JPH11167874A - 配線基板およびそれを用いたガス放電型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、配線基板やガス放電型表示装置に形
成する電極の断線不良を抑制することを目的とする。特
に、電極をウエットエッチングにより形成する場合の断
線不良を抑制することを目的とする。 【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、複
数の第一の電極を有する前面基板と、複数の第二の電極
を有する背面基板とを備え、少なくとも該第一の電極も
しくは該第二の電極を無機材料から成るレジストを用い
てウエットエッチングにより形成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に配線パタ
ーンを形成する配線基板およびそれを用いたガス放電型
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイなどのガス放電型
表示装置は自己発光により表示を行うため、視野角が広
く、表示が見やすい。また、薄型のものが作製できるこ
とや大画面を実現できるなどの特長を持っており、情報
端末機器の表示装置や高品位テレビジョン受像機への応
用が始まっている。プラズマディスプレイは直流駆動型
と交流駆動型に大別される。このうち、交流駆動型のプ
ラズマディスプレイは、電極を覆っている誘電体層のメ
モリー作用によって輝度が高く、保護層の形成などによ
り実用に耐える寿命が得られるようになった。その結
果、プラズマディスプレイは多用途のビデオ・モニタと
して実用化されている。

【０００３】図９は実用化されたプラズマディスプレイ
パネルの構造を示す斜視図である。この図では、見易く
するため、前面基板１００を背面基板２００より離して
図示した。

【０００４】前面基板１００は、前面ガラス基板４００
上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ）や酸化
スズ（ＳｎＯ２）などの透明導電材料からなる表示電極
６００と低抵抗材料からなるバス電極７００、透明な絶
縁材料からなる誘電体層８００、酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）などの材料からなる保護層９００が形成された構
造となっている。

【０００５】背面基板２００は、背面ガラス基板５００
上にアドレス電極１０００とバリアリブ１１００、蛍光
体層１２００が形成された構造となっている。また、図
示はしていないが、アドレス電極１０００上にも誘電体
層１３００が形成されている。

【０００６】そして、前面基板１００と背面基板２００
を表示電極６００とアドレス電極１０００がほぼ直交す
るように張合わせることにより、放電空間領域３００が
前面基板１００と背面ガラス基板５００の間に形成され
ている。

【０００７】このガス放電型表示装置では、前面基板１
００に設けた１対の表示電極６００の間に交流電圧を印
加し、背面基板２００に設けたアドレス電極１０００と
表示電極６００の間に電圧を印加することによってアド
レス放電を発生させ、所定の放電セルに主放電を発生さ
せる。この主放電で発生する紫外線により各々の放電セ
ルに塗り分けられた赤、緑及び青の蛍光体１２００を発
光させ、表示を行っている。

【０００８】このようなガス放電型表示装置の従来例
は、たとえば、フラットパネルディスプレイ１９９６
（日経マイクロデバイス編、１９９５年）の第２０８頁
から２１５頁に記載されている。

【０００９】ここで、前面基板１００の有するバス電極
７００や背面基板２００の有するアドレス電極１０００
の形成方法をさらに詳細に説明する。図８は、背面ガラ
ス基板５００上にアドレス電極１０００を形成する一例
を示すものである。なお、前面基板１００の有するバス
電極７００もほぼ同様の工程により形成されるので、そ
の説明は省略する。

【００１０】まず、背面ガラス基板５００上にアドレス
電極１０００となるCr/Cu/Cr層（１０００a〜c）、アド
レス電極１０００のパターンを形成するためのレジスト
２５００をスパッタリング法や蒸着法や回転塗布やドラ
イフィル等の成膜手法を用いて順次、積層するように形
成する（ステップ(a)：成膜工程）。次に、所望のアド
レス電極１０００のパターンとなるように、レジスト２
５００を露光・現像する（ステップ(b)(c)：ホトリソ工
程）。次に、Cr用のエッチング液を用いてCr層１０００
aを所望のパターンにエッチングする（ステップ(d)：エ
ッチング工程）。次に、その露光・現像したレジスト２
５００を剥離し、再度、レジスト２５００を形成する
（ステップ(e)(f)）。以上の処理をCu層１０００b、Cr
層１０００cの各層について繰り返すことにより（ステ
ップ(g)〜(o)）、背面ガラス基板５００上にアドレス電
極１０００を形成する。

【００１１】一般に、このようなエッチング液を用いた
プロセスをウエットエッチングと呼ぶが、従来のウエッ
トエッチングでは、レジスト２５００を有機材料で形成
していた。

【００１２】また、従来、ウエットエッチングにより電
極を形成する場合、レジストを形成するためのホトリソ
工程が必須であった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】我々は、ホトリソ工程
の回数を削減するために、例えば、ステップ(a)〜(c)で
形成したレジスト２５００だけを用いてCr層１０００
a、Cu層１０００b、Cr層１０００c等の多層配線を形成
することについて検討した。この形成方法は、エッチン
グ液にCr層とCu層を選択エッチング可能なものを用いれ
ば可能となるが、実際にはアルカリ現像・剥離タイプの
レジストに対してダメージを与えることのないエッチン
グ液を用いてエッチングするとCr層１０００a、１００
０cが極めてサイドエッチされやすくなり、Cr/Cu/Cr層
の加工精度が非常に不安定になることが実験結果より明
らかとなった。Cr層がサイドエッチされた場合、そのサ
イドエッチされた部分が間隙となり、ボイドやエッチン
グ液等の残査が入り込み、誘電体の焼成工程で配線の浸
食による断線不良を生じてしまう。配線が断線すると、
ガス放電型表示パネルにおいて表示に寄与しない線が存
在することとなり、表示パネルとしては致命的な問題と
なってしまう。なお、Cr/Cu/Cr層は、他の電極材料に比
べて低抵抗な配線となるため、ガス放電型表示パネルの
ような大型の表示機器に対して非常に有効であるが、Cr
/Al/Cr等の多層配線をウエットエッチングにより形成す
る場合でも同様の問題が生じる。

【００１４】また、レジストを有機材料で形成すると、
レジストと電極との密着性が原因で生ずるエッチング液
によるレジスト界面での浸食や、異物および気泡の巻き
込みが原因で生ずるレジスト欠陥による浸食が生じ、こ
れによって断線不良を生ずることも明らかになった。そ
の他、従来のレジストは、ホトリソ工程により形成され
ていたため、異物等が原因となりレジスト欠陥を生じ易
かった。レジスト欠陥があるままウエットエッチングに
より電極を形成すれば、レジスト欠陥に対応した領域も
エッチングされ、電極は断線しやすかった。これらの問
題は、Cr/Cu/Cr、Cr/Al/Cr等の多層配線に限らず、Al、
Ag、Ni、Au等の配線をウエットエッチングにより形成す
る場合でも同様の問題が生じる。

【００１５】このように、従来のウエットエッチングを
用いて電極を形成したガス放電型表示パネルや配線基板
においては、電極のサイドエッチや予期せぬ浸食により
断線不良が生じやすかった。また、レジスト欠陥が原因
で生ずる断線不良も生じやすかった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、配線基
板やガス放電型表示パネルに形成する電極の断線不良を
抑制することにある。特に、電極をウエットエッチング
により形成する場合の断線不良を抑制することを目的と
する。

【００１７】本発明は、上記目的を達成するために、ウ
エットエッチングにおけるレジストを無機材料で形成し
た。

【００１８】すなわち、複数の第一の電極を有する前面
基板と、複数の第二の電極を有する背面基板とを備え、
少なくとも該第一の電極もしくは該第二の電極を無機材
料から成るレジストを用いてウエットエッチングにより
形成した。

【００１９】また、複数の第一の電極と、該第一の電極
を覆う第一の誘電体層とを有する前面基板と、複数の第
二の電極と、該第二の電極を覆う第二の誘電体層とを有
する背面基板とを備え、少なくとも該第一の電極と該第
一の誘電体層との間もしくは該第二の電極と該第二の誘
電体層との間に無機材料層を有し、該無機材料層を用い
て該第一の電極若しくは該第二の電極をウエットエッチ
ングにより形成した。

【００２０】これによって無機材料をスパッタリング法
や蒸着法等を用いて成膜したレジストは、従来の有機材
料のレジストに比べて電極との密着性が増すので、エッ
チング液によるレジスト界面での浸食を抑制することが
でき、断線不良を低減することができた。

【００２１】また、無機材料をレジストとして用いれ
ば、従来の有機材料に比べてエッチングダメージを考慮
する必要も無くなく、エッチング量を制御しやすいエッ
チング液が使用可能となり、安価な無機材料を用いて従
来のサイドエッチによる断線を抑制することができた。
無機材料としては、例えば、ITOやSiO２やＮｉとＣｒの
合金層などを用いれば良い。

【００２２】また、無機材料層は電極や誘電体層との反
応も少ないので、無機材料層を剥離せずに電極と誘電体
層との間に介在させることもでき、これによって電極と
誘電体層との反応による電極の浸食や断線を抑制するこ
とも可能となった。

【００２３】なお、無機材料層を用いたレジストの形成
方法は、ホトリソ、ブラスター、レーザ等のいかなる方
法を用いて形成しても良い。

【００２４】また、本発明は、上記目的を達成するため
にレジストをブラスターを用いて形成することとした。
すなわち、本発明は、複数の第一の電極を有する前面基
板と、複数の第二の電極を有する背面基板とを備え、少
なくとも該第一の電極上もしくは該第二の電極上にブラ
スターを用いて形成した材料層を有し、該材料層を用い
て該第一の電極もしくは該第二の電極をウエットエッチ
ングにより形成した。この場合、材料層が第一、第二の
電極のレジストとなる。

【００２５】この材料層を形成するには該材料層のレジ
ストとなる保護層を形成しなければならないが、ブラス
ターを用いて材料層（レジスト）を形成するので、保護
層と材料層との界面にエッチング液が浸透することはな
く、材料層（レジスト）の欠陥が生ずる可能性が低くな
った。従って、欠陥の少ない材料層（レジスト）を用い
てウエットエッチングするので電極の断線等を抑制する
ことができた。また、ブラスターを用いたレジストの加
工は、短時間かつ安価に実現することができた。

【００２６】その他、前記材料層をブラスターの代わり
にレーザーを用いて形成すれば、ブラスターで用いた保
護層さえ形成することがないので、ホトリソ工程無しに
電極を形成することができ、大幅に電極を形成する工程
を短縮することができた。当然、電極パターンを形成す
るためのマスクも不要となる。また、ホトリソ工程を用
いずに前記材料層（レジスト）を形成すれば、材料層を
所望のパターンとなるようにレーザーにより除去するだ
けなので、レジスト欠陥を極めて少なくすることができ
た。

【００２７】これらの場合の材料層（レジスト）は、有
機材料であっても無機材料であっても良い。

【００２８】さらにブラスターを使用する場合におい
て、ブラスターのノズルを絞ることによってレーザーと
同様の加工が可能である。さらに、材料層（レジスト）
を所望のパターンに機械的に削ってもレーザーと同様の
加工が可能である。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。

【００３０】図１は、背面基板上にアドレス電極を形成
する第一の実施の形態である。

【００３１】図において、１０は背面ガラス基板、１１
a、１１b、１１cはアドレス電極であり、順にCr/Cu/Cr
層を積層している。２５はレジストとなる無機材料層、
２６はレジスト２５のパターンを形成するためのホトレ
ジスト層である。

【００３２】まず、ガラス基板１０にCr層１１c、Cu層
１１b、Cr層１１a、無機材料層２５となるITO層を順次
スパッタ成膜した後、ホトレジスト２６となるドライフ
イルムレジストをラミネートする（ステップ(a)）。

【００３３】次に、所望の電極パターンとなるようにホ
トレジスト２６（ドライフィルムレジスト）の露光、現
像を行った後、ベークを行う（ステップ(b)）。

【００３４】次に炭酸カルシウムによるブラスト処理を
行い無機材料層２５（ITO層）の除去を行う（ステップ
(c)(d)）。このブラスト処理によるレジストの加工は、
極めて短時間で、しかもレジスト幅とほぼ同一の幅のパ
ターンを高精度に形成することが出来た。

【００３５】次に、ホトレジスト２６（ドライフィルム
レジスト）を剥離する（ステップ(e)）。ここで、前述
のブラスト処理により生じた無機材料層２５（ITO層）
の粉塵を洗浄により除去することが好ましい。

【００３６】続いて、過マンガン酸カリウムとメタケイ
酸ナトリウムからなる水溶液を用いてCr層１１aのエッ
チングを行う（ステップ(f)）。この場合、前述の無機
材料層２５（ITO層）がCr層１１aのレジストとなる。過
マンガン酸カリウムとメタケイ酸ナトリウムからなる水
溶液は、Cr層１１aをエッチング可能なアルカリ性の水
溶液であり、無機材料層２５（ITO層）とCu層１１bに対
してほぼエッチングしない。これによって、無機材料層
２５（ITO層）はアルカリ性の水溶液により実質的に浸
食されることなく、かつCr層１１aもほとんどサイドエ
ッチされずに形成することができた。また、無機材料層
２５（ITO層）とCr層１１aとの密着性は良く、Cr層１１
aの無機材料層２５（ITO層）との界面が浸食されること
はなかった。

【００３７】次に硫酸第二鉄と硫酸からなる水溶液を用
いてCu層１１bのエッチングを行う（ステップ(g)）。こ
の場合、前述の無機材料層２５（ITO層）とCr層１１aが
Cu層１１bのレジストとなる。硫酸第二鉄と硫酸からな
る水溶液は、Cu層１１bをエッチング可能な酸性の水溶
液であり、無機材料層２５（ITO層）とCr層１１aに対し
てほぼエッチングしない。これによって、Cr層１１a 、
Cu層１１bはほとんどサイドエッチされずに形成するこ
とができた。

【００３８】次に、再び過マンガン酸カリウムとメタケ
イ酸ナトリウムからなる水溶液を用いてCrのエッチング
を行いCr/Cu/Cr/ITOの構成の電極配線を形成する（ステ
ップ(h)）。

【００３９】以上のプロセスにより、サイドエッチ等に
よる断線不良の少ないCr/Cu/Cr/ITOの構成の電極配線を
得ることができた。

【００４０】このように無機材料層２５（ITO層）をレ
ジストとすると、無機材料層２５とCr層１１aとの十分
な密着性を確保でき、エッチング液によるレジスト界面
での電極の浸食や断線不良を抑制することができた。ま
た、異物や気泡等の巻き込みによる無機材料層２５のレ
ジスト欠陥が少なくなり、エッチング液による電極の浸
食や断線不良を抑制することができた。

【００４１】また、無機材料層２５をレジストとするこ
とで、エッチング液の選択幅が広がり、従来のCr層１１
a、cのサイドエッチを抑制することができた。また、レ
ジストへのエッチングダメージを考慮する必要がなくな
った。

【００４２】また、従来のエッチング液に代わりサンド
ブラスト等のブラスターを用いたことで、無機材料層２
５のレジスト欠陥を抑制することができた。すなわち、
ホトレジスト２６と無機材料層との界面からエッチング
液が浸透することがないので、無機材料層２５（レジス
ト）の欠陥が生ずる可能性は低く、その欠陥の少ない無
機材料層２５（レジスト）を用いてウエットエッチング
するので電極の断線等を抑制することができた。

【００４３】また、この電極形成プロセスでは、Cr層を
アルカリ性の水溶液によりエッチングしている。従来、
ホトリソ工程を用いて耐アルカリ性の有機レジストで形
成する場合、耐アルカリ性の有機レジストに対する現像
液、剥離液が高価かつ公害の原因となっていたが、本プ
ロセスでは無機レジストを用いるため電極や誘電体等と
の反応が少ないことから剥離する必要が無くなり剥離液
が不要となった。またホトリソ工程の代わりにブラスタ
ーを用いて無機レジストを形成するので耐アルカリ性の
有機レジストに対する現像液を使用することもなくなっ
た。すなわち、従来の耐アルカリ性の有機レジストに対
する現像液や剥離液の問題はなくなった。

【００４４】次に、図２は背面基板上にアドレス電極を
形成する第二の実施の形態である。

【００４５】図１では、Cu層１１bのエッチングにおい
て無機材料層２５（ITO層）のピンホール等の欠陥部にC
u層のエッチング液が微量に残り、後工程でCu層を浸食
する場合があることが分かった。従って、図２では、以
下のようなプロセスにより電極を形成した。

【００４６】まず、図１と同様のプロセスを経て、Cr層
１１aをエッチングする（ステップ(a)〜(e)）。

【００４７】次に、無機材料層２５（ITO層）上にCu用
エッチング液に対して浸食されないホトレジスト２６
（ドライフィルムレジスト）をラミネートした後（ステ
ップ(f)）、無機材料層２５（ITO層）を覆うようなパタ
ーンに露光・現像する（ステップ(g)）。その後、ホト
レジスト２６（ドライフィルムレジスト）の露光されて
いない部分を除去し（ステップ(h)）、図１と同様のエ
ッチング液によりCu層１１bのエッチングを行う（ステ
ップ(I)）。そして、ホトレジスト２６（ドライフィル
ムレジスト）を剥離する（ステップ(j)）。その後のプ
ロセスは図１と同様に行う。

【００４８】これによって、無機材料層２５（ITO層）
のピンホール等の欠陥にCu用エッチング液が残るとが無
くなり、後工程においてCu層が浸食されることを抑制で
きた。

【００４９】次に、図３は背面基板上にアドレス電極を
形成する第三の実施の形態である。

【００５０】図１とは、炭酸カルシウムによるブラスト
処理を無機材料層２５（ITO層）だけでなく、Cr層１１a
まで行い（ステップ(d)）、 Cu層１１bをエッチングし
た後（ステップ(e)）、ホトレジスト２６（ドライフィ
ルムレジスト）を剥離する（ステップ(f)）点が相違
し、その他は同様である。従って、ホトレジスト２６
（ドライフィルムレジスト）は、Cu層１１bのエッチン
グ液に対してエッチングされない材料を選定した。

【００５１】これによってCr層１１aをエッチングする
工程が無くなり、電極形成プロセスを簡略化することが
できた。また、ブラスト法の効率とウエットエッチング
法の効率とを考えても、Cu層１１b の材料特性と膜厚か
らして、Cr層１１aまでをブラスト法で加工することが
好ましい。このようにブラスト法等のドライエッチング
法とウエットエッチング方とを組み合わせて電極を形成
することは、プロセスの簡略化や電極の断線不良に対し
て有効である。

【００５２】次に、図４は背面基板上にアドレス電極を
形成する第四の実施の形態である。

【００５３】図４は、ホトリソ工程を用いずに電極を形
成した例である。

【００５４】まず、ガラス基板１０にCr層１１c、Cu層
１１b、Cr層１１a、無機材料層２５となるITO層を順次
スパッタ成膜する（ステップ(a)）。

【００５５】次に、所望の電極パターンとなるようにレ
ーザーを用いて無機材料層２５（ITO層）の除去を行う
（ステップ(b)）。

【００５６】その後は、図１と同様にCr層１１a、Cu１
１b、Cr１１cを順にエッチングして電極配線を形成する
（ステップ(c)〜(e)）。

【００５７】このようにレーザーを用いれば図１〜図３
に示すようなホトリソ工程無しにレジストを形成するこ
とができ、電極形成プロセスを大幅に簡略化することが
できた。また、電極を形成するためのマスクも不要とな
った。

【００５８】ホトリソ工程が無くなることにより、異物
等が付着して生ずる未露光部分によるレジスト欠陥が無
くなるので、そのレジスト欠陥が原因で生ずるウエット
エッチング時の断線不良等を抑制することができた。す
なわち、異物に強い電極形成プロセスを実現することが
できた。

【００５９】なお、図３のようにCr層１１aまでをレー
ザーによって加工しても良い。これはCr層の厚さからし
ても実現可能であり、また、実際に高精度に加工するこ
とができた。そのプロセスを図５に示す通りである。

【００６０】図４、図５のプロセスでは、Cu層１１bの
エッチングにおいて無機材料層２５（ITO層）のピンホ
ール等の欠陥部にCu層のエッチング液が微量に残り、後
工程でCu層を浸食する場合があることが分かった。従っ
て、図６では、この点を解決するために以下のようなプ
ロセスにより電極を形成した。なお、図６では、図５の
プロセスを対象として説明する。

【００６１】まず、ガラス基板１０にCr層１１c、Cu層
１１b、Cr層１１aを順次スパッタ成膜した後、無機材料
層２５となるITO層、 Cu層１１bのエッチング液に対し
て浸食されないレジスト２７を形成する（ステップ
(a)）。

【００６２】次に、所望の電極パターンとなるようにレ
ーザーを用いてレジスト２７、無機材料層２５Cr層１１
aを除去する（ステップ(b)）。このようにレジスト２７
はレーザーによって形成するので、従来のホトリソ工程
で用いるような感光性の材料である必要はない。

【００６３】次に硫酸第二鉄と硫酸からなる水溶液を用
いてレジスト２７を用いてCu層１１bのエッチングを行
う（ステップ(c)）。このとき、無機材料層２５上には
レジスト２７があるので、無機材料層２５は浸食されに
くい。

【００６４】その後、レジスト２７を剥離し、過マンガ
ン酸カリウムとメタケイ酸ナトリウムからなる水溶液を
用いてCr層１１cのエッチングを行う（ステップ(d)）。
レジスト２７はステップ(e)後に剥離しても良い。

【００６５】以上のプロセスにより、サイドエッチ等に
よる断線不良の少ないCr/Cu/Cr/ITOの構成の電極配線を
得ることができた（ステップ(e)）。

【００６６】これによって、無機材料層２５（ITO層）
にCu用エッチング液が残ることが無くなり、後工程にお
いてCu層が浸食されることを抑制することができた。

【００６７】次に、サイドエッチなどが少なく、これま
での実施例に比べてさらに工程を削減した低コストの電
極について説明する。

【００６８】図１０はスパッタリング等による成膜回数
を低減し，さらに低コストを目的として電極を形成した
例である。

【００６９】まず，ガラス基板１０にCr層１１c，Cu層
１１b，無機材料層２５となるNiとCrの合金層を順次ス
パッタする（ステップ(a)）。 なお、NiとCrの合金層で
あれば、後のCr層１１ｂとCu層１１ｃとの選択エッチン
グが可能である。また、レーザ加工も容易な材料であ
る。

【００７０】次に，所望の電極パターンとなるようにレ
ーザを用いて無機材料層２５（NiとCrの合金層）の除去
を行う（ステップ(b)）。当然、前述の実施例のように
ブラスト加工でも良い。

【００７１】その後は，図３と同様にCu層１１b，Cr層
１１cを順にエッチングして電極配線を形成する（ステ
ップ(c) 〜(d)）。

【００７２】この電極構成であれば、これまでの実施例
に記載したＣｒ層１１ａが不要となるので、そのＣｒ層
１１ａの成膜工程などを省略でき、コストをさらに低減
することが可能となる。また、Ｃｒ層１１ｃと、Ｃｕ層
１１ｂと、ＮｉとＣｒの合金層とで構成される電極は、
サイドエッチなどによる断線防止の他、Ｃｒ層１１ｃに
よる基板10との接着力、Ｃｕ層１１ｂによる低抵抗化、
ＮｉとＣｒの合金層による誘電体層（図示せず）との
反応防止を実現できるので、プラズマデスプレイパネル
に要求される条件を満足することができる。なお、Ｎｉ
とＣｒの合金層に代えて、 SiO2、ITO、Si、Ｎｉなどで
も良い。

【００７３】同様に、図１１はスパッタリング等による
成膜回数を低減するとともに，Cｒ層を厚くすることに
より無機材料層２５として用いて電極を形成した例であ
る。

【００７４】まず，ガラス基板１０にCr層１１c，Cu層
１１b，無機材料層２５となる厚いCr層を順次スパッタ
する（ステップ(a)）。Ｃｒ層２５は、Ｃｒ層１１ｃの
３倍以上の厚さであることが、後述するプロセス条件の
設定を容易にする上で好ましい。

【００７５】次に，所望の電極パターンとなるようにレ
ーザを用いて無機材料層２５（厚いCr層）の除去を行う
（ステップ(b)）。当然、前述の実施例のようにブラス
ト加工でもよい。

【００７６】その後は，図３と同様にCu層１１b，Cr層
１１cを順にエッチングして電極配線を形成する（ステ
ップ(c) 〜(d)）。

【００７７】この場合，Cr層１１cをエッチングすると
無機材料層２５（厚いCr層）もエッチングされて膜減り
を起こすが，Cr層１１cより無機材料層２５が十分に厚
くすることにより信頼性上問題のない電極を形成でき
た。また、無機材料層２５を厚くすることで、無機材料
層２５にピンホールが形成されにくくなるので、Ｃｒ層
１１ｂの表面のエッチング液の残査が少なくなり、この
エッチング残査により後工程においてＣｕ層を侵食する
ことを防ぐことができる。

【００７８】このようにＣｒ層２５を厚くすれば、下層
のＣｕ層１１ｂやＣｒ層１１ｃのエッチングに対して選
択性がなくても、これまでのようにレーザ加工などのド
ライエッチングと、ウエットエッチングとを組み合わせ
た電極形成が可能となる。

【００７９】次に、これまで説明してきた電極形成プロ
セスを用いて形成したガス放電型表示パネルの一例を図
７を用いて説明する。

【００８０】図７は、ガス放電型表示パネルを示したも
のであり、図７（a）はアドレス電極に平行な断面図を
示したものであり、（b）はアドレス電極に垂直な断面
図を示したものである。また、前述の電極形成プロセス
を前面基板、背面基板のいずれにも適用している。

【００８１】図において、１０は背面ガラス基板、１１
はアドレス電極、１２はSiO2等の薄膜誘電体層、１３は
厚膜誘電体層、１４は前面ガラス基板、１５はITO等の
透明電極、１６はCr‐Cu‐Cr等のバス電極、１７はSiO2
等の薄膜誘電体層、１８は厚膜誘電体層、１９はMgO等
の保護膜、２０は封着部材、２１は外部回路からの電
極、２２は導電粒子を含む異方性導電シート、２３は隔
壁、２４は蛍光体層、２５は電極形成時のレジストとな
る無機材料層である。

【００８２】前面基板は以下のように形成した。

【００８３】まず、ガラス基板１４上に透明電極１５を
形成する。透明電極１５はウエットエッチング、ブラス
ター、レーザーのいずれかを用いて形成すれば良いが、
プロセスを簡略化するにはレーザーを用いて形成するこ
とが好ましい。次に前述の本発明の電極形成プロセスを
用いて透明電極１５上にバス電極１４を形成する。この
とき、前述の無機材料層２５はバス電極１６上に存在す
る。次に、透明電極１５、バス電極１６を少なくとも覆
うように薄膜誘電体層１７を形成する。例えば、パネル
全面に薄膜誘電体層１７を形成する。次に、この薄膜誘
電体層１７上に厚膜印刷法により厚膜誘電体層１８を形
成する。次に、この厚膜誘電体層１８上にMgO等の保護
膜１９を蒸着させて形成する。前面基板の場合、バス電
極１６下に透明電極１５を形成している。一般にこの透
明電極１５はITO層である。従って、前述の本発明の電
極形成プロセスを応用して、透明電極１５と無機材料層
２５を含むバス電極１６とを一連のウエットエッチング
工程で形成しても良い。この場合、ITO/Cr/Cu/Cr/ITOを
順次形成し、前述の本発明の電極形成プロセスのいずれ
かを用いてバス電極１６となるCr/Cu/Cr/ITOを形成す
る。その後、透明電極１５となるITO層を所望のパター
ンとなるようなレジストを形成し、このレジストを用い
てITO層をエッチングし、レジストを剥離することで透
明電極１５およびバス電極１６を形成することができ
る。無機材料層２５はSiO２やＮｉとＣｒの合金層であ
っても良い。

【００８４】一方、背面基板は以下のように形成した。

【００８５】まず、ガラス基板１０上にアドレス電極１
１を前述の本発明の電極形成プロセスを用いて形成す
る。次に、アドレス電極１１を少なくとも覆うように薄
膜誘電体層１２を形成する。例えば、パネル全面に薄膜
誘電体層１２を形成する。次に、この薄膜誘電体層１２
上に厚膜印刷法により厚膜誘電体層１３を形成する。次
に、この厚膜誘電体層１３上に隔壁２３を形成し、さら
に蛍光体層２４を印刷法により形成する。この隔壁は、
アドレス電極に平行なストライプ状に形成しても、表示
セルを囲むような格子状に形成しても良い。

【００８６】このようにして、形成された前面基板と背
面基板とは位置合わせした後、封着部材２１により封止
した。封止された空間には希ガスが混入されている。ま
た、外部回路からの電極２１は、接続プロセスを簡略化
するため、前面基板と背面基板がそれぞれ有する外部接
続端子と異方性導電性シートを介して接続する。

【００８７】このように無機材料層２５は、アドレス電
極１１と誘電体層１８、バス電極１６と誘電体層１３と
の反応が問題とならないので剥離せずに残すことができ
る。これによってアドレス電極１１と誘電体層１８、バ
ス電極１６と誘電体層１３との反応を抑制してアドレス
電極１１やバス電極１６の浸食を抑制することも可能と
なった。従って、図中の薄膜誘電体層１２は形成しなく
とも問題はない。

【００８８】このようにバス電極やアドレス電極をCr/C
u/Cr/ITO層もしくはCr/Cu/Cr/SiO２層もしくはCr/Cu/Cr
/ＮｉとＣｒの合金層として形成すれば、結果として様
々な原因による断線不良を低減することができた。

【００８９】なお、さらに断線不良を低減するには、Cr
層１１a、Cu層１１b、Cr層１１cのいずれかで異なるレ
ジストを用いて形成すれば良い。また、無機材料層を２
層で構成し、Cr/Cu/Cr/ITO/SiO２層としても良い。

【００９０】これまで説明してきた実施の形態において
は、Cr/Cu/Cr電極配線をCr/Al/Cr、Ag、Ni、Au、Al等に
置き換えても同様の効果が得られるのは言うまでもな
い。すなわち、ガス放電型表示パネルに要求される配線
抵抗を満足する材料で有れば同様の効果が得られること
は言うまでもない。また、アドレス電極に限らず、図７
に示すように、前面基板のバス電極を形成しても同様の
効果が得られるのは言うまでもない。また、ガス放電型
表示パネルに限らず、電極をウエットエッチングにより
形成する配線基板等の全てにおいて適用できることは言
うまでもない。

【００９１】また、無機材料層２５（レジスト）であれ
ば、ブラスターやレーザーを用いた形成方法でなくとも
レジスト界面での電極の浸食を抑制できることは言うま
でもない。逆に、レジストをブラスターやレーザーを用
いて形成すれば、レジストが無機材料でなくともレジス
ト欠陥を抑制できることは言うまでもない。

【００９２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、配線基
板やガス放電型表示装置に形成する電極の断線不良を抑
制することができる。特に、電極をウエットエッチング
により形成する場合の断線不良を抑制することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示すプロセス図で
ある。

【図２】本発明の第２の実施の形態を示すプロセス図で
ある。

【図３】本発明の第３の実施の形態を示すプロセス図で
ある。

【図４】本発明の第４の実施の形態を示すプロセス図で
ある。

【図５】本発明の第５の実施の形態を示すプロセス図で
ある。

【図６】本発明の第６の実施の形態を示すプロセス図で
ある。

【図７】本発明のガス放電型表示装置を示す断面図であ
る。

【図８】従来のプロセス図である。

【図９】従来のガス放電型表示装置を示す断面図であ
る。

【図１０】本発明の第７の実施の形態を示すプロセス図
である。

【図１１】本発明の第８の実施の形態を示すプロセス図
である。

【符号の説明】

１０…背面ガラス基板，１１…アドレス電極，１２…薄
膜誘電体層，１３…厚膜誘電体層，１４…前面ガラス基
板，１５…表示電極，１６…バス電極，１７…薄膜誘電
体層，１８…厚膜誘電体層，１９…保護膜，２０…封着
材，２１…外部回路用電極，２２…異方性導電シート，
２３…隔壁，２４…蛍光体層，２５…無機材料層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 雄三 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所内 (72)発明者 鈴木 重明 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 河合 通文 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 藪下 明 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 福島 誠 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 村瀬 友彦 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所情報メディア事業本部内

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の第一の電極を有する前面基板と、複
   数の第二の電極を有する背面基板とを備え、 少なくとも該第一の電極もしくは該第二の電極を無機材
   料から成るレジストを用いてウエットエッチングにより
   形成したことを特徴とするガス放電型表示装置。
2. 【請求項２】前記レジストをブラスターを用いて形成し
   たことを特徴とする請求項１記載のガス放電型表示装
   置。
3. 【請求項３】前記レジストをレーザーを用いて形成した
   ことを特徴とする請求項１記載のガス放電型表示装置。
4. 【請求項４】少なくとも前記第一の電極若しくは前記第
   二の電極がCr/Cu/Cr層であり、前記レジストと前記第一
   の電極若しくは前記第二の電極の最上層となるCr層をブ
   ラスターもしくはレーザーを用いて形成したことを特徴
   とする請求項１記載のガス放電型表示装置。
5. 【請求項５】少なくとも前記第一の電極若しくは前記第
   二の電極がCr/Cu/Cr層であり、少なくとも前記第一の電
   極若しくは前記第二の電極のCr層をアルカリ性のエッチ
   ング液を用いたウエットエッチングにより形成したこと
   を特徴とする請求項１記載のガス放電型表示装置。
6. 【請求項６】前記レジストが２層以上の無機材料である
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記
   載のガス放電型表示装置。
7. 【請求項７】前記レジストがITO膜もしくはSiO２もしく
   はＮｉとＣｒの合金層であることを特徴とする請求項１
   から請求項６のいずれかに記載のガス放電型表示装置。
8. 【請求項８】複数の第一の電極と、該第一の電極を覆う
   第一の誘電体層とを有する前面基板と、 複数の第二の電極と、該第二の電極を覆う第二の誘電体
   層とを有する背面基板とを備え、 少なくとも該第一の電極と該第一の誘電体層との間もし
   くは該第二の電極と該第二の誘電体層との間に無機材料
   層を有し、該無機材料層を用いて該第一の電極若しくは
   該第二の電極をウエットエッチングにより形成してなる
   ことを特徴とするガス放電型表示装置。
9. 【請求項９】前記無機材料層をブラスターを用いて形成
   したことを特徴とする請求項８記載のガス放電型表示装
   置。
10. 【請求項１０】前記無機材料層をレーザーを用いて形成
    したことを特徴とする請求項８記載のガス放電型表示装
    置。
11. 【請求項１１】少なくとも前記第一の電極若しくは前記
    第二の電極がCr/Cu/Cr層であり、前記無機材料層と前記
    第一の電極若しくは前記第二の電極の最上層となるCr層
    をブラスターもしくはレーザーを用いて形成したことを
    特徴とする請求項８記載のガス放電型表示装置。
12. 【請求項１２】少なくとも前記第一の電極若しくは前記
    第二の電極がCr/Cu/Cr層であり、少なくとも前記第一の
    電極若しくは前記第二の電極のCr層をアルカリ性のエッ
    チング液を用いてウエットエッチングにより形成したこ
    とを特徴とする請求項８記載のガス放電型表示装置。
13. 【請求項１３】前記無機材料層が２層以上であることを
    特徴とする請求項８から請求項１２のいずれかに記載の
    ガス放電型表示装置。
14. 【請求項１４】前記無機材料層がITO膜もしくはSiO2も
    しくはＮｉとＣｒの合金層であることを特徴とする請求
    項８から請求項１３のいずれかに記載のガス放電型表示
    装置。
15. 【請求項１５】前記無機材料層と前記誘電体層との間に
    少なくとも絶縁材料層を有することを特徴とする請求項
    ８から請求項１４のいずれかに記載のガス放電型表示装
    置。
16. 【請求項１６】複数の第一の電極を有する前面基板と、
    複数の第二の電極を有する背面基板とを備え、 少なくとも該第一の電極上もしくは該第二の電極上にブ
    ラスターを用いて形成した材料層を有し、該材料層を用
    いて該第一の電極もしくは該第二の電極をウエットエッ
    チングにより形成してなることを特徴とするガス放電型
    表示装置。
17. 【請求項１７】複数の第一の電極を有する前面基板と、
    複数の第二の電極を有する背面基板とを備え、 少なくとも該第一の電極上もしくは該第二の電極上にレ
    ーザーを用いて形成した材料層を有し、該材料層を用い
    て該第一の電極もしくは該第二の電極をウエットエッチ
    ングにより形成してなることを特徴とするガス放電型表
    示装置。
18. 【請求項１８】無機材料から成るレジストを用いて形成
    した配線パターンを備えることを特徴とする配線基板。
19. 【請求項１９】ブラスターにより形成したレジストを用
    いて形成した配線パターンを備えることを特徴とする配
    線基板。
20. 【請求項２０】レーザーにより形成したレジストを用い
    て形成した配線パターンを備えることを特徴とする配線
    基板。
21. 【請求項２１】複数の透明電極と該透明電極上に形成し
    たバス電極とを有する前面基板と、複数のアドレス電極
    を有する背面基板とを備え、 少なくとも該バス電極もしくは該アドレス電極をCr/Cu/
    Cr/ITO層もしくはCr/Cu/Cr/SiO２層もしくはCr/Cu/Cr/I
    TO/ SiO２層もしくはCr/Cu/Cr/ＮｉとＣｒの合金層とし
    たことを特徴とするガス放電型表示装置。