこの抵抗素子を介してバイアス
電圧が印加されているゲートを有する第3のトランジス
タとにより構成され、前記抵抗素子と前記第3のトラン
ジスタのゲートの接続ノードに前記フィートフォワード
信号経路が接続される請求項13に記載の増幅回路。15. A current source for supplying a bias current to said output amplifier stage, comprising a resistor and a third transistor having a gate to which a bias voltage is applied via said resistor, wherein said resistor is 14. The amplifier circuit according to claim 13, wherein the foot forward signal path is connected to a connection node between a gate of the third transistor and a gate of the third transistor.
電圧が所定の極性に変化したことを検出して前記出力増
幅段のバイアス電流を制御する前記バイアス電圧を出力
する手段を含む請求項15に記載の増幅回路。16. A means for detecting a change in an input signal voltage inputted to said signal input terminal to a predetermined polarity and outputting said bias voltage for controlling a bias current of said output amplification stage. 2. The amplifier circuit according to 1.
る電界効果トランジスタにより構成される請求項15ま
たは16に記載の増幅回路。17. The amplifier circuit according to claim 15, wherein said resistance element is constituted by a field effect transistor having a predetermined on-resistance.
号に応じた信号電圧を選択的に与えるための信号線およ
び該信号線と交差する走査線が配列形成された液晶ディ
スプレイと、前記信号線を画像信号に応じて駆動する駆
動回路と、前記走査線を順次選択する選択回路とを有
し、 前記駆動回路は、請求項1〜17のいずれか1項に記載
の増幅回路を有することを特徴とする液晶ディスプレイ
装置。18. A liquid crystal display in which a plurality of pixels, a signal line for selectively applying a signal voltage corresponding to an image signal to each of the pixels, and a scanning line intersecting with the signal line are formed. A driving circuit that drives a signal line according to an image signal, and a selection circuit that sequentially selects the scanning line, wherein the driving circuit has the amplification circuit according to any one of claims 1 to 17. A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22155298A JP4095174B2 (en) | 1997-08-05 | 1998-08-05 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-210549 | 1997-08-05 | ||
| JP21054997 | 1997-08-05 | ||
| JP22155298A JP4095174B2 (en) | 1997-08-05 | 1998-08-05 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11150427A true JPH11150427A (en) | 1999-06-02 |
| JP4095174B2 JP4095174B2 (en) | 2008-06-04 |
Family
ID=26518118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22155298A Expired - Fee Related JP4095174B2 (en) | 1997-08-05 | 1998-08-05 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4095174B2 (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050311 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070717 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070918 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080208 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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